JP3813103B2

JP3813103B2 - Display device and manufacturing method thereof

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Publication number: JP3813103B2
Application number: JP2002086137A
Authority: JP
Inventors: 陽一郎榊
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2002-03-26
Filing date: 2002-03-26
Publication date: 2006-08-23
Anticipated expiration: 2022-03-26
Also published as: JP2003280543A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は表示装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在、液晶表示装置の表示パネルとこれを駆動するドライバとの接続には主として、ＴＣＰ（ＴａｐｅＣａｒｒｉｅｒＰａｃｋａｇｅ）方式、ＣＯＧ（ＣｈｉｐｏｎＧｌａｓｓ）方式、またはモノリシック方式が用いられている。
【０００３】
例えば図６に示すＴＣＰ方式の表示装置では、表示パネルに含まれるガラス基板１１に複数のＴＣＰ１２および１４が接続され、このＴＣＰ１２および１４にはそれぞれ、ＰＷＢ（ＰｒｉｎｔｅｄＷｉｅｒＢｏｎｄｉｎｇ）１３および１５を介してＦＰＣ（ＦｌｅｘｉｂｌｅＰｒｉｎｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔ）１６が接続されている。ＦＰＣ１６には例えば外部回路基板（不図示）が接続されており、この外部回路基板からの信号が、ＦＰＣ１６およびＰＷＢ１３、１５を介してＴＣＰ１２、１４に供給され、表示パネルが駆動される。
【０００４】
例えば図７に示すＣＯＧ方式の表示装置では、表示パネルに含まれるガラス基板２１に複数のＩＣチップ２２、２４（以下、駆動回路と記載する）が搭載されており、駆動回路２２、２４にはＦＰＣ２３、２５がそれぞれ接続されている。ＦＰＣ２３、２５は、例えば外部回路基板（不図示）と接続されており、この外部回路基板からの信号がＦＰＣ２３、２５を介してＴＣＰ１２、１４に供給され、表示パネルが駆動される。
【０００５】
上述したＴＣＰ方式またはＣＯＧ方式の表示装置は従来から量産されており、製品の品質、信頼性に優れるが、必要とされる部品点数が多く、製造コストが高いという問題がある。
【０００６】
一方、モノリシック方式の表示装置では、上述したＣＯＧ方式における駆動回路が低温多結晶技術によって表示パネルのガラス基板に作りこまれている。従ってモノリシック方式の表示装置ではＴＣＰ方式やＣＯＧ方式の表示装置に比べて、必要とされる部品点数が少なく、材料費や実装加工費を低くすることができる。しかしながら、表示パネルのガラス基板に駆動回路が作りこまれているために表示パネルの設計が複雑になる。これにより、製造工程で表示パネルの良品率が低下し、歩留まりが悪くなるという問題がある。
【０００７】
そこで、上記モノリシック方式における問題を解決するためにＧＯＧ（ＧｌａｓｓｏｎＧｌａｓｓ）方式が提案されている。このＧＯＧ方式の表示装置は例えば特開平４−２８３７２７号公報に開示されている。
【０００８】
ＧＯＧ方式の表示装置は例えば図８に示すように、ガラス基板３１を含む表示パネルと、ガラス基板（Ｇｌａｓｓｓｔｉｃｋ）３２、３３上に駆動回路（不図示）が搭載されている駆動回路基板と、ＦＰＣ３４とを有している。このＧＯＧ方式の表示装置では、表示パネルのガラス基板３１とは異なるガラス基板３２、３３にそれぞれ駆動回路が設けられている。駆動回路基板のガラス基板３２、３３は、異方性導電膜（ＡＣＦ：ＡｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃＣｏｎｄｕｃｔｏｒＦｉｌｍ）によって、表示パネルのガラス基板３１に接着および電気的に接続されている。このＧＯＧ方式の表示装置はモノリシック方式に比べて構造が容易である。また、駆動回路と表示パネルとが別工程で作製されるので、モノリシック方式に比べて良品率を向上させることができ、歩留まり良く表示装置を製造することができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら上述のＧＯＧ方式は以下に説明する理由により、特に大型の表示装置に用いることが困難であった。
【００１０】
上述のＧＯＧ方式では、表示パネルのガラス基板３１に駆動回路基板のガラス基板３２、３３を接着するためにＡＣＦを加熱硬化する必要がある。表示パネルのガラス基板３１には駆動回路基板に比べて耐熱性の低い層（例えば偏光板）が形成されているので、駆動回路基板のガラス基板３２、３３を表示パネルのガラス基板３１よりも高温にして、ガラス基板３１とガラス基板３２、３３との間に温度勾配をかけて、ＡＣＦに所望の温度を付与する。この加熱時におけるガラス基板３２、３３とガラス基板３１との間の温度差は、例えば約１００℃以上である。
【００１１】
表示パネルのガラス基板３１と駆動回路基板のガラス基板３２、３３との接着時に上記のような温度勾配がかけられると、ガラス基板３１とガラス基板３２、３３とにそれぞれ与えられる熱量に大きな差が生じ、接着時の熱応力が接続後に残ってしまうという問題がある。
【００１２】
例えば、駆動回路基板（接着する長辺の長さが３００ｍｍ程度の基板）と表示パネルとに熱膨張係数の等しいガラス基板を使用し、表示パネルのガラス基板の一辺に駆動回路基板のガラス基板を接着長さ３００ｍｍで接着する場合を説明する。駆動回路基板のガラス基板よりも表示パネルのガラス基板の温度を約１００℃低く加熱し、ＡＣＦに所望の温度を付与した。この結果、駆動回路基板のガラス基板が表示パネルのガラス基板に対して１２０μｍ以上伸びた。
【００１３】
上述したように駆動回路基板のガラス基板が表示パネルのガラス基板よりも伸びた状態でＡＣＦによって表示パネルのガラス基板に固定されると、接続後、常温に戻されたときに、表示パネルのガラス基板に対して、駆動回路基板のガラス基板の縮む方向に大きな力がかかる。このとき、表示パネルのガラス基板を下側に配置した場合、駆動回路基板のガラス基板が接着されている表示パネルのガラス基板の側辺が上側に反り返る。これにより、表示パネルのガラス基板が割れ易くなり、または、表示パネルのガラス基板が変形してしまうなど、表示パネルの品質が低下することが確認された。さらに、湿度環境下に放置すると、駆動回路基板のガラス基板が表示パネルのガラス基板から剥離してしまうことも確認された。
【００１４】
また、駆動回路基板のガラス基板が伸びると、表示パネルのガラス基板に対して駆動回路基板のガラス基板の位置ずれが生じ、表示パネルと駆動回路基板とを高精度で電気的に接続することが困難になる。特に上述した表示装置では、表示パネルの画素ピッチ（画素電極間のピッチ）が、駆動回路基板の伸び量（１２０μｍ以上）を上回ってしまうことがあり、この場合、駆動回路基板と表示パネルとを電気的に接続することが困難になる。
【００１５】
本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、駆動回路基板が高い電気的信頼性で表示パネルに接続可能であり、また、駆動回路を表示パネルに接着しても表示パネルの品質の低下が抑制される表示装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の局面に係る表示装置は、表示を行う複数の画素を有する表示パネルと、駆動回路基板とを有する表示装置であって、前記表示パネルは第１基板を備え、前記駆動回路基板は、第２基板と、前記第２基板の上に形成されかつ、前記画素に信号を供給する駆動回路とを備え、熱硬化性樹脂を用いて前記第１基板に前記第２基板が接着されており、前記第２基板の熱膨張係数が前記第１基板の熱膨張係数よりも小さく、これにより、上記の課題が解決される。
【００１７】
例えば、前記第２基板の熱膨張係数α２に対する前記第１基板の熱膨張係数α１の比α１／α２は、１．０＜α１／α２＜２．６の範囲にある。
【００１８】
本発明の第２の局面に係る表示装置は、表示を行う複数の画素を有する表示パネルと、駆動回路基板とを有する表示装置であって、前記表示パネルは第１基板を備え、前記駆動回路基板は、第２基板と、前記第２基板の上に形成されかつ、前記画素に信号を供給する駆動回路とを備え、熱硬化性樹脂を用いて前記第１基板に前記第２基板が接着されており、前記第２基板の熱膨張係数と弾性率との積が、前記第１基板の熱膨張係数と弾性率との積よりも小さく、これにより、上記の課題が解決される。
【００１９】
前記第２基板の厚さは、前記第１基板の厚さよりも小さいことが好ましい。
【００２０】
本発明の第３の局面に係る表示装置は、表示を行う複数の画素を有する表示パネルと、駆動回路基板とを有する表示装置であって、前記表示パネルは第１基板を備え、前記駆動回路基板は、第２基板と、前記第２基板の上に形成されかつ、前記画素に信号を供給する駆動回路とを備え、熱硬化性樹脂を用いて前記第１基板に前記第２基板が接着されており、前記第２基板の厚さが、前記第１基板の厚さよりも小さく、これにより、上記の課題が解決される。
【００２１】
前記第１基板の厚さに対する前記第２基板の厚さの比は、例えば５／７以下である。
【００２２】
前記表示パネルは、前記第１基板上に設けられた複数の画素電極と、前記複数の画素電極に対向する対向電極と、前記複数の画素電極と前記対向電極との間に配置された表示媒体層とを有し、前記表示媒体層は、液晶材料、有機ＥＬまたは無機ＥＬを含み得る。
【００２３】
本発明の表示装置の製造方法は、第１基板を備え、表示を行う複数の画素を有する表示パネルを用意する工程と、第２基板と、前記第２基板の上に形成されかつ、前記画素に信号を供給する駆動回路とを備える駆動回路基板を用意する工程と、前記第１基板よりも前記第２基板を高温にして、前記第１基板と前記第２基板との間の所定の領域に付与された熱硬化性樹脂を硬化させることによって、前記第１基板に前記第２基板を接着する工程とを有し、前記第２基板の熱膨張係数が前記第１基板の熱膨張係数よりも小さいことを特徴としている。
【００２４】
前記第２基板の厚さが、前記第１基板の厚さよりも小さいことが好ましい。
【００２５】
本発明の他の表示装置の製造方法は、第１基板を備え、表示を行う複数の画素を有する表示パネルを用意する工程と、第２基板と、前記第２基板の上に形成されかつ、前記画素に信号を供給する駆動回路とを備える駆動回路基板を用意する工程と、前記第１基板よりも前記第２基板を高温にして、前記第１基板よりも前記第２基板を高温にして、前記第１基板と前記第２基板との間の所定の領域に付与された熱硬化性樹脂を硬化させることによって、前記第１基板に前記第２基板を接着する工程とを有し、前記第２基板の厚さが前記第１基板の厚さよりも小さいことを特徴とする。
【００２６】
【発明の実施の形態】
本発明は、駆動回路が表示パネルとは異なる基板に設けられ、この基板と表示パネルとが接着されて構成されたＧＯＧ方式の表示装置に好適に適用される。以下、図１（ａ）および（ｂ）を参照しながら本発明の表示装置を説明する。図１（ａ）は本発明の表示装置５０を模式的に示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）の１Ｂ―１Ｂ’断面図である。
【００２７】
本発明の表示装置５０は図１（ａ）に示すように、表示を行うための複数の画素を有する表示パネル５２と、駆動回路基板５４とを有している。表示パネル５２は、第１の基板５３を備えている。表示パネル５２には例えば、液晶パネルまたは有機ＥＬ、無機ＥＬが好適に利用される。駆動回路基板５４は、第２の基板５５と、この第２の基板５５上に設けられた駆動回路とを有している。この駆動回路は、表示パネル５２の画素に駆動信号を供給する。なお、図１（ａ）では、表示パネル５２に含まれる複数の画素、および駆動回路基板５４に含まれる駆動回路を省略して示しており、図１（ａ）の表示パネル５２および駆動回路基板５４はそれぞれ、実質的に、第１の基板５３および第２の基板５５を示している。
【００２８】
上述した表示パネル５２と駆動回路基板５４とを有する表示装置５０は図１（ｂ）に示すように、第１の基板５３に第２の基板５５が熱硬化性樹脂５６によって接着されて構成されている。
【００２９】
第１の局面に係る本発明の表示装置５０では、第２基板５５の熱膨張係数が、第１基板５３の熱膨張係数よりも小さいことを特徴としている。
【００３０】
表示装置５０では、第１の基板５３に第２の基板５５を熱硬化性樹脂５６によって接着するために、表示装置５０の製造工程において、熱硬化性樹脂５６を硬化温度以上に加熱する必要がある。この接着工程では、表示パネル５２よりも駆動回路基板５４が高温になるように温度勾配をかけて、熱硬化性樹脂５６に所定の温度を付与し、硬化させる。すなわち図１（ｂ）に示すように、表示パネル５２に含まれる第１基板５３を温度ＴＬに加熱し、駆動回路基板５４に含まれる第２基板５５を温度ＴＨ（ＴＨ＞ＴＬ）に加熱する。これにより、第１基板５３と第２基板５５とを同じ温度に加熱して熱硬化性樹脂５６に所定の温度を付与する場合に比べて、第１基板５３の加熱温度を低下させることができる。表示パネル５２には耐熱性の低い材料からなる層が含まれるので、第１基板５３の加熱温度を低下させることにより、上記耐熱性の低い層の劣化を防止することができる。
【００３１】
上述したように第１の局面に係る本発明の表示装置５０では、第２基板５５の熱膨張係数が、第１基板５３の熱膨張係数よりも小さい。これにより、駆動回路基板５４を表示パネル５２に接着させる工程で、第１基板５３よりも第２基板５５が高温になるように温度勾配をかけたときに、第１基板および第２基板に熱膨張係数の等しい基板を用いる場合に比べて、第１基板５３と第２基板５５との接着部分において、第１基板５３の熱膨張量と第２基板５５の熱膨張量との差を小さくすることができる。従って、表示パネル５３と駆動回路基板５４との接着工程で、第１基板５３と第２基板５５との熱膨張量差によって発生し得る熱応力を小さくすることができるので、接着後、冷却して常温に戻した場合に、第２基板の熱収縮による第１基板の反り返りを小さくすることができる。これにより、表示パネルの変形や割れなどが防止され、表示パネルの品質の低下が抑制される。
【００３２】
特に大型表示装置では、駆動回路基板と表示パネルとの接着長さが大きくなるために、第１基板の熱膨張量と第２基板の熱膨張量との差が大きくなる。従って本発明の表示装置は大型表示装置に好適に使用され得、例えば一辺が２００ｍｍ以上の表示装置に好適に使用される。
【００３３】
また表示装置５０では第１基板および第２基板に熱膨張係数の等しい基板を用いる場合に比べて、第１基板５３の熱膨張量と第２基板５５の熱膨張量との差が小さいので、第１基板５３上に設けられている配線と、第２基板５５上に設けられている配線とを高い精度および信頼性で電気的に接続することができる。さらに、第１基板５３および第２基板５５の配線ピッチを小さくしても、それらを高い信頼性で電気的に接続することができるので、表示装置をより高精細化することができる。
【００３４】
第１基板５３および第２基板５５には、熱膨張係数が以下の関係を満足するような基板を用いることが好ましい。
【００３５】
第１基板５３の熱膨張係数をα１、第２基板５５の熱膨張係数α２、ＡＣＦの硬化温度をＴ０、硬化時の第１基板５３の温度をＴ１、硬化時の第２基板５５の温度をＴ２、Ｔ１とＴ２との差（温度勾配）をΔＴ、室温をＴＲとする。表示装置５０では、第１基板５３の熱膨張係数α１に対する第２基板５５の熱膨張係数α２の比α１／α２が下記の式１、
α１／α２＝（Ｔ２−ＴＲ）／（Ｔ１−ＴＲ）（式１）
を満たすときに第１基板５３の熱膨張量と第２基板５５の熱膨張量とが等しくなるので最も好ましい。例えば、Ｔ１は１５０℃、Ｔ２は２５０℃、ＴＲは２５℃と設定される。このとき理想的なα１／α２は上記式１より１．８である。α１／α２が１．０＜α１／α２＜２．６の範囲にあれば、第１基板５３および第２基板５５に熱膨張係数の等しい基板を用いる場合に比べて、表示パネル５３と駆動回路基板５４との接着工程で、第１基板５３と第２基板５５との熱膨張量差によって発生する熱応力を小さくすることができる。α１／α２は１．４≦α１／α２≦２．２の範囲にあることが好ましい。
【００３６】
また、上記第１の局面に係る表示装置５０において、さらに、第２基板５５の厚さを、第１基板５３の厚さよりも小さくすることが好ましい。これにより、厚さの同じである第１基板５３および第２基板５５を使用する場合に比べて、第２基板５５の加熱温度をより低く設定して、第１基板５３に第２基板５５を接着させることができる。第２基板５５の加熱温度をより低くすることができれば、第２基板５５の熱膨張量をより小さくすることができるため、第１基板５３と第２基板５５との熱膨張量差によって発生し得る熱応力をより小さくすることができ、冷却後における第１基板の反り返りをより小さくすることができる。
【００３７】
第１基板５３および第２基板５５の厚さは、第１基板５３の厚さに対する第２基板５５の厚さの比は、約５／７以下であることが好ましい。
【００３８】
第２の局面に係る本発明の表示装置は、駆動回路基板５４に含まれる第２基板５５の厚さが、表示パネル５２に含まれる第１基板５３の厚さよりも小さいことを特徴としている。これによっても、第１の局面に係る表示装置５０と同様の効果が得られる。
【００３９】
また、第３の局面に係る本発明の表示装置は、第２基板５５の熱膨張係数と弾性率との積が、第１基板５３の熱膨張係数と弾性率との積よりも小さいことを特徴としている。これによっても、第１の局面に係る表示装置５０と同様の効果が得られる。
【００４０】
具体的には、第１基板５３の熱膨張係数α１と弾性率との積に対する、第２基板５５の熱膨張係数α２と弾性率との積の比が、１．０よりも大きく２．６未満であることが好ましく、１．４以上２．２以下の範囲にあることがより好ましい。
【００４１】
この場合、第２基板５５の熱膨張係数が第１基板５３の熱膨張係数よりも小さく、かつ、第２基板５５の弾性率が第１基板５３の弾性率よりも小さいことがより好ましい。
【００４２】
以下、実施例を説明する。
（実施例）
図２を参照しながら実施例１の液晶表示装置８０を説明する。図２（ａ）は液晶表示装置８０の平面図であり、（ｂ）は（ａ）の２Ａ―２Ａ’断面図である。
【００４３】
液晶表示装置８０は図２（ａ）に示すように、液晶パネル（表示パネル）８２と、ゲート側駆動回路基板８４と、ソース側駆動回路基板８６と、ＦＰＣ８８とを有している。ゲート側駆動回路基板８４、ソース側駆動回路基板８６、およびＦＰＣ８８はいずれも、ＡＣＦ９０によって液晶パネル８２に接着されている。なお後で説明するが、ＡＣＦ９０は熱硬化性樹脂および導電材料を含んでおり、ゲート側駆動回路基板８４、ソース側駆動回路基板８６、およびＦＰＣ８８を、液晶パネル８２に接着すると共に、電気的に接続している。
【００４４】
図２（ａ）に示すように液晶パネル８２には、周囲領域にゲート側端子部領域８２ａおよびソース側端子部領域８２ｂが設けられている。ゲート側駆動回路基板８４およびソース側駆動回路基板８６はそれぞれ、ゲート側端子部領域８２ａおよびソース側端子部領域８２ｂに接着されている。また、ソース側端子部領域８２ｂにはＦＰＣ８８も接着されている。
【００４５】
図２（ｂ）に示すように液晶パネル８２は、互いに対向するように配置された第１基板９２および対向基板９４と、これらの基板間に配置された液晶層９６とを有している。ゲート側端子部領域８２ａおよびソース側端子部領域８２ｂでは、第１基板９２は対向基板９４と対向せず、ゲート側駆動回路基板８４およびソース側駆動回路基板８６がＡＣＦ９０によってそれぞれ接着されている。ＡＣＦ９０は、ゲート側駆動回路基板８４およびソース側駆動回路基板８６のほぼ一辺（長い方の辺）全部に付与されている。
【００４６】
ゲート側駆動回路基板８４は、第２基板８５と、第２基板８５の上に搭載されたゲート用駆動回路８４ｃとを有している。後で詳述するが、ゲート用駆動回路８４ｃは、液晶パネル８２のゲートバスラインにゲート用駆動信号を供給する。ゲート側駆動回路基板８４と同様にソース側駆動回路基板８６も、第２基板８７と、第２基板８７の上に搭載されたソース用駆動回路８６ｃとを有している。ソース用駆動回路８６ｃは、液晶パネル８２のソースバスラインにソース用駆動信号を供給する。
【００４７】
液晶表示装置８０では、第１基板９２と第２基板８５との間、第１基板９２と第２基板８７との間、および第１基板９２とＦＰＣ８８との間はいずれも、ＡＣＦ９０によって接着されている。ＡＣＦ９０は、例えば異方性導電粒子がエポキシ樹脂中に分散した構造を有している。ＡＣＦ９０は圧力２ＭＰａ、温度約２００℃で硬化され、上記の各部材同士が接着される。また、ＡＣＦ９０に含まれている異方性導電粒子によって、上記の各部材同士が電気的に接続される。なお、本実施例で使用したＡＣＦ９０の接続分解能は、導電粒子の大きさおよび分散度によって異なるが、約５０μmピッチ以下の能力を有している。ここで、接続分解能とは、例えば基板上に配置された複数の端子（例えばソース端子またはゲート端子）の端子間ピッチをどこまで小さくしても、対向する他の基板の端子とＡＣＦを介して電気的に接続することができるかを示す指標であり、ＡＣＦ９０の能力によって決まる。接続分解能が約５０μmピッチ以下であるとは、端子間ピッチを約５０μｍまで小さくしても、対向する接続すべき端子と電気的に接続できることを示す。
【００４８】
液晶パネル８２の構成要素である第１基板９２には、厚さ０．７ｍｍ、熱膨張係数４．０×１０^-6／℃のアルミノホウケイ酸ガラスからなる基板を用いた。これに対して、ゲート側駆動回路基板８４およびソース側駆動回路基板８６の構成要素である第２基板８５、８７には、厚さおよび／または熱膨張係数の異なる３種類のアルミノホウケイ酸ガラス基板α、βまたはγを用いた。
【００４９】
次に、図３を参照しながら、第１基板９２と第２基板８５との間、および第１基板９２と第２基板８７との間をＡＣＦ９０によって接着する方法の一例を説明する。図３（ａ）は第１基板９２と第２基板８７とを接着する方法を模式的に示す図であり、図３（ｂ）は第１基板９２と第２基板８７とに付与される温度勾配を説明するグラフである。なお、以下では、第１基板９２と第２基板８７との接着方法を説明するが、第１基板９２と第２基板８５との接着もこれと同様に行われる。
【００５０】
ＡＣＦ９０を硬化するために図３（ａ）に示すよう、第１基板９２を加熱ツール２００Ｌで加熱し、第２基板８７を加熱ツール２００Ｈで加熱する。このとき、加熱ツール２００Ｌの温度が加熱ツール２００Ｈよりも低くなるように温度勾配をかけて、第１基板９２と第２基板８７との間に設けられているＡＣＦ９０を２００℃にする。加熱ツール２００Ｈおよび２００Ｌの設定温度は、各基板の厚さを考慮して、図３（ｂ）に示すように決定した。
【００５１】
図３（ｂ）に示すように加熱ツール２００Ｌの温度を１００℃に設定した。加熱ツール２００Ｈの温度は、第２基板８７に基板β（厚さ０．７ｍｍ）を用いたときには３００℃に設定し、第２基板８７に基板αまたはγ（厚さ０．５ｍｍ）を用いたときには２７０℃に設定した。表１に、各温度設定時における第１基板９２および第２基板８７の平均温度を示す。
【００５２】
【表１】

【００５３】
上述の条件で第１基板９２と第２基板８７との間に温度勾配をかけてＡＣＦ９０を硬化させ、第１基板９２と第２基板８７とを接着させた。また加熱時における、第１基板９２の伸び量（熱膨張量）と第２基板８７の伸び量との差を算出した。比較例として、第１基板および第２基板のいずれにも厚さが０．７ｍｍ、熱膨張係数が４．０×１０^-6／℃のアルミノホウケイ酸ガラスからなる基板を用い、加熱ツール２００Ｌの温度を１００℃に設定し、加熱ツール２００Ｈの温度を３００℃に設定した場合の伸び量も算出した。なお図２（ａ）に示すように、第１基板９２に対する第２基板８７の接着長さ８７Ｗは、本実施例および比較例のいずれの場合においても第２基板８７の長さ（長辺）と等しく、約３００ｍｍである。また、常温を２５℃とする。
【００５４】
第１基板９２の伸び量と第２基板８７の伸び量との差は、下記の式２を用いて算出した。第１基板９２の伸び量と第２基板８７の伸び量との差＝第２基板８７の伸び量−第１基板９２の伸び量＝（第２基板８７の平均温度−常温）×第２基板８７の熱膨張係数×第２基板８７の長さ−（第１基板９２の平均温度−常温）×第１基板９２の熱膨張係数×第１基板９２の長さ（式２）
例えば第２基板８７に基板γを用いた場合、上記伸び量の差（熱膨張量差）は、
（２３６−２５）×３．０×１０^-6×３００−（１５０−２５）×４．０×１０^-6×３００＝３９μｍ（≒４０μｍ）
より、約４０μｍである。これに対して比較例の伸び量の差は、
（２５０−２５）×４．０×１０^-6×３００−（１５０−２５）×４．０×１０^-6×３００＝１２０μｍ
より、１２０μｍである。従って、第２基板８７に基板γを用いた場合、比較例に比べて、伸び量の差を８０μｍ低下させることできる。
【００５５】
表１に示すように第２基板８７に基板αを用いた場合、伸び量の差は１０３μｍであり、第２基板８７に基板βを用いた場合、伸び量は５３μｍである。従って、第２基板８７に基板αおよびβを用いた場合、比較例に比べてそれぞれ、伸び量を１７μｍおよび６７μｍ低下させることができる。
【００５６】
以上説明したように、本実施例のように第２基板８７の熱膨張係数および／または厚さを第１基板９２よりも小さくすることにより、熱膨張係数および厚さが同程度の第１および２基板を用いる場合に比べて、第２基板８７の加熱温度を低くすることができるので、第１基板９２と第２基板８７との接着部分において、第１基板９２の伸び量と第２基板８７の伸び量との差を小さくすることができる。これにより、第１基板９２と第２基板８７との熱膨張量差によって発生し得る熱応力を小さくすることができるので、接着後、冷却して常温に戻した場合に、表示パネルの変形や割れなどが防止され、表示パネルの品質の低下が抑制される。
【００５７】
上述したように第１基板９２の厚さを０．７ｍｍとし、第２基板８７の厚さを０．５ｍｍとした場合、両方の基板の厚さを同じにした場合よりも第２基板８７の加熱温度を１５℃程度低くすることができ、その結果、熱応力を低減することができる。このように、第１基板９２の厚さに対する第２基板８７の厚さの比は、５／７以下であることが好ましい。
【００５８】
なお、第１基板に対する第２基板の熱膨張係数の比が大きいほど、第１基板の伸び量と第２基板の伸び量との差を抑制できるが、熱膨張係数が大きくなるとガラスの密度が上昇し、重量が大きくなり、表示装置の軽量化を妨げるという問題がある。従って、これらの問題を考慮した上で適宜、熱膨張係数を選択することが好ましい。本実施例では、第１および第２基板にホウケイ酸ガラスを使用したが、一般に入手可能なホウケイ酸ガラスの熱膨張係数は約３．０×１０^-6〜５．０×１０^-6／℃であるので、第１基板に対する第２基板の熱膨張係数の比をより大きくするために、例えば、第１基板にホウケイ酸ガラスを用い、第２基板にはホウケイ酸ガラスよりも熱膨張係数の小さい石英ガラスを用いてもよい。
【００５９】
また図４を参照して後で説明するが、第１基板９２に対して第２基板８５、８７の熱膨張量を小さくすることができるので、第１および第２基板９２、８５、８７上に狭い間隔で配線を設けても、第１基板９２と第２基板８５との間および、第１基板９２と第２基板８７との間を高い信頼性で電気的に接続することができる。
【００６０】
以下、図２を参照しながら液晶表示装置８０をより詳細に説明する。
【００６１】
液晶パネル８２において、第１基板９２の液晶層９６側表面には、行方向に延びるゲートバスライン、列方向に延びるソースバスライン、マトリクス状に配置された複数の画素電極、およびＴＦＴ（これら全ての構成要素を図２（ｂ）の参照番号９２Ｃの層で示す）が設けられている。ゲートバスラインおよびソースバスラインはいずれもＡｌ薄膜から形成されており、ＴＦＴはａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）を用いて形成されている。ＴＦＴは画素電極とソースバスラインとの間に設けられており、ゲートバスラインからの信号によってＯＮ／ＯＦＦが制御されている。
【００６２】
一方、対向基板９４の液晶層側表面には、いずれも図示しないが、対向電極およびカラーフィルタ層（不図示）が設けられている。なお、対向基板９４には例えば上記第１基板９２と同様のアルミノホウケイ酸ガラスが用いられている。
【００６３】
ＦＰＣ８８は、ポリイミド基材の表面にゲート用配線９８とソース用配線１００とが設けられて構成されている。ゲート用配線９８およびソース用配線１００は、銅（Ｃｕ）箔のパターニングによって形成されている。このＦＰＣ８８は、図示しない外部基板（コントロール基板）に電気的に接続されている。外部基板でゲート用駆動信号およびソース用駆動信号が形成され、このゲート用駆動信号およびソース用駆動信号はそれぞれ、ＦＰＣ８８のゲート用配線９８およびソース用配線１００を介して、ゲート側駆動回路基板８４およびソース側駆動回路基板８６に供給される。
【００６４】
ゲート側駆動回路基板８４およびソース側駆動回路基板８６にはそれぞれ、ゲート用駆動回路８４ｃおよびソース用駆動回路８６ｃが搭載されている。上記ゲート用駆動信号およびソース用駆動信号はそれぞれ、ゲート用駆動回路８４ｃおよびソース用駆動回路８６ｃに供給される。ゲート用駆動回路８４ｃおよびソース用駆動回路８６ｃはそれぞれ、液晶パネルのゲートバスラインおよびソースバスラインに電気的に接続されており、上記ゲート用駆動信号およびソース用駆動信号はそれぞれゲートバスラインおよびソースバスラインに供給され、表示が行われる。
【００６５】
以下、図４を参照しながら、ＦＰＣ８８、ゲート側駆動回路基板８４、ソース側駆動回路基板８６および表示パネル８２の間の電気的接続をより詳細に説明する。図４は、図２（ａ）の４Ａ領域の拡大図である。
【００６６】
上述したように、ＦＰＣ８８と液晶パネル８２との間、ゲート側駆動回路基板８４と液晶パネル８２との間、およびソース側駆動回路基板８６と液晶パネル８２との間はいずれもＡＣＦ９０によって電気的に接続されている。
【００６７】
図４に示すようにＦＰＣ８８には、外部回路基板などから供給されるゲート用駆動信号およびソース用駆動信号がそれぞれ入力される複数のゲート用配線９８およびソース用配線１００が設けられている。また、ＡＣＦ９０が付与されている接着領域９０Ｒでは、各配線にそれぞれ端子９８Ｔおよび１００Ｔが設けられている。
【００６８】
また、ゲート側駆動回路基板８４の第２基板８５には、ゲート側駆動回路８４ｃにゲート用駆動信号を入力するゲート入力配線１０４と、ゲート側駆動回路８４ｃからゲート用駆動信号を出力するゲート出力配線１０５とが設けられている。ＡＣＦ９０が付与されている接着領域９０Ｒにおいて、ゲート入力配線１０４およびゲート出力配線１０５に、それぞれ端子１０４Ｔおよび１０５Ｔが設けられている。このゲート側駆動回路基板８４と同様にソース側駆動回路基板８６の第２基板８７には、ソース入力配線１０６、ソース出力配線１０７、端子１０６Ｔおよび１０７Ｔが設けられている。
【００６９】
第１基板９２には、ＦＰＣ８８のゲート用配線９８と第２基板８５のゲート入力配線１０４とを接続するためのパネル内配線１０８、およびＦＰＣ８８のソース用配線１００と第２基板８７のソース入力配線１０６とを接続するためのパネル内配線１０９が設けられている。パネル内配線１０８の両端にはそれぞれ、端子１０８Ｔ１および１０８Ｔ２が設けられており、端子１０８Ｔ１および１０８Ｔ２はそれぞれ端子９８Ｔおよび端子１０４Ｔに接続される。なお図４で、例えば参照符号「９８Ｔ（１０８Ｔ１）」は、端子９８Ｔの下側に端子１０８Ｔ１が配置されていることを示している。
【００７０】
パネル内配線１０８と同様にパネル内配線１０９の両端にもそれぞれ、端子１０９Ｔ１および１０９Ｔ２が設けられており、端子１０９Ｔ１および１０９Ｔ２はそれぞれ、端子１００Ｔおよび端子１０６Ｔに接続される。さらに第１基板９２には、第２基板８５のゲート用出力配線１０５と電気的に接続するようにゲートバスライン用引き出し線１１０が設けられており、ゲートバスライン用引き出し線１１０の端部には、端子１０５Ｔに接続するように端子１１０Ｔが設けられている。また第１基板９２には、第２基板８７のソース用出力配線１０７と電気的に接続するようにソースバスライン用引き出し線１１１が設けられており、ソースバスライン用引き出し線１１１の端部には、端子１０７Ｔに対応するように端子１１１Ｔが設けられている。
【００７１】
上述のＦＰＣ８８および第２基板８７は、第１基板９２のソース側端子部領域８２ｂにＡＦＣ９０（接着領域を９０Ｒで示す）によって接着されている。またこれと同様に、第２基板８５は、第１基板９２のゲート側端子部領域８２ａにＡＦＣ９０によって接着されている。これにより、ＡＦＣ９０中の異方性導電粒子により、端子９８Ｔと端子１０８Ｔ１との間、端子１０８Ｔ２と端子１０４Ｔとの間、端子１０５Ｔと端子１１０Ｔとの間、端子１０６Ｔと端子１０９Ｔ２との間、および端子１０７Ｔと端子１１１Ｔとの間が、電気的に接続される。
【００７２】
液晶表示装置８０では上述の各配線を従来よりも小さいピッチで設けても、高い信頼性で電気的に接続することができた。以下に、液晶表示装置８０の接続領域９８Ｒでの各端子のピッチおよび各端子の幅を示す。
（配線９８と配線１０８との間、配線１００と配線１０９との間の接続）
端子９８Ｔのピッチ、端子１００Ｔのピッチ、端子１０８Ｔ１のピッチ、および端子１０９Ｔ１のピッチａ；０．３ｍｍ、
端子９８Ｔの幅および端子１００Ｔの幅；０．１ｍｍ、
端子１０８Ｔ１の幅および端子１０９Ｔ１の幅；０．２ｍｍ、
（配線１０９と配線１０６との間、配線１０８と配線１０４との間の接続）
端子１０８Ｔ２のピッチ、端子１０９Ｔ２のピッチ、端子１０４Ｔのピッチおよび端子１０６Ｔのピッチｂ；０．３ｍｍ、
端子１０４Ｔの幅および端子１０６Ｔの幅；０．３ｍｍ、
端子１０８Ｔ２の幅および端子１０９Ｔ２の幅；０．１ｍｍ、
（配線１０７と配線１１１との間の接続）
端子１０７Ｔのピッチおよび端子１１１Ｔのピッチｃ；０．０７ｍｍ、
端子１０７Ｔの幅；０．０４ｍｍ、
端子１１１Ｔの幅；０．０４ｍｍ、
（配線１０５と配線１１０との間の接続）
端子１０５Ｔのピッチおよび端子１１０Ｔのピッチｄ；０．２ｍｍ、
端子１０５Ｔの幅；０．１ｍｍ、
端子１１０Ｔの幅；０．１ｍｍ
なお、上述の液晶表示装置８０ではＦＰＣ８８が第１基板９２に接続されているが、これに代えて、ゲート側駆動回路基板８４とソース側駆動回路基板８６との両方にそれぞれＦＰＣが接続されていてもよい。以下、この液晶表示装置について図５を参照しながら説明する。
【００７３】
本実施例の改変例の液晶表示装置８１では、ゲート側駆動回路基板８４の第２基板８５にＦＰＣ８８ａがＡＣＦによって接着され、さらに、ソース側駆動回路基板８６の第２基板８７にＦＰＣ８８ｂがＡＣＦによって接着されている。従って、ＦＰＣ８８ａからそれぞれ出力されたゲート駆動信号およびＦＰＣ８８ｂから出力されたソース駆動信号はＡＣＦを介してそれぞれ、ゲート側駆動回路基板８４およびソース側駆動回路基板８６に供給される。これにより、図４のパネル内配線１０８、１０９を介してＦＰＣ８８ゲート側駆動回路基板８４またはソース側駆動回路基板８６とを接続する場合に比べて、ＦＰＣ８８ａとゲート側駆動回路基板８４との間の信号伝達距離および、ＦＰＣ８８ｂとソース側駆動回路基板８６との間の信号伝達距離を短くすることができるので、抵抗値を低くすることができる。なお、上述の実施例では基板間の接着および電気的接続のためにＡＣＦを用いた例を説明したが、基板間の接続方法はこれに限られない。例えば、接続すべき基板間をワイヤで結合し、熱硬化性樹脂でモールドしても良い。
【００７４】
【発明の効果】
上述したように、駆動回路基板が高い電気的信頼性で表示パネルに接続可能であり、また、駆動回路を表示パネルに接着しても表示パネルの品質の低下が抑制される表示装置およびその製造方法を提供することができた。本発明は大型の表示装置に特に好適に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は本発明の表示装置を模式的に示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）の１Ｂ―１Ｂ’断面図である。
【図２】（ａ）は本発明の一実施例に係る液晶表示装置の平面図であり、（ｂ）は（ａ）の２Ａ―２Ａ’断面図である。
【図３】（ａ）は第１基板と第２基板とを接着する方法を模式的に示す図であり、（ｂ）は第１基板と第２基板とに付与される温度勾配を説明するグラフである。
【図４】図２（ａ）の４Ａ領域の拡大図である。
【図５】本実施例の改変例の液晶表示装置を示す図である。
【図６】一般的なＴＣＰ方式の表示装置を示す図である。
【図７】一般的なＣＯＧ方式の表示装置を示す図である。
【図８】一般的なＧＯＧ方式の表示装置を示す図である。
【符号の説明】
１１ガラス基板
１２ＴＣＰ
１３ＰＷＢ
１４ＴＣＰ
１５ＰＷＢ
１６ＦＰＣ
２１ガラス基板
２２駆動回路
２３ＦＰＣ
２４駆動回路
２５ＦＰＣ
３１ガラス基板
３２ガラス基板
３３ガラス基板
３４ＦＰＣ
５０表示装置
５２表示パネル
５３第１の基板
５４駆動回路基板
５５第２の基板
５６熱硬化性樹脂
８０液晶表示装置
８１液晶表示装置
８２液晶パネル
８２ａゲート側端子部領域８２ｂ
８２ｂソース側端子部領域８２ｂ
８４ゲート側駆動回路基板
８４ｃゲート用駆動回路
８５第２基板
８６ソース側駆動回路基板
８６ｃソース用駆動回路
８７第２基板
８８ＦＰＣ
８８ａＦＰＣ
８８ｂＦＰＣ
９０ＡＣＦ
９０Ｒ接着領域
９４対向基板
９６液晶層
９８ゲート用配線
９８Ｔ端子
１００ソース用配線
１００Ｔ端子
１０４ゲート入力配線
１０４Ｔ端子
１０５ゲート出力配線
１０５Ｔ端子
１０６ソース入力配線
１０６Ｔ端子
１０７ソース用出力配線
１０７Ｔ端子
１０８パネル内配線
１０８Ｔ１端子
１０８Ｔ２端子
１０９パネル内配線
１０９Ｔ１端子
１０９Ｔ２端子
１１０ゲートバスライン用引き出し線
１１０Ｔ端子
１１１ソースバスライン用引き出し線
１１１Ｔ端子
２００Ｈ加熱ツール
２００Ｌ加熱ツール[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a display device and a manufacturing method thereof.
[0002]
[Prior art]
Currently, a TCP (Tape Carrier Package) method, a COG (Chip on Glass) method, or a monolithic method is mainly used for connection between a display panel of a liquid crystal display device and a driver that drives the display panel.
[0003]
For example, in the TCP type display device shown in FIG. 6, a plurality of

TCPs

12 and 14 are connected to a glass substrate 11 included in the display panel, and these

TCPs

12 and 14 are respectively connected via PWB (Printed Wire Bonding) 13 and 15. An FPC (Flexible Printed Circuit) 16 is connected. For example, an external circuit board (not shown) is connected to the FPC 16, and signals from the external circuit board are supplied to the

TCPs

12 and 14 via the FPC 16 and the

PWBs

13 and 15 to drive the display panel.
[0004]
For example, in the COG display device shown in FIG. 7, a plurality of IC chips 22 and 24 (hereinafter referred to as drive circuits) are mounted on a glass substrate 21 included in the display panel. FPCs 23 and 25 are connected to each other. The

FPCs

23 and 25 are connected to, for example, an external circuit board (not shown), and signals from the external circuit board are supplied to the

TCPs

12 and 14 via the

FPCs

23 and 25 to drive the display panel.
[0005]
The above-described TCP-type or COG-type display devices have been mass-produced in the past, and are excellent in product quality and reliability, but have a problem that a large number of parts are required and manufacturing costs are high.
[0006]
On the other hand, in the monolithic display device, the above-described drive circuit in the COG method is built in the glass substrate of the display panel by a low-temperature polycrystalline technique. Therefore, a monolithic display device requires fewer parts and can reduce material costs and mounting processing costs as compared with a TCP or COG display device. However, since the drive circuit is built in the glass substrate of the display panel, the design of the display panel becomes complicated. Thereby, there is a problem that the yield rate of the display panel is lowered in the manufacturing process, and the yield is deteriorated.
[0007]
Therefore, a GOG (Glass on Glass) method has been proposed to solve the problems in the monolithic method. This GOG type display device is disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 4-283727.
[0008]
For example, as shown in FIG. 8, the GOG type display device includes a display panel including a glass substrate 31, a drive circuit board on which drive circuits (not shown) are mounted on glass substrates 32 and 33, And an FPC 34. In this GOG type display device, drive circuits are provided on glass substrates 32 and 33 different from the glass substrate 31 of the display panel. The glass substrates 32 and 33 of the drive circuit substrate are bonded and electrically connected to the glass substrate 31 of the display panel by an anisotropic conductive film (ACF: Anisotropic Conductor Film). This GOG type display device is easier to structure than the monolithic type. In addition, since the driver circuit and the display panel are manufactured in separate steps, the yield rate can be improved compared to the monolithic method, and the display device can be manufactured with high yield.
[0009]
[Problems to be solved by the invention]
However, the GOG method described above has been difficult to use particularly for large display devices for the reasons described below.
[0010]
In the GOG method described above, it is necessary to heat and cure the ACF in order to bond the glass substrates 32 and 33 of the drive circuit substrate to the glass substrate 31 of the display panel. Since the glass substrate 31 of the display panel is formed with a layer (for example, a polarizing plate) having a lower heat resistance than the drive circuit substrate, the glass substrates 32 and 33 of the drive circuit substrate are heated higher than the glass substrate 31 of the display panel. Thus, a desired temperature is applied to the ACF by applying a temperature gradient between the glass substrate 31 and the glass substrates 32 and 33. The temperature difference between the glass substrates 32 and 33 and the glass substrate 31 during the heating is, for example, about 100 ° C. or more.
[0011]
If the above temperature gradient is applied when the glass substrate 31 of the display panel and the glass substrates 32 and 33 of the drive circuit substrate are bonded, there is a large difference in the amount of heat given to the glass substrate 31 and the glass substrates 32 and 33, respectively. There arises a problem that the thermal stress at the time of bonding remains after the connection.
[0012]
For example, a glass substrate having the same thermal expansion coefficient is used for the drive circuit board (a board having a long side to be bonded of about 300 mm) and the display panel, and the glass board of the drive circuit board is placed on one side of the glass substrate of the display panel. A case of bonding with a bonding length of 300 mm will be described. The temperature of the glass substrate of the display panel was heated about 100 ° C. lower than the glass substrate of the drive circuit substrate, and a desired temperature was applied to the ACF. As a result, the glass substrate of the drive circuit substrate extended 120 μm or more with respect to the glass substrate of the display panel.
[0013]
As described above, when the glass substrate of the drive circuit substrate is fixed to the glass substrate of the display panel by the ACF in a state in which the glass substrate of the display panel is extended from the glass substrate of the display panel, A large force is applied to the substrate in the direction in which the glass substrate of the drive circuit substrate shrinks. At this time, when the glass substrate of the display panel is disposed on the lower side, the side of the glass substrate of the display panel to which the glass substrate of the drive circuit substrate is bonded warps upward. As a result, it was confirmed that the quality of the display panel deteriorates, such as the glass substrate of the display panel being easily broken or the glass substrate of the display panel being deformed. Furthermore, it was confirmed that the glass substrate of the drive circuit substrate peeled off from the glass substrate of the display panel when left in a humidity environment.
[0014]
Further, when the glass substrate of the drive circuit board is extended, the glass substrate of the drive circuit board is displaced with respect to the glass substrate of the display panel, and the display panel and the drive circuit board can be electrically connected with high accuracy. It becomes difficult. In particular, in the display device described above, the pixel pitch of the display panel (the pitch between the pixel electrodes) may exceed the amount of extension (120 μm or more) of the drive circuit board. In this case, the drive circuit board and the display panel are separated from each other. It becomes difficult to make an electrical connection.
[0015]
The present invention has been made to solve the above problems, and the drive circuit board can be connected to the display panel with high electrical reliability. Even if the drive circuit is bonded to the display panel, the display panel It is an object of the present invention to provide a display device in which deterioration of quality is suppressed and a manufacturing method thereof.
[0016]
[Means for Solving the Problems]
A display device according to a first aspect of the present invention is a display device having a display panel having a plurality of pixels for performing display, and a drive circuit substrate, wherein the display panel includes a first substrate, and the drive circuit The substrate includes a second substrate and a drive circuit that is formed on the second substrate and supplies a signal to the pixel, and the second substrate is bonded to the first substrate using a thermosetting resin. The thermal expansion coefficient of the second substrate is smaller than the thermal expansion coefficient of the first substrate, thereby solving the above problem.
[0017]
For example, the ratio α1 / α2 of the thermal expansion coefficient α1 of the first substrate to the thermal expansion coefficient α2 of the second substrate is in the range of 1.0 <α1 / α2 <2.6.
[0018]
A display device according to a second aspect of the present invention is a display device having a display panel having a plurality of pixels for performing display and a drive circuit substrate, wherein the display panel includes a first substrate, and the drive circuit The substrate includes a second substrate and a drive circuit that is formed on the second substrate and supplies a signal to the pixel, and the second substrate is bonded to the first substrate using a thermosetting resin. In addition, the product of the thermal expansion coefficient and the elastic modulus of the second substrate is smaller than the product of the thermal expansion coefficient and the elastic modulus of the first substrate, thereby solving the above problem.
[0019]
The thickness of the second substrate is preferably smaller than the thickness of the first substrate.
[0020]
A display device according to a third aspect of the present invention is a display device having a display panel having a plurality of pixels for performing display and a drive circuit substrate, wherein the display panel includes a first substrate, and the drive circuit The substrate includes a second substrate and a drive circuit that is formed on the second substrate and supplies a signal to the pixel, and the second substrate is bonded to the first substrate using a thermosetting resin. The thickness of the second substrate is smaller than the thickness of the first substrate, thereby solving the above-mentioned problem.
[0021]
The ratio of the thickness of the second substrate to the thickness of the first substrate is, for example, 5/7 or less.
[0022]
The display panel includes a plurality of pixel electrodes provided on the first substrate, a counter electrode facing the plurality of pixel electrodes, and a display medium disposed between the plurality of pixel electrodes and the counter electrode. The display medium layer may include a liquid crystal material, an organic EL, or an inorganic EL.
[0023]
According to another aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a display device, comprising: a step of preparing a display panel including a plurality of pixels that display a first substrate; a second substrate; the second substrate; and the pixels formed on the second substrate. And a predetermined region between the first substrate and the second substrate by preparing a drive circuit substrate including a drive circuit for supplying a signal to the substrate, and setting the second substrate at a higher temperature than the first substrate. And a step of adhering the second substrate to the first substrate by curing the thermosetting resin applied to the first substrate, wherein a thermal expansion coefficient of the second substrate is greater than a thermal expansion coefficient of the first substrate. Is also small.
[0024]
It is preferable that the thickness of the second substrate is smaller than the thickness of the first substrate.
[0025]
Another method of manufacturing a display device according to the present invention includes a step of preparing a display panel including a first substrate and having a plurality of pixels for display, a second substrate, formed on the second substrate, and A step of preparing a drive circuit substrate including a drive circuit for supplying a signal to the pixel, and a temperature of the second substrate higher than that of the first substrate, and a temperature of the second substrate higher than that of the first substrate. Bonding the second substrate to the first substrate by curing a thermosetting resin applied to a predetermined region between the first substrate and the second substrate, The thickness of the second substrate is smaller than the thickness of the first substrate.
[0026]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
The present invention is suitably applied to a GOG type display device in which a drive circuit is provided on a substrate different from the display panel and the substrate and the display panel are bonded to each other. The display device of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 (a) and 1 (b). FIG. 1A is a plan view schematically showing a display device 50 of the present invention, and FIG. 1B is a sectional view taken along the line 1B-1B ′ of FIG.
[0027]
As shown in FIG. 1A, the display device 50 of the present invention includes a display panel 52 having a plurality of pixels for performing display, and a drive circuit board 54. The display panel 52 includes a first substrate 53. For example, a liquid crystal panel, an organic EL, or an inorganic EL is preferably used for the display panel 52. The drive circuit board 54 includes a second board 55 and a drive circuit provided on the second board 55. This drive circuit supplies a drive signal to the pixels of the display panel 52. In FIG. 1A, a plurality of pixels included in the display panel 52 and a drive circuit included in the drive circuit substrate 54 are omitted, and the display panel 52 and the drive circuit substrate in FIG. Reference numerals 54 substantially denote a first substrate 53 and a second substrate 55, respectively.
[0028]
As shown in FIG. 1B, the display device 50 having the display panel 52 and the drive circuit board 54 described above is configured by bonding a second substrate 55 to a first substrate 53 with a thermosetting resin 56. ing.
[0029]
The display device 50 according to the first aspect of the present invention is characterized in that the thermal expansion coefficient of the second substrate 55 is smaller than the thermal expansion coefficient of the first substrate 53.
[0030]
In the display device 50, in order to adhere the second substrate 55 to the first substrate 53 with the thermosetting resin 56, it is necessary to heat the thermosetting resin 56 to a curing temperature or higher in the manufacturing process of the display device 50. is there. In this bonding step, a temperature gradient is applied so that the drive circuit board 54 has a higher temperature than the display panel 52, and a predetermined temperature is applied to the thermosetting resin 56 to be cured. That is, as shown in FIG. 1B, the first substrate 53 included in the display panel 52 is heated to a temperature TL, and the second substrate 55 included in the drive circuit substrate 54 is heated to a temperature TH (TH> TL). . Thereby, compared with the case where the 1st board | substrate 53 and the 2nd board | substrate 55 are heated to the same temperature, and predetermined temperature is given to the thermosetting resin 56, the heating temperature of the 1st board | substrate 53 can be lowered | hung. . Since the display panel 52 includes a layer made of a material having low heat resistance, it is possible to prevent the deterioration of the layer having low heat resistance by lowering the heating temperature of the first substrate 53.
[0031]
As described above, in the display device 50 according to the first aspect of the present invention, the thermal expansion coefficient of the second substrate 55 is smaller than the thermal expansion coefficient of the first substrate 53. As a result, in the step of bonding the drive circuit board 54 to the display panel 52, when the temperature gradient is applied so that the second substrate 55 has a higher temperature than the first substrate 53, the first substrate and the second substrate are heated. The difference between the thermal expansion amount of the first substrate 53 and the thermal expansion amount of the second substrate 55 is reduced at the bonding portion between the first substrate 53 and the second substrate 55 as compared with the case where the substrates having the same expansion coefficient are used. be able to. Accordingly, the thermal stress that can be generated due to the difference in thermal expansion between the first substrate 53 and the second substrate 55 can be reduced in the bonding process between the display panel 53 and the drive circuit board 54. When the temperature is returned to room temperature, warpage of the first substrate due to thermal contraction of the second substrate can be reduced. Thereby, a deformation | transformation, a crack, etc. of a display panel are prevented and the fall of the quality of a display panel is suppressed.
[0032]
In particular, in a large display device, since the bonding length between the drive circuit board and the display panel is increased, the difference between the thermal expansion amount of the first substrate and the thermal expansion amount of the second substrate is increased. Therefore, the display device of the present invention can be suitably used for a large display device, for example, a display device having a side of 200 mm or more.
[0033]
In addition, in the display device 50, the difference between the thermal expansion amount of the first substrate 53 and the thermal expansion amount of the second substrate 55 is small as compared with the case where the substrates having the same thermal expansion coefficient are used as the first substrate and the second substrate. The wiring provided on the first substrate 53 and the wiring provided on the second substrate 55 can be electrically connected with high accuracy and reliability. Furthermore, even if the wiring pitch of the first substrate 53 and the second substrate 55 is reduced, they can be electrically connected with high reliability, so that the display device can be further refined.
[0034]
As the first substrate 53 and the second substrate 55, it is preferable to use substrates whose thermal expansion coefficients satisfy the following relationship.
[0035]
The thermal expansion coefficient of the first substrate 53 is α1, the thermal expansion coefficient α2 of the second substrate 55, the ACF curing temperature is T0, the temperature of the first substrate 53 during curing is T1, and the temperature of the second substrate 55 during curing is T2, and the difference (temperature gradient) between T1 and T2 is ΔT, and the room temperature is TR. In the display device 50, the ratio α1 / α2 of the thermal expansion coefficient α2 of the second substrate 55 to the thermal expansion coefficient α1 of the first substrate 53 is expressed by the following formula 1.
α1 / α2 = (T2-TR) / (T1-TR) (Formula 1)
Since the thermal expansion amount of the first substrate 53 and the thermal expansion amount of the second substrate 55 become equal when satisfying the above condition, it is most preferable. For example, T1 is set to 150 ° C., T2 is set to 250 ° C., and TR is set to 25 ° C. At this time, the ideal α1 / α2 is 1.8 from the above equation 1. If α1 / α2 is in the range of 1.0 <α1 / α2 <2.6, the display panel 53 and the driving circuit are compared with the case where the first substrate 53 and the second substrate 55 have the same thermal expansion coefficient. The thermal stress generated by the difference in thermal expansion between the first substrate 53 and the second substrate 55 in the bonding process with the substrate 54 can be reduced. α1 / α2 is preferably in the range of 1.4 ≦ α1 / α2 ≦ 2.2.
[0036]
In the display device 50 according to the first aspect, it is preferable that the thickness of the second substrate 55 is smaller than the thickness of the first substrate 53. Accordingly, the heating temperature of the second substrate 55 is set lower than when the first substrate 53 and the second substrate 55 having the same thickness are used, and the second substrate 55 is placed on the first substrate 53. Can be glued. If the heating temperature of the second substrate 55 can be further lowered, the amount of thermal expansion of the second substrate 55 can be further reduced, and therefore it is generated due to the difference in the amount of thermal expansion between the first substrate 53 and the second substrate 55. The obtained thermal stress can be further reduced, and the warp of the first substrate after cooling can be further reduced.
[0037]
Regarding the thickness of the first substrate 53 and the second substrate 55, the ratio of the thickness of the second substrate 55 to the thickness of the first substrate 53 is preferably about 5/7 or less.
[0038]
The display device according to the second aspect of the present invention is characterized in that the thickness of the second substrate 55 included in the drive circuit substrate 54 is smaller than the thickness of the first substrate 53 included in the display panel 52. This also provides the same effect as the display device 50 according to the first aspect.
[0039]
In the display device of the present invention according to the third aspect, the product of the thermal expansion coefficient and the elastic modulus of the second substrate 55 is smaller than the product of the thermal expansion coefficient and the elastic modulus of the first substrate 53. It is a feature. This also provides the same effect as the display device 50 according to the first aspect.
[0040]
Specifically, the ratio of the product of the thermal expansion coefficient α2 and the elastic modulus of the second substrate 55 to the product of the thermal expansion coefficient α1 and the elastic modulus of the first substrate 53 is larger than 1.0 and 2.6. It is preferable that it is less than, and it is more preferable that it exists in the range of 1.4 or more and 2.2 or less.
[0041]
In this case, it is more preferable that the thermal expansion coefficient of the second substrate 55 is smaller than the thermal expansion coefficient of the first substrate 53 and the elastic modulus of the second substrate 55 is smaller than the elastic modulus of the first substrate 53.
[0042]
Examples will be described below.
(Example)
A liquid crystal display device 80 of Example 1 will be described with reference to FIG. 2A is a plan view of the liquid crystal display device 80, and FIG. 2B is a cross-sectional view taken along the line 2A-2A ′ of FIG.
[0043]
As shown in FIG. 2A, the liquid crystal display device 80 includes a liquid crystal panel (display panel) 82, a gate side drive circuit board 84, a source side drive circuit board 86, and an FPC 88. The gate side drive circuit board 84, the source side drive circuit board 86, and the FPC 88 are all bonded to the liquid crystal panel 82 by the ACF 90. As will be described later, the ACF 90 contains a thermosetting resin and a conductive material. The gate side driving circuit board 84, the source side driving circuit board 86, and the FPC 88 are bonded to the liquid crystal panel 82 and electrically Connected.
[0044]
As shown in FIG. 2A, the liquid crystal panel 82 is provided with a gate side terminal area 82a and a source side terminal area 82b in the peripheral area. The gate side drive circuit board 84 and the source side drive circuit board 86 are bonded to the gate side terminal area 82a and the source side terminal area 82b, respectively. Further, the FPC 88 is also bonded to the source side terminal area 82b.
[0045]
As shown in FIG. 2B, the liquid crystal panel 82 includes a first substrate 92 and a counter substrate 94 disposed so as to face each other, and a liquid crystal layer 96 disposed between these substrates. In the gate side terminal portion region 82a and the source side terminal portion region 82b, the first substrate 92 does not face the counter substrate 94, and the gate side drive circuit substrate 84 and the source side drive circuit substrate 86 are bonded by the ACF 90, respectively. The ACF 90 is attached to almost all of one side (longer side) of the gate side drive circuit board 84 and the source side drive circuit board 86.
[0046]
The gate side drive circuit substrate 84 has a second substrate 85 and a gate drive circuit 84 c mounted on the second substrate 85. As will be described in detail later, the gate drive circuit 84 c supplies a gate drive signal to the gate bus line of the liquid crystal panel 82. Similar to the gate side drive circuit substrate 84, the source side drive circuit substrate 86 also includes a second substrate 87 and a source drive circuit 86 c mounted on the second substrate 87. The source drive circuit 86 c supplies a source drive signal to the source bus line of the liquid crystal panel 82.
[0047]
In the liquid crystal display device 80, the first substrate 92 and the second substrate 85, the first substrate 92 and the second substrate 87, and the first substrate 92 and the FPC 88 are all bonded by the ACF 90. ing. The ACF 90 has a structure in which, for example, anisotropic conductive particles are dispersed in an epoxy resin. ACF90 is cured at a pressure of 2 MPa and a temperature of about 200 ° C., and the above members are bonded to each other. Further, the above-mentioned members are electrically connected to each other by the anisotropic conductive particles contained in the ACF 90. Note that the connection resolution of the ACF 90 used in the present embodiment varies depending on the size and degree of dispersion of the conductive particles, but has an ability of about 50 μm pitch or less. Here, the connection resolution refers to, for example, the electrical connection between terminals of other substrates facing each other through the ACF, no matter how small the inter-terminal pitch of a plurality of terminals (for example, source terminals or gate terminals) arranged on the substrate is. It is an index indicating whether or not the connection can be made, and is determined by the ability of ACF90. The connection resolution of about 50 μm or less means that even if the pitch between the terminals is reduced to about 50 μm, it can be electrically connected to the terminals to be connected facing each other.
[0048]
The first substrate 92 which is a component of the liquid crystal panel 82 has a thickness of 0.7 mm and a thermal expansion coefficient of 4.0 × 10. ^-6 A substrate made of aluminoborosilicate glass at / ° C was used. On the other hand, the

second substrates

85 and 87 which are constituent elements of the gate side drive circuit substrate 84 and the source side drive circuit substrate 86 include three types of aluminoborosilicate glass substrates having different thicknesses and / or thermal expansion coefficients. α, β or γ was used.
[0049]
Next, an example of a method for bonding the first substrate 92 and the second substrate 85 and between the first substrate 92 and the second substrate 87 with the ACF 90 will be described with reference to FIG. FIG. 3A is a view schematically showing a method of bonding the first substrate 92 and the second substrate 87, and FIG. 3B is a temperature applied to the first substrate 92 and the second substrate 87. FIG. It is a graph explaining a gradient. In the following, a method of bonding the first substrate 92 and the second substrate 87 will be described, but the bonding of the first substrate 92 and the second substrate 85 is performed in the same manner.
[0050]
In order to cure the ACF 90, as shown in FIG. 3A, the first substrate 92 is heated with the heating tool 200L, and the second substrate 87 is heated with the heating tool 200H. At this time, a temperature gradient is applied so that the temperature of the heating tool 200L is lower than that of the heating tool 200H, and the ACF 90 provided between the first substrate 92 and the second substrate 87 is set to 200 ° C. The set temperatures of the

heating tools

200H and 200L were determined as shown in FIG. 3B in consideration of the thickness of each substrate.
[0051]
The temperature of the heating tool 200L was set to 100 ° C. as shown in FIG. The temperature of the heating tool 200H is set to 300 ° C. when the substrate β (thickness 0.7 mm) is used as the second substrate 87, and the substrate α or γ (thickness 0.5 mm) is used as the second substrate 87. Sometimes it was set at 270 ° C. Table 1 shows the average temperatures of the first substrate 92 and the second substrate 87 at each temperature setting.
[0052]
[Table 1]

[0053]
Under the above-described conditions, a temperature gradient was applied between the first substrate 92 and the second substrate 87 to cure the ACF 90, and the first substrate 92 and the second substrate 87 were bonded. Further, the difference between the elongation amount (thermal expansion amount) of the first substrate 92 and the elongation amount of the second substrate 87 during heating was calculated. As a comparative example, both the first substrate and the second substrate have a thickness of 0.7 mm and a thermal expansion coefficient of 4.0 × 10. ^-6 An elongation amount was calculated when a substrate made of aluminoborosilicate glass at / ° C was used, the temperature of the heating tool 200L was set to 100 ° C, and the temperature of the heating tool 200H was set to 300 ° C. As shown in FIG. 2A, the bonding length 87W of the second substrate 87 to the first substrate 92 is the length (long side) of the second substrate 87 in both of the present example and the comparative example. And is approximately 300 mm. Moreover, normal temperature shall be 25 degreeC.
[0054]
The difference between the amount of elongation of the first substrate 92 and the amount of elongation of the second substrate 87 was calculated using Equation 2 below. Difference between extension amount of first substrate 92 and extension amount of second substrate 87 = elongation amount of second substrate 87−elongation amount of first substrate 92 = (average temperature of second substrate 87−normal temperature) × second substrate Thermal expansion coefficient of 87 × length of second substrate 87− (average temperature of first substrate 92−normal temperature) × thermal expansion coefficient of first substrate 92 × length of first substrate 92 (formula 2)
For example, when the substrate γ is used for the second substrate 87, the difference in elongation (difference in thermal expansion) is
(236-25) × 3.0 × 10 ^-6 × 300- (150-25) × 4.0 × 10 ^-6 × 300 = 39μm (≒ 40μm)
Therefore, it is about 40 μm. On the other hand, the difference in elongation of the comparative example is
(250-25) × 4.0 × 10 ^-6 × 300- (150-25) × 4.0 × 10 ^-6 × 300 = 120μm
Therefore, it is 120 μm. Therefore, when the substrate γ is used as the second substrate 87, the difference in elongation can be reduced by 80 μm compared to the comparative example.
[0055]
As shown in Table 1, when the substrate α is used as the second substrate 87, the difference in elongation is 103 μm, and when the substrate β is used as the second substrate 87, the elongation is 53 μm. Therefore, when the substrates α and β are used for the second substrate 87, the amount of elongation can be reduced by 17 μm and 67 μm, respectively, as compared with the comparative example.
[0056]
As described above, by making the thermal expansion coefficient and / or thickness of the second substrate 87 smaller than that of the first substrate 92 as in the present embodiment, the first and second thermal expansion coefficients and thicknesses are comparable. Since the heating temperature of the second substrate 87 can be lowered as compared with the case where two substrates are used, the amount of extension of the first substrate 92 and the second substrate at the bonding portion between the first substrate 92 and the second substrate 87 can be reduced. The difference from the amount of elongation of 87 can be reduced. As a result, the thermal stress that can be generated by the difference in thermal expansion between the first substrate 92 and the second substrate 87 can be reduced. Cracks and the like are prevented, and deterioration of the display panel quality is suppressed.
[0057]
As described above, when the thickness of the first substrate 92 is set to 0.7 mm and the thickness of the second substrate 87 is set to 0.5 mm, the thickness of the second substrate 87 is larger than the case where the thicknesses of both the substrates are the same. The heating temperature can be lowered by about 15 ° C., and as a result, thermal stress can be reduced. Thus, the ratio of the thickness of the second substrate 87 to the thickness of the first substrate 92 is preferably 5/7 or less.
[0058]
As the ratio of the thermal expansion coefficient of the second substrate to the first substrate is larger, the difference between the elongation amount of the first substrate and the elongation amount of the second substrate can be suppressed, but when the thermal expansion coefficient is increased, the glass density is reduced. As a result, the weight of the display device increases and the weight of the display device is prevented. Therefore, it is preferable to select a thermal expansion coefficient as appropriate in consideration of these problems. In this example, borosilicate glass was used for the first and second substrates, but the thermal expansion coefficient of a generally available borosilicate glass is about 3.0 × 10. ^-6 ~ 5.0 × 10 ^-6 In order to increase the ratio of the coefficient of thermal expansion of the second substrate to that of the first substrate, for example, borosilicate glass is used for the first substrate, and the second substrate is more thermally expanded than borosilicate glass. Quartz glass having a small coefficient may be used.
[0059]
As will be described later with reference to FIG. 4, the amount of thermal expansion of the

second substrate

85, 87 can be reduced with respect to the first substrate 92, so that the first and

second substrates

92, 85, 87 are over. Even if the wiring is provided at a narrow interval, the first substrate 92 and the second substrate 85 and the first substrate 92 and the second substrate 87 can be electrically connected with high reliability.
[0060]
Hereinafter, the liquid crystal display device 80 will be described in more detail with reference to FIG.
[0061]
In the liquid crystal panel 82, the surface of the first substrate 92 on the liquid crystal layer 96 side has gate bus lines extending in the row direction, source bus lines extending in the column direction, a plurality of pixel electrodes arranged in a matrix, and TFTs (all of these). Are indicated by the layer of reference numeral 92C in FIG. 2B). Both the gate bus line and the source bus line are formed of an Al thin film, and the TFT is formed using a-Si (amorphous silicon). The TFT is provided between the pixel electrode and the source bus line, and ON / OFF is controlled by a signal from the gate bus line.
[0062]
On the other hand, a counter electrode and a color filter layer (not shown) are provided on the surface of the counter substrate 94 on the liquid crystal layer side, although none is shown. The counter substrate 94 is made of, for example, aluminoborosilicate glass similar to the first substrate 92.
[0063]
The FPC 88 is configured by providing a gate wiring 98 and a source wiring 100 on the surface of a polyimide base material. The gate wiring 98 and the source wiring 100 are formed by patterning a copper (Cu) foil. The FPC 88 is electrically connected to an external board (control board) (not shown). A gate drive signal and a source drive signal are formed on the external substrate, and the gate drive signal and the source drive signal are respectively connected to the gate side drive circuit substrate 84 via the gate wiring 98 and the source wiring 100 of the FPC 88. And supplied to the source side driving circuit board 86.
[0064]
A gate drive circuit 84c and a source drive circuit 86c are mounted on the gate side drive circuit board 84 and the source side drive circuit board 86, respectively. The gate drive signal and the source drive signal are supplied to the gate drive circuit 84c and the source drive circuit 86c, respectively. The gate drive circuit 84c and the source drive circuit 86c are electrically connected to the gate bus line and the source bus line of the liquid crystal panel, respectively, and the gate drive signal and the source drive signal are the gate bus line and the source, respectively. The signal is supplied to the bus line and displayed.
[0065]
Hereinafter, the electrical connection among the FPC 88, the gate side drive circuit board 84, the source side drive circuit board 86, and the display panel 82 will be described in more detail with reference to FIG. FIG. 4 is an enlarged view of the 4A region in FIG.
[0066]
As described above, between the FPC 88 and the liquid crystal panel 82, between the gate side drive circuit board 84 and the liquid crystal panel 82, and between the source side drive circuit board 86 and the liquid crystal panel 82 are electrically connected by the ACF 90. It is connected.
[0067]
As shown in FIG. 4, the FPC 88 is provided with a plurality of gate lines 98 and source lines 100 to which gate drive signals and source drive signals supplied from an external circuit board or the like are respectively input. Further, in the adhesion region 90R to which the ACF 90 is applied,

terminals

98T and 100T are provided for each wiring, respectively.
[0068]
Further, the second substrate 85 of the gate side drive circuit substrate 84 has a gate input wiring 104 for inputting a gate drive signal to the gate side drive circuit 84c, and a gate output for outputting the gate drive signal from the gate side drive circuit 84c. Wiring 105 is provided. In the adhesive region 90R to which the ACF 90 is applied, terminals 104T and 105T are provided on the gate input wiring 104 and the gate output wiring 105, respectively. Similar to the gate side drive circuit board 84, the second substrate 87 of the source side drive circuit board 86 is provided with a source input wiring 106, a source output wiring 107, and

terminals

106T and 107T.
[0069]
In the first substrate 92, the in-panel wiring 108 for connecting the gate wiring 98 of the FPC 88 and the gate input wiring 104 of the second substrate 85, and the source wiring 100 of the FPC 88 and the source input wiring of the second substrate 87 are used. An in-panel wiring 109 is provided for connecting to 106. Terminals 108T1 and 108T2 are provided at both ends of the in-panel wiring 108, respectively, and the terminals 108T1 and 108T2 are connected to the terminal 98T and the terminal 104T, respectively. In FIG. 4, for example, reference numeral “98T (108T1)” indicates that the terminal 108T1 is arranged below the terminal 98T.
[0070]
Similarly to the intra-panel wiring 108, terminals 109T1 and 109T2 are provided at both ends of the intra-panel wiring 109, respectively, and the terminals 109T1 and 109T2 are connected to the terminal 100T and the terminal 106T, respectively. Further, the first substrate 92 is provided with a gate bus line lead line 110 so as to be electrically connected to the gate output wiring 105 of the second substrate 85, and is provided at the end of the gate bus line lead line 110. The terminal 110T is provided so as to be connected to the terminal 105T. The first substrate 92 is provided with a source bus line lead line 111 so as to be electrically connected to the source output wiring 107 of the second substrate 87, and at the end of the source bus line lead line 111. Is provided with a terminal 111T so as to correspond to the terminal 107T.
[0071]
The FPC 88 and the second substrate 87 described above are bonded to the source-side terminal portion region 82b of the first substrate 92 by AFC 90 (the bonding region is indicated by 90R). Similarly, the second substrate 85 is bonded to the gate side terminal area 82 a of the first substrate 92 by AFC 90. Thereby, the anisotropic conductive particles in the AFC 90 cause between the terminal 98T and the terminal 108T1, between the terminal 108T2 and the terminal 104T, between the terminal 105T and the terminal 110T, between the terminal 106T and the terminal 109T2, and The terminal 107T and the terminal 111T are electrically connected.
[0072]
In the liquid crystal display device 80, even if each of the above-described wirings is provided at a smaller pitch than in the prior art, it can be electrically connected with high reliability. Below, the pitch of each terminal in the connection area | region 98R of the liquid crystal display device 80 and the width | variety of each terminal are shown.
(Connection between wiring 98 and wiring 108, connection between wiring 100 and wiring 109)
The pitch of the terminals 98T, the pitch of the terminals 100T, the pitch of the terminals 108T1, and the pitch a of the terminals 109T1; 0.3 mm;
The width of the terminal 98T and the width of the terminal 100T; 0.1 mm;
The width of the terminal 108T1 and the width of the terminal 109T1; 0.2 mm;
(Connection between the wiring 109 and the wiring 106 and between the wiring 108 and the wiring 104)
The pitch of the terminal 108T2, the pitch of the terminal 109T2, the pitch of the terminal 104T and the pitch b of the terminal 106T; 0.3 mm,
The width of the terminal 104T and the width of the terminal 106T; 0.3 mm;
The width of the terminal 108T2 and the width of the terminal 109T2; 0.1 mm;
(Connection between wiring 107 and wiring 111)
The pitch of the terminal 107T and the pitch c of the terminal 111T; 0.07 mm,
Width of terminal 107T; 0.04 mm;
Width of terminal 111T; 0.04 mm;
(Connection between wiring 105 and wiring 110)
The pitch of the terminals 105T and the pitch d of the terminals 110T; 0.2 mm;
Width of terminal 105T; 0.1 mm,
Terminal 110T width; 0.1 mm
In the liquid crystal display device 80 described above, the FPC 88 is connected to the first substrate 92. Instead, the FPC is connected to both the gate side drive circuit substrate 84 and the source side drive circuit substrate 86, respectively. May be. The liquid crystal display device will be described below with reference to FIG.
[0073]
In the modified liquid crystal display device 81 of the present embodiment, the FPC 88a is bonded to the second substrate 85 of the gate side driving circuit substrate 84 by ACF, and the FPC 88b is bonded to the second substrate 87 of the source side driving circuit substrate 86 by ACF. It is glued. Therefore, the gate drive signal output from the FPC 88a and the source drive signal output from the FPC 88b are respectively supplied to the gate side drive circuit board 84 and the source side drive circuit board 86 via the ACF. Thereby, compared with the case where the FPC 88 gate side drive circuit board 84 or the source side drive circuit board 86 is connected via the in-

panel wirings

108 and 109 of FIG. Since the signal transmission distance and the signal transmission distance between the FPC 88b and the source side drive circuit board 86 can be shortened, the resistance value can be lowered. In the above-described embodiment, the example in which the ACF is used for bonding and electrical connection between the substrates has been described. However, the connection method between the substrates is not limited thereto. For example, the substrates to be connected may be coupled with wires and molded with a thermosetting resin.
[0074]
【The invention's effect】
As described above, the display device in which the drive circuit board can be connected to the display panel with high electrical reliability, and the deterioration of the quality of the display panel is suppressed even when the drive circuit is bonded to the display panel, and the manufacture thereof Could provide a way. The present invention is particularly preferably applicable to a large display device.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1A is a plan view schematically showing a display device of the present invention, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along the line 1B-1B ′ of FIG.
2A is a plan view of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2B is a cross-sectional view taken along line 2A-2A ′ of FIG.
FIG. 3A is a diagram schematically illustrating a method of bonding a first substrate and a second substrate, and FIG. 3B illustrates a temperature gradient applied to the first substrate and the second substrate. It is a graph.
FIG. 4 is an enlarged view of a 4A region in FIG.
FIG. 5 is a diagram showing a liquid crystal display device according to a modification of the embodiment.
FIG. 6 is a diagram illustrating a general TCP display device.
FIG. 7 is a diagram showing a general COG display device.
FIG. 8 illustrates a general GOG display device.
[Explanation of symbols]
11 Glass substrate
12 TCP
13 PWB
14 TCP
15 PWB
16 FPC
21 Glass substrate
22 Drive circuit
23 FPC
24 Drive circuit
25 FPC
31 glass substrate
32 glass substrate
33 Glass substrate
34 FPC
50 Display device
52 Display panel
53 First substrate
54 Drive circuit board
55 Second substrate
56 Thermosetting resin
80 Liquid crystal display
81 Liquid crystal display device
82 LCD panel
82a Gate side terminal region 82b
82b Source side terminal area 82b
84 Gate side drive circuit board
84c Gate drive circuit
85 Second substrate
86 Source side drive circuit board
86c Source drive circuit
87 Second substrate
88 FPC
88a FPC
88b FPC
90 ACF
90R bonding area
94 Counter substrate
96 Liquid crystal layer
98 Gate wiring
98T terminal
100 source wiring
100T terminal
104 Gate input wiring
104T terminal
105 Gate output wiring
105T terminal
106 Source input wiring
106T terminal
107 Output wiring for source
107T terminal
108 In-panel wiring
108T1 terminal
108T2 terminal
109 In-panel wiring
109T1 terminal
109T2 terminal
110 Lead line for gate bus line
110T terminal
111 Lead-out line for source bus line
111T terminal
200H heating tool
200L heating tool

Claims

A display device having a display panel having a plurality of pixels for display and a drive circuit board,
The display panel includes a first glass substrate,
The drive circuit substrate includes a second glass substrate, and a drive circuit formed on the second glass substrate and supplying a signal to the pixel,
The second glass substrate is bonded to the first glass substrate using a thermosetting resin,
A display device in which a thermal expansion coefficient α2 of the second glass substrate is smaller than a thermal expansion coefficient α1 of the first glass substrate.

The display according to claim 1, wherein a ratio α1 / α2 of a thermal expansion coefficient α1 of the first glass substrate to a thermal expansion coefficient α2 of the second glass substrate is in a range of 1.0 <α1 / α2 <2.6. apparatus.

A display device having a display panel having a plurality of pixels for display and a drive circuit board,
The display panel includes a first glass substrate,
The drive circuit substrate includes a second glass substrate, and a drive circuit formed on the second glass substrate and supplying a signal to the pixel,
The second glass substrate is bonded to the first glass substrate using a thermosetting resin,
A display device in which a product of a thermal expansion coefficient α2 and an elastic modulus of the second glass substrate is smaller than a product of a thermal expansion coefficient α1 and an elastic modulus of the first glass substrate.

The display device according to claim 1, wherein a thickness of the second glass substrate is smaller than a thickness of the first glass substrate.

The display device according to claim 4 the ratio of the thickness of the second glass substrate to the thickness of the first glass substrate is 5/7 or less.

A display in which the display panel is disposed between a plurality of pixel electrodes provided on the first glass substrate, a counter electrode opposed to the plurality of pixel electrodes, and the plurality of pixel electrodes and the counter electrode. A medium layer,
The display medium layer comprises a liquid crystal material, an organic EL or inorganic EL, display device according to any one of claims 1 to 5.

A step of providing a display panel having a plurality of pixels for displaying, the first glass substrate;
A second glass substrate, and is formed on the second glass substrate, preparing a drive circuit board and a driving circuit for supplying a signal to the pixel,
Wherein said second glass substrate than the first glass substrate to a high temperature, by curing the thermosetting resin that is applied to the predetermined region between the first glass substrate and the second glass substrate, the Adhering the second glass substrate to the first glass substrate,
A method for manufacturing a display device, wherein a thermal expansion coefficient α2 of the second glass substrate is smaller than a thermal expansion coefficient α1 of the first glass substrate.

The method for manufacturing a display device according to claim 7 , wherein a thickness of the second glass substrate is smaller than a thickness of the first glass substrate.