JP3806333B2 - Semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit test apparatus, and semiconductor integrated circuit test method - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、例えば液晶駆動用として用いられる半導体集積回路、該半導体集積回路の試験装置、該半導体集積回路の試験方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体集積回路の高集積化に伴って、半導体集積回路の端子数の増加及び多階調化が顕著になっており、例えば高解像度で、かつ、多くの色の表現が可能な液晶ディスプレイが実現されるようになった。
【0003】
ところが、例えば、液晶駆動用半導体集積回路において液晶駆動用出力端子の端子数が増加したり、液晶パネルの多色化に伴う階調出力電圧の多階調化が進むと、該液晶駆動用半導体集積回路の試験が困難化するという問題があった。
【0004】
つまり、一般的に、液晶駆動用半導体集積回路の階調出力電圧の試験においては各出力端子に内蔵されるD/Aコンバータの試験を行う必要があるところ、このD/Aコンバータの試験では、各出力端子毎にすべての階調出力電圧値において正常な出力電圧が出力されているかを判定する必要があるため、出力端子数の増加や階調出力電圧値の多階調化に伴って該判定をするために要する時間が増加する。
【0005】
図1は、従来の半導体集積回路の一例として、m階調の階調出力電圧を出力することが可能なn画素分の液晶駆動用出力端子110を備えた液晶駆動用半導体集積回路100の基本的構成を示している。ここでは各画素の階調に対応した階調電圧値の階調出力電圧が出力端子110のそれぞれから出力されることになるが、このとき各画素の階調についてのデータ、すなわち各出力端子が出力すべき階調出力電圧値のデータは、ディジタルデータとして階調データ入力端子102から入力される。
【0006】
このディジタルデータは、それぞれの出力端子110毎に設けられたD/Aコンバータにより、アナログ値である所定の階調電圧値の階調電圧に変換され、この階調電圧が各画素において必要とされる所定の階調電圧として各出力端子110に供給される。
【0007】
このため、上述のように液晶駆動用出力端子110が正常か否かを試験するにあたっては、階調データ入力端子102にすべての階調(1〜m階調)に対応するディジタルデータを入力するとともに、各出力端子110毎に出力される階調電圧値を検出して、各出力端子110から出力されるべき値の階調出力電圧が出力されているか否かを試験する必要があった。
【0008】
さらに、この階調出力電圧の試験に際しては、高精度のDC電圧測定器が必要となり、またDC電圧測定器によるDC測定時のセトリング時間は短くないことから、高解像度化等に比例して増加する液晶駆動用半導体集積回路100の試験時間をいかに短縮するかが課題となっていた。
【0009】
なお、試験すべき出力端子毎にDC電圧測定器を備えた半導体集積回路の試験装置を用いることにより該試験時間の短縮を図ることも可能であるが、このように複数のDC電圧測定器を備えた半導体集積回路の試験装置は、極めて高価であり、研究開発用等のごく一部の用途に用いられるのみで、一般的に用いられるものではなかった。
【0010】
そこで、該半導体集積回路の試験時間の短縮を図ることを目的とする従来技術の1つとして特開平10−2937号公報には、図2に示すような階調出力電圧毎の上限期待値データ及び下限期待値データを所定のアドレスに格納したメモリ159及び160、該上限期待値データ及び下限期待値データを所定の上限期待値電圧及び下限期待値電圧に変換するD/Aコンバータ154及び155、被試験対象である半導体集積回路151の各出力端子からの階調出力電圧と前記上限期待値電圧及び下限期待値電圧とを比較する上限期待値コンパレータ152及び下限期待値コンパレータ153、上限期待値コンパレータ152及び下限期待値コンパレータ153から出力される比較結果に基づいて半導体集積回路151の階調出力電圧の良否を判定する判定デコーダ158、並びに半導体集積回路151に所定のディジタルデータを供給するディジタル・ファンクション・モジュール161を備えた半導体集積回路試験装置が開示されている。
【0011】
この構成によれば、半導体集積回路151の各出力端子から出力される階調出力電圧の階調の変化に合わせて、メモリ159及び160のアドレスをインクリメントすることによりリアルタイムで各階調毎の上限期待値電圧及び下限期待値電圧の設定がなされ、多階調電圧を発生する半導体集積回路151を高速に試験することが可能な半導体集積回路試験装置が実現できる、とされている。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特開平10−2937号公報に記載の半導体集積回路試験装置に代表される従来の半導体集積回路試験装置においては、従来から汎用されている半導体集積回路試験装置の出力信号用コンパレータにD/Aコンバータや上限期待値電圧の値及び下限期待値電圧の値を記憶するためのメモリ等を追加する必要があるため、半導体集積回路試験装置のコストの増加が避けられなかった。
【0013】
さらに、被試験対象となる半導体集積回路の出力端子数を想定して、予め多めに半導体集積回路試験装置に試験用端子及び試験用回路等を備える必要があることから、実際の半導体装置集積回路の試験において、被試験対象となる半導体集積回路の出力端子数が少ない場合には、半導体集積回路試験装置の試験用端子及び試験用回路の中に使用されない試験用端子及び試験用回路が発生する等、半導体集積回路試験装置の構成に無駄が生じコストパフォーマンスが低下することもあった。
【0014】
この発明の目的は、簡易な構成で高速かつ低廉に半導体集積回路の良否を判定することが可能な半導体集積回路、半導体集積回路の試験装置、及び半導体集積回路の試験方法を提供することである。
【0015】
【課題を解決するための手段】
この発明は以下の構成を備えている。
【0016】
(1)複数の階調電圧出力端子を備えた半導体集積回路の各出力端子が出力すべき階調電圧値を示すディジタル階調データの入力に応じて、段階的に電圧値の異なる複数の階調電圧用配線のうちから該出力すべき階調電圧値に対応する階調電圧用配線を選択して該出力端子に接続し、前記出力すべき階調電圧値の階調電圧を該出力端子毎に出力させるD/Aコンバータを備えた半導体集積回路であって、
前記複数の階調電圧用配線うちの第1の階調電圧値を示す階調電圧配線とその他の階調電圧配線とを互いに異なる2値の値にする2値化データ及び該2値化データが該階調電圧用配線に供給されるタイミングを制御する2値化データ出力制御信号に基づいて所定のタイミングで前記第1の階調電圧値を示す階調電圧配線を第1の値にし、かつ、その他の階調電圧配線を第2の値にする2値化手段を備えたことを特徴とする。
【0017】
この構成においては、入力された画像データ等のディジタルデータに基づいて各出力端子毎に出力する半導体集積回路が備えるD/Aコンバータの階調電圧用配線の電圧値を、該ディジタルデータに対応する階調電圧用配線と、その他の階調電圧用配線とが互いに異なる値になるように2値化する2値化データ及び該2値化データが該階調電圧用配線に対して出力されるタイミングを制御する2値化データ出力制御信号により所定のタイミングで2値化する2値化手段を備えたことから、D/Aコンバータにおいて選択されるべき階調電圧用配線とその他の階調電圧用配線とが所定のタイミングで互いに異なる2値化データに2値化されるとともに、これに伴って該各出力端子からの出力も2値化される。
【0018】
このため、該半導体集積回路が検査される際にD/Aコンバータ内部において該半導体集積回路に入力される前記ディジタルデータに対応した階調電圧用配線が選択されているか否かが、例えばディジタルコンパレータを用いたファンクション試験等の簡易な構成で高速に検出されることになる。
【0019】
(2)前記2値化手段は、段階的に多値の電圧を出力自在にするD/Aコンバータの出力電圧源のオペアンプと前記階調電圧用配線とを電気的に切断する回路、前記2値化データを記憶するレジスタ、及び2値化データ出力制御信号に基づいて該レジスタに記憶される該2値化データの前記複数の階調電圧用配線への出力タイミングを制御するトライステートバッファを備えたことを特徴とする。
【0020】
この構成においては、所定の2値化データ及び2値化データ出力制御信号に基づいて前記複数の階調電圧用配線の電圧値を所定のタイミングで2値化することにより半導体集積回路の出力端子からの前記出力を2値化する前記2値化手段が、段階的に多値の電圧を出力自在にするD/Aコンバータの出力電圧源のオペアンプの出力を2値化する回路、前記2値化データを記憶するレジスタ、及び2値化データ出力制御信号に基づいて該レジスタに記憶される該2値化データの前記複数の階調電圧用配線への出力タイミングを制御するトライステートバッファを前記半導体集積回路に追加することによって実現されることから、半導体集積回路の回路構成の複雑化を抑制しつつ、低廉に本発明の2値化手段が備えられる。
【0021】
(3) (1)または(2)に記載の半導体集積回路の試験に適用される半導体集積回路の試験装置であって、
第1の階調電圧値を示すディジタル階調データと、第1の階調電圧値に対応する階調電圧用配線を第1の値にするとともに他の階調電圧用配線を第2の値にする2値化データと、を前記半導体集積回路に入力するとともに、前記複数の出力端子のうち第1の値を出力すべき出力端子から第1の値が出力されているか否かに基づいて前記D/Aコンバータの良否を判定する判定手段を備えたことを特徴とする。
【0022】
この構成においては、入力される所定のディジタル階調データに応じて各出力端子から所定の階調電圧を出力するとともに、試験時においては所定の2値化データ及び2値化データ出力制御信号に基づいて各出力端子から所定のタイミングで2値化データを出力することが可能な半導体集積回路の試験装置が、所定の階調電圧値を示すディジタル階調データと、該所定の階調電圧値に対応する階調電圧用配線のみ他の階調電圧用配線と異なる値にする2値化データと、を前記半導体集積回路に入力するとともに、前記ディジタル階調データと該2値化データとの読取のタイミングを一致させ前記複数の出力端子のそれぞれから出力される該2値化された値に基づいて前記D/Aコンバータの良否を判定する判定手段を備えている。
【0023】
このため、この半導体集積回路の試験装置にDC電圧測定器等を備えさせる必要がなくなり試験装置自体の構成が簡潔になるとともに、高速に前記半導体集積の試験が行われる。
【0024】
(4)前記複数の出力端子を所定の数の出力端子群に分割するとともに順次各出力端子群毎の階調出力電圧によって前記判定を行う出力制御手段を備えたことを特徴とする。
【0025】
この構成においては、試験装置が被試験対象である半導体集積回路に備えられた複数の出力端子を所定の数の出力端子群に分けて各出力端子群毎の階調出力電圧の判定を行う出力制御手段を備えたことから、例えばすべての出力端子に対応してすべての階調電圧用配線を2値化することにより、2値化手段においてトライステートバッファに高度の電流駆動能力が要求されることがなくなり、2値化手段を実現するためのコストの増加が防止される。
【0026】
(5) (1)または(2)に記載の半導体集積回路の試験に適用される半導体集積回路の試験方法であって、
第1の階調電圧値を示すディジタル階調データと、第1の階調電圧値に対応する階調電圧用配線を第1の値にするとともに他の階調電圧用配線を第2の値にする2値化データと、を前記半導体集積回路に入力する工程と、
前記複数の出力端子のうち第1の値を出力すべき出力端子から第1の値が出力されているか否かに基づいて前記D/Aコンバータの良否を判定する判定工程と、
を含むことを特徴とする。
【0027】
この構成においては、入力される所定のディジタル階調データに応じて備えられた複数の階調電圧用配線から所定の階調電圧用配線を選択して出力端子と接続することにより各出力端子から所定の階調電圧を出力する半導体集積回路を良否を試験する際に、前記所定の階調電圧用配線の電圧値を他の階調電圧用配線と異なるようにして2値化させる2値化工程と、所定の階調電圧値を示す前記ディジタル階調データにより選択されるべき階調電圧用配線が選択されているか否かを検出して該半導体集積回路の良否を判定する判定工程と、を含むことから、該半導体集積回路の良否の判定がDC電圧測定器等を用いることなく高速かつ低廉に行われる。
【0028】
【発明の実施の形態】
以下、図を用いて、本発明の半導体集積回路、半導体集積回路の試験装置、及び半導体集積回路の試験方法を説明する。
【0029】
図3は、本発明の液晶駆動用半導体集積回路1の構成を示している。液晶駆動用半導体集積回路1は、内側にD/Aコンバータ回路(以下、DAC回路という。)2、階調電圧用オペアンプ3、2値化制御レジスタ4、2値出力バッファ6、ポインタ用シフトレジスタ13、ラッチ回路14、及び基準電源補正回路18を備えている。また、外側に所定の信号等を入出力する端子として、クロック入力端子11、階調データ入力端子12、LOAD信号入力端子15、第1のTEST端子5a、第2のTEST端子5b、オペアンプ電源制御端子17、及び出力端子10を備えている。
【0030】
ここで、クロック入力端子11には、本発明の処理・動作の基準となる所定のクロック信号が入力される。階調データ入力端子12は、x個設けられており、階調電圧数m個に対してm=2x となる。よって、x個の階調データ入力端子12により液晶の各画素が表示すべき階調に応じたm階調の電圧値のうちのいずれかの階調電圧値を示すディジタル階調データが入力される。
【0031】
LOAD信号入力端子15には、各ラッチ回路14から各DAC回路2へデータを出力すべきタイミングを示すデータLOAD信号が入力される。第1のTEST端子5a及び第2のTEST端子5bには、液晶駆動用半導体集積回路1の試験を行う試験装置50から液晶駆動用半導体集積回路1を試験する際に用いる所定の信号が入力される。
【0032】
オペアンプ電源制御端子17には、階調電圧用オペアンプ3の出力状態を制御する信号が入力される。出力端子10からは、液晶ディスプレイの各画素に所定の階調電圧が出力される。、本実施形態の液晶駆動半導体集積回路1ではn画素分の出力端子10が備えられている。
【0033】
また、DAC回路2は、階調データ入力端子12に入力されるディジタル階調データを所定の電圧値に変換する。階調電圧用オペアンプ3は、液晶ディスプレイの各画素の階調数と同数設けられており、基準電源補正回路18で生成された多段階の階調電圧をそれぞれ階調電圧用配線Lに供給する。
【0034】
2値化制御レジスタ4は、液晶ディスプレイの各画素の階調数と同数、すなわち階調電圧用配線Lと同数だけ設けられており、各階調電圧用配線Lをハイレベル又はローレベルにする2値化データを格納する。2値出力バッファ6は、2値化制御レジスタ4から階調電圧用配線Lに対して出力される2値化データの出力タイミングを制御する。ポインタ用シフトレジスタ13は、階調データ入力端子12から入力されるディジタル階調データが格納されるべきラッチ回路14を選択する。ラッチ回路14は、DAC回路2に供給すべきディジタル階調データを一時的に保持する。
【0035】
この構成において、階調データ入力端子12から液晶駆動半導体集積回路1に入力されるn画素分のディジタル階調データは、ポインタ用シフトレジスタ13に格納されるべきラッチ回路が選択されて、n個のラッチ回路14のそれぞれに格納される。ラッチ回路14に格納されたディジタル階調データは、LOAD信号入力端子15から入力されるDAC回路2への出力タイミングを示すパルス信号の入力があると、ラッチ回路14からDAC回路2に転送される。
【0036】
DAC回路2内では、ディジタル階調データの基づいてm本の階調電圧用配線Lのうちの1本を選択する。そして、液晶駆動半導体集積回路1において、各DAC回路2の階調電圧用配線L上の信号が出力端子10からの出力となることから、通常の使用状態では、各DAC回路2において選択された階調電圧用配線Lの電圧値が、出力端子10からの階調出力電圧の電圧値となる。
【0037】
一方で、液晶駆動半導体集積回路1の試験をする試験状態では、オペアンプ電源制御用端子17を使用して階調電圧用オペアンプ3を高抵抗出力状態に設定し、階調電圧用オペアンプ3と階調電圧用配線Lとを電気的に切断している。このため、この試験状態では、各階調電圧用配線Lに入力される後述の2値データがそのまま各出力端子10から出力されることになる。
【0038】
上述のように、第1のTEST端子5aは、2値化制御レジスタ4に2値化データを記憶させるラッチパルスが入力される端子であり、第2のTEST端子5bは、2値出力バッファ6をアクティブ(ハイレベル出力状態又はローレベル出力状態)又は非アクティブ(高抵抗出力状態)に選択して設定する信号が入力される端子であるが、本発明は、この試験状態で第1のTEST端子5aから入力される2値化データ及び第2のTEST端子5bから入力される2値化データ出力制御信号を用いて、液晶駆動半導体集積回路1のDAC回路2の動作を効果的に試験することを特徴とするものである。
【0039】
図4は、本発明にかかる液晶駆動用半導体集積回路1の第1の実施形態の構成を示しており、図6は、第1の実施形態における液晶駆動用半導体集積回路1の試験を実施する場合のタイミングチャートである。
【0040】
階調データ入力端子12から入力されたディジタル階調データはクロック入力端子11から入力されるクロック信号に対応してn個のラッチ回路14に順次格納される。n個のラッチ回路14は、それぞれn本の出力端子10から出力されるべき階調電圧に関するデータを記録するレジスタであり、クロック入力端子12から入力されるn回のクロック入力信号により全出力端子10の階調電圧のデータを格納することができる。
【0041】
全出力端子10のディジタル階調データをラッチ回路14に格納後、LOAD信号入力端子15からのパルス入力を受信すると、ラッチ回路14に格納されたディジタル階調データはそれぞれのDAC回路2に転送される。
【0042】
DAC回路2は、ディジタル階調データに従ってm個のスイッチから構成されるスイッチのうちの1個のスイッチのみをオン状態にすることでm本の階調電圧用配線Lのうちの1本を選択して出力端子10と接続する。このため、ディジタル階調データに対応した階調電圧が各出力端子10から出力されることになる。
【0043】
一方、階調電圧用オペアンプ3は、前記試験状態ではオペアンプ電源制御用端子17を任意のレベルに固定することにより高抵抗出力状態に設定される。例えば、本実施形態の液晶駆動半導体集積回路1は、オペアンプ電源制御用端子17をローレベルに設定したときに階調電圧用オペアンプ3が高抵抗状態になり、オペアンプ電源制御用端子17ハイレベルに設定したときに階調電圧を出力するため、オペアンプ電源制御用端子17をローレベルに固定し、階調電圧用オペアンプ3が各階調電圧用配線Lに階調電圧を出力しないようにしている。
【0044】
オペアンプ電源制御端子17を液晶駆動半導体集積回路1が内蔵していない場合でも、液晶駆動半導体集積回路1にオペアンプ電源制御用端子17を追加することが可能であり、オペアンプ電源制御用端子17を追加することにより液晶駆動半導体集積回路1の構成が特に複雑化することもない。
【0045】
また、内部にオペアンプを高抵抗に制御可能なレジスタ又はフラグ等を追加して、これらのレジスタ又はフラグ等を使用することにより階調電圧用オペアンプ3の出力状態を制御するようにして、階調電圧用オペアンプ3の高抵抗出力状態の設定を行ってもよい。
【0046】
すべての出力端子10のディジタル階調データをDAC回路2に転送後、2値化制御レジスタ4aに2値化データを格納する。2値化データは、半導体集積回路1の試験装置50により生成され、階調データ入力端子12から入力される。そして、この2値化データは、2値化制御レジスタ4aに所定のクロック入力信号に対応して所定のタイミングで2値化制御レジスタ4aに記憶される。
【0047】
2値化制御レジスタ4aへのデータ入力は、専用の2値化データ入力端子を液晶駆動用半導体集積回路1に追加して、この2値化データ入力端子を用いて入力するようにしてもよい。また、2値化制御レジスタ4aの2値化データを記憶する際に用いるクロック入力信号として、ディジタル階調データのクロック入力端子11から入力されるクロック信号を使用することもできる。このときは、ラッチ回路14と2値化制御レジスタ4aとを切り換えるための切換信号を入力する端子等を追加することにより、クロック入力端子11を共有することができ、構成の簡略化を図ることができる。
【0048】
上述のように、第2のTEST端子5bは、2値化制御レジスタ4aに格納された2値化データの階調信号用配線への出力を制御する信号を入力する端子であり、第2のTEST端子5bをハイレベルに設定することによりトライステートバッファ6aは、2値化制御レジスタ4aに格納された2値化データに従って階調電圧用配線Lをハイレベル又はローレベルの2値の値にすることができる。このため、トライステートバッファ6aから出力される2値化データとしての信号は、階調電圧用配線Lを通してDAC回路2に供給される。一方、このときに第2のTEST端子5bをローレベルに設定した場合は、トライステートバッファ6aは高抵抗状態になるため、2値化制御レジスタ4aの2値化データが階調電圧用配線LやDAC回路2に供給されることがない。
【0049】
なお、多値の電圧レベルを階調電圧用オペアンプ3から発生させる通常の使用状態では、第2のTEST端子5bは、ローレベルに設定されているため、2値化制御レジスタ4aの2値化データ等により、階調電圧用配線Lの階調電圧値が影響を受け、該階調電圧値に誤差が生じることを防止することができる。
【0050】
DAC回路2のテストを実施する一例として、半導体集積回路1の試験装置50は、奇数番出力端子10(10a、10c等)に対応するラッチ回路14に第1の階調電圧を選択する階調データを記憶させ、偶数番出力端子10(10b、10d等)に対応するラッチ回路14に第2の階調電圧を選択する階調データを記憶させる。この階調データをラッチ回路14に記憶させた後、半導体集積回路1の試験装置50は、LOAD信号入力端子15に所定のタイミングで、パルス信号を入力することにより、該ディジタル階調データが所定のタイミングでラッチ回路14からDAC回路2に転送されるようにしている。
【0051】
該階調データを、DAC回路2に転送後、2値化制御レジスタ4aの第1のレジスタのみをハイレベルに設定して、他の(m−1)個のレジスタをローレベルのデータに設定する2値化データを2値化制御レジスタ4aに格納し、第1の階調電圧の階調電圧用配線Lのみをハイレベルに設定するとともに、他の(m−1)本の階調電圧用配線Lをローレベルに設定する。
【0052】
このとき、第2のTEST端子5bは、ハイレベルに設定し、階調電圧用オペアンプ3を高抵抗出力状態に設定しておく。これらの設定動作により、奇数番出力端子10(10a、10c等)からはハイレベルが出力され、偶数番出力端子10(10b、10d等)からはローレベルが出力される。
【0053】
次に、第2の階調電圧の階調電圧用配線Lのみをハイレベルに設定して、他の(m−1)本の階調電圧用配線Lをローレベルに設定する2値化データを2値化制御レジスタ4aに格納する。
【0054】
このとき、2値化制御レジスタ4aの 第2のレジスタにハイレベルのデータを格納して他の(m−1)のレジスタにはローレベルのデータを格納する。これらの設定動作により、奇数番出力端子10(10a、10c等)からは、ローレベルが出力され、偶数番出力端子10(10b、10d等)からはハイレベルが出力される。
【0055】
この後、各出力端子10から出力されるこれらの2値化データをディジタルコンパレータを用いたファンクションテスト機能を使用して試験を実施する。そして、階調データ入力端子12からの全出力端子10に対応するディジタル階調データの入力、LOAD信号入力端子15からのLOAD信号により階調データをDAC回路2へ転送、及び2値化制御レジスタ4aの2値化データの書換、を順次繰り返すことで、液晶駆動半導体集積回路1内のDAC回路2が正常に動作しているか否かの試験が実施される。
【0056】
ここで、DC電圧測定器で階調出力電圧を試験を実施した場合、セトリング時間が1ms〜3msかかるのに対して、ファンクションテスト機能を使用すれば1μs以下の試験レートで1回の出力を試験可能である。さらに、半導体集積回路1の試験装置50のファンクションテスト機能を使用すれば、全出力端子10の試験を同時に実行できることから、このファンクションテスト機能を使用して、試験を行うことにより短時間で液晶駆動半導体集積回路1の試験を実施することが可能となる。特に、様々な組み合わせのディジタル階調データをラッチ回路14に書き込み試験を実施した場合においても試験に要する時間が大幅に増加しないため、DAC回路2の単一縮退故障不良をスクリーニングするとき以外にも、長大な配線間干渉やデータ間干渉を考慮したテストパターン等の試験時に実行することが可能となる。
【0057】
図5は、第2の実施形態として、2値化制御レジスタ4bの出力をクロック制御インバータで構成したトライステートバッファ6bを用いて階調電圧用配線Lに出力する構成を示している。2値化制御レジスタ4bの2値化データを階調出力用配線Lに出力する2値出力バッファ6は、高抵抗出力状態を実現できるトライステートバッファであればどのような構成であってもよい。
【0058】
ここで、トライステートバッファ6bは、1本の階調電圧用配線Lに接続され、ハイレベル出力又はローレベル出力をDAC回路2を経由して出力端子から出力するが、この場合、トライステートバッファ6bの電流駆動能力が必要となる。1本の階調電圧用配線Lにおいては最大n個のトランジスタが同時にON状態になることを想定して、トライステートバッファ6bは最大n個のトランジスタを駆動してn本の出力端子から信号を出力させるだけの電流駆動能力が必要となるところ、電流駆動能力の高いトライステートバッファ6bはチップ面積を増加させ製造コストを増加させる原因になる。
【0059】
そこで、第3の実施形態として出力制御手段を備えることにより、トライステートバッファ6bのチップ面積の増加等による製造コストの増加を防止することにしている。
【0060】
図7は、本発明の第3の実施形態の構成を示しており、図8は、図7で示されるDAC回路の試験のタイミングチャートを示している。ここでは、出力制御手段として、DAC回路2を2個以上の複数の出力端子群に分割し、被測定出力端子群以外の出力端子群に対応するDAC回路2のすべてのSWをオフにするとともに、被測定出力端子群に対応するDAC回路2においてのみディジタル階調データに対応する階調電圧用配線LのSWをオンに選択することができるようにしている。
【0061】
このため、1本の階調電圧用配線Lにおいて同時にON状態になる可能性のあるトランジスタの最大数を減少することが可能であるため、トライステートバッファ6bに必要とされる電流駆動能力を低下させ、トライステートバッファ6bの低コスト化を図ることができる。
【0062】
階調データLOAD信号15により階調データラッチ回路からDAC回路2内のLOADレジスタ7にディジタル階調データが転送される。LOADレジスタ7に転送されたディジタル階調データは、階調データデコーダ回路8により64個のSWのうちの1個のSWを選択する。
【0063】
高抵抗制御レジスタ9は、4個の出力端子群に分割されたn本の出力端子のうちの1個の出力端子群のみを選択するレジスタである。例えば、高抵抗レジスタ9aの出力をハイレベルに設定し、高抵抗制御レジスタ9b〜9dの出力をローレベルに設定したとき、出力端子群10Aのみが階調電圧用配線L上の信号である2値化制御用レジスタ4aの2値化データに対応した出力を行う。一方で、出力端子群10B及び出力端子群10C、出力端子群10Dは高抵抗出力状態になるため、いかなる出力も行わない。
【0064】
また、高抵抗制御レジスタ9cの出力をハイレベルに設定し、高抵抗制御レジスタ9a、9b、9dの出力をローレベルに設定したときは出力端子群10Cが階調電圧用配線L上の信号である2値化制御レジスタ4aの2値化データに対応した出力を行う。
【0065】
このようにして、ハイレベルに設定する高抵抗制御レジスタ9を順次切り換えていくことにより、それぞれの出力端子群10A、10B、10C又は10Dの少なくとも1つを被試験対象として選択することができる。
【0066】
上述のように、高抵抗出力状態に設定される出力端子10に対応するDAC回路2において全SWがオフ状態になるように設定されるが、この設定の動作は階調データデコーダ回路8に入力された高抵抗制御レジスタ9の出力信号により制御される。よって、この機能を利用してディジタル階調データをLOADレジスタ7に転送した後、被出力端子群(10A〜10D)を順次切り換えていくことで、1本の階調電圧用配線LでON状態になるSWの個数を最大n/4個に低減することができる。このため、2値化制御レジスタ4aの2値化データに対応した値を出力するトライステートバッファ6aのトランジスタの電流駆動能力を低減することが可能となり、チップサイズの拡大及びコストの増加を抑制することができる。
【0067】
なお、図7及び図8に示す出力制御手段では、出力端子群(10A〜10D)を4分割しているが、出力端子群(10A〜10D)は、トライステートバッファ6aのトランジスタの電流駆動能力等に応じて任意の2個以上の出力端子群に分割することが可能である。被測定出力端子以外の出力端子を高抵抗出力状態に設定、被測定出力端子群のみをアクティブに制御する回路として高抵抗制御レジスタ9を使用したが、入力端子を設け被測定出力端子以外の出力端子を高抵抗出力状態に設定、被測定出力端子群のみをアクティブにする信号を入力することによっても、出力制御手段を実現することができる。
【0068】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、以下の効果を奏することができる。
【0069】
(1)入力された画像データ等のディジタルデータに基づいて各出力端子毎に出力する半導体集積回路が備えるD/Aコンバータの階調電圧用配線の電圧値を、所定の2値化データ及び2値化データ出力制御信号により所定のタイミングで2値化する2値化手段を備えたことから、D/Aコンバータにおいて選択されるべき階調電圧用配線とその他の階調電圧用配線とを、所定のタイミングで互いに異なる2値化データに2値化するとともに、これに伴って該各出力端子からの出力も2値化することから、該半導体集積回路が検査される際にD/Aコンバータ内部において該半導体集積回路に入力される前記ディジタルデータに対応した階調電圧用配線が選択されているか否かを、例えばディジタルコンパレータを用いたファンクション試験等の簡易な構成で高速に検出することができる。
【0070】
(2)所定の2値化データ及び2値化データ出力制御信号に基づいて前記複数の階調電圧用配線の電圧値を所定のタイミングで2値化することにより半導体集積回路の出力端子からの前記出力を2値化する前記2値化手段を、段階的に多値の電圧を出力自在にするD/Aコンバータの出力電圧源のオペアンプの出力を2値化する回路、前記2値化データを記憶するレジスタ、及び2値化データ出力制御信号に基づいて該レジスタに記憶される該2値化データの前記複数の階調電圧用配線への出力タイミングを制御するトライステートバッファを前記半導体集積回路に追加することによって実現できることから、半導体集積回路の回路構成の複雑化を抑制しつつ、低廉に本発明の2値化手段を備えることができる。
【0071】
(3)入力される所定のディジタル階調データに応じて各出力端子から所定の階調電圧を出力するとともに、試験時においては所定の2値化データ及び2値化データ出力制御信号に基づいて各出力端子から所定のタイミングで2値化データを出力することが可能な半導体集積回路の試験装置が、所定の階調電圧値を示すディジタル階調データと、該所定の階調電圧値に対応する階調電圧用配線のみ他の階調電圧用配線と異なる値にする2値化データと、を前記半導体集積回路に入力するとともに、前記ディジタル階調データと該2値化データとの読取のタイミングを一致させ前記複数の出力端子のそれぞれから出力される該2値化された値に基づいて前記D/Aコンバータの良否を判定する判定手段を備えていることから、この半導体集積回路の試験装置にDC電圧測定器等を備えさせる必要がなくなり試験装置自体の構成を簡潔にすることができるとともに、高速に前記半導体集積の試験を行うことができる。
【0072】
(4)試験装置が被試験対象である半導体集積回路に備えられた複数の出力端子を所定の数の出力端子群に分けて各出力端子群毎の階調出力電圧の判定を行う出力制御手段を備えたことから、例えばすべての出力端子に対応してすべての階調電圧用配線を2値化することにより、2値化手段においてトライステートバッファに高度の電流駆動能力が要求される等を防止でき、2値化手段を実現するためのコストの増加を防止することができる。
【0073】
(5)入力される所定のディジタル階調データに応じて備えられた複数の階調電圧用配線から所定の階調電圧用配線を選択して出力端子と接続することにより各出力端子から所定の階調電圧を出力する半導体集積回路を良否を試験する際に、前記所定の階調電圧用配線の電圧値を他の階調電圧用配線と異なるようにして2値化させる2値化工程と、所定の階調電圧値を示す前記ディジタル階調データにより選択されるべき階調電圧用配線が選択されているか否かを検出して該半導体集積回路の良否を判定する判定工程と、を含むことから、該半導体集積回路の良否の判定をDC電圧測定器等を用いることなく高速かつ低廉に行うことができる。
【0074】
よって、簡易な構成で高速かつ低廉に半導体集積回路の良否を判定することが可能な半導体集積回路、半導体集積回路の試験装置、及び半導体集積回路の試験方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】液晶駆動用半導体集積回路の基本的構成を示す図である。
【図2】従来の半導体集積回路試験装置の構成を示す図である。
【図3】本発明の液晶駆動用半導体集積回路の構成を示す図である。
【図4】第1の実施形態における液晶駆動用半導体集積回路の構成を示す図である。
【図5】第2の実施形態における液晶駆動用半導体集積回路の構成を示す図である。
【図6】本発明の動作を示すタイミングチャートである。
【図7】第3の実施形態における液晶駆動用半導体集積回路の構成を示す図である。
【図8】第3の実施形態における動作を示すタイミングチャートである。
【符号の説明】
1−液晶駆動半導体集積回路
2−DAC回路
3−階調電圧用オペアンプ
4−2値化制御レジスタ
5−TEST端子
6(6a、6b)−2値出力バッファ
7−LOADレジスタ
8−階調データデコーダ回路
9−高抵抗制御レジスタ
10−階調電圧出力端子
11−クロック入力端子
12−階調データ入力端子[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a semiconductor integrated circuit used for driving a liquid crystal, for example, a test apparatus for the semiconductor integrated circuit, and a test method for the semiconductor integrated circuit.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art Conventionally, with the increase in integration of semiconductor integrated circuits, the increase in the number of terminals of the semiconductor integrated circuit and the increase in the number of gradations have become remarkable. For example, a liquid crystal display capable of high resolution and capable of expressing many colors Has come to be realized.
[0003]
However, for example, when the number of liquid crystal driving output terminals in a liquid crystal driving semiconductor integrated circuit increases or the gray scale output voltage increases as the liquid crystal panel is multicolored, the liquid crystal driving semiconductor There has been a problem that testing of integrated circuits becomes difficult.
[0004]
That is, generally, in the test of the gradation output voltage of the liquid crystal driving semiconductor integrated circuit, it is necessary to test the D / A converter built in each output terminal. In this D / A converter test, Since it is necessary to determine whether a normal output voltage is output at every gradation output voltage value for each output terminal, the increase in the number of output terminals and the increase in gradation output voltage value result in an increase in the number of gradation output voltage values. The time required to make the determination increases.
[0005]
FIG. 1 shows a basic configuration of a liquid crystal driving semiconductor integrated
[0006]
This digital data is converted into a gradation voltage of a predetermined gradation voltage value which is an analog value by a D / A converter provided for each
[0007]
Therefore, when testing whether or not the liquid crystal
[0008]
Furthermore, when testing this grayscale output voltage, a high-accuracy DC voltage measuring instrument is required, and the settling time during DC measurement by the DC voltage measuring instrument is not short, so it increases in proportion to higher resolution. Thus, how to shorten the test time of the liquid crystal driving semiconductor integrated
[0009]
Although it is possible to shorten the test time by using a semiconductor integrated circuit test apparatus provided with a DC voltage measuring device for each output terminal to be tested, a plurality of DC voltage measuring devices are provided in this way. The provided semiconductor integrated circuit testing apparatus is extremely expensive and used only for a few applications such as research and development, and is not generally used.
[0010]
Therefore, as one of the prior arts aimed at shortening the test time of the semiconductor integrated circuit, Japanese Patent Laid-Open No. 10-2937 discloses upper limit expected value data for each gradation output voltage as shown in FIG. And
[0011]
According to this configuration, the upper limit expectation for each gradation is obtained in real time by incrementing the addresses of the
[0012]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the conventional semiconductor integrated circuit test apparatus represented by the semiconductor integrated circuit test apparatus described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-2937, the D / D comparator is used as the output signal comparator of the conventional semiconductor integrated circuit test apparatus. Since it is necessary to add an A converter, a memory for storing the value of the upper limit expected value voltage and the value of the lower limit expected value voltage, etc., an increase in the cost of the semiconductor integrated circuit test apparatus is inevitable.
[0013]
Furthermore, assuming the number of output terminals of the semiconductor integrated circuit to be tested, it is necessary to provide a test terminal, a test circuit, etc. in the semiconductor integrated circuit test apparatus in advance, so that the actual semiconductor device integrated circuit When the number of output terminals of the semiconductor integrated circuit to be tested is small in the test of 1, the test terminals and test circuits that are not used are generated in the test terminals and test circuits of the semiconductor integrated circuit test apparatus. In some cases, the configuration of the semiconductor integrated circuit test apparatus is wasted and the cost performance is lowered.
[0014]
An object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit, a semiconductor integrated circuit test apparatus, and a semiconductor integrated circuit test method capable of determining the quality of a semiconductor integrated circuit at high speed and low cost with a simple configuration. .
[0015]
[Means for Solving the Problems]
The present invention has the following configuration.
[0016]
(1) A plurality of levels having different voltage values in stages according to the input of digital gradation data indicating the gradation voltage value to be output from each output terminal of a semiconductor integrated circuit having a plurality of gradation voltage output terminals. A gradation voltage wiring corresponding to the gradation voltage value to be output is selected from among the adjustment voltage wirings and connected to the output terminal, and the gradation voltage of the gradation voltage value to be output is output to the output terminal. A semiconductor integrated circuit having a D / A converter for outputting each time,
Of the plurality of gradation voltage wirings,Indicates the first gradation voltage valueBinary data for making the gradation voltage wiring and other gradation voltage wirings have different binary values, and binary data for controlling the timing at which the binary data is supplied to the gradation voltage wiring Based on output control signalThe gradation voltage wiring indicating the first gradation voltage value at a predetermined timing is set to the first value, and the other gradation voltage wiring is set to the second value.A binarizing means is provided.
[0017]
In this configuration, the voltage value of the gradation voltage wiring of the D / A converter provided in the semiconductor integrated circuit that outputs each output terminal based on the input digital data such as image data corresponds to the digital data. The binarized data for binarizing so that the gradation voltage wiring and the other gradation voltage wirings have different values, and the binarized data are output to the gradation voltage wiring. Since the binarization means for binarizing at a predetermined timing by the binarized data output control signal for controlling the timing is provided, the grayscale voltage wiring to be selected in the D / A converter and other grayscale voltages The binarization wiring is binarized into different binarized data at a predetermined timing, and the output from each output terminal is binarized accordingly.
[0018]
Therefore, whether or not the gradation voltage wiring corresponding to the digital data input to the semiconductor integrated circuit is selected in the D / A converter when the semiconductor integrated circuit is inspected. It can be detected at high speed with a simple configuration such as a function test using the.
[0019]
(2) The binarizing means is an operational amplifier as an output voltage source of a D / A converter that allows a multi-value voltage to be output step by step.And a circuit for electrically disconnecting the gradation voltage wiring, A register for storing the binarized data, and a trie for controlling the output timing of the binarized data stored in the register to the plurality of gradation voltage wirings based on the binarized data output control signal. A state buffer is provided.
[0020]
In this configuration, the output value of the semiconductor integrated circuit is obtained by binarizing the voltage values of the plurality of gradation voltage wirings at a predetermined timing based on the predetermined binarized data and the binarized data output control signal. A circuit for binarizing the output of the operational amplifier of the output voltage source of the D / A converter, wherein the binarizing means for binarizing the output from the D / A converter enables the multi-value voltage to be freely output in stages; A register for storing binarized data, and a tristate buffer for controlling output timing of the binarized data stored in the register to the plurality of gradation voltage wirings based on a binarized data output control signal Since it is realized by adding to the semiconductor integrated circuit, the binarization means of the present invention is provided at low cost while suppressing the complexity of the circuit configuration of the semiconductor integrated circuit.
[0021]
(3)A test apparatus for a semiconductor integrated circuit applied to a test for a semiconductor integrated circuit according to (1) or (2),
The digital gradation data indicating the first gradation voltage value, the gradation voltage wiring corresponding to the first gradation voltage value are set to the first value, and the other gradation voltage wirings are set to the second value. Whether the first value is output from the output terminal to which the first value is to be output among the plurality of output terminals.And determining means for determining whether the D / A converter is good or bad.
[0022]
In this configuration, a predetermined gradation voltage is output from each output terminal in accordance with the input predetermined digital gradation data, and at the time of the test, the predetermined binary data and the binary data output control signal are output. A semiconductor integrated circuit test apparatus capable of outputting binarized data from each output terminal at a predetermined timing based on digital gradation data indicating a predetermined gradation voltage value and the predetermined gradation voltage value The binarized data for which only the grayscale voltage wiring corresponding to is different from the other grayscale voltage wiring is input to the semiconductor integrated circuit, and the digital grayscale data and the binarized data are Judgment means is provided for judging whether the D / A converter is good or bad based on the binarized values output from the plurality of output terminals by matching the timing of reading.
[0023]
For this reason, it is not necessary to provide a DC voltage measuring instrument or the like in the semiconductor integrated circuit test apparatus, so that the configuration of the test apparatus itself is simplified and the semiconductor integrated test is performed at high speed.
[0024]
(4) The present invention is characterized in that output control means for dividing the plurality of output terminals into a predetermined number of output terminal groups and sequentially performing the determination based on the gradation output voltage for each output terminal group is provided.
[0025]
In this configuration, the test apparatus divides a plurality of output terminals provided in a semiconductor integrated circuit to be tested into a predetermined number of output terminal groups, and performs an output for determining a gradation output voltage for each output terminal group. Since the control means is provided, for example, by binarizing all the gradation voltage wirings corresponding to all the output terminals, the binarizing means requires a high current drive capability for the tristate buffer. The increase in cost for realizing the binarization means is prevented.
[0026]
(5)A test method of a semiconductor integrated circuit applied to the test of a semiconductor integrated circuit according to (1) or (2),
The digital gradation data indicating the first gradation voltage value, the gradation voltage wiring corresponding to the first gradation voltage value are set to the first value, and the other gradation voltage wirings are set to the second value. Binarizing data to be input to the semiconductor integrated circuit;
Whether the first value is output from the output terminal that should output the first value among the plurality of output terminalsA determination step of determining pass / fail of the D / A converter based on
It is characterized by including.
[0027]
In this configuration, a predetermined gradation voltage wiring is selected from a plurality of gradation voltage wirings provided in accordance with input predetermined digital gradation data, and connected to the output terminal by connecting each output terminal. Binarization that binarizes a voltage value of the predetermined grayscale voltage wiring differently from other grayscale voltage wiring when testing a semiconductor integrated circuit that outputs a predetermined grayscale voltage A step of determining whether or not the semiconductor integrated circuit is good by detecting whether or not a gradation voltage wiring to be selected is selected based on the digital gradation data indicating a predetermined gradation voltage value; Therefore, the quality of the semiconductor integrated circuit is determined at high speed and at low cost without using a DC voltage measuring device or the like.
[0028]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, a semiconductor integrated circuit, a semiconductor integrated circuit test apparatus, and a semiconductor integrated circuit test method of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0029]
FIG. 3 shows the configuration of the semiconductor integrated
[0030]
Here, the
[0031]
The LOAD
[0032]
A signal for controlling the output state of the gradation voltage operational amplifier 3 is input to the operational amplifier power supply control terminal 17. A predetermined gradation voltage is output from the
[0033]
The
[0034]
The binarization control register 4 is provided in the same number as the number of gradations of each pixel of the liquid crystal display, that is, the same number as the gradation voltage wiring L, and the gradation voltage wiring L is set to a high level or a low level. Stores digitized data. The binary output buffer 6 controls the output timing of the binarized data output from the binarization control register 4 to the gradation voltage wiring L. The
[0035]
In this configuration, digital gradation data for n pixels inputted from the gradation
[0036]
In the
[0037]
On the other hand, in the test state in which the liquid crystal driving semiconductor integrated
[0038]
As described above, the first TEST terminal 5a is a terminal to which a latch pulse for storing binarized data is input to the binarization control register 4, and the
[0039]
FIG. 4 shows the configuration of the first embodiment of the liquid crystal driving semiconductor integrated
[0040]
The digital gradation data input from the gradation
[0041]
After storing the digital gradation data of all the
[0042]
The
[0043]
On the other hand, the gradation voltage operational amplifier 3 is set to a high resistance output state by fixing the operational amplifier power supply control terminal 17 to an arbitrary level in the test state. For example, in the liquid crystal driving semiconductor integrated
[0044]
Even if the operational amplifier power supply control terminal 17 is not built in the liquid crystal drive semiconductor integrated
[0045]
In addition, a register or flag that can control the operational amplifier to a high resistance is added inside, and the output state of the operational amplifier 3 for gradation voltage is controlled by using these register or flag. The high-resistance output state of the voltage operational amplifier 3 may be set.
[0046]
After the digital gradation data of all the
[0047]
Data input to the
[0048]
As described above, the
[0049]
Note that, in a normal use state where the multi-level voltage level is generated from the gradation voltage operational amplifier 3, the
[0050]
As an example of performing the test of the
[0051]
After the gradation data is transferred to the
[0052]
At this time, the
[0053]
Next, the binarized data for setting only the gradation voltage wiring L of the second gradation voltage to the high level and setting the other (m−1) gradation voltage wirings L to the low level. Is stored in the
[0054]
At this time, high level data is stored in the second register of the
[0055]
Thereafter, the binarized data output from each
[0056]
Here, when the grayscale output voltage is tested with a DC voltage measuring device, the settling time takes 1 ms to 3 ms, whereas when the function test function is used, one output is tested at a test rate of 1 μs or less. Is possible. Furthermore, if the function test function of the
[0057]
FIG. 5 shows a configuration in which the output of the
[0058]
Here, the
[0059]
Thus, by providing output control means as the third embodiment, an increase in manufacturing cost due to an increase in the chip area of the
[0060]
FIG. 7 shows the configuration of the third embodiment of the present invention, and FIG. 8 shows a test timing chart of the DAC circuit shown in FIG. Here, as the output control means, the
[0061]
For this reason, the maximum number of transistors that can be turned on simultaneously in one grayscale voltage wiring L can be reduced, so that the current drive capability required for the
[0062]
Digital gradation data is transferred from the gradation data latch circuit to the LOAD register 7 in the
[0063]
The high resistance control register 9 is a register that selects only one output terminal group among n output terminals divided into four output terminal groups. For example, when the output of the
[0064]
When the output of the high
[0065]
In this manner, by sequentially switching the high resistance control register 9 set to a high level, at least one of the
[0066]
As described above, in the
[0067]
In the output control means shown in FIGS. 7 and 8, the output terminal group (10A to 10D) is divided into four, but the output terminal group (10A to 10D) is the current drive capability of the transistor of the
[0068]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the following effects can be obtained.
[0069]
(1) A voltage value of a gradation voltage wiring of a D / A converter included in a semiconductor integrated circuit that outputs for each output terminal based on input digital data such as image data is set to predetermined binary data and 2 Since the binarization means for binarizing at a predetermined timing by the binarized data output control signal is provided, the gradation voltage wiring to be selected in the D / A converter and the other gradation voltage wiring are Since the binarized data is converted into different binary data at a predetermined timing and the output from each output terminal is also binarized accordingly, the D / A converter is used when the semiconductor integrated circuit is inspected. Whether or not a gradation voltage wiring corresponding to the digital data input to the semiconductor integrated circuit is selected inside, for example, a function test using a digital comparator It can be detected at high speed with a simple configuration of.
[0070]
(2) The voltage values of the plurality of gradation voltage wirings are binarized at a predetermined timing based on the predetermined binarized data and the binarized data output control signal, so that the output from the output terminal of the semiconductor integrated circuit A circuit for binarizing an output of an operational amplifier of an output voltage source of a D / A converter, wherein the binarizing means for binarizing the output allows a multi-value voltage to be freely output step by step; and the binarized data And a tristate buffer for controlling the output timing of the binarized data stored in the register to the plurality of gradation voltage wirings based on a binarized data output control signal Since it can be realized by adding to the circuit, the binarization means of the present invention can be provided at low cost while suppressing the complexity of the circuit configuration of the semiconductor integrated circuit.
[0071]
(3) A predetermined gradation voltage is output from each output terminal in accordance with the input predetermined digital gradation data, and at the time of the test, based on the predetermined binary data and the binary data output control signal A semiconductor integrated circuit test apparatus capable of outputting binarized data from each output terminal at a predetermined timing corresponds to digital gradation data indicating a predetermined gradation voltage value and the predetermined gradation voltage value. The binarized data for making only the gradation voltage wiring to be different from other gradation voltage wirings is input to the semiconductor integrated circuit, and the digital gradation data and the binarized data are read. The semiconductor integrated circuit includes determination means for determining the quality of the D / A converter based on the binarized values output from the plurality of output terminals with the same timing. It is possible to test devices simplify the configuration required for eliminating the test device itself equip a DC voltmeter or the like, can be tested of the semiconductor integrated high speed.
[0072]
(4) Output control means for dividing a plurality of output terminals provided in a semiconductor integrated circuit to be tested by a test apparatus into a predetermined number of output terminal groups and determining a gradation output voltage for each output terminal group For example, by binarizing all gradation voltage wirings corresponding to all output terminals, the binarizing means requires a high current drive capability for the tristate buffer. It is possible to prevent the increase in cost for realizing the binarization means.
[0073]
(5) A predetermined gradation voltage wiring is selected from a plurality of gradation voltage wirings provided in accordance with input predetermined digital gradation data and connected to the output terminal, whereby a predetermined gradation voltage wiring is selected from each output terminal. A binarization step for binarizing a voltage value of the predetermined gradation voltage wiring differently from other gradation voltage wirings when testing a semiconductor integrated circuit that outputs the gradation voltage; A determination step of determining whether or not the semiconductor integrated circuit is acceptable by detecting whether or not a gradation voltage wiring to be selected is selected based on the digital gradation data indicating a predetermined gradation voltage value. Therefore, the quality of the semiconductor integrated circuit can be determined at high speed and inexpensively without using a DC voltage measuring device or the like.
[0074]
Therefore, it is possible to provide a semiconductor integrated circuit, a semiconductor integrated circuit testing apparatus, and a semiconductor integrated circuit testing method capable of determining the quality of a semiconductor integrated circuit at high speed and low cost with a simple configuration.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing a basic configuration of a liquid crystal driving semiconductor integrated circuit.
FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a conventional semiconductor integrated circuit test apparatus.
FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit for driving a liquid crystal according to the present invention.
FIG. 4 is a diagram showing a configuration of a liquid crystal driving semiconductor integrated circuit according to the first embodiment.
FIG. 5 is a diagram illustrating a configuration of a semiconductor integrated circuit for driving a liquid crystal according to a second embodiment.
FIG. 6 is a timing chart showing the operation of the present invention.
FIG. 7 is a diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit for driving a liquid crystal according to a third embodiment.
FIG. 8 is a timing chart showing an operation in the third embodiment.
[Explanation of symbols]
1-Liquid crystal drive semiconductor integrated circuit
2-DAC circuit
3-Grayscale voltage operational amplifier
4-2 Binarization control register
5-TEST terminal
6 (6a, 6b) -2 value output buffer
7-LOAD register
8-tone data decoder circuit
9-High resistance control register
10-gradation voltage output terminal
11-clock input terminal
12-gradation data input terminal
Claims (5)
前記複数の階調電圧用配線うちの第1の階調電圧値を示す階調電圧配線とその他の階調電圧配線とを互いに異なる2値の値にする2値化データ及び該2値化データが該階調電圧用配線に供給されるタイミングを制御する2値化データ出力制御信号に基づいて所定のタイミングで前記第1の階調電圧値を示す階調電圧配線を第1の値にし、かつ、その他の階調電圧配線を第2の値にする2値化手段を備えたことを特徴とする半導体集積回路。For a plurality of gradation voltages having different voltage values in stages according to the input of digital gradation data indicating the gradation voltage value to be output from each output terminal of a semiconductor integrated circuit having a plurality of gradation voltage output terminals. A wiring for gradation voltage corresponding to the gradation voltage value to be output is selected from the wiring and connected to the output terminal, and the gradation voltage of the gradation voltage value to be output is output for each output terminal. A semiconductor integrated circuit comprising a D / A converter
Binary data for making the gradation voltage wiring indicating the first gradation voltage value and the other gradation voltage wirings of the plurality of gradation voltage wirings different from each other, and the binary data The gradation voltage wiring indicating the first gradation voltage value at a predetermined timing based on a binary data output control signal for controlling the timing at which the gradation voltage wiring is supplied to the gradation voltage wiring is set to a first value, A semiconductor integrated circuit comprising binarizing means for setting other gradation voltage wirings to a second value .
第1の階調電圧値を示すディジタル階調データと、第1の階調電圧値に対応する階調電圧用配線を第1の値にするとともに他の階調電圧用配線を第2の値にする2値化データと、を前記半導体集積回路に入力するとともに、前記複数の出力端子のうち第1の値を出力すべき出力端子から第1の値が出力されているか否かに基づいて前記D/Aコンバータの良否を判定する判定手段を備えたことを特徴とする半導体集積回路の試験装置。 A semiconductor integrated circuit test apparatus applied to a test of a semiconductor integrated circuit according to claim 1 or 2,
The digital gradation data indicating the first gradation voltage value, the gradation voltage wiring corresponding to the first gradation voltage value are set to the first value, and the other gradation voltage wirings are set to the second value. And binarized data to be input to the semiconductor integrated circuit, and based on whether or not the first value is output from the output terminal to which the first value is to be output among the plurality of output terminals. A test apparatus for a semiconductor integrated circuit, comprising: determination means for determining whether the D / A converter is good or bad.
第1の階調電圧値を示すディジタル階調データと、第1の階調電圧値に対応する階調電圧用配線を第1の値にするとともに他の階調電圧用配線を第2の値にする2値化データと、を前記半導体集積回路に入力する工程と、
前記複数の出力端子のうち第1の値を出力すべき出力端子から第1の値が出力されているか否かに基づいて前記D/Aコンバータの良否を判定する判定工程と、
を含むことを特徴とする半導体集積回路の試験方法。 A test method for a semiconductor integrated circuit applied to the test for a semiconductor integrated circuit according to claim 1,
The digital gradation data indicating the first gradation voltage value, the gradation voltage wiring corresponding to the first gradation voltage value are set to the first value, and the other gradation voltage wirings are set to the second value. Binarizing data to be input to the semiconductor integrated circuit;
A determination step of determining pass / fail of the D / A converter based on whether or not a first value is output from an output terminal that should output a first value among the plurality of output terminals ;
A method for testing a semiconductor integrated circuit, comprising:
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