JP3867698B2 - Electro-optical device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus - Google Patents

Electro-optical device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus Download PDF

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Description

本発明は、電流の供給や電圧の印加といった電気的な作用を輝度(階調)や透過率の変化といった光学的な作用に変換する電気光学素子を用いて画像を表示する技術に関する。   The present invention relates to a technique for displaying an image using an electro-optic element that converts an electrical action such as supply of current or application of voltage into an optical action such as change in luminance (gradation) or transmittance.

有機発光ダイオード(以下「OLED(Organic Light Emitting Diode)」という)素子などの電気光学素子を用いて画像を表示する装置は、マトリクス状に配列された複数の画素により多様な画像を表示するドットマトリクス型と、特定の画像を固定的に表示するセグメント型とに大別される。このうちセグメント型の電気光学装置においては、例えば特許文献1に示されるように、表示されるべき画像の形状となるようにパターニングされた電極によって電気光学素子が駆動される。   An apparatus that displays an image using an electro-optical element such as an organic light emitting diode (hereinafter referred to as “OLED (Organic Light Emitting Diode)”) element is a dot matrix that displays various images by a plurality of pixels arranged in a matrix. It is roughly divided into a type and a segment type that displays a specific image in a fixed manner. Among these, in the segment type electro-optical device, as shown in Patent Document 1, for example, the electro-optical element is driven by an electrode patterned so as to have a shape of an image to be displayed.

特開2001−244081(段落0027および第1図)JP2001-244081 (paragraph 0027 and FIG. 1)

しかしながら、このセグメント型の電気光学装置においては、電極をパターニングするためのフォトマスクを表示されるべき画像ごとに作成する必要があるため、画像が異なる電気光学装置を新たに製造するために多大なコストを要するという問題がある。本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、表示される画像の変更に要するコストを低減することにある。   However, in this segment type electro-optical device, it is necessary to create a photomask for patterning the electrodes for each image to be displayed. Therefore, it is very difficult to newly manufacture an electro-optical device having different images. There is a problem of cost. The present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to reduce the cost required for changing the displayed image.

この目的を達成するために、本発明に係る電気光学装置の第1の特徴は、面状に配列された複数の画素電極と、各々が前記各画素電極の面上に設けられた複数の電気光学素子と、前記各電気光学素子を挟んで前記複数の画素電極に対向する対向電極と、前記複数の画素電極のうち所定の画像に応じて選定された1以上の画素電極と電源回路との間に選択的に設けられて当該1以上の画素電極と前記電源回路とを導通させる導通部とを具備することにある。この構成によれば、所望の画像に応じて選択された画素電極と電源回路とを導通させる導通部が選択的に設けられるから、異なる画像を表示する電気光学装置を製造する場合であっても、各電極を画像に応じた形状にパターニングするためのフォトマスクを用意する必要はない。したがって、本発明によれば、それぞれ異なる画像を表示する電気光学装置を製造するコストを低減することができる。なお、本発明における電気光学素子とは、電流の供給や電圧の印加といった電気的な作用を輝度(発光量)や透過率の変化といった光学的な特性の変化に変換するための素子である。電気光学素子の典型的な例は、有機エレクトロルミネッセンス素子や発光ポリマーなどの有機発光ダイオード(OLED)素子である。   In order to achieve this object, the first feature of the electro-optical device according to the present invention is that a plurality of pixel electrodes arranged in a planar shape and a plurality of electric electrodes each provided on the surface of each pixel electrode are provided. An optical element; a counter electrode facing the plurality of pixel electrodes with the electro-optical elements interposed therebetween; and one or more pixel electrodes selected according to a predetermined image from the plurality of pixel electrodes and a power supply circuit And a conductive portion that is selectively provided between the power supply circuit and the one or more pixel electrodes. According to this configuration, since the conductive portion that electrically connects the pixel electrode selected according to the desired image and the power supply circuit is selectively provided, even when an electro-optical device that displays different images is manufactured. It is not necessary to prepare a photomask for patterning each electrode into a shape corresponding to the image. Therefore, according to the present invention, it is possible to reduce the cost of manufacturing electro-optical devices that display different images. The electro-optical element in the present invention is an element for converting an electrical action such as supply of current or application of voltage into a change in optical characteristics such as change in luminance (light emission amount) or transmittance. Typical examples of electro-optic elements are organic light emitting diode (OLED) elements such as organic electroluminescent elements and light emitting polymers.

この発明の他の態様においては、電源回路に接続された配線が設けられる一方、導通部が前記1以上の画素電極と配線との間に設けられる。この態様によれば、複数の画素電極の各々について電源回路に対する電気的な接続の有無を選定することができるから、より多様な画像を表示することができる。なお、この態様の具体的な形態については第1実施形態として後に詳述されている。一方、本発明の別の態様においては、各々に1または複数の画素電極が接続された複数の配線が設けられる一方、導通部は、複数の配線のうち所定の画像に応じて選定された1以上の画素電極に接続された各配線と電源回路との間に設けられる。この態様によれば、各配線に対して共通に接続された1または複数の画素電極ごとに電源回路に対する電気的な接続の有無が選定されるから構成の簡略化が図られる。なお、この態様の具体的な形態については第2実施形態として後に詳述されている。   In another aspect of the present invention, a wiring connected to the power supply circuit is provided, and a conduction portion is provided between the one or more pixel electrodes and the wiring. According to this aspect, since it is possible to select whether each of the plurality of pixel electrodes is electrically connected to the power supply circuit, it is possible to display more various images. A specific form of this aspect will be described later in detail as the first embodiment. On the other hand, in another aspect of the present invention, a plurality of wirings each having one or a plurality of pixel electrodes connected thereto are provided, while the conduction portion is selected according to a predetermined image among the plurality of wirings. It is provided between each wiring connected to the pixel electrode and the power supply circuit. According to this aspect, since the presence or absence of electrical connection to the power supply circuit is selected for each of one or a plurality of pixel electrodes commonly connected to each wiring, the configuration can be simplified. A specific form of this aspect will be described later in detail as a second embodiment.

また、本発明に係る電気光学装置の第2の特徴は、面状に配列された複数の画素電極と、各々が前記各画素電極の面上に設けられた複数の電気光学素子と、前記各電気光学素子を挟んで前記複数の画素電極に対向する対向電極と、各々が前記画素電極と電源回路との間に設けられて当該画素電極と前記電源回路とを導通させる複数の導通部であって各々の抵抗値が所定の画像に応じて選定された複数の導通部とを具備することにある。この構成によれば、各画素電極と電源回路との間に介在する導通部の抵抗値を適宜に選定することによって所望の画像(特に多階調の画像)が表示される。したがって、異なる画像を表示する電気光学装置を製造する場合であっても各電極を画像に応じた形状にパターニングするためのフォトマスクを用意する必要はないから、それぞれ異なる画像を表示する電気光学装置を製造するコストを低減することができる。   In addition, a second feature of the electro-optical device according to the invention includes a plurality of pixel electrodes arranged in a planar shape, a plurality of electro-optical elements each provided on a surface of each pixel electrode, A counter electrode facing the plurality of pixel electrodes with an electro-optic element interposed therebetween, and a plurality of conductive portions, each provided between the pixel electrode and the power supply circuit, for conducting the pixel electrode and the power supply circuit. In other words, each of the resistance values includes a plurality of conductive portions selected according to a predetermined image. According to this configuration, a desired image (particularly a multi-gradation image) is displayed by appropriately selecting the resistance value of the conductive portion interposed between each pixel electrode and the power supply circuit. Accordingly, even in the case of manufacturing an electro-optical device that displays different images, it is not necessary to prepare a photomask for patterning each electrode into a shape corresponding to the image. The manufacturing cost can be reduced.

この第2の特徴に係る電気光学装置の他の態様においては、電源回路に接続された配線が設けられる一方、複数の導通部の各々が各画素電極と配線との間に設けられる。この態様によれば、複数の画素電極の各々について当該画素電極から電源回路に至る経路の抵抗値を選定することができるから、より多様な画像を表示することができる。なお、この態様の具体的な形態については第3実施形態として後に詳述されている。また、この態様において、各導通部の抵抗値は、各画素電極と配線とを接続する導通部の本数や導通部を形成する導電性材料の種類といった各種の要素によって定められる。一方、本発明の別の態様においては、各々に1または複数の画素電極が接続された複数の配線が設けられ、複数の導通部の各々が各配線と電源回路との間に設けられる。この態様によれば、各配線に対して共通に接続された1または複数の画素電極ごとに電源回路に至る経路の抵抗値が選定されるから構成の簡略化が図られる。   In another aspect of the electro-optical device according to the second feature, a wiring connected to the power supply circuit is provided, and each of the plurality of conductive portions is provided between each pixel electrode and the wiring. According to this aspect, since the resistance value of the path from the pixel electrode to the power supply circuit can be selected for each of the plurality of pixel electrodes, more various images can be displayed. In addition, the specific form of this aspect is explained in full detail later as 3rd Embodiment. Further, in this aspect, the resistance value of each conducting portion is determined by various factors such as the number of conducting portions connecting each pixel electrode and the wiring and the kind of conductive material forming the conducting portion. On the other hand, in another aspect of the present invention, a plurality of wirings each having one or a plurality of pixel electrodes connected thereto are provided, and each of the plurality of conductive portions is provided between each wiring and the power supply circuit. According to this aspect, since the resistance value of the path leading to the power supply circuit is selected for each of one or a plurality of pixel electrodes commonly connected to each wiring, the configuration can be simplified.

なお、上記第1および第2の特徴を有する電気光学装置の望ましい態様においては、所定の抵抗率を有する導電性材料により形成されて前記画素電極と前記対向電極との間に介在する抵抗層が設けられる。この態様によれば、いずれかの画素電極と対向電極とが何らかの原因によって仮に短絡したとしても、その画素電極と導通する他の画素電極に当該短絡の影響が及ぶことが抑えられる。この態様においては、抵抗層が電気光学素子からみて観察側(すなわち表示される画像を視認する観察者が位置する側)とは反対側に設けられることが望ましい。こうすれば、電気光学素子から発せられた光(または電気光学素子を透過した光)を、抵抗層を経由させることなく観察側に出射させることができるから、光の損失を抑えて良好な表示品位を維持することができる。   In a desirable aspect of the electro-optical device having the first and second features, a resistance layer formed of a conductive material having a predetermined resistivity and interposed between the pixel electrode and the counter electrode is provided. Provided. According to this aspect, even if any one of the pixel electrode and the counter electrode is short-circuited for some reason, it is possible to suppress the influence of the short-circuit from affecting another pixel electrode that is electrically connected to the pixel electrode. In this aspect, it is desirable that the resistance layer is provided on the side opposite to the observation side (that is, the side on which the observer who views the displayed image is located) as viewed from the electro-optic element. In this way, the light emitted from the electro-optic element (or the light transmitted through the electro-optic element) can be emitted to the observation side without passing through the resistance layer. The quality can be maintained.

また、本発明に係る電気光学装置において、基材の面上に開口部を有する膜体が設けられ、導通部が当該開口部の内周縁により囲まれた領域内に設けられた構成も採用され得る。この構成によれば、導電性材料を含む液滴を開口部により囲まれた領域内に着弾させることによって導通部を形成する比較的安価な方法(液滴吐出法)を利用することができる。もっとも、これ以外の方法によっても導通部は形成され得る。   In the electro-optical device according to the present invention, a configuration in which a film body having an opening is provided on the surface of the base material and the conduction portion is provided in a region surrounded by the inner periphery of the opening is also employed. obtain. According to this configuration, it is possible to use a relatively inexpensive method (droplet discharge method) in which a conductive portion is formed by landing a droplet containing a conductive material in a region surrounded by the opening. However, the conducting portion can be formed by other methods.

上記目的を達成するために、本発明に係る製造方法の第1の特徴は、複数の画素電極を面状に配列させて形成する工程と、前記各画素電極の面状に電気光学素子を形成する工程と、前記各電気光学素子を挟んで前記複数の画素電極に対向する対向電極を形成する工程と、前記複数の画素電極のうち所定の画像に応じて選定された1以上の画素電極と電源回路とを導通させる導通部を選択的に形成する工程とを有することにある。この方法によれば、画素電極と電源回路とを導通させる導通部を選択的に形成することによって所定の画像を表示する電気光学装置が得られるから、表示すべき画像ごとに異なるフォトマスクを用意する必要はない。したがって、本発明によれば、それぞれ異なる画像を表示する電気光学装置を製造するコストを低減することができる。   In order to achieve the above object, the first feature of the manufacturing method according to the present invention is that a plurality of pixel electrodes are arranged in a plane, and an electro-optic element is formed in the plane of each pixel electrode. A step of forming counter electrodes opposed to the plurality of pixel electrodes across the electro-optic elements, and one or more pixel electrodes selected according to a predetermined image among the plurality of pixel electrodes; And a step of selectively forming a conduction portion for conducting the power supply circuit. According to this method, an electro-optical device that displays a predetermined image can be obtained by selectively forming a conducting portion that conducts the pixel electrode and the power supply circuit. Therefore, a different photomask is prepared for each image to be displayed. do not have to. Therefore, according to the present invention, it is possible to reduce the cost of manufacturing electro-optical devices that display different images.

さらに、本発明に係る製造方法の第2の特徴は、複数の画素電極を面状に配列させて形成する工程と、前記各画素電極の面状に電気光学素子を形成する工程と、前記各電気光学素子を挟んで前記複数の画素電極に対向する対向電極を形成する工程と、各々が所定の画像に応じて選定された抵抗値をもって前記各画素電極と前記電源回路とを導通させる複数の導通部を形成する工程とを有する。この方法によれば、画素電極と電源回路との間に介在する各導通部の抵抗値を適宜に選定することによって所定の画像を表示する電気光学装置が得られるから、表示すべき画像ごとに異なるフォトマスクを用意する必要はない。したがって、本発明によれば、それぞれ異なる画像を表示する電気光学装置を製造するコストを低減することができる。   Furthermore, the second feature of the manufacturing method according to the present invention is that a plurality of pixel electrodes are arranged in a plane, a step of forming an electro-optic element in the plane of each pixel electrode, Forming a counter electrode opposed to the plurality of pixel electrodes with an electro-optic element interposed therebetween, and a plurality of electrical connections between the pixel electrodes and the power supply circuit, each having a resistance value selected according to a predetermined image Forming a conductive portion. According to this method, since an electro-optical device that displays a predetermined image can be obtained by appropriately selecting the resistance value of each conductive portion interposed between the pixel electrode and the power supply circuit, for each image to be displayed There is no need to prepare a different photomask. Therefore, according to the present invention, it is possible to reduce the cost of manufacturing electro-optical devices that display different images.

上記第1および第2の特徴を有する製造方法のうち導通部を形成する工程においては、導電性材料を含む液滴を吐出口から吐出し、この液滴を着弾させることによって前記導通部を形成することが望ましい。この方法によれば、導通部をフォトリソグラフィ技術などを用いて形成する場合と比較して製造コストを低減することができる。   In the step of forming the conducting portion in the manufacturing method having the first and second features, the conducting portion is formed by ejecting a droplet containing a conductive material from an ejection port and landing the droplet. It is desirable to do. According to this method, the manufacturing cost can be reduced as compared with the case where the conductive portion is formed using a photolithography technique or the like.

なお、上記第1および第2の特徴に係る製造方法において各工程が実施される順番は任意である。例えば、第1の特徴に係る製造方法において、複数の画素電極を形成する工程と電気光学素子を形成する工程と対向電極を形成する工程と導通部を形成する工程とはいかなる順番で実施されてもよい。   In addition, the order in which each process is implemented in the manufacturing method which concerns on the said 1st and 2nd characteristic is arbitrary. For example, in the manufacturing method according to the first feature, the step of forming the plurality of pixel electrodes, the step of forming the electro-optic element, the step of forming the counter electrode, and the step of forming the conductive portion are performed in any order. Also good.

図面を参照しながら本発明を実施するための具体的な形態を説明する。以下では、OLED素子の一例である有機エレクトロルミネッセンス素子を電気光学素子として用いた電気光学装置に本発明が適用された形態を例示するが、本発明の適用され得る範囲をこの装置に限定する趣旨ではない。また、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。   Specific embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. In the following, a mode in which the present invention is applied to an electro-optical device using an organic electroluminescence element as an example of an OLED element as an electro-optical element will be exemplified, but the scope to which the present invention can be applied is limited to this device. is not. Further, in the respective drawings shown below, the dimensions and ratios of the respective constituent elements are appropriately changed from the actual ones in order to make the respective constituent elements large enough to be recognized on the drawings.

<A:第1実施形態>
<A−1:電気光学装置の構成>
図1は、本実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。同図に示されるように、この電気光学装置100は表示パネル1と電源回路8とを有する。図1および表示パネル1の断面図である図2に示されるように、表示パネル1はガラスやプラスチックなどからなる平板状の基材10を有する。本実施形態に係る表示パネル1は、後述するOLED素子21から発せられた光が基材10を透過して観察側(図2における下側)に出射されるボトムエミッション型のパネルである。
<A: First Embodiment>
<A-1: Configuration of electro-optical device>
FIG. 1 is a block diagram illustrating a configuration of the electro-optical device according to the present embodiment. As shown in the figure, the electro-optical device 100 includes a display panel 1 and a power supply circuit 8. As shown in FIG. 1 and FIG. 2, which is a cross-sectional view of the display panel 1, the display panel 1 has a flat substrate 10 made of glass or plastic. The display panel 1 according to the present embodiment is a bottom emission type panel in which light emitted from an OLED element 21 described later is transmitted through the substrate 10 and emitted to the observation side (lower side in FIG. 2).

基材10の板面上には、X方向およびY方向にわたって複数の画素電極11がマトリクス状に配置されている。各画素電極11はOLED素子21の陽極として機能する略矩形状の電極であり、インジウム錫酸化物(ITO:Indium Tin Oxide)などの光透過性を有する導電性材料により形成されている。さらに、基材10と垂直な方向からみてX方向に隣接する各画素電極11の間隙に相当する領域には、Y方向に延在して一端が電源回路8に接続された配線12が設けられている。   On the plate surface of the substrate 10, a plurality of pixel electrodes 11 are arranged in a matrix form in the X direction and the Y direction. Each pixel electrode 11 is a substantially rectangular electrode functioning as an anode of the OLED element 21 and is formed of a light-transmitting conductive material such as indium tin oxide (ITO). Furthermore, a wiring 12 extending in the Y direction and having one end connected to the power supply circuit 8 is provided in a region corresponding to the gap between the pixel electrodes 11 adjacent in the X direction when viewed from the direction perpendicular to the base material 10. ing.

図2に示されるように、基材10の板面上には隔壁14が設けられている。この隔壁14は、X方向またはY方向にわたって相互に隣接する各画素電極11の間隙と重なるように格子状に設けられて基材10の板面(より詳細には、後述する第2絶縁層32の表面)から突出する。上述した配線12は、図2に示されるように、格子状の隔壁14のうちY方向に延在する部分と重なり合う。電気光学素子たるOLED素子21は、画素電極11の面上にあって隔壁14により四方を囲まれた空間(窪み)に入り込むように設けられている。各OLED素子21は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層および電子注入層が画素電極11側からみてこの順に積層された構造を有し、赤色、緑色および青色のいずれかの色に対応する波長の光を発する。各OLED素子21には、所定の抵抗率を有する導電性材料からなる抵抗層23が積層されている。   As shown in FIG. 2, a partition wall 14 is provided on the plate surface of the substrate 10. The partition walls 14 are provided in a lattice shape so as to overlap with the gaps between the pixel electrodes 11 adjacent to each other in the X direction or the Y direction, and the plate surface of the base material 10 (more specifically, a second insulating layer 32 described later). Protruding from the surface of As shown in FIG. 2, the wiring 12 described above overlaps a portion extending in the Y direction in the lattice-shaped partition wall 14. The OLED element 21 as an electro-optical element is provided on the surface of the pixel electrode 11 so as to enter a space (depression) surrounded on all sides by the partition wall 14. Each OLED element 21 has a structure in which a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer are stacked in this order when viewed from the pixel electrode 11 side, and any of red, green, and blue Emits light of a wavelength corresponding to that color. Each OLED element 21 is laminated with a resistance layer 23 made of a conductive material having a predetermined resistivity.

隔壁14およびOLED素子21が設けられた基材10の板面は電源回路8に接続された対向電極15によって覆われている。この対向電極15は、各OLED素子21を挟んで複数の画素電極11と対向するように設けられた単一の電極であり、OLED素子21の陰極として機能する。本実施形態における対向電極15は、アルミニウムや銀などの単体金属やこれらの金属を主成分として含む合金など光反射性を有する導電性材料によって形成されている。この構成によれば、OLED素子21から観察側とは反対側(図2における上側)に発せられた光を対向電極15によって観察側に反射させることができる。対向電極15が形成された基材10の板面はその全域にわたり封止層17によって覆われている。この封止層17は、基材10上に形成された対向電極15などの各要素を保護するための層である。   The plate surface of the base material 10 on which the partition wall 14 and the OLED element 21 are provided is covered with a counter electrode 15 connected to the power supply circuit 8. The counter electrode 15 is a single electrode provided to face the plurality of pixel electrodes 11 with each OLED element 21 interposed therebetween, and functions as a cathode of the OLED element 21. The counter electrode 15 in the present embodiment is formed of a light-reflective conductive material such as a single metal such as aluminum or silver or an alloy containing these metals as a main component. According to this configuration, light emitted from the OLED element 21 to the side opposite to the observation side (upper side in FIG. 2) can be reflected to the observation side by the counter electrode 15. The plate surface of the substrate 10 on which the counter electrode 15 is formed is covered with a sealing layer 17 over the entire area. The sealing layer 17 is a layer for protecting each element such as the counter electrode 15 formed on the substrate 10.

一方、電源回路8は、各配線12および対向電極15に電力を供給するための回路である。さらに詳述すると、電源回路8は、配線12に対して電源電圧の高位側を印加する一方、対向電極15に対して電源電圧の低位側(接地電位)を印加する。このように各画素電極11と対向電極15との間に電圧が印加されるとOLED素子21に電流が流れて当該OLED素子21が発光する。すなわち、画素電極11および対向電極15と両電極に挟まれたOLED素子21とによって画素が構成される。ここで、各画素電極11と対向電極15との間に抵抗層23を設けない構成においては、ある画素電極11と対向電極15とが何らかの原因(例えばOLED素子21の欠陥)により短絡した場合に配線12の電位が対向電極15の電位まで低下し、この影響が当該画素電極11に配線12を介して接続された他の画素電極11にも及ぶこととなる。これに対し、本実施形態のように抵抗層23が設けられた構成のもとでは、仮にひとつの画素電極11と対向電極15とが短絡したとしても、その画素電極11に配線12を介して接続された他の画素電極11(Y方向に並ぶ画素電極11)の画素に対して当該短絡により与えられる影響を抑えることができる。なお、図2に示されるように、本実施形態においては抵抗層23をOLED素子21と対向電極15との間に介在させた構成が例示されているが、この抵抗層23を画素電極11とOLED素子21との間に介在させた構成も採用され得る。ただし、ボトムエミッション型の表示パネル1においてはOLED素子21から発せられた光が画素電極11から基材10を介して観察側に出射するから、光の損失を抑えて輝度を確保するという観点からすると、図2に示されるように抵抗層23をOLED素子21からみて観察側とは反対側に設けた構成(すなわちOLED素子21から発せられた光が抵抗層23を経由することなく基材10側に出射する構成)が望ましいと言える。   On the other hand, the power supply circuit 8 is a circuit for supplying power to each wiring 12 and the counter electrode 15. More specifically, the power supply circuit 8 applies a higher power supply voltage side to the wiring 12, while applying a lower power supply voltage side (ground potential) to the counter electrode 15. As described above, when a voltage is applied between each pixel electrode 11 and the counter electrode 15, a current flows through the OLED element 21 and the OLED element 21 emits light. That is, a pixel is constituted by the pixel electrode 11 and the counter electrode 15 and the OLED element 21 sandwiched between both electrodes. Here, in the configuration in which the resistance layer 23 is not provided between each pixel electrode 11 and the counter electrode 15, when a certain pixel electrode 11 and the counter electrode 15 are short-circuited for some reason (for example, a defect of the OLED element 21). The potential of the wiring 12 is lowered to the potential of the counter electrode 15, and this influence also reaches other pixel electrodes 11 connected to the pixel electrode 11 through the wiring 12. On the other hand, under the configuration in which the resistance layer 23 is provided as in the present embodiment, even if one pixel electrode 11 and the counter electrode 15 are short-circuited, the pixel electrode 11 is connected to the pixel electrode 11 via the wiring 12. The influence exerted by the short circuit on the pixels of the other connected pixel electrodes 11 (pixel electrodes 11 arranged in the Y direction) can be suppressed. As shown in FIG. 2, in the present embodiment, a configuration in which the resistance layer 23 is interposed between the OLED element 21 and the counter electrode 15 is illustrated, but the resistance layer 23 is connected to the pixel electrode 11. A configuration interposed between the OLED element 21 and the OLED element 21 can also be adopted. However, in the bottom emission type display panel 1, since the light emitted from the OLED element 21 is emitted from the pixel electrode 11 to the observation side through the base material 10, from the viewpoint of ensuring luminance by suppressing light loss. Then, as shown in FIG. 2, the resistance layer 23 is provided on the side opposite to the observation side when viewed from the OLED element 21 (that is, the light emitted from the OLED element 21 does not pass through the resistance layer 23 and the substrate 10 It can be said that the configuration of emitting light to the side is desirable.

本実施形態に係る電気光学装置100は特定の画像(以下「対象画像」という)を固定的に表示する装置である。この表示を実現するために、多数の画素のなかから対象画像を構成するものとして選択された複数の画素(以下「表示画素」という場合がある)に対してのみ電源回路8から電力が供給されるようになっている。本実施形態においては、図1に示されるように、複数の画素電極11のうち表示画素の画素電極11は配線12と電気的に導通する一方、それ以外の画素(以下「非表示画素」という場合がある)の画素電極11は配線12から絶縁されている。この構成のもとで電源回路8から配線12に電圧が印加されると、この配線12に沿って列をなす複数の画素電極11のうち表示画素の画素電極11に対してのみ当該配線12を介して選択的に電圧が印加される。この結果、表示画素のOLED素子21のみが発光して対象画像が表示されるのである。   The electro-optical device 100 according to the present embodiment is a device that fixedly displays a specific image (hereinafter referred to as “target image”). In order to realize this display, power is supplied from the power supply circuit 8 only to a plurality of pixels (hereinafter sometimes referred to as “display pixels”) selected from among a large number of pixels as constituting the target image. It has become so. In the present embodiment, as shown in FIG. 1, among the plurality of pixel electrodes 11, the pixel electrode 11 of the display pixel is electrically connected to the wiring 12, while other pixels (hereinafter referred to as “non-display pixels”). In some cases, the pixel electrode 11 is insulated from the wiring 12. When a voltage is applied from the power supply circuit 8 to the wiring 12 under this configuration, the wiring 12 is connected only to the pixel electrode 11 of the display pixel among the plurality of pixel electrodes 11 forming a column along the wiring 12. A voltage is selectively applied through the vias. As a result, only the OLED element 21 of the display pixel emits light and the target image is displayed.

ここで、図3は、各画素に関わる要素を拡大して示す平面図である。図3に拡大して示された2つの画素電極11のうち上方の画素電極11は表示画素を構成する画素電極11であり、下方の画素電極11は非表示画素を構成する画素電極11である。また、図4は図3におけるIV−IV線からみた断面図であり、図5は図3におけるV−V線からみた断面図である。図3に示されるように、Y方向に延在する各配線12は、画素電極11側(X方向)に突出する突出部121を有する。さらに、図4および図5に示されるように、配線12が形成された基材10の板面はその全域にわたり第1絶縁層31によって覆われている。この第1絶縁層31は樹脂材料などの絶縁性材料により形成された膜体であり、当該第1絶縁層31を厚さ方向に貫通するように開口した部分(以下「導通用開口部」という)311が画素ごとに設けられている。基材10の板面に垂直な方向からみると、図3に示されるように、導通用開口部311は、その一部が配線12の突出部121と重なり合うとともにX方向に延在する形状となっている。そして、図3および図4に示されるように、複数の画素のうち表示画素に対応する導通用開口部311内には、画素電極11と配線12(ひいては電源回路8)とを導通させるための導通部34(図3においてハッチングが施された部分)が設けられている。さらに詳述すると、導通部34は、基材10を底面として導通用開口部311の内周縁により囲まれた空間(窪み)に入り込むように(すなわち導通用開口部311を埋めるように)形成される。この導通部34は、金や銅など各種の導電性材料によって形成されている。上述したように配線12の突出部121は導通用開口部311の内周縁から内側に張り出すように設けられているから、この突出部121と導通用開口部311に設けられた導通部34とは接触する。一方、図3および図5に示されるように、複数の画素のうち非表示画素に対応する導通用開口部311には導通部34が設けられていない。   Here, FIG. 3 is an enlarged plan view showing elements related to each pixel. Of the two pixel electrodes 11 shown enlarged in FIG. 3, the upper pixel electrode 11 is a pixel electrode 11 constituting a display pixel, and the lower pixel electrode 11 is a pixel electrode 11 constituting a non-display pixel. . 4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV in FIG. 3, and FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line V-V in FIG. As shown in FIG. 3, each wiring 12 extending in the Y direction has a protruding portion 121 that protrudes toward the pixel electrode 11 (X direction). Further, as shown in FIGS. 4 and 5, the plate surface of the base material 10 on which the wiring 12 is formed is covered with the first insulating layer 31 over the entire area. The first insulating layer 31 is a film body formed of an insulating material such as a resin material, and a portion opened so as to penetrate the first insulating layer 31 in the thickness direction (hereinafter referred to as a “conductive opening”). ) 311 is provided for each pixel. When viewed from the direction perpendicular to the plate surface of the base material 10, as shown in FIG. 3, the conduction opening 311 partially overlaps the protrusion 121 of the wiring 12 and extends in the X direction. It has become. As shown in FIGS. 3 and 4, the pixel electrode 11 and the wiring 12 (and thus the power supply circuit 8) are conducted in the conduction opening 311 corresponding to the display pixel among the plurality of pixels. A conducting portion 34 (a hatched portion in FIG. 3) is provided. More specifically, the conductive portion 34 is formed so as to enter a space (depression) surrounded by the inner peripheral edge of the conductive opening 311 with the base material 10 as a bottom surface (that is, to fill the conductive opening 311). The The conductive portion 34 is formed of various conductive materials such as gold and copper. As described above, the protruding portion 121 of the wiring 12 is provided so as to protrude inward from the inner peripheral edge of the conductive opening 311, and therefore, the protruding portion 121 and the conductive portion 34 provided in the conductive opening 311, Touch. On the other hand, as shown in FIGS. 3 and 5, the conduction portion 34 is not provided in the conduction opening 311 corresponding to the non-display pixel among the plurality of pixels.

第1絶縁層31の表面は第2絶縁層32によって覆われている。この第2絶縁層32は第1絶縁層31と同様に樹脂材料などの絶縁性材料により形成された膜体である。図4に示されるように、第2絶縁層32のうち表示画素に対応する部分は導通部34を覆うように設けられる。これに対し、図5に示されるように、第2絶縁層32のうち非表示画素に対応する部分は、基材10を底面として導通用開口部311の内周縁により囲まれた空間に入り込む(すなわち導通用開口部311を埋める)ように設けられる。図3に示されるように、第2絶縁層32には、基材10に垂直な方向からみて導通用開口部311の領域内であって配線12の突出部121と重ならない位置に当該第2絶縁層32を厚さ方向に貫通する開口部321が設けられている。   The surface of the first insulating layer 31 is covered with the second insulating layer 32. The second insulating layer 32 is a film body made of an insulating material such as a resin material, like the first insulating layer 31. As shown in FIG. 4, a portion corresponding to the display pixel in the second insulating layer 32 is provided so as to cover the conductive portion 34. On the other hand, as shown in FIG. 5, the portion corresponding to the non-display pixel in the second insulating layer 32 enters the space surrounded by the inner peripheral edge of the opening 311 for conduction with the base material 10 as the bottom surface ( That is, it is provided so as to fill the opening 311 for conduction). As shown in FIG. 3, the second insulating layer 32 has the second insulating layer 32 at a position in the region of the opening 311 for conduction as viewed from the direction perpendicular to the base material 10 and does not overlap the protruding portion 121 of the wiring 12. An opening 321 penetrating the insulating layer 32 in the thickness direction is provided.

一方、画素電極11は、第2絶縁層32の開口部321と重なるように延出した延出部111を有する。図4に示されるように、表示画素を構成する画素電極11の延出部111は開口部321に入り込んで底面たる導通部34に到達する。この構成により、表示画素を構成する画素電極11は、導通部34を介して配線12および電源回路8と電気的に導通する。一方、図5に示されるように、非表示画素には導通部34が設けられていないから、非表示画素を構成する画素電極11の延出部111は開口部321に入り込んで基材10の板面に到達する。したがって、非表示画素を構成する画素電極11は、第2絶縁層32によって配線12から電気的に絶縁された状態となる。画素電極11よりも上層の構成は図2を参照して説明した通りである。このように、表示画素と非表示画素とは導通部34の有無のみが異なる。   On the other hand, the pixel electrode 11 has an extending portion 111 that extends so as to overlap the opening 321 of the second insulating layer 32. As shown in FIG. 4, the extension portion 111 of the pixel electrode 11 constituting the display pixel enters the opening 321 and reaches the conduction portion 34 which is the bottom surface. With this configuration, the pixel electrode 11 constituting the display pixel is electrically connected to the wiring 12 and the power supply circuit 8 via the conduction portion 34. On the other hand, as shown in FIG. 5, since the non-display pixel is not provided with the conductive portion 34, the extension portion 111 of the pixel electrode 11 constituting the non-display pixel enters the opening 321 and the base material 10. Reach the board surface. Accordingly, the pixel electrode 11 constituting the non-display pixel is electrically insulated from the wiring 12 by the second insulating layer 32. The structure above the pixel electrode 11 is as described with reference to FIG. In this way, the display pixel and the non-display pixel differ only in the presence or absence of the conduction portion 34.

<A−2:電気光学装置の製造方法>
次に、上述した電気光学装置100の製造方法を説明する。なお、以下では、配線12の形成から画素電極11の形成までの工程を図4の断面図に対応する図6を参照して説明する一方、隔壁14の形成から電気光学装置100の完成までの工程を図2の断面図に対応する図7を参照して説明する。
<A-2: Manufacturing method of electro-optical device>
Next, a method for manufacturing the electro-optical device 100 described above will be described. In the following, the process from the formation of the wiring 12 to the formation of the pixel electrode 11 will be described with reference to FIG. 6 corresponding to the cross-sectional view of FIG. The process will be described with reference to FIG. 7 corresponding to the sectional view of FIG.

まず、図6(a)に示されるように、突出部121を有する配線12が基材10の板面上に形成される。より具体的には、アルミニウムや銀、銅などからなる導電性の薄膜をスパッタリングなどの成膜技術により形成した後、この薄膜に対してフォトリソグラフィ技術を用いたパターニング処理を施すことによって配線12が得られる。続いて、図6(b)に示されるように、導通用開口部311を有する第1絶縁層31が基材10の板面を覆うように形成される。具体的には、ポリイミドやアクリル、ポリアミドといった感光性の有機材料を基材10上に塗布した後に加熱により硬化させ、この薄膜に対して所定のフォトマスクを用いた露光と現像とを施すことによって第1絶縁層31が得られる。   First, as shown in FIG. 6A, the wiring 12 having the protrusion 121 is formed on the plate surface of the substrate 10. More specifically, after a conductive thin film made of aluminum, silver, copper, or the like is formed by a film forming technique such as sputtering, the wiring 12 is formed by performing a patterning process using a photolithography technique on the thin film. can get. Subsequently, as illustrated in FIG. 6B, the first insulating layer 31 having the conductive opening 311 is formed so as to cover the plate surface of the base material 10. Specifically, a photosensitive organic material such as polyimide, acrylic, or polyamide is applied on the substrate 10 and then cured by heating, and the thin film is exposed and developed using a predetermined photomask. A first insulating layer 31 is obtained.

次いで、図6(c)に示されるように、第1絶縁層31に設けられた複数の導通用開口部311のうち表示画素に対応するものに対して選択的に導通部34が形成される。この形成には液滴吐出法(インクジェット法)が用いられる。すなわち、図6(c)に示されるように、多数の導通用開口部311のうち表示画素に対応する導通用開口部311の上方に吐出口71を移動させたうえで、この吐出口71から導電性材料を含む液滴を吐出して導通用開口部311内に着弾させる。これを表示画素の総てについて繰り返したうえで乾燥させることによって表示画素のみに選択的に導通部34が形成される。一方、非表示画素に対応する導通用開口部311には導通部34となる液滴が吐出されない。なお、この工程において吐出口71から吐出される液滴の材料としては、金属材料(例えば金、銀、銅、パラジウムまたはニッケルなど)、導電性ポリマーまたは超伝導材料など各種の導電性材料からなる微粒子(以下「導電性粒子」という)を水などの液体中に分散させたものが採用され得る。吐出口71から吐出される関係上、導電性粒子の粒径は50nm(ナノメートル)から0.1μm(マイクロメートル)程度であることが望ましい。また、導電性粒子を液体中に効率よく分散させるために、各導電性粒子の表面を有機材料によってコーティングしてもよい。例えば、金からなる直径10nm程度の微粒子が分散されたトルエンにキシレンを添加し、その粘度を3mPa・s(ミリパスカル秒)程度とした液体を吐出口71から吐出させることによって導通部34が形成される。   Next, as shown in FIG. 6C, the conductive portion 34 is selectively formed with respect to the one corresponding to the display pixel among the plurality of conductive openings 311 provided in the first insulating layer 31. . For this formation, a droplet discharge method (inkjet method) is used. That is, as shown in FIG. 6C, after the discharge port 71 is moved above the conductive opening 311 corresponding to the display pixel among the large number of conductive openings 311, A droplet containing a conductive material is discharged and landed in the opening 311 for conduction. By repeating this process for all the display pixels and then drying, the conductive portion 34 is selectively formed only in the display pixels. On the other hand, a droplet that becomes the conductive portion 34 is not discharged to the conductive opening 311 corresponding to the non-display pixel. The material of the droplets discharged from the discharge port 71 in this step is made of various conductive materials such as metal materials (for example, gold, silver, copper, palladium or nickel), conductive polymers or superconductive materials. Fine particles (hereinafter referred to as “conductive particles”) dispersed in a liquid such as water may be employed. In view of the discharge from the discharge port 71, the particle size of the conductive particles is preferably about 50 nm (nanometer) to about 0.1 μm (micrometer). Moreover, in order to disperse | distribute electroconductive particle in a liquid efficiently, you may coat the surface of each electroconductive particle with an organic material. For example, the conducting portion 34 is formed by adding xylene to toluene in which fine particles having a diameter of about 10 nm made of gold are dispersed and discharging a liquid having a viscosity of about 3 mPa · s (millipascal second) from the discharge port 71. Is done.

次に、図6(d)に示されるように、開口部321を有する第2絶縁層32が第1絶縁層31の表面を覆うように形成される。この第2絶縁層32は、第1絶縁層31と同様の工程において共通の材料により形成される。さらに、図6(e)に示されるように、延出部111を有する画素電極11が表示画素および非表示画素の各々に対応するように第2絶縁層32の面上に形成される。この画素電極11は、インジウム錫酸化物や酸化インジウム、酸化亜鉛系アモルファスなどからなる導電性および光透過性を有する薄膜をスパッタリングなどの成膜技術によって形成した後、この薄膜に対してフォトリソグラフィ技術を用いたパターニング処理を施すことによって得られる。これにより得られた画素電極11の延出部111は第2絶縁層32の開口部321に入り込み、表示画素においては導通部34と接触する一方、非表示画素においては第1絶縁層31の導通用開口部311を介して基材10の表面に至る。なお、表示パネル1がトップエミッション型である場合には、画素電極11に光透過性は要求されないから、アルミニウムや銀などの単体金属やこれらを主成分として含む合金など光反射性を有する導電性材料(あるいは光透過性を有さない導電性材料)によって画素電極11が形成される。   Next, as shown in FIG. 6D, a second insulating layer 32 having an opening 321 is formed so as to cover the surface of the first insulating layer 31. The second insulating layer 32 is formed of a common material in the same process as the first insulating layer 31. Further, as shown in FIG. 6E, the pixel electrode 11 having the extending portion 111 is formed on the surface of the second insulating layer 32 so as to correspond to each of the display pixel and the non-display pixel. The pixel electrode 11 is formed by forming a conductive and light-transmitting thin film made of indium tin oxide, indium oxide, zinc oxide-based amorphous, or the like by a film forming technique such as sputtering, and then applying a photolithography technique to the thin film. It is obtained by performing a patterning process using The extension 111 of the pixel electrode 11 obtained in this way enters the opening 321 of the second insulating layer 32 and contacts the conductive portion 34 in the display pixel, while the conductive portion of the first insulating layer 31 in the non-display pixel. It reaches the surface of the substrate 10 through the common opening 311. Note that when the display panel 1 is a top emission type, the pixel electrode 11 is not required to be light transmissive. Therefore, a conductive material having light reflectivity such as a single metal such as aluminum or silver or an alloy containing these as a main component. The pixel electrode 11 is formed of a material (or a conductive material that does not have optical transparency).

続いて、図7(a)に示されるように、第2絶縁層32の面上に隔壁14が形成される。具体的には、ポリイミドやアクリル、ポリアミドといった感光性の有機材料を第2絶縁層32上に塗布した後に加熱により硬化させ、この薄膜に対して所定のフォトマスクを用いた露光と現像とを施すことによって格子状の隔壁14が得られる。さらに、隔壁14に対してCF、SiFまたはBFなどのガスを反応ガスとしたプラズマ処理が施されて、その表面が撥液性(撥水性)を呈するように改質される。なお、隔壁14の表面を改質するのではなく、隔壁14となる有機材料に弗化物を添加することにより隔壁14自体に撥液性を持たせるようにしてもよい。 Subsequently, as shown in FIG. 7A, the partition wall 14 is formed on the surface of the second insulating layer 32. Specifically, a photosensitive organic material such as polyimide, acrylic or polyamide is applied on the second insulating layer 32 and then cured by heating, and this thin film is exposed and developed using a predetermined photomask. Thus, a lattice-like partition wall 14 is obtained. Further, the partition wall 14 is subjected to plasma treatment using a gas such as CF 4 , SiF 4 or BF 3 as a reaction gas, and the surface thereof is modified so as to exhibit liquid repellency (water repellency). Instead of modifying the surface of the partition wall 14, the partition wall 14 itself may have liquid repellency by adding a fluoride to the organic material to be the partition wall 14.

次に、図7(b)に示されるように、隔壁14により区画された多数の領域の各々にOLED素子21が形成される。この形成には液滴吐出法(インクジェット法)が用いられる。すなわち、図7(b)に示されるように、OLED素子21が形成されるべき領域の上方に吐出口72を移動させたうえで、この吐出口72から電気光学物質を含む液滴を吐出して画素電極11の表面に着弾させる。これを総ての画素について繰り返したうえで乾燥させることによりOLED素子21が得られる。なお、OLED素子21の正孔輸送層は、例えば、ポリチオフェン誘導体やポリピロール誘導体、あるいはこれらにドーピングを施した材料により形成される。より具体的には、3,4−ポリエチレンジオキシチオフェンを溶媒としてのポリスチレンスルフォン酸に分散させたうえで水を加えた分散液(PEDOT/PSSの分散液)が吐出口72から吐出されて正孔輸送層が形成される。また、OLED素子21の発光層は、例えば、ポリフルオレン誘導体(PV)、ポリパラフェニレンビニレン誘導体(PPV)、ポリフェニレン誘導体(PP)、ポリパラフェニレン誘導体(PPP)、ポリビニルカルバゾール(PVK)、ポリチオフェン誘導体、ポリジアルキルフルオレン(PDAF)、ポリフルオレンベンゾチアジアゾール(PFBT)、ポリアルキルチオフェン(PAT)、あるいはポリメチルフェニルシラン(PMPS)など公知である各種の材料により形成される。また、これらの高分子材料に対し、ペリレン系色素、クマリン系色素またはローダミン系色素といった高分子材料や、ルブレン、ペリレン、9,10−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン6またはキナクリドンといった低分子材料をドープした材料によっても発光層は形成され得る。   Next, as shown in FIG. 7B, OLED elements 21 are formed in each of a large number of regions partitioned by the partition walls 14. For this formation, a droplet discharge method (inkjet method) is used. That is, as shown in FIG. 7B, after the discharge port 72 is moved above the region where the OLED element 21 is to be formed, a droplet containing an electro-optical material is discharged from the discharge port 72. To land on the surface of the pixel electrode 11. The OLED element 21 is obtained by repeating this for all pixels and then drying. The hole transport layer of the OLED element 21 is formed of, for example, a polythiophene derivative, a polypyrrole derivative, or a material obtained by doping them. More specifically, a dispersion obtained by dispersing 3,4-polyethylenedioxythiophene in polystyrene sulfonic acid as a solvent and adding water (PEDOT / PSS dispersion) is discharged from the discharge port 72 to be positive. A hole transport layer is formed. In addition, the light emitting layer of the OLED element 21 includes, for example, a polyfluorene derivative (PV), a polyparaphenylene vinylene derivative (PPV), a polyphenylene derivative (PP), a polyparaphenylene derivative (PPP), a polyvinyl carbazole (PVK), and a polythiophene derivative. , Polydialkylfluorene (PDAF), polyfluorenebenzothiadiazole (PFBT), polyalkylthiophene (PAT), or polymethylphenylsilane (PMPS). In addition to these polymer materials, polymer materials such as perylene dyes, coumarin dyes or rhodamine dyes, rubrene, perylene, 9,10-diphenylanthracene, tetraphenylbutadiene, Nile red, coumarin 6 or quinacridone. The light emitting layer can also be formed by a material doped with a low molecular material.

上述したように隔壁14の表面は撥液性を呈するから、電気光学物質を含む液滴は隔壁14により囲まれた空間(窪み)内に効率よく滞留する。なお、図6(e)に示される工程において、液滴の着弾地点となる画素電極11を表面が親液性を呈する材料により形成すれば、吐出口72から吐出された液滴を画素電極11の表面に効率よく着弾させることができる。また、隔壁14により仕切られた空間の底部に液滴を効率よく滞留させるという観点からすると、親液性を呈する第1層と撥液性を呈する第2層とを基材10側からみてこの順番に積層した薄膜を成形することによって隔壁14を形成する方法も好適である。あるいは、SiOなどの無機材料からなる第1層とアクリルやポリイミドなどの有機材料からなる第2層とを基材10側からみてこの順番に積層した薄膜を成形することによって隔壁14を形成し、この隔壁14に対してプラズマ処理を施す方法も採用され得る。この方法によれば、第1層と第2層とで表面の改質の度合いが異なる(第2層が第1層よりも高い撥液性を呈する)から、液滴を効率的に滞留させることができる。 As described above, since the surface of the partition wall 14 exhibits liquid repellency, the droplet containing the electro-optic material efficiently stays in the space (depression) surrounded by the partition wall 14. In the step shown in FIG. 6E, if the pixel electrode 11 that is the landing point of the liquid droplet is formed of a material having a lyophilic surface, the liquid droplet discharged from the discharge port 72 is removed from the pixel electrode 11. Can be landed efficiently on the surface. Further, from the viewpoint of efficiently retaining droplets at the bottom of the space partitioned by the partition wall 14, the first layer exhibiting lyophilicity and the second layer exhibiting liquid repellency are viewed from the substrate 10 side. A method of forming the partition walls 14 by forming the thin films laminated in order is also suitable. Alternatively, the partition wall 14 is formed by molding a thin film in which a first layer made of an inorganic material such as SiO 2 and a second layer made of an organic material such as acrylic or polyimide are viewed in this order and laminated in this order. A method of performing plasma treatment on the partition wall 14 can also be adopted. According to this method, since the degree of surface modification differs between the first layer and the second layer (the second layer exhibits higher liquid repellency than the first layer), the droplets are efficiently retained. be able to.

次いで、図7(c)に示されるように、各OLED素子21と重なるように抵抗層23が形成される。この抵抗層23は、ポリシリコンなどの半導体材料、または、3,4−ポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルフォン酸(PEDOT/PSS)の分散液や有機珪素材料など所定の抵抗率を有する各種の導電性材料により形成される。抵抗層23が半導体材料により形成される場合には、その厚さや不純物の注入量を適宜に調整することによって抵抗値を各画素ごとに任意に制御することができる。また、導通部34と同様に、金、銀、銅、パラジウム、ニッケルといった各種の金属、あるいは導電性ポリマーや超伝導体など各種の導電性材料からなる微粒子が分散された液体材料によって抵抗層23を形成してもよい。この場合には抵抗層23の形成に液滴吐出法を用いることができる。すなわち、導電性の微粒子が分散された液滴を吐出口(図示略)から基材10に向けて吐出してOLED素子21の表面に着弾させることより抵抗層23が形成される。この方法においては、溶媒に対する導電性粒子の分散量(濃度)や液滴量を適宜に調整することによって抵抗層23の抵抗値を任意に制御することができる。   Next, as illustrated in FIG. 7C, the resistance layer 23 is formed so as to overlap each OLED element 21. The resistance layer 23 is made of various conductive materials having a predetermined resistivity such as a semiconductor material such as polysilicon, or a dispersion of 3,4-polyethylenedioxythiophene / polystyrene sulfonic acid (PEDOT / PSS) or an organic silicon material. Formed by material. When the resistance layer 23 is formed of a semiconductor material, the resistance value can be arbitrarily controlled for each pixel by appropriately adjusting the thickness and the amount of impurities implanted. Similarly to the conductive portion 34, the resistance layer 23 is made of various metals such as gold, silver, copper, palladium, nickel, or a liquid material in which fine particles made of various conductive materials such as a conductive polymer and a superconductor are dispersed. May be formed. In this case, a droplet discharge method can be used for forming the resistance layer 23. That is, the resistance layer 23 is formed by discharging droplets in which conductive fine particles are dispersed from the discharge port (not shown) toward the substrate 10 and landing on the surface of the OLED element 21. In this method, the resistance value of the resistance layer 23 can be arbitrarily controlled by appropriately adjusting the dispersion amount (concentration) of the conductive particles in the solvent and the droplet amount.

続いて、図7(d)に示されるように、基材10の全面を覆うように(すなわち隔壁14とOLED素子21とを覆うように)対向電極15が形成される。この形成には、真空蒸着やスパッタリングなど各種の成膜技術が用いられる。この対向電極15は、アルミニウム、マグネシウム、リチウムまたはカルシウムといった各種の単体材料や、これらの材料を主成分として含む合金など各種の導電性材料によって形成される。なお、各々が異なる材料からなる複数の層を積層することによって対向電極15を形成してもよい。例えば、LiOとAlとの積層や、LiFとAlとの積層、あるいはMgFとAlとの積層などにより対向電極15が形成され得る。また、トップエミッション型の表示パネル1であれば、OLED素子21から観察側(基材10とは反対側)に向かう光の損失を抑えるために、インジウム錫酸化物などの光透過性を有する導電性材料によって対向電極15が形成される。 Subsequently, as illustrated in FIG. 7D, the counter electrode 15 is formed so as to cover the entire surface of the base material 10 (that is, so as to cover the partition wall 14 and the OLED element 21). For this formation, various film forming techniques such as vacuum evaporation and sputtering are used. The counter electrode 15 is made of various conductive materials such as various simple materials such as aluminum, magnesium, lithium or calcium, and alloys containing these materials as main components. Note that the counter electrode 15 may be formed by stacking a plurality of layers each made of a different material. For example, the counter electrode 15 can be formed by stacking Li 2 O and Al, stacking LiF and Al, or stacking MgF 2 and Al. Further, in the case of the top emission type display panel 1, in order to suppress the loss of light from the OLED element 21 toward the observation side (the side opposite to the base material 10), a conductive material having light transmittance such as indium tin oxide. The counter electrode 15 is formed of a conductive material.

この後、基材10の全面を覆うように封止層17が形成される(図2参照)。この封止層17は、各種の無機化合物により形成されるものであり、好ましくは珪素化合物、すなわち珪素窒化物や珪素酸窒化物、珪素酸化物などによって形成される。ただし、これ以外の材料、例えばアルミナや酸化タンタル、酸化チタン、さらには他のセラミックスなどによって封止層17が形成されてもよい。このように封止層17が無機化合物により形成されれば、特に陰極15が無機化合物により形成される場合に封止層17と陰極15との密着性が高まり、これにより封止層17が欠陥のない緻密な層となって酸素や水分に対するバリア性がより良好になる。   Then, the sealing layer 17 is formed so that the whole surface of the base material 10 may be covered (refer FIG. 2). The sealing layer 17 is formed of various inorganic compounds, and is preferably formed of a silicon compound, that is, silicon nitride, silicon oxynitride, silicon oxide, or the like. However, the sealing layer 17 may be formed of other materials such as alumina, tantalum oxide, titanium oxide, and other ceramics. Thus, when the sealing layer 17 is formed of an inorganic compound, the adhesion between the sealing layer 17 and the cathode 15 is increased, particularly when the cathode 15 is formed of an inorganic compound. It becomes a dense layer with no oxygen and moisture barrier properties.

また、上述した各種の珪素化合物のなかから選択された異なる材料からなる複数の層を積層することによって封止層17を形成してもよい。より具体的には、珪素化合物からなる層と珪素酸窒化物からなる層とを陰極15側からみてこの順番に積層し、あるいは珪素酸窒化物からなる層と珪素酸化物からなる層とを陰極15側からみてこの順番に積層することによって封止層17を形成することが望ましい。一方、トップエミッション型の表示パネル1においては封止層17が光透過性を有する必要がある。このため、封止層17の材質や膜厚を適宜に調整することにより、封止層17に可視光領域に属する光を照射したときの光線透過率を80%以上とすることが望ましい。また、基材10の全面を覆うように封止部材(図示略)が不活性ガス雰囲気中にて貼り合わされた構成としてもよい。この構成のもとで封止部材と基材10とにより囲まれた密閉空間にOLED素子21を配置すれば、OLED素子21を大気中の酸素や水分から隔離することができる。   Alternatively, the sealing layer 17 may be formed by laminating a plurality of layers made of different materials selected from the various silicon compounds described above. More specifically, a layer made of a silicon compound and a layer made of silicon oxynitride are stacked in this order as viewed from the cathode 15 side, or a layer made of silicon oxynitride and a layer made of silicon oxide are made into a cathode It is desirable to form the sealing layer 17 by laminating in this order as viewed from the 15 side. On the other hand, in the top emission type display panel 1, the sealing layer 17 needs to have light transmittance. For this reason, it is desirable that the light transmittance when the sealing layer 17 is irradiated with light belonging to the visible light region is 80% or more by appropriately adjusting the material and film thickness of the sealing layer 17. Moreover, it is good also as a structure by which the sealing member (not shown) was bonded together in the inert gas atmosphere so that the whole surface of the base material 10 might be covered. If the OLED element 21 is disposed in a sealed space surrounded by the sealing member and the base material 10 under this configuration, the OLED element 21 can be isolated from oxygen and moisture in the atmosphere.

上述した封止層17が形成された後、基材10のうち縁辺の近傍に電源回路8が実装されて電気光学装置100が得られる。本実施形態に係る電気光学装置100によれば、画素ごとに薄膜トランジスタなどのスイッチング素子が設けられたアクティブマトリクス駆動方式の一般的な電気光学装置と比較して極めて簡易な構成にも拘わらず(すなわち画像の表示のために最小限必要な構成要素のみを設けた構成にも拘わらず)、高品位かつ高精細な表示が実現される。   After the sealing layer 17 described above is formed, the power supply circuit 8 is mounted in the vicinity of the edge of the substrate 10 to obtain the electro-optical device 100. According to the electro-optical device 100 according to the present embodiment, the configuration is extremely simple as compared with a general electro-optical device of an active matrix driving system in which a switching element such as a thin film transistor is provided for each pixel (that is, High-definition and high-definition display can be realized regardless of the configuration provided with only the minimum necessary components for image display.

このように、本実施形態によれば、多数の画素電極11のうち対象画像を構成する画素に対応した画素電極11のみが導通部34を介して選択的に電源回路8に接続される。したがって、導通部34の形成の有無を対象画像の内容に応じて適宜に選定することにより、所望の対象画像を表示する電気光学装置100が得られ、画素電極11やOLED素子21といった基材10上の各要素を形成する工程は対象画像の内容に関わらず共通化される。特に、画素電極11を形成するためのフォトマスクを対象画像の内容に応じて変更する必要はない。したがって、本実施形態によれば、各々が異なる対象画像を表示するための表示パネル1を作成するためのコストが著しく低減される。換言すると、製造コストを増大させることなく、利用者の要望に応じた種々の対象画像を表示し得る表示パネル1を作成することができる。しかも、本実施形態においては、導通部34が比較的安価な液滴吐出法により形成されるという利点もある。   As described above, according to the present embodiment, only the pixel electrode 11 corresponding to the pixel constituting the target image among the many pixel electrodes 11 is selectively connected to the power supply circuit 8 via the conduction unit 34. Therefore, the electro-optical device 100 that displays a desired target image is obtained by appropriately selecting whether or not the conductive portion 34 is formed according to the content of the target image, and the base material 10 such as the pixel electrode 11 or the OLED element 21. The process of forming the above elements is made common regardless of the contents of the target image. In particular, it is not necessary to change the photomask for forming the pixel electrode 11 according to the content of the target image. Therefore, according to the present embodiment, the cost for creating the display panel 1 for displaying different target images is remarkably reduced. In other words, it is possible to create the display panel 1 that can display various target images according to the user's request without increasing the manufacturing cost. In addition, in the present embodiment, there is an advantage that the conductive portion 34 is formed by a relatively inexpensive droplet discharge method.

<B:第2実施形態>
次に、本発明の第2実施形態に係る電気光学装置の構成を説明する。上記第1実施形態においては、画素電極11のうち表示画素を構成する画素電極11のみを選択的に配線12に接続する構成を例示した。これに対し、本実施形態に係る電気光学装置101においては、図8に示されるように、総ての画素電極11が配線12に接続される一方、これらの配線12のうち表示画素を構成する画素電極11に接続された配線12(以下「表示配線」という場合がある)のみが導通部34を介して選択的に電源回路8に接続されるようになっている。この構成によれば、Y方向に配列された複数の画素の発光により対象画像が表示されることとなる。
<B: Second Embodiment>
Next, the configuration of the electro-optical device according to the second embodiment of the invention will be described. In the first embodiment, the configuration in which only the pixel electrode 11 constituting the display pixel among the pixel electrodes 11 is selectively connected to the wiring 12 is exemplified. On the other hand, in the electro-optical device 101 according to the present embodiment, as shown in FIG. 8, all the pixel electrodes 11 are connected to the wirings 12, and a display pixel is configured among these wirings 12. Only the wiring 12 connected to the pixel electrode 11 (hereinafter sometimes referred to as “display wiring”) is selectively connected to the power supply circuit 8 via the conducting portion 34. According to this configuration, the target image is displayed by the light emission of a plurality of pixels arranged in the Y direction.

図9は、表示配線12と電源回路8から引き出された配線(以下「電源配線」という)81との関係を示す断面図であり、図10は、複数の配線12のうち表示配線以外の配線12(以下「非表示配線」という場合がある)と電源配線81との関係を示す断面図である。これらの図に示されるように、基材10のうち電源回路8が実装された領域の近傍には、電源配線81と、Y方向に配列された画素電極11が共通に接続された配線12とが、各々の端部を向かい合わせた状態で相互に離間して設けられている。   FIG. 9 is a cross-sectional view showing the relationship between the display wiring 12 and a wiring (hereinafter referred to as “power wiring”) 81 drawn from the power supply circuit 8, and FIG. 10 is a wiring other than the display wiring among the plurality of wirings 12. 12 (hereinafter, also referred to as “non-display wiring”) and a power supply wiring 81 are cross-sectional views. As shown in these drawings, in the vicinity of the region where the power supply circuit 8 is mounted in the base material 10, a power supply wiring 81 and a wiring 12 to which pixel electrodes 11 arranged in the Y direction are connected in common. Are spaced apart from each other with their ends facing each other.

電源配線81および配線12が形成された基材10の表面は第1絶縁層31によって覆われている。この第1絶縁層31のうち電源配線81の端部と配線12の端部とが接近する部分には当該第1絶縁層31を厚さ方向に貫通する導通用開口部311が設けられている。ここで、図11は、電源配線81と配線12とが近接する部分を拡大して示す平面図である。同図に示されるように、基材10の板面に垂直な方向からみると、電源配線81の端部と配線12の端部とは導通用開口部311の内周縁から張り出して当該導通用開口部311の内部に至る形状となっている。そして、図9に示されるように、複数の配線12のうち表示配線12に対応する導通用開口部311には各種の導電性材料からなる導通部34が設けられる。さらに詳述すると、導通部34は、基材10を底面として導通用開口部311により包囲された空間(窪み)に入り込むように(すなわち導通用開口部311を埋めるように)形成される。上述したように電源配線81および配線12の各端部は導通用開口部311の内周縁から内側に張り出すように設けられているから、表示配線12は導通部34を介して電源配線81と導通することとなる。これに対し、図10に示されるように、非表示配線12に対応する導通用開口部311には導通部34が設けられていない。したがって、非表示配線12は電源回路8から電気的に絶縁された状態となる。第1絶縁層31の表面は第2絶縁層32によって覆われている。この構成のもとで電源回路8から電源配線81に電圧が印加されると、複数の配線12のうち表示配線12に沿って配列する画素電極11のみに対して選択的に電圧が印加される。この結果、表示画素(すなわち表示配線12に接続された画素)のOLED素子21のみが発光して対象画像が表示されることとなる。なお、本実施形態における第1絶縁層31および第2絶縁層32ならびに導通部34は、上記第1実施形態における第1絶縁層31および第2絶縁層32ならびに導通部34とそれぞれ同様の材料により同様の工程にて形成され得る。例えば、導通部34は、導電性材料を含む液滴を吐出口71から吐出して導通用開口部311内に着弾させることによって得られる。   The surface of the substrate 10 on which the power supply wiring 81 and the wiring 12 are formed is covered with the first insulating layer 31. A conductive opening 311 that penetrates the first insulating layer 31 in the thickness direction is provided in a portion of the first insulating layer 31 where the end of the power supply wiring 81 and the end of the wiring 12 approach each other. . Here, FIG. 11 is an enlarged plan view showing a portion where the power supply wiring 81 and the wiring 12 are close to each other. As shown in the figure, when viewed from a direction perpendicular to the plate surface of the substrate 10, the end of the power supply wiring 81 and the end of the wiring 12 protrude from the inner peripheral edge of the opening 311 for conduction and The shape reaches the inside of the opening 311. As shown in FIG. 9, the conduction openings 34 made of various conductive materials are provided in the conduction openings 311 corresponding to the display wirings 12 among the plurality of wirings 12. More specifically, the conductive portion 34 is formed so as to enter the space (depression) surrounded by the conductive opening 311 with the base material 10 as the bottom surface (that is, fill the conductive opening 311). As described above, each end portion of the power supply wiring 81 and the wiring 12 is provided so as to protrude inward from the inner peripheral edge of the conduction opening 311, so that the display wiring 12 is connected to the power supply wiring 81 via the conduction portion 34. It will be conducted. On the other hand, as shown in FIG. 10, the conduction portion 34 is not provided in the conduction opening 311 corresponding to the non-display wiring 12. Therefore, the non-display wiring 12 is electrically insulated from the power supply circuit 8. The surface of the first insulating layer 31 is covered with the second insulating layer 32. When a voltage is applied from the power supply circuit 8 to the power supply wiring 81 under this configuration, the voltage is selectively applied only to the pixel electrodes 11 arranged along the display wiring 12 among the plurality of wirings 12. . As a result, only the OLED element 21 of the display pixel (that is, the pixel connected to the display wiring 12) emits light and the target image is displayed. The first insulating layer 31, the second insulating layer 32, and the conducting portion 34 in the present embodiment are made of the same material as the first insulating layer 31, the second insulating layer 32, and the conducting portion 34 in the first embodiment, respectively. It can be formed in the same process. For example, the conductive portion 34 is obtained by discharging a droplet containing a conductive material from the discharge port 71 and landing in the conductive opening 311.

一方、各画素と配線12との関係は表示画素であるか非表示画素であるかを問わず共通である。すなわち、基材10上に形成された配線12を覆う第1絶縁層31および第2絶縁層32に開口部が設けられ、第2絶縁層32の面上に設けられた画素電極11はこの開口部を介して配線12と導通する。画素電極11よりも上層の構成は上記第1実施形態と同様である。   On the other hand, the relationship between each pixel and the wiring 12 is common regardless of whether it is a display pixel or a non-display pixel. That is, an opening is provided in the first insulating layer 31 and the second insulating layer 32 that cover the wiring 12 formed on the substrate 10, and the pixel electrode 11 provided on the surface of the second insulating layer 32 has this opening. Conductive with the wiring 12 through the portion. The configuration above the pixel electrode 11 is the same as that in the first embodiment.

以上に説明したように、本実施形態によれば、導通部34の形成の有無を対象画像の内容に応じて適宜に選定することによって所望の対象画像を表示する電気光学装置101が得られるから、上記第1実施形態と同様に、各々が異なる対象画像を表示するための表示パネル1を作成するためのコストが著しく低減される。なお、本実施形態においては配線12と電源配線81との導通の有無が選定されるため、共通の配線12に接続された複数の画素の各々について導通と非導通とを区分することはできない。しかしながら、この構成にあっても、抵抗層23の抵抗値を画素ごとに異ならせることによって多階調による高精細な表示が可能である。また、本実施形態においてはY方向に並ぶ複数の画素電極11の総てを配線12に接続する構成を例示したが、上記第1実施形態と同様に、表示配線12に対する各画素電極11の導通および非導通を対象画像に応じて適宜に選定してもよい。   As described above, according to the present embodiment, the electro-optical device 101 that displays a desired target image can be obtained by appropriately selecting whether or not the conductive portion 34 is formed according to the content of the target image. As in the first embodiment, the cost for creating the display panel 1 for displaying different target images is remarkably reduced. In this embodiment, since the presence / absence of conduction between the wiring 12 and the power supply wiring 81 is selected, it is not possible to distinguish between conduction and non-conduction for each of a plurality of pixels connected to the common wiring 12. However, even in this configuration, high-definition display with multiple gradations is possible by making the resistance value of the resistance layer 23 different for each pixel. In the present embodiment, the configuration in which all of the plurality of pixel electrodes 11 arranged in the Y direction are connected to the wiring 12 is illustrated. However, as in the first embodiment, the conduction of each pixel electrode 11 to the display wiring 12 is performed. Further, non-conduction may be appropriately selected according to the target image.

<C:第3実施形態>
次に、本発明の第3実施形態に係る電気光学装置の構成を説明する。上記第1実施形態および第2実施形態においては、各画素電極11と電源回路8との間の導通の有無を適宜に選定する構成を例示した。これに対し、本実施形態においては、複数の画素電極11の各々が電源回路8と電気的に接続される一方、各画素電極11と電源回路8との間の抵抗値が対象画像の内容に応じて適宜に選定されている。
<C: Third Embodiment>
Next, the configuration of the electro-optical device according to the third embodiment of the invention will be described. In the first embodiment and the second embodiment, the configuration in which the presence / absence of conduction between each pixel electrode 11 and the power supply circuit 8 is appropriately selected is illustrated. On the other hand, in the present embodiment, each of the plurality of pixel electrodes 11 is electrically connected to the power supply circuit 8, while the resistance value between each pixel electrode 11 and the power supply circuit 8 is the content of the target image. It is selected accordingly.

図12は、本実施形態に係る電気光学装置102の構成を示すブロック図である。同図に示されるように、基材10上にマトリクス状に配列された複数の画素電極11の各々は、Y方向に延在して一端が電源回路8に接続された配線12に抵抗体35を介して接続されている。各抵抗体35の抵抗値は対象画像の内容に応じて適宜に選定されている。具体的には、対象画像のうち輝度の高い画素の画素電極11に接続された抵抗体35の抵抗値は、輝度の低い画素の画素電極11に接続された抵抗体35の抵抗値よりも低い。この構成によれば、抵抗値の低い抵抗体35に接続された画素電極11に印加される電圧は、抵抗値の高い抵抗体35に接続された画素電極11に印加される電圧よりも高くなるから、前者に係る画素電極11により構成される画素の輝度は後者に係る画素電極11により構成される画素の輝度よりも高くなり、この結果として対象画像が多階調により表示されることとなる。   FIG. 12 is a block diagram illustrating a configuration of the electro-optical device 102 according to the present embodiment. As shown in the figure, each of the plurality of pixel electrodes 11 arranged in a matrix on the substrate 10 has a resistor 35 connected to a wiring 12 extending in the Y direction and having one end connected to the power supply circuit 8. Connected through. The resistance value of each resistor 35 is appropriately selected according to the content of the target image. Specifically, the resistance value of the resistor 35 connected to the pixel electrode 11 of the pixel with high luminance in the target image is lower than the resistance value of the resistor 35 connected to the pixel electrode 11 of the pixel with low luminance. . According to this configuration, the voltage applied to the pixel electrode 11 connected to the resistor 35 having a low resistance value is higher than the voltage applied to the pixel electrode 11 connected to the resistor 35 having a high resistance value. Therefore, the luminance of the pixel constituted by the pixel electrode 11 according to the former is higher than the luminance of the pixel constituted by the pixel electrode 11 according to the latter, and as a result, the target image is displayed with multiple gradations. .

ここで、図13は画素に関わる要素を拡大して示す平面図であり、図14は図13におけるXIV−XIV線からみた断面図である。これらの図に示されるように、本実施形態における画素電極11近傍の構成は、基材10の板面上に形成された配線12が第1絶縁層31および第2絶縁層32によって覆われるとともに延出部111が第2絶縁層32の開口部321に入り込むように画素電極11が形成されている点で前掲図3に示された電気光学装置100と共通する。一方、本実施形態の構成は、ひとつの画素について3つの導通用開口部311が形成されている点で第1実施形態に係る電気光学装置100とは異なっている。本実施形態においては、これら3つの導通用開口部311のうち対象画像の輝度に応じて選択された1ないし3つの導通用開口部311に対して選択的に導通部34(図13においてハッチングが施された部分)が設けられる。この導通部34は、画素電極11と配線12(ひいては電源回路8)とを導通させるためのものである。図13においては、同図における上方に位置する2つの導通用開口部311のみに導通部34が形成された構成が例示されている。一方、同図における下方に位置するひとつの導通用開口部311には、図14に示されるように導通部34が形成されていない。この構成においては、画素電極11と配線12(ひいては電源回路8)とが2つの導通部34のみを介して電気的に接続されることとなる。このように、画素電極11と配線12とを導通させるための導通部34の個数を対象画像の内容に応じて画素ごとに選定することにより、画素電極11と配線12との間の抵抗値が調整されるのである。例えば、3つ総ての導通用開口部311に導通部34が設けられた画素電極11と配線12との間の抵抗値は、ひとつの導通用開口部311のみに導通部34が設けられた画素電極11と配線12との間の抵抗値よりも低くなる。すなわち、図12に示された抵抗体35は、対象画像の内容に応じて個数が適宜に選定された導通部34に相当する。なお、この構成の電気光学装置100の製造方法は前掲図6および図7を参照して説明した方法と同様である。ただし、前掲図6(b)に示される工程において、ひとつの画素について3つの導通用開口部311が形成される一方、同図(c)に示される工程において、対象画像の内容に応じた個数の導通用開口部311に対して導電性材料を含む液滴が吐出口71から吐出されることによって導通部34が形成されることとなる。   Here, FIG. 13 is an enlarged plan view showing elements related to the pixels, and FIG. 14 is a cross-sectional view taken along line XIV-XIV in FIG. As shown in these drawings, in the configuration in the vicinity of the pixel electrode 11 in the present embodiment, the wiring 12 formed on the plate surface of the substrate 10 is covered with the first insulating layer 31 and the second insulating layer 32. 3 is common to the electro-optical device 100 shown in FIG. 3 in that the pixel electrode 11 is formed so that the extending portion 111 enters the opening 321 of the second insulating layer 32. On the other hand, the configuration of this embodiment is different from the electro-optical device 100 according to the first embodiment in that three conduction openings 311 are formed for one pixel. In the present embodiment, the conduction portion 34 (hatching in FIG. 13 is selectively performed with respect to one to three conduction openings 311 selected according to the luminance of the target image among these three conduction openings 311. A given part) is provided. The conducting portion 34 is for conducting the pixel electrode 11 and the wiring 12 (and thus the power supply circuit 8). FIG. 13 illustrates a configuration in which the conductive portion 34 is formed only in the two conductive openings 311 located in the upper part of the drawing. On the other hand, as shown in FIG. 14, the conduction portion 34 is not formed in one conduction opening 311 positioned below in the figure. In this configuration, the pixel electrode 11 and the wiring 12 (and thus the power supply circuit 8) are electrically connected through only two conductive portions 34. Thus, by selecting the number of conducting portions 34 for conducting the pixel electrode 11 and the wiring 12 for each pixel according to the content of the target image, the resistance value between the pixel electrode 11 and the wiring 12 can be reduced. It is adjusted. For example, the resistance value between the pixel electrode 11 in which all three conduction openings 311 are provided with conduction parts 34 and the wiring 12 is provided with the conduction part 34 only in one conduction opening 311. It becomes lower than the resistance value between the pixel electrode 11 and the wiring 12. That is, the resistor 35 shown in FIG. 12 corresponds to the conduction portion 34 whose number is appropriately selected according to the content of the target image. The manufacturing method of the electro-optical device 100 having this configuration is the same as the method described with reference to FIGS. However, in the process shown in FIG. 6B, three conductive openings 311 are formed for one pixel, while in the process shown in FIG. 6C, the number corresponding to the content of the target image is set. The conductive portion 34 is formed by discharging a droplet containing a conductive material from the discharge port 71 to the conductive opening 311.

このように、本実施形態においては、多数の画素電極11の各々と電源回路8との間に介在するように、それぞれ対象画像の内容(より具体的には対象画像を構成する各画素の階調)に応じて抵抗値が選定された抵抗体35が設けられる。したがって、画素電極11など種々の構成要素を形成する工程は対象画像の内容に拘わらず共通化される。したがって、本実施形態によれば、上記第1および第2実施形態と同様に、各々が異なる対象画像を表示するための表示パネル1を作成するためのコストが著しく低減される。   As described above, in the present embodiment, the contents of the target image (more specifically, the levels of the pixels constituting the target image) are interposed between each of the large number of pixel electrodes 11 and the power supply circuit 8. A resistor 35 having a resistance value selected according to the tone) is provided. Therefore, the process of forming various components such as the pixel electrode 11 is made common regardless of the content of the target image. Therefore, according to the present embodiment, as in the first and second embodiments, the cost for creating the display panel 1 for displaying different target images is significantly reduced.

<D:変形例>
以上に説明した実施形態はあくまでも例示である。この形態に対しては本発明の趣旨から逸脱しない範囲で種々の変形が加えられ得る。具体的には、以下のような変形例が考えられる。
<D: Modification>
The embodiment described above is merely an example. Various modifications can be made to this embodiment without departing from the spirit of the present invention. Specifically, the following modifications can be considered.

(1)上記第1ないし第3実施形態に示した構成は適宜に組み合わせて採用され得る。例えば、上記第3実施形態において、第1実施形態と同様に、対象画像を構成しない非表示画素については3つの導通用開口部311のいずれにも導通部34を形成せず、当該非表示画素の画素電極11と電源回路8とを電気的に絶縁させる構成としてもよい。また、第2実施形態に示したように電源回路8の電源配線81と配線12との間に第3実施形態に示した複数の導通用開口部311を形成するとともに、このうち一部または全部の導通用開口部311に選択的に導通部34を設けることによって各配線12と電源回路8との間の抵抗値を対象画像の内容に応じて異ならせるようにしてもよい。 (1) The configurations shown in the first to third embodiments can be appropriately combined and employed. For example, in the third embodiment, as in the first embodiment, the non-display pixel that does not constitute the target image is not formed with the conductive portion 34 in any of the three conductive openings 311, and the non-display pixel The pixel electrode 11 and the power supply circuit 8 may be electrically insulated. Further, as shown in the second embodiment, the plurality of conduction openings 311 shown in the third embodiment are formed between the power supply wiring 81 and the wiring 12 of the power supply circuit 8, and some or all of them are formed. Alternatively, the conductive portion 34 may be selectively provided in the conductive opening 311 so that the resistance value between each wiring 12 and the power supply circuit 8 varies depending on the content of the target image.

(2)上記第3実施形態においては3つの導通用開口部311が形成された構成を例示したが、画素ごとの導通用開口部311の個数は任意である。この導通用開口部311の個数が多いほど画素電極11への印加電圧が多様化されるから、より多階調の対象画像が表示され得る。また、上記第3実施形態においては導通部34の個数に応じて画素電極11と電源回路8との間の抵抗値を調整する構成を例示したが、画素ごとにひとつの導通用開口部311および導通部34を設ける一方、その導通部34の抵抗値自体を対象画像の内容に応じて適宜に異ならせる構成としてもよい。例えば、各々が異なる低効率を有する複数の導電性材料のいずれかを選択して導通部34を形成することによって各画素の導通部34の抵抗値を異ならせるようにしてもよい。また、液滴吐出法により導通部34を形成する場合には、液滴に含まれる導電性材料の濃度や液滴の容量を適宜に調整することによって各画素の導通部34の抵抗値を異ならせるようにしてもよい。 (2) In the third embodiment, the configuration in which the three conductive openings 311 are formed is illustrated, but the number of the conductive openings 311 for each pixel is arbitrary. As the number of the conductive openings 311 increases, the applied voltages to the pixel electrodes 11 become more diversified, so that a multi-tone target image can be displayed. Further, in the third embodiment, the configuration in which the resistance value between the pixel electrode 11 and the power supply circuit 8 is adjusted according to the number of the conductive portions 34 is illustrated, but one conductive opening 311 and While providing the conduction | electrical_connection part 34, it is good also as a structure which changes suitably the resistance value itself of the conduction | electrical_connection part 34 according to the content of the object image. For example, the resistance value of the conductive portion 34 of each pixel may be made different by selecting one of a plurality of conductive materials having different low efficiencies to form the conductive portion 34. Further, when the conductive portion 34 is formed by the droplet discharge method, the resistance value of the conductive portion 34 of each pixel is made different by appropriately adjusting the concentration of the conductive material contained in the droplet and the volume of the droplet. You may make it let.

(3)導通部34やOLED素子21を形成する方法は液滴吐出法に限られない。例えば、OLED素子21は、これを構成する材料をレーザにより基材10上に転写する方法によっても形成され得る。また、蒸着法やスピンコート法などにより表示領域の全体にわたってOLED素子21を形成してもよい。このようにOLED素子21が基材10の全面にわたって形成された場合であっても、導通部34を選択的に形成することによって多様な画像の表示が実現される。すなわち、特定の画素について選択的に導通部34を形成することによって表示画素と非表示画素とを区別することができ、表示画素から観察側に出射する光量(または他の電気光学物質を透過して観察側に出射する光量)を表示画素に対応する導通部34の抵抗値を適宜に異ならせることによって任意に調整することができる。 (3) The method of forming the conduction part 34 and the OLED element 21 is not limited to the droplet discharge method. For example, the OLED element 21 can also be formed by a method of transferring a material constituting the OLED element 21 onto the base material 10 with a laser. Further, the OLED element 21 may be formed over the entire display region by vapor deposition, spin coating, or the like. As described above, even when the OLED element 21 is formed over the entire surface of the substrate 10, various images can be displayed by selectively forming the conductive portion 34. That is, by selectively forming the conductive portion 34 for a specific pixel, it is possible to distinguish between a display pixel and a non-display pixel, and the amount of light emitted from the display pixel to the observation side (or other electro-optical material is transmitted). The amount of light emitted to the observation side) can be arbitrarily adjusted by appropriately varying the resistance value of the conductive portion 34 corresponding to the display pixel.

(4)上記実施形態においてはボトムエミッション型の表示パネル1を例示したが、トップエミッション型の表示パネル1にも本発明が適用されることはもちろんである。ここで、ボトムエミッション型の表示パネル1においては出射光量の損失を抑える観点からOLED素子21と対向電極15との間に抵抗層23を介在させた構成を例示したが、トップエミッション型の表示パネル1においては画素電極11とOLED素子21との間に抵抗層23を介在させた構成が望ましい。 (4) In the above-described embodiment, the bottom emission type display panel 1 is exemplified, but the present invention is naturally applied to the top emission type display panel 1. Here, in the bottom emission type display panel 1, the configuration in which the resistance layer 23 is interposed between the OLED element 21 and the counter electrode 15 is illustrated from the viewpoint of suppressing the loss of the emitted light amount, but the top emission type display panel is illustrated. 1, a configuration in which a resistance layer 23 is interposed between the pixel electrode 11 and the OLED element 21 is desirable.

(5)本発明はOLED素子以外の電気光学素子を用いた電気光学装置にも適用され得る。本発明が適用され得る電気光学装置としては、ヘリウムやネオンなどの高圧ガスを電気光学素子として用いたプラズマディスプレイパネル(PDP)や、蛍光体を電気光学素子として用いたフィールドエミッションディスプレイ(FED)などが挙げられる。 (5) The present invention can also be applied to an electro-optical device using an electro-optical element other than an OLED element. As an electro-optical device to which the present invention can be applied, a plasma display panel (PDP) using a high-pressure gas such as helium or neon as an electro-optical element, a field emission display (FED) using a phosphor as an electro-optical element, or the like Is mentioned.

<E:電子機器>
次に、本発明に係る電気光学装置を有する電子機器について説明する。図15は、本発明を適用した電気光学装置を有する携帯電話機の構成を示す斜視図である。この図に示されるように、携帯電話機1200は、利用者により操作される複数の操作ボタン1202、他の端末装置から受信した音声を出力する受話口1204、および他の端末装置に送信される音声を入力する送話口1206のほかに、各種の画像を表示する電気光学装置100(または電気光学装置101もしくは102)を有する。この電気光学装置100の表示領域は第1領域1001と第2領域1002とに区分される。このうち第1領域1001は、ドットマトリクス型の表示方式により各種の画像が適宜に変化しつつ表示される領域である。一方、第2領域1002は、本発明の適用により対象画像を固定的に表示する領域である。すなわち、第2領域1002においては、複数の画素のうち対象画像を構成するものとして選択された表示画素のみが電源回路8と電気的に接続されている。
<E: Electronic equipment>
Next, an electronic apparatus having the electro-optical device according to the invention will be described. FIG. 15 is a perspective view showing a configuration of a mobile phone having an electro-optical device to which the present invention is applied. As shown in this figure, the mobile phone 1200 includes a plurality of operation buttons 1202 operated by a user, a mouthpiece 1204 for outputting a sound received from another terminal device, and a sound transmitted to the other terminal device. In addition to the mouthpiece 1206 for inputting, the electro-optical device 100 (or the electro-optical device 101 or 102) for displaying various images is provided. The display area of the electro-optical device 100 is divided into a first area 1001 and a second area 1002. Among these, the first area 1001 is an area where various images are displayed while being appropriately changed by a dot matrix type display method. On the other hand, the second area 1002 is an area in which the target image is fixedly displayed by applying the present invention. That is, in the second region 1002, only the display pixels selected as constituting the target image among the plurality of pixels are electrically connected to the power supply circuit 8.

なお、本発明に係る電気光学装置が利用され得る電子機器としては、図15に示される携帯電話機のほかにも、ノートパソコンや、液晶テレビ、ビューファインダ型(またはモニタ直視型)のビデオレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。   In addition to the mobile phone shown in FIG. 15, electronic devices that can use the electro-optical device according to the present invention include a notebook computer, a liquid crystal television, a viewfinder type (or monitor direct view type) video recorder, Car navigation devices, pagers, electronic notebooks, calculators, word processors, workstations, videophones, POS terminals, devices equipped with touch panels, and the like.

本発明の第1実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。1 is a block diagram illustrating a configuration of an electro-optical device according to a first embodiment of the invention. FIG. 同電気光学装置のうち表示パネルの構成を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a display panel in the electro-optical device. 同表示パネルにおける画素電極近傍の構成を拡大して示す平面図である。FIG. 3 is an enlarged plan view showing a configuration near a pixel electrode in the display panel. 図3におけるIV−IV線からみた断面図であって表示画素に関わる構成を示す図である。It is sectional drawing seen from the IV-IV line in FIG. 3, and is a figure which shows the structure in connection with a display pixel. 図3におけるV−V線からみた断面図であって非表示画素に関わる構成を示す図である。FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line VV in FIG. 3 and shows a configuration related to non-display pixels. 同電気光学装置の製造方法を示す工程図である。FIG. 10 is a process drawing illustrating the manufacturing method of the same electro-optical device. 同電気光学装置の製造方法を示す工程図である。FIG. 10 is a process drawing illustrating the manufacturing method of the same electro-optical device. 本発明の第2実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。FIG. 6 is a block diagram illustrating a configuration of an electro-optical device according to a second embodiment of the invention. 同電気光学装置のうち表示パネルの断面図であって表示配線に関わる構成を示す図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of a display panel in the same electro-optical device, showing a configuration related to display wiring. 同表示パネルの断面図であって非表示配線に関わる構成を示す図である。It is sectional drawing of the same display panel, and is a figure which shows the structure in connection with non-display wiring. 同表示パネルのうち電源配線と配線とを拡大して示す平面図である。It is a top view which expands and shows a power supply wiring and wiring among the display panels. 本発明の第3実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。FIG. 10 is a block diagram illustrating a configuration of an electro-optical device according to a third embodiment of the invention. 同電気光学装置のうち表示パネルにおける画素電極近傍の構成を拡大して示す平面図である。3 is an enlarged plan view showing a configuration in the vicinity of a pixel electrode in a display panel of the electro-optical device. 図13におけるXIV−XIV線からみた断面図である。It is sectional drawing seen from the XIV-XIV line | wire in FIG. 本発明に係る電子機器の一例たる携帯電話機の構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the mobile telephone which is an example of the electronic device which concerns on this invention.

符号の説明Explanation of symbols

100,101,102……電気光学装置、1……表示パネル、10……基材、11……画素電極、111……延出部、12……配線、121……突出部、14……隔壁、15……対向電極、17……封止層、21……OLED素子、23……抵抗層、31……第1絶縁層、311……導通用開口部、32……第2絶縁層、321……開口部、34……導通部、35……抵抗体、71,72……吐出口、8……電源回路、81……電源配線。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100,101,102 ... Electro-optical device, 1 ... Display panel, 10 ... Base material, 11 ... Pixel electrode, 111 ... Extension part, 12 ... Wiring, 121 ... Projection part, 14 ... Partition wall 15 .. Counter electrode 17... Sealing layer 21... OLED element 23 .. Resistance layer 31... First insulating layer 311 .. Opening for conduction 32. 321 ... Opening part 34 ... Conducting part 35 ... Resistor 71, 72 ... Discharge port 8 ... Power supply circuit 81 ... Power supply wiring

Claims (16)

面状に配列された複数の画素電極と、
各々が前記各画素電極の面上に設けられた複数の電気光学素子と、
前記各電気光学素子を挟んで前記複数の画素電極に対向する対向電極と、
前記複数の画素電極のうち所定の画像に応じて選定された1以上の画素電極と電源回路との間に選択的に設けられて当該1以上の画素電極と前記電源回路とを導通させる導通部と
を具備する電気光学装置。
A plurality of pixel electrodes arranged in a plane;
A plurality of electro-optic elements each provided on the surface of each pixel electrode;
A counter electrode facing the plurality of pixel electrodes across the electro-optic elements;
A conductive portion that is selectively provided between one or more pixel electrodes selected according to a predetermined image among the plurality of pixel electrodes and a power supply circuit, and conducts the one or more pixel electrodes and the power supply circuit. And an electro-optical device.
前記電源回路に接続された配線を具備し、
前記導通部は、前記1以上の画素電極と前記配線との間に設けられている
請求項1に記載の電気光学装置。
Comprising wiring connected to the power supply circuit;
The electro-optical device according to claim 1, wherein the conductive portion is provided between the one or more pixel electrodes and the wiring.
各々に前記画素電極が接続された複数の配線を具備し、
前記導通部は、前記複数の配線のうち所定の画像に応じて選定された1以上の画素電極に接続された各配線と前記電源回路との間に設けられている
請求項1に記載の電気光学装置。
A plurality of wirings each having the pixel electrode connected thereto;
The electricity according to claim 1, wherein the conduction portion is provided between each of the plurality of wirings connected to one or more pixel electrodes selected according to a predetermined image and the power supply circuit. Optical device.
面状に配列された複数の画素電極と、
各々が前記各画素電極の面上に設けられた複数の電気光学素子と、
前記各電気光学素子を挟んで前記複数の画素電極に対向する対向電極と、
各々が前記画素電極と電源回路との間に設けられて当該画素電極と前記電源回路とを導通させる複数の導通部であって各々の抵抗値が所定の画像に応じて選定された複数の導通部と
を具備する電気光学装置。
A plurality of pixel electrodes arranged in a plane;
A plurality of electro-optic elements each provided on the surface of each pixel electrode;
A counter electrode facing the plurality of pixel electrodes across the electro-optic elements;
A plurality of conduction portions, each provided between the pixel electrode and the power supply circuit, for conducting the pixel electrode and the power supply circuit, each of which has a resistance value selected according to a predetermined image. And an electro-optical device.
前記電源回路に接続された配線を具備し、
前記複数の導通部の各々は、前記各画素電極と前記配線との間に設けられている
請求項4に記載の電気光学装置。
Comprising wiring connected to the power supply circuit;
The electro-optical device according to claim 4, wherein each of the plurality of conductive portions is provided between each pixel electrode and the wiring.
前記各導通部の抵抗値は、前記各画素電極と前記配線とを接続する導通部の本数に応じた値である
請求項5に記載の電気光学装置。
The electro-optical device according to claim 5, wherein the resistance value of each conduction portion is a value corresponding to the number of conduction portions connecting the pixel electrodes and the wiring.
前記各導通部の抵抗値は、当該導通部を形成する導電性材料の種類に応じた値である
請求項5に記載の電気光学装置。
The electro-optical device according to claim 5, wherein the resistance value of each conductive portion is a value corresponding to a type of a conductive material forming the conductive portion.
各々に前記画素電極が接続された複数の配線を具備し、
前記複数の導通部の各々は、前記各配線と前記電源回路との間に設けられている
請求項4に記載の電気光学装置。
A plurality of wirings each having the pixel electrode connected thereto;
The electro-optical device according to claim 4, wherein each of the plurality of conductive portions is provided between each of the wirings and the power supply circuit.
所定の抵抗率を有する導電性材料により形成されて前記画素電極と前記対向電極との間に介在する抵抗層
を具備する請求項1または4に記載の電気光学装置。
The electro-optical device according to claim 1, further comprising: a resistance layer formed of a conductive material having a predetermined resistivity and interposed between the pixel electrode and the counter electrode.
前記抵抗層は、前記電気光学素子からみて観察側とは反対側に設けられている
請求項9に記載の電気光学装置。
The electro-optical device according to claim 9, wherein the resistance layer is provided on a side opposite to the observation side when viewed from the electro-optical element.
前記基材の面上に設けられて開口部を有する膜体を具備し、
前記導通部は、前記膜体の開口部の内周縁により囲まれた領域内に設けられている
請求項1または4に記載の電気光学装置。
A film body provided on the surface of the substrate and having an opening;
The electro-optical device according to claim 1, wherein the conductive portion is provided in a region surrounded by an inner peripheral edge of the opening of the film body.
前記電気光学素子は有機発光ダイオード素子である
請求項1から11のいずれかに記載の電気光学装置。
The electro-optical device according to claim 1, wherein the electro-optical element is an organic light-emitting diode element.
請求項1から12のいずれかに記載の電気光学装置を有する電子機器。   An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 1. 複数の画素電極を面状に配列させて形成する工程と、
前記各画素電極の面状に電気光学素子を形成する工程と、
前記各電気光学素子を挟んで前記複数の画素電極に対向する対向電極を形成する工程と、
前記複数の画素電極のうち所定の画像に応じて選定された1以上の画素電極と電源回路とを導通させる導通部を選択的に形成する工程と
を有する電気光学装置の製造方法。
Forming a plurality of pixel electrodes in a planar arrangement;
Forming an electro-optic element on the surface of each pixel electrode;
Forming a counter electrode facing the plurality of pixel electrodes across the electro-optic elements;
And a step of selectively forming a conducting portion for conducting one or more pixel electrodes selected according to a predetermined image among the plurality of pixel electrodes and a power supply circuit.
複数の画素電極を面状に配列させて形成する工程と、
前記各画素電極の面状に電気光学素子を形成する工程と、
前記各電気光学素子を挟んで前記複数の画素電極に対向する対向電極を形成する工程と、
各々が所定の画像に応じて選定された抵抗値をもって前記各画素電極と前記電源回路とを導通させる複数の導通部を形成する工程と
を有する電気光学装置の製造方法。
Forming a plurality of pixel electrodes in a planar arrangement;
Forming an electro-optic element on the surface of each pixel electrode;
Forming a counter electrode facing the plurality of pixel electrodes across the electro-optic elements;
Forming a plurality of conducting portions each conducting the pixel electrode and the power supply circuit with a resistance value selected in accordance with a predetermined image.
前記導通部を形成する工程においては、導電性材料を含む液滴を吐出口から吐出し、この液滴を着弾させることによって前記導通部を形成する
請求項14または15に記載の電気光学装置の製造方法。
16. The electro-optical device according to claim 14, wherein in the step of forming the conductive portion, the conductive portion is formed by discharging a droplet including a conductive material from a discharge port and landing the droplet. Production method.
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