DE202005020274U1 - Coating plant for wafers - Google Patents

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Abstract

Beschichtungsanlage für Wafer mit Beschichtungsvorrichtung (2) zum Aufbringen von flüssigen Stoffen, insbesondere von Photopolymerlösungen, auf rotierende Wafer, mit einem Gehäuse (3), mit einer rotierenden Aufnahme (4) für einen zu beschichtenden Wafer, mit einer Zuführung (5) für aufzubringende flüssige Stoffe und mit einer Entnahme (6) für nicht auf dem Wafer verbliebene flüssige Stoffe, dadurch gekennzeichnet, dass das Gehäuse (3) einen Beschichtungsraum (7) mit der darin angeordneten Aufnahme (4) umschließt und dieser Beschichtungsraum (7) mit einem inerten Gas (8) angefüllt ist.coating plant for wafers with a coating device (2) for applying liquid substances, in particular of photopolymer solutions, on rotating wafers, with a housing (3), with a rotating Recording (4) for a wafer to be coated, with a supply (5) for applied liquid substances and with a withdrawal (6) for not on the wafer remaining liquid substances, characterized that the case (3) a coating space (7) with the receptacle arranged therein (4) encloses and this coating space (7) is filled with an inert gas (8).

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Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Beschichtungsanlage für Wafer. Eine solche Beschichtungsanlage für Wafer wird bei der Herstellung integrierter Schaltungen insbesondere im Zusammenhang mit dem Aufbringen von Fotopolymerlösungen, auch Fotoresist genannt, auf einen Wafer verwendet.The This invention relates to a wafer coating machine. Such a coating system for wafers is used in the production integrated circuits, in particular in connection with the application of photopolymer solutions, too Photoresist called, used on a wafer.

Der typische Herstellungsprozess für Integrierte Schaltungen verwendet einen oder mehrere fotolithographische Schritte, um Strukturen auf der Oberfläche eines Siliziumwafers oder eines ähnlichen Substrats zu definieren. Diese Strukturen werden in nachfolgenden Schritten verwendet, um eine Vielzahl von Elementen, die zusammen aktive Bauelemente und eine Verbindungsschaltung einer integrierten Schaltung bilden, zu realisieren.Of the typical manufacturing process for Integrated circuits use one or more photolithographic Steps to structures on the surface of a silicon wafer or a similar one Define substrate. These structures will be discussed below Steps used to create a variety of items together active components and a connection circuit of an integrated Make circuit, realize.

Das Substrat ist normalerweise als kreisförmiger Wafer ausgebildet. Eine Schachbrettstruktur aus quadratischen oder rechteckförmigen Chips ist durch Linien gebildet, entlang derer die Chips getrennt werden können, sobald die Verarbeitungsschritte, die auf dem Wafer durchgeführt werden, beendet sind.The Substrate is normally formed as a circular wafer. A Checkerboard structure of square or rectangular chips is formed by lines along which the chips are separated can, once the processing steps that are performed on the wafer, finished.

Die herkömmliche Fotolithographie umfasst eine Anzahl von gut bekannten Schritten. Dabei wird das Substrat in eine Beschichtungsvorrichtung mit einem Drehtisch gegeben. Dann wird die obere Substratoberfläche, auf der die Schaltungsmerkmale gebildet werden sollen, durch ein flüssiges Lösungsmittel gereinigt. Das Lösungsmittel kann ein geeignetes Bond-Agens einschließen, um die Anhaftung einer Fotopolymerschicht, die nachfolgend auf die Substratoberfläche aufgebracht wird, zu unterstützen.The conventional Photolithography includes a number of well known steps. The substrate is in a coating device with a Given turntable. Then the upper substrate surface, on the circuit features are to be formed, cleaned by a liquid solvent. The solvent may include a suitable bonding agent to prevent the adhesion of a photopolymer layer, which is subsequently applied to the substrate surface to assist.

Als nächstes wird der Drehtisch betrieben, um den Wafer zu drehen. Diese Drehbewegung schleudert überschüssiges Lösungsmittel ab, bis die Substratoberfläche trocken zu sein scheint. Dann wird der Drehtisch ausgeschaltet. Nachdem der Wafer zum Stillstand gekommen ist, wird eine vorbestimmte Menge einer Fotopolymerlösung auf der Substratoberfläche aufgebracht. Anschließend wird der Drehtisch in Betrieb genommen, um die flüssige Fotopolymerlösung auf der Substratoberfläche zu verteilen.When next the turntable is operated to turn the wafer. This rotational movement hurls excess solvent from, until the substrate surface seems dry. Then the turntable is turned off. After the wafer has come to a standstill, a predetermined Amount of a photopolymer solution on the substrate surface applied. Subsequently The turntable is put into operation to the liquid photopolymer solution on the substrate surface to distribute.

Sobald die Fotopolymerlösung getrocknet ist, wird sie auswahlmäßig belichtet, entweder unter Verwendung einer Maske oder unter Verwendung einer Direktschreibtechnik, um jeden Chip in Übereinstimmung mit den erwünschten Konfigurationen einer Schicht des Gesamtlayouts des integrierten Schaltungsentwurfs zu strukturieren. Nachfolgende Schritte, wie zum Beispiel Ätzen, Dotieren, Oxidieren oder verschiedene Ausscheidungsschritte werden unter Verwendung dieser und nachfolgend gebildeter und strukturierter Fotopolymerschichten durchgeführt.As soon as the photopolymer solution dried, it is selectively exposed, either using a mask or using a direct write technique every chip in accordance with the desired Configurations of a layer of the overall layout of the integrated circuit design to structure. Subsequent steps, such as etching, doping, Oxidizing or different precipitation steps are used this and subsequently formed and structured photopolymer layers carried out.

Viele unterschiedliche Faktoren können die Qualität, Gleichmäßigkeit und Zuverlässigkeit der fotolithographischen Techniken, wie sie in bekannten Herstellungsprozessen für Integrierte Schaltungen verwendet werden, nachteilhaft beeinflussen. Diese Faktoren schließen die Materialien, Techniken und Bedingungen des Aufbringens der flüssigen Stoffe insbesondere der Fotopolymerlösungen ein. Idealerweise wird die gebildete Fotopolymerschicht von einer solchen Qualität sein, dass eine genaue Fotoreproduktion aller mikroskopischen Details der Maske zuerst in der Fotopolymerschicht – auch Fotoresistschicht genannt – und dann bei den physikalischen Schaltungselementen, die unter Verwendung dieser Fotopolymerschicht zu bilden sind, ermöglicht ist.Lots different factors can the quality, uniformity and reliability photolithographic techniques as used in known manufacturing processes for integrated Circuits used to adversely affect. These factors shut down in particular the materials, techniques and conditions of application of the liquid substances the photopolymer solutions one. Ideally, the formed photopolymer layer is covered by a such quality be that an accurate photo reproduction of all the microscopic details the mask first in the photopolymer layer - also called photoresist layer - and then in the physical circuit elements using this photopolymer layer are to form, is possible.

Alle physikalischen, chemischen und Umgebungsfaktoren müssen vorsichtig gesteuert werden, damit keiner der Strukturierungsschritte bezüglich eines Wafers oder der Proportionen der einzelnen Chips fehlschlagen. Manchmal können einzelne Faktoren allein nicht ausreichend sein, um Probleme zu bewirken, aber diese werden in Kombination die Qualität insbesondere der Fotopolymerschicht und anschließend die Qualität der sich ergebenden Schaltungselementen nachteilhaft beeinflussen.All physical, chemical and environmental factors must be careful be controlled so that none of the structuring steps with respect to a Wafers or the proportions of each chip fail. Sometimes can individual factors alone will not be enough to cause problems but these are combined in the quality of the particular photopolymer layer and subsequently the quality adversely affect the resulting circuit elements.

Aus dem europäischen Patent EP 0 403 0 086 B1 ist eine Beschichtungsanlage für Wafer bekannt. Eine solche Beschichtungsanlage wurde zur Bildung des Oberbegriffs des geltenden Patentanspruchs 1 herangezogen.From the European patent EP 0 403 0 086 B1 is a coating system for wafers known. Such a coating system was used to form the preamble of valid claim 1.

Die bekannten Beschichtungsanlagen zeigen das Problem, dass die verschiedenen flüssigen Stoffe, insbesondere die Fotopolymerlösungen nicht in so ausreichender Qualität aufgebracht werden, dass in ausreichender Verlässlichkeit die physikalischen Schaltungselemente der Chips realisiert werden können, weshalb die Qualität des Herstellungsprozesses zu schlecht ist.The known coating systems show the problem that the various liquid substances, in particular the photopolymer solutions not in sufficient quality be applied that in sufficient reliability the physical Circuit elements of the chips can be realized, which is why the quality of the manufacturing process too bad.

Folglich besteht die Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, eine Beschichtungsanlage für Wafer anzugeben, durch die die Qualität des fotolithografischen Herstellprozesses merklich erhöht wird. consequently the object of the present invention is a coating system for wafers indicate by the quality of the photolithographic manufacturing process is significantly increased.

Diese Aufgabe wird durch eine Beschichtungsanlage für Wafer mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst.These Task is performed by a coating system for wafers with the characteristics of Claim 1 solved.

Vorteilhafte Weiterbildungen der Beschichtungsanlage für Wafer sind Gegenstand der Unteransprüche.advantageous Further developments of the coating system for wafers are the subject of Dependent claims.

Die erfindungsgemäße Beschichtungsanlage für Wafer zeigt eine Beschichtungsvorrichtung zum Aufbringen von flüssigen Stoffen, insbesondere von Fotopolymerlösungen, die im Rahmen des Fotolithographieprozesses sei es zur Reinigung oder auch zur Bildung der Fotopolymerschicht, auch Fotoresistschicht genannt, von Bedeutung sind.The coating system according to the invention For wafers shows a coating device for applying liquid substances, in particular of photopolymer solutions, which in the context of the photolithography process, it is for cleaning or to form the photopolymer layer, also called photoresist layer, are of importance.

In eine rotierende Aufnahme, die häufig als Drehteller bezeichnet wird, wird der Wafer eingebracht und auf diesen wird entweder im statischen oder im dynamischen, rotierenden Zustand der flüssige Stoff insbesondere die Fotopolymerlösung über eine Zuführung aufgebracht. Von dem rotierenden Wafer wird der überschüssige flüssige Stoff, insbesondere die Fotopolymerlösung, abgeschleudert und aus dem Gehäuse der Beschichtungsvorrichtung der Beschichtungsanlage entnommen.In a rotating shot that is common is referred to as a turntable, the wafer is introduced and on this is either static or dynamic, rotating Condition of the liquid Substance in particular the photopolymer solution applied via a feed. From the rotating wafer, the excess liquid material, in particular the Photo polymer solution thrown off and out of the case taken from the coating device of the coating system.

Erfindungsgemäß wird die Beschichtungsvorrichtung mit einem Gehäuse realisiert, das es ermöglicht, den Beschichtungsraum, das heißt das Volumen, in dem der rotierende Wafer angeordnet ist, und die Zuführung sowie die Entnahme mit einem inerten Gas anzufüllen, durch welches der flüssige Stoff, insbesondere die Fotopolymerlösung, von einem Kontakt mit störenden Substanzen der Umgebungsluft insbesondere Sauerstoff oder Luftfeuchtigkeit geschützt wird. Dabei gelingt es den erfindungsgemäß erkannten störenden Einfluss von Sauerstoff, der bei den Fotopolymerlösungen zu einer Oxidation der stark polaren Wasserstoffbrücken führt, sowie Hydroxylgruppen in chinoide Systeme umwandelt, zu vermeiden. Weiterhin gelingt es, störende Verseifungsreaktionen der Fotopolymerlösungen aufgrund der Luftfeuchtigkeit in der Luft zu verhindern, wodurch die Fotoinitiatoren ihre Reaktionsfähigkeit gegenüber den Photonen in den folgenden Belichtungsschritten im Rahmen des Fotolithographieprozesses verlieren.According to the invention Coating device realized with a housing which makes it possible the coating room, that is the volume in which the rotating wafer is arranged, and the feed and to fill the withdrawal with an inert gas through which the liquid substance, in particular the photopolymer solution, from a contact with disturbing Substances of the ambient air, in particular oxygen or atmospheric moisture protected becomes. In this case, it succeeds according to the invention detected disturbing influence of oxygen, which in the photopolymer solutions to an oxidation of the strongly polar hydrogen bonds leads, and converts hydroxyl groups into quinoidal systems. Furthermore, it succeeds, disturbing Saponification reactions of the photopolymer solutions due to atmospheric moisture to prevent in the air, causing the photoinitiators their reactivity across from the photons in the following exposure steps as part of the Lose photolithography process.

Durch diese erfindungsgemäße Ausbildung der Beschichtungsvorrichtung mit einem Beschichtungsraum, der mit einem inerten Gas angefüllt ist, wird die Qualität der verwendeten flüssigen Stoffe insbesondere der Fotopolymerlösungen erhöht, was zu einer Verbesserung des Gesamtprozesses beziehungsweise der Qualität der hergestellten Chips führt. Dabei muss der Beschichtungsraum nicht den ganzen Innenraum des Gehäuses der Beschichtungsvorrichtung umfassen.By this inventive design of Coating device with a coating chamber, which with a filled inert gas is, the quality becomes the used liquid Substances in particular of the photopolymer solutions increases, resulting in an improvement the overall process or the quality of the chips produced leads. there the coating room does not have the whole interior of the housing Coating device include.

Dabei wird das Gehäuse der Beschichtungsvorrichtung vorzugsweise gasdicht, also geschlossen, insbesondere aus V4A-Stahl oder Glas realisiert und dabei so ausgebildet, dass der ganze Innenraum des Gehäuses mit einer Schutzgasatmosphäre also mit inertem Gas versehen ist. Die Zuführung des oder der Wafer erfolgt dabei bevorzugt über eine Schleuse. Insbesondere werden zeitgleich mehrere Wafer gemeinsam über die Schleuse in die Beschichtungsvorrichtung eingeführt und innerhalb der Beschichtungsvorrichtung einzelnen auf die Aufnahme aufgebracht beziehungsweise von dieser entnommen. Dabei werden die fertig beschichteten Wafer wiederum gesammelt und über eine insbesondere weitere Schleuse aus der Beschichtungsvorrichtung entnommen. Durch die Verwendung der Schleusen gelingt es, die Inertatmosphäre dauerhaft und verlässlich zu erhalten.there becomes the case the coating device preferably gas-tight, so closed, in particular made of V4A steel or glass and thereby designed that the whole interior of the case with a protective gas atmosphere So is provided with inert gas. The feeding of the wafer or wafers takes place preferably over a lock. In particular, at the same time several wafers together over the Sluice introduced into the coating device and within the coating device single applied to the recording or from this taken. The finished coated wafers are collected again and over a particular further lock from the coating device taken. By using the locks, the inert atmosphere succeeds permanently and reliable to obtain.

Als für die erfindungsgemäße Vorrichtung besonders geeignetes Glas hat sich Duran-Glas erwiesen, das sich als besonders widerstandsfähig gegen die in der Vorrichtung verwendeten flüssigen und gasförmigen Stoffe und in besonderem Maße gasdicht erwiesen, was sich sehr vorteilhaft für erweist. When for the inventive device especially suitable glass has proven to be Duran glass, which proves to be special resistant against the liquid and gaseous substances used in the device and in particular proved gas-tight, which proves to be very beneficial.

Als besonders vorteilhaft erweist es sich, das Inertgas, das bevorzugt als molekularer Stickstoff oder als Edelgas insbesondere als Helium, Neon oder Argon oder einer Kombination daraus gebildet ist, vor der Verwendung in der Beschichtungsanlage zu entfeuchten. Dies wird bevorzugt mit Hilfe eines Molekularsiebs realisiert, das mit Hilfe von Zeolithen die vorhandene Restfeuchtigkeit in dem inerten Gas entfernt. Als besonders vorteilhaft hat sich eine Reinheit von 99,99999 % an molekularem Stickstoff bewährt, die durch die Verwendung eines geeigneten Molekularsiebes erreicht wird. Dabei werden sowohl störende größere Moleküle als auch die verbleibende Restfeuchtigkeit in dem molekularen Stickstoff durch die in dem Molekularsieb vorhandenen Zeolithe zurückgehalten.When it proves particularly advantageous, the inert gas, the preferred as molecular nitrogen or as noble gas, in particular as helium, Neon or argon or a combination thereof is formed before to dehumidify the use in the coating plant. this will preferably realized by means of a molecular sieve, which with the help of of zeolites, the residual moisture present in the inert gas removed. Particularly advantageous is a purity of 99.99999% Proven at molecular nitrogen, achieved by the use of a suitable molecular sieve becomes. It will be both disturbing bigger molecules as well the residual moisture remaining in the molecular nitrogen retained by the zeolites present in the molecular sieve.

Durch die besondere Verwendung einerseits des inerten Gases zur Verhinderung der störenden Einflüsse einerseits des Luftsauerstoffes und andererseits der Luftfeuchtigkeit ist in besonderem Maße sichergestellt, dass eine schädigende Wirkung durch die Luft und durch Feuchtigkeit auf die verwendeten flüssigen Stoffe verhindert werden kann.By the particular use of the inert gas on the one hand to prevent the disturbing influences on the one hand of atmospheric oxygen and on the other hand the humidity is in especially ensured that a damaging Effect of air and moisture on the liquid substances used can be prevented.

Als besonders bevorzugte Ausbildung der Erfindung hat es sich bewährt, die Aufnahme in dem Gehäuse der Beschichtungsvorrichtung durch eine ringförmige Auffangschale zu umschließen, die die von dem Wafer abgeschleuderten flüssigen Stoffe aufnimmt.When Particularly preferred embodiment of the invention, it has been proven that Recording in the housing The coating device to enclose by an annular collecting tray, the absorbs the liquid substances thrown off the wafer.

Um dies besonders vorteilhaft zu realisieren, ist die ringförmige Auffangschale so ausgebildet, dass sie die Aufnahme mit dem darauf befindlichen Wafer ringförmig umschließt, wobei deren Innendurchmesser größer, insbesondere wenige cm größer (insbesondere etwa 1 cm größer), als der Durchmesser des zu beschichtenden Wafers gewählt ist. Weiterhin zeigt die ringförmige Auffangschale eine Wand, gegen die die von dem rotierenden Wafer abgeschleuderten flüssigen Stoffe prallen und anschließend an der Wand ablaufen und in dem unteren Teil Auffangschale gesammelt werden.To realize this particularly advantageous, the annular collecting tray is formed so that it surrounds the receptacle with the wafer thereon annularly, wherein the inner diameter is larger, in particular a few cm larger (in particular about 1 cm larger) than the diameter of the wafer to be coated is selected. Furthermore, the annular drip tray shows a wall against which the liquid substances thrown off the rotating wafer collide and then run off the wall and in the lower part Collecting tray to be collected.

Durch diese Ausbildung der Auffangschale und Anordnung dieser gelingt es sehr effizient abgeschleuderte flüssige Stoffe, insbesondere Fotopolymere aufzufangen, ohne dass sie durch die schädigende Wirkung der Umgebungsatmosphäre, insbesondere des Luftsauerstoffs oder der Luftfeuchtigkeit, in ihrer Wirksamkeit Schaden nehmen. Dadurch ist es möglich, die in der Auffangschale aufgefangenen flüssigen Stoffe, insbesondere die aufgefangenen Fotopolymerlösungen, ohne aufwändige Reinigungs- oder Bearbeitungsprozessschritte der Wiederverwendung in der erfindungsgemäßen Beschichtungsanlage zuzuführen.By This training of the drip tray and arrangement succeeds it very efficiently thrown off liquid substances, in particular Capture photopolymers without being harmed by the harmful Effect of the ambient atmosphere, in particular the atmospheric oxygen or the humidity, in their Effectiveness damage. This makes it possible to put in the drip tray trapped liquid Substances, in particular the collected photopolymer solutions, without elaborate Cleaning or machining process steps of reuse in the coating system according to the invention supply.

Dabei hat es sich als besonders vorteilhaft herausgestellt, die Auffangschale in der Gestalt eines hohlen Torus zu realisieren, der eine ringförmige den Torus umfassende Lücke aufweist. Dabei ist die Lücke in der Wand des Torus so angeordnet, dass sie dem Mittelpunkt des Torus zugewandt ist und diesen Mittelpunkt kreisförmig umschließt. Dabei ist der Mittelpunkt des Torus so positioniert, dass er im Bereich der Rotationsachsen der Aufnahme für den Wafer positioniert ist. Dadurch ist sichergestellt, dass die vom rotierenden Wafer abgeschleuderten flüssigen Stoffe zielsicher durch die Lücke in der Wandung des Torus hindurch treten und im Inneren des Torus, der die Auffangschale bildet, aufgefangen und gesammelt werden. Der vorzugsweise aus Glas gebildete Torus erinnert in seiner Gestalt an einen Autoreifen ohne Felge.there It has proved to be particularly advantageous, the drip tray to realize in the shape of a hollow torus, which is an annular torus comprehensive gap having. Here is the gap arranged in the wall of the torus so that they are the center of the Torus facing and enclosing this center circular. there is the center of the torus positioned so that it is in the area of Rotation axes of the recording for the wafer is positioned. This ensures that the from rotating wafers centrifugally thrown off liquid substances the gap in the wall of the torus and inside the torus, which forms the drip tray, collected and collected. The torus, which is preferably made of glass, is reminiscent in its shape to a car tire without a rim.

Durch diese Ausbildung insbesondere aus Glas ist einerseits eine sehr wirkungsvolle Auffangschale realisiert und zum anderen sichergestellt, dass diese Auffangschale durch die verwendeten flüssigen Stoffe nicht geschädigt wird. Im Übrigen wird diese Auffangschale, die bevorzugt aus Glas oder auch aus V4A-Stahl gebildet wird, nicht durch die verwendeten inerten Gase in dem Beschichtungsraum negativ beeinflusst. Hierdurch gelingt es, die erfindungsgemäße Beschichtungsanlage dauerhaft eine hohe Fertigungsqualität zu realisieren.By This training, in particular made of glass is on the one hand a very realizes effective catchment and on the other hand ensures that This drip tray is not damaged by the liquid substances used. Incidentally, will This drip tray, which is preferably made of glass or V4A steel is formed, not by the inert gases used in the coating chamber negatively influenced. This makes it possible, the coating system according to the invention permanently realize a high production quality.

Vorzugsweise wird die ringförmige Auffangschale mit einer Entnahmevorrichtung versehen, die die in der ringförmigen Auffangschale gesammelten flüssigen Stoffe entnimmt und in ein Lagergefäß befördert. Dabei ist das Lagergefäß zur Lagerung der flüssigen Stoffe, die insbesondere als entfeuchtete und entgaste flüssige Stoffe realisiert sind, so ausgebildet, dass diese flüssigen Stoffe, insbesondere die Fotopolymerlösungen, nicht durch schädigende Gase der Umgebung, insbesondere durch Sauerstoff oder durch Luftfeuchtigkeit, negativ beeinflusst werden. Dies wird insbesondere dadurch erreicht, dass das Lagergefäß und die Transportleitung aus V4A-Stahl oder aus Glas realisiert sind und vorzugsweise das Lagergefäß so ausgebildet ist, dass über dem Vorrat an flüssigem Stoff dauerhaft eine Atmosphäre aus Inertgas angeordnet ist. Dabei endet die Transportleitung bevorzugt im Bereich des Flüssigkeitssammelvolumens der Auffangschale und saugt dort mittels Unterdruck, der insbesondere durch eine angeschlossene Pumpe realisiert wird, die aufgefangenen flüssigen Stoffe aus der Auffangschale ab und fördert sie über die gasdichte Transportleitung in das Lagergefäß.Preferably becomes the annular Drip tray provided with a removal device, the in the annular Drip tray collected liquid Removes substances and transports them to a storage vessel. The storage vessel is for storage the liquid Substances, in particular as dehumidified and degassed liquids are realized, designed so that these liquid substances, in particular the photopolymer solutions, not by harmful gases the environment, in particular by oxygen or by atmospheric moisture, be negatively influenced. This is achieved in particular by that the storage vessel and the Transport line made of V4A steel or glass are realized and preferably the storage vessel is formed is that over that Stock of liquid Fabric permanently an atmosphere is arranged in inert gas. In this case, the transport line ends preferably in the area of the liquid collection volume the drip tray and sucks there by means of negative pressure, in particular is realized by a connected pump, the collected liquid Material from the drip tray and conveys them via the gas-tight transport line in the storage vessel.

Von dort können dann die in unterschiedlichen Lagergefäßen von einander getrennt gesammelten, im Herstellungsprozess verwendeten, flüssigen Stoffe wieder dem Herstellungsprozess in der Beschichtungsanlage zugeführt werden. Gegebenenfalls werden diese in einem Lagergefäß gesammelten verschiedenen flüssigen Stoffe in einem entsprechenden Vorratsbehälter überführt, aus dem heraus die restliche Beschichtungsanlage versorgt wird. Dabei erfolgt diese Überführung mittels gasdichter Transportleitungen.From there you can then the separate collected in different storage vessels of each other, In the manufacturing process, liquid substances used in the manufacturing process supplied in the coating plant become. If necessary, these are collected in a storage vessel different liquid Substances in a corresponding reservoir transferred from the out the remaining Coating plant is supplied. This transfer takes place by means of gas-tight transport lines.

In einer besonders bevorzugten Ausbildung der erfindungsgemäßen Beschichtungsanlage sind ein beziehungsweise mehrere Vorratsbehälter für die Zuführung von flüssigen Stoffen vorgesehen, welche insbesondere Polymerlösungen enthalten. Von diesem oder diesen Vorratsbehältern führt eine oder mehrere Transportleitungen, welche gasdicht ausgebildet sind, zu der Beschichtungsvorrichtung, in der die flüssigen Stoffe zur Herstellung der Wafer in einem Fotolithographieverfahren verwendet werden. Dabei sind die Vorratsbehälter erfindungsgemäß so ausgebildet, dass sie zur Lagerung von entgasten oder von entgasten und entfeuchteten flüssigen Stoffen, insbesondere von Fotopolymerlösungen, geeignet sind. Dabei haben sich insbesondere die Herstellung des oder der Vorratsbehälter mittels V4A-Stahl oder Glas besonders bewährt. Durch diese Realisierung gelingt es, die in dem Herstellungsprozess verwendeten flüssigen Stoffe in dem Vorratsbehälter sicher vor dem schädigenden Einfluss der Umweltatmosphäre insbesondere vor Sauerstoff und vor Luftfeuchtigkeit zu schützen.In a particularly preferred embodiment of the coating system according to the invention are one or more storage containers for the supply of liquid substances provided, which in particular contain polymer solutions. Of this or these storage containers leads one or a plurality of transport lines, which are gas-tight, to the coating device in which the liquid substances for the production the wafer can be used in a photolithography process. there are the reservoirs According to the invention designed that they were degassed for storage of or degassed and dehumidified liquid Substances, in particular of photopolymer solutions, are suitable. there In particular, the preparation of the reservoir or by means of V4A steel or glass especially proven. Through this realization manages the liquid substances used in the manufacturing process in the reservoir safe from the injurious Influence of the environmental atmosphere especially to protect against oxygen and humidity.

Hierdurch gelingt es, die Qualität der verwendeten flüssigen Stoffe insbesondere der Fotopolymere über einen längeren Zeitraum auf hohem Niveau zu halten und dadurch die Qualität des Herstellungsprozesses der Wafer zu gewährleisten. Dabei hat es sich besonders bewährt, den oder die Vorratsbehälter einerseits mit einer Entgasungsvorrichtung und fakultativ oder ergänzend mit einer Entfeuchtungsvorrichtung zu versehen, wodurch es gelingt, in dem Vorratsbehälter eventuell eingebrachte störende Gase oder Feuchtigkeit zu entfernen und dadurch die Qualität der flüssigen Stoffe, welche zur Herstellung der Wafer verwendet werden, zielgerichtet zu erhöhen. Dabei wird der Vorratsbehälter vorzugsweise so realisiert, dass über dem Vorrat an flüssigen Stoffen stets eine Atmosphäre aus inerten Gasen insbesondere aus entfeuchteten, inerten Gasen angeordnet ist.This makes it possible to keep the quality of the liquid substances used in particular the photopolymers at a high level over a longer period of time and thereby to ensure the quality of the manufacturing process of the wafer. It has proven particularly useful to provide the reservoir on the one hand with a degassing and optional or supplemental with a dehumidifier, which manages to remove possibly introduced in the reservoir disturbing gases or moisture and thereby the quality of the liquid substances, which for Production of wafers used to increase purposefully. In this case, the reservoir is preferably so realized that over the supply of liquid materials always an atmosphere of inert gases, in particular dehumidified, inert gases is arranged.

Aus den bekannten Möglichkeiten eine Entgasungsvorrichtung oder eine Entfeuchtungsvorrichtung zu realisieren hat es sich besonders bewährt, diese dadurch zu realisieren, dass im Bodenbereich des Vorratsbehälters ein flächig ausgebildetes Sieb realisiert ist, das Öffnungen aufweist, durch die zur Entgasung und insbesondere zur Entfeuchtung der flüssigen Stoffe, insbesondere der Fotopolymerlösungen, molekularer Stickstoff und/oder Edelgase hinaus treten und anschließend durch den Vorrat an flüssigen Stoffen, insbesondere Fotopolymerlösungen, aufsteigen und dabei die in den flüssigen Stoffen enthaltenen anderen Gase und insbesondere Restfeuchtigkeit lösen und aus den flüssigen Stoffen entfernen. Anschließend werden die Gase mit der in den Gasen gelösten Restfeuchtigkeit gesammelt und abgepumpt. Dabei wird der molekulare Stickstoff bzw. das Edelgas, das insbesondere aus Helium, Neon und/oder Argon oder einer Kombination daraus besteht, vor der Zuführung über eine Zuführleitung mit Hilfe einer Entfeuchtungsstufe, die insbesondere als Molekularsieb ausgebildet ist, welches insbesondere Zeolithe aufweist, von der in dem zugeführten Gas befindlichen Restfeuchtigkeit befreit. Durch die Verwendung von gereinigtem und entfeuchtetem Gas in dem Vorratsgefäß zur Entgasung und Entfeuchtung der flüssigen Stoffe, insbesondere der Fotopolymere, gelingt es, die für den Herstellungsprozess notwendigen flüssigen Stoffe in hoher Reinheit und Qualität zur Verfügung zu stellen und dadurch die Qualität der hergestellten Chips zu hochzuhalten.Out the known possibilities a degassing device or a dehumidifying device it has proven to be particularly effective in realizing these that in the bottom region of the reservoir a flat trained Sieve is realized, the openings through which for degassing and in particular for dehumidification the liquid Substances, in particular the photopolymer solutions, molecular nitrogen and / or noble gases and then through the supply of liquid substances, in particular photopolymer solutions, ascend while containing those contained in the liquid substances dissolve other gases and in particular residual moisture and from the liquid substances remove. Subsequently the gases are collected with the residual moisture dissolved in the gases and pumped out. This is the molecular nitrogen or the noble gas, in particular from helium, neon and / or argon or a combination it consists, before the supply over a feed with the help of a dehumidification stage, in particular as a molecular sieve is formed, which in particular zeolites, from the in the supplied Gas residual moisture freed. By use of purified and dehumidified gas in the storage vessel for degassing and dehumidifying the liquid Substances, in particular the photopolymers, succeed, the for the manufacturing process necessary liquid To provide substances in high purity and quality and thereby the quality of the produced chips to uphold.

Nach einer bevorzugten Ausbildung der erfindungsgemäßen Beschichtungsanlage ist das Lagergefäß ebenso wie der oder die Vorratsbehälter mit einer Entgasungsvorrichtung und insbesondere mit einer Entfeuchtungsvorrichtung versehen, wodurch es möglich ist, die durch den Herstellungsprozess mit unerwünschtem Gas oder Feuchtigkeit verunreinigten flüssigen Stoffe, insbesondere die Fotopolymere, von den gasförmigen oder flüssigen Verunreinigungen zu befreien, was analog zu der Entgasung beziehungsweise Entfeuchtung in dem Vorratsbehälter erfolgt.To a preferred embodiment of the coating system according to the invention the storage vessel as well like the reservoir (s) with a degassing device and in particular with a dehumidifying device provided, making it possible That is through the manufacturing process with unwanted gas or moisture contaminated liquid Substances, in particular the photopolymers, of the gaseous or liquid To liberate impurities, which is analogous to the degassing or Dehumidification in the reservoir he follows.

Danach kann die Qualität der flüssigen Stoffe mithilfe von Viskositätsmessgeräten bestimmt werden und gegebenenfalls durch Zusatz von Lösungsmitteln und/oder Harzen die gewünschte Viskosität eingestellt werden, bevor sie dem weiteren Herstellungsprozess zugeführt werden. Dabei hat es sich besonders bewährt, die aus dem Lagergefäß entnommenen flüssigen Stoffe fakultativ einer Feinstfiltration durch Filter mit einer Porengröße von etwa 0,01 μm oder darunter zu filtrieren. Als besonders geeignete Filter haben sich hier so genannte Nanoshield-Filter, da sind Nanotube-Filter, bewährt. Hierdurch gelingt es, extrem kleine störende Partikel und Gelpartikel aus den flüssigen Stoffen, insbesondere aus den Fotopolymerlösungen, zu entfernen und dadurch die Qualität der flüssigen Stoffe, insbesondere der Fotopolymerlösungen, auf einem sehr hohen Qualitätsstandard zu halten. Durch dieses besondere erfindungsgemäße Verfahren gelingt es, eine Qualität im Sub-ppb-Bereich zu realisieren.After that can the quality the liquid Substances determined by means of viscosity meters and optionally by the addition of solvents and / or resins the desired Viscosity adjusted before being sent to the further manufacturing process. It has proven particularly useful taken from the storage vessel liquid Fabrics optionally a ultrafine filtration through filters with a Pore size of about 0.01 μm or below to filter. As a particularly suitable filters have this way called Nanoshield filters, there are nanotube filters, proven. hereby succeeds, extremely disturbing Particles and gel particles from the liquid substances, in particular from the photopolymer solutions, to remove and thereby the quality of the liquid substances, in particular the Photo polymer solutions, on a very high quality standard to keep. By this particular method according to the invention succeeds, a quality in the sub-ppb area.

Eine besonders bevorzugte Ausbildung der Beschichtungsanlage zeigt einen Lösungsmittelbehälter für ein Lösungsmittel zum Lösen der aufgebrachten flüssigen Stoffe, nachdem diese auf dem Wafer angetrocknet oder getrocknet sind, und eine Vorrichtung zum zielgerichteten Aufbringen des Lösungsmittels auf den mit dem flüssigen Stoff, insbesondere mit Fotopolymerlösungen, beschichteten Wafer, um diesen partiell von der Beschichtung zu befreien. Durch das aus dem Lösungsmittelbehälter aufgebrachte Lösungsmittel wird die Beschichtung partiell gelöst und das Gemisch aus Lösungsmittel und Beschichtung wird aus der Beschichtungsvorrichtung über die Entnahme, die typischerweise unterhalb der Aufnahme angeordnet ist, einem Auffanggefäß zugeführt. Dabei ist diese besondere Ausbildung der Beschichtungsanlage so realisiert, dass auch beim Aufbringen des Lösungsmittel die inerte Atmosphäre bewahrt ist, so dass sichergestellt ist, dass der Beschichtungsraum nicht durch störende Gase oder störende Luftfeuchtigkeit der Umgebungsluft verseucht wird und in weiteren Herstellungsprozessen die Qualität der Aufbringung von flüssigen Stoffen, insbesondere von Fotopolymerlösungen, beeinträchtigt wird. Durch diese erfindungsgemäße Ausbildung der Beschichtungsanlage gelingt es einerseits, die Qualität bei der Aufbringung der flüssigen Stoffe während des gesamten Fotolithographieprozesses hochzuhalten und dadurch die Qualität des Herstellungsprozesses insgesamt auf hohem Niveau zu bewahren. Zudem gelingt es, den Aufwand für die Herstellung einer inerten Atmosphäre im Bereich des Beschichtungsraumes durch den Erhalt der inerten Atmosphäre klein zu halten und dadurch die Betriebskosten beziehungsweise Herstellungskosten der Chips zusätzlich zu verringern.A Particularly preferred embodiment of the coating system shows a Solvent container for a solvent to release the applied liquid Substances after these are dried on the wafer or dried and a device for targeted application of the solvent on the one with the liquid Fabric, in particular with photopolymer solutions, coated wafers, To partially rid this of the coating. By the out applied to the solvent container solvent the coating is partially dissolved and the mixture of solvent and Coating is removed from the coating apparatus via the Removal, which is typically located below the receptacle, fed to a collecting vessel. there this special design of the coating system is realized in such a way that also when applying the solvent the inert atmosphere is preserved, so that ensures that the coating room not by disturbing gases or disturbing Humidity of the ambient air is contaminated and in more Manufacturing processes the quality the application of liquid substances, in particular of photopolymer solutions, impaired becomes. By this inventive design On the one hand, the coating system succeeds in improving the quality of the Application of the liquid Fabrics during keep up the entire photolithography process and thereby the quality of Total manufacturing process at a high level. moreover manages the effort for the production of an inert atmosphere in the region of the coating space by keeping the inert atmosphere small and thereby the operating costs or production costs of the chips additionally to reduce.

Dabei hat es sich besonders bewährt, das Auffanggefäß und die Entnahmeleitung, die das Auffanggefäß mit der Entnahme verbindet, gasdicht zu fertigen. Dies wird insbesondere dadurch realisiert, dass diese aus V4A-Stahl oder auch aus beschichteten und damit lichtdichtem Glas realisiert sind. Darüber hinaus hat es sich bewährt, in der Entnahmeleitung insbesondere im Bereich des Anschlusses an das Auffanggefäß einen Nanoshield-Filter vorzusehen. Dies ist ein Filter, der Nanotube-Elemente zur Filterung enthält, die insbesondere Poren mit einem Durchmesser im Bereich von 0,1 μm oder darunter insbesondere im Bereich von 0,01 μm zeigen. Dabei ist der Porendurchmesser so gewählt, dass er an das jeweils verwendete Lösungsmittel so angepasst ist, dass das Lösungsmittel wie auch die gelöste Beschichtung durch den Nanoshield-Filter hindurch treten kann, wogegen Schwermetallkontaminationen oder andere größere Moleküle z.B. gelartige Makromoleküle durch den Nanoshield-Filter zurückgehalten werden.It has proven particularly useful to produce the collecting vessel and the extraction line, which connects the collecting vessel with the removal, gas-tight. This is realized in particular by the fact that they are made of V4A steel or coated and therefore light-tight glass. In addition, it has proven useful to provide a nanoshield filter in the extraction line, in particular in the area of the connection to the collecting vessel. This is a filter that contains nanotube elements for filtering, especially pores with a diameter in the range of 0.1 μm or less especially in the range of 0.01 microns show. In this case, the pore diameter is selected so that it is adapted to the particular solvent used so that the solvent as well as the dissolved coating can pass through the nanoshield filter, whereas heavy metal contaminants or other larger molecules such as gel-like macromolecules retained by the nanoshield filter become.

Dabei wird das Auffanggefäß bevorzugt so ausgebildet, dass es über dem flüssigen Auffanggut eine inerte Atmosphäre insbesondere aus molekularem Stickstoff und/oder Edelgas, insbesondere als getrocknetes Gas, zeigt. Durch diese inerte, insbesondere getrocknete inerte Atmosphäre ist sichergestellt, dass das Auffanggut, das sich aus dem Lösungsmittel und den Beschichtungsrückständen zusammensetzt, nicht durch die schädigenden Einflüsse der Umgebungsatmosphäre zersetzt.there the collecting vessel is preferred so educated that it over the liquid Collecting an inert atmosphere in particular from molecular nitrogen and / or noble gas, in particular as dried gas, shows. By this inert, especially dried inert atmosphere it is ensured that the collecting material, which is made up of the solvent and the coating residues, not by the injurious influences the ambient atmosphere decomposed.

Nach einer bevorzugten Ausbildung der Erfindung wird das Auffanggut aus dem Auffanggefäß entnommen und einer Vakuumdestillationsvorrichtung zugeführt. Diese Vakuumdestillationsvorrichtung trennt das oder die Lösungsmittel in dem Auffanggut von den Beschichtungsbestandteilen, die anschließend jeweils in zugeordnete gasdichte Behälter überführt werden. Dabei erfolgt die Vakuumdestillation vorzugsweise so, dass die Destillationstemperatur merklich unter 70°C gehalten wird. Dies wird insbesondere dadurch erreicht, dass unter einem Unterdruck im Bereich von wenigen mbar insbesondere im Bereich von 10 bis 20 mbar gearbeitet wird. Bei diesen gewählten Destillationsbedingungen gelingt es, die dort verwendeten Lösungsmittel sicher von den Beschichtungsbestandteilen, die aus den verwendeten flüssigen Stoffen, insbesondere den Fotopolymeren, hervorgehen, zu trennen, ohne dass diese flüssigen Stoffe, insbesondere die Fotopolymere, durch die Destillation zersetzt werden oder anderweitig Schaden nehmen.To In a preferred embodiment of the invention, the collecting material is made removed from the collecting vessel and a vacuum distillation device. This vacuum distillation device separates the solvent or solvents in the receiving material of the coating components, which subsequently each be transferred to associated gas-tight container. The vacuum distillation is preferably carried out so that the distillation temperature noticeably below 70 ° C is held. This is achieved in particular by the fact that under a negative pressure in the range of a few mbar, especially in the range is worked from 10 to 20 mbar. At these selected distillation conditions manages the solvents used there safely from the coating components, those from the used liquid Substances, in particular the photopolymers, emerge to separate, without that liquid Substances, in particular the photopolymers, decomposed by the distillation be damaged or otherwise damaged.

Durch diese erfindungsgemäße Ausbildung der Beschichtungsanlage gelingt es, die flüssigen Stoffe, die durch die Verwendung von Lösungsmitteln aus der Beschichtung des Wafers gelöst wurden, wieder zu recyceln und aufgrund der erfindungsgemäßen Realisierung der Anlage in einer Qualität zu recyceln, die es ermöglicht, dass die gelösten, vakuumdestillierten, flüssigen Stoffe, insbesondere die Fotopolymere, wieder dem Herstellungsprozess zugeführt werden können. Dies erfolgt bevorzugt durch Zuführung in einen der erfindungsgemäßen Vorratsbehälter.By this inventive design of Coating plant manages the liquid substances by the Use of solvents solved the coating of the wafer were to recycle and because of the realization of the invention the plant in a quality to recycle, which makes it possible that the solved, vacuum distilled, liquid Substances, especially the photopolymers, again the manufacturing process supplied can be. This is preferably done by feeding in one of the storage container according to the invention.

Vorzugsweise werden die recycelten flüssigen Stoffe, insbesondere die Fotopolymere, durch Zuführung unter anderem von Harzen oder Lösungsmitteln in ihrer Viskosität so eingestellt, dass sie im Herstellungsprozess wirksam und effektiv verwendet werden können. Darüber hinaus hat es sich bewährt, die flüssigen Stoffe vor der Zuführung in den Vorratsbehälter mit einem Molekularsieb von Verunreinigungen, insbesondere von gelöster Feuchtigkeit, zu reinigen.Preferably become the recycled liquid Substances, in particular the photopolymers, by feeding inter alia of resins or solvents in their viscosity adjusted to be effective and effective in the manufacturing process can be used. About that In addition, it has proven itself, the liquid Fabrics before the feeder in the reservoir with a molecular sieve of impurities, in particular of dissolved moisture, to clean.

Nach einer besonders bevorzugten Ausbildung der Erfindung sind das Gehäuse der Beschichtungsvorrichtung, das Lagergefäß, der Vorratsbehälter, das Auffanggefäß und/oder der Lösungsmittelbehälter sowie die Förderleitungen für flüssige Stoffe zwischen diesen lichtdicht insbesondere aus V4A-Stahl oder aus lichtdicht beschichtetem Glas ausgebildet. Durch diese Ausbildung gelingt es, die gesamte erfindungsgemäße Beschichtungsanlage gasdicht aber auch lichtdicht zu realisieren, wodurch die schädliche Atmosphäre der Umgebung insbesondere deren Sauerstoff und die Luftfeuchtigkeit nicht zu einer Schädigung oder Beeinträchtigung der flüssigen Stoffe insbesondere der Fotopolymere oder der Lösungsmittel führen kann, und es zudem nicht zu einer unerwünschten fotoinduzierten Reaktion aufgrund des Umgebungslichtes kommen kann. Hierdurch gelingt es, die Qualität der verwendeten Stoffe und damit die Qualität des Herstellungsprozesses für Chips auf hohem Niveau zu halten und dadurch den Herstellungsprozess sehr effizient zu gestalten.To a particularly preferred embodiment of the invention, the housing of the Coating device, the storage vessel, the storage tank, the Collecting vessel and / or the solvent container as well the delivery lines for liquids between This light-proof especially made of V4A steel or light-tight coated glass formed. Through this training, it is possible the entire coating system according to the invention gas-tight but also to realize light-tight, eliminating the harmful atmosphere of the environment especially their oxygen and humidity not too a damage or impairment the liquid Substances, in particular photopolymers or solvents, and it also does not cause an undesirable photo-induced reaction due to the ambient light can come. This succeeds the quality the materials used and thus the quality of the manufacturing process for chips to maintain a high level and thereby the production process very much efficient.

Nachfolgend ist in 1 eine beispielhafte Ausführung der Erfindung dargestellt. Die Erfindung ist nicht auf die beispielhaft dargestellte Realisierung der erfindungsgemäßen Beschichtungsanlage begrenzt, vielmehr umfasst die Erfindung auch davon abweichende Lösungen, die sich einem Fachmann aus der Gesamtheit der vorliegenden Unterlagen mit den beispielhaften Lösungen erschließen.Below is in 1 an exemplary embodiment of the invention shown. The invention is not limited to the exemplified realization of the coating system according to the invention, but the invention also encompasses deviating solutions, which will be apparent to a person skilled in the art from the entirety of the available documents with the exemplary solutions.

In der 1 ist eine schematische Darstellung einer ausgewählten erfindungsgemäßen Beschichtungsanlage für Wafer dargestellt.In the 1 is a schematic representation of a selected coating system according to the invention for wafers shown.

Neben einer Vielzahl anderer, nicht dargestellter Komponenten der Beschichtungsanlage stellt die Beschichtungsvorrichtung 3 die zentrale Komponente der Beschichtungsanlage für Wafer dar. In ihr ist eine Aufnahme 4 in dem Beschichtungsraum 7 angeordnet, der durch das Gehäuse 3, welches aus V4A-Stahl und damit gasdicht ausgebildet ist, umschlossen ist. In dem Beschichtungsraum 7 ist erfindungsgemäß eine Atmosphäre aus inerten Gas 8 vorhanden. Wird die Aufnahme 4 mit einem Wafer bestückt, auf den über die Zuführung 5 eine Fotopolymerlösung zugeführt wird, so wird durch die rotierende Aufnahme 4 die Fotopolymerlösung über den flächigen Wafer aufgrund der Rotation desselben verteilt. Die überschüssige Fotopolymerlösung wird dabei von dem rotierenden Wafer abgeschleudert.In addition to a variety of other, not shown components of the coating system provides the coating device 3 the central component of the coating plant for wafers. In it is a recording 4 in the coating room 7 Arranged by the housing 3 , which is made of V4A steel and thus gas-tight, is enclosed. In the coating room 7 According to the invention is an atmosphere of inert gas 8th available. Will the recording 4 equipped with a wafer, on top of the feeder 5 a photopolymer solution is supplied, so is by the rotating recording 4 the photopolymer solution is spread over the sheet wafer due to the rotation thereof. The excess photopolymer solution is thereby thrown off the rotating wafer.

Durch die erfindungsgemäße Ausbildung der Beschichtungsvorrichtung 2 mit der Atmosphäre aus Inertgas 8 gelingt es, eine Beschädigung oder Zerstörung der zugeführten Fotopolymerlösung zu verhindern und dadurch die Qualität des Herstellungsprozesses, der wesentlich von der Qualität der verwendeten Lösungen insbesondere der Fotopolymerlösungen abhängt, hochzuhalten. Dabei ist die inerte Atmosphäre 8 durch entfeuchteten molekularen Stickstoff realisiert, der einen Kontakt von Sauerstoff, insbesondere aus der Umgebungsluft, oder von Feuchtigkeit aus der Umgebungsluft verhindert.Due to the inventive design of the coater 2 with the atmosphere of inert gas 8th It is possible to prevent damage or destruction of the supplied photopolymer solution and thereby uphold the quality of the production process, which depends essentially on the quality of the solutions used, in particular the photopolymer solutions. Here is the inert atmosphere 8th realized by dehumidified molecular nitrogen, which prevents contact of oxygen, in particular from the ambient air, or moisture from the ambient air.

Der Sauerstoff führt zu einer Schädigung der Fotopolymerlösung aufgrund der Oxidation der stark polaren Wasserstoffbrücken und der Umwandlung der Hydroxylgruppen in chinoide Systeme. Auch eine unerwünschte Verseifung der Fotopolymerlösungen aufgrund der Feuchtigkeit insbesondere aus der Umgebungsluft kann erfolgreich durch die gewählte Inertatmosphäre verhindert werden.Of the Oxygen leads to injury the photopolymer solution due to the oxidation of the highly polar hydrogen bonds and the conversion of the hydroxyl groups into quinoid systems. Also an unwanted saponification the photopolymer solutions due the humidity, especially from the ambient air can be successful through the chosen inert atmosphere be prevented.

Dabei hat es sich besonders bewährt, die zugeführten Fotopolymerlösungen aus einem Vorratsbehälter 14 zu fördern, der selbst als geschlossener, aus V4A-Stahl gebildeter Behälter realisiert ist. Dieser ist dabei aus V4A-Stahl so realisiert, dass er gasdicht gegen die Umgebungsluft ausgebildet ist. In diesem Vorratsbehälter 14 ist ein Vorrat an Fotopolymerlösung vorhanden, der über eine Zuführleitung zugeführt wird. In dieser Zuführleitung ist ein Nanoshield-Filter 22 angeordnet, der gewährleistet, dass störende Partikel in der Fotopolymerlösung insbesondere Gelpartikel nicht in das Vorratsgefäß 14 gelangen. Der verwendete Nanoshield-Filter ist dabei so ausgebildet, dass die darin enthaltenen Nanotubes eine Porengröße im Bereich von 0,01 μm aufweisen. Durch diese Wahl ist gewährleistet, dass die gewünschte Fotopolymerlösung durch den Nanoshield-Filter hindurch treten kann, wohingegen größere Partikel insbesondere Gelpartikel oder andere größere Komplexe zurückgehalten werden.It has proven particularly useful, the supplied photopolymer solutions from a reservoir 14 which is itself realized as a closed container formed of V4A steel. This is made of V4A steel so that it is gas-tight against the ambient air. In this storage container 14 There is a supply of photopolymer solution which is supplied via a supply line. In this feed line is a nanoshield filter 22 which ensures that interfering particles in the photopolymer solution, in particular gel particles not in the storage vessel 14 reach. The nanoshield filter used is designed so that the nanotubes contained therein have a pore size in the range of 0.01 microns. This choice ensures that the desired photopolymer solution can pass through the nanoshield filter, whereas larger particles, particularly gel particles or other larger complexes, are retained.

Das Vorratsgefäß 14 ist mit einer Entgasungs- und Entfeuchtungsvorrichtung versehen, die durch ein Sieb 18 im Bodenbereich des Vorratsgefäßes 14 realisiert ist. Durch dieses Sieb, das ein Metallsieb aus V4A-Stahl mit Öffnungen von einer Größe zwischen 100 und 1000 μm dargestellt, wird extrem trockener molekularer Stickstoff in die Fotopolymerlösung eingeführt. Die von dem Sieb 18 gebildeten Gasblasen steigen durch die Fotopolymerlösung auf und spülen die dabei in der Fotopolymerlösung vorhandenen anderen gelösten Gase aus der Fotopolymerlösung heraus. Zusätzlich wird auch ein wesentlicher Anteil der in der Fotopolymerlösung vorhandenen Feuchtigkeit aus der Lösung im Rahmen der Entgasung entnommen. Durch diese spezielle Ausbildung der Entgasungs- und Entfeuchtungsvorrichtung gelingt es, den Vorrat an Fotopolymerlösung besonders trocken und gasarm insbesondere sauerstoffarm zu realisieren.The storage vessel 14 is provided with a degassing and dehumidifying device passing through a sieve eighteen in the bottom area of the storage vessel 14 is realized. This screen, which features a V4A steel mesh screen with openings between 100 and 1000 μm in size, introduces extremely dry molecular nitrogen into the photopolymer solution. The one from the sieve eighteen formed gas bubbles rise through the photopolymer solution and rinse the case thereby present in the photopolymer solution other dissolved gases from the photopolymer solution out. In addition, a substantial portion of the moisture present in the photopolymer solution is also removed from the solution as part of the degasification. This special design of the degassing and dehumidifying device makes it possible to realize the supply of photopolymer solution particularly dry and low in gas, in particular low in oxygen.

Dies wird im besonderen Maße dadurch erreicht, dass der dem Sieb 18 zugeführte molekulare Stickstoff beim Durchtritt durch die Zuführleitung 17 durch ein Molekularsieb 19 geführt wird. Dieses Molekularsieb 19 enthält Zeolithe, die den molekularen Stickstoff besonders wirkungsvoll entfeuchten. Durch diese Entfeuchtung gelingt es, einen extrem trockenen und reinen Stickstoff zu erhalten, der eine Reinheit von 99,99999% zeigt. Dieser gereinigte, extrem trockene Stickstoff wird auch als Inertgas in der Beschichtungsvorrichtung 2 und in anderen Behältnissen oder Gefäßen mit einer Inertatmosphäre verwendet.This is achieved in particular by the fact that the sieve eighteen supplied molecular nitrogen as it passes through the feed line 17 through a molecular sieve 19 to be led. This molecular sieve 19 contains zeolites, which dehumidify the molecular nitrogen particularly effectively. This dehumidification makes it possible to obtain an extremely dry and pure nitrogen, which shows a purity of 99.99999%. This purified, extremely dry nitrogen is also used as an inert gas in the coating apparatus 2 and used in other containers or vessels with an inert atmosphere.

Erfindungsgemäß wird die von dem Wafer abgeschleuderte Fotopolymerlösung durch eine Auffangschale 9 aufgefangen. Diese Auffangschale 9 ist aus Glas realisiert. Sie zeigt die Gestalt eines Fahrzeugreifens ohne Felge, also die Gestalt eines hohlen Torus, der eine ringförmige, den Torus umlaufende Lücke zeigt. Dabei ist die Lücke so ausgebildet und ausgerichtet, dass sie dem Mittelpunkt des Torus zugewandt ist und diesen kreisförmig umschließt. Durch diese Lücke wird die abgeschleuderte Fotopolymerlösung in die Auffangschale geschleudert und von der Wand des Torus aufgefangen und nach unten in eine Rinne der Auffangschale 9 abgeleitet. Dort wird die abgeschleuderte Fotopolymerlösung gesammelt. Die Auffangschale 9 ist dabei so um den rotierenden Wafer angeordnet, dass sich die Lücke in derselben Ebene wie der Wafer befindet und zusätzlich so ausgebildet, dass nur ein geringer Abstand im Bereich von 1 cm zwischen dem Durchmesser der Lücke und dem Außendurchmesser des Wafers, der auf der rotierenden Aufnahme 4 aufgebracht ist, vorliegt.According to the invention, the ejected from the wafer photopolymer solution through a collecting tray 9 collected. This drip tray 9 is made of glass. It shows the shape of a vehicle tire without rim, so the shape of a hollow torus, showing an annular, the torus surrounding gap. In this case, the gap is formed and aligned so that it faces the center of the torus and encloses this circular. Through this gap, the spun-off photopolymer solution is thrown into the drip tray and caught by the wall of the torus and down into a gutter of the drip tray 9 derived. There, the spun-off photopolymer solution is collected. The drip tray 9 is arranged around the rotating wafer so that the gap is in the same plane as the wafer and additionally formed so that only a small distance in the range of 1 cm between the diameter of the gap and the outer diameter of the wafer on the rotating admission 4 is applied, is present.

In diese Lücke zwischen Wafer und Auffangschale 9 greift eine Entnahmevorrichtung 10 ein, mit der die aufgefangene und gesammelte Fotopolymerlösung aus der Beschichtungsvorrichtung 2 entnommen und in ein Lagergefäß 11 über eine gasdichte Transportleitung 12 gefördert wird. In dem Lagergefäß 11, das wie die Transportleitung 12 aus gasdichtem V4A-Stahl gefertigt ist, wird die abgeschleuderte und geförderte Fotopolymerlösung gesammelt. Über dem flüssigen Sammelgut ist eine inerte Atmosphäre 13 aus dem getrockneten, molekularen Stickstoff angeordnet. Diese Atmosphäre 13 wird mit Hilfe einer Entfeuchtungs- und Entgasungsvorrichtung 21 realisiert, die der Entgasungs- und Entfeuchtungsvorrichtung 17, 18, 19 in dem Vorratsbehälter 14 entspricht.In this gap between wafer and drip tray 9 picks up a removal device 10 with which the collected and collected photopolymer solution from the coater 2 taken and in a storage vessel 11 via a gas-tight transport line 12 is encouraged. In the storage vessel 11 That's like the transport line 12 Made of gas-tight V4A steel, the spun and conveyed photopolymer solution is collected. Above the liquid groupage is an inert atmosphere 13 arranged from the dried, molecular nitrogen. This atmosphere 13 is using a dehumidifying and degassing device 21 realized, the degassing and dehumidifying device 17 . eighteen . 19 in the reservoir 14 equivalent.

Mithilfe dieser erfindungsgemäßen Anordnung aus Vorratsbehälter 14 mit Entgasungs- und Entfeuchtungsvorrichtung sowie der Beschichtungsvorrichtung 2 mit inerter Atmosphäre im Beschichtungsraum 7 und der Auffangschale 9 mit Entnahmevorrichtung 10 sowie dem gasdicht ausgebildeten Lagergefäß 11 mit Entgasungs- und Entfeuchtungsvorrichtung gelingt es, in dem Lagergefäß 11 eine Fotopolymerlösung zu sammeln, die in der Qualität der Fotopolymerlösung in dem Vorratsbehälter 14 entspricht. Um die Qualität noch zu erhöhen, wird zusätzlich vor einer Förderung der Fotopolymerlösung aus dem Lagergefäß 11 in den Vorratsbehälter 14 diese Lösung durch den Nanoshield-Filter 22 geführt. Durch diese Realisierung des Vorratsbehälters 14 und des Lagergefäßes 11 ist die Qualität der Fotopolymerlösung für den Herstellungsprozess von Chips in der erfindungsgemäßen Beschichtungsanlage auf besonders hohem Niveau gewährleistet.With the aid of this inventive arrangement of storage container 14 with degassing and dehumidifying device and the coating device 2 with inert atmosphere in the coating room 7 and the drip tray 9 with removal device 10 and the gas-tight trained La gergefäß 11 with degassing and dehumidifying succeeds in the storage vessel 11 to collect a photopolymer solution that is in the quality of the photopolymer solution in the reservoir 14 equivalent. In order to increase the quality even further, before a promotion of the photopolymer solution from the storage vessel 11 in the reservoir 14 this solution through the nanoshield filter 22 guided. Through this realization of the reservoir 14 and the storage vessel 11 the quality of the photopolymer solution for the manufacturing process of chips in the coating system according to the invention is ensured at a particularly high level.

Auch ist es nun möglich, einen geschlossenen Fotopolymerlösungskreislauf zu realisieren, der, beginnend mit dem Vorratsgefäß 14, der Beschichtungsvorrichtung 2 und dem Lagergefäß 11 mit den zugehörigen Transport- und Zuleitungen, ein geschlossenes, gasdichtes und insbesondere inertgasgefülltes System bildet, das insgesamt eine sehr dauerhafte hohe Qualität der Fotopolymerlösung gewährleistet. Hierdurch ist ein sehr effizientes und qualitativ hoch stehendes Herstellungsverfahren von Chips durch die erfindungsgemäße Beschichtungsanlage gewährleistet.Also, it is now possible to realize a closed photopolymer solution cycle, starting with the storage vessel 14 , the coating device 2 and the storage vessel 11 forms with the associated transport and supply lines, a closed, gas-tight and in particular inert gas-filled system, which ensures a total of a very durable high quality of the photopolymer solution. As a result, a very efficient and high-quality manufacturing process of chips is ensured by the coating system according to the invention.

Nach der Beschichtung mit der Fotopolymerlösung wird eine so genannte Randentlackung bzw. Rückseitenspülung durchgeführt. Hierbei werden Bereiche des beschichteten Wafers von der Fotopolymerschicht befreit. Hierzu werden Lösungsmittel verwendet, die geeignet sind, als Lösungsmittel für die mit der Fotopolymerlösung gebildete Beschichtung verwendet zu werden. Als besonders vorteilhaft hat sich hierbei PGMEA (Propylen Glykol Monomethyl Ether Acetate), EL (Ethyl Lactate), MMP (Methyl 3-Methoxypropionate) oder EEP (Ethyl 3-Ethoxypropionate) bewährt.To the coating with the photopolymer solution becomes a so-called Border finish or backwash performed. in this connection Be areas of the coated wafer of the photopolymer layer freed. These are solvents used, which are suitable as solvents for with the photopolymer solution formed coating to be used. As a particularly advantageous has PGMEA (propylene glycol monomethyl ether acetate), EL (ethyl lactate), MMP (methyl 3-methoxypropionate) or EEP (ethyl 3-Ethoxypropionate) proven.

Das Lösungsmittel wird aus dem Lösungsmittelbehälter 30, das ebenso wie der Vorratsbehälter 14 oder das Lagergefäß 11 aus gasdichtem V4A-Stahl gebildet ist und mit einer Schutzgasatmosphäre aus inertem, molekularem, getrocknetem Stickstoff versehen ist, gefördert. Das geförderte Lösungsmittel wird über eine Förderleitung in die Beschichtungsvorrichtung gefördert.The solvent is removed from the solvent container 30 , as well as the reservoir 14 or the storage vessel 11 formed of gas-tight V4A steel and provided with an inert gas atmosphere of inert, dried molecular nitrogen, promoted. The delivered solvent is conveyed via a delivery line into the coating apparatus.

Dort wird es über eine Vorrichtung 31 zum zielgerichteten Aufbringen des Lösungsmittels, welche mit einer Düse versehen ist und in den Randbereich des Wafers zielt, aufgebracht. Im Rahmen dieses Prozessschrittes wird die Beschichtung des mit der getrockneten Fotopolymerlösung beschichteten Wafers partiell entfernt und die Mischung aus dem Lösungsmittel und der gelösten Beschichtung dann über die Entnahme 6 aus der Beschichtungsvorrichtung 2 entnommen. Durch die in der Beschichtungsvorrichtung 2 vorhandene inerte Atmosphäre 8 ist sichergestellt, dass das Lösungsmittel nicht durch störende Partikel der Umgebungsluft, insbesondere durch Sauerstoff oder Feuchtigkeit verunreinigt wird, was in folgenden Recyclingprozessen zu einer Schädigung der Lösungsmittel bzw. der Fotopolymerlösung führt.There it will have a device 31 for the targeted application of the solvent, which is provided with a nozzle and aims in the edge region of the wafer applied. In the course of this process step, the coating of the wafer coated with the dried photopolymer solution is partially removed and the mixture of the solvent and the dissolved coating is then removed by removal 6 from the coating device 2 taken. By in the coating device 2 existing inert atmosphere 8th it is ensured that the solvent is not contaminated by disturbing particles of the ambient air, in particular by oxygen or moisture, which leads to damage of the solvents or of the photopolymer solution in the following recycling processes.

Die Entnahme 6 der Beschichtungsvorrichtung 2 ist über eine Entnahmeleitung 33 mit dem Auffanggefäß 32 verbunden. Auch dieses ist aus V4A-Stahl gasdicht realisiert. Im Verbindungsbereich des Auffanggefäßes 32 mit der Entnahmeleitung 33 ist ein Nanoshield-Filter 34 mit einem Porendurchmesser der Nanotubes im Bereich von 0,1 μm oder insbesondere im Bereich von 0,01 μm realisiert. Hierdurch ist gewährleistet, dass sowohl das Lösungsmittel wie auch die gelösten Fotopolymere sicher durchtreten können, wohingegen größere Komplexe insbesondere gelartige Partikel zurück gehalten werden.The removal 6 the coating device 2 is via a sampling line 33 with the collecting vessel 32 connected. This too is made gas-tight from V4A steel. In the connection area of the collecting vessel 32 with the sampling line 33 is a nanoshield filter 34 realized with a pore diameter of the nanotubes in the range of 0.1 microns or in particular in the range of 0.01 microns. This ensures that both the solvent and the dissolved photopolymers can pass safely, whereas larger complexes, in particular gelatinous particles, are retained.

In dem Auffanggefäß 32 wird das Auffanggut 35 als Gemisch aus Lösungsmittel und Beschichtung aufgefangen und unter einer inerten Atmosphäre aus getrocknetem, molekularem Stickstoff zwischengelagert. Von hier aus wird es anschließend, sobald eine ausreichende Menge an Auffanggut 35 gesammelt ist, einer Vakuumdestillationsvorrichtung 40 zugeführt. Diese Vakuumdestillationsvorrichtung arbeitet bei einer Temperatur von etwa 65 °C und bei einem Druck von etwa 10 bis 20 mbar. Mithilfe dieser Vakuumdestillationsvorrichtung 40 gelingt es, Polymerlösung von 100 bis 500 mpas aus dem Auffanggut 35 zu trennen und die davon wiederum getrennten Lösungsmittel sehr rein zu gewinnen. Die Vakuumdestillationsvorrichtung 40 zeigt dabei eine Destillationsleistung von 500 1/h.In the collecting vessel 32 becomes the collecting material 35 collected as a mixture of solvent and coating and stored under an inert atmosphere of dried, molecular nitrogen. From here it is then, as soon as a sufficient amount of Auffanggut 35 is collected, a vacuum distillation device 40 fed. This vacuum distillation apparatus operates at a temperature of about 65 ° C and at a pressure of about 10 to 20 mbar. With the help of this vacuum distillation device 40 succeeds, polymer solution of 100 to 500 mpas from the receiving material 35 to separate them in turn separated solvents very pure. The vacuum distillation device 40 shows a distillation capacity of 500 1 / h.

Die Lösungsmittel werden anschließend in den Lösungsmittelbehälter 30 überführt, wohingegen die Fotopolymerlösungen in den Behälter 41 überführt werden, von dem aus nach einer Einstellung der gewünschten Viskosität, die von besonderer Bedeutung für den Beschichtungsprozess ist, diese in den Vorratsbehälter 14 überführt werden. Die Einstellung der Viskosität erfolgt durch Zugabe von Lösungsmittel zur Verringerung der Viskosität bzw. von Harzen zur Erhöhung der Viskosität.The solvents are then added to the solvent tank 30 whereas the photopolymer solutions enter the container 41 from which, after adjustment of the desired viscosity, which is of particular importance for the coating process, they are introduced into the reservoir 14 be transferred. The viscosity is adjusted by adding solvents for reducing the viscosity or of resins for increasing the viscosity.

Auch hat es sich bewährt, bis zu 1 % Imidazol zuzugeben, das die Temperaturstabilität und die Plasmaätzstabilität des beschichteten Wafers verbessert. Auch hat es sich bewährt, temperaturbeständige Nanopartikel beispielsweise als Fullerene oder Rutheniumoxid mit einem Durchmesser von ca. 25 nm zuzugeben, die wiederum die Temperaturbeständigkeit und die Widerstandskraft beim Plasmaätzen oder bei der Ionenimplantation des beschichteten Wafers verbessern.Also has it proven Add up to 1% imidazole, the temperature stability and the plasma etch stability of the coated Wafers improved. It has also proven itself, temperature-resistant nanoparticles for example as fullerenes or ruthenium oxide with a diameter of about 25 nm, in turn, the temperature resistance and the resistance to plasma etching or ion implantation of the coated wafer.

Dabei erfolgt die Vakuumdestillation in der Vakuumdestillationsvorrichtung 40 sowie die Lagerung in dem Lösungsmittelbehälter 30 sowie in dem Behälter 41 in einer Weise, dass ein wirkungsvoller Schutz gegen den Einfluss der Umgebungsatmosphäre insbesondere durch Sauerstoff oder durch Luftfeuchtigkeit in besonderer Weise gegeben ist.The vacuum distillation takes place in the Vacuum distillation apparatus 40 as well as the storage in the solvent container 30 as well as in the container 41 in such a way that an effective protection against the influence of the ambient atmosphere is given in particular by oxygen or by humidity in a special way.

Durch diese erfindungsgemäße Art der Realisierung der Beschichtungsanlage gelingt es, eine Einsparquote für die Fotopolymere größer 90 bis 95 % und auch eine Einsparquote von nahezu 99,5 % für die verwendeten Lösungsmittel zu erreichen. Diese Lösungsmittel wie auch die Fotopolymere stellen kostenintensive Faktoren für die Herstellung von Chips dar, weshalb es durch die erfindungsgemäße Beschichtungsanlage gelingt, die Kosten für die Herstellung von Chips einerseits durch die Verringerung der verwendeten Materialien aufgrund des doppelten Recyclingprozesses wie auch die Qualität der verwendeten Materialien insbesondere der Fotopolymerlösungen wie auch der Lösungsmittel zu erhöhen.By this inventive type of Realization of the coating system succeeds, a saving rate for the Photopolymers greater than 90 to 95% and also a saving rate of almost 99.5% for the used solvent to reach. These solvents as well as the photopolymers are costly factors for the production of chips, which is why it is due to the coating system according to the invention manages the costs for the production of chips on the one hand by reducing the used materials due to the double recycling process as well as the quality the materials used in particular the photopolymer solutions such as also the solvent to increase.

Claims (19)

Beschichtungsanlage für Wafer mit Beschichtungsvorrichtung (2) zum Aufbringen von flüssigen Stoffen, insbesondere von Photopolymerlösungen, auf rotierende Wafer, mit einem Gehäuse (3), mit einer rotierenden Aufnahme (4) für einen zu beschichtenden Wafer, mit einer Zuführung (5) für aufzubringende flüssige Stoffe und mit einer Entnahme (6) für nicht auf dem Wafer verbliebene flüssige Stoffe, dadurch gekennzeichnet, dass das Gehäuse (3) einen Beschichtungsraum (7) mit der darin angeordneten Aufnahme (4) umschließt und dieser Beschichtungsraum (7) mit einem inerten Gas (8) angefüllt ist.Coating plant for wafers with coating device ( 2 ) for applying liquid substances, in particular photopolymer solutions, to rotating wafers, having a housing ( 3 ), with a rotating receptacle ( 4 ) for a wafer to be coated, with a feed ( 5 ) for applied liquid substances and with a withdrawal ( 6 ) for liquid substances not remaining on the wafer, characterized in that the housing ( 3 ) a coating room ( 7 ) with the receptacle ( 4 ) and this coating space ( 7 ) with an inert gas ( 8th ) is filled. Beschichtungsanlage für Wafer nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Gehäuse (3) gasdicht insbesondere aus V4A-Stahl oder Glas ausgebildet ist.Coating plant for wafers according to claim 1, characterized in that the housing ( 3 ) gas-tight, in particular made of V4A steel or glass. Beschichtungsanlage für Wafer nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das inerte Gas (8) entfeuchtet ist.Coating plant for wafers according to claim 1 or 2, characterized in that the inert gas ( 8th ) is dehumidified. Beschichtungsanlage für Wafer nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass das inerte Gas (8) Stickstoff und/oder Edelgas insbesondere Helium, Neon und/oder Argon enthält.Coating plant for wafers according to one of claims 1 to 3, characterized in that the inert gas ( 8th ) Contains nitrogen and / or noble gas, in particular helium, neon and / or argon. Beschichtungsanlage für Wafer nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Aufnahme (4) in dem Gehäuse (3) durch eine ringförmigen Auffangschale (9) umschlossen ist, deren Innendruchmesser größer als der Durchmesser eines zu beschichtenden Wafers gewählt ist und die eine Wand aufweist, gegen die von einem rotierenden Wafer abgeschleuderte flüssige Stoffe prallen und in der Auffangschale (9) gesammelt werden.Coating plant for wafers according to one of claims 1 to 4, characterized in that the receptacle ( 4 ) in the housing ( 3 ) by an annular collecting tray ( 9 ) whose internal diameter is selected to be larger than the diameter of a wafer to be coated and which has a wall, against which liquid substances spun off a rotating wafer collide and in the drip tray (FIG. 9 ) to be collected. Beschichtungsanlage für Wafer nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Auffangschale (9) eine Gestalt eines hohlen Torus aufweist, der eine ringförmige den Torus umfassende Lücke in seiner Hülle aufweist, die dem Mittelpunkt des Torus zugewandt ist und diesen umschließt.Coating plant for wafers according to claim 5, characterized in that the drip tray ( 9 ) has a shape of a hollow torus having an annular gap in its shell surrounding the torus, which faces the center of the torus and encloses it. Beschichtungsanlage für Wafer nach einem der Ansprüche 5 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass eine Entnahmevorrichtung (10) vorgesehen ist, die in der ringförmigen Auffangschale (9) gesammelten flüssige Stoffe in ein Lagergefäß (11) fördert, wobei das Lagergefäß (11) zur Lagerung von entgasten und insbesondere zusätzlich entfeuchteten flüssigen Stoffen, insbesondere von Photopolymerlösungen, geeignet und insbesondere aus V4A-Stahl oder Glas gefertigt ist und über eine gasdichte Transportleitung (12) mit der Beschichtungsvorrichtung (3) verbunden ist.Coating plant for wafers according to one of claims 5 to 6, characterized in that a removal device ( 10 ) is provided in the annular collecting tray ( 9 ) collected liquid substances in a storage vessel ( 11 ), the storage vessel ( 11 ) for the storage of degassed and especially additionally dehumidified liquid substances, in particular of photopolymer solutions, suitable and in particular made of V4A steel or glass and via a gas-tight transport line ( 12 ) with the coating device ( 3 ) connected is. Beschichtungsanlage für Wafer nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass das Lagergefäß (11) so ausgebildet ist, dass er über dem Vorrat an flüssigem Stoff, insbesondere an einer Photopolymerlösungen, eine Atmosphäre (13) aus inertem Gas insbesondere aus getrocknetem inertem Gas, insbesondere aus molekularem Stickstoff und/oder Edelgas, angeordnet ist.Coating plant for wafers according to claim 7, characterized in that the storage vessel ( 11 ) is designed so that it has an atmosphere above the supply of liquid substance, in particular a photopolymer solution ( 13 ) is arranged from inert gas, in particular from dried inert gas, in particular from molecular nitrogen and / or noble gas. Beschichtungsanlage für Wafer nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass ein Vorratsbehälter (14) für die Zuführung der flüssigen Stoffe, insbesondere von Photopolymerlösungen, zu der Beschichtungsvorrichtung (2) über gasdichte Transportleitungen (15) vorgesehen ist, und dass der Vorratsbehälter (14) zur Lagerung von entgasten und insbesondere zusätzlich entfeuchteten flüssigen Stoffen, insbesondere von Photopolymerlösungen, geeignet und insbesondere aus V4A-Stahl oder Glas gefertigt ist.Coating plant for wafers according to one of claims 1 to 8, characterized in that a storage container ( 14 ) for the supply of the liquid substances, in particular photopolymer solutions, to the coating device ( 2 ) via gastight transport lines ( 15 ) is provided, and that the reservoir ( 14 ) for storing degassed and in particular additionally dehumidified liquid substances, in particular of photopolymer solutions, suitable and in particular made of V4A steel or glass. Beschichtungsanlage für Wafer nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass der Vorratsbehälter (14) mit einer Entgasungsvorrichtung (16) und insbesondere mit einer Entfeuchtungsvorrichtung (16) versehen ist.Coating plant for wafers according to claim 9, characterized in that the storage container ( 14 ) with a degassing device ( 16 ) and in particular with a dehumidifying device ( 16 ) is provided. Beschichtungsanlage für Wafer nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Entgasungsvorrichtung (16) eine Zuführleitung (17) für inertes Gas insbesondere für molekularen Stickstoff und/oder Edelgas insbesondere Helium, Neon oder Argon und ein im Bodenbereich des Vorratsbehälters (14) angeordnetes Sieb (18) aufweist, durch dessen Öffnungen zur Entgasung und insbesondere zur Entfeuchtung der flüssigen Stoffen, insbesondere von Photopolymerlösungen, das inerte Gas insbesondere als getrocknetes Gas strömt.Coating plant for wafers according to claim 10, characterized in that the degassing device ( 16 ) a supply line ( 17 ) for inert gas, in particular for molecular nitrogen and / or noble gas, in particular helium, neon or argon, and in the bottom region of the storage container ( 14 ) arranged sieve ( eighteen ), through the openings for degassing and in particular for dehumidifying the liquid substances, in particular photopolymer solutions, the inert gas insbesonde re as dried gas flows. Beschichtungsanlage für Wafer nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Zuführleitung (17) mit einem Molekularsieb (19) zur Entfeuchtung des durchströmenden inerten Gases versehen ist.Coating plant for wafers according to claim 11, characterized in that the supply line ( 17 ) with a molecular sieve ( 19 ) is provided for dehumidifying the inert gas flowing through. Beschichtungsanlage für Wafer nach einem der Ansprüche 9 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass der Vorratsbehälter (14) so ausgebildet ist, dass er über dem Vorrat an flüssigem Stoff, insbesondere an einer Photopolymerlösung, eine Atmosphäre (20) aus inertem Gas insbesondere aus molekularem Stickstoff und/oder Edelgas insbesondere Helium, Neon oder Argon, insbesondere als getrocknetes inertes Gas, angeordnet ist.Coating plant for wafers according to one of claims 9 to 12, characterized in that the storage container ( 14 ) is designed so that it above the supply of liquid material, in particular a photopolymer solution, an atmosphere ( 20 ) of inert gas, in particular of molecular nitrogen and / or noble gas, in particular helium, neon or argon, in particular as a dried inert gas. Beschichtungsanlage für Wafer nach einem der Ansprüche 7 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass das Lagergefäß (11) mit einer Entgasungsvorrichtung (16) und insbesondere mit einer Entfeuchtungsvorrichtung (16) versehen ist.Coating plant for wafers according to one of claims 7 to 13, characterized in that the storage vessel ( 11 ) with a degassing device ( 16 ) and in particular with a dehumidifying device ( 16 ) is provided. Beschichtungsanlage für Wafer nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass ein Lösungsmittelbehälter (30) für ein Lösungsmittel zum Lösen einer aus dem aufgebrachten flüssigen Stoff gebildeten Beschichtung, dass eine Vorrichtung (31) zum zielgerichteten Aufbringen des Lösungsmittels auf den beschichteten Wafer zur partiellen Entfernung der Beschichtung des Wafers, und dass ein Auffanggefäß (32) für das Gemisch aus Lösungsmittel und Beschichtung vorgesehen ist, das mit der Entnahme (6) über eine Entnahmeleitung (33) verbunden ist.Coating plant for wafers according to one of claims 1 to 14, characterized in that a solvent container ( 30 ) for a solvent for dissolving a coating formed from the applied liquid, that a device ( 31 ) for the targeted application of the solvent to the coated wafer for the partial removal of the coating of the wafer, and that a collecting vessel ( 32 ) is provided for the mixture of solvent and coating, which with the removal ( 6 ) via a sampling line ( 33 ) connected is. Beschichtungsanlage für Wafer nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass das Auffanggefäß (32) und die Entnahmeleitung (33) gasdicht insbesondere aus V4A-Stahl oder Glas gefertigt sind und dass ein Nanoshield-Filter (34) im durch die Entnahmeleitung (33) und dem Auffanggefäß (32) definierten Entnahmeweg angeordnet ist.Coating plant for wafers according to claim 15, characterized in that the collecting vessel ( 32 ) and the sampling line ( 33 ) gas-tight, in particular made of V4A steel or glass, and that a nanoshield filter ( 34 ) by the sampling line ( 33 ) and the collecting vessel ( 32 ) defined removal path is arranged. Beschichtungsanlage für Wafer nach einem der Ansprüche 15 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass das Auffanggefäß (32) so ausgebildet ist, dass eine Atmosphäre aus inertem Gas insbesondere aus molekularem Stickstoff und/oder Edelgas, insbesondere als getrocknetes inertes Gas, über dem flüssigen Auffanggut (35) angeordnet ist.Coating plant for wafers according to one of claims 15 to 16, characterized in that the collecting vessel ( 32 ) is formed so that an atmosphere of inert gas in particular of molecular nitrogen and / or noble gas, in particular as a dried inert gas, above the liquid collecting material ( 35 ) is arranged. Beschichtungsanlage für Wafer nach einem der Ansprüche 15 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass eine Vakuumdestillationsvorrichtung (40) vorgesehen ist, die mit dem Auffanggefäß (32) verbunden ist und die das flüssige Auffanggut (35) durch Destillation in seine Bestandteile insbesondere in Lösungsmittel und flüssigen Stoffe, insbesondere in die Photopolymerlösungen, trennt und die getrennte Bestandteile in gasdichte Behälter (41) insbesondere Versorgungsbehälter (14), Lagergefäß (11), Lösungsmittelbehälter (30) überführt, wobei diese insbesondere mit einer Atmosphäre aus inertem Gas versehen sind.Coating plant for wafers according to one of claims 15 to 17, characterized in that a vacuum distillation device ( 40 ) provided with the collecting vessel ( 32 ) and the liquid collecting material ( 35 ) by distillation into its constituents, in particular in solvents and liquid substances, in particular in the photopolymer solutions, and separates the separated constituents into gas-tight containers ( 41 ) especially supply containers ( 14 ), Storage vessel ( 11 ), Solvent containers ( 30 ), which are in particular provided with an atmosphere of inert gas. Beschichtungsanlage für Wafer nach einem der Ansprüche 1 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass der Vorratsbehälter (14), das Lagergefäß (11), das Gehäuse (3), das Auffanggefäß (32, der Lösungsmittelbehälter (30) und/oder der Behälter (41) sowie die Förderleitungen für flüssige Stoffe, insbesondere für Photopolymerlösungen, lichtdicht und gasdicht ausgebildet sind.Coating plant for wafers according to one of claims 1 to 18, characterized in that the storage container ( 14 ), the storage vessel ( 11 ), the housing ( 3 ), the collecting vessel ( 32 , the solvent container ( 30 ) and / or the container ( 41 ) and the delivery lines for liquid substances, in particular for photopolymer solutions, light-tight and gas-tight.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60109229A (en) * 1983-11-18 1985-06-14 Hitachi Ltd Spin treatment device
JPS60193339A (en) * 1984-03-14 1985-10-01 Fujitsu Ltd Method of coating resist film
JPH0444216Y2 (en) * 1985-10-07 1992-10-19
JP2527318B2 (en) * 1986-12-25 1996-08-21 関東化学 株式会社 Method and apparatus for recovering and reusing resist composition
JP3360365B2 (en) * 1993-07-29 2002-12-24 クロリンエンジニアズ株式会社 Method for regenerating tetraalkylammonium hydroxide
US5626913A (en) * 1994-03-09 1997-05-06 Tokyo Electron Limited Resist processing method and apparatus
US5916368A (en) * 1997-02-27 1999-06-29 The Fairchild Corporation Method and apparatus for temperature controlled spin-coating systems
US5869219A (en) * 1997-11-05 1999-02-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. Method for depositing a polyimide film
JP3913869B2 (en) * 1997-11-21 2007-05-09 沖電気工業株式会社 Substrate processing equipment
US20050048208A1 (en) * 2003-09-02 2005-03-03 Yao-Hwan Kao Resist supply apparatus with resist recycling function, coating system having the same and method of resist recycling

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