JP3899705B2 - 光スイッチ - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ゲート型光スイッチに係り、特に、広帯域、高出力、低クロストーク特性を持った広帯域光スイッチに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
光ネットワークの進展と共にダイナミックなトラフィック制御用や障害時の迂回用としてマトリクス光スイッチのニーズが高まってきた。マトリクス光スイッチには、1)低損失、2)低クロストーク、3)高速スイッチング、4)低消費電力、5)小型、6)低コストなどが要求される。このような要求を満足する可能性のあるマトリクス光スイッチとして、半導体光増幅器を光分波回路の各出力側に光ゲートとして配置し、これらの光ゲートへの注入電流を制御することにより、出力を行う光ゲートを選択して光路切り替えを行う方式によるマトリクス光スイッチ、即ち、半導体光増幅器を用いたゲート型マトリクス光スイッチが注目されている。このようなマトリクス光スイッチを構成する光スイッチの従来構成を図6に示す。
【0003】
図6に示した光スイッチは、1入力2出力の1×2型光スイッチであり、1個の入力ポートと2個の出力ポートとを有する光分岐回路(以下、1入力2出力の光分岐回路と記す)2の各出力ポート2−2,2−3に前記光ゲートを構成する半導体光増幅器3−1,3−2の入力端をそれぞれ接続したものである。
【0004】
図6の光スイッチにおいて、信号光1は、光分岐回路2の入力ポート2−1に入力され、出力ポート2−2,2−3へほぼ等分岐され、信号光1−1,1−2として伝搬し、それぞれの出力ポート2−2,2−3に接続された半導体光増幅器3−1,3−2に入力される。ここで、例えば、信号光6−1を出力させる場合には、半導体光増幅器3−1に電流注入回路4−1からの順方向電流Ik1 をスイッチ5−1を通して注入し、半導体光増幅器3−2にはスイッチ5−2をオフにして順方向電流Ik2 を注入しないようにする。このようにすると、半導体光増幅器3−1の出力端からは増幅された信号光6−1が取り出され、一方、半導体光増幅器3−2には順方向電流Ik2 が注入されていないので、信号光1−2は半導体光増幅器3−2で吸収を受けて減衰してしまい、半導体光増幅器3−2の出力端からは信号光がほとんど出力されない。即ち、両出力端間のクロストークは低く抑えられる。また、注入電流は10mA程度であるので、低消費電力である。さらに、スイッチ5−1とスイッチ5−2とのオン、オフにより信号光を高速でスイッチングして半導体光増幅器3−1,3−2の出力端のどちらにでも選択切り替え出力させることができる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
従来の半導体光増幅器を用いたゲート型光スイッチには次のような課題が残されている。
【0006】
(1)光スイッチに入力されてくる信号光は、1.53μm〜1.61μmの波長範囲を使用して十数チャンネルから数十チャンネルの波長多重された信号光を用いる波長多重信号光の場合が多い。そのため、光分岐回路及び半導体光増幅器には、上記波長帯をカバーする広帯域特性を持っていることが要求される。また、上記半導体光増幅器の上記帯域内での増幅利得特性ができる限り平坦であることが望まれる。ところが、従来の半導体光増幅器は、このような要求に対して不十分な特性しか持っていない。
【0007】
(2)光スイッチの低消費電力を実現するためには、半導体光増幅器に注入する順方向電流はできる限り小さい値に設定しなければならない。しかし、順方向電流を小さくすることは増幅利得の低下につながり、結果的に出力された信号光のパワを増大することができず、また低クロストーク特性を実現することも難しくなる。
【0008】
(3)現状ではクロストーク特性として−40dB〜−45dBが実現されているが、マトリクス数が多くなれば、さらに低クロストーク特性(−60dB程度)が必要になる。このような低クロストーク特性を実現することは現状では難しい。
【0009】
(4)信号光は必ず半導体光増幅器を通るので、信号光に半導体光増幅器から発生する自然放出光により雑音成分が付加され、信号光対雑音比(S/N)が低下する。特に、信号光パワが低いときのS/Nの低下が問題である。
【0010】
(5)オンになっている光ゲートの出力側で生じた反射光は、半導体光増幅器に逆方向に入射することによって大きく増幅され、入力側へ大きなパワとして戻ってくるので、入力側の光源の波長変動を誘引したり、クロストーク劣化の原因となる。
【0011】
そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、広帯域、高出力、低クロストーク特性を持った広帯域光スイッチを提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明は、半導体光増幅器に順方向電流を注入するか、注入しないかを制御することにより、前記半導体光増幅器から信号光を出力させるか、出力させないかを制御する光スイッチにおいて、前記半導体光増幅器のゲイン領域の波長に設定された信号光と、前記半導体光増幅器のゲイン領域の波長帯以外のロス領域の波長に設定された監視光とを前記半導体光増幅器に入力するようにしたものである。
【0013】
前記半導体光増幅器の出力側に、前記監視光を分波して取り出すための光分波回路を設け、この取り出した監視光を電気信号に変換する光・電気変換回路を設けて前記監視光をモニタするようにしてもよい。
【0014】
前記光・電気変換回路の出力信号により、前記半導体光増幅器に順方向電流を注入する電流注入回路を制御してもよい。
【0015】
前記半導体光増幅器は、順方向電流を注入して信号光を増幅する光増幅部と、逆方向電圧を印加して増幅された信号光中の雑音成分を低減する可飽和吸収部とを備えてもよい。
【0016】
N(Nは整数≧1)個の入力ポートとM(Mは整数≧2)個の出力ポートとを有する光分岐回路の前記M個の出力ポートの側にそれぞれ前記半導体光増幅器を設けてもよい。
【0017】
N(Nは整数≧1)個の入力ポートとM(Mは整数≧2)個の出力ポートとを有する第一光分岐回路の前記M個の出力ポートと、M個の入力ポートとN個の出力ポートとを有する第二光分岐回路の前記M個の入力ポートとの間に、それぞれ前記半導体光増幅器を挿入してもよい。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態を添付図面に基づいて詳述する。
【0019】
図1に本発明の第一の実施形態による広帯域光スイッチを示す。この広帯域光スイッチは、光分岐回路2の入力ポート2−1に入力した信号光1を光分岐回路2の出力ポート2−4側か出力ポート2−5側かのどちらかへ切り替えて信号光6−1か信号光6−2かを伝送させるための1×2の広帯域ゲート型光スイッチである。上記切り替え操作は、半導体光増幅器3−1,3−2へ順方向電流を注入するか、注入しないかを切り替えることによって行う。即ち、電流注入回路4−1,4−2からの順方向電流Ik1 ,Ik2 をスイッチ5−1,5−2によりオン/オフすることによって行う。なお、スイッチ5−1,5−2は電流注入回路4−1,4−2内に機能として含ませておいてもよい。
【0020】
この広帯域光スイッチは、次の特徴を有している。
【0021】
まず、光分岐回路2の入力側でWDMカプラ9−1により信号光1に半導体光増幅器3−1,3−2のロス領域の波長の監視光8を重畳させ、各々の光ゲートを構成する半導体光増幅器3−1,3−2に信号光1−1,1−2と共に監視光8−1,8−2を入力させている。これにより、半導体光増幅器3−1,3−2の増幅帯域幅を広げることができる。
【0022】
次に、半導体光増幅器3−1,3−2の出力側でWDMカプラ9−2,9−3により監視光8−3,8−4を取り出して光・電気変換回路10−1,10−2で受光している。この光・電気変換回路10−1,10−2で変換された電気信号をモニタすることにより各々の光ゲートの動作状態を常時監視することができる。
【0023】
詳しく説明すると、監視光8は、監視用光源7から出力され、WDMカプラ9−1により信号光1に重畳され光分岐回路2の入力ポート2−1に入力される。ここで、監視光8の波長は、半導体光増幅器3−1,3−2のロス領域の波長帯から選ばれるが、できる限りゲイン領域の波長域に近い波長が好ましい。また、監視光8のパワが大きいほど、半導体光増幅器での信号光のゲインを高める効果と、ゲイン領域の波長域を拡大する効果とが大きい。
【0024】
一方、信号光1の波長は、半導体光増幅器3−1,3−2のゲイン領域の波長域から選ばれる。信号光1は、通常、数チャンネルから数十チャンネルが波長多重される。従って、半導体光増幅器3−1,3−2は、できる限り広い帯域特性を持っていることが望ましい。本発明のように、監視光8を信号光1に重畳させることによって半導体光増幅器3−1,3−2の利得帯域幅を拡大させる効果があると、多チャンネルを波長多重するのに有利である。
【0025】
光分岐回路2の入力ポート2−1に入力された監視光8は、光分岐回路2で等分配されて監視光8−1,8−2となり、信号光1−1,1−2と共に半導体光増幅器3−1,3−2に入力される。そして、監視光8−1,8−2は、半導体光増幅器3−1,3−2における信号光1−1,1−2の利得増大及び利得帯域幅拡大効果をもたらした後、出力ポート2−4,2−5側に出力され、WDMカプラ9−2,9−3で分波される。分波された監視光8−3,8−4は、それぞれ光・電気変換回路10−1,10−2で受光されて電気信号に変換される。この電気信号をモニタしておけば、スイッチがオンされているゲートの動作状態を監視することができる。なお、スイッチがオフされているゲート、例えば図1の半導体光増幅器3−2では、この半導体光増幅器3−2が光吸収部として作用するので、監視光8−2はほとんど吸収されてしまい、出力ポート2−5側には出力されない。従って、光・電気変換回路10−2の電気信号はほとんど出力されない。
【0026】
図2に本発明の第二の実施形態による広帯域光スイッチを示す。図1の構成と異なる点は次の2点である。まず、光分岐回路2の入力側にWDMカプラ9−1が設けられておらず、監視光8は図示されない送信器側から伝送されてくるようになっている。次に、光・電気変換回路10−1,10−2の出力信号により電流注入回路4−1,4−2を制御する制御回路11−1,11−2が設けられ、半導体光増幅器3−1,3−2の出力側から取り出した監視光8−3,8−4を光・電気変換回路10−1,10−2で電気信号に変換し、この電気信号を制御回路11−1,11−2へ入力させるようになっている。
【0027】
制御回路11−1,11−2の出力信号は、電流注入回路4−1,4−2の注入電流を制御するように作用する。つまり、監視光8−3,8−4の光パワが小さいときには注入電流を大にするよう作用する。その結果、光ゲートの出力信号光6−1,6−2が一定となるように制御される。
【0028】
図1及び図2の構成に共通した利点として、監視光8の導入により半導体光増幅器3−1,3−2の増幅利得を増やすことができるので、その分だけ、半導体光増幅器3−1,3−2への注入電流を少なくすることができ、低消費電力で光スイッチングを行うことができる。
【0029】
図3に本発明の第三の実施形態による広帯域光スイッチを示す。この広帯域光スイッチは、半導体光増幅器7−1,7−2として光増幅部12−1,12−2と可飽和吸収部13−1,13−2とを有するものを用いている。光増幅部12−1,12−2には、電流注入回路4−1,4−2からしきい値以下の順方向電流を注入する。可飽和吸収部13−1,13−2には逆方向電圧−Vkを印加することにより、光増幅部12−1,12−2で生じた雑音成分を抑圧する機能を持たせ、また、オフされた光ゲートからの出力光成分を大幅に低減させる機能も持たせる。即ち、オフされた光ゲートは光増幅部に順方向電流が注入されていないので光吸収部となって信号光を減衰させる。光増幅部の後に設けられた可飽和吸収部には逆方向電圧が印加されているので、光増幅部で大幅に減衰した信号光が入射すると強力な光吸収部として作用する。従って、信号光はさらに激減し、この光ゲートの出力側には信号光はほとんど出力されない。これに対して、オンされた光ゲートから出力される信号光のパワは、監視光の導入により増大しているので、オンとオフとのクロストーク特性(消光比)を−60dB以下の超低クロストーク特性にすることができる。
【0030】
また、半導体光増幅器の自然放出光による雑音成分は、可飽和吸収部に逆方向電圧を印加しておくことにより、小さく抑えることができる。このようにオンとオフとに関わらず光ゲートからの雑音成分を小さく抑えることができるので、良好な信号光対雑音比(S/N)特性を得ることができる。特に、信号光パワが低いときのS/N特性を良好に保つことができる。
【0031】
図4に本発明の第四の実施形態による広帯域ゲート型マトリクス光スイッチを示す。この広帯域光スイッチは、2入力2出力の広帯域光スイッチである。この広帯域光スイッチは、信号光1A及び信号光1Bを信号光6−1として、或いは信号光6−2として、或いは信号光6−1及び信号光6−2として選択的に出力させる機能を持つ。
【0032】
信号光1A(1B)と監視光8A(8B)とは、1入力2出力の光分岐回路2A(2B)に入力され、2つの出力ポートに等分配されて半導体光増幅器3−1,3−2(3−3,3−4)で構成された光ゲートに入力される。そして、所望の光ゲートをオン或いはオフすることにより、増幅された信号光6−1,6−2が出力される。即ち、光ゲートからの出力信号光は、2入力1出力の光分岐回路2C(2D)に入力されて合波され、信号光6−1,6−2として出力される。この広帯域光スイッチは、4つの光ゲート3−1,3−2,3−3,3−4のオン、オフの組み合わせにより、10通りの信号光出力を選択的に出力させることができる。
【0033】
図5に本発明の第五の実施形態による広帯域ゲート型マトリクス光スイッチを示す。この構成は、図4の構成を変形させたものである。ここでは、光分岐回路2A,2Bへの監視光の供給手段として、監視光光源7からの監視光8を光分岐回路2Eで2分配し、一方の監視光はWDMカプラ9−1を介して光分岐回路2Aに供給し、他方の監視光はWDMカプラ9−6を介して光分岐回路2Bに供給するようになっている。
【0034】
本発明は、以上の実施形態に限定されない。まず、図1から図5において、電流注入回路からの順方向電流を半導体光増幅器へ注入するか、注入しないかを切り替える操作は、スイッチ5−1,5−2のオン/オフに限らず、電流注入回路にスイッチ機能を持たせて電流注入回路で行うようにしてもよい。
【0035】
また、図1から図3において、1×2型光スイッチに限らず、1×3,4,5…のように多数の出力ポートを持つ光スイッチとしてもよい。
【0036】
また、図4、図5では、2入力2出力の広帯域ゲート型マトリクス光スイッチに限らず、N入力M出力(N≧2,M≧2)の広帯域ゲート型マトリクス光スイッチとしてもよい。
【0037】
【発明の効果】
本発明は次の如き優れた効果を発揮する。
【0038】
(1)半導体光増幅器に信号光と共に、その半導体光増幅器のロス領域の波長の監視光を入力することにより、その半導体光増幅器の増幅帯域幅を広げることができるので、広い波長域で波長多重された信号光をスイッチングすることができ、かつ、出力された信号光の出力パワもほぼ等しくすることができる。
【0039】
(2)監視光を広帯域光スイッチの出力側で取り出してモニタすることにより、広帯域光スイッチの動作状態を監視することができる。
【0040】
(3)監視光をモニタした信号で半導体光増幅器の注入電流を制御することにより、半導体光増幅器の増幅利得を制御して信号光の出力パワを制御することができる。
【0041】
(4)監視光を信号光に重畳することにより、半導体光増幅器の増幅利得を増やすことができるので、その分だけ注入電流を少なくすることができ、低消費電力の光スイッチを実現することができる。
【0042】
(5)光増幅部と可飽和吸収部とを有する半導体光増幅器を用いることにより、オフされた光ゲートは光増幅部に順方向電流が注入されていないので光吸収部となって信号光を吸収して減衰させると共に、その後に設けられた可飽和吸収部には逆方向電圧が印加されているので光増幅部で大幅に減衰した信号光が入射した場合には可飽和吸収部が光吸収部として作用し、さらに信号光が減衰し、このオフされた光ゲートの出力側には信号光はほとんど出力されない。一方、オンされた光ゲートの信号光出力パワは、監視光の導入により増大している。従って、オンとオフとのクロストーク特性(消光比)を−60dB以下の超低クロストーク特性にすることができる。
【0043】
(6)オンされた光ゲート及びオフされた光ゲートからの自然放出光による雑音成分は可飽和吸収部に逆方向電圧を印加しておくことにより小さく抑えることができるので、良好な信号光対雑音比(S/N)を得ることができる。特に、信号光パワが低いときのS/N特性を良好に保つことができる。
【0044】
(7)大規模なマトリクス光スイッチを構成しても十分に低いクロストーク特性を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第一の実施形態を示す広帯域光スイッチの構成図である。
【図2】本発明の第二の実施形態を示す広帯域光スイッチの構成図である。
【図3】本発明の第三の実施形態を示す広帯域光スイッチの構成図である。
【図4】本発明の第四の実施形態を示す広帯域光スイッチの構成図である。
【図5】本発明の第五の実施形態を示す広帯域光スイッチの構成図である。
【図6】従来の光スイッチの構成図である。
【符号の説明】
2 光分岐回路
3−1,3−2,7−1,7−2 半導体光増幅器
4−1,4−2 電流注入回路
5−1,5−2 スイッチ
9−1,9−2,9−3 WDMカプラ
10−1,10−2 光・電気変換回路
11−1,11−2 制御回路
12−1,12−2 光増幅部
13−1,13−2 可飽和吸収部

Claims (5)

  1. 半導体光増幅器に順方向電流を注入するか、注入しないかを制御することにより、前記半導体光増幅器から信号光を出力させるか、出力させないかを制御する光スイッチにおいて、前記半導体光増幅器は、順方向電流を注入して信号光を増幅する光増幅部と、逆方向電圧を印加して増幅された信号光中の雑音成分を低減する可飽和吸収部とを備え、前記半導体光増幅器のゲイン領域の波長に設定された信号光と、前記半導体光増幅器のゲイン領域の波長帯以外のロス領域の波長に設定された監視光とを前記半導体光増幅器に入力したことを特徴とする光スイッチ。
  2. 前記半導体光増幅器の出力側に、前記監視光を分波して取り出すための光分波回路を設け、この取り出した監視光を電気信号に変換する光・電気変換回路を設けて前記監視光をモニタするようにしたことを特徴とする請求項1記載の光スイッチ。
  3. 前記光・電気変換回路の出力信号により、前記半導体光増幅器に順方向電流を注入する電流注入回路を制御することを特徴とする請求項1又は2記載の光スイッチ。
  4. N(Nは整数≧1)個の入力ポートとM(Mは整数≧2)個の出力ポートとを有する光分岐回路の前記M個の出力ポートの側にそれぞれ前記半導体光増幅器を設けたことを特徴とする請求項1〜いずれか記載の光スイッチ。
  5. N(Nは整数≧1)個の入力ポートとM(Mは整数≧2)個の出力ポートとを有する第一光分岐回路の前記M個の出力ポートと、M個の入力ポートとN個の出力ポートとを有する第二光分岐回路の前記M個の入力ポートとの間に、それぞれ前記半導体光増幅器を挿入したことを特徴とする請求項1〜いずれか記載の光スイッチ。
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