JP3870154B2 - 独立した検索線電圧を提供することによって連想メモリにおける電力を節約するためのシステムおよび方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は集積回路メモリに関し、より詳細には連想集積回路メモリに関する。
【0002】
【従来の技術】
連想メモリ(CAM)セルのすべての回路に電力を供給するために、すなわちCAM記憶素子にも、CAMセル内における一致データの存在を検索し、指示するためのCAM回路にも電力を供給するために、一般には単一の電源電圧が使用されてきた。CAMは検索操作に多くの電力を消費する。検索が通常は大きなメモリ・スペース上で行われ、かつ検索データ入力信号と一致線信号がしばしば異なる電圧間で駆動されるからである。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
たえずより高いコンピューティング速度と集積密度が必要とされ、またより小型の、たとえばハンドヘルドのコンピューティング機器でより大きな機能を提供することも久しく以前から必要とされてきたことから、電力消費量の削減が必要になっている。米国特許第6101115号は、一致線をプリチャージするための電圧を低くした独立の電源を提供することによって電力消費量を削減するシステムを記載している。しかし、一致線プリチャージ電源電圧を削減するだけでは必要とされる電力削減に十分に対処できない。
【0004】
【課題を解決するための手段】
したがって、本発明は、CAMの記憶素子の動作電力から実質上独立した入力電圧で検索信号を提供することにより、CAMでこれまでに得られたよりも大きな電力削減を提供する。したがって、検索線電源電圧はデータがCAMの記憶素子内に格納される際の電源電圧より低い電圧であることが好ましい。検索線電源電圧を下げると、電力が節減される傾向がある。同時に、CAM記憶素子に対して比較的高い電力を維持すると、良好な信号マージン、データ記憶および低いソフト・エラー率が保持される傾向がある。
【0005】
検索入力電圧HIGHは、CAMセルの検索入力デバイスの閾値電圧より上約0.2V以内になるように選択することが好ましい。検索入力デバイスは、CAMセル内で使用されている他のデバイスの閾値電圧に比べて低い閾値電圧をもつことが好ましい。このようにして、検索線電力消費量のさらなる削減が可能になる。
【0006】
本発明の一態様においては、集積回路内の連想メモリ(CAM)を動作させるための方法が提供される。この方法は、CAMセル内の記憶素子の動作電圧から実質上独立した検索入力電圧HIGHでCAMセルに検索信号を入力することを含む。検索信号と記憶素子に格納されたデータの間の一致条件が検出されたとき、一致信号が出力される。
【0007】
本発明の他の態様においては、連想メモリ(CAM)を含む集積回路が提供される。このCAMは、連想メモリ(CAM)セルを含み、各セルがCAMの動作電圧で動作する1個または複数個の記憶素子を有し、CAMセルは動作電圧から実質上独立に選択された検索入力電圧を受け取るようになされた検索入力デバイスを含む。
【0008】
【発明の実施の形態】
以下では、本発明を2値CAMではなく3値CAMに関して記載する。図1、図2、図3および図4に、3値連想メモリ(CAM)のCAMセルを示す。図1はダイナミック型記憶素子12を使用する3値CAMのDRAM実装を示す。図2、図3、図4は、データがクロス結合CMOSインバータ対に格納されるスタティック型記憶素子112をもつ3値CAMを示す。3値CAMは以下の特徴をもつ。CAMセル当り2個の記憶素子がある。正常の動作では、2個の記憶素子は相補データを格納する。しかし、CAMセルは「0」、「0」格納ビット組合せでマスクできる。3値CAMは以下のように動作する。
【0009】
【表1】
【0010】
それとは対照的に、スタティック2値CAMは真ビット線と補ビット線によってアクセスされる相補状態をもつ単一のスタティック記憶素子で実装できる。この相違は本記載の目的にとって本質的でなく、本発明はここに記載する3値CAMで実装できるのと同様に2値CAMでも実装できる。当分野の技術者なら本発明を2値CAMで実装するのに必要な自明の相違点を知りかつ理解されよう。
【0011】
図1に示すように、ダイナミック型3値CAMセル10は、ダイナミック記憶素子12(プレートが固定電位(アース)に結合されたキャパシタ)の対を含む。記憶素子12は上記の表1に記載したように、データを表す電圧を格納する。これらの電圧は、真ビット線(BLT)および補ビット線(BLC)を介して動作電圧(HIGH)または接地電圧(LOW)のいずれかを印加することにより、記憶素子12に格納される。この例では、これは2サイクルで、ワード線WL1が活動状態となってBLCを介してビットを格納するときと、WL2が活動状態となってBLTを介してビットを格納するときに行われる。
【0012】
データがCAMセルに格納されると、その後、CAMセルに入力された検索データがそこに格納されているデータと一致するかどうか判定するために、検索を行うことができる。それぞれドライバ32および34を使用してCAMセルに相補検索信号対SEARCH_TRUE(真検索)14とSEARCH_COMP(補検索)16を入力することにより検索が行われる。次にそこに結合された一致線18の上に生じた効果が観察される。一致線18は検索の直前に初期化(たとえば、プリチャージ)されている。検索信号14、16が記憶素子12に格納されたデータに一致する場合、デバイス20、22のうち対応する方がオンになり、これは一致線18の電圧を引下げる(あるいは、放電する)傾向がある。このようにして、個々のCAMセルは検索信号入力に応答して一致条件を示す。CAMセルがマスクされている、すなわち両方の記憶素子12に低電圧が格納されている場合は、検索中にどちらのデバイス24、26もオンにならず、したがって一致線18上にいかなる効果も生じない。既存のCAMでは、次の検索のための初期化には、両方の検索信号14および16の電圧を接地電圧まで下げる必要がある。CAMの大きな電力消費は、SEARCH_TRUE14またはSEARCH_COMP16信号のいずれかに与えられる検索入力電圧HIGHと、同じ信号が各検索の間に初期化されるLOW電圧との間の一定の信号スイングから生じる。
【0013】
図2、図3および図4はそれぞれスタティックRAM型3値CAMを表す。その内部のスタティック記憶素子を参照番号112で示す。これらの図面の実施形態は、スタティック記憶素子112がその中で使用され、別のレイアウトが使用されている点以外は図1と同様である。すなわち、図2において、1対のビット線と2本のワード線WL1、WL2が、CAMセル20にアクセスするために使用される。
【0014】
図3は図2と同じ構成であるが、加えて、ビット線BLT_SおよびBLC_SCがデータを格納しCAMセル30から取り出すためのビット線として動作し、かつ検索のための真検索線(BLT_S)および補検索線(BLC_SC)として動作する。検索線ドライバ32および35がこの場合もBLT_SとBLC_SCに結合されているが、もう1対のドライバ42、44はビット線として使用されるときこれらの線上の信号をドライブする。これらの信号は記憶素子112の特定の動作要件によって制約されるからである。
【0015】
図4は、1本のワード線WLが使用されるが、別々の2対のビット線B/LとB/L2が必要とされる、さらに他の構成を示す。
【0016】
本発明者らは、検索信号14、16が、記憶素子12または112に供給される動作電圧から実質上独立している検索入力電圧によって電力供給される場合にCAMへの大きな電力が節減されることを認識している。記憶素子12または112に供給される動作電圧が、スタティック要素112内のデバイスの特性、デバイス24および26が誤ってオンになるのを避ける必要性、信号マージンを保持する必要性、特に記憶素子12内のキャパシタの漏れ電流がオフであるにもかかわらずデータを保持する必要性を含めて、多くの要因によって制約されることを理解されたい。しかし、これらの制約は検索入力デバイス20、22には存在しない。本発明者らは、HIGH入力信号が検索入力デバイス20、22に与えられる検索入力電圧HIGH50が、データを図1の記憶素子12内または図2〜図4のいずれかの記憶素子112内に格納するために使用される動作電圧から実質上独立した低いレベルに設定できることを認識した。本発明者らは、検索入力電圧HIGH50と検索入力電圧LOW52の間の全信号スイングが所望のレベルに抑制される場合に、追加の電力削減が達成できることを認識した。
【0017】
したがって、検索入力電圧HIGH50をNFETの検索入力デバイス20、22の閾値電圧より上約0.2V以内の望ましいレベルに設定することが好ましい。このようなレベルは、デバイス20、22を完全にターンオンするのに十分である。検索入力デバイス20、22がCAMの他のデバイス、たとえばデバイス24、26、28または30よりも低い閾値電圧をもつ場合、検索入力電圧HIGH50をさらに下げることができる。たとえば、検索入力デバイス20、22の閾値電圧が0.5Vに設定されている場合、0.7Vの検索入力HIGH50がこれらのデバイスを動作させるのに十分である。
【0018】
一致線18への検索入力デバイス20、22の特定の相互接続に注意すべきである。これらのデバイスを別のいくつかの構成におけるように大地ではなく一致線18に接続したときにより優れた結果が得られる。
【0019】
さらに、検索線電力消費の主要要因は初期化に使用されるHIGHレベル50とLOWレベル52の間のその信号スイングであるため、特に検索線の信号スイングを最小限に抑えることに焦点を置くことが望ましい。したがって、検索線LOWレベル52が接地電圧に維持されている場合、デバイス20、22の閾値電圧は、デバイス20、22を完全に空乏化するのに十分であるが、それでも測定可能な定常漏れ電流を生じる200〜300mVの最低レベルに設定することもできる。最も重要な制約は、検索入力電圧が正しい一致検出を保証するのに十分なLOWにドライブされるときである。そのような場合、検索線HIGH電圧50を、たとえば閾値より上約200〜300mV以内でデバイスを確実にオンにするレベルにまでさらに下げることができる。検索線LOW52に対して特別な電源電圧を必要とせずに信号スイングを最小限に抑えるこのような構成は、いくつかの応用例ではもっとも望ましい。
【0020】
他の例では、検索入力LOW電圧レベル52が接地電圧ではなく、検索入力デバイス20、22の閾値電圧に近い接地電圧より高い電圧である場合に、他の望ましい結果を得ることができる。理解できるように、このような場合には、検索入力LOWレベル52を駆動するために第2の電源またはネットが必要となることもある。しかし、これが望ましいかもしれない。このような場合、望ましい電力節減を得るために、デバイス20、22の閾値電圧を特に変更する必要がないからである。この場合も、正しい一致検出を達成するために、検索入力LOWレベル52は、検索入力デバイス20、22をオフにするのに十分でなければならない。たとえば、0.5Vの閾値電圧をもつ検索入力デバイスで検索入力電圧HIGH50が0.7Vに設定されている場合、電力を節減するため、検索入力電圧LOW52を接地電圧よりかかる電圧だけ高い値に設定することができる。
【0021】
他の例では、閾値電圧が0Vの検索入力デバイス20、22を使用することができる。このような場合、検索入力電圧HIGH50は0.2Vなどのレベルに設定することができ、検索入力電圧LOW52は、正しい一致検索を達成するため、デバイス20、22の閾値電圧より十分低い負電圧に設定する。
【0022】
検索入力電圧の信号スイングが本発明に従って抑制されるとき、大きな電力が節減される。たとえば、HIGH電圧とLOW電圧の間の信号スイングが1.2Vから0.7Vに低減した場合、信号スイングに関係する検索線電力消費量は電圧削減の二乗、すなわちP⊂V2だけ減る。この例では、電力は約3Wから約1Wに減り、約2/3の相対電力削減である。信号スイングがさらに0.4Vまで低下する場合、約0.33Wしか消費されず、元の消費電力の僅か1/9となる。
【0023】
本発明をいくつかの好ましい実施形態について説明してきたが、首記の特許請求の範囲に記載した本発明の範囲および精神から逸脱することなく多くの変更および改善が行えることが当技術分野の技術者には理解されよう。
【0024】
まとめとして、本発明の構成に関して以下の事項を開示する。
【0025】
(1)集積回路内の連想メモリ(CAM)を動作させる方法であって、
CAMセル内の記憶素子の動作電圧から実質上独立した検索入力電圧HIGHで、CAMセルに検索信号を入力するステップと、
前記検索信号と前記記憶素子に格納されたデータの間の一致条件を検出したとき、一致信号を出力するステップと
を含む方法。
(2)前記検索入力電圧HIGHが、前記CAMセルの検索入力デバイスの閾値電圧より上0.2V以内の値である、上記(1)に記載の方法。
(3)前記検索信号が前記CAMセルの検索入力デバイスで受け取られ、前記検索入力デバイスが、前記CAMセル内に含まれる他のデバイスの閾値電圧より低い閾値電圧をもつ、上記(2)に記載の方法。
(4)前記低い閾値電圧が接地電圧から0.5V以内となるように選択される、上記(3)に記載の方法。
(5)非接地電圧レベルに設定された検索電圧LOWで前記CAMセルの検索信号を入力するステップをさらに含む、上記(1)に記載の方法。
(6)連想メモリ(CAM)を含む集積回路であって、前記CAMが、
それぞれ前記CAMの動作電圧で動作する1個または複数個の記憶素子をもつCAMセルを備え、
前記CAMセルが、前記動作電圧から実質上独立に選択された検索入力電圧HIGHを受け取るようになされた検索入力デバイスを含んでいる集積回路。
(7)検索線と、補検索線と、前記検索線および前記補検索線に結合されたドライバ対とをさらに備え、前記ドライバが前記検索線を前記動作電圧から実質上独立しているHIGH電圧に駆動する、上記(6)に記載の集積回路。
(8)前記検索入力デバイスが低い閾値電圧をもち、前記低い閾値電圧が、前記メモリ・セル内に含まれる他のデバイスの閾値電圧より接地電圧に近い、上記(7)に記載の集積回路。
(9)前記検索入力デバイスがNFETであり、前記低い閾値電圧が前記メモリ・セル内に含まれる他のNFETデバイスの閾値電圧より低い正電圧である、上記(8)に記載の集積回路。
(10)前記閾値電圧が接地電圧から0.5V以内となるように選択されている、上記(7)に記載の集積回路。
(11)前記ドライバが前記検索線を非大地LOW電圧にドライブするようになされている、上記(10)に記載の集積回路。
【図面の簡単な説明】
【図1】ダイナミック型メモリ・セルを利用した本発明の好ましい実施形態を示す回路図である。
【図2】第1スタティック型メモリ・セルを利用する本発明の好ましい実施形態を示す回路図である。
【図3】第2スタティック型メモリ・セルを利用する本発明の好ましい実施形態を示す回路図である。
【図4】第3スタティック型メモリ・セルを利用する本発明の好ましい実施形態を示す回路図である。
Claims (9)
- 集積回路内の連想メモリ(CAM)を動作させる方法であって、
CAMセル内の記憶素子の動作電圧から実質上独立した検索入力電圧HIGHで、CAMセルの検索入力デバイスに検索信号を入力するステップと、
前記検索入力デバイスの閾値電圧に近い非接地電圧レベルに設定された検索入力電圧LOWで前記CAMセルの検索入力デバイスに検索信号を入力するステップと、
前記検索信号と前記記憶素子に格納されたデータの間の一致条件を検出したとき、一致信号を出力するステップと
を含む方法。 - 前記検索入力電圧HIGHが、前記CAMセルの検索入力デバイスの閾値電圧より上0.2V以内の値である、請求項1に記載の方法。
- 前記検索入力デバイスが、前記CAMセル内に含まれる他のデバイスの閾値電圧より低い閾値電圧をもつ、請求項2に記載の方法。
- 前記低い閾値電圧が接地電圧から0.5V以内となるように選択される、請求項3に記載の方法。
- 連想メモリ(CAM)を含む集積回路であって、前記CAMが、
それぞれ前記CAMの動作電圧で動作する1個または複数個の記憶素子をもつCAMセルを備え、
前記CAMセルが、前記動作電圧から実質上独立に選択された検索入力電圧HIGHおよび非接地電圧レベルに設定された検索入力電圧LOWを受け取るようになされた検索入力デバイスを含み、前記非接地電圧レベルが前記探索入力デバイスの閾値電圧に近い集積回路。 - 検索線と、補検索線と、前記検索線および前記補検索線に結合されたドライバ対とをさらに備え、前記ドライバが前記検索線を前記動作電圧から実質上独立しているHIGH電圧および前記非接地電圧レベルにドライブする、請求項5に記載の集積回路。
- 前記検索入力デバイスが低い閾値電圧をもち、前記低い閾値電圧が、前記メモリ・セル内に含まれる他のデバイスの閾値電圧より接地電圧に近い、請求項6に記載の集積回路。
- 前記検索入力デバイスがNFETであり、前記低い閾値電圧が前記メモリ・セル内に含まれる他のNFETデバイスの閾値電圧より低い正電圧である、請求項7に記載の集積回路。
- 前記閾値電圧が接地電圧から0.5V以内となるように選択されている、請求項6に記載の集積回路。
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