JP3755178B2 - Semiconductor laser - Google Patents

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体レーザに関し、例えば光記録再生装置や光通信装置の光源として用いることができるものである。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】
従来、光記録再生装置用においては、少なくとも記録ビーム用と再生ビーム用に２波長の光源が必要となる。この種の光記録再生装置としては、特開昭５８−１４６０３８号公報に開示されたものがあり、２つの独立配置した半導体レーザを用いて２波長必要な光学系を構成している。
【０００３】
しかしながら、このものは、２つの独立配置した半導体レーザを用いているため、光学系が複雑になるとともに、光軸の調整を必要とするという問題がある。本発明は上記問題に鑑みたもので、１つの半導体レーザから波長の異なる２以上のレーザ光を出力し、かつそれらの光軸を高精度に設定できるようにすることを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１乃至４に記載の発明においては、第１、第２の半導体レーザチップを、１つの基板に形成されたガイド溝に沿って設置したことを特徴としている。従って、ガイド溝を光軸に合わせて形成しておくことにより、第１、第２の半導体レーザチップをガイド溝に沿って設置するだけで、容易にかつ高精度に所望の光軸を得ることができる。
【０００５】
また、請求項１乃至４に記載の発明では、ガイド溝内の端部に合わせて第１、第２の半導体レーザチップの一面を位置決めすることにより、光軸を一層高精度に設定することができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図に示す実施形態について説明する。
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態を示す半導体レーザの斜視図である。
記録用のレーザ光（波長ａ）を出力する第１の半導体レーザチップ１と、再生用のレーザ光（波長ｂ）を出力する第２の半導体レーザチップ２とが、放熱基板３の上面に並列配置されている。
【０００８】
ここで、放熱基板３には、ガイド溝３ａ、３ｂが平行に形成されており、ガイド溝３ａ、３ｂ内に第１、第２の半導体レーザチップ１、２が設置される。従って、第１、第２の半導体レーザチップ１、２をガイド溝３ａ、３ｂに沿って設置するだけで、容易かつ高精度に平行な光軸を得ることができる。
次に、上記した半導体レーザの製造方法について説明する。
【０００９】
まず、放熱基板３となるシリコン基板を用意し、その上にシリコン酸化膜をスパッタ法により堆積する。その上にホトリソグラフィによりフォトレジストをパターニングし、レジストをマスクとしてシリコン酸化膜をフッ酸などによりエッチングする。
次に、パターニングしたシリコン酸化膜をマスクとして、シリコン基板をエッチングし、ガイド溝３ａ、３ｂを形成する。この場合、半導体レーザチップの装着を容易にするため、半導体レーザチップの幅よりもガイド溝の幅を大きくしておく。例えば、半導体レーザチップの幅を３００μｍとすると、ガイド溝の幅を３０５μｍ程度にしておく。
【００１０】
次に、ガイド溝３ａ、３ｂを形成したシリコン基板の表面にチタン、ニッケルおよび金の薄膜をこの順に形成する。これらは、第１、第２の半導体レーザチップ１、２のそれぞれの下部電極と電気的に接続される共通電極となる。
この後、金錫はんだを用いて第１、第２の半導体レーザチップ１、２を、ガイド溝３ａ、３ｂに沿って取り付ける。この場合、図２（図１に示す半導体レーザを光出力方向からみた平面図）に示すように、第１、第２の半導体レーザチップ１、２のそれぞれの一方の側面（レーザビームと平行になる面）をガイド溝３ａ、３ｂの一方の端部に合わせる、例えば図に示すように、ガイド溝３ａ、３ｂの左側端部Ａ、Ｂに半導体レーザチップ１、２の左側側面を合わせることにより、第１、第２の半導体レーザチップ１、２間の距離を一定にして取り付け精度を高くすることができる。
【００１１】
なお、第１、第２の半導体レーザチップ１、２のそれぞれの上部電極は、ワイヤボンディングにより、図示しない駆動回路と電気的に接続される。
上記した構成によれば、ガイド溝３ａ、３ｂは、上述した半導体技術を用いて精度よく作製できるため、第１、第２の半導体レーザチップ１、２を高精度に配置でき、それぞれの光軸を平行にすることができる。
【００１２】
なお、第１、第２の半導体レーザチップ１、２から記録用レーザ光と再生用レーザ光を同時に出力すれば、光記録再生装置において、記録と再生を同時に行うことができる。
図３に、上記した実施形態の変形例を示す。この変形例では、放熱基板３に１つのガイド溝３ｃを形成し、その両端部Ｃ、Ｄに第１、第２の半導体レーザチップ１、２の左側側面、右側側面を位置合わせして、第１、第２の半導体レーザチップ１、２を取り付けるようにしている。このような構成としても、第１、第２の半導体レーザチップ１、２間の距離を一定にして取り付け精度を高くすることができる。
【００１３】
図４に、さらに他の変形例を示す。この変形例では、放熱基板３の両面にガイド溝３ｃ、３ｄを形成し、第１、第２の半導体レーザチップ１、２を放熱基板３の両面に取り付けるようにしている。この場合、２つの半導体レーザチップ１、２の距離は放熱基板３の厚さとガイド溝３ｃ、３ｄの深さによって決まるが、どちらも精度よく作製することができるので、半導体レーザチップ１、２間の距離も精度よくすることができる。
【００１４】
図５に、さらに他の変形例を示す。この変形例では、ガイド溝３ｅ、３ｆを、断面が三角形になるように形成し、その一面において第１、第２の半導体レーザチップ１、２の底面を取り付けている。このような配置にすると、それぞれの半導体レーザチップからの出力光の偏光方向が異なるように配置できるので、偏光方向の違いを利用する光学系に用いることが可能となる。
【００１５】
なお、上述した実施形態において、放熱基板３にガイド溝３ａ、３ｂ等を形成する場合、放熱基板３に突起を形成したり、放熱基板３に他の基板を張りつけるなどして、突起間あるいは他の基板間でガイド溝を形成するようにしてもよい。また、放熱基板３は、その表面において上記した金等の導電性材料膜を有するものに限らず、放熱基板３全体を導電性材料にて構成してもよい。また、放熱基板３の下に銅製のヒートシンクを設けてもよい。さらに、ガイド溝を形成する基板は、必ずしも放熱基板とする必要はなく、ガイド溝を形成する半導体レーザチップ設置用の基板を放熱基板上に設けるようにしてもよい。
（第２実施形態）
半導体レーザの発振波長は、活性層のバンドギャップで決まる。従って、バンドギャップが異なる２つの活性層を１００μｍ程度以下の狭い間隔で並べると、１素子サイズで、波長の異なる２つのレーザ光を出力する半導体レーザが実現できる。
【００１６】
本実施形態では、混晶化技術を用いて２つの活性層のバンドギャップを異ならせて２波長発光型の半導体レーザを実現している。ここで、混晶化とは、不純物原子を熱拡散したり、あるいはイオン注入によって不純物を導入した後に熱処理を行うことにより、ヘテロ界面によって空間内に隔てられていた構成元素が混じり合って結晶変態が変化する現象である。この混晶化技術を使い、低しきい値電流でかつ横モードが制御された半導体レーザを実現することができる。
【００１７】
以下、この実施形態について詳述する。
図６に本実施形態に係る半導体レーザの斜視図を示す。図に示すように、ＧａＡｓウェハ１１上に、ｎ型ＧａＡｓのバッファ層１２、ｎ型ＡｌＧａＡｓのクラッド層１３、ＧａＡｓの活性層１４、ｐ型ＡｌＧａＡｓのクラッド層１５、およびｐ型ＧａＡｓのキャップ層１６が積層形成されている。ここで、クラッド層１５、およびキャップ層１６は、２つに分離された素子領域を形成するリッジ構造となっており、それぞれの素子領域のキャップ層１６上に開口部を有して絶縁層（ＳｉＯ2 層）１７が形成され、その上に上部電極１８が形成されている。また、ＧａＡｓウェハ１１には下部電極１９が形成されている。
【００１８】
ここで、上記した２つの素子領域における活性層１４は、混晶化技術を用いて互いにバンドギャップが異なるように形成されており、これによって、それぞれの素子領域から異なる波長のレーザ光が出力される。
次に、上記半導体レーザの製造方法について図７の工程図を基に説明する。
〔図７（ａ）の薄膜堆積工程〕
まず、ＧａＡｓウェハ１１にｎ型ＧａＡｓのバッファ層１２を２μｍ、ｎ型ＡｌＧａＡｓのクラッド層１３を１μｍ、さらにＧａＡｓの活性層１４を０．１μｍ、ｐ型ＡｌＧａＡｓのクラッド層１５を１μｍ、さらにｐ型ＧａＡｓのキャップ層１６を１μｍ、それぞれＭＯＣＶＤ法により堆積する。ＡｌＧａＡｓのＧａに対するＡｌ組成は０．５とする。
〔図７（ｂ）のリッジ形成工程〕
フォトリソ工程により、クラッド層１５およびキャップ層１６を幅４μｍのリッジ構造とし、横モードを制御する（横方向への電流の流れを制限して発光領域を規定する）。この工程により、２つに分離されたリッジ領域（素子領域）が形成される。
〔図７（ｃ）のＳｉ薄膜形成工程〕
右側のリッジ領域にＳｉ薄膜２０を真空蒸着する。
〔図７（ｄ）の熱処理工程〕
６７５℃、５時間の熱処理を施す。この熱処理は、活性層１４にＳｉ原子を熱拡散させて結晶変態を起こさせるために行う。この工程によって、右側のリッジ領域の点線で示す範囲でＳｉ原子が熱拡散して混晶化が生じる。その結果、右側のリッジ領域と左側のリッジ領域において活性層１４のバンドギャップが異なることになる。
〔図７（ｅ）の電極形成工程〕
ＳｉＯ2 層１７を成膜し、窓開けを行ってそれぞれに上部電極１８を形成するとともに、裏面に下部電極１９を形成する。
【００１９】
そして、素子長４００μｍに劈開し、図６の半導体レーザを作製する。このようにして作製された半導体レーザにおいて、駆動電流１００ｍＡにおける各領域からの発光波長は、混晶化しない領域で約８００ｎｍ、混晶化した領域で約７００ｎｍであった。
なお、上記図７（ｃ）に示す工程では、混晶化を行うためにＳｉ薄膜２０を真空蒸着して全体に熱処理を施すものを示したが、右側のリッジ領域にＳｉをイオン注入し全体に熱処理を施して、Ｓｉ原子を活性層１４に導入し混晶化を行うようにしてもよい。
【００２０】
また、上記第２実施形態に示す半導体レーザは、図示しない放熱基板上に設置されるが、その場合に、第１実施形態に示す放熱基板３上に、第２実施形態の半導体レーザを複数設置するようにすれば、それらの光軸合わせを高精度に行うとともに、より多くの波長を有するレーザ光を出力することができる。
また、上記第２実施形態において、左右のリッジ領域に混晶化を行うとともにその混晶化の程度を異ならせて、それぞれのバンドギャップを異ならせるようにしてもよい。
【００２１】
さらに、上述した種々の実施形態において、第１実施形態に示す半導体レーザチップの数、および第２実施形態に示す素子領域の数は、２つに限ることなく３つ以上にしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態を示す半導体レーザの斜視図である。
【図２】図１に示す半導体レーザの光出力方向からみた平面図である。
【図３】図１に示す半導体レーザの変形例を示す平面図である。
【図４】図１に示す半導体レーザの他の変形例を示す平面図である。
【図５】図１に示す半導体レーザのさらに他の変形例を示す平面図である。
【図６】本発明の第２実施形態を示す半導体レーザの斜視図である。
【図７】図６に示す半導体レーザの製造工程を示す工程図である。
【符号の説明】
１…第１の半導体レーザチップ、２…第２の半導体レーザチップ、
３…放熱基板、１１…ＧａＡｓウェハ、１２…ｎ型バッファ層、
１３…ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層、１４…ＧａＡｓ活性層、
１５…ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層、１６…ｐ型ＧａＡｓキャップ層、
１７…ＳｉＯ2 層、１８…上部電極、１９…下部電極。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a semiconductor laser and can be used, for example, as a light source of an optical recording / reproducing apparatus or an optical communication apparatus.
[0002]
[Problems to be solved by the invention]
Conventionally, in an optical recording / reproducing apparatus, a light source having two wavelengths is required for at least a recording beam and a reproducing beam. An optical recording / reproducing apparatus of this type is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 58-146038, and an optical system that requires two wavelengths is configured by using two independently arranged semiconductor lasers.
[0003]
However, since this uses two independently arranged semiconductor lasers, there are problems that the optical system becomes complicated and the optical axis needs to be adjusted. The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to output two or more laser beams having different wavelengths from one semiconductor laser and to set their optical axes with high accuracy.
[0004]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, the inventions according to claims 1 to 4 are characterized in that the first and second semiconductor laser chips are disposed along guide grooves formed in one substrate. Accordingly, by forming the guide groove along the optical axis, the desired optical axis can be obtained easily and with high accuracy simply by installing the first and second semiconductor laser chips along the guide groove. Can do.
[0005]
Further, in the first to fourth aspects of the invention, the optical axis can be set with higher accuracy by positioning one surface of the first and second semiconductor laser chips according to the end portion in the guide groove. it can.
[0007]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments shown in the drawings will be described below.
(First embodiment)
FIG. 1 is a perspective view of a semiconductor laser showing a first embodiment of the present invention.
A first semiconductor laser chip 1 that outputs a recording laser beam (wavelength a) and a second semiconductor laser chip 2 that outputs a reproduction laser beam (wavelength b) are parallel to the upper surface of the heat dissipation substrate 3. Has been placed.
[0008]
Here, guide grooves 3a and 3b are formed in parallel on the heat dissipation substrate 3, and the first and second semiconductor laser chips 1 and 2 are installed in the guide grooves 3a and 3b. Therefore, the parallel optical axes can be obtained easily and with high precision simply by installing the first and second semiconductor laser chips 1 and 2 along the guide grooves 3a and 3b.
Next, a method for manufacturing the above-described semiconductor laser will be described.
[0009]
First, a silicon substrate to be the heat dissipation substrate 3 is prepared, and a silicon oxide film is deposited thereon by a sputtering method. A photoresist is patterned thereon by photolithography, and the silicon oxide film is etched with hydrofluoric acid or the like using the resist as a mask.
Next, using the patterned silicon oxide film as a mask, the silicon substrate is etched to form guide grooves 3a and 3b. In this case, in order to facilitate mounting of the semiconductor laser chip, the width of the guide groove is set larger than the width of the semiconductor laser chip. For example, if the width of the semiconductor laser chip is 300 μm, the width of the guide groove is set to about 305 μm.
[0010]
Next, thin films of titanium, nickel and gold are formed in this order on the surface of the silicon substrate on which the guide grooves 3a and 3b are formed. These are common electrodes that are electrically connected to the lower electrodes of the first and second semiconductor laser chips 1 and 2, respectively.
Thereafter, the first and second semiconductor laser chips 1 and 2 are attached along the guide grooves 3a and 3b by using gold tin solder. In this case, as shown in FIG. 2 (a plan view of the semiconductor laser shown in FIG. 1 viewed from the light output direction), one side surface of each of the first and second semiconductor laser chips 1 and 2 (parallel to the laser beam). Align the left side of the semiconductor laser chips 1 and 2 with the left ends A and B of the guide grooves 3a and 3b. The mounting accuracy can be increased by keeping the distance between the first and second semiconductor laser chips 1 and 2 constant.
[0011]
The upper electrodes of the first and second semiconductor laser chips 1 and 2 are electrically connected to a drive circuit (not shown) by wire bonding.
According to the configuration described above, the guide grooves 3a and 3b can be accurately manufactured using the semiconductor technology described above. Therefore, the first and second semiconductor laser chips 1 and 2 can be arranged with high accuracy, and the respective optical axes are arranged. Can be parallel.
[0012]
If the recording laser beam and the reproducing laser beam are simultaneously output from the first and second semiconductor laser chips 1 and 2, recording and reproduction can be performed simultaneously in the optical recording / reproducing apparatus.
FIG. 3 shows a modification of the above-described embodiment. In this modification, one guide groove 3c is formed in the heat radiating substrate 3, and the left side surface and the right side surface of the first and second semiconductor laser chips 1 and 2 are aligned at both ends C and D, 1. First and second semiconductor laser chips 1 and 2 are attached. Even with such a configuration, the distance between the first and second semiconductor laser chips 1 and 2 can be kept constant to increase the mounting accuracy.
[0013]
FIG. 4 shows still another modification. In this modification, guide grooves 3 c and 3 d are formed on both surfaces of the heat dissipation substrate 3, and the first and second semiconductor laser chips 1 and 2 are attached to both surfaces of the heat dissipation substrate 3. In this case, the distance between the two semiconductor laser chips 1 and 2 is determined by the thickness of the heat dissipation substrate 3 and the depth of the guide grooves 3c and 3d. The distance can be made with high accuracy.
[0014]
FIG. 5 shows still another modification. In this modification, the guide grooves 3e and 3f are formed to have a triangular cross section, and the bottom surfaces of the first and second semiconductor laser chips 1 and 2 are attached on one surface thereof. With such an arrangement, the polarization directions of the output light from the respective semiconductor laser chips can be arranged differently, so that it can be used for an optical system that utilizes the difference in polarization direction.
[0015]
In the above-described embodiment, when the guide grooves 3a, 3b and the like are formed in the heat dissipation substrate 3, protrusions are formed on the heat dissipation substrate 3, or another substrate is attached to the heat dissipation substrate 3, or the like. A guide groove may be formed between the substrates. Further, the heat dissipation substrate 3 is not limited to having the above-described conductive material film such as gold on the surface, and the entire heat dissipation substrate 3 may be formed of a conductive material. Further, a copper heat sink may be provided under the heat dissipation substrate 3. Further, the substrate on which the guide groove is formed is not necessarily a heat dissipation substrate, and a semiconductor laser chip installation substrate for forming the guide groove may be provided on the heat dissipation substrate.
(Second Embodiment)
The oscillation wavelength of the semiconductor laser is determined by the band gap of the active layer. Therefore, when two active layers having different band gaps are arranged at a narrow interval of about 100 μm or less, a semiconductor laser that outputs two laser beams having different wavelengths with one element size can be realized.
[0016]
In the present embodiment, a two-wavelength emission type semiconductor laser is realized by using a mixed crystallization technique to make the band gaps of the two active layers different. Here, mixed crystallization refers to a crystal transformation in which constituent elements separated in the space by a heterointerface are mixed by thermally diffusing impurity atoms, or by performing heat treatment after introducing impurities by ion implantation. Is a phenomenon that changes. By using this mixed crystallization technique, a semiconductor laser having a low threshold current and a controlled transverse mode can be realized.
[0017]
Hereinafter, this embodiment will be described in detail.
FIG. 6 is a perspective view of the semiconductor laser according to the present embodiment. As shown in the figure, an n-type GaAs buffer layer 12, an n-type AlGaAs cladding layer 13, a GaAs active layer 14, a p-type AlGaAs cladding layer 15, and a p-type GaAs cap layer 16 are formed on a GaAs wafer 11. Are stacked. Here, the cladding layer 15 and the cap layer 16 have a ridge structure that forms an element region separated into two parts, and have an opening on the cap layer 16 of each element region, and an insulating layer ( SiO 2 layer) 17 is formed, and an upper electrode 18 is formed thereon. A lower electrode 19 is formed on the GaAs wafer 11.
[0018]
Here, the active layers 14 in the above-described two element regions are formed so as to have different band gaps by using a mixed crystallization technique, whereby laser beams having different wavelengths are output from the respective element regions. The
Next, a method for manufacturing the semiconductor laser will be described based on the process diagram of FIG.
[Thin Film Deposition Process in FIG. 7A]
First, the n-type GaAs buffer layer 12 is 2 μm, the n-type AlGaAs cladding layer 13 is 1 μm, the GaAs active layer 14 is 0.1 μm, the p-type AlGaAs cladding layer 15 is 1 μm, and the p-type. A GaAs cap layer 16 is deposited to a thickness of 1 μm by MOCVD. The Al composition of AlGaAs with respect to Ga is 0.5.
[Ridge forming step of FIG. 7B]
By the photolithography process, the cladding layer 15 and the cap layer 16 have a ridge structure with a width of 4 μm, and the transverse mode is controlled (the light emission region is defined by limiting the current flow in the transverse direction). By this step, a ridge region (element region) separated into two is formed.
[Si thin film forming step in FIG. 7C]
A Si thin film 20 is vacuum deposited on the right ridge region.
[Heat treatment step of FIG. 7 (d)]
Heat treatment is performed at 675 ° C. for 5 hours. This heat treatment is performed in order to cause Si atoms to thermally diffuse in the active layer 14 to cause crystal transformation. By this step, Si atoms are thermally diffused within the range indicated by the dotted line in the right ridge region, and mixed crystal formation occurs. As a result, the band gap of the active layer 14 differs between the right ridge region and the left ridge region.
[Electrode forming step of FIG. 7 (e)]
A SiO 2 layer 17 is formed, a window is opened to form an upper electrode 18 for each, and a lower electrode 19 is formed on the back surface.
[0019]
Then, the device is cleaved to an element length of 400 μm, and the semiconductor laser of FIG. 6 is manufactured. In the semiconductor laser fabricated as described above, the emission wavelength from each region at a driving current of 100 mA was about 800 nm in the non-mixed region and about 700 nm in the mixed crystal region.
In the process shown in FIG. 7 (c), the Si thin film 20 is vacuum-deposited and heat treatment is performed on the entire surface for mixed crystallization, but Si is ion-implanted into the right ridge region. Then, heat treatment may be performed to introduce Si atoms into the active layer 14 to perform mixed crystallization.
[0020]
The semiconductor laser shown in the second embodiment is installed on a heat dissipation substrate (not shown). In that case, a plurality of semiconductor lasers of the second embodiment are installed on the heat dissipation substrate 3 shown in the first embodiment. By doing so, the optical axes can be aligned with high accuracy, and laser light having more wavelengths can be output.
In the second embodiment, the left and right ridge regions may be crystallized and the degree of the crystallization may be varied to vary the band gaps.
[0021]
Furthermore, in the various embodiments described above, the number of semiconductor laser chips shown in the first embodiment and the number of element regions shown in the second embodiment are not limited to two and may be three or more.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view of a semiconductor laser showing a first embodiment of the present invention.
2 is a plan view seen from the light output direction of the semiconductor laser shown in FIG. 1. FIG.
3 is a plan view showing a modification of the semiconductor laser shown in FIG. 1. FIG.
4 is a plan view showing another modification of the semiconductor laser shown in FIG. 1. FIG.
FIG. 5 is a plan view showing still another modification of the semiconductor laser shown in FIG. 1;
FIG. 6 is a perspective view of a semiconductor laser showing a second embodiment of the present invention.
7 is a process diagram showing a manufacturing process of the semiconductor laser shown in FIG. 6; FIG.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... 1st semiconductor laser chip, 2 ... 2nd semiconductor laser chip,
3 ... heat dissipation substrate, 11 ... GaAs wafer, 12 ... n-type buffer layer,
13 ... n-type AlGaAs cladding layer, 14 ... GaAs active layer,
15 ... p-type AlGaAs cladding layer, 16 ... p-type GaAs cap layer,
17 ... SiO 2 layer, 18 ... upper electrode, 19 ... lower electrode.

Claims (4)

第１、第２の半導体レーザチップ（１、２）が１つの基板（３）上に設置され、前記第１、第２の半導体レーザチップから波長の異なるレーザ光を出力するようにした半導体レーザであって、
前記基板には前記第１、第２の半導体レーザチップが設置される１つのガイド溝（３ｃ）が形成されており、前記第１、第２の半導体レーザチップが前記ガイド溝に沿って設置されている半導体レーザであり、
前記ガイド溝は底面が平坦で、前記ガイド溝内には位置決め用の両端部（Ｃ、Ｄ）が平行に形成されており、
前記第１、第２の半導体レーザチップの一面が前記両端部にそれぞれ位置決めされて前記第１、第２の半導体レーザチップの光軸が平行とされているとともに、前記第１、第２の半導体レーザチップの前記一面に対向する他面は前記ガイド溝内の側面からそれぞれ離間されており、
かつ前記位置決め箇所を除いて前記第１、第２の半導体レーザチップの前記一面は前記ガイド溝内の側面からそれぞれ離間されていることを特徴とする半導体レーザ。A semiconductor laser in which first and second semiconductor laser chips (1, 2) are installed on one substrate (3), and laser beams having different wavelengths are output from the first and second semiconductor laser chips. Because
One guide groove (3c) in which the first and second semiconductor laser chips are installed is formed in the substrate, and the first and second semiconductor laser chips are installed along the guide grooves. A semiconductor laser ,
The guide groove has a flat bottom surface, and both end portions (C, D) for positioning are formed in parallel in the guide groove.
One surface of each of the first and second semiconductor laser chips is positioned at each of the both ends , and the optical axes of the first and second semiconductor laser chips are made parallel, and the first and second semiconductors The other surface facing the one surface of the laser chip is spaced apart from the side surface in the guide groove,
The semiconductor laser is characterized in that the one surface of the first and second semiconductor laser chips is separated from the side surface in the guide groove except for the positioning portion. 前記基板は放熱基板であることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ。The semiconductor laser according to claim 1 , wherein the substrate is a heat dissipation substrate. 前記基板は、少なくとも表面において前記第１、第２の半導体レーザチップの共通電極となる導電性材料を有していることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体レーザ。3. The semiconductor laser according to claim 1, wherein the substrate has a conductive material serving as a common electrode of the first and second semiconductor laser chips at least on a surface thereof . 前記第１、第２の半導体レーザチップはそれぞれ記録用レーザ光、再生用レーザ光を出力するものであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１つに記載の半導体レーザ。The first, second semiconductor laser chips each recording laser beam, a semiconductor laser according to any one of claims 1 to 3, characterized in that for outputting a reproducing laser beam.
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