JP3927158B2 - Substrate holder and device manufacturing method - Google Patents

Substrate holder and device manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
JP3927158B2
JP3927158B2 JP2003293217A JP2003293217A JP3927158B2 JP 3927158 B2 JP3927158 B2 JP 3927158B2 JP 2003293217 A JP2003293217 A JP 2003293217A JP 2003293217 A JP2003293217 A JP 2003293217A JP 3927158 B2 JP3927158 B2 JP 3927158B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
plate member
clamp
nominal size
substrate holder
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2003293217A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2004134755A (en
Inventor
ウィルヘル厶ス マリア クリカール ヨハンネス
ヤコブス マリア ファン ベイユステルフェルト フベルトゥス
ウィンフリート エドゥアルドゥス ミンナエルト アルトゥール
アントン ヤック テウエン マウリス
ロフ ヨエリ
Original Assignee
エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. filed Critical エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ.
Publication of JP2004134755A publication Critical patent/JP2004134755A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3927158B2 publication Critical patent/JP3927158B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

本発明は、放射線の投影ビームを供給する放射線システムと、所望するパターンに従って投影ビームをパターン化するパターニング手段を支持する支持構造と、基板を保持する基板テーブルと、パターン化されたビームを基板の目標部分に投影する投影システムとにより構成されるリソグラフィ投影装置に於いて使用される基板ホルダと、デバイス製造方法に関する。   The present invention provides a radiation system for supplying a projection beam of radiation, a support structure for supporting patterning means for patterning the projection beam according to a desired pattern, a substrate table for holding the substrate, and a patterned beam for the substrate. The present invention relates to a substrate holder used in a lithographic projection apparatus constituted by a projection system that projects onto a target portion, and a device manufacturing method.

ここに使用する「パターニング手段」なる用語は、入射する放射線ビームに、基板の目標部分に作り出されるべきパターンと一致するパターン化断面を与えるために使用し得る手段に当たるものとして広義に解釈されるべきである。また、「ライトバルブ」なる用語もこうした状況において使用される。一般的に、上記のパターンは、集積回路や他のデバイス(以下を参照)であるような、デバイスにおいて目標部分に作り出される特別な機能層に相当する。そのようなパターニング手段には以下が含まれる。すなわち、
− マスク。マスクの概念はリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、様々なハイブリッドマスクタイプのみならず、バイナリマスク、レベンソンマスク、減衰位相シフトマスクといったようなマスクタイプも含まれる。放射線ビームにこのようなマスクを配置することにより、マスクに照射する放射線の、マスクパターンに従う選択的透過(透過性マスクの場合)や選択的反射(反射性マスクの場合)を可能にする。マスクの場合、その支持構造は一般的に、入射する放射線ビームの所望する位置にマスクを保持しておくことが可能であり、かつ、必要な場合、ビームに対して運動させることの可能なマスクテーブルである。
− プログラマブルミラーアレイ。このようなデバイスの一例として、粘弾性制御層および反射面を有するマトリクスアドレス可能面があげられる。こうした装置の基本的原理は、(例えば)反射面のアドレスされた領域は入射光を回折光として反射するが、アドレスされていない領域は入射光を非回折光として反射するといったことである。適切なフィルタを使用することにより、回折光のみを残して上記非回折光を反射ビームからフィルタすることが可能である。この方法において、ビームはマトリクスアドレス可能面のアドレスパターンに従ってパターン形成される。プログラマブルミラーアレイのまた別の実施形態では小さな複数のミラーのマトリクス配列を用いる。そのミラーの各々は、適した局部電界を適用することによって、もしくは圧電作動手段を用いることによって、軸を中心に個々に傾けられている。もう一度言うと、ミラーはマトリクスアドレス可能であり、それによりアドレスされたミラーはアドレスされていないミラーとは異なる方向に入射の放射線ビームを反射する。このようにして、反射されたビームはマトリクスアドレス可能ミラーのアドレスパターンに従いパターン形成される。必要とされるマトリクスアドレッシングは適切な電子手段を用いて実行される。前述の両方の状況において、パターニング手段は1つ以上のプログラマブルミラーアレイから構成可能である。ここに参照を行ったミラーアレイに関するより多くの情報は、参考までに記載を行うと、例えば、米国特許第US5,296,891号および同第US5,523,193号、並びに、PCT特許種出願第WO98/38597および同WO98/33096から得ることが出来る。プログラマブルミラーアレイの場合、上記支持構造は、例えばフレームもしくはテーブルとして具体化され、これは必要に応じて、固定式となるか、もしくは可動式となる。
− プログラマブルLCDアレイ。このような構成の例が、参考までに記載を行うと、米国特許第US5,229,872号に開示されている。上記同様、この場合における支持構造も、例えばフレームもしくはテーブルとして具体化され、これも必要に応じて、固定式となるか、もしくは可動式となる。簡潔化の目的で、本文の残りを、特定の箇所において、マスクおよびマスクテーブルを必要とする例に限定して導くものとする。しかし、こうした例において論じられる一般的な原理は、既に述べたようなパターニング手段のより広範な状況において理解されるべきである。
As used herein, the term “patterning means” should be broadly interpreted as a means that can be used to provide an incident radiation beam with a patterned cross section that matches the pattern to be created on the target portion of the substrate. It is. The term “light valve” is also used in this context. In general, the above pattern corresponds to a special functional layer created in the target portion of the device, such as an integrated circuit or other device (see below). Such patterning means include the following. That is,
– Mask. The concept of mask is well known in lithography and includes not only various hybrid mask types, but also mask types such as binary mask, Levenson mask, attenuated phase shift mask. By disposing such a mask in the radiation beam, it is possible to selectively transmit (in the case of a transmissive mask) or selectively reflect (in the case of a reflective mask) the radiation applied to the mask according to the mask pattern. In the case of a mask, the support structure is generally capable of holding the mask in the desired position of the incident radiation beam and, if necessary, a mask that can be moved relative to the beam. It is a table.
A programmable mirror array. An example of such a device is a matrix addressable surface having a viscoelastic control layer and a reflective surface. The basic principle of such a device is that (for example) the addressed area of the reflective surface reflects incident light as diffracted light, whereas the unaddressed area reflects incident light as non-diffracted light. By using an appropriate filter, it is possible to filter the non-diffracted light from the reflected beam, leaving only the diffracted light. In this method, the beam is patterned according to the address pattern of the matrix addressable surface. Another embodiment of a programmable mirror array uses a matrix array of small multiple mirrors. Each of the mirrors is individually tilted about an axis by applying a suitable local electric field or by using piezoelectric actuation means. Once again, the mirrors are matrix addressable so that the addressed mirrors reflect the incoming radiation beam in a different direction than the unaddressed mirrors. In this way, the reflected beam is patterned according to the address pattern of the matrix addressable mirror. The required matrix addressing is performed using suitable electronic means. In both of the situations described above, the patterning means can consist of one or more programmable mirror arrays. For more information on the mirror array referred to here, for example, US Pat. Nos. 5,296,891 and 5,523,193, and PCT patent application No. WO 98/38597 and WO 98/33096. In the case of a programmable mirror array, the support structure is embodied as a frame or table, for example, which can be fixed or movable as required.
-Programmable LCD array. An example of such a configuration is disclosed in US Pat. No. 5,229,872 for reference. As described above, the support structure in this case is also embodied as a frame or a table, for example, which may be fixed or movable as required. For the sake of brevity, the remainder of the text will be directed to examples that require masks and mask tables at specific locations. However, the general principles discussed in these examples should be understood in the broader context of patterning means as already mentioned.

リソグラフィ投影装置は例えば、集積回路(IC)の製造において使用可能である。この場合、パターニング手段はICの個々の層に対応する回路パターンを生成する。そして、放射線感光原料(レジスト)の層が塗布された基板(シリコンウェハ)上の目標部分(例えば1つあるいはそれ以上のダイから成る)にこのパターンを像形成することが出来る。一般的に、シングルウェハは、投影システムを介して1つずつ順次照射される近接目標部分の全体ネットワークを含んでいる。マスクテーブル上のマスクによるパターニングを用いる現在の装置は、異なる2つのタイプのマシンに区分される。リソグラフィ投影装置の一タイプでは、全体マスクパターンを目標部分に1回の作動にて露光することによって各目標部分が照射される。こうした装置は一般的にウェハステッパと称されている。ステップアンドスキャン装置と称される別の装置では、所定の基準方向(「スキャニング」方向)にマスクパターンを投影ビーム下で徐々にスキャニングし、これと同時に基板テーブルをこの方向と平行に、あるいは非並行にスキャニングすることにより、各目標部分が照射される。一般的に、投影装置は倍率係数M(一般的に、<1)を有することから、基板テーブルが走査される速度Vは、マスクテーブルが走査される速度の係数M倍となる。ここに記載を行ったリソグラフィデバイスに関するさらなる情報は、参考までに記載を行うと、例えば、米国特許第US6,046,792号から得ることが出来る。   Lithographic projection apparatus can be used, for example, in the manufacture of integrated circuits (ICs). In this case, the patterning means generates circuit patterns corresponding to the individual layers of the IC. This pattern can then be imaged onto a target portion (e.g. consisting of one or more dies) on a substrate (silicon wafer) coated with a layer of radiation sensitive material (resist). In general, a single wafer will contain a whole network of adjacent target portions that are successively irradiated via the projection system, one at a time. Current devices that use patterning with a mask on a mask table are divided into two different types of machines. In one type of lithographic projection apparatus, each target portion is irradiated by exposing the entire mask pattern onto the target portion in one operation. Such an apparatus is commonly referred to as a wafer stepper. In another apparatus, called a step-and-scan apparatus, the mask pattern is gradually scanned under the projection beam in a predetermined reference direction (the “scanning” direction) and at the same time the substrate table is parallel to this direction or non- By scanning in parallel, each target portion is irradiated. In general, since the projection apparatus has a magnification factor M (generally <1), the speed V at which the substrate table is scanned is a factor M times that at which the mask table is scanned. Further information regarding the lithographic devices described herein can be obtained, for example, from US Pat. No. 6,046,792, by way of reference.

リソグラフィ投影装置を使用する製造工程において、パターン(例えばマスクにおける)は少なくとも部分的に放射線感光材(レジスト)の層で覆われた基板上に像形成される。この像形成ステップに先立ち、基板は、プライミング、レジスト塗布、およびソフトベークといったような各種の工程を経る。露光後、基板は、ポストベーク(PEB)、現像、ハードベーク、および像形成フューチャの測定/検査といったような他の工程を通る。この工程の配列は、例えばICといったような素子の個々の層をパターン化するための基準として使用される。このようなパターン形成された層は、それから、全て個々の層を仕上げる目的である、エッチング、イオン注入(ドーピング)、メタライゼーション、酸化、化学機械的研磨等といった種々のプロセスを経る。数枚の層が必要とされる場合には、全体工程、もしくはその変形をそれぞれの新しい層に繰り返す必要がある。最終的に、素子のアレイが基板(ウェハ)上に形成される。次に、これらの素子はダイシングやソーイングといったような技法で相互より分離される。それから個々の素子は、キャリアに装着されたり、ピンに接続されたりし得る。こうした工程に関するさらなる情報は、参考までに例をあげると、1997年にマグローヒル出版会社より刊行された、Peter van Zant著、「マイクロチップ製造:半導体処理に対する実用ガイド」という名称の書籍(“Microchip Fabrication:A Pratical Guide to Semiconductor Processing”)の第3版、ISBN0−07−067250−4より入手可能である。   In a manufacturing process using a lithographic projection apparatus, a pattern (eg in a mask) is imaged on a substrate that is at least partially covered by a layer of radiation-sensitive material (resist). Prior to this image forming step, the substrate undergoes various processes such as priming, resist coating, and soft baking. After exposure, the substrate goes through other processes such as post bake (PEB), development, hard bake, and imaging feature measurement / inspection. This sequence of steps is used as a reference for patterning individual layers of devices such as ICs. Such patterned layers are then subjected to various processes such as etching, ion implantation (doping), metallization, oxidation, chemical mechanical polishing, etc., all aimed at finishing the individual layers. If several layers are required, the entire process, or a modification thereof, must be repeated for each new layer. Finally, an array of elements is formed on the substrate (wafer). These elements are then separated from each other by techniques such as dicing and sawing. Individual elements can then be attached to a carrier or connected to pins. For further information on these processes, for example, a book titled “Microchip Fabrication: A Microchip Fabrication: A Practical Guide to Semiconductor Processing” published by McGraw Hill Publishing Company in 1997 by Peter van Zant. : A Practical Guide to Semiconductor Processing ”), 3rd edition, ISBN0-07-0667250-4.

簡潔化の目的で、これより投影システムを「レンズ」と称するものとする。しかし、この用語は、例えば屈折光学システム、反射光学システム、および反射屈折光学システムを含むさまざまなタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。放射線システムはまた、放射線の投影ビームの誘導、成形、あるいは制御を行う、こうした設計タイプのいずれかに応じて稼動する構成要素も備えることが出来る。こうした構成要素もまた以降において集約的に、あるいは単独的に「レンズ」と称する。さらに、リソグラフィ装置は2つあるいはそれ以上の基板テーブル(および、あるいは2つもしくはそれ以上のマスクテーブル)を有するタイプのものである。このような「多段」デバイスにおいては、追加のテーブルが並列して使用される。もしくは、1つ以上の他のテーブルが露光に使用されている間に予備工程が1つ以上のテーブルにて実行される。例えば、参考までに記載を行うと、デュアルステージリソグラフィ装置について、米国特許第US5,969,441号および国際特許出願第WO98/40791号において記載がなされている。   For the sake of brevity, the projection system will hereinafter be referred to as the “lens”. However, this term should be construed broadly to encompass various types of projection systems including, for example, refractive optical systems, reflective optical systems, and catadioptric optical systems. The radiation system can also include components that operate according to any of these design types to direct, shape, or control the projection beam of radiation. Such components are also referred to hereinafter collectively or singly as “lenses”. Furthermore, the lithographic apparatus is of a type having two or more substrate tables (and / or two or more mask tables). In such “multi-stage” devices, additional tables are used in parallel. Alternatively, the preliminary process is performed on one or more tables while one or more other tables are used for exposure. For example, for reference, a dual stage lithographic apparatus is described in US Pat. No. 5,969,441 and International Patent Application No. WO 98/40791.

半導体デバイスの製造に使用されるシリコンウェハには、標準サイズが150mm、200mm、300mm(そのおおよそのサイズによりしばしば6インチ、8インチ、12インチとされる)のものがあり、ウェハを交換するステップ数を減じることでスループットを向上させ、より多くのデバイスを単一ウェハに製造可能であることから、より大きなウェハサイズがますます一般的になってきている。リソグラフィ装置、および半導体製造において使用される他の装置は、こうした標準ウェハサイズにおいて作動するように設計がなされている。一般的に、リソグラフィ装置は一種類のみの標準サイズウェハを受け入れるようにされている。一般に大きいウェハサイズが好まれる傾向があるにもかかわらず、ある専門分野においては、上記に述べたような標準サイズよりも小さい、薄いウェハ上に製造できることが望ましい。しかし、そうした小さく薄いウェハに対応出来るようにリソグラフィ装置を製造することや、リソグラフィ装置をそれに適応させることは不経済である。   Silicon wafers used to manufacture semiconductor devices include standard sizes of 150 mm, 200 mm, and 300 mm (often approximately 6 inches, 8 inches, and 12 inches depending on the approximate size), and the step of replacing the wafer Larger wafer sizes are becoming more and more common as the number can be reduced to increase throughput and more devices can be fabricated on a single wafer. Lithographic apparatus, and other apparatus used in semiconductor manufacturing, are designed to operate on these standard wafer sizes. In general, the lithographic apparatus is adapted to accept only one type of standard size wafer. Despite the general tendency to favor large wafer sizes, it is desirable in some specialized fields to be able to manufacture on thin wafers that are smaller than the standard sizes as described above. However, it is uneconomical to manufacture a lithographic apparatus to accommodate such small and thin wafers and to adapt the lithographic apparatus to it.

上記で論じたようなタイプのシリコンウェハは通常非常に薄く(例えば140μmといった、100μmから350μmの間)、それによりウェハそれ自身の重さによりかなりカーブする傾向がある。ステッパツールにて露光を行う際に、ウェハは1マイクロメータ以内の平面度にされる必要がある。さらに、狭いスペースを通りウェハを接触なく動かせるように、ハンドリング中にウェハがフラットであることは有益である。またさらに、例えばウェハがもろいために、ロボットによりハンドリングされる際にまた他の問題を生じる。かつ、ウェハがカーブしていると、真空ホルダとの接続がうまくなされない場合がある。ゆえに、ウェハがリソグラフィ装置内にあるときは常にこれをフラットに保つことが望ましい。   Silicon wafers of the type as discussed above are usually very thin (between 100 μm and 350 μm, for example 140 μm), and therefore tend to curve considerably depending on the weight of the wafer itself. When performing exposure with a stepper tool, the wafer needs to have a flatness within 1 micrometer. Furthermore, it is beneficial that the wafer is flat during handling so that the wafer can be moved through a narrow space without contact. Still further, other problems arise when handled by a robot, for example because the wafer is fragile. In addition, if the wafer is curved, the connection with the vacuum holder may not be made well. It is therefore desirable to keep the wafer flat whenever the wafer is in the lithographic apparatus.

本発明は、比較的小さい基板の保持を可能にするアダプタを提供し、大きな基板を受けるようにされた基板テーブルを備えたリソグラフィ装置において小さいウェハが像形成されることを可能にし、かつ/または大きな基板用となっている他の基板処理装置において処理が可能となるようにすることを目的とする。   The present invention provides an adapter that allows the holding of relatively small substrates, allows a small wafer to be imaged in a lithographic apparatus with a substrate table adapted to receive a large substrate, and / or It is an object to enable processing in another substrate processing apparatus for a large substrate.

さらに、本発明はウェハをフラットに維持する手段を提供することを目的とする。   It is a further object of the present invention to provide a means for keeping the wafer flat.

本発明のホルダは、シリコンウェハといったような基板のみならず、他の非磁性材料の基板との使用が可能である。   The holder of the present invention can be used not only with a substrate such as a silicon wafer but also with a substrate made of other nonmagnetic materials.

本目的並びに他の目的は、リソグラフィ装置において受け入れ可能な第一公称サイズを有するプレート部材と、該第一公称サイズよりも小さい第二公称サイズの基板を保持するクランプとにより構成される基板ホルダによって本発明に従って達成される。   This and other objects are achieved by a substrate holder comprising a plate member having a first nominal size acceptable in a lithographic apparatus and a clamp for holding a second nominal size substrate smaller than the first nominal size. This is achieved according to the present invention.

好ましくは、クランプは基板をそのほぼ全周縁で保持するようにされる。それによりウェハがほぼフラットに保たれ、真空をウェハに伝えるためにホールがプレート部材に設けられるときに、真空システムとの接続がうまく行われる。   Preferably, the clamp is adapted to hold the substrate at substantially its entire periphery. This keeps the wafer substantially flat and provides a good connection to the vacuum system when holes are provided in the plate member to transmit vacuum to the wafer.

標準的リソグラフィ装置による処理が可能であるよう公称サイズを有した大きなプレート部材に小さい基板をクランプすることにより、リソグラフィ装置、もしくは他の基板処理装置によって、こうした装置を修正する必要なく、小さい基板の処理が可能となる。   By clamping a small substrate to a large plate member having a nominal size so that it can be processed by a standard lithographic apparatus, the lithographic apparatus, or other substrate processing apparatus, does not need to modify such an apparatus, Processing is possible.

プレート部材は好ましくは平面上においてほぼ円形であり、1つ以上のフラット部あるいは切り欠き部を有する。プレート部材はクランプが取り付けされる標準寸法のシリコンウェハから成る。他にも、プレート部材は、Zerodur(商標)、もしくは低熱膨張性の他の非磁性材料により製造され得る。   The plate member is preferably substantially circular on a plane and has one or more flats or notches. The plate member consists of a standard size silicon wafer to which the clamp is attached. Alternatively, the plate member can be made of Zerodur ™ or other non-magnetic material with low thermal expansion.

第一公称サイズは、好ましくは、150mm、200mm、300mmか、もしくはこれよりも大きい。第二公称サイズは100mmか、もしくはこれよりも小さい。それぞれの場合の公称サイズは、フラット部や切り欠き部を考慮に入れない、プレート部材もしくは基板の公称直径である。基板およびホルダは円形である必要はなく、例えば四角形といったような他の形状であってもよい。その場合の公称サイズは最大寸法である。   The first nominal size is preferably 150 mm, 200 mm, 300 mm or larger. The second nominal size is 100 mm or smaller. The nominal size in each case is the nominal diameter of the plate member or substrate that does not take into account flats or notches. The substrate and the holder need not be circular, and may be other shapes such as a square. The nominal size in that case is the maximum dimension.

プレート部材には好ましくは1つ以上の位置決めピンが配備され、基板がこの位置決めピンに接しているとき、基板はプレート部材の所定の位置および/または方向に配置されるようにこの位置決めピンが配置されている。ここで、プレート部材には1つ以上のフラット部あるいは切り欠き部が設けられており、ホルダは1つ以上のフラット部あるいは切り欠き部を有する基板と使用されるなら、位置決めピンは、好ましくは、基板のフラット部あるいは切り欠き部がプレート部材のフラット部あるいは切り欠き部に望ましくは一致する、所定の方向に配置されている。   The plate member is preferably provided with one or more positioning pins, and when the substrate is in contact with the positioning pins, the positioning pin is arranged so that the substrate is arranged in a predetermined position and / or direction of the plate member. Has been. Here, if the plate member is provided with one or more flat portions or notches, and the holder is used with a substrate having one or more flat portions or notches, the positioning pin is preferably The flat portion or notch portion of the substrate is disposed in a predetermined direction that preferably matches the flat portion or notch portion of the plate member.

クランプは、好ましくは、上記基板の外側輪郭に相似の、しかしそれよりも小さい内側輪郭を有する磁性材料のリングと、上記プレート部材に固定された複数の磁石とから成る。この構成により均一の力が基板に加えられ、基板ホルダ全体の厚さを小さく保ちながら、基板をフラットに維持する効果を有する。   The clamp preferably consists of a ring of magnetic material having an inner contour similar to but smaller than the outer contour of the substrate, and a plurality of magnets secured to the plate member. With this configuration, a uniform force is applied to the substrate, which has the effect of maintaining the substrate flat while keeping the overall thickness of the substrate holder small.

望ましい実施形態において、プレート部材には、上記基板が配置される部分に精緻なバールパターンが配備される。バールパターンはクランプされた基板における小範囲の高さ変化を防止する。   In a preferred embodiment, the plate member is provided with a fine burl pattern in a portion where the substrate is disposed. The burl pattern prevents a small range of height changes in the clamped substrate.

本発明のさらなる態様に基づいて、デバイスの製造方法が提供される。該デバイスの製造方法は、放射線感光材料の層により少なくとも部分的に覆われた基板を提供し、放射線システムを用いて放射線の投影ビームを供給し、パターニング手段を用いて投影ビームのその断面にパターンを与え、放射線感光材料の層の目標部分に放射線のパターン化されたビームを投影するステップとから成り、ここで、基板を提供する上記ステップは、上記基板よりも大きい公称サイズを有するプレート部材に該基板をクランプするサブステップと、このクランプされた該基板を有した該プレート部材を上記リソグラフィ装置に載置するサブステップとから成ることを特徴とする。   In accordance with a further aspect of the present invention, a device manufacturing method is provided. The method of manufacturing the device provides a substrate that is at least partially covered by a layer of radiation-sensitive material, supplies a projection beam of radiation using a radiation system, and patterns the cross-section of the projection beam using patterning means. And projecting a patterned beam of radiation onto a target portion of the layer of radiation-sensitive material, wherein the step of providing a substrate comprises applying a plate member having a nominal size larger than the substrate. A sub-step of clamping the substrate, and a sub-step of mounting the plate member having the clamped substrate on the lithographic apparatus.

本発明による装置の使用法に関して、本文ではICの製造において詳細な参照説明を行うものであるが、こうした装置が他の多くの用途においても使用可能であることは明確に理解されるべきである。例えば、本発明による装置は、集積光学装置、磁気ドメインメモリ用ガイダンスおよび検出パターン、液晶ディスプレイパネル、薄膜磁気ヘッド等の製造に使用され得る。こうした代替的な用途においては、本文にて使用した「レチクル」、「ウェハ」、「ダイ」といった用語は、それぞれ「マスク」、「基板」、「目標部分」といった、より一般的な用語に置き換えて使用され得ることは当該技術分野の専門家にとって明らかである。   With regard to the use of the device according to the invention, a detailed reference is given here in the manufacture of ICs, but it should be clearly understood that such a device can also be used in many other applications. . For example, the device according to the invention can be used for the manufacture of integrated optical devices, guidance and detection patterns for magnetic domain memories, liquid crystal display panels, thin film magnetic heads and the like. In these alternative applications, the terms “reticle”, “wafer”, and “die” used in the text are replaced by more general terms such as “mask”, “substrate”, and “target part”, respectively. It will be apparent to those skilled in the art that it can be used.

本明細書において使用した「放射線」および「ビーム」という用語は、イオンビームあるいは電子ビームといったような粒子ビームのみならず、紫外線(例えば、365nm、248nm、193nm、157nm、あるいは126nmの波長を有する)、およびEUV(極紫外線、例えば5nm−20nmの範囲の波長を有する)を含む、あらゆるタイプの電磁放射線を網羅するものである。   As used herein, the terms “radiation” and “beam” include not only particle beams such as ion beams or electron beams, but also ultraviolet light (eg, having a wavelength of 365 nm, 248 nm, 193 nm, 157 nm, or 126 nm). And all types of electromagnetic radiation, including EUV (extreme ultraviolet, eg, having a wavelength in the range of 5-20 nm).

本発明の実施の形態についての詳細説明を、添付の図面を参照に、例示の方法においてのみ行うものとする。全図を通して相当する部品は、相当する参照番号を付している。   Detailed description of embodiments of the present invention will be given only by way of example with reference to the accompanying drawings. Corresponding parts are designated by corresponding reference numerals throughout the drawings.

リソグラフィ装置
図1は、本発明の実施例が使用され得る典型的なリソグラフィ投影装置を示したものである。この装置は、特別な本実施形態において放射線源LAも備えた、放射線の投影ビームPB(例えばDUV放射線)を供給する放射線システムEx、ILと、マスクMA(例えばレクチル)を保持するマスクホルダーw備え、かつ、品目PLに対して正確にマスクの位置決めを行う第一位置決め手段に連結を行った第一オブジェクト・テーブル(マスクテーブル)MTと、基板W(例えば、レジスト塗布シリコンウェハ)を保持する基板ホルダーを備え、かつ、品目PLに対して正確に基板の位置決めを行う第二位置決め手段に連結を行った第二オブジェクト・テーブル(基板テーブル)WTと、マスクMAの照射部分を、基板Wの目標部分C(例えば、1つあるいはそれ以上のダイから成る)に像形成する投影システム(「レンズ」)PL(例えば屈折レンズシステム)とにより構成されている。ここで示しているように、この装置は透過タイプ(すなわち透過マスクを有する)である。しかし、一般的には、例えば反射マスクを有する反射タイプのものも可能である。あるいは、本装置は、上記に関連するタイプであるプログラマブルミラーアレイといったような、他の種類のパターニング手段も使用可能である。
Lithographic Apparatus FIG. 1 depicts an exemplary lithographic projection apparatus in which embodiments of the present invention may be used. This apparatus comprises a radiation system Ex, IL for supplying a projection beam PB of radiation (for example DUV radiation), which also comprises a radiation source LA in this particular embodiment, and a mask holder w for holding a mask MA (for example, reticle). And a substrate holding a first object table (mask table) MT connected to a first positioning means for accurately positioning the mask with respect to the item PL, and a substrate W (for example, a resist-coated silicon wafer) A second object table (substrate table) WT provided with a holder and connected to a second positioning means for accurately positioning the substrate with respect to the item PL, and an irradiation portion of the mask MA are used as the target of the substrate W. Projection system (“lens”) PL (which forms an image on part C (eg, consisting of one or more dies) It is constituted by the example, if the refractive lens system). As shown here, the apparatus is of a transmissive type (ie has a transmissive mask). However, in general, a reflection type having a reflection mask, for example, is also possible. Alternatively, the apparatus may use other types of patterning means, such as a programmable mirror array of the type associated with the above.

ソースLA(例えばエキシマレーザー)は放射線のビームを作り出す。このビームは、直接的に、あるいは、例えばビームエキスパンダーExといったようなコンディショニング手段を横断した後に、照明システム(照明装置)ILに供給される。照明装置ILは、ビームにおける強度分布の外部かつ/あるいは内部放射範囲(一般的にそれぞれ、σ−outerおよびσ−innerに相当する)を設定する調整手段AMから成る。さらに、照明装置ILは一般的に積分器INおよびコンデンサCOといったような、他のさまざまな構成要素を備える。このようにして、マスクMAに照射するビームPBは、その断面に亘り所望する均一性と強度分布とを有する。   The source LA (eg excimer laser) produces a beam of radiation. This beam is supplied to the illumination system (illuminator) IL either directly or after traversing conditioning means such as a beam expander Ex. The illuminator IL comprises adjusting means AM for setting an external and / or internal radiation range (generally corresponding to σ-outer and σ-inner, respectively) of the intensity distribution in the beam. Furthermore, the illuminator IL generally comprises various other components such as an integrator IN and a capacitor CO. In this way, the beam PB irradiated to the mask MA has the desired uniformity and intensity distribution over its cross section.

図1に関して、ソースLAはリソグラフィ装置のハウジング内にある(これは例えばソースが水銀ランプである場合に多い)が、しかし、リソグラフィ投影装置から離して配置することも可能であることを注記する。この場合、ソースLAが作り出す放射線ビームは(適した誘導ミラーにより)装置内に導かれる。この後者のシナリオでは、ソースLAがエキシマレーザーである場合が多い。   With respect to FIG. 1, it is noted that the source LA is in the housing of the lithographic apparatus (this is often the case, for example, when the source is a mercury lamp), but can also be placed away from the lithographic projection apparatus. In this case, the radiation beam produced by the source LA is guided into the device (by a suitable guiding mirror). In this latter scenario, the source LA is often an excimer laser.

続いてビームPBはマスクテーブルMT上に保持されているマスクMAと衝突する。ビームPBはマスクMAを横断して基板Wの目標部分C上にビームPBの焦点を合わせるレンズPLを通過する。第二位置決め手段(および干渉計測手段IF)により、基板テーブルWTは、例えばビームPBの経路における異なる目標部分Cに位置を合わせるために正確に運動可能である。同様に、第一位置決め手段は、例えばマスクライブラリからマスクMAを機械的に取り出した後に、あるいは走査運動の間に、ビームPBの経路に対してマスクMAを正確に位置決めするように使用可能である。一般的に、オブジェクト・テーブルMTおよびオブジェクト・テーブルWTの運動はロングストロークモジュール(粗動位置決め)およびショートストロークモジュール(微動位置決め)にて行われる。これについては図1に明示を行っていない。しかし、ウェハステッパの場合(ステップアンドスキャン装置とは対照的に)、マスクテーブルMTはショートストロークアクチュエータに連結されるだけであるか、あるいは固定される。   Subsequently, the beam PB collides with the mask MA held on the mask table MT. The beam PB traverses the mask MA and passes through a lens PL that focuses the beam PB on the target portion C of the substrate W. By means of the second positioning means (and the interference measuring means IF), the substrate table WT can be moved precisely, for example to align it with different target portions C in the path of the beam PB. Similarly, the first positioning means can be used to accurately position the mask MA with respect to the path of the beam PB, for example after mechanical removal of the mask MA from the mask library or during a scanning movement. . Generally, the movements of the object table MT and the object table WT are performed by a long stroke module (coarse positioning) and a short stroke module (fine movement positioning). This is not explicitly shown in FIG. However, in the case of a wafer stepper (as opposed to a step-and-scan apparatus), the mask table MT is only connected to a short stroke actuator or is fixed.

ここに表した装置は2つの異なるモードにて使用可能である。
1. ステップモードにおいて、マスクテーブルMTは基本的に静止状態に保たれている。そして、マスクの像全体が1回の作動(すなわち1回の「フラッシュ」)で目標部分Cに投影される。次に基板テーブルWTがx方向および/あるいはy方向にシフトされ、異なる目標部分CがビームPBにより照射され得る。
2. スキャンモードにおいて、基本的に同一シナリオが適用されるが、但し、ここでは、所定の目標部分Cは1回の「フラッシュ」では露光されない。代わって、マスクテーブルMTが、速度vにて所定方向(いわゆる「走査方向」、例えばy方向)に運動可能であり、それによってビームPBがマスクの像を走査する。これと同時に、基板テーブルWTが速度V=Mvで、同一方向あるいは反対方向に運動する。ここで、MはレンズPLの倍率(一般的にM=1/4あるいは1/5)である。このように、解像度を妥協することなく、比較的大きな目標部分Cを露光することが可能となる。
The device represented here can be used in two different modes.
1. In the step mode, the mask table MT is basically kept stationary. The entire image of the mask is then projected onto the target portion C in one operation (ie, one “flash”). The substrate table WT can then be shifted in the x and / or y direction and a different target portion C can be illuminated by the beam PB.
2. In the scan mode, basically the same scenario is applied, except that the predetermined target portion C is not exposed in one “flash”. Instead, the mask table MT is movable at a velocity v in a predetermined direction (so-called “scanning direction”, eg the y direction), so that the beam PB scans the mask image. At the same time, the substrate table WT moves in the same direction or in the opposite direction at a speed V = Mv. Here, M is the magnification of the lens PL (generally, M = 1/4 or 1/5). Thus, it becomes possible to expose a relatively large target portion C without compromising the resolution.

こうしたリソグラフィ装置は、例えば公称直径150mm、200mm、もしくは300mmの特定のサイズの、そして、例えば1つあるいは2つのフラット部または切り欠き部を有する形状の基板(ウェハ)と使用するようにされている。特に、基板テーブルはこうしたウェハを受けるようなっており、適切なサイズと形状のバールパターンと、意図した基板の切り欠き部もしくはフラット部を固定するための位置決めピンを配備する。ここで、通常通り、基板は真空で基板テーブルに保持されており、真空ノズルは基板の全体領域を覆い、均一なクランプ力を可能にし、基板の歪みを回避する。また、投影システム、および、アライメントセンサーやレベルセンサーといったような様々なセンサーの焦点面は特定のレベルに設定されており、一般に基板の面に垂直な制限された範囲のみの動作を行う基板テーブルは、所定の厚さの基板の上面をその特定のレベルに位置させるようになっている。薄すぎる基板もしくは厚すぎる基板が使用されると、基板テーブルは投影システムおよび様々なセンサーの焦点に基板上面を置くための位置調整が十分に機能出来ない。   Such a lithographic apparatus is adapted for use with a substrate (wafer) of a specific size, for example having a nominal diameter of 150 mm, 200 mm or 300 mm and having a shape with, for example, one or two flats or notches. . In particular, the substrate table is adapted to receive such a wafer and is provided with a burl pattern of appropriate size and shape and positioning pins for fixing the notch or flat portion of the intended substrate. Here, as usual, the substrate is held on the substrate table in a vacuum, and the vacuum nozzle covers the entire area of the substrate, enabling a uniform clamping force and avoiding distortion of the substrate. In addition, the focal plane of the projection system and various sensors such as alignment sensors and level sensors is set to a specific level, and a substrate table that generally operates only in a limited range perpendicular to the plane of the substrate is The upper surface of the substrate having a predetermined thickness is positioned at the specific level. If a substrate that is too thin or too thick is used, the substrate table cannot function well to position the substrate top surface at the focal point of the projection system and various sensors.

基板ホルダ
図2は、本発明の実施形態に基づく基板ホルダと基板との分解図である。基板ホルダ10はプレート部材11を備え、位置決めピン12、13、および永久磁石14がこれに固定されている。位置決めピン12、13、および永久磁石14はクランプリング15と共にクランプを形成し、基板Wを所定の位置にしっかりと保持する。
Substrate Holder FIG. 2 is an exploded view of a substrate holder and a substrate according to an embodiment of the present invention. The substrate holder 10 includes a plate member 11, and positioning pins 12, 13 and a permanent magnet 14 are fixed thereto. The positioning pins 12 and 13 and the permanent magnet 14 form a clamp together with the clamp ring 15 to hold the substrate W firmly in place.

一例として、基板ホルダ10は、リソグラフィ投影装置において、もしくは、公称直径150nm(6”)および厚さ500μmの基板をハンドリングするように設計がなされた他の基板ハンドリング装置において、公称直径100nm(4”)および厚さ140μmの基板を処理可能にするためのものである。リソグラフィ投影装置の基板テーブルWTを固定するために寸法取りがなされ、基板Wを適切な高さに配置するのに加えて、基板ホルダ10は、その厚さにより比較的柔軟性があってかなりカーブしてしまう基板Wを、露光が可能なようにフラットに保つことを可能にする。これは、基板Wがその全周縁、あるいはほぼ全周縁でクランプリング15によりクランプされ、かつ、小さい範囲での高さ変化を防止するのに十分に有益なバールパターンでクランプされることによって達成される。クランプリングは、基板ホルダのハンドリング中にウェハステッパにて基板Wが動くのを防止する。また、露光チャックにより真空システムが用いられ、基板ホルダ10と基板Wの両方をクランプする。これは、基板ホルダ10から基板Wの下側に真空を伝えるプレート部材の底部を貫通するホールを使用して達成される。   As an example, the substrate holder 10 may be used in a lithographic projection apparatus or in other substrate handling apparatus designed to handle substrates with a nominal diameter of 150 nm (6 ″) and a thickness of 500 μm, with a nominal diameter of 100 nm (4 ″). And a substrate having a thickness of 140 μm can be processed. In addition to dimensioning to secure the substrate table WT of the lithographic projection apparatus and placing the substrate W at an appropriate height, the substrate holder 10 is relatively flexible and considerably curved due to its thickness. It is possible to keep the substrate W, which is to be flat, so that exposure is possible. This is achieved by the substrate W being clamped by the clamp ring 15 at its full or near full circumference and with a burl pattern that is sufficiently beneficial to prevent height changes in a small range. The The clamp ring prevents the substrate W from moving by the wafer stepper during handling of the substrate holder. Further, a vacuum system is used by the exposure chuck to clamp both the substrate holder 10 and the substrate W. This is accomplished using a hole that penetrates the bottom of the plate member that conducts vacuum from the substrate holder 10 to the underside of the substrate W.

図4においてより明確に理解されるように、基板Wには第一フラット部F1が設けられており、さらに第二フラット部F2を設けることも可能である。位置決めピン12(効果上2個のピン)が配備され、それによりフラット部F1はこのピンに接し、基板Wを基板ホルダ10上に正確に配置させる。基板ホルダ10は、基板テーブルWT上における基板ホルダ10の位置を決定するためのフラット部17を同様に有している。位置決めピン13は、他のフラット部F2のウェハエッジ上のポイントに接し、正確な位置合わせを達成する。位置決めピン12、13および/または磁石14を受け入れ目的で、クランプリング15の下側に凹みを設けることも出来る。   As can be understood more clearly in FIG. 4, the substrate W is provided with a first flat portion F <b> 1, and a second flat portion F <b> 2 can be further provided. Positioning pins 12 (effectively two pins) are provided, so that the flat portion F1 is in contact with the pins, and the substrate W is accurately placed on the substrate holder 10. The substrate holder 10 similarly has a flat portion 17 for determining the position of the substrate holder 10 on the substrate table WT. The positioning pins 13 are in contact with points on the wafer edge of the other flat portion F2 to achieve accurate alignment. A recess may be provided on the underside of the clamp ring 15 for the purpose of receiving the locating pins 12, 13 and / or the magnet 14.

位置決めピン12、13およびフラット部F1、F2、17によって、実行されるべきリソグラフィ工程のオーバレイ要求内に基板位置を確実に合わせる必要はないが、基板Wを、その上に設けられたアライメントマーカがリソグラフィ装置のアライメントシステムのキャプチャ範囲内となるように配置することのみが必要であることが理解されよう。また他の実施形態において、基板Wは異なる数および/または組合せのフラット部および/あるいは切り欠き部を有し、リソグラフィ装置は異なる数および/あるいは組合せのフラット部および/あるいは切り欠き部を有した基板を受けるようにされる。その場合、基板ホルダ上の位置決めピン12、13は、基板を正確に配置するためにこの基板に設けられるいかなるフラット部および切り欠き部とも係合するように配置される必要がある。一方、プレート部材11は、リソグラフィ装置の基板テーブルに設けられるいかなる位置決め手段とも係合するようにフラット部および切り欠き部を有する必要がある。位置決めピン12、13はプレート部材11の面でウェハWを位置合わせするが、バールパターンはこれを面方向外で位置合わせする。   The positioning pins 12 and 13 and the flat portions F1, F2, and 17 do not require the substrate position to be reliably aligned within the overlay requirements of the lithography process to be performed, but the substrate W is aligned with the alignment marker provided thereon. It will be appreciated that it is only necessary to place it within the capture range of the alignment system of the lithographic apparatus. In still other embodiments, the substrate W has a different number and / or combination of flats and / or cuts, and the lithographic apparatus has a different number and / or combination of flats and / or cuts. Received the substrate. In that case, the positioning pins 12 and 13 on the substrate holder need to be disposed so as to engage with any flat portion and notch portion provided on the substrate in order to accurately position the substrate. On the other hand, the plate member 11 needs to have a flat portion and a cutout portion so as to engage with any positioning means provided on the substrate table of the lithographic apparatus. The positioning pins 12 and 13 align the wafer W on the surface of the plate member 11, but the burl pattern aligns the wafer W outside the surface direction.

この実施形態において、プレート部材11は標準的150mm(6”)シリコンウェハから成り、位置決めピン12、13はフェライトステンレススチール製であって、エポキシ樹脂によりプレート部材11に取り付けされている。磁石14はNipでめっきされたNdFeB永久磁石であり、クランプリングは2層のフェライトステンレススチールから成る。2つの層を使用することで、磁石および/あるいは位置決めピンを受けるための凹みを容易に設けることが出来る。スルーホールあるいはカットアウトがリングに作り出されて低層を形成する。これは、薄いリングにブラインドショットを形成するよりもはるかに容易である。また、1つの層は、その磁性により選択されたスチールから成り、もう一方のスチールは強度により選択される。当然ながら、クランプに単一層を用いてクランプ高を最小限にすることも可能である。   In this embodiment, the plate member 11 is made of a standard 150 mm (6 ″) silicon wafer, and the positioning pins 12 and 13 are made of ferritic stainless steel and are attached to the plate member 11 by epoxy resin. Nd-plated NdFeB permanent magnet with clamp ring made of two layers of ferritic stainless steel, the use of two layers can easily provide a recess for receiving the magnet and / or positioning pin Through-holes or cut-outs are created in the ring to form a low layer, which is much easier than making a blind shot in a thin ring, and one layer is steel selected by its magnetism. The other steel is selected according to strength It is. Naturally, it is also possible to minimize the clamp height using a single layer to the clamp.

図3より理解可能であるように、像がクランプリングの内周距離d1内に投影されるように試みると、クランプリング15の高さTが投影ビームPBを遮る。距離S1の正確な値は、厚さTと投影レンズPLの開口数(NA)に基づく。これは投影ビームの最外の光線角度を決定する。像形成されない環の幅は、S1と、クランプリング15とウェハWとの間のオーバラップの最大幅Omaxを加えたものに等しくなる。TおよびOmaxの適切な選択により、クランプリングの影と見なされる基板の像形成されない部分の幅が3mmのノーマルエッジビードと同程度になりうる。光軸一致レベルのリソグラフィ装置において、レベリングセンサービームLS−Bは投影ビームよりも浅い傾斜角を有する。これは、レベリングセンサービームLS−B、SLBに対するクランプリングの影がより広く、ウェハ面のより大きな部分の垂直部分が計測不可能であることを意味する。この問題は、基板Wの内部においてなされるレベリング計測から推測することによって回避することが出来る。図4において、像形成可能領域をクロスハッチにより示しており、レベルセンサービームの影の境界を点線により示している。 As can be understood from FIG. 3, when an image is attempted to be projected within the inner circumferential distance d 1 of the clamp ring, the height T of the clamp ring 15 blocks the projection beam PB. The exact value of the distance S 1 is based on the thickness T and the numerical aperture (NA) of the projection lens PL. This determines the outermost ray angle of the projection beam. The width of the non-imaged ring is equal to S 1 plus the maximum overlap width O max between the clamp ring 15 and the wafer W. With proper selection of T and O max , the width of the non-imaged portion of the substrate that is considered a shadow of the clamp ring can be as high as a 3 mm normal edge bead. In the lithographic apparatus of the optical axis coincidence level, the leveling sensor beam LS-B has an inclination angle shallower than the projection beam. This means that the shadow of the clamp ring with respect to the leveling sensor beams LS-B and SLB is wider, and the vertical part of the larger part of the wafer surface cannot be measured. This problem can be avoided by inferring from leveling measurement performed inside the substrate W. In FIG. 4, the image formable region is indicated by a cross hatch, and the shadow boundary of the level sensor beam is indicated by a dotted line.

ウェハWを基板ホルダ10に載置するローディングツール20を図5に示している。ローディングツールは、例えばウェハハンドリングロボット(図5には示しておらない)により、または手作業によりプレート部材11が配置されるプラットフォーム21を備えている。プラットフォーム21はプレート部材11のフラット部17を係合させる位置決めバー22を配備しており、プレート部材の正解な位置決めを可能にする。一旦プレート部材11が正確に配置されると、ウェハWはバールパターン上に、位置決めピンに対して配置される。もう一度述べると、これはウェハハンドリングロボット、もしくは手作業により実行される。その後にウェハWは真空でクランプされ、正確な位置に保たれる。その間、クランプリング15は真空で環状真空チャック23上に保持される。環状チャック23は、環状チャック23がプラットフォーム21上で反転されて下ろされるとき、プラットフォーム21に設けられたロケータピン25と係合するロケータホールを突起に有する。それによってクランプリングは基板W上に正確に配置される。次に真空が解除され、磁石14によって保持されたクランプリングをプレート部材に残し、環状チャックが取り除かれる。次に基板ホルダ11および保持された基板Wは、例えばウェハハンドリングロボットによりリソグラフィ装置に受け渡される。   A loading tool 20 for placing the wafer W on the substrate holder 10 is shown in FIG. The loading tool includes a platform 21 on which the plate member 11 is arranged, for example, by a wafer handling robot (not shown in FIG. 5) or manually. The platform 21 is provided with a positioning bar 22 for engaging the flat portion 17 of the plate member 11 to enable correct positioning of the plate member. Once the plate member 11 is correctly placed, the wafer W is placed on the burl pattern with respect to the positioning pins. Once again, this is performed by a wafer handling robot or manually. Thereafter, the wafer W is clamped in a vacuum and kept in an accurate position. Meanwhile, the clamp ring 15 is held on the annular vacuum chuck 23 by vacuum. The annular chuck 23 has a locator hole that engages with a locator pin 25 provided on the platform 21 when the annular chuck 23 is inverted and lowered on the platform 21. Thereby, the clamp ring is accurately arranged on the substrate W. The vacuum is then released, leaving the clamp ring held by the magnet 14 on the plate member and removing the annular chuck. Next, the substrate holder 11 and the held substrate W are delivered to the lithography apparatus by, for example, a wafer handling robot.

ウェハハンドリングロボット
プレート部材11をプラットフォーム21上に正確に配置するために、上記に述べた(ウェハハンドリングツールとして知られる)ウェハハンドリングロボットを使用することが可能であり、基板Wをプレート部材11上に正確に配置するためにもこのウェハハンドリングロボットを使用することが可能である。手作業によるハンドリングはウェハWの汚染を生じることがあり、かつ、ロボット使用による位置合わせの精度よりもその精度が劣ることから、手作業のハンドリングよりもウェハハンドリングロボットを使用するほうが望ましい。
In order to accurately place the wafer handling robot plate member 11 on the platform 21, it is possible to use the wafer handling robot described above (known as a wafer handling tool) and place the substrate W on the plate member 11. This wafer handling robot can also be used for accurate placement. Manual handling may cause contamination of the wafer W and is less accurate than alignment accuracy using a robot. Therefore, it is preferable to use a wafer handling robot rather than manual handling.

図6はウェハハンドリングツール30の具体例の底部斜視図である。このツールは中央平面凹部領域31と、この中央凹部領域31の面より伸長した周縁部分32から成る。周縁部分32は本実施形態においてA、B、Cの3つのセクションに分割され、真空をウェハのエッジに発生させることが出来る。本実施形態において、真空は、周縁部分32に形成された円周スロット33を用いて発生される。周縁部分32のセクションAおよびBはセクションCよりも小さい。本実施形態において、セクションAおよびBのそれぞれは周辺範囲約30°に亘り、部分Cは周辺範囲約160°に亘っている。   FIG. 6 is a bottom perspective view of a specific example of the wafer handling tool 30. This tool comprises a central flat recessed area 31 and a peripheral portion 32 extending from the surface of the central recessed area 31. The peripheral portion 32 is divided into three sections A, B, and C in this embodiment, and a vacuum can be generated at the edge of the wafer. In this embodiment, the vacuum is generated using a circumferential slot 33 formed in the peripheral portion 32. Sections A and B of the peripheral portion 32 are smaller than section C. In this embodiment, each of sections A and B spans a peripheral range of about 30 ° and portion C spans a peripheral range of about 160 °.

図6に示した3つの周縁部分A、B、およびCの各々はツール内のホールにより、真空ポンプシステムもしくは同様のものに連結がなされる真空コネクタ34に連結可能である。   Each of the three peripheral portions A, B, and C shown in FIG. 6 can be connected by a hole in the tool to a vacuum connector 34 that is connected to a vacuum pump system or the like.

周縁部分32の真空スロット(もしくはより一般的にチャンバ)は好ましくは、使用時にウェハの外側エッジのみがツールと接触するように配置される。中央凹部領域31はウェハがツールの他の部分と接触するのを防止する。図6にて分かるように、ツール周囲の特定の位置にギャップ35、36が設けられている。これはウェハホルダ表面の固定されたポイントに対してウェハが押し付けられるようにするためのものである。例えば、フラット部F1およびF2を有するウェハにおいて、ツール30ではフラット部F1がギャップ36でさらされ、かつ、フラット部F2がギャップ35の1つでさらされてウェハをピックアップすることが可能である。またこれはウェハを再度プレート部材11に配置するのに有用である。また、ギャップ35および36は、ウェハが基準ピン12、13に対して正確に位置合わせされていることを視覚的に確かめるのに有用である。   The vacuum slot (or more generally the chamber) in the peripheral portion 32 is preferably arranged so that only the outer edge of the wafer is in contact with the tool in use. The central recessed area 31 prevents the wafer from contacting other parts of the tool. As can be seen in FIG. 6, gaps 35, 36 are provided at specific locations around the tool. This is to allow the wafer to be pressed against a fixed point on the wafer holder surface. For example, in a wafer having flat portions F1 and F2, the tool 30 can pick up the wafer with the flat portion F1 exposed at the gap 36 and the flat portion F2 exposed at one of the gaps 35. This is also useful for placing the wafer on the plate member 11 again. The gaps 35 and 36 are also useful for visually confirming that the wafer is accurately aligned with respect to the reference pins 12,13.

ツールはプラスチック材料により製造されることが望ましい。なぜならばこうした材料は製造が容易であり、ウェハ表面に損傷を与えないからである。例えばポリオキシメチレン(POM)のようなポリアセタールが特に適している。   The tool is preferably made of a plastic material. This is because such materials are easy to manufacture and do not damage the wafer surface. Polyacetals such as polyoxymethylene (POM) are particularly suitable.

このツールの長所は、底部ではなく上部からウェハのハンドリングを可能にすることである。これは、ウェハの使用可能な中央部分と相互作用しない周縁真空チャンバ33を使用することで可能となる。本ツールは、例えば、
− 背面ツールに余裕のない表面にウェハが配置される必要がある、
− 貼り合わせた表面からウェハを取り除く必要がある、もしくは標準的ツールに余裕がない、
− ウェハの裏面にデバイスまたは他のデリケートな構成部品がある、といったような理由によりウェハをハンドリングすることが不可能な、もしくは望ましくないさまざまな状況において使用が可能である。ツールの周縁真空チャンバの設計によって、非常にもろい、薄いウェハを信頼性のある方法によりハンドリング可能にする。さらに、ツールそれ自身が、カーブしたウェハを平らにするのに有用であることが理解出来る。それによりウェハの後の位置決めを非常に容易にするとともに、より信頼性の高いものにする。
The advantage of this tool is that it allows handling of the wafer from the top rather than the bottom. This is possible by using a peripheral vacuum chamber 33 that does not interact with the usable central portion of the wafer. This tool is for example
-The wafer needs to be placed on a surface that the back tool cannot afford,
-The wafers need to be removed from the bonded surfaces, or standard tools cannot afford
-Can be used in a variety of situations where it is impossible or undesirable to handle the wafer due to reasons such as the presence of devices or other sensitive components on the backside of the wafer. The design of the peripheral vacuum chamber of the tool makes it very fragile and thin wafers can be handled reliably. Furthermore, it can be seen that the tool itself is useful for flattening curved wafers. This makes positioning after the wafer much easier and more reliable.

以上、本発明の実施形態を詳細に説明したが、本発明の範囲を逸脱することなく他の方法でも具体化できることは当業者にとって明らかである。本詳細説明は本発明を制限する意図ではない。   While the embodiments of the present invention have been described in detail above, it will be apparent to those skilled in the art that other methods can be implemented without departing from the scope of the present invention. This detailed description is not intended to limit the invention.

本発明の実施例が用いられるリソグラフィ投影装置を示したものである。1 shows a lithographic projection apparatus in which an embodiment of the invention is used. 本発明の実施形態に基づく基板ホルダを基板とともに示した分解図である。It is the exploded view which showed the substrate holder based on embodiment of this invention with the board | substrate. 基板がクランプされた図2の基板ホルダの部分の断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of a portion of the substrate holder of FIG. 2 with the substrate clamped. 基板が図2の基板ホルダに保持されているときに像形成可能な、かつ計測可能な領域を示した、基板の平面図である。FIG. 3 is a plan view of a substrate showing an area that can be imaged and measured when the substrate is held by the substrate holder of FIG. 2. 図2の基板ホルダに基板を取り付けるツールの斜視図である。FIG. 3 is a perspective view of a tool for attaching a substrate to the substrate holder of FIG. 2. ウェハハンドリングツールを下側から見た斜視図である。It is the perspective view which looked at the wafer handling tool from the lower side.

Claims (12)

リソグラフィ装置において受け入れ可能な第一公称サイズを有するプレート部材と、該第一公称サイズよりも小さい第二公称サイズの基板を保持するクランプとにより構成され
前記プレート部材は、1つ以上の位置決めピンを有しており、
前記位置決めピンは、前記基板が該位置決めピンに接しているときに、該基板が前記プレート部材の所定の位置および/または方向に配置されるように設けられており、
前記クランプは、前記基板の外側輪郭と相似であり且つ該外側輪郭よりも小さい内側輪郭を有する磁性材料から成るリングと、前記プレート部材に固定された複数の磁石とから成り、
前記位置決めピンと前記クランプにより前記基板を所定の位置に保持する、
基板ホルダ。
A plate member having a first nominal size acceptable in the lithographic apparatus, and a clamp for holding a second nominal size substrate smaller than the first nominal size ;
The plate member has one or more positioning pins;
The positioning pin is provided so that the substrate is disposed at a predetermined position and / or direction of the plate member when the substrate is in contact with the positioning pin.
The clamp is composed of a ring made of a magnetic material similar to the outer contour of the substrate and having an inner contour smaller than the outer contour, and a plurality of magnets fixed to the plate member,
Holding the substrate in a predetermined position by the positioning pins and the clamp;
Substrate holder.
記クランプは第二公称サイズの記基板をそのほぼ全周縁にて保持するようにされている
ことを特徴とする請求項1に記載の基板ホルダ。
Before chrysanthemums lamp is adapted to hold a pre-Symbol substrate of the second nominal size at its substantially entire periphery,
The substrate holder according to claim 1.
使用において、第二基板の像形成されない部分は約3mm幅の周縁部分である
ことを特徴とする請求項1または2に記載の基板ホルダ。
In use, the non-imaged portion of the second substrate is a peripheral portion about 3 mm wide ,
The substrate holder according to claim 1, wherein the substrate holder is a substrate holder.
記プレート部材は、前記クランプが取り付けられる標準公称寸法のシリコンウェハから成る
ことを特徴とする請求項1乃至のいずれか1項に記載の基板ホルダ。
Before Kipu rate member comprises a silicon wafer of a standard nominal size the clamp is mounted,
Substrate holder according to any one of claims 1 to 3, characterized in that.
記プレート部材は平面上においてほぼ円形であり、任意に1つ以上のフラット部あるいは切り欠き部を有する
ことを特徴とする請求項1乃至のいずれか1項に記載の基板ホルダ。
Before Kipu rate member is substantially circular in a plane, having one or more flat portions or notches optionally,
Substrate holder according to any one of claims 1 to 4, characterized in that.
記第一公称サイズは150mm、200mm、300mmかもしくはこれ以上であり、前記第二公称サイズは100mmかもしくはこれ以下である
ことを特徴とする請求項5に記載の基板ホルダ。
Before Symbol first nominal size is at 150 mm, 200 mm, 300 mm or or more, before Symbol second nominal size is 100mm to or less than this,
The substrate holder according to claim 5.
前記プレート部材には1つ以上のフラット部あるいは切り欠き部が設けられており、
前記位置決めピンは、前記基板のフラット部あるいは切り欠き部が前記プレート部材のフラット部あるいは切り欠き部に望ましくは一致する、所定の方向に配置されている
ことを特徴とする
求項に記載の基板ホルダ。
The plate member is provided with one or more flat portions or notches,
The positioning pin, the flat portion or the notch portion of the substrate is desirably matches the flat portion or the notch portion of the plate member is disposed in a predetermined direction,
Characterized in that,
Substrate holder according to Motomeko 1.
前記プレート部材には、前記基板が配置される部分に精緻なバールパターンが配置される
ことを特徴とする前記請求項のいずれか1項に記載の基板ホルダ。
In the plate member, a precise bar pattern is disposed in a portion where the substrate is disposed .
A substrate holder according to any one of the preceding claims.
前記プレート部材をプラットフォームに配置し、
前記基板を前記プレート部材上に正確な方向に置き、
前記クランプをチャック上に配置し、
前記クランプを前記基板上に正確に配置するために前記プラットフォーム上に前記チャックを下げていき、それにより前記基板を前記プレート部材にクランプする
ことから成る請求項1乃至のいずれか1項に記載の基板ホルダを操作する方法。
Placing the plate member on the platform;
Place the correct orientation of the substrate on said plate member,
Placing the clamp on the chuck;
Lowering the chuck on the platform to accurately place the clamp on the substrate, thereby clamping the substrate to the plate member ;
9. A method for operating a substrate holder according to any one of claims 1 to 8 .
前記チャックを下げていくステップは、前記クランプ、前記基板、および前記プレート部材を正確に整列させるために、前記プラットフォームのピンと前記チャックのホールを位置合わせする
ことを特徴とする請求項に記載の方法。
The step of lowering the chuck aligns the pins of the platform and the holes of the chuck to accurately align the clamp, the substrate, and the plate member .
The method of claim 9 .
放射線感光材料の層により少なくとも部分的に覆われた基板を提供するステップと
放射線システムを用いて放射線の投影ビームを供給するステップと
パターニング手段を用いて投影ビームのその断面にパターンを与えるステップと
前記放射線感光材料の層の目標部分に前記放射線のパターン化されたビームを投影するステップと
から成り、
前記基板を提供する前記ステップは、前記基板よりも大きい公称サイズを有するプレート部材に該基板をクランプするサブステップと、クランプされた該基板を有した該プレート部材を前記リソグラフィ装置に載置するサブステップとから成り、
前記プレート部材に前記基板をクランプするサブステップにおいて、リソグラフィ装置において受け入れ可能な第一公称サイズを有するプレート部材と、該第一公称サイズよりも小さい第二公称サイズの基板を保持するクランプとにより構成され、前記プレート部材は、1つ以上の位置決めピンを有しており、前記位置決めピンは、前記基板が該位置決めピンに接しているときに、該基板が前記プレート部材の所定の位置および/または方向に配置されるように設けられており、前記クランプは、前記基板の外側輪郭と相似であり且つ該外側輪郭よりも小さい内側輪郭を有する磁性材料から成るリングと、前記プレート部材に固定された複数の磁石とから成る基板ホルダの前記プレート部材上に該基板を配置し、前記位置決めピンと前記クランプにより前記基板を所定の位置に保持する、
ことを特徴とするデバイスの製造方法。
Providing a substrate that is at least partially covered by a layer of radiation-sensitive material,
A step of supplying a projection beam of radiation using a radiation system,
A step of Ru gives a pattern in its cross-section of the projection beam using a patterning means,
And projecting the patterned beam of radiation onto a target portion of the layer of radiation-sensitive material,
Consisting of
The step of providing the substrate includes substeps of clamping the substrate to a plate member having a larger nominal size than the substrate, and placing the plate member having the clamped substrate on the lithographic apparatus. and sub-step, Ri consists of,
The sub-step of clamping the substrate to the plate member comprises a plate member having a first nominal size acceptable in a lithographic apparatus and a clamp for holding a second nominal size substrate smaller than the first nominal size The plate member has one or more positioning pins, and the positioning pins are positioned at a predetermined position of the plate member and / or when the substrate is in contact with the positioning pins. The clamp is fixed to the plate member and a ring made of a magnetic material having an inner contour that is similar to and smaller than the outer contour of the substrate. The substrate is arranged on the plate member of a substrate holder composed of a plurality of magnets, and the positioning pins and the claws are arranged. Holding the substrate in place by flop,
A device manufacturing method characterized by the above.
前記プレート部材に前記基板をクランプするステップにおいて、前記基板をそのほぼ全周縁にてクランプする、
とを特徴とする請求項11に記載のデバイス製造方法。
In the step of clamping the substrate to the plate member, the substrate is clamped at substantially the entire periphery thereof.
The device manufacturing method of claim 11, wherein the this.
JP2003293217A 2002-07-11 2003-07-09 Substrate holder and device manufacturing method Expired - Fee Related JP3927158B2 (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP02254878 2002-07-11

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004134755A JP2004134755A (en) 2004-04-30
JP3927158B2 true JP3927158B2 (en) 2007-06-06

Family

ID=31985133

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003293217A Expired - Fee Related JP3927158B2 (en) 2002-07-11 2003-07-09 Substrate holder and device manufacturing method

Country Status (6)

Country Link
US (2) US6822730B2 (en)
JP (1) JP3927158B2 (en)
KR (1) KR100523824B1 (en)
CN (1) CN1332268C (en)
SG (1) SG111122A1 (en)
TW (1) TWI267706B (en)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100971952B1 (en) * 2003-09-02 2010-07-23 엘지디스플레이 주식회사 Method for fabricating of a soft mold and Soft mold system with the soft mold
KR100999104B1 (en) * 2003-10-01 2010-12-07 삼성전자주식회사 Conveyor Apparatus For Conveying Substrates
EP2221865B1 (en) * 2004-01-07 2019-05-22 Nikon Corporation Stacking apparatus and method for stacking a plurality of wafers
US20060213537A1 (en) * 2005-03-23 2006-09-28 Thu Anh To Vertical wafer platform systems and methods for fast wafer cleaning and measurement
US7408624B2 (en) * 2005-06-30 2008-08-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7494828B2 (en) 2005-08-03 2009-02-24 Asml Netherlands B.V. Substrate holder and device manufacturing method
JP4606968B2 (en) * 2005-08-16 2011-01-05 富士フイルム株式会社 Work fixing device, positioning method thereof, and image forming apparatus
US20070268476A1 (en) * 2006-05-19 2007-11-22 Nikon Corporation Kinematic chucks for reticles and other planar bodies
US20070292245A1 (en) * 2006-05-25 2007-12-20 Nikon Corporation Stage assembly with secure device holder
US20080006396A1 (en) * 2006-06-30 2008-01-10 Girish Upadhya Multi-stage staggered radiator for high performance liquid cooling applications
JP2008058809A (en) * 2006-09-01 2008-03-13 Nuflare Technology Inc Substrate cover, and charged particle beam drawing device and method
CN100468212C (en) 2006-09-22 2009-03-11 上海微电子装备有限公司 Two-sets location switching system
JP5030542B2 (en) * 2006-11-10 2012-09-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ Vacuum processing equipment
US7808612B2 (en) * 2007-04-05 2010-10-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method for masking a substrate
KR101004434B1 (en) * 2008-11-26 2010-12-28 세메스 주식회사 Substrate supporting unit, and apparatus and method for polishing substrate using the same
TW201630105A (en) * 2015-02-12 2016-08-16 漢民科技股份有限公司 Wafer holder
NL2006714A (en) 2010-06-07 2011-12-08 Asml Netherlands Bv Displacement device, lithographic apparatus and positioning method.
JP5873251B2 (en) * 2011-04-28 2016-03-01 キヤノンアネルバ株式会社 Substrate tray and substrate processing apparatus using the tray
US8746666B2 (en) 2011-05-05 2014-06-10 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Media carrier
US8373269B1 (en) * 2011-09-08 2013-02-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Jigs with controlled spacing for bonding dies onto package substrates
DE102011115498A1 (en) 2011-10-11 2012-12-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Storage device e.g. wafer stage for mounting substrate e.g. wafer in microlithography projection exposure system, has coupling unit arranged such that fixing unit is coupled by magnetic forces to supporting unit
NL2009549A (en) * 2011-10-27 2013-05-07 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and substrate handling method.
US20130267155A1 (en) * 2012-04-09 2013-10-10 Phuong Van Nguyen Wafer Polishing Pad Holder Template
KR20140002102A (en) * 2012-06-26 2014-01-08 삼성디스플레이 주식회사 Display device
TWI448842B (en) * 2012-09-20 2014-08-11 Univ Nat Cheng Kung Pattern-transferring substrate apparatus and pattern-transferring substrate thereof
CN105280537A (en) * 2014-07-14 2016-01-27 西安永电电气有限责任公司 Positioning device
JP6543061B2 (en) * 2015-03-20 2019-07-10 株式会社オーク製作所 Exposure apparatus using substrate correction jig, and substrate correction jig

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03102849A (en) * 1989-09-14 1991-04-30 Fujitsu Ltd Wafer adapter and exposure device
JPH06120131A (en) * 1992-10-08 1994-04-28 Sumitomo Electric Ind Ltd Wafer adaptor
US5349207A (en) * 1993-02-22 1994-09-20 Texas Instruments Incorporated Silicon carbide wafer bonded to a silicon wafer
JP3102849B2 (en) * 1995-12-14 2000-10-23 株式会社サンテックシステム Exhaust gas treatment equipment
US5820329A (en) * 1997-04-10 1998-10-13 Tokyo Electron Limited Vacuum processing apparatus with low particle generating wafer clamp
US6258228B1 (en) * 1999-01-08 2001-07-10 Tokyo Electron Limited Wafer holder and clamping ring therefor for use in a deposition chamber
US6164633A (en) * 1999-05-18 2000-12-26 International Business Machines Corporation Multiple size wafer vacuum chuck
EP1136887A3 (en) * 2000-03-16 2003-06-18 ASML Netherlands B.V. Substrate holder for lithographic apparatus
JP3657190B2 (en) * 2000-11-13 2005-06-08 Necセミコンパッケージ・ソリューションズ株式会社 Expanding device
US7018268B2 (en) * 2002-04-09 2006-03-28 Strasbaugh Protection of work piece during surface processing

Also Published As

Publication number Publication date
TWI267706B (en) 2006-12-01
CN1487365A (en) 2004-04-07
CN1332268C (en) 2007-08-15
KR100523824B1 (en) 2005-10-25
US20040052031A1 (en) 2004-03-18
KR20040026119A (en) 2004-03-27
SG111122A1 (en) 2005-05-30
US20050041234A1 (en) 2005-02-24
JP2004134755A (en) 2004-04-30
US6822730B2 (en) 2004-11-23
TW200408912A (en) 2004-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3927158B2 (en) Substrate holder and device manufacturing method
US7408624B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4463843B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR100597035B1 (en) Mask handling method, and mask and device or apparatus comprising a gripper therefor, device manufacturing method and device manufactured thereby
JP4468980B2 (en) Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
US6583858B2 (en) Substrate holder for lithographic apparatus
US7777863B2 (en) Lithographic apparatus with mask to prevent exposure of peripheral exposure region of substrate
JP2007251185A (en) Lithographic apparatus, alignment method, and device manufacturing method
US7405810B2 (en) Method and apparatus for positioning a substrate on a substrate table
KR100563769B1 (en) Lithographic projection apparatus
JP4922270B2 (en) Substrate carrier and lithographic apparatus
JP3583774B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP3919719B2 (en) Alignment tool, lithographic apparatus, alignment method, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US7494828B2 (en) Substrate holder and device manufacturing method
EP1380898A1 (en) Substrate holder and device manufacturing method
JP3940113B2 (en) Substrate alignment method, computer program, device manufacturing method, and device manufactured thereby
EP1136887A2 (en) Substrate holder for lithographic apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060727

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060804

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20060904

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20060907

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20060904

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070205

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070221

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070301

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees