JP3854085B2 - Substrate processing equipment - Google Patents
Substrate processing equipment Download PDFInfo
- Publication number
- JP3854085B2 JP3854085B2 JP2001075665A JP2001075665A JP3854085B2 JP 3854085 B2 JP3854085 B2 JP 3854085B2 JP 2001075665 A JP2001075665 A JP 2001075665A JP 2001075665 A JP2001075665 A JP 2001075665A JP 3854085 B2 JP3854085 B2 JP 3854085B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- roll
- substrate
- wafer
- rotation axis
- sub
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 64
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 18
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 42
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 239000007779 soft material Substances 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N acetaldehyde Diethyl Acetal Natural products CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002777 acetyl group Chemical class [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 125000002485 formyl group Chemical class [H]C(*)=O 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
Images
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体デバイス形成に用いられる基板の処理装置に関し、特に基板表面に形成された回路を損傷することなく基板の洗浄またはエッチングを行なうことのできる処理装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来から半導体基板を洗浄する洗浄装置として、図3に示すようなスクラブ洗浄装置があった。この装置は、被洗浄物である半導体基板Wを保持して、回転させるスピンチャック40と、基板Wの面に平行な軸の回りに回転するロールスポンジ41と、基板Wの被洗浄面に洗浄液を供給する洗浄液ノズル42を有している。ロールスポンジ41は、支持駆動部43によって回転し、基板Wの表面を擦りながら洗浄する。スピンチャック40は、基板Wの外周を支持しながら回転し、その回転力が基板Wの外側面に伝達されて基板Wが回転するようになっている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
以上のような従来の方法によれば、ロールスポンジは基板の表面と裏面の全面をスクラブ洗浄する。一方、基板表面の回路形成面に低誘電率膜などの材質が柔らかいものなどが採用され始めたり、回路の微細化が進み回路が非常に小さくなったために、スクラブ洗浄により回路形成面が破壊される可能性があった。一方、基板の裏面は、半導体製造工程において、真空チャックあるいは静電チャックなどが行われており、パーティクルが固着してしまうが、このような固着したパーティクルはスクラブ洗浄で除去するのが望ましい。
【0004】
そこで本発明は、基板に形成された回路を損傷せずに、また基板の表面と裏面とに対して同時にスクラブ洗浄等の処理をすることのできる基板処理装置を提供することを目的としている。
【0005】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項1に係る発明による基板処理装置は、例えば図1に示すように、表面Waと裏面Wbを有する円板状の基板Wを支持して回転させる回転支持体7と;第1の回転軸線AX1回りを回転しながら表面Waに摺接する第1のロール1と;第2の回転軸線AX2回りを回転しながら裏面Wbに摺接する第2のロール2であって、第2の回転軸線AX2が第1の回転軸線AX1にほぼ平行で、且つ、基板Wを挟むように第1のロール1に対向して設けられた、第2のロール2を備え;第1のロール1と第2のロール2のうち少なくとも一方は、前記摺接する部分のロールの回転軸線AX1、AX2方向の長さが基板Wの外周部のみを基板Wの直径の両端でカバーするように構成されている。
【0006】
ここで基板処理とは、例えば基板の洗浄であるが、その他基板のエッチングであってもよい。
【0007】
このように構成すると、回転支持体を備えるので、基板を支持して回転させることができ、表面に摺接する第1のロールと、裏面に摺接する第2のロールを備えるので、基板の表面と裏面とを同時に処理することができ、第1のロールと第2のロールのうち少なくとも一方は、前記摺接する部分のロールの回転軸線方向の長さが基板の外周部のみを基板の直径の両端でカバーするように構成されているので、基板の少なくとも一方の面については外周部以外には摺接せずに処理することができる。
【0008】
また請求項2に記載のように、請求項1に記載の基板処理装置では、第1のロール1と第2のロール2のうち他方は、前記摺接する部分のロールの回転軸線方向の長さが基板Wの直径Dをカバーするように構成されている。このように構成すると、基板の他方の面の全体を処理することができる。
【0009】
また請求項3に記載のように、又例えば図1に示すように、請求項1または請求項2に記載の基板処理装置では、前記一方のロール1は回転軸線方向に並んだ1対のサブロール1a、1bを含み、該1対のサブロールのそれぞれが基板Wの直径Dの両端で基板Wの外周部に摺接するように構成されている。
【0010】
さらに請求項4に記載のように、第1のロール1と第2のロール2は、ロールスポンジとするとよい。
【0011】
また請求項5に記載のように、請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の基板処理装置では、回転支持体7は基板Wの側面に接触するスポンジ部材18を備えるようにしてもよい。
【0012】
このように構成すると、回転支持体は基板の側面に接触するスポンジ部材を備えるので、基板の表面、裏面の処理に際して側面をも処理することができる。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。なお、各図において互いに同一あるいは相当する部材には同一符号または類似符号を付し、重複した説明は省略する。
【0014】
図1(a)(b)は、それぞれ、本発明による実施の形態であるスクラブ洗浄装置の正面図及び斜視図である。
【0015】
本スクラブ洗浄装置は、表面Waと裏面Wbを有する円板状の基板としてのウエハWの周縁部を支持し回転させる回転支持体であるスピンチャック7を備えている。ウエハWは、このスピンチャック7で支持されて、その回転に伴い回転する。
【0016】
スピンチャック7は、鉛直方向の回転軸線回りに回転する複数本(本実施の形態では6本)のスピンドル7a〜7fを備えている。スピンドル7a〜7fは、ウエハWの外周に沿うように、ある円周上に配置されている。またスピンドル7a〜7fは、ウエハWの周囲に略等間隔に設けられている。
【0017】
スピンドル7a〜7fの上端部には、ウエハWの外周部を保持する駒15(図2参照)が備えられている。スピンドル7a〜7fと駒15とには段差があり、スピンドル7a〜7fの上端部に形成された段にウエハWが載置されるように構成されており、駒15の回転力がウエハWの外周面に伝達されてウエハWが回転するようになっている。駒15の構成は後でさらに詳細に説明する。
【0018】
スピンチャック7により支持され回転するウエハWの鉛直方向上方には、第1の回転軸線AX1回りを回転する第1のロール1が備えられている。第1の回転軸線AX1は、ウエハWの表面Waに平行である。ロール1はウエハWの上方に延伸する回転軸1sと、回転軸1sの両端部に取り付けられたサブロール1a、1bとを有する。サブロール1a、1bは、それぞれ回転軸線AX1方向の長さがL1、L2であり、洗浄しようとするウエハWの直径Dの両端部に接し、ウエハWの中央部には接しないように構成されている。本実施の形態では、L1=L2=約20mmである。そしてサブロール1a、1bの、回転軸線AX1方向の中央が、ウエハWの外周とほぼ一致するように、サブロール1a、1bは、回転軸1sに取り付けられている。
【0019】
サブロール1aは、回転軸1sに取り付けられた円板状のスポンジストッパー1c、1dによりスポンジを挟持して構成されている。スポンジストッパー1c、1dの直径は、取り付け状態でスポンジの外径よりも小さいように構成されている。サブロール1bも同様である。また回転軸1sには、サブロール1a、1bのスポンジ部にリンス液を供給する、内部リンス排出口10が明けられ、後述の内部リンス供給口8に通じる内部連通穴(不図示)が加工されている。内部リンス排出口10から供給されるリンス液は、多孔質のスポンジを浸透して、ウエハWに到るように構成されている。
【0020】
回転軸1sの一方の端部、サブロール1bよりも外側には、軸支持体3が備えられ、回転軸1sを回転可能に支持している。軸支持体3には、内部リンス供給口8が設けられ、ここにリンス供給管(不図示)が接続されている。
【0021】
回転軸1sの他方の端部、サブロール1aよりも外側には、回転軸1sを回転するためのモータ5が連結されている。モータ5は、不図示のブラケットにより、軸支持体3と一体に連結されている。また、モータ5と軸支持体3は、不図示の上下駆動装置により、鉛直方向(図中矢印Aの方向)に上下移動可能に構成されている。
【0022】
このように構成されたロール1では、サブロール1a、1bは、モータ5により回転軸線AX1回りを回転しながら、ウエハWの表面Waに摺接する。このとき、サブロール1a、1bがウエハWに丁度摺接するように、モータ5と軸支持体3が矢印A方向に上下移動する。スピンチャック7は6本のスピンドル7a〜7fを備えているので、ウエハWは完全な円形状ではなく、例えば切り欠き部であるオリエンテーションフラットが形成されていても、問題無く回転支持することができる。
【0023】
一方、スピンチャック7により支持され回転するウエハWの鉛直方向下方には、第1の回転軸線AX1と平行な第2の回転軸線AX2回りを回転する第2のロール2が備えられている。第2のロールは第1のロールと協働してウエハWを挟むように、第1のロールに対向して設けられている。ロール2はウエハWの下方に延伸する回転軸2sと、回転軸2sのほぼ全長に渡って取り付けられたロール本体2aを有する。ロール本体2aは、洗浄しようとするウエハWの直径Dをカバーするような長さL3に形成されている。即ち、L3≧Dなる関係がある。したがって、ロール本体2aは、ウエハWの裏面Wbの全体に接するように構成されている。
【0024】
また回転軸2sには、スポンジで形成されたロール本体2aにリンス液を供給する、内部リンス排出口11が明けられ、後述の内部リンス供給口9に通じる内部連通穴(不図示)が加工されている。内部リンス排出口11から供給されるリンス液は、多孔質のスポンジを浸透して、ウエハWに到るように構成されている点は、ロール1と同様である。
【0025】
回転軸2sの一方の端部、第1のロールの軸支持体3と同じ側には、軸支持体4が備えられ、回転軸2sを回転可能に支持している。軸支持体4は、軸支持体3と同様に、不図示の上下駆動装置により、鉛直方向(図中矢印Bの方向)に上下移動可能に構成されている。また軸支持体4には、内部リンス供給口9が設けられ、ここにリンス供給管(不図示)が接続されている。
【0026】
回転軸2sの他方の端部、第1のロール用のモータ5と同じ側には、回転軸2sを回転するためのモータ6が連結されている。モータ6は、不図示のブラケットにより、軸支持体4と一体に連結されている。
【0027】
このように構成されたロール2では、ロール本体2aは、モータ6により回転軸線AX2回りを回転しながら、ウエハWの裏面Wbに摺接する。このとき、ロール本体2aがウエハWに丁度摺接するように、モータ6と軸支持体4が矢印B方向に上下移動する点は、第1のロールと同様である。
【0028】
スピンチャック7のウエハW支持面よりも鉛直方向上方には、ウエハWの表面Waに口を向けて洗浄液ノズル13が設けられており、鉛直方向下方には、ウエハWの裏面Wbに口を向けて洗浄液ノズル14が設けられている。洗浄液ノズル13、14は、それぞれウエハWの表面Waと裏面Wbに洗浄液である超純水を供給する。したがって、洗浄液はノズル13、14及びリンス排出口10、11からウエハWに供給される。
【0029】
図2の側面図を参照して、本実施の形態の駒15を詳細に説明する。ここでは、スピンドル7aについて説明するが、他のスピンドル7b〜7fも同じ構造に形成されている。スピンドル7aの上端部はウエハWを載置できるように平面に形成されている。その平面上には、スピンドル7aの回転軸線を共通にする駒軸17(駒は各スピンドルに共通の構造であるので18aとはせずに単に18と図示してある。15、16、17についても同様)が突出して形成されている。駒軸17は洗浄するウエハWの厚さより長く形成されている。さらに駒軸17の上端には円板状のスポンジストッパー16が設けられている。スピンドル7aの先端の前記平面とスポンジストッパー16との間には円筒状の側面スポンジ18が挟持されて設けられている。スポンジストッパー16、駒軸17、側面スポンジ18を含んで、駒15が構成されている。
【0030】
このような構造を有するスピンドル7a〜7fの上端の平面にウエハWが載置される。次に、スピンドル7a〜7fが、僅かに内側に(ウエハW側に)寄ることにより、図2に示すように、ウエハWは側面スポンジ18に食い込む。このような状態でスピンドル7a〜7f(及び駒15)が回転すると、それに伴いウエハWが回転する。
【0031】
本実施の形態の洗浄装置では、ウエハWは、回路の形成された表面Waを鉛直方向上方に向けて、スピンチャック7に載置される。第1のロール1のサブロール1a、1bは、ウエハWと摺接する部分の回転軸線AX1方向の長さがウエハWの中央部分はカバーせずウエハWの外周部をカバーするように構成されているので、ロールは回路部分をスクラブすることなく、回路の形成されていないウエハWの表面Waの周辺部及び裏面Wbの洗浄を行なうことができ、また側面スポンジ18により、ウエハWの側面が洗浄される。
【0032】
なお、本実施の形態では、第1のロール1を一対のサブロールを備える構造とし、第2のロールをウエハWの全長をカバーする構造としたが、逆に第1のロールを全長カバー型とし、第2のロールをサブロール型としてもよい。ただしこのときは、第2のロールに回路の形成されたウエハ面を洗浄させるのがよい。
【0033】
以上説明した構造を有する洗浄装置でウエハを洗浄する方法を説明する。本発明は、例えばCVD後に裏面、側面、表面の周縁部をエッチングしたウエハのエッチング部の洗浄の際に特に有用である。またウエハには低誘電率膜などの材質の柔らかいものを膜付けすることがあるが、そのようなウエハの裏面の洗浄などにも有用である。
【0034】
先ず予備洗浄工程で、図示しない洗浄装置によりウエハWを水平に保持して、ノズルからウエハ表面に超純水等の洗浄液を吹き付け、半導体ウエハWの表面のパーティクルを洗い流すのが望ましい。このとき、ウエハWを回転してもよいし、また超純水をウエハ面に吹き付ける方法としては、ノズルから高圧の超純水を噴射させてもよいし、キャビテーションを有する超純水を噴射させてもよいし、超音波の振動エネルギーを与えた超純水を吹き付けてもよく、またはこれらを組み合わせてもよい。
【0035】
次の洗浄工程で、以上説明した本発明の実施の形態である洗浄装置を用いる。すなわち、ウエハWを本洗浄装置に搬送し、スピンチャック7の上に載置する。次に、ウエハWの側面を、側面スポンジ18に食い込ませる。
【0036】
次にスピンドル7a〜7fの回転を開始する。即ち、ウエハWの回転を開始する。続けて、表裏面ロールスポンジ(ロールブラシ)を回転させ、回転するロールスポンジを、上下方向の移動によりウエハWに接触させる。
【0037】
上記構成のスクラブ洗浄装置において、スピンドル7a〜7fは駒15をウエハWの周縁部に押しつけ、回転させることにより、ウエハWを回転させるが、図中、6個の駒15のうち2個が回転力をウエハWに与え、他の駒はウエハWの回転を受けるベアリングの働きをするようにしてもよい。但し回転力を与える駒の数は適宜選べばよく、全ての駒15に回転力を与えるようにしてもよい。
【0038】
図1(b)の斜視図に示すように、スピンドル7aは上方から見て時計方向(図中矢印R1方向)に回転しているので、ウエハWは反時計方向(図中矢印R2方向)に回転する。またウエハの表面Waを洗浄する第1のロール1は、軸支持体3とは反対の方向から見たとき時計方向(図中矢印R3方向)に回転し、裏面Wbを洗浄する第2のロール2は、反時計方向(図中矢印R4方向)に回転している。
【0039】
本装置では、表面のサブロール1a、1bのロールスポンジの幅を調節することにより、又一対のサブロール1a、1b回転軸1s上への取り付け位置を調節することにより、ウエハ表面Waの周辺部の洗浄幅を制御できる。
【0040】
ウエハWを回転させながら、ロールスポンジ(ブラシ)内部から洗浄液(純水や薬液)を少量供給し、スポンジに洗浄液を含ませてウエハWを洗浄する。また、ノズル13、14から洗浄液をウエハWに供給して洗浄してもよい。このとき、回路形成面にノズル13から純水を供給すると、回路を保護することができる。
【0041】
洗浄が終了したら、ロール1、2を退避させる。
その後、ウエハWの回転を停止し、不図示のロボットハンドによって、洗浄装置の外部に搬送する。
【0042】
本実施の形態の洗浄装置では、第1のロール1と第2のロール2とを、ウエハWの表面と裏面とに対向して設けたので、ウエハWを両面から押すことになり、ロールの押しつけによるウエハWの変形を抑えることができる。
【0043】
ロールスポンジの材料としては、例えばPVA(ポリビニルアルコール)が適している。PVAを原料としてこれにアルデヒド類を縮合して製造するPVAt(ポリビニルアセタール)、中でもPVF(ポリビニルホルマール)を用いるのが好ましい。この材料は、親水性に優れ、微細な連続気孔により、吸水性と保水性を有し、被洗浄物を傷つけず、また凹凸面にも追従して吸水むらがない。その他、PPS、PTFEなど耐薬品性があり、また金属溶出のない材料を不職布状にしたものが、強固な汚れ、例えば熱がかかって固着したもの等には有用である。
【0044】
サブロール1a、1bの幅は、約20mmとしたが、処理するウエハWのサイズ、回路形成面の大きさ(又は回路の形成されていない周辺部の幅)により適宜定めればよい。但し、典型的には、20mm以下とするのが好ましい。
【0045】
以上の実施の形態では、第1のロールは一対のサブロール1a、1bを備えるものとして説明したが、これに限らず、サブロール1aを1個だけを備えるものとしてもよい。この場合でも、ウエハの表面Waの回路には摺接せずに、周辺部を洗浄することができる。また第2のロールでは、L3≧Dとしたが、これに限らずL3はウエハの直径Dよりは小さく、その半径よりは大きく構成してもよい。特にサブロール1aが1個だけのときは、そのサブロール1aに対向させて、第2のロールはウエハの半径をカバーするようにするとよい。
【0046】
以上の実施の形態では、洗浄装置として説明したが、洗浄液の代わりにエッチング液を用いて、基板処理装置としてのスクラブエッチング装置として構成することもできる。このときも、前述のように、ノズル13から純水を基板表面に供給して、回路面をエッチング液から保護しながらエッチングするため、基板の表面に形成された回路を傷つけることなく、基板の周辺部、側面部、裏面をエッチングして、不要な銅等の付着物を除去することができる。この装置で公知のエッチング液をリンスすることにより、エッチング薬液の使用量を、従来の同種の装置と比較して半分以下にすることができた。また側面スポンジあるいは表面スポンジの幅によって、基板表面の周辺部のエッチング幅を調節することができた。
【0047】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、回転支持体を備えるので、基板を支持して回転させることができ、表面に摺接する第1のロールと、裏面に摺接する第2のロールを備えるので、基板の表面と裏面とを同時に処理することができ、第1のロールと第2のロールのうち少なくとも一方は、前記摺接する部分のロールの回転軸線方向の長さが基板の外周部のみを基板の直径の両端でカバーするように構成されているので、基板の少なくとも一方の面については外摺部以外に摺接せずに処理することができる基板処理装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態である基板洗浄装置の正面図と斜視図である。
【図2】図1の洗浄装置で用いるスピンチャックのスピンドルの先端部と駒を説明する部分側面図である。
【図3】従来のスクラブ洗浄装置を示す斜視図である。
【符号の説明】
1 第1のロール
2 第2のロール
3、4 軸支持体
5、6 モータ
7 スピンチャック
15 駒[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a substrate processing apparatus used for forming a semiconductor device, and more particularly to a processing apparatus capable of cleaning or etching a substrate without damaging a circuit formed on the surface of the substrate.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, there has been a scrub cleaning apparatus as shown in FIG. 3 as a cleaning apparatus for cleaning a semiconductor substrate. This apparatus holds a semiconductor substrate W to be cleaned and rotates the
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
According to the conventional method as described above, the roll sponge scrubs the entire surface of the substrate and the back surface. On the other hand, soft materials such as low dielectric constant films have begun to be used on the circuit formation surface of the substrate surface, or circuit miniaturization has progressed and the circuit has become very small. There was a possibility. On the other hand, the back surface of the substrate is subjected to vacuum chucking or electrostatic chucking in a semiconductor manufacturing process, and particles are fixed. It is desirable to remove such fixed particles by scrub cleaning.
[0004]
Therefore, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that can perform a process such as scrub cleaning on the front surface and the back surface of a substrate at the same time without damaging a circuit formed on the substrate.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, a substrate processing apparatus according to a first aspect of the present invention is a rotating support that supports and rotates a disk-shaped substrate W having a front surface Wa and a back surface Wb, for example, as shown in FIG. 7; a first roll 1 slidably contacting the surface Wa while rotating around the first rotational axis AX1, and a
[0006]
Here, the substrate processing is, for example, cleaning of the substrate, but may be etching of the other substrate.
[0007]
If comprised in this way, since it is provided with a rotation support body, it can support and rotate a substrate, and since it is provided with a first roll that is in sliding contact with the front surface and a second roll that is in sliding contact with the back surface, The back surface can be processed at the same time , and at least one of the first roll and the second roll has a length in the rotation axis direction of the portion of the roll that comes into sliding contact with only the outer peripheral portion of the substrate. in which is configured to cover, for at least one surface of the substrate can be in addition an outer peripheral portion processed without sliding contact.
[0008]
Further, as described in
[0009]
Further, as described in
[0010]
Furthermore, as described in
[0011]
Further, as described in
[0012]
If comprised in this way, since a rotation support body is provided with the sponge member which contacts the side surface of a board | substrate, a side surface can also be processed at the time of the process of the surface of a board | substrate, and a back surface.
[0013]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In addition, in each figure, the same code | symbol or a similar code | symbol is attached | subjected to the mutually same or equivalent member, and the overlapping description is abbreviate | omitted.
[0014]
1A and 1B are a front view and a perspective view, respectively, of a scrub cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.
[0015]
The scrub cleaning apparatus includes a spin chuck 7 that is a rotation support body that supports and rotates a peripheral portion of a wafer W as a disk-shaped substrate having a front surface Wa and a back surface Wb. The wafer W is supported by the spin chuck 7 and rotates with the rotation.
[0016]
The spin chuck 7 includes a plurality of (six in the present embodiment) spindles 7a to 7f that rotate about a rotation axis in the vertical direction. The
[0017]
A top 15 (see FIG. 2) for holding the outer periphery of the wafer W is provided at the upper end of the
[0018]
A first roll 1 that rotates about a first rotation axis AX1 is provided above the wafer W supported and rotated by the spin chuck 7 in the vertical direction. The first rotation axis AX1 is parallel to the surface Wa of the wafer W. The roll 1 has a rotating
[0019]
The sub-roll 1a is configured such that a sponge is sandwiched between disc-shaped
[0020]
A
[0021]
A
[0022]
In the roll 1 configured as described above, the sub-rolls 1a and 1b are in sliding contact with the surface Wa of the wafer W while being rotated about the rotation axis AX1 by the
[0023]
On the other hand, a
[0024]
The
[0025]
A
[0026]
A
[0027]
In the
[0028]
A cleaning
[0029]
The
[0030]
The wafer W is placed on the plane of the upper ends of the
[0031]
In the cleaning apparatus of the present embodiment, the wafer W is placed on the spin chuck 7 with the surface Wa on which the circuit is formed facing upward in the vertical direction. The sub-rolls 1a and 1b of the first roll 1 are configured such that the length of the portion slidably contacting the wafer W in the direction of the rotation axis AX1 covers the outer peripheral portion of the wafer W without covering the central portion of the wafer W. Therefore, the roll can clean the peripheral portion of the front surface Wa and the back surface Wb of the wafer W on which the circuit is not formed without scrubbing the circuit portion, and the side surface of the wafer W is cleaned by the
[0032]
In the present embodiment, the first roll 1 has a structure including a pair of sub-rolls, and the second roll has a structure that covers the entire length of the wafer W. Conversely, the first roll has a full-length cover type. The second roll may be a sub-roll type. However, at this time, it is preferable to clean the wafer surface on which the circuit is formed on the second roll.
[0033]
A method for cleaning a wafer with the cleaning apparatus having the structure described above will be described. The present invention is particularly useful when, for example, cleaning an etched portion of a wafer obtained by etching the back surface, side surface, and peripheral portion of the front surface after CVD. In addition, a soft material such as a low dielectric constant film may be attached to the wafer, which is useful for cleaning the back surface of such a wafer.
[0034]
First, in the preliminary cleaning step, it is desirable to hold the wafer W horizontally by a cleaning device (not shown) and spray a cleaning liquid such as ultrapure water from the nozzle onto the wafer surface to wash away particles on the surface of the semiconductor wafer W. At this time, the wafer W may be rotated, and as a method of spraying ultrapure water onto the wafer surface, high pressure ultrapure water may be sprayed from a nozzle, or ultrapure water having cavitation is sprayed. Alternatively, ultrapure water to which ultrasonic vibration energy is applied may be sprayed, or a combination thereof may be used.
[0035]
In the next cleaning step, the cleaning apparatus according to the embodiment of the present invention described above is used. That is, the wafer W is transferred to the main cleaning apparatus and placed on the spin chuck 7. Next, the side surface of the wafer W is bitten into the
[0036]
Next, rotation of the
[0037]
In the scrub cleaning apparatus configured as described above, the
[0038]
As shown in the perspective view of FIG. 1B, the
[0039]
In this apparatus, the peripheral portion of the wafer surface Wa is cleaned by adjusting the width of the roll sponges of the surface sub-rolls 1a and 1b and by adjusting the mounting position on the pair of sub-rolls 1a and
[0040]
While rotating the wafer W, a small amount of cleaning liquid (pure water or chemical liquid) is supplied from the inside of the roll sponge (brush), and the wafer W is cleaned by including the cleaning liquid in the sponge. Further, the cleaning liquid may be supplied to the wafer W from the
[0041]
When cleaning is completed, rolls 1 and 2 are retracted.
Thereafter, the rotation of the wafer W is stopped and transferred to the outside of the cleaning apparatus by a robot hand (not shown).
[0042]
In the cleaning apparatus of the present embodiment, since the first roll 1 and the
[0043]
For example, PVA (polyvinyl alcohol) is suitable as a material for the roll sponge. It is preferable to use PVAt (polyvinyl acetal) produced by condensing aldehydes with PVA as a raw material, and in particular, PVF (polyvinyl formal). This material is excellent in hydrophilicity, has water absorption and water retention due to fine continuous pores, does not damage the object to be cleaned, and does not cause uneven water absorption following the uneven surface. In addition, a material that has chemical resistance such as PPS and PTFE and that has no metal elution and is made into an unemployed cloth is useful for strong dirt, for example, a material that is fixed by applying heat.
[0044]
Although the width of the sub-rolls 1a and 1b is about 20 mm, it may be appropriately determined depending on the size of the wafer W to be processed and the size of the circuit forming surface (or the width of the peripheral portion where no circuit is formed). However, typically, it is preferably 20 mm or less.
[0045]
In the above embodiment, the first roll has been described as including a pair of sub-rolls 1a and 1b. However, the present invention is not limited to this, and the first roll may include only one sub-roll 1a. Even in this case, the peripheral portion can be cleaned without sliding on the circuit on the surface Wa of the wafer. In the second roll, L3 ≧ D, but not limited to this, L3 may be configured to be smaller than the diameter D of the wafer and larger than the radius thereof. In particular, when there is only one sub-roll 1a, the second roll is preferably opposed to the sub-roll 1a so as to cover the radius of the wafer.
[0046]
In the above embodiments, the cleaning apparatus has been described. However, an etching solution may be used instead of the cleaning solution, and the scrub etching apparatus as a substrate processing apparatus may be configured. Also at this time, as described above, pure water is supplied from the
[0047]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, since the rotation support body is provided, the substrate can be supported and rotated, and the first roll slidably contacting the front surface and the second roll slidably contacting the back surface are provided. The front surface and the back surface of the substrate can be processed at the same time , and at least one of the first roll and the second roll has a length in the rotation axis direction of the portion of the roll in sliding contact with only the outer peripheral portion of the substrate. Since it is configured to cover at both ends of the diameter of the substrate, it is possible to provide a substrate processing apparatus that can process at least one surface of the substrate without sliding contact other than the outer sliding portion. .
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a front view and a perspective view of a substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a partial side view for explaining a tip portion and a piece of a spindle of a spin chuck used in the cleaning apparatus of FIG.
FIG. 3 is a perspective view showing a conventional scrub cleaning apparatus.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
Claims (5)
第1の回転軸線回りを回転しながら前記表面に摺接する第1のロールと;
第2の回転軸線回りを回転しながら前記裏面に摺接する第2のロールであって、前記第2の回転軸線が前記第1の回転軸線にほぼ平行で、且つ、前記基板を挟むように前記第1のロールに対向して設けられた、第2のロールを備え;
前記第1のロールと第2のロールのうち少なくとも一方は、前記摺接する部分のロールの回転軸線方向の長さが前記基板の外周部のみを該基板の直径の両端でカバーするように構成された;
基板処理装置。A rotating support that supports and rotates a disk-shaped substrate having a front surface and a back surface;
A first roll in sliding contact with the surface while rotating about a first rotation axis;
A second roll slidably contacting the back surface while rotating around a second rotation axis, wherein the second rotation axis is substantially parallel to the first rotation axis and sandwiches the substrate. A second roll provided opposite the first roll;
At least one of the first roll and the second roll is configured such that the length of the roll in the sliding contact portion in the rotation axis direction covers only the outer peripheral portion of the substrate at both ends of the diameter of the substrate. Was;
Substrate processing equipment.
請求項1に記載の基板処理装置。The other of the first roll and the second roll is configured such that the length of the roll in the sliding contact portion covers the diameter of the substrate.
The substrate processing apparatus according to claim 1.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001075665A JP3854085B2 (en) | 2001-03-16 | 2001-03-16 | Substrate processing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001075665A JP3854085B2 (en) | 2001-03-16 | 2001-03-16 | Substrate processing equipment |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002280344A JP2002280344A (en) | 2002-09-27 |
JP3854085B2 true JP3854085B2 (en) | 2006-12-06 |
Family
ID=18932707
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001075665A Expired - Lifetime JP3854085B2 (en) | 2001-03-16 | 2001-03-16 | Substrate processing equipment |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3854085B2 (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101459271B1 (en) * | 2014-07-29 | 2014-11-07 | 주식회사 케이씨텍 | Rotating contact support of substrate spinning apparatus |
US9089881B2 (en) | 2010-03-01 | 2015-07-28 | Ebara Corporation | Method and apparatus for cleaning substrate |
KR101624843B1 (en) * | 2014-07-29 | 2016-05-27 | 주식회사 케이씨텍 | Rotating contact support of substrate spinning apparatus |
CN112122191A (en) * | 2020-09-28 | 2020-12-25 | 杭州能发科技有限公司 | Inspection robot probe with self-cleaning function |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8236382B2 (en) | 2002-09-30 | 2012-08-07 | Lam Research Corporation | Proximity substrate preparation sequence, and method, apparatus, and system for implementing the same |
JP5645752B2 (en) | 2011-05-25 | 2014-12-24 | 株式会社荏原製作所 | Substrate cleaning method and roll cleaning member |
KR102232985B1 (en) * | 2014-05-21 | 2021-03-29 | 주식회사 케이씨텍 | Rotation support for substrate spinning apparatus |
JP2022030618A (en) * | 2020-08-07 | 2022-02-18 | アイオン株式会社 | Cleaning sponge roller |
-
2001
- 2001-03-16 JP JP2001075665A patent/JP3854085B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9089881B2 (en) | 2010-03-01 | 2015-07-28 | Ebara Corporation | Method and apparatus for cleaning substrate |
KR101459271B1 (en) * | 2014-07-29 | 2014-11-07 | 주식회사 케이씨텍 | Rotating contact support of substrate spinning apparatus |
KR101624843B1 (en) * | 2014-07-29 | 2016-05-27 | 주식회사 케이씨텍 | Rotating contact support of substrate spinning apparatus |
CN112122191A (en) * | 2020-09-28 | 2020-12-25 | 杭州能发科技有限公司 | Inspection robot probe with self-cleaning function |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002280344A (en) | 2002-09-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9808903B2 (en) | Method of polishing back surface of substrate and substrate processing apparatus | |
US5725414A (en) | Apparatus for cleaning the side-edge and top-edge of a semiconductor wafer | |
JP4709346B2 (en) | Wafer edge cleaning equipment | |
TWI436416B (en) | Substrate processing method, substrate processing apparatus and controlling program | |
US8496758B2 (en) | Cleaning apparatus and cleaning method for wafer | |
US20110265816A1 (en) | Disk-brush cleaner module with fluid jet | |
US10892173B2 (en) | Substrate cleaning roll, substrate cleaning apparatus, and substrate cleaning method | |
US6921494B2 (en) | Backside etching in a scrubber | |
JP2014003273A (en) | Substrate cleaning method | |
JPH11625A (en) | Apparatus for washing wafer | |
JP3854085B2 (en) | Substrate processing equipment | |
JP2002313767A (en) | Substrate processor | |
US20020062839A1 (en) | Method and apparatus for frontside and backside wet processing of a wafer | |
US20040005787A1 (en) | Method to reduce residual particulate contamination in CVD and PVD semiconductor wafer manufacturing | |
JPH10180198A (en) | Cleaning device | |
JP4586660B2 (en) | Cleaning method for disk-shaped glass substrate | |
KR20130007467A (en) | Substrate cleaning method | |
JP2019091886A (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
US11551940B2 (en) | Roller for cleaning wafer and cleaning apparatus having the same | |
EP1145287A1 (en) | Method and apparatus for cleaning a semiconductor wafer | |
JP2736020B2 (en) | Vacuum chuck with self-cleaning function | |
JP2000150441A (en) | Roller brush washing device | |
JP2017147334A (en) | Device and method for cleaning backside of substrate | |
EP3396707B1 (en) | Apparatus and method for cleaning a back surface of a substrate | |
JP2005079216A (en) | Substrate-cleaning equipment, initialization method of cleaning member thereof, and substrate-polishing and cleaning system |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040205 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060523 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060530 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060713 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060905 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060907 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3854085 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090915 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100915 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110915 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120915 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130915 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |