JP3823487B2 - 光学情報読取装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、２次元コードなどの読み取り対象に光を照射し、その反射光から読み取り対象の画像を読み取る光学的読取装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、例えば２次元コードラベルなどの読み取り対象に光を照射し、２次元コードラベルからの反射光を受光して２次元コードラベルの画像データである２次元コードデータを読み取る装置（２次元コードリーダ）が知られている。この２次元コードリーダでは、２次元コードからの反射光を結像レンズによって所定の読取位置に結像させ、その読取位置に配置された例えばＣＣＤエリアセンサなどの光学的センサによって２次元コードデータを読み取るようにしていた。なお、結像レンズは通常複数枚のレンズが組にされた組レンズとして構成されており、その中心付近に絞りが配置されている。
【０００３】
ところで、例えばＣＣＤエリアセンサなどの光学的センサでは、受光した光の強さに応じた電気信号を出力する複数の受光素子が２次元的に配列されている。そして、感度向上のため、例えば図５に示すように、受光素子４１ａ毎に集光用のマイクロレンズ（集光レンズと称す）４１ｂが設けられたＣＣＤエリアセンサ４１もある。これは、図５（ａ）に示すように、受光素子４１ａに対して垂直に入射する光が集光レンズ４１ｂによって集光されることで見かけ上の開口面積を拡大し、感度を向上させるというものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図５（ｂ）に示すように、受光素子４１ａに対して光が斜めに入射した場合には、集光レンズ４１ｂによって集光されることで逆に受光素子４１ａへの集光率が低下し、その結果、感度が低下する。センサ単位で見てみると、図５（ａ）に示すように受光素子４１ａに対して光が垂直に入射するのはセンサの中央部にある受光素子４１ａであり、センサ周辺部にある受光素子４１ａに対しては光が斜めに入射する。その結果、図５（ｃ）のグラフ中に実線で示すように、ＣＣＤエリアセンサ４１からの出力は、センサ中央部の出力に比べてセンサ周辺部の出力が落ち込んだ状態となり、その周辺部において読取に必要な光量が確保できず、適切な読み取りができないという問題も生じる。
【０００５】
そこで、上述したような受光素子毎に集光レンズが設けられた光学的センサを備えている場合に、光学的センサの周辺部の受光素子に対する集光レンズによる集光率の低下を極力防止し、適切な読み取りを実現する光学情報読取装置を提供することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段及び発明の効果】
上記課題を解決するためになされた本発明の光学情報読取装置は、複数のレンズで構成され、読み取り対象からの反射光を所定の読取位置に結像させる結像レンズと、前記読み取り対象の画像を受光するために前記読取位置に配置され、その受光した光の強さに応じた電気信号を出力する複数の受光素子が２次元的に配列されると共に、当該受光素子毎に集光レンズが設けられた光学的センサと、該光学的センサへの前記反射光の通過を制限する絞りとを備える光学情報読取装置において、前記読み取り対象からの反射光が前記絞りを通過した後で前記結像レンズに入射するよう、前記絞りを配置することによって、前記光学的センサから射出瞳位置までの距離を相対的に長く設定し、前記光学的センサの中心部に位置する受光素子からの出力に対する前記光学的センサの周辺部に位置する受光素子からの出力の比が所定値以上となるように、前記射出瞳位置を設定したことを特徴とする。
【０００７】
本光学情報読取装置によれば、結像レンズが読み取り対象からの反射光を所定の読取位置に結像させ、その読取位置に配置された光学的センサが読み取り対象の画像を受光する。ここで、光学的センサは、受光した光の強さに応じた電気信号を出力する複数の受光素子が２次元的に配列されていると共に、受光素子毎に集光レンズが設けられているため、結像レンズによって結像された読み取り対象からの反射光は、集光レンズによって集光されて受光素子に入射する。
【０００８】
したがって、反射光が受光素子に対して垂直に入射する場合には、集光レンズによって集光されることで見かけ上の開口面積が拡大し、感度を向上させる効果があるが、反射光が受光素子に対して斜めに入射する場合には、集光レンズによって集光されることで逆に受光素子への集光率が低下して感度が低下する原因ともなる。光学的センサ単位で見ると、センサの中央部にある受光素子には反射光が垂直に入射するが、センサ周辺部にある受光素子に対しては反射光が斜めに入射する傾向にある。そのため、このセンサ周辺部にある受光素子に対して入射する反射光が極力斜めにならないようにすれば、適切な読取の点で有効である。
【０００９】
そこで、本光学情報読取装置においては、読み取り対象からの反射光が絞りを通過した後で結像レンズに入射するよう、絞りを配置している。つまり、結像レンズの複数のレンズ間に介装されていた場合（図６（ａ）参照）に比べて、複数のレンズで構成される結像レンズよりも前に配置した場合（図６（ｂ）参照）には、光学的センサから絞りまでの光学的な距離が相対的に長くなる。絞りよりも像側（つまり光学的センサ側）にある光学系によって物体空間に生じる絞りの虚像を射出瞳（exit pupil）というが、光学的センサから射出瞳までの距離（射出瞳距離）は、光学的センサから絞りまでの光学的距離が長くなれば、それに伴って長くなるため、このような絞りの配置とすることで、結果的に光学的センサから射出瞳位置までの距離を相対的に長く設定することができる。
【００１０】
そして、光学的センサから射出瞳位置までの距離が長くなれば、センサ周辺部にある受光素子に対して入射する反射光が斜めになる度合も、それに伴って小さくなる。したがって、光学的センサの周辺部の受光素子に対する集光レンズによる集光率の低下を極力防止することができ、適切な読み取りの実現に寄与する。
【００１１】
最終的には適切な読み取りを実現することが目的であるので、本発明の光学情報読取装置においては、光学的センサの中心部に位置する受光素子からの出力に対する光学的センサの周辺部に位置する受光素子からの出力の比が所定値以上となるように、射出瞳位置を設定している。このようにしておけば、中央部と周辺部の出力差を考慮しながら、例えば照射光の光量や露光時間などを調整することが容易となり、中心部においても周辺部においても適切に読取が可能となる。
【００１２】
なお、光学的センサとしては、例えばＣＣＤエリアセンサなどを用いることが考えられる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の好適な実施例を図面に基づいて説明する。尚、本発明の実施の形態は、下記の実施例に何ら限定されるものではなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の形態を採り得ることはいうまでもない。
【００１４】
図１は、実施例としての２次元コード読取装置４の概略構成図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は一部破断側面図、（ｃ）は底面図である。また、図２は照明部及び撮像部などの各部品が組み付けられて一体化された光学モジュール４０の概略断面図である。
【００１５】
本実施例の２次元コード読取装置４は携帯用であり、上ケース１１ａと下ケース１１ｂからなるケース１２内に各種部品を組み込んだものであり、外観上、図１に示すように、装置後方部にケース本体部１２ａ、装置前方部にケースヘッド部１２ｂを備え、ケースヘッド部１２ｂはケース本体部１２ａに対して下方に湾曲するように一体形成されている。なお、本実施形態では、ケースヘッド部１２ｂの中心軸はケース本体部１２ａの中心軸に対して約７０度下方に傾いている。
【００１６】
前記ケース本体部１２ａは操作者が手で握るための把持部としても機能し、その上面には、情報を入力するためのキーパット７４、読み込んだ２次元コードなどを表示するための液晶ディスプレイ２０、２次元コードを読み込んだことを確認するための認識用ＬＥＤ２１が設けられている。そして、ケース本体部１２ａからケースヘッド部１２ｂへ湾曲する部分には、赤外光を通過させるための通信プレート２２が設けられており、ケースヘッド部１２ｂの先端には読取口２５が設けられている。
【００１７】
なお、上ケース１１ａと下ケース１１ｂは樹脂成形加工によって作られたものであり、ケースヘッド部１２ｂの先端部分には、それら上ケース１１ａと下ケース１１ｂに外嵌し、上下ケース１１ａ，１１ｂが離反することを防止する環状の口開き防止用ホルダ１３が取り付けられている。そして、さらに口開き防止用ホルダ１３を外嵌するように、環状のゴム部材１４が取り付けられている。
【００１８】
また、ケース本体部１２ａの側面であって、液晶ディスプレイ２０が設けられている両脇部分には、ケース本体部１２ａの側面よりも突出して落下時の衝撃を吸収するための耐落下用ゴム部材１５が、上ケース１１ａと下ケース１１ｂによって挟み込まれて固定されている。なお、ケース本体部１２ａの側面であって、キーパット７４が設けられている脇の部分には、読み取り用スイッチ１７が配置されている。
【００１９】
一方、ケース本体部１２ａの内部には、上述したキーパット７４、液晶ディスプレイ２０、認識用ＬＥＤ２１に加えて、データ処理部２７や電源部３０などが配置されている。電源部３０には図示しない電池が電源として収納されており、電源回路によって各回路へ電源が供給される。また、ケースヘッド部１２ｂの内部には、上述した通信プレート２２に面して通信モジュール３５が配置されており、ケースヘッド部１２ｂのほぼ中心に光学モジュール４０が配置されている。
【００２０】
次に、光学モジュール４０の詳しい構成について図２の概略断面図を参照して説明する。なお、図２において二点鎖線で示したケースヘッド部１２ｂの外形は、光学モジュール４０のケースヘッド部１２ｂ内における概略的な位置を示すためのものである。
【００２１】
図２に示すように、光学モジュール４０は、ＣＣＤエリアセンサ４１（受光手段に該当）、鏡筒４３、照明発光ダイオード４５（発光手段に該当）、塵の侵入を防ぐ防塵プレート４７、照射範囲制限部材４９などを備えている。なお、これらの概略的な位置関係は、ケースヘッド部１２ｂ先端の読取口２５から最も遠い位置にＣＣＤエリアセンサ４１が配置され、読取口２５に向けて、鏡筒４３、防塵プレート４７、照射範囲制限部材４９の順番で配置されている。また、照明発光ダイオード４５は鏡筒４３の周囲に配置されている。
【００２２】
前記鏡筒４３は略円筒状に形成されており、図３（ａ）の斜視拡大図および図３（ｂ）の側面断面拡大図にて示すように、その内部に、円状の絞り３４ａ及び複数の結像レンズ３４ｂ，３４ｃを備えている。そして、絞り３４ａは、結像レンズ３４ｂ，３４ｃよりも読取口２５側に配置されている。そのため、２次元コードからの反射光は、防塵プレート４７を通過して入射側開口４３ａより鏡筒４３に入射するが、鏡筒４３内においては、入射した反射光をまず絞り３４ａによって結像に利用される光線束の大きさに制限した後、結像レンズ３４ｂ，３４ｃによって所定の読取位置に結像するようにして出射側開口４３ｂより出射させる。
【００２３】
この所定の読取位置に設けられているのがＣＣＤエリアセンサ４１であり、このＣＣＤエリアセンサ４１は、センサ基板４２に取り付けられている。そして、２次元的に配列された複数の受光素子４１ａ（図５参照）を有している。また、図５に示すように、各受光素子４１ａにはそれぞれ集光用のマイクロレンズ（集光レンズ）４１ｂが設けられており、鏡筒４３内の結像レンズ３４ｂ，３４ｃ（図３参照）によって結像された反射光はこの集光レンズ４１ｂによって集光されてから受光素子４１ａに受光される。このように、本実施例ではマイクロレンズ付きのＣＣＤエリアセンサ４１を採用している。２次元コードの像を光電変換して読み取ったＣＣＤエリアセンサ４１は、像のパターンを表す電気信号としてデータ処理側に出力する。
【００２４】
また、照明発光ダイオード４５は、上述したように鏡筒４３の周囲に配置されているが、本実施形態においては、略円筒状の鏡筒４３の周囲に約９０度間隔で４つの照明発光ダイオード４５が配置されている。具体的には、照明発光ダイオード４５は、ＬＥＤ基板４４に取り付けられ、ＬＥＤホルダ４６によって保持されている。なお、図２においては４つの照明発光ダイオード４５の内の２つだけを示している。
【００２５】
そして、防塵プレート４７は、これら鏡筒４３及び照明発光ダイオード４５よりも読取口２５側に設けられているため、塵が読取口２５から鏡筒４３及び照明発光ダイオード４５側へ侵入してくるのを防止することができる。また、防塵プレート４７は、少なくとも照明発光ダイオード４５から照射される読み取り光（照射光）としての赤色光は通過可能である。
【００２６】
また、防塵プレート４７と読取口２５との間に配置されることとなる照射範囲制限部材４９は、筒状に形成された部材であり、その筒状部材の読取口２５側の開口４９ａによって、照明発光ダイオード４５からの照射光の照射範囲を制限することができる。詳しくは、照射範囲制限部材４９の内壁４９ｂは、照明発光ダイオード４５からの照射光が反射しても鏡筒４３内に入射しないような角度に設定されており、さらに前記読取口２５側の開口４９ａは、その開口４９ａによって制限された照射光の照射範囲が、ＣＣＤエリアセンサ４１にて読み取り可能な最大の画像範囲と同じかあるいは所定量だけ大きな範囲となるようなサイズに設定されている。
【００２７】
次に、２次元コード読取装置４の制御系統のブロック図である図４を参照してさらに説明を進める。
本実施例の２次元コード読取装置４は、カメラ部制御装置５０とシステム制御装置７０の２つの制御装置を備えており、それぞれで分担して各種制御を行っている。
【００２８】
まず、カメラ部制御装置５０側に関連する構成としては、ＣＣＤエリアセンサ４１と、ＡＧＣアンプ５２と、ローパスフィルタ（ＬＰＦ）５３と、基準電圧生成部５４と、負帰還アンプ５５と、補助アンプ５６と、２値化回路５７と、周波数分析器５８と、Ａ／Ｄ変換器５９と、画像メモリ６０と、画像メモリコントローラ６１と、メモリ６２と、照明発光ダイオード（照明ＬＥＤ）４５などが挙げられる。
【００２９】
ＣＣＤエリアセンサ４１は、２次元的に配列された複数の受光素子であるＣＣＤを有しており、外界を撮像してその２次元画像を水平方向の走査線信号として出力する。この走査線信号はＡＧＣアンプ５２によって増幅されて補助アンプ５６及びＡ／Ｄ変換器５９に出力される。
【００３０】
ＡＧＣアンプ５２は、外部から入力したゲインコントロール電圧に対応する増幅率で、ＣＣＤエリアセンサ４１から出力された走査線信号を増幅するのであるが、このゲインコントロール電圧は負帰還アンプ５５から出力される。この負帰還アンプ５５には、ＡＧＣアンプ５２から出力される走査線信号をローパスフィルタ５３で積分して得た出力平均電圧Ｖavと、基準電圧生成部５４からの基準電圧Ｖstとが入力されており、これらの電圧差△Ｖに所定ゲインを掛けたものがゲインコントロール電圧として出力される。
【００３１】
補助アンプ５６は、ＡＧＣアンプ５２によって増幅された走査線信号を増幅して２値化回路５７に出力する。この２値化回路５７は、上記走査線信号を、閾値に基づいて２値化して周波数分析器５８に出力する。周波数分析器５８は、２値化された走査線信号の内から所定の周波数成分比を検出し、その検出結果は画像メモリコントローラ６１に出力される。
【００３２】
一方、Ａ／Ｄ変換器５９は、ＡＧＣアンプ５２によって増幅されたアナログの走査線信号をディジタル信号に変換して、画像メモリコントローラ６１に出力する。
画像メモリコントローラ６１は、アドレスバス及びデータバスによって画像メモリ６０と接続されていると共に、やはりアドレスバス及びデータバスによってカメラ部制御装置５０及びメモリ６２と接続されている。
【００３３】
カメラ部制御装置５０は、ここでは３２ｂｉｔのＲＩＳＣＣＰＵを用いて構成されており、基準電圧生成部５４、Ａ／Ｄ変換器５９及び照明発光ダイオード４５を制御することができるようにされている。基準電圧生成部５４に対する制御とは、基準電圧を変更設定するなどの制御である。また、照明発光ダイオード４５は、読取対象の２次元コードに対して照明用の赤色光を照射するものである。
【００３４】
また、カメラ部制御装置５０は、システム制御装置７０との間でデータのやり取りができるようにされている。
一方、システム制御装置７０側に関連する構成としては、認識用ＬＥＤ２１と、ブザー７２と、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）２０と、キーパット７４と、読み取り用スイッチ１７と、シリアルＩ／Ｆ回路７６と、ＩｒＤＡＩ／Ｆ回路７７と、ＦＬＡＳＨメモリ７８と、ＤＲＡＭ７９と、リアルタイムクロック８０と、メモリバックアップ用電池８１などを備えている。
【００３５】
認識用ＬＥＤ２１は、読み取り対象の画像情報が適切にデコードされた場合に点灯され、所定時間後に消灯される。また、ブザー７２も、読み取り対象の画像情報が適切にデコードされた場合に鳴動される。
液晶ディスプレイ２０は、読み込んだ２次元コードなどを表示するためなどに用いられる。本実施例では２階調表示のＬＣＤとして構成されている。キーパット７４は、例えばテンキーや各種ファンクションキーを備えており、情報入力のために用いられる。読み取り用スイッチ１７は、利用者が読取処理の開始を指示するためのスイッチである。
【００３６】
ＩｒＤＡＩ／Ｆ回路７７は、ＩｒＤＡ（Infrared Data Association ）規格に準じた方法により図示しない外部装置との間で通信を行うものであり、通信モジュール３５（図１（ｂ）参照）を介してデータを外部装置に送信したり、外部装置からの信号（例えばシステムを動かすためのプログラムや送信を待機する命令等）を受信する。
【００３７】
システム制御装置７０、ＦＬＡＳＨメモリ７８、ＤＲＡＭ７９、リアルタイムクロック８０は、アドレスバス及びデータバスによって相互に接続されている。画像メモリ６０と接続されていると共に、やはりアドレスバス及びデータバスによってカメラ部制御装置５０及びメモリ６２と接続されている。
【００３８】
システム制御装置７０は、ここでは１６ｂｉｔのＣＰＵを用いて構成されており、上述したキーパット７４や読み取り用スイッチ１７の入力を受け付けたり、認識用ＬＥＤ２１やブザー７２への出力を制御したり、シリアルＩ／Ｆ回路７６やＩｒＤＡＩ／Ｆ回路７７を介した通信制御を行なう。そして、カメラ部制御装置５０を介して入力した２次元コードの画像を液晶ディスプレイ２０に表示させることもできる。
【００３９】
このような構成の本実施例の２次元コード読取装置４によれば、結像レンズ３４ｂ，３４ｃ（図３参照）によって結像された２次元コードからの反射光は、ＣＣＤエリアセンサ４１において、集光レンズ４１ｂによって集光されてから受光素子４１ａに入射する。したがって、図５（ａ）に示すように、受光素子４１ａに対して垂直に入射する光は、集光レンズ４１ｂによって集光されることで見かけ上の開口面積が拡大し、感度を向上させる効果があるが、図５（ｂ）に示すように、受光素子４１ａに対して斜めに入射する光は、集光レンズ４１ｂによって集光されることで逆に受光素子４１ａへの集光率が低下して感度が低下する原因ともなる。特に、ＣＣＤエリアセンサ４１の中央部にある受光素子４１ａには反射光が垂直に入射するが、センサ周辺部にある受光素子４１ａに対しては反射光が斜めに入射する傾向にある。
【００４０】
この周辺部にある受光素子４１ａに対して入射する反射光が極力斜めにならないようにするため本実施例の２次元コード読取装置４では、図３に示すように、鏡筒４３内において絞り３４ａを結像レンズ３４ｂ，３４ｃよりも読取口２５（図１，２参照）側に配置している。つまり、２次元コードにより反射された赤色光がまず絞り３４ａを通過し、その後、結像レンズ３４ｂ，３４ｃに入射するよう、絞り３４ａが配置されている。これにより、結像レンズの複数のレンズ間に介装されていた場合（図６（ａ）参照）に比べて、複数のレンズで構成される結像レンズ（図３の３４ｂ，３４ｃが相当する）よりも前に配置した場合（図６（ｂ）参照）には、ＣＣＤエリアセンサ４１から絞り３４ａまでの光学的な距離が相対的に長くなる。
【００４１】
ＣＣＤエリアセンサ４１から射出瞳までの距離（射出瞳距離）は、ＣＣＤエリアセンサ４１から絞り３４ａまでの光学的距離が長くなれば、それに伴って長くなるため、本実施例のように絞り３４ａを結像レンズ３４ｂ，３４ｃよりも前（読取口２５側）に配置することで、結果的にＣＣＤエリアセンサ４１から射出瞳位置までの距離を相対的に長く設定することができる。そして、ＣＣＤエリアセンサ４１から射出瞳位置までの距離が長くなれば、センサ周辺部にある受光素子４１ａに対して入射する反射光が斜めになる度合も、それに伴って小さくなる。したがって、図５（ｃ）のグラフ中に破線で示すように、ＣＣＤエリアセンサ４１の周辺部の受光素子４１ａに対する集光レンズ４１ｂによる集光率の低下を極力防止することができ、適切な読み取りの実現に寄与する。
【００４２】
なお、適切な読み取りを実現するためには、センサ周辺部にある受光素子４１ａからの出力レベルが所定レベル以上になる必要がある。そのため、例えば、センサ中心部に位置する受光素子４１ａからの出力に対するセンサ周辺部に位置する受光素子４１ａからの出力の比が所定値以上となるよう射出瞳位置を設定することが考えられる。つまり、このような射出瞳位置となるように絞り３４ａの位置を設定するのである。このようにしておけば、中央部と周辺部の出力差を考慮しながら、例えば照射光の光量や露光時間などを調整することが容易となり、中心部においても周辺部においても適切に読取が可能となる。そして、絞り３４ａの位置を設定する場合においても利点がある。つまり、結像レンズ３４ｂ，３４ｃの間に絞り３４ａが存在する構成の場合には、絞り３４ａの位置を変更すると、それに伴って結像レンズ３４ｂ，３４ｃの位置も変更しなくてはならなくなるが、結像レンズ３４ｂ，３４ｃよりも前に絞り３４ａが存在する本実施例の場合には、結像レンズ３４ｂ，３４ｃの位置はそのままで絞り３４ａの位置だけを変更することができる。
【００４３】
以上、本発明はこのような実施例に何等限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において種々なる形態で実施し得る。
例えば、上記実施例では絞り３４ａを円状に形成したが、それ以外にも方形（正方形や長方形）に形成してもよい。
【００４４】
また、上記実施例では、結像レンズ３４ｂ，３４ｃが２個であったが、３個以上を組み合わせて構成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】 実施例の２次元コード読取装置の概略構成図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は一部破断側面図、（ｃ）は底面図である。
【図２】 実施例の光学モジュールの概略断面図である。
【図３】 実施例の絞り及び結像レンズの構成説明図である。
【図４】 実施例の２次元コード読取装置の制御系統のブロック図である。
【図５】 （ａ）は集光レンズ付きの受光素子に光が垂直に入射した場合の様子、（ｂ）は斜めに入射した場合の様子をそれぞれ示す説明図であり、（ｃ）は射出瞳距離の長短とセンサ出力との関係を示すグラフである。
【図６】 （ａ）は絞りが結像レンズの間にある場合、（ｂ）は絞りが結像レンズの前にある場合の様子を示す説明図である。
【符号の説明】
４…２次元コード読取装置 １１ａ…上ケース
１１ｂ…下ケース １２ａ…ケース本体部
１２ｂ…ケースヘッド部 １３…口開き防止用ホルダ
１４…ゴム部材 １５…耐落下用ゴム部材
１７…読み取り用スイッチ ２０…液晶ディスプレイ
２１…認識用ＬＥＤ ２２…通信プレート
２５…読取口 ２７…データ処理部
３０…電源部 ３４ａ…絞り
３４ｂ…結像レンズ ３５…通信モジュール
４０…光学モジュール ４１…ＣＣＤエリアセンサ
４１ａ…受光素子 ４１ｂ…集光レンズ
４２…センサ基板 ４３…鏡筒
４３ａ…入射側開口 ４３ｂ…出射側開口
４４…ＬＥＤ基板 ４５…照明発光ダイオード
４６…ＬＥＤホルダ ４７…防塵プレート
４９…照射範囲制限部材 ４９ａ…開口
４９ｂ…内壁 ５０…カメラ部制御装置
５２…ＡＧＣアンプ ５３…ローパスフィルタ
５４…基準電圧生成部 ５５…負帰還アンプ
５６…補助アンプ ５７…２値化回路
５８…周波数分析器 ５９…Ａ／Ｄ変換器
６０…画像メモリ ６１…画像メモリコントローラ
６２…メモリ ７０…システム制御装置
７２…ブザー ７４…キーパット
７６…シリアルＩ／Ｆ回路 ７７…ＩｒＤＡＩ／Ｆ回路
７８…ＦＬＡＳＨメモリ ８０…リアルタイムクロック
８１…メモリバックアップ用電池

Claims (2)

1. 複数のレンズで構成され、読み取り対象からの反射光を所定の読取位置に結像させる結像レンズと、
   前記読み取り対象の画像を受光するために前記読取位置に配置され、その受光した光の強さに応じた電気信号を出力する複数の受光素子が２次元的に配列されると共に、当該受光素子毎に集光レンズが設けられた光学的センサと、
   該光学的センサへの前記反射光の通過を制限する絞りと、
   を備える光学情報読取装置において、
   前記読み取り対象からの反射光が前記絞りを通過した後で前記結像レンズに入射するよう、前記絞りを配置することによって、前記光学的センサから射出瞳位置までの距離を相対的に長く設定し、
   前記光学的センサの中心部に位置する受光素子からの出力に対する前記光学的センサの周辺部に位置する受光素子からの出力の比が所定値以上となるように、前記射出瞳位置を設定したことを特徴とする光学情報読取装置。
2. 前記光学的センサは、ＣＣＤエリアセンサであることを特徴とする請求項１記載の光学情報読取装置。

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