JP3923778B2 - Optical pickup device and optical disk device - Google Patents

Optical pickup device and optical disk device Download PDF

Info

Publication number
JP3923778B2
JP3923778B2 JP2001331575A JP2001331575A JP3923778B2 JP 3923778 B2 JP3923778 B2 JP 3923778B2 JP 2001331575 A JP2001331575 A JP 2001331575A JP 2001331575 A JP2001331575 A JP 2001331575A JP 3923778 B2 JP3923778 B2 JP 3923778B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cell
housing
expansion coefficient
linear expansion
lens
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2001331575A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2003141752A (en
JP2003141752A5 (en
Inventor
育夫 前田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ricoh Co Ltd filed Critical Ricoh Co Ltd
Priority to JP2001331575A priority Critical patent/JP3923778B2/en
Publication of JP2003141752A publication Critical patent/JP2003141752A/en
Publication of JP2003141752A5 publication Critical patent/JP2003141752A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3923778B2 publication Critical patent/JP3923778B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ピックアップ装置及び光ディスク装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
図9に従来の光ピックアップ装置100の構成を示す。半導体レーザ101から出射された直線偏光のレーザビームは、コリメートレンズ102によって平行光束に変換され、ビームスプリッタ103と1/4波長板104とで構成される光アイソレータにおいて直線偏光から円偏光に変換される。円偏光に変換された光は、対物レンズ105により集光されて光情報記録媒体である光ディスクZの記録面Z1に微小な光スポットの状態で照射される。光ディスクZからの反射光は、照射時の逆の経路を辿り、対物レンズ105を通過し、1/4波長板104により偏光方向を90°回転した直線偏光に変換された後、ビームスプリッタ103に到達する。この反射光は、照射時とは異なりビームスプリッタ103により反射され、第1の集光レンズ106方向に導かれ、第2の集光レンズ107により非点収差を与えられた形で集光され、受光素子108に入射される。
【0003】
ここで、光ディスクZには、レーザビームのトラッキング制御の為にランドとグルーブ(共に図示せず)とが形成されている。そして、光ディスクZのアドレス情報等を示す為にグルーブが蛇行(以後、ウォブル)形成されている。
【0004】
また、受光素子108は、受光領域A,B,C,D,E,F,G,H(図4と同様)を有する構造とされ、受光した検出ビームの状態に応じた出力に基づいた情報信号やサーボ信号等の検出信号が検出される。特に、ウォブル信号Wbは、Wb=(A+D)−(B+C)により検出される。
【0005】
このような光ピックアップ装置100の受光スポットサイズは、検出信号の周波数帯域やレイアウト上のスペース的な制約等からあまり大きくすることができない。また、調整のし易さや経時的なズレ等からあまり小さくすることもできない。一般的に受光スポットのサイズとしては、数10μmから100μm程度の範囲のものが多く用いられている。
【0006】
しかしながら、このサイズの受光スポットのプッシュプル信号によりサーボ信号、ウォブル信号を得ようとすると、光ピックアップ装置100の各部の温度変化に伴う各部の変形により、受光スポットの位置ズレが生じることにより受光スポットのオフセットが生じてサーボ信号やウォブル信号等を検出することができないという問題が生じることがある。
【0007】
この受光スポットの位置ズレには、光の往路又は復路に単一のミラーがある場合には、そのミラーの角度ズレが最も大きく影響する。この場合、そのミラーの角度ズレの度合いによっては、光ピックアップ装置100が機能しなくなるような状況になってしまう。但し、ミラーが往路復路の共通光路上にある場合には、往復で角度誤差が相殺される為このような問題は発生しない。この問題に対応するには、図9に示すように、ビームスプリッタ103にビーム整形面103aを形成してその影響を無くすとか、ビーム整形を行なわない場合でもミラーである光路分離面103bに対して略平行な平行反射面103cを設けて光源系と検出系との光軸の角度関係が、ミラーの角度ズレによって変化しない為の工夫が必要となる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
このようにして、受光スポット位置ズレを生じさせる原因の内ミラー角度ズレ分を除いたとき、次に影響するのが半導体レーザ101とコリメートレンズ102との光軸直交方向の位置ズレである。
【0009】
ここで、半導体レーザ101及びコリメートレンズ102の取付構造について図10及び図11を参照して説明する。半導体レーザ101は、光ピックアップ装置100のハウジング109にカシメにより固定されている。コリメートレンズ102は、セル110のレンズ取付孔111に対してクリアランスをもってすきま嵌めされた状態で接着剤Sによってレンズ取付孔111に接着保持されている。セル110は、その一部がハウジング109に固定されている。また、図11に示すように、コリメートレンズ102は、セル110に対しての組み付け作業性を考慮してコリメートレンズ102全周においてレンズ取付孔111に均等3点接着されている。ここで、レンズ取付孔111とコリメートレンズ102とのクリアランスは、20μm〜50μm程度とされており、図11では説明の為に誇張して示している。
【0010】
ここで、温度変化に伴う各部の変形に起因する半導体レーザ101のレーザビーム出射軸101aとコリメートレンズ102の中心軸102aとの間に許容される相互間軸位置変動は、コリメートレンズの焦点距離や検出系の構成にもよるが、数μm程度とされている。コリメートレンズ102のレンズ取付孔111への20μm〜50μm程度のクリアランスをもったすきま嵌めにおいて、その取付変動を数μmに管理することは容易ではなく、コリメートレンズ102のレンズ取付孔111への均等3点接着においては、3点のうち1点に偏った状態で接着されやすいという問題が生じる。
【0011】
このような取付構造において、温度に変化があると、光ピックアップ装置100の各部が熱膨張或いは熱収縮するが、一般にハウジング109の材料はアルミニウム(Al)やマグネシウム(Mg)等であり、セル110の材料は、光軸調整時の滑り等を考慮して例えば銅(Cu)やステンレス(SUS)等の硬めの金属であり、ハウジング109とセル110との線膨張率の差により半導体レーザ101のレーザビーム出射軸101aとコリメートレンズ102の中心軸102aとの位置ズレが生じる。例えば、周囲温度が上昇した場合には、図12に示すように、半導体レーザ101のレーザビーム出射軸101aとコリメートレンズ102の中心軸102aとにズレX1が生じる。これにより、半導体レーザ101から出射されるレーザビームの光軸101bにズレY1が生じてしまい、受光素子108等からなる検出系での受光スポットの位置ズレが生じて、受光スポットのプッシュプル信号にオフセットが生じてしまう。その結果、検出系において、検出信号を正確に検出することができないという問題が生じる。
【0012】
このプッシュプル信号のオフセットを補正する手段として、DPP(Differential Push-Pull=差動プッシュプル)法がよく知られている。これは、図9に示すように、往路光路中にグレーティング112を配して、レーザビームを0次のメインビームと±1次のサブビームに分け、メインビームをグルーブ(或いはランド)、サブビームは隣接するランド(或いはグルーブ)に集光させる。これにより、メインとサブとで逆相のプッシュプルを発生させ、kを係数として(メインプッシュプル)−k(サブプッシュプル)によりプッシュプル成分を実質的に足し合わせ、スポットズレ分を同相成分として取り除こうというものである。
【0013】
このDPP法は、トラッキング信号の補正方法としては優れた方法ではあるが、ウォブル信号のオフセット補正には適用できない。なぜなら、この方法によりウォブル信号を得てウォブル信号の補正を行なおうとしようとする場合、ウォブルは、周波数が高い為に、光ディスクZの異なる位置にあるメインスポットとサブスポットとが各々まちまちのウォブル成分を拾ってしまい、うまくウォブル以外の同相成分だけ除去することができないためである。
【0014】
本発明の目的は、部品の温度変化に起因するレーザとコリメートレンズとのズレを抑制することである。
【0015】
本発明の目的は、部品の温度変化に起因するレーザとコリメートレンズとのズレを抑制することにより特にウォブル信号のオフセットの発生を抑制することである。
【0016】
【課題を解決するための手段】
請求項1記載の発明は、
レーザビームを光情報記録媒体の記録面に集光して情報の記録又は再生を行なう光ピックアップ装置において、
ハウジングと、
前記ハウジングに固定されレーザビームを出射するレーザと、
前記レーザからのレーザビームを平行光束に変換するコリメートレンズと、
前記コリメートレンズを保持するレンズ取付孔を有し、前記ハウジングの線膨張係数とは異なる線膨張係数を有する材料で形成され、前記ハウジングに固定されているセルと、を具備し、
前記コリメートレンズは、前記ハウジングの線膨張係数が前記セルの線膨張係数より高い値である場合は前記レンズ取付孔の前記セルと前記ハウジングの当接部から遠い側の半周の一部又は全部で前記セルに接着され、または前記コリメートレンズは、前記ハウジングの線膨張係数が前記セルの線膨張係数より低い値である場合は前記レンズ取付孔の前記セルと前記ハウジングの当接部に近い側の半周の一部又は全部で前記セルに接着されていることを特徴とする。
請求項2記載の発明は、請求項1に記載の光ピックアップ装置において、前記コリメートレンズは、前記ハウジングの線膨張係数が前記セルの線膨張係数より高い値である場合は前記レンズ取付孔の前記セルと前記ハウジングの当接部から最も遠い位置で、または前記コリメートレンズは、前記ハウジングの線膨張係数が前記セルの線膨張係数より低い値である場合は前記レンズ取付孔の前記セルと前記ハウジングの当接部に最も近い位置で、前記セルと最も近接するように取り付けられていることを特徴とする。
請求項3記載の発明は、請求項1又は2に記載の光ピックアップ装置において、前記コリメートレンズは、前記ハウジングの線膨張係数が前記セルの線膨張係数より高い値である場合は少なくとも前記レンズ取付孔の前記セルと前記ハウジングの当接部から最も遠い位置で、または前記コリメートレンズは、前記ハウジングの線膨張係数が前記セルの線膨張係数より低い値である場合は少なくとも前記レンズ取付孔の前記セルと前記ハウジングの当接部に最も近い位置で、前記セルと接着されていることを特徴とする。
請求項4記載の発明は、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の光ピックアップ装置において、前記コリメートレンズは、前記ハウジングの線膨張係数が前記セルの線膨張係数より高い値である場合は前記レンズ取付孔の前記セルと前記ハウジングの当接部から最も遠い位置で、または前記コリメートレンズは、前記ハウジングの線膨張係数が前記セルの線膨張係数より低い値である場合は前記レンズ取付孔の前記セルと前記ハウジングの当接部に最も近い位置で、20μm〜50μm離間して前記セルと接着されていることを特徴とする。
【0026】
【発明の実施の形態】
本発明の第一の実施の形態を図1ないし図7に基づいて説明する。本実施の形態の光ピックアップ装置は、光情報記録媒体の記録再生等を行なう光ディスク装置に用いられる光ピックアップ装置に適用されている。
【0027】
ここで、図1は本実施の形態の光ピックアップ装置を示す概略平面図、図2は半導体レーザとコリメートレンズとの取付構造を示す縦断側面図、図3はコリメートレンズのセルへの接着構造を誇張して示し、(a)は1点接着を示す正面図、(b)は2点接着を示す正面図、(c)は3点接着を示す正面図、(d)は半周接着を示す正面図、図4は受光素子の分割パターンを示す説明図である。
【0028】
本実施の形態の光ピックアップ装置1は、レーザビームを出射するレーザである半導体レーザ2と、ガラス製のコリメートレンズ3と、レーザビームをメインビームと2つのサブビームとに分けるグレーティング4と、ビームスプリッタ5と、偏向プリズム6と、1/4波長板7と、対物レンズ8と、検出系9等とから構成されている。ここで、本実施の形態の検出系9におけるフォーカスエラー信号検出には非点収差法が採用され、トラックエラー信号検出にはDPP(Differential Push-Pull=差動プッシュプル)法が採用されている。
【0029】
また、本実施の形態の光情報記録媒体としては、ランドとグルーブとが形成されて、グルーブが蛇行(ウォブル)形成されている光ディスクZが適用されている。この光ディスクは、図示しない回転駆動系によって回転する。
【0030】
半導体レーザ2及びコリメートレンズ3の取付構造について図2及び図3を参照して説明する。光ピックアップ装置1は、ハウジング10を備えている。このハウジング10は、底壁11の一端で垂直壁12が底壁11の一面13側に延出しているL字形形状に形成されている。垂直壁12には、半導体レーザ2を保持するレーザ取付孔14が形成されている。そして、底壁11の一面13には、コリメートレンズ3を保持するレンズ取付孔15を有する円筒形状のセル16がレンズ取付孔15の中心軸15aに対向する一端16aをハウジング10の一面13に押し付けられた状態で図示しないビスによりビス止めされている。本実施の形態のハウジング10の材料は、例えばアルミニウム(Al)であり、セル16はハウジング10への取付時などの中心軸調整における滑り等を考慮して例えば銅(Cu)等の硬めの金属とされている。ここで、アルミニウム(Al)の線膨張係数よりも銅(Cu)の線膨張係数の方が低い値である。
【0031】
半導体レーザ2は、垂直壁12のレーザ取付孔14にカシメにより固定されている。
【0032】
コリメートレンズ3は、セル16のレンズ取付孔15に対してクリアランスをもってすきま嵌めされた状態でレンズ取付孔15に接着されて取り付けられている。このとき、コリメートレンズ3は、ハウジング10とセル16との温度変化に伴う相対変位の際に、レンズ取付孔15の中心軸15aに対するレーザ2のレーザビーム出射軸2aの相対移動方向へレンズ取付孔15の中心軸15aに対して相対的に移動するようにレンズ取付孔15に対して接着されて取り付けられている。詳しくは、コリメートレンズ3は、図3(a)に示すように、セル16とのクリアランスを利用してレンズ取付孔15のセル16の一端16a側とは反対側である他端16b側に寄せられてそこで接着剤Sにより1箇所接着されている。このときコリメートレンズ3の中心軸は、半導体レーザ2の中心軸と一致している。ここで、レンズ取付孔15とコリメートレンズ3とのクリアランスは、20μm〜50μm程度とされており、図3では説明の為に誇張して示している。そして、半導体レーザ2とコリメートレンズ3との相対変位によりウォブル信号オフセットが発生する方向W1(図2参照)は、セル16の一端16a側と他端16b側との対向方向とされている。
【0033】
なお、コリメートレンズ3のセル16への接着構造としては、上述したような1箇所接着に限られるものではなく、ハウジング10とセル16との温度変化に伴う相対変位の際に、レンズ取付孔15の中心軸15aに対するレーザ2のレーザビーム出射軸2aの相対移動方向へレンズ取付孔15の中心軸15aに対して相対的に移動するようにレンズ取付孔15に対して接着されて取り付けられていれば良い。例えば、図3(b)に示すように、レンズ取付孔15におけるセル16の他端16b側の半周内において接着剤Sによる均等2箇所接着、図3(c)に示すように、レンズ取付孔15におけるセル16の他端16b側の半周内において接着剤Sによる均等3箇所接着、或いは均等3箇所以上であってよい。さらには、図3(d)に示すようなレンズ取付孔15におけるセル16の他端16b側の半周内において全範囲を接着剤Sにより接着する半周接着であって良い。これらは、対衝撃性や強度並びに必要精度とのからみで適宜選択すれば良い。
【0034】
ビームスプリッタ5は、図1に示すように、ビーム整形面としての機能を有するレーザビームの入射面5aと内部反射面5bとを備えている。この内部反射面5bとレーザビームの往路及び復路を分離する光路分離面5cとは、略平行に設定されており、温度変化などによるビームスプリッタ5の角度変化によって検出系9におけるプッシュプル信号にオフセットが生じないようにされている。
【0035】
検出系9は、第1の集光レンズ17と、非点収差発生機能を有する第2の集光レンズ18と、8分割の受光領域を持つ受光素子19等とから構成されている。
【0036】
受光素子19は、図4に示すように、メインビームに関する反射光成分を受光するための4分割された受光領域A,B,C,Dと、一方のサブビームに関する反射光成分を受光する為の2分割された受光領域E,Fと、他方のサブビームに関する反射光成分を受光する為の2分割された受光領域G,Hとを有している。受光素子19は、受光したレーザビームを電気信号として検出するものであって、情報信号、サーボ信号であるフォーカスエラー信号FEやトラッキングエラー信号TE、ウォブル信号Wb等の検出信号を検出する。
【0037】
ここで、フォーカスエラー信号FEは、
FE=(A+C)−(B+D)
とされる。
【0038】
トラッキングエラー信号TEは、定数をkとすると
TE={(A+D)−(B+C)}−k{(F+H)−(E+G)}
とされる。
【0039】
ウォブル信号Wbは、
Wb=(A+D)−(B+C)
とされる。ここで、図4のW2は、ウォブル信号Wbのオフセット方向を示す。
【0040】
このような構成において、半導体レーザ2から出射された直線偏光のレーザビームは、コリメートレンズ3によって平行光束に変換され、ビームスプリッタ5と1/4波長板7とで構成される光アイソレータにおいて直線偏光から円偏光に変換される。円偏光に変換された光は、対物レンズ8により集光されて光ディスクZの記録面Z1に微小な光スポットの状態で照射される。光ディスクZからの反射光は、照射時の逆の経路を辿り、対物レンズ8を通過し、1/4波長板7により偏光方向を90°回転した直線偏光に変換された後、ビームスプリッタ5に到達する。この反射光は、照射時とは異なりビームスプリッタ5により反射され、集光レンズ17方向に導かれ、集光レンズ18により非点収差を与えられた形で集光され、受光素子19に入射される。そして、受光素子19によって、情報信号、フォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号、ウォブル信号が検出される。
【0041】
ここで、温度が上昇して、ハウジング10とセル16とが熱膨張して変形した際の半導体レーザ2とコリメートレンズ3との相対位置関係について図5を参照して説明する。
【0042】
温度上昇によってハウジング10とセル16とが熱膨張した場合には、ハウジング10の線膨張率の方がセル16の線膨張率よりも高いので、セル16よりもハウジング10の方がより膨張する。これにより、レーザ取付孔14とレンズ取付孔15とに相対的な変位が生じる。この際に、半導体レーザ2は、ハウジング10に対してカシメにより取り付けられているので、レーザ取付孔14とともに変位する。これにより、レーザビーム出射軸2aがレンズ取付孔15に対して相対的に変位して、半導体レーザ2のレーザビーム出射軸2aは、セル16のレンズ取付孔15の中心軸15aからレンズ取付孔15におけるハウジング10に固定されているセル16の他端16b側方向へ位置することになる。
【0043】
一方、コリメートレンズ3は、セル16の他端16b側に寄せられてそこで1箇所接着されていて、また、ガラスの線膨張率は金属の線膨張率よりも低いのでレンズ取付孔15が膨張する際に、レンズ取付孔15に対してその接着部位、即ちレンズ取付孔15におけるセル16の他端16b側に偏った状態で位置することとなる。即ち、レンズ取付孔15の中心軸15aよりもコリメートレンズ3の中心軸3aの方がレーザ取付孔14に保持されている半導体レーザ2のレーザビーム出射軸2aに対して近くに位置していることになる。これにより、温度変化によるハウジング10とセル16との線膨張係数の差に起因する半導体レーザ2とコリメートレンズ3との相対位置関係のズレX2を小さく抑えることができるので、半導体レーザ2から出射されるレーザビームの光軸2bのズレY2を小さくすることができ、その結果、検出系9での受光スポットの位置ズレを抑制することができる。よって、検出系9において、サーボ信号や特にDPP法においても補正できないウォブル信号のオフセットの発生を抑制することができる光ピックアップ装置1ないしはこのような光ピックアップ装置1を搭載した光ディスク装置を提供することができる。
【0044】
なお、本実施の形態では、ハウジング10の材料をアルミニウム(Al)、セル16の材料を銅(Cu)として説明したがこれに限るものではなく、セルの材料の線膨張率がハウジングの材料の線膨張率以下であれば良い。
【0045】
次に、図示しないが、変形例について説明する。前記実施の形態では、セル16の材料の線膨張率がハウジング10の材料の線膨張率以下である場合の例を説明したが、この例は、セル16の材料の線膨張率がハウジング10の材料の線膨張率以上である場合の例である。この場合は、光ピックアップ装置1の構成は基本的に同じである。前記実施の形態との相違点は、コリメートレンズ3のセル16のレンズ取付孔15への取付構造である。具体的には、コリメートレンズ3は、レンズ取付孔15における一端16a側の半周内において、コリメートレンズ3がレンズ取付孔15に接着されて取り付けられている。なお、接着点数は、前記実施の形態と同様である。
【0046】
温度上昇によってハウジング10とセル16とが熱膨張した場合には、セル16の線膨張率の方がハウジング10の線膨張率よりも高いので、ハウジング10よりもセル16の方がより膨張する。これにより、レーザ取付孔14とレンズ取付孔15とに相対的な変位が生じる。この際に、半導体レーザ2は、ハウジング10に対してカシメにより取り付けられているので、レーザ取付孔14とともに変位する。これにより、レーザビーム出射軸2aがレンズ取付孔15に対して相対的に変位して、半導体レーザ2のレーザビーム出射軸2aは、セル16のレンズ取付孔15の中心軸15aからレンズ取付孔15におけるハウジング10に固定されているセル16の一端16a側方向へ位置することになる。
【0047】
一方、コリメートレンズ3は、セル16の一端16a側に寄せられてそこで1箇所接着されていて、また、ガラスの線膨張率は金属の線膨張率よりも低いのでレンズ取付孔15が膨張する際に、レンズ取付孔15に対してその接着部位、即ちレンズ取付孔15におけるセル16の一端16a側に偏った状態で位置することとなる。即ち、レンズ取付孔15の中心軸15aよりもコリメートレンズ3の中心軸3aの方がレーザ取付孔14に保持されている半導体レーザ2のレーザビーム出射軸2aに対して近くに位置していることになる。これにより、温度変化によるハウジング10とセル16との線膨張係数の差に起因する半導体レーザ2とコリメートレンズ3との相対位置関係のズレを小さく抑えることができるので、半導体レーザ2から出射されるレーザビームの光軸2bのズレを小さくすることができ、その結果、検出系9での受光スポットの位置ズレを抑制することができる。よって、検出系9において、サーボ信号や特にDPP法においても補正できないウォブル信号のオフセットの発生を抑制することができる光ピックアップ装置1ないしはこのような光ピックアップ装置1を搭載した光ディスク装置を提供することができる。
【0048】
次に、本発明の第二の実施の形態を図6に基づいて説明する。図6は本実施の形態のコリメートレンズのセルへの接着構造を誇張して示し、(a)は6点接着を示す正面図、(b)は全周接着を示す正面図である。なお、第一の実施の形態において説明した部分と同一部分は同一符号で示し、説明も省略する(以下の実施の形態でも同じ)。本実施の形態の基本的な構造は、第一の実施の形態のと同じであり、第一の実施の形態との相違点は、セル21の材料の線膨張率がハウジング10の材料の線膨張率と同じか又はそれに近いものである点である。具体的には、セルの材料は例えばアルミニウム(Al)等である。この相違点により、コリメートレンズ3のセル21への取付構造も第一の実施の形態とは異なる。
【0049】
コリメートレンズ3のセル21への取付構造について説明する。図6(a)に示すように、コリメートレンズ3は、セル21のレンズ取付孔15に対して均一のクリアランスを持ってレンズ取付孔15中心に配置されて、接着剤Sによりその全周において均等6箇所で接着固定されている。このとき、コリメートレンズ3の中心軸は、半導体レーザ2の中心軸と一致している。なお、接着構造としては、均等6箇所接着としたがこれに限られるものではなく、均等6箇所以上であればよい。さらには、図7(b)に示すようなレンズ取付孔15に対して全周接着であって良い。従来の均等3点接着では、コリメートレンズ3とセル21との間にコリメートレンズ3全周で均等にクリアランスを持って接着することが難しく3点のうち1点に偏った状態で接着され易かったが、上述した均等6箇所接着や全周接着は、均等3点接着に比べ、接着箇所が多いので、均等性が優れ、コリメートレンズ3とセル21とのクリアランスがコリメートレンズ3全周でより均等になる。
【0050】
このような構成において、温度が上昇して、ハウジング10とセル21とが熱膨張して変形した際には、ハウジング10とセル21との線膨張係数が同じか又は近いので、カシメにより取り付けられていることによりレーザ取付孔14とともに変位する半導体レーザ2のレーザビーム出射軸2aと、セル21のレンズ取付孔15の中心軸15aとは、相対的に移動しないか又は移動したとしてもごく僅かな距離となる。そして、コリメートレンズ3がその全周に均等にセル21に対してクリアランスがある状態でレンズ取付孔15中心に取り付けられているので、セル21が熱膨張して変形した場合にもセル21のレンズ取付孔15の中心軸15aとコリメートレンズ3との位置関係が変わらないか又は変わったとしても僅かである。これにより、温度変化による半導体レーザ2とコリメートレンズ3との相対位置関係のズレを無くすか若しくは小さく抑えることができ、半導体レーザ2から出射されるレーザビームの光軸のズレを無くすか抑えることができるので、検出系9での受光スポットの位置ズレを抑制することができる。これにより、検出系9において、サーボ信号や特にDPP法においても補正できないウォブル信号のオフセットの発生を抑制することができる光ピックアップ装置ないしはこのような光ピックアップ装置を搭載した光ディスク装置を提供することができる。
【0051】
次に、本発明の第三の実施の形態を図7及び図8に基づいて説明する。図7は本実施の形態の半導体レーザとコリメートレンズとの取付構造を示す側面図、図8はコリメートレンズの取付構造を示す分解斜視図である。本実施の形態の基本的な構造は、第一の実施の形態と同じであり、第一の実施の形態との相違点は、セル31及びハウジング32の形状、セル31のハウジング32への取付構造が異なる点である。
【0052】
セル31には、レンズ取付孔15の中心軸15aを含む面若しくはその近傍面に沿って形成されてた取付面33aを有する取付部33が両側部にそれぞれ形成されている。
【0053】
ハウジング32には、レーザ取付孔14に保持されている半導体レーザ2のレーザビーム出射軸2aを含む平面若しくはその近傍面に沿って形成された保持面34aを有する一対の保持部34が底壁11の一面13から延出して形成されている。この保持部34は、ハウジング32の材料の線膨張率と同じか若しくは近似した値の線膨張係数を有する材料で形成されている。
【0054】
そして、セル31は、その取付面33aをハウジング32の保持面34aに当接させた状態で取付部33がハウジング32の保持部34にネジ35によってネジ止めされて、ハウジング32に固定されている。このとき、ハウジング10とセル16との材料の線膨張率は同じであっても良いし、異なっていてもどちらでも良い。
【0055】
コリメートレンズ3は、第2の実施の形態で説明したような、セル31に対して均等6点接着以上、或いは全周接着とされている。このとき、コリメートレンズ3の中心軸は、半導体レーザ2の中心軸と一致している。
【0056】
このような構成において、温度が上昇して、ハウジング32とセル31とが熱膨張して変形した際には、ハウジング32の保持面34aは、レーザ取付孔14に保持されている半導体レーザ2のレーザビーム出射軸2aと同じように変位するので、レーザ取付孔14に保持されている半導体レーザ2のレーザビーム出射軸2aと保持面34aの相対的な位置関係に変化はない。これにより、セル31のレンズ取付孔15の中心軸15aもレーザ取付孔14に保持されている半導体レーザ2のレーザビーム出射軸2aに対して相対的な位置関係に変化がない。よって、半導体レーザ2レーザビーム出射軸2aとコリメートレンズ3の中心軸3aとの位置関係が相対的に変わらない。これにより、部品の温度変化による半導体レーザ2とコリメートレンズ3との相対位置関係のズレの発生を抑えることができ、半導体レーザ2から出射されるレーザビームの光軸のズレの発生を抑えることができるので、検出系9での受光スポットの位置ズレを抑制することができる。よって、検出系9において、サーボ信号や特にDPP法においても補正できないウォブル信号のオフセットの発生を抑制することができる光ピックアップ装置ないしはこのような光ピックアップ装置を搭載した光ディスク装置を提供することができる。
【0057】
【発明の効果】
本発明によれば、レンズ取付孔に対してコリメートレンズ周囲を均等に接着されて取り付けられている従来の光ピックアップ装置に比べて部品の温度変化に起因するレーザとコリメートレンズとのズレを抑制することができる。これにより、ウォブル信号のオフセットの発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第一の実施の形態の光ピックアップ装置を示す概略平面図である。
【図2】半導体レーザとコリメートレンズとの取付構造を示す縦断側面図である。
【図3】コリメートレンズのセルへの接着構造を誇張して示し、(a)は1点接着を示す正面図、(b)は2点接着を示す正面図、(c)は3点接着を示す正面図、(d)は半周接着を示す正面図である。
【図4】受光素子の分割パターンを示す説明図である。
【図5】ハウジングとセルとの熱膨張変形による半導体レーザとコリメートレンズとの位置ズレ関係を模式的に示す縦断側面図である。
【図6】本発明の第二の実施の形態のコリメートレンズのセルへの接着構造を誇張して示し、(a)は6点接着を示す正面図、(b)は全周接着を示す正面図である。
【図7】本発明の第三の実施の形態の半導体レーザとコリメートレンズとの取付構造を示す側面図である。
【図8】コリメートレンズの取付構造を示す分解斜視図である。
【図9】従来の光ピックアップ装置を示す概略平面図である。
【図10】半導体レーザとコリメートレンズとの取付構造を示す縦断側面図である。
【図11】コリメートレンズのセルへの接着構造を誇張して示す正面図である。
【図12】ハウジングとセルとの熱膨張変形による半導体レーザとコリメートレンズとの位置ズレ関係を模式的に示す縦断側面図である。
【符号の説明】
1 光ピックアップ装置
2 レーザ(半導体レーザ)
2a レーザビーム出射軸
3 コリメートレンズ
10,32 ハウジング
15 レンズ取付孔
15a 中心軸
16,21,31 セル
33a 取付面
34 セル保持部
34a 保持面
Z 光情報記録媒体(光ディスク)
Z1 記録面
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an optical pickup device and an optical disc device.
[0002]
[Prior art]
FIG. 9 shows a configuration of a conventional optical pickup device 100. The linearly polarized laser beam emitted from the semiconductor laser 101 is converted into a parallel light beam by the collimator lens 102, and is converted from linearly polarized light to circularly polarized light in an optical isolator composed of the beam splitter 103 and the quarter wavelength plate 104. The The light converted into the circularly polarized light is collected by the objective lens 105 and irradiated on the recording surface Z1 of the optical disk Z, which is an optical information recording medium, in the form of a minute light spot. The reflected light from the optical disk Z follows the reverse path at the time of irradiation, passes through the objective lens 105, is converted into linearly polarized light whose polarization direction is rotated by 90 ° by the quarter wavelength plate 104, and then enters the beam splitter 103. To reach. The reflected light is reflected by the beam splitter 103 unlike the irradiation, guided to the first condenser lens 106, and condensed by the second condenser lens 107 in the form of astigmatism, The light enters the light receiving element 108.
[0003]
Here, lands and grooves (both not shown) are formed on the optical disk Z for tracking control of the laser beam. A groove is formed in a meandering manner (hereinafter referred to as wobble) in order to indicate address information of the optical disk Z and the like.
[0004]
The light receiving element 108 has a structure having light receiving areas A, B, C, D, E, F, G, and H (similar to FIG. 4), and information based on the output corresponding to the state of the received detection beam. Detection signals such as signals and servo signals are detected. In particular, the wobble signal Wb is detected by Wb = (A + D) − (B + C).
[0005]
The light receiving spot size of such an optical pickup device 100 cannot be made too large due to the frequency band of the detection signal, space restrictions on the layout, and the like. In addition, it cannot be made too small due to the ease of adjustment and the shift over time. Generally, the size of the light receiving spot is often in the range of several tens of μm to 100 μm.
[0006]
However, when trying to obtain a servo signal and a wobble signal from the push-pull signal of the light receiving spot of this size, the light receiving spot is displaced due to the deformation of each part due to the temperature change of each part of the optical pickup device 100. May cause a problem that servo signals, wobble signals, etc. cannot be detected.
[0007]
When there is a single mirror in the forward or backward path of light, the positional deviation of the light receiving spot is most affected by the angular deviation of the mirror. In this case, depending on the degree of the angle deviation of the mirror, the optical pickup device 100 may not function. However, when the mirror is on the common optical path of the forward and backward paths, such a problem does not occur because the angle error is canceled by reciprocation. In order to cope with this problem, as shown in FIG. 9, a beam shaping surface 103a is formed on the beam splitter 103 to eliminate the influence, or even when the beam shaping is not performed, the optical path separation surface 103b which is a mirror is used. A substantially parallel parallel reflecting surface 103c is provided, so that the angle relationship between the optical axes of the light source system and the detection system does not change due to the angle deviation of the mirror.
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
In this way, when the inner mirror angle deviation that causes the light reception spot position deviation is removed, the position deviation in the direction perpendicular to the optical axis between the semiconductor laser 101 and the collimating lens 102 is affected next.
[0009]
Here, the mounting structure of the semiconductor laser 101 and the collimating lens 102 will be described with reference to FIGS. The semiconductor laser 101 is fixed to the housing 109 of the optical pickup device 100 by caulking. The collimating lens 102 is bonded and held in the lens mounting hole 111 by the adhesive S in a state of being fitted with a clearance with respect to the lens mounting hole 111 of the cell 110. A part of the cell 110 is fixed to the housing 109. As shown in FIG. 11, the collimating lens 102 is evenly bonded at three points to the lens mounting hole 111 on the entire circumference of the collimating lens 102 in consideration of the workability of assembling the cell 110. Here, the clearance between the lens mounting hole 111 and the collimating lens 102 is about 20 μm to 50 μm, and is exaggerated in FIG. 11 for explanation.
[0010]
Here, the mutual axial position variation allowed between the laser beam emission axis 101a of the semiconductor laser 101 and the central axis 102a of the collimating lens 102 due to deformation of each part due to temperature change is the focal length of the collimating lens or the like. Although it depends on the configuration of the detection system, it is about several μm. In a clearance fit with a clearance of about 20 μm to 50 μm in the lens mounting hole 111 of the collimating lens 102, it is not easy to manage the mounting variation to several μm, and 3 equal to the lens mounting hole 111 of the collimating lens 102. In the point bonding, there is a problem that bonding is easily performed in a state of being biased to one of the three points.
[0011]
In such a mounting structure, when the temperature changes, each part of the optical pickup device 100 thermally expands or contracts. Generally, however, the material of the housing 109 is aluminum (Al), magnesium (Mg), or the like. This material is a hard metal such as copper (Cu) or stainless steel (SUS) in consideration of slipping at the time of optical axis adjustment, and the semiconductor laser 101 has a difference in linear expansion coefficient between the housing 109 and the cell 110. A positional deviation occurs between the laser beam emission axis 101a and the central axis 102a of the collimating lens 102. For example, when the ambient temperature rises, as shown in FIG. 12, a deviation X1 occurs between the laser beam emission axis 101a of the semiconductor laser 101 and the central axis 102a of the collimating lens 102. As a result, a deviation Y1 occurs in the optical axis 101b of the laser beam emitted from the semiconductor laser 101, a positional deviation of the light receiving spot in the detection system including the light receiving element 108 and the like occurs, and the push pull signal of the light receiving spot is generated. An offset will occur. As a result, there arises a problem that the detection signal cannot be accurately detected in the detection system.
[0012]
As a means for correcting the offset of this push-pull signal, a DPP (Differential Push-Pull) method is well known. As shown in FIG. 9, a grating 112 is arranged in the forward optical path, the laser beam is divided into a 0th-order main beam and a ± 1st-order subbeam, the main beam is a groove (or land), and the subbeams are adjacent to each other. The light is condensed on the land (or groove). As a result, a reverse-phase push-pull is generated between the main and sub, the push-pull component is substantially added by k as a coefficient (main push-pull) -k (sub-push-pull), and the spot deviation is in-phase component. Is to remove it.
[0013]
This DPP method is an excellent method for correcting a tracking signal, but cannot be applied to offset correction of a wobble signal. This is because when wobble signals are to be corrected by this method and wobble signals are to be corrected, wobbles have high frequencies, so the main spots and sub-spots at different positions on the optical disk Z have different wobbles. This is because components are picked up and only in-phase components other than wobble cannot be removed successfully.
[0014]
An object of the present invention is to suppress a deviation between a laser and a collimating lens due to a temperature change of a component.
[0015]
An object of the present invention is to particularly suppress the occurrence of an offset of a wobble signal by suppressing a deviation between a laser and a collimating lens due to a temperature change of a component.
[0016]
[Means for Solving the Problems]
The invention described in claim 1
In an optical pickup device that records or reproduces information by focusing a laser beam on a recording surface of an optical information recording medium,
A housing;
A laser fixed to the housing and emitting a laser beam;
A collimating lens that converts a laser beam from the laser into a parallel beam;
A lens mounting hole for holding the collimating lens, formed of a material having a linear expansion coefficient different from the linear expansion coefficient of the housing, and a cell fixed to the housing,
The collimating lens is When the linear expansion coefficient of the housing is higher than the linear expansion coefficient of the cell, the lens mounting hole Contact portion between the cell and the housing The far side Adhered to the cell part or all of the half circumference Or, when the linear expansion coefficient of the housing is lower than the linear expansion coefficient of the cell, the collimating lens is a part of a half circumference of the lens mounting hole on the side close to the contact portion of the cell and the housing, or All are adhered to the cell It is characterized by that.
According to a second aspect of the present invention, in the optical pickup device according to the first aspect, the collimating lens is When the linear expansion coefficient of the housing is higher than the linear expansion coefficient of the cell, it is farthest from the contact portion between the cell of the lens mounting hole and the housing. In position, Or when the linear expansion coefficient of the housing is a value lower than the linear expansion coefficient of the cell, the collimating lens is at a position closest to the cell and the contact portion of the housing of the lens mounting hole, It is attached so as to be closest to the cell.
The invention according to claim 3 is the optical pickup device according to claim 1 or 2, wherein the collimating lens is When the linear expansion coefficient of the housing is higher than the linear expansion coefficient of the cell at least The farthest from the contact portion of the housing and the cell of the lens mounting hole In position, Or when the linear expansion coefficient of the housing is a value lower than the linear expansion coefficient of the cell, the collimating lens is at least at a position closest to the cell and the contact portion of the housing of the lens mounting hole, It is bonded to the cell.
According to a fourth aspect of the present invention, in the optical pickup device according to any one of the first to third aspects, the collimating lens is When the linear expansion coefficient of the housing is higher than the linear expansion coefficient of the cell, it is farthest from the contact portion between the cell of the lens mounting hole and the housing. In position, Or when the linear expansion coefficient of the housing is a value lower than the linear expansion coefficient of the cell, the collimating lens is at a position closest to the cell and the contact portion of the housing of the lens mounting hole, It is characterized in that it is bonded to the cell at a distance of 20 μm to 50 μm.
[0026]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The optical pickup device of the present embodiment is applied to an optical pickup device used in an optical disk device that performs recording / reproduction of an optical information recording medium.
[0027]
Here, FIG. 1 is a schematic plan view showing the optical pickup device of the present embodiment, FIG. 2 is a longitudinal side view showing the mounting structure of the semiconductor laser and the collimating lens, and FIG. 3 shows the structure of bonding the collimating lens to the cell. (A) is a front view showing one-point bonding, (b) is a front view showing two-point bonding, (c) is a front view showing three-point bonding, and (d) is a front view showing half-round bonding. FIG. 4 and FIG. 4 are explanatory diagrams showing a division pattern of the light receiving elements.
[0028]
An optical pickup device 1 of the present embodiment includes a semiconductor laser 2 that is a laser that emits a laser beam, a collimating lens 3 made of glass, a grating 4 that divides the laser beam into a main beam and two sub beams, and a beam splitter. 5, a deflecting prism 6, a quarter-wave plate 7, an objective lens 8, a detection system 9, and the like. Here, the astigmatism method is adopted for the focus error signal detection in the detection system 9 of the present embodiment, and the DPP (Differential Push-Pull = differential push-pull) method is adopted for the track error signal detection. .
[0029]
Further, as the optical information recording medium of the present embodiment, an optical disk Z in which lands and grooves are formed and the grooves are wobbled is applied. This optical disk is rotated by a rotation drive system (not shown).
[0030]
A mounting structure of the semiconductor laser 2 and the collimating lens 3 will be described with reference to FIGS. The optical pickup device 1 includes a housing 10. The housing 10 is formed in an L shape in which a vertical wall 12 extends to one surface 13 side of the bottom wall 11 at one end of the bottom wall 11. A laser mounting hole 14 for holding the semiconductor laser 2 is formed in the vertical wall 12. Then, on one surface 13 of the bottom wall 11, a cylindrical cell 16 having a lens mounting hole 15 for holding the collimating lens 3 presses one end 16 a facing the central axis 15 a of the lens mounting hole 15 against the one surface 13 of the housing 10. In this state, it is screwed with a screw (not shown). The material of the housing 10 of the present embodiment is, for example, aluminum (Al), and the cell 16 is made of a hard metal such as copper (Cu) in consideration of slippage or the like in adjusting the central axis when attached to the housing 10. It is said that. Here, the linear expansion coefficient of copper (Cu) is lower than the linear expansion coefficient of aluminum (Al).
[0031]
The semiconductor laser 2 is fixed to the laser mounting hole 14 of the vertical wall 12 by caulking.
[0032]
The collimating lens 3 is attached to the lens mounting hole 15 in a state of being fitted with clearance to the lens mounting hole 15 of the cell 16 with a clearance. At this time, the collimating lens 3 has a lens mounting hole in the relative movement direction of the laser beam emission axis 2a of the laser 2 with respect to the central axis 15a of the lens mounting hole 15 when the housing 10 and the cell 16 are displaced relative to the temperature. The lens mounting hole 15 is attached and attached so as to move relative to the central axis 15a of the lens 15. Specifically, as shown in FIG. 3A, the collimating lens 3 is moved toward the other end 16b side of the lens mounting hole 15 opposite to the one end 16a side of the cell 16 using the clearance with the cell 16. Then, one place is bonded by the adhesive S. At this time, the central axis of the collimating lens 3 coincides with the central axis of the semiconductor laser 2. Here, the clearance between the lens mounting hole 15 and the collimating lens 3 is about 20 μm to 50 μm, and is exaggerated in FIG. 3 for explanation. A direction W1 (see FIG. 2) in which the wobble signal offset is generated due to the relative displacement between the semiconductor laser 2 and the collimating lens 3 is the facing direction between the one end 16a side and the other end 16b side of the cell 16.
[0033]
Note that the adhesion structure of the collimator lens 3 to the cell 16 is not limited to the one-point adhesion as described above, and the lens mounting hole 15 in the relative displacement caused by the temperature change between the housing 10 and the cell 16. It is attached to the lens mounting hole 15 so as to move relative to the central axis 15a of the lens mounting hole 15 in the relative movement direction of the laser beam emission axis 2a of the laser 2 with respect to the central axis 15a. It ’s fine. For example, as shown in FIG. 3 (b), the lens mounting hole 15 is bonded evenly at two places by the adhesive S in the half circumference on the other end 16b side of the cell 16, and the lens mounting hole as shown in FIG. 3 (c). 15 may be bonded evenly at three positions by the adhesive S, or may be equal to or more than three positions within the half circumference of the cell 16 at the other end 16b side. Further, it may be a semi-circular adhesion in which the entire range is adhered by the adhesive S in the half circumference on the other end 16b side of the cell 16 in the lens mounting hole 15 as shown in FIG. These may be appropriately selected in view of impact resistance, strength, and required accuracy.
[0034]
As shown in FIG. 1, the beam splitter 5 includes a laser beam incident surface 5a and an internal reflection surface 5b having a function as a beam shaping surface. The internal reflection surface 5b and the optical path separation surface 5c that separates the forward path and the return path of the laser beam are set substantially parallel to each other and are offset to the push-pull signal in the detection system 9 due to a change in the angle of the beam splitter 5 due to a temperature change. Is made to not occur.
[0035]
The detection system 9 includes a first condenser lens 17, a second condenser lens 18 having an astigmatism generation function, a light receiving element 19 having an eight-divided light receiving area, and the like.
[0036]
As shown in FIG. 4, the light receiving element 19 receives the reflected light component related to one of the sub-beams and the light receiving areas A, B, C, and D divided into four parts for receiving the reflected light component related to the main beam. The light receiving areas E and F divided into two and the light receiving areas G and H divided into two for receiving the reflected light component relating to the other sub beam are provided. The light receiving element 19 detects the received laser beam as an electrical signal, and detects detection signals such as an information signal, a focus error signal FE that is a servo signal, a tracking error signal TE, and a wobble signal Wb.
[0037]
Here, the focus error signal FE is
FE = (A + C)-(B + D)
It is said.
[0038]
The tracking error signal TE is assumed to be a constant k.
TE = {(A + D)-(B + C)}-k {(F + H)-(E + G)}
It is said.
[0039]
The wobble signal Wb is
Wb = (A + D)-(B + C)
It is said. Here, W2 in FIG. 4 indicates the offset direction of the wobble signal Wb.
[0040]
In such a configuration, the linearly polarized laser beam emitted from the semiconductor laser 2 is converted into a parallel light beam by the collimator lens 3 and is linearly polarized in the optical isolator configured by the beam splitter 5 and the quarter wavelength plate 7. To circularly polarized light. The light converted into the circularly polarized light is condensed by the objective lens 8 and irradiated onto the recording surface Z1 of the optical disk Z in the form of a minute light spot. The reflected light from the optical disk Z follows the reverse path at the time of irradiation, passes through the objective lens 8, is converted into linearly polarized light whose polarization direction is rotated by 90 ° by the quarter wavelength plate 7, and then enters the beam splitter 5. To reach. Unlike the irradiation, the reflected light is reflected by the beam splitter 5, guided in the direction of the condensing lens 17, condensed in a form given astigmatism by the condensing lens 18, and incident on the light receiving element 19. The The light receiving element 19 detects an information signal, a focus error signal, a tracking error signal, and a wobble signal.
[0041]
Here, the relative positional relationship between the semiconductor laser 2 and the collimating lens 3 when the temperature rises and the housing 10 and the cell 16 are thermally expanded and deformed will be described with reference to FIG.
[0042]
When the housing 10 and the cell 16 are thermally expanded due to the temperature rise, the linear expansion coefficient of the housing 10 is higher than the linear expansion coefficient of the cell 16, so that the housing 10 expands more than the cell 16. As a result, relative displacement occurs between the laser mounting hole 14 and the lens mounting hole 15. At this time, since the semiconductor laser 2 is attached to the housing 10 by caulking, it is displaced together with the laser attachment hole 14. As a result, the laser beam emission axis 2 a is displaced relative to the lens attachment hole 15, and the laser beam emission axis 2 a of the semiconductor laser 2 moves from the central axis 15 a of the lens attachment hole 15 of the cell 16 to the lens attachment hole 15. The cell 16 is fixed to the housing 10 at the other end 16b side direction.
[0043]
On the other hand, the collimating lens 3 is brought closer to the other end 16b side of the cell 16 and bonded there, and the linear expansion coefficient of the glass is lower than that of the metal, so that the lens mounting hole 15 expands. In this case, the lens mounting hole 15 is located in a state of being biased toward the adhesion portion, that is, the other end 16b side of the cell 16 in the lens mounting hole 15. That is, the center axis 3 a of the collimating lens 3 is positioned closer to the laser beam emission axis 2 a of the semiconductor laser 2 held in the laser mounting hole 14 than the center axis 15 a of the lens mounting hole 15. become. As a result, the deviation X2 in the relative positional relationship between the semiconductor laser 2 and the collimating lens 3 caused by the difference in linear expansion coefficient between the housing 10 and the cell 16 due to temperature change can be suppressed to be small. The deviation Y2 of the optical axis 2b of the laser beam can be reduced, and as a result, the positional deviation of the light receiving spot in the detection system 9 can be suppressed. Accordingly, it is possible to provide an optical pickup device 1 or an optical disc device equipped with such an optical pickup device 1 capable of suppressing the occurrence of offsets of servo signals and wobble signals that cannot be corrected even by the DPP method in the detection system 9. Can do.
[0044]
In the present embodiment, the material of the housing 10 has been described as aluminum (Al) and the material of the cell 16 as copper (Cu). However, the present invention is not limited to this, and the linear expansion coefficient of the cell material is the same as that of the housing material. What is necessary is just to be below the linear expansion coefficient.
[0045]
Next, although not shown, a modified example will be described. In the embodiment, the example in which the linear expansion coefficient of the material of the cell 16 is equal to or lower than the linear expansion coefficient of the material of the housing 10 has been described. In this example, the linear expansion coefficient of the material of the cell 16 is It is an example in case it is more than the linear expansion coefficient of material. In this case, the configuration of the optical pickup device 1 is basically the same. The difference from the above embodiment is the mounting structure of the collimating lens 3 to the lens mounting hole 15 of the cell 16. Specifically, the collimating lens 3 is attached to the lens mounting hole 15 by being bonded to the lens mounting hole 15 in a half circumference on the one end 16 a side of the lens mounting hole 15. The number of adhesion points is the same as that in the above embodiment.
[0046]
When the housing 10 and the cell 16 thermally expand due to the temperature rise, the cell 16 expands more than the housing 10 because the linear expansion coefficient of the cell 16 is higher than the linear expansion coefficient of the housing 10. As a result, relative displacement occurs between the laser mounting hole 14 and the lens mounting hole 15. At this time, since the semiconductor laser 2 is attached to the housing 10 by caulking, it is displaced together with the laser attachment hole 14. As a result, the laser beam emission axis 2 a is displaced relative to the lens attachment hole 15, and the laser beam emission axis 2 a of the semiconductor laser 2 moves from the central axis 15 a of the lens attachment hole 15 of the cell 16 to the lens attachment hole 15. The cell 16 is fixed to the housing 10 at the one end 16a side.
[0047]
On the other hand, the collimating lens 3 is One end 16a The glass linear expansion coefficient is lower than that of the metal, so that when the lens mounting hole 15 expands, the bonding site to the lens mounting hole 15 is adhered. That is, the lens mounting hole 15 is positioned in a state of being biased toward the one end 16a side of the cell 16. That is, the center axis 3 a of the collimating lens 3 is positioned closer to the laser beam emission axis 2 a of the semiconductor laser 2 held in the laser mounting hole 14 than the center axis 15 a of the lens mounting hole 15. become. As a result, a deviation in the relative positional relationship between the semiconductor laser 2 and the collimating lens 3 due to a difference in linear expansion coefficient between the housing 10 and the cell 16 due to a temperature change can be suppressed to be small, and thus the laser beam is emitted from the semiconductor laser 2. The deviation of the optical axis 2b of the laser beam can be reduced, and as a result, the positional deviation of the light receiving spot in the detection system 9 can be suppressed. Accordingly, it is possible to provide an optical pickup device 1 or an optical disc device equipped with such an optical pickup device 1 capable of suppressing the occurrence of offsets of servo signals and wobble signals that cannot be corrected even by the DPP method in the detection system 9. Can do.
[0048]
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 6A and 6B show exaggeratedly the adhesion structure of the collimating lens of the present embodiment to the cell. FIG. 6A is a front view showing six-point adhesion, and FIG. 6B is a front view showing all-around adhesion. In addition, the same part as the part demonstrated in 1st embodiment is shown with the same code | symbol, and description is also abbreviate | omitted (same also in the following embodiment). The basic structure of the present embodiment is the same as that of the first embodiment, and the difference from the first embodiment is that the linear expansion coefficient of the material of the cell 21 is the line of the material of the housing 10. It is the same as or close to the expansion coefficient. Specifically, the material of the cell is, for example, aluminum (Al). Due to this difference, the structure for attaching the collimating lens 3 to the cell 21 is also different from that of the first embodiment.
[0049]
A structure for attaching the collimating lens 3 to the cell 21 will be described. As shown in FIG. 6A, the collimating lens 3 is arranged at the center of the lens mounting hole 15 with a uniform clearance with respect to the lens mounting hole 15 of the cell 21 and is evenly distributed on the entire circumference by the adhesive S. Bonded and fixed at six locations. At this time, the central axis of the collimating lens 3 coincides with the central axis of the semiconductor laser 2. In addition, although it was set as the adhesion | attachment structure 6 places equally, it is not restricted to this, What is necessary is just 6 or more places equally. Further, it may be bonded around the lens mounting hole 15 as shown in FIG. In the conventional uniform three-point bonding, it is difficult to bond between the collimating lens 3 and the cell 21 with a uniform clearance around the entire circumference of the collimating lens 3, and it is easy to bond in a state biased to one of the three points. However, the above-described equal six-point bonding and all-around bonding have more bonding points than equal three-point bonding, so that the uniformity is excellent and the clearance between the collimating lens 3 and the cell 21 is more uniform on the entire circumference of the collimating lens 3. become.
[0050]
In such a configuration, when the temperature rises and the housing 10 and the cell 21 are thermally expanded and deformed, the linear expansion coefficients of the housing 10 and the cell 21 are the same or close to each other. Therefore, the laser beam emission axis 2a of the semiconductor laser 2 that is displaced together with the laser mounting hole 14 and the central axis 15a of the lens mounting hole 15 of the cell 21 do not move relatively or even if they move. Distance. Since the collimating lens 3 is mounted at the center of the lens mounting hole 15 with a clearance from the cell 21 evenly around the entire circumference, the lens of the cell 21 can be used even when the cell 21 is thermally expanded and deformed. Even if the positional relationship between the center axis 15a of the mounting hole 15 and the collimating lens 3 does not change or changes, it is slight. Thereby, the deviation of the relative positional relationship between the semiconductor laser 2 and the collimating lens 3 due to the temperature change can be eliminated or suppressed, and the deviation of the optical axis of the laser beam emitted from the semiconductor laser 2 can be eliminated. Therefore, the positional deviation of the light receiving spot in the detection system 9 can be suppressed. Accordingly, it is possible to provide an optical pickup apparatus or an optical disk apparatus equipped with such an optical pickup apparatus in which the detection system 9 can suppress the occurrence of an offset of a servo signal and particularly a wobble signal that cannot be corrected by the DPP method. it can.
[0051]
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 7 is a side view showing the mounting structure of the semiconductor laser and the collimating lens of this embodiment, and FIG. 8 is an exploded perspective view showing the mounting structure of the collimating lens. The basic structure of this embodiment is the same as that of the first embodiment. The difference from the first embodiment is the shape of the cell 31 and the housing 32, and the attachment of the cell 31 to the housing 32. The structure is different.
[0052]
The cell 31 is formed with attachment portions 33 having attachment surfaces 33a formed along the surface including the central axis 15a of the lens attachment hole 15 or the vicinity thereof on both sides.
[0053]
In the housing 32, a pair of holding portions 34 having a holding surface 34 a formed along a plane including the laser beam emission axis 2 a of the semiconductor laser 2 held in the laser mounting hole 14 or the vicinity thereof is provided on the bottom wall 11. It is formed extending from one surface 13. The holding portion 34 is formed of a material having a linear expansion coefficient that is the same as or close to the linear expansion coefficient of the material of the housing 32.
[0054]
The cell 31 is fixed to the housing 32 by attaching the mounting portion 33 to the holding portion 34 of the housing 32 with a screw 35 in a state where the mounting surface 33 a is in contact with the holding surface 34 a of the housing 32. . At this time, the linear expansion coefficient of the material of the housing 10 and the cell 16 may be the same, or may be different.
[0055]
As described in the second embodiment, the collimating lens 3 is equally or more adhered to the cell 31 or adhered to the entire circumference. At this time, the central axis of the collimating lens 3 coincides with the central axis of the semiconductor laser 2.
[0056]
In such a configuration, when the temperature rises and the housing 32 and the cell 31 are thermally expanded and deformed, the holding surface 34a of the housing 32 is formed by the semiconductor laser 2 held in the laser mounting hole 14. Since it is displaced in the same manner as the laser beam emission axis 2a, there is no change in the relative positional relationship between the laser beam emission axis 2a of the semiconductor laser 2 held in the laser mounting hole 14 and the holding surface 34a. Thus, the relative positional relationship of the central axis 15a of the lens mounting hole 15 of the cell 31 with respect to the laser beam emission axis 2a of the semiconductor laser 2 held in the laser mounting hole 14 is not changed. Therefore, the positional relationship between the semiconductor laser 2 laser beam emission axis 2a and the central axis 3a of the collimating lens 3 remains relatively unchanged. Thereby, it is possible to suppress the occurrence of deviation of the relative positional relationship between the semiconductor laser 2 and the collimating lens 3 due to the temperature change of the components, and to suppress the occurrence of deviation of the optical axis of the laser beam emitted from the semiconductor laser 2. Therefore, the positional deviation of the light receiving spot in the detection system 9 can be suppressed. Therefore, it is possible to provide an optical pickup apparatus or an optical disk apparatus equipped with such an optical pickup apparatus that can suppress the occurrence of offsets of servo signals and wobble signals that cannot be corrected by the DPP method in the detection system 9. .
[0057]
【The invention's effect】
According to the invention, the lens As compared with a conventional optical pickup device in which the periphery of the collimating lens is attached to the mounting hole evenly, the deviation between the laser and the collimating lens due to the temperature change of the components can be suppressed. As a result, the occurrence of an offset of the wobble signal can be suppressed.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic plan view showing an optical pickup device according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a longitudinal side view showing a mounting structure between a semiconductor laser and a collimating lens.
FIGS. 3A and 3B show an exaggerated structure of a collimating lens to a cell, where FIG. 3A is a front view showing one-point bonding, FIG. 3B is a front view showing two-point bonding, and FIG. The front view to show, (d) is a front view which shows half circumference adhesion | attachment.
FIG. 4 is an explanatory diagram showing a division pattern of light receiving elements.
FIG. 5 is a vertical side view schematically showing a positional shift relationship between a semiconductor laser and a collimating lens due to thermal expansion deformation between a housing and a cell.
FIGS. 6A and 6B show exaggeratedly the adhesion structure of a collimating lens to a cell according to a second embodiment of the present invention, wherein FIG. 6A is a front view showing six-point adhesion, and FIG. FIG.
FIG. 7 is a side view showing a mounting structure between a semiconductor laser and a collimating lens according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 8 is an exploded perspective view showing a collimating lens mounting structure.
FIG. 9 is a schematic plan view showing a conventional optical pickup device.
FIG. 10 is a longitudinal side view showing a mounting structure between a semiconductor laser and a collimating lens.
FIG. 11 is a front view showing an exaggerated structure of an adhesion structure of a collimating lens to a cell.
FIG. 12 is a longitudinal side view schematically showing a positional shift relationship between a semiconductor laser and a collimating lens due to thermal expansion deformation between a housing and a cell.
[Explanation of symbols]
1 Optical pickup device
2 Laser (semiconductor laser)
2a Laser beam emission axis
3 Collimating lens
10,32 housing
15 Lens mounting hole
15a Center axis
16, 21, 31 cells
33a Mounting surface
34 Cell holder
34a Holding surface
Z Optical information recording medium (optical disk)
Z1 recording surface

Claims (4)

レーザビームを光情報記録媒体の記録面に集光して情報の記録又は再生を行なう光ピックアップ装置において、
ハウジングと、
前記ハウジングに固定されレーザビームを出射するレーザと、
前記レーザからのレーザビームを平行光束に変換するコリメートレンズと、
前記コリメートレンズを保持するレンズ取付孔を有し、前記ハウジングの線膨張係数とは異なる線膨張係数を有する材料で形成され、前記ハウジングに固定されているセルと、を具備し、
前記コリメートレンズは、前記ハウジングの線膨張係数が前記セルの線膨張係数より高い値である場合は前記レンズ取付孔の前記セルと前記ハウジングの当接部から遠い側の半周の一部又は全部で前記セルに接着され、または前記コリメートレンズは、前記ハウジングの線膨張係数が前記セルの線膨張係数より低い値である場合は前記レンズ取付孔の前記セルと前記ハウジングの当接部に近い側の半周の一部又は全部で前記セルに接着されていることを特徴とする光ピックアップ装置。
In an optical pickup device that records or reproduces information by focusing a laser beam on a recording surface of an optical information recording medium,
A housing;
A laser fixed to the housing and emitting a laser beam;
A collimating lens that converts a laser beam from the laser into a parallel beam;
A lens mounting hole for holding the collimating lens, formed of a material having a linear expansion coefficient different from the linear expansion coefficient of the housing, and a cell fixed to the housing,
When the linear expansion coefficient of the housing is higher than the linear expansion coefficient of the cell , the collimating lens has a part or all of a half circumference of the lens mounting hole on the side far from the contact portion of the cell and the housing. When the linear expansion coefficient of the housing is lower than the linear expansion coefficient of the cell, the collimating lens is bonded to the cell , or the collimating lens is closer to the contact portion between the cell and the housing of the lens mounting hole. An optical pickup device which is bonded to the cell partly or entirely in a half circumference .
前記コリメートレンズは、前記ハウジングの線膨張係数が前記セルの線膨張係数より高い値である場合は前記レンズ取付孔の前記セルと前記ハウジングの当接部から最も遠い位置で、または前記コリメートレンズは、前記ハウジングの線膨張係数が前記セルの線膨張係数より低い値である場合は前記レンズ取付孔の前記セルと前記ハウジングの当接部に最も近い位置で、前記セルと最も近接するように取り付けられていることを特徴とする請求項1に記載の光ピックアップ装置。When the linear expansion coefficient of the housing is higher than the linear expansion coefficient of the cell, the collimating lens is at a position farthest from the contact portion between the cell and the housing of the lens mounting hole , or the collimating lens is When the linear expansion coefficient of the housing is lower than the linear expansion coefficient of the cell, the lens mounting hole is mounted so as to be closest to the cell at a position closest to the contact portion of the cell and the housing. The optical pickup device according to claim 1, wherein the optical pickup device is provided. 前記コリメートレンズは、前記ハウジングの線膨張係数が前記セルの線膨張係数より高い値である場合は少なくとも前記レンズ取付孔の前記セルと前記ハウジングの当接部から最も遠い位置で、または前記コリメートレンズは、前記ハウジングの線膨張係数が前記セルの線膨張係数より低い値である場合は少なくとも前記レンズ取付孔の前記セルと前記ハウジングの当接部に最も近い位置で、前記セルと接着されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の光ピックアップ装置。When the linear expansion coefficient of the housing is higher than the linear expansion coefficient of the cell , the collimating lens is at least a position farthest from the contact portion between the cell and the housing of the lens mounting hole , or the collimating lens. When the linear expansion coefficient of the housing is lower than the linear expansion coefficient of the cell, it is bonded to the cell at least at a position closest to the contact portion between the cell and the housing of the lens mounting hole . The optical pickup device according to claim 1, wherein: 前記コリメートレンズは、前記ハウジングの線膨張係数が前記セルの線膨張係数より高い値である場合は前記レンズ取付孔の前記セルと前記ハウジングの当接部から最も遠い位置で、または前記コリメートレンズは、前記ハウジングの線膨張係数が前記セルの線膨張係数より低い値である場合は前記レンズ取付孔の前記セルと前記ハウジングの当接部に最も近い位置で、20μm〜50μm離間して前記セルと接着されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の光ピックアップ装置。When the linear expansion coefficient of the housing is higher than the linear expansion coefficient of the cell, the collimating lens is at a position farthest from the contact portion between the cell and the housing of the lens mounting hole , or the collimating lens is When the linear expansion coefficient of the housing is lower than the linear expansion coefficient of the cell, the cell is spaced from the cell by 20 μm to 50 μm at a position closest to the contact portion of the housing and the cell of the lens mounting hole. The optical pickup device according to any one of claims 1 to 3, wherein the optical pickup device is bonded.
JP2001331575A 2001-10-29 2001-10-29 Optical pickup device and optical disk device Expired - Fee Related JP3923778B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001331575A JP3923778B2 (en) 2001-10-29 2001-10-29 Optical pickup device and optical disk device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001331575A JP3923778B2 (en) 2001-10-29 2001-10-29 Optical pickup device and optical disk device

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2003141752A JP2003141752A (en) 2003-05-16
JP2003141752A5 JP2003141752A5 (en) 2005-05-26
JP3923778B2 true JP3923778B2 (en) 2007-06-06

Family

ID=19147129

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001331575A Expired - Fee Related JP3923778B2 (en) 2001-10-29 2001-10-29 Optical pickup device and optical disk device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3923778B2 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4524272B2 (en) 2006-08-03 2010-08-11 株式会社日立メディアエレクトロニクス Optical pickup

Also Published As

Publication number Publication date
JP2003141752A (en) 2003-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5684762A (en) Opto-magnetic head apparatus
US8223613B2 (en) Optical pickup device and optical disc apparatus
JP4843844B2 (en) Optical head, light emitting / receiving element, and optical recording medium recording / reproducing apparatus
US6873589B2 (en) Method and device for detecting optical data and reading-writing apparatus for optical data
US20040170109A1 (en) Optical pickup
US7573801B2 (en) Optical pickup
US20060227677A1 (en) Aberration detection device and optical pickup device provided with same
JP3923778B2 (en) Optical pickup device and optical disk device
US20070081431A1 (en) Optical pickup
JP2003045066A (en) Optical head and optical disk device
JP2003162831A (en) Optical pickup
US7002893B2 (en) Optical head with passive temperature compensation
JP2003272218A (en) Optical pickup device and optical reproducing device
JP4332693B2 (en) Optical head, light emitting / receiving element, and optical recording medium recording / reproducing apparatus
JP4947940B2 (en) Optical pickup device
JPH0963111A (en) Optical pickup device
JPH05181026A (en) Optical integrated circuit and its manufacture
JPH05307760A (en) Optical pickup
JP4038012B2 (en) Light source device
JP3440783B2 (en) Optical position detecting device and adjustment method thereof
JPH11339297A (en) Optical pickup
JPH1166767A (en) Disk device
JP4380055B2 (en) Optical head, light detection element, and optical recording medium recording / reproducing apparatus
JP2001160223A (en) Optical pickup
JP2003272217A (en) Optical pickup device and optical reproducing device

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040730

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040730

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20040924

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20050620

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20051028

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060221

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060421

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20061128

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070126

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070220

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070222

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees