JP3916592B2 - 光再構成型ゲートアレイの光照射位置補正装置 - Google Patents

Description

本発明は、光再構成型ゲートアレイの光照射位置補正装置及びその方法に関し、特に、複屈折光学結晶と空間光変調素子を用いて簡便に光照射位置を補正することが可能な光再構成型ゲートアレイの光照射位置補正装置及びその方法に関する。

光再構成型ゲートアレイでは回路の記憶手段として光情報記憶媒質（ホログラムや光マスク）が用いられている。
光再構成型ゲートアレイは、光によって高速で構成（プログラム）、再構成（再プログラム）が可能なデバイスであり、従来シリアルに行われていた再構成回路を受光素子に置き換えることによって、光により並列的な構成・再構成を可能としたデバイスである。
従来の光再構成型ゲートアレイでは、ホログラムが高い位置精度でＬＳＩ部と固定されており、容易にホログラムを交換することは難しく、この点が実用化を困難にしていた。

従来のFPGA（Field Programmable Gate Array）やPLD(Programmable Logic Device)の様なプログラマブル・デバイスのように、目的に応じて簡単に回路を変更できるようにするためには、ホログラムのような光情報記憶媒質を人の手によって交換できるようにすることが必要となる。
従来の技術では、マイクロメータを備えた位置決め用のステージにLSI部を固定し、このステージを手動によって位置合わせを行うことで、ホログラムとLSI間の位置ずれを補正していた。

しかし、この方法ではシステム全体が非常に大きくなり、かつ重くなるという欠点があるため実用的ではない。またホログラムを交換した後の調整に多大な時間が必要になるという欠点もある。従って、この方法では、現在市販されているFPGAやPLDの様なプログラマブル・デバイスとの代替は困難である。
光の干渉によってパターンを生成しているホログラムは、本質的に高い位置決め精度が要求されるものであり、光再構成型ゲートアレイのディテクタのサイズは現状のLSI技術レベルでも数μｍから数十μｍと非常に小さいことから、ホログラム部とLSI部の位置決めには高い精度が要求される。そのため、人の手によって光情報記憶媒質を交換することは困難であるといえる。

本発明は、このような問題点を解決するためになされたもので、光の方向を補正して、自動的に位置決め精度の補正を行うことが可能な光再構成型ゲートアレイの光照射位置補正方法及びその装置を提供することを目的とする。

以上の課題を解決するために、本発明は、光情報記憶媒質であるホログラムと、フォトダイオードアレイが形成されたＬＳＩ部との間に設けられた光再構成型ゲートアレイの光照射位置補正装置であって、Ｘ座標補正光回路、Ｙ座標補正光回路、及び回転方向補正光回路を備え、前記Ｘ座標補正光回路、前記Ｙ座標補正光回路、前記回転方向補正光回路はいずれも、複屈折光学結晶と空間光変調素子とを交互に積層してなることを特徴とする光再構成型ゲートアレイの光照射位置補正装置である。
複屈折光学結晶においては、偏光方向が常光方向であれば光は直進する一方で、これに対して垂直な方向にある異常光方向であれば、その進行方向がずれ、複屈折光学結晶の厚みに比例して光はシフトする。従って、複屈折光学結晶の各層間に挿入された空間光変調素子によって、偏光方向を制御することで光のシフト量を制御することができ、ＬＳＩ部のＸ軸方向、Ｙ軸方向、及び回転方向について補正を行うことが可能となる。

前記Ｘ座標補正光回路は、前記ＬＳＩ部のＸ軸方向を前記複屈折光学結晶において異常光の進行方向がずれを発生する方向とし、かつ前記複屈折光学結晶の各層の厚みを異ならせたことを特徴とする。
このように、ＬＳＩ部のＸ軸方向を複屈折光学結晶において異常光の進行方向がずれを発生する方向とすることにより、複屈折光学結晶の各層の厚みに応じてＸ軸方向に光をシフトさせることができ、ＬＳＩ部に入射する光を、Ｘ軸方向に任意にシフトさせて、Ｘ座標補正光回路として機能させることができる。

前記Ｙ座標補正光回路は、前記ＬＳＩ部のＹ軸方向を前記複屈折光学結晶において異常光の進行方向がずれを発生する方向とし、かつ前記複屈折光学結晶の各層の厚みを異ならせたことを特徴とする。
このように、ＬＳＩ部のＹ軸方向を複屈折光学結晶において異常光の進行方向がずれを発生する方向とすることにより、複屈折光学結晶の各層の厚みに応じてＹ軸方向の光をシフトさせることができ、ＬＳＩ部に入射する光を、Ｙ軸方向に任意にシフトさせて、Ｙ座標補正光回路として機能させることができる。

前記複屈折光学結晶の各層の厚みは２のべき乗で順次変化するように、前記複屈折光学結晶が形成されていることを特徴とする。
これにより、少ない積層数で複屈折光学結晶を積層しても、光シフト量を任意に選択することができる。

前記回転方向補正光回路は、前記ＬＳＩ部のＹ軸方向を前記複屈折光学結晶において異常光の進行方向がずれを発生する方向とし、前記Ｙ軸方向について原点から遠ざかるに従って前記複屈折光学結晶の厚みを増加させ、かつ前記複屈折光学結晶の各層の厚み増加の傾斜角度を異ならせた第１の回転方向補正光回路と、前記ＬＳＩ部のＸ軸方向を前記複屈折光学結晶において異常光の進行方向がずれを発生する方向とし、前記Ｘ軸方向について原点から遠ざかるに従って前記複屈折光学結晶の厚みを増加させ、かつ前記複屈折光学結晶の各層の厚み増加の傾斜角度を異ならせた第２の回転方向補正光回路と、からなることを特徴とする。
このように、ＬＳＩ部のＸ軸方向またはＹ軸方向について、原点から遠ざかるに従って複屈折光学結晶の厚みを増加させることにより、複屈折光学結晶の各層の厚みに応じて回転補正することができ、ＬＳＩ部に入射する光を、回転方向に任意にシフトさせて、回転補正光回路として機能させることができる。

前記複屈折光学結晶の各層の厚みは、厚み増加の傾斜角度が２のべき乗で順次変化するように、前記複屈折光学結晶が形成されていることを特徴とする。
これにより、少ない積層数で複屈折光学結晶を積層しても、回転補正量を任意に選択することができる。

本発明の光再構成型ゲートアレイの光照射位置補正装置においては、前記ＬＳＩ部に照射される光ビームの位置ずれ情報が前記空間光変調素子に送出され、この位置ずれ情報に応じて、前記空間光変調素子が入射光の偏光方向を切替えて光補正量を制御することを特徴とする。
ＬＳＩ部に照射される光ビームの位置ずれ情報に基づいて、空間光変調素子に対する電圧の印加を制御し、複屈折光学結晶に入射する光の偏光方向を切替えて光シフトを発生させるため、光シフト量が必要な光補正量として十分であるか否かを容易に判断することができる。

また本発明は、光情報記憶媒質であるホログラムと、フォトダイオードアレイが形成されたＬＳＩ部との間に設けられ、複屈折光学結晶と空間光変調素子とを交互に積層してなるＸ座標補正光回路、Ｙ座標補正光回路、及び回転方向補正光回路に対し、前記ＬＳＩ部に照射される光ビームの位置ずれ情報に基づいて前記空間光変調素子が入射光の偏光方向を切替えて、前記ＬＳＩ部に照射される光をＸ軸方向、Ｙ軸方向、回転方向について補正することを特徴とする光再構成型ゲートアレイの光照射位置補正方法である。
この方法によると、複屈折光学結晶の各層間に挿入された空間光変調素子によって、偏光方向を制御することで光のシフト量を制御することができ、ＬＳＩ部のＸ軸方向、Ｙ軸方向、及び回転方向について、小さなスペースで精度良く、自動的に位置決め精度の補正を行うことが可能となる。

以上説明したように、本発明によると、以下の効果を奏することができる。
（１）Ｘ座標補正光回路、Ｙ座標補正光回路、回転方向補正光回路がいずれも、複屈折光学結晶と空間光変調素子とを交互に積層して形成されていることにより、複屈折光学結晶の各層間に挿入された空間光変調素子によって、偏光方向を制御することで光のシフト量を制御することができ、ＬＳＩ部のＸ軸方向、Ｙ軸方向、及び回転方向について補正を行うことが可能となる。

（２）Ｘ座標補正光回路は、ＬＳＩ部のＸ軸方向を前記複屈折光学結晶において異常光の進行方向がずれを発生する方向とし、かつ前記複屈折光学結晶の各層の厚みを異ならせたことにより、複屈折光学結晶の各層の厚みに応じてＸ軸方向に光をシフトさせることができ、ＬＳＩ部に入射する光を、Ｘ軸方向に任意にシフトさせることができる。

（３）Ｙ座標補正光回路は、ＬＳＩ部のＹ軸方向を前記複屈折光学結晶において異常光の進行方向がずれを発生する方向とし、かつ前記複屈折光学結晶の各層の厚みを異ならせたことにより、複屈折光学結晶の各層の厚みに応じてＹ軸方向に光をシフトさせることができ、ＬＳＩ部に入射する光を、Ｙ軸方向に任意にシフトさせることができる。

（４）Ｘ座標補正光回路とＹ座標補正光回路における複屈折光学結晶の各層の厚みは、２のべき乗で順次変化するように、複屈折光学結晶が形成されていることにより、少ない積層数で複屈折光学結晶を積層しても、光シフト量を任意に選択することができる。

（５）回転方向補正光回路は、ＬＳＩ部のＹ軸方向を前記複屈折光学結晶において異常光の進行方向がずれを発生する方向とし、Ｙ軸方向について原点から遠ざかるに従って前記複屈折光学結晶の厚みを増加させ、かつ複屈折光学結晶の各層の厚み増加の傾斜角度を異ならせた第１の回転方向補正光回路と、ＬＳＩ部のＸ軸方向を前記複屈折光学結晶において異常光の進行方向がずれを発生する方向とし、Ｘ軸方向について原点から遠ざかるに従って複屈折光学結晶の厚みを増加させ、かつ複屈折光学結晶の各層の厚み増加の傾斜角度を異ならせた第２の回転方向補正光回路と、からなることにより、複屈折光学結晶の各層の厚みに応じて回転補正することができ、ＬＳＩ部に入射する光を、回転方向に任意にシフトさせることができる。

（６）回転方向補正光回路における複屈折光学結晶の各層の厚みは、厚み増加の傾斜角度が２のべき乗で順次変化するように、複屈折光学結晶が形成されていることにより、少ない積層数で複屈折光学結晶を積層しても、回転補正量を任意に選択することができる。

（７）複屈折光学結晶と空間光変調素子とを交互に積層してなるＸ座標補正光回路、Ｙ座標補正光回路、及び回転方向補正光回路に対し、ＬＳＩ部に照射される光ビームの位置ずれ情報に基づいて空間光変調素子が入射光の偏光方向を切替えて、ＬＳＩ部に照射される光をＸ軸方向、Ｙ軸方向、回転方向について補正することにより、複屈折光学結晶の各層間に挿入された空間光変調素子によって、偏光方向を制御することで光のシフト量を制御することができ、ＬＳＩ部のＸ軸方向、Ｙ軸方向、及び回転方向について、小さなスペースで精度良く、自動的に位置決め精度の補正を行うことが可能となる。

以下、本発明をその実施の形態に基づいて説明する。
図１に本発明の実施の形態に係る光再構成型ゲートアレイの光照射位置補正装置の構成を示す。
図１（ａ）において、光情報記憶媒質であるホログラム１とＬＳＩ部２との間に、Ｘ座標補正光回路３、Ｙ座標補正光回路４、第１の回転方向補正光回路５、第２の回転方向補正光回路６が配置されている。ＬＳＩ部２には図１（ｂ）に示すように、受光部であるフォトダイオードが２次元的に配列されたフォトダイオードアレイ７が形成されている。

Ｘ座標補正光回路３、Ｙ座標補正光回路４、第１の回転方向補正光回路５、第２の回転方向補正光回路６はいずれも、常光と異常光とを持つ方解石等の複屈折光学結晶と、入射された光の偏光方向を電圧の印加によって切替えることのできる空間光変調素子とから構成されている。このような空間光変調素子として例えば、液晶を用いることができる。

図２に、Ｘ座標補正光回路３、Ｙ座標補正光回路４の構成を示す。
Ｘ座標補正光回路３、Ｙ座標補正光回路４は、図２において示すように、複屈折光学結晶１１と空間光変調素子１２とが交互に積層されて形成されている。複屈折光学結晶１１の厚みはそれぞれの層において異なるように形成され、本実施形態においては、一方の端面側から順に、１ｍｍ、２ｍｍ、４ｍｍ、８ｍｍのように、２のべき乗で順次変化させて形成されている。
Ｘ座標補正光回路３においては、ＬＳＩ部２のＸ軸方向を、複屈折光学結晶１１において異常光の進行方向がずれを発生する方向とし、Ｙ座標補正光回路４においては、ＬＳＩ部２のＹ軸方向を、複屈折光学結晶１１において異常光の進行方向がずれを発生する方向としている。

このようにして形成されたＸ座標補正光回路３では、例えば図２に示す方向で複屈折光学結晶１１に入射した光は、偏光方向が常光方向であれば光は入射方向に対して直進するのに対し、偏光方向がこれに対して垂直方向にある異常光方向であれば、その進行方向がずれて、複屈折光学結晶１１の厚みに比例して光はＸ方向にシフトする。
従って、複屈折光学結晶１１の各層間に挿入された空間光変調素子１２によって、複屈折光学結晶１１の層ごとに偏光方向を制御して、常光と異常光とを切替えることで光のシフト量を制御することができる。すなわち、空間光変調素子１２は、入射された光の偏光方向を電圧の印加によって切替えることができるため、必要な光補正の量に応じてＸ軸方向を複屈折光学結晶１１における異常光のずれの方向とすることにより、Ｘ軸方向に光をシフトさせることができる。

Ｘ軸方向への光シフト量の決定は、ＬＳＩ部２に照射される光ビームの位置ずれ情報を空間光変調素子１２に送出し、この位置ずれ情報に基づいて、複数個設けられた空間光変調素子１２のいずれに対して電圧を印加するかしないかを決定することによって行うことができる。
例えば、複屈折光学結晶１１のうち、最も薄い層によって生じるずれによる光シフトが必要な光補正量として十分であれば、その旨を知らせる情報が空間光変調素子１２に送出され、空間光変調素子１２は偏光方向を切替えて、複屈折光学結晶１１の他の層によるＸ方向への光シフトが生じないようにする。
光補正量が不十分であるときは、その旨を知らせる情報が空間光変調素子１２に送出され、空間光変調素子１２は偏光方向を異常光のままに維持し、複屈折光学結晶１１による光シフトが必要な光補正量に達するまでＸ方向への光シフトを生じさせる。

本実施形態においては、複屈折光学結晶１１の厚みを、一方の端面側から順に、１ｍｍ、２ｍｍ、４ｍｍ、８ｍｍのように、２のべき乗で順次変化させているため、光シフトを生じさせる複屈折光学結晶１１の厚みを０ｍｍから１５ｍｍの間で任意に選択することができる。光シフト量は複屈折光学結晶１１の厚みに比例するため、上記の構成によって、少ない積層数で光シフト量を任意に選択することができ、ＬＳＩ部２に入射する光を、Ｘ軸方向に任意にシフトさせて、Ｘ座標補正光回路３として機能させることができる。

同様にして、Ｙ座標補正光回路４では、ＬＳＩ部２のＹ軸方向を複屈折光学結晶１１において異常光のずれが発生する方向とすることにより、Ｙ軸方向に光をシフトさせることができる。これによって、ＬＳＩ部２に入射する光を、Ｙ軸方向に任意にシフトさせて、Ｙ座標補正光回路３として機能させることができる。
Ｙ座標補正光回路４についても、Ｘ座標補正光回路３と同様に、複屈折光学結晶１１の厚みを２のべき乗で順次変化させて積層することで、少ない積層数で任意の光シフト量を得ることができる。

次に、回転方向補正光回路について説明する。
図３に、第１の回転方向補正光回路５の構成の一例を示す。
図３は、ＬＳＩ部２のＹ軸方向を、複屈折光学結晶において異常光の進行方向がずれを発生する方向とし、Ｙ軸方向について原点から遠ざかるに従って複屈折光学結晶１３の厚みを増加させ、かつ複屈折光学結晶１３の各層の厚み増加の傾斜角度を異ならせた第１の回転方向補正光回路５である。

この第１の回転方向補正光回路５を構成する複屈折光学結晶１３は、Ｙ＝０の点、すなわち原点における厚みを０とし、Ｙ軸のプラス側とマイナス側にそれぞれ厚みが直線的に増加するように形成されている。Ｙ軸のプラス側に形成される複屈折光学結晶１３と、Ｙ軸のマイナス側に形成される複屈折光学結晶１３とは、異常光のずれの方向が互い逆になるように、複屈折光学結晶１３の方向が設定されている。
この複屈折光学結晶１３が複数個形成され、複屈折光学結晶１３の各層の間に空間光変調素子１２が積層されている。複屈折光学結晶１３の各層の厚み増加の傾斜角度は、一方の端面側から順に、２のべき乗で順次変化している。

同様に、第２の回転方向補正光回路６は、ＬＳＩ部２のＸ軸方向を複屈折光学結晶において異常光の進行方向がずれを生じる方向とし、Ｘ＝０の点、すなわち原点における複屈折光学結晶１３の厚みを０とし、Ｘ軸のプラス側とマイナス側にそれぞれ厚みが増加するように複屈折光学結晶１３が形成されている。Ｘ軸のプラス側に形成される複屈折光学結晶１３と、Ｘ軸のマイナス側に形成される複屈折光学結晶１３とは、異常光のずれの方向が互い逆になるように、複屈折光学結晶１３の方向が設定されている。
この複屈折光学結晶１３が複数個形成され、複屈折光学結晶１３の各層の間に空間光変調素子１２が積層されている。複屈折光学結晶１３の各層の厚み増加の傾斜角度は、一方の端面側から順に、２のべき乗で順次変化している。

第１の回転方向補正光回路５、第２の回転方向補正光回路６を上記のように形成する理由について、以下に説明する。
ホログラム１を人の手によって配置したときに、挿入角度誤差が±３°程度未満の微少な量とすると、回転補正による角座標の変換は以下の式で近似できる。

この場合、回転補正後の新しいＸ座標であるｘ１は、元の座標ｘから、補正角度θに依存したtanθと元の座標ｙとの積算値を引けばよく、また回転補正後の新しいＹ座標ｙ１は、元の座標ｘと補正角度θに依存した量を元の座標ｙに足し込めば良い。
このような補正は、原点から離れるに従って厚みを変化させた複屈折光学結晶１３によって実現することができる。

上述した構成の第１の回転方向補正光回路５では、ＬＳＩ部２のＹ軸方向を複屈折光学結晶において異常光の進行方向がずれを発生する方向としているため、例えば図３に示す方向で複屈折光学結晶１３に入射した光は、Ｘ軸方向には異常光によるずれを生じることはなく、Ｙ軸方向にのみ異常光によるずれを生じる。しかも、複屈折光学結晶１３は、原点から離れるに従ってＹ軸方向に厚くなるように形成されているため、原点から離れるほど、Ｙ軸方向への異常光のずれが大きくなる。角座標の変換式における角度θは、複屈折光学結晶１３の厚み増加の傾斜角度に対応しているため、第１の回転方向補正光回路５を用いることによって、角座標の変換式のｘ１で表す変換を行うことができる。

一方、第２の回転方向補正光回路６では、ＬＳＩ部２のＸ軸方向を複屈折光学結晶において異常光の進行方向がずれを発生する方向としているため、複屈折光学結晶１３に入射した光は、Ｙ軸方向には異常光によるずれを生じることはなく、Ｘ軸方向にのみ異常光によるずれを生じる。しかも、複屈折光学結晶１３は、原点から離れるに従ってＸ軸方向に厚くなるように形成されているため、原点から離れるほど、Ｘ軸方向への異常光のずれが大きくなる。角座標の変換式における角度θは、複屈折光学結晶１３の厚み増加の傾斜角度に対応しているため、第２の回転方向補正光回路６を用いることによって、角座標の変換式のｙ１で表す変換を行うことができる。

従って、第１の回転方向補正光回路５と第２の回転方向補正光回路６とを併せて用いることによって、ＬＳＩ部２に入射する光ビームに対して回転補正することが可能となる。

回転補正量の決定は、ＬＳＩ部２に照射される光ビームの回転方向ずれ情報を空間光変調素子１２に送出し、この回転方向ずれ情報に基づいて、複数個設けられた空間光変調素子１２のいずれに対して電圧を印加するかしないかを決定することによって行うことができる。
例えば、複屈折光学結晶１３のうち、最も薄い層によって生じるずれによって回転補正量が十分であれば、その旨を知らせる情報が空間光変調素子１２に送出され、空間光変調素子１２は偏光方向を切替えて、回転補正が生じないようにする。回転補正量が不十分であるときは、その旨を知らせる情報が空間光変調素子１２に送出され、空間光変調素子１２は偏光方向を異常光のままに維持し、必要な回転補正量に達するまで回転補正を行う。

本実施形態においては、複屈折光学結晶１３の厚み増加の傾斜角度を、一方の端面側から順に、２のべき乗で順次変化させているため、回転補正を生じさせる複屈折光学結晶１３の傾斜を任意に選択することができる。回転補正量は複屈折光学結晶１３の傾斜に比例するため、上記の構成によって、回転補正量を任意に選択することができ、ＬＳＩ部２に入射する光を任意に回転させて、回転方向補正光回路として機能させることができる。

複屈折光学結晶１１として方解石を用いる場合、その厚さを２０μｍ程度までに薄くして形成することが可能である。この厚さの方解石を複屈折光学結晶１１として用いると、ＬＳＩ部２に入射する光の位置をμｍオーダーで調整することができる。ＬＳＩ部２上のディテクタのサイズは数μｍ程度であり、上述の補正方法によって、十分な調整精度を確保することができる。人の手を介して位置調整を行う場合には、調整操作に必要なスペースを考慮すると、０．５ｍｍ程度の精度が限界であることと比較すると、高精度で光位置の調整が可能となる。

また、マイクロメータを備えた位置決め用のステージを用いて機械的に調整する場合には、調整装置が大掛りとなり、かつ調整に時間を要するが、本発明によると、自動的に高精度の調整が可能となる。
従って、光情報記憶媒質であるホログラム１を人の手を介して配置しても、ＬＳＩ部２へ照射される光ビームの位置を高精度で調整することができ、光情報記憶媒質であるホログラム１を人の手によって交換することが可能となる。

上述したように、ホログラム１からのコンフィギュレーション信号は、Ｘ座標補正光回路３によってＸ方向の補正が加えられ、次にＹ座標補正光回路４によってＹ方向の補正が加えられ、最後に回転方向補正光回路５によって回転方向の補正が加えられた後、ＬＳＩ部２のフォトディテクターにコンフィギュレーション信号が正しく照射される。
このように、ＬＳＩ部２に対して、上下左右の補正光学系と回転光学系を組み合わせることで、任意の位置に置かれたホログラム１からの光を正確にフォトディテクターに導くことができる。
なお、Ｘ座標補正光回路３、Ｙ座標補正光回路４、及び回転方向補正光回路５の配置の順番は、上記の説明に限定されるものではなく、他の順番で配置することも可能である。

本発明は、光再構成型ゲートアレイの光照射位置を補正する装置及び方法として利用することができる。

本発明の実施の形態に係る光照射位置補正装置の構成を示す図である。 Ｘ座標補正光回路、Ｙ座標補正光回路の構成を示す図である。 回転方向補正光回路の構成を示す図である。

符号の説明

１ ホログラム
２ ＬＳＩ部
３ Ｘ座標補正光回路
４ Ｙ座標補正光回路
５ 第１の回転方向補正光回路
６ 第２の回転方向補正光回路
７ フォトダイオードアレイ
１１ 複屈折光学結晶
１２ 空間光変調素子
１３ 複屈折光学結晶

Claims (2)

1. 光情報記憶媒質であるホログラムと、フォトダイオードアレイが形成されたＬＳＩ部との間に設けられた光再構成型ゲートアレイの光照射位置補正装置であって、Ｘ座標補正光回路、Ｙ座標補正光回路、及び回転方向補正光回路を備え、前記Ｘ座標補正光回路、前記Ｙ座標補正光回路、前記回転方向補正光回路はいずれも、複屈折光学結晶と空間光変調素子とを交互に積層してなり、前記回転方向補正光回路は、前記ＬＳＩ部のＹ軸方向を前記複屈折光学結晶において異常光の進行方向がずれを発生する方向とし、前記Ｙ軸方向について原点から遠ざかるに従って前記複屈折光学結晶の厚みを増加させ、かつ前記複屈折光学結晶の各層の厚み増加の傾斜角度を異ならせた第１の回転方向補正光回路と、前記ＬＳＩ部のＸ軸方向を前記複屈折光学結晶において異常光の進行方向がずれを発生する方向とし、前記Ｘ軸方向について原点から遠ざかるに従って前記複屈折光学結晶の厚みを増加させ、かつ前記複屈折光学結晶の各層の厚み増加の傾斜角度を異ならせた第２の回転方向補正光回路と、からなり、前記複屈折光学結晶の各層の厚みは、厚み増加の傾斜角度が２のべき乗で順次変化するように、前記複屈折光学結晶が形成されていることを特徴とする光再構成型ゲートアレイの光照射位置補正装置。
2. 前記ＬＳＩ部に照射される光ビームの位置ずれ情報が前記空間光変調素子に送出され、この位置ずれ情報に応じて、前記空間光変調素子が入射光の偏光方向を切替えて光補正量を制御することを特徴とする請求項１に記載の光再構成型ゲートアレイの光照射位置補正装置。

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