JP2003280543A - Display device and its manufacturing method - Google Patents
Display device and its manufacturing methodInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は表示装置およびその
製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a display device and its manufacturing method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】現在、液晶表示装置の表示パネルとこれ
を駆動するドライバとの接続には主として、ＴＣＰ（Ｔ
ａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）方式、ＣＯ
Ｇ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式、またはモノリ
シック方式が用いられている。2. Description of the Related Art Currently, TCP (T) is mainly used for connection between a display panel of a liquid crystal display device and a driver for driving the display panel.
ape Carrier Package) method, CO
The G (Chip on Glass) system or the monolithic system is used.
【０００３】例えば図６に示すＴＣＰ方式の表示装置で
は、表示パネルに含まれるガラス基板１１に複数のＴＣ
Ｐ１２および１４が接続され、このＴＣＰ１２および１
４にはそれぞれ、ＰＷＢ（Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｗｉｅｒ
Ｂｏｎｄｉｎｇ）１３および１５を介してＦＰＣ（Ｆｌ
ｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）１６
が接続されている。ＦＰＣ１６には例えば外部回路基板
（不図示）が接続されており、この外部回路基板からの
信号が、ＦＰＣ１６およびＰＷＢ１３、１５を介してＴ
ＣＰ１２、１４に供給され、表示パネルが駆動される。For example, in the TCP type display device shown in FIG. 6, a plurality of TCs are provided on the glass substrate 11 included in the display panel.
P12 and 14 are connected and this TCP 12 and 1
4 are PWB (Printed Wier)
Bonding) 13 and 15 through FPC (Fl
enable Printed Circuit) 16
Are connected. An external circuit board (not shown) is connected to the FPC 16, and a signal from the external circuit board is transmitted to the TPC via the FPC 16 and the PWBs 13 and 15.
It is supplied to the CPs 12 and 14, and the display panel is driven.
【０００４】例えば図７に示すＣＯＧ方式の表示装置で
は、表示パネルに含まれるガラス基板２１に複数のＩＣ
チップ２２、２４（以下、駆動回路と記載する）が搭載
されており、駆動回路２２、２４にはＦＰＣ２３、２５
がそれぞれ接続されている。ＦＰＣ２３、２５は、例え
ば外部回路基板（不図示）と接続されており、この外部
回路基板からの信号がＦＰＣ２３、２５を介してＴＣＰ
１２、１４に供給され、表示パネルが駆動される。For example, in the COG type display device shown in FIG. 7, a plurality of ICs are mounted on the glass substrate 21 included in the display panel.
Chips 22 and 24 (hereinafter referred to as drive circuits) are mounted, and the drive circuits 22 and 24 have FPCs 23 and 25, respectively.
Are connected respectively. The FPCs 23 and 25 are connected to, for example, an external circuit board (not shown), and signals from the external circuit board are transmitted via the FPCs 23 and 25 to the TCP.
12 and 14, and the display panel is driven.
【０００５】上述したＴＣＰ方式またはＣＯＧ方式の表
示装置は従来から量産されており、製品の品質、信頼性
に優れるが、必要とされる部品点数が多く、製造コスト
が高いという問題がある。The above-mentioned TCP-type or COG-type display device has been conventionally mass-produced and is excellent in product quality and reliability, but there is a problem that the number of required parts is large and the manufacturing cost is high.
【０００６】一方、モノリシック方式の表示装置では、
上述したＣＯＧ方式における駆動回路が低温多結晶技術
によって表示パネルのガラス基板に作りこまれている。
従ってモノリシック方式の表示装置ではＴＣＰ方式やＣ
ＯＧ方式の表示装置に比べて、必要とされる部品点数が
少なく、材料費や実装加工費を低くすることができる。
しかしながら、表示パネルのガラス基板に駆動回路が作
りこまれているために表示パネルの設計が複雑になる。
これにより、製造工程で表示パネルの良品率が低下し、
歩留まりが悪くなるという問題がある。On the other hand, in a monolithic display device,
The drive circuit in the COG method described above is built in the glass substrate of the display panel by the low temperature polycrystal technique.
Therefore, in a monolithic display device, TCP or C
Compared to the OG type display device, the number of parts required is small, and the material cost and the mounting processing cost can be reduced.
However, the design of the display panel is complicated because the drive circuit is built in the glass substrate of the display panel.
As a result, the non-defective rate of the display panel decreases in the manufacturing process,
There is a problem that the yield becomes poor.
【０００７】そこで、上記モノリシック方式における問
題を解決するためにＧＯＧ（Ｇｌａｓｓ ｏｎ Ｇｌａ
ｓｓ）方式が提案されている。このＧＯＧ方式の表示装
置は例えば特開平４−２８３７２７号公報に開示されて
いる。Therefore, in order to solve the problem in the above-mentioned monolithic system, GOG (Glass on Gla) is used.
The ss) method has been proposed. This GOG type display device is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-283727.
【０００８】ＧＯＧ方式の表示装置は例えば図８に示す
ように、ガラス基板３１を含む表示パネルと、ガラス基
板（Ｇｌａｓｓ ｓｔｉｃｋ）３２、３３上に駆動回路
（不図示）が搭載されている駆動回路基板と、ＦＰＣ３
４とを有している。このＧＯＧ方式の表示装置では、表
示パネルのガラス基板３１とは異なるガラス基板３２、
３３にそれぞれ駆動回路が設けられている。駆動回路基
板のガラス基板３２、３３は、異方性導電膜（ＡＣＦ：
Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ ＣｏｎｄｕｃｔｏｒＦｉｌ
ｍ）によって、表示パネルのガラス基板３１に接着およ
び電気的に接続されている。このＧＯＧ方式の表示装置
はモノリシック方式に比べて構造が容易である。また、
駆動回路と表示パネルとが別工程で作製されるので、モ
ノリシック方式に比べて良品率を向上させることがで
き、歩留まり良く表示装置を製造することができる。As shown in FIG. 8, for example, the GOG type display device has a display panel including a glass substrate 31, and a drive circuit (not shown) mounted on the glass substrates (glass sticks) 32 and 33. Substrate and FPC3
4 and. In this GOG type display device, a glass substrate 32 different from the glass substrate 31 of the display panel,
A drive circuit is provided in each of the 33. The glass substrates 32 and 33 of the driving circuit substrate are anisotropic conductive films (ACF:
Anisotropic ConductorFil
By m), it is adhered and electrically connected to the glass substrate 31 of the display panel. This GOG type display device has a simpler structure than the monolithic type display device. Also,
Since the drive circuit and the display panel are manufactured in separate steps, the non-defective rate can be improved as compared with the monolithic method, and the display device can be manufactured with high yield.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述のＧ
ＯＧ方式は以下に説明する理由により、特に大型の表示
装置に用いることが困難であった。However, the above-mentioned G
It was difficult to use the OG method in a large-sized display device for the reason described below.
【００１０】上述のＧＯＧ方式では、表示パネルのガラ
ス基板３１に駆動回路基板のガラス基板３２、３３を接
着するためにＡＣＦを加熱硬化する必要がある。表示パ
ネルのガラス基板３１には駆動回路基板に比べて耐熱性
の低い層（例えば偏光板）が形成されているので、駆動
回路基板のガラス基板３２、３３を表示パネルのガラス
基板３１よりも高温にして、ガラス基板３１とガラス基
板３２、３３との間に温度勾配をかけて、ＡＣＦに所望
の温度を付与する。この加熱時におけるガラス基板３
２、３３とガラス基板３１との間の温度差は、例えば約
１００℃以上である。In the above-mentioned GOG method, it is necessary to heat and cure the ACF in order to bond the glass substrates 32 and 33 of the driving circuit substrate to the glass substrate 31 of the display panel. Since the glass substrate 31 of the display panel has a layer (for example, a polarizing plate) having a lower heat resistance than the drive circuit substrate, the glass substrates 32 and 33 of the drive circuit substrate are higher in temperature than the glass substrate 31 of the display panel. Then, a temperature gradient is applied between the glass substrate 31 and the glass substrates 32 and 33 to apply a desired temperature to the ACF. Glass substrate 3 during this heating
The temperature difference between 2, 33 and the glass substrate 31 is, for example, about 100 ° C. or higher.
【００１１】表示パネルのガラス基板３１と駆動回路基
板のガラス基板３２、３３との接着時に上記のような温
度勾配がかけられると、ガラス基板３１とガラス基板３
２、３３とにそれぞれ与えられる熱量に大きな差が生
じ、接着時の熱応力が接続後に残ってしまうという問題
がある。When the glass substrate 31 of the display panel and the glass substrates 32 and 33 of the drive circuit substrate are bonded to each other by the above temperature gradient, the glass substrate 31 and the glass substrate 3 are attached.
There is a problem that a large difference occurs in the amount of heat applied to each of 2 and 33, and the thermal stress during bonding remains after connection.
【００１２】例えば、駆動回路基板（接着する長辺の長
さが３００ｍｍ程度の基板）と表示パネルとに熱膨張係
数の等しいガラス基板を使用し、表示パネルのガラス基
板の一辺に駆動回路基板のガラス基板を接着長さ３００
ｍｍで接着する場合を説明する。駆動回路基板のガラス
基板よりも表示パネルのガラス基板の温度を約１００℃
低く加熱し、ＡＣＦに所望の温度を付与した。この結
果、駆動回路基板のガラス基板が表示パネルのガラス基
板に対して１２０μｍ以上伸びた。For example, a glass substrate having the same coefficient of thermal expansion is used for a drive circuit board (a substrate having a long side to be bonded of about 300 mm) and a display panel, and the drive circuit board is provided on one side of the glass substrate of the display panel. Adhesion length of glass substrate 300
The case of bonding in mm will be described. The temperature of the glass substrate of the display panel is about 100 ° C higher than that of the glass substrate of the drive circuit substrate.
Heated low to give the ACF the desired temperature. As a result, the glass substrate of the drive circuit substrate extended 120 μm or more from the glass substrate of the display panel.
【００１３】上述したように駆動回路基板のガラス基板
が表示パネルのガラス基板よりも伸びた状態でＡＣＦに
よって表示パネルのガラス基板に固定されると、接続
後、常温に戻されたときに、表示パネルのガラス基板に
対して、駆動回路基板のガラス基板の縮む方向に大きな
力がかかる。このとき、表示パネルのガラス基板を下側
に配置した場合、駆動回路基板のガラス基板が接着され
ている表示パネルのガラス基板の側辺が上側に反り返
る。これにより、表示パネルのガラス基板が割れ易くな
り、または、表示パネルのガラス基板が変形してしまう
など、表示パネルの品質が低下することが確認された。
さらに、湿度環境下に放置すると、駆動回路基板のガラ
ス基板が表示パネルのガラス基板から剥離してしまうこ
とも確認された。As described above, when the glass substrate of the drive circuit board is fixed to the glass substrate of the display panel by the ACF in a state where the glass substrate of the drive panel is extended from the glass substrate of the display panel, after the connection, the display is returned to room temperature. A large force is applied to the glass substrate of the panel in the shrinking direction of the glass substrate of the drive circuit substrate. At this time, when the glass substrate of the display panel is arranged on the lower side, the side edge of the glass substrate of the display panel to which the glass substrate of the drive circuit substrate is adhered is bent upward. As a result, it was confirmed that the quality of the display panel deteriorates, for example, the glass substrate of the display panel is easily broken or the glass substrate of the display panel is deformed.
Furthermore, it was also confirmed that the glass substrate of the drive circuit substrate was peeled off from the glass substrate of the display panel when left in a humidity environment.
【００１４】また、駆動回路基板のガラス基板が伸びる
と、表示パネルのガラス基板に対して駆動回路基板のガ
ラス基板の位置ずれが生じ、表示パネルと駆動回路基板
とを高精度で電気的に接続することが困難になる。特に
上述した表示装置では、表示パネルの画素ピッチ（画素
電極間のピッチ）が、駆動回路基板の伸び量（１２０μ
ｍ以上）を上回ってしまうことがあり、この場合、駆動
回路基板と表示パネルとを電気的に接続することが困難
になる。Further, when the glass substrate of the drive circuit board expands, the glass substrate of the drive circuit board is displaced from the glass substrate of the display panel, and the display panel and the drive circuit board are electrically connected with high accuracy. Difficult to do. Particularly in the above-described display device, the pixel pitch of the display panel (pitch between pixel electrodes) is determined by the amount of expansion of the drive circuit board (120 μm).
m or more), in which case it becomes difficult to electrically connect the drive circuit board and the display panel.
【００１５】本発明は上記の課題を解決するためになさ
れたものであり、駆動回路基板が高い電気的信頼性で表
示パネルに接続可能であり、また、駆動回路を表示パネ
ルに接着しても表示パネルの品質の低下が抑制される表
示装置およびその製造方法を提供することを目的とす
る。The present invention has been made to solve the above problems, and a drive circuit board can be connected to a display panel with high electrical reliability, and even if the drive circuit is bonded to the display panel. It is an object of the present invention to provide a display device and a method for manufacturing the display device in which deterioration of the quality of the display panel is suppressed.
【００１６】[0016]
【課題を解決するための手段】本発明の第１の局面に係
る表示装置は、表示を行う複数の画素を有する表示パネ
ルと、駆動回路基板とを有する表示装置であって、前記
表示パネルは第１基板を備え、前記駆動回路基板は、第
２基板と、前記第２基板の上に形成されかつ、前記画素
に信号を供給する駆動回路とを備え、熱硬化性樹脂を用
いて前記第１基板に前記第２基板が接着されており、前
記第２基板の熱膨張係数が前記第１基板の熱膨張係数よ
りも小さく、これにより、上記の課題が解決される。A display device according to a first aspect of the present invention is a display device having a display panel having a plurality of pixels for displaying and a drive circuit board, wherein the display panel is A first substrate; the drive circuit substrate includes a second substrate; and a drive circuit that is formed on the second substrate and supplies a signal to the pixels. The second substrate is bonded to one substrate, and the coefficient of thermal expansion of the second substrate is smaller than the coefficient of thermal expansion of the first substrate, which solves the above problem.
【００１７】例えば、前記第２基板の熱膨張係数α２に
対する前記第１基板の熱膨張係数α１の比α１／α２
は、１．０＜α１／α２＜２．６の範囲にある。For example, the ratio α1 / α2 of the thermal expansion coefficient α1 of the first substrate to the thermal expansion coefficient α2 of the second substrate.
Is in the range of 1.0 <α1 / α2 <2.6.
【００１８】本発明の第２の局面に係る表示装置は、表
示を行う複数の画素を有する表示パネルと、駆動回路基
板とを有する表示装置であって、前記表示パネルは第１
基板を備え、前記駆動回路基板は、第２基板と、前記第
２基板の上に形成されかつ、前記画素に信号を供給する
駆動回路とを備え、熱硬化性樹脂を用いて前記第１基板
に前記第２基板が接着されており、前記第２基板の熱膨
張係数と弾性率との積が、前記第１基板の熱膨張係数と
弾性率との積よりも小さく、これにより、上記の課題が
解決される。A display device according to a second aspect of the present invention is a display device having a display panel having a plurality of pixels for displaying, and a drive circuit board, wherein the display panel is the first display device.
A substrate, the drive circuit substrate includes a second substrate, and a drive circuit that is formed on the second substrate and supplies a signal to the pixels. The first substrate is made of a thermosetting resin. The second substrate is bonded to the second substrate, and the product of the thermal expansion coefficient and the elastic modulus of the second substrate is smaller than the product of the thermal expansion coefficient and the elastic modulus of the first substrate. Issues are solved.
【００１９】前記第２基板の厚さは、前記第１基板の厚
さよりも小さいことが好ましい。The thickness of the second substrate is preferably smaller than the thickness of the first substrate.
【００２０】本発明の第３の局面に係る表示装置は、表
示を行う複数の画素を有する表示パネルと、駆動回路基
板とを有する表示装置であって、前記表示パネルは第１
基板を備え、前記駆動回路基板は、第２基板と、前記第
２基板の上に形成されかつ、前記画素に信号を供給する
駆動回路とを備え、熱硬化性樹脂を用いて前記第１基板
に前記第２基板が接着されており、前記第２基板の厚さ
が、前記第１基板の厚さよりも小さく、これにより、上
記の課題が解決される。A display device according to a third aspect of the present invention is a display device having a display panel having a plurality of pixels for displaying and a drive circuit board, wherein the display panel is the first display device.
A driving circuit substrate, the driving circuit substrate including a substrate, a driving circuit formed on the second substrate and supplying a signal to the pixels, and the first substrate using a thermosetting resin. The second substrate is bonded to the second substrate, and the thickness of the second substrate is smaller than the thickness of the first substrate, which solves the above problems.
【００２１】前記第１基板の厚さに対する前記第２基板
の厚さの比は、例えば５／７以下である。The ratio of the thickness of the second substrate to the thickness of the first substrate is, for example, 5/7 or less.
【００２２】前記表示パネルは、前記第１基板上に設け
られた複数の画素電極と、前記複数の画素電極に対向す
る対向電極と、前記複数の画素電極と前記対向電極との
間に配置された表示媒体層とを有し、前記表示媒体層
は、液晶材料、有機ＥＬまたは無機ＥＬを含み得る。The display panel is arranged between a plurality of pixel electrodes provided on the first substrate, a counter electrode facing the plurality of pixel electrodes, and between the plurality of pixel electrodes and the counter electrode. A display medium layer, and the display medium layer may include a liquid crystal material, an organic EL, or an inorganic EL.
【００２３】本発明の表示装置の製造方法は、第１基板
を備え、表示を行う複数の画素を有する表示パネルを用
意する工程と、第２基板と、前記第２基板の上に形成さ
れかつ、前記画素に信号を供給する駆動回路とを備える
駆動回路基板を用意する工程と、前記第１基板よりも前
記第２基板を高温にして、前記第１基板と前記第２基板
との間の所定の領域に付与された熱硬化性樹脂を硬化さ
せることによって、前記第１基板に前記第２基板を接着
する工程とを有し、前記第２基板の熱膨張係数が前記第
１基板の熱膨張係数よりも小さいことを特徴としてい
る。A method of manufacturing a display device according to the present invention comprises a step of preparing a display panel having a first substrate and having a plurality of pixels for displaying, a second substrate, and a step of forming the display panel on the second substrate. A step of preparing a drive circuit board including a drive circuit that supplies a signal to the pixel; and a step of providing a temperature of the second substrate higher than that of the first substrate, and between the first substrate and the second substrate. Bonding the second substrate to the first substrate by curing a thermosetting resin applied to a predetermined area, and the thermal expansion coefficient of the second substrate is the heat of the first substrate. It is characterized by being smaller than the expansion coefficient.
【００２４】前記第２基板の厚さが、前記第１基板の厚
さよりも小さいことが好ましい。The thickness of the second substrate is preferably smaller than the thickness of the first substrate.
【００２５】本発明の他の表示装置の製造方法は、第１
基板を備え、表示を行う複数の画素を有する表示パネル
を用意する工程と、第２基板と、前記第２基板の上に形
成されかつ、前記画素に信号を供給する駆動回路とを備
える駆動回路基板を用意する工程と、前記第１基板より
も前記第２基板を高温にして、前記第１基板よりも前記
第２基板を高温にして、前記第１基板と前記第２基板と
の間の所定の領域に付与された熱硬化性樹脂を硬化させ
ることによって、前記第１基板に前記第２基板を接着す
る工程とを有し、前記第２基板の厚さが前記第１基板の
厚さよりも小さいことを特徴とする。Another method of manufacturing a display device according to the present invention is the first method.
A drive circuit including a step of preparing a display panel including a substrate and having a plurality of pixels for displaying, a second substrate, and a drive circuit formed on the second substrate and supplying a signal to the pixels A step of preparing a substrate, and a temperature of the second substrate higher than that of the first substrate, a temperature of the second substrate higher than that of the first substrate, and a temperature between the first substrate and the second substrate. And a step of adhering the second substrate to the first substrate by curing a thermosetting resin applied to a predetermined area, wherein the thickness of the second substrate is smaller than the thickness of the first substrate. Is also small.
【００２６】[0026]
【発明の実施の形態】本発明は、駆動回路が表示パネル
とは異なる基板に設けられ、この基板と表示パネルとが
接着されて構成されたＧＯＧ方式の表示装置に好適に適
用される。以下、図１（ａ）および（ｂ）を参照しなが
ら本発明の表示装置を説明する。図１（ａ）は本発明の
表示装置５０を模式的に示す平面図であり、（ｂ）は
（ａ）の１Ｂ―１Ｂ’断面図である。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention is preferably applied to a GOG type display device in which a drive circuit is provided on a substrate different from a display panel and the substrate and the display panel are bonded to each other. The display device of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 (a) and 1 (b). 1A is a plan view schematically showing the display device 50 of the present invention, and FIG. 1B is a sectional view taken along the line 1B-1B ′ of FIG.
【００２７】本発明の表示装置５０は図１（ａ）に示す
ように、表示を行うための複数の画素を有する表示パネ
ル５２と、駆動回路基板５４とを有している。表示パネ
ル５２は、第１の基板５３を備えている。表示パネル５
２には例えば、液晶パネルまたは有機ＥＬ、無機ＥＬが
好適に利用される。駆動回路基板５４は、第２の基板５
５と、この第２の基板５５上に設けられた駆動回路とを
有している。この駆動回路は、表示パネル５２の画素に
駆動信号を供給する。なお、図１（ａ）では、表示パネ
ル５２に含まれる複数の画素、および駆動回路基板５４
に含まれる駆動回路を省略して示しており、図１（ａ）
の表示パネル５２および駆動回路基板５４はそれぞれ、
実質的に、第１の基板５３および第２の基板５５を示し
ている。As shown in FIG. 1A, the display device 50 of the present invention has a display panel 52 having a plurality of pixels for displaying and a drive circuit board 54. The display panel 52 includes a first substrate 53. Display panel 5
For example, a liquid crystal panel, an organic EL, or an inorganic EL is preferably used for 2. The drive circuit board 54 is the second board 5
5 and a drive circuit provided on the second substrate 55. This drive circuit supplies a drive signal to the pixels of the display panel 52. Note that, in FIG. 1A, the plurality of pixels included in the display panel 52 and the drive circuit board 54.
The drive circuit included in FIG. 1 is omitted and shown in FIG.
The display panel 52 and the drive circuit board 54 of
Substantially, the first substrate 53 and the second substrate 55 are shown.
【００２８】上述した表示パネル５２と駆動回路基板５
４とを有する表示装置５０は図１（ｂ）に示すように、
第１の基板５３に第２の基板５５が熱硬化性樹脂５６に
よって接着されて構成されている。The above-mentioned display panel 52 and drive circuit board 5
As shown in FIG. 1B, the display device 50 having 4 and
The second substrate 55 is bonded to the first substrate 53 with a thermosetting resin 56.
【００２９】第１の局面に係る本発明の表示装置５０で
は、第２基板５５の熱膨張係数が、第１基板５３の熱膨
張係数よりも小さいことを特徴としている。The display device 50 of the present invention according to the first aspect is characterized in that the thermal expansion coefficient of the second substrate 55 is smaller than that of the first substrate 53.
【００３０】表示装置５０では、第１の基板５３に第２
の基板５５を熱硬化性樹脂５６によって接着するため
に、表示装置５０の製造工程において、熱硬化性樹脂５
６を硬化温度以上に加熱する必要がある。この接着工程
では、表示パネル５２よりも駆動回路基板５４が高温に
なるように温度勾配をかけて、熱硬化性樹脂５６に所定
の温度を付与し、硬化させる。すなわち図１（ｂ）に示
すように、表示パネル５２に含まれる第１基板５３を温
度ＴＬに加熱し、駆動回路基板５４に含まれる第２基板
５５を温度ＴＨ（ＴＨ＞ＴＬ）に加熱する。これによ
り、第１基板５３と第２基板５５とを同じ温度に加熱し
て熱硬化性樹脂５６に所定の温度を付与する場合に比べ
て、第１基板５３の加熱温度を低下させることができ
る。表示パネル５２には耐熱性の低い材料からなる層が
含まれるので、第１基板５３の加熱温度を低下させるこ
とにより、上記耐熱性の低い層の劣化を防止することが
できる。In the display device 50, the second substrate is formed on the first substrate 53.
In order to bond the substrate 55 of the thermosetting resin 56 with the thermosetting resin 56, the thermosetting resin 5 is used in the manufacturing process of the display device 50.
It is necessary to heat 6 above the curing temperature. In this bonding step, a temperature gradient is applied so that the temperature of the drive circuit board 54 becomes higher than that of the display panel 52, and a predetermined temperature is applied to the thermosetting resin 56 to cure it. That is, as shown in FIG. 1B, the first substrate 53 included in the display panel 52 is heated to the temperature TL, and the second substrate 55 included in the drive circuit substrate 54 is heated to the temperature TH (TH> TL). . As a result, the heating temperature of the first substrate 53 can be lowered as compared with the case where the first substrate 53 and the second substrate 55 are heated to the same temperature to give the thermosetting resin 56 a predetermined temperature. . Since the display panel 52 includes a layer made of a material having low heat resistance, it is possible to prevent deterioration of the layer having low heat resistance by lowering the heating temperature of the first substrate 53.
【００３１】上述したように第１の局面に係る本発明の
表示装置５０では、第２基板５５の熱膨張係数が、第１
基板５３の熱膨張係数よりも小さい。これにより、駆動
回路基板５４を表示パネル５２に接着させる工程で、第
１基板５３よりも第２基板５５が高温になるように温度
勾配をかけたときに、第１基板および第２基板に熱膨張
係数の等しい基板を用いる場合に比べて、第１基板５３
と第２基板５５との接着部分において、第１基板５３の
熱膨張量と第２基板５５の熱膨張量との差を小さくする
ことができる。従って、表示パネル５３と駆動回路基板
５４との接着工程で、第１基板５３と第２基板５５との
熱膨張量差によって発生し得る熱応力を小さくすること
ができるので、接着後、冷却して常温に戻した場合に、
第２基板の熱収縮による第１基板の反り返りを小さくす
ることができる。これにより、表示パネルの変形や割れ
などが防止され、表示パネルの品質の低下が抑制され
る。As described above, in the display device 50 of the present invention according to the first aspect, the coefficient of thermal expansion of the second substrate 55 is the first.
It is smaller than the thermal expansion coefficient of the substrate 53. Accordingly, in the step of adhering the drive circuit board 54 to the display panel 52, when a temperature gradient is applied so that the second substrate 55 has a higher temperature than the first substrate 53, heat is applied to the first substrate and the second substrate. Compared to the case where a substrate having the same expansion coefficient is used, the first substrate 53
The difference between the amount of thermal expansion of the first substrate 53 and the amount of thermal expansion of the second substrate 55 can be reduced in the bonded portion between the first substrate 53 and the second substrate 55. Therefore, in the step of adhering the display panel 53 and the drive circuit board 54, it is possible to reduce the thermal stress that can be generated due to the difference in thermal expansion amount between the first substrate 53 and the second substrate 55. When returned to room temperature by
Warpage of the first substrate due to thermal contraction of the second substrate can be reduced. As a result, the display panel is prevented from being deformed or broken, and the deterioration of the quality of the display panel is suppressed.
【００３２】特に大型表示装置では、駆動回路基板と表
示パネルとの接着長さが大きくなるために、第１基板の
熱膨張量と第２基板の熱膨張量との差が大きくなる。従
って本発明の表示装置は大型表示装置に好適に使用され
得、例えば一辺が２００ｍｍ以上の表示装置に好適に使
用される。Particularly in a large-sized display device, the difference between the thermal expansion amount of the first substrate and the thermal expansion amount of the second substrate becomes large because the bonding length between the drive circuit substrate and the display panel becomes large. Therefore, the display device of the present invention can be suitably used for a large-sized display device, for example, a display device having a side of 200 mm or more.
【００３３】また表示装置５０では第１基板および第２
基板に熱膨張係数の等しい基板を用いる場合に比べて、
第１基板５３の熱膨張量と第２基板５５の熱膨張量との
差が小さいので、第１基板５３上に設けられている配線
と、第２基板５５上に設けられている配線とを高い精度
および信頼性で電気的に接続することができる。さら
に、第１基板５３および第２基板５５の配線ピッチを小
さくしても、それらを高い信頼性で電気的に接続するこ
とができるので、表示装置をより高精細化することがで
きる。In the display device 50, the first substrate and the second substrate
Compared to the case of using a substrate with the same coefficient of thermal expansion,
Since the difference between the amount of thermal expansion of the first substrate 53 and the amount of thermal expansion of the second substrate 55 is small, the wiring provided on the first substrate 53 and the wiring provided on the second substrate 55 are It can be electrically connected with high accuracy and reliability. Further, even if the wiring pitch of the first substrate 53 and the second substrate 55 is made small, they can be electrically connected with high reliability, so that the display device can be made finer.
【００３４】第１基板５３および第２基板５５には、熱
膨張係数が以下の関係を満足するような基板を用いるこ
とが好ましい。As the first substrate 53 and the second substrate 55, it is preferable to use substrates whose thermal expansion coefficients satisfy the following relationships.
【００３５】第１基板５３の熱膨張係数をα１、第２基
板５５の熱膨張係数α２、ＡＣＦの硬化温度をＴ０、硬
化時の第１基板５３の温度をＴ１、硬化時の第２基板５
５の温度をＴ２、Ｔ１とＴ２との差（温度勾配）をΔ
Ｔ、室温をＴＲとする。表示装置５０では、第１基板５
３の熱膨張係数α１に対する第２基板５５の熱膨張係数
α２の比α１／α２が下記の式１、
α１／α２＝（Ｔ２−ＴＲ）／（Ｔ１−ＴＲ）（式１）
を満たすときに第１基板５３の熱膨張量と第２基板５５
の熱膨張量とが等しくなるので最も好ましい。例えば、
Ｔ１は１５０℃、Ｔ２は２５０℃、ＴＲは２５℃と設定
される。このとき理想的なα１／α２は上記式１より
１．８である。α１／α２が１．０＜α１／α２＜２．
６の範囲にあれば、第１基板５３および第２基板５５に
熱膨張係数の等しい基板を用いる場合に比べて、表示パ
ネル５３と駆動回路基板５４との接着工程で、第１基板
５３と第２基板５５との熱膨張量差によって発生する熱
応力を小さくすることができる。α１／α２は１．４≦
α１／α２≦２．２の範囲にあることが好ましい。The coefficient of thermal expansion of the first substrate 53 is α1, the coefficient of thermal expansion of the second substrate 55 is α2, the curing temperature of ACF is T0, the temperature of the first substrate 53 at the time of curing is T1, the second substrate 5 at the time of curing.
The temperature of 5 is T2, and the difference (temperature gradient) between T1 and T2 is Δ
Let T be room temperature and TR be room temperature. In the display device 50, the first substrate 5
When the ratio α1 / α2 of the thermal expansion coefficient α2 of the second substrate 55 to the thermal expansion coefficient α1 of 3 satisfies the following Expression 1, α1 / α2 = (T2-TR) / (T1-TR) (Expression 1) Amount of thermal expansion of the first substrate 53 and the second substrate 55
This is the most preferable because the amount of thermal expansion becomes equal. For example,
T1 is set to 150 ° C, T2 is set to 250 ° C, and TR is set to 25 ° C. At this time, the ideal α1 / α2 is 1.8 according to the above equation 1. α1 / α2 is 1.0 <α1 / α2 <2.
Within the range of 6, the first substrate 53 and the drive circuit substrate 54 are bonded to each other in the bonding process of the display panel 53 and the drive circuit substrate 54 as compared with the case where substrates having the same thermal expansion coefficient are used as the first substrate 53 and the second substrate 55. The thermal stress generated due to the difference in the amount of thermal expansion from the two substrates 55 can be reduced. α1 / α2 is 1.4 ≦
It is preferable that α1 / α2 ≦ 2.2.
【００３６】また、上記第１の局面に係る表示装置５０
において、さらに、第２基板５５の厚さを、第１基板５
３の厚さよりも小さくすることが好ましい。これによ
り、厚さの同じである第１基板５３および第２基板５５
を使用する場合に比べて、第２基板５５の加熱温度をよ
り低く設定して、第１基板５３に第２基板５５を接着さ
せることができる。第２基板５５の加熱温度をより低く
することができれば、第２基板５５の熱膨張量をより小
さくすることができるため、第１基板５３と第２基板５
５との熱膨張量差によって発生し得る熱応力をより小さ
くすることができ、冷却後における第１基板の反り返り
をより小さくすることができる。Further, the display device 50 according to the first aspect described above.
In addition, the thickness of the second substrate 55 is set to the first substrate 5
It is preferable that the thickness is smaller than 3. As a result, the first substrate 53 and the second substrate 55 having the same thickness are provided.
The heating temperature of the second substrate 55 can be set lower than that in the case of using, and the second substrate 55 can be bonded to the first substrate 53. If the heating temperature of the second substrate 55 can be made lower, the amount of thermal expansion of the second substrate 55 can be made smaller. Therefore, the first substrate 53 and the second substrate 5
The thermal stress that may be generated due to the difference in the amount of thermal expansion from that of No. 5 can be further reduced, and the warpage of the first substrate after cooling can be further reduced.
【００３７】第１基板５３および第２基板５５の厚さ
は、第１基板５３の厚さに対する第２基板５５の厚さの
比は、約５／７以下であることが好ましい。The thickness of the first substrate 53 and the second substrate 55 is preferably such that the ratio of the thickness of the second substrate 55 to the thickness of the first substrate 53 is about 5/7 or less.
【００３８】第２の局面に係る本発明の表示装置は、駆
動回路基板５４に含まれる第２基板５５の厚さが、表示
パネル５２に含まれる第１基板５３の厚さよりも小さい
ことを特徴としている。これによっても、第１の局面に
係る表示装置５０と同様の効果が得られる。The display device of the present invention according to the second aspect is characterized in that the thickness of the second substrate 55 included in the drive circuit substrate 54 is smaller than the thickness of the first substrate 53 included in the display panel 52. I am trying. Also by this, the same effect as that of the display device 50 according to the first aspect can be obtained.
【００３９】また、第３の局面に係る本発明の表示装置
は、第２基板５５の熱膨張係数と弾性率との積が、第１
基板５３の熱膨張係数と弾性率との積よりも小さいこと
を特徴としている。これによっても、第１の局面に係る
表示装置５０と同様の効果が得られる。In the display device of the present invention according to the third aspect, the product of the coefficient of thermal expansion and the elastic modulus of the second substrate 55 is the first
It is characterized in that it is smaller than the product of the thermal expansion coefficient and the elastic modulus of the substrate 53. Also by this, the same effect as that of the display device 50 according to the first aspect can be obtained.
【００４０】具体的には、第１基板５３の熱膨張係数α
１と弾性率との積に対する、第２基板５５の熱膨張係数
α２と弾性率との積の比が、１．０よりも大きく２．６
未満であることが好ましく、１．４以上２．２以下の範
囲にあることがより好ましい。Specifically, the thermal expansion coefficient α of the first substrate 53
The ratio of the product of the thermal expansion coefficient α2 of the second substrate 55 and the elastic modulus to the product of 1 and the elastic modulus is larger than 1.0 and 2.6.
It is preferably less than 1.4, and more preferably in the range of 1.4 or more and 2.2 or less.
【００４１】この場合、第２基板５５の熱膨張係数が第
１基板５３の熱膨張係数よりも小さく、かつ、第２基板
５５の弾性率が第１基板５３の弾性率よりも小さいこと
がより好ましい。In this case, the coefficient of thermal expansion of the second substrate 55 is smaller than that of the first substrate 53, and the elastic modulus of the second substrate 55 is smaller than that of the first substrate 53. preferable.
【００４２】以下、実施例を説明する。
（実施例）図２を参照しながら実施例１の液晶表示装置
８０を説明する。図２（ａ）は液晶表示装置８０の平面
図であり、（ｂ）は（ａ）の２Ａ―２Ａ’断面図であ
る。Examples will be described below. (Example) A liquid crystal display device 80 of Example 1 will be described with reference to FIG. 2A is a plan view of the liquid crystal display device 80, and FIG. 2B is a sectional view taken along line 2A-2A ′ of FIG.
【００４３】液晶表示装置８０は図２（ａ）に示すよう
に、液晶パネル（表示パネル）８２と、ゲート側駆動回
路基板８４と、ソース側駆動回路基板８６と、ＦＰＣ８
８とを有している。ゲート側駆動回路基板８４、ソース
側駆動回路基板８６、およびＦＰＣ８８はいずれも、Ａ
ＣＦ９０によって液晶パネル８２に接着されている。な
お後で説明するが、ＡＣＦ９０は熱硬化性樹脂および導
電材料を含んでおり、ゲート側駆動回路基板８４、ソー
ス側駆動回路基板８６、およびＦＰＣ８８を、液晶パネ
ル８２に接着すると共に、電気的に接続している。As shown in FIG. 2A, the liquid crystal display device 80 includes a liquid crystal panel (display panel) 82, a gate side drive circuit board 84, a source side drive circuit board 86, and an FPC 8.
8 and. The gate side drive circuit board 84, the source side drive circuit board 86, and the FPC 88 are all A
It is adhered to the liquid crystal panel 82 by CF90. As will be described later, the ACF 90 contains a thermosetting resin and a conductive material, and adheres the gate side drive circuit board 84, the source side drive circuit board 86, and the FPC 88 to the liquid crystal panel 82 and electrically. Connected.
【００４４】図２（ａ）に示すように液晶パネル８２に
は、周囲領域にゲート側端子部領域８２ａおよびソース
側端子部領域８２ｂが設けられている。ゲート側駆動回
路基板８４およびソース側駆動回路基板８６はそれぞ
れ、ゲート側端子部領域８２ａおよびソース側端子部領
域８２ｂに接着されている。また、ソース側端子部領域
８２ｂにはＦＰＣ８８も接着されている。As shown in FIG. 2A, the liquid crystal panel 82 is provided with a gate-side terminal portion area 82a and a source-side terminal portion area 82b in the peripheral area. The gate side drive circuit board 84 and the source side drive circuit board 86 are adhered to the gate side terminal area 82a and the source side terminal area 82b, respectively. Further, the FPC 88 is also adhered to the source-side terminal area 82b.
【００４５】図２（ｂ）に示すように液晶パネル８２
は、互いに対向するように配置された第１基板９２およ
び対向基板９４と、これらの基板間に配置された液晶層
９６とを有している。ゲート側端子部領域８２ａおよび
ソース側端子部領域８２ｂでは、第１基板９２は対向基
板９４と対向せず、ゲート側駆動回路基板８４およびソ
ース側駆動回路基板８６がＡＣＦ９０によってそれぞれ
接着されている。ＡＣＦ９０は、ゲート側駆動回路基板
８４およびソース側駆動回路基板８６のほぼ一辺（長い
方の辺）全部に付与されている。As shown in FIG. 2B, the liquid crystal panel 82
Has a first substrate 92 and a counter substrate 94 arranged to face each other, and a liquid crystal layer 96 arranged between these substrates. In the gate-side terminal area 82a and the source-side terminal area 82b, the first substrate 92 does not face the counter substrate 94, and the gate-side drive circuit board 84 and the source-side drive circuit board 86 are bonded by the ACF 90, respectively. The ACF 90 is provided on substantially the entire one side (longer side) of the gate side drive circuit board 84 and the source side drive circuit board 86.
【００４６】ゲート側駆動回路基板８４は、第２基板８
５と、第２基板８５の上に搭載されたゲート用駆動回路
８４ｃとを有している。後で詳述するが、ゲート用駆動
回路８４ｃは、液晶パネル８２のゲートバスラインにゲ
ート用駆動信号を供給する。ゲート側駆動回路基板８４
と同様にソース側駆動回路基板８６も、第２基板８７
と、第２基板８７の上に搭載されたソース用駆動回路８
６ｃとを有している。ソース用駆動回路８６ｃは、液晶
パネル８２のソースバスラインにソース用駆動信号を供
給する。The gate side drive circuit substrate 84 is the second substrate 8
5 and a gate drive circuit 84c mounted on the second substrate 85. As will be described later in detail, the gate drive circuit 84c supplies a gate drive signal to the gate bus line of the liquid crystal panel 82. Gate side drive circuit board 84
Similarly to the source side drive circuit board 86, the second board 87
And the source drive circuit 8 mounted on the second substrate 87.
6c and. The source drive circuit 86c supplies a source drive signal to the source bus line of the liquid crystal panel 82.
【００４７】液晶表示装置８０では、第１基板９２と第
２基板８５との間、第１基板９２と第２基板８７との
間、および第１基板９２とＦＰＣ８８との間はいずれ
も、ＡＣＦ９０によって接着されている。ＡＣＦ９０
は、例えば異方性導電粒子がエポキシ樹脂中に分散した
構造を有している。ＡＣＦ９０は圧力２ＭＰａ、温度約
２００℃で硬化され、上記の各部材同士が接着される。
また、ＡＣＦ９０に含まれている異方性導電粒子によっ
て、上記の各部材同士が電気的に接続される。なお、本
実施例で使用したＡＣＦ９０の接続分解能は、導電粒子
の大きさおよび分散度によって異なるが、約５０μmピ
ッチ以下の能力を有している。ここで、接続分解能と
は、例えば基板上に配置された複数の端子（例えばソー
ス端子またはゲート端子）の端子間ピッチをどこまで小
さくしても、対向する他の基板の端子とＡＣＦを介して
電気的に接続することができるかを示す指標であり、Ａ
ＣＦ９０の能力によって決まる。接続分解能が約５０μ
mピッチ以下であるとは、端子間ピッチを約５０μｍま
で小さくしても、対向する接続すべき端子と電気的に接
続できることを示す。In the liquid crystal display device 80, the ACF 90 is provided between the first substrate 92 and the second substrate 85, between the first substrate 92 and the second substrate 87, and between the first substrate 92 and the FPC 88. Are glued by. ACF90
Has a structure in which anisotropic conductive particles are dispersed in an epoxy resin, for example. The ACF 90 is cured at a pressure of 2 MPa and a temperature of about 200 ° C., and the above members are bonded together.
Further, the above-mentioned members are electrically connected to each other by the anisotropic conductive particles contained in the ACF 90. The connection resolution of the ACF 90 used in this example has a capability of about 50 μm pitch or less, though it depends on the size and dispersity of the conductive particles. Here, the connection resolution means, for example, no matter how small a pitch between terminals of a plurality of terminals (for example, a source terminal or a gate terminal) arranged on a substrate is, an electric power is generated via an ACF with a terminal of another substrate which is opposed. Is an index that indicates whether the
Depends on CF90 capability. Connection resolution is about 50μ
The m pitch or less means that even if the inter-terminal pitch is reduced to about 50 μm, the terminals can be electrically connected to opposite terminals to be connected.
【００４８】液晶パネル８２の構成要素である第１基板
９２には、厚さ０．７ｍｍ、熱膨張係数４．０×１０-6
／℃のアルミノホウケイ酸ガラスからなる基板を用い
た。これに対して、ゲート側駆動回路基板８４およびソ
ース側駆動回路基板８６の構成要素である第２基板８
５、８７には、厚さおよび／または熱膨張係数の異なる
３種類のアルミノホウケイ酸ガラス基板α、βまたはγ
を用いた。The first substrate 92, which is a component of the liquid crystal panel 82, has a thickness of 0.7 mm and a thermal expansion coefficient of 4.0 × 10 −6.
A substrate made of aluminoborosilicate glass at / ° C was used. On the other hand, the second substrate 8 which is a constituent element of the gate side drive circuit board 84 and the source side drive circuit board 86.
5, 87 are three types of aluminoborosilicate glass substrates α, β or γ having different thicknesses and / or coefficients of thermal expansion.
Was used.
【００４９】次に、図３を参照しながら、第１基板９２
と第２基板８５との間、および第１基板９２と第２基板
８７との間をＡＣＦ９０によって接着する方法の一例を
説明する。図３（ａ）は第１基板９２と第２基板８７と
を接着する方法を模式的に示す図であり、図３（ｂ）は
第１基板９２と第２基板８７とに付与される温度勾配を
説明するグラフである。なお、以下では、第１基板９２
と第２基板８７との接着方法を説明するが、第１基板９
２と第２基板８５との接着もこれと同様に行われる。Next, referring to FIG. 3, the first substrate 92
An example of a method of bonding the first substrate 92 and the second substrate 85, and the first substrate 92 and the second substrate 87 by the ACF 90 will be described. FIG. 3A is a diagram schematically showing a method of adhering the first substrate 92 and the second substrate 87, and FIG. 3B is a temperature applied to the first substrate 92 and the second substrate 87. It is a graph explaining a gradient. In the following, the first substrate 92
The method of bonding the first substrate 9 and the second substrate 87 will be described.
Adhesion between the second substrate 85 and the second substrate 85 is performed in the same manner.
【００５０】ＡＣＦ９０を硬化するために図３（ａ）に
示すよう、第１基板９２を加熱ツール２００Ｌで加熱
し、第２基板８７を加熱ツール２００Ｈで加熱する。こ
のとき、加熱ツール２００Ｌの温度が加熱ツール２００
Ｈよりも低くなるように温度勾配をかけて、第１基板９
２と第２基板８７との間に設けられているＡＣＦ９０を
２００℃にする。加熱ツール２００Ｈおよび２００Ｌの
設定温度は、各基板の厚さを考慮して、図３（ｂ）に示
すように決定した。In order to cure the ACF 90, as shown in FIG. 3A, the first substrate 92 is heated by the heating tool 200L and the second substrate 87 is heated by the heating tool 200H. At this time, the temperature of the heating tool 200L is
A temperature gradient is applied so that it becomes lower than H, and the first substrate 9
2 and the ACF 90 provided between the second substrate 87 are heated to 200 ° C. The set temperatures of the heating tools 200H and 200L were determined as shown in FIG. 3B in consideration of the thickness of each substrate.
【００５１】図３（ｂ）に示すように加熱ツール２００
Ｌの温度を１００℃に設定した。加熱ツール２００Ｈの
温度は、第２基板８７に基板β（厚さ０．７ｍｍ）を用
いたときには３００℃に設定し、第２基板８７に基板α
またはγ（厚さ０．５ｍｍ）を用いたときには２７０℃
に設定した。表１に、各温度設定時における第１基板９
２および第２基板８７の平均温度を示す。As shown in FIG. 3B, the heating tool 200
The temperature of L was set to 100 ° C. The temperature of the heating tool 200H is set to 300 ° C. when the substrate β (thickness 0.7 mm) is used for the second substrate 87 and the substrate α is used for the second substrate 87.
Or 270 ° C when γ (thickness 0.5 mm) is used
Set to. Table 1 shows the first substrate 9 at each temperature setting.
2 shows the average temperature of the second and second substrates 87.
【００５２】[0052]
【表１】 [Table 1]
【００５３】上述の条件で第１基板９２と第２基板８７
との間に温度勾配をかけてＡＣＦ９０を硬化させ、第１
基板９２と第２基板８７とを接着させた。また加熱時に
おける、第１基板９２の伸び量（熱膨張量）と第２基板
８７の伸び量との差を算出した。比較例として、第１基
板および第２基板のいずれにも厚さが０．７ｍｍ、熱膨
張係数が４．０×１０-6／℃のアルミノホウケイ酸ガラ
スからなる基板を用い、加熱ツール２００Ｌの温度を１
００℃に設定し、加熱ツール２００Ｈの温度を３００℃
に設定した場合の伸び量も算出した。なお図２（ａ）に
示すように、第１基板９２に対する第２基板８７の接着
長さ８７Ｗは、本実施例および比較例のいずれの場合に
おいても第２基板８７の長さ（長辺）と等しく、約３０
０ｍｍである。また、常温を２５℃とする。Under the above conditions, the first substrate 92 and the second substrate 87
A temperature gradient is applied between and to cure the ACF 90.
The substrate 92 and the second substrate 87 were adhered. Further, the difference between the expansion amount (thermal expansion amount) of the first substrate 92 and the expansion amount of the second substrate 87 during heating was calculated. As a comparative example, a substrate made of aluminoborosilicate glass having a thickness of 0.7 mm and a thermal expansion coefficient of 4.0 × 10 −6 / ° C. was used for both the first substrate and the second substrate, and the heating tool 200L Temperature 1
Set the temperature of the heating tool 200H to 300 ° C.
The amount of elongation when set to was also calculated. Note that, as shown in FIG. 2A, the adhesion length 87W of the second substrate 87 to the first substrate 92 is the length (long side) of the second substrate 87 in both the present example and the comparative example. Equal to about 30
It is 0 mm. Further, the room temperature is set to 25 ° C.
【００５４】第１基板９２の伸び量と第２基板８７の伸
び量との差は、下記の式２を用いて算出した。第１基板
９２の伸び量と第２基板８７の伸び量との差＝第２基板
８７の伸び量−第１基板９２の伸び量＝（第２基板８７
の平均温度−常温）×第２基板８７の熱膨張係数×第２
基板８７の長さ−（第１基板９２の平均温度−常温）×
第１基板９２の熱膨張係数×第１基板９２の長さ（式
２）
例えば第２基板８７に基板γを用いた場合、上記伸び量
の差（熱膨張量差）は、
（２３６−２５）×３．０×１０-6×３００−（１５０
−２５）×４．０×１０ -6×３００＝３９μｍ（≒４０
μｍ）
より、約４０μｍである。これに対して比較例の伸び量
の差は、
（２５０−２５）×４．０×１０-6×３００−（１５０
−２５）×４．０×１０ -6×３００＝１２０μｍ
より、１２０μｍである。従って、第２基板８７に基板
γを用いた場合、比較例に比べて、伸び量の差を８０μ
ｍ低下させることできる。The elongation amount of the first substrate 92 and the elongation amount of the second substrate 87.
The difference between the amount and the amount was calculated using the following formula 2. First substrate
The difference between the extension amount of 92 and the extension amount of the second substrate 87 = the second substrate
87 elongation amount−first substrate 92 elongation amount = (second substrate 87
Average temperature-normal temperature) x thermal expansion coefficient of second substrate 87 x second
Length of substrate 87- (average temperature of first substrate 92-normal temperature) x
Coefficient of thermal expansion of first substrate 92 x length of first substrate 92 (equation
2)
For example, when the substrate γ is used as the second substrate 87, the above elongation amount
Difference (difference in thermal expansion) is
(236-25) x 3.0 x 10-6× 300- (150
-25) x 4.0 x 10 -6× 300 = 39 μm (≈40
μm)
Is about 40 μm. On the other hand, the elongation of the comparative example
The difference between
(250-25) x 4.0 x 10-6× 300- (150
-25) x 4.0 x 10 -6× 300 = 120 μm
Is 120 μm. Therefore, the second substrate 87
When γ is used, the difference in elongation is 80μ compared to the comparative example.
m can be lowered.
【００５５】表１に示すように第２基板８７に基板αを
用いた場合、伸び量の差は１０３μｍであり、第２基板
８７に基板βを用いた場合、伸び量は５３μｍである。
従って、第２基板８７に基板αおよびβを用いた場合、
比較例に比べてそれぞれ、伸び量を１７μｍおよび６７
μｍ低下させることができる。As shown in Table 1, when the substrate α is used as the second substrate 87, the difference in elongation is 103 μm, and when the substrate β is used as the second substrate 87, the amount of elongation is 53 μm.
Therefore, when the substrates α and β are used as the second substrate 87,
Compared to the comparative example, the elongation amounts are 17 μm and 67 μm, respectively.
It can be reduced by μm.
【００５６】以上説明したように、本実施例のように第
２基板８７の熱膨張係数および／または厚さを第１基板
９２よりも小さくすることにより、熱膨張係数および厚
さが同程度の第１および２基板を用いる場合に比べて、
第２基板８７の加熱温度を低くすることができるので、
第１基板９２と第２基板８７との接着部分において、第
１基板９２の伸び量と第２基板８７の伸び量との差を小
さくすることができる。これにより、第１基板９２と第
２基板８７との熱膨張量差によって発生し得る熱応力を
小さくすることができるので、接着後、冷却して常温に
戻した場合に、表示パネルの変形や割れなどが防止さ
れ、表示パネルの品質の低下が抑制される。As described above, by making the coefficient of thermal expansion and / or the thickness of the second substrate 87 smaller than that of the first substrate 92 as in the present embodiment, the coefficient of thermal expansion and the thickness of the second substrate 87 are about the same. Compared to using the first and second substrates,
Since the heating temperature of the second substrate 87 can be lowered,
The difference between the extension amount of the first substrate 92 and the extension amount of the second substrate 87 can be reduced in the bonded portion between the first substrate 92 and the second substrate 87. As a result, the thermal stress that may be generated due to the difference in thermal expansion amount between the first substrate 92 and the second substrate 87 can be reduced. Cracking is prevented, and deterioration of the display panel quality is suppressed.
【００５７】上述したように第１基板９２の厚さを０．
７ｍｍとし、第２基板８７の厚さを０．５ｍｍとした場
合、両方の基板の厚さを同じにした場合よりも第２基板
８７の加熱温度を１５℃程度低くすることができ、その
結果、熱応力を低減することができる。このように、第
１基板９２の厚さに対する第２基板８７の厚さの比は、
５／７以下であることが好ましい。As described above, the thickness of the first substrate 92 is 0.
When the thickness of the second substrate 87 is set to 7 mm and the thickness of the second substrate 87 is set to 0.5 mm, the heating temperature of the second substrate 87 can be lowered by about 15 ° C. as compared with the case where the thickness of both substrates is the same. The thermal stress can be reduced. Thus, the ratio of the thickness of the second substrate 87 to the thickness of the first substrate 92 is
It is preferably 5/7 or less.
【００５８】なお、第１基板に対する第２基板の熱膨張
係数の比が大きいほど、第１基板の伸び量と第２基板の
伸び量との差を抑制できるが、熱膨張係数が大きくなる
とガラスの密度が上昇し、重量が大きくなり、表示装置
の軽量化を妨げるという問題がある。従って、これらの
問題を考慮した上で適宜、熱膨張係数を選択することが
好ましい。本実施例では、第１および第２基板にホウケ
イ酸ガラスを使用したが、一般に入手可能なホウケイ酸
ガラスの熱膨張係数は約３．０×１０-6〜５．０×１０
-6／℃であるので、第１基板に対する第２基板の熱膨張
係数の比をより大きくするために、例えば、第１基板に
ホウケイ酸ガラスを用い、第２基板にはホウケイ酸ガラ
スよりも熱膨張係数の小さい石英ガラスを用いてもよ
い。The larger the ratio of the thermal expansion coefficient of the second substrate to the first substrate is, the more the difference between the expansion amount of the first substrate and the expansion amount of the second substrate can be suppressed. There is a problem that the density of the display device increases, the weight increases, and the weight reduction of the display device is hindered. Therefore, it is preferable to appropriately select the thermal expansion coefficient in consideration of these problems. In this example, borosilicate glass was used for the first and second substrates, but the coefficient of thermal expansion of commonly available borosilicate glass is about 3.0 × 10 −6 to 5.0 × 10.
Since it is −6 / ° C., in order to increase the ratio of the thermal expansion coefficient of the second substrate to the first substrate, for example, borosilicate glass is used for the first substrate, and borosilicate glass is used for the second substrate more than borosilicate glass. Quartz glass having a small coefficient of thermal expansion may be used.
【００５９】また図４を参照して後で説明するが、第１
基板９２に対して第２基板８５、８７の熱膨張量を小さ
くすることができるので、第１および第２基板９２、８
５、８７上に狭い間隔で配線を設けても、第１基板９２
と第２基板８５との間および、第１基板９２と第２基板
８７との間を高い信頼性で電気的に接続することができ
る。As will be described later with reference to FIG. 4, the first
Since the thermal expansion amount of the second substrates 85 and 87 can be made smaller than that of the substrate 92, the first and second substrates 92 and 8 can be formed.
Even if the wiring is provided on the wirings 5 and 87 at a narrow interval, the first substrate 92
And the second substrate 85 and between the first substrate 92 and the second substrate 87 can be electrically connected with high reliability.
【００６０】以下、図２を参照しながら液晶表示装置８
０をより詳細に説明する。The liquid crystal display device 8 will be described below with reference to FIG.
0 will be described in more detail.
【００６１】液晶パネル８２において、第１基板９２の
液晶層９６側表面には、行方向に延びるゲートバスライ
ン、列方向に延びるソースバスライン、マトリクス状に
配置された複数の画素電極、およびＴＦＴ（これら全て
の構成要素を図２（ｂ）の参照番号９２Ｃの層で示す）
が設けられている。ゲートバスラインおよびソースバス
ラインはいずれもＡｌ薄膜から形成されており、ＴＦＴ
はａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）を用いて形成され
ている。ＴＦＴは画素電極とソースバスラインとの間に
設けられており、ゲートバスラインからの信号によって
ＯＮ／ＯＦＦが制御されている。In the liquid crystal panel 82, on the surface of the first substrate 92 on the liquid crystal layer 96 side, gate bus lines extending in the row direction, source bus lines extending in the column direction, a plurality of pixel electrodes arranged in a matrix, and TFTs. (All of these components are shown in the layer with the reference numeral 92C in FIG. 2B)
Is provided. The gate bus line and the source bus line are both formed of an Al thin film,
Are formed using a-Si (amorphous silicon). The TFT is provided between the pixel electrode and the source bus line, and ON / OFF is controlled by a signal from the gate bus line.
【００６２】一方、対向基板９４の液晶層側表面には、
いずれも図示しないが、対向電極およびカラーフィルタ
層（不図示）が設けられている。なお、対向基板９４に
は例えば上記第１基板９２と同様のアルミノホウケイ酸
ガラスが用いられている。On the other hand, on the surface of the counter substrate 94 on the liquid crystal layer side,
Although not shown in the drawings, a counter electrode and a color filter layer (not shown) are provided. The counter substrate 94 is made of, for example, the same aluminoborosilicate glass as the first substrate 92.
【００６３】ＦＰＣ８８は、ポリイミド基材の表面にゲ
ート用配線９８とソース用配線１００とが設けられて構
成されている。ゲート用配線９８およびソース用配線１
００は、銅（Ｃｕ）箔のパターニングによって形成され
ている。このＦＰＣ８８は、図示しない外部基板（コン
トロール基板）に電気的に接続されている。外部基板で
ゲート用駆動信号およびソース用駆動信号が形成され、
このゲート用駆動信号およびソース用駆動信号はそれぞ
れ、ＦＰＣ８８のゲート用配線９８およびソース用配線
１００を介して、ゲート側駆動回路基板８４およびソー
ス側駆動回路基板８６に供給される。The FPC 88 is constructed by providing a gate wiring 98 and a source wiring 100 on the surface of a polyimide base material. Gate wiring 98 and source wiring 1
00 is formed by patterning a copper (Cu) foil. The FPC 88 is electrically connected to an external board (control board) not shown. The drive signal for the gate and the drive signal for the source are formed on the external substrate,
The gate drive signal and the source drive signal are supplied to the gate side drive circuit board 84 and the source side drive circuit board 86 via the gate line 98 and the source line 100 of the FPC 88, respectively.
【００６４】ゲート側駆動回路基板８４およびソース側
駆動回路基板８６にはそれぞれ、ゲート用駆動回路８４
ｃおよびソース用駆動回路８６ｃが搭載されている。上
記ゲート用駆動信号およびソース用駆動信号はそれぞ
れ、ゲート用駆動回路８４ｃおよびソース用駆動回路８
６ｃに供給される。ゲート用駆動回路８４ｃおよびソー
ス用駆動回路８６ｃはそれぞれ、液晶パネルのゲートバ
スラインおよびソースバスラインに電気的に接続されて
おり、上記ゲート用駆動信号およびソース用駆動信号は
それぞれゲートバスラインおよびソースバスラインに供
給され、表示が行われる。The gate side drive circuit board 84 and the source side drive circuit board 86 are respectively provided with a gate drive circuit 84.
c and a source drive circuit 86c are mounted. The gate drive signal and the source drive signal are respectively the gate drive circuit 84c and the source drive circuit 8
6c is supplied. The gate drive circuit 84c and the source drive circuit 86c are electrically connected to the gate bus line and the source bus line of the liquid crystal panel, respectively, and the gate drive signal and the source drive signal are the gate bus line and the source, respectively. It is supplied to the bus line and displayed.
【００６５】以下、図４を参照しながら、ＦＰＣ８８、
ゲート側駆動回路基板８４、ソース側駆動回路基板８６
および表示パネル８２の間の電気的接続をより詳細に説
明する。図４は、図２（ａ）の４Ａ領域の拡大図であ
る。Hereinafter, referring to FIG. 4, the FPC 88,
Gate side drive circuit board 84, source side drive circuit board 86
The electrical connection between the display panel 82 and the display panel 82 will be described in more detail. FIG. 4 is an enlarged view of the area 4A in FIG.
【００６６】上述したように、ＦＰＣ８８と液晶パネル
８２との間、ゲート側駆動回路基板８４と液晶パネル８
２との間、およびソース側駆動回路基板８６と液晶パネ
ル８２との間はいずれもＡＣＦ９０によって電気的に接
続されている。As described above, between the FPC 88 and the liquid crystal panel 82, the gate side drive circuit board 84 and the liquid crystal panel 8 are provided.
2 and the source side drive circuit board 86 and the liquid crystal panel 82 are electrically connected by the ACF 90.
【００６７】図４に示すようにＦＰＣ８８には、外部回
路基板などから供給されるゲート用駆動信号およびソー
ス用駆動信号がそれぞれ入力される複数のゲート用配線
９８およびソース用配線１００が設けられている。ま
た、ＡＣＦ９０が付与されている接着領域９０Ｒでは、
各配線にそれぞれ端子９８Ｔおよび１００Ｔが設けられ
ている。As shown in FIG. 4, the FPC 88 is provided with a plurality of gate wirings 98 and source wirings 100 to which gate driving signals and source driving signals supplied from an external circuit board or the like are respectively input. There is. Further, in the adhesion region 90R to which the ACF 90 is attached,
Each wiring is provided with terminals 98T and 100T, respectively.
【００６８】また、ゲート側駆動回路基板８４の第２基
板８５には、ゲート側駆動回路８４ｃにゲート用駆動信
号を入力するゲート入力配線１０４と、ゲート側駆動回
路８４ｃからゲート用駆動信号を出力するゲート出力配
線１０５とが設けられている。ＡＣＦ９０が付与されて
いる接着領域９０Ｒにおいて、ゲート入力配線１０４お
よびゲート出力配線１０５に、それぞれ端子１０４Ｔお
よび１０５Ｔが設けられている。このゲート側駆動回路
基板８４と同様にソース側駆動回路基板８６の第２基板
８７には、ソース入力配線１０６、ソース出力配線１０
７、端子１０６Ｔおよび１０７Ｔが設けられている。Further, on the second substrate 85 of the gate side drive circuit board 84, the gate input wiring 104 for inputting the gate drive signal to the gate side drive circuit 84c and the gate drive signal from the gate side drive circuit 84c are output. And a gate output wiring 105 for controlling the output. In the adhesion region 90R provided with the ACF 90, the terminals 104T and 105T are provided on the gate input wiring 104 and the gate output wiring 105, respectively. Similarly to the gate side drive circuit board 84, the source input wiring 106 and the source output wiring 10 are provided on the second substrate 87 of the source side drive circuit board 86.
7, terminals 106T and 107T are provided.
【００６９】第１基板９２には、ＦＰＣ８８のゲート用
配線９８と第２基板８５のゲート入力配線１０４とを接
続するためのパネル内配線１０８、およびＦＰＣ８８の
ソース用配線１００と第２基板８７のソース入力配線１
０６とを接続するためのパネル内配線１０９が設けられ
ている。パネル内配線１０８の両端にはそれぞれ、端子
１０８Ｔ１および１０８Ｔ２が設けられており、端子１
０８Ｔ１および１０８Ｔ２はそれぞれ端子９８Ｔおよび
端子１０４Ｔに接続される。なお図４で、例えば参照符
号「９８Ｔ（１０８Ｔ１）」は、端子９８Ｔの下側に端
子１０８Ｔ１が配置されていることを示している。The first substrate 92 has an in-panel wiring 108 for connecting the gate wiring 98 of the FPC 88 and the gate input wiring 104 of the second substrate 85, and the source wiring 100 of the FPC 88 and the second substrate 87. Source input wiring 1
The in-panel wiring 109 for connecting with 06 is provided. Terminals 108T1 and 108T2 are provided at both ends of the in-panel wiring 108, respectively.
08T1 and 108T2 are connected to the terminal 98T and the terminal 104T, respectively. In FIG. 4, for example, reference numeral “98T (108T1)” indicates that the terminal 108T1 is arranged below the terminal 98T.
【００７０】パネル内配線１０８と同様にパネル内配線
１０９の両端にもそれぞれ、端子１０９Ｔ１および１０
９Ｔ２が設けられており、端子１０９Ｔ１および１０９
Ｔ２はそれぞれ、端子１００Ｔおよび端子１０６Ｔに接
続される。さらに第１基板９２には、第２基板８５のゲ
ート用出力配線１０５と電気的に接続するようにゲート
バスライン用引き出し線１１０が設けられており、ゲー
トバスライン用引き出し線１１０の端部には、端子１０
５Ｔに接続するように端子１１０Ｔが設けられている。
また第１基板９２には、第２基板８７のソース用出力配
線１０７と電気的に接続するようにソースバスライン用
引き出し線１１１が設けられており、ソースバスライン
用引き出し線１１１の端部には、端子１０７Ｔに対応す
るように端子１１１Ｔが設けられている。Similar to the in-panel wiring 108, terminals 109T1 and 10 are provided at both ends of the in-panel wiring 109, respectively.
9T2 is provided, and terminals 109T1 and 109 are provided.
T2 is connected to terminal 100T and terminal 106T, respectively. Further, the first substrate 92 is provided with a gate bus line lead line 110 so as to be electrically connected to the gate output wiring 105 of the second substrate 85, and at the end of the gate bus line lead line 110. Is terminal 10
Terminal 110T is provided so as to be connected to 5T.
Further, the first substrate 92 is provided with a source bus line lead line 111 so as to be electrically connected to the source output wiring 107 of the second substrate 87, and at the end of the source bus line lead line 111. Is provided with a terminal 111T corresponding to the terminal 107T.
【００７１】上述のＦＰＣ８８および第２基板８７は、
第１基板９２のソース側端子部領域８２ｂにＡＦＣ９０
（接着領域を９０Ｒで示す）によって接着されている。
またこれと同様に、第２基板８５は、第１基板９２のゲ
ート側端子部領域８２ａにＡＦＣ９０によって接着され
ている。これにより、ＡＦＣ９０中の異方性導電粒子に
より、端子９８Ｔと端子１０８Ｔ１との間、端子１０８
Ｔ２と端子１０４Ｔとの間、端子１０５Ｔと端子１１０
Ｔとの間、端子１０６Ｔと端子１０９Ｔ２との間、およ
び端子１０７Ｔと端子１１１Ｔとの間が、電気的に接続
される。The FPC 88 and the second substrate 87 described above are
The AFC 90 is formed on the source-side terminal area 82b of the first substrate 92.
(Adhesive area is indicated by 90R).
Further, similarly, the second substrate 85 is adhered to the gate-side terminal portion region 82a of the first substrate 92 by the AFC 90. Thereby, the anisotropic conductive particles in the AFC 90 cause the gap between the terminal 98T and the terminal 108T1 and the terminal 108T.
Between T2 and terminal 104T, terminal 105T and terminal 110
T, the terminal 106T and the terminal 109T2, and the terminal 107T and the terminal 111T are electrically connected.
【００７２】液晶表示装置８０では上述の各配線を従来
よりも小さいピッチで設けても、高い信頼性で電気的に
接続することができた。以下に、液晶表示装置８０の接
続領域９８Ｒでの各端子のピッチおよび各端子の幅を示
す。
（配線９８と配線１０８との間、配線１００と配線１０
９との間の接続）
端子９８Ｔのピッチ、端子１００Ｔのピッチ、端子１０
８Ｔ１のピッチ、および端子１０９Ｔ１のピッチａ；
０．３ｍｍ、
端子９８Ｔの幅および端子１００Ｔの幅；０．１ｍｍ、
端子１０８Ｔ１の幅および端子１０９Ｔ１の幅；０．２
ｍｍ、
（配線１０９と配線１０６との間、配線１０８と配線１
０４との間の接続）
端子１０８Ｔ２のピッチ、端子１０９Ｔ２のピッチ、端
子１０４Ｔのピッチおよび端子１０６Ｔのピッチｂ；
０．３ｍｍ、
端子１０４Ｔの幅および端子１０６Ｔの幅；０．３ｍ
ｍ、
端子１０８Ｔ２の幅および端子１０９Ｔ２の幅；０．１
ｍｍ、
（配線１０７と配線１１１との間の接続）
端子１０７Ｔのピッチおよび端子１１１Ｔのピッチｃ；
０．０７ｍｍ、
端子１０７Ｔの幅；０．０４ｍｍ、
端子１１１Ｔの幅；０．０４ｍｍ、
（配線１０５と配線１１０との間の接続）
端子１０５Ｔのピッチおよび端子１１０Ｔのピッチｄ；
０．２ｍｍ、
端子１０５Ｔの幅；０．１ｍｍ、
端子１１０Ｔの幅；０．１ｍｍ
なお、上述の液晶表示装置８０ではＦＰＣ８８が第１基
板９２に接続されているが、これに代えて、ゲート側駆
動回路基板８４とソース側駆動回路基板８６との両方に
それぞれＦＰＣが接続されていてもよい。以下、この液
晶表示装置について図５を参照しながら説明する。In the liquid crystal display device 80, even if the above-mentioned respective wirings were provided at a pitch smaller than that of the conventional one, they could be electrically connected with high reliability. The pitch of each terminal and the width of each terminal in the connection region 98R of the liquid crystal display device 80 are shown below. (Between the wiring 98 and the wiring 108, the wiring 100 and the wiring 10
9) Pitch of terminal 98T, pitch of terminal 100T, terminal 10
8T1 pitch and terminal 109T1 pitch a;
0.3 mm, width of terminal 98T and width of terminal 100T; 0.1 mm, width of terminal 108T1 and width of terminal 109T1; 0.2
mm, (between the wiring 109 and the wiring 106, the wiring 108 and the wiring 1
Connection with 04) Pitch of terminal 108T2, pitch of terminal 109T2, pitch of terminal 104T and pitch b of terminal 106T;
0.3 mm, width of terminal 104T and width of terminal 106T; 0.3 m
m, the width of the terminal 108T2 and the width of the terminal 109T2; 0.1
mm, (connection between wiring 107 and wiring 111) Pitch of terminals 107T and pitch c of terminals 111T;
0.07 mm, width of terminal 107T; 0.04 mm, width of terminal 111T; 0.04 mm, (connection between wiring 105 and wiring 110) Pitch of terminal 105T and pitch d of terminal 110T;
0.2 mm, width of terminal 105T; 0.1 mm, width of terminal 110T; 0.1 mm In the liquid crystal display device 80 described above, the FPC 88 is connected to the first substrate 92, but instead of this, on the gate side. The FPCs may be connected to both the drive circuit board 84 and the source side drive circuit board 86. The liquid crystal display device will be described below with reference to FIG.
【００７３】本実施例の改変例の液晶表示装置８１で
は、ゲート側駆動回路基板８４の第２基板８５にＦＰＣ
８８ａがＡＣＦによって接着され、さらに、ソース側駆
動回路基板８６の第２基板８７にＦＰＣ８８ｂがＡＣＦ
によって接着されている。従って、ＦＰＣ８８ａからそ
れぞれ出力されたゲート駆動信号およびＦＰＣ８８ｂか
ら出力されたソース駆動信号はＡＣＦを介してそれぞ
れ、ゲート側駆動回路基板８４およびソース側駆動回路
基板８６に供給される。これにより、図４のパネル内配
線１０８、１０９を介してＦＰＣ８８ゲート側駆動回路
基板８４またはソース側駆動回路基板８６とを接続する
場合に比べて、ＦＰＣ８８ａとゲート側駆動回路基板８
４との間の信号伝達距離および、ＦＰＣ８８ｂとソース
側駆動回路基板８６との間の信号伝達距離を短くするこ
とができるので、抵抗値を低くすることができる。な
お、上述の実施例では基板間の接着および電気的接続の
ためにＡＣＦを用いた例を説明したが、基板間の接続方
法はこれに限られない。例えば、接続すべき基板間をワ
イヤで結合し、熱硬化性樹脂でモールドしても良い。In the liquid crystal display device 81 of the modification of this embodiment, the FPC is formed on the second substrate 85 of the gate side drive circuit substrate 84.
88a is adhered by ACF, and further, the FPC 88b is attached to the second substrate 87 of the source side drive circuit board 86 by the ACF.
Are glued by. Therefore, the gate drive signal output from the FPC 88a and the source drive signal output from the FPC 88b are supplied to the gate side drive circuit board 84 and the source side drive circuit board 86 via the ACF, respectively. Thereby, as compared with the case where the FPC 88 gate side drive circuit board 84 or the source side drive circuit board 86 is connected via the in-panel wirings 108 and 109 of FIG. 4, the FPC 88a and the gate side drive circuit board 8 are connected.
4 can be shortened and the signal transmission distance between the FPC 88b and the source side drive circuit board 86 can be shortened, so that the resistance value can be reduced. In addition, in the above-described embodiment, an example in which the ACF is used for adhesion and electrical connection between the substrates has been described, but the connection method between the substrates is not limited to this. For example, the substrates to be connected may be connected with a wire and molded with a thermosetting resin.
【００７４】[0074]
【発明の効果】上述したように、駆動回路基板が高い電
気的信頼性で表示パネルに接続可能であり、また、駆動
回路を表示パネルに接着しても表示パネルの品質の低下
が抑制される表示装置およびその製造方法を提供するこ
とができた。本発明は大型の表示装置に特に好適に適用
可能である。As described above, the drive circuit board can be connected to the display panel with high electrical reliability, and even if the drive circuit is bonded to the display panel, deterioration of the quality of the display panel is suppressed. A display device and a manufacturing method thereof can be provided. The present invention is particularly preferably applicable to a large display device.
【図１】（ａ）は本発明の表示装置を模式的に示す平面
図であり、（ｂ）は（ａ）の１Ｂ―１Ｂ’断面図であ
る。1A is a plan view schematically showing a display device of the present invention, and FIG. 1B is a sectional view taken along line 1B-1B ′ of FIG.
【図２】（ａ）は本発明の一実施例に係る液晶表示装置
の平面図であり、（ｂ）は（ａ）の２Ａ―２Ａ’断面図
である。2A is a plan view of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2B is a sectional view taken along line 2A-2A ′ of FIG.
【図３】（ａ）は第１基板と第２基板とを接着する方法
を模式的に示す図であり、（ｂ）は第１基板と第２基板
とに付与される温度勾配を説明するグラフである。FIG. 3A is a diagram schematically showing a method for adhering a first substrate and a second substrate, and FIG. 3B is a diagram explaining a temperature gradient applied to the first substrate and the second substrate. It is a graph.
【図４】図２（ａ）の４Ａ領域の拡大図である。FIG. 4 is an enlarged view of a 4A area in FIG.
【図５】本実施例の改変例の液晶表示装置を示す図であ
る。FIG. 5 is a diagram showing a liquid crystal display device of a modified example of the present embodiment.
【図６】一般的なＴＣＰ方式の表示装置を示す図であ
る。FIG. 6 is a diagram showing a general TCP type display device.
【図７】一般的なＣＯＧ方式の表示装置を示す図であ
る。FIG. 7 is a diagram showing a general COG type display device.
【図８】一般的なＧＯＧ方式の表示装置を示す図であ
る。FIG. 8 is a diagram showing a general GOG type display device.
１１ ガラス基板 １２ ＴＣＰ １３ ＰＷＢ １４ ＴＣＰ １５ ＰＷＢ １６ ＦＰＣ ２１ ガラス基板 ２２ 駆動回路 ２３ ＦＰＣ ２４ 駆動回路 ２５ ＦＰＣ ３１ ガラス基板 ３２ ガラス基板 ３３ ガラス基板 ３４ ＦＰＣ ５０ 表示装置 ５２ 表示パネル ５３ 第１の基板 ５４ 駆動回路基板 ５５ 第２の基板 ５６ 熱硬化性樹脂 ８０ 液晶表示装置 ８１ 液晶表示装置 ８２ 液晶パネル ８２ａ ゲート側端子部領域８２ｂ ８２ｂ ソース側端子部領域８２ｂ ８４ ゲート側駆動回路基板 ８４ｃ ゲート用駆動回路 ８５ 第２基板 ８６ ソース側駆動回路基板 ８６ｃ ソース用駆動回路 ８７ 第２基板 ８８ ＦＰＣ ８８ａ ＦＰＣ ８８ｂ ＦＰＣ ９０ ＡＣＦ ９０Ｒ 接着領域 ９４ 対向基板 ９６ 液晶層 ９８ ゲート用配線 ９８Ｔ 端子 １００ ソース用配線 １００Ｔ 端子 １０４ ゲート入力配線 １０４Ｔ 端子 １０５ ゲート出力配線 １０５Ｔ 端子 １０６ ソース入力配線 １０６Ｔ 端子 １０７ ソース用出力配線 １０７Ｔ 端子 １０８ パネル内配線 １０８Ｔ１ 端子 １０８Ｔ２ 端子 １０９ パネル内配線 １０９Ｔ１ 端子 １０９Ｔ２ 端子 １１０ ゲートバスライン用引き出し線 １１０Ｔ 端子 １１１ ソースバスライン用引き出し線 １１１Ｔ 端子 ２００Ｈ 加熱ツール ２００Ｌ 加熱ツール 11 glass substrate 12 TCP 13 PWB 14 TCP 15 PWB 16 FPC 21 glass substrate 22 Drive circuit 23 FPC 24 drive circuit 25 FPC 31 glass substrate 32 glass substrate 33 glass substrate 34 FPC 50 display 52 display panel 53 First substrate 54 drive circuit board 55 Second substrate 56 Thermosetting resin 80 LCD 81 Liquid crystal display device 82 LCD panel 82a Gate side terminal area 82b 82b Source side terminal area 82b 84 Gate side drive circuit board 84c Gate drive circuit 85 Second substrate 86 Source side drive circuit board 86c Source drive circuit 87 Second substrate 88 FPC 88a FPC 88b FPC 90 ACF 90R bonding area 94 Counter substrate 96 Liquid crystal layer 98 gate wiring 98T terminal 100 source wiring 100T terminal 104 gate input wiring 104T terminal 105 gate output wiring 105T terminal 106 Source input wiring 106T terminal 107 Source output wiring 107T terminal 108 In-panel wiring 108T1 terminal 108T2 terminal 109 In-panel wiring 109T1 terminal 109T2 terminal 110 Lead-out line for gate bus line 110T terminal 111 Lead line for source bus line 111T terminal 200H heating tool 200L heating tool
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/02 Ｈ０５Ｂ 33/02 33/14 33/14 Ａ Ｚ Ｆターム(参考） 2H090 JB02 JD15 JD18 LA04 2H092 GA48 GA55 GA59 MA32 3K007 AB14 AB18 BB07 DB03 FA02 5C094 AA31 BA27 BA43 DB02 DB05 EB02 FB02 HA08 JA01 JA20 5G435 AA14 BB05 BB12 EE32 EE34 EE37 EE42 EE47 KK09 LL06 LL07 LL08 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) H05B 33/02 H05B 33/02 33/14 33/14 AZ F term (reference) 2H090 JB02 JD15 JD18 LA04 2H092 GA48 GA55 GA59 MA32 3K007 AB14 AB18 BB07 DB03 FA02 5C094 AA31 BA27 BA43 DB02 DB05 EB02 FB02 HA08 JA01 JA20 5G435 AA14 BB05 BB12 EE32 EE34 EE37 EE42 EE47 KK09 LL06 LL07 LL08
Claims (10)
ルと、駆動回路基板とを有する表示装置であって、 前記表示パネルは第１基板を備え、 前記駆動回路基板は、第２基板と、前記第２基板の上に
形成されかつ、前記画素に信号を供給する駆動回路とを
備え、 熱硬化性樹脂を用いて前記第１基板に前記第２基板が接
着されており、 前記第２基板の熱膨張係数α２が前記第１基板の熱膨張
係数α１よりも小さい表示装置。1. A display device having a display panel having a plurality of pixels for displaying and a drive circuit board, wherein the display panel comprises a first substrate, the drive circuit board comprises a second substrate, A driving circuit which is formed on the second substrate and supplies a signal to the pixels, wherein the second substrate is adhered to the first substrate by using a thermosetting resin; Of which the coefficient of thermal expansion α2 is smaller than the coefficient of thermal expansion α1 of the first substrate.
前記第１基板の熱膨張係数α１の比α１／α２が、１．
０＜α１／α２＜２．６の範囲にある請求項１に記載の
表示装置。2. The ratio α1 / α2 of the thermal expansion coefficient α1 of the first substrate to the thermal expansion coefficient α2 of the second substrate is 1.
The display device according to claim 1, wherein the display range is 0 <α1 / α2 <2.6.
ルと、駆動回路基板とを有する表示装置であって、 前記表示パネルは第１基板を備え、 前記駆動回路基板は、第２基板と、前記第２基板の上に
形成されかつ、前記画素に信号を供給する駆動回路とを
備え、 熱硬化性樹脂を用いて前記第１基板に前記第２基板が接
着されており、 前記第２基板の熱膨張係数α２と弾性率との積が、前記
第１基板の熱膨張係数α１と弾性率との積よりも小さい
表示装置。3. A display device comprising a display panel having a plurality of pixels for displaying and a drive circuit board, wherein the display panel comprises a first substrate, the drive circuit board comprises a second substrate, A driving circuit which is formed on the second substrate and supplies a signal to the pixels, wherein the second substrate is adhered to the first substrate by using a thermosetting resin; The display device in which the product of the thermal expansion coefficient α2 and the elastic modulus is smaller than the product of the thermal expansion coefficient α1 of the first substrate and the elastic modulus.
厚さよりも小さい請求項１から３のいずれかに記載の表
示装置。4. The display device according to claim 1, wherein the thickness of the second substrate is smaller than the thickness of the first substrate.
ルと、駆動回路基板sとを有する表示装置であって、 前記表示パネルは第１基板を備え、 前記駆動回路基板は、第２基板と、前記第２基板の上に
形成されかつ、前記画素に信号を供給する駆動回路とを
備え、 熱硬化性樹脂を用いて前記第１基板に前記第２基板が接
着されており、 前記第２基板の厚さが、前記第１基板の厚さよりも小さ
い表示装置。5. A display device having a display panel having a plurality of pixels for displaying and a drive circuit board s, wherein the display panel comprises a first substrate, and the drive circuit board comprises a second substrate. A drive circuit which is formed on the second substrate and supplies a signal to the pixels, wherein the second substrate is adhered to the first substrate by using a thermosetting resin, A display device in which the thickness of the substrate is smaller than the thickness of the first substrate.
板の厚さの比が５／７以下である請求項４または５に記
載の表示装置。6. The display device according to claim 4, wherein a ratio of the thickness of the second substrate to the thickness of the first substrate is 5/7 or less.
けられた複数の画素電極と、前記複数の画素電極に対向
する対向電極と、前記複数の画素電極と前記対向電極と
の間に配置された表示媒体層とを有し、 前記表示媒体層は、液晶材料、有機ＥＬまたは無機ＥＬ
を含む、請求項１から６のいずれかに記載の表示装置。7. The display panel comprises: a plurality of pixel electrodes provided on the first substrate; a counter electrode facing the plurality of pixel electrodes; and a plurality of pixel electrodes between the plurality of pixel electrodes and the counter electrode. And a display medium layer arranged, wherein the display medium layer is a liquid crystal material, an organic EL or an inorganic EL.
The display device according to claim 1, further comprising:
を有する表示パネルを用意する工程と、 第２基板と、前記第２基板の上に形成されかつ、前記画
素に信号を供給する駆動回路とを備える駆動回路基板を
用意する工程と、 前記第１基板よりも前記第２基板を高温にして、前記第
１基板と前記第２基板との間の所定の領域に付与された
熱硬化性樹脂を硬化させることによって、前記第１基板
に前記第２基板を接着する工程とを有し、 前記第２基板の熱膨張係数α２が前記第１基板の熱膨張
係数α１よりも小さい表示装置の製造方法。8. A step of preparing a display panel comprising a first substrate and having a plurality of pixels for displaying, a second substrate, and a signal which is formed on the second substrate and is supplied to the pixels. A step of preparing a drive circuit board provided with a drive circuit; and heat applied to a predetermined region between the first board and the second board by heating the second board to a temperature higher than that of the first board. A step of adhering the second substrate to the first substrate by curing a curable resin, wherein the thermal expansion coefficient α2 of the second substrate is smaller than the thermal expansion coefficient α1 of the first substrate. Device manufacturing method.
厚さよりも小さい請求項８に記載の表示装置の製造方
法。9. The method of manufacturing a display device according to claim 8, wherein the thickness of the second substrate is smaller than the thickness of the first substrate.
素を有する表示パネルを用意する工程と、 第２基板と、前記第２基板の上に形成されかつ、前記画
素に信号を供給する駆動回路とを備える駆動回路基板を
用意する工程と、 前記第１基板よりも前記第２基板を高温にして、 前記第１基板よりも前記第２基板を高温にして、前記第
１基板と前記第２基板との間の所定の領域に付与された
熱硬化性樹脂を硬化させることによって、前記第１基板
に前記第２基板を接着する工程とを有し、 前記第２基板の厚さが前記第１基板の厚さよりも小さい
表示装置の製造方法。10. A step of preparing a display panel having a first substrate and having a plurality of pixels for displaying, a second substrate, and formed on the second substrate and supplying a signal to the pixels. A step of preparing a drive circuit board including a drive circuit; a temperature of the second board higher than that of the first board; a temperature of the second board higher than that of the first board; Bonding the second substrate to the first substrate by curing a thermosetting resin applied to a predetermined region between the second substrate and the second substrate, wherein the thickness of the second substrate is A method of manufacturing a display device having a thickness smaller than that of the first substrate.
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|---|---|---|---|---|
| JP2005181830A (en) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Seiko Epson Corp | Optoelectronic device and electronic equipment |
| CN100403141C (en) * | 2005-06-29 | 2008-07-16 | Lg.菲利浦Lcd株式会社 | Liquid crystal display device |
| JP2017073395A (en) * | 2004-09-17 | 2017-04-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Active matrix panel |
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Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005181830A (en) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Seiko Epson Corp | Optoelectronic device and electronic equipment |
| US7301598B2 (en) | 2003-12-22 | 2007-11-27 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and electronic apparatus |
| JP2017073395A (en) * | 2004-09-17 | 2017-04-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Active matrix panel |
| US10622580B2 (en) | 2004-09-17 | 2020-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US10673011B2 (en) | 2004-09-17 | 2020-06-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US10971697B2 (en) | 2004-09-17 | 2021-04-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
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