JP3765117B2 - 外部共振器半導体レーザ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信分用における信号用光源やファイバ増幅器の励起用光源などに用いられる外部共振器半導体レーザに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、光ファイバに形成した回折格子を外部共振器とする外部共振器半導体レーザでは、その半導体発光素子の活性領域の構造は、図10に示すように、同じバンドキャップエネルギーを持つ複数の量子井戸層からなる多重量子井戸構造が用いられていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
光ファイバに形成した回折格子を外部共振器とする外部共振器半導体レーザの場合、回折格子の回折波長λsは、半導体レーザのゲインがピークとなる波長に合わせていた。
【0004】
ところが、外部温度が変化すると、図11に示すように半導体レーザのゲインがピークとなる波長が変化するが、回折波長λsは変化しない。このため、外部温度が変化した状況では、回折波長λsでのゲインは小さくなり、回折波長λsで発振しなくなる場合も生じるという問題点があった。
【0005】
本発明は、このような課題を解決すべくなされたものであり、その目的は、外部温度が変化した場合にも、安定して発振動作を行い得る外部共振器半導体レーザを提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
この問題を解決する手段としては、半導体発光素子のゲインの温度依存性を小さくすれば、温度変化が生じてもゲインの低下は防ぐことができる。
【0007】
そこで、本発明に係る外部共振器半導体レーザは、高い反射率を有する反射面及びこの反射面に比べて低い反射率を有する出射面を有する半導体発光素子と、出射面から出射された光が入射すると共に、この入射した光のうち特定波長の光を反射する回折格子が形成された光ファイバとを備え、この特定波長の光が反射面と回折格子との間で繰り返し反射することで、レーザ発振を行う外部共振器半導体レーザにおいて、この半導体発光素子は、外部温度の変化によって発光波長帯域が変動した場合にも、発光波長帯域が回折格子の回折波長を含むような帯域幅を有するように、バンドギャップエネルギーの相異なる活性領域を備え、回折波長は、外部温度の変化に対してほぼ一定の波長を有しており、各活性領域から発せられる光のゲインが、回折波長に対してほぼ一定となる発光波長帯域を有するように構成する。このようにバンドギャップエネルギーの異なる活性領域を備えることで、各活性領域から発光中心波長の異なる光が発せられるため、トータルでのゲイン幅を広げることができる。
【0008】
また、各活性領域から発せられる光のゲインが重合されることで、ゲインがほぼ一定となる発光波長帯域を有しているので、外部温度の変化によってゲインが変化し、発光波長帯域が変動しても、ほぼ一定のゲインが得られる。
【0010】
本発明に係る外部共振器半導体レーザは、半導体発光素子を、異なるバンドギャップエネルギーを持った複数の量子井戸からなる多重量子井戸構造で構成する。
【0011】
本発明にかかる外部共振器半導体レーザは、各バンドギャップエネルギーの大小関係が、結晶積層方向に沿って順に単調増加或は単調減少しないように配置して構成する。このように不規則に配置することで、ゲインがより均一になりやすい利点がある。
【0012】
本発明に係る外部共振器半導体レーザは、半導体発光素子をダブルヘテロ構造で構成する。
【0013】
本発明に係る外部共振器半導体レーザでは、ダブルヘテロ構造における活性領域を、バンドギャップエネルギーが結晶積層方向に沿って次第に増加又は減少する領域を少なくとも一部に含んで構成する。これは、例えば、バンドギャップエネルギーが結晶積層方向に沿って単調に増加又は減少する場合や、キャリアの注入を均一にすべく、鋸歯状に増減を繰り返す場合を含むものである。このようにバンドギャップエネルギーを変化させることで、発光中心波長を分散させる。
【0014】
本発明に係る外部共振器半導体レーザは、活性領域が4元混晶で形成されており、格子定数の整合を保ったままこの混晶の比率を変化させることで、バンドギャップエネルギーを変化させて構成する。
【0015】
本発明に係る外部共振器半導体レーザは、活性領域が4元混晶で形成されており、かつ、転位が生じない範囲で格子不整合を形成することで、バンドギャップエネルギーを変化させて構成する。
【0016】
本発明に係る外部共振器半導体レーザは、バンドギャップエネルギーの異なる複数のダブルヘテロ構造を有して構成する。
【0017】
本発明に係る外部共振器半導体レーザは、高い反射率を有する反射面及びこの反射面に比べて低い反射率を有する出射面を有する半導体発光素子と、出射面から出射された光が入射すると共に、この入射した光のうち特定波長の光を反射する回折格子が形成された光ファイバとを備え、特定波長の光が反射面と回折格子との間で繰り返し反射することで、レーザ発振を行う外部共振器半導体レーザにおいて、半導体発光素子は、複数の量子井戸からなる多重量子井戸構造又は超格子構造を有すると共に、隣接する量子井戸の電子波が結合してミニバンドを形成した活性領域を有しており、半導体発光素子の発光波長帯域は、導電帯のミニバンドと価電子帯のミニバンドとの間における電子及び正孔の遷移エネルギーによって決定されており、外部温度の変化によって当該発光波長帯域が変動した場合にも、この発光波長帯域内に前記回折格子の回折波長を含むような帯域幅を有し、回折波長は、外部温度の変化に対してほぼ一定の波長を有しており、各活性領域から発せられる光のゲインが、回折波長に対してほぼ一定となる発光波長帯域を有するように構成する。
【0018】
このようにミニバンドを形成することで、電子−正孔遷移エネルギーの幅を広げてゲイン幅を広げることもできる。
【0019】
また、活性領域から発せられる光のゲインが重合されることで、ゲインがほぼ一定となる発光波長帯域を有して構成する。
【0021】
本発明に係る外部共振器半導体レーザは、半導体発光素子の反射面は、誘電体多層膜による低反射コートが施されており、この低反射コートにおける最も反射率の低い波長が回折格子の回折波長に一致するように構成する。
【0022】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を添付図面を参照して説明する。
【0023】
図1に、外部共振器半導体レーザを示す。この外部共振器半導体レーザは、半導体発光素子(半導体アンプ)10の出射面10a側に光ファイバ20の入射端を相対して配置しており、光ファイバ20のコア部には、その実効屈折率を、光軸に沿った位置に応じて最小屈折率と最大屈折率との間で周期的に変化させた回折格子21を形成している。半導体発光素子10の出射面10aには誘電体多層膜による低反射コートが形成されており、その低反射コートの最も反射率の低くなる波長が回折格子21の回折波長に一致させている。
【0024】
出射面10aから出射された光が光ファイバ20内に入射すると、回折格子21では、その回折波長に等しい波長成分の光が反射される。この反射光は、光ファイバ20内を戻り、半導体発光素子10の反射面10bで再び反射される。このようにして、回折格子21の回折波長と同じ波長成分の光が、この間で繰り返して反射されることでレーザ発振する。この強められた光は、図示に出射光として示す向きに出射される。
【0025】
ここで使用される半導体発光素子10の構造の一例を示す。この半導体発光素子10の活性領域(活性層)として多重量子井戸構造を使用している。量子井戸層としてはGaInAsP、GaInAs、InAsP、AlGaInAsなどが挙げられ、また、バリア層としてはAlInAs、GaInAs、AlGaInAsなどが挙げられる。
【0026】
この半導体発光素子10では、図2に示すように、多重量子井戸構造の各量子井戸層では、それぞれバンドギャップエネルギーEgを任意に変えて形成している。各バンドギャップエネルギーEgの大きさに応じて発光する光の中心波長が定まるため、各量子井戸層からは、バンドギャップエネルギーEgの大きさに応じ、発光中心波長の異なる光が発せられる。そして、各量子井戸層から発せられる光のゲインが重合されることで、半導体発光素子10全体では、ゲインピークがほぼ一定となる発光波長帯域が形成されるように(図3にトータルのゲイン曲線として示す)、各バンドギャップエネルギーの値を振り分けて形成している。従って、回折格子21の回折波長に相当するバンドギャップエネルギーが、各量子井戸層のバンドギャップエネルギー中で最も小さいバンドギャップエネルギーと最も大きいバンドギャップエネルギーとの間に存在していることになる。
【0027】
このように構成することで、結果的にゲイン幅を広げることができる。このため、外部温度が室温から高温に変化した場合には、発光波長帯域が、図4(a)から同図(b)に示すように変動するが、回折格子21の回折波長λsに対応する発光中心波長域では、ゲインはほぼ一定に推移しており、温度変化によってゲイン(発光波長帯域)がシフトした場合にも、安定した発振動作を確保できる。
【0028】
なお、必ずしも全ての量子井戸層のバンドギャップエネルギーが異なっている必要はなく、トータルでのゲインを均一にするために、各量子井戸層へのキャリア注入の不均一等を考慮して、量子井戸層の幾つかについては同一のバンドギャップエネルギーであってもよい。
【0029】
また、隣り合うバンドギャップエネルギーEgの大小関係については、図5に示すように、バンドギャップエネルギーEgが結晶積層方向に対して単調に減少したり、単調に増加するように各量子井戸層を配置しても良い。ただし、キャリアが必ずしも各量子井戸に均等に注入されるとは限らないため、図2に示すように、隣り合うバンドギャップエネルギーEgの大小関係が、一定の増大傾向或は減少傾向とならないように配置することが好ましい。このように、バンドギャップエネルギーEgの大小が不規則となるように量子井戸層を配置することで、トータルのゲインはより均一になりやすくなる。
【0030】
図6に他の実施形態を示す。この例では半導体発光素子の活性領域にダブルヘテロ構造を用いている。ダブルへテロ構造は量子井戸構造よりもゲイン幅が広いので、半導体発光素子10におけるゲインの温度依存性を低減させる上で有効である。活性領域としてはGaInAs、AlGaInAsなどを用いることができる。
【0031】
図7に他の実施態様を示す。この例では、半導体発光素子10の活性領域としてダブルへテロ構造を用いており、活性領域のバンドギャップエネルギーを、活性領域内において結晶積層方向に沿った位置で次第に増加(減少)させている。この例では、InP系のダブルヘテロ構造の活性領域に、4元混晶GaInAsPを用いており、格子定数の整合を保ったままこの混晶の比率を変化させることで、バンドギャップエネルギーを位置に応じて順に変化させている。
【0032】
具体的には、Gax In1-x Asy P1-y (0<x、y<1)において、y≒2.2xの関係をみたすとき、InPの格子定数とほぼ整合する。このとき、Gax In1-x Asy P1-y は、Gay/2.2 In1-y/2.2 Asy P1-y となり、バンドギャップエネルギー(Eg)は、室温で
Eg=0.25y2 −0.88y+1.35[eV]
と表される。従って、y≒2.2xの関係を満たしつつ“y”の値を変えることで、格子整合を保ったまま、バンドギャップエネルギー(Eg)を変えることができる。
【0033】
また、転位が生じない範囲で格子整合からずらすことで、活性領域内に任意に格子不整合を形成し、これによって、活性領域のバンドギャップエネルギーを結晶積層方向に沿った位置で次第に変化させることもできる。この場合、適度な格子不整合を活性領域に持たせることにより、ゲインを上げる効果があることが知られており、格子不整が入った場合には、格子整合をとった場合に比べてバンドギャップエネルギー(Eg)が変るので、これを考慮してバンドギャップエネルギー(Eg)の変化を設計すればよい。前述の例では、y≒2.2xの条件から転位が生じない範囲でずらす(y>2.2x、或は、y<2.2x)ことになる。
【0034】
このように構成した場合にも、各バンドギャップエネルギーに対応した波長を有する光が発せられるため、ゲインピークがほぼ一定となる発光波長帯域を形成することができる。また、図7中に点線で示したように、キャリアの注入を均一にするために、位置に応じてバンドギャップエネルギーが鋸歯状に増減を繰り返す構造としてもよい。
【0035】
なお、活性領域としてはGaInAsPの他に、AlGaInAsなどを用いることができる。
【0036】
図8に他の実施形態を示す。この例では、半導体発光素子10の活性領域として2個のダブルへテロ構造を用いている。2つのダブルへテロ構造のバンドキャップエネルギーを変えることで、トータルでゲイン幅を広げている。活性領域としてはGaInAsP、AlGaInAsなどを用いることができる。なお、この場合にもバンドギャップエネルギーが鋸歯状に増減を繰り返す構造を組合せて用いることもできる。
【0037】
図9に他の実施例を示す。この例では、半導体発光素子10の活性領域として、複数の量子井戸で電子波が結合してミニバンドを形成している多重量子井戸構造を用いている。この場合、回折格子21の回折波長に相当するバンドキャップエネルギーは、導電帯のミニバンド中の電子と価電子帯のミニバンド中の正孔の結合エネルギー中で最も小さい遷移エネルギーと最も大きい遷移エネルギーとの間にある。この場合にはミニバンドのエネルギー幅によって、半導体発光素子10のゲイン幅が広がることになる。量子井戸層としてはGaInAsP、GaInAs、InAsP、AlGaInAsなどが挙げられ、また、バリア層としてはAlInAs、GaInAs、AlGaInAsなどが挙げられる。また、多重量子井戸構造の代りに超格子構造を用い、このようなミニバンドを形成してもよい。
【0038】
【発明の効果】
以上説明したように、各請求項にかかる外部共振器半導体レーザによれば、半導体発光素子における異なるバンドギャップエネルギーから異なる発光中心波長の光が発せされるため、半導体発光素子からはこれらの光が重合されて出射されることとなる。このため、この半導体発光素子のトータルのゲイン幅が広がることとなり、ゲインの波長依存性を低減することができる。
【0039】
従って、外部温度が変化して発光波長帯域が変動した場合にも、安定して発振動作を行い得る外部共振器半導体レーザを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る外部共振器半導体レーザの構成を概略的に示す図である。
【図2】活性領域に多重量子井戸構造を用いた場合のエネルギー構造を示す図である。なお、各量子井戸層のバンドギャップエネルギーが変化している状態を示している。
【図3】個々の光のゲイン曲線が重合されることで、トータルでゲイン幅が広がった状態を示すグラフである。
【図4】外部温度が室温(a)から高温(b)に変化した場合に、発光波長帯域がシフトする状態を示すグラフである。
【図5】隣り合う量子井戸層のバンドギャップエネルギーが単調に変化するように配置された状態を示す説明図である。
【図6】活性領域にダブルヘテロ構造を採用した場合のエネルギー構造を示す図である。
【図7】活性領域のバンドギャップエネルギーが位置によって順に変化した状態を示す図である。
【図8】2個のダブルヘテロ構造を採用した場合のエネルギー構造を示す図である。
【図9】複数の量子井戸での電子波が結合してミニバンドを形成した状態のエネルギー構造を示す図である。
【図10】従来の活性領域のエネルギー構造を示す図である。
【図11】外部温度が室温(a)から高温(b)に変化した場合に、発光波長帯域がシフトする状態を示すグラフである。
【符号の説明】
10…半導体発光素子、20…光ファイバ、21…回折格子
代理人弁理士 長谷川 芳樹
Claims (10)
- 高い反射率を有する反射面及びこの反射面に比べて低い反射率を有する出射面を有する半導体発光素子と、
前記出射面から出射された光が入射すると共に、この入射した光のうち特定波長の光を反射する回折格子が形成された光ファイバとを備え、
前記特定波長の光が前記反射面と前記回折格子との間で繰り返し反射することで、レーザ発振を行う外部共振器半導体レーザにおいて、
前記半導体発光素子は、外部温度の変化によって発光波長帯域が変動した場合にも、前記発光波長帯域が前記回折格子の回折波長を含むような帯域幅を有するように、バンドギャップエネルギーの相異なる活性領域を備え、
前記回折波長は、外部温度の変化に対してほぼ一定の波長を有しており、前記各活性領域から発せられる光のゲインが、前記回折波長に対してほぼ一定となる発光波長帯域を有することを特徴とする外部共振器半導体レーザ。 - 前記半導体発光素子は、異なるバンドギャップエネルギーを持った複数の量子井戸からなる多重量子井戸構造を有する請求項1に記載の外部共振器半導体レーザ。
- 前記各バンドギャップエネルギーの大小関係が、結晶積層方向に沿って順に単調増加或は単調減少しないように配置したことを特徴とする請求項2記載の外部共振器半導体レーザ。
- 前記半導体発光素子は、ダブルヘテロ構造を有する請求項1記載の外部共振器半導体レーザ。
- 前記ダブルヘテロ構造における前記活性領域は、前記バンドギャップエネルギーが結晶積層方向に沿って次第に増加又は減少する領域を少なくとも一部に含む請求項4記載の外部共振器半導体レーザ。
- 前記活性領域は4元混晶で形成されており、格子定数の整合を保ったまま当該混晶の比率を変化させることで、前記バンドギャップエネルギーを変化させた請求項5記載の外部共振器半導体レーザ。
- 前記活性領域は4元混晶で形成されており、かつ、転位が生じない範囲で格子不整合を形成することで、前記バンドギャップエネルギーを変化させた請求項5記載の外部共振器半導体レーザ。
- バンドギャップエネルギーの異なる複数のダブルヘテロ構造を有する請求項4記載の外部共振器半導体レーザ。
- 高い反射率を有する反射面及びこの反射面に比べて低い反射率を有する出射面を有する半導体発光素子と、
前記出射面から出射された光が入射すると共に、この入射した光のうち特定波長の光を反射する回折格子が形成された光ファイバとを備え、
前記特定波長の光が前記反射面と前記回折格子との間で繰り返し反射することで、レーザ発振を行う外部共振器半導体レーザにおいて、
前記半導体発光素子は、複数の量子井戸からなる多重量子井戸構造又は超格子構造を有すると共に、隣接する量子井戸の電子波が結合してミニバンドを形成した活性領域を有しており、
前記半導体発光素子の発光波長帯域は、前記導電帯のミニバンドと前記価電子帯のミニバンドとの間における電子及び正孔の遷移エネルギーによって決定されており、外部温度の変化によって当該発光波長帯域が変動した場合にも、この発光波長帯域内に前記回折格子の回折波長を含むような帯域幅を有し、
前記回折波長は、外部温度の変化に対してほぼ一定の波長を有しており、前記各活性領域から発せられる光のゲインが、前記回折波長に対してほぼ一定となる発光波長帯域を有する外部共振器半導体レーザ。 - 前記半導体発光素子の出射面は、誘電体多層膜による低反射コートが施されており、この低反射コートにおける最も反射率の低い波長が前記回折格子の回折波長に一致する請求項1〜9のいずれかに記載の外部共振器半導体レーザ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32181295A JP3765117B2 (ja) | 1995-12-11 | 1995-12-11 | 外部共振器半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32181295A JP3765117B2 (ja) | 1995-12-11 | 1995-12-11 | 外部共振器半導体レーザ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09162495A JPH09162495A (ja) | 1997-06-20 |
JP3765117B2 true JP3765117B2 (ja) | 2006-04-12 |
Family
ID=18136698
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32181295A Expired - Fee Related JP3765117B2 (ja) | 1995-12-11 | 1995-12-11 | 外部共振器半導体レーザ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3765117B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11214799A (ja) | 1998-01-26 | 1999-08-06 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザモジュール |
JP2006203100A (ja) * | 2005-01-24 | 2006-08-03 | Opnext Japan Inc | 半導体レーザおよび光送信器モジュール |
-
1995
- 1995-12-11 JP JP32181295A patent/JP3765117B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH09162495A (ja) | 1997-06-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041015 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050411 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050607 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050712 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050909 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060104 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060117 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090203 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100203 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110203 Year of fee payment: 5 |
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