JP3773465B2 - 気孔径分布測定方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被測定物より小角Ｘ線散乱法に基づき得られた散乱Ｘ線スペクトラムから、２００ｎｍ以下の気孔群の気孔径分布を解析する手法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
被測定物より小角Ｘ線散乱法に基づき得られた散乱Ｘ線スペクトラムから、Ｆａｎｋｃｈｅｎ法に基づいて被測定物に含有される気孔群を構成する代表的な気孔径と気孔含有率を求める方法が知られている。
【０００３】
以下に、散乱Ｘ線スペクトラムから上記Ｆａｎｋｃｈｅｎ法に基づいて被測定物に含有される気孔群を構成する代表的な気孔径と気孔含有率を算出する原理を述べる。
【０００４】
被測定物に小角Ｘ線散乱法に基づきＸ線を照射して得られる散乱Ｘ線スペクトルは、被測定物中に含有される気孔群を構成する個々の気孔の大きさに依存する。気孔群には大きさの異なる気孔が混在しているため、被測定物から得られる散乱Ｘ線スペクトルは異なる気孔径を有する気孔から得られる散乱Ｘ線スペクトルの重ね合わせとなる。Ｆａｎｋｃｈｅｎ法では小角Ｘ線散乱法に基づき得られた散乱Ｘ線スペクトルを、以下のように解析する。
【０００５】
小角Ｘ線散乱法に基づいて得られた散乱Ｘ線スペクトラムにおいて、測定角度２θを散乱ベクトルｋの二乗、
ｋ2＝（４πｓｉｎθ／λ）2
と変換し、
散乱Ｘ線強度Ｙを、
Log10（Ｙ）
と変換した、標準スペクトラムを求める。
ここで、λは被測定物に照射したＸ線の波長である。
【０００６】
上記のように変換された標準スペクトラムにおいて、ｋ2値の大きい領域における標準スペクトラムの減衰率と等しい傾きを持つ直線Ｌi、
Log10（Ｙi）＝−αDiｋ2 i＋Log10（βi）
を、定義する。
【０００７】
上記標準スペクトラムから直線Ｌiを引き算して、差分スペクトラムを求める。上記差分スペクトラムにおいて、直線Ｌiの傾きを決定したｋ2領域より小さいｋ2領域にて、上記手順と同様に直線Ｌi+1を定義し、差分スペクトラムからさらに引き算を行ない、更なる差分スペクトラムを求める。
【０００８】
上記手順を直線Ｌi+1の傾き（−αDi+1）の値が、直線Ｌiの傾き（−αDi）の値より大きくなるまで繰り返す。
【０００９】
このようにして得られた直線群Ｌiの傾き（−αDi）から、被測定物に含有される気孔の形状が球であると仮定したときの気孔径Ｄi（単位、オングストローム、１０-10m）は、
Ｄi＝（√（（５αDi）／（Log10ｅ）））×２
として得られ、
さらに、気孔径Ｄiに対する気孔含有率Ｆi（単位、質量％）は、
Ｆi＝（βi／（0.61.5×（0.5Ｄi）3）／Σ（（βi／（0.61.5×（0.5Ｄi）3））×１００
として得ることができる。
【００１０】
以上の手順にて、被測定物質から得られた散乱Ｘ線スペクトラムより、Ｆａｎｋｃｈｅｎ法に基づいて被測定物に含有される気孔群を構成する代表的な気孔径及びそれらの気孔含有率を算出することができる。
【００１１】
しかし、上記Ｆａｎｋｃｈｅｎ法では、被測定物から得られた散乱Ｘ線スペクトラムの任意のｋ2領域における減衰率と一致する傾き（−αDi）を有する直線群を定義することから、気孔径分布解析に不可欠である所定の気孔径に対する気孔含有率を解析できない。つまり、Ｆａｎｋｃｈｅｎ法では気孔径分布解析が不可能である問題がある。
【００１２】
さらにＦａｎｋｃｈｅｎ法では直線群Ｌiを引くｋ2領域を明確に定義していないことから、解析者がこのｋ2領域を任意に決定できるため、同一スペクトラムの解析においてでさえ、解析者間で傾き（−αDi）の解析値が異なる問題がある。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明では、Ｆａｎｋｃｈｅｎ法では不可能であった、所定の気孔径Ｄ iに対する気孔含有率Ｆiを得る手法、特に２００ｎｍ以下の領域での気孔径分布測定法を提供する。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、所定の気孔径Ｄi（i＝１〜ｎ）に対応する傾き（−αDi）を有する直線群Ｌiの一次結合（ΣＬi）で得られる合成スペクトラムを、直線群Ｌiのｙ切片（Log10βi）を最小二乗法を用いて最適化して、前述の小角Ｘ線散乱法に基づき得られた散乱Ｘ線スペクトラムを変換して得られる標準スペクトラムに近似させる手法である。これにより、所定の気孔径Ｄiに対する気孔含有率Ｆiを得ることができるため、被測定物中に含有される気孔群に対する気孔含有率、すなわち気孔径分布を解析することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明でいう被測定物は、連続体中に分散された気孔群であり、前記気孔群の分散状態に拠らない。本発明において気孔群とは連続体中に存在する空隙の集合体を示し、ここでいう連続体とは気体、液体または固体のいずれでもよい。
【００１６】
連続体中に存在する気孔群は、材質の異なる複数の連続体中に分散されていてもよいが、好ましくは１種類連続体中に分散された気孔群である。単一の連続体に気孔群が分散されたとき最も正確な気孔径分布を得ることができるからである。
【００１７】
本発明における気孔径分布解析法は、次に示す通りである。
被測定物から小角Ｘ線散乱法に基づき得られた散乱Ｘ線スペクトラムを、横軸を散乱ベクトルｋの二乗、
k2=（４πsinθ／λ）2
として変換し、さらに縦軸を散乱強度Ｙの常用対数
Log10（Ｙ）
として変換した、標準スペクトラムｆ（ｋ2）を求める。
ここでθは散乱Ｘ線強度を測定した角度２θの２分の１、λは被測定物に照射したＸ線の波長である。
【００１８】
本発明においては、被測定物に照射するＸ線は単色化されていればどんな波長を用いてもよいが、好ましくはＣｕＫα特性Ｘ線の波長である1.54056×10-10ｍ（1.54056Å)より長い波長を使用することが望ましい。これより波長の短い特性Ｘ線を用いた場合には、解析できる気孔径の大きさの上限が小さくなり、気孔径分布の測定可能領域が狭くなる問題が生じるからである。
【００１９】
さらに、気孔の形状が球であると仮定したときの、所定の気孔径Ｄi（単位、オングストローム、１０-10ｍ）に対応する直線群Ｌi
Log10（Ｙi）＝−αDiｋ2＋Log10（βi）、 （ｉ＝１からｎ）
ここで、
αDi＝（Log10ｅ×Ｄi 2）／２０
の一次結合で表される合成スペクトルｇ（ｋ2）、
ｇ（ｋ2）＝Σ（Ｌi）
を算出するが、このときに本発明では、前述の標準スペクトルｆ（ｋ2）と合成スペクトルｇ（ｋ2）が一致するように、直線群Ｌiのｙ切片であるLog10（βi）の組み合わせを算出することが本質的である。
【００２０】
次に、ｆ（ｋ2）とｇ（ｋ2）が一致したときの、所定の気孔径Ｄiを有する直線群Ｌiのβiから、個々の気孔径Ｄiに対する気孔含有率Ｆi（単位、質量％）を
Ｆi＝（βi／（0.61.5×（0.5Ｄi）3）／Σ（（βi／（0.61.5×（0.5Ｄi）3））×１００
として算出する。
【００２１】
得られた気孔含有率Ｆiは通常
ΣＦi＝１００
となるように、規格化を行うことで、所定の気孔径Ｄiに対する気孔含有率Ｆiを得ることができる。
【００２２】
また、本発明の気孔径分布測定法において、直線の傾き（−αDi）の関数である所定の気孔径Ｄiが、Ｄ1からＤi+1（ｉ＝１〜ｎ）まで等間隔にｎ分割されて規格化されていることが望ましい。このようにＤiを予め規格化することにより、気孔径分布測定結果が一般性を有するものとなり、被測定物間の気孔径分布の比較、測定者間での気孔径分布の比較等を容易にすることが可能となる。気孔径Ｄiを等間隔にｎ分割して規格化する手法は、等差数列のような線形的手法でも、等比数列のような非線形的手法でもよい。
【００２３】
また、本発明において、前記標準スペクトルｆ（ｋ2）と合成スペクトルｇ（ｋ2）を一致させるために直線群Ｌiのｙ切片Log10（βi）を決定する手法に関しては、最小二乗法を用いてｆ（ｋ2）とｇ（ｋ2）の統計的残差Ｒ
Ｒ＝Σ｜ｆ（ｋ2）−ｇ（ｋ2）｜／Σ｜ｆ（ｋ2）｜
が最小となるようなLog10（βi）の組み合わせを求めることが望ましい。最小二乗法としては一般的なＧａｕｓｓ−Ｎｅｕｔｏｎ法や修正Ｍａｒｑｕｒｄ法や共役方向法のみならず、それらと同等以上の性能を有するアルゴリズムを用いてもよい。また、残差Ｒは一般な統計解析で広く用いられるＲ2値などを用いてもよい。
【００２４】
本発明で測定できる最大の気孔径は、測定装置の小角分解能（測定可能な最小の２θ値）により決定される。本発明者の実験的検討結果に基づけば、汎用測定装置の小角分解能で測定できる２００ｎｍ以下であることが好ましく、１００ｎｍ以下が特に好ましい。
【００２５】
以上のようにして被測定物から得られた気孔径分布は、規格化された気孔径Ｄiに対する気孔含有率Ｆiが得られることから、被測定物間の気孔径分布を相対的に比較することが可能である。
【００２６】
本発明の気孔径分布測定方法は、Ｘ線を発生し被測定物に照射するＸ線照射手段と、被測定物より発生する散乱Ｘ線スペクトルを測定するためのＸ線検出手段とからなる小角Ｘ線散乱装置から得られた散乱Ｘ線スペクトルのすべてに適用できる。
【００２７】
図１は、本発明の測定方法を行うための装置の構成を示した図である。前記の小角Ｘ線散乱装置を用いて、被測定物から散乱Ｘ線スペクトルを取得し、気孔径分布を解析するための装置構成を示す模式図である。
【００２８】
Ｘ線照射源１よりＸ線が照射され、スリット２により絞られたＸ線が、試料ホルダー３に取り付けられた被測定試料により散乱される。スリット２はＸ線照射源１からの直接光を除去するため、３スリット型もしくはクラツキ型もしくは分光結晶型のいずれかを用いればよい。
【００２９】
また、試料ホルダー３は被測定試料をそのまま取り付ける形態のものだけでなく、被測定試料を流体中に分散させ、環流させる機能を有するものでもよい。被測定試料により散乱された散乱Ｘ線は真空パス４を通り、検出器５にて検出される。検出器５はシンチレーションカウンターもしくはＰＳＰＣ（位置敏感型比例計数管）もしくはＩＰ（イメージングプレート）もしくはＣＣＤを用いればよい。
【００３０】
検出器５にて取得した散乱Ｘ線強度データは、データ記憶部６に記憶される。散乱Ｘ線強度の測定は、入力端末７にて指定された測定条件または条件記憶部８に記憶済みの測定条件を参照し、装置制御部９にて実行される。
【００３１】
データ記憶部６に記憶された散乱Ｘ線強度データと、条件記憶部８に格納されている本発明に基づく気孔径分布解析に必要な所定の気孔径に対する直線群Ｌｉから、気孔径分布演算部１０にて気孔径分布を解析し、結果を表示部１１に表示する。
【００３２】
【実施例】
以下に、実施例、比較例をあげて更に具体的に本発明を説明する。
【００３３】
（実施例、比較例）
試料として三菱化学（株）製「マフテック」；平均気孔径１６ｎｍ（ＴＥＭ透過型電子顕微鏡による画像解析値）を用意した。
この材料はアルミナ・シリカの鉱物組成から成る主にムライトであり、この材料中には直径数１０ｎｍの気孔が含まれていることが知られている。
【００３４】
上記の試料について小角Ｘ線散乱法に基づく散乱Ｘ線スペクトルの測定を行った。小角Ｘ線散乱法に基づく散乱Ｘ線の測定は小角Ｘ線散乱装置ユニットＣＮ２２３０Ｆ型（理学電機製）を使用した。測定条件はＣｕＫα特性Ｘ線を使用し、管電圧４０ｋＶ、管電流３０ｍＡの条件にて実施した。
【００３５】
前記試料は試料ホルダに挟みこみ被測定試料とした。
【００３６】
本発明により得られた結果（実施例）を図２に示した。実施例においては、気孔径Ｄiに対応する直線群Ｌiは７．５ｎｍから４７．５ｎｍまで５ｎｍ間隔にて９分割する直線群を用いて解析した。なお、比較の例として、従来技術であるＦａｎｋｃｈｅｎ法により結果を求めたところ、９．１ｎｍの気孔が２５．３質量％、１４．２ｎｍの気孔が７４．７質量％含有されていた。
【００３７】
実施例では、規格化された気孔径に対する気孔含有率、すなわち気孔径分布が得られる。それに対して、従来技術であるＦａｎｋｃｈｅｎ法では、比較例に示した通り、代表的な気孔径に対する気孔含有率しか得られないことから、本発明による気孔径分布測定方法が気孔径分布測定法として優れるものであることが、明らかである。
【００３８】
【発明の効果】
本発明によれば、小角Ｘ線散乱法に基づき得られた散乱Ｘ線スペクトラムから、被測定物中に含有される２００ｎｍ以下の気孔群の、規格化された気孔径に対する気孔含有率、つまり気孔径分布を容易に求めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る気孔径分布測定装置の構成図。
【図２】本発明の実施例に係る測定結果を示す図。
【符号の説明】
１ Ｘ線照射源
２ スリット
３ 試料ホルダー
４ 真空パス
５ 検出器
６ データ記憶部
７ 入力端末
８ 条件記憶部
９ 装置制御部
１０ 気孔径分布演算部
１１ 表示部
【発明の属する技術分野】
本発明は、被測定物より小角Ｘ線散乱法に基づき得られた散乱Ｘ線スペクトラムから、２００ｎｍ以下の気孔群の気孔径分布を解析する手法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
被測定物より小角Ｘ線散乱法に基づき得られた散乱Ｘ線スペクトラムから、Ｆａｎｋｃｈｅｎ法に基づいて被測定物に含有される気孔群を構成する代表的な気孔径と気孔含有率を求める方法が知られている。
【０００３】
以下に、散乱Ｘ線スペクトラムから上記Ｆａｎｋｃｈｅｎ法に基づいて被測定物に含有される気孔群を構成する代表的な気孔径と気孔含有率を算出する原理を述べる。
【０００４】
被測定物に小角Ｘ線散乱法に基づきＸ線を照射して得られる散乱Ｘ線スペクトルは、被測定物中に含有される気孔群を構成する個々の気孔の大きさに依存する。気孔群には大きさの異なる気孔が混在しているため、被測定物から得られる散乱Ｘ線スペクトルは異なる気孔径を有する気孔から得られる散乱Ｘ線スペクトルの重ね合わせとなる。Ｆａｎｋｃｈｅｎ法では小角Ｘ線散乱法に基づき得られた散乱Ｘ線スペクトルを、以下のように解析する。
【０００５】
小角Ｘ線散乱法に基づいて得られた散乱Ｘ線スペクトラムにおいて、測定角度２θを散乱ベクトルｋの二乗、
ｋ2＝（４πｓｉｎθ／λ）2
と変換し、
散乱Ｘ線強度Ｙを、
Log10（Ｙ）
と変換した、標準スペクトラムを求める。
ここで、λは被測定物に照射したＸ線の波長である。
【０００６】
上記のように変換された標準スペクトラムにおいて、ｋ2値の大きい領域における標準スペクトラムの減衰率と等しい傾きを持つ直線Ｌi、
Log10（Ｙi）＝−αDiｋ2 i＋Log10（βi）
を、定義する。
【０００７】
上記標準スペクトラムから直線Ｌiを引き算して、差分スペクトラムを求める。上記差分スペクトラムにおいて、直線Ｌiの傾きを決定したｋ2領域より小さいｋ2領域にて、上記手順と同様に直線Ｌi+1を定義し、差分スペクトラムからさらに引き算を行ない、更なる差分スペクトラムを求める。
【０００８】
上記手順を直線Ｌi+1の傾き（−αDi+1）の値が、直線Ｌiの傾き（−αDi）の値より大きくなるまで繰り返す。
【０００９】
このようにして得られた直線群Ｌiの傾き（−αDi）から、被測定物に含有される気孔の形状が球であると仮定したときの気孔径Ｄi（単位、オングストローム、１０-10m）は、
Ｄi＝（√（（５αDi）／（Log10ｅ）））×２
として得られ、
さらに、気孔径Ｄiに対する気孔含有率Ｆi（単位、質量％）は、
Ｆi＝（βi／（0.61.5×（0.5Ｄi）3）／Σ（（βi／（0.61.5×（0.5Ｄi）3））×１００
として得ることができる。
【００１０】
以上の手順にて、被測定物質から得られた散乱Ｘ線スペクトラムより、Ｆａｎｋｃｈｅｎ法に基づいて被測定物に含有される気孔群を構成する代表的な気孔径及びそれらの気孔含有率を算出することができる。
【００１１】
しかし、上記Ｆａｎｋｃｈｅｎ法では、被測定物から得られた散乱Ｘ線スペクトラムの任意のｋ2領域における減衰率と一致する傾き（−αDi）を有する直線群を定義することから、気孔径分布解析に不可欠である所定の気孔径に対する気孔含有率を解析できない。つまり、Ｆａｎｋｃｈｅｎ法では気孔径分布解析が不可能である問題がある。
【００１２】
さらにＦａｎｋｃｈｅｎ法では直線群Ｌiを引くｋ2領域を明確に定義していないことから、解析者がこのｋ2領域を任意に決定できるため、同一スペクトラムの解析においてでさえ、解析者間で傾き（−αDi）の解析値が異なる問題がある。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明では、Ｆａｎｋｃｈｅｎ法では不可能であった、所定の気孔径Ｄ iに対する気孔含有率Ｆiを得る手法、特に２００ｎｍ以下の領域での気孔径分布測定法を提供する。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、所定の気孔径Ｄi（i＝１〜ｎ）に対応する傾き（−αDi）を有する直線群Ｌiの一次結合（ΣＬi）で得られる合成スペクトラムを、直線群Ｌiのｙ切片（Log10βi）を最小二乗法を用いて最適化して、前述の小角Ｘ線散乱法に基づき得られた散乱Ｘ線スペクトラムを変換して得られる標準スペクトラムに近似させる手法である。これにより、所定の気孔径Ｄiに対する気孔含有率Ｆiを得ることができるため、被測定物中に含有される気孔群に対する気孔含有率、すなわち気孔径分布を解析することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明でいう被測定物は、連続体中に分散された気孔群であり、前記気孔群の分散状態に拠らない。本発明において気孔群とは連続体中に存在する空隙の集合体を示し、ここでいう連続体とは気体、液体または固体のいずれでもよい。
【００１６】
連続体中に存在する気孔群は、材質の異なる複数の連続体中に分散されていてもよいが、好ましくは１種類連続体中に分散された気孔群である。単一の連続体に気孔群が分散されたとき最も正確な気孔径分布を得ることができるからである。
【００１７】
本発明における気孔径分布解析法は、次に示す通りである。
被測定物から小角Ｘ線散乱法に基づき得られた散乱Ｘ線スペクトラムを、横軸を散乱ベクトルｋの二乗、
k2=（４πsinθ／λ）2
として変換し、さらに縦軸を散乱強度Ｙの常用対数
Log10（Ｙ）
として変換した、標準スペクトラムｆ（ｋ2）を求める。
ここでθは散乱Ｘ線強度を測定した角度２θの２分の１、λは被測定物に照射したＸ線の波長である。
【００１８】
本発明においては、被測定物に照射するＸ線は単色化されていればどんな波長を用いてもよいが、好ましくはＣｕＫα特性Ｘ線の波長である1.54056×10-10ｍ（1.54056Å)より長い波長を使用することが望ましい。これより波長の短い特性Ｘ線を用いた場合には、解析できる気孔径の大きさの上限が小さくなり、気孔径分布の測定可能領域が狭くなる問題が生じるからである。
【００１９】
さらに、気孔の形状が球であると仮定したときの、所定の気孔径Ｄi（単位、オングストローム、１０-10ｍ）に対応する直線群Ｌi
Log10（Ｙi）＝−αDiｋ2＋Log10（βi）、 （ｉ＝１からｎ）
ここで、
αDi＝（Log10ｅ×Ｄi 2）／２０
の一次結合で表される合成スペクトルｇ（ｋ2）、
ｇ（ｋ2）＝Σ（Ｌi）
を算出するが、このときに本発明では、前述の標準スペクトルｆ（ｋ2）と合成スペクトルｇ（ｋ2）が一致するように、直線群Ｌiのｙ切片であるLog10（βi）の組み合わせを算出することが本質的である。
【００２０】
次に、ｆ（ｋ2）とｇ（ｋ2）が一致したときの、所定の気孔径Ｄiを有する直線群Ｌiのβiから、個々の気孔径Ｄiに対する気孔含有率Ｆi（単位、質量％）を
Ｆi＝（βi／（0.61.5×（0.5Ｄi）3）／Σ（（βi／（0.61.5×（0.5Ｄi）3））×１００
として算出する。
【００２１】
得られた気孔含有率Ｆiは通常
ΣＦi＝１００
となるように、規格化を行うことで、所定の気孔径Ｄiに対する気孔含有率Ｆiを得ることができる。
【００２２】
また、本発明の気孔径分布測定法において、直線の傾き（−αDi）の関数である所定の気孔径Ｄiが、Ｄ1からＤi+1（ｉ＝１〜ｎ）まで等間隔にｎ分割されて規格化されていることが望ましい。このようにＤiを予め規格化することにより、気孔径分布測定結果が一般性を有するものとなり、被測定物間の気孔径分布の比較、測定者間での気孔径分布の比較等を容易にすることが可能となる。気孔径Ｄiを等間隔にｎ分割して規格化する手法は、等差数列のような線形的手法でも、等比数列のような非線形的手法でもよい。
【００２３】
また、本発明において、前記標準スペクトルｆ（ｋ2）と合成スペクトルｇ（ｋ2）を一致させるために直線群Ｌiのｙ切片Log10（βi）を決定する手法に関しては、最小二乗法を用いてｆ（ｋ2）とｇ（ｋ2）の統計的残差Ｒ
Ｒ＝Σ｜ｆ（ｋ2）−ｇ（ｋ2）｜／Σ｜ｆ（ｋ2）｜
が最小となるようなLog10（βi）の組み合わせを求めることが望ましい。最小二乗法としては一般的なＧａｕｓｓ−Ｎｅｕｔｏｎ法や修正Ｍａｒｑｕｒｄ法や共役方向法のみならず、それらと同等以上の性能を有するアルゴリズムを用いてもよい。また、残差Ｒは一般な統計解析で広く用いられるＲ2値などを用いてもよい。
【００２４】
本発明で測定できる最大の気孔径は、測定装置の小角分解能（測定可能な最小の２θ値）により決定される。本発明者の実験的検討結果に基づけば、汎用測定装置の小角分解能で測定できる２００ｎｍ以下であることが好ましく、１００ｎｍ以下が特に好ましい。
【００２５】
以上のようにして被測定物から得られた気孔径分布は、規格化された気孔径Ｄiに対する気孔含有率Ｆiが得られることから、被測定物間の気孔径分布を相対的に比較することが可能である。
【００２６】
本発明の気孔径分布測定方法は、Ｘ線を発生し被測定物に照射するＸ線照射手段と、被測定物より発生する散乱Ｘ線スペクトルを測定するためのＸ線検出手段とからなる小角Ｘ線散乱装置から得られた散乱Ｘ線スペクトルのすべてに適用できる。
【００２７】
図１は、本発明の測定方法を行うための装置の構成を示した図である。前記の小角Ｘ線散乱装置を用いて、被測定物から散乱Ｘ線スペクトルを取得し、気孔径分布を解析するための装置構成を示す模式図である。
【００２８】
Ｘ線照射源１よりＸ線が照射され、スリット２により絞られたＸ線が、試料ホルダー３に取り付けられた被測定試料により散乱される。スリット２はＸ線照射源１からの直接光を除去するため、３スリット型もしくはクラツキ型もしくは分光結晶型のいずれかを用いればよい。
【００２９】
また、試料ホルダー３は被測定試料をそのまま取り付ける形態のものだけでなく、被測定試料を流体中に分散させ、環流させる機能を有するものでもよい。被測定試料により散乱された散乱Ｘ線は真空パス４を通り、検出器５にて検出される。検出器５はシンチレーションカウンターもしくはＰＳＰＣ（位置敏感型比例計数管）もしくはＩＰ（イメージングプレート）もしくはＣＣＤを用いればよい。
【００３０】
検出器５にて取得した散乱Ｘ線強度データは、データ記憶部６に記憶される。散乱Ｘ線強度の測定は、入力端末７にて指定された測定条件または条件記憶部８に記憶済みの測定条件を参照し、装置制御部９にて実行される。
【００３１】
データ記憶部６に記憶された散乱Ｘ線強度データと、条件記憶部８に格納されている本発明に基づく気孔径分布解析に必要な所定の気孔径に対する直線群Ｌｉから、気孔径分布演算部１０にて気孔径分布を解析し、結果を表示部１１に表示する。
【００３２】
【実施例】
以下に、実施例、比較例をあげて更に具体的に本発明を説明する。
【００３３】
（実施例、比較例）
試料として三菱化学（株）製「マフテック」；平均気孔径１６ｎｍ（ＴＥＭ透過型電子顕微鏡による画像解析値）を用意した。
この材料はアルミナ・シリカの鉱物組成から成る主にムライトであり、この材料中には直径数１０ｎｍの気孔が含まれていることが知られている。
【００３４】
上記の試料について小角Ｘ線散乱法に基づく散乱Ｘ線スペクトルの測定を行った。小角Ｘ線散乱法に基づく散乱Ｘ線の測定は小角Ｘ線散乱装置ユニットＣＮ２２３０Ｆ型（理学電機製）を使用した。測定条件はＣｕＫα特性Ｘ線を使用し、管電圧４０ｋＶ、管電流３０ｍＡの条件にて実施した。
【００３５】
前記試料は試料ホルダに挟みこみ被測定試料とした。
【００３６】
本発明により得られた結果（実施例）を図２に示した。実施例においては、気孔径Ｄiに対応する直線群Ｌiは７．５ｎｍから４７．５ｎｍまで５ｎｍ間隔にて９分割する直線群を用いて解析した。なお、比較の例として、従来技術であるＦａｎｋｃｈｅｎ法により結果を求めたところ、９．１ｎｍの気孔が２５．３質量％、１４．２ｎｍの気孔が７４．７質量％含有されていた。
【００３７】
実施例では、規格化された気孔径に対する気孔含有率、すなわち気孔径分布が得られる。それに対して、従来技術であるＦａｎｋｃｈｅｎ法では、比較例に示した通り、代表的な気孔径に対する気孔含有率しか得られないことから、本発明による気孔径分布測定方法が気孔径分布測定法として優れるものであることが、明らかである。
【００３８】
【発明の効果】
本発明によれば、小角Ｘ線散乱法に基づき得られた散乱Ｘ線スペクトラムから、被測定物中に含有される２００ｎｍ以下の気孔群の、規格化された気孔径に対する気孔含有率、つまり気孔径分布を容易に求めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る気孔径分布測定装置の構成図。
【図２】本発明の実施例に係る測定結果を示す図。
【符号の説明】
１ Ｘ線照射源
２ スリット
３ 試料ホルダー
４ 真空パス
５ 検出器
６ データ記憶部
７ 入力端末
８ 条件記憶部
９ 装置制御部
１０ 気孔径分布演算部
１１ 表示部
Claims (6)
- 被測定物より、小角Ｘ線散乱法に基づいて得られる散乱Ｘ線スペクトラムから、横軸を散乱ベクトルｋの二乗（ｋ2 ＝（４πsinθ／λ）2）、縦軸を強度Ｙの常用対数（Log10 Ｙ）とする標準スペクトラムｆ（ｋ2 ）を求め、更に、気孔径Ｄi（ここでi＝１〜ｎの自然数）に対応する傾き（−αDi ）を有する直線群Ｌi （Log10 Ｙi＝−αDiｋ2 i＋Log10βi で表す。）の一次結合（ΣＬi）で表される合成スペクトラムｇ（ｋ2 ）により、前記標準スペクトラムｆ（ｋ2）を近似したときの直線群Ｌiのｙ切片（Log10 βi ）と傾き（−αDi）より、所定の気孔径Ｄiに対する気孔含有率を求めることを特徴とする気孔径分布測定方法。
- 前記所定の気孔径Ｄiが等間隔にｎ分割されていることを特徴とする請求項１記載の気孔径分布測定方法。
- 所定の気孔径Ｄiに対応する傾きを有する直線群Ｌiの１次結合で表される合成スペクトラムｇ（ｋ2 ）と前記標準スペクトラムｆ（ｋ2）との残差が最小となるように、最小二乗法で直線群Ｌi のβiを定めることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の気孔径分布測定方法。
- 測定気孔径範囲が２００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１、請求項２又は請求項３記載の気孔径分布測定方法。
- 測定気孔径範囲が１００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１、請求項２又は請求項３記載の気孔径分布測定方法。
- Ｘ線を発生し被測定物に照射するＸ線照射手段と、被測定物より散乱するＸ線を測定するためのＸ線検出手段と、前記検出したＸ線の強さを前記散乱角と関連付けてスペクトルデータとして記憶する手段と、所定の気孔径に応じた複数の直線群の数式を記憶する手段と、前記スペクトルデータより標準スペクトルを計算し、更に前記直線群の一次結合が前記標準スペクトルを近似するように、前記直線群のｙ切片（Log10 βi）を最小二乗法で調整、計算する手段と、前記計算の結果として、前記直線群のｙ切片（Log10 βi）と傾き（−αDi ）より被測定物中の所定気孔径に対する気孔含有率を算出し、前記所定気孔径と共に前記所定気孔径に対する気孔含有率を表示する手段とからなる気孔径分布測定装置。
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