JP3796137B2 - Soft magnetic thin film and thin film magnetic head using the same - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は軟磁性薄膜およびそれを用いた薄膜磁気ヘッドに関するものであり、特に飽和磁束密度が高く、異方性磁界の増大を抑制し透磁率の低下を防止でき、しかも保磁力が小さく、薄膜磁気ヘッドの特性の向上が図れる軟磁性薄膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年のハードディスク記録媒体への書き込み記録の高密度化に伴い、磁気ヘッドの狭トラック化や、書き込み媒体の高保磁力化が進んでいる。
【０００３】
このような高密度記録での書き込みヘッドにおいて、十分な磁束を発生させるためには、書き込み磁極に従来使用されているパーマロイよりも飽和磁束密度の高い材料を使用する必要がある。
【０００４】
このような要望に応じる先行技術の一例として、特開平５−１４８５９５号公報には、高飽和磁束密度、熱的安定性を有する軟磁性合金薄膜を提供することを目的として、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｍ−Ｏ組成やＦｅ−Ｃｏ−Ｍ−Ｏ−Ｘ組成からなる軟磁性合金薄膜（ＭはＺｒ，Ｈｆの内の少なくとも一種の元素または混合物；ＸはＹ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｂの内の少なくとも一種の元素または混合物）の提案がなされている。この提案によれば、最大で２１．０ｋＧ程度の高い飽和磁束密度が得られている。
【０００５】
しかしながら、上記のごとく酸素を含有させたＦｅ−Ｃｏ系の薄膜では、膜中の酸素濃度の増加に伴い、異方性磁界が増大してしまうという問題が生じてしまう。これは膜の透磁率の低下を引き起こすことにもなる。
【０００６】
また、本願と関連すると思われる先行技術として、特開平１０−２５５３０号公報には、高周波などの磁性材料として高い比抵抗を有し、高周波数帯域で透磁率が高い軟磁性合金を提供することを目的とし、具体的実施例として、（Ｃｏ0.72Ｆｅ0.28）59Ｈｆ16Ｏ20Ｃ5が提示されている。しかしながら、このものはＣｏリッチであるために、Ｆｅリッチと比較して飽和磁束密度が低いという不都合がある。
【０００７】
また、特開平８−２７３９３０号公報には、適度の大きさの一軸磁気異方性を有し、かつ大きな電気抵抗と高い飽和磁化とを有し、透磁率の高周波特性の優れた磁性膜を提供することを目的とし、Ｆｅ−Ｃｏ系軟磁性薄膜において、種々の元素の添加を示唆する提案がなされている。当該公報には、広く炭素と酸素の含有の可能性を思わせる記載があるものの、好ましいのは、ＺｒとＳｉの組み合わせ、ＺｒとＧｅの組み合わせ、ＺｒとＳｎの組み合わせ、ＨｆとＳｉの組み合わせとの記載があり、実際に開示されている実施例サンプルは、ＺｒとＳｉの組み合わせのみであり、炭素と酸素の含有による特異的な効果は実質的に明示されていない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
このような実状のもとに本発明は創案されたものであり、その目的は、飽和磁束密度が高く、酸素濃度の増加に伴う異方性磁界の増大を抑制し、透磁率の低下を防止し、しかも、保磁力が小さく薄膜磁気ヘッドの特性の向上が図れる軟磁性薄膜を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
このような課題を解決するために、本発明の軟磁性薄膜は、組成式Ｆｅa・Ｃｏb・Ｍc・Ｃd・Ｏeで示され、
Ｍは、Ｚｒ，ＴｉおよびＴａから選ばれた少なくとも１種であり、
上記ａ〜ｄの各原子％の値が、それぞれ、
５１．０≦ａ≦９５．０、
５．０≦ｂ≦４９．０、
１．２≦ｃ≦３．１、
０．９≦ｄ≦３．２、
３．２≦ｅ≦４．８、
ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００
を満たしてなるように構成される。
また、本発明の薄膜磁気ヘッドは、環状磁気回路を形成するための軟磁性薄膜からなる磁気コアと、環状磁気回路の一部に形成された磁気的ギャップとを有し、ッドにおいて、
前記磁気コアを構成する全部または一部の軟磁性薄膜は、組成式Ｆｅa・Ｃｏb・Ｍc・Ｃd・Ｏeで示され、
Ｍは、Ｚｒ，ＴｉおよびＴａから選ばれた少なくとも１種であり、
上記ａ〜ｄの各原子％の値が、それぞれ、
５１．０≦ａ≦９５．０、
５．０≦ｂ≦４９．０、
１．２≦ｃ≦３．１、
０．９≦ｄ≦３．２、
３．２≦ｅ≦４．８、
ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００
を満たしてなるように構成される。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の具体的実施の形態について詳細に説明する。
【００１４】
本発明における軟磁性薄膜は、いわゆる薄膜磁気ヘッド用に組成設計されており、当該軟磁性薄膜は、組成式Ｆｅa・Ｃｏb・Ｍc・Ｃd・Ｏeで示される。
【００１５】
上記組成式において、Ｍは、Ｔｉ，Ｖ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ａｌ，Ｚｒ，Ｙ，Ｓｉ，Ｂから選ばれた少なくとも１種以上を示している。本発明において、Ｍとして上記元素を採択することにより、少量の添加で膜の結晶粒を微細化できるため、飽和磁束密度の値を高レベルに維持した状態で、保磁力を下げることができ、かつ所望の比抵抗値を得ることができる。
【００１６】
上記Ｍ元素群の中で、特に好ましいのは、Ｚｒ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｃｒである。
【００１７】
上記組成式におけるａ〜ｅは、各原子の％表示（原子％：ａｔ％）を示したものであり、これらの値は、それぞれ、以下のような範囲に設定される。
【００１８】
５１．０≦ａ≦９５．０、
５．０≦ｂ≦４９．０、
０．５≦ｃ≦１５．０、
０．５≦ｄ≦１０．０、
０．５≦ｅ≦２０．０、
ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００
【００１９】
上記ａ値が９５．０を超える、あるいは５１．０未満となると、飽和磁束密度Ｂｓが低下するという不都合が生じる傾向がある。さらに、上記ａ値の好ましい範囲は、６０．０≦ａ≦８０．０である。
【００２０】
上記ｂ値が４９．０を超える、あるいは５．０未満となると、飽和磁束密度Ｂｓが低下するという不都合が生じる傾向がある。さらに、上記ｂ値の好ましい範囲は、１０．０≦ｂ≦３５．０である。
【００２１】
上記ｃ値が１５．０を超えると、結晶粒が微細化され過ぎるために飽和磁束密度Ｂｓが低下するという不都合が生じる傾向がある。また、上記ｃ値が０．５未満となると、膜の結晶粒が微細にならないために保磁力Ｈｃが増大するという不都合が生じる傾向がある。さらに、上記ｃ値の好ましい範囲は、０．５≦ｃ≦８．０である。
【００２２】
上記ｄ値が１０．０を超えると、飽和磁束密度Ｂｓが低下したり、異方性磁界が小さくなり過ぎて適度な一軸異方性が無くなってしまうという不都合が生じる傾向がある。また、上記ｄ値が０．５未満となると、異方性磁界が増大するという不都合が生じる傾向がある。さらに、上記ｄ値の好ましい範囲は、０．５≦ｄ≦７．０である。
【００２３】
上記ｅ値が２０．０を超えると、飽和磁束密度Ｂｓが低下するとともに、異方性磁界が増大するという不都合が生じる傾向がある。また、上記ｅ値が０．５未満となると、保磁力Ｈｃが増大するという不都合が生じる傾向がある。さらに、上記ｅ値の好ましい範囲は、０．５≦ｅ≦１８．０である。
【００２４】
本発明では、炭素と酸素の複合添加により、特に、膜の飽和磁束密度を大きく低下させることなく、保磁力を小さくすることができる。さらに、酸素濃度に応じて、炭素の添加量を適宜調整することにより膜の応力を制御することが可能となる。従って、歪に誘導される異方性磁界を制御することが可能になる（異方性磁界の増大を抑制し、透磁率の低下を防止することができる）。
【００２５】
本発明の薄膜の製造に際しては、スパッタ、蒸着等の薄膜形成装置が用いられる。スパッタ装置としては、例えば、ＲＦ２極スパッタ、ＤＣスパッタ、マグネトロンスパッタ、３極スパッタ、イオンビームスパッタ、対向ターゲット式スパッタ等が挙げられる。本発明において、酸素および炭素を膜中に含有させる方法としては、Ａｒ等の不活性ガス中にＯ2、ＣＯ2ガスを混合した混合ガス雰囲気中でスパッタを行う反応性スパッタが好適例として例示できる。
【００２６】
また、所定の元素を含む合金ターゲット（例えば、Ｆｅ、ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＭ、ＦｅＣｏＭＣ）の上にＦｅあるいはＭの酸化物を配置した複合ターゲットを用いてスパッタ成膜してもよい。
【００２７】
このような本発明の薄膜（軟磁性薄膜）は、薄膜磁気ヘッドに用いられる。すなわち、本発明の薄膜磁気ヘッドは、環状磁気回路を形成するための軟磁性薄膜からなる磁気コアと、環状磁気回路の一部に形成された磁気的ギャップとを有し、前記磁気コアを構成する全部または一部の軟磁性薄膜が、上述した本発明の薄膜組成から形成される。なお、薄膜磁気ヘッドの構造は、一般によく知られており、ここでは特に図面を用いた説明は省略する。
【００２８】
なお、上記薄膜磁気ヘッドの構成要件において、「磁気コアを構成する全部または一部」とした理由は、次のとおりである。通常、磁気コアは、薄膜コイルを挟持する形で上部磁性薄膜と下部磁性薄膜との組み合わせから形成されるが、これらの上部または下部の磁性薄膜のいずれか一方が少なくとも本発明の薄膜組成を満足していればよい。一般的には、上部および下部の磁性薄膜の双方が本発明の薄膜組成を満足することが望ましい。
【００２９】
【実施例】
以下に具体的実施例を示し、本発明をさらに詳細に説明する。
【００３０】
〔実験例１〕
以下の要領で、ガラス基板の上に、下記表１に示されるような組成からなる磁性薄膜（軟磁性薄膜）を形成した。
【００３１】
すなわち、Ｆｅ、ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＭ、ＦｅＣｏＭＣ（Ｍは表１に示されるごとく任意に選定）のターゲットを、磁性薄膜形成用ターゲット材料として用い、ＤＣマグネトロンスパッタ装置（アネルバ社製；形式７９６０ＦＬ）にて、ガラス基板上に磁性薄膜を成膜した。
【００３２】
スパッタガスとしては、Ａｒ、Ａｒ＋Ｏ2、Ａｒ＋ＣＯ2混合ガスを用いて、成膜中のガス圧力は０．２Ｐａ〜０．８Ｐａ、投入電力は２００〜２０００Ｗとした。成膜レートは５〜１００ｎｍ／ｍｉｎの範囲とした。
【００３３】
得られた磁性薄膜各サンプルについて、下記の要領で、（１）飽和磁束密度（ＶＳＭで測定）、（２）保磁力（Ｂ−Ｈトレーサで測定）、（３）比抵抗（四端針法で測定）、（４）異方性磁界（Ｂ−Ｈトレーサで測定）をそれぞれ測定した。
上記の各評価結果を表１に示した。
【００３４】
【表１】
なお、表１に示されるＭ元素以外の本願の他の元素を用いても表１の実施例サンプルと略同等な効果が発現することが確認できた。
【００３６】
【発明の効果】
上記の結果より本発明の効果は明らかである。すなわち、本発明の軟磁性薄膜は、組成式Ｆｅa・Ｃｏb・Ｍc・Ｃd・Ｏeで示され、
Ｍは、Ｔｉ，Ｖ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ａｌ，Ｚｒ，Ｙ，Ｓｉ，Ｂから選ばれた少なくとも１種であり、上記ａ〜ｄの各原子％の値が、それぞれ、
５１．０≦ａ≦９５．０、
５．０≦ｂ≦４９．０、
０．５≦ｃ≦１５．０、
０．５≦ｄ≦１０．０、
０．５≦ｅ≦２０．０、
ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００
を満たしてなるように構成されているので、飽和磁束密度が高く、酸素濃度の増加に伴う異方性磁界の増大を抑制し、透磁率の低下を防止し、しかも、保磁力が小さく薄膜磁気ヘッドの特性の向上が図れる軟磁性薄膜を提供することができる。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a soft magnetic thin film and a thin film magnetic head using the same, and in particular, has a high saturation magnetic flux density, can suppress an increase in anisotropic magnetic field and prevent a decrease in magnetic permeability, and has a small coercive force. The present invention relates to a soft magnetic thin film capable of improving the characteristics of a magnetic head.
[0002]
[Prior art]
With the recent increase in the density of writing and recording on hard disk recording media, narrowing of the magnetic head track and higher coercive force of the writing medium are progressing.
[0003]
In order to generate a sufficient magnetic flux in such a high-density recording write head, it is necessary to use a material having a higher saturation magnetic flux density than the permalloy conventionally used for the write magnetic pole.
[0004]
As an example of the prior art meeting such a demand, Japanese Patent Laid-Open No. 5-148595 discloses Fe-Co-M for the purpose of providing a soft magnetic alloy thin film having a high saturation magnetic flux density and thermal stability. A soft magnetic alloy thin film having an —O composition or Fe—Co—M—O—X composition (M is at least one element or mixture of Zr and Hf; X is at least one of Y, Al, Si, and B) Elements or mixtures) have been proposed. According to this proposal, a high saturation magnetic flux density of about 21.0 kG is obtained at the maximum.
[0005]
However, the Fe—Co-based thin film containing oxygen as described above has a problem that the anisotropic magnetic field increases with an increase in the oxygen concentration in the film. This also causes a decrease in the magnetic permeability of the film.
[0006]
Further, as a prior art that seems to be related to the present application, Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-25530 provides a soft magnetic alloy having a high specific resistance as a magnetic material such as a high frequency and a high permeability in a high frequency band. For this purpose, (Co 0.72 Fe 0.28 ) 59 Hf 16 O 20 C 5 is presented as a specific example. However, since this is Co-rich, there is a disadvantage that the saturation magnetic flux density is lower than that of Fe-rich.
[0007]
Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-273930 discloses a magnetic film having an appropriate size of uniaxial magnetic anisotropy, a large electric resistance and a high saturation magnetization, and an excellent permeability and high frequency characteristics. For the purpose of providing, proposals have been made to suggest the addition of various elements in Fe-Co soft magnetic thin films. Although the publication has a description that widely suggests the possibility of containing carbon and oxygen, a combination of Zr and Si, a combination of Zr and Ge, a combination of Zr and Sn, and a combination of Hf and Si are preferable. The sample of the example actually disclosed is only a combination of Zr and Si, and the specific effect due to the inclusion of carbon and oxygen is not substantially demonstrated.
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
The present invention was devised under such circumstances, and its purpose is to have a high saturation magnetic flux density, to suppress an increase in anisotropic magnetic field accompanying an increase in oxygen concentration, and to prevent a decrease in magnetic permeability. In addition, it is an object of the present invention to provide a soft magnetic thin film that has a small coercive force and can improve the characteristics of the thin film magnetic head.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve such a problem, the soft magnetic thin film of the present invention is represented by the composition formula Fe a · Co b · M c · C d · O e ,
M is at least one selected from Zr, Ti and Ta ,
The value of each atomic% in the above a to d is respectively
51.0 ≦ a ≦ 95.0,
5.0 ≦ b ≦ 49.0,
1.2 ≦ c ≦ 3.1 ,
0.9 ≦ d ≦ 3.2 ,
3.2 ≦ e ≦ 4.8 ,
a + b + c + d + e = 100
It is configured to satisfy.
The thin film magnetic head of the present invention has a magnetic core made of a soft magnetic thin film for forming an annular magnetic circuit, and a magnetic gap formed in a part of the annular magnetic circuit.
All or a part of the soft magnetic thin film constituting the magnetic core is represented by a composition formula Fe a · Co b · M c · C d · O e ,
M is at least one selected from Zr, Ti and Ta ,
The value of each atomic% in the above a to d is respectively
51.0 ≦ a ≦ 95.0,
5.0 ≦ b ≦ 49.0,
1.2 ≦ c ≦ 3.1,
0.9 ≦ d ≦ 3.2 ,
3.2 ≦ e ≦ 4.8 ,
a + b + c + d + e = 100
It is configured to satisfy.
[0013]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described in detail.
[0014]
The soft magnetic thin film according to the present invention is designed for a so-called thin film magnetic head, and the soft magnetic thin film is represented by a composition formula Fe a · Co b · M c · C d · O e .
[0015]
In the above composition formula, M represents at least one selected from Ti, V, Ta, Nb, Cr, Mo, W, Cu, Zn, Ga, Al, Zr, Y, Si, and B. In the present invention, by adopting the above element as M, the crystal grains of the film can be refined with a small amount of addition, so that the coercive force can be lowered while maintaining the saturation magnetic flux density at a high level, In addition, a desired specific resistance value can be obtained.
[0016]
Of the M element groups, Zr, Ti, Ta, Nb, and Cr are particularly preferable.
[0017]
“A” to “e” in the above composition formula indicate% representation of each atom (atomic%: at%), and these values are set in the following ranges, respectively.
[0018]
51.0 ≦ a ≦ 95.0,
5.0 ≦ b ≦ 49.0,
0.5 ≦ c ≦ 15.0,
0.5 ≦ d ≦ 10.0,
0.5 ≦ e ≦ 20.0,
a + b + c + d + e = 100
[0019]
When the a value exceeds 95.0 or less than 51.0, there is a tendency that the saturation magnetic flux density Bs decreases. Furthermore, the preferable range of the a value is 60.0 ≦ a ≦ 80.0.
[0020]
When the b value exceeds 49.0 or less than 5.0, there is a tendency that the saturation magnetic flux density Bs decreases. Furthermore, a preferable range of the b value is 10.0 ≦ b ≦ 35.0.
[0021]
When the c value exceeds 15.0, there is a tendency that the saturation magnetic flux density Bs is lowered because the crystal grains are excessively refined. Further, when the c value is less than 0.5, there is a tendency that the coercive force Hc increases because the crystal grains of the film do not become fine. Furthermore, a preferable range of the c value is 0.5 ≦ c ≦ 8.0.
[0022]
When the d value exceeds 10.0, there is a tendency that the saturation magnetic flux density Bs is lowered, or that the anisotropic magnetic field becomes too small and the appropriate uniaxial anisotropy is lost. Further, when the d value is less than 0.5, there is a tendency that an anisotropy magnetic field increases. Furthermore, a preferable range of the d value is 0.5 ≦ d ≦ 7.0.
[0023]
If the e value exceeds 20.0, the saturation magnetic flux density Bs tends to decrease and the anisotropic magnetic field tends to increase. Further, when the e value is less than 0.5, there is a tendency that the coercive force Hc increases. Furthermore, a preferable range of the e value is 0.5 ≦ e ≦ 18.0.
[0024]
In the present invention, the coercive force can be reduced particularly by reducing the saturation magnetic flux density of the film by the combined addition of carbon and oxygen. Furthermore, the stress of the film can be controlled by appropriately adjusting the amount of carbon added according to the oxygen concentration. Therefore, it becomes possible to control the anisotropic magnetic field induced by strain (increase in the anisotropic magnetic field can be suppressed, and decrease in magnetic permeability can be prevented).
[0025]
In manufacturing the thin film of the present invention, a thin film forming apparatus such as sputtering or vapor deposition is used. Examples of the sputtering apparatus include RF bipolar sputtering, DC sputtering, magnetron sputtering, tripolar sputtering, ion beam sputtering, counter target sputtering, and the like. In the present invention, as a method for incorporating oxygen and carbon into the film, reactive sputtering in which sputtering is performed in a mixed gas atmosphere in which O 2 and CO 2 gases are mixed in an inert gas such as Ar is exemplified as a preferred example. it can.
[0026]
Alternatively, sputtering may be performed using a composite target in which an Fe or M oxide is arranged on an alloy target (for example, Fe, FeCo, FeCoM, FeCoMC) containing a predetermined element.
[0027]
Such a thin film (soft magnetic thin film) of the present invention is used for a thin film magnetic head. That is, the thin film magnetic head of the present invention includes a magnetic core made of a soft magnetic thin film for forming an annular magnetic circuit, and a magnetic gap formed in a part of the annular magnetic circuit, and constitutes the magnetic core. All or part of the soft magnetic thin film is formed from the above-described thin film composition of the present invention. The structure of the thin film magnetic head is generally well known, and the description with reference to the drawings is omitted here.
[0028]
The reason why “all or part of the magnetic core” in the constituent requirements of the thin film magnetic head is as follows. Usually, the magnetic core is formed of a combination of an upper magnetic thin film and a lower magnetic thin film with a thin film coil interposed therebetween, and either one of these upper or lower magnetic thin films satisfies at least the thin film composition of the present invention. If you do. In general, it is desirable that both the upper and lower magnetic thin films satisfy the thin film composition of the present invention.
[0029]
【Example】
The present invention will be described in further detail with reference to specific examples.
[0030]
[Experimental Example 1]
In the following manner, a magnetic thin film (soft magnetic thin film) having a composition as shown in Table 1 below was formed on a glass substrate.
[0031]
That is, a target of Fe, FeCo, FeCoM, FeCoMC (M is arbitrarily selected as shown in Table 1) was used as a target material for forming a magnetic thin film, and a DC magnetron sputtering apparatus (manufactured by Anelva; type 7960FL) A magnetic thin film was formed on a glass substrate.
[0032]
As sputtering gas, Ar, Ar + O 2 , Ar + CO 2 mixed gas was used, the gas pressure during film formation was 0.2 Pa to 0.8 Pa, and the input power was 200 to 2000 W. The film formation rate was in the range of 5 to 100 nm / min.
[0033]
For each sample of the obtained magnetic thin film, (1) saturation magnetic flux density (measured by VSM), (2) coercive force (measured by BH tracer), (3) specific resistance (four-end needle method) ) And (4) Anisotropic magnetic field (measured with a BH tracer) was measured.
Each evaluation result is shown in Table 1.
[0034]
[Table 1]
In addition, it was confirmed that even when other elements of the present application other than the M element shown in Table 1 were used, effects substantially equivalent to those of the example samples in Table 1 were exhibited.
[0036]
【The invention's effect】
The effects of the present invention are clear from the above results. That is, the soft magnetic thin film of the present invention is represented by the composition formula Fe a · Co b · M c · C d · O e ,
M is at least one selected from Ti, V, Ta, Nb, Cr, Mo, W, Cu, Zn, Ga, Al, Zr, Y, Si, and B, and each atomic% of the above a to d Values of
51.0 ≦ a ≦ 95.0,
5.0 ≦ b ≦ 49.0,
0.5 ≦ c ≦ 15.0,
0.5 ≦ d ≦ 10.0,
0.5 ≦ e ≦ 20.0,
a + b + c + d + e = 100
Therefore, the saturation magnetic flux density is high, the increase of the anisotropic magnetic field accompanying the increase of the oxygen concentration is suppressed, the magnetic permeability is prevented from decreasing, and the coercive force is small and the thin film magnetic field is reduced. A soft magnetic thin film capable of improving the characteristics of the head can be provided.
Claims (2)
Ｍは、Ｚｒ，ＴｉおよびＴａから選ばれた少なくとも１種であり、
上記ａ〜ｄの各原子％の値が、それぞれ、
５１．０≦ａ≦９５．０、
５．０≦ｂ≦４９．０、
１．２≦ｃ≦３．１、
０．９≦ｄ≦３．２、
３．２≦ｅ≦４．８、
ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００
を満たしてなることを特徴とする軟磁性薄膜。It is represented by the composition formula Fe a · Co b · M c · C d · O e
M is at least one selected from Zr, Ti and Ta ,
The value of each atomic% in the above a to d is respectively
51.0 ≦ a ≦ 95.0,
5.0 ≦ b ≦ 49.0,
1.2 ≦ c ≦ 3.1 ,
0.9 ≦ d ≦ 3.2 ,
3.2 ≦ e ≦ 4.8 ,
a + b + c + d + e = 100
A soft magnetic thin film characterized by satisfying
前記磁気コアを構成する全部または一部の軟磁性薄膜は、組成式Ｆｅa・Ｃｏb・Ｍc・Ｃd・Ｏeで示され、
Ｍは、Ｚｒ，ＴｉおよびＴａから選ばれた少なくとも１種であり、
上記ａ〜ｄの各原子％の値が、それぞれ、
５１．０≦ａ≦９５．０、
５．０≦ｂ≦４９．０、
１．２≦ｃ≦３．１、
０．９≦ｄ≦３．２、
３．２≦ｅ≦４．８、
ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００
を満たしてなることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。In a thin film magnetic head having a magnetic core made of a soft magnetic thin film for forming an annular magnetic circuit and a magnetic gap formed in a part of the annular magnetic circuit,
All or a part of the soft magnetic thin film constituting the magnetic core is represented by a composition formula Fe a · Co b · M c · C d · O e ,
M is at least one selected from Zr, Ti and Ta ,
The value of each atomic% in the above a to d is respectively
51.0 ≦ a ≦ 95.0,
5.0 ≦ b ≦ 49.0,
1.2 ≦ c ≦ 3.1 ,
0.9 ≦ d ≦ 3.2 ,
3.2 ≦ e ≦ 4.8 ,
a + b + c + d + e = 100
A thin film magnetic head characterized by satisfying
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2001146088A JP3796137B2 (en) | 2001-05-16 | 2001-05-16 | Soft magnetic thin film and thin film magnetic head using the same |
| US10/139,377 US6815096B2 (en) | 2001-05-16 | 2002-05-07 | Soft magnetic thin film and thin film magnetic head using the same |
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|---|---|---|---|
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