JP3752002B2 - Optical fiber amplifier - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信システムにおけるEr3+イオンドープ石英系光ファイバを用いて入力光信号を増幅する光ファイバ増幅装置に関するもので、特に増幅帯域を拡大した光ファイバ増幅装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
現在、実用化が進められている光通信システムにおいては、光ファイバ伝送路中での損失による信号光の減衰を補償するために、所定距離ごとに光増幅装置が設けられている。
その光増幅装置としてEr3+イオンドープ石英系光ファイバを用いた光ファイバ増幅装置がある。
この光ファイバ増幅装置は、増幅用のEr3+イオンをドープした光ファイバ中に励起用の光源から出力された励起光を伝搬させると、その励起光によってEr3+イオンが高いエネルギー準位に励起してエネルギー反転分布ができる。このEr3+イオンが励起した光ファイバ中を増幅しようとする光信号が伝搬すると、その光信号により誘導放出が生起されて、伝搬する光信号が増幅されるものである。
【0003】
この光ファイバ増幅装置は、伝送用光ファイバとの結合が容易でしかも整合が良いこと、増幅特性に偏波依存性がないこと、さらには電気回路を大幅に減らすことができ、光通信システムのコスト自体を低減させることもできる等種々の利点がある。
ところで、近年光通信システムにあっては、伝送情報の高密度化に伴い伝送線路の伝送速度の向上とともに波長多重による伝送容量の増大化が要望されている。
【0004】
上記の波長多重伝送方式では、光増幅装置の各波長に対する利得の平坦性と、増幅帯域が問題となる。
Er3+イオンドープ光ファイバを用いた光ファイバ増幅装置の増幅帯域を拡大する方法としては、光ファイバにEr3+イオンの他にAlを共ドープする方法がとられている。例えば図5は、Er3+イオンのみをドープした場合の波長に対する増幅特性であり、図6は、Er3+イオンにAlを共ドープした場合の波長に対する増幅特性である。
Er3+イオンのみをドープした場合に比較してAlを共ドープした場合の方が波長に対する増幅帯域が拡大しているのがわかる。
【0005】
【発明が解決しsようとする課題】
しかしながら、Alを共ドープした場合でも増幅波長の上限は1.560μm 程度までである。通常、波長多重伝送における増幅帯域としては波長に対する利得特性が比較的平坦な1.550μm 〜1.560μm が使用されている。この波長帯域に配置できる波長の数は、光源の波長安定性、光合分波器の波長安定性などの制約から4波〜8波程度に制限される。
従って、さらに多数の波長多重を行うためには、光ファイバ増幅装置の波長に対する増幅帯域を拡大する必要がある。
増幅帯域を拡大するに当たっては、1.48μm 帯は励起光源の波長帯域であり、短波長側への増幅帯域の拡大は実用上好ましくない。
従って、増幅帯域を拡大するためには、すでに使用されている1.550μm 〜1.560μm から、より長波長側へ増幅帯域を拡大する必要がある。
【0006】
本発明は上記の課題を解決し、長波長側へ増幅帯域を拡大して多数の波長多重を可能にした光ファイバ増幅装置を提供することを目的とするものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記の課題を解決するために以下のような手段を有している。
【0008】
本発明の請求項1の光ファイバ増幅装置は、Er3+イオンドープ石英系光ファイバのEr3+イオンを1.50μm より長波長帯の励起光により励起して、Er3+イオンの4I15/2準位と4I13/2準位との間に反転分布を形成し、この反転分布に基づく誘導放出により、前記Er3+イオンドープ石英系光ファイバに入射された1.50μm より長波長帯の光信号を増幅する光ファイバ増幅装置において、前記1.50μm より長波長帯の励起光として励起光用Er3+イオンドープ石英系光ファイバより発生する誘導放出光を用いるとともに、 1.48 μ m 帯または 0.98 μ m 帯の励起光を複合して用いることを特徴とする。
【0009】
本発明の請求項2の光ファイバ増幅装置は、励起光用 Er 3+ イオンドープ石英系光ファイバが共振器構造を有していることを特徴とする。
【0010】
本発明の光ファイバ増幅装置によれば、以下のようにして増幅帯域を長波長側に拡大している。
Er3+イオンドープ石英系光ファイバは、Er3+イオンの4I15/2 準位と4I13/2 準位とは縮退が解けて図7に示すようにいくつかのサブレベルに分かれ、その吸収スペクトルは、図8に示すようにこれらサブレベル間の遷移の重ね合わせとなっている。
したがって、適当な励起波長と信号波長とを組み合わせることにより4準位系の光増幅装置を構成することができる。
【0011】
ここで、Er3+イオンドープ石英系光ファイバを用いた光ファイバ増幅装置の増幅帯域を1.560μm より長波長側に拡大するためには、1.53μm 帯に励起波長を選ぶことで、1.560μm 〜1.58μm 帯に図4に示すように増幅帯域が得られる。これにより、光ファイバ増幅装置の増幅帯域を長波長側に拡大することが達成される。
ところが一方、励起光源として現在実用化されているのは、1.48μm および0.98μm 帯であり、1.53μm 帯の実用的な励起光源は開発されていない。
そこで、Er3+イオンのみをドープしたEr3+イオンドープ光ファイバが図5に示すように1.53μm 帯に発光スペクトルを持っているので、本発明の光ファイバ増幅装置は、この1.53μm 帯の発光スぺクトルを励起光源として使用して増幅帯域を長波長側に拡大したものである。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下に本発明を実施の形態により詳細に説明する。
(実施の形態1)
図1は、本発明の光ファイバ増幅装置の一実施の形態を示すものである。
図1において、光ファイバ増幅装置1は、Erのみをドープした励起光用のEr3+イオンドープ光ファイバ2とErの他にAlをドープしたEr3+イオンドープ光ファイバ3とを備えている。励起光用のEr3+イオンドープ光ファイバ2とErの他にAlをドープしたEr3+イオンドープ光ファイバ3とは光合分波器4を介して接続されている。
【0013】
Er3+イオンドープ光ファイバ2の入力端には励起光源5が接続され、出力端には光アイソレータ6が接続されている。光アイソレータ6の出力端は光合分波器4の入力端に接続されている。光合分波器4には信号光の入力端7およびEr3+イオンドープ光ファイバ3の入力端が接続されている。Er3+イオンドープ光ファイバ3の出力側には光合分波器8を介して光アイソレータ9が接続され、光アイソレータ9の出力側には信号光出力端10が接続されている。図中11はEr3+イオンドープ光ファイバ3の励起光源で、励起光源11の励起光は光合分波器8を介してEr3+イオンドープ光ファイバ3に入射される。
【0014】
上記のように構成された光ファイバ増幅装置は以下のように作用する。
前段の励起光用のEr3+イオンドープ光ファイバ2の励起光源5として1.48μm の励起光を用いるとEr3+イオンドープ光ファイバ2から1.53μm 帯の誘導放出光が出射される。
この1.53μm 帯の誘導放出光が後段のEr3+イオンドープ光ファイバ3に導かれ、後段のEr3+イオンドープ光ファイバ3で信号光出力端10から入力された信号光を励起する。この1.53μm 帯の励起光は図4に示すように主に1.56μm 以上の波長域の増幅に寄与する。
【0015】
一方、後段のEr3+イオンドープ光ファイバ3には、同時に励起光源11より1.48μm の励起光が入射される。この励起光源11は、主に、1.55μm 〜1.56μm 帯の増幅に寄与する。
このように、1.48μm の励起光を前段のEr3+イオンドープ光ファイバ2で増幅して1.53μm 帯の誘導放出光とし、この誘導放出光を後段のEr3+イオンドープ光ファイバ3の励起光として用いることにより増幅帯域を長波長側へ拡大することにより広帯域光増幅装置とするものである。
【0016】
(実施の形態2)
図2は、本発明の光ファイバ増幅装置の他の実施の形態を示すものである。
図2において、光ファイバ増幅装置1Aは、Erのみをドープした励起光用のEr3+イオンドープ光ファイバ2とErの他にAlをドープしたEr3+イオンドープ光ファイバ3とを備えている。励起光用のEr3+イオンドープ光ファイバ2とErの他にAlをドープしたEr3+イオンドープ光ファイバ3とは光合分波器4を介して接続されていることは実施の形態1と同様である。
【0017】
この実施の形態2の光ファイバ増幅装置1Aの特徴は、Er3+イオンドープ光ファイバ2の入力端側に光合分波器21を介して反射器22が設けられていることである。励起光源5は、光合分波器21を介して同じくEr3+イオンドープ光ファイバ2に接続されている。
その他の構成は実施の形態1と同様につき同一の部分には同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
反射器22をEr3+イオンドープ光ファイバ2の入力端側に設けることによって、Er3+イオンドープ光ファイバ2で増幅された誘導放出光の内、Er3+イオンドープ光ファイバ2の入力側に進行する誘導放出光を反射させることにより、効率よく1.53μm 帯の誘導放出光をEr3+イオンドープ光ファイバ3に結合させることができる。
【0018】
(実施の形態3)
図3は、本発明の光ファイバ増幅装置のさらに他の実施の形態を示すものである。
図3において、光ファイバ増幅装置1Bは、Erのみをドープした励起光用のEr3+イオンドープ光ファイバ2とErの他にAlをドープしたEr3+イオンドープ光ファイバ3とを備えている。励起光用のEr3+イオンドープ光ファイバ2とErの他にAlをドープしたEr3+イオンドープ光ファイバ3とは光合分波器4を介して接続されていることは実施の形態1と同様である。
【0019】
この実施の形態3の光ファイバ増幅装置1Bの特徴は、Er3+イオンドープ光ファイバ2の両端に反射器32A、32Bが設けられていることである。励起光源5は、光合分波器21を介してEr3+イオンドープ光ファイバ2に接続されていることは実施の形態2と同じである。
その他の構成は実施の形態1と同様につき同一の部分には同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
反射器32A、32BをEr3+イオンドープ光ファイバ2の両端に設けることによって、Er3+イオンドープ光ファイバ2で増幅された誘導放出光を共振させることによって、1.53μm 帯の誘導放出光をEr3+イオンドープ光ファイバ3に効率よく結合させることができる。
【0020】
(その他に実施の形態)
なお、上記実施の形態において、Er3+イオンドープ光ファイバ2の励起光源5およびEr3+イオンドープ光ファイバ3の励起光源11として1.48μm の励起光を用いたが、励起光は1.48μm に限るものではなく、0.98μm の励起光を用いてもよく、1.48μm と0.98μm の励起光を同時に用いてもよい。
【0021】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明の請求項1の光ファイバ増幅装置によれば、Er3+イオンドープ石英系光ファイバで発生する誘導放出光をEr3+イオンドープ石英系光ファイバの励起光とすることにより、従来では得られなかった増幅帯域を長波長側に拡大することが可能となり、また、 Er 3+ イオンドープ石英系光ファイバの励起光として励起光用 Er 3+ イオンドープ石英系光ファイバより発生する誘導放出光を用いるとともに、 1.48 μ m 帯または 0.98 μ m 帯の励起光を複合して用いることにより、増幅帯域を長波長側に拡大して増幅帯域を広くすることが可能となった。
【0022】
本発明の請求項2の光ファイバ増幅装置によれば、励起光用 Er 3+ イオンドープ石英系光ファイバが共振器構造を有しているので、励起光用 Er 3+ イオンドープ石英系光ファイバの誘導放出光を Er 3+ イオンドープ光ファイバに効率よく結合させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の光ファイバ増幅装置の一実施の形態を示す説明図である。
【図2】本発明の光ファイバ増幅装置の他の実施の形態を示す説明図である。
【図3】本発明の光ファイバ増幅装置のその他の実施の形態を示す説明図である。
【図4】 Er3+イオンドープ光ファイバが1.53μm 帯で励起した場合の増幅特性を示す説明図である。
【図5】 Er3+イオンのみドープされた光ファイバの増幅特性を示す説明図である。
【図6】 Alが共ドープされたEr3+イオンドープ光ファイバの増幅特性を示す説明図である。
【図7】 Er3+イオンドープ石英系光ファイバにおけるEr3+イオンの4I15/2順位と4I13/2順位との縮退が解けてサブレベルに分かれた状態を示す説明図である。
【図8】 Er3+イオンがドープされた光ファイバの吸収特性を示す説明図である。
【符号の説明】
1 光ファイバ増幅装置
2 励起光用のEr3+イオンドープ光ファイバ
3 Er3+イオンドープ光ファイバ
4 光合分波器
5 励起光源
6 光アイソレータ
7 信号光の入力端
8 光合分波器
9 光アイソレータ
10 信号光の出力端
11 励起光源
21 光合分波器
22 反射器
32A 反射器
32B 反射器[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an optical fiber amplifying apparatus that amplifies an input optical signal using an Er 3+ ion-doped silica optical fiber in an optical communication system, and more particularly to an optical fiber amplifying apparatus having an expanded amplification band.
[0002]
[Prior art]
In an optical communication system that is currently in practical use, an optical amplifying device is provided for each predetermined distance in order to compensate for attenuation of signal light due to loss in an optical fiber transmission line.
As the optical amplifying device, there is an optical fiber amplifying device using an Er 3+ ion-doped silica optical fiber.
The optical fiber amplifier, when propagating the excitation light outputted from the pumping light source for the Er 3+ ions for amplification in doped optical fiber, the energy level Er 3+ ions is higher by the excitation light Excitation gives an energy inversion distribution. When an optical signal to be amplified propagates in the optical fiber excited by the Er 3+ ions, stimulated emission is caused by the optical signal, and the propagating optical signal is amplified.
[0003]
This optical fiber amplifying device is easy to couple with the optical fiber for transmission and has good matching, the amplification characteristic has no polarization dependence, and the electric circuit can be greatly reduced. There are various advantages such as cost reduction.
Incidentally, in recent years, in optical communication systems, with an increase in the density of transmission information, there is a demand for an increase in transmission capacity of transmission lines and an increase in transmission capacity by wavelength multiplexing.
[0004]
In wavelength multiplexing transmission scheme described above, the flatness of the gain for each wavelength of the optical amplifying device, the amplification band becomes a problem.
As a method of expanding the amplification band of an optical fiber amplifying device using an Er 3+ ion-doped optical fiber, a method of co-doping Al in addition to Er 3+ ions in the optical fiber is used. For example, FIG. 5 shows the amplification characteristics with respect to the wavelength when only Er 3+ ions are doped, and FIG. 6 shows the amplification characteristics with respect to the wavelength when Er 3+ ions are co-doped with Al.
It can be seen that the amplification band with respect to the wavelength is expanded when Al is co-doped as compared with the case where only Er 3+ ions are doped.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, even when Al is co-doped, the upper limit of the amplification wavelength is up to about 1.560 μm. Normally, 1.550 μm to 1.560 μm, which has a relatively flat gain characteristic with respect to the wavelength, is used as an amplification band in wavelength division multiplexing transmission. The number of wavelengths that can be arranged in this wavelength band is limited to about 4 to 8 waves due to restrictions such as the wavelength stability of the light source and the wavelength stability of the optical multiplexer / demultiplexer.
Therefore, in order to perform a larger number of wavelength multiplexing, it is necessary to expand the amplification band for the wavelength of the optical fiber amplifier.
In expanding the amplification band, the 1.48 μm band is the wavelength band of the excitation light source, and it is not practically preferable to expand the amplification band to the short wavelength side.
Therefore, in order to expand the amplification band, it is necessary to expand the amplification band to a longer wavelength side from the already used 1.550 μm to 1.560 μm.
[0006]
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an optical fiber amplifying apparatus that solves the above-described problems and that allows a large number of wavelengths to be multiplexed by expanding the amplification band to the long wavelength side.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
The present invention has the following means in order to solve the above problems.
[0008]
Optical fiber amplifier according to
[0009]
The optical fiber amplifying device according to
[ 0010 ]
According to the optical fiber amplifier of the present invention, the amplification band is expanded to the long wavelength side as follows.
In Er 3+ ion-doped silica optical fiber, the 4 I 15/2 level and 4 I 13/2 level of Er 3+ ions are decoupled and divided into several sub-levels as shown in FIG. The absorption spectrum is a superposition of transitions between these sub-levels as shown in FIG.
Therefore, a four-level optical amplifying apparatus can be configured by combining an appropriate excitation wavelength and signal wavelength.
[ 0011 ]
Here, in order to expand the amplification band of an optical fiber amplifying device using an Er 3+ ion-doped silica optical fiber to a longer wavelength side than 1.560 μm, by selecting an excitation wavelength in the 1.53 μm band, An amplification band is obtained in the 1.58 μm band as shown in FIG. Thereby, it is achieved that the amplification band of the optical fiber amplifying device is expanded to the long wavelength side.
On the other hand, the pump light sources currently in practical use are the 1.48 μm and 0.98 μm bands, and no practical pump light source in the 1.53 μm band has been developed.
Therefore, since the Er 3+ ion-doped optical fiber doped only Er 3+ ions have an emission spectrum 1.53μm band as shown in FIG. 5, an optical fiber amplifier of the present invention, the 1.53μm band The light emission spectrum is used as an excitation light source and the amplification band is expanded to the long wavelength side.
[ 0012 ]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, the present invention will be described in detail by embodiments.
(Embodiment 1)
FIG. 1 shows an embodiment of an optical fiber amplifier according to the present invention.
In FIG. 1, an optical
[ 0013 ]
An
[ 0014 ]
The optical fiber amplifier configured as described above operates as follows.
When pump light of 1.48 μm is used as the
The 1.53μm band of the induced emission light is guided to the subsequent stage of the Er 3+ ion-doped
[ 0015 ]
On the other hand, pump light of 1.48 μm is simultaneously incident on the subsequent Er 3+ ion-doped
In this way, 1.48 μm pumping light is amplified by the preceding Er 3+ ion-doped
[ 0016 ]
(Embodiment 2)
FIG. 2 shows another embodiment of the optical fiber amplifier of the present invention.
In FIG. 2, an optical fiber amplifying apparatus 1A includes an Er 3+ ion-doped
[ 0017 ]
A feature of the optical fiber amplifying apparatus 1A of the second embodiment is that a reflector 22 is provided on the input end side of the Er 3+ ion-doped
Since other configurations are the same as those in the first embodiment, the same parts are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
By providing the reflector 22 on the input end side of the Er 3+ ion-doped
[ 0018 ]
(Embodiment 3)
FIG. 3 shows still another embodiment of the optical fiber amplifier of the present invention.
In FIG. 3, an optical fiber amplifying apparatus 1B includes an Er 3+ ion-doped
[ 0019 ]
A feature of the optical fiber amplifying apparatus 1B of the third embodiment is that
Since other configurations are the same as those in the first embodiment, the same parts are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
[ 0020 ]
(Other embodiments)
In the above embodiment, 1.48 μm pumping light is used as the pumping
[ 0021 ]
【The invention's effect】
As described above, according to the optical fiber amplifier according to
[ 0022 ]
According to the optical fiber amplifier according to
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an explanatory diagram showing an embodiment of an optical fiber amplifier according to the present invention.
FIG. 2 is an explanatory view showing another embodiment of the optical fiber amplifier of the present invention.
FIG. 3 is an explanatory diagram showing another embodiment of the optical fiber amplifier of the present invention.
FIG. 4 is an explanatory diagram showing amplification characteristics when an Er 3+ ion-doped optical fiber is excited in a 1.53 μm band.
FIG. 5 is an explanatory diagram showing amplification characteristics of an optical fiber doped only with Er 3+ ions.
FIG. 6 is an explanatory diagram showing amplification characteristics of an Er 3+ ion-doped optical fiber co-doped with Al.
It is a diagram showing a state where divided into sublevels unwinds degeneracy of the 4 I 15/2 rank and 4 I 13/2 order of Er 3+ ions in the 7 Er 3+ ion-doped silica-based optical fiber .
FIG. 8 is an explanatory diagram showing absorption characteristics of an optical fiber doped with Er 3+ ions.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
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