JP3921323B2 - Manufacturing method of electronic parts - Google Patents

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【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばコンピュータやテレビジョン受像機などのディスプレイに利用され、アドレス素子として薄膜トランジスタ(以下、「TFT」という)などのスイッチング素子を備えた透過型あるいは反射型等の液晶表示装置、より詳しくは、ゲート配線と、ソース配線と、ゲート配線とソース配線との交差部の近傍に設けられたスイッチング素子とを有し、このスイッチング素子は前記ゲート配線に接続されたゲート電極と、前記ソース配線に接続されたソース電極と、液晶層に電圧を印加するための画素電極に接続されたドレイン電極とを有する液晶表示装置や、そのように多数の配線やスイッチング素子やセンサ部、など繰り返しパターンを備えて複数の膜のパターンを形成した半導体素子や、液晶以外の表示装置(例えばDMD)や、イメージセンサなどの能動素子や受動素子、あるいはそれら能動素子や受動素子を駆動したり制御する為、抵抗やコンデンサーや半導体素子や集積回路回路などの部品を実装した基板などを含む各種電子部品と電子部品の製造方法に関する。
【0002】
尚、ここで、電子部品とは電卓、デジタルカメラ、ハンディースキャナ、携帯ラジオ、MDプレーヤ、電子辞書、電子情報端末手帳などの一体部品として小型あるいは携帯用の電子機器を含める。
【0003】
【従来の技術】
TFT型の液晶表示装置を例に説明する。図8はアクティブマトリクス基板を備えた透過型の液晶表示装置の一般的な構成を示す回路図である。図8に示すように、アクティブマトリクス基板101には、数万から数十万個以上と多くの複数の画素電極102がマトリクス状に形成されており、この画素電極102には、スイッチング素子であるTFT103が接続されて設けられている。このTFT103のゲート電極には走査信号を供給するためのゲート配線104が接続され、ゲート電極に入力されるゲート信号によってTFT103が駆動制御される。また、TFT103のソース電極には表示信号(データ信号)を供給するためのソース配線105が接続され、TFT103の駆動時に、TFT103を介してデータ(表示)信号が画素電極102に入力される。各ゲート配線104とソース配線105とは、マトリクス状に配列された画素電極102の周囲を通り、絶縁膜を介した状態で互いに直交差するように設けられている。さらに、TFT103のドレイン電極は画素電極102および付加容量106に接続されており、この付加容量106の対向電極はそれぞれ共通配線107に接続されている。
【0004】
図9は従来の技術に係る液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板のTFT部分の断面図である。図9に示すように、透明絶縁性基板107上に、図101のゲート配線104に接続されたゲート電極108が形成されているとともに、その上を覆ってゲート絶縁膜109が形成されている。さらにその上にはゲート電極108と重畳するように半導体層110が形成され、その中央部上にチャネル保護層111が形成されている。このチャネル保護層111の両端部および半導体層110の一部を覆い、チャネル保護層111上で分断された状態で、ソース電極112aおよびドレイン電極112bとなるn+Si層が形成されている。一方のn+Si層であるソース電極112a上には図101のソース配線105と同一の膜で金属層113aが形成され、他方のn+Si層であるドレイン電極112b上には、ドレイン電極112bと画素電極114とを接続する金属層113bが形成されてスイッチング素子であるTFT115およびその周辺構造を形成している。さらに、TFT115、ゲート配線およびソース配線の上部を覆って層間絶縁膜116が形成されている。
【0005】
この層間絶縁膜116の上には、画素電極114となる透明導電膜が形成され、この透明導電膜は、層間絶縁膜116を貫くコンタクトホール116aを介して、TFT111のドレイン電極112bと接続した金属層113bに接続されている。このように、ゲート配線およびソース配線と画素電極1となる透明導電膜114との間に層間絶縁膜116が形成されているので、ゲート配線とソース配線とに対して画素電極1をオーバーラップさせることができる。このような構造は、例えば特開昭58−172685号公報に開示されており、これによって液晶表示装置の開口率を向上させることができるとともに、ゲート配線およびソース配線に起因する電界をシールドすることにより、液晶分子の配向が崩れるディスクリネーションを抑制することができる。
【0006】
上記絶縁膜109あるいは層間絶縁膜116としては、従来、窒化シリコン(SiN)などの無機膜をCVD法(プラズマ励起化学気相成長)を用いて膜厚300〜500nm程度に形成していた。これ以上の膜厚を形成しないのはデポジションに時間がかかり生産効率が悪くなったり、残留応力で基板がそったりクラック等の不良が増すためである。あるいは層間絶縁膜116だけは、有機膜を膜厚1〜5μm程度形成する場合もある。あるいは、開口率が落ちるが層間絶縁間116を形成しない場合などもある。また、電卓、デジタルカメラ、ハンディースキャナ、携帯ラジオ、MDプレーヤ、電子辞書、電子情報端末手帳などの様々な携帯用などの電子機器も、前述の液晶表示装置と同様に軽薄短小化が進んでおり、各種民間企業や大学などが高効率製造方式をを含めた実装技術の開発を競っている。例えば、抵抗やコンデンサーや半導体素子や集積回路回路などのチップ部品をサーフェスマウンタで基板に高速で基板上に粗い位置で供給し、複数の部品を一括して接続材料としての半田によりセルフアライメントを行いながら実装する技術は既に開発され、量産化、実用化されているが、マウンタの高速化や、異形状部品や微小ピッチ多端子部品の接続技術などの更なる開発が進められている。簡単な工程説明を、図11(a)〜(b)を用い、高密度多端子の集積回路120の実装プロセスを略図で示す。まず、図10(a)に示すように、半田バンプ(突起電極をバンプと呼ぶ)121を形成した集積回路120を基板122上にマウンタにより供給する。この時点では、マウンタの機械精度などにより、搭載位置にはバラツキ誤差dが生じている。次に、図10(a)に示すように、リフロ炉内などで半田121aが溶融され、その際、半田の表面張力により、集積化回路120の位置は、補正される。また、セルフアライメントを利用した位置決めの研究例が、精密工学学会誌Vol.66.No.2.2000の282ページから記載されている。ここでは、液体の表面張力を利用して、微小部品をアライメントする技術が紹介されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
前述の液晶表示装置の場合、半導体層あるいは導電膜層が0〜2層と比較的少ない領域と、2〜5層程度と比較的多い領域が、繰り返しパターンの中で混在し、すなわち、生産タクトおよび不良率の異なる領域を同一基板に同時、同一工程で形成することになり、基本的に非効率である。また、図10の場合において、TFT111上に、SiNx ,SiO2 ,TaOx (Ta:タンタル)などを用いてCVD法またはスパッタ法により絶縁膜109あるいは層間絶縁膜116を成膜した場合、成膜された絶縁膜109あるいは層間絶縁膜116はその下地膜の膜厚による凹凸を反映する。このような多層のTFTやソース配線とゲート配線のクロス部などの凹凸部では残留応力(大型基板ほど面内でバラツク)の影響などでクラックA、Bが入りやすかったり、残留応力その他の影響でエッチング液がしみこんで短絡や断線の不良が生じやすく、大型基板ほど残留応力や温度やエッチング液あるいは不純物の濃度分布等のバラツキが増す影響で不良率が低下したり、これらの要因の均一化のため、装置や条件をより厳密に制御する必要が増し、処理時間が増したり、特殊な装置改良を要したりする。一方、液晶表示装置などでは、全体の生産効率を向上するため部品の取れ数が多いように益々大きい基板寸法を採用する動きがあるが、例えば、量産開始時に思う程のスピードでラインが立ち上がらず、需給バランスのうねりの中、収益が十分確保されなかったり、ユーザーにタイムリーに商品が納入出来ない場合も多々ある。あるいは、同様の要因で信頼性が低下す場合もある。あるいは、基板サイズの大型化で製造装置が大型化して、組立てや搬送に(搬送手段や経路や時間が制限され)苦労する場合や、工場全体が大きくなり、用地確保が困難であったり、工場内のラインのクリーン度を均一に制御することが困難となる。また、装置各々の外形寸法のバラツキも増し、ライン設計が困難となる。また、前述の2件の表面張力を利用した部品実装の場合、今まで、端子や配線や絶縁膜程度の突起や溝部を除いては、ほぼ平坦な基板の表面に、部品が実装されていた。従って、これらの部品や機器では、高密度実装や薄型化や小型化や軽量化には限界があった。また、従来の実装構造で無理に部品を基板に埋込ませようとすると、部品の下面に接続する導電層と基板の表面の導電層との間を接続するためのコンタクトホール形成などプロセスが増し、接続の信頼性低下を招く場合があった。本発明の目的は、液晶表示装置以外も含む各種電子部品の製造方法および電子部品において、特に製造用の元基板の寸法が大きくなっている、液晶表示装置や半導体装置などの電子部品において、高信頼性で生産効率を向上し、装置の大型化を低減して上記の不具合を低減した電子部品の製造方法を提供することを目的とする。あるいは、表面張力を利用して各種部品が実装された電子部品あるいは電子機器において、大したプロセス増加や信頼性の低下を招く事無く、より高密度実装を行い、薄型化、小型化あるいは軽量化を達成する電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る電子部品の製造方法は、同一パターンの配線が多数個形成された第1基板と、上記第1基板上で上記各配線に接続され、少なくとも1層の第1の膜層により形成された端子を有する実装領域と、上記第1の膜層と異なる第2の膜層により形成された端子、および該端子に接続されたスイッチング素子を備え、上記実装領域に積層される微小部品とを有する電子部品の製造方法であって、上記微小部品は、上記第1基板と異なる第2基板上に複数形成された後、該第2基板を単数または少数毎に分割して微小に形成され、上記第1基板の実装領域には、上記微小部品を実装する溝部が形成され、上記第1基板の溝部に対し、水による表面張力によって上記微小部品をセルフアライメントして実装することを特徴とする。
【0009】
上記の方法によれば、従来は同一基板内に形成していた、多層領域と少層領域を別々に作る。これにより、TFTスイッチング部などの多層領域は、他の少層領域と別に製造でき、より高密度に配置して、小基板上で作れる。信頼性や品質も、歩留りも容易に向上し効率良く製造できる。また、その部分で装置も小型化が可能で、搬送装置や経路を小さく出来、クリーン度も工程内で均一化が容易であるので、ライン設計や装置の搬入が容易である。また、基板の溝部に微小部品が実装されるので、電子部品の薄型化、小型化あるいは軽量化を達成する。また、水による表面張力を利用したセルフアライメントにより、機械的精度などの影響を受けずに微小部品であっても、あるいは複数の微小部品であってもほぼ同時に効率良く位置合せが可能である。更に上層が平坦化される場合、その上に形成される配線の断線や多層配線の短絡不良を低減したり、液晶表示装置の場合は画素電極の寸法を最大限にして開口率を向上したり、配向処理の均一性を改善できる。
【0010】
また、溝部の底と微小部品の底面に間隙を設けて、セルフアライメント中の静電気力や異物や突起などがあっても摩擦力を低減し、微小部品をより高精度に位置決めすることができる。また、溝部の側面などを端子部配置に利用して、更に高密度に実装したり、あるいは他の配線や(画素)電極を広げたりすることもできる。
【0011】
上記第1基板に上記微小部品の幅と奥行き方向の外形寸法より僅かに大きい溝部を形成し、上記微小部品および上記第1基板の少なくとも一方に、水を供給し、上記微小部品を上記第1基板の溝部に粗い位置合せで仮位置に供給して、上記水の表面張力によるセルフアライメントによって、上記微小部品の上記第1基板に対する位置合せを行ってもよい。
【0012】
上記の方法によれば、アライメント用材料として液体状のものを使用するので、微小部品供給時に、瞬時に位置合せができ、アライメント用材料が不要な場合は、除去が容易である。
【0013】
上記微小部品の上記第1基板に対する位置合せの後、上記微小部品と上記第1基板との間に介在する上記水を取除いてもよい。
【0014】
上記の方法によれば、水を除去する事により、より正確に位置決めされ、例えば、TFT型液晶表示装置や集積回路のように、水分などで配線腐食や半導体素子の特性劣化や液晶などの品質低下などを招き易い場合でも、表示品位や他の機能低下を抑制して、信頼性を向上できる。
【0015】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態について以下に説明する。
(実施の形態1)本発明に係る本発明の実施の形態1について、TFT型の液晶表示装置を例に、以下の図面に基づいて詳細に説明する。図1は本発明の実施の形態に係る液晶表示装置におけるアクティブマトリクス側基板1の画素近傍の構成を示す平面図と断面図である。図1に示すように、第1基板としてのアクティブマトリクス側基板1には、複数の透明導電材料からなる画素電極2がマトリクス状に数万個以上設けられており(図では3個に略)、これらの画素電極2の周囲を通り、互いに交差するように、走査信号を供給するための各ゲート配線3と表示信号(データ信号)を供給するためのソース配線4が設けられている。また、これらのゲート配線4とソース配線3の絶縁クロス(交差部)分5の近傍において、画素電極1に接続されるスイッチング素子としてのTFT6(薄膜トランジスタ)が設けられている。
【0016】
このTFT6のゲート電極にはゲート配線3が接続され、ゲート電極に入力される信号によってTFT6が駆動制御される。また、TFT6のソース電極にはソース配線4が接続され、そのソース電極にデータ信号(表示信号)が入力される。さらに、TFT6のドレイン電極は、画素電極2と接続されている。更に例えば、第2基板としてのチップ7が、アクティブマトリクス側基板1に溝部に挿入されており、チップ7上には、図示しない複数個のチップ7を作る第1基板の製造中の元基板(通常、液晶表示装置基板が複数個取れ、数100mm角以上の面積のガラス基板)より一般的に小さい元基板(例えば、数インチ径のシリコン基板)の段階で、あらかじめTFT6よびゲート配線3aとソース配線4aとそのクロス部5を作りこんでおき、個々のチップ7に分離しておく。図2(a)〜(b)はチップ7近傍の実装構造および実装方法を示す断面図である。図2(a)は、チップ7の断面構造を示す、チップ7の側面には電気接続用の端子8が形成され、更に、端子8上は半田ボール(突起電極)9を形成しておく。次に図2(b)に示すように、第1基板1の溝部1aにチップ7を挿入する。ここでチップ7の下面7aが溝部1aの底面1bに接するか、あるいは僅かに(例えば設計上数μm)の間隙gを設けるように、半田ボール9の形成位置や寸法を設計して第1基板1の端子10に当接するようにしておく。これにより、多端子であっても確実に電気接続導通が得られ、かつ、特にチップ7が微小で静電気や他の分子間力などによりチップ7と第1基板が固着してセルフアライメントが妨げられることを低減して、次工程のセルフアライメントが容易に行われる。更に、図2R>2(c)に示すように、半田ボール9aを溶融し、紙面のX方向のセルフアライメントが溶融状態の半田ボール9aの表面張力で行われる。尚、チップ7が微小で軽い場合には浮きが生じる恐れがあり、浮きを抑える必要があれば、図2(c)に示すように、セルフアライメントが完了した後一旦冷却し、パルスヒート(一時加熱)型などの加圧ツール11で加圧、加熱、加熱解除、加圧解除の順に処理しても良い。その際、微小なずれが発生する場合もあるが、一例でも0〜5μm程度であり、問題はない。尚、アライメント用材料として半田の例を示したが、これに限るものでは無く、他の導電材料やあるいは絶縁材料であっても良い。ただし、導電材料の方が、端子間の接続を同時に処理でき効率的である。以上、液晶表示装置の例を示したが、本発明の適用はTFT型の液晶表示装置に限るものでは無く、例えば、プリント基板に抵抗やコンデンサや半導体集積回路等の部品を搭載する場合など、各種電子機器および部品に応用できる。
(実施の形態2)他の実施例を、図3に示す。本例は、実施の形態1と、ほぼ同様の構造であるが、基板12の溝部12aの側面12bに端子13を設け、半田14などを介して部品チップ15を接続する。このような構造では、チップ15全体を基板12に埋込む事ができ、より薄型化を図ったり、上面の層の平坦化が容易で、上部に形成する配線などの信頼性を高めたり、製品によっては品質などを向上できる。液晶表示装置の場合、輝度を向上したり、消費電力を低減したりできる。また、複数チップ間のピッチを小さくしたり、あるいは他の配線領域を広く取って、配線幅などを広く取る事もできる。
(実施の形態3)本発明の他の実施例を図4R>4(a)〜(c)に示す。図4(a)のように、基板16には溝部16aが形成され、溝の底部16bには半田や水などのアライメント用材料17がぬれ性良好な基板側ぬれ性部材18(水の場合ガラスなどで周辺が撥水材料または撥水処理がされている)の表面におさまり、ぬれ性良好な部材18と同様な材料からなる部品側ぬれ性部材19を備えた部品20をマウンターなどで供給する。尚、溝部の側面16cには傾斜を設けることにより、部品供給位置の誤差許容値を大きくできる。次に図4R>4(b)のように、部品20はセルフアライメントされており、アライメント材が半田などの場合、次の図4(c)に進める必要は無い。尚、部品20と基板16の平行度が必要な場合、図示しない突起状の部品受部または足部を、各々基板16側または部品20側に形成しても良い。更に、部品20の強固な固定を行うため、図示しない光硬化あるいは熱硬化などの接着材を基板16と部品20の間に介在すれば良く、スペーサ部材の表面に接着層を形成した構造の固定材などを用いて接続と平行度および配置高さ制御を兼ねても良い。また図4(c)のように、水などように、回路部などの信頼性低下など不具合を発生させる場合や平行度あるいは位置精度を向上させるため、アライメント用材料は除去する。水などの場合、蒸発させても良い、あるいは基板側ぬれ性部材18の中央などに図示しない穴部などを設け、真空や低圧で引き込んでも良い。尚、アライメント用材料が半田など場合、複数の端子を設け、端子の電気接続と平行度制御を兼ねても良い。また、アライメント用材料が水などの場合、平行度と配置高さの制御とを兼ねた電気接続端子としての半田や金属バンプなどを部品の下面に形成しても良いし、部品の上部を平坦化処理をして信号配線接続処理をしても良いし、ワイヤーボンド接続で端子接続を行っても良い。
(実施の形態4)更に本発明の他の実施例を図5(a)〜(d)に、および変形例の構造を図6に示す。図5(a)のように、基板21の表面はほぼ平坦なままで溝部形成などの加工はなされていない。更に半田などのアライメント用材料22がぬれ性良好な基板側ぬれ性部材23の表面におさまり、ぬれ性良好な部材23と同様な材料からなる部品側ぬれ性部材24を備えた部品25をマウンターなどで供給する。
【0017】
尚、部品25には突起電極26が形成されている。次に、図5(b)のように、部品25はセルフアライメントにより高精度に配置される。更に、図5(c)のように、部品25の全体を覆って平坦化膜27を形成する。そして、図5(d)のように、基板21の上面から平坦化膜27aを、突起電極26aが露出するまでエッチングする。以下上層の各種配線や電極や絶縁層を形成して部品が作られる。また、アライメント用材料が水などの場合蒸発させたり、図6の構造のように、基板側ぬれ性部材28の中央などにアライメント用材料の吸引用の穴部29を設けても良い。
(実施の形態5)更に本発明の他の実施例を図7(a)〜(c)に示す。本実施例では、溝部に落とし込む以前の位置合せにセルフアライメントを利用する例を示す。これにより溝の寸法をより小さくして、更に高密度の実装などが可能となる。まず図7(a)に示すように、あらかじめ部品30の側部両端などに端子31および半田32か場合によっては半田ペーストなどを形成供給し、基板33の溝部33aの側面にも端子34を形成しておき、部品30をマウンターなどでやや位置が粗くても高速で供給する。尚、必ずしも必要では無いが、溝の底部に部品固定補強用の接着材35を供給していても良い。また、アライメントの力を増すため半田32などを多く供給する場合、上面への半田の突出を抑えたり、微小ピッチ接続時の短絡不良を低減するため、半田の逃げ部として溝の底の隅部に更なる第2の溝36を形成しても良い。図7(b)に示されるように、部品30が基板33に置かれ時点では、部品30は溝部33aには収まっていない。次に、図示省略するが、一時または次工程と連続でリフロー炉で半田を溶融しセルフアライメントにより部品30を溝33の中央に高精度に位置合せして後、図7(c)に示すようにパルスヒートツール37などで、加熱・加圧して、半田32aを溶融し、接着剤がある場合は、接着材の硬化を促進し、部品30を確実に押込み、加熱解除してから、ツール37の加圧を解除する。
【0018】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の電子部品の製造方法によれば、部品実装の場合に凹部の部品を溝部に挿入しアライメントできるために、電子部品実装基板の薄型化と小型化、軽量化を図ることができる効果を奏する。また、部品の下面に接続する導電層と基板の表面の導電層との間を接続するためのコンタクトホール形成などプロセスが不要となり、接続の信頼性を向上させる効果を奏する。また、部品を最終の位置合せに先だって、溝部に挿入し一旦予備位置に配置する予備アライメントできるために、一時的な位置決め専用の材料を無くすることができる。そのために、材料費を削減できる他に、一時的な位置決め専用設備も不要となる。綜合的に電子部品のコスト低減を図る効果を奏する。液晶表示装置の例の様に、アクティブマトリクス基板にゲート配線とソース配線とそのクロス部を作りこんでおき、TFT型の液晶表示装置を個々TFTのチップを実装する実装構造においては、基板の溝部に部品が実装されるので、製品の薄型化、小型化あるいは軽量化を達成する。また、表面張力を利用したセルフアライメントにより、機械的精度などの影響を受けずに微小部品であっても、あるいは複数の部品であってもほぼ同時に効率良く位置合せが可能である。更に上層が平坦化される場合、その上に形成される配線の断線や多層配線の短絡不良を低減したり、液晶表示装置等の場合は画素電極の寸法を最大限にして開口率を向上したり、配向処理の均一性を改善できる効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1に示す液晶表示装置におけるアクティブマトリクス側基板1の画素近傍の構成を示す平面図と断面図である。
【図2】チップ7近傍の実装構造および実装方法を示す断面図である。図2(a)は、チップ7の断面構造である。
【図3】本発明の他の実施の形態を示す図である。
【図4】本発明の他の実施の形態示す図である。
【図5】本発明の他の実施の形態を示す図である。
【図6】本発明の他の実施の形態を示す図である。
【図7】本発明の他の実施の形態を示す図である。
【図8】アクティブマトリクス基板を備えた透過型の液晶表示装置の一般的な構成を示す回路図である。
【図9】従来の技術に関する液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板のTFT部分の断面図である。
【図10】簡単に工程説明をおこなうための高密度多端子集積回路の実装プロセスに関する概略図である。
【符号の説明】
1 アクティブマトリクス基板
2 画素電極
3 ゲート配線
4 ソース配線
5 ゲート配線とソース配線とのクロス部
6 TFT
7 チップ
8 電気接続用の端子
9 半田ボール(突起電極)
10 第1基板1の端子
11 加圧ツール
12、16、21、33、122 基板
12a、16a 基板の溝部
12b 基板の側面
13 端子
14、32、32a 半田
15 部品チップ
16b 基板溝の底部
16c 溝部の側面
17 アライメント用材料
18 基板側ぬれ性部材
19 部品側ぬれ性部材
20、25、30 部品
22 アライメント用材料
23、28 基板側ぬれ性部材
24 部品側ぬれ性部材
26、26a 突起電極
27、27a 平坦化膜
29 アライメント用材料の吸引用の穴部
31、34 端子
33a 基板の溝部
36 第2の溝
37 パルスヒートツール
101 アクティブマトリクス基板
102 画素電極
103、115 TFT
104 ゲート配線
105 ソース配線
106 付加容量
107 共通配線
108 ゲート電極
109 ゲート絶縁膜
110 半導体層
111 チャネル保護層
112a ソース電極
112b ドレイン電極
113a、113b 金属層
114 画素電極
116 層間絶縁膜
116a コンタクトホール
120 集積回路
121、121a 半田バンプ(突起電極をバンプと呼ぶ)
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention is used in a display such as a computer or a television receiver, for example, and is a transmissive or reflective liquid crystal display device provided with a switching element such as a thin film transistor (hereinafter referred to as “TFT”) as an address element. Includes a gate line, a source line, and a switching element provided in the vicinity of the intersection of the gate line and the source line, the switching element including a gate electrode connected to the gate line, and the source line A liquid crystal display device having a source electrode connected to the drain electrode and a drain electrode connected to a pixel electrode for applying a voltage to the liquid crystal layer, and a repetitive pattern such as a large number of wirings, switching elements, and sensor parts. A semiconductor device having a plurality of film patterns and a display device other than liquid crystal (for example, DMD) Active devices such as image sensors and passive devices, and various electronic components including substrates mounted with components such as resistors, capacitors, semiconductor devices and integrated circuit circuits for driving and controlling these active devices and passive devices The present invention relates to a method for manufacturing an electronic component.
[0002]
Here, the electronic component includes a small or portable electronic device as an integrated component such as a calculator, a digital camera, a handy scanner, a portable radio, an MD player, an electronic dictionary, and an electronic information terminal notebook.
[0003]
[Prior art]
A TFT type liquid crystal display device will be described as an example. FIG. 8 is a circuit diagram showing a general configuration of a transmissive liquid crystal display device including an active matrix substrate. As shown in FIG. 8, the active matrix substrate 101 has a plurality of pixel electrodes 102 formed in a matrix, such as tens of thousands to hundreds of thousands or more, and the pixel electrodes 102 are switching elements. The TFT 103 is connected and provided. A gate wiring 104 for supplying a scanning signal is connected to the gate electrode of the TFT 103, and the TFT 103 is driven and controlled by the gate signal input to the gate electrode. A source wiring 105 for supplying a display signal (data signal) is connected to the source electrode of the TFT 103, and a data (display) signal is input to the pixel electrode 102 via the TFT 103 when the TFT 103 is driven. The gate wirings 104 and the source wirings 105 are provided so as to pass through the periphery of the pixel electrodes 102 arranged in a matrix and to be orthogonal to each other with an insulating film interposed therebetween. Further, the drain electrode of the TFT 103 is connected to the pixel electrode 102 and the additional capacitor 106, and the counter electrode of the additional capacitor 106 is connected to the common wiring 107.
[0004]
FIG. 9 is a cross-sectional view of a TFT portion of an active matrix substrate in a conventional liquid crystal display device. As shown in FIG. 9, a gate electrode 108 connected to the gate wiring 104 of FIG. 101 is formed on a transparent insulating substrate 107, and a gate insulating film 109 is formed so as to cover it. Further thereon, a semiconductor layer 110 is formed so as to overlap with the gate electrode 108, and a channel protective layer 111 is formed on the central portion thereof. An n + Si layer that covers both ends of the channel protective layer 111 and a part of the semiconductor layer 110 and is divided on the channel protective layer 111 is formed as the source electrode 112a and the drain electrode 112b. A metal layer 113a is formed on the source electrode 112a, which is one n + Si layer, with the same film as the source wiring 105 in FIG. 101, and the drain electrode 112b is formed on the drain electrode 112b, which is the other n + Si layer. A metal layer 113b that connects the pixel electrode 114 and the TFT 115 serving as a switching element and its peripheral structure are formed. Further, an interlayer insulating film 116 is formed so as to cover the TFT 115, the gate wiring, and the source wiring.
[0005]
A transparent conductive film to be the pixel electrode 114 is formed on the interlayer insulating film 116, and this transparent conductive film is a metal connected to the drain electrode 112b of the TFT 111 through a contact hole 116a that penetrates the interlayer insulating film 116. It is connected to the layer 113b. As described above, since the interlayer insulating film 116 is formed between the gate wiring and the source wiring and the transparent conductive film 114 serving as the pixel electrode 1, the pixel electrode 1 is overlapped with the gate wiring and the source wiring. be able to. Such a structure is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 58-172585, thereby improving the aperture ratio of the liquid crystal display device and shielding the electric field caused by the gate wiring and the source wiring. Therefore, it is possible to suppress the disclination in which the alignment of the liquid crystal molecules is broken.
[0006]
As the insulating film 109 or the interlayer insulating film 116, an inorganic film such as silicon nitride (SiN) has been conventionally formed to a film thickness of about 300 to 500 nm by using a CVD method (plasma enhanced chemical vapor deposition). The reason why a film thickness larger than this is not formed is that deposition takes time and production efficiency deteriorates, and the substrate is warped due to residual stress, and defects such as cracks increase. Alternatively, only the interlayer insulating film 116 may form an organic film with a thickness of about 1 to 5 μm. Alternatively, there may be a case where the aperture ratio is lowered but the interlayer insulation 116 is not formed. In addition, various portable electronic devices such as calculators, digital cameras, handy scanners, portable radios, MD players, electronic dictionaries, electronic information terminal notebooks, etc., are becoming lighter, thinner, and smaller like the above-mentioned liquid crystal display devices. Various private companies and universities are competing for the development of packaging technology including high-efficiency manufacturing methods. For example, chip parts such as resistors, capacitors, semiconductor elements, and integrated circuit circuits are supplied to the board at high speed on the board with a surface mounter at a high speed on the board, and multiple parts are collectively aligned by soldering as a connection material. However, the mounting technology has already been developed, mass-produced, and put into practical use. However, further developments such as mounting speedup and connection technology for irregularly shaped parts and micro-pitch multi-terminal parts are underway. The process for mounting the integrated circuit 120 having a high-density multi-terminal is schematically shown using FIGS. First, as shown in FIG. 10A, an integrated circuit 120 on which solder bumps (projection electrodes are referred to as bumps) 121 is supplied onto a substrate 122 by a mounter. At this time, a variation error d occurs in the mounting position due to the machine accuracy of the mounter. Next, as shown in FIG. 10A, the solder 121a is melted in a reflow furnace or the like, and the position of the integrated circuit 120 is corrected by the surface tension of the solder. A research example of positioning using self-alignment is published in the Journal of Precision Engineering, Vol. 66. No. 2. Starting from page 282 of 2000. Here, a technique for aligning micro parts using the surface tension of a liquid is introduced.
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
In the case of the above-described liquid crystal display device, a relatively small area of 0 to 2 semiconductor layers or conductive film layers and a relatively large area of about 2 to 5 layers are mixed in a repetitive pattern. In addition, regions having different defect rates are formed simultaneously on the same substrate in the same process, which is basically inefficient. In the case of FIG. 10, when the insulating film 109 or the interlayer insulating film 116 is formed on the TFT 111 by CVD or sputtering using SiNx, SiO2, TaOx (Ta: tantalum) or the like, the film is formed. The insulating film 109 or the interlayer insulating film 116 reflects unevenness due to the thickness of the base film. Cracks A and B are more likely to enter due to the effects of residual stress (larger substrates have more in-plane variations), such as multi-layer TFTs and uneven portions such as cross sections of source wiring and gate wiring. Etching liquid permeates and short-circuiting and disconnection defects are likely to occur, and the larger the substrate, the lower the defect rate due to increased variations in residual stress, temperature, etching liquid or impurity concentration distribution, etc. For this reason, it becomes necessary to strictly control the apparatus and conditions, and the processing time is increased, and a special apparatus improvement is required. On the other hand, liquid crystal display devices, etc. are moving to adopt larger and larger board dimensions so as to increase the number of parts to improve overall production efficiency, but for example, the line does not rise at the speed as expected at the start of mass production. However, there are many cases where profits are not sufficiently secured or goods cannot be delivered to users in a timely manner due to the balance of supply and demand. Or reliability may fall by the same factor. Or, if the manufacturing equipment becomes larger due to the larger substrate size and it is difficult to assemble and transport (the transportation means, route and time are limited), the whole factory becomes large, and it is difficult to secure the site, It becomes difficult to uniformly control the cleanliness of the inner line. In addition, the variation in the external dimensions of each device increases, making line design difficult. In addition, in the case of component mounting using the above-mentioned two surface tensions, until now, components have been mounted on the surface of a substantially flat board except for protrusions and grooves on the order of terminals, wiring, and insulating films. . Therefore, these parts and devices have limitations in high-density mounting, thinning, miniaturization, and weight reduction. Also, if the component is forcibly embedded in the substrate with the conventional mounting structure, the number of processes such as contact hole formation for connecting between the conductive layer connected to the lower surface of the component and the conductive layer on the surface of the substrate will increase. In some cases, the reliability of the connection is reduced. The object of the present invention is to produce various electronic components including those other than liquid crystal display devices and electronic components, particularly in electronic components such as liquid crystal display devices and semiconductor devices in which the dimensions of the original substrate for production are large. How to manufacture electronic components that improve production efficiency with reliability, reduce the size of the equipment, and reduce the above problems The law The purpose is to provide. Or, in electronic components or electronic devices that have various components mounted using surface tension, they can be mounted at a higher density without causing a significant increase in process or reliability, resulting in thinner, smaller, or lighter weights. Of electronic parts to achieve The law The purpose is to provide.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
The method of manufacturing an electronic component according to the present invention is as follows: ,same A first substrate on which a plurality of wirings of one pattern are formed; a mounting region connected to each of the wirings on the first substrate and having terminals formed by at least one first film layer; A method of manufacturing an electronic component, comprising: a terminal formed by a second film layer different from the first film layer; and a switching device connected to the terminal, and a microcomponent stacked in the mounting region, A plurality of the micro components are formed on a second substrate different from the first substrate, and then the second substrate is divided into a single unit or a small number, and is formed into micro units. In the mounting area of the first substrate, A groove portion for mounting the microcomponent is formed, and the microcomponent is self-aligned and mounted on the groove portion of the first substrate by surface tension with water.
[0009]
According to the above method, the multi-layer region and the small-layer region, which have been conventionally formed in the same substrate, are made separately. Thereby, a multilayer region such as a TFT switching part can be manufactured separately from other small layer regions, and can be arranged on a small substrate with higher density. Reliability, quality, and yield can be improved easily and can be manufactured efficiently. Further, the apparatus can be miniaturized at that portion, the conveying device and the path can be made small, and the cleanliness can be easily uniformed in the process, so that the line design and the apparatus can be carried in easily. In addition, since the micro component is mounted in the groove portion of the substrate, the electronic component can be reduced in thickness, size, or weight. In addition, self-alignment utilizing the surface tension of water enables efficient positioning almost simultaneously even if it is a minute part or a plurality of minute parts without being affected by mechanical accuracy. Further, when the upper layer is flattened, the disconnection of the wiring formed on the upper layer and the short circuit failure of the multilayer wiring are reduced, or in the case of a liquid crystal display device, the size of the pixel electrode is maximized to improve the aperture ratio. , The uniformity of the alignment treatment can be improved.
[0010]
Further, by providing a gap between the bottom of the groove and the bottom surface of the micro component, the frictional force can be reduced even if there is an electrostatic force or foreign matter or protrusion during self-alignment, and the micro component can be positioned with higher accuracy. Further, by using the side surface of the groove portion or the like for the terminal portion arrangement, it can be mounted at a higher density, or another wiring or (pixel) electrode can be expanded.
[0011]
Grooves slightly larger than the external dimensions in the width and depth direction of the microcomponent are formed on the first substrate, water is supplied to at least one of the microcomponent and the first substrate, and the microcomponent is attached to the first substrate. The micro parts may be aligned with the first substrate by self-alignment with the surface tension of water supplied to the temporary position by rough alignment in the groove of the substrate.
[0012]
According to the above method, since a liquid material is used as the alignment material, the alignment can be performed instantaneously when supplying the microparts, and if the alignment material is unnecessary, the removal is easy.
[0013]
After the alignment of the microcomponent with respect to the first substrate, the water interposed between the microcomponent and the first substrate may be removed.
[0014]
According to the above method, positioning is performed more accurately by removing water. For example, as in a TFT type liquid crystal display device or an integrated circuit, wiring corrosion due to moisture or the like, deterioration of characteristics of semiconductor elements, quality of liquid crystal, etc. Even in the case where the deterioration is likely to occur, the display quality and other functional deterioration can be suppressed to improve the reliability.
[0015]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below.
(Embodiment 1) Embodiment 1 of the present invention will be described in detail with reference to the following drawings, taking a TFT type liquid crystal display device as an example. FIG. 1 is a plan view and a cross-sectional view showing a configuration in the vicinity of a pixel of an active matrix substrate 1 in a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, an active matrix side substrate 1 as a first substrate is provided with tens of thousands or more of pixel electrodes 2 made of a transparent conductive material in a matrix (in the figure, abbreviated as three). Each gate wiring 3 for supplying a scanning signal and a source wiring 4 for supplying a display signal (data signal) are provided so as to pass around the pixel electrodes 2 and cross each other. Further, a TFT 6 (thin film transistor) as a switching element connected to the pixel electrode 1 is provided in the vicinity of an insulating cross (intersection) 5 between the gate wiring 4 and the source wiring 3.
[0016]
A gate wiring 3 is connected to the gate electrode of the TFT 6, and the TFT 6 is driven and controlled by a signal input to the gate electrode. A source wiring 4 is connected to the source electrode of the TFT 6, and a data signal (display signal) is input to the source electrode. Further, the drain electrode of the TFT 6 is connected to the pixel electrode 2. Further, for example, a chip 7 as a second substrate is inserted into the groove portion of the active matrix side substrate 1, and on the chip 7, an original substrate (manufacturing a first substrate for producing a plurality of chips 7 not shown) Usually, a plurality of liquid crystal display device substrates can be taken and a glass substrate having an area of several 100 mm square or more is generally smaller than the original substrate (for example, a silicon substrate having a diameter of several inches), and the TFT 6 and the gate wiring 3a and the source in advance. The wiring 4a and its cross part 5 are formed and separated into individual chips 7. 2A and 2B are cross-sectional views showing a mounting structure and a mounting method in the vicinity of the chip 7. FIG. 2A shows a cross-sectional structure of the chip 7. Terminals 8 for electrical connection are formed on the side surfaces of the chip 7, and solder balls (projection electrodes) 9 are further formed on the terminals 8. Next, as shown in FIG. 2B, the chip 7 is inserted into the groove 1 a of the first substrate 1. Here, the position and dimensions of the solder balls 9 are designed so that the lower surface 7a of the chip 7 is in contact with the bottom surface 1b of the groove 1a or a slight gap (for example, several μm in design) is provided, and the first substrate is designed. 1 so as to abut on the terminal 10. As a result, even if there are multiple terminals, electrical connection conduction is ensured, and especially the chip 7 is very small, and the chip 7 and the first substrate are fixed due to static electricity or other intermolecular forces, thereby preventing self-alignment. In this way, self-alignment of the next process is easily performed. Further, as shown in FIG. 2R> 2 (c), the solder ball 9a is melted, and the self-alignment in the X direction on the paper surface is performed by the surface tension of the molten solder ball 9a. If the chip 7 is very small and light, there is a possibility that the float may occur. If it is necessary to suppress the float, as shown in FIG. You may process in order of pressurization, heating, heating cancellation | release, and pressurization cancellation | release with the pressurizing tools 11, such as a heating. At that time, a slight deviation may occur, but it is about 0 to 5 μm in one example, and there is no problem. In addition, although the example of solder was shown as an alignment material, it is not restricted to this, Another conductive material or an insulating material may be sufficient. However, the conductive material is more efficient because it can simultaneously handle the connection between the terminals. As described above, the example of the liquid crystal display device has been shown, but the application of the present invention is not limited to the TFT type liquid crystal display device. For example, when a component such as a resistor, a capacitor, or a semiconductor integrated circuit is mounted on a printed board, Applicable to various electronic devices and parts.
(Embodiment 2) Another embodiment is shown in FIG. This example has substantially the same structure as that of the first embodiment, but the terminal 13 is provided on the side surface 12b of the groove 12a of the substrate 12, and the component chip 15 is connected via the solder 14 or the like. With such a structure, the entire chip 15 can be embedded in the substrate 12, making it thinner, making it easy to flatten the top layer, improving the reliability of the wiring formed on the top, Depending on the quality, quality can be improved. In the case of a liquid crystal display device, luminance can be improved and power consumption can be reduced. In addition, the pitch between a plurality of chips can be reduced, or other wiring areas can be widened to increase the wiring width.
(Embodiment 3) FIG. 4R> 4 (a) to (c) shows another embodiment of the present invention. As shown in FIG. 4A, a groove 16a is formed on the substrate 16, and a substrate-side wettability member 18 (glass in the case of water) is provided with an alignment material 17 such as solder or water at the bottom 16b of the groove. The component 20 having the component-side wettability member 19 made of the same material as the member 18 having good wettability is supplied by a mounter or the like. . In addition, by providing an inclination on the side surface 16c of the groove portion, it is possible to increase the allowable error value of the component supply position. Next, as shown in FIG. 4R> 4 (b), the component 20 is self-aligned, and when the alignment material is solder or the like, there is no need to proceed to the next FIG. 4 (c). When parallelism between the component 20 and the substrate 16 is required, a projection-shaped component receiving portion or a foot portion (not shown) may be formed on the substrate 16 side or the component 20 side, respectively. Further, in order to firmly fix the component 20, an adhesive such as photocuring or thermosetting (not shown) may be interposed between the substrate 16 and the component 20, and fixing the structure in which an adhesive layer is formed on the surface of the spacer member. A material and the like may be used for connection, parallelism, and arrangement height control. In addition, as shown in FIG. 4C, the alignment material is removed in order to improve the parallelism or the positional accuracy in the case of causing a problem such as a decrease in reliability of the circuit unit such as water. In the case of water or the like, it may be evaporated, or a hole or the like (not shown) may be provided in the center of the substrate-side wettability member 18 and drawn in under vacuum or low pressure. When the alignment material is solder or the like, a plurality of terminals may be provided to serve both as electrical connection of terminals and parallelism control. When the alignment material is water or the like, solder or metal bumps may be formed on the lower surface of the component as electrical connection terminals that serve to control the parallelism and the arrangement height, and the upper portion of the component may be flat. The signal wiring connection processing may be performed by performing the conversion processing, or the terminal connection may be performed by wire bond connection.
(Embodiment 4) Another embodiment of the present invention is shown in FIGS. 5 (a) to 5 (d), and the structure of a modification is shown in FIG. As shown in FIG. 5A, the surface of the substrate 21 remains substantially flat, and no processing such as groove formation is performed. Further, the alignment material 22 such as solder is contained on the surface of the substrate-side wettability member 23 with good wettability, and the component 25 having the component-side wettability member 24 made of the same material as the member 23 with good wettability is mounted on the mounter or the like. Supply with.
[0017]
A protruding electrode 26 is formed on the component 25. Next, as shown in FIG. 5B, the component 25 is arranged with high accuracy by self-alignment. Further, as shown in FIG. 5C, a planarizing film 27 is formed so as to cover the entire component 25. Then, as shown in FIG. 5D, the planarizing film 27a is etched from the upper surface of the substrate 21 until the protruding electrode 26a is exposed. The parts are made by forming various wirings, electrodes and insulating layers in the upper layer. Further, if the alignment material is water or the like, it may be evaporated, or a hole 29 for suction of the alignment material may be provided at the center of the substrate-side wettability member 28 as in the structure of FIG.
(Embodiment 5) Still another embodiment of the present invention is shown in FIGS. In the present embodiment, an example is shown in which self-alignment is used for alignment before dropping into the groove. As a result, the size of the groove can be further reduced, and higher-density mounting or the like can be achieved. First, as shown in FIG. 7A, the terminal 31 and solder 32 are formed and supplied to both ends of the side of the component 30 in advance, and solder paste or the like is supplied in some cases, and the terminal 34 is also formed on the side surface of the groove 33a of the substrate 33. In addition, the component 30 is supplied at high speed even if the position is slightly rough with a mounter or the like. Although not necessarily required, an adhesive 35 for reinforcing and fixing components may be supplied to the bottom of the groove. Also, when supplying a large amount of solder 32 or the like to increase the alignment force, the bottom corner of the groove is used as a solder escape portion in order to suppress the protrusion of the solder to the upper surface or to reduce short-circuit failure at the time of a minute pitch connection. Further, a second groove 36 may be formed. As shown in FIG. 7B, when the component 30 is placed on the substrate 33, the component 30 does not fit in the groove 33a. Next, although not shown in the drawing, the solder is melted in a reflow furnace temporarily or continuously with the next process, and the component 30 is aligned with the center of the groove 33 with high accuracy by self-alignment, and then as shown in FIG. In the case where the solder 32a is melted and heated with a pulse heat tool 37 or the like, and the adhesive is present, the curing of the adhesive is promoted, the component 30 is pushed in securely, the heating is released, and then the tool 37 Release the pressure.
[0018]
【The invention's effect】
As explained above, the present invention Power of According to the child component manufacturing method, the component in the concave portion can be inserted and aligned in the groove portion in the case of component mounting, so that the electronic component mounting board can be reduced in thickness, size, and weight. In addition, a process such as contact hole formation for connecting between the conductive layer connected to the lower surface of the component and the conductive layer on the surface of the substrate becomes unnecessary, and the effect of improving the connection reliability is achieved. In addition, since preliminary alignment can be performed in which the parts are inserted into the grooves and temporarily placed at the preliminary positions prior to the final alignment, it is possible to eliminate the temporary positioning-dedicated material. Therefore, in addition to reducing material costs, temporary positioning equipment is not required. The overall effect is to reduce the cost of electronic components. As in the case of liquid crystal display devices, in a mounting structure in which gate wiring, source wiring, and cross portions thereof are formed in an active matrix substrate, and a TFT type liquid crystal display device is mounted with individual TFT chips, the groove portion of the substrate Since the parts are mounted on the product, the product can be made thinner, smaller or lighter. In addition, self-alignment using surface tension enables efficient positioning almost simultaneously even for a minute part or a plurality of parts without being affected by mechanical accuracy. Further, when the upper layer is flattened, the disconnection of the wiring formed on the upper layer and the short circuit failure of the multilayer wiring are reduced, and in the case of a liquid crystal display device or the like, the size of the pixel electrode is maximized to improve the aperture ratio. Or the uniformity of the alignment treatment can be improved.
[Brief description of the drawings]
FIGS. 1A and 1B are a plan view and a cross-sectional view illustrating a configuration in the vicinity of a pixel of an active matrix substrate 1 in a liquid crystal display device according to Embodiment 1 of the present invention. FIGS.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a mounting structure and a mounting method in the vicinity of a chip 7; FIG. 2A shows a cross-sectional structure of the chip 7.
FIG. 3 is a diagram showing another embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a diagram showing another embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a diagram showing another embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a diagram showing another embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a diagram showing another embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a circuit diagram illustrating a general configuration of a transmissive liquid crystal display device including an active matrix substrate.
FIG. 9 is a cross-sectional view of a TFT portion of an active matrix substrate in a conventional liquid crystal display device.
FIG. 10 is a schematic view relating to a mounting process of a high-density multi-terminal integrated circuit for simply explaining the steps.
[Explanation of symbols]
1 Active matrix substrate
2 Pixel electrode
3 Gate wiring
4 Source wiring
5 Crossing between gate wiring and source wiring
6 TFT
7 chips
8 Electrical connection terminals
9 Solder balls (projection electrodes)
10 Terminal of the first substrate 1
11 Pressurizing tool
12, 16, 21, 33, 122 substrate
12a, 16a substrate groove
12b Side of substrate
13 terminals
14, 32, 32a Solder
15 Component chips
16b Bottom of substrate groove
16c Side surface of groove
17 Alignment material
18 Substrate-side wettability member
19 Parts side wettability
20, 25, 30 parts
22 Alignment materials
23, 28 Substrate-side wettability member
24 Parts-side wettability
26, 26a Projection electrode
27, 27a Planarizing film
29 Hole for alignment material suction
31, 34 terminals
33a substrate groove
36 Second groove
37 Pulse Heat Tool
101 Active matrix substrate
102 Pixel electrode
103, 115 TFT
104 Gate wiring
105 Source wiring
106 Additional capacity
107 Common wiring
108 Gate electrode
109 Gate insulation film
110 Semiconductor layer
111 channel protective layer
112a Source electrode
112b Drain electrode
113a, 113b Metal layer
114 pixel electrode
116 Interlayer insulation film
116a contact hole
120 integrated circuit
121, 121a Solder bumps (projection electrodes are called bumps)

Claims (3)

同一パターンの配線が多数個形成された第1基板と、
上記第1基板上で上記各配線に接続され、少なくとも1層の第1の膜層により形成された端子を有する実装領域と、
上記第1の膜層と異なる第2の膜層により形成された端子、および該端子に接続されたスイッチング素子を備え、上記実装領域に積層される微小部品とを有する電子部品の製造方法であって、
上記微小部品は、上記第1基板と異なる第2基板上に複数形成された後、該第2基板を単数または少数毎に分割して微小に形成され、
上記第1基板の実装領域には、上記微小部品を実装する溝部が形成され、
上記第1基板の溝部に対し、水による表面張力によって上記微小部品をセルフアライメントして実装することを特徴とする電子部品の製造方法。
A first substrate on which a number of wirings of the same pattern are formed;
A mounting region having a terminal connected to each of the wirings on the first substrate and formed by at least one first film layer;
A method for manufacturing an electronic component, comprising: a terminal formed of a second film layer different from the first film layer; and a switching device connected to the terminal, and a micro component stacked in the mounting region. And
A plurality of the micro components are formed on a second substrate different from the first substrate, and then the micro components are formed by dividing the second substrate into single or small numbers,
In the mounting area of the first substrate, a groove for mounting the micro component is formed,
A method of manufacturing an electronic component, wherein the micro component is self-aligned and mounted on the groove portion of the first substrate by surface tension caused by water.
上記第1基板に上記微小部品の幅と奥行き方向の外形寸法より僅かに大きい溝部を形成し、
上記微小部品および上記第1基板の少なくとも一方に、水を供給し、
上記微小部品を上記第1基板の溝部に粗い位置合せで仮位置に供給して、上記水の表面張力によるセルフアライメントによって、上記微小部品の上記第1基板に対する位置合せを行うことを特徴とする請求項に記載の電子部品の製造方法。
Forming a groove slightly larger than the width and depth of the micro component on the first substrate;
Supplying water to at least one of the micro component and the first substrate;
The micro component is supplied to a temporary position by rough alignment in the groove portion of the first substrate, and the micro component is aligned with respect to the first substrate by self-alignment by the surface tension of water. The manufacturing method of the electronic component of Claim 1 .
上記微小部品の上記第1基板に対する位置合せの後、上記微小部品と上記第1基板との間に介在する上記水を取除くことを特徴とする請求項に記載の電子部品の製造方法。 3. The method of manufacturing an electronic component according to claim 2 , wherein after the alignment of the micro component with respect to the first substrate, the water interposed between the micro component and the first substrate is removed.
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