JP3844616B2 - Aerosol cleaning device - Google Patents

Aerosol cleaning device Download PDF

Info

Publication number
JP3844616B2
JP3844616B2 JP07212199A JP7212199A JP3844616B2 JP 3844616 B2 JP3844616 B2 JP 3844616B2 JP 07212199 A JP07212199 A JP 07212199A JP 7212199 A JP7212199 A JP 7212199A JP 3844616 B2 JP3844616 B2 JP 3844616B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chamber
cleaned
cleaning
robot
cassette
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP07212199A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2000262998A (en
Inventor
今日子 杉田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Heavy Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Heavy Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Heavy Industries Ltd filed Critical Sumitomo Heavy Industries Ltd
Priority to JP07212199A priority Critical patent/JP3844616B2/en
Publication of JP2000262998A publication Critical patent/JP2000262998A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3844616B2 publication Critical patent/JP3844616B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、エアロゾル洗浄装置に係り、特に、半導体用ウェハのような基板の表面を洗浄する際に用いるのに好適な、塵埃の発生量が少なく、スループット向上を図ることが可能な、エアロゾル洗浄装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
LSI製造工程における半導体用ウェハの表面上や、液晶(LCD)あるいは太陽電池等の表面上の微粒子(パーティクル)や汚れは、最終製品の歩留りを大きく低下させるため、前記ウェハ等の表面洗浄が極めて重要である。
【0003】
従って従来から、種々の表面洗浄方法が提案されており、半導体製造を例に採ると、超音波併用の純水洗浄、純水中に薬液(例えばアンモニア過酸化水素液や硫酸過酸化水素液)を加えた溶液中に被洗浄物を浸漬し、洗浄する等の湿式洗浄方式が用いられている。
【0004】
しかしながら、この種の湿式洗浄方式は、各種設備の設置面積が大きく、廃液処理も必要であるという問題がある。
【0005】
一方、液体を用いない乾式洗浄方式として、ガスを加え化学反応を利用したドライクリーニングがあるが、パーティクル上の汚染物が除去できないという問題がある。
【0006】
更に、ドライアイスや氷、アルゴン固体等の微粒子を、被洗浄物表面に衝突させて、パーティクルを除去することも考えられているが、氷を用いた場合には、被洗浄物の表面が損傷を受ける恐れがあり、ドライアイスを用いた場合には、特に鉄鋼や石油精製の廃ガスを原料とする市販品では、ドライアイス自体が汚れているため、不純物汚染の問題がある。
【0007】
これらに対して、特開平6−252114や特開平6−295895に記載された、アルゴン固体の微粒子を含むエアロゾル(アルゴンエアロゾルと称する)を減圧零囲気中で衝突させて表面洗浄を行う方法によれば、上記のような問題は存在しない。
【0008】
このアルゴンエアロゾルを用いたウェハ洗浄装置の一例の全体構成の管路図を図1に、同じく平面図を図2に示す。
【0009】
この例において、マスフローコントローラ30、32によりその流量を制御されたアルゴンガスと窒素ガスは、フィルタ34を通過した後、例えばヘリウム(He)クライオ冷凍機36を用いた熱交換器38内で冷却されてから、エアロゾルノズル20に開けられた多数の微細なノズル孔22より、エアロゾル24となって、真空ポンプ40で真空引きされている、ウェハ洗浄用の洗浄室42内に噴出する。
【0010】
ウェハ10は、ウェハスキャン機構44によりX軸方向及びY軸方向にスキャンされるプロセスハンド(XYスキャンステージとも称する)46上に載っており、ウェハ全面が洗浄可能となっている。
【0011】
洗浄力を向上させるために加速ノズル56を設置することが考えられており、マスフローコントローラ52及びフィルタ54を介して該加速ノズル56に供給され、そのノズル孔から吹き出す窒素ガス(加速ガス58と称する)が、前記エアロゾルノズル20から噴出されたエアロゾル24を加速する。
【0012】
又、パーティクルのウェハ面への再付着防止の目的で、洗浄室42の一端(図2の左端)から、マスフローコントローラ62及びフィルタ64を介して流入される窒素ガスをパージガス66として、洗浄室42内に供給することも考えられている。
【0013】
図2に示す如く、カセット交換用に2つ設けられた、装置外部からカセット72に収容されたウェハ10を搬入するための、真空状態に排気されるカセット室70A又は70B内のウェハ10は、ウェハ10をハンドリングするロボット室(搬送室とも称する)80内に配設された真空内搬送ロボット(真空ロボットと称する)82のロボットアーム84の先端に取付けられたロボットハンド86により、カセットゲートバルブ74A又は74B、及び、ゲートバルブ76を通過して、洗浄室42へのウェハ10の受け渡しをするバッファ室90内の前記プロセスハンド46上に移送される。図2において、73は、カセット72を載置するためのカセットステージである。
【0014】
ウェハスキャン機構44により駆動されるプロセスハンド46上のウェハ10は、バッファ室90からゲートバルブ92を通過して洗浄室42内に運ばれ、エアロゾルノズル20の下で、Y軸方向及びX軸方向にスキャンされる。
【0015】
このようにしてエアロゾルノズル20から吹き出すエアロノズル24により表面全面が洗浄されたウェハ10は、バッファ室90に搬入された経路を逆に辿って、カセット室70A又は70Bに戻される。
【0016】
このようなアルゴンエアロゾルを用いたウェハ洗浄装置は、例えば右側のカセット室70A内のウェハを洗浄する場合、次のようにして運転される。
【0017】
(1)バッファ室90と洗浄室42を区切るゲートバルブ92を閉じて、洗浄室42でエアロゾル24を生成する。
(2)洗浄すべきウェハ10が収容されたカセット72がある側(ここでは右側)のカセット室70Aとロボット室80を区切るカセットゲートバルブ74Aと、ロボット室80とバッファ室90を区切るゲートバルブ76を開いて、右側カセット室70A、ロボット室80、バッファ室90を窒素雰囲気とする。
(3)ロボットハンド86により、ウェハ10を右側カセット室70Aから取り出して、バッファ室90へ搬入する。
(4)ゲートバルブ76を閉じて、次の2枚目のウェハを右側カセット室70Aから取り出し、1枚目のウェハの洗浄が終了するまで、バッファ室90の前で待機する。
(5)バッファ室90と洗浄室42内の圧力が同じになるように均圧操作した後、ゲートバルブ92を開く。
(6)洗浄中のみ流されるパージガス66の流量をオンに設定し、1枚目のウェハの洗浄を開始する。
(7)1枚目のウェハの洗浄終了後、パージガス66の流量をオフとして、ゲートバルブ92を閉じる。
(8)バッファ室90を真空引きし、ロボット室80の圧力に合わせてゲートバルブ76を開くことにより、バッファ室90とロボット室80の均圧操作を行なった後、2枚目のウェハをバッファ室90へ搬入すると共に、1枚目のウェハをロボット室80へ搬出する。
(9)バッファ室90と洗浄室42の均圧操作を行った後、ゲートバルブ92を開く。
(10)パージガス66の流量をオンとして、2枚目のウェハの洗浄を開始する。
(11)洗浄が終了した1枚目のウェハを右側カセット室70Aへ戻すと共に、3枚目のウェハを同じ右側カセット室70Aから取り出す。
(12)2枚目のウェハの洗浄が終了するのを、バッファ室90の前で待機する。
(13)3枚目のウェハをバッファ室90へ搬入すると共に、洗浄が終了した2枚目のウェハをロボット室80へ搬出する。
【0018】
上記のような操作を繰り返す。
【0019】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような運転方法では、ウェハ10の搬入・搬出の前に、ロボット室80とバッファ室90間の均圧操作、ウェハ10の洗浄前には、バッファ室90と洗浄室42間の均圧操作が必要であり、均圧操作に時間がかかる。又、ウェハ10の搬入・搬出の前後には、ゲートバルブ76の開閉操作、ウェハ10の洗浄の前後にはゲートバルブ92の開閉操作が必要であり、ゲートバルブの開閉によって摩擦が発生する等の問題点を有していた。
【0020】
本発明は、前記従来の問題点を解決するべくなされたもので、均圧操作やゲートバルブの開閉操作を減らして、ゲートバルブ開閉による発塵を低減すると共に、スループットを向上することを課題とする。
【0021】
【課題を解決するための手段】
本発明は、装置外部から、被洗浄物が多数収容されたカセットを搬入出するための、真空状態に排気されるカセット室と、洗浄前の被洗浄物を、前記カセットから引き出して、次のバッファ室に搬入すると共に、洗浄後の被洗浄物をバッファ室から引き出して、所定のカセットに挿入するための、被洗浄物ハンドリング用の真空ロボットが配設されたロボット室と、該ロボット室と次の洗浄室間の圧力差を解消して、被洗浄物の受け渡しをするためのバッファ室と、該バッファ室から搬入される被洗浄物の表面に、エアロゾルを衝突させて洗浄するための、所定圧力に維持される洗浄室を備えたエアロゾル洗浄装置において、エアロゾル生成中は、前記バッファ室と洗浄室を区切るゲートバルブを開いたままとし、バッファ室から洗浄室へ、待機中は待機用の、洗浄中は洗浄用の流量のパージガスを強制的に流すようにすると共に、前記ロボット室とバッファ室間に、途中に均圧バルブが配設された均圧用バイパス配管を設けるようにして、前記課題を解決したものである。
又、本発明は、装置外部から、被洗浄物が多数収容されたカセットを搬入出するための、真空状態に排気されるカセット室と、洗浄前の被洗浄物を、前記カセットから引き出して、次のバッファ室に搬入すると共に、洗浄後の被洗浄物をバッファ室から引き出して、所定のカセットに挿入するための、被洗浄物ハンドリング用の真空ロボットが配設されたロボット室と、該ロボット室と次の洗浄室間の圧力差を解消して、被洗浄物の受け渡しをするためのバッファ室と、該バッファ室から搬入される被洗浄物の表面に、エアロゾルを衝突させて洗浄するための、所定圧力に維持される洗浄室を備えたエアロゾル洗浄装置において、前記洗浄室と前記バッファ室とを区切る第1ゲートバルブを開いて、前記バッファと前記ロボット室とを区切る第2ゲートバルブを閉じた後、前記洗浄室でエアロゾルを生成し、該エアロゾル生成完了後、前記洗浄室にパージガスを供給するためのパージガス供給バルブを開いて、パージガスの流量を制御するパージガス・マスフローコントローラを待機用のパージガス流量である待機流量に設定し、前記ロボット室とカセット室を区切るカセットゲートバルブを開いて、前記カセット室、前記ロボット室、前記バッファ室を窒素雰囲気とし、1枚目の被洗浄物を前記カセット室から取り出し、前記バッファ室前で待機し、前記ロボット室に窒素ガスを流すベントバルブを開いて、該ベントバルブに供給される窒素ガス量を制御するベント・マスフローコントローラにベント流量を設定し、前記ロボット室の圧力と前記バッファ室の圧力とを比較して、前記ロボット室の圧力がバッファ室の圧力よりも十分に大きい場合には、前記バッファ室と前記ロボット室との圧力を均圧操作する均圧バルブを開き、前記ロボット室の圧力が、前記バッファ室の圧力とほぼ等しくなった場合には、該均圧バルブを閉じ、前記第2ゲートバルブを開いて、1枚目の被洗浄物を前記バッファ室へ搬入し、前記第2ゲートバルブを閉じて、前記パージガス・マスフローコントローラを洗浄用のパージガス流量である洗浄流量に設定して、1枚目の被洗浄物の洗浄を開始し、2枚目の被洗浄物を前記カセット室から取り出して、前記バッファ室の前で待機し、1枚目の被洗浄物の洗浄が終了した後、パージガス流量を前記待機流量に戻し、前記第2ゲートバルブを開き、2枚目の被洗浄物を前記バッファ室へ搬入すると共に、1枚目の被洗浄物を前記ロボット室へ搬出し、前記第2ゲートバルブを閉じ、パージガス流量を前記洗浄流量に高めた後、2枚目の被洗浄物の洗浄を開始し、1枚目の被洗浄物を前記カセット室へ戻し、3枚目の被洗浄物を前記カセット室から取り出して、前記バッファ室前で待機し、2枚目の被洗浄物の洗浄が終了した後、パージガス流量を前記待機流量に戻し、前記第2ゲートバルブを開き、3枚目の被洗浄物を前記バッファ室へ搬入する一方、2枚目の被洗浄物を前記ロボット室へ搬出するようにして、前記課題を解決したものである。
又、本発明は、前記一連の操作を繰り返すようにしてもよい。
又、本発明は、装置外部から、被洗浄物が多数収容されたカセットを搬入出するための、真空状態に排気されるカセット室と、洗浄前の被洗浄物を、前記カセットから引き出して、次のバッファ室に搬入すると共に、洗浄後の被洗浄物をバッファ室から引き出して、所定のカセットに挿入するための、被洗浄物ハンドリング用の真空ロボットが配設された ロボット室と、該ロボット室と次の洗浄室間の圧力差を解消して、被洗浄物の受け渡しをするためのバッファ室と、該バッファ室から搬入される被洗浄物の表面に、エアロゾルを衝突させて洗浄するための、所定圧力に維持される洗浄室を備えたエアロゾル洗浄装置において、前記洗浄室と前記バッファ室とを区切る第1ゲートバルブを開かせて、前記バッファと前記ロボット室とを区切る第2ゲートバルブを閉じさせた後、前記洗浄室でエアロゾルを生成させ、該エアロゾル生成完了後、前記洗浄室にパージガスを供給するためのパージガス供給バルブを開かせて、パージガスの流量を制御するパージガス・マスフローコントローラを待機用のパージガス流量である待機流量に設定させ、前記ロボット室とカセット室を区切るカセットゲートバルブを開かせて、前記カセット室、前記ロボット室、前記バッファ室を窒素雰囲気とし、1枚目の被洗浄物を前記カセット室から取り出させ、前記バッファ室前で待機させ、前記ロボット室に窒素ガスを流すベントバルブを開かせて、該ベントバルブに供給される窒素ガス量を制御するベント・マスフローコントローラにベント流量を設定させ、前記ロボット室の圧力と前記バッファ室の圧力とを比較して、前記ロボット室の圧力がバッファ室の圧力よりも十分に大きい場合には、前記バッファ室と前記ロボット室との圧力を均圧操作する均圧バルブを開かせ、前記ロボット室の圧力が、前記バッファ室の圧力とほぼ等しくなった場合には、該均圧バルブを閉じさせ、前記第2ゲートバルブを開かせて、1枚目の被洗浄物を前記バッファ室へ搬入させ、前記第2ゲートバルブを閉じさせて、前記パージガス・マスフローコントローラを洗浄用のパージガス流量である洗浄流量に設定させて、1枚目の被洗浄物の洗浄を開始させ、2枚目の被洗浄物を前記カセット室から取り出させて、前記バッファ室の前で待機させ、1枚目の被洗浄物の洗浄が終了した後、パージガス流量を前記待機流量に戻させ、前記第2ゲートバルブを開かせ、2枚目の被洗浄物を前記バッファ室へ搬入させると共に、1枚目の被洗浄物を前記ロボット室へ搬出させ、前記第2ゲートバルブを閉じさせ、パージガス流量を前記洗浄流量に高めた後、2枚目の被洗浄物の洗浄を開始させ、1枚目の被洗浄物を前記カセット室へ戻させ、3枚目の被洗浄物を前記カセット室から取り出させて、前記バッファ室前で待機させ、2枚目の被洗浄物の洗浄が終了した後、パージガス流量を前記待機流量にさせ、前記第2ゲートバルブを開かせ、3枚目の被洗浄物を前記バッファ室へ搬入させる一方、2枚目の被洗浄物を前記ロボット室へ搬出させる制御手段を備えたことにより、前記課題を解決したものである。
又、本発明は、前記制御手段による操作を繰り返すようにされてもよい。
【0022】
更に、前記ロボット室とバッファ室間に、途中に均圧バルブが配設された均圧用バイパス配管を設けるようにしたものである。
【0023】
本発明においては、バッファ室と洗浄室を区切るゲートバルブを、洗浄の度に開閉するのではなく、エアロゾル生成中は、開いたままとしている。従って、ゲートバルブの開閉による発塵を低減することができる。
【0024】
又、バッファ室から洗浄室へパージガスを流すことで、バッファ室から洗浄室へガスの強制的な流れを作っているので、前記ゲートバルブを閉じなくても、エアロゾルによる不純物飛散の影響が、ロボット室やカセット室に及ぶのが防止できる。
【0025】
特に、ロボット室とバッファ室間に、途中に均圧バルブが配設された均圧用バイパス配管を設けた場合には、ロボット室及びカセット室に窒素ガスを供給して、バッファ室及び洗浄室よりも若干圧力を高くした状態で均圧バルブを開き、均圧バルブを閉じた後、ロボット室とバッファ室間のゲートバルブを開くことで、大口径のゲートバルブを一気に開いた時の圧力差による不純物の飛散を防止することができる。又、常にパージガスを流しているので、洗浄前後の洗浄室及びバッファ室の圧力はほぼ一定であり、1枚目のウェハを搬入する際に均圧操作を行えば、以降の搬入・搬出時には均圧バルブの開閉のみでよく、真空引き等を行って圧力を調整する場合に比べて、スループットの向上を図ることができる。
【0026】
【発明の実施の形態】
以下図面を参照して、本発明の実施形態を詳細に説明する。
【0027】
本実施形態における配管系を図3に示す。
【0028】
本実施形態においては、ロボット室80とバッファ室90の間に、途中に均圧バルブ102が配設された均圧用バイパス配管100が設けられると共に、マスフローコントローラ62からパージガスを常時供給するためのパージガス供給バルブ63と、ロボット室80、カセット室70A、70Bに窒素ガスを流すためのロボット室ベントバルブ112、カセット室ベントバルブ114、116と、これらに供給される窒素ガスの流量を制御するためのマスフローコントローラ110と、洗浄室42、バッファ室90、ロボット室80、カセット室70A、70Bの圧力を、それぞれ監視するための圧力計118、120、122、124、126とを備えている。
【0029】
図において、V1は、アルゴンエアロゾル生成用のアルゴンガス供給バルブ、V2は、同じく窒素ガス供給バルブ、V3は、同じく混合ガス供給バルブ、35は、同じく混合ガス圧力計、53は加速ガス供給バルブ、55は加速ガス圧力計、APCは、前記洗浄室圧力計118で検出される洗浄室42内の圧力が設定値になるように圧力を調節する自動圧力調節計、T1、T2、T3は、それぞれ、エアロゾルノズル20出口、熱交換器38出側、同入側の温度を検出するための温度計、DP1は、それぞれ、前記自動圧力調節計APC、バルブVV1、及び、バルブVV9を介して、前記洗浄室42及びエアロゾルノズル20の内部を真空に引くための真空ポンプ、G1は、該真空ポンプDP1によって引かれる真空の圧力を検出するための真空ゲージ、DP2は、それぞれ、バルブVV4、VV5、VV6、VV7を介して前記バッファ室90、ロボット室80、カセット室70A、70B内を真空に引くための真空ポンプ、G2は、該真空ポンプDP2によって引かれる真空の圧力を検出するための真空ゲージ、DP3は、手動バルブMV4及びバルブLVを介して、前記熱交換器38内を真空に引くための真空ポンプ、G3は、該真空ポンプDP3によって引かれる真空の圧力を検出するための真空ゲージ、MV3は、熱交換器38及び洗浄室42に供給される窒素ガスの量を調節するための手動バルブ、128は、該窒素ガスの圧力を検出する圧力計、VV8は、エアロゾルノズル20及び洗浄室42からの戻りガスを熱交換器38の入側に戻すためのバルブ、MV4〜MV8は、必要に応じて各配管の途中に配設される手動バルブであり、前記真空ポンプDP1〜3は、例えばユーティリティルーム130内に配設されている。
【0030】
以下、従来例と同様に、右側カセット室70A内のウェハを洗浄する場合を例に取って、本発明の実施形態における運転手順を説明する。
【0031】
(1)本発明によりゲートバルブ92を開く。
(2)ゲートバルブ76を閉じた後、洗浄室42でエアロゾルを生成する。
(3)エアロゾル生成完了後、本発明によりパージガス供給バルブ63を開き、マスフローコントローラ62に待機用の第1のパージガス流量(待機流量と称する)を設定する。
(4)カセットゲートバルブ74Aを開いて、右側カセット室70A、ロボット室80、バッファ室90を窒素雰囲気とする。
(5)1枚目のウェハを右側カセット室70Aから取り出し、バッファ室90前で待機する。
(6)本発明により、均圧バルブ102を開いて、ロボット室80とバッファ室90の均圧操作を行う。具体的には、まず、ロボット室80のベントバルブ112を開き、マスフローコントローラ110にベント流量を設定する。次いで、ロボット室80の圧力とバッファ室90の圧力を比較し、ロボット室80の圧力がバッファ室90の圧力よりも十分に大きい場合には、均圧バルブ102を開く。ロボット室80の圧力が、バッファ室90の圧力とほぼ等しくなった場合には、均圧バルブ102を閉じる。
(7)ゲートバルブ76を開いて、1枚目のウェハをバッファ室90へ搬入する。
(8)ゲートバルブ76を閉じて、マスフローコントローラ62に、洗浄用の第2のパージガス流量(洗浄流量と称する)を設定する。
(9)1枚目のウェハの洗浄を開始する。
(10)2枚目のウェハを右側カセット室70Aから取り出して、バッファ室90の前で待機する。
(11)1枚目のウェハの洗浄が終了した後、パージガス流量を待機流量に戻す。
(12)ゲートバルブ76を開き、2枚目のウェハをバッファ室90へ搬入すると共に、1枚目のウェハをロボット室80へ搬出する。
(13)ゲートバルブ76を閉じ、パージガス流量を洗浄流量に高めた後、2枚目のウェハの洗浄を開始する。
(14)1枚目のウェハを右側カセット室70Aへ戻し、3枚目のウェハを右側カセット室70Aから取り出して、バッファ室90前で待機する。
(15)2枚目のウェハの洗浄が終了した後、パージガス流量を待機流量に戻す。
(16)ゲートバルブ76を開き、3枚目のウェハをバッファ室90へ搬入する一方、2枚目のウェハ10をロボット室80へ搬出する。
【0032】
以下、上記の手順を繰り返す。
【0033】
本実施形態においては、エアロゾル生成前にゲートバルブ92を開き、その後も開いたままにすると共に、洗浄中以外でもパージガス66を一定量流す。
【0034】
又、搬入・搬出時のバッファ室90とロボット室80の均圧操作は、ロボット室80及びカセット室70A(又は70B)を窒素ベントして、バッファ室90と洗浄室42の圧力に合わせ、均圧バルブ102を開く。バッファ室90とロボット室80の圧力差が無くなった後、均圧バルブを閉じ、ゲートバルブ76を開く。洗浄前後の洗浄室42及びバッファ室90の圧力は、常にパージガスを流しているため、ほぼ一定なので、1枚貝のウェハを搬入する時に均圧操作を行えば、以降のウェハ搬入・搬出時には、均圧バルブ102の開閉のみで良い。
【0035】
なお、前記実施形態においては、エアロゾルとしてアルゴンエアロゾルが用いられ、加速ガス及びパージガスとして窒素ガスが用いられていたが、エアロゾルや加速ガスやパージガスの種類は、これらに限定されない。
【0036】
又、前記実施形態においては、本発明が、半導体用ウェハの洗浄装置に適用されていたが、本発明の適用対象はこれに限定されず、半導体用マスク、フラットパネル用基板、磁気ディスク基板、フライング用基板等の洗浄装置にも同様に適用できることは明らかである。
【0037】
【発明の効果】
本発明においては、洗浄前にバッファ室とロボット室の均圧操作を行う必要がないので、スループットが向上する。
【0038】
又、バッファ室と洗浄室を区切るゲートバルブの開閉を行わないので、開閉動作による発塵を低減することができる。
【0039】
更に、エアロゾル生成後、バッファ室と洗浄室を区切るゲートバルブを開いたまま、バッファ室とロボット室を区切るゲートバルブを開くが、バッファ室からパージガスを一定量流して、バッファ室から洗浄室への強制的な流れを作るようにしているので、エアロゾルによる不純物(パーティクル)のロボット室やカセット室への飛散を防止することができる。
【0040】
更に、バッファ室と洗浄室を区切るゲートバルブを開いたままにすることで、初回のウェハ搬入時のみ均圧操作を行い、2回目以降のウェハ搬入・搬出では、均圧バルブの開閉のみを行うようにした場合には、更にスループットを向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明が適用される、エアロゾルによるウェハ洗浄装置の一例の全体構成を示す管路図
【図2】同じく平面図
【図3】本発明の実施形態における配管系を示す管路図
【符号の簡単な説明】
10…ウェハ(被洗浄物)
20…エアロゾルノズル
24…エアロゾル
30、32、52、62、110…マスフローコントローラ
42…洗浄室
56…加速ノズル
58…加速ガス
63…バージガス供給バルブ
66…パージガス
70A、70B…カセット室
74A、74B…カセットゲートバルブ
76、92…ゲートバルブ
80…ロボット室
86…ロボットハンド
90…バッファ室
100…均圧用バイパス配管
102…均圧バルブ
112、114、116…ベントバルブ
118、120、122、124、126…圧力計
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an aerosol cleaning apparatus, and in particular, an aerosol cleaning that is suitable for use when cleaning the surface of a substrate such as a semiconductor wafer and that can reduce dust generation and improve throughput. Relates to the device.
[0002]
[Prior art]
Since fine particles (particles) and dirt on the surface of a semiconductor wafer in the LSI manufacturing process and on the surface of a liquid crystal (LCD) or solar cell greatly reduce the yield of the final product, the surface of the wafer or the like is extremely cleaned. is important.
[0003]
Therefore, various surface cleaning methods have been proposed in the past. Taking semiconductor manufacturing as an example, pure water cleaning combined with ultrasonic waves, chemical solution in pure water (for example, ammonia hydrogen peroxide solution or sulfuric acid hydrogen peroxide solution) A wet cleaning method is used in which an object to be cleaned is immersed in a solution to which is added and cleaned.
[0004]
However, this type of wet cleaning method has a problem that the installation area of various facilities is large and waste liquid treatment is necessary.
[0005]
On the other hand, as a dry cleaning method that does not use liquid, there is dry cleaning using a chemical reaction by adding gas, but there is a problem that contaminants on the particles cannot be removed.
[0006]
Furthermore, it is also considered to remove particles by colliding fine particles such as dry ice, ice, and argon solids on the surface of the object to be cleaned. However, when ice is used, the surface of the object to be cleaned is damaged. When dry ice is used, there is a problem of impurity contamination especially in commercial products made from steel or petroleum refining waste gas because the dry ice itself is dirty.
[0007]
On the other hand, according to the method described in JP-A-6-252114 and JP-A-6-295895, an aerosol containing fine particles of argon solid (referred to as argon aerosol) is collided in a vacuum atmosphere to perform surface cleaning. For example, the above problems do not exist.
[0008]
FIG. 1 shows a conduit diagram of the overall configuration of an example of a wafer cleaning apparatus using this argon aerosol, and FIG. 2 shows a plan view of the same.
[0009]
In this example, the argon gas and nitrogen gas whose flow rates are controlled by the mass flow controllers 30 and 32 pass through the filter 34 and are then cooled in a heat exchanger 38 using, for example, a helium (He) cryocooler 36. After that, an aerosol 24 is ejected from a large number of fine nozzle holes 22 opened in the aerosol nozzle 20 and ejected into a cleaning chamber 42 for wafer cleaning which is evacuated by a vacuum pump 40.
[0010]
The wafer 10 is placed on a process hand (also referred to as an XY scan stage) 46 that is scanned in the X-axis direction and the Y-axis direction by the wafer scanning mechanism 44, and the entire surface of the wafer can be cleaned.
[0011]
In order to improve the cleaning power, it is considered to install an acceleration nozzle 56. Nitrogen gas (referred to as acceleration gas 58) supplied to the acceleration nozzle 56 through the mass flow controller 52 and the filter 54 and blown out from the nozzle hole. ) Accelerates the aerosol 24 ejected from the aerosol nozzle 20.
[0012]
Further, for the purpose of preventing the reattachment of particles to the wafer surface, the cleaning chamber 42 is formed by using nitrogen gas flowing from one end (left end in FIG. 2) of the cleaning chamber 42 through the mass flow controller 62 and the filter 64 as the purge gas 66. It is also considered to supply the inside.
[0013]
As shown in FIG. 2, two wafers 10 in the cassette chamber 70 </ b> A or 70 </ b> B exhausted to a vacuum state for carrying in the wafers 10 accommodated in the cassette 72 from the outside of the apparatus, provided for two cassette replacements, A cassette gate valve 74A is provided by a robot hand 86 attached to the tip of a robot arm 84 of a vacuum transfer robot (referred to as a vacuum robot) 82 disposed in a robot chamber (also referred to as a transfer chamber) 80 for handling the wafer 10. Alternatively, it is transferred to the process hand 46 in the buffer chamber 90 for passing the wafer 10 to the cleaning chamber 42 through the gate valve 76 and 74B. In FIG. 2, reference numeral 73 denotes a cassette stage for mounting the cassette 72.
[0014]
The wafer 10 on the process hand 46 driven by the wafer scanning mechanism 44 passes through the gate valve 92 from the buffer chamber 90 and is carried into the cleaning chamber 42, and below the aerosol nozzle 20 in the Y-axis direction and the X-axis direction. Scanned.
[0015]
The wafer 10 whose entire surface has been cleaned by the aerosol nozzle 24 blown out from the aerosol nozzle 20 in this way is returned to the cassette chamber 70 </ b> A or 70 </ b> B by following the path carried into the buffer chamber 90.
[0016]
For example, when cleaning the wafer in the right cassette chamber 70A, the wafer cleaning apparatus using the argon aerosol is operated as follows.
[0017]
(1) The gate valve 92 that separates the buffer chamber 90 and the cleaning chamber 42 is closed, and the aerosol 24 is generated in the cleaning chamber 42.
(2) A cassette gate valve 74A that separates the cassette chamber 70A and the robot chamber 80 on the side where the cassette 72 containing the wafer 10 to be cleaned is located (right side in this case), and a gate valve 76 that separates the robot chamber 80 and the buffer chamber 90. And the right cassette chamber 70A, the robot chamber 80, and the buffer chamber 90 are set to a nitrogen atmosphere.
(3) The wafer 10 is taken out from the right cassette chamber 70 </ b> A by the robot hand 86 and loaded into the buffer chamber 90.
(4) The gate valve 76 is closed, the next second wafer is taken out from the right cassette chamber 70A, and is waited in front of the buffer chamber 90 until the cleaning of the first wafer is completed.
(5) After performing the pressure equalization operation so that the pressure in the buffer chamber 90 and the cleaning chamber 42 becomes the same, the gate valve 92 is opened.
(6) The flow rate of the purge gas 66 that flows only during cleaning is set to ON, and cleaning of the first wafer is started.
(7) After cleaning the first wafer, the flow rate of the purge gas 66 is turned off and the gate valve 92 is closed.
(8) The buffer chamber 90 is evacuated, and the gate valve 76 is opened in accordance with the pressure in the robot chamber 80 to perform a pressure equalizing operation between the buffer chamber 90 and the robot chamber 80, and then the second wafer is buffered. The first wafer is carried into the robot chamber 80 while being carried into the chamber 90.
(9) After performing the pressure equalization operation of the buffer chamber 90 and the cleaning chamber 42, the gate valve 92 is opened.
(10) The purge gas 66 is turned on and cleaning of the second wafer is started.
(11) The first wafer that has been cleaned is returned to the right cassette chamber 70A, and the third wafer is removed from the same right cassette chamber 70A.
(12) Wait for the completion of cleaning of the second wafer in front of the buffer chamber 90.
(13) The third wafer is carried into the buffer chamber 90, and the second wafer that has been cleaned is carried out to the robot chamber 80.
[0018]
Repeat the above operation.
[0019]
[Problems to be solved by the invention]
However, in such an operation method, the pressure equalization operation between the robot chamber 80 and the buffer chamber 90 is performed before the wafer 10 is carried in and out, and the wafer chamber 10 and the buffer chamber 90 are cleaned before the wafer 10 is cleaned. Pressure operation is required, and it takes time for pressure equalization operation. Further, the gate valve 76 needs to be opened and closed before and after the wafer 10 is loaded and unloaded, and the gate valve 92 needs to be opened and closed before and after the wafer 10 is cleaned. Had problems.
[0020]
The present invention has been made to solve the above-described conventional problems, and it is an object to reduce pressure generation operation and gate valve opening / closing operation to reduce dust generation due to gate valve opening / closing and to improve throughput. To do.
[0021]
[Means for Solving the Problems]
In the present invention, a cassette chamber that is evacuated to carry in and out a cassette containing a large number of objects to be cleaned from the outside of the apparatus, and an object to be cleaned before cleaning are pulled out from the cassette, A robot chamber in which a vacuum robot for handling an object to be cleaned is disposed to carry the object to be cleaned out of the buffer chamber and insert it into a predetermined cassette, and the robot chamber; To eliminate the pressure difference between the next cleaning chambers and to wash the aerosol by colliding with the buffer chamber for delivering the object to be cleaned, and the surface of the object to be cleaned carried from the buffer chamber, in aerosol cleaning apparatus having a cleaning chamber which is maintained at a predetermined pressure, the aerosol generator is kept open a gate valve that separates the cleaning chamber and the buffer chamber, the cleaning chamber from the buffer chamber, Machine in a standby, with during cleaning is to force the flow of purge gas flow rate for washing, between the robot chamber and the buffer chamber, the pressure equalizing bypass pipe pressure equalization valve is disposed in the middle in the so that provided is obtained by solving the above problems.
In addition, the present invention draws out from the cassette a cassette chamber that is evacuated to a vacuum state for loading and unloading a cassette containing a large number of objects to be cleaned from the outside of the apparatus, and the object to be cleaned before cleaning. A robot chamber in which a vacuum robot for handling an object to be cleaned is disposed to be carried into the next buffer chamber, and the object to be cleaned is pulled out of the buffer chamber and inserted into a predetermined cassette, and the robot To eliminate the pressure difference between the chamber and the next cleaning chamber and wash the aerosol by colliding with the buffer chamber for delivering the object to be cleaned and the surface of the object to be cleaned that is carried from the buffer chamber In the aerosol cleaning apparatus having the cleaning chamber maintained at a predetermined pressure, the first gate valve that separates the cleaning chamber and the buffer chamber is opened to separate the buffer and the robot chamber. 2. A purge gas / mass flow controller that generates an aerosol in the cleaning chamber after closing the gate valve, and opens a purge gas supply valve for supplying purge gas to the cleaning chamber after the generation of the aerosol is completed, thereby controlling the flow rate of the purge gas Is set to a standby flow rate that is a purge gas flow rate for standby, a cassette gate valve that separates the robot chamber from the cassette chamber is opened, and the cassette chamber, the robot chamber, and the buffer chamber are placed in a nitrogen atmosphere, and the first sheet is covered. Take out the cleaning product from the cassette chamber, wait in front of the buffer chamber, open a vent valve for flowing nitrogen gas into the robot chamber, and vent to a vent / mass flow controller that controls the amount of nitrogen gas supplied to the vent valve Set the flow rate, compare the pressure in the robot chamber and the pressure in the buffer chamber, When the pressure in the robot chamber is sufficiently larger than the pressure in the buffer chamber, a pressure equalizing valve for equalizing the pressure between the buffer chamber and the robot chamber is opened, and the pressure in the robot chamber is The pressure equalization valve is closed, the second gate valve is opened, the first object to be cleaned is carried into the buffer chamber, and the second gate valve is closed. The purge gas / mass flow controller is set to a cleaning flow rate that is a purge gas flow rate for cleaning, and the cleaning of the first object to be cleaned is started, the second object to be cleaned is taken out of the cassette chamber, After waiting in front of the buffer chamber and cleaning of the first object to be cleaned, the purge gas flow rate is returned to the standby flow rate, the second gate valve is opened, and the second object to be cleaned is placed in the buffer chamber. Carry in At the same time, the first object to be cleaned is carried out to the robot chamber, the second gate valve is closed, and the purge gas flow rate is increased to the cleaning flow rate. Return the object to be cleaned to the cassette chamber, remove the object to be cleaned from the cassette chamber, wait in front of the buffer chamber, and after the cleaning of the object to be cleaned is completed, The purge gas flow rate is returned to the standby flow rate, the second gate valve is opened, the third article to be cleaned is carried into the buffer chamber, and the second article to be washed is carried out to the robot chamber. The above-mentioned problem is solved.
In the present invention, the series of operations may be repeated.
In addition, the present invention draws out from the cassette a cassette chamber that is evacuated to a vacuum state for loading and unloading a cassette containing a large number of objects to be cleaned from the outside of the apparatus, and the object to be cleaned before cleaning. A robot chamber in which a vacuum robot for handling an object to be cleaned is disposed to be carried into the next buffer chamber, and the object to be cleaned is pulled out of the buffer chamber and inserted into a predetermined cassette , and the robot To eliminate the pressure difference between the chamber and the next cleaning chamber and wash the aerosol by colliding with the buffer chamber for delivering the object to be cleaned and the surface of the object to be cleaned that is carried from the buffer chamber In the aerosol cleaning apparatus having a cleaning chamber maintained at a predetermined pressure, the first gate valve that separates the cleaning chamber and the buffer chamber is opened to separate the buffer and the robot chamber. Purge gas for controlling the flow rate of the purge gas by closing the second gate valve, generating aerosol in the cleaning chamber, and opening the purge gas supply valve for supplying purge gas to the cleaning chamber after the generation of the aerosol is completed The mass flow controller is set to a standby flow rate that is a standby purge gas flow rate, a cassette gate valve that separates the robot chamber from the cassette chamber is opened, and the cassette chamber, the robot chamber, and the buffer chamber are placed in a nitrogen atmosphere. The first object to be cleaned is taken out from the cassette chamber, is waited in front of the buffer chamber, and a vent valve for flowing nitrogen gas into the robot chamber is opened to control the amount of nitrogen gas supplied to the vent valve. The vent flow is set by the vent / mass flow controller, and the pressure in the robot chamber and the buffer are set. If the pressure in the robot chamber is sufficiently larger than the pressure in the buffer chamber, the pressure equalizing valve for performing pressure equalization operation on the pressure in the buffer chamber and the robot chamber is opened, When the pressure in the robot chamber becomes substantially equal to the pressure in the buffer chamber, the pressure equalizing valve is closed, the second gate valve is opened, and the first object to be cleaned is transferred to the buffer chamber. Then, the second gate valve is closed and the purge gas / mass flow controller is set to a cleaning flow rate that is a purge gas flow rate for cleaning to start cleaning the first object to be cleaned. The object to be cleaned is taken out from the cassette chamber and waited in front of the buffer chamber. After the cleaning of the first object to be cleaned is completed, the purge gas flow rate is returned to the standby flow rate, and the second gate valve Open The second object to be cleaned is carried into the buffer chamber, the first object to be cleaned is carried out to the robot chamber, the second gate valve is closed, and the purge gas flow rate is increased to the cleaning flow rate. After that, the cleaning of the second object to be cleaned is started, the first object to be cleaned is returned to the cassette chamber, the third object to be cleaned is taken out of the cassette chamber, and the buffer chamber After waiting for the second object to be cleaned, the purge gas flow rate is set to the standby flow rate, the second gate valve is opened, and the third object to be cleaned is carried into the buffer chamber. On the other hand, by providing a control means for carrying out the second object to be cleaned to the robot chamber, the above problem is solved.
In the present invention, the operation by the control means may be repeated.
[0022]
Furthermore, a pressure equalizing bypass pipe having a pressure equalizing valve disposed in the middle is provided between the robot chamber and the buffer chamber.
[0023]
In the present invention, the gate valve that separates the buffer chamber and the cleaning chamber is not opened and closed each time cleaning is performed, but remains open during aerosol generation. Therefore, dust generation due to opening and closing of the gate valve can be reduced.
[0024]
In addition, by flowing purge gas from the buffer chamber to the cleaning chamber, a forced flow of gas from the buffer chamber to the cleaning chamber is created. It can be prevented from reaching the room or cassette room.
[0025]
In particular, when a pressure equalizing bypass pipe having a pressure equalizing valve is provided between the robot chamber and the buffer chamber, nitrogen gas is supplied to the robot chamber and the cassette chamber, After opening the pressure equalizing valve with the pressure slightly increased, closing the pressure equalizing valve, and then opening the gate valve between the robot chamber and the buffer chamber, the pressure difference when the large-diameter gate valve is opened at once Impurity scattering can be prevented. In addition, since the purge gas is always flowing, the pressure in the cleaning chamber and the buffer chamber before and after cleaning is almost constant. If the pressure equalizing operation is performed when the first wafer is loaded, the pressure is equalized during the subsequent loading / unloading. It is only necessary to open and close the pressure valve, and the throughput can be improved as compared with the case where the pressure is adjusted by evacuation or the like.
[0026]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
[0027]
The piping system in this embodiment is shown in FIG.
[0028]
In the present embodiment, a pressure equalizing bypass pipe 100 having a pressure equalizing valve 102 disposed in the middle is provided between the robot chamber 80 and the buffer chamber 90, and a purge gas for constantly supplying a purge gas from the mass flow controller 62. Supply valve 63, robot chamber vent valve 112 for flowing nitrogen gas to the robot chamber 80 and cassette chambers 70A and 70B, cassette chamber vent valves 114 and 116, and for controlling the flow rate of nitrogen gas supplied to these. The mass flow controller 110 and pressure gauges 118, 120, 122, 124, and 126 for monitoring the pressure in the cleaning chamber 42, the buffer chamber 90, the robot chamber 80, and the cassette chambers 70A and 70B, respectively, are provided.
[0029]
In the figure, V1 is an argon gas supply valve for generating argon aerosol, V2 is also a nitrogen gas supply valve, V3 is also a mixed gas supply valve, 35 is also a mixed gas pressure gauge, 53 is an acceleration gas supply valve, 55 is an acceleration gas pressure gauge, APC is an automatic pressure regulator that adjusts the pressure so that the pressure in the cleaning chamber 42 detected by the cleaning chamber pressure gauge 118 becomes a set value, and T1, T2, and T3 are respectively The thermometer for detecting the temperature of the outlet of the aerosol nozzle 20, the outlet side of the heat exchanger 38, and the inlet side thereof, and DP 1, respectively, via the automatic pressure controller APC, the valve VV 1, and the valve VV 9, respectively. A vacuum pump G1 for evacuating the inside of the cleaning chamber 42 and the aerosol nozzle 20 is for detecting the pressure of the vacuum drawn by the vacuum pump DP1. The vacuum gauge DP2 is a vacuum pump for evacuating the buffer chamber 90, the robot chamber 80, and the cassette chambers 70A and 70B through valves VV4, VV5, VV6, and VV7, and G2 is the vacuum pump DP2. A vacuum gauge for detecting the pressure of the vacuum drawn by DP, DP3 is a vacuum pump for drawing a vacuum in the heat exchanger 38 via a manual valve MV4 and a valve LV, G3 is a vacuum pump DP3 A vacuum gauge for detecting the pressure of the vacuum drawn, MV3 is a manual valve for adjusting the amount of nitrogen gas supplied to the heat exchanger 38 and the cleaning chamber 42, 128 detects the pressure of the nitrogen gas The pressure gauge VV8 is a valve for returning the return gas from the aerosol nozzle 20 and the cleaning chamber 42 to the inlet side of the heat exchanger 38, MV4˜ V8 is a manual valve which is disposed as required in the middle of the pipes, the vacuum pump DP1~3 is disposed, for example, utility room 130.
[0030]
Hereinafter, similarly to the conventional example, the operation procedure in the embodiment of the present invention will be described by taking as an example the case of cleaning the wafer in the right cassette chamber 70A.
[0031]
(1) The gate valve 92 is opened according to the present invention.
(2) After the gate valve 76 is closed, aerosol is generated in the cleaning chamber 42.
(3) After the aerosol generation is completed, the purge gas supply valve 63 is opened according to the present invention, and a standby first purge gas flow rate (referred to as a standby flow rate) is set in the mass flow controller 62.
(4) The cassette gate valve 74A is opened, and the right cassette chamber 70A, the robot chamber 80, and the buffer chamber 90 are placed in a nitrogen atmosphere.
(5) The first wafer is taken out from the right cassette chamber 70A, and stands by in front of the buffer chamber 90.
(6) According to the present invention, the pressure equalizing valve 102 is opened and the pressure equalizing operation of the robot chamber 80 and the buffer chamber 90 is performed. Specifically, first, the vent valve 112 of the robot chamber 80 is opened, and the vent flow rate is set in the mass flow controller 110. Next, the pressure in the robot chamber 80 and the pressure in the buffer chamber 90 are compared. If the pressure in the robot chamber 80 is sufficiently higher than the pressure in the buffer chamber 90, the pressure equalizing valve 102 is opened. When the pressure in the robot chamber 80 becomes substantially equal to the pressure in the buffer chamber 90, the pressure equalizing valve 102 is closed.
(7) Open the gate valve 76 and load the first wafer into the buffer chamber 90.
(8) The gate valve 76 is closed, and a second purge gas flow rate for cleaning (referred to as a cleaning flow rate) is set in the mass flow controller 62.
(9) Start cleaning the first wafer.
(10) The second wafer is taken out from the right cassette chamber 70 </ b> A and stands by in front of the buffer chamber 90.
(11) After the cleaning of the first wafer is completed, the purge gas flow rate is returned to the standby flow rate.
(12) Open the gate valve 76 and load the second wafer into the buffer chamber 90 and unload the first wafer into the robot chamber 80.
(13) After closing the gate valve 76 and increasing the purge gas flow rate to the cleaning flow rate, the cleaning of the second wafer is started.
(14) Return the first wafer to the right cassette chamber 70A, take the third wafer out of the right cassette chamber 70A, and wait in front of the buffer chamber 90.
(15) After cleaning the second wafer, the purge gas flow rate is returned to the standby flow rate.
(16) The gate valve 76 is opened and the third wafer is loaded into the buffer chamber 90, while the second wafer 10 is unloaded into the robot chamber 80.
[0032]
Thereafter, the above procedure is repeated.
[0033]
In the present embodiment, the gate valve 92 is opened before generating the aerosol, and is kept open thereafter, and a certain amount of the purge gas 66 is allowed to flow even during other than cleaning.
[0034]
Further, the pressure equalization operation of the buffer chamber 90 and the robot chamber 80 during loading / unloading is performed by venting the robot chamber 80 and the cassette chamber 70A (or 70B) with nitrogen to match the pressure in the buffer chamber 90 and the cleaning chamber 42. The pressure valve 102 is opened. After the pressure difference between the buffer chamber 90 and the robot chamber 80 disappears, the pressure equalizing valve is closed and the gate valve 76 is opened. Since the pressure in the cleaning chamber 42 and the buffer chamber 90 before and after cleaning is almost constant because purge gas is constantly flowing, if a pressure equalizing operation is performed when a single shellfish wafer is loaded, at the time of subsequent wafer loading / unloading, It is only necessary to open and close the pressure equalizing valve 102.
[0035]
In the embodiment, argon aerosol is used as the aerosol and nitrogen gas is used as the acceleration gas and the purge gas. However, the types of the aerosol, the acceleration gas, and the purge gas are not limited to these.
[0036]
In the above embodiment, the present invention is applied to a semiconductor wafer cleaning apparatus. However, the application target of the present invention is not limited to this, and a semiconductor mask, a flat panel substrate, a magnetic disk substrate, It is obvious that the present invention can be similarly applied to a cleaning apparatus such as a flying substrate.
[0037]
【The invention's effect】
In the present invention, it is not necessary to perform a pressure equalizing operation between the buffer chamber and the robot chamber before cleaning, so that the throughput is improved.
[0038]
In addition, since the gate valve that separates the buffer chamber and the cleaning chamber is not opened and closed, dust generation due to the opening and closing operation can be reduced.
[0039]
In addition, after the aerosol is generated, the gate valve that separates the buffer chamber and the robot chamber is opened while the gate valve that separates the buffer chamber and the cleaning chamber is open, but a certain amount of purge gas flows from the buffer chamber to the cleaning chamber. Since a forced flow is created, it is possible to prevent scattering of impurities (particles) due to aerosols to the robot chamber and cassette chamber.
[0040]
Furthermore, by keeping the gate valve separating the buffer chamber and the cleaning chamber open, the pressure equalizing operation is performed only at the first wafer loading, and the pressure equalizing valve is only opened and closed at the second and subsequent wafer loading / unloading. In such a case, the throughput can be further improved.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a pipeline diagram showing an overall configuration of an example of an aerosol wafer cleaning apparatus to which the present invention is applied. FIG. 2 is a plan view. FIG. 3 is a pipeline diagram showing a piping system in an embodiment of the invention. [Brief description of symbols]
10 ... Wafer (object to be cleaned)
20 ... aerosol nozzle 24 ... aerosol 30, 32, 52, 62, 110 ... mass flow controller 42 ... cleaning chamber 56 ... acceleration nozzle 58 ... acceleration gas 63 ... barge gas supply valve 66 ... purge gas 70A, 70B ... cassette chamber 74A, 74B ... cassette Gate valve 76, 92 ... Gate valve 80 ... Robot chamber 86 ... Robot hand 90 ... Buffer chamber 100 ... Pressure equalizing bypass pipe 102 ... Pressure equalizing valves 112, 114, 116 ... Vent valves 118, 120, 122, 124, 126 ... Pressure Total

Claims (5)

装置外部から、被洗浄物が多数収容されたカセットを搬入出するための、真空状態に排気されるカセット室と、洗浄前の被洗浄物を、前記カセットから引き出して、次のバッファ室に搬入すると共に、洗浄後の被洗浄物をバッファ室から引き出して、所定のカセットに挿入するための、被洗浄物ハンドリング用の真空ロボットが配設されたロボット室と、該ロボット室と次の洗浄室間の圧力差を解消して、被洗浄物の受け渡しをするためのバッファ室と、該バッファ室から搬入される被洗浄物の表面に、エアロゾルを衝突させて洗浄するための、所定圧力に維持される洗浄室を備えたエアロゾル洗浄装置において、
エアロゾル生成中は、前記バッファ室と洗浄室を区切るゲートバルブを開いたままとし、バッファ室から洗浄室へ、待機中は待機用の、洗浄中は洗浄用の流量のパージガスを強制的に流すようにすると共に、
前記ロボット室とバッファ室間に、途中に均圧バルブが配設された均圧用バイパス配管を設けたことを特徴とするエアロゾル洗浄装置。
A cassette chamber that is evacuated to carry in and out a cassette containing a large number of objects to be cleaned from the outside of the apparatus, and an object to be cleaned before being cleaned are pulled out from the cassette and loaded into the next buffer chamber. In addition, a robot chamber in which a vacuum robot for handling the object to be cleaned is provided for drawing out the object to be cleaned from the buffer chamber and inserting it into a predetermined cassette, and the robot chamber and the next cleaning chamber The pressure difference between them is eliminated, and the buffer chamber for delivering the object to be cleaned and the surface of the object to be cleaned carried from the buffer chamber are maintained at a predetermined pressure for cleaning by making the aerosol collide with the surface. In an aerosol cleaning apparatus provided with a cleaning chamber,
During the aerosol generation, the gate valve that separates the buffer chamber and the cleaning chamber is kept open, and the purge gas is forced to flow from the buffer chamber to the cleaning chamber. as well as to,
An aerosol cleaning apparatus, wherein a pressure equalizing bypass pipe having a pressure equalizing valve disposed in the middle is provided between the robot chamber and the buffer chamber .
装置外部から、被洗浄物が多数収容されたカセットを搬入出するための、真空状態に排気されるカセット室と、洗浄前の被洗浄物を、前記カセットから引き出して、次のバッファ室に搬入すると共に、洗浄後の被洗浄物をバッファ室から引き出して、所定のカセットに挿入するための、被洗浄物ハンドリング用の真空ロボットが配設されたロボット室と、該ロボット室と次の洗浄室間の圧力差を解消して、被洗浄物の受け渡しをするためのバッファ室と、該バッファ室から搬入される被洗浄物の表面に、エアロゾルを衝突させて洗浄するための、所定圧力に維持される洗浄室を備えたエアロゾル洗浄装置において、
前記洗浄室と前記バッファ室とを区切る第1ゲートバルブを開いて、
前記バッファと前記ロボット室とを区切る第2ゲートバルブを閉じた後、前記洗浄室でエアロゾルを生成し、
該エアロゾル生成完了後、前記洗浄室にパージガスを供給するためのパージガス供給バルブを開いて、パージガスの流量を制御するパージガス・マスフローコントローラを待機用のパージガス流量である待機流量に設定し、
前記ロボット室とカセット室を区切るカセットゲートバルブを開いて、前記カセット室、前記ロボット室、前記バッファ室を窒素雰囲気とし、1枚目の被洗浄物を前記カセット室から取り出し、前記バッファ室前で待機し、
前記ロボット室に窒素ガスを流すベントバルブを開いて、該ベントバルブに供給される窒素ガス量を制御するベント・マスフローコントローラにベント流量を設定し、
前記ロボット室の圧力と前記バッファ室の圧力とを比較して、前記ロボット室の圧力がバッファ室の圧力よりも十分に大きい場合には、前記バッファ室と前記ロボット室との圧力を均圧操作する均圧バルブを開き、前記ロボット室の圧力が、前記バッファ室の圧力とほぼ等しくなった場合には、該均圧バルブを閉じ、
前記第2ゲートバルブを開いて、1枚目の被洗浄物を前記バッファ室へ搬入し、
前記第2ゲートバルブを閉じて、前記パージガス・マスフローコントローラを洗浄用のパージガス流量である洗浄流量に設定して、1枚目の被洗浄物の洗浄を開始し、
2枚目の被洗浄物を前記カセット室から取り出して、前記バッファ室の前で待機し、
1枚目の被洗浄物の洗浄が終了した後、パージガス流量を前記待機流量に戻し、
前記第2ゲートバルブを開き、2枚目の被洗浄物を前記バッファ室へ搬入すると共に、1枚目の被洗浄物を前記ロボット室へ搬出し、
前記第2ゲートバルブを閉じ、パージガス流量を前記洗浄流量に高めた後、2枚目の被洗浄物の洗浄を開始し、
1枚目の被洗浄物を前記カセット室へ戻し、3枚目の被洗浄物を前記カセット室から取り出して、前記バッファ室前で待機し、
2枚目の被洗浄物の洗浄が終了した後、パージガス流量を前記待機流量に戻し、
前記第2ゲートバルブを開き、3枚目の被洗浄物を前記バッファ室へ搬入する一方、2 枚目の被洗浄物を前記ロボット室へ搬出することを特徴とするエアロゾル洗浄方法。
A cassette chamber that is evacuated to carry in and out a cassette containing a large number of objects to be cleaned from the outside of the apparatus, and an object to be cleaned before being cleaned are pulled out from the cassette and loaded into the next buffer chamber. In addition, a robot chamber in which a vacuum robot for handling the object to be cleaned is provided for drawing out the object to be cleaned from the buffer chamber and inserting it into a predetermined cassette, and the robot chamber and the next cleaning chamber The pressure difference between them is eliminated, and the buffer chamber for delivering the object to be cleaned and the surface of the object to be cleaned carried from the buffer chamber are maintained at a predetermined pressure for cleaning by making the aerosol collide with the surface. In an aerosol cleaning apparatus provided with a cleaning chamber,
Opening a first gate valve separating the cleaning chamber and the buffer chamber;
After closing the second gate valve that separates the buffer and the robot chamber, aerosol is generated in the cleaning chamber,
After the aerosol generation is completed, a purge gas supply valve for supplying purge gas to the cleaning chamber is opened, and a purge gas / mass flow controller that controls the flow rate of the purge gas is set to a standby flow rate that is a standby purge gas flow rate.
Open the cassette gate valve that separates the robot chamber from the cassette chamber, and set the cassette chamber, the robot chamber, and the buffer chamber to a nitrogen atmosphere, and remove the first object to be cleaned from the cassette chamber. Wait,
Open a vent valve for flowing nitrogen gas into the robot chamber, and set a vent flow rate in a vent / mass flow controller that controls the amount of nitrogen gas supplied to the vent valve,
When the pressure in the robot chamber is compared with the pressure in the buffer chamber and the pressure in the robot chamber is sufficiently larger than the pressure in the buffer chamber, the pressure in the buffer chamber and the robot chamber is equalized. When the pressure in the robot chamber is substantially equal to the pressure in the buffer chamber, the pressure equalizing valve is closed,
Open the second gate valve and carry the first object to be cleaned into the buffer chamber,
Close the second gate valve, set the purge gas / mass flow controller to a cleaning flow rate that is a purge gas flow rate for cleaning, and start cleaning the first object to be cleaned,
Remove the second item to be cleaned from the cassette chamber, wait in front of the buffer chamber,
After the cleaning of the first object to be cleaned is completed, the purge gas flow rate is returned to the standby flow rate,
Open the second gate valve and carry the second article to be cleaned into the buffer chamber, and carry the first article to be washed into the robot chamber,
After closing the second gate valve and increasing the purge gas flow rate to the cleaning flow rate, the cleaning of the second object to be cleaned is started,
Return the first object to be cleaned to the cassette chamber, take out the third object to be cleaned from the cassette chamber, wait in front of the buffer chamber,
After the cleaning of the second object to be cleaned is completed, the purge gas flow rate is returned to the standby flow rate,
An aerosol cleaning method, wherein the second gate valve is opened and a third object to be cleaned is carried into the buffer chamber, while a second object to be cleaned is carried out to the robot chamber.
請求項2に記載の一連の操作を繰り返すことを特徴とするエアロゾル洗浄方法。An aerosol cleaning method comprising repeating the series of operations according to claim 2. 装置外部から、被洗浄物が多数収容されたカセットを搬入出するための、真空状態に排気されるカセット室と、洗浄前の被洗浄物を、前記カセットから引き出して、次のバッファ室に搬入すると共に、洗浄後の被洗浄物をバッファ室から引き出して、所定のカセットに挿入するための、被洗浄物ハンドリング用の真空ロボットが配設されたロボット室と、該ロボット室と次の洗浄室間の圧力差を解消して、被洗浄物の受け渡しをするためのバッファ室と、該バッファ室から搬入される被洗浄物の表面に、エアロゾルを衝突させて洗浄するための、所定圧力に維持される洗浄室を備えたエアロゾル洗浄装置において、
前記洗浄室と前記バッファ室とを区切る第1ゲートバルブを開かせて、
前記バッファと前記ロボット室とを区切る第2ゲートバルブを閉じさせた後、前記洗浄室でエアロゾルを生成させ、
該エアロゾル生成完了後、前記洗浄室にパージガスを供給するためのパージガス供給バルブを開かせて、パージガスの流量を制御するパージガス・マスフローコントローラを待機用のパージガス流量である待機流量に設定させ、
前記ロボット室とカセット室を区切るカセットゲートバルブを開かせて、前記カセット室、前記ロボット室、前記バッファ室を窒素雰囲気とし、1枚目の被洗浄物を前記カセット室から取り出させ、前記バッファ室前で待機させ、
前記ロボット室に窒素ガスを流すベントバルブを開かせて、該ベントバルブに供給される窒素ガス量を制御するベント・マスフローコントローラにベント流量を設定させ、
前記ロボット室の圧力と前記バッファ室の圧力とを比較して、前記ロボット室の圧力がバッファ室の圧力よりも十分に大きい場合には、前記バッファ室と前記ロボット室との圧力を均圧操作する均圧バルブを開かせ、前記ロボット室の圧力が、前記バッファ室の圧力とほぼ等しくなった場合には、該均圧バルブを閉じさせ、
前記第2ゲートバルブを開かせて、1枚目の被洗浄物を前記バッファ室へ搬入させ、
前記第2ゲートバルブを閉じさせて、前記パージガス・マスフローコントローラを洗浄用のパージガス流量である洗浄流量に設定させて、1枚目の被洗浄物の洗浄を開始させ、
2枚目の被洗浄物を前記カセット室から取り出させて、前記バッファ室の前で待機させ、
1枚目の被洗浄物の洗浄が終了した後、パージガス流量を前記待機流量に戻させ、
前記第2ゲートバルブを開かせ、2枚目の被洗浄物を前記バッファ室へ搬入させると共に、1枚目の被洗浄物を前記ロボット室へ搬出させ、
前記第2ゲートバルブを閉じさせ、パージガス流量を前記洗浄流量に高めた後、2枚目の被洗浄物の洗浄を開始させ、
1枚目の被洗浄物を前記カセット室へ戻させ、3枚目の被洗浄物を前記カセット室から取り出させて、前記バッファ室前で待機させ、
2枚目の被洗浄物の洗浄が終了した後、パージガス流量を前記待機流量にさせ、
前記第2ゲートバルブを開かせ、3枚目の被洗浄物を前記バッファ室へ搬入させる一方、2枚目の被洗浄物を前記ロボット室へ搬出させる制御手段を備えたことを特徴とするエアロゾル洗浄装置。
A cassette chamber that is evacuated to carry in and out a cassette containing a large number of objects to be cleaned from the outside of the apparatus, and an object to be cleaned before being cleaned are pulled out from the cassette and loaded into the next buffer chamber. In addition, a robot chamber in which a vacuum robot for handling the object to be cleaned is provided for drawing out the object to be cleaned from the buffer chamber and inserting it into a predetermined cassette, and the robot chamber and the next cleaning chamber The pressure difference between them is eliminated, and the buffer chamber for delivering the object to be cleaned and the surface of the object to be cleaned carried from the buffer chamber are maintained at a predetermined pressure for cleaning by making the aerosol collide with the surface. In an aerosol cleaning apparatus provided with a cleaning chamber,
Opening a first gate valve that separates the cleaning chamber and the buffer chamber;
After closing the second gate valve that separates the buffer and the robot chamber, aerosol is generated in the cleaning chamber,
After the aerosol generation is completed, the purge gas supply valve for supplying the purge gas to the cleaning chamber is opened, and the purge gas / mass flow controller for controlling the flow rate of the purge gas is set to the standby flow rate that is the standby purge gas flow rate.
A cassette gate valve that separates the robot chamber from the cassette chamber is opened, the cassette chamber, the robot chamber, and the buffer chamber are placed in a nitrogen atmosphere, and the first object to be cleaned is taken out of the cassette chamber, and the buffer chamber Wait in front,
A vent valve for flowing nitrogen gas to the robot chamber is opened, and a vent flow rate is set in a vent / mass flow controller that controls the amount of nitrogen gas supplied to the vent valve,
When the pressure in the robot chamber is compared with the pressure in the buffer chamber and the pressure in the robot chamber is sufficiently larger than the pressure in the buffer chamber, the pressure in the buffer chamber and the robot chamber is equalized. When the pressure in the robot chamber is substantially equal to the pressure in the buffer chamber, the pressure equalizing valve is closed,
The second gate valve is opened, and the first object to be cleaned is carried into the buffer chamber;
The second gate valve is closed, the purge gas / mass flow controller is set to a cleaning flow rate that is a purge gas flow rate for cleaning, and cleaning of the first object to be cleaned is started,
Remove the second item to be cleaned from the cassette chamber and wait in front of the buffer chamber,
After the cleaning of the first object to be cleaned, the purge gas flow rate is returned to the standby flow rate,
The second gate valve is opened, the second object to be cleaned is carried into the buffer chamber, and the first object to be cleaned is carried out to the robot chamber,
After the second gate valve is closed and the purge gas flow rate is increased to the cleaning flow rate, the cleaning of the second object to be cleaned is started,
The first object to be cleaned is returned to the cassette chamber, the third object to be cleaned is taken out of the cassette chamber, and waited in front of the buffer chamber.
After the cleaning of the second object to be cleaned is completed, the purge gas flow rate is set to the standby flow rate,
An aerosol comprising: control means for opening the second gate valve to bring a third article to be cleaned into the buffer chamber and to carry the second article to be washed out into the robot chamber. Cleaning device.
前記制御手段による操作を繰り返すようにされていることを特徴とする請求項4に記載のエアロゾル洗浄装置。The aerosol cleaning apparatus according to claim 4, wherein the operation by the control means is repeated.
JP07212199A 1999-03-17 1999-03-17 Aerosol cleaning device Expired - Fee Related JP3844616B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP07212199A JP3844616B2 (en) 1999-03-17 1999-03-17 Aerosol cleaning device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP07212199A JP3844616B2 (en) 1999-03-17 1999-03-17 Aerosol cleaning device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000262998A JP2000262998A (en) 2000-09-26
JP3844616B2 true JP3844616B2 (en) 2006-11-15

Family

ID=13480210

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP07212199A Expired - Fee Related JP3844616B2 (en) 1999-03-17 1999-03-17 Aerosol cleaning device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3844616B2 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
JP2000262998A (en) 2000-09-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW452858B (en) Gas flow control in a substrate processing system
TWI720261B (en) Substrate processing device, substrate processing method and recording medium
JP5007869B2 (en) Apparatus and method for transferring workpieces
EP1415013B1 (en) Method in rapid cycle chamber having a top vent with nitrogen purge
US20180138058A1 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium
JPH11186363A (en) Semiconductor manufacturing device
CN109290321B (en) Blowing-out device and blowing-out method for loading port
KR20120102477A (en) Liquid processing apparatus, liquid processing method and recording medium having computer program for performing the same method
JP4931381B2 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing apparatus control method, and program
KR20090004576A (en) Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method
US8794896B2 (en) Vacuum processing apparatus and zonal airflow generating unit
JP2023168535A (en) Substrate processing device and control method of the same
WO2007037233A1 (en) Substrate processing apparatus
JP3844616B2 (en) Aerosol cleaning device
US6401361B1 (en) Apparatus and method for drying wafers by a solvent
US20080242064A1 (en) Manufacturing method of semiconductor device
JP3243708B2 (en) Processing method and processing apparatus
KR20020081730A (en) Semiconductor production device for removing hume
JP3980416B2 (en) Aerosol cleaning apparatus and control method thereof
JP2006086186A (en) Substrate processing apparatus
JP3127353B2 (en) Processing method and processing apparatus
JPH0982594A (en) Depressurizing method for chamber in semiconductor manufacturing equipment
JP3374256B2 (en) Heat treatment apparatus and cleaning method thereof
JP3320505B2 (en) Heat treatment apparatus and method
JPH11238715A (en) Method and apparatus of surface cleaning

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060301

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060425

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060612

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20060808

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20060816

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees