JP3913869B2 - Substrate processing equipment - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板処理装置、特に基板にレジスト液等の処理液を供給し、所定の処理を施す基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体ウェハ、ガラス基板等(以下、基板と記す)の製造処理においては、洗浄、成膜、レジスト液塗布、露光、現像、エッチング等の各工程が順次行われる。このうちのレジスト液塗布工程では、基板を回転させてレジスト液を塗布する回転式基板処理装置が一般的に用いられる。回転式基板処理装置は、基板を保持する基板保持部と、基板保持部に保持された基板の表面にレジスト液を供給するレジストノズルと、基板保持部を回転させるためのモータとを有している。また、これらの構成に加えて、一般的にはエッジリンスノズルやバックリンスノズルを有している。エッジリンスノズルは、レジスト液塗布工程後に、基板周縁部のレジスト膜を除去するためにリンス液を基板周縁部に吐出するものであり(エッジリンス処理)、バックリンスノズルは、基板の裏面を洗浄するためにリンス液を基板裏面に吐出するものである(バックリンス処理)。
【0003】
このような装置では、基板表面の中央部にレジスト液を滴下し、さらに基板を回転させることによって滴下されたレジスト液を遠心力により拡散させ、基板表面の全体にレジスト膜を形成する。その後、エッジリンス処理を行って基板周縁部のレジスト膜を除去するとともに、バックリンス処理を行って基板裏面を洗浄する。そして、レジスト液塗布工程での余剰のレジスト液や、エッジリンス処理及びバックリンス処理において使用されたリンス液は、それぞれ一カ所に集められて廃棄される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
回転式基板処理装置によってレジスト液を塗布処理する場合は、前述のように、基板を回転させ、遠心力を利用してレジスト液を拡散させているので、余剰のレジスト液が基板表面から外部に飛散してしまう。一般的にレジスト液は高価であることから、レジスト液の消費量を少なくする技術が種々提案されているが、十分に消費量を抑えることは非常に困難である。
【0005】
例えば、基板の大きさによっても異なるが、基板表面に塗布するために必要なレジスト液の量は1cc程度であるにもかかわらず、外部に飛散してしまうレジスト液を考慮すると、基板表面に10cc程度のレジスト液を滴下しなければならない。すなわち、レジストノズルから滴下されたレジスト液のうち有効にレジスト膜形成のために使用されるレジスト液は1割程度にしかすぎない。
【0006】
このように従来の装置においては、レジスト液等の処理液を有効に使用することができず、さらにはその廃液処理のための費用も高くなってしまうという問題がある。
【0007】
本発明の課題は、塗布処理用の処理液を有効に使用してその消費量を確実に抑え、しかも廃液処理にかかる費用を抑えることにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
請求項1に係る基板処理装置は、基板表面に処理液を供給し、所定の処理を施す装置であって、基板を保持する基板保持手段と、基板保持手段に保持された基板に対して処理液を吐出する吐出手段と、吐出手段から吐出された処理液を回収する回収手段と、回収手段により回収された処理液の粘度を測定する第1の粘度計と、第1の粘度計の測定結果に基づいて回収された処理液の粘度を増粘度化するように粘度調整する増粘度化装置を含む粘度調整手段と、新しい処理液を貯留するタンクと、粘度調整手段で粘度調整された処理液及びタンクに貯留されている新しい処理液のいずれか一方を切換選択して吐出手段に供給する供給手段とを備えている。
【0009】
この装置では、基板保持手段に保持された基板に対して、吐出手段から処理液が吐出され、基板表面に処理液が供給される。余剰の処理液は、回収手段によって回収され、第1の粘度計によってその粘度が測定される。そして、この粘度測定結果に基づいて、増粘度化装置により増粘度化するように処理液の粘度が調整される。粘度調整された処理液又は新しい処理液は供給手段によって必要に応じて切り換えられて吐出手段に供給される。
【0010】
ここでは、従来では廃棄していた処理液を、粘度調整を行った後に再使用するようにしたので、従来装置に比較して処理液を有効に使用でき、消費量を確実に抑えることができる。また、廃液が減るので、廃液処理のための費用も削減でき、さらには環境汚染のおそれも少なくなる。
【0011】
請求項2に係る基板処理装置は、請求項1の装置において、粘度調整手段は、第1の粘度計の測定結果に基づいて回収された処理液の粘度を低粘度化するように粘度調整する低粘度化装置と、切換手段とをさらに含む。切換手段は、第1の粘度計の測定結果によって、回収された処理液が元の処理液の粘度よりも低粘度化されていると判断されたときは回収された処理液を増粘度化装置に送り、増粘度化されていると判断されたときは回収された処理液を低粘度化装置に送る。
【0012】
例えば、レジスト液のみを回収する場合は、一般的にレジスト液は元の粘度よりも増粘度化されている場合が多い。そこでこの装置では、このような場合は、回収されたレジスト液は切換手段を介して低粘度化装置に送られ、ここで溶媒を加えられて希釈化(低粘度化)される。また、逆の場合は、切換手段を介して増粘度化装置に送られ、ここで脱気処理等が行われて増粘度化される。
【0013】
請求項1に係る基板処理装置は、基板表面に処理液を供給し、所定の処理を施す基板処理装置であって、基板を保持する基板保持手段と、基板保持手段に保持された基板に対して処理液を吐出する吐出手段と、吐出手段から吐出された処理液を回収する回収手段と、回収手段により回収された処理液の粘度を測定する第1の粘度計と、第1の粘度計の測定結果に基づいて回収された処理液の粘度を調整する粘度調整手段と、粘度調整された処理液の粘度を測定する第2の粘度計と、第2の粘度計の測定結果に基づいて、粘度調整された処理液の後段への供給を制御する供給制御手段と、粘度調整された処理液を吐出手段に供給する供給手段とを備えている。
【0014】
この装置では、第1の粘度計の測定結果に基づいて粘度調整手段により粘度調整された処理液は、第2の粘度計によって再度粘度が測定される。すなわち、粘度調整によって所望の粘度になったか否かが確認される。所望の粘度になった場合は、後段に処理液を供給するが、所望の粘度でない場合はさらに粘度調整を行い、所望の粘度になったところで後段にその処理液を供給する。
【0015】
処理液によっては、粘度を正確に制御する必要がある。この装置では、再使用の処理液に対して粘度調整を行った後、その粘度を測定し、所望の粘度の処理液が得られた後に後段に供給している。したがって再使用の処理液を使用しても良好な処理が行える。
【0016】
請求項2に係る基板処理装置は、請求項1の装置において、粘度調整手段は、送られてきた処理液を増粘度化するように粘度調整する増粘度化装置と、送られてきた処理液を低粘度化するように粘度調整する低粘度化装置と、第1の粘度計の測定結果によって、回収された処理液が元の処理液の粘度よりも低粘度化されていると判断されたときは回収された処理液を増粘度化装置に送り、増粘度化されていると判断されたときは回収された処理液を低粘度化装置に送る切換手段とを有するものである。
【0017】
この装置では、例えば回収されたレジスト液などの処理液が元の粘度よりも増粘度化されている場合は、処理液は切換手段を介して低粘度化装置に送られ、ここで溶媒を加えられて希釈化(低粘度化)される。また、逆の場合は、切換手段を介して増粘度化装置に送られ、ここで脱気処理等が行われて増粘度化される。
【0018】
請求項3に係る基板処理装置は、請求項1又は2の装置において、粘度調整手段で粘度調整された処理液の温度調節を行うための温調装置をさらに備えている。
【0019】
請求項4に係る基板処理装置は、請求項1から3のいずれかの装置において、処理液は、樹脂成分及び溶媒からなるレジスト液と、レジスト液塗布処理後の洗浄工程のために使用されレジスト液の溶媒と同じリンス液とからなるものである。
【0020】
この装置では、処理液としてレジスト液及びリンス液を扱う。レジスト液は樹脂成分と溶媒とからなるが、本件発明者らは、レジスト液の溶媒のうちには、リンス液としても使用できるものがあることを見出した。そこで、ここでは、レジスト液として、その溶媒がリンス液としても使用できるものを選択している。したがって、これらの液の回収に際しては、レジスト液とリンス液とを別々に回収する必要はなく一緒の容器に回収することができる。そして、この回収した処理液について粘度調整を行って再使用する。ここでは、レジスト液とリンス液とを区別して回収する必要がないので、回収のための構成が簡単になる。また、再使用のための処理が容易になる。
【0021】
請求項5に係る基板処理装置は、請求項1から4のいずれかの装置において、処理液は、樹脂成分及び溶媒からなるレジスト液と、レジスト液塗布処理後の洗浄工程のために使用されレジスト液の溶媒と異なるリンス液とからなるものである。そして、回収手段はレジスト液のみを選択的に回収する。
【0022】
この装置では、処理液としてレジスト液及びリンス液を扱う。レジスト液は樹脂成分と溶媒とからなるが、レジスト液の溶媒がリンス液と異なる場合は、これらを一緒に処理することができない。したがって、この場合は、レジスト液のみを再使用することとし、回収手段においてはレジスト液のみを回収する。このため、レジスト液の溶媒とリンス液とが異なる場合でも、レジスト液のみを回収して再使用することができる。
【0023】
請求項6に係る基板処理装置は、請求項1から5のいずれかの装置において、基板保持手段は回転可能である。そして、基板保持手段を回転駆動するための駆動手段をさらに有している。ここでは、基板を回転させながら処理が行われるので、特に処理液の飛散が多く消費量が増える。このような回転式基板処理装置に本発明を適用することによって処理液の有効利用が図れ、消費量を著しく減らすことができる。
【0024】
請求項7に係る基板処理装置は、請求項1から6のいずれかの装置において、粘度調整後の処理液を貯留する再使用処理液貯留部をさらに有している。この装置では、粘度調整された処理液は、一旦再使用処理液貯留部に貯留され、温調等を行った後に吐出手段に供給される。
【0025】
【発明の実施の形態】
[前提となる基本構成]
図1に本発明の前提となる基本構成を示す。この場合は、基板処理装置として回転式基板処理装置を例にとっている。また、この回転式基板処理装置では、レジスト液塗布処理と、エッジリンス処理及びバックリンス処理とを行っている。さらに、レジスト液としては、樹脂成分として、ノボラック樹脂又はポリビニルフェノール系樹脂を含み、溶媒として、2−ヘプタノン、EL(乳酸エチル)、MMP(メチル−3メトキシプロピオネート)のうちのいずれかを含むものを使用する。本件発明者は、これら3種の溶媒はレジスト液塗布処理後のエッジリンス処理及びバックリンス処理においてリンス液として使用できることを見いだした。そこで、この構成では、前記3種の溶媒のうちのいずれかを各リンス処理のリンス液として使用している。
【0026】
<回転式基板処理装置の本体部分>
図において、この回転式基板処理装置は、基板Wを水平姿勢で保持する回転自在な基板保持部1と、基板保持部1を回転駆動するためのモータ2と、基板保持部1の上方に退避可能に設けられたレジスト液供給ノズル(以下、レジストノズルと記す)3とを有している。基板保持部1の周囲には、基板保持部1に保持された基板Wの周囲を取り囲むように飛散防止用のカップ4が設けられている。またこのカップ4は、回転する基板Wから飛散した余剰のレジスト液を回収して下方に導く機能も有している。レジストノズル3には、レジスト液供給部5が接続されている。レジスト液供給部5は、レジスト液が貯留されているタンク6と、タンク6とレジストノズル3との間に設けられた供給管路7とを有している。供給管路7には、タンク6側から順に、レジスト液の供給の開始及び停止を制御する開閉弁8、レジスト液供給用のポンプ9、フィルタ10、新レジスト液と再使用レジスト液(後述)との切換を行うための切換弁11、及び圧力制御弁12が設けられている。
【0027】
また、この回転式基板処理装置には、基板周縁に付着したレジスト膜を除去するために基板周縁部にレジスト液の溶媒と同じリンス液を吐出するエッジリンス液供給ノズル(以下、エッジリンスノズルと記す)15と、基板裏面を洗浄するために基板裏面にレジスト液の溶媒と同じリンス液を吐出するバックリンス液供給ノズル(以下、バックリンスノズルと記す)16とを有している。
【0028】
なお、レジストノズル3及びエッジリンスノズル15は、基板上方の供給位置と基板上方から退避した位置とを取り得るように、移動自在となっている。
【0029】
<処理液循環装置>
さらにこの回転式基板処理装置は、レジスト液を再使用するための処理液循環装置20を有している。処理液循環装置20は、余剰のレジスト液及び使用後のリンス液(以下、レジスト液及びリンス液を含めて処理液と記す)を回収するための回収タンク21と、回収タンク21に回収された処理液の粘度を調整するための粘度調整部22と(以下、この粘度調整部22で粘度調整された処理液を再使用レジスト液と記す)、再使用レジスト液を一旦貯留する再使用タンク23とを有している。回収タンク21と粘度調整部22との間には第1循環管路25が設けられ、粘度調整部22と再使用タンク23との間には第2循環管路26が設けられ、さらに再使用タンク23とレジスト液供給部5の切換弁11との間には第3循環管路27が設けられている。そして、第1循環管路25には第1循環ポンプ30が設けられている。また、第3循環管路27には、再使用タンク23側から順に第2循環ポンプ31及びフィルタ32が設けられている。さらに、回収タンク21には、回収された処理液の粘度を測定するための粘度計35(第1の粘度計)が設けられている。
【0030】
粘度調整部22は、処理液を増粘度化するための増粘度化装置40と、処理液を低粘度化するための低粘度化装置41と、回収タンク21から送られてきた処理液を増粘度化装置40又は低粘度化装置41に択一的に送る切換弁42とを有している。
【0031】
増粘度化装置40は、処理液を脱気して増粘度化するものであり、図2に詳細に示すように、脱気部45と、温水タンク46と、温水タンク46内の温水を温度調節するための温調器47と、気体吸引ポンプ48とを有している。温水タンク46内には、温水を脱気部45と温水タンク46との間で循環させるためのポンプ49が設けられている。脱気部45は、1対のフランジ50間に設けられた円筒管51と、円筒管51内に設けられた多数の気体透過管52とを有している。気体透過管52は、液体の透過を防止しつつ気体の透過を許容する気体透過膜を用いて形成されている。
【0032】
このような増粘度化装置40では、ポンプ49によって温水タンク46内の温水が脱気部45の円筒管51内部、すなわち気体透過管52の回りに送られる。これにより、気体透過管52内を流れる処理液は温水によって適度な温度になり、処理液中に混入又は溶存している気体が気体透過管52の気体透過膜を通して温水側に排出される。そして、気体吸引ポンプ48を運転して温水タンク46上部の空間を減圧状態にすることにより、温水タンク46内の温水中に混入又は溶存している気体が排出される。このようにして、脱気部45を流れる処理液を増粘度化することができる。
【0033】
また低粘度化装置41は、処理液にレジスト液の溶媒を加えて希釈化するためのものであり、図3に示すように、処理液を一時的に貯留する貯留部55と、溶媒タンク56と、溶媒の供給、停止を制御する開閉弁57とを有している。ここでは、開閉弁57の開閉制御を行うことにより、処理液に溶媒を加えて低粘度化することが可能である。
【0034】
<処理液循環装置の制御ブロック>
次に、処理液循環装置20に関連する制御ブロックを図4により説明する。処理液循環装置20は、CPU,RAM,ROM等からなるマイクロコンピュータを有する制御部60を有している。この制御部60は、塗布処理装置全体の制御を行う制御部であってもよい。制御部60には、操作パネル61と、粘度計35と、各種センサとが接続されている。また、制御部60には、切換弁11,42と、第1及び第2循環ポンプ30,31と、増粘度化装置40と、低粘度化装置41とが接続されている。
【0035】
<塗布処理及びリンス処理>
この回転式基板処理装置を用いてレジスト液の塗布処理及びリンス処理を行う場合は、まず基板Wを基板保持部1に載置する。基板保持部1は真空吸着により基板を吸着保持する。次に、レジストノズル3から基板Wの中央部にレジスト液を滴下する。その後、モータ2を駆動して基板Wを回転させる。これにより、基板Wの中央部に滴下されたレジスト液は遠心力により外周側に拡散し、基板Wの表面全体にレジスト液が塗布される。このとき、余剰のレジスト液は基板Wの回転による遠心力で基板Wの外方に飛散する。飛散したレジスト液は、カップ4の壁に当たり、さらにカップ4の壁に沿って下方に導かれ、処理液循環装置20の回収タンク21に回収される。
【0036】
次にリンス処理が行われる。リンス処理においては、基板Wは所定の回転数で回転され、エッジリンスノズル15から基板Wの周縁部にリンス液が吐出されるとともに、バックリンスノズル16から基板Wの裏面にリンス液が吐出される。これにより、基板Wの周縁部に付着したレジスト膜が除去されるとともに基板Wの裏面が洗浄される。このリンス処理においても、基板Wの回転による遠心力でリンス液は基板Wの外方に飛散する。飛散したリンス液は、前述のレジスト液と同様に、カップ4の壁に当たって下方に導かれ、回収タンク21に回収される。
【0037】
その後、リンス液の吐出を停止した後に、基板Wはさらに高速回転され、これにより基板W上のリンス液が振り切られて基板Wが乾燥する。
【0038】
<処理液循環装置の制御>
次に、処理液循環装置20における制御処理について、図5及び図6に示すフローチャートにしたがって説明する。
【0039】
図5のステップS1では粘度調整処理を行うか否かを判断し、ステップS2では再使用レジスト液の供給を開始するか否かを判断し、ステップS3では再使用レジスト液の供給を停止するか否かを判断する。
【0040】
粘度調整処理の指示があった場合はステップS1からステップS4に移行する。ステップS4では、回収タンク21に回収された処理液を粘度調整部22に送って粘度調整処理を行う。これにより、粘度調整された再使用レジスト液が再使用タンク23に貯められる。
【0041】
また、再使用レジスト液の供給開始指示があった場合はステップS2からステップS5に移行し、再使用レジスト液の供給開始処理を実行する。ここでは、第3循環管路27からの再使用レジスト液がレジストノズル3に供給されるように切換弁11が切り換えられ、第2循環ポンプ31が駆動される。これにより、第2循環ポンプ31により再使用タンク23から粘度調整された再使用レジスト液が汲み上げられ、フィルタ32、切換弁11及び圧力制御弁12を介してレジストノズル3に再使用レジスト液が供給される。
【0042】
さらに、再使用レジスト液の供給停止指示があった場合は、ステップS3からステップS6に移行する。ここでは、再使用レジスト液ではなくタンク6からの新しいレジスト液がレジストノズル3に供給されるように切換弁11が切り換えられる。また、第2循環ポンプ31が停止させられる。
【0043】
次に粘度調整処理について詳細に説明する。図6のステップS10において、回収タンク21内の処理液の粘度が認識される。この処理液の粘度は、粘度計35によって測定されたものである。そしてステップS11では、測定された粘度が元の新しいレジスト液の粘度(以下、基準粘度と記す)よりも高いか否かを判断する。なお、新しいレジスト液の基準粘度は操作パネル61から予め制御部60に入力されている。粘度計35によって得られた処理液の粘度が基準粘度よりも高い場合、すなわち処理液が増粘度化されている場合は、ステップS11からステップS12に移行する。ステップS12では、回収タンク21からの処理液が低粘度化装置41の方に送られるように切換弁42を切り換える。一方、測定した粘度が基準粘度よりも低い場合、すなわち低粘度化されている場合は、ステップS11からステップS13に移行し、処理液が増粘度化装置40の方に送られるように切換弁42を切り換える。
【0044】
そしてステップS14では第1循環ポンプ30を駆動する。これにより、回収タンク21内の処理液は、その粘度に応じて増粘度化装置40又は低粘度化装置41に択一的に送られる。
【0045】
ステップS15では、各装置40,41によって、それぞれ処理液の増粘度化又は低粘度化を行う。具体的には、増粘度化装置40では気体吸引ポンプ48及び温水タンク46内のポンプ49の駆動制御を行い、低粘度化装置41では開閉弁57の開閉制御を行う。これらの装置によって、処理液は基準粘度に調整され、再使用タンク23に送られる。
【0046】
ステップS16では粘度調整処理の終了指示があった否かを判断する。終了指示があった場合はステップS17に移行し、第1循環ポンプ30を停止する。
【0047】
このような処理によって、余剰のレジスト液及びリンス液を回収し、これらの処理液を元の基準粘度に調整して再使用することが可能になる。したがって、レジスト液を有効利用でき、消費量が大幅に節約できる。また、レジスト液の廃液処理が容易になり、廃液処理のためのコストを削減できる。
【0048】
[別の構成1]
回転式基板処理装置内において、レジスト液の塗布処理しか行われない場合、すなわちリンス処理が行われない場合は、処理液がレジスト液のみとなる。この場合は、前記装置と全く同様の構成及び処理によって、前記同様に一旦レジストノズル3から吐出された余剰のレジスト液を粘度調整し、再使用することができる。
【0049】
[別の構成2]
図7に別の構成を示す。ここでは、前記同様に基板処理装置として回転式基板処理装置を例にとっている。また、この回転式基板処理装置では、レジスト液塗布処理と、エッジリンス処理及びバックリンス処理とを行っているが、レジスト液の溶媒とリンス液とが異なるものである。レジスト液の溶媒の種類によってはリンス液として用いることができないが、この構成は、そのような場合に対応するための構成となっている。
【0050】
すなわち、この回転式基板処理装置は、レジスト液の溶媒とリンス液とが異なるので、レジスト液とリンス液とをそれぞれ区別して回収する必要がある。そのために、特にカップの部分の構成が前記構成とは異なっている。
【0051】
図8に詳細に示すように、この回転式基板処理装置のカップ4は、基板保持部1に保持された基板Wの周囲を取り囲むように設けられた飛散防止用の外側カップ4aと、外側カップ4aの内側において基板Wの周囲を取り囲むように設けられた内側カップ4bとを有している。内側カップ4bは上下動自在に設けられている。また、内側カップ4bの上端は内方へ屈曲している。なお、基板保持部1の下方には整流板4cが設けられており、整流板4cの外周部は、外周側に向かって斜め下方に傾斜する傾斜面となっている。
【0052】
そして、図7に示すように、レジスト液とリンス液とがそれぞれ別に回収可能なように、レジスト液回収タンク21aとリンス液回収タンク21bとが別々に設けられている。他の構成は前記構成と同様である。
【0053】
ここでは、レジスト液の塗布処理を行う場合は、図8(a)に示すように、内側カップ4bが基板Wよりも下方に下がっている。そして、基板W上に滴下されたレジスト液は、基板Wの回転により基板W表面の全体に拡散されて塗り広げられる。
【0054】
このとき、余剰のレジスト液は、基板Wの回転による遠心力で外周側に飛散する。レジスト液の飛散方向は、図8(a)の一点鎖線で示した範囲内であるので、内側カップ4bには当たらずに外側カップ4aの内壁に当たる。そしてこの外側カップ4aの内壁と内側カップ4bの外壁との間の通路70を通って下方に案内され、通路70に接続された配管を介してレジスト液回収タンク21aに回収される。
【0055】
一方、リンス処理を行う場合は、図8(b)に示すように、内側カップ4bが基板Wの外周を囲む位置まで上昇する。このとき、内側カップ4bの上端は外側カップ4aの上部の壁に当接しており、このためリンス液が外側カップ4aの側壁内周に当たることはない。このような状態で、基板Wを所定の回転数で回転させつつ、エッジリンスノズル15から基板Wの周縁部にリンス液が吐出され、またバックリンスノズル16から基板Wの裏面にリンス液が吐出される。
【0056】
このとき、基板Wの回転による遠心力でリンス液は基板Wの外方に飛散する。飛散したリンス液は内側カップ4bの内壁に当たり、整流板4cとの間を通って通路71に達し、さらに通路71に接続された配管を介してリンス液回収タンク21bに回収される。
【0057】
なお、レジスト液の塗布処理において、幾分かのレジスト液は内側カップ4bの内壁に当たり、通路71を介してリンス液回収タンク21bに混入する。しかし、回収したリンス液は廃棄されるので特に問題はない。これに対しリンス処理の場合は、内側カップ4bによってリンス液が外側カップ4a側に飛散するのを確実に防止できる。したがって、レジスト液回収タンク21aにリンス液が混入することはない。
【0058】
以上のようして、レジスト液とリンス液とを別々にそれぞれの回収タンク21a,21bに回収できる。回収したレジスト液を再使用する場合の構成及び処理動作は、前記構成の場合と全く同様である。
【0059】
このように、本構成では、レジスト液の溶媒とリンス液とが異なる場合でも、レジスト液を再使用することができる。
【0060】
[第1実施形態]
図9に第1実施形態による処理液循環装置75の構成を示す。なお、ここでは、レジスト液の溶媒とリンス液とが同じ場合について説明するが、異なる場合にも同様に適用できるのはもちろんである。
【0061】
この第1実施形態では、粘度調整部76の構成が前記各構成と異なっている。すなわち、粘度調整部76は、切換弁42と、増粘度化装置77と、低粘度化装置78と、各装置77,78で粘度調整された再使用レジスト液の粘度を測定する粘度計79,80(第2の粘度計)と、各装置77,78の出力側に設けられた開閉弁81,82とを有している。増粘度化装置77及び低粘度化装置78は、前記構成と同様の構成に加え、それぞれ処理液を循環させるための循環部(図示せず)を有している。
【0062】
この場合の制御ブロックを図10に示す。制御部60には、前記構成と同様に、操作パネル61、回収タンク21の処理液の粘度を測定する粘度計35(第1の粘度計)、各種センサ、切換弁11,42、第1及び第2循環ポンプ30,31、増粘度化装置77、低粘度化装置78が接続されている。そしてここでは、さらに、増粘度化装置77及び低粘度化装置78の粘度計79,80と、増粘度化装置77及び低粘度化装置78の出力側に設けられた開閉弁81,82とが接続されている。
【0063】
次にこの実施形態の粘度調整処理について、図11に示すフローチャートに従って説明する。
【0064】
なお、この粘度調整処理においては、初期設定として、開閉弁81,82が閉じられている。まずステップS20において、回収タンク21内の処理液の粘度を認識する。ステップS21では、回収された処理液の粘度が元の新しいレジスト液の基準粘度よりも高いか否かを判断する。処理液の粘度が基準粘度よりも高い場合は、ステップS21からステップS22に移行する。ステップS22では、回収タンク21からの処理液が低粘度化装置78の方に送られるように切換弁42を切り換える。一方、処理液の粘度が基準粘度よりも低い場合は、ステップS21からステップS23に移行し、処理液が増粘度化装置77の方に送られるように切換弁42を切り換える。次にステップS24では第1循環ポンプ30を駆動し、処理液を増粘度化装置77又は低粘度化装置78に択一的に送る。
【0065】
ステップS25では、各装置77,78によって、それぞれ処理液の増粘度化又は低粘度化を行う。
【0066】
ステップS26では、増粘度化あるいは低粘度化された再使用レジスト液の粘度を各粘度計79,80からのデータによって認識する。ステップS27では、再使用レジスト液が基準粘度であるか否かを判断する。基準粘度であればステップS28に移行し、開閉弁81,82を開ける。一方、再使用レジスト液が基準粘度に達していない場合は、ステップS27からステップS29に移行し、開閉弁81,82を閉じる(あるいは閉じたままとする)。これにより、再使用レジスト液は増粘度化装置77又は低粘度化装置78において循環され、さらなる増粘度化又は低粘度化が行われる。
【0067】
ステップS30では粘度調整処理の終了指示があった否かを判断する。終了指示があった場合はステップS31に移行し、第1循環ポンプ30を停止する。
【0068】
このような実施形態では、レジスト液を再使用できるとともに、再使用レジスト液の粘度を正確に基準粘度に調整できる。
【0069】
[第2実施形態]
図12に第2実施形態による処理液循環装置90の構成を示す。なお、ここでは、レジスト液の溶媒とリンス液とが同じ場合について説明するが、異なる場合にも同様に適用できるのはもちろんである。
【0070】
この第2実施形態は、第1実施形態と同様に、一旦粘度調整された処理液の粘度が所望の粘度になっているか否かを確認し、所望の粘度になっている場合に再使用レジスト液の供給を行うものである。
【0071】
ここでは、第3循環管路27において、第2循環ポンプ31の直後に切換弁91が設けられている。この切換弁91は、再使用タンク23から汲み上げた再使用レジスト液を、再度粘度調整部22に送るか、あるいはレジスト液供給部5の切換弁11に送るかを切り換えるためのものである。そして、この装置では、再使用タンク23内に、粘度調整された再使用レジスト液の粘度を再度測定するための粘度計92(第2の粘度計)が設けられている。また、再使用タンク23には、再使用レジスト液の温度調節を行うための温調装置93が接続されている。他の構成は前記構成と同様である。
【0072】
この場合の制御ブロックを図13に示す。制御部60には、前記構成と同様に、操作パネル61、回収タンク21の処理液の粘度を測定する粘度計35(第1の粘度計)、各種センサ、切換弁11,42、第1及び第2循環ポンプ30,31、増粘度化装置40、低粘度化装置41が接続されている。そしてここでは、さらに、再使用タンク23の内の再使用レジスト液の粘度を測定する粘度計92と、切換弁91とが接続されている。
【0073】
この場合の粘度調整処理は、図14に示すフローチャートに従って説明する。ここでの粘度調整処理におけるステップS40〜ステップS45までの処理は、前記第1実施形態のステップS20〜ステップS25(図11)と全く同様である。
【0074】
ステップS46では、再使用タンク23内に貯留された再使用レジスト液の粘度を認識する。この粘度データは、粘度計92によって得られたものである。次にステップS47では、再使用レジスト液が基準粘度であるか否かを判断する。基準粘度であればステップS48に移行し、再使用レジスト液がレジスト液供給部5側に供給されるように切換弁91を切り換える。なお、既にステップS49を通過して第2循環ポンプ31が駆動されている場合は、このステップS48では、まず第2循環ポンプ31を停止し、その後に切換弁91を切り換える。そして、再使用レジスト液の供給開始指示を待つ。
【0075】
一方、再使用レジスト液が基準粘度に達していない場合は、ステップS47からステップS49に移行し、再使用レジスト液が再び粘度調整部22に送られるように切換弁91を切り換える。そして、第2循環ポンプ31を駆動する。これにより、再使用レジスト液は増粘度化装置40又は低粘度化装置41に戻されて、さらなる増粘度化又は低粘度化が行われる。
【0076】
なお、再使用レジスト液を粘度調整部22に戻す場合に、切換弁42はステップS42又はステップS43で切り換えられたままになっているが、ステップS47での判断結果によって、切換弁42も再度切換制御するようにしてもよい。
【0077】
ステップS50では粘度調整処理の終了指示があった否かを判断する。終了指示があった場合はステップS51に移行し、第1循環ポンプ30を停止する。
【0078】
このような実施形態では、レジスト液を再使用できるとともに、再使用レジスト液の粘度を正確に基準粘度に調整できる。
【0079】
[他の実施形態]
(a)前記各実施形態では、処理液として、レジスト液あるいはレジスト液とリンス液を例にとって説明したが、他の塗布処理用の処理液、例えばポリイミドやSOGであっても本発明を適用して再使用することができる。
【0080】
(b)本発明は、回転式基板処理装置に適用して特に効果が大きいが、他の基板処理装置、例えば、基板を回転させずにスリットノズルを移動させて塗布処理を行う装置にも適用できる。
【0081】
(c)レジスト液のみを回収して再使用する場合は、一般的に、回収されたレジスト液は増粘度化されている。したがって、このような場合は、粘度調整部として低粘度化装置のみを設ければよい。すなわち、処理液の種類によっては、回収された余剰の処理液が必ず増粘度化あるいは低粘度化されている場合がある。このような場合は、増粘度化装置及び低粘度化装置のいずれか一方のみを設ければよい。
【0082】
【発明の効果】
以上のように本発明では、回収した処理液の粘度を調整して再使用可能としたので、処理液を有効に使用できるとともに、廃液処理が容易になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の前提となる基本構成による回転式基板処理装置の概略構成図。
【図2】増粘度化装置の概略構成図。
【図3】低粘度化装置の概略構成図。
【図4】処理液循環装置の制御ブロック図。
【図5】処理液循環装置の制御フローチャート。
【図6】粘度調整処理のフローチャート。
【図7】別の構成による回転式基板処理装置の概略構成図。
【図8】カップ部分の拡大図。
【図9】本発明の第1実施形態による処理液循環装置部分の概略構成図。
【図10】第1実施形態の制御ブロック図。
【図11】第1実施形態の粘度調整処理のフローチャート。
【図12】本発明の第2実施形態による処理液循環装置部分の概略構成図。
【図13】第2実施形態の制御ブロック図。
【図14】第2実施形態の粘度調整処理のフローチャート。
【符号の説明】
1 基板保持部
2 モータ
3 レジストノズル
4 カップ
15 エッジリンスノズル
16 バックリンスノズル
20,75,90 処理液循環装置
21 回収タンク
21a レジスト液回収タンク
22,76 粘度調整部
23 再使用タンク
31 第2循環ポンプ
35,79,80,92 粘度計
40,77 増粘度化装置
41,78 低粘度化装置
42,91 切換弁
60 制御部
81,82 開閉弁[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly to a substrate processing apparatus that supplies a processing solution such as a resist solution to a substrate and performs a predetermined processing.
[0002]
[Prior art]
In the manufacturing process of a semiconductor wafer, a glass substrate or the like (hereinafter referred to as a substrate), steps such as cleaning, film formation, resist solution coating, exposure, development, and etching are sequentially performed. In the resist solution coating process, a rotary substrate processing apparatus that rotates the substrate to apply the resist solution is generally used. The rotary substrate processing apparatus includes a substrate holding unit that holds a substrate, a resist nozzle that supplies a resist solution to the surface of the substrate held by the substrate holding unit, and a motor that rotates the substrate holding unit. Yes. In addition to these configurations, an edge rinse nozzle and a back rinse nozzle are generally provided. The edge rinse nozzle discharges the rinse liquid to the peripheral edge of the substrate in order to remove the resist film at the peripheral edge of the substrate after the resist solution coating process (edge rinse treatment), and the back rinse nozzle cleans the back surface of the substrate. For this purpose, a rinsing liquid is discharged onto the back surface of the substrate (back rinsing process).
[0003]
In such an apparatus, a resist solution is dropped on the central portion of the substrate surface, and the dropped resist solution is further diffused by centrifugal force by rotating the substrate to form a resist film on the entire substrate surface. Thereafter, an edge rinse process is performed to remove the resist film on the peripheral edge of the substrate, and a back rinse process is performed to clean the back surface of the substrate. The surplus resist solution in the resist solution application step and the rinse solution used in the edge rinse process and the back rinse process are collected in one place and discarded.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
When applying a resist solution by a rotary substrate processing apparatus, as described above, the substrate is rotated and the resist solution is diffused by utilizing centrifugal force. It will be scattered. Since the resist solution is generally expensive, various techniques for reducing the consumption amount of the resist solution have been proposed, but it is very difficult to sufficiently reduce the consumption amount.
[0005]
For example, although it depends on the size of the substrate, the amount of the resist solution required for coating on the substrate surface is about 1 cc, but considering the resist solution that scatters to the outside, 10 cc on the substrate surface. About a resist solution must be dropped. That is, only about 10% of the resist solution that is effectively used for forming the resist film out of the resist solution dropped from the resist nozzle is used.
[0006]
As described above, in the conventional apparatus, there is a problem that a processing solution such as a resist solution cannot be used effectively, and further, the cost for the waste liquid processing becomes high.
[0007]
An object of the present invention is to effectively use a treatment liquid for coating treatment to reliably reduce the consumption amount and to reduce the cost for waste liquid treatment.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
A substrate processing apparatus according to
[0009]
In this apparatus, the processing liquid is discharged from the discharge means to the substrate held by the substrate holding means, and the processing liquid is supplied to the substrate surface. Excess processing liquid is recovered by the recovery means, and the viscosity thereof is measured by the first viscometer. And based on this viscosity measurement result, the viscosity of a process liquid is adjusted so that it may increase in viscosity by a viscosity increase apparatus. The viscosity-adjusted processing liquid or new processing liquid is switched by the supply means as necessary and supplied to the discharge means.
[0010]
Here, since the processing liquid that has been discarded in the past is reused after the viscosity adjustment, the processing liquid can be used more effectively than in the conventional apparatus, and consumption can be reliably suppressed. . Further, since the amount of waste liquid is reduced, the cost for waste liquid treatment can be reduced, and the risk of environmental pollution is reduced.
[0011]
According to a second aspect of the present invention, there is provided the substrate processing apparatus according to the first aspect, wherein the viscosity adjusting means adjusts the viscosity so as to reduce the viscosity of the recovered processing liquid based on the measurement result of the first viscometer. It further includes a viscosity reducing device and switching means. The switching means is configured to increase the viscosity of the recovered processing liquid when it is determined from the measurement result of the first viscometer that the recovered processing liquid is lower in viscosity than the original processing liquid. When it is determined that the viscosity has been increased, the recovered processing liquid is sent to the viscosity reducing device.
[0012]
For example, when recovering only the resist solution, generally, the resist solution is often thicker than the original viscosity. Therefore, in this apparatus, in such a case, the collected resist solution is sent to the viscosity reducing apparatus via the switching means, where the solvent is added and diluted (reduced viscosity). In the opposite case, it is sent to the thickening device via the switching means, where it is degassed to increase the viscosity.
[0013]
[0014]
In this apparatus, the viscosity of the processing liquid whose viscosity is adjusted by the viscosity adjusting means based on the measurement result of the first viscometer is measured again by the second viscometer. That is, it is confirmed whether or not the desired viscosity is obtained by adjusting the viscosity. When the desired viscosity is reached, the treatment liquid is supplied to the subsequent stage, but when the viscosity is not the desired viscosity, the viscosity is further adjusted, and when the desired viscosity is reached, the treatment liquid is supplied to the subsequent stage.
[0015]
Depending on the treatment liquid, it is necessary to accurately control the viscosity. In this apparatus, after adjusting the viscosity of the processing liquid to be reused, the viscosity is measured, and after the processing liquid having a desired viscosity is obtained, it is supplied to the subsequent stage. Therefore, even if a reused processing solution is used, good processing can be performed.
[0016]
[0017]
In this apparatus, for example, when the recovered processing solution such as a resist solution is thicker than the original viscosity, the processing solution is sent to the viscosity reducing device via the switching means, where a solvent is added. And diluted (low viscosity). In the opposite case, it is sent to the thickening device via the switching means, where it is degassed to increase the viscosity.
[0018]
[0019]
[0020]
In this apparatus, a resist solution and a rinse solution are used as processing solutions. Although the resist solution is composed of a resin component and a solvent, the present inventors have found that some of the solvents of the resist solution can be used as a rinse solution. Therefore, here, a resist solution whose solvent can be used as a rinse solution is selected. Therefore, when collecting these solutions, it is not necessary to collect the resist solution and the rinse solution separately, and they can be collected in the same container. Then, the recovered treatment liquid is adjusted for viscosity and reused. Here, there is no need to distinguish and collect the resist solution and the rinsing solution, so that the configuration for collection is simplified. In addition, processing for reuse becomes easy.
[0021]
[0022]
In this apparatus, a resist solution and a rinse solution are used as processing solutions. The resist solution is composed of a resin component and a solvent. However, when the solvent of the resist solution is different from the rinse solution, they cannot be processed together. Therefore, in this case, only the resist solution is reused, and only the resist solution is recovered in the recovery means. For this reason, even when the solvent of the resist solution is different from the rinse solution, only the resist solution can be recovered and reused.
[0023]
[0024]
[0025]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
[ Prerequisite basic configuration ]
FIG. 1 shows the present invention. Prerequisite basic configuration Indicates. this Case Uses a rotary substrate processing apparatus as an example of the substrate processing apparatus. In this rotary substrate processing apparatus, a resist solution coating process, an edge rinse process, and a back rinse process are performed. Furthermore, the resist solution contains a novolac resin or a polyvinylphenol resin as a resin component, and any one of 2-heptanone, EL (ethyl lactate), and MMP (methyl-3 methoxypropionate) as a solvent. Use what includes. The present inventor has found that these three solvents can be used as a rinsing liquid in the edge rinsing process and the back rinsing process after the resist liquid coating process. So this Constitution Then, any one of the three kinds of solvents is used as a rinsing liquid for each rinsing treatment.
[0026]
<Main body of rotary substrate processing apparatus>
In the figure, the rotary substrate processing apparatus includes a rotatable
[0027]
Further, this rotary substrate processing apparatus includes an edge rinse liquid supply nozzle (hereinafter referred to as an edge rinse nozzle) that discharges the same rinse solution as the solvent of the resist solution to the peripheral edge of the substrate in order to remove the resist film adhering to the peripheral edge of the substrate. 15) and a back rinse liquid supply nozzle (hereinafter referred to as a back rinse nozzle) 16 for discharging the same rinse solution as the solvent of the resist solution on the back surface of the substrate in order to clean the back surface of the substrate.
[0028]
The resist
[0029]
<Processing liquid circulation device>
Further, this rotary substrate processing apparatus has a processing
[0030]
The
[0031]
The thickening
[0032]
In such a
[0033]
Further, the
[0034]
<Control block of treatment liquid circulation device>
Next, a control block related to the treatment
[0035]
<Coating and rinsing>
When performing the resist solution coating process and the rinsing process using this rotary substrate processing apparatus, the substrate W is first placed on the
[0036]
Next, a rinsing process is performed. In the rinsing process, the substrate W is rotated at a predetermined number of revolutions, and the rinse liquid is discharged from the edge rinse
[0037]
Thereafter, after the discharge of the rinsing liquid is stopped, the substrate W is further rotated at a high speed, whereby the rinsing liquid on the substrate W is shaken off and the substrate W is dried.
[0038]
<Control of treatment liquid circulation device>
Next, the control processing in the processing
[0039]
In step S1 of FIG. 5, it is determined whether or not the viscosity adjustment processing is performed. In step S2, it is determined whether or not the supply of the reused resist solution is started. In step S3, the supply of the reused resist solution is stopped. Judge whether or not.
[0040]
If there is an instruction for viscosity adjustment processing, the process proceeds from step S1 to step S4. In step S4, the treatment liquid collected in the
[0041]
If there is an instruction to start supplying the reused resist solution, the process proceeds from step S2 to step S5, and the process for starting the supply of the reused resist solution is executed. Here, the switching
[0042]
Further, when there is an instruction to stop supplying the reused resist solution, the process proceeds from step S3 to step S6. Here, the switching
[0043]
Next, the viscosity adjustment process will be described in detail. In step S10 of FIG. 6, the viscosity of the processing liquid in the
[0044]
In step S14, the
[0045]
In step S15, the viscosity of the processing liquid is increased or decreased by the
[0046]
In step S16, it is determined whether or not there is an instruction to end the viscosity adjustment processing. When there is an end instruction, the process proceeds to step S17, and the
[0047]
By such treatment, it becomes possible to collect surplus resist solution and rinse solution, adjust these treatment solutions to the original reference viscosity, and reuse them. Therefore, the resist solution can be used effectively, and the consumption can be saved greatly. Further, the waste liquid treatment of the resist liquid becomes easy, and the cost for the waste liquid treatment can be reduced.
[0048]
[ Another configuration 1 ]
In the rotary substrate processing apparatus, when only the resist liquid coating process is performed, that is, when the rinsing process is not performed, the processing liquid is only the resist liquid. In this case, apparatus As in the case described above, the excess resist solution once discharged from the resist
[0049]
[ Alternative configuration 2 ]
In FIG. Another configuration Indicates. here In the same manner as described above, a rotary substrate processing apparatus is taken as an example of the substrate processing apparatus. In this rotary substrate processing apparatus, the resist solution coating process, the edge rinse process, and the back rinse process are performed, but the resist solution solvent and the rinse solution are different. Depending on the type of solvent used in the resist solution, it cannot be used as a rinse solution. Constitution Is configured to cope with such a case.
[0050]
That is, in this rotary substrate processing apparatus, the resist solution solvent and the rinsing solution are different, and therefore it is necessary to distinguish and collect the resist solution and the rinsing solution. Therefore, especially the configuration of the cup part is Constitution Is different.
[0051]
As shown in detail in FIG. 8, the
[0052]
As shown in FIG. 7, a resist
[0053]
Here, when the resist solution is applied, the
[0054]
At this time, the surplus resist solution is scattered to the outer peripheral side by the centrifugal force generated by the rotation of the substrate W. Since the resist solution scatters within the range indicated by the one-dot chain line in FIG. 8A, the resist solution does not hit the
[0055]
On the other hand, when the rinsing process is performed, the
[0056]
At this time, the rinsing liquid is scattered outside the substrate W by the centrifugal force generated by the rotation of the substrate W. The scattered rinsing liquid hits the inner wall of the
[0057]
In the resist solution coating process, some of the resist solution hits the inner wall of the
[0058]
As described above, the resist solution and the rinse solution can be separately collected in the
[0059]
in this way, This configuration Then, even when the solvent of the resist solution is different from the rinse solution, the resist solution can be reused.
[0060]
[No. 1 Embodiment]
Figure 9 1 The structure of the process
[0061]
This first 1 In the embodiment, the configuration of the
[0062]
The control block in this case is shown in FIG. The
[0063]
Next, the viscosity adjustment processing of this embodiment will be described with reference to the flowchart shown in FIG.
[0064]
In this viscosity adjustment process, the on-off
[0065]
In step S25, each
[0066]
In step S26, the viscosity of the reused resist solution whose viscosity has been increased or decreased is recognized based on the data from the
[0067]
In step S30, it is determined whether or not there is an instruction to end the viscosity adjustment processing. When there is an end instruction, the process proceeds to step S31 and the
[0068]
In such an embodiment, the resist solution can be reused and the viscosity of the reused resist solution can be accurately adjusted to the reference viscosity.
[0069]
[No. 2 Embodiment]
Figure 12 2 The structure of the process
[0070]
This first 2 The
[0071]
Here, a switching
[0072]
The control block in this case is shown in FIG. The
[0073]
The viscosity adjustment process in this case will be described according to the flowchart shown in FIG. The processing from step S40 to step S45 in the viscosity adjustment processing here is the same as that described above. 1 This is exactly the same as step S20 to step S25 (FIG. 11) of the embodiment.
[0074]
In step S46, the viscosity of the reuse resist solution stored in the
[0075]
On the other hand, if the reused resist solution has not reached the reference viscosity, the process proceeds from step S47 to step S49, and the switching
[0076]
Note that when the reused resist solution is returned to the
[0077]
In step S50, it is determined whether or not there is an instruction to end the viscosity adjustment processing. If there is an end instruction, the process proceeds to step S51, and the
[0078]
In such an embodiment, the resist solution can be reused and the viscosity of the reused resist solution can be accurately adjusted to the reference viscosity.
[0079]
[Other Embodiments]
(A) In each of the above embodiments, the resist solution or the resist solution and the rinsing solution are described as examples of the processing solution. However, the present invention is applied to other coating processing solutions such as polyimide and SOG. Can be reused.
[0080]
(B) The present invention is particularly effective when applied to a rotary substrate processing apparatus. However, the present invention is also applied to other substrate processing apparatuses, for example, apparatuses that perform a coating process by moving a slit nozzle without rotating a substrate. it can.
[0081]
(C) When only the resist solution is recovered and reused, the recovered resist solution is generally thickened. Therefore, in such a case, it is sufficient to provide only a viscosity reducing device as the viscosity adjusting unit. That is, depending on the type of the treatment liquid, the recovered excess treatment liquid may be necessarily increased in viscosity or decreased in viscosity. In such a case, only one of the thickening device and the low viscosity device may be provided.
[0082]
【The invention's effect】
As described above, in the present invention, the viscosity of the collected processing liquid is adjusted so that it can be reused, so that the processing liquid can be used effectively and waste liquid processing is facilitated.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 of the present invention Prerequisite
FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a thickening device.
FIG. 3 is a schematic configuration diagram of a low viscosity device.
FIG. 4 is a control block diagram of a processing liquid circulation device.
FIG. 5 is a control flowchart of the processing liquid circulation device.
FIG. 6 is a flowchart of viscosity adjustment processing.
[Fig. 7] Another
FIG. 8 is an enlarged view of a cup portion.
FIG. 9 shows the first of the present invention. 1 The schematic block diagram of the process liquid circulation apparatus part by embodiment.
FIG. 10 1 The control block diagram of embodiment.
FIG. 11 1 The flowchart of the viscosity adjustment process of embodiment.
FIG. 12 shows the first of the present invention. 2 The schematic block diagram of the process liquid circulation apparatus part by embodiment.
FIG. 13 2 The control block diagram of embodiment.
FIG. 14 2 The flowchart of the viscosity adjustment process of embodiment.
[Explanation of symbols]
1 Substrate holder
2 Motor
3 resist nozzle
4 cups
15 Edge rinse nozzle
16 Back rinse nozzle
20, 75, 90 Treatment liquid circulation device
21 Collection tank
21a Resist liquid recovery tank
22,76 Viscosity adjuster
23 Reuse tank
31 Second circulation pump
35, 79, 80, 92 Viscometer
40,77 Thickening device
41,78 Viscosity reduction device
42, 91 selector valve
60 Control unit
81,82 On-off valve
Claims (7)
基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持された基板に対して処理液を吐出する吐出手段と、
前記吐出手段から吐出された処理液を回収する回収手段と、
前記回収手段により回収された処理液の粘度を測定する第1の粘度計と、
前記第1の粘度計の測定結果に基づいて前記回収された処理液の粘度を調整する粘度調整手段と、
粘度調整された処理液の粘度を測定する第2の粘度計と、
前記第2の粘度計の測定結果に基づいて、粘度調整された処理液の後段への供給を制御する供給制御手段と、
前記粘度調整された処理液を前記吐出手段に供給する供給手段と、
を備えた基板処理装置。A substrate processing apparatus for supplying a processing liquid to a substrate surface and performing a predetermined process,
Substrate holding means for holding the substrate;
Discharge means for discharging a processing liquid to the substrate held by the substrate holding means;
A recovery means for recovering the processing liquid discharged from the discharge means;
A first viscometer that measures the viscosity of the treatment liquid recovered by the recovery means;
Viscosity adjusting means for adjusting the viscosity of the recovered processing liquid based on the measurement result of the first viscometer;
A second viscometer for measuring the viscosity of the treated liquid whose viscosity has been adjusted;
Supply control means for controlling the supply of the viscosity-adjusted processing liquid to the subsequent stage based on the measurement result of the second viscometer;
Supply means for supplying the treatment liquid whose viscosity has been adjusted to the discharge means;
A substrate processing apparatus comprising:
送られてきた処理液を増粘度化するように粘度調整する増粘度化装置と、
送られてきた処理液を低粘度化するように粘度調整する低粘度化装置と、
前記第1の粘度計の測定結果によって、前記回収された処理液が元の処理液の粘度よりも低粘度化されていると判断されたときは回収された処理液を前記増粘度化装置に送り、増粘度化されていると判断されたときは回収された処理液を前記低粘度化装置に送る切換手段と、
を有している請求項1に記載の基板処理装置。The viscosity adjusting means is
A viscosity-increasing device for adjusting the viscosity so as to increase the viscosity of the processing liquid that has been sent;
A viscosity-reducing device for adjusting the viscosity so as to reduce the viscosity of the processing liquid sent to it;
When it is determined from the measurement result of the first viscometer that the recovered processing liquid is lower in viscosity than the original processing liquid, the recovered processing liquid is supplied to the thickening device. A switching means for sending the collected processing liquid to the viscosity reducing device when it is determined that the viscosity is increased;
The substrate processing apparatus according to in which claim 1 has.
前記回収手段は前記レジスト液のみを選択的に回収する、
請求項1から6のいずれかに記載の基板処理装置。The treatment liquid is composed of a resist liquid composed of a resin component and a solvent, and a rinse liquid different from the solvent of the resist liquid used for the cleaning step after the resist liquid coating treatment,
The recovery means selectively recovers only the resist solution;
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 6.
前記基板保持手段を回転駆動するための駆動手段をさらに有している、
請求項1から5のいずれかに記載の基板処理装置。The substrate holding means is rotatable;
A driving means for rotating the substrate holding means;
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 5.
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