JP3809819B2

JP3809819B2 - Mold cleaning resin composition

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Publication number: JP3809819B2
Application number: JP2003019464A
Authority: JP
Inventors: 伸沢野
Original assignee: Matsushita Electric Works Ltd
Current assignee: Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority date: 2003-01-28
Filing date: 2003-01-28
Publication date: 2006-08-16
Anticipated expiration: 2023-01-28
Also published as: JP2004230604A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造に用いられる半導体封止成形金型を清掃するための金型清掃用樹脂組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置を製造するにあたっては、ＩＣ等の半導体チップを実装したリードフレームを半導体封止成形金型のキャビティにセットし、封止用成形材料を半導体封止成形金型に注入してキャビティに充填することによって、リードフレームの半導体チップを封止用成形材料で封止成形して行われている。
【０００３】
そしてこの半導体封止成形金型にあって、封止成形を続けている間に、キャビティの表面など半導体封止成形金型内が封止用成形材料のワックス（ＷＡＸ）ブリード分及び樹脂の未硬化分などで汚れ、そのまま封止成形を継続すると、封止成形品の外観不良や成形不良などが発生する等のトラブルが起こるおそれがある。
【０００４】
そこで、金型清掃用樹脂組成物を用いて半導体封止成形金型を定期的に清掃することが従来から行われている。金型清掃用樹脂組成物としては、例えば特開平９−５７７６２号公報（特許文献１）、特開平７−２９２２６２号公報（特許文献２）、特開昭６３−２４６２１０号公報（特許文献３）、特開昭５５−１２３６６９号公報（特許文献４）、特開昭５５−１１３５１７号公報（特許文献５）などで提供されているアミノ系樹脂成形材料が用いられるものであり、半導体封止成形金型にアミノ系樹脂成形材料を注入して硬化させ、そして硬化させた成形物を半導体封止成形金型から脱型すると、脱型の際に半導体封止成形金型内の表面の汚れがこの成形物と一緒に剥がれ、半導体封止成形金型内の表面を清掃することができるのである。
【０００５】
【特許文献１】
特開平９−５７７６２号公報（特許請求の範囲等）
【特許文献２】
特開平７−２９２２６２号公報（段落番号［００１６］等）
【特許文献３】
特開昭６３−２４６２１０号公報（特許請求の範囲等）
【特許文献４】
特開昭５５−１２３６６９号公報（特許請求の範囲等）
【特許文献５】
特開昭５５−１１３５１７号公報（特許請求の範囲等）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように金型清掃用樹脂組成物を半導体封止成形金型に注入・成形して半導体封止成形金型を清掃するにあたって、半導体封止成形金型内には半導体チップを実装していないダミーのリードフレームをセットして、金型清掃用樹脂組成物を注入・成形している。これは、リードフレームをセットしないで金型清掃用樹脂組成物を半導体封止成形金型内に注入すると、半導体封止成形金型内に隙間ができて樹脂漏れが発生するためである。
【０００７】
しかしながら、このように半導体封止成形金型内にダミーのリードフレームをセットして金型清掃用樹脂組成物を注入・成形すると、半導体封止成形金型から脱型した成形物には金属のリードフレームがインサートされて一体化されていることになり、この脱型した成形物を焼却処分することができなくなるという問題を有するものであった。
【０００８】
また、金型内にダミーのリードフレームをセットして金型清掃用樹脂組成物を注入・成形すると、金型から成形品を脱型した際にエアーベント部にバリや金型パーティング面に薄バリが残ってしまい、金型のバリ除去作業にかなりの時間を要するという問題を有するものであった。
【０００９】
さらに、上記のように金型内にダミーのリードフレームがセットされていると、金型清掃用樹脂組成物がキャビティ末端部まで行き渡らないことがあり、これにより充填不足が発生し、金型から成形品を脱型しても半導体封止成形金型内の表面に汚れが残るという問題も有するものであった。
【００１０】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、脱型した成形物を焼却処分することが可能になる金型清掃用樹脂組成物を提供することを目的とするものである。
【００１１】
また、本発明は、金型清掃作業時のバリ除去作業を簡易にすることが可能になる金型清掃用樹脂組成物を提供することを目的とするものである。
【００１２】
さらに、本発明は、金型内にダミーのリードフレームがセットされていてもキャビティへの充填性が良好である金型清掃用樹脂組成物を提供することを目的とするものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１に係る金型清掃用樹脂組成物は、半導体封止成形金型内のリードフレームがセットされる箇所に布をセットし、この状態で半導体封止成形金型内に金型清掃用樹脂組成物を注入して成形し、成形物を半導体封止成形金型から脱型することによって、半導体封止成形金型内を清掃するための金型清掃用樹脂組成物であって、アミノ系樹脂及び鉱物質類粉体を含有すると共に、鉱物質類粉体の含有量が組成物全量に対して５〜３０質量％であり、かつ、最大粒径１８０μｍ以下で粒径１００μｍ以上の鉱物質類粉体の含有量が鉱物質類粉体全量に対して５質量％以下であることを特徴とするものである。
【００１４】
また請求項１の発明は、鉱物質類粉体の新モース硬度が６〜１２であることを特徴とするものである。
また請求項１の発明は、アミノ系樹脂の全量がメチロール化メラミン樹脂であることを特徴とするものである。
【００１５】
また請求項２の発明は、請求項１において、溶融硬化時間が２０〜４０秒であることを特徴とするものである。
【００１７】
また請求項３の発明は、請求項１又は２において、トランスファー成形用にタブレット化されて成ることを特徴とするものである。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を説明する。
【００１９】
図３は半導体封止成形金型１の一例を示すものであり、図３（ａ）のようにポット１０を上面に開口させて設けた下型１１と、ポット１０に対応してカル部１２を下面に設けた上型１３とから形成するようにしてある。ポット１０は図３（ｂ）のように複数個のものが一列に配置して設けられており、各ポット１０にはプランジャー１７が上下駆動自在に設けてある。また各ポット１０の左右両側にはそれぞれ下型１１の上面においてキャビティ凹部６ａが設けてある。キャビティ凹部６ａは各ポット１０に対応した個数がポット１０の両側に一列ずつ設けられており、各列のキャビティ凹部６ａを囲むようにリードフレームセット用凹段部１４が下型１１の上面に設けてある。この下型１１の各キャビティ凹部６ａに対応する位置において上型１３の下面にキャビティ凹部６ｂが設けてあり、下型１１と上型１３を型締めしたときに上下のキャビティ凹部６ａ，６ｂによってキャビティ６が形成されるようにしてある。
【００２０】
下型１１の上面において各キャビティ凹部６ａのポット１０側の端部には下ランナー１５ａが凹設してあり、各キャビティ凹部６ａのポット１０と反対側の端部にはエアーベント１６が設けてある。また上型１３の下面において各カル部１２のキャビティ凹部６ｂ側の端部には上ランナー１５ｂが凹設してあり、下型１１と上型１３を型締めしたときに上下のランナー１５ａ，１５ｂの端部同士が一致して、ポット１０及びカル部１２とキャビティ６とを連通させるランナー１５が形成されるようにしてある。
【００２１】
上記のように形成される半導体封止成形金型１で半導体装置を封止成形して製造するにあたっては、図４（ａ）に示すようなリードフレーム４を用いる。このリードフレーム４はフレーム部１８と、上記のキャビティ６に対応して設けられているチップ搭載パッド部１９とから形成してあり、各チップ搭載パッド部１９にはＩＣチップなどの半導体チップ（図示は省略）が搭載してある。そしてリードフレーム４を図４（ｂ）のように下型１１のリードフレームセット用凹段部１４に嵌め込むことによって、半導体チップを搭載した各チップ搭載パッド部１９を各キャビティ６にセットし、ポット１０内に封止用成形材料のタブレットを投入した後、下型１１と上型１３を型締めする（図４（ｂ）においてリードフレーム４を斜線で示す）。この後、プランジャー１７を上動させて封止用成形材料をポット１０からランナー１５を通して注入してキャビティ６に充填することによって、キャビティ６内においてリードフレーム４のチップ搭載パッド部１９と共に半導体チップを封止成形し、半導体装置を得ることができるものである。
【００２２】
上記のようにして封止成形を繰り返していると、やがてキャビティ６の表面など半導体封止成形金型１内が封止成形材料のワックスブリード分などで汚れてくるので、このような汚れを金型清掃用樹脂組成物２を用いて落とすのである。
【００２３】
本発明において金型清掃用樹脂組成物２としては、少なくともアミノ系樹脂及び鉱物質類粉体を含有するものを用いる。
【００２４】
アミノ系樹脂としては、メチロール化メラミン樹脂を用いる。
【００２５】
特に、アミノ系樹脂の全量がメチロール化メラミン樹脂であることが、以下の理由により好ましい。すなわちメチロール化メラミン樹脂は、その他のアミノ系樹脂に比較して、メチロール基やイミド基を数多く有しており、これらの官能基によって金型清掃性（汚れ除去性）を向上させることができるものである。メチロール化メラミン樹脂以外のアミノ系樹脂として例えばメチロール化メラミン−フェノール共縮合樹脂を挙げると、この樹脂は、メラミンがメチロール化する部分にフェノール樹脂を反応させて得られる樹脂であるため、１分子中におけるメチロール基が少なくなり、金型清掃性がメチロール化メラミン樹脂より劣るおそれがある。よって、アミノ系樹脂の全量がメチロール化メラミン樹脂である方が、最も多くのメチロール基及びイミド基を確保することができ、これらの官能基によって金型清掃性を向上させることができるのである。
【００２６】
一方、鉱物質類粉体としては、例えば、溶融シリカ、結晶シリカ、水酸化アルミニウム、ケイ酸ジルコン、アルミナ、炭酸カルシウム、酸化ジルコン、タルク、クレー、硫酸バリウム、アスベスト粉などを用いることができる。
【００２７】
ただし、どのような鉱物質類粉体を用いる場合であっても、鉱物質類粉体の含有量は金型清掃用樹脂組成物２全量に対して５〜３０質量％である。鉱物質類粉体の含有量が５質量％未満であると、汚れ除去性に欠けるものであり、逆に３０質量％を超えると、金型清掃用樹脂組成物２の成形時の流動性が低下し、充填不足が発生するものである。
【００２８】
また、どのような鉱物質類粉体を用いる場合であっても、最大粒径１８０μｍ以下で粒径１００μｍ以上の鉱物質類粉体の含有量は鉱物質類粉体全量に対して５質量％以下（実質上の下限は３質量％）である。一般に鉱物質類粉体はある一定の粒径分布を有しているが、上記のように最大粒径を１８０μｍに設定すると共に、粒径１００〜１８０μｍの範囲にある鉱物質類粉体の含有量を鉱物質類粉体全量に対して５質量％以下に設定してあると、鉱物質類粉体の粒径が全体として細かくなり、ダミーのリードフレームとして後述する布５が半導体封止成形金型１内にセットされていても、金型清掃用樹脂組成物２をキャビティ６末端部まで行き渡らせることができ、良好な充填性を得ることができるものである。しかし、最大粒径が１８０μｍを超える鉱物質類粉体を用いたり、粒径１００μｍ以上の鉱物質類粉体の含有量が５質量％を超えていたりすると、鉱物質類粉体の粒径が全体として大きくなり、鉱物質類粉体が布５の繊維の隙間に詰まって、金型清掃用樹脂組成物２をキャビティ６末端部まで行き渡らせることができなくなり、これにより充填不足が発生するものである。
【００２９】
さらに、鉱物質類粉体の新モース硬度は６〜１２である。新モース硬度が上記の範囲にある鉱物質類粉体を用いると、この鉱物質類粉体によって半導体封止成形金型１の表面に付着している汚れに傷を付けることができ、これにより汚れの剥離が促進されて、金型清掃性をさらに向上させることができるものである。しかし、鉱物質類粉体の新モース硬度が６未満であると、上記のような効果が得られないおそれがあり、逆に鉱物質類粉体の新モース硬度が１２を超えると、汚れ以外に半導体封止成形金型１の表面自体に傷を付けるおそれがある。
【００３０】
金型清掃用樹脂組成物２には、アミノ系樹脂及び鉱物質類粉体のほか、基材としてパルプ、綿粉、熱可塑性樹脂繊維などを、離型剤としてステアリン酸、ステアリン酸亜鉛、モンタン酸、カルボキシル基含有ポリオレフィンなどを、硬化促進剤として無水フタル酸などを配合することができ、さらに必要に応じてアミノシラン、エポキシシラン等のシランカップリング剤、着色剤などを配合することができる。
【００３１】
そして、上記のアミノ系樹脂及び鉱物質類粉体、必要に応じてその他の成分を配合し、これをボールミルにて均一に粉砕、混合した後、この混合物をロールにてシート化し、その後、このシートを粉砕することによって、粒状の金型清掃用樹脂組成物２を調製することができる。あるいは、上記のアミノ系樹脂及び鉱物質類粉体、必要に応じてその他の成分を配合し、これをニーダーやロールで加熱、混練した後、この混練物を冷却固化し、その後、この固化物を粉砕することによって、粉粒状の金型清掃用樹脂組成物を調製することができる。
【００３２】
上記のようにして得られる金型清掃用樹脂組成物２の溶融硬化時間（ゲルタイム）は２０〜４０秒であることが好ましい。溶融硬化時間がこの範囲を外れる金型清掃用樹脂組成物２を用いる場合であっても、厚型パッケージ（例えば、厚さ２．４〜３．２ｍｍのＱＦＰ）を製造するための金型を清掃したり、シングルタイプ（１個取り）の金型を清掃したりする場合であれば、キャビティへの充填性は比較的良好であるが、薄型パッケージ（例えば、厚さ０．８〜１．２ｍｍのＴＱＦＰやＴＳＯＰ）を製造するための金型を清掃したり、スルーゲートマルチマトリックスタイプ（多数個取り）の金型を清掃したりする場合であると、金型清掃用樹脂組成物２が流動する隙間が狭くなるため、金型清掃用樹脂組成物２の流動性に悪影響が及び、成形性が低下するおそれがある。具体的には、溶融硬化時間が２０秒未満であると、金型清掃用樹脂組成物２がキャビティ末端部に行き渡るまでに粘度が急激に上昇して充填不足が発生するおそれがあり、逆に溶融硬化時間が４０秒を超えると、エアーベント部にバリや金型パーティング面に薄バリが残るおそれがある。しかし、溶融硬化時間が２０〜４０秒である金型清掃用樹脂組成物２を用いるようにすれば、厚型パッケージを製造するための金型やシングルタイプの金型を清掃する場合はもちろん、薄型パッケージを製造するための金型やスルーゲートマルチマトリックスタイプの金型を清掃する場合であっても、バリの発生を防止することができると共に、キャビティへの充填性がさらに良好となるものである。
【００３３】
また、金型清掃用樹脂組成物２は、既述のとおり、粒状や粉粒状として調製することができるが、このような形態の金型清掃用樹脂組成物２を公知のタブレット成形機を用いてトランスファー成形用にタブレット化してもよい。このようにすると、金型清掃時に金型清掃用樹脂組成物２の計量をする手間を省くことができ、金型清掃の作業効率を向上させることができるものである。なお、以下においては、金型清掃用樹脂組成物２の形態がタブレットである場合について説明するが、これに限定されるものではない。
【００３４】
連続して封止成形した後の半導体封止成形金型１の清掃を行うにあたっては、まず下型１１と上型１３を開いてポット１０に金型清掃用樹脂組成物２のタブレットを投入する。次に、下型１１の上面に布５を敷いてセットする。この布５としては、綿や、ポリエステル、ビニロン、ポリプロピレン、ナイロン、テトロンなどの熱可塑性樹脂繊維、ガラス繊維などから作製した不織布や織布を用いることができるものであり、溶融状態の成形材料が浸透することができる通液性を有するものを用いるものである。この布５はキャビティ６の開口部（キャビティ凹部６ａの上面の開口）を覆うように配置されるものであるが、リードフレーム４より大きい布５を用い、図２（ａ）に示すように下型１１に設けられたポット１０、ランナー１５（下ランナー１５ａ）、キャビティ６（下キャビティ６ａ）、エアーベント１６の総てを覆うように布５を下型１１の上に載置するのが好ましい。布５は図２（ｂ）のように下型１１からはみ出すよう載置するようにしても差し支えない。
【００３５】
このように下型１１の上面に布５を載置した後、図１（ａ）に示すように下型１１と上型１３を型締めする。このとき、布５はリードフレームセット用凹段部１４以外の箇所では下型１１と上型１３の間で強く圧縮される。次に、プランジャー１７を上動させて、ポット１０内で溶融した液状の金型清掃用樹脂組成物２をポット１０から押し出し、図１（ｂ）に示すように金型清掃用樹脂組成物２をカル部１２とランナー１５を通して注入する。このとき、溶融状態の金型清掃用樹脂組成物２は通液性（通気性）の布５を浸透しながらカル部１２やランナー１５を流れる。そしてさらにプランジャー１７を上動させることによって、図１（ｃ）のように金型清掃用樹脂組成物２をキャビティ６内に充填させる。このとき、液状の金型清掃用樹脂組成物２は通液性の布５を浸透しながら流れてキャビティ６内に充填されるものである。また、下型１１と上型１３の間に布５がセットしてあるので、下型１１と上型１３の間の隙間から金型清掃用樹脂組成物２が漏れて流れ出すようなことを防ぐことができるものである。なお、図１（ｃ）の状態においては、布５と上型１３のキャビティ凹部６ｂとは接触しておらず、これらの間には、布５を浸透して流れ出てきた金型清掃用樹脂組成物２の層が存在している。
【００３６】
このように金型清掃用樹脂組成物２をキャビティ６に充填させる成形を行い、金型清掃用樹脂組成物２を硬化させる。そして金型清掃用樹脂組成物２を硬化させた後、下型１１と上型１３を分離させて型開きを行い、金型清掃用樹脂組成物２が硬化した成形物３を脱型するものである。金型清掃用樹脂組成物２の成形物３を脱型する際に、半導体封止成形金型１内のキャビティ６の表面の汚れや、カル部１２、エアーベント１６などの表面の汚れがこの成形物３と一緒に剥がれ、半導体封止成形金型１内の表面を清掃することができるのである。この清掃のための成形は、半導体封止成形金型１の汚れの状態により異なるが、３ショット〜１０ショット程度繰り返して行い、半導体封止成形金型１の表面の汚れが除去されたことを確認して終了とするのがよい。
【００３７】
そしてこのように半導体封止成形金型１から脱型した成形物３には布５がインサートされているが、布５はリードフレーム４のような金属ではないので、成形物３は支障なく焼却処理することができる。また、上記のように清掃のために金型清掃用樹脂組成物２を成形するにあたって、キャビティ６の周囲、ランナー１５の周り、エアーベント１６の周りに薄いバリが生じ、成形物３を脱型する際にこのバリは半導体封止成形金型１の表面に残り易いが、キャビティ６、ランナー１５、エアーベント１６の周囲には布５が存在しているので、この薄いバリは布５に付着しており、成形物３を半導体封止成形金型１から脱型する際に薄いバリも布５に付着した状態で半導体封止成形金型１の表面から剥離されることになる。従って薄いバリが半導体封止成形金型１の表面に残ることが無くなり、この薄いバリを半導体封止成形金型１から除去する作業が不要になって、半導体封止成形金型１を清掃する際の作業性が向上するものである。
【００３８】
上記の図１〜図４の実施の形態は、下型１１にポット１０を設けた半導体封止成形金型１を示すものであり、ポット１０に金型清掃用樹脂組成物２を投入した後に、下型１１の上に布５を設置し、さらに下型１１と上型１３を型締めして、成形を行うようにしたが、図５に示す実施の形態のように、上型１３にポット１０を設けた半導体封止成形金型１を用い、下型１１の上に布５を設置し、下型１１と上型１３を型締めした後に、ポット１０に金型清掃用樹脂組成物２を投入して、成形を行うようにしてもよい。また、図１〜図４及び図５の実施の形態は、トランスファー成形用の半導体封止成形金型１を示すものであるが、圧縮成形用の半導体封止成形金型１や、射出成形用の半導体封止成形金型１に本発明を適用することもできるものである。
【００３９】
【実施例】
以下、本発明を実施例によって具体的に説明する。
【００４０】
（金型清掃用樹脂組成物）
アミノ系樹脂として、メチロール化メラミン樹脂である松下電工（株）製「ＣＰ９０１２」、メチロール化メラミン−フェノール共縮合樹脂である松下電工（株）製「ＭＩ００２Ｒ」を用いた。なお、Ｍ：メラミン、Ｆ：ホルムアルデヒド、Ｐｈ：フェノールとすると、上記「ＣＰ９０１２」は、Ｆ／Ｍ＝１．４〜１．８（質量比）に設定して調製されたものであり、一方、上記「ＭＩ００２Ｒ」は、Ｆ／（Ｍ＋Ｐｈ）＝１．２〜１．８（質量比）、Ｍ／Ｐｈ＝９５／５〜７０／３０（質量比）に設定して調製されたものである。
【００４１】
また、鉱物質類粉体として、結晶シリカである（株）龍森製「３Ｋ」（新モース硬度７）及び「ＮＸ−７」（新モース硬度７）、溶融シリカである（株）龍森製「ＦＳ７６２Ｃ」（新モース硬度７）、アルミナである住友化学工業（株）製「ＡＬ３２」（新モース硬度１２）を用いた。
【００４２】
さらに、基材としてパルプを、離型剤としてステアリン酸亜鉛である大日化学製「ダイＷＡＸＺＦ」を、硬化促進剤として無水フタル酸を用いた。
【００４３】
そして、上記のアミノ系樹脂、鉱物質類粉体及びその他の成分を表１に示す配合量で配合し、これをボールミルにて表１に示す時間、均一に粉砕、混合した後、この混合物をロールにてシート化し、その後、このシートを粉砕機で粉砕することによって、粒状の金型清掃用樹脂組成物２を調製した。
【００４４】
このようにして得た金型清掃用樹脂組成物２について、１７０℃におけるスパイラルフローを測定した。この結果を表１に示す。
【００４５】
また、各金型清掃用樹脂組成物２について、１７０℃における溶融硬化時間（ゲルタイム）をキュラストメーター（日合商事（株）製「キュラストメーターＷ型」）を用いて測定した。具体的には、半導体封止成形金型１に金型清掃用樹脂組成物２を投入した後、型締めし、金型温度を１７０℃に設定して、金型清掃用樹脂組成物２が溶融している状態から溶融時のトルクが０．１ｋｇに達するまでの時間を測定し、この時間を溶融硬化時間とした。この結果を表１に示す。
【００４６】
また、金型清掃用樹脂組成物２中における鉱物質類粉体の最大粒径と、粒径１００μｍ以上の鉱物質類粉体の含有量を表１に示す。
【００４７】
（不織布使用時金型充填性）
各金型清掃用樹脂組成物２について、布５として不織布を使用したときの各種金型のキャビティ６への充填性を評価した。具体的には、以下のとおりである。
【００４８】
（１）半導体封止成形金型１として、図６（ａ）のように１つのポット１０について４つのキャビティ６を設けた１４□ＱＦＰ（肉厚２．４ｍｍ）成形用の金型を用い、また布５として、金型ライナー用不織布である小津産業（株）製「ＢＡ８３９」を用い、金型温度１７５℃、キュアー１８０秒、成形圧力６．８６ＭＰａ（７０ｋｇｆ／ｃｍ^２）の条件で、清掃のための成形を行った。
【００４９】
（２）半導体封止成形金型１として、図６（ａ）のように１つのポット１０について４つのキャビティ６を設けた１４□ＬＱＦＰ（肉厚１．４ｍｍ）成形用の金型を用い、また布５として、金型ライナー用不織布である小津産業（株）製「ＢＡ８３９」を用い、金型温度１７５℃、キュアー１８０秒、成形圧力６．８６ＭＰａ（７０ｋｇｆ／ｃｍ^２）の条件で、清掃のための成形を行った。
【００５０】
（３）半導体封止成形金型１として、図６（ｂ）のように１つのポット１０について４つのキャビティ６（これを１連目キャビティ７とする）を設け、さらに各１連目キャビティ７にそれぞれ１つのキャビティ６（これを２連目キャビティ８とする）を連ねて設けたＴＳＯＰ（肉厚１．０ｍｍ＝４００ｍｉｌ．）成形用の２連スルーゲートタイプ金型を用い、また布５として、金型ライナー用不織布である小津産業（株）製「ＰＯ３００Ｐ」を用い、金型温度１７５℃、キュアー１８０秒、成形圧力６．８６ＭＰａ（７０ｋｇｆ／ｃｍ^２）の条件で、清掃のための成形を行った。
【００５１】
そして（１）〜（３）の各場合について充填性を観察した。これらの結果を表１に示す。
【００５２】
（汚れ除去性）
半導体封止成形金型１として、ＴＯ２００成形用の金型を用い、また封止用成形材料として、ビフェニル系材料を用い、５００ショット連続成形することによって、ＴＯ２００を製造した。その後、ダミーのリードフレーム（具体的には、小津産業（株）製「ＢＡ１４２」を布５として）を用い、金型温度１７５℃、キュアー１８０秒、成形圧力６．８６ＭＰａ（７０ｋｇｆ／ｃｍ^２）の条件で、清掃のための成形を行った。この成形は清掃が完了するまで行い、清掃に必要なショット回数をカウントすることによって、汚れ除去性を評価した。
【００５３】
【表１】

【００５４】
表１にみられるように、実施例１〜７のものは、比較例１〜３のものよりも、充填性に優れていることが確認される。
【００５５】
【発明の効果】
上記のように本発明の請求項１に係る金型清掃用樹脂組成物は、半導体封止成形金型内のリードフレームがセットされる箇所に布をセットし、この状態で半導体封止成形金型内に金型清掃用樹脂組成物を注入して成形し、成形物を半導体封止成形金型から脱型することによって、半導体封止成形金型内を清掃するための金型清掃用樹脂組成物であって、アミノ系樹脂及び鉱物質類粉体を含有すると共に、鉱物質類粉体の含有量が組成物全量に対して５〜３０質量％であり、かつ、最大粒径１８０μｍ以下で粒径１００μｍ以上の鉱物質類粉体の含有量が鉱物質類粉体全量に対して５質量％以下であるので、以下のような効果が得られる。すなわち、鉱物質類粉体の含有量が上記の範囲であることによって、金型清掃用樹脂組成物の成形時の流動性が低下せず、充填不足の発生を防止することができ、汚れ除去性に欠けるようなことがなくなるものである。また、上記のような粒径分布を有する鉱物質類粉体を用いることによって、鉱物質類粉体の粒径が全体として細かくなり、ダミーのリードフレームとして布が半導体封止成形金型内にセットされていても、金型清掃用樹脂組成物をキャビティ末端部まで行き渡らせることができ、良好な充填性を得ることができるものである。さらに、布をセットすることによって半導体封止成形金型の隙間から金型清掃用樹脂組成物が漏れることを防ぐことができるものであり、また半導体封止成形金型から脱型した成形物には布がインサートされているが、布はリードフレームのような金属ではなく、成形物を支障なく焼却処理することができるものである。
【００５６】
また請求項１の発明は、鉱物質類粉体の新モース硬度が６〜１２であるので、この鉱物質類粉体によって半導体封止成形金型の表面に付着している汚れに傷を付けることができ、これにより汚れの剥離が促進されて、金型清掃性をさらに向上させることができるものである。
また請求項１の発明は、アミノ系樹脂の全量がメチロール化メラミン樹脂であるので、その他のアミノ系樹脂を用いるよりも、メチロール基やイミド基を数多く確保することができ、これらの官能基によって金型清掃性を向上させることができるものである。
【００５７】
また請求項２の発明は、溶融硬化時間が２０〜４０秒であるので、厚型パッケージを製造するための金型やシングルタイプの金型を清掃する場合はもちろん、薄型パッケージを製造するための金型やスルーゲートマルチマトリックスタイプの金型を清掃する場合であっても、バリの発生を防止することができると共に、キャビティへの充填性がさらに良好となるものである。
【００５９】
また請求項３の発明は、トランスファー成形用にタブレット化されているので、金型清掃時に金型清掃用樹脂組成物２の計量をする手間を省くことができ、金型清掃の作業効率を向上させることができるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の一例を示すものであり、（ａ），（ｂ），（ｃ）はそれぞれ断面図である。
【図２】同上の下型の上に布をセットした状態を示すものであり、（ａ），（ｂ）はそれぞれ平面図である。
【図３】同上の半導体封止成形金型の一例を示すものであり、（ａ）は断面図、（ｂ）は下型の平面図である。
【図４】（ａ）はリードフレームの平面図、（ｂ）は下型にリードフレームをセットした状態の平面図である。
【図５】本発明の実施の形態の一例を示す断面図である。
【図６】実施例で使用した半導体封止成形金型を簡略化して示すものであり、（ａ）は４個取りの金型の平面図、（ｂ）は８個取りの金型の平面図である。
【符号の説明】
１半導体封止成形金型
２金型清掃用樹脂組成物
３成形物
４リードフレーム
５布
６キャビティ[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a mold cleaning resin composition for cleaning a semiconductor sealing mold used for manufacturing a semiconductor device.
[0002]
[Prior art]
When manufacturing a semiconductor device, a lead frame mounted with a semiconductor chip such as an IC is set in a cavity of a semiconductor sealing mold, and a molding material for sealing is injected into the semiconductor sealing mold to fill the cavity. Thus, the semiconductor chip of the lead frame is encapsulated with an encapsulating molding material.
[0003]
In this semiconductor sealing mold, while the sealing molding is continued, the inside of the semiconductor sealing mold such as the surface of the cavity is filled with wax (WAX) bleed of the molding material for sealing and unresined resin. If the sealing molding is continued as it is due to contamination due to the cured component, troubles such as appearance failure or molding failure of the sealed molded product may occur.
[0004]
Therefore, it has been conventionally performed to regularly clean a semiconductor sealing mold using a mold cleaning resin composition. Examples of the mold cleaning resin composition include JP-A-9-57762 (Patent Document 1), JP-A-7-292262 (Patent Document 2), and JP-A-63-246210 (Patent Document 3). Amino-based resin molding material provided in Japanese Patent Laid-Open No. 55-123669 (Patent Document 4), Japanese Patent Laid-Open No. 55-113517 (Patent Document 5), etc. is used. When an amino resin molding material is injected into the mold and cured, and the cured molded product is removed from the semiconductor encapsulation mold, the surface of the semiconductor encapsulation mold is contaminated during demolding. It peels off together with this molded product, and the surface in the semiconductor sealing mold can be cleaned.
[0005]
[Patent Document 1]
JP-A-9-57762 (Claims etc.)
[Patent Document 2]
JP 7-292262 A (paragraph number [0016] etc.)
[Patent Document 3]
JP 63-246210 A (Claims etc.)
[Patent Document 4]
JP-A-55-123669 (Claims etc.)
[Patent Document 5]
Japanese Patent Application Laid-Open No. 55-113517 (claims)
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
When the semiconductor sealing mold is cleaned by injecting and molding the mold cleaning resin composition into the semiconductor sealing mold as described above, a semiconductor chip is mounted in the semiconductor sealing mold. No dummy lead frame is set, and the mold cleaning resin composition is injected and molded. This is because when a resin composition for mold cleaning is injected into a semiconductor sealing mold without setting a lead frame, a gap is formed in the semiconductor sealing mold and resin leakage occurs.
[0007]
However, when a dummy lead frame is set in the semiconductor sealing mold in this way and a mold cleaning resin composition is injected and molded, the molded product removed from the semiconductor sealing mold is made of metal. Since the lead frame is inserted and integrated, there is a problem that it is impossible to incinerate the removed molded product.
[0008]
In addition, when a dummy lead frame is set in the mold and the mold cleaning resin composition is injected and molded, when the molded product is removed from the mold, burrs and mold parting surfaces are formed on the air vent. The thin burrs remained, and there was a problem that a considerable time was required for removing the burrs from the mold.
[0009]
Furthermore, if a dummy lead frame is set in the mold as described above, the mold cleaning resin composition may not reach the end of the cavity, which causes insufficient filling and Even when the molded product is removed from the mold, there is also a problem that the surface remains in the semiconductor sealing mold.
[0010]
This invention is made | formed in view of said point, and it aims at providing the resin composition for metal mold | die cleaning which can incinerate the demolded molded object.
[0011]
Another object of the present invention is to provide a mold cleaning resin composition that makes it possible to simplify the burr removal operation during the mold cleaning operation.
[0012]
Furthermore, an object of the present invention is to provide a mold cleaning resin composition having a good filling property in a cavity even when a dummy lead frame is set in the mold.
[0013]
[Means for Solving the Problems]
In the resin composition for mold cleaning according to claim 1 of the present invention, a cloth is set at a position where a lead frame is set in a semiconductor sealing mold, and in this state, the mold is placed in the semiconductor sealing mold. A mold cleaning resin composition for injecting and molding a mold cleaning resin composition and removing the molded product from the semiconductor encapsulation mold to clean the inside of the semiconductor encapsulation mold. In addition, it contains an amino resin and mineral powder, and the content of mineral powder is 5 to 30% by mass with respect to the total amount of the composition, and the maximum particle size is 180 μm or less and the particle size is 100 μm. Content of the above mineral substance powder is 5 mass% or less with respect to the mineral substance powder whole quantity, It is characterized by the above-mentioned.
[0014]
  And claims1The invention of, OreThe new Mohs hardness of the substance powder is 6-12.
  And claims1The invention ofAThe total amount of the mino resin is a methylolated melamine resin.
[0015]
  And claims2The invention of claim1In this case, the melt hardening time is 20 to 40 seconds.
[0017]
  And claims3The invention of claim 1Or 2In the invention, it is tableted for transfer molding.
[0018]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below.
[0019]
FIG. 3 shows an example of the semiconductor sealing mold 1, and a lower mold 11 provided with the pot 10 opened on the upper surface as shown in FIG. 3A and a cull portion 12 corresponding to the pot 10. Is formed from the upper mold 13 provided on the lower surface. As shown in FIG. 3B, a plurality of pots 10 are arranged in a row, and each pot 10 is provided with a plunger 17 that can be driven up and down. In addition, cavity recesses 6 a are provided on the upper surface of the lower mold 11 on the left and right sides of each pot 10. The number of cavity recesses 6a corresponding to each pot 10 is provided in a row on both sides of the pot 10, and a lead frame setting recess 14 is provided on the upper surface of the lower mold 11 so as to surround the cavity recesses 6a in each row. It is. A cavity recess 6b is provided on the lower surface of the upper mold 13 at a position corresponding to each cavity recess 6a of the lower mold 11. When the lower mold 11 and the upper mold 13 are clamped, the upper and lower cavity recesses 6a and 6b 6 is formed.
[0020]
A lower runner 15a is recessed at the end of each cavity recess 6a on the pot 10 side on the upper surface of the lower mold 11, and an air vent 16 is provided at the end of each cavity recess 6a opposite to the pot 10. is there. Further, an upper runner 15b is recessed at the end of each cull portion 12 on the cavity recess 6b side on the lower surface of the upper mold 13, and when the lower mold 11 and the upper mold 13 are clamped, the upper and

lower runners

15a, 15b are provided. The runners 15 that connect the pots 10 and the cull parts 12 with the cavities 6 are formed so that the end parts of the two parts coincide with each other.
[0021]
When the semiconductor device is sealed and manufactured with the semiconductor sealing mold 1 formed as described above, a lead frame 4 as shown in FIG. 4A is used. The lead frame 4 is formed of a frame portion 18 and a chip mounting pad portion 19 provided corresponding to the cavity 6. Each chip mounting pad portion 19 has a semiconductor chip (illustrated) such as an IC chip. Is omitted). Then, by inserting the lead frame 4 into the lead frame setting concave step portion 14 of the lower mold 11 as shown in FIG. 4B, the chip mounting pad portions 19 on which the semiconductor chips are mounted are set in the cavities 6, After the tablet of the molding material for sealing is put into the pot 10, the lower mold 11 and the upper mold 13 are clamped (the lead frame 4 is indicated by oblique lines in FIG. 4B). Thereafter, the plunger 17 is moved upward to inject a sealing molding material from the pot 10 through the runner 15 and fill the cavity 6, thereby the semiconductor chip together with the chip mounting pad portion 19 of the lead frame 4 in the cavity 6. Can be sealed to obtain a semiconductor device.
[0022]
If sealing molding is repeated as described above, the inside of the semiconductor sealing molding die 1 such as the surface of the cavity 6 will become dirty due to the wax bleed of the sealing molding material. The mold cleaning resin composition 2 is used for removal.
[0023]
In the present invention, as the mold cleaning resin composition 2, a resin composition containing at least an amino resin and mineral powder is used.
[0024]
  As amino resin, MeTyrolean melamine treeFatUseThe
[0025]
In particular, the total amount of amino resin is preferably a methylolated melamine resin for the following reason. That is, the methylolated melamine resin has many methylol groups and imide groups compared to other amino resins, and these functional groups can improve the mold cleaning property (stain removal property). It is. As an amino resin other than a methylolated melamine resin, for example, when a methylolated melamine-phenol cocondensation resin is mentioned, this resin is a resin obtained by reacting a phenol resin with a portion where melamine is methylolated. There is a possibility that the number of methylol groups is reduced, and the mold cleaning property is inferior to that of the methylolated melamine resin. Therefore, when the total amount of amino resin is methylolated melamine resin, the most methylol groups and imide groups can be secured, and the mold cleaning property can be improved by these functional groups.
[0026]
On the other hand, as the mineral substance powder, for example, fused silica, crystalline silica, aluminum hydroxide, zircon silicate, alumina, calcium carbonate, zircon oxide, talc, clay, barium sulfate, asbestos powder and the like can be used.
[0027]
However, regardless of what kind of mineral powder is used, the content of the mineral powder is 5 to 30% by mass with respect to the total amount of the resin composition 2 for mold cleaning. If the content of the mineral powder is less than 5% by mass, the dirt removal property is insufficient. Conversely, if it exceeds 30% by mass, the fluidity during molding of the mold cleaning resin composition 2 is low. Lowering and insufficient filling.
[0028]
In addition, regardless of what kind of mineral powder is used, the content of mineral powder having a maximum particle size of 180 μm or less and a particle size of 100 μm or more is 5 mass% with respect to the total amount of mineral powder. The following is (substantially lower limit is 3% by mass). Generally, mineral powders have a certain particle size distribution, but the maximum particle size is set to 180 μm as described above, and the inclusion of mineral powders in the particle size range of 100 to 180 μm. If the amount is set to 5% by mass or less with respect to the total amount of the mineral powder, the particle size of the mineral powder becomes finer as a whole, and the cloth 5 described later as a dummy lead frame forms a semiconductor sealing molding. Even if it is set in the mold 1, the mold cleaning resin composition 2 can be spread to the end of the cavity 6, and good filling properties can be obtained. However, if the mineral powder having a maximum particle size exceeding 180 μm is used, or if the content of mineral powder having a particle size of 100 μm or more exceeds 5% by mass, the particle size of the mineral powder will be As a whole, the mineral powder becomes clogged in the fiber gaps of the cloth 5, and the mold cleaning resin composition 2 cannot be spread to the end of the cavity 6, thereby causing insufficient filling. It is.
[0029]
  Furthermore, the new Mohs hardness of mineral powders is 6-12TheWhen a mineral powder having a new Mohs hardness in the above range is used, the mineral powder can scratch the dirt adhering to the surface of the semiconductor encapsulating mold 1. The peeling of dirt is promoted, and the mold cleaning property can be further improved. However, if the new Mohs hardness of the mineral powder is less than 6, the above effect may not be obtained. Conversely, if the new Mohs hardness of the mineral powder exceeds 12, In addition, the surface of the semiconductor sealing mold 1 may be damaged.
[0030]
The mold cleaning resin composition 2 includes, in addition to amino resins and mineral powders, pulp, cotton powder, thermoplastic resin fibers, etc. as base materials, stearic acid, zinc stearate, montan as release agents. Acid, carboxyl group-containing polyolefin and the like can be blended with phthalic anhydride as a curing accelerator, and a silane coupling agent such as aminosilane and epoxysilane, a colorant and the like can be blended as necessary.
[0031]
Then, the above amino resin and mineral powder, if necessary, other ingredients are blended, and this is uniformly pulverized and mixed with a ball mill, and then the mixture is made into a sheet with a roll. By crushing the sheet, a granular mold cleaning resin composition 2 can be prepared. Alternatively, the above amino resin and mineral powder, and other ingredients as necessary are blended, heated and kneaded with a kneader or roll, then the kneaded product is cooled and solidified, and then the solidified product. By crushing, a granular resin composition for mold cleaning can be prepared.
[0032]
It is preferable that the melt-curing time (gel time) of the mold cleaning resin composition 2 obtained as described above is 20 to 40 seconds. Even when the resin composition 2 for mold cleaning whose melt-curing time is outside this range is used, a mold for manufacturing a thick package (for example, a QFP having a thickness of 2.4 to 3.2 mm) is used. In the case of cleaning or cleaning a single type (single piece) mold, the filling into the cavity is relatively good, but a thin package (for example, a thickness of 0.8-1. In the case of cleaning a mold for manufacturing 2 mm TQFP or TSOP, or cleaning a through-gate multi-matrix type (multi-piece mold), the mold cleaning resin composition 2 is Since the flowing gap becomes narrow, the flowability of the mold cleaning resin composition 2 is adversely affected, and the moldability may be lowered. Specifically, if the melt-curing time is less than 20 seconds, there is a possibility that the viscosity rapidly increases and insufficient filling occurs before the mold cleaning resin composition 2 reaches the end of the cavity. If the melt-curing time exceeds 40 seconds, there is a possibility that burrs or thin burrs may remain on the mold parting surface. However, if the mold cleaning resin composition 2 having a melt curing time of 20 to 40 seconds is used, of course, when cleaning a mold for manufacturing a thick package or a single type mold, Even when cleaning molds for manufacturing thin packages or through-gate multi-matrix type molds, it is possible to prevent the generation of burrs and improve the filling ability into the cavity. is there.
[0033]
In addition, as described above, the mold cleaning resin composition 2 can be prepared in the form of granules or powders, but the mold cleaning resin composition 2 is used in a known tablet molding machine. And may be tableted for transfer molding. If it does in this way, the effort which measures the resin composition 2 for metal mold | die cleaning at the time of metal mold | die cleaning can be saved, and the working efficiency of metal mold | die cleaning can be improved. In addition, below, although the case where the form of the resin composition 2 for metal mold | die cleaning is a tablet is demonstrated, it is not limited to this.
[0034]
In cleaning the semiconductor sealing mold 1 after continuously sealing and molding, first, the lower mold 11 and the upper mold 13 are opened, and the tablet of the mold cleaning resin composition 2 is put into the pot 10. . Next, the cloth 5 is laid on the upper surface of the lower mold 11 and set. As this cloth 5, a nonwoven fabric or a woven fabric made from cotton, thermoplastic resin fibers such as polyester, vinylon, polypropylene, nylon, and tetron, glass fibers, etc. can be used. What has the liquid permeability which can osmose | permeate is used. The cloth 5 is arranged so as to cover the opening of the cavity 6 (opening on the upper surface of the cavity recess 6a). The cloth 5 is larger than the lead frame 4 and is arranged as shown in FIG. The cloth 5 is preferably placed on the lower mold 11 so as to cover all of the pot 10, runner 15 (lower runner 15 a), cavity 6 (lower cavity 6 a), and air vent 16 provided in the mold 11. . The cloth 5 may be placed so as to protrude from the lower mold 11 as shown in FIG.
[0035]
After placing the cloth 5 on the upper surface of the lower mold 11 as described above, the lower mold 11 and the upper mold 13 are clamped as shown in FIG. At this time, the cloth 5 is strongly compressed between the lower mold 11 and the upper mold 13 at portions other than the lead frame setting concave step portion 14. Next, the plunger 17 is moved up to extrude the liquid mold cleaning resin composition 2 melted in the pot 10 from the pot 10, and as shown in FIG. 1B, the mold cleaning resin composition. 2 is injected through the cull part 12 and the runner 15. At this time, the molten mold cleaning resin composition 2 flows through the cull portion 12 and the runner 15 while penetrating the liquid-permeable (breathable) cloth 5. Further, the plunger 17 is further moved upward to fill the cavity 6 with the mold cleaning resin composition 2 as shown in FIG. At this time, the liquid mold cleaning resin composition 2 flows through the liquid-permeable cloth 5 and fills the cavity 6. In addition, since the cloth 5 is set between the lower mold 11 and the upper mold 13, the mold cleaning resin composition 2 is prevented from leaking and flowing out from the gap between the lower mold 11 and the upper mold 13. It is something that can be done. In the state of FIG. 1C, the cloth 5 and the cavity recess 6b of the upper mold 13 are not in contact with each other, and the mold cleaning resin that has permeated the cloth 5 and flows out between them. A layer of composition 2 is present.
[0036]
Thus, the mold cleaning resin composition 2 is molded into the cavity 6 to cure the mold cleaning resin composition 2. Then, after the mold cleaning resin composition 2 is cured, the lower mold 11 and the upper mold 13 are separated, the mold is opened, and the molded product 3 in which the mold cleaning resin composition 2 is cured is demolded. It is. When the molded product 3 of the mold cleaning resin composition 2 is removed, the surface of the cavity 6 in the semiconductor sealing mold 1 and the surface of the cull portion 12 and the air vent 16 are contaminated. It peels off together with the molded product 3 and the surface inside the semiconductor sealing mold 1 can be cleaned. The molding for cleaning varies depending on the state of dirt on the semiconductor encapsulation mold 1, but was repeated for about 3 to 10 shots to confirm that the dirt on the surface of the semiconductor encapsulation mold 1 was removed. It is better to confirm and end.
[0037]
The cloth 5 is inserted into the molding 3 thus removed from the semiconductor sealing mold 1, but since the cloth 5 is not a metal like the lead frame 4, the molding 3 is incinerated without any trouble. Can be processed. Further, in molding the mold cleaning resin composition 2 for cleaning as described above, thin burrs are generated around the cavity 6, around the runner 15, and around the air vent 16, and the molded product 3 is demolded. In this case, the burrs are likely to remain on the surface of the semiconductor sealing mold 1, but since the cloth 5 exists around the cavity 6, the runner 15 and the air vent 16, the thin burrs adhere to the cloth 5. When the molded product 3 is removed from the semiconductor sealing mold 1, the thin burrs are also peeled off from the surface of the semiconductor sealing mold 1 in a state where the thin burrs are attached to the cloth 5. Accordingly, the thin burrs are not left on the surface of the semiconductor sealing mold 1, and the operation for removing the thin burrs from the semiconductor sealing mold 1 becomes unnecessary, and the semiconductor sealing mold 1 is cleaned. The workability at the time is improved.
[0038]
The embodiment shown in FIGS. 1 to 4 shows the semiconductor sealing mold 1 in which the lower mold 11 is provided with the pot 10, and after the mold cleaning resin composition 2 is put into the pot 10. The cloth 5 is placed on the lower mold 11 and the lower mold 11 and the upper mold 13 are further clamped to perform the molding. However, as in the embodiment shown in FIG. The semiconductor sealing mold 1 provided with the pot 10 is used, the cloth 5 is placed on the lower mold 11, the lower mold 11 and the upper mold 13 are clamped, and then the mold cleaning resin composition is placed in the pot 10. 2 may be input to perform molding. Moreover, although embodiment of FIGS. 1-4 and FIG. 5 shows the semiconductor sealing mold 1 for transfer molding, it is the semiconductor sealing mold 1 for compression molding, and for injection molding. The present invention can also be applied to the semiconductor sealing mold 1.
[0039]
【Example】
Hereinafter, the present invention will be specifically described by way of examples.
[0040]
(Resin composition for mold cleaning)
As the amino resin, “CP9012” manufactured by Matsushita Electric Works Co., Ltd., which is a methylolated melamine resin, and “MI002R” manufactured by Matsushita Electric Works Co., Ltd., which is a methylolated melamine-phenol cocondensation resin, were used. When M: melamine, F: formaldehyde, Ph: phenol, the above “CP9012” was prepared by setting F / M = 1.4 to 1.8 (mass ratio), The “MI002R” is prepared by setting F / (M + Ph) = 1.2 to 1.8 (mass ratio) and M / Ph = 95/5 to 70/30 (mass ratio).
[0041]
Further, as mineral powders, “3K” (new Mohs hardness 7) and “NX-7” (new Mohs hardness 7) manufactured by Tatsumori Co., Ltd., which are crystalline silica, and Tatsumori Co., Ltd., which is fused silica. “FS762C” (new Mohs hardness 7) manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd. and “AL32” (new Mohs hardness 12), which are alumina, were used.
[0042]
Furthermore, “Dai WAX ZF” manufactured by Dainichi Chemical Co., Ltd., which is zinc stearate as a release agent, and phthalic anhydride as a curing accelerator were used as a base material.
[0043]
And said amino-type resin, mineral substance powder, and another component are mix | blended with the compounding quantity shown in Table 1, and after grind | pulverizing and mixing this uniformly for the time shown in Table 1 with a ball mill, this mixture is used. By forming a sheet with a roll and then pulverizing the sheet with a pulverizer, a granular mold cleaning resin composition 2 was prepared.
[0044]
With respect to the mold cleaning resin composition 2 thus obtained, the spiral flow at 170 ° C. was measured. The results are shown in Table 1.
[0045]
Moreover, about each resin composition 2 for metal cleaning, the melt-curing time (gel time) in 170 degreeC was measured using the curast meter (Nichigo Corporation Co., Ltd. product "curast meter W type"). Specifically, after the mold cleaning resin composition 2 is put into the semiconductor sealing mold 1, the mold is clamped, the mold temperature is set to 170 ° C., and the mold cleaning resin composition 2 is The time from the melted state until the torque at the time of melting reached 0.1 kg was measured, and this time was defined as the melt curing time. The results are shown in Table 1.
[0046]
Table 1 shows the maximum particle size of the mineral powder in the mold cleaning resin composition 2 and the content of the mineral powder having a particle size of 100 μm or more.
[0047]
(Mold filling when using non-woven fabric)
About each mold cleaning resin composition 2, when the nonwoven fabric was used as the cloth 5, the filling property to the cavity 6 of various molds was evaluated. Specifically, it is as follows.
[0048]
  (1)As the semiconductor sealing mold 1, a 14 □ QFP (wall thickness 2.4 mm) molding mold provided with four cavities 6 for one pot 10 as shown in FIG. As a non-woven fabric for mold liner, “BA839” manufactured by Ozu Sangyo Co., Ltd., mold temperature of 175 ° C., cure for 180 seconds, molding pressure of 6.86 MPa (70 kgf / cm)²) For cleaning.
[0049]
  (2)As the semiconductor sealing mold 1, a 14 □ LQFP (wall thickness: 1.4 mm) molding mold provided with four cavities 6 for one pot 10 as shown in FIG. As a non-woven fabric for mold liner, “BA839” manufactured by Ozu Sangyo Co., Ltd., mold temperature of 175 ° C., cure for 180 seconds, molding pressure of 6.86 MPa (70 kgf / cm)²) For cleaning.
[0050]
  (3)As the semiconductor sealing mold 1, as shown in FIG. 6 (b), four cavities 6 (referred to as first cavity 7) are provided for one pot 10, and each of the first cavity 7 has 1 each. A double through gate type mold for molding TSOP (thickness 1.0 mm = 400 mil.) Provided with two cavities 6 (this is referred to as a second cavity 8) is used. Using “PO300P” manufactured by Ozu Sangyo Co., Ltd. which is a nonwoven fabric for liners, mold temperature is 175 ° C., cure is 180 seconds, molding pressure is 6.86 MPa (70 kgf / cm²) For cleaning.
[0051]
  And(1)~(3)In each case, the filling property was observed. These results are shown in Table 1.
[0052]
(Dirt removal)
TO200 was manufactured by continuously molding 500 shots using a mold for molding TO200 as the semiconductor sealing mold 1 and using a biphenyl-based material as the molding material for sealing. Then, using a dummy lead frame (specifically, “BA142” manufactured by Ozu Sangyo Co., Ltd. as cloth 5), a mold temperature of 175 ° C., a cure of 180 seconds, a molding pressure of 6.86 MPa (70 kgf / cm)²) For cleaning. This molding was performed until cleaning was completed, and the dirt removal property was evaluated by counting the number of shots required for cleaning.
[0053]
[Table 1]

[0054]
As seen in Table 1, it is confirmed that Examples 1-7 are superior in filling properties to those of Comparative Examples 1-3.
[0055]
【The invention's effect】
As described above, the resin composition for mold cleaning according to claim 1 of the present invention sets a cloth at a position where the lead frame in the semiconductor sealing mold is set, and in this state, the semiconductor sealing mold Mold cleaning resin for cleaning the inside of a semiconductor encapsulation mold by injecting and molding a mold cleaning resin composition into the mold and removing the molded product from the semiconductor encapsulation mold The composition contains an amino resin and mineral powder, the mineral powder content is 5 to 30% by mass with respect to the total composition, and the maximum particle size is 180 μm or less. In this case, the content of the mineral powder having a particle size of 100 μm or more is 5% by mass or less based on the total amount of the mineral powder, and the following effects can be obtained. That is, when the content of the mineral powder is in the above range, the fluidity during molding of the mold cleaning resin composition does not decrease, the occurrence of insufficient filling can be prevented, and dirt removal There is no such thing as lacking in nature. Further, by using the mineral powder having the particle size distribution as described above, the particle size of the mineral powder becomes finer as a whole, and the cloth is placed in the semiconductor encapsulation mold as a dummy lead frame. Even if it is set, the mold cleaning resin composition can be spread to the end of the cavity, and good filling properties can be obtained. Furthermore, by setting the cloth, it is possible to prevent the resin composition for mold cleaning from leaking through the gaps of the semiconductor sealing mold, and the molded product removed from the semiconductor sealing mold Although the cloth is inserted, the cloth is not a metal such as a lead frame, and the molded product can be incinerated without trouble.
[0056]
  And claims1In the present invention, since the new Mohs hardness of the mineral powder is 6 to 12, the mineral powder can scratch the dirt adhering to the surface of the semiconductor encapsulating mold, Thereby, peeling of dirt is promoted, and the mold cleaning property can be further improved.
In the invention of claim 1, since the total amount of the amino resin is a methylolated melamine resin, it is possible to secure a large number of methylol groups and imide groups rather than using other amino resins, and these functional groups The mold cleanability can be improved.
[0057]
  And claims2Since the melt hardening time is 20 to 40 seconds, the mold for manufacturing the thick package and the single mold are cleaned, as well as the mold and through for manufacturing the thin package. Even when the gate multi-matrix type mold is cleaned, the generation of burrs can be prevented and the filling property into the cavity is further improved.
[0059]
  And claims3Since the invention of the present invention is tableted for transfer molding, it is possible to save the trouble of measuring the mold cleaning resin composition 2 at the time of mold cleaning and to improve the work efficiency of mold cleaning. Is.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 shows an example of an embodiment of the present invention, and (a), (b), and (c) are cross-sectional views, respectively.
FIGS. 2A and 2B show a state in which a cloth is set on the same lower mold, and FIGS. 2A and 2B are plan views, respectively. FIGS.
FIGS. 3A and 3B show an example of the semiconductor sealing mold described above, where FIG. 3A is a cross-sectional view and FIG. 3B is a plan view of a lower mold.
4A is a plan view of a lead frame, and FIG. 4B is a plan view of a state in which the lead frame is set in a lower mold.
FIG. 5 is a cross-sectional view showing an example of an embodiment of the present invention.
6A and 6B schematically show a semiconductor sealing mold used in the examples, wherein FIG. 6A is a plan view of a four-piece mold, and FIG. 6B is a plane of an eight-piece mold. FIG.
[Explanation of symbols]
1 Semiconductor encapsulation mold
2 Mold cleaning resin composition
3 Molded products
4 Lead frame
5 cloth
6 cavity

Claims

A cloth is set at a position where the lead frame in the semiconductor sealing mold is set, and in this state, a mold cleaning resin composition is injected into the semiconductor sealing mold and molded. A mold cleaning resin composition for cleaning the inside of a semiconductor encapsulation mold by demolding from an encapsulation mold, comprising an amino resin and mineral powder, and an amino The total amount of the system resin is methylolated melamine resin, the content of the mineral powder is 5 to 30% by mass with respect to the total amount of the composition, and the new Mohs hardness of the mineral powder is 6 to 12 The resin composition for cleaning a mold is characterized in that the content of mineral powders having a maximum particle size of 180 μm or less and a particle size of 100 μm or more is 5% by mass or less based on the total amount of mineral powders .

The resin composition for mold cleaning according to claim 1, wherein the melt curing time is 20 to 40 seconds .

Mold cleaning resin composition according to claim 1 or 2 is tableted for transfer molding, wherein the forming Rukoto.