JP3892259B2 - A method of manufacturing a semiconductor device - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device together with its manufacturing method capable of high-density mounting, with no degradation in manufacturing yield or reliability. SOLUTION: There are provided a flexible substrate 1a, and a rigid flex substrate 1 comprising a rigid substrate 1b which clamps the substrate 1a on both surfaces. An external connection terminal 3 is formed on one rigid substrate 1b while a semiconductor chip 2 is mounted on other rigid substrates 1b. With a flexible part 1c comprising the flexible substrate 1a bent, the semiconductor chips 2 mounted on the rigid substrates 1b are laminated and resin-sealed, to provide a reliable semiconductor substrate excellent in moisture-resistance. Using the rigid flex substrate 1 eliminates deflection or twisting of substrate, to prevent dislocation at chip mounting for the improved manufacturing yield.

Description

【0001】 [0001]
【発明の属する技術分野】 BACKGROUND OF THE INVENTION
本発明は、複数の半導体チップを高密度実装する半導体装置およびその製造方法に関する。 The present invention relates to a semiconductor device and a manufacturing method thereof high-density mounting a plurality of semiconductor chips.
【0002】 [0002]
【従来の技術】 BACKGROUND OF THE INVENTION
近年、中間基板を用いて複数の半導体チップを高密度実装するマルチチップモジュールが知られている。 Recently, multi-chip module for high-density mounting a plurality of semiconductor chips with an intermediate substrate are known. この種の技術として、例えば特開2000−307037号公報には、図10(イ)〜(ハ)に図示するように、可撓性を有するフレキシブル基板100上に、バンプ101を介して2つの半導体チップ102,102をフリップチップ実装し、その後にフレキシブル基板100を屈曲させて両チップ102,102の背面同士を当接させた状態で接着固定して積層し、屈曲させたフレキシブル基板100の接続パッド103に形成されるハンダボール104を介して配線基板に接続するようにしたマルチチップモジュールが開示されている。 As this type of technique, for example, JP-A-2000-307037, as shown in FIG. 10 (a) to (c), on a flexible substrate 100 having flexibility, two through bumps 101 the semiconductor chip 102, 102 is flip-chip mounted, followed by bending the flexible substrate 100 are stacked and bonded and fixed in abutting contact with the rear surface of both the chip 102, 102, the connection of the flexible substrate 100 is bent multichip modules to through the solder balls 104 formed on the pad 103 connected to the wiring board is disclosed.
【0003】 [0003]
【発明が解決しようとする課題】 [Problems that the Invention is to Solve
ところで、こうしたマルチチップモジュール構造の半導体装置では、可撓性のフレキシブル基板100を使用しているので、当該基板100に撓みや捩れが生じ易い。 Meanwhile, in the semiconductor device of such a multi-chip module structure, the use of the flexibility of the flexible substrate 100, tends to cause deflection or twisting on the substrate 100. この為、汎用のチップマウンタや基板搬送システムに適用し難い弊害や、とりわけ半導体チップ102をフェイスダウンで実装する際に位置ずれが起こり易くなる結果、製造歩留りの低下を招致するという問題がある。 Therefore, and application difficult evils general purpose chip mounter and a substrate transport system, especially the semiconductor chip 102 to easily occurs misalignment when mounted face-down result, there is a problem that bid the decrease in manufacturing yield.
【0004】 [0004]
また、上述のモジュール構造では、フレキシブル基板100の屈曲により積層される半導体チップ102の裏面同士が接着固定されるだけであって、さらにチップ周辺は露出状態にあるから耐湿性に欠け、信頼性低下を招致するという問題もある。 Further, in the above modular structure, comprising only the back surface between the semiconductor chip 102 to be stacked by the bending of the flexible substrate 100 is bonded and fixed, more peripheral chip lacks moisture resistance because there exposed state, lowering reliability there is also a problem that the bid a.
【0005】 [0005]
そこで本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、汎用のチップマウンタや基板搬送システムに適用できる上、製造歩留りの低下や信頼性を損うこと無く高密度実装することができる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的としている。 The present invention has been made in view of such circumstances, semiconductor capable on that can be applied to a general-purpose chip mounter and a substrate transport system, for high-density mounting without impairing the reduction and reliability of production yield and its object is to provide a device and a manufacturing method thereof.
【0006】 [0006]
【課題を解決するための手段】 In order to solve the problems]
【0014】 [0014]
請求項1に記載の発明では、屈曲自在なフレキシブル基板と、このフレキシブル基板の1つの第1の領域の両面を挟み込む2枚のリジッド基板を備える第1のリジッド基板部と、前記フレキシブル基板の少なくとも1つの第2の領域の、少なくとも一方の面上に配設されるリジッド基板を備える第2のリジッド基板部とから構成されるリジッドフレックス基板を複数連結したシート状の集合基板を用い、前記集合基板の前記各リジッドフレックス基板における、前記第1のリジッド基板部の、前記第2のリジッド基板部における前記リジッド基板と同じ側の一方のリジッド基板上に、少なくとも1つの第1の半導体チップを実装するとともに、前記第2のリジッド基板部の前記リジッド基板に、少なくとも1つの第2の半導体チップを実装する The invention according to claim 1, the flexible substrate of bendable, a first rigid substrate portion comprising two rigid substrates sandwiching both sides of one first region of the flexible substrate, at least of the flexible substrate one second region, using a sheet-like collective substrate in which a plurality connecting rigid-flex substrate composed of a second rigid substrate portion comprising a rigid substrate disposed on at least one surface, said set wherein in each rigid flex board of substrate, said first rigid substrate portion, on one of the rigid substrate on the same side as the rigid substrate in the second rigid substrate portion, implement at least one first semiconductor chip while, on the rigid substrate of said second rigid board portions, to implement at least one second semiconductor chip 半導体チップ実装工程と、前記集合基板の前記各リジッドフレックス基板における、前記第1のリジッド基板部の、他方のリジッド基板上に外部接続端子を形成する外部接続端子形成工程と、前記半導体チップ実装工程および前記外部接続端子形成工程後、前記集合基板上の前記各リジッドフレックス基板において、前記第1のリジッド基板部を集合基板に連結させたまま、前記第2のリジッド基板部の前記リジッド基板を当該集合基板から裁断して分離する分離工程と、前記各リジッドフレックス基板の前記第1のリジッド基板部と前記第2のリジッド基板部間の前記フレキシブル基板を可撓部として、前記第2のリジッド基板部が前記集合基板から分離された状態の前記各リジッドフレックス基板を、前記可撓部でそれぞれ屈曲させて前 A semiconductor chip mounting step, the in each rigid flex board of the collective substrate, and the external connection terminal formation step of forming an external connection terminal to the first rigid board portion, the other of the rigid substrate, the semiconductor chip mounting step and the rear external connection terminal forming step, in each of the rigid flex board on the aggregate substrate, the first leave the rigid board portion was ligated into aggregate substrate, the said rigid substrate of the second rigid substrate portion a separation step of separating by cutting the collective substrate, the flexible substrate between the first and the rigid board portion and the second rigid substrate portion of each rigid-flex substrate as a flexible portion, the second rigid substrate each of said rigid-flex substrate in the state department is separated from the collective board, before by bending respectively the flexible portion 各リジッド基板に実装される前記各半導体チップを積層し、その状態で上下に対向する半導体チップ同士を接着固定してなるモジュールを一括して樹脂モールドした後、前記第1のリジッド基板部の前記各リジット基板を集合基板から裁断してモジュール単位に個片化するモジュール形成工程と、を具備することを特徴とする。 Each of said semiconductor chips are stacked to be mounted on the rigid substrate, after resin molding collectively module formed by bonding and fixing the semiconductor chip facing each other up and down in that state, the said first rigid substrate portion a module formation step of singulating the module units by cutting the rigid substrate from the set substrate, characterized by comprising a.
【0015】 [0015]
上記請求項1に従属する請求項2に記載の発明では、前記各リジッド基板にそれぞれ実装される各半導体チップは、突起電極を介して接続されるウェハレベルCSP構造を有することを特徴とする。 In the invention of claim 2 that is dependent on the first aspect, each semiconductor chip to be mounted respectively to the each rigid substrate is characterized by having a wafer level CSP structure connected through the protruding electrode.
【0016】 [0016]
上記請求項1に従属する請求項3に記載の発明によれば、前記モジュール形成工程では、上下に対向する半導体チップ同士が接着固定された複数のモジュールを個々に覆う金型を用い、これにより全モジュールを一括して樹脂モールドすることを特徴とする。 According to the invention described in claim 3 when dependent on said claim 1, the said module forming step, using a mold which covers the plurality of modules semiconductor chips are bonded and fixed facing up and down individually, thereby wherein the resin molding in a lump all the modules.
【0017】 [0017]
本発明による半導体装置では、リジッドフレックス基板をフレキシブル基板からなる可撓部で屈曲させて各リジッド基板にそれぞれ実装される各半導体チップを積層させて樹脂封止する。 In the semiconductor device according to the invention, by stacking the semiconductor chips are respectively mounted on each rigid substrate is bent at the flexible portion made of a rigid-flex substrate from the flexible substrate to a resin sealing. これにより、積層された各半導体チップが固定保持されつつ気密封止される為、耐湿性に優れた信頼性の高い半導体装置を実現でき、しかもリジッドフレックス基板を用いたことで、基板の撓みや捩れがなくなる為、半導体チップ実装時の位置ずれを防ぐことができる結果、製造歩留りの低下を回避し得る。 Thus, since the respective semiconductor chips stacked is hermetically sealed while being held stationary, can achieve high semiconductor device having excellent reliability in moisture resistance, yet by using the rigid-flex substrate, the deflection Ya of the substrate since twisting is eliminated, the result can be prevented the positional deviation at the time of mounting semiconductor chips, it may avoid a decrease in manufacturing yield.
【0018】 [0018]
また、本発明による半導体装置の製造方法では、リジッドフレックス基板を複数連結したシート状の集合基板を使用しているので、撓みや捩れが発生せず、これ故、汎用のチップマウンタや基板搬送システムに適用でき、しかも実装時の位置ずれも回避し得る結果、製造歩留りの低下を防ぐ。 Moreover, the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, because it uses a set substrate of a sheet with a rigid-flex board plurality consolidated, deflection or torsion is not generated, Hence, a general-purpose chip mounter and a substrate transfer system application can be to, yet positional deviation may be avoided results in mounting, prevent a decrease in manufacturing yield.
さらに、集合基板には複数のリジッドフレックス基板が配設される為、それら複数のリジッドフレックス基板に一括して半導体チップ実装、端子形成および樹脂封止するバッチ処理が実現し得、特別な実装プロセスを用いずとも効率良くモジュール構造の半導体装置を製造することができ、製品コスト低減に寄与し得るようになっている。 Furthermore, since the rigid flex board is disposed on the aggregate substrate, the semiconductor chip mounting collectively the plurality of rigid flex substrate, the terminal formation and the batch processing is realized obtained the resin sealing, a special mounting process without using a can of manufacturing the semiconductor device efficiently module structure, and is able to contribute to a reduction product cost.
【0019】 [0019]
【発明の実施の形態】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。 Hereinafter, with reference to the drawings will be described embodiments of the present invention.
(1)第1実施例▲1▼半導体装置10の構造図1(イ)は第1実施例による半導体装置10の構造を示す断面図である。 (1) Construction of the first embodiment ▲ 1 ▼ semiconductor device 10 1 (b) is a sectional view showing a structure of a semiconductor device 10 according to the first embodiment. この図において、1はフレキシブル基板1aとリジッド基板1bとから形成されるリジッドフレックス基板である。 In this figure, 1 is a rigid-flex substrate formed of a flexible substrate 1a and the rigid substrate 1b. リジッドフレックス基板1は、同図(ロ)に図示するように、フレキシブル基板1aと複数のリジッド基板1bを備え、フレキシブル基板1aの上下両面をリジッド基板1bで挟んだ所謂サンドイッチ構造を成した部分と、フレキシブル基板1aが露出された部分(可撓部)1cを有する複合基板である。 Rigid-flex substrate 1, as shown in FIG. 4 (b), and includes a flexible substrate 1a and a plurality of rigid substrates 1b, made a so-called sandwich structure sandwiching the upper and lower surfaces of the flexible substrate 1a by the rigid substrate 1b portion a composite substrate having a portion (flexible portion) 1c of the flexible substrate 1a is exposed.
【0020】 [0020]
すなわち、リジッドフレックス基板1は、フレキシブル基板1aが露出する可撓部1cで屈曲自在となり、また可撓部1cを境にして、両側にリジッド基板1bが上下両面に配設され、4面のリジッド基板1bを具備する。 That is, rigid-flex substrate 1 is made bendable in the flexible portion 1c of the flexible substrate 1a is exposed, also in the boundary flexible portion 1c, the rigid substrate 1b are disposed on both upper and lower surfaces on both sides, the four sides rigid comprising a substrate 1b. そして、可撓部1cを境にした一方側の、リジッド基板1bが上下両面に配設される部分(第1のリジッド基板部11)の一方のリジッド基板1bには、例えばウェハレベルCSP構造の半導体チップ2がフェイスダウンによりフリップチップ実装され、他方のリジッド基板1bには格子状にハンダボール3aを配設して外部接続端子3が形成される。 Then, on one side in which the flexible portion 1c as a boundary portion rigid substrate 1b is disposed on the upper and lower surfaces in the (first rigid substrate portion 11) while the rigid substrate 1b of, e.g., a wafer level CSP structure the semiconductor chip 2 is flip-chip mounted by face-down, and the other rigid substrate 1b external connection terminals 3 disposed solder balls 3a in a grid pattern is formed. また、可撓部1cを境にした他方側の、リジッド基板1bが上下両面に配設される部分(第2のリジッド基板部12)の各リジッド基板1bには、同様に、例えばウェハレベルCSP構造の半導体チップ2がフリップチップ実装される。 Also, the other side in which the flexible portion 1c as a boundary, each rigid substrate 1b portion (second rigid substrate portion 12) of the rigid substrate 1b are disposed on both upper and lower surfaces, as well, for example a wafer level CSP the semiconductor chip 2 of the structure is flip-chip mounted.
【0021】 [0021]
また、後述するように、第1のリジッド基板部11の、一方の半導体チップ2がフリップチップ実装される側のリジッド基板1b、及び第2のリジッド基板部12の各リジッド基板1bには、半導体チップ実装用の接続端子パッド、配線パターン及びフレキシブル基板1aに形成される配線パターンに接続されるスルーホール等が形成され、第1のリジッド基板部11の、他方の外部接続端子3が形成されるリジッド基板1bには、外部接続端子形成用の端子パッド及び配線パターン及びスルーホール等が形成される。 As will be described later, the first rigid substrate 11, the one semiconductor chip 2 side of the rigid substrate 1b which is flip-chip mounted, and a second of each rigid substrate 1b of the rigid substrate 12, the semiconductor connection terminal pads for chip mounting, through-hole or the like connected to the wiring pattern formed on the wiring pattern and the flexible substrate 1a is formed, the first rigid substrate portion 11, the other external connection terminal 3 is formed the rigid substrate 1b, the terminal pads and the wiring patterns and the through holes or the like for external connection terminals formed is formed.
【0022】 [0022]
一方、フレキシブル基板1aには、リジッド基板1bに接続される配線パターンやスルーホール(あるいはビアホール)等が形成され、これらにより各リジッド基板1bの端子パッドおよび接続端子パッドがフレキシブル基板1aの配線パターンを介して相互に電気的に接続されるように構成されている。 On the other hand, the flexible substrate 1a, are formed like rigid wiring pattern and through holes are connected to the substrate 1b (or via hole) is, the terminal pads and the connection terminal pads of each rigid substrate 1b by these wiring pattern of the flexible substrate 1a through and is configured to be electrically connected to each other.
【0023】 [0023]
なお、ここで半導体チップ2をウェハレベルCSP構造によるものとしたが、このウェハレベルCSP構造は、ウェハ状態で半導体チップ上に絶縁層を形成した後、再配線層を形成し、次いで突起電極(ポスト端子)による接続用電極端子を形成した後、チップ毎に個片化して形成したものであり、半導体チップとほぼ同じ大きさで、且つ突起電極(ポスト端子)による接続用電極端子の配置を比較的自由に設定可能としたものである。 Note that, although the semiconductor chip 2 is to be due to wafer level CSP structure, the wafer level CSP structure is formed by forming an insulating layer on the semiconductor chip in a wafer state, and forming a redistribution layer, then the projection electrodes ( after the formation of the connection electrode terminals by the post terminal), which was formed by singulation into chips, with approximately the same size as the semiconductor chip, and the arrangement of the connection electrode terminals by protruding electrode (post terminals) those who can be set relatively freely.
従って、半導体チップ2をウェハレベルCSP構造とした場合、後述する図2に示すように、リジッド基板1bに形成される半導体チップ実装用の接続端子パッドをマトリクス状に配置することができ、リジッド基板1bの大きさを小さくすることができる。 Therefore, when the semiconductor chip 2 and the wafer level CSP structure, can be arranged as shown in FIG. 2 to be described later, the connection terminal pads for the semiconductor chip mounting formed on the rigid substrate 1b in a matrix, the rigid substrate it is possible to reduce the size of 1b. ただし、本発明における各実施形態において、半導体チップ2の構成はこのウェハレベルCSP構造に限定されるものではなく、突起電極が形成された種々の構造による半導体チップを用いることができる。 However, in each embodiment of the present invention, the configuration of the semiconductor chip 2 is not limited to this wafer level CSP structure, it is possible to use a semiconductor chip according to various structures protruding electrodes are formed.
【0024】 [0024]
こうしてチップ実装および端子形成されたリジッドフレックス基板1は、可撓部1cで屈曲されることによって、各半導体チップ2を積層状態にする。 Thus rigid-flex substrate 1 which is a chip mounted, and terminals formed by being bent at the flexible portion 1c, the respective semiconductor chips 2 in a laminated state. この状態で上下に対向する半導体チップ2同士を接着固定してから、リジッド基板1bとの接合部を覆うようにリジッド基板1bに実装される各半導体チップ2を封止樹脂5にて気密封止する構造を有する。 The semiconductor chip 2 facing each other up and down in this state from the bonded and fixed, hermetically seal the respective semiconductor chips 2 to be mounted on the rigid substrate 1b so as to cover the joint between the rigid substrate 1b by the sealing resin 5 having a structure.
【0025】 [0025]
このようなモジュール構造にすると、積層状態の各半導体チップ2を固定保持しつつ気密封止し得る為、耐湿性に優れた信頼性の高い半導体装置10を実現できる。 With such a modular structure, since that may hermetically sealed while fixedly holding the respective semiconductor chips 2 in a stacked state, it is possible to realize a semiconductor device 10 having high excellent reliability in moisture resistance. しかも、リジッドフレックス基板1を用いたことで、基板の撓みや捩れが大きく低減され、殆どなくなる為、チップ実装時の位置ずれを防ぐことができる結果、製造歩留りを向上させることができる。 Moreover, by using a rigid-flex substrate 1, deflection or torsion of the substrate is greatly reduced, since almost no, result which can prevent positional deviation during chip mounting, it is possible to improve the manufacturing yield.
また、リジッドフレックス基板1を用いると、半導体チップ2をフリップチップ実装する面が3面となり、フレキシブル基板100を用いた従来例(図10参照)に比べ、より高密度実装し得るようになる。 Moreover, the use of rigid-flex substrate 1, the surface of flip-chip mounting the semiconductor chip 2 becomes three surfaces, compared with the conventional example using a flexible substrate 100 (see FIG. 10), so can be more high-density mounting.
【0026】 [0026]
なお、上記構成では、リジッドフレックス基板1における第2のリジッド基板部もリジッド基板1bが上下両面に配設される構成としたが、これに限るものではなく、少なくとも第1のリジッド基板部において半導体チップ2がフリップチップ実装される側のリジッド基板1bと同じ側にのみリジッド基板1bを配設する構成とし、そこに半導体チップ2をフリップチップ実装するようにしてもよい。 In the above configuration, the second rigid substrate portion in the rigid-flex substrate 1 is also rigid substrate 1b is configured to be disposed on both upper and lower surfaces, the present invention is not limited to this, the semiconductor in at least a first rigid substrate portion a configuration that chip 2 is disposed rigid substrate 1b only on the same side of the rigid substrate 1b which is flip-chip mounted, or may be there the semiconductor chip 2 so as to flip-chip mounting.
【0027】 [0027]
▲2▼半導体装置10の製造方法次に、図2〜図5を参照して上記構造による半導体装置10の製造方法について説明する。 ▲ 2 ▼ the manufacturing method following the semiconductor device 10, with reference to FIGS a method for manufacturing the semiconductor device 10 according to the above structure. 第1実施例による製造方法では、複数のリジッドフレックス基板1が連設して形成されたシート状の集合基板20を用いる。 In the manufacturing method according to the first embodiment, a plurality of rigid-flex substrate 1 is used continuously provided with a sheet-like aggregate substrate 20 formed. 図2(イ)(ロ)に集合基板20の構成の一例を示す。 Figure 2 (a) (b) shows an example of the configuration of the aggregate substrate 20. この図に示す集合基板20は、フレキシブル基板からなるシート状基材21に4行3列のリジッドフレックス基板1を一体的に連設して形成したものであり、図2(イ)は集合基板20の平面形状を示し、図2(ロ)は集合基板20の、リジッドフレックス基板1が形成された部分を含む、A−A面での断面形状の要部を示す。 Aggregate substrate shown in FIG. 20 are those formed by integrally connected rigid flex substrate 1 in the fourth row and the third column in the sheet-like substrate 21 made of a flexible substrate, FIG. 2 (b) is the collective substrate shows a planar shape of 20, FIG. 2 (b) is the aggregate substrate 20 includes a portion rigid-flex substrate 1 is formed, showing the main part of the cross-sectional shape at plane a-a.
【0028】 [0028]
図に示す如く、複数のリジッドフレックス基板1が形成される箇所においては、基材21をフレキシブル基板1aとして用い、これをリジッド基板1bで上下に挟んで、上下のリジット基板1bとフレキシブル基板1aとが一体化されるとともに、2つのリジット基板1b配設領域間のフレキシブル基板1aを可撓部1cとする、前記図1におけるリジッドフレックス基板1と同様の構成が複数連結して形成される。 As shown in figure, in the portion where a plurality of rigid-flex substrate 1 is formed, using the substrate 21 as a flexible substrate 1a, sandwiching it up and down in the rigid substrate 1b, and the upper and lower rigid substrate 1b and the flexible substrate 1a There together are integrated, the flexible substrate 1a between two rigid substrates 1b installation zone and the flexible portion 1c, the same configuration as the rigid-flex substrate 1 in FIG. 1 is formed by a plurality linked. 各連結部分には、予め開口部(以下、ミシン目)22が、各リジッドフレックス基板1形成箇所の周囲に設けられている。 Each coupling part, advance the opening (hereinafter, perforations) 22 is provided around each rigid-flex substrate 1 formed point. これにより、後述するように、このミシン目22に沿って連結部分を裁断することで、容易に各リジッドフレックス基板1を個片化し得るようになっている。 Thus, as described later, by cutting the connecting portion along the perforations 22, it is readily adapted to be singulated each rigid-flex substrate 1.
【0029】 [0029]
図2(ロ)に示す各リジッドフレックス基板1において、図面上、右側のリジット基板1bとフレキシブル基板1aが一体化された部分を第1のリジッド基板部11、左側のリジット基板1bとフレキシブル基板1aが一体化された部分を第2のリジッド基板部12とした場合、ウェハレベルCSP構造による半導体チップが実装される、第1のリジッド基板部11の一方のリジッド基板1b、及び第2のリジッド基板部12の各リジッド基板1bには、例えば図2(イ)に示すようなマトリクス状の接続端子パッド1dや配線パターン、及び図2(ロ)に示すようなスルーホール1eが形成され、また、外部接続端子3が形成される、第1のリジッド基板部11の他方のリジッド基板1bには、外部接続端子形成用の端子パッド1fや配線 In each rigid-flex substrate 1 shown in FIG. 2 (b), the drawing, the first rigid substrate portion 11 the portion right of the rigid substrate 1b and the flexible substrate 1a is integrated, the left of the rigid substrate 1b and the flexible substrate 1a If is the integral part of the second rigid substrate 12, the semiconductor chip is mounted by a wafer level CSP structure, one of the rigid substrate 1b of the first rigid substrate 11, and the second rigid substrate each rigid substrate 1b parts 12, for example, a matrix of connection terminal pads 1d and wiring pattern as shown in FIG. 2 (b), and a through hole 1e as shown in FIG. 2 (b) is formed, also, external connection terminals 3 are formed on the other of the rigid substrate 1b of the first rigid substrate portion 11, the terminal pads 1f and wiring for the external connection terminal formed ターン及びスルーホール1eが形成される。 Turn and through-hole 1e is formed.
【0030】 [0030]
また、フレキシブル基板1aには配線パターン1gが形成される。 Further, the flexible substrate 1a wiring patterns 1g is formed. これらにより各リジッド基板1bの接続端子パッド1dおよび端子パッド1fがフレキシブル基板1aの配線パターン1gを介して相互に電気的に接続されるように構成されている。 These by and is configured to connect the terminal pads 1d and terminal pads 1f of the rigid substrate 1b are electrically connected to each other through the wiring pattern 1g of the flexible substrate 1a.
また、図2(イ)に示すように、基材21のリジッドフレックス基板1形成領域外の周辺部分には、例えば銅箔からなるダミーパターン23が形成されている。 Further, as shown in FIG. 2 (b), the peripheral portion of the outer rigid-flex substrate 1 forming region of the substrate 21, for example, the dummy pattern 23 made of copper foil is formed. このダミーパターン23は、フレキシブル基板からなる基材21の剛性を向上させ、撓みや捻れ等の変形を抑制して、製造工程において汎用のチップマウンタや汎用の基板搬送システムを用いることができるようにするために設けられているものである。 The dummy pattern 23 improves the rigidity of the base material 21 made of a flexible substrate, to suppress the deformation such as deflection or torsion, so it is possible to use general chip mounter or generic substrate transfer system in the manufacturing process those provided for. 但し、フレキシブル基板からなる基材21のみで撓みや捻れ等が問題とならない場合は、ダミーパターン23を設けないようにしてもよい。 However, such deflection or twisting only substrate 21 made of flexible substrate if no problem, may not be provided with the dummy pattern 23.
【0031】 [0031]
さて、このような集合基板20を用いて半導体装置10を製造する工程を以下に説明する。 Now, a process of manufacturing the semiconductor device 10 with such aggregate substrate 20 below. なお、以下の各工程説明図においては、便宜上、第1のリジッド基板部11及び第2のリジッド基板部12を斜線部として、単純化して示している。 In each step illustration below, for convenience, the first rigid substrate 11 and the second rigid substrate 12 as a hatched portion shows a simplified.
第1実施例の製造工程においては、まず図3(イ)に図示するように、集合基板20の一面側にメタルマスクMMを載置し、その上にクリームハンダ21を供給して、スキージ22により印刷することにより、同図(ロ)に示すように、各リジッド基板1bの必要箇所(接続端子パッド1d上)にクリームハンダ21を印刷する。 In the manufacturing process of the first embodiment, first, as shown in FIG. 3 (b), placing a metal mask MM on one side of the assembly substrate 20, by supplying the solder paste 21 thereon, squeegee 22 by printing, as shown in FIG. (b), to print the cream solder 21 in necessary portions (on the connection terminal pads 1d) of each rigid substrate 1b.
【0032】 [0032]
次いで、図4(イ)に示すように、ハンダ印刷された箇所(接続端子パッド1d)に、図示しないチップマウンターにより、ウェハレベルCSP構造の半導体チップ2を搭載する。 Then, as shown in FIG. 4 (b), the solder printed portion (connection terminal pad 1d), the chip mounter not shown, for mounting a semiconductor chip 2 of the wafer level CSP structure. 次に、この状態で集合基板20をリフロー炉へ搬送してリフロー処理する。 Then, reflowing conveys the assembled board 20 to the reflow furnace in this state. これにより、半導体チップ2がリジッド基板1bの各接続端子パッド1dにハンダ接合される。 Thus, the semiconductor chip 2 is soldered to the connection terminal pads 1d rigid substrate 1b.
【0033】 [0033]
ここで、本発明による集合基板20は、フレキシブル基板からなるものであるが、上記のように多くのリジッド基板1bが載置された部分を備えるため、従来のフレキシブル基板のように撓みや捩れが発生することが大幅に抑制される。 Here, the assembly substrate 20 according to the present invention is made of a flexible substrate, because with the many parts of the rigid substrate 1b is mounted as described above, the deflection as a conventional flexible substrate and twist It is greatly suppressed from being generated. この結果、汎用のチップマウンタを用いて半導体チップ2をフェイスダウンで位置決め搭載したり、汎用の基板搬送システムにてリフロー炉に搬送し得るようになる。 As a result, or positioning mounted in a face-down semiconductor chip 2 by using a general-purpose chip mounter, so may carry a reflow furnace at universal substrate transfer system.
【0034】 [0034]
次いで、集合基板20に配設される各リジッドフレックス基板1の一面側に搭載された半導体チップ2についてリフローし終えた後、図4(ロ)に示すように、集合基板20の向きを反転させ、第2のリジッド基板部12の他面側のリジット基板1bの必要箇所(接続端子パッド1d上)に、前記図3(イ)と同様にしてハンダ印刷を施し、そこに半導体チップ2を搭載した後、リフロー処理する。 Then, after finishing reflowed semiconductor chip 2 mounted on one side of the rigid-flex substrate 1 which is disposed aggregate substrate 20, as shown in FIG. 4 (b), to reverse the orientation of the assembly substrate 20 , the necessary positions of the second of the other side of the rigid substrate 12 rigid substrate 1b (on the connection terminal pad 1d), subjecting the solder printing in the same manner as in FIG. 3 (b), there mount the semiconductor chip 2 after, the reflow process. 続いて、図4(ハ)に示すように、第1のリジッド基板部11の他面側の、外部接続端子3が形成されるリジット基板1bに設けられた外部接続端子形成用の端子パッド1fにフラックスを、例えばピンにより転写して塗布した後、フラックスが塗布された各端子パッドにハンダボール3を搭載する。 Subsequently, as shown in FIG. 4 (c), first the other surface of the rigid substrate 11, the terminal pads 1f for external connection terminals formed provided on rigid substrate 1b on which the external connection terminals 3 are formed flux, for example after coating is transferred by the pin, mounting the solder balls 3 to each terminal pad of the flux is applied to. この後、リフロー処理して外部接続端子3を形成する。 Thereafter, to form the external connection terminals 3 by the reflow process.
【0035】 [0035]
こうして半導体チップ2の実装および外部接続端子3の形成が完了すると、同図(ニ)に示すように、基材21の各リジッドフレックス基板1形成箇所の周囲に設けられているミシン目22(図2(イ)参照)に沿って基材21を裁断する。 Thus the implementation and formation of the external connection terminal 3 of the semiconductor chip 2 is completed, the drawing as shown in (d), perforations 22 (FIG provided around each rigid-flex substrate 1 the area where the base 21 cutting the substrate 21 along the two (b) refer). これにより、各リジッドフレックス基板1は、集合基板20からモジュール単位で個片化される。 Thus, the rigid-flex substrate 1 is diced in module units from the set substrate 20. なお、裁断には、例えばNCルーター4を用いる。 Incidentally, the cutting is, for example, a NC router 4.
【0036】 [0036]
次に、図5(イ)に図示するように、モジュール単位に個片化されたリジッドフレックス基板1の第1のリジッド基板部11における、ハンダボール3に対向する側のリジット基板1bにフリップチップ実装される半導体チップ2上に、接着剤Sを塗布した後、同図(ロ)に示すように、フレキシブル基板による可撓部1cを屈曲させて各半導体チップ2を積層状態とする。 Next, as illustrated in FIG. 5 (b), the flip-chip in the first rigid board portion 11 of the rigid-flex substrate 1 which is singulated into module units, on the side of the rigid substrate 1b opposed to the solder ball 3 on the semiconductor chip 2 to be mounted, after applying the adhesive S, as shown in FIG. (b), each semiconductor chip 2 by bending the flexible portion 1c by a flexible substrate and a stacked state. この状態で上下に対向する半導体チップ2同士を接着固定する。 The semiconductor chip 2 facing each other up and down in this state are bonded and fixed.
【0037】 [0037]
そして、上下に対向する半導体チップ2同士が接着固定された後、同図(ハ)に示すように、リジッド基板1bに実装される各半導体チップ2に封止樹脂5(例えばエポキシ樹脂)を、各半導体チップ2が完全に覆われるまで塗布する。 After the semiconductor chip 2 facing each other vertically are bonded, as shown in FIG. (C), the sealing resin 5 to the semiconductor chip 2 to be mounted on the rigid substrate 1b (for example, epoxy resin), each semiconductor chip 2 is applied until completely covered.
この際、例えばディスペンサを用いてリジッド基板1bと半導体チップ2との接合部分にも封止樹脂5が充填されるようポッティングする。 At this time, also potted to the sealing resin 5 is filled in the bonding portion between the rigid substrate 1b and the semiconductor chip 2 by using, for example, a dispenser. この後、封止樹脂5を熱硬化させる。 Thereafter, the sealing resin 5 is thermally cured. これにより、図1に図示した構造の半導体装置10が製造される。 Thus, the semiconductor device 10 of the illustrated structure 1 is manufactured.
【0038】 [0038]
このように、第1実施例による製造方法によれば、フレキシブル基板からなるシート状の基材21に複数のリジッド基板1bが載置された複数のリジッドフレックス基板1を一体的に連設した集合基板20を使用しているので、従来のフレキシブル基板単体を用いた場合のように撓みや捩れが発生することが大幅に抑制され、殆どなくなる為、リジッド基板を用いる場合と同様の汎用のチップマウンタや基板搬送システムを用いることができる。 Thus, according to the manufacturing method of the first embodiment, the set was integrally connected to the rigid flex substrate 1 having a plurality of rigid substrates 1b is placed on the sheet substrate 21 made of a flexible substrate because it uses a substrate 20, it is greatly prevented from bending or twisting is generated as in the case of using the conventional flexible substrate alone, almost no reason, like a general-purpose chip mounter and the case of using a rigid substrate it can be used and the substrate conveying system.
しかも、半導体チップをフェイスダウンでリジッド基板にフリップチップ実装する形態として、リジッド基板はフレキシブル基板に比し、搭載部の平坦度、寸法の安定性に優れるため、実装時の位置ずれも回避し得る結果、製造歩留りを向上させることができる。 Moreover, the semiconductor chip in the form of flip-chip mounted on the rigid substrate in a face-down, the rigid substrate compared to the flexible substrate, the flatness of the mounting portion, is excellent in dimensional stability, positional deviation in mounting can be avoided result, it is possible to improve the manufacturing yield.
【0039】 [0039]
さらに、集合基板20には複数のリジッドフレックス基板1が配設される為、それら複数のリジッドフレックス基板1に一括してチップ実装および端子形成するバッチ処理が実現し、特別な実装プロセスを用いずとも効率良くモジュール構造の半導体装置10を製造することができ、製品コスト低減に寄与し得る、という効果も奏する。 Furthermore, since a plurality of rigid-flex substrate 1 is disposed on the aggregate substrate 20, collectively the plurality of rigid-flex substrate 1 to achieve a batch process for chip mounting and the terminal formed, without using a special mounting process both can be efficiently manufacture the semiconductor device 10 of the module structure, which can contribute to reducing product cost, effect so called.
【0040】 [0040]
(2)第2実施例次に、図6〜図7を参照して第2実施例について説明する。 (2) Second embodiment, the second embodiment will be described with reference to FIGS. 6-7. なお、これらの図において、上述した第1実施例と共通する要素には同一の番号を付している。 In these figures, it is denoted by the same numerals in common elements to the first embodiment described above.
上述の第1実施例では、集合基板20の基材21をミシン目22に沿って裁断して、形成された各リジッドフレックス基板1をモジュール単位に個片化し、個片化されたリジッドフレックス基板1を可撓部1cで屈曲させて各半導体チップ2を積層し、その状態で上下に対向する半導体チップ2同士を接着固定してからディスペンサによるポッティングにより各半導体チップ2に樹脂封止する態様とした。 In the first embodiment described above, by cutting along the base 21 of the assembly substrate 20 in perforations 22, each rigid-flex substrate 1 formed into pieces in each module, singulated rigid-flex substrate 1 is bent at the flexible portion 1c by stacking the semiconductor chips 2, the mode of resin sealing from and adhere the semiconductor chip 2 between the semiconductor chips 2 by potting by dispenser facing up and down in that state did.
【0041】 [0041]
これに対し、第2実施例では、集合基板20に形成された各リジッドフレックス基板1において、一方の第1のリジッド基板部11を集合基板20の基材21に連結させたまま、他方の第2のリジッド基板部12をミシン目22で裁断して基材21から分離し、可撓部1cを屈曲させて各半導体チップ2を積層し、上下に対向する半導体チップ2同士を接着固定してから各半導体チップ2を一括して樹脂モールドした後、個片化することを特徴としている。 In contrast, in the second embodiment, each rigid-flex substrate 1 formed in the assembly substrate 20, while the first rigid substrate portion 11 of one is connected to the substrate 21 of the collective substrate 20, other of the the second rigid substrate 12 is cut at perforation 22 is separated from the substrate 21, by bending the flexible portion 1c by stacking the semiconductor chips 2, and the semiconductor chip 2 facing each other vertically and bonded after resin molding collectively each semiconductor chip 2 from is characterized in that singulation.
【0042】 [0042]
すなわち、図6(イ)に図示するように、上述の第1実施例と同様の実装プロセスによって集合基板20に配設される各リジッドフレックス基板1に半導体チップ2を実装するとともに、外部接続端子3を形成する。 That is, as shown in FIG. 6 (b), with mounting the semiconductor chip 2 in each rigid-flex substrate 1 which is disposed collective substrate 20 by the same mounting process as the first embodiment described above, the external connection terminal 3 to form.
次いで、同図(ロ)に示すように、各リジッドフレックス基板部1の一方の、外部接続端子3が形成される側の第1のリジッド基板部11を集合基板20の基材21に連結させたまま、他方の第2のリジッド基板部12の周囲を、例えばNCルーター4によりミシン目22で裁断して集合基板20の基材21から分離する。 Then, as shown in FIG. (B), one of the rigid-flex substrate portion 1, to connect the first rigid board 11 on the side where the external connection terminal 3 is formed on the substrate 21 of the collective substrate 20 as-the periphery of the other of the second rigid substrate 12, for example to separate from the substrate 21 of the collective substrate 20 and cut by a perforation 22 by NC router 4.
次いで、同図(ハ)に示すように、可撓部1cを屈曲させて各半導体チップ2を積層し、その状態で上下に対向する半導体チップ2同士を接着固定する。 Then, as shown in FIG. (C), by stacking the semiconductor chips 2 by bending the flexible portion 1c, the semiconductor chip 2 between the bonded and fixed facing up and down in that state.
【0043】 [0043]
この後、同図(ニ)に示すように、トランファモールド用の金型7を集合基板20上に装着し、エポキシ等のモールド樹脂材6を金型7のキャビティ部7cに注入する。 Thereafter, as shown in FIG. (D), equipped with a mold 7 for Trang files mold on the assembly substrate 20, injecting a molding resin material 6 such as epoxy cavity 7c of the mold 7. 注入したモールド樹脂材を熱硬化させた後、金型7を取り外すと、同図(ホ)に示すように、各モジュールが一括して樹脂モールドされる。 After the injected molding resin material was thermally cured, removing the mold 7, as shown in FIG. (E), each module is a resin molded in a lump.
そして、各リジッドフレックス基板1において、集合基板20の基材21に連結させたままの第1のリジッド基板部11の周囲をミシン目22に沿って裁断することで図7に図示する構造の半導体装置10が形成される。 In each rigid-flex substrate 1, the structure shown in FIG. 7 by cutting along the periphery of the first rigid substrate portion 11 that remains linked to the base 21 of the assembly substrate 20 in perforations 22 semiconductor device 10 is formed.
【0044】 [0044]
以上のように、第2実施例による製造方法では、上述の第1実施例と同様、汎用のチップマウンタや基板搬送システムに適用可能であり、製造歩留りの低下も防ぐことが出来る上、集合基板20上に形成される複数のモジュールを一括して樹脂モールドする為、効率良くモジュール構造の半導体装置10を製造し得るようになり、製品コスト低減に寄与し得る。 As described above, in the manufacturing method according to the second embodiment, as in the first embodiment described above is applicable to a general-purpose chip mounter and a substrate transfer system, on which can also be prevented decrease in manufacturing yield, aggregate substrate to the resin molded in a lump a plurality of modules formed on 20, it will be capable of manufacturing the semiconductor device 10 efficiently modular structure, which can contribute to reducing the product cost.
【0045】 [0045]
なお、本実施例では、可撓部1cの屈曲に応じて上下に対向し、下部側となる第1のリジッド基板部11の各リジット基板1bと上部側となる第2のリジッド基板部11の各リジッド基板1bの寸法、形状を同一のものとしていたが、これに替えて、下部側の各リジット基板1bの大きさを上部側のそれより大きくするようにしてもよい。 In this embodiment, opposed to vertically in response to the bending of the flexible portion 1c, of the second rigid substrate 11 serving as the rigid substrate 1b and the upper side of the first rigid substrate 11 serving as the lower side the dimensions of the rigid substrate 1b, but the shape was the same thing, instead of this, it is also possible to increase the size of each rigid substrate 1b of the lower side of the upper side than that. このように、下部側のリジット基板1bを上部側より大きくすると、トランスファーモールドに用いる金型7の形状を簡略化でき、しかも集合基板20への金型装着が容易になる、という利点が得られる。 Thus, when the lower side of the rigid substrate 1b is larger than the upper side, can simplify the shape of the die 7 used for the transfer molding, moreover facilitates mold loading to the collective substrate 20, is obtained the advantage that .
【0046】 [0046]
(3)変形例次に、図8〜図9を参照して変形例について説明する。 (3) Modification Examples The following, with reference to FIGS. 8-9 for modification will be described. 上述した第1および第2実施例では、屈曲自在な可撓部1cを隔てて両側に1つの第1のリジッド基板部11と1つの第2のリジッド基板部12を具備するリジッドフレックス基板1を用いてマルチチップモジュールを形成する構造例について言及したが、これに限らず、1つの第1のリジッド基板部11を備えるとともに、複数の第2のリジッド基板部12を複数の可撓部1cを介して連結したリジッドフレックス基板1を用いてマルチチップモジュールを形成することもできる。 In the first and second embodiments described above, the rigid-flex substrate 1 having a single first rigid substrate portion 11 and the one second rigid substrate 12 on both sides at a bendable flexible portion 1c Although mentioned structure example of forming a multi-chip module using, not limited thereto, provided with a single first rigid substrate portion 11, a plurality of second rigid board portion 12 a plurality of flexible portion 1c the rigid-flex substrate 1 which is connected via can also be formed multi-chip module using.
【0047】 [0047]
例えば、図8(イ)に図示するように、下面に外部接続端子3が形成される1つの第1のリジッド基板部11と、3つの可撓部1c−1〜1c−3を介して縦続的に連結した3つの第2のリジッド基板部12を備えるリジッドフレックス基板1を用い、これら可撓部1c−1〜1c−3を順番に屈曲させれば、同図(ロ)に示すように、各リジット基板1bにフリップチップ実装される半導体チップ2が順次折畳まれるように積層され、モールド樹脂材6で封止された、7層構造のマルチチップモジュールを形成することができる。 For example, as shown in FIG. 8 (b), and one of the first rigid substrate 11 which is an external connection terminal 3 to the lower surface is formed, via three flexible portions 1c-1~1c-3 cascade using rigid-flex substrate 1 having to three second rigid substrate portion 12 which is connected, if bending these flexible portion 1c-1~1c-3 sequentially, as shown in FIG. (b) , are stacked so that the semiconductor chip 2 is flip-chip mounted on each rigid substrate 1b is sequentially folded, sealed with a molding resin material 6, it is possible to form a multi-chip module of seven-layer structure.
【0048】 [0048]
また、図9(イ)および、そのB−B面での断面図を示す同図(ロ)に図示するように、下面に外部接続端子3が形成される第1のリジッド基板部11の周囲4辺に可撓部1c−1〜1c−4を介して第2のリジッド基板部12−1〜12−4を連結したリジッドフレックス基板1を用い、これら可撓部1c−1〜1c−4を順番に屈曲させれば、同図(ハ)に示すように、各リジッド基板1bにフリップチップ実装される各半導体チップ2が順次折畳まれるように積層され、モールド樹脂材6で封止された、9層構造のマルチチップモジュールを形成することができる。 Further, FIG. 9 (a) and, around the first rigid substrate portion 11 as shown in FIG. 4 (b) showing a cross-sectional view at the B-B plane, the external connection terminal 3 to the lower surface is formed via the flexible portion 1c-1~1c-4 on four sides with rigid-flex substrate 1 which is connected to a second rigid substrate portion 12-1 to 12-4, these flexible portions 1c-1~1c-4 if caused to bend in order, as shown in FIG. (c), the semiconductor chip 2 are stacked so as sequentially folded to be flip-chip mounted on each rigid substrate 1b, the sealing mold resin material 6 been, it is possible to form a multi-chip module of nine-layer structure.
【0049】 [0049]
この場合、第2のリジッド基板部12−1〜12−4の各リジッド基板1bに実装される各半導体チップ2と外部接続端子3との間の、可撓部を介する配線長を短縮することができるため、電気的特性を向上させることができる。 In this case, it is reduced between the semiconductor chips 2 and the external connection terminal 3 to be mounted on each rigid substrate 1b of the second rigid substrate portion 12-1 to 12-4 of the wiring length through the flexible portion since it is, it is possible to improve the electrical characteristics.
また、上記各実施形態においては、積層された各半導体チップ2を接着剤で固定し、その後、封止樹脂5またはモールド樹脂6により封止を行う構成としたが、これに限らず、例えば、積層された各半導体チップ2を仮止め冶具でクリップして仮止めし、封止樹脂5またはモールド樹脂6の硬化後、これを取り外すようにしてもよい。 In the embodiments described above, each semiconductor chip 2 stacked and fixed with an adhesive, then it is configured to perform sealing with the sealing resin 5 or the mold resin 6 is not limited to this, for example, each semiconductor chip 2 stacked temporarily fixed with clips tacking jig, after curing of the sealing resin 5 or the mold resin 6, may be removed to.
さらに高密度実装する場合には、例えば図8および図9に図示した折畳み形態を組合せる等、様々なアレンジが可能であることは言うまでもない。 Further in the case of high-density mounting, for example, such as combining the folded configuration illustrated in FIGS. 8 and 9, it can of course be various arrangements.
【0050】 [0050]
【発明の効果】 【Effect of the invention】
請求項1に記載の発明によれば、マルチチップモジュールの製造工程において、リジッドフレックス基板を複数連結したシート状の集合基板を使用しているので、撓みや捩れが発生せず、これ故、汎用のチップマウンタや基板搬送システムに適用でき、しかも実装時の位置ずれも回避し得る結果、製造歩留りを向上させることができる。 According to the invention described in claim 1, in the manufacturing process of the multi-chip module, because it uses a set substrate of a rigid-flex substrate a plurality linked sheet, deflection or torsion is not generated, Hence, the general-purpose of applicable to a chip mounter or the substrate transfer system, moreover positional deviation may be avoided result at the time of mounting, it is possible to improve the manufacturing yield. さらに、集合基板には複数のリジッドフレックス基板が配設される為、それら複数のリジッドフレックス基板に一括してチップ実装、端子形成および樹脂封止するバッチ処理を実現し得、特別な実装プロセスを用いずとも効率良くモジュール構造の半導体装置を製造することができ、製品コスト低減に寄与することができる。 Furthermore, since the rigid flex board is disposed on the aggregate substrate, collectively chip mounted on the plurality of rigid flex substrate, resulting realize batch process of terminal forming and resin sealing, a special mounting process without using can be manufactured semiconductor device efficiently modular construction, it can contribute to reducing the product cost. 請求項3に記載の発明によれば、上下に対向する半導体チップ同士が接着固定された複数のモジュールを個々に覆う金型を用い、これにより全モジュールを一括して樹脂モールドするので、効率良くモジュール構造の半導体装置を製造し得るようになり、製品コスト低減に寄与することができる。 According to the invention of claim 3, using a mold which covers the plurality of modules semiconductor chips are bonded and fixed facing up and down individually, since thereby a resin molded in a lump all modules efficiently now can produce the semiconductor device of modular construction, it can contribute to reducing the product cost.
【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS
【図1】第1実施例による半導体装置10の構造を示す断面図である。 1 is a sectional view showing a structure of a semiconductor device 10 according to the first embodiment.
【図2】集合基板20の一例を示す平面図である。 2 is a plan view showing an example of a collective substrate 20.
【図3】第1実施例による半導体装置の製造工程を説明するための断面図である。 3 is a sectional view for explaining a manufacturing process of a semiconductor device according to the first embodiment.
【図4】図3に続く製造工程を説明するための断面図である。 4 is a sectional view for explaining a manufacturing process subsequent to FIG.
【図5】図4に続く製造工程を説明するための断面図である。 5 is a cross-sectional view for illustrating a manufacturing step following FIG. 4.
【図6】第2実施例による半導体装置の製造工程を説明するための断面図である。 6 is a sectional view for explaining a manufacturing process of a semiconductor device according to the second embodiment.
【図7】第2実施例による半導体装置10の構造を示す断面図である。 7 is a sectional view showing a structure of a semiconductor device 10 according to the second embodiment.
【図8】変形例を示す図である。 8 is a diagram showing a modified example.
【図9】変形例を示す図である。 9 is a diagram showing a modified example.
【図10】従来例を示す断面図である。 10 is a cross-sectional view showing a conventional example.
【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS
1 リジッドフレックス基板1a フレキシブル基板1b リジッド基板1c 可撓部2 半導体チップ3 ハンダボール5 封止樹脂6 モールド樹脂材7 金型20 集合基板21 リジッド基材22 ミシン目 1 rigid-flex substrate 1a flexible substrate 1b rigid board 1c flexible portion 2 semiconductor chip 3 solder balls 5 sealing resin 6 molding resin material 7 molds 20 aggregate substrate 21 rigid base 22 perforations

Claims (3)

  1. 屈曲自在なフレキシブル基板と、このフレキシブル基板の1つの第1の領域の両面を挟み込む2枚のリジッド基板を備える第1のリジッド基板部と、前記フレキシブル基板の少なくとも1つの第2の領域の、少なくとも一方の面上に配設されるリジッド基板を備える第2のリジッド基板部とから構成されるリジッドフレックス基板を複数連結したシート状の集合基板を用い、 A flexible substrate that bendable, a first rigid substrate portion comprising two rigid substrates sandwiching both sides of one first region of the flexible substrate, the at least one second region of the flexible substrate, at least using the sheet-like collective substrate in which a plurality connecting rigid-flex substrate composed of a second rigid substrate portion comprising a rigid substrate disposed on one surface,
    前記集合基板の前記各リジッドフレックス基板における、前記第1のリジッド基板部の、前記第2のリジッド基板部における前記リジッド基板と同じ側の一方のリジッド基板上に、少なくとも1つの第1の半導体チップを実装するとともに、前記第2のリジッド基板部の前記リジッド基板に、少なくとも1つの第2の半導体チップを実装する半導体チップ実装工程と、 Wherein in each rigid flex board of the collective substrate, wherein the first rigid substrate portion, the second on one of the rigid substrate on the same side as the rigid substrate in rigid board unit, at least one first semiconductor chip with implementing, on the rigid substrate of the second rigid substrate portion, and the semiconductor chip mounting step of mounting at least one second semiconductor chip,
    前記集合基板の前記各リジッドフレックス基板における、前記第1のリジッド基板部の、他方のリジッド基板上に外部接続端子を形成する外部接続端子形成工程と、 Wherein in each rigid flex board of the collective substrate, and the external connection terminal formation step of forming an external connection terminal to the first rigid board portion, the other of the rigid substrate,
    前記半導体チップ実装工程および前記外部接続端子形成工程後、前記集合基板上の前記各リジッドフレックス基板において、前記第1のリジッド基板部を集合基板に連結させたまま、前記第2のリジッド基板部の前記リジッド基板を当該集合基板から裁断して分離する分離工程と、 After the semiconductor chip mounting step and the external connection terminal forming step, in each of the rigid flex board on the aggregate substrate, while the first rigid substrate portion was ligated to a set substrate, of the second rigid substrate portion a separation step of separating the rigid substrate was cut from the assembly substrate,
    前記各リジッドフレックス基板の前記第1のリジッド基板部と前記第2のリジッド基板部間の前記フレキシブル基板を可撓部として、前記第2のリジッド基板部が前記集合基板から分離された状態の前記各リジッドフレックス基板を、前記可撓部でそれぞれ屈曲させて前記各リジッド基板に実装される前記各半導体チップを積層し、その状態で上下に対向する半導体チップ同士を接着固定してなるモジュールを一括して樹脂モールドした後、前記第1のリジッド基板部の前記各リジット基板を集合基板から裁断してモジュール単位に個片化するモジュール形成工程と、 Examples flexible portion of the flexible substrate between the first rigid substrate portion and the second rigid substrate portion of each rigid-flex substrate, wherein in a state in which the second rigid substrate portion is separated from the collective board each rigid flex substrate, wherein are bent respectively flexible portion and stacking the semiconductor chips to be mounted to the each rigid substrate, collectively module formed by bonding and fixing the semiconductor chip facing each other up and down in that state after resin molding by a module forming step of singulating the module units by cutting the respective rigid substrate of the first rigid substrate portion from the set substrate,
    を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 The method of manufacturing a semiconductor device characterized by comprising a.
  2. 前記各リジッド基板にそれぞれ実装される各半導体チップは、突起電極を介して接続されるウェハレベルCSP構造を有することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。 Wherein each of the semiconductor chips to be mounted to each rigid substrate, method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein a wafer level CSP structure connected through the protruding electrode.
  3. 前記モジュール形成工程では、上下に対向する半導体チップ同士が接着固定された複数のモジュールを個々に覆う金型を用い、これにより全モジュールを一括して樹脂モールドすることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。 In the module forming process, using a mold which covers the plurality of modules semiconductor chips are bonded and fixed facing up and down individually, according to claim 1, thereby characterized in that the resin molding in a lump all modules the method of manufacturing a semiconductor device.
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