JP3755821B2 - Substrate processing equipment - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハやLCD基板等の被処理基板に所定の処理を施す場合に使用される基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造工程において、例えば層間絶縁膜等の誘電体膜(塗布膜)を形成する方法としては、SOD(spin on dielectric)システムを用い、半導体ウエハ(以下「ウエハ」と称す)に塗布液を塗布した後に加熱等の物理的処理を施す方法が知られている。
ここで、塗布液(塗布膜形成用の処理液)を塗布するには、一般的に停止または回転するウエハの略中心部に塗布液を滴下した後、ウエハを所定の回転数で回転させることにより塗布液をウエハの全面に拡散させることが行われる。
【0003】
従来、この種のスピン塗布方法に用いられる基板処理装置としては、例えば図15に示すように構成されたものが知られている。この基板処理装置につき、図15を用いて説明すると、同図において、符号121で示す基板処理装置は、ウエハWに対して所定の処理を施すためのカップ122と、このカップ122内においてウエハWを吸着保持して回転させるスピンチャック123とを備えている。
【0004】
前記カップ122の上面中央部にはカップ内外に開口する貫通窓122aが配設され、内部にはカップ内周部からカップ外周部に向かって下る勾配をもつ整流板124が配設されている。また、前記カップ122の底面中央部には排気ダクト125に連通する排気口122bが配設され、その底面周縁部には廃液ダクト126に連通する廃液口122cが配設されている。
【0005】
前記スピンチャック123は、回転モータ127に支軸128を介して連結されている。そして、回転モータ127の回転によって鉛直軸線の回りに回転し得るように構成されている。このスピンチャック123の上方には、ウエハWの表面に処理液を供給する処理液供給ノズル128が配設されている。
【0006】
このような基板処理装置121を用い、ウエハWに対して処理液による処理(基板処理)を施すには、スピンチャック123によってウエハWを水平に吸着保持して回転させながら、処理液供給ノズル128からウエハWの表面に処理液を供給するとともに、貫通窓122aからクリーンエアをカップ122内に供給することにより行う。
【0007】
この場合、ウエハWに処理液を供給すると、このうち大部分の処理液(処理済み液)がウエハWの回転に伴う遠心力によってウエハWの周囲に飛散し、カップ122の周壁内面に衝突して下方に流動した後、廃液口122cから廃液ダクト126を介してカップ122外に排出される。
【0008】
一方、クリーンエアをカップ122内に供給すると、クリーンエアがウエハWの回転動作に伴って旋回しながら、図15に矢印で示すように整流板124の上面に沿って下方に流動した後、排気ポンプ(図示せず)の排気圧によって整流板124の下側に回り込み、排気口122bから排気ダクト125を介してカップ122外に排出される。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、前記した基板処理装置においては、廃液とクリーンエア(排気気体)とを分離させる機能を備えておらず、このため基板処理時に廃液の一部がミストとなって排気気体中に混入し、排気ダクトの内面にミストが付着し、固化していた。
この結果、ミストが固化した堆積物によって排気ダクト内の排気性が悪くなり、ダクト清掃の回数が増すばかりでなく、カップ内における排気の流動性が悪化することがあった。また、ミストが固化した堆積物によってパーティクルが増加することがあった。
そして、これらに起因して、従来の基板処理装置においては、良好な膜形成を行うことができないという課題があった。
【0010】
本発明は、このような技術的課題を解決するためになされたもので、カップ内における良好な排気流動性を維持でき、良好な膜形成を行うことができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
前記した目的を達成するためになされた本発明に係る基板処理装置は、被処理基板を水平に保持して鉛直軸線回りに回転させる保持・回転手段と、前記保持・回転手段の周囲に配設され、前記被処理基板上から周囲に飛散する処理液を廃液として回収するための環状の廃液路を有する外カップと、前記外カップの内側に配設され、前記廃液路内に廃液を誘導する整流部を有する内カップと、 前記廃液路内を排気する排気路とを備え、前記内カップ整流部の外周縁に周方向に所定の間隔をもって配置される複数の切り欠きとを備え、前記切り欠きは、保持・回転手段の回転軸線に対して回転方向に傾斜して設けられていることを特徴としている。
【0012】
このように構成されているため、基板処理時に被処理基板を回転させると、廃液路内にサイクロン気流が発生し、遠心分離作用によって廃液と排気とが分離する。この場合、廃液の一部が細かなミストとなっても、該ミストは廃液路の外周壁に衝突して付着し、次第にミスト径が大きくなって、廃液路に落下する。
したがって、基板処理時に、ミストの排気気体に混入する割合が抑制され、排気ダクトの内面に対するミストの付着を抑制することができる。
これにより、排気ダクトの排気性の悪化、あるいはパーティクルの増加を抑制でき、良好な膜形成を行うことができる。
【0013】
ここで、前記排気路が、内カップの壁部と外カップの内周壁部との間の間隙によって形成されていることが望ましい。
このように、内カップの壁部と外カップの内周壁部との間の間隙を排気路とすることにより、容易に排気路を形成できる。また、前記排気路が、内カップの壁部と外カップの内周壁部との間の間隙によって形成されているため、サイクロン気流の遠心分離作用によって分離された排気気体のみを排出することができる。
なお、前記排気路が、内カップあるいは外カップのいずれかに形成されていても良い。
【0014】
また、前記切り欠きが、前記保持・回転手段の回転軸線に対して30°〜60°傾斜する方向に開口する凹溝によって形成されていることが望ましい。このように構成されているため、廃液路内におけるサイクロン気流の発生が促進される。
【0015】
また、前記廃液路の外周壁に、外カップの外から気流を導入するための開口部を設けることが望ましい。このように構成されているため、廃液路内に開口部からカップ外の気流が被処理基板の回転方向に沿うような方向に導入され、廃液路内に発生するサイクロン気流の流速が高められる。
【0016】
更に、前記内外両カップの下方に、前記排気路に連通する第一流通部および前記第一流通部に連通する第二流通部を有する排気ダクトを配設し、前記排気ダクトの第一流通部内に、周方向に延設する仕切壁を配設し、前記仕切壁の外側に第一流通部の排気口を配置することが望ましい。
このように構成されているため、排気ダクトの第一流通部内においては、仕切壁の内周部と第一流通部の内周壁との間に形成された領域に流入する排気流が、第一流通部の内外両周壁間に形成された領域を経て仕切壁の外周部と第一流通部の外周壁との間に形成された領域に向かう。これにより、排気路内から第一流通部に流入する排気流が排気口を経て第二流通部に円滑に誘導される。特に、排気ダクトの第一流通部内に周方向に延設する仕切壁が配設されているため、第一流通部の排気口に近い部分のみ排気するという弊害を防止できる。
【0017】
なお、前記仕切壁が排気ダクトの第一流通部の半周以上に形成されていることが望ましい。これにより、排気路全体から排気気体を第一流通部に導入することができる。
【0018】
また、ガイド溝が前記廃液路の外周壁に配設されていることが望ましい。このように、ガイド溝が前記廃液路の外周壁に配設されているため、該ミストは廃液路の外周壁に衝突して付着し、ガイド溝において次第にミスト径が大きくなって、廃液路に落下する。
なお、前記ガイド溝が前記廃液路の外周壁に螺旋状に配設されていても良く、また前記ガイド溝が前記廃液路の外周壁に上下方向に複数並列に配設されていても良い。
【0019】
また、前記外カップの外周壁に排出口を配設し、前記排出口からミストを排出することが望ましい。
該ミストは廃液路の外周壁に衝突して付着し、ガイド溝において次第にミスト径が大きくなって、廃液路に落下する。このように排気気体に含まれるミストの大部分は除去される。
しかし、該ミストを廃液路の外周壁に衝突させても、完全にミストを除去することができないため、ミストを含んだ排気気体を、排気路とは別の前記外カップの外周壁に形成された排出口から排出することにより、排気ダクトのミストの付着を抑制しても良い。
【0025】
また、本発明に係る基板処理装置は、被処理基板を水平に保持して鉛直軸線回りに回転させる保持・回転手段と、前記保持・回転手段の周囲に配設され、前記被処理基板上から周囲に飛散する処理液を廃液として回収するための環状の廃液路を有するカップとを備えた基板処理装置であって、前記環状の廃液路内の上方領域から排気気体を導出する排気口と、前記廃液路内の廃液を排出する廃液口と、前記廃液路の円周方向に沿って設けられたミスト捕捉リングとを具備し、前記ミスト捕捉リングは、廃液路の円周方向に沿う環状のリング体と、前記リング体の円周方向に等間隔に設けられた複数の気流誘導片とを備え、前記気流誘導片によって廃液路内の気流を被処理基板の回転方向に導くと共に、ミスト捕捉リングに廃液のミストを付着させ、廃液路内において廃液を排気とを分離することを特徴としている。
【0026】
このように構成されているため、基板処理時に被処理基板を回転させると、廃液路内に鉛直面内でスパイラル気流が発生し、廃液路内において廃液と排気とが分離する。この場合、廃液の一部が細かなミストになっても、ミストがミスト捕捉リングに衝突して付着する。
したがって、基板処理時にミストが排気気体に混入しないため、排気ダクト内面のミストの付着を抑制でき、ミストの固化物である堆積物の付着を防止することができる。これにより、排気ダクト内の排気性の悪化、あるいはパーティクルの増加を抑制でき、良好な膜形成を行うことができる。
【0027】
ここで、前記気流誘導片は、前記リング本体の内側に突出する水平部と、前記水平部の下側に折曲する垂直部と、この垂直部の内側に折曲する傾斜部とを備えていることが望ましい。このように構成されているため、廃液路内における排気の流れが気流誘導片によって促進され、排気圧損が低減される。
また前記リング本体には、前記リング本体の円周方向にかつ等間隔に、複数の取付片が廃液路の底面に対向して設けられ、前記取付片によって気流を水平方向に向かうように規制することが望ましい。
更に、前記廃液路内の底面に、廃液を廃液口側に誘導する傾斜部を配設したことが望ましい。このように構成されているため、廃液が傾斜部に沿って廃液口側に誘導される。
【0028】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る基板処理装置につき、図1〜図6に示す第一の実施の形態に基づいて説明する。図1は、本発明の第一の実施形態に係る基板処理装置の内部構造を示す断面図である。図2は、本発明の第一の実施形態に係る基板処理装置の外観を示す斜視図である。図3および図4は、本発明の第一の実施形態に係る基板処理装置における外カップの一部を示す断面図と斜視図である。図5は、本発明の第一の実施形態に係る基板処理装置における内カップの全体を示す斜視図である。図6は、本発明の第一の実施形態に係る基板処理装置の排気ダクトを示す断面図である。
【0029】
図1において、符号1で示す基板処理装置は、ウエハWに対して所定の塗布処理を施すための塗布処理装置からなり、保持・回転手段2およびカップ3を備えている。
前記保持・回転手段2は、ウエハWを真空吸着によって水平に保持するスピンチャック4およびこのスピンチャック4を高速回転させる駆動モータ5を有している。
前記スピンチャック4は、前記駆動モータ5に支軸6を介して連結され、支軸6(鉛直軸)の回りに回転するように構成されている。このスピンチャック4の上方には、ウエハWに対して処理液を供給する処理液供給ノズル(図示せず)が配設されている。
【0030】
前記駆動モータ5は、例えばパルスモータからなり、前記スピンチャック4の下方に配設されている。
なお、前記駆動モータ5による前記スピンチャック4の回転速度は任意に制御可能となっている。
【0031】
一方、前記カップ3は、外カップ3aおよび内カップ3bからなり、前記保持・回転手段2の周囲に配設されている。
前記外カップ3aは、天井部8と底面部9および中間部10とを有している。
前記天井部8は、前記外カップ3aのカップ上部を構成し、平面円形部材によって形成されている。その中央位置には、前記駆動モータ5の軸線方向に開口する貫通窓8aが設けられている。
【0032】
前記底面部9は、前記外カップ3aのカップ下部を構成し、全体が図3および図4に示すような環状部材によって形成されている。この底面部9には、上方に開口する環状の廃液路11が設けられている。これにより、スピンチャック4上のウエハWから周囲に飛散する処理済み液を廃液として廃液路11内に回収するように構成されている。
【0033】
前記廃液路11は、相互に対向する内外二つの周壁11a,11bおよびこれら内外両周壁11a,11bに接続する連結部11cからなる断面略コ字状の凹溝によって形成されている。
前記内周壁11aは前記内カップ3b(壁部)と共に排気路を形成し、その高さ寸法が前記外周壁11bの高さ寸法より大きく設定されている。
【0034】
前記外周壁11bの内面部には、前記廃液路11に連通する排出口12(図2に図示)およびこの排出口12にミストを誘導するための凹部13(溝幅1mm〜5mm程度のガイド溝)が上下方向に二個並列して設けられている。
なお、前記凹部13としては、上下方向に二個並列するガイド溝である場合について説明したが、一端が排出口12に向かった螺旋状のガイド溝であってもよい。この場合、ミストが廃液路11の外周壁11bに沿って排出口12に円滑に誘導される。
【0035】
また、前記外周壁11bには、図3に示すように、円周方向に等間隔をもって並列する例えば直径5mm程度の開口部14が複数、例えば8個設けられている。これは、カップ内を排気する作用(排気圧力)により、スピンチャック4上のウエハWの回転方向に沿うような方向に、カップ外の気体を廃液路11内に開口部から流速を高めて導入し、廃液路11内に発生するサイクロン気流の流速を高めるために設けられている。
なお、サイクロン気流の流速は、例えばウエハWの回転数を1500rpmとするとともに、カップ内の排気量を2リットル/分とすると、8〜9m/秒に設定される。
また、この開口部に図示しない配管を接続して、排気に影響を及ぼさない程度の圧力の気体を導入させてもよい。また、開口部は上下方向に夫々角度を設けてもよい。
【0036】
さらに、前記外周壁11bには、図2に示すように、前記排出口12に連通するミスト回収箱15がミストダクト16を介して取り付けられている。
このミスト回収箱15内には、吸引装置(図示せず)に至る漏斗状の流通路(図示せず)が設けられ、逆流の防止が図られている。これら排出口12、ミスト回収箱15、ミストダクト16は必ずしも設ける必要はないが、カップ以外でミストが流出する排気ダクト22のミスト固化物の付着をより抑制するためには、設けることが好ましい。
【0037】
前記連結部11cには、前記廃液路11に連通する廃液口17が設けられている。これにより、前記廃液路11内に回収された廃液を廃液口17から廃液ダクト(図示せず)を介してカップ外に排出するように構成されている。
【0038】
また前記中間部10は、前記外カップ3aのカップ中間部を構成し、全体が環状部材によって形成されている。この中間部10の内面には、カップ内に突出する整流部18が設けられている。これにより、内カップ3bの整流部19と共にスピンチャック4上のウエハWからの廃液を廃液路11内に誘導するように構成されている。
【0039】
一方、前記内カップ3bは、前記外カップ3aの内側に前記外周壁11bから例えば1〜2mm程度離間して配設され、図5に示すような環状部材によって形成されている。この内カップ3bは、前記廃液路11内にウエハWからの廃液を誘導する截頭円錐形状の整流部19および前記廃液路11に連通する排気路20を形成するための円筒形状の壁部21を有している。
【0040】
また、前記整流部19の外周縁には、円周方向に所定の間隔をもって並列する多数の切り欠き19aが設けられている。これにより、ウエハWの回転によって前記廃液路11内にサイクロン気流を発生させるように構成されている。これら各切り欠き19aは、前記駆動モータ5の回転方向の回転軸線に対してθ(30°〜60°)傾斜する方向に開口する凹溝によって形成されている。これにより、カップ内排気流を斜めに規制すると共に処理中の基板回転方向に伴って発生する気流を規制することにより廃液路11内におけるサイクロン気流の発生を促進するように構成されている。
【0041】
また、前記壁部21は、前記廃液路11の内周壁11aに所定の間隔(排気路20の路幅)をもって対向し、前記内カップ3bの基部に一体に設けられている。この壁部21の下方には、前記排気路20からの排気気体をカップ外に排出するための排気ダクト22が配設されている。
前記排気ダクト22は、前記排気路20に連通する環状の第一流通部22aと、この第一流通部22aに連通する円筒状の第二流通部22bとを有している。
【0042】
前記第一流通部22a内には、前記廃液路11における底面部に当接する円周方向に延設された仕切壁23が配設されている。この仕切壁23は、図6に示すように、中心角を所定の角度2α(例えばα=110°)とする円弧に沿う湾曲壁からなり、前記第二流通部22bの流路軸線に関して対称となるような位置に配置されている。
また、前記仕切壁23中央の外周部近傍(外側)には、前記第一流通部22aの排気口22Aが配置されている。
【0043】
そして、前記排気ダクト22の第一流通部22a内においては、仕切壁23の内周部と第一流通部22aの内周壁との間に形成された領域aに流動する排気流が、第一流通部22aの内外両周壁間に形成された領域bを経て、仕切壁23の外周部と第一流通部22aの外周壁との間に形成された領域cに向かうように構成されている。
これにより、排気路20内から排気ダクト22の第一流通部22aに流動する排気流が排気口22Aを介して第二流通部22bに円滑に誘導される。特に、排気ダクト22の第一流通部22a内に周方向に延設された仕切壁23が配設されているため、第一流通部22aの排気口22Aに近い部分のみ排気するという弊害を防止できる。
【0044】
なお、前記第二流通部22bには、前記排気路20から前記第一流通部22a内の領域a〜c、あるいは領域b、cを経て、前記排気口22Aに向かう排気流を形成するための排気ポンプ(図示せず)が接続されている。
【0045】
以上の構成により、基板処理時にウエハWを回転させると、ウエハWの表面上から処理済み液が廃液としてウエハWの周囲に飛散し、両整流部18,19間を流下する。そして、廃液が整流部19の切り欠き19a内を通過すると、廃液路11内でサイクロン気流に乗って外周壁11bに衝突する。
この際、廃液の一部が細かなミストとなっても、ミストが廃液路11の外周壁11bに衝突,付着して、次第にミスト径が大きくなり、滴となって廃液中に落下する。
一方、排気気体は、排気路20に流入し、前記排気路20から前記第一流通部22aの領域a〜c、あるいは領域b、cを経て、前記第2流通部22bから排出される。
【0046】
したがって、本実施形態においては、基板処理時にミストの排気気体への混入が抑制されるため、排気ダクト22のミスト固化物の付着を防止することができる。これにより、排気ダクト22の排気性の悪化、あるいはパーティクルの増加を抑制でき、良好な膜形成を行うことができる。
【0047】
なお、廃液路11(外周壁11b)に衝突後における廃液は、廃液路11内(連結部11c)に流下し、廃液口17から廃液ダクト(図示せず)を介してカップ外に排出される。
また、外周壁11bに付着したミストは、前記したように、凹部13によってミストが集合しミスト径が大きくなり、廃液中に落下する。このように排気気体に含まれるミストの大部分は除去される。しかし、該ミストを廃液路の外周壁に衝突させても、完全にミストを除去することができないため、ミストを含んだ気体を、排気路とは別の前記外カップの外周壁に形成された排出口12から排出する。該ミストは、排出口12からミスト回収箱15内にミストダクト16を介して回収され、排気ダクトのミストの付着が抑制される。
【0048】
次に、本発明が適用された基板処理装置につき、図7〜図9を用いて説明する。図7は、本発明の第二の実施形態に係る基板処理装置の内部構造を示す断面図である。図8は、本発明の第二の実施形態に係る基板処理装置の廃液貯留部を示す斜視図である。図9は、本発明の第二の実施形態に係る基板処理装置の要部を拡大して示す断面図である。これら図7〜図9において、図1と同一の部材については同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【0049】
図7において、符号51で示す基板処理装置は、前記基板処理装置1と同様、ウエハWに対して所定の塗布処理を施すための塗布処理装置からなり、前記保持・回転手段2およびカップ52を備えている。
【0050】
前記カップ52は、天井部53と底面部54および中間部55とを有し、前記保持・回転手段2の周囲に配設されている。このカップ52内には、カップ内周部からカップ外周部に向かって下る勾配をもつ整流板56が配設されている。
前記天井部53は、前記カップ52のカップ上部を構成している。その中央位置には、前記駆動モータ5の軸線方向に開口する貫通窓53aが設けられている。
【0051】
前記底面部54は、前記カップ52のカップ下部を構成し、環状部材によって形成されている。この底面部54には、上方に開口する環状の廃液貯留部57が設けられている。これにより、スピンチャック4上のウエハWから周囲に飛散する処理済み液を廃液として廃液貯留部57内に貯留するように構成されている。
【0052】
また、前記底面部54には、図8に示すように、円周方向に等間隔をもって並列する二つの第一排気ダクト58,59が配設されている。これら排気ダクト58,59は、前記廃液貯留部57内の上方領域から排気気体を導出するための排気口58a,59aを有し、全体が円筒体によって形成されている。
【0053】
さらに、前記底面部54には、図8、9に示すように、前記両第一排気ダクト58,59の周方向の略中間に廃液ダクト60が配設されている。この廃液ダクト60は、前記廃液貯留部57内の上方領域から廃液を排出する排出口60aを有し、その上部60bに円筒状のフロート部材が形成されている。
そして、前記廃液ダクト60は浮力により、前記廃液貯留部57内における廃液の液位によって高さ位置が可変するように構成されている。
なお、前記廃液ダクト60の上方への移動は、所定の高さ位置においてストッパ61によって規制される。
【0054】
前記廃液貯留部57は、相互に対向する内外二つの周壁57a,57bおよびこれら内外両周壁57a,57bに接続する連結部57cからなる断面略コ字状の凹溝によって形成されている。
この廃液貯留部57における内周壁57aの先端面には、前記整流板56が一体に設けられている。また、前記廃液貯留部57内の底面(連結部57c)には、図7に示すように、廃液を廃液ダクト側に誘導する傾斜部62が設けられている。
【0055】
また、前記中間部55は、前記カップ52のカップ中間部を構成し、環状部材によって形成されている。この中間部55の内面には、カップ内に突出する整流部63が設けられている。
これにより、前記整流板56と共にスピンチャック4上のウエハWからの廃液を廃液貯留部57内に誘導し、ウエハWの回転方向と同じ向きの鉛直面内でスパイラル気流を発生させるように構成されている。
【0056】
一方、前記カップ52の下方には、前記両第一排気ダクト58,59からの排気をカップ外に排出するための第二排気ダクト64が配設されている。この第二排気ダクト64は、前記第一排気ダクト58,59に連通する横断面略Y字状の第一流通部64aと、この第一流通部64aに連通する円筒状の第二流通部64bとを有している。前記第二排気ダクト64には、前記第一流通部64aから前記第二流通部64bに向かう排気流を形成するための排気ポンプ(図示せず)が接続されている。
【0057】
以上の構成により、基板処理時にウエハWを回転させると、廃液貯留部57内に鉛直面内でスパイラル気流が発生し、廃液貯留部57内において廃液と排気とが分離する。
この場合、ウエハWが回転すると、ウエハWの表面上から処理済み液が廃液としてウエハWの周囲に飛散し、整流板56と整流部63との間を流下する。そして、廃液が廃液貯留部57内に流動して貯留される。この際、廃液の一部が細かなミストとなっても、ミストが廃液貯留部57内でスパイラル気流に乗って廃液貯留部57内の廃液に複数回衝突し、吸収される。
【0058】
したがって、本実施形態においては、基板処理時にミストが排気気体に混入しないため、第一排気ダクト58,59および第二排気ダクト64内面のミスト固化物の付着を抑制できる。
これにより、第一排気ダクト58,59および第二排気ダクト64内の排気性悪化、あるいはパーティクルの増加を抑制でき、良好な膜形成を行うことができる。
【0059】
なお、廃液貯留部57内に所定量の廃液が貯留すると、廃液ダクト60の上方への移動がストッパ61によって規制され、廃液ダクト69が所定の高さ位置に配置される。この状態において、廃液貯留部57内に廃液がさらに流入すると、導入口60aから廃液ダクト60を介してカップ外に排出される。
一方、廃液貯留部57内の排気は、廃液貯留部57から第一排気ダクト58,59を介して第二排気ダクト64内に流動してカップ外に排出される。
【0060】
また、本実施形態においては、廃液ダクト60を移動ダクトによって形成する場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、固定ダクトによって形成しても勿論よい。この場合、廃液貯留部内に常に廃液を貯留し得るような高さ位置に固定ダクトが配設される。また、メンテナンス時に廃液貯留部内の廃液を外部に排出する必要があるため、廃液貯留部の底面部に貫通孔を設け、この貫通孔内に栓体を着脱自在に取り付けることが望ましい。
【0061】
次に、本発明が適用された基板処理装置につき、図10〜図13を用いて説明する。図10は、本発明の第三の実施形態に係る基板処理装置の内部構造を示す断面図である。図11は、本発明の第三の実施形態に係る基板処理装置の要部を拡大して示す断面図である。図12は、本発明の第三の実施形態に係る基板処理装置の廃液路を示す斜視図である。図13は、本発明の第三の実施形態に係る基板処理装置のミスト捕捉部材を示す斜視図である。これら図10〜図13において、図7〜図9と同一の部材については同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【0062】
図10において、符号71で示す基板処理装置は、前記基板処理装置1、51と同様、ウエハWに対して所定の塗布処理を施すための塗布処理装置からなり、前記保持・回転手段2およびカップ72を備えている。
前記カップ72は、天井部53と底面部73および中間部55とを有し、前記保持・回転手段2の周囲に配設されている。このカップ72内には、カップ内周部からカップ外周部に向かって下る勾配をもつ前記整流板56が配設されている。
【0063】
前記底面部73は、前記カップ72のカップ下部を構成し、環状部材によって形成されている。この底面部73には、上方に開口する環状の廃液路74が設けられている。これにより、前記スピンチャック4上のウエハWから周囲に飛散する処理済み液を廃液として回収するように構成されている。
【0064】
また、前記底面部73には、図12に示すように、周方向に等間隔をもって並列する二つの第一排気ダクト58,59が配設されている。これら第一排気ダクト58,59は、前記廃液路74内の上方領域から排気気体を導出するための排気口58a,59aを有し、円筒体によって形成されている。さらに、前記底面部73には、前記両第一排気ダクト58,59の周方向の略中間に廃液口75が設けられている。
【0065】
前記廃液路74は、相互に対向する内外二つの周壁74a,74bおよびこれら内外両周壁74a,74bに接続する連結部74cからなる断面略コ字状の凹溝によって形成されている。この廃液路74内の底面(連結部74c)には、図10および図11に示すように、廃液を廃液口75側に誘導する傾斜部76が設けられている。また、前記廃液路74内には、板金等からなるミスト捕捉リング77が配設されている。
【0066】
前記ミスト捕捉リング77は、図13,図14に示すように、前記廃液路74の円周方向に沿う環状のリング本体78と、このリング本体78の円周方向に等間隔をもって並列する多数の気流誘導片79とからなり、前記廃液路74内に発生するスパイラル気流を受けてミストを捕捉するように構成されている。
前記リング本体78は、円周方向に等間隔をもって水平方向に向かうように気流を規制させる並列する多数の取付片80を有し、前記連結部74cの外周部(底面)に対向する位置に配置されている。
【0067】
前記気流誘導片79は、前記リング本体78の内側に突出する水平部81と、この水平部81の下側に折曲する垂直部82と、この垂直部82の内側に折曲する傾斜部83とを有し、前記リング本体78に一体に設けられている。そして、図14に矢印で示すように前記スパイラル気流をウエハWの回転方向に導くように構成されている。これにより、廃液路74内における排気の流れが促進され、排気圧損が低減される。
【0068】
以上の構成により、基板処理時にウエハWを回転させると、廃液路74内に鉛直面内でスパイラル気流が発生し、廃液路74内において廃液と排気とが分離する。
この場合、ウエハWが回転すると、ウエハWの表面上から処理済み液が廃液としてウエハWの周囲に飛散し、整流板56と整流部63との間を流下して廃液路74内に流入する。この際、廃液の一部が細かなミストとなっても、ミストがミスト捕捉リング77のリング本体78および気流誘導片79に衝突して付着し、廃液滴となって、傾斜部76に落下する。そして、廃液路74内に流入した廃液は、廃液口75から廃液ダクト(図示せず)を介してカップ外に排出される。
一方、廃液路74内の排気気体は、廃液路74から第一排気ダクト58,59を介して第二排気ダクト64内に流動し、カップ外に排出される。
【0069】
したがって、本実施形態においては、基板処理時にミストの排気気体への混入が抑制されるため、第一排気ダクト58,59および第二排気ダクト64のミスト固化物の付着を抑制できる。
これにより、第一排気ダクト58,59および第二排気ダクト64内の排気性の悪化、あるいはパーティクルの増加を抑制でき、良好な膜形成を行うことができる。
【0070】
上記第一〜第三の実施形態においては、被処理基板がウエハWである場合について説明したが、これに限定されず、例えばLCD基板やCD等の他の基板であってもよい。
【0071】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなとおり、本発明に係る基板処理装置によると、カップ内における良好な排気流動性を維持でき、良好な膜形成を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第一の実施形態に係る基板処理装置の内部構造を示す断面図である。
【図2】本発明の第一の実施形態に係る基板処理装置の外観を示す斜視図である。
【図3】本発明の第一の実施形態に係る基板処理装置における外カップの一部を示す断面図である。
【図4】本発明の第一の実施形態に係る基板処理装置における外カップの一部を示す斜視図である。
【図5】本発明の第一の実施形態に係る基板処理装置における内カップの全体を示す斜視図である。
【図6】本発明の第一の実施形態に係る基板処理装置における排気ダクトを示す断面図である。
【図7】本発明の第二の実施形態に係る基板処理装置の内部構造を示す断面図である。
【図8】本発明の第二の実施形態に係る基板処理装置の廃液貯留部を示す斜視図である。
【図9】本発明の第二の実施形態に係る基板処理装置の要部を拡大して示す断面図である。
【図10】本発明の第三の実施形態に係る基板処理装置の内部構造を示す断面図である。
【図11】本発明の第三の実施形態に係る基板処理装置の要部を拡大して示す断面図である。
【図12】本発明の第三の実施形態に係る基板処理装置の廃液路を示す斜視図である。
【図13】本発明の第三の実施形態に係る基板処理装置のミスト捕捉部材を示す斜視図である。
【図14】図13に示したミスト捕捉部材の要部拡大図である。
【図15】従来の基板処理装置を示す断面図である。
【符号の説明】
1 基板処理装置
2 保持・回転手段
3 カップ
3a 外カップ
3b 内カップ
4 スピンチャック
5 駆動モータ
6 支軸
8 天井部
8a 貫通窓
9 底面部
10 中間部
11 廃液路
11a 内周壁
11b 外周壁
11c 連結部
12 排出口
13 凹部
14 開口部
15 ミスト回収箱
16 ミストダクト
17 廃液口
18,19 整流部
19a 切り欠き
20 排気路
21 壁部
22 排気ダクト
22a 第一流通部
22A 排気口
22b 第二流通部
23 仕切壁
W ウエハ[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a substrate processing apparatus used when a predetermined processing is performed on a substrate to be processed such as a semiconductor wafer or an LCD substrate.
[0002]
[Prior art]
In a semiconductor device manufacturing process, for example, a dielectric film (coating film) such as an interlayer insulating film is formed by using a SOD (spin on dielectric) system and applying a coating liquid to a semiconductor wafer (hereinafter referred to as “wafer”). A method of performing physical treatment such as heating after coating is known.
Here, in order to apply a coating solution (a processing solution for forming a coating film), the coating solution is generally dropped on a substantially central portion of a wafer that is stopped or rotated, and then the wafer is rotated at a predetermined rotational speed. Thus, the coating liquid is diffused over the entire surface of the wafer.
[0003]
Conventionally, as a substrate processing apparatus used in this type of spin coating method, for example, an apparatus configured as shown in FIG. 15 is known. This substrate processing apparatus will be described with reference to FIG. 15. In FIG. 15, a substrate processing apparatus denoted by
[0004]
A through window 122a that opens to the inside and outside of the cup is disposed at the center of the upper surface of the
[0005]
The
[0006]
In order to perform processing with the processing liquid (substrate processing) on the wafer W using such a
[0007]
In this case, when the processing liquid is supplied to the wafer W, most of the processing liquid (processed liquid) is scattered around the wafer W by the centrifugal force accompanying the rotation of the wafer W and collides with the inner surface of the peripheral wall of the
[0008]
On the other hand, when clean air is supplied into the
[0009]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, the above-described substrate processing apparatus does not have a function of separating waste liquid and clean air (exhaust gas), and therefore, a part of the waste liquid becomes mist during the substrate processing and is mixed into the exhaust gas. Mist adhered to the inner surface of the exhaust duct and solidified.
As a result, the deposit in which the mist has solidified deteriorates the exhaustability in the exhaust duct, which not only increases the number of times of duct cleaning, but also deteriorates the fluidity of the exhaust in the cup. In addition, particles may increase due to deposits that solidify the mist.
Due to these problems, the conventional substrate processing apparatus has a problem that a satisfactory film cannot be formed.
[0010]
The present invention has been made to solve such a technical problem, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of maintaining good exhaust fluidity in a cup and forming good film. And
[0011]
[Means for Solving the Problems]
A substrate processing apparatus according to the present invention, which has been made to achieve the above object, is provided with holding / rotating means for holding a substrate to be processed horizontally and rotating it around a vertical axis, and arranged around the holding / rotating means. And scattered from above the substrate to be processed.Treatment liquidAn outer cup having an annular waste liquid path for recovering as a waste liquid, an inner cup disposed inside the outer cup and having a rectifier for guiding the waste liquid in the waste liquid path, and exhausting the waste liquid path An exhaust passage,A plurality of cutouts arranged at predetermined intervals in the circumferential direction on the outer peripheral edge of the inner cup rectification unit, and the cutouts are provided to be inclined in the rotation direction with respect to the rotation axis of the holding / rotating means. It is characterized by having.
[0012]
With this configuration, when the substrate to be processed is rotated during substrate processing, a cyclone air current is generated in the waste liquid path, and the waste liquid and the exhaust are separated by the centrifugal separation action. In this case, even if a part of the waste liquid becomes fine mist, the mist collides with and adheres to the outer peripheral wall of the waste liquid path, and gradually increases in mist diameter and falls to the waste liquid path.
Therefore, the ratio of the mist mixed into the exhaust gas during substrate processing is suppressed, and adhesion of mist to the inner surface of the exhaust duct can be suppressed.
Thereby, the deterioration of the exhaust property of an exhaust duct or the increase in a particle can be suppressed, and favorable film formation can be performed.
[0013]
Here, it is desirable that the exhaust path is formed by a gap between the wall portion of the inner cup and the inner peripheral wall portion of the outer cup.
Thus, an exhaust path can be easily formed by using the gap between the wall part of the inner cup and the inner peripheral wall part of the outer cup as an exhaust path. Further, since the exhaust passage is formed by a gap between the wall portion of the inner cup and the inner peripheral wall portion of the outer cup, only the exhaust gas separated by the centrifugal separation action of the cyclone airflow can be discharged. .
The exhaust path may be formed in either the inner cup or the outer cup.
[0014]
Further, it is desirable that the notch is formed by a concave groove that opens in a direction inclined by 30 ° to 60 ° with respect to the rotation axis of the holding / rotating means. Since it is comprised in this way, generation | occurrence | production of the cyclone airflow in a waste liquid path is accelerated | stimulated.
[0015]
Moreover, it is desirable to provide an opening for introducing an airflow from the outside of the outer cup on the outer peripheral wall of the waste liquid path. Since it is configured in this manner, the airflow outside the cup is introduced into the waste liquid path from the opening in the direction along the rotation direction of the substrate to be processed, and the flow velocity of the cyclone airflow generated in the waste liquid path is increased.
[0016]
Furthermore, an exhaust duct having a first circulation part communicating with the exhaust passage and a second circulation part communicating with the first circulation part is disposed below the inner and outer cups, and the inside of the first circulation part of the exhaust duct is arranged. In addition, it is desirable that a partition wall extending in the circumferential direction is disposed, and an exhaust port of the first circulation portion is disposed outside the partition wall.
Since it is configured in this way, in the first flow part of the exhaust duct, the exhaust flow flowing into the region formed between the inner peripheral part of the partition wall and the inner peripheral wall of the first flow part is the first flow part. It goes to the area | region formed between the outer peripheral part of a partition wall, and the outer peripheral wall of a 1st flow part through the area | region formed between the inner and outer peripheral walls of a distribution | circulation part. Thereby, the exhaust flow flowing into the first circulation part from the inside of the exhaust passage is smoothly guided to the second circulation part through the exhaust port. In particular, since the partition wall extending in the circumferential direction is disposed in the first flow part of the exhaust duct, it is possible to prevent the adverse effect of exhausting only the part close to the exhaust port of the first flow part.
[0017]
In addition, it is desirable that the partition wall is formed at least half a circumference of the first flow part of the exhaust duct. Thereby, exhaust gas can be introduce | transduced into a 1st distribution part from the whole exhaust path.
[0018]
Further, it is desirable that a guide groove is disposed on the outer peripheral wall of the waste liquid path. As described above, since the guide groove is disposed on the outer peripheral wall of the waste liquid path, the mist collides with and adheres to the outer peripheral wall of the waste liquid path, and the mist diameter gradually increases in the guide groove. Fall.
The guide groove may be spirally disposed on the outer peripheral wall of the waste liquid path, and a plurality of the guide grooves may be disposed in parallel in the vertical direction on the outer peripheral wall of the waste liquid path.
[0019]
Moreover, it is desirable to arrange | position a discharge port in the outer peripheral wall of the said outer cup, and to discharge mist from the said discharge port.
The mist collides with and adheres to the outer peripheral wall of the waste liquid path, and the mist diameter gradually increases in the guide groove and falls into the waste liquid path. Thus, most of the mist contained in the exhaust gas is removed.
However, even if the mist collides with the outer peripheral wall of the waste liquid path, the mist cannot be completely removed, so that exhaust gas containing mist is formed on the outer peripheral wall of the outer cup different from the exhaust path. By discharging from the exhaust port, adhesion of mist in the exhaust duct may be suppressed.
[0025]
The substrate processing apparatus according to the present invention includes a holding / rotating unit that horizontally holds a substrate to be processed and rotates it around a vertical axis, and is disposed around the holding / rotating unit. Splash aroundTreatment liquidA cup with an annular waste channel for recovery as waste fluid;A substrate processing apparatus comprising: an exhaust port for leading exhaust gas from an upper region in the annular waste liquid path; a waste liquid port for discharging waste liquid in the waste liquid path; and a circumferential direction of the waste liquid path A mist capturing ring provided along the circumferential direction of the waste liquid path, and a plurality of air currents provided at equal intervals in the circumferential direction of the ring body. A guide piece, and guides the air flow in the waste liquid path in the direction of rotation of the substrate to be processed by the air flow guide piece, attaches the mist of the waste liquid to the mist capturing ring, and separates the waste liquid from the exhaust in the waste liquid path TheIt is a feature.
[0026]
With this configuration, when the substrate to be processed is rotated during substrate processing, a spiral air flow is generated in the vertical plane in the waste liquid path, and the waste liquid and the exhaust are separated in the waste liquid path. In this case, even if a part of the waste liquid becomes a fine mist,Mist catch ringIt collides with and adheres.
Accordingly, since mist is not mixed into the exhaust gas during substrate processing, adhesion of mist on the inner surface of the exhaust duct can be suppressed, and adhesion of deposits that are solidified mist can be prevented. Thereby, the deterioration of the exhaust property in an exhaust duct or the increase in a particle can be suppressed, and favorable film formation can be performed.
[0027]
Here, the air flow guide piece includes a horizontal portion protruding inside the ring body, a vertical portion bent below the horizontal portion, and an inclined portion bent inside the vertical portion. It is desirable. Since it is configured in this way, the flow of exhaust gas in the waste liquid passage is promoted by the air flow guide piece, and exhaust pressure loss is reduced.
The ring body is provided with a plurality of mounting pieces facing the bottom surface of the waste liquid path at equal intervals in the circumferential direction of the ring body, and the mounting pieces regulate the air flow in the horizontal direction. It is desirable.
Furthermore, it is desirable that an inclined portion for guiding the waste liquid to the waste liquid outlet side is disposed on the bottom surface in the waste liquid path. Since it is configured in this way, the waste liquid is guided to the waste liquid outlet side along the inclined portion.
[0028]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, a substrate processing apparatus according to the present invention will be described based on a first embodiment shown in FIGS. FIG. 1 is a cross-sectional view showing the internal structure of the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a perspective view showing an appearance of the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention. 3 and 4 are a cross-sectional view and a perspective view showing a part of the outer cup in the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention. FIG. 5 is a perspective view showing the entire inner cup in the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention. FIG. 6 is a cross-sectional view showing an exhaust duct of the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
[0029]
In FIG. 1, a substrate processing apparatus denoted by reference numeral 1 includes a coating processing apparatus for performing a predetermined coating process on a wafer W, and includes a holding / rotating
The holding / rotating
The
[0030]
The
The rotational speed of the
[0031]
On the other hand, the
The outer cup 3 a has a
The
[0032]
The
[0033]
The
The inner peripheral wall 11a forms an exhaust passage together with the
[0034]
A discharge port 12 (shown in FIG. 2) communicating with the
In addition, although the said recessed
[0035]
Further, as shown in FIG. 3, the outer
The flow rate of the cyclone air flow is set to 8 to 9 m / second, for example, when the rotational speed of the wafer W is 1500 rpm and the exhaust amount in the cup is 2 liters / minute.
Further, a pipe (not shown) may be connected to the opening to introduce a gas having a pressure that does not affect the exhaust. Further, the opening may be provided with an angle in the vertical direction.
[0036]
Further, as shown in FIG. 2, a
In the
[0037]
The connecting portion 11 c is provided with a
[0038]
Moreover, the said
[0039]
On the other hand, the
[0040]
In addition, on the outer peripheral edge of the rectifying
[0041]
The
The
[0042]
A
In addition, an
[0043]
And in the
Thereby, the exhaust flow flowing from the
[0044]
The
[0045]
With the above configuration, when the wafer W is rotated during substrate processing, the processed liquid scatters around the wafer W as waste liquid from the surface of the wafer W and flows down between the rectifying
At this time, even if a part of the waste liquid becomes a fine mist, the mist collides with and adheres to the outer
On the other hand, the exhaust gas flows into the
[0046]
Therefore, in this embodiment, since mixing of the mist into the exhaust gas during the substrate processing is suppressed, adhesion of the mist solidified product in the
[0047]
In addition, the waste liquid after colliding with the waste liquid path 11 (outer
Further, as described above, the mist adhering to the outer
[0048]
Next, a substrate processing apparatus to which the present invention is applied will be described with reference to FIGS. FIG. 7 is a sectional view showing the internal structure of the substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention. FIG. 8 is a perspective view showing a waste liquid storage part of the substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention. FIG. 9 is an enlarged cross-sectional view showing a main part of the substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention. 7 to 9, the same members as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
[0049]
In FIG. 7, the substrate processing apparatus denoted by
[0050]
The
The
[0051]
The
[0052]
Further, as shown in FIG. 8, two
[0053]
Further, as shown in FIGS. 8 and 9, a
The height of the
The upward movement of the
[0054]
The waste
The rectifying
[0055]
The
As a result, the waste liquid from the wafer W on the
[0056]
On the other hand, below the
[0057]
With the above configuration, when the wafer W is rotated during substrate processing, a spiral air flow is generated in the vertical plane in the waste
In this case, when the wafer W rotates, the processed liquid scatters around the wafer W as waste liquid from the surface of the wafer W and flows down between the rectifying
[0058]
Therefore, in this embodiment, since mist is not mixed with exhaust gas at the time of substrate processing, adhesion of mist solidified substances on the inner surfaces of the
Thereby, it is possible to suppress the deterioration of exhaustability in the
[0059]
When a predetermined amount of waste liquid is stored in the waste
On the other hand, the exhaust gas in the waste
[0060]
Further, in the present embodiment, the case where the
[0061]
Next, a substrate processing apparatus to which the present invention is applied will be described with reference to FIGS. FIG. 10 is a cross-sectional view showing the internal structure of the substrate processing apparatus according to the third embodiment of the present invention. FIG. 11 is an enlarged cross-sectional view showing the main part of the substrate processing apparatus according to the third embodiment of the present invention. FIG. 12 is a perspective view showing the waste liquid path of the substrate processing apparatus according to the third embodiment of the present invention. FIG. 13 is a perspective view showing a mist capturing member of the substrate processing apparatus according to the third embodiment of the present invention. 10 to 13, the same members as those in FIGS. 7 to 9 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
[0062]
In FIG. 10, a substrate processing apparatus denoted by reference numeral 71 is a coating processing apparatus for performing a predetermined coating process on the wafer W, similar to the
The
[0063]
The
[0064]
Further, as shown in FIG. 12, two
[0065]
The
[0066]
As shown in FIGS. 13 and 14, the
The
[0067]
The
[0068]
With the above configuration, when the wafer W is rotated during the substrate processing, a spiral air flow is generated in the vertical direction in the
In this case, when the wafer W rotates, the processed liquid is scattered as waste liquid around the wafer W from the surface of the wafer W, flows down between the rectifying
On the other hand, the exhaust gas in the
[0069]
Therefore, in this embodiment, since the mixing of the mist into the exhaust gas during the substrate processing is suppressed, the adhesion of the mist solidified product in the
Thereby, deterioration of the exhaustability in the
[0070]
In the first to third embodiments, the case where the substrate to be processed is the wafer W has been described. However, the present invention is not limited to this, and may be another substrate such as an LCD substrate or a CD.
[0071]
【The invention's effect】
As is apparent from the above description, according to the substrate processing apparatus of the present invention, good exhaust fluidity in the cup can be maintained and good film formation can be performed.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an internal structure of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a perspective view showing an appearance of the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a part of the outer cup in the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a perspective view showing a part of the outer cup in the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a perspective view showing the entire inner cup in the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a cross-sectional view showing an exhaust duct in the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a cross-sectional view showing an internal structure of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a perspective view showing a waste liquid storage part of the substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention.
FIG. 9 is an enlarged cross-sectional view showing a main part of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a cross-sectional view showing an internal structure of a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 11 is an enlarged cross-sectional view showing a main part of a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 12 is a perspective view showing a waste liquid path of a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 13 is a perspective view showing a mist capturing member of a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.
14 is an enlarged view of a main part of the mist capturing member shown in FIG.
FIG. 15 is a cross-sectional view showing a conventional substrate processing apparatus.
[Explanation of symbols]
1 Substrate processing equipment
2 Holding and rotating means
3 cups
3a outer cup
3b inner cup
4 Spin chuck
5 Drive motor
6 Support shaft
8 Ceiling
8a Through window
9 Bottom
10 Middle part
11 Waste liquid path
11a Inner wall
11b Outer wall
11c connecting part
12 Discharge port
13 recess
14 opening
15 Mist collection box
16 Mist duct
17 Waste outlet
18, 19 Rectifier
19a cutout
20 Exhaust passage
21 Wall
22 Exhaust duct
22a First Distribution Department
22A Exhaust port
22b Second Distribution Department
23 partition wall
W wafer
Claims (15)
前記保持・回転手段の周囲に配設され、前記被処理基板上から周囲に飛散する処理液を廃液として回収するための環状の廃液路を有する外カップと、
前記外カップの内側に配設され、前記廃液路内に廃液を誘導する整流部を有する内カップと、
前記廃液路内を排気する排気路とを備え、
前記内カップ整流部の外周縁に周方向に所定の間隔をもって配置される複数の切り欠きとを備え、
前記切り欠きは、保持・回転手段の回転軸線に対して回転方向に傾斜して設けられていることを特徴とする基板処理装置。 Holding / rotating means for holding the substrate to be processed horizontally and rotating it around the vertical axis;
An outer cup having an annular waste liquid path disposed around the holding / rotating means and for collecting a processing liquid scattered around from the substrate to be processed as a waste liquid;
An inner cup that is disposed inside the outer cup and has a rectifying unit that guides the waste liquid into the waste liquid path;
An exhaust path for exhausting the waste liquid path,
A plurality of notches arranged at predetermined intervals in the circumferential direction on the outer peripheral edge of the inner cup rectification unit,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the notch is provided so as to be inclined in a rotation direction with respect to a rotation axis of the holding / rotating means.
前記排気ダクトの第一流通部内に、周方向に延設する仕切壁を配設し、
前記仕切壁の外側に第一流通部の排気口を配置したことを特徴とする請求項1に記載された基板処理装置。Below the inner and outer cups, an exhaust duct having a first circulation part communicating with the exhaust passage and a second circulation part communicating with the first circulation part is disposed,
In the first circulation part of the exhaust duct, a partition wall extending in the circumferential direction is disposed,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein an exhaust port of the first circulation part is disposed outside the partition wall.
前記保持・回転手段の周囲に配設され、前記被処理基板上から周囲に飛散する処理液を廃液として回収するための環状の廃液路を有するカップとを備えた基板処理装置であって、
前記環状の廃液路内の上方領域から排気気体を導出する排気口と、
前記廃液路内の廃液を排出する廃液口と、
前記廃液路の円周方向に沿って設けられたミスト捕捉リングとを具備し、前記ミスト捕捉リングは、廃液路の円周方向に沿う環状のリング体と、前記リング体の円周方向に等間隔に設けられた複数の気流誘導片とを備え、
前記気流誘導片によって廃液路内の気流を被処理基板の回転方向に導くと共に、ミスト捕捉リングに廃液のミストを付着させ、廃液路内において廃液を排気とを分離することを特徴とする基板処理装置。Holding / rotating means for holding the substrate to be processed horizontally and rotating it around the vertical axis;
A substrate processing apparatus provided with a cup having an annular waste liquid path that is disposed around the holding / rotating means and collects the processing liquid scattered around the substrate to be processed as waste liquid ;
An exhaust port for leading exhaust gas from an upper region in the annular waste liquid path;
A waste liquid outlet for discharging the waste liquid in the waste liquid path;
A mist capturing ring provided along a circumferential direction of the waste liquid path, and the mist capturing ring includes an annular ring body along a circumferential direction of the waste liquid path, and a circumferential direction of the ring body. A plurality of airflow guide pieces provided at intervals,
The substrate processing is characterized in that the air flow in the waste liquid path is guided in the rotation direction of the substrate to be processed by the air flow guide piece, and the mist of the waste liquid is attached to the mist capturing ring to separate the waste liquid from the exhaust in the waste liquid path. apparatus.
前記取付片によって気流を水平方向に向かうように規制することを特徴とする請求項12または請求項13に記載された基板処理装置。 In the ring body, a plurality of mounting pieces are provided facing the bottom surface of the waste liquid path in the circumferential direction of the ring body and at equal intervals,
The substrate processing apparatus according to claim 12, wherein an airflow is restricted by the mounting piece so as to be directed in a horizontal direction .
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