JP3788255B2 - Electrode pattern forming method and electro-optic device manufacturing method - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は電気光学装置の製造方法に係り、特に、基板の表面上に電極パターンを形成する技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、電気光学装置の一種である液晶装置は、シール材を介して貼り合せた一対の基板間に液晶を封入した液晶パネルを含む。一対の基板の内面上にはそれぞれ所定の電極パターンが形成される。この電極パターンは、ITO(インジウムスズ酸化物)等の透明導電体からなり、例えば、パッシブマトリクス型の液晶パネルの場合には、ストライプ状に並列した複数の帯状の電極が形成されるとともに、各電極の端部には配線がそれぞれ一体に接続され、この配線が基板端部に形成された端子部まで引き出されたパターン形状を有する。
【0003】
上記電極パターンを形成する場合には以下のようにする。まず、図6(a)に示すように、ガラス等からなる基板10の表面上にITO等の透明導電体をスパッタリング法等によって堆積させて透明導電層11を形成し、図6(b)に示すように、この透明導電層11の上に感光性レジスト12を塗布し、この感光性レジスト12を所定の露光パターンにて露光し、現像することによって図6(c)に示すマスク13を形成する。次に、このマスク13を介して基板10の表面に露出した透明導電層11の部分をエッチングし、図6(d)に示すように所定形状の電極111を含む電極パターンを形成する。
【0004】
このようにして形成された電極パターンにおいては、例えば上記感光性レジスト12内にごみが混入していると、図6(c)に示すようにごみ15がマスク13の開口となるべき部分に配置された場合、エッチングがごみ15によって妨げられるので、隣接する電極111間がエッチング不良で生じた連結部16(図6(d)に点線で示す)を介して短絡してしまう。
【0005】
そこで、従来から、電極間の短絡不良を修正するためのショートリペア工程が行われている。この工程においては、まず、図7(a)に示すように上記マスク13を除去した後にさらに図7(b)に示すように電極パターン上に感光性レジスト17を塗布し、上記と同様に露光、現像を行って図7(c)に示すリペアマスク18を形成する。ただし、このリペアマスク18は、電極111を被覆し、この電極111よりも周囲に僅かに張り出すように形成され、しかも、電極111間の領域に開口18aが設けられる。そして、このリペアマスク18を介して再びエッチングを行うことによって、上記連結部16は開口18aを通してエッチングにより除去され、図7(d)に示すように、間隙19が形成されて電極111間の短絡が解消される。
【0006】
図8に示すように、上記のリペアマスク18は、元の電極パターン内に設けられた電極111及びこれに接続される配線112の平面形状を変えてしまわないように、電極111及び配線112の表面を完全に覆い、しかも、電極111及び配線112よりもそれらの周囲に所定幅だけ張り出すように形成される。リペアマスク18には、電極111間に開口18aが形成されているとともに配線112間に開口18bが形成されている。これらの開口18a,18bで露出した領域にエッチングを施すことによって、電極111間及び配線112間の短絡が防止される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の液晶装置の製造方法においては、例えば100〜200μm程度の幅で形成された電極111の間の間隙が10〜30μm程度であるのに対して、配線112の幅は20〜60μmと狭くなっており、また、配線112の間の間隙は逆に20〜60μm程度に広がっている。このため、リペアマスク18を介してエッチングを行った場合に、細幅に形成された配線112のサイドエッチングによる断線不良が発生しやすいという問題点がある。
【0008】
そこで本発明は上記問題点を解決するものであり、その課題は、電極パターンの短絡不良を防止するためのショートリペア工程のエッチングに起因する断線不良を低減することのできる電気光学装置の製造技術を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために第1発明の電極パターンの形成方法は、平面上に複数のパターン部を含む電極パターンを形成する電極パターンの形成方法において、前記電極パターンを形成した後に、前記電極パターン上に前記パターン部を覆う被覆部を有するリペアマスクを形成する工程と、該リペアマスクを介してエッチングする工程とを有し、前記リペアマスクを、幅の大きなパターン部上の前記被覆部における当該パターン部の周囲に張り出す張出量よりも、幅の小さなパターン部上の前記被覆部における当該パターン部の周囲に張り出す張出量が大きくなるように構成することを特徴とする。
【0010】
この発明によれば、リペアマスクを、幅の大きなパターン部上の被覆部における張出量よりも幅の小さなパターン部上の被覆部における張出量が大きくなるように構成することにより、エッチング時における幅の小さなパターン部に対するサイドエッチングが発生しにくくなるので、幅の小さなパターン部の断線不良を低減できる。
【0011】
第2発明の電極パターンの形成方法は、平面上に複数のパターン部を含む電極パターンを形成する電極パターンの形成方法において、前記電極パターンを形成した後に、前記電極パターン上に前記パターン部を覆う被覆部を有するリペアマスクを形成する工程と、該リペアマスクを介してエッチングする工程とを有し、前記リペアマスクを、幅の大きなパターン部間の領域に開口を有するとともに、幅の小さなパターン部間の領域を覆うように構成することを特徴とする。
【0012】
この発明によれば、リペアマスクを、幅の大きなパターン部間の領域に開口を有するとともに、幅の小さなパターン部間の領域を覆うように構成することにより、エッチング時における幅の小さなパターン部に対するサイドエッチングが発生しなくなるので、幅の小さなパターン部の断線不良を低減できる。
【0013】
第3発明の電気光学装置の製造方法は、基板の表面上に複数の電極及び複数の配線を含む電極パターンを備え、前記基板に沿って電気光学材料が配置されてなる電気光学装置の製造方法において、前記基板の表面上に形成された前記電極パターンの上に、前記電極を覆う電極被覆部及び前記配線を覆う配線被覆部を有するリペアマスクを形成する工程と、該リペアマスクを介して前記基板の表面をエッチングする工程とを有し、前記リペアマスクを、前記電極被覆部における前記電極の周囲に張り出した張出量よりも、前記配線被覆部における前記配線の周囲に張り出した張出量の方が大きくなるように構成することを特徴とする。
【0014】
第4発明の電気光学装置の製造方法は、基板の表面上に複数の電極及び複数の配線を含む電極パターンを備え、前記基板に沿って電気光学材料が配置されてなる電気光学装置の製造方法において、前記基板の表面上に形成された前記電極パターンの上にリペアマスクを形成する工程と、該リペアマスクを介して前記基板の表面をエッチングする工程とを有し、前記リペアマスクを、前記電極間の領域に開口を有するとともに、前記配線間の領域を覆うように構成することを特徴とする。
【0015】
本発明において、前記電極を被覆する前記リペアマスクの被覆部が、前記電極上から周囲に所定の張出量で張り出すように前記開口を形成することが好ましい。
【0016】
本発明において、前記リペアマスクを、前記配線間の間隙が全て覆われるように形成することが好ましい。
【0017】
本発明において、前記配線の幅が前記電極の幅よりも小さい場合に配線の断線を防止する上で特に効果的である。
【0018】
第5発明の電気光学装置の製造方法は、基板の表面上に複数のパターン部を含む電極パターンを備え、前記基板に沿って電気光学材料が配置されてなる電気光学装置の製造方法において、前記基板の表面上に形成された前記電極パターンの上に、前記パターン部を覆う被覆部を有するリペアマスクを形成する工程と、該リペアマスクを介して前記基板の表面をエッチングする工程とを有し、前記リペアマスクを、幅の大きい前記パターン部上の前記被覆部における当該パターン部の周囲に張り出した張出量よりも、幅の小さい前記パターン部上の前記被覆部における当該パターン部の周囲に張り出した張出量が大きくなるように構成することを特徴とする。
【0019】
第6発明の電気光学装置の製造方法は、基板の表面上に複数のパターン部を含む電極パターンを備え、前記基板に沿って電気光学材料が配置されてなる電気光学装置の製造方法において、前記基板の表面上に形成された前記電極パターンの上に、前記パターン部を覆う被覆部を有するリペアマスクを形成する工程と、該リペアマスクを介して前記基板の表面をエッチングする工程とを有し、前記リペアマスクを、幅の大きい前記パターン部間の領域に開口を有し、幅の小さい前記パターン部間の領域を覆うように構成することを特徴とする。
【0020】
上記各発明において、前記電気光学装置は液晶装置である場合がある。この場合に、液晶装置は一対の基板間に液晶を配置してなり、該基板の内面上に前記電極パターンが形成されているときがある。
【0021】
また、上記各発明において、エッチングとしては、湿式エッチングに限らず、反応性イオンエッチング等のドライエッチングを用いてもよい。
【0022】
また、電気光学装置としては、上記液晶装置に限らず、エレクトロルミネッセンス装置等のように電極パターンを形成した基板と、電気光学材料とを用いた装置であれば如何なるものであっても構わない。
【0023】
【発明の実施の形態】
次に、添付図面を参照して本発明に係る電極パターンの形成方法及び電気光学装置の製造方法の実施形態について詳細に説明する。
【0024】
最初に、図5を参照して、上記の断線不良について本願発明者らが想定している状況について説明する。
【0025】
上記の断線不良の原因は必ずしも定かではないが、例えば、図5(a)に示すように感光性レジスト17を塗布すると、配線112の側部に感光性レジスト17が付着していない空隙部17aが形成されるので、これに露光及び現像を施すことによって形成されたマスク18の側部にも図5(b)に示すように空隙部18aが残る。このため、エッチング処理時において配線112に対してサイドエッチングが発生し、侵食112aが生じて断線の原因となることが考えられる。
【0026】
このようなことは電極111にも多少は生ずるものと思われるが、電極111は配線112に較べて幅が大きいので、実質上問題にはならないものと考えられる。
【0027】
また、配線112の幅に対する配線112の間の間隙が大きいことにより、スピンコーターやローラ等によって感光性レジスト17を塗布したとき、上記間隙に入り込んだレジストが配線112の脇に入り込み難いのに対して、電極111は、その幅に較べて電極間の間隙が小さいので、スピンコーターやローラ等によって感光性レジスト17を塗布したとき、電極間の間隙にレジストがしっかりと入り込み、上記空隙17aが形成されにくいということも考えられる。
【0028】
なお、上記の図5及びその説明に示す状況はあくまでも仮想的、概念的なものであり、実際の現象をそのまま表しているものではない。
【0029】
[第1実施形態]
次に、図1乃至図3を参照して本発明に係る第1実施形態について説明する。
【0030】
この実施形態において製造される電気光学装置は、図3に示す液晶パネル100を含む液晶装置である。この液晶パネル100は、ガラスやプラスチック等からなる基板110と基板120とを、シール材130を介して貼り合せたものである。基板110には、基板120の外形よりも外側に張り出した基板張出部110Tが設けられている。
【0031】
基板110の内面上には、ITO等の透明導電体からなる複数の帯状の電極111及びこれに導電接続された複数の配線112が一体に形成されてなるストライプ状の電極パターンが形成されている。また、基板120の内面上には、複数の帯状の電極121及びこれに導電接続された複数の配線122が一体に形成されてなるストライプ状の電極パターンが形成されている。配線122は、シール材130自体若しくは別途設けられた上下導通部(いずれも基板厚さ方向にのみ導電性を有する異方性導電体で構成される。)を介して、基板張出部110T上に形成された端子パターン113の各端子に導電接続される。
【0032】
電極111と電極121とはシール材の内側領域内で相互に直交する方向に伸び、電極111と電極121とが平面的に交差する領域が画素となっている。基板110と基板120との間における上記シール材130の内側領域には、図示しない液晶が封入されている。液晶は図示しない配向膜等によって所定方向に配向された状態となっており、上記電極111と電極121とによって所定方向の電界を印加することによって配向方向が変化させられ、上記画素毎に所望の光学状態が実現されるようになっている。
【0033】
本実施形態においては、図6(a)〜(d)及び図7(a)〜(d)に示す従来方法と同様に、基板110及び基板120上に上記電極パターンを形成し、その後、電極111,121間の短絡を防止するために、ショートリペアフォトマスクを用いて感光性レジストの露光を行うことによりリペアマスクを形成し、このリペアマスクを介してエッチングを行うことにより、電極間の絶縁を確保している。これらの工程は上述の従来方法と同じであるので、その説明は省略する。
【0034】
電極111の幅は100〜200μm、電極間の間隙は10〜30μm、配線112の幅は20〜60μm、配線間の間隙は20〜60μmである。配線112は電極111よりも狭い幅を有するように形成され、上記基板張出部110T上に向けてその間隔を次第に狭めながら引き出されている。また、電極パターンの厚さは、例えばITOで形成される場合には約150〜300nm程度である。ただし、電極パターンの厚さは、電極や配線の長さや透明導電体の抵抗率等に応じて生ずる電極抵抗や配線抵抗を駆動特性上の要請に応えるものとするために適宜に設定される。
【0035】
図1は、図3に示す領域I内における本実施形態のリペアマスク118を示す平面透視図であり、図2は、図1のA−A線及びB−B線に示す部分の拡大断面図(a)及び(b)である。本実施形態のリペアマスク118は、図1及び図2に示すように電極111と配線112の上を被覆している。このリペアマスク118は、電極パターンを構成する電極111及び配線112の直上領域を全て覆い、なおかつ、電極111及び配線112の周囲へと張り出すように形成されている。
【0036】
隣接する電極111間の領域(間隙)には、所定幅のスリット状の開口118aが形成されている。この開口118aは隣接する電極111間の間隙の中央に形成され、その結果、両側の電極111からのリペアマスク118の周囲への張出量が相互に等しくなるように構成されている。
【0037】
本実施形態においては、配線112の形成されている領域には開口が一切形成されず、当該領域全体をリペアマスク118が完全に覆っている。したがって、リペアマスク118においては、配線112に対する短絡不良の防止効果は得られないが、配線112間の間隙は電極111間の間隙よりもきわめて大きいので短絡不良の発生率は元々低い。したがって、本実施形態のリペアマスク118を用いることによって、開口18bを有する従来のリペアマスク18を用いたエッチングによって生ずる配線112の断線不良を完全に防止することができ、しかも間隙の小さい電極111間の短絡については確実に防止することができる。
【0038】
[第2実施形態]
次に、本発明に係る第2実施形態について図4を参照して説明する。この実施形態においては、第1実施形態と全く同様の液晶パネル100を構成する基板110,120にそれぞれ形成された電極パターンに関するものであり、同様の方法で液晶パネル100を製造するものであるが、リペアマスク218のみが上記第1実施形態とは異なる。
【0039】
本実施形態のリペアマスク218は、図4に示すように、第1実施形態と同様に電極111及び配線112を完全に覆うとともに、これらの電極111及び配線112の直上部分から周囲に向けて張り出した形状を備えている。リペアマスク218には、電極111間の領域に設けられたスリット状の開口218aと、配線間に設けられたスリット状の開口218bとが設けられている。これらの開口218a,218bは、電極111間の領域及び配線112間の領域の中央位置に形成されており、その結果、リペアマスク218における隣接する両電極111からの周囲への張出量が相互に等しく、隣接する両配線112からの周囲への張出量もまた相互に等しくなるように構成されている。
【0040】
開口218bは配線112の引き出し方向に伸びているが、配線112の全長に亘って設けられているわけではなく、配線112間の間隙LGがある程度小さくなったところで消失するように形成されている。また、開口218bに関しては、リペアマスク218の配線112上からの張出量LTが、電極111からの張出量ETよりも常に大きくなるように形成されている。配線112の間の間隙LGは、その引き出し方向に進むにしたがって配線112の集束により次第に小さくなり、その結果、上記張出量LTが所定値以下にならざるを得ない地点にて開口218bが消失している。当該所定値は電極111上からの張出量ETであってもよく、或いは、張出量ETよりも大きな値であってもよい。
【0041】
本実施形態では、リペアマスク218における配線112上からの張出量LTが電極111上からの張出量ETよりも大きくなっていることによって、配線112の断線不良の発生を抑制することができるとともに、配線112の短絡不良をも確実に防止することができる。
【0042】
ここで、上記のように配線112の引き出し途中で開口218bを消失させることなく、配線112の全長に亘って開口218bが伸びるように形成してもよい。この場合、通常、電極111間の間隙EGは、配線112間の間隙LGの最小値よりも小さいので、配線112の全長に亘って上記張出量LTを張出量ETよりも大きくした状態で、開口218bを配線112の全長に沿って伸ばすことが可能である。
【0043】
尚、本発明の電気光学装置の製造方法は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上記実施形態では液晶パネル100における一方の基板110の内面上に形成された電極パターンについてのみ述べたが、他方の基板120の内面上に形成された電極パターンについて上述の方法と同様のリペアマスクを用いて短絡不良の防止を図ってもよく、或いは、基板110と基板120の双方にて上述の方法を用いてもよい。
【0044】
また、上記実施形態の電極パターンの形成方法を電気光学装置に設けられるもの以外の電極パターンの形成工程に用いても構わない。
【0045】
【発明の効果】
以上、説明したように本発明によれば、ショートリペア工程におけるエッチング時において生ずる配線パターンの断線不良を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る電極パターンの形成方法及び電気光学装置の製造方法の第1実施形態において用いられるリペアマスクの平面形状を図3の領域I内において示す平面透視図である。
【図2】図1のA−A線に沿って切断した状態を示す拡大断面図(a)及び図1のB−B線に沿って切断した状態を示す拡大断面図(b)である。
【図3】各実施形態によって形成される液晶パネルの概略構造を模式的に示す概略斜視図である。
【図4】本発明に係る電極パターンの形成方法及び電気光学装置の製造方法の第2実施形態において用いられるリペアマスクの平面形状を示す平面透視図である。
【図5】従来の電極パターン内に設けられた配線の断線不良の発生過程を説明するための工程図(a)〜(c)である。
【図6】従来の電極パターンの形成方法を示す工程説明図(a)〜(d)である。
【図7】従来の電極パターンの形成方法を示す工程説明図(a)〜(d)である。
【図8】従来のリペアマスクの形状を示す平面透視図である。
【符号の説明】
100 液晶パネル
110,120 基板
111,121 電極
112,122 配線
118,128 リペアマスク
118a,128a,128b 開口
EG 電極間の間隙
ET リペアマスクにおける電極上からの張出量
LG 配線間の間隙
LT リペアマスクにおける配線上からの張出量[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for manufacturing an electro-optical device, and more particularly to a technique for forming an electrode pattern on a surface of a substrate.
[0002]
[Prior art]
In general, a liquid crystal device, which is a type of electro-optical device, includes a liquid crystal panel in which liquid crystal is sealed between a pair of substrates bonded together with a sealant. A predetermined electrode pattern is formed on the inner surfaces of the pair of substrates. This electrode pattern is made of a transparent conductor such as ITO (indium tin oxide). For example, in the case of a passive matrix type liquid crystal panel, a plurality of strip-shaped electrodes arranged in parallel in a stripe shape are formed. Wirings are integrally connected to the end portions of the electrodes, respectively, and the wiring has a pattern shape drawn to the terminal portions formed at the end portions of the substrate.
[0003]
When the electrode pattern is formed, the following is performed. First, as shown in FIG. 6A, a transparent conductor such as ITO is deposited on the surface of a
[0004]
In the electrode pattern formed in this way, for example, when dust is mixed in the
[0005]
Therefore, conventionally, a short repair process for correcting a short circuit failure between electrodes has been performed. In this step, first, the
[0006]
As shown in FIG. 8, the
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the conventional method for manufacturing a liquid crystal device, for example, the gap between the
[0008]
Therefore, the present invention solves the above-described problems, and the problem is that a technique for manufacturing an electro-optical device that can reduce disconnection failure caused by etching in a short repair process for preventing short-circuit failure of an electrode pattern. Is to provide.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, an electrode pattern forming method according to a first aspect of the present invention is an electrode pattern forming method for forming an electrode pattern including a plurality of pattern portions on a plane, and the electrode pattern is formed after the electrode pattern is formed. Forming a repair mask having a covering portion covering the pattern portion thereon, and a step of etching through the repair mask, wherein the repair mask is applied to the covering portion on the wide pattern portion. The amount of overhanging around the pattern portion in the covering portion on the pattern portion having a small width is larger than the amount of overhanging around the pattern portion.
[0010]
According to the present invention, the repair mask is configured such that the amount of protrusion in the covering portion on the pattern portion having a small width is larger than the amount of protrusion in the covering portion on the pattern portion having a large width. Since side etching with respect to a pattern portion having a small width is less likely to occur, disconnection failure of the pattern portion having a small width can be reduced.
[0011]
The electrode pattern forming method of the second invention is an electrode pattern forming method for forming an electrode pattern including a plurality of pattern portions on a plane, and after the electrode pattern is formed, the pattern portion is covered on the electrode pattern. A step of forming a repair mask having a covering portion, and a step of etching through the repair mask, the repair mask having an opening in a region between the wide pattern portions, and a pattern portion having a small width. It is characterized in that it is configured to cover the area between them.
[0012]
According to the present invention, the repair mask has an opening in the region between the large pattern portions and covers the region between the small pattern portions, thereby reducing the width of the pattern portion during etching. Since side etching does not occur, it is possible to reduce the disconnection failure of the narrow pattern portion.
[0013]
According to a third aspect of the invention, there is provided an electro-optical device manufacturing method comprising an electrode pattern including a plurality of electrodes and a plurality of wirings on a surface of a substrate, wherein an electro-optical material is disposed along the substrate. A step of forming a repair mask having an electrode covering portion covering the electrode and a wiring covering portion covering the wiring on the electrode pattern formed on the surface of the substrate; Etching the surface of the substrate, and the amount of protrusion of the repair mask that protrudes around the wiring in the wiring covering portion is larger than the amount of protrusion that protrudes around the electrode in the electrode covering portion. It is characterized by comprising so that becomes larger.
[0014]
According to a fourth aspect of the invention, there is provided an electro-optical device manufacturing method including an electrode pattern including a plurality of electrodes and a plurality of wirings on a surface of a substrate, and an electro-optical material disposed along the substrate. And a step of forming a repair mask on the electrode pattern formed on the surface of the substrate, and a step of etching the surface of the substrate through the repair mask. It is characterized by having an opening in the region between the electrodes and covering the region between the wirings.
[0015]
In the present invention, it is preferable that the opening is formed so that a covering portion of the repair mask that covers the electrode protrudes from the electrode to the periphery with a predetermined protruding amount.
[0016]
In the present invention, the repair mask is preferably formed so as to cover all the gaps between the wirings.
[0017]
In the present invention, when the width of the wiring is smaller than the width of the electrode, it is particularly effective for preventing disconnection of the wiring.
[0018]
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing an electro-optical device, comprising: an electrode pattern including a plurality of pattern portions on a surface of a substrate; and an electro-optical material disposed along the substrate. Forming a repair mask having a covering portion covering the pattern portion on the electrode pattern formed on the surface of the substrate; and etching the surface of the substrate through the repair mask. The repair mask is placed around the pattern portion in the covering portion on the pattern portion having a smaller width than the amount of the protrusion over the pattern portion in the covering portion on the pattern portion having a large width. It is characterized by comprising so that the overhang | projection amount may become large.
[0019]
A method for manufacturing an electro-optical device according to a sixth aspect of the present invention is the method for manufacturing an electro-optical device, comprising an electrode pattern including a plurality of pattern portions on a surface of a substrate, wherein an electro-optical material is disposed along the substrate. Forming a repair mask having a covering portion covering the pattern portion on the electrode pattern formed on the surface of the substrate; and etching the surface of the substrate through the repair mask. The repair mask is configured to have an opening in a region between the pattern portions having a large width so as to cover a region between the pattern portions having a small width.
[0020]
In each of the above inventions, the electro-optical device may be a liquid crystal device. In this case, the liquid crystal device includes a liquid crystal disposed between a pair of substrates, and the electrode pattern may be formed on the inner surface of the substrate.
[0021]
In each of the above inventions, the etching is not limited to wet etching, and dry etching such as reactive ion etching may be used.
[0022]
Further, the electro-optical device is not limited to the liquid crystal device described above, and any device using an electro-optical material and a substrate on which an electrode pattern is formed, such as an electroluminescence device, may be used.
[0023]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Next, embodiments of an electrode pattern forming method and an electro-optical device manufacturing method according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
[0024]
First, with reference to FIG. 5, a situation assumed by the inventors of the present invention for the above-described disconnection failure will be described.
[0025]
Although the cause of the above disconnection failure is not necessarily clear, for example, when a photosensitive resist 17 is applied as shown in FIG. 5A, a void portion 17a where the photosensitive resist 17 is not attached to the side of the
[0026]
Such a phenomenon seems to occur somewhat in the
[0027]
Further, since the gap between the
[0028]
It should be noted that the situation shown in FIG. 5 and the description thereof is only virtual and conceptual, and does not represent an actual phenomenon as it is.
[0029]
[First Embodiment]
Next, a first embodiment according to the present invention will be described with reference to FIGS.
[0030]
The electro-optical device manufactured in this embodiment is a liquid crystal device including the
[0031]
On the inner surface of the
[0032]
The
[0033]
In this embodiment, the electrode pattern is formed on the
[0034]
The width of the
[0035]
FIG. 1 is a plan perspective view showing the
[0036]
In a region (gap) between the
[0037]
In this embodiment, no opening is formed in the region where the
[0038]
[Second Embodiment]
Next, a second embodiment according to the present invention will be described with reference to FIG. This embodiment relates to electrode patterns respectively formed on the
[0039]
As shown in FIG. 4, the
[0040]
The
[0041]
In the present embodiment, since the overhang amount LT from the
[0042]
Here, as described above, the
[0043]
Note that the method of manufacturing the electro-optical device of the present invention is not limited to the illustrated example described above, and various modifications can be made without departing from the scope of the present invention. For example, in the above-described embodiment, only the electrode pattern formed on the inner surface of one
[0044]
Further, the electrode pattern forming method of the above embodiment may be used in an electrode pattern forming step other than that provided in the electro-optical device.
[0045]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, it is possible to reduce the disconnection failure of the wiring pattern that occurs during etching in the short repair process.
[Brief description of the drawings]
1 is a plan perspective view showing a planar shape of a repair mask used in a first embodiment of an electrode pattern forming method and an electro-optical device manufacturing method according to the present invention in a region I in FIG. 3;
2 is an enlarged sectional view (a) showing a state cut along the line AA in FIG. 1 and an enlarged sectional view (b) showing a state cut along the line BB in FIG. 1;
FIG. 3 is a schematic perspective view schematically showing a schematic structure of a liquid crystal panel formed by each embodiment.
FIG. 4 is a plan perspective view showing a planar shape of a repair mask used in a second embodiment of an electrode pattern forming method and an electro-optical device manufacturing method according to the present invention.
FIGS. 5A to 5C are process diagrams (a) to (c) for explaining a process of occurrence of a disconnection failure of a wiring provided in a conventional electrode pattern.
6A to 6D are process explanatory views (a) to (d) showing a conventional method of forming an electrode pattern.
7A to 7D are process explanatory views (a) to (d) showing a conventional method of forming an electrode pattern.
FIG. 8 is a plan perspective view showing the shape of a conventional repair mask.
[Explanation of symbols]
100
Claims (10)
前記電極パターンを形成した後に、前記電極パターン上に前記パターン部を覆う被覆部を有するリペアマスクを形成する工程と、該リペアマスクを介してエッチングする工程とを有し、
前記リペアマスクを、幅の大きなパターン部上の前記被覆部における当該パターン部の周囲に張り出す張出量よりも、幅の小さなパターン部上の前記被覆部における当該パターン部の周囲に張り出す張出量が大きくなるように構成することを特徴とする電極パターンの形成方法。In the electrode pattern forming method of forming an electrode pattern including a plurality of pattern portions on a plane,
After forming the electrode pattern, forming a repair mask having a covering portion covering the pattern portion on the electrode pattern, and etching through the repair mask,
A tension projecting around the pattern portion in the covering portion on the pattern portion having a smaller width than the amount of the projecting projection of the repair mask around the pattern portion in the covering portion on the pattern portion having a large width. A method of forming an electrode pattern, characterized in that the output amount is increased.
前記電極パターンを形成した後に、前記電極パターン上に前記パターン部を覆う被覆部を有するリペアマスクを形成する工程と、該リペアマスクを介してエッチングする工程とを有し、
前記リペアマスクを、幅の大きなパターン部間の領域に開口を有するとともに、幅の小さなパターン部間の領域を覆うように構成することを特徴とする電極パターンの形成方法。In the electrode pattern forming method of forming an electrode pattern including a plurality of pattern portions on a plane,
After forming the electrode pattern, forming a repair mask having a covering portion covering the pattern portion on the electrode pattern, and etching through the repair mask,
An electrode pattern forming method, wherein the repair mask is configured to have an opening in a region between wide pattern portions and cover a region between small pattern portions.
前記基板の表面上に形成された前記電極パターンの上に、前記電極を覆う電極被覆部及び前記配線を覆う配線被覆部を有するリペアマスクを形成する工程と、該リペアマスクを介して前記基板の表面をエッチングする工程とを有し、
前記リペアマスクを、前記電極被覆部における前記電極の周囲に張り出した張出量よりも、前記配線被覆部における前記配線の周囲に張り出した張出量の方が大きくなるように構成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。In an electro-optical device manufacturing method comprising an electrode pattern including a plurality of electrodes and a plurality of wirings on a surface of a substrate, wherein an electro-optical material is disposed along the substrate.
Forming a repair mask having an electrode covering portion covering the electrode and a wiring covering portion covering the wiring on the electrode pattern formed on the surface of the substrate; and through the repair mask, Etching the surface, and
The repair mask is configured such that the amount of protrusion that protrudes around the wiring in the wiring covering portion is larger than the amount of protrusion that protrudes around the electrode in the electrode covering portion. A method for manufacturing an electro-optical device.
前記基板の表面上に形成された前記電極パターンの上にリペアマスクを形成する工程と、該リペアマスクを介して前記基板の表面をエッチングする工程とを有し、
前記リペアマスクを、前記電極間の領域に開口を有するとともに、前記配線間の領域を覆うように構成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。In an electro-optical device manufacturing method comprising an electrode pattern including a plurality of electrodes and a plurality of wirings on a surface of a substrate, wherein an electro-optical material is disposed along the substrate.
Forming a repair mask on the electrode pattern formed on the surface of the substrate; and etching the surface of the substrate through the repair mask;
The repair mask is configured to have an opening in a region between the electrodes and cover a region between the wirings.
前記基板の表面上に形成された前記電極パターンの上に、前記パターン部を覆う被覆部を有するリペアマスクを形成する工程と、該リペアマスクを介して前記基板の表面をエッチングする工程とを有し、
前記リペアマスクを、幅の大きい前記パターン部上の前記被覆部における当該パターン部の周囲に張り出した張出量よりも、幅の小さい前記パターン部上の前記被覆部における当該パターン部の周囲に張り出した張出量が大きくなるように構成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。In an electro-optical device manufacturing method comprising an electrode pattern including a plurality of pattern portions on a surface of a substrate, and an electro-optical material is disposed along the substrate,
Forming a repair mask having a covering portion covering the pattern portion on the electrode pattern formed on the surface of the substrate; and etching the surface of the substrate through the repair mask. And
The repair mask protrudes around the pattern portion in the covering portion on the pattern portion having a smaller width than the amount of protrusion extending around the pattern portion in the covering portion on the pattern portion having a large width. A method for manufacturing an electro-optical device, wherein the amount of overhang is large.
前記基板の表面上に形成された前記電極パターンの上に、前記パターン部を覆う被覆部を有するリペアマスクを形成する工程と、該リペアマスクを介して前記基板の表面をエッチングする工程とを有し、
前記リペアマスクを、幅の大きい前記パターン部間の領域に開口を有し、幅の小さい前記パターン部間の領域を覆うように構成することを特徴とする電気光学装置の製造方法In an electro-optical device manufacturing method comprising an electrode pattern including a plurality of pattern portions on a surface of a substrate, and an electro-optical material is disposed along the substrate,
Forming a repair mask having a covering portion covering the pattern portion on the electrode pattern formed on the surface of the substrate; and etching the surface of the substrate through the repair mask. And
The repair mask is configured to have an opening in a region between the pattern portions having a large width so as to cover a region between the pattern portions having a small width.
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