JP3761260B2 - Gas laser apparatus and laser gas injection method thereof - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ガスレーザ装置のレーザガス注入方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
ガスレーザ装置は、レーザ光を発振させる媒質ガスを封入した容器(以後、レーザチャンバと呼ぶ)内において、電極間に高電圧パルスで放電させ、この放電エネルギーにより媒質ガス原子を励起させてレーザ光を発生させている。ガスレーザ装置の内で、エキシマレーザ装置などの放電励起式ガスレーザ装置においては、媒質ガス(以後、レーザガスと呼ぶ)とレーザチャンバ内部の構成部品との反応や、放電による電極部材のスパッタリング等によって、様々な物質の塵埃が発生してレーザチャンバ内に浮遊する。この浮遊塵埃は、レーザ光を透過してレーザチャンバ内部から外部に出射するウィンドウに付着するので、レーザ出力を低下させる大きな要因となっている。特にエキシマレーザ装置では、レーザガスとしてハロゲンガスを使用しているので、ハロゲン化金属が塵埃中に含まれており、このハロゲン化金属がウィンドウに付着して腐食させることもある。したがって、従来からこの浮遊塵埃の量を低下させる色々な工夫がなされている。
【0003】
図5及び図6に上記のような浮遊塵埃の量を低下させる従来技術の一例を示しており、以下、同図に基づいて説明する。ここでは、ガスレーザ装置としてエキシマレーザ装置の例を示しており、図5はレーザ光軸に直交するレーザチャンバの断面図を示し、図6はガスレーザ装置の側面図を示している。
【0004】
レーザチャンバ4の内部には、レーザガスを励起するための主放電を行う1対の主放電電極22a、22bが設けられており、この主放電電極22a、22bはそれぞれ光軸方向に細長い形状を成している。一方の主放電電極22aはレーザチャンバ4の外周壁に設けられた絶縁体21に取着されており、他方の主放電電極22bは導電性を有する支持部材33を介してレーザチャンバ4の導電性の側壁に支持されている。また、レーザガスを予備電離させるための1対の予備電離電極36a、36bが主放電電極22a、22bの主放電空間の側方に配設されている。予備電離電極36bはレーザチャンバ4の導電性の側壁に取着され、また、予備電離電極36aは、絶縁体を介してレーザチャンバ4の側壁に取着されている給電端子34に接続されている。さらに、主放電電極22aは給電端子35に接続されている。なお、給電端子35は図示しない放電電源の主放電電圧出力端子に、給電端子34は上記放電電源の予備放電電圧出力端子に接続され、また、レーザチャンバ4の導電性の側壁(すなわち、主放電電極22b及び予備電離電極36b)は上記放電電源の共通出力端子に接続されている。
【0005】
また、レーザチャンバ4内には、レーザガスを循環させるクロスフローファン39、及び、放電によって加熱されたレーザガスを冷却するラジエータ40が設けられている。そして、レーザガスはクロスフローファン39によって矢印24に沿って主放電電極22a、22bの間の主放電空間に流れ、ラジエータ40の内部を通過して冷却され、クロスフローファン39に戻って還流するようになっている。
また、レーザチャンバ4の側壁にはレーザガス供給管路41が設けられており、レーザガス供給管路41のガス注入方向はレーザチャンバ4の底面を向いている。そして、レーザガス交換時には、このレーザガス供給管路41を経由して、外部に設けられたレーザガスボンベからレーザガスを注入されるようになっている。
【0006】
さらに、レーザチャンバ4の側方にはフィルタ29が設けられている。レーザチャンバ4の内部のレーザガスは管路26を経由してフィルタ29に導かれ、このフィルタ29から出力されたガスは管路27及び管路28を経由してレーザチャンバ4の内部に戻される。このとき、戻されるガスがウィンドウ25の近傍に吹きつけられるようにしている。
【0007】
上記のような構成によると、主放電電極22a、22b間の主放電23によってレーザガスが励起されてレーザ光30が発振し、レーザ光30がフロント側のウィンドウ25から出射される。レーザ光を発振しているとき、クロスフローファン39によりレーザガスが主放電空間及びラジエータ40を矢印24の方向に還流する。と同時に、クロスフローファン39によってレーザガスが管路26を経由してフィルタ29に導かれ、レーザガス中の前記塵埃がフィルタ29で除去された後、塵埃の除去されたガスが管路27、28を経由してウィンドウ25の近傍に吹きつけられる。このガスはウィンドウ25に対してエアカーテンとして作用するので、レーザチャンバ4内の塵埃がウィンドウ25に付着することを防止している。
【0008】
なお、上記よりさらに進んだ他の従来技術の例として、ウィンドウ25とレーザチャンバ4内部との間の小さな空間にラビリンスのような突起状部材などを設けたものも提案されている。これは、主放電による衝撃波が、上記塵埃を含んだレーザガスをウィンドウ25の方向に移動させるとき、上記突起状部材の部分でレーザガスが渦を作って上記衝撃波のエネルギーが減衰するので、塵埃を含んだレーザガスがウィンドウ25に到達する量が減少することを利用している。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
上記のようなガスレーザ装置において、レーザガスが劣化して出力が低下して来たときは、レーザガスを交換する必要がある。しかしながら、レーザガス供給管路41を介してレーザガスを注入するとき、このレーザガスがレーザチャンバ4の底面に当たるので、底面に付着している塵埃を吹き上げてしまう。この結果、塵埃がウィンドウ25に付着するので、レーザガス交換の効果が無くなり、レーザガス交換後のレーザ出力が低下するという問題が生じている。
【0010】
本発明は、上記の問題点に着目してなされたものであり、レーザガス注入時の塵埃のウィンドウ25への付着を防止できるガスレーザ装置及びそのレーザガス注入方法を提供することを目的としている。
【0011】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】
上記の目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、レーザガスを封入するレーザチャンバ4と、レーザチャンバ4内で発振されたレーザ光を透過して外部に出射するウィンドウ25と、レーザチャンバ4内に配設され、かつ、レーザガスを還流させるクロスフローファン39と、レーザチャンバ4に付設され、かつ、レーザガスを清浄化した後にウィンドウ25に吹きつけるフィルタ29と、レーザガス交換時にレーザガスをレーザチャンバ4内から排気する排気装置と、レーザガスをレーザチャンバ4内に注入する注入装置とを有するガスレーザ装置において、
レーザガス排気後のレーザチャンバ4内のガス圧値を設定するガス圧設定手段と、
レーザチャンバ4内のガス圧値を検出するガス圧検出器5と、
ガス圧検出器5で検出したガス圧値と前記ガス圧設定手段で設定したガス圧値とを比較して両ガス圧値が略一致するまで前記排気装置を駆動してレーザガスを排気した後、前記クロスフローファン39を回転させながら前記注入装置を駆動して、レーザガスを前記フィルタ29を経由させてレーザチャンバ4内に注入する制御器1とを備えた構成としている。
【0012】
また、請求項10に記載の発明は、クロスフローファン39によってレーザチャンバ4内のレーザガスを還流させ、かつ、このレーザガスをフィルタ29を経由させて清浄化した後にウィンドウ25に吹きつけると共に、レーザチャンバ4内で放電させてレーザガスを励起し、レーザ光を発振させるガスレーザ装置のレーザガス交換時のレーザガス注入方法において、
レーザガス排気後のレーザチャンバ4内のガス圧値を設定し、このガス圧値までレーザガスを排気した後、新しいレーザガスをレーザチャンバ4内に注入すると共に、前記クロスフローファン39を回転させて上記注入されたレーザガスを前記フィルタ29を経由させ、この清浄化されたレーザガスをウィンドウに吹きつける方法としている。
【0013】
請求項1、10に記載の発明によると、レーザガスを排気するときに、レーザチャンバ内を真空状態にするのではなく、所定のガス圧値に相当する微量のレーザガスが残るように排気する。この排気の後、新しいレーザガスをレーザチャンバ内に注入するので、真空状態のときのように、ガスの流れに乱れが生じることがなく、レーザチャンバ4の底部に堆積している塵埃が巻き上がることが少なくなる。さらに、このとき、クロスフローファンを回転させながらレーザガスを注入するので、このレーザガスがフィルタ29に導かれて塵埃が除去され、清浄化されたレーザガスがウィンドウに吹きつけられる。したがって、ウィンドウが塵埃で汚染されるのが防止される。
【0014】
請求項2に記載の発明は、レーザガスを封入するレーザチャンバ4と、レーザチャンバ4内で発振されたレーザ光を透過して外部に出射するウィンドウ25と、レーザチャンバ4内に配設され、かつ、レーザガスを還流させるクロスフローファン39と、レーザチャンバ4に付設され、かつ、レーザガスを清浄化した後にウィンドウ25に吹きつけるフィルタ29と、レーザガス交換時にレーザガスをレーザチャンバ4内から排気する排気装置と、レーザガスをレーザチャンバ4内に注入する注入装置とを有するガスレーザ装置において、
レーザガス排気後のレーザチャンバ4内のガス圧値を設定するガス圧設定手段と、
レーザチャンバ4内のガス圧値を検出するガス圧検出器5と、
ガス圧検出器5で検出したガス圧値と前記ガス圧設定手段で設定したガス圧値とを比較して両ガス圧値が略一致するまで前記排気装置を駆動してレーザガスを排気した後、前記クロスフローファン39を回転させながら前記注入装置を駆動して、希ガス、ハロゲンガス、希ガスの順に各レーザガスをそれぞれガス圧検出器5で検出したガス圧値が所定値に略一致するまで前記フィルタ29を経由させてレーザチャンバ4内に注入する制御器1とを備えた構成としている。
【0015】
また、請求項11に記載の発明は、クロスフローファン39によってレーザチャンバ4内のレーザガスを還流させ、かつ、このレーザガスをフィルタ29を経由させて清浄化した後にウィンドウ25に吹きつけると共に、レーザチャンバ4内で放電させてレーザガスを励起し、レーザ光を発振させるガスレーザ装置のレーザガス交換時のレーザガス注入方法において、
レーザガス排気後のレーザチャンバ4内のガス圧値を設定し、このガス圧値までレーザガスを排気した後、新しいレーザガスを希ガス、ハロゲンガス、希ガスの順にレーザチャンバ4内にそれぞれ所定圧まで注入すると共に、前記クロスフローファン39を回転させて上記レーザガスを前記フィルタ29を経由させ、この清浄化されたレーザガスをウィンドウに吹きつける方法としている。
【0016】
請求項2、11に記載の発明によると、レーザガスの排気のときは、レーザチャンバ内を真空状態にするのではなく、所定のガス圧値に相当する微量のレーザガスが残るように排気する。この排気の後、新しいレーザガスをレーザチャンバ内に注入するので、真空状態のときのように、ガスの流れに乱れが生じることがなく、レーザチャンバ4の底部に堆積している塵埃が巻き上がることが少なくなる。そして、このレーザガスの注入順序として、まず希ガスをある程度大きな所定圧まで注入し、次に微量のハロゲンガスを所定圧まで、そして最後に再び希ガスを所定圧まで注入している。よって、注入初期に希ガスがある程度の大きなガス圧を示すまで注入されているので、次にハロゲンガスを注入するときは、ガス圧検出器等で精度良くガス圧を検出可能となり、微量のハロゲンガスのガス分圧が正確に検出される。さらに、このとき、クロスフローファンを回転させながら上記レーザガスを注入するので、このレーザガスがフィルタ29に導かれて塵埃が除去され、清浄化されたレーザガスがウィンドウに吹きつけられる。したがって、ウィンドウが塵埃で汚染されるのが防止される。
【0017】
請求項3に記載の発明は、請求項1又は2に記載のガスレーザ装置において、前記制御器1は、レーザガスを注入する初期の所定時間にのみ前記クロスフローファン39を回転させ、上記レーザガスを前記フィルタ29を経由させてレーザチャンバ4内に注入するようにしている。
【0018】
また、請求項12に記載の発明は、請求項10又は11に記載のレーザガス注入方法において、
レーザガスを注入する初期の所定時間にのみ前記クロスフローファン39を回転させ、上記レーザガスを前記フィルタ29を経由させてレーザチャンバ4内に注入する方法としている。
【0019】
請求項3、12に記載の発明によると、レーザガスの排気直後はレーザチャンバ内のレーザガスが微量となるので、新しいレーザガスを注入する際に、このガスの流れに乱れが発生する可能性がある。このガス流の乱れによって、レーザチャンバの底部に堆積している塵埃が巻き上がることになる。したがって、レーザガスの注入初期の、上記のガス流の乱れが無くなるまでの所定時間にのみ、クロスフローファンを回転させ、注入するレーザガスがフィルタ29を経由するようにする。これによって、上記塵埃がフィルタ29により除去され、清浄化されたレーザガスがウィンドウに対してエアカーテンとして作用するので、ウィンドウが塵埃で汚染されるのが防止される。
【0020】
請求項4に記載の発明は、請求項1又は2に記載のガスレーザ装置において、前記制御器1は、レーザガスを注入する初期で、かつ、レーザチャンバ4内のガス圧が所定ガス圧値に達するまでの間のみ前記クロスフローファン39を回転させ、上記レーザガスを前記フィルタ29を経由させてレーザチャンバ4内に注入するようにしている。
【0021】
また、請求項13に記載の発明は、請求項10又は11に記載のレーザガス注入方法において、
レーザガスを注入する初期で、かつ、レーザチャンバ4内のガス圧が所定ガス圧値に達するまでの間のみ前記クロスフローファン39を回転させ、上記レーザガスを前記フィルタ29を経由させてレーザチャンバ4内に注入する方法としている。
【0022】
請求項4、13に記載の発明によると、レーザガスの排気直後はレーザチャンバ内のレーザガスが微量となるので、新しいレーザガスを注入する際に、このガスの流れに乱れが発生する可能性がある。このガス流の乱れによって、レーザチャンバの底部に堆積している塵埃が巻き上がることになる。したがって、レーザガスの注入初期で、かつ、レーザチャンバ内に所定量のレーザガスが注入されるまでの間、すなわち、ガス圧が所定値に達して上記のガス流の乱れが無くなるまでの間のみ、クロスフローファンを回転させ、注入するレーザガスがフィルタ29を経由するようにする。これによって、上記塵埃がフィルタ29により除去され、清浄化されたレーザガスがウィンドウに対してエアカーテンとして作用するので、ウィンドウが塵埃で汚染されるのが防止される。
【0023】
請求項5に記載の発明は、請求項2に記載のガスレーザ装置において、
前記制御器1は、最初の希ガスを注入するときにのみ前記クロスフローファン39を回転させ、上記レーザガスを前記フィルタ29を経由させてレーザチャンバ4内に注入するようにしている。
【0024】
また、請求項14に記載の発明は、請求項11に記載のレーザガス注入方法において、
最初の希ガスを注入するときにのみ前記クロスフローファン39を回転させ、上記希ガスを前記フィルタ29を経由させてレーザチャンバ4内に注入する方法としている。
【0025】
請求項5、14に記載の発明によると、レーザガスの排気直後はレーザチャンバ内のレーザガスが微量となるので、新しいレーザガスを注入する際に、このガスの流れに乱れが発生する可能性がある。このガス流の乱れによって、レーザチャンバの底部に堆積している塵埃が巻き上がることになる。したがって、レーザガスの内、最初の希ガスを注入するときにのみ、クロスフローファンを回転させ、注入する希ガスがフィルタ29を経由するようにする。これによって、上記塵埃がフィルタ29により除去され、清浄化された希ガスがウィンドウに対してエアカーテンとして作用するので、ウィンドウが塵埃で汚染されるのが防止される。また、レーザチャンバ内に所定量の希ガスが注入されると、上記のガス流の乱れが無くなり、上記のように塵埃が巻き上がることが無くなるので、ウィンドウが塵埃で汚染されなくなる。
【0026】
請求項6に記載の発明は、請求項1〜5のいずれか一つに記載のガスレーザ装置において、
前記レーザチャンバ4内にレーザガスが注入される方向は、レーザチャンバ4の底面以外を向いている。
【0027】
請求項6に記載の発明によると、レーザチャンバ内にレーザガスが注入される向がレーザチャンバの底面以外を向いているので、レーザガスが直接底面に吹きつけられることがなく、底部に堆積している塵埃を巻き上げる可能性が小さくなる。よって、レーザガス注入時に塵埃がレーザガスに混入することが少なくなる。
【0028】
請求項7に記載の発明は、請求項1〜5のいずれか一つに記載のガスレーザ装置において、
前記レーザチャンバ4内にレーザガスが注入されるガス注入口は、レーザチャンバ4内の上部に設けられている。
【0029】
請求項7に記載の発明によると、レーザチャンバ内にレーザガスが注入されるガス注入口がレーザチャンバ4内の上部に設けられているので、レーザガスが直接底面に吹きつけられることがなく、底部に堆積している塵埃を巻き上げる可能性が小さくなる。よって、レーザガス注入時に塵埃がレーザガスに混入することが少なくなる。
【0030】
請求項8に記載の発明は、請求項1〜5のいずれか一つに記載のガスレーザ装置において、
前記レーザチャンバ4内にレーザガスが注入されるガス注入口は、前記クロスフローファン39によるガス流での前記フィルタ29の下流側と前記ウィンドウ25との間に設けられている。
【0031】
請求項8に記載の発明によると、レーザチャンバ内にレーザガスが注入されるガス注入口が、クロスフローファンによるガス流のフィルタ29の下流と、ウィンドウとの間に設けられているので、新しく注入された清浄なレーザガスが上記ガス流に沿ってウィンドウに吹きつけられる。したがって、ウィンドウが塵埃に汚染されることが無くなる。
【0032】
請求項9に記載の発明は、請求項1〜5のいずれか一つに記載のガスレーザ装置において、
前記レーザチャンバ4内からレーザガスを排気するガス排気口は、前記ウィンドウ25と前記フィルタ29の入口との間に設けられている。
【0033】
請求項9に記載の発明によると、レーザチャンバ内からレーザガスを排気するガス排気口は、ウィンドウとフィルタ29の入口との間に設けられているので、レーザガスの排気の時に、ウィンドウからレーザチャンバ内に向かってレーザガスの流れが発生する。よって、レーザチャンバ内の塵埃がウィンドウの方に移動することが無くなり、ウィンドウが塵埃に汚染されなくなる。
【0034】
請求項15に記載の発明は、レーザガスを封入したレーザチャンバ4の内部で放電させてレーザガスを励起し、レーザ光を発振させるガスレーザ装置のレーザガス交換時のレーザガス注入方法において、
レーザチャンバ4内のレーザガスを排気した後、レーザガスをレーザチャンバ4内に注入する際に、注入初期の所定時間はレーザガス流量を所定値に制限し、上記所定時間が経過した後は上記レーザガス流量をこの制限値より増加させて注入する方法としている。
【0035】
請求項15に記載の発明によると、レーザガスの排気直後はレーザチャンバ内のレーザガスが微量となるので、新しいレーザガスを注入する際に、このガスの流れに乱れが発生する可能性がある。このガス流の乱れによって、レーザチャンバの底部に堆積している塵埃が巻き上がることになる。したがって、レーザガスの注入初期の、上記のガス流の乱れが無くなるまでの所定時間にのみ、レーザガスの流量を所定値に制限して、注入するレーザガスの流速を制限する。これによって、上記塵埃を巻き上げることが無くなり、ウィンドウが塵埃で汚染されるのが防止される。
【0036】
請求項16に記載の発明は、レーザガスを封入したレーザチャンバ4の内部で放電させてレーザガスを励起し、レーザ光を発振させるガスレーザ装置のレーザガス交換時のレーザガス注入方法において、
レーザチャンバ4内のレーザガスを排気した後、レーザガスをレーザチャンバ4内に注入する際に、注入初期で、かつ、ガス圧が所定圧力値に達するまでの間レーザガス流量を所定値に制限し、ガス圧が上記所定圧力値に達した後は上記レーザガス流量を増加させて注入する方法としている。
【0037】
請求項16に記載の発明によると、レーザガスの排気直後はレーザチャンバ内のレーザガスが微量となるので、新しいレーザガスを注入する際に、このガスの流れに乱れが発生する可能性がある。このガス流の乱れによって、レーザチャンバの底部に堆積している塵埃が巻き上がることになる。したがって、レーザガスの注入初期で、レーザガスの注入量が所定量以上になるまでの間、すなわち、ガス圧が所定値以上になって上記のガス流の乱れが無くなるまでの間、レーザガスの流量を所定値に制限して、注入するレーザガスの流速を制限する。これによって、上記塵埃を巻き上げることが無くなり、ウィンドウが塵埃で汚染されるのが防止される。
【0038】
請求項17に記載の発明は、請求項15又は16に記載のレーザガス注入方法において、
前記レーザチャンバ4内のレーザガスを排気するときは、レーザガス排気後のレーザチャンバ4内のガス圧値を設定し、このガス圧値までレーザガスを排気する方法としている。
【0039】
請求項17に記載の発明によると、レーザガスを排気するときに、所定量のレーザガスが残るように、予め設定した所定のガス圧値まで排気する。残った微量のレーザガスによってガス流の乱れがなくなり、よって、注入するレーザガスで塵埃が巻き上がることが無くなる。したがって、レーザガスの注入時にガス流量を制限して流速を小さくすることにより、さらに塵埃が巻き上がる可能性が小さくなり、ウィンドウが塵埃で汚染されるのが防止される。
【0040】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に係わるガスレーザ装置及びそのレーザガス注入方法の実施形態を図面を参照しながら説明する。
図1は、本発明に係わるガスレーザ装置のレーザチャンバの断面図である。ここでも、ガスレーザ装置としてエキシマレーザ装置を例にして説明し、従来技術において説明した図5の構成と同じ部品には同一の符号を付している。
レーザチャンバ4の側方にはフィルタ29が設けられていて、レーザチャンバ4の内部とフィルタ29のガス入口とは管路26を経由して連通している。また、フィルタ29のガス出口は管路27、28を経由して、前述同様にウィンドウ25の近傍に連通している。(図6を参照)上記管路26のレーザチャンバ4側の入口は、クロスフローファン39の回転によるガス還流路がクロスフローファン39から主放電電極22a、22bに至る中間の位置に設けられる方が望ましい。クロスフローファン39が回転すると、レーザチャンバ4内のレーザガスが管路26を経由してフィルタ29に導かれ、清浄化されたレーザガスがウィンドウ25に吹きつけられてレーザチャンバ4内に戻されるようになっている。
【0041】
また、レーザチャンバ4には外部のレーザガス供給手段(例えば、ガスボンベ等)からレーザガスを注入するための管路が接続されている。この管路は、例えば図示の管路42、43、44のように、レーザチャンバ4側のガス出口が底面近傍以外、すなわち、レーザチャンバ4の上部に位置し、かつ、レーザガスの注入方向が底面以外を向くように設けられている。また、管路44で示すように、レーザガスの注入方向をレーザチャンバ4内部からフィルタ29の方に向けることによって、レーザガス注入時にフィルタ29を経由する方向のガスの流れが生成される。なお、これらの管路42、43、44は、外部に設けられた図示しないバルブ等によって選択可能としている。また、これらの管路42、43、44を経由して、レーザチャンバ4内のレーザガスを排気できるように、排気装置が接続されている。
【0042】
図2は、本発明に係わるレーザガス注入方法を説明するためのガスレーザ装置構成ブロック図を示している。エキシマレーザ装置においては、レーザガスとしてハロゲンガスと希ガスの混合ガスが使用されるが、本実施形態ではフッ素ガス、クリプトンガス及びネオンガスの使用例を示している。レーザ発振時間の経過に伴って、このレーザガス中に含まれる不純物の量が多くなったり、ハロゲンガス濃度が低下したりして、レーザガスが次第に劣化するので、所定の状態に至ったときはレーザガスを交換する必要がある。このために、レーザチャンバ4には、上記の劣化したレーザガスを排気するための排気装置が接続されており、本実施形態ではこの排気装置の一例として、バルブ19及びトラップ18を介して真空ポンプ20が接続されている。真空ポンプ20の内部には、ハロゲンガス除去用の活性炭が含まれたフィルタ等が装着されている。また、トラップ18はエキシマレーザ装置の場合に必要とするものであり、排気されるレーザガス中のハロゲンガスを吸着する。これによって、人体に有害であり、また真空ポンプ20の上記フィルタに温度異常上昇等の弊害を及ぼすハロゲンガスが除去された後に排気される。
【0043】
そして、レーザチャンバ4内に各レーザガスを注入する注入装置が接続されている。すなわち、レーザチャンバ4に、バルブ11を介してフッ素とネオンの混合ガスボンベ8が、バルブ12を介してクリプトンガスボンベ9が、バルブ13を介してネオンガスボンベ10が接続されている。上記の各バルブ11、12、13、19とレーザチャンバ4との間のガス管路は、それぞれ別個に設けてもよいし、また共通に設けてもよい。また、レーザチャンバ4には、内部のガス圧を検出するガス圧検出器5が設けられている。各バルブ11、12、13、19は電磁弁、あるいは電磁弁を介したエア駆動バルブ等で構成されている。そして、これらの各バルブの駆動指令、真空ポンプ20の駆動指令は制御器1から出力されており、また、ガス圧検出器5の検出信号は制御器1に接続されている。
【0044】
制御器1は例えばマイクロコンピュータを主体にしたコンピュータシステムで構成されている。制御器1には、上記信号の他に、図示しないモニタ装置からレーザ出力パワーやレーザ特性をモニタするためのモニタ信号が入力されたり、図示しない外部の他装置からガス交換指令等の指令信号が入力される。制御器1は上記外部装置から上記ガス交換指令を入力したときに、ガス圧検出器5の検出信号に基づいて、上記各バルブ及び真空ポンプ20の駆動を制御し、レーザガスの交換を開始する。
また、ガス圧設定器2はレーザガスの排気後のレーザチャンバ4内部のガス圧値を設定するものであり、例えばテンキーや設定用スイッチ等で設定値を入力してもよい。この設定値データは、制御器1に入力されている。なお、ガス圧設定手段として、上記外部装置等の内部に予め設定されている設定値データを通信等によって入力してもよい。
【0045】
図3は本実施形態に係わるレーザガス注入方法を表す制御フローチャートの例を示しており、具体的には上記の制御器1によって処理される。ここでは、各ステップ番号にSを付して示している。
S1で、ガス圧設定器2から入力される設定値データにより、排気後のレーザチャンバ4内のガス圧Pr を設定し、次にS2で、ガス圧検出器5で検出したレーザチャンバ4内のガス圧Pc を読み込む。そして、S3で、このガス圧Pc と設定されたガス圧Pr とを比較し、ガス圧Pc がガス圧Pr より大きいか否かを判断する。この判断の結果で大きいときは、S4で真空ポンプ20を駆動し、バルブ19を開いてレーザガスの排気を継続し、次にS2に戻って処理を繰り返す。また、S3の判断で大きくないとき、すなわち、ガス圧Pc がガス圧Pr 以下になったときは、S5において、真空ポンプ20を停止し、かつ、バルブ19を閉じて排気を停止した後、クロスフローファン39を回転させる。次に、S6で新しいレーザガスを注入する。ここで、各バルブ11、12、13は所定の開度に制御され、混合ガスボンベ8、クリプトンガスボンベ9及びネオンガスボンベ10からの各ガス流量が所定値に調整される。
【0046】
そして、S7でガス圧検出器5で検出したガス圧Pc を読み込み、このガス圧Pc が所定圧力値以上になったか否かを判断し、所定圧力値より小さい間はS6に戻ってレーザガスの注入を継続する。ガス圧Pc が所定圧力値以上になったときは、S8で、バルブ11、12、13を閉じると共に、クロスフローファン39の回転を停止させ、レーザガスの注入を終了する。
【0047】
レーザガスの注入方法において、レーザガスを排気するときに、レーザチャンバ4の内部が略真空になるまで排気した場合は、新しいレーザガスを注入し始めるときにレーザチャンバ4の底部に堆積している塵埃を巻き上げてしまう。そして、この塵埃を含むレーザガスがほとんど抵抗を受けることなくウィンドウ25の方向へも移動するので、ウィンドウ25が塵埃によって汚染される可能性がある。したがって、本実施形態のレーザガス注入方法においては、上述のS3及びS4で示すように、レーザガスを排気するときに、設定されたガス圧Pr に相当する微量のレーザガスをレーザチャンバ4内部に残しておき、次いでS5及びS6で、クロスフローファン39を回転させながら新しいレーザガスを注入している。クロスフローファン39の回転により、上記の残っている微量のレーザガスによるガスの流れが生じ、新しいレーザガスが注入されたときに、このレーザガスが管路26に導かれてフィルタ29を経由してレーザチャンバ4内に注入されることになる。この結果、レーザガスの注入初期の段階から、フィルタ29により清浄化されたレーザガスがウィンドウ25の表面に吹きつけられるので、このレーザガスがエアカーテンとして作用してウィンドウ25が塵埃によって汚染されるのが防止される。また、レーザチャンバ4内に微量のレーザガスを残すので、新しいレーザガスの注入初期でもガスの流れに乱れが発生し難くなり、堆積している塵埃が巻き上げられる可能性が小さくなる。
【0048】
そして、S7で示したように、新しいレーザガスのガス圧が所定の必要なガス圧値に達するまで、クロスフローファン39を回転させている。ここで、クロスフローファン39を回転させる時間は、本実施形態に限定されない。すなわち、レーザガスを注入する初期で、かつ、注入したレーザガスが所定量に達して上記のガス流の乱れが発生しなくなるまで、すなわち、レーザガスのガス圧が上記所定量に対応した所定ガス圧値に達するまでの時間のみ、クロスフローファン39を回転させてもよい。さらに、また、レーザガスの注入開始時から上記の所定ガス圧値に達するまでの、初期の所定時間にのみ、クロスフローファン39を回転させるようにしてもよい。
【0049】
また、レーザガスを注入するとき、管路42、43、44のいずれか一つを選択してレーザチャンバ4内に注入する。管路42、43、44のガス注入口はレーザチャンバ4の上部に位置しており、また、そのガス注入方向は底面以外を向いているので、レーザチャンバ4の底部に堆積している塵埃を巻き上げる可能性が小さくなる。この結果、レーザガスの注入初期に、塵埃が巻き上がるのを防止できる。さらに、管路44によってレーザガスを注入する場合は、レーザチャンバ4内部からフィルタ29の方向にガスの流れが発生するので、フィルタ29によって清浄化されたレーザガスをウィンドウ25に導くことが可能となる。したがって、上記同様に、ウィンドウ25が塵埃により汚染されるのを防止できるので、レーザ出力特性の低下が少なくなる。
【0050】
なお、レーザガスが注入されるガス注入口は、クロスフローファン39によるガス流でのフィルタ29の下流側とウィンドウ25との間に設けてもよい。この場合には、塵埃を含まない新しいレーザガスがウィンドウ25の方に流れるので、ウィンドウ25が塵埃により汚染されるのを防止できる。
また、このとき、レーザチャンバ4内からレーザガスを排気するガス排気口は、上記のガス注入口と別個に、ウィンドウ25とフィルタ29の入口側との間に設けた方がよい。これによって、排気時に、ウィンドウ25からレーザチャンバ4内の方向にレーザガスの流れが発生するので、レーザガスに含まれる塵埃がウィンドウ25に付着する可能性が小さくなる。
【0051】
次に、第2の実施形態に係わるレーザガスの注入方法を説明する。本実施形態でのガスレーザ装置の構成は前実施形態で説明した図1及び図2と同様であり、ここでの説明を省く。
【0052】
図4は本実施形態に係わるレーザガス注入方法を表す制御フローチャートの例を示しており、前述と同様に制御器1によって処理される。
S11で、ガス圧設定器2から入力される設定値データにより、排気後のレーザチャンバ4内のガス圧Pr を設定し、次にS12で、ガス圧検出器5で検出したレーザチャンバ4内のガス圧Pc を読み込む。そして、S13で、このガス圧Pc と設定されたガス圧Pr とを比較し、ガス圧Pc がガス圧Pr より大きいか否かを判断する。この判断の結果で大きいときは、S14で真空ポンプ20を駆動し、バルブ19を開いてレーザガスの排気を継続し、次にS12に戻って処理を繰り返す。また、S13の判断で大きくないとき、すなわち、ガス圧Pc がガス圧Pr 以下になったときは、S15において、真空ポンプ20を停止し、かつ、バルブ19を閉じて排気を停止した後、クロスフローファン39を回転させる。次に、S16で、バルブ12、13を所定開度に開け、クリプトンガスボンベ9及びネオンガスボンベ10からの各ガス流量を所定値に調整して、新しいクリプトンガス及びネオンガスを注入する。そして、S17で、ガス圧検出器5からレーザチャンバ4内のガス圧Pc を読み込み、このガス圧Pc が所定圧力値P1 以上になったか否かを判断し、所定圧力値P1 より小さい間はS16に戻って新しいクリプトンガス及びネオンガスの注入を継続する。また、ガス圧Pc が所定圧力値P1 以上になったときは、S18に進む。
【0053】
S18では、バルブ12、13を閉じてクリプトンガス及びネオンガスの注入を停止すると共に、クロスフローファン39の回転を停止させる。次にS19で、バルブ11を所定開度に開けてフッ素とネオンの混合ガスボンベ8からのガス流量を所定値に調整し、新しいフッ素の混合ガスを注入する。そして、S20で、ガス圧検出器5からレーザチャンバ4内のガス圧Pc を読み込み、このガス圧Pc が所定圧力値P2 (ただし、P2 >P1 )以上になったか否かを判断し、所定圧力値P2 より小さい間はS19に戻ってフッ素の混合ガスの注入を継続する。また、ガス圧Pc が所定圧力値P2 以上になったときは、S21で、バルブ11を閉じてフッ素の混合ガスの注入を停止する。次にS22で、バルブ12、13を所定開度に開け、新しいクリプトンガス及びネオンガスを注入する。そして、S23で、ガス圧検出器5からレーザチャンバ4内のガス圧Pc を読み込み、このガス圧Pc が所定圧力値P3 (ただし、P3 >P2 )以上になったか否かを判断し、所定圧力値P3 より小さい間はS22に戻って新しいクリプトンガス及びネオンガスの注入を継続する。また、ガス圧Pc が所定圧力値P3 以上になったときは、S24で、バルブ12、13を閉じてクリプトンガス及びネオンガスの注入を終了する。
【0054】
上記のフローチャートにおいて、レーザガスを排気するときは、前実施形態と同様に、設定されたガス圧Pr に相当する微量のレーザガスをレーザチャンバ4内部に残しておき、次いでクロスフローファン39を回転させながら新しいクリプトンガス及びネオンガスを所定量注入している。したがって、新しいレーザガスの注入初期でも、堆積している塵埃を巻き上げることが少なくなり、またフィルタ29を経由して注入されたレーザガスが塵埃によるウィンドウ25の汚染を防止することができる。
また、フッ素ガスの混合ガスを注入するときは、クロスフローファン39を停止させているが、これは、クロスフローファン39によるガスの流れがフッ素ガスの注入時のガス圧検出においてノイズとなるのを防止するためである。これによって、レーザガス内の他の希ガス(クリプトンガス及びネオンガス)より微量なフッ素ガスの分圧を正確に検出できるので、エキシマレーザ装置のレーザ発振特性が非常に良くなる。
また、フッ素ガスの混合ガスを注入した後、最後の希ガスを注入するときにはクロスフローファン39の回転を停止させているが、これは、既にレーザチャンバ4内に所定量のレーザガスが注入されているので、注入ガスによって塵埃を巻き上げる可能性が少ないからである。なお、このとき、クロスフローファン39を回転させながら最後の希ガスを注入してもよい。
【0055】
なお、排気後のレーザガスの注入方法として、注入初期で、かつ、ガス圧が所定圧力値に達するまでの間レーザガス流量を所定値に制限し、ガス圧が上記所定圧力値に達した後は上記レーザガス流量をこの制限値より増加させて注入してもよい。また、同様に、注入初期の所定時間の間、すなわち、上記所定圧力値に達するまでの所定時間の間は、レーザガス流量を所定値に制限し、この所定時間経過後は上記レーザガス流量をこの制限値より増加させてもよい。この場合に、レーザガス流量を制限する手段として、例えば質量流量制御弁(マスフローコントロール弁)やオリフィス、フィルタ等をクリプトンガスボンベ9及びネオンガスボンベ10の出口に設けてもよい。このようにレーザガス流量を制御することによって、注入初期はガス流速を遅くできるので塵埃を巻き上げる可能性が少なくなる。また、所定量のレーザガスが注入された後はガス流の乱れが無くなるので、レーザガス流量を増加させることができる。そして、この場合も、レーザガス排気時に微量のレーザガスを残しておくと、レーザガス注入時にガス流の乱れが無いので、塵埃の巻き上げを少なくする効果が大きくなることは言うまでも無い。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係わるガスレーザ装置のレーザチャンバの断面図を示す。
【図2】本発明に係わるガスレーザ装置の構成ブロック図を示す。
【図3】本発明の第1実施形態のレーザガス注入方法を表す制御フローチャートの例を示す。
【図4】本発明の第2実施形態のレーザガス注入方法を表す制御フローチャートの例を示す。
【図5】従来技術に係わるガスレーザ装置のレーザチャンバの断面図を示す。
【図6】従来技術に係わるガスレーザ装置の側面図を示す。
【符号の説明】
1…制御器、2…ガス圧設定器、4…レーザチャンバ、5…ガス圧検出器、8…混合ガスボンベ、9…クリプトンガスボンベ、10…ネオンガスボンベ、11、12、13、19…バルブ、18…トラップ、20…真空ポンプ、21…絶縁体、22a、22b…主放電電極、23…主放電、24…矢印、25…ウィンドウ、26、27、28、42、43、44…管路、29…フィルタ、30…レーザ光、33…支持部材、34、35…給電端子、36a、36b…予備電離電極、39…クロスフローファン、40…ラジエータ、41…レーザガス供給管路。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a laser gas injection method for a gas laser device.
[0002]
[Prior art]
In a gas laser device, a medium gas that oscillates laser light is enclosed in a container (hereinafter referred to as a laser chamber), and is discharged with a high-voltage pulse between electrodes. Is generated. Among gas laser devices, in excimer laser devices such as excimer laser devices, there are various factors depending on the reaction between a medium gas (hereinafter referred to as laser gas) and the components inside the laser chamber, sputtering of electrode members by discharge, etc. Dust of a new material is generated and floats in the laser chamber. This floating dust is attached to a window that transmits laser light and exits from the inside of the laser chamber to the outside, which is a major factor for reducing laser output. In particular, in an excimer laser device, since a halogen gas is used as a laser gas, a metal halide is contained in dust, and the metal halide may adhere to the window and corrode. Therefore, various ideas have been conventionally made to reduce the amount of floating dust.
[0003]
FIG. 5 and FIG. 6 show an example of the prior art for reducing the amount of floating dust as described above, which will be described below with reference to FIG. Here, an example of an excimer laser device is shown as a gas laser device, FIG. 5 shows a cross-sectional view of a laser chamber orthogonal to the laser optical axis, and FIG. 6 shows a side view of the gas laser device.
[0004]
Inside the
[0005]
In the
A laser
[0006]
Further, a
[0007]
According to the above configuration, the laser gas is excited by the
[0008]
In addition, as another example of the conventional technique further advanced from the above, a technique in which a protruding member such as a labyrinth is provided in a small space between the
[0009]
[Problems to be solved by the invention]
In the gas laser apparatus as described above, when the laser gas deteriorates and the output decreases, it is necessary to replace the laser gas. However, when the laser gas is injected through the laser
[0010]
The present invention has been made paying attention to the above-mentioned problems, and an object thereof is to provide a gas laser device and a laser gas injection method thereof that can prevent dust from adhering to the
[0011]
[Means, actions and effects for solving the problems]
In order to achieve the above object, the invention described in claim 1 includes a
A gas pressure setting means for setting a gas pressure value in the
A
After comparing the gas pressure value detected by the
[0012]
Further, in the invention described in
The gas pressure value in the
[0013]
According to the first and tenth aspects of the present invention, when the laser gas is exhausted, the laser chamber is not evacuated but exhausted so that a trace amount of laser gas corresponding to a predetermined gas pressure value remains. After this evacuation, a new laser gas is injected into the laser chamber, so that the gas flow is not disturbed as in a vacuum state, and dust accumulated at the bottom of the
[0014]
The invention according to
A gas pressure setting means for setting a gas pressure value in the
A
After comparing the gas pressure value detected by the
[0015]
According to the eleventh aspect of the present invention, the laser gas in the
After setting the gas pressure value in the
[0016]
According to the second and eleventh aspects of the invention, when the laser gas is exhausted, the laser chamber is not evacuated but exhausted so that a trace amount of laser gas corresponding to a predetermined gas pressure value remains. After this evacuation, a new laser gas is injected into the laser chamber, so that the gas flow is not disturbed as in a vacuum state, and dust accumulated at the bottom of the
[0017]
According to a third aspect of the present invention, in the gas laser apparatus according to the first or second aspect, the controller 1 rotates the
[0018]
The invention according to
The cross flow
[0019]
According to the third and twelfth aspects of the present invention, since the amount of laser gas in the laser chamber is very small immediately after the laser gas is exhausted, there is a possibility that the gas flow may be disturbed when a new laser gas is injected. Due to this turbulence in the gas flow, dust accumulated at the bottom of the laser chamber is rolled up. Therefore, the cross flow fan is rotated only during a predetermined time at the initial stage of laser gas injection until the above-described gas flow disturbance is eliminated, so that the laser gas to be injected passes through the
[0020]
According to a fourth aspect of the present invention, in the gas laser apparatus according to the first or second aspect, the controller 1 is an initial stage of injecting the laser gas, and the gas pressure in the
[0021]
The invention described in
The cross flow
[0022]
According to the fourth and thirteenth aspects of the present invention, since the amount of laser gas in the laser chamber is very small immediately after the laser gas is exhausted, there is a possibility that the gas flow may be disturbed when a new laser gas is injected. Due to this turbulence in the gas flow, dust accumulated at the bottom of the laser chamber is rolled up. Therefore, the crossing is performed only at the initial stage of laser gas injection and until a predetermined amount of laser gas is injected into the laser chamber, that is, until the gas pressure reaches a predetermined value and the above gas flow disturbance is eliminated. The flow fan is rotated so that the injected laser gas passes through the
[0023]
The invention according to
The controller 1 rotates the
[0024]
The invention as set forth in
Only when the first rare gas is injected, the
[0025]
According to the invention described in
[0026]
The invention according to claim 6 is the gas laser device according to any one of claims 1 to 5,
The laser gas is injected into the
[0027]
According to the invention described in claim 6, since the laser gas is injected into the laser chamber in a direction other than the bottom surface of the laser chamber, the laser gas is not sprayed directly on the bottom surface but is deposited on the bottom. The possibility of winding up dust is reduced. Therefore, dust is less likely to enter the laser gas when the laser gas is injected.
[0028]
Invention of Claim 7 is the gas laser apparatus as described in any one of Claims 1-5,
A gas inlet through which laser gas is injected into the
[0029]
According to the seventh aspect of the present invention, since the gas inlet through which the laser gas is injected into the laser chamber is provided at the upper part in the
[0030]
Invention of Claim 8 is the gas laser apparatus as described in any one of Claims 1-5,
A gas inlet for injecting laser gas into the
[0031]
According to the eighth aspect of the present invention, the gas injection port into which the laser gas is injected into the laser chamber is provided between the downstream of the
[0032]
The invention according to
A gas exhaust port for exhausting laser gas from the
[0033]
According to the invention described in
[0034]
According to a fifteenth aspect of the present invention, in the laser gas injection method at the time of exchanging the laser gas of the gas laser device that excites the laser gas by exciting inside the
After the laser gas in the
[0035]
According to the fifteenth aspect of the present invention, since the amount of laser gas in the laser chamber is very small immediately after the laser gas is exhausted, there is a possibility that the gas flow may be disturbed when a new laser gas is injected. Due to this turbulence in the gas flow, dust accumulated at the bottom of the laser chamber is rolled up. Therefore, the flow rate of the laser gas to be injected is limited by limiting the flow rate of the laser gas to a predetermined value only for a predetermined time at the initial stage of laser gas injection until the above-described gas flow disturbance is eliminated. Thus, the dust is not rolled up and the window is prevented from being contaminated with dust.
[0036]
The invention according to claim 16 is a laser gas injection method at the time of exchanging the laser gas of a gas laser device that excites the laser gas by exciting inside the
After the laser gas in the
[0037]
According to the sixteenth aspect of the present invention, since the amount of laser gas in the laser chamber is very small immediately after the laser gas is exhausted, there is a possibility that the gas flow may be disturbed when a new laser gas is injected. Due to this turbulence in the gas flow, dust accumulated at the bottom of the laser chamber is rolled up. Therefore, at the initial stage of laser gas injection until the laser gas injection amount becomes a predetermined amount or more, that is, until the gas pressure becomes a predetermined value or more and the above gas flow disturbance is eliminated, the laser gas flow rate is set to a predetermined value. Limit the value to limit the flow rate of the injected laser gas. Thus, the dust is not rolled up and the window is prevented from being contaminated with dust.
[0038]
The invention described in claim 17 is the laser gas injection method according to claim 15 or 16,
When the laser gas in the
[0039]
According to the invention described in claim 17, when the laser gas is exhausted, the gas is exhausted to a predetermined gas pressure value set in advance so that a predetermined amount of the laser gas remains. The remaining trace amount of the laser gas eliminates the disturbance of the gas flow, so that dust does not roll up with the injected laser gas. Therefore, by limiting the gas flow rate at the time of laser gas injection and reducing the flow velocity, the possibility of further dust dusting is reduced, and the window is prevented from being contaminated with dust.
[0040]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of a gas laser device and a laser gas injection method thereof according to the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a sectional view of a laser chamber of a gas laser apparatus according to the present invention. Here, an excimer laser device is described as an example of the gas laser device, and the same components as those in FIG. 5 described in the prior art are denoted by the same reference numerals.
A
[0041]
The
[0042]
FIG. 2 is a block diagram showing the configuration of a gas laser apparatus for explaining the laser gas injection method according to the present invention. In the excimer laser device, a mixed gas of a halogen gas and a rare gas is used as a laser gas. In this embodiment, an example of using fluorine gas, krypton gas, and neon gas is shown. As the laser oscillation time elapses, the amount of impurities contained in the laser gas increases or the halogen gas concentration decreases, so that the laser gas gradually deteriorates. It needs to be replaced. For this purpose, an exhaust device for exhausting the deteriorated laser gas is connected to the
[0043]
An injection device for injecting each laser gas into the
[0044]
The controller 1 is composed of a computer system mainly composed of a microcomputer, for example. In addition to the above signals, the controller 1 receives a monitor signal for monitoring laser output power and laser characteristics from a monitor device (not shown) or a command signal such as a gas exchange command from another external device (not shown). Entered. When the gas exchange command is input from the external device, the controller 1 controls the driving of the valves and the
The gas
[0045]
FIG. 3 shows an example of a control flowchart showing a laser gas injection method according to the present embodiment. Specifically, the processing is performed by the controller 1 described above. Here, each step number is indicated by S.
In S1, the gas pressure Pr in the
[0046]
In step S7, the gas pressure Pc detected by the
[0047]
In the laser gas injection method, when the laser gas is exhausted until the inside of the
[0048]
Then, as shown in S7, the
[0049]
Further, when laser gas is injected, any one of the
[0050]
Note that the gas inlet into which the laser gas is injected may be provided between the
At this time, the gas exhaust port for exhausting the laser gas from the
[0051]
Next, a laser gas injection method according to the second embodiment will be described. The configuration of the gas laser apparatus according to this embodiment is the same as that of FIGS. 1 and 2 described in the previous embodiment, and a description thereof is omitted here.
[0052]
FIG. 4 shows an example of a control flowchart showing the laser gas injection method according to the present embodiment, which is processed by the controller 1 as described above.
In S11, the gas pressure Pr in the
[0053]
In S18, the
[0054]
In the above flowchart, when the laser gas is exhausted, as in the previous embodiment, a trace amount of laser gas corresponding to the set gas pressure Pr is left in the
In addition, when the mixed gas of fluorine gas is injected, the
Also, after injecting the mixed gas of fluorine gas, when the last rare gas is injected, the rotation of the
[0055]
As a laser gas injection method after exhaust, the laser gas flow rate is limited to a predetermined value at the initial injection and until the gas pressure reaches a predetermined pressure value. After the gas pressure reaches the predetermined pressure value, The laser gas flow rate may be increased by exceeding this limit value. Similarly, the laser gas flow rate is limited to a predetermined value for a predetermined time at the initial stage of injection, that is, for a predetermined time until the predetermined pressure value is reached, and after the predetermined time has elapsed, the laser gas flow rate is limited to the predetermined value. You may make it increase from a value. In this case, as means for limiting the laser gas flow rate, for example, a mass flow control valve (mass flow control valve), an orifice, a filter, or the like may be provided at the outlet of the
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a sectional view of a laser chamber of a gas laser apparatus according to the present invention.
FIG. 2 is a block diagram showing the configuration of a gas laser apparatus according to the present invention.
FIG. 3 shows an example of a control flowchart representing the laser gas injection method according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 4 shows an example of a control flowchart showing a laser gas injection method according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 5 shows a cross-sectional view of a laser chamber of a gas laser apparatus according to the prior art.
FIG. 6 shows a side view of a gas laser device according to the prior art.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Controller, 2 ... Gas pressure setting device, 4 ... Laser chamber, 5 ... Gas pressure detector, 8 ... Mixed gas cylinder, 9 ... Krypton gas cylinder, 10 ... Neon gas cylinder, 11, 12, 13, 19 ... Valve, 18 DESCRIPTION OF SYMBOLS ... Trap, 20 ... Vacuum pump, 21 ... Insulator, 22a, 22b ... Main discharge electrode, 23 ... Main discharge, 24 ... Arrow, 25 ... Window, 26, 27, 28, 42, 43, 44 ... Pipe line, 29 DESCRIPTION OF SYMBOLS ... Filter, 30 ... Laser beam, 33 ... Supporting member, 34, 35 ... Feed terminal, 36a, 36b ... Preionization electrode, 39 ... Cross flow fan, 40 ... Radiator, 41 ... Laser gas supply line.
Claims (14)
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