JP3827806B2 - 液晶表示パネル - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶表示パネルに関する。
【0002】
【従来の技術】
液晶表示パネルは対向する第1及び第2の基板の間に液晶を挿入してなるものである。第1及び第2の基板にはそれぞれ透明電極が形成され、液晶に電圧を印加できるようになっている。ツイストネマチック型液晶表示パネルでは、第1及び第2の基板にはそれぞれ配向膜が形成され、これらの配向膜に直交する方向にラビングを行う。第1及び第2の基板に隣接する液晶分子はラビング方向に従って配向し、第1及び第2の基板の間では、液晶が一方の基板側から他方の基板側へ向かって90°ツイストする。
【0003】
最近では、解像度を向上させるためにアクティブマトリクス駆動が採用されている。アクティブマトリクス駆動は、複数の小さな画素電極、直交するバスライン(ゲートバスライン及びドレインバスライン)、TFT等のアクティブ素子を一方の基板に設けてなる。他方の基板の電極は共通電極とされる。TFTを制御することにより、特定の画素電極と共通電極との間に電界を形成して、表示を行う。アクティブマトリクス駆動の液晶表示装置では、共通電極の領域が画素となる(ブラックマトリクスがある場合には、ブラックマトリクスの開口部が画素となる)。
【0004】
特開平5−5886号公報は、STN液晶パネルを開示している。STN液晶表示パネルは、一方の基板に行電極を設け、他方の基板に列電極を設けて、行電極と列電極との重なる領域が画素となる。しかし、STN液晶表示パネルはアクティブマトリクス駆動を採用していない。この公報では、ブラックマトリクスを使用することなく光洩れを小さくするために、配向膜にラビングした後で、画素外部の部分のみを紫外線照射し、画素外部の部分における液晶のプレチルト角が大きくなるようにしている。本願の発明は、紫外線照射を利用しているが、アクティブマトリクス駆動を採用していることから生じる問題点を解決するためになされたものであり、この公報の紫外線照射とは目的が異なる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
アクティブマトリクス駆動を採用した液晶表示パネルが大型化されるにつれて、液晶表示パネルの表示の均一性に問題がでてきた。例えば、21インチの液晶表示パネルを作り、長い時間全面的に電圧を印加した状態を続けたところ、表示画面のコーナー部の近くに白い表示ムラができた。
【0006】
本発明の目的は、大型化しても表示ムラができなくするようにした液晶表示パネルを提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明による液晶表示パネルは、アクティブマトリクス駆動されるTN型の液晶表示パネルであって、対向する第1及び第2の基板と、該第1及び第2の基板の間に挿入された液晶と、該第1の基板に設けられたバスライン、アクティブ素子及び画素電極並びに第1の配向膜と、該第2の基板に設けられた共通電極及び第2の配向膜とからなり、該第1及び第2の配向膜の各々は各配向膜に隣接する液晶分子が一定の方向に配向するように配向処理されており、さらに該第1及び第2の配向膜のうち少なくとも第2の配向膜液晶の移動を抑制するために、部分的にその表面の状態を変える処理が、該配向膜の表面の状態を変える処理が行われた部分に隣接する液晶分子に対する配向規制力が前記配向膜の表面の状態を変える処理が行われていない部分に隣接する液晶分子に対する配向規制力よりも大きくなるように行われており、前記配向膜の表面の状態を変える処理は、上記バスラインのうち、画素電極間に延びるゲートバスラインと対向する部分に行われており、画素領域には行われていないことを特徴とするものである。
【0008】
電圧を印加したときにできる表示ムラを調べたところ、液晶表示装置の表示ムラとなる部分のセルギャップの厚さがその他の部分のセルギャップの厚さよりも厚くなっていることが分かった。そして、電圧を印加しない状態では、表示ムラはなく、セルギャップの厚さの変化はなかった。このことから、表示ムラは、電圧を印加している間に液晶が移動することにより惹起されたものと思われた。そこで、本発明においては、配向膜の表面の状態を変える処理を行って、液晶の移動を抑制するようにした。その結果、表示ムラを解消することができた。
【0009】
好ましくは、前記配向膜の表面の状態を変える処理は前記第1及び第2の配向膜の両者に行われている。
【0010】
あるいは、前記配向膜の表面の状態を変える処理は、前記第2の配向膜における、前記画素電極間に延びるゲートバスラインと対向する部分のみに行われている。
【0011】
好ましくは、前記配向膜の表面の状態を変える処理は紫外線照射により行われる。この場合、前記紫外線照射は2500mJ以上のエネルギーで行われるのが好ましい。また、この場合、前記紫外線照射は3000mJ以上のエネルギーで行われるのがさらに好ましい。あるいは、前記配向膜の表面の状態を変える処理は配向膜の材料を変えることにより行われることができる。
【0012】
好ましくは、前記配向処理はラビングにより行われる。この場合、前記配向処理は前記配向膜の表面の状態を変える処理の後で行われるのが好ましい。
【0013】
また、好ましくは、第1及び第2の基板の間にはスペーサが挿入されている。
【0014】
【発明の実施の形態】
図1から図4は本発明による液晶表示パネル10を示す図である。
【0015】
図2において、液晶表示パネル10は、対向する透明な第1及び第2のガラス基板12、14の間に液晶16を挿入してなるものである。第1の基板12の内面にはスペーサ(小球)36が散布され、第2の基板14は接着剤成分からなる周辺シール38により第1の基板12に貼り合わせられる。スペーサ36は液晶16の厚さ、すなわちセルギャップを一定に(例えば4μm)維持するために挿入されるものである。
【0016】
図3は液晶表示パネル10の内部を詳細に示す図である。図3は液晶表示パネル10の内部を示すための図であって、寸法関係は正確ではない。第1及び第2の基板12、14の間には液晶16が挿入され、第1及び第2の基板12、14の外側には、偏光子40及び検光子42が配置される。
【0017】
第1の基板12は複数の画素電極18及び配向膜20を含む。第2の基板14は共通電極22及び配向膜24を含む。さらに、第2の基板14の共通電極22下にはカラーフィルタ26が形成され、カラーフィルタ26のR、G、Bの色部分の間にはブラックマトリクス28が設けられる。カラーフィルタ26のR、G、Bの色部分は画素電極18と対応して配置される。
【0018】
図4は第1の基板12に画素電極18とともに形成されるアクティブマトリクス駆動回路を示す図である。アクティブマトリクス駆動回路は、直交するゲートバスライン30及びドレインバスライン32と、薄膜トランジスタ(TFT)34とを含み、画素電極18はTFT34を介してゲートバスライン30及びドレインバスライン32に接続される。これらの構成部材は公知の薄膜技術により作られる。
【0019】
図5は図3の矢印Lから光が液晶表示パネル10に入射して、第2の基板14を観視者が見る場合を略図的に示している。図5はさらに配向膜20、24の配向処理を示している。配向処理は配向膜20、24にそれぞれラビングを行うことによって実施され、矢印R20は光入射側の配向膜20のラビング方向を示し、R24は観視者側の配向膜24のラビング方向を示す。第1の基板12の配向膜20に隣接する液晶分子はラビング方向R20に従った一定の方向に配向し、第2の基板14の配向膜24に隣接する液晶分子はラビング方向R24に従った一定の方向に配向する。液晶16は第1の基板12側から第2の基板14側へ向かって矢印Tによって示されるようにツイストする。TN型液晶表示装置では、ツイスト角度は主として90°である。
【0020】
よって、偏光子40を透過した直線偏光は第1の基板12に入射し、液晶16を透過する間に液晶16のツイストに従って旋回する。液晶16に電圧が印加されていないときには、直線偏光は検光子42を透過する。液晶16に電圧が印加されるときには、液晶分子が基板面に対して立ち上がり、直線偏光は検光子42で遮断される。従って、電圧の印加を制御することにより、明暗のコントラストを作り、画像表示を行うことができる。
【0021】
ところで、大型の液晶表示パネル10(例えば21インチの表示画面をもつ)では、電圧を印加して全面的に黒状態にすると、ある時間経過後に表示画面の一部に表示ムラ46があらわれた。例えば、電圧を印加して表示画面を全面黒状態にし、約1時間程度経過すると、黒表示のなかに白っぽい表示ムラ46があらわれた。電圧の印加を停止し、ある時間が経過すると、表示ムラ46は消えた。
【0022】
従って、大型の液晶表示パネル10を実現するためには、電圧印加時にあらわれる表示ムラ46を解消することが必要である。本願の発明者は表示ムラ46について下記の通りに検討した。
【0023】
表示ムラ46は表示画面のコーナー部及び周辺部にあらわれ、アクティブマトリクス駆動回路のある第1の基板12の配向膜20のラビング方向R20の指す方向にあらわれることが分かった。図5においてはラビング方向R20は左上を向いているので、表示ムラ46は表示画面の左上コーナー部にあらわれた。ラビング方向R20が右下を向くようにすると、表示ムラ46は表示画面の右下コーナー部にあらわれる。従って、表示ムラ46はアクティブマトリクス駆動回路を有する第1の基板12の配向特性によってあらわれる。
【0024】
表示ムラ46があらわれた液晶表示パネル10を調べると、液晶表示パネル10の中央部分のセルギャップが幾らか小さくなり、表示ムラ46があらわれた部分のセルギャップが幾らか大きくなっていることが分かった。そのために、光学的特性が局部的に変化し、表示ムラ46があらわれた。このことから、表示ムラ46があらわれた液晶表示パネル10では、液晶16の一部が液晶表示パネル10の中央部分から周辺部分へ移動することが分かった。
【0025】
図6に示されるように、表示ムラ46があらわれる原因は、第1の基板12が画素電極18を含むアクティブマトリクス駆動回路をもち、第2の基板14が共通電極22をもつことにより、非対称電界ができることによると思われた。すなわち、第1の基板12側では画素電極18の間にゲートバスライン30が延びており、ゲートバスライン30には周期的にパルス状の電圧が印加される。ゲートバスライン30の近くでは、ゲートバスライン30から共通電極22へ向かう電界、及びゲートバスライン30から画素電極18へ向かう電界が形成される。このようにして、ゲートバスライン30の近くでは、非対称電界ができ、液晶16の立ち上がり方が上下で非対称になる。このため、電圧を印加し続けると、液晶分子が配向膜20、24に沿って移動し、セルギャップが変動する。
【0026】
図7は種々のセルギャップをもつ液晶表示装置10を準備し、表示ムラ46があらわれるまでの時間を測定した結果を示す。破線Aはゲートバスライン30に周期的にパルス状の電圧を印加した通常のアクティブマトリクス駆動の場合を示し、実線Bはゲートバスライン30に常時電圧を印加し続けた場合を示す図である。実線Bの場合には表示ムラ46はあらわれにくいが、破線Aの場合には表示ムラ46はあらわれやすい。さらに、セルギャップが薄くなるほど、表示ムラ46はあらわれにくい。
【0027】
また、ゲートバスライン30に印加するパルス状の電圧の周波数が高いほど表示ムラ46があらわれやすくなる。さらに、ゲートバスライン30に印加する電圧を高くすると、表示ムラ46があらわれにくくなる。このことからも、表示ムラ46があらわれる原因は、アクティブマトリクス駆動に基づく非対称電界によると思われた。
【0028】
本発明によれば、表示ムラ46を解消するために、配向膜20、24の少なくとも一方が液晶の移動を抑制するように少なくとも部分的に配向膜の表面の状態を変える処理をされている。
【0029】
図1は、表示ムラ46を解消するための配向膜の表面の状態を変える処理の一例を示す図である。(A)は観視者側の配向膜24を示し、(B)は光入射側の配向膜20を示す。配向膜20、24は透明であり、便宜上、配向膜20、24の下層側の構成をつけて示してある。つまり、光入射側の配向膜20の下には画素電極18及びゲートバスライン30及びドレインバスライン32が示され、観視者側の配向膜24の下にはカラーフィルタ26及びブラックマトリクス28が示されている。
【0030】
配向膜の表面の状態を変える処理(以後表面処理という)をされた領域がハッチング50、54で示されている。図1においては、表面処理領域50、54は複数の画素電極18を通り、各画素の中心とゲートバスライン30とで区画されるストライプ状のパターンとなっている。
【0031】
図1の(C)は液晶表示パネル10として組み立てた状態の(A)の線IC −IC を通る断面図である。ただし、ツイストを無視した状態で示してある。この状態で、液晶分子は一定の方向、すなわち図1(C)では左上り方向に配列する。ツイストを考慮に入れる場合もこの関係は変らない。図1の(A)から(C)に示されるように、光入射側の配向膜20の表面処理領域50は、観視者側の配向膜24の表面処理されていない領域と整列し、同様に、観視者側の配向膜24の表面処理領域54は光入射側の配向膜20の表面処理されていない領域と整列する。
【0032】
表面処理は配向膜20、24にそれぞれマスクを形成して紫外線を照射することによって行われた。配向膜20、24にそれぞれラビングを行うことにより、液晶分子はそれぞれの配向膜20、24に対してほぼ所定の配向規制力で配向する。配向膜20、24に紫外線を照射すると、配向膜20、24の紫外線を照射された領域に対応する表面処理領域50、54に隣接する液晶分子に対する配向規制力は、配向膜20、24の紫外線を照射されていない領域に隣接する液晶分子に対する配向規制力よりも一般的には大きくなり、電圧印加時に液晶分子が立ち上がりにくくなる。表面処理が行われても、図5に示したラビングの特徴は維持され、液晶はツイストTに従って一定の方向にツイストする。
【0033】
こうして、表面処理領域50、54においては、配向膜20、24に隣接する液晶分子への配向規制力が大きくなる。上記図6を参照して説明したように、表示ムラ46があらわれる原因は、ゲートバスライン30の近くで非対称電界ができ、液晶16の立ち上がり方が非対称になるためであった。従って、配向膜24のゲートバスライン30と対向する部分が表面処理され、少なくともその部分に隣接する液晶分子に対する配向規制力が大きくなるようにすると、電圧印加時に液晶分子が配向規制力により固定されやすくなり従って、電圧を印加する間に、液晶分子が配向膜20、24に沿って移動するのが抑制され、電圧を印加し続けても表示ムラ46ができにくくなる。
【0034】
表示ムラ46を解消するためには、配向膜24のゲートバスライン30と対向する部分(対向部分)のみが表面処理されていることは必ずしも必要ではない。配向膜24の上記対向部分を含むより広い領域がそのような表面処理をされていればよい。あるいは、上記対向部分を含まなくても、配向膜24の適当な部分がそのような表面処理をされていれば、配向膜24に全体として平均的な効果が作用し、電圧印加時に液晶分子が非対称に立ち上がるのが緩和されることもある。あるいは、配向膜24全体が表面処理されていてもよい。さらに、配向膜20、24の両者が表面処理されていてもよい。この場合、一方の配向膜20の表面処理面積が他方の配向膜24の表面処理面積とほぼ同等となるようにすると、紫外線照射によるインダクタンスの変化を、両方の配向膜20、24で同じようにできる。あるいは、配向膜20に表面処理を行って電圧印加時に液晶分子が非対称に立ち上がるのを緩和することもできる。
【0035】
図8は液晶表示パネル10の製造方法を示すフローチャートである。ステップ60で電極形成を行う。なお、第2の基板4についてはその前にカラーフィル26及びブラックマトリクス28を形成しておく。ステップ60の電極形成は、第2の基板12に共通電極22を形成することと、第1の基板12に画素電極18を形成することとを含む。画素電極18の形成は、薄膜を積層しながらアクティブマトリクス駆動構造を設けることと一緒に実施される。
【0036】
ステップ61においては、第1の基板12に配向膜20を、第2の基板14に配向膜24を形成する。配向膜20、24の形成は、配向膜材料をそれぞれの基板にスピンコート等で塗布し、塗布した配向膜材料を150〜250℃でベーキングすることからなる。次にステップ62において、配向膜20、24の表面処理を行う。表面処理は、配向膜20、24にマスクを形成して、例えば図1のパターンで紫外線を照射することにより行った。
【0037】
ステップ64においては、配向膜20、24にラビングをすることにより配向処理を行った。ラビングは図5のラビング方向に従って行われた。通常のラビングでは、液晶に対する配向規制力はほぼ一定になるが、先に配向膜20、24の表面処理をしているので、液晶表示装置10として組み立てた後では、表面処理領域50、54では液晶に対する配向規制力は大きくなる。
【0038】
ステップ65においては、セルギャップに相当する直径をもったスペーサ(小球)36を一方の基板の配向膜に散布し、且つその基板の周辺部に帯状の接着剤38を塗り、他方の基板をその上に重ね、貼り合わせる。それから、ステップ66において、第1及び第2の基板12、14の余剰部分を切断し、ステップ67において、第1及び第2の基板12、14の間に液晶16を注入する。
【0039】
図9は紫外線露光量と表示ムラ46が発生するまでの時間との関係を示す図である。紫外線照射を2500mJ以上のエネルギーで行うと、表示ムラ46が発生するまでの時間がかなり長くなり、実質的に表示ムラ46は問題なくなる。紫外線照射を3000mJ以上のエネルギーで行うと、表示ムラ46がほとんど発生しなくなる。
【0040】
図10は、表示ムラ46を解消するための配向膜の表面の状態を変える処理の他の例を示す図である。この図、及び後続の図において、図1の場合と同様に、(A)は観視者側の配向膜24を示し、(B)は光入射側の配向膜20を示す。配向膜の表面の状態を変える処理(表面処理という)をされた領域がハッチング50、54で示されている。図10においては、表面処理領域50は複数の画素電極18の中央部を通るストライプ状のパターンとなっており、表面処理領域54は複数の画素電極18を通り、各画素電極18を通る線で区画されるストライプ状のパターンとなっている。
【0041】
図11は、表示ムラ46を解消するための配向膜の表面の状態を変える処理の他の例を示す図である。表面処理領域50は複数の画素電極18を含み、表面処理領域54は複数の画素電極18を含む。
【0042】
図12は、表示ムラ46を解消するための配向膜の表面の状態を変える処理の他の例を示す図である。配向膜20には表面処理領域はなく、他方の配向膜24の表面処理領域54は図1の(A)と同様のストライプ状のパターンとなっている。
【0043】
図13は、表示ムラ46を解消するための配向膜の表面の状態を変える処理の他の例を示す図である。配向膜24には表面処理領域はなく、他方の配向膜20の表面処理領域50は画素電極18の内部に位置するように設けられ、ゲートバスライン30及びドレインバスライン32にはかからないようになっている。このようにして、ゲートバスライン30及びドレインバスライン32の部分に相当する液晶のプレチルト角を高く維持し、画素電極18の部分に相当する液晶のプレチルト角を低くしている。バスラインの近くでは液晶のプレチルト角を低くしない方が好ましいことがある。
【0044】
図14は、表示ムラ46を解消するための配向膜の表面の状態を変える処理の他の例を示す図である。配向膜24には表面処理領域はなく、他方の配向膜20の表面処理領域50はゲートバスライン30及びドレインバスライン32を覆うようになっている。
【0045】
図15は、表示ムラ46を解消するための配向膜の表面の状態を変える処理の他の例を示す図である。配向膜20には表面処理領域はなく、他方の配向膜24の表面処理領域54はブラックマトリクス28を覆うようになっている。
【0046】
図16は、表示ムラ46を解消するための配向膜の表面の状態を変える処理の他の例を示す図である。配向膜20には表面処理領域はなく、他方の配向膜24の表面処理領域54は配向膜24を全面的に覆うようになっている。
【0047】
図17は、表示ムラ46を解消するための配向膜の表面の状態を変える処理の他の例を示す図である。配向膜24には表面処理領域はなく、他方の配向膜20の表面処理領域50は配向膜20を全面的に覆うようになっている。
【0048】
図18は本発明の他の実施例を示す図である。この実施例の液晶表示パネル10は、図2から図4の液晶表示パネル10とほぼ同様に構成される。図においては、配向膜20、24の表面処理が紫外線照射により行われていたのに対して、この実施例においては、表面処理(配向膜20、24の表面の状態を変える処理)は配向膜20、24の材料を変えることにより行われる。すなわち、配向膜20の上には材料の異なった付加配向膜70が設けられ、配向膜24の上には材料の異なった付加配向膜74が設けられる。付加配向膜70、74は配向膜20、24に対して液晶のプレチルト角を小さくするものが選ばれ、且つ例えば図1の表面処理領域50、54と同じパターンで配置される。従って、この場合にも、図1か図4の実施例と同様に表示ムラ46を解消する効果がある。なお、付加配向膜70、74は図10から図17のパターンに従って設けられることもできる。
【0049】
以上のように、上記液晶表示パネルは、対向する第1及び第2の基板と、該第1及び第 2の基板の間に挿入された液晶と、該第1の基板に設けられたバスライン、アクティブ素子及び画素電極並びに第1の配向膜と、該第2の基板に設けられた共通電極及び第2の配向膜とからなり、該第1及び第2の配向膜の各々は各配向膜に隣接する液晶分子が一定の方向に配向するように配向処理されており、さらに該第1及び第2の配向膜の少なくとも一方は液晶の移動を抑制するために少なくとも部分的にその表面の状態を変える処理をされている。
【0050】
好ましくは、前記配向膜の表面の状態を変える処理は紫外線照射により行われる。この場合、前記紫外線照射は2500mJ以上のエネルギーで行われるのが好ましい。あるいは、前記配向膜の表面の状態を変える処理は配向膜の材料を変えることにより行われることができる。
【0051】
好ましくは、前記配向処理はラビングにより行われる。この場合、前記配向処理は前記配向膜の表面の状態を変える処理の後で行われるのが好ましい。
【0052】
好ましくは、前記配向膜の表面の状態を変える処理は前記第1及び第2の配向膜の両者に行われる。この場合、前記配向膜の表面の状態を変える処理は前記第1の配向膜の一部及び前記第2の配向膜の一部に行われることができる。そして、前記第1の配向膜の処理された一部と前記第2の配向膜の処理されていない一部とが整列し、前記第1の配向膜の処理されていない一部と前記第2の配向膜の処理された一部とが整列するようにすることができる。
【0053】
あるいは、前記配向膜の表面の状態を変える処理は前記第1及び第2の配向膜の一方に行われる。この場合、前記配向膜の表面の状態を変える処理は前記第1及び第2の配向膜の一方に全面的に、あるいは部分的に行われる。
【0054】
前記配向膜の表面の状態を変える処理は前記第1及び第2の配向膜の少なくとも一方に複数の画素領域を横切ってストライプ状に行われてもよい。
【0055】
好ましくは、前記配向膜の表面の状態を変える処理は前記バスラインを覆う領域に行われ、画素領域は前記配向膜の表面の状態を変える処理を行われない。
【0056】
好ましくは、第1及び第2の基板の間にはスペーサが挿入されている。
【0057】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、表示ムラのない大型の液晶表示パネルを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施例の配向膜の表面処理を示す図である。
【図2】 液晶表示パネルを示す断面図である。
【図3】 電極及び配向膜を有する液晶表示パネルを示す断面図である。
【図4】 アクティブマトリクス駆動構造を示す図である。
【図5】 液晶表示パネルを示す平面図である。
【図6】 共通電極と画素電極及びゲートバスライン間に形成される電界を示す断面図である。
【図7】 セルギャップと表示ムラができる時間との関係を示す図である。
【図8】 液晶表示パネルの製造プロセスを示すフローチャートである。
【図9】 表面処理のための紫外線露光量と表示ムラができる時間との関係を示す図である。
【図10】 配向膜の表面処理の他の例を示す図である。
【図11】 配向膜の表面処理の他の例を示す図である。
【図12】 配向膜の表面処理の他の例を示す図である。
【図13】 配向膜の表面処理の他の例を示す図である。
【図14】 配向膜の表面処理の他の例を示す図である。
【図15】 配向膜の表面処理の他の例を示す図である。
【図16】 配向膜の表面処理の他の例を示す図である。
【図17】 配向膜の表面処理の他の例を示す図である。
【図18】 本発明の他の実施例の液晶表示パネルを示す断面図である。
【符号の説明】
12、14…ガラス基板
18…画素電極
20…配向膜
22…共通電極
24…配向膜
26…カラーフィルタ
28…ブラックマトリクス
30…ゲートバスライン
32…ドレインバスライン
34…TFT
46…表示ムラ
50、54…表面処理領域
70、74…付加配向膜

Claims (10)

  1. アクティブマトリクス駆動されるTN型の液晶表示パネルであって、
    対向する第1及び第2の基板と、該第1及び第2の基板の間に挿入された液晶と、該第1の基板に設けられたバスライン、アクティブ素子及び画素電極並びに第1の配向膜と、該第2の基板に設けられた共通電極及び第2の配向膜とからなり、該第1及び第2の配向膜の各々は各配向膜に隣接する液晶分子が一定の方向に配向するように配向処理されており、
    さらに該第1及び第2の配向膜のうち少なくとも第2の配向膜液晶の移動を抑制するために、部分的にその表面の状態を変える処理が、該配向膜の表面の状態を変える処理が行われた部分に隣接する液晶分子に対する配向規制力が前記配向膜の表面の状態を変える処理が行われていない部分に隣接する液晶分子に対する配向規制力よりも大きくなるように行われており、
    前記配向膜の表面の状態を変える処理は、上記バスラインのうち、画素電極間に延びるゲートバスラインと対向する部分に行われており、画素領域には行われていないことを特徴とする液晶表示パネル。
  2. 前記配向膜の表面の状態を変える処理は前記第1及び第2の配向膜の両者に行われていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示パネル。
  3. 前記配向膜の表面の状態を変える処理は、前記第2の配向膜における、前記画素電極間に延びるゲートバスラインと対向する部分のみに行われていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示パネル。
  4. 前記配向膜の表面の状態を変える処理は紫外線照射により行われることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の液晶表示パネル。
  5. 前記紫外線照射は2500mJ以上のエネルギーで行われることを特徴とする請求項4に記載の液晶表示パネル。
  6. 前記紫外線照射は3000mJ以上のエネルギーで行われることを特徴とする請求項4に記載の液晶表示パネル。
  7. 前記配向膜の表面の状態を変える処理は配向膜の材料を変えることにより行われることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の液晶表示パネル。
  8. 前記配向処理はラビングにより行われることを特徴とする請求項1〜7の何れか1項に記載の液晶表示パネル。
  9. 前記配向処理は前記配向膜の表面の状態を変える処理の後で行われることを特徴とする請求項8に記載の液晶表示パネル。
  10. 第1及び第2の基板の間にはスペーサが挿入されていることを特徴とする請求項1〜9の何れか1項に記載の液晶表示パネル。
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