JP4100101B2 - Optical amplifier and optical transmission system using the same - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 630
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 title claims description 172
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 308
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 308
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 111
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 85
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 75
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 24
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 12
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 102100027004 Inhibin beta A chain Human genes 0.000 description 7
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 6
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 6
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 4
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 4
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 3
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical group 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
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- Optical Communication System (AREA)
- Lasers (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、信号光を励起光によって増幅する光増幅器、及びそれを用いた光伝送システムに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
光増幅器は、光伝送システムにおいて光ファイバ伝送路などの光伝送路を伝送される信号光に対して、光伝送路での伝送損失を補償すべく信号光を増幅するものである。光増幅器は、増幅用光ファイバなどの増幅用光導波路と、増幅用光導波路へと励起光を供給する励起光供給手段とを備えて構成される。そして、励起光が供給されている増幅用光導波路に信号光が入力されると、この入力した信号光は増幅用光導波路において増幅される。
【0003】
このような光増幅器としては、例えば、Er(エルビウム)などの希土類元素を増幅のための蛍光物質として用いる希土類元素添加ファイバ増幅器がある。希土類元素添加ファイバ増幅器(例えばEDFA:Erbium-Doped Fiber Amplifier、Er添加ファイバ増幅器)は、希土類元素を添加した光ファイバ(例えばEDF:Erbium-Doped Fiber、Er添加光ファイバ)を増幅用光導波路として用いた光増幅器である。
【0004】
【特許文献1】
特開平11−317560号公報
【非特許文献1】
Motoki KAKUI and Shinji ISHIKAWA, "Long-Wavelength-Band Optical Amplifiers Employing Silica-Based Erbium Doped Fibers Designed for Wavelength Division Multiplexing Systems and Networks", IEICE Transactions on Electronics, E83-C No.6, p.799-815 (2000)
【非特許文献2】
Tadashi Kasamatsu, Yutaka Yano, and Hitoshi Sekita, "Novel 1.50-μm Band Gain-Shifted Thulium-Doped Fiber Amplifier by using Dual Wavelength Pumping of 1.05 μm and 1.56 μm", OAA1999, Postdeadline paper 1 (1999)
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
近年、高度情報化社会の到来による社会的ニーズから、光ファイバ伝送路網を利用した大容量高速通信や長距離通信に関する研究開発が盛んに行われている。ここで、波長多重(WDM:Wavelength Division Multiplexing)伝送システムは、光ファイバ伝送路に互いに異なる波長を有する複数の信号光からなる多波長信号光を伝送させることにより、高速・大容量の光通信を行うものである。また、WDM伝送システムでは、さらなる大容量化のため、多波長信号光の信号光波長帯域の広帯域化が進められている。
【0006】
このようなWDM伝送システムにおいては、主に、波長1.55μm帯の波長帯域内にある光が信号光として用いられている。より具体的には、波長1530〜1565nmのCバンド(Conventional band)波長帯域が、WDM伝送システムにおける信号光波長帯域として利用される。上述したEDFAは、このCバンド波長帯域を増幅波長帯域とする光増幅器であり、したがって、WDM伝送システムを構築する上で重要なものとなっている。
【0007】
一方、波長1.55μm帯での信号光波長帯域を拡張して広帯域化するため、波長1570〜1600nmのLバンド(Long-wavelength band)波長帯域の利用が進められている。このようなLバンド波長帯域をWDM伝送システムにおける信号光波長帯域として有効に利用するためには、Cバンド波長帯域に対するEDFAと同様に、Lバンド波長帯域を増幅波長帯域とする光増幅器の開発が不可欠である。
【0008】
これに対して、Lバンド波長帯域での信号光を増幅することが可能な光増幅器として、例えば、非特許文献1「IEICE Trans. on Electronics, E83-C No.6 p.799 (2000)」及び特許文献1「特開平11−317560号公報」に、通常のEDFに代えてP添加EDFまたはP/Al共添加EDFを用いたEDFAが記載されている。しかしながら、これらのEDFAにおいても、Lバンド波長帯域に対する光増幅器としての充分な特性は得られていない。特に、光増幅器の特性においては、増幅利得の大きさや平坦性などの利得特性、及び光増幅器中で発生する雑音光の雑音特性が重要となるが、上記の光増幅器においては、これらの特性がLバンド波長帯域において充分に両立されていないという問題があった。
【0009】
本発明は、以上の問題点を解決するためになされたものであり、波長1570nm以上の信号光波長帯域内にある信号光を良好な利得特性で増幅するとともに、その雑音特性が向上された光増幅器、及びそれを用いた光伝送システムを提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するために、本発明による光増幅器は、増幅用光導波路を伝搬する信号光を増幅する光増幅器であって、(1)Er(エルビウム)、P(リン)、及びAl(アルミニウム)がそれぞれ所定の添加量添加された石英系の第1増幅用光導波路と、(2)Er(エルビウム)が所定の添加量添加された石英系の第2増幅用光導波路と、(3)第1増幅用光導波路及び第2増幅用光導波路に対して、それぞれ所定波長の励起光を供給する励起光供給手段とを備え、(4)第1増幅用光導波路及び第2増幅用光導波路は、信号光の伝搬方向に対して第1増幅用光導波路を前段、第2増幅用光導波路を後段として直列に接続されるとともに、波長1570nm以上の所定波長の信号光を増幅し、第2増幅用光導波路は、Erに加えてAlが所定の添加量で添加され、かつ、Pを無添加として形成され、第1増幅用光導波路での利得スペクトルが、最短波長を1574nm、最長波長を1614nmとした波長帯域内において最も平坦化されるように、第1増幅用光導波路内での反転分布が設定されていることを特徴とする。
【0011】
上記した光増幅器においては、光増幅器内での光伝送路となる増幅用光導波路を、それぞれErが添加された少なくとも2段の増幅用光導波路から構成するとともに、その前段の光導波路として、P/Al共添加のEr添加光導波路を適用している。これにより、波長1570nm以上の信号光を増幅することが可能となり、また、波長1570nm以上の波長帯域における雑音特性を向上することができる。
【0012】
また、この前段のP/Al共添加のEr添加光導波路に対し、後段の増幅用光導波路として、さらにEr添加光導波路を接続している。これら2本の増幅用光導波路を合わせることにより、雑音特性を良好に保持しつつ、増幅利得の大きさや平坦性などの利得特性を好適に設定することが可能となる。以上より、波長1570nm以上の信号光波長帯域内にある信号光を良好な利得特性で増幅するとともに、その雑音特性が向上された光増幅器が実現される。
【0013】
また、励起光供給手段は、第1増幅用光導波路と第2増幅用光導波路との間に設けられた光合波手段を介して、第1増幅用光導波路または第2増幅用光導波路の少なくとも一方に対して励起光を供給することを特徴とする。これにより、光導波路の長手方向について、増幅用光導波路内での反転分布の一様性を向上することができるので、信号光の増幅を好適に行うことが可能となる。
【0014】
また、第1増幅用光導波路と第2増幅用光導波路との間に、信号光の伝搬方向に伝搬する光に対する減衰率よりも、信号光の伝搬方向とは逆方向に伝搬する光に対する減衰率が大きい光学素子(例えば、光アイソレータ)が設けられていることが好ましい。これにより、光導波路を逆方向に伝搬する自然放出光(ASE:Amplified Spontaneous Emission)を低減することができる。
【0015】
また、励起光供給手段は、第1増幅用光導波路に対して、励起光として波長1.48μm帯の励起光を供給することを特徴とする。このような波長の励起光を用いてP/Al共添加のEr添加光導波路を励起することにより、励起光による励起効率が向上され、また、雑音指数の劣化が防止される。
【0016】
また、第2増幅用光導波路は、Erに加えてAlが所定の添加量で添加され、かつ、Pを無添加として形成されていることを特徴とする。このようなAl添加のEr添加光導波路を後段の増幅用光導波路として適用することにより、全体としての増幅利得を充分に大きくすることができる。
【0017】
また、第1増幅用光導波路は、吸収条長積ピークが760dB以下であることが好ましい。あるいは、第1増幅用光導波路は、吸収条長積ピークがさらに650dB以下であることが好ましい。これにより、P/Al共添加のEr添加光導波路における励起効率を好適に保つことができる。
【0018】
また、第1増幅用光導波路及び第2増幅用光導波路は、それぞれ第1増幅用光ファイバ及び第2増幅用光ファイバであることを特徴とする。このように、増幅用光導波路として、P/Al共添加EDFなどのEr添加光ファイバ(EDF)を用いることにより、増幅用光導波路の導波路長を充分な長さにとることができるなど、光増幅器を好適に構成することができる。
【0019】
また、第1増幅用光導波路での利得スペクトルが、最短波長を1574nm、最長波長を1620nmより短い所定波長とした波長帯域内において最も平坦化されるように、第1増幅用光導波路内での反転分布が設定されることを特徴とする。これにより、波長1570nm以上で信号光波長帯域として使われる波長帯域において、良好な平坦性を有する利得特性が得られる。
【0020】
また、入力端及び出力端の間にある光伝送路上の所定位置に、波長1565nm以下の波長帯域内にある光を除去する光除去フィルタが設置されていることが好ましい。これにより、Lバンド波長帯域の信号光に対してCバンド波長帯域などの1565nm以下の波長帯域の信号光を充分に分離して、波長1570nm以上の信号光を良好に増幅することができる。
【0021】
また、光増幅器は、第1増幅用光導波路及び第2増幅用光導波路が直列に接続された光導波路に対して並列に接続された第3増幅用光導波路と、第3増幅用光導波路に対して、所定波長の励起光を供給する第2励起光供給手段とをさらに備え、第3増幅用光導波路は、波長1570nm未満の所定波長の信号光を増幅することを特徴とする。
【0022】
このように、上述した2本の増幅用光導波路に対して、さらに第3増幅用光導波路が並列に接続された構成とすることにより、波長1570nm以上の信号光(例えば、Lバンド波長帯域の信号光)の増幅と、波長1570nm未満の信号光(例えば、Cバンド波長帯域またはSバンド波長帯域の信号光)の増幅とによって、広帯域の信号光を増幅可能な光増幅器を実現することができる。
【0023】
ここで、第3増幅用光導波路としては、例えば、Erが所定の添加量添加されて波長1570nm未満の所定波長の信号光を増幅する石英系の光導波路、またはTm(ツリウム)が所定の添加量添加されて波長1530nm以下の所定波長の信号光を増幅する石英系の光導波路を用いることが好ましい。
【0024】
本発明による光伝送システムは、所定の信号光波長帯域内にある信号光が伝送される光伝送路と、光伝送路上の所定位置に設置されて、増幅用光導波路を伝搬する波長1570nm以上の所定波長の信号光を増幅する上記した光増幅器とを備えることを特徴とする。
【0025】
このような光伝送システムによれば、波長1570nm以上の波長帯域を信号光波長帯域としたときに、そのような波長帯域に含まれる信号光を良好に伝送することが可能な光伝送システムが実現される。
【0026】
あるいは、光伝送システムは、所定の信号光波長帯域内にある信号光が伝送される光伝送路と、光伝送路上の所定位置に設置された光増幅システムとを備え、光増幅システムは、波長1570nm以上の所定波長の信号光を増幅する上記した光増幅器である第1光増幅器と、第1光増幅器に対して並列に接続され、波長1570nm未満の所定波長の信号光を増幅する第2光増幅器とを有することを特徴とする。
【0027】
このように、上述した光増幅器に対して、さらに第2光増幅器が並列に接続された構成とすることにより、波長1570nm以上の信号光(例えば、Lバンド波長帯域の信号光)の増幅と、波長1570nm未満の信号光(例えば、Cバンド波長帯域の信号光)の増幅とを行って、広帯域での信号光を良好に伝送することが可能な光伝送システムが実現される。
【0028】
また、光増幅システムは、第1光増幅器及び第2光増幅器に対して並列に接続され、波長1530nm以下の所定波長の信号光を増幅する第3光増幅器を有することを特徴とする。
【0029】
これにより、上述した波長1570nm以上の信号光(例えば、Lバンド波長帯域の信号光)の増幅と、波長1570nm未満の信号光(例えば、Cバンド波長帯域の信号光)の増幅とに加えて、波長1530nm以下の信号光(例えば、Sバンド波長帯域の信号光)の増幅を行って、さらに広帯域での信号光を良好に伝送することが可能な光伝送システムが実現される。
【0030】
また、光増幅システムにおいて、第1光増幅器の入力端及び出力端の間にある光伝送路上の所定位置に、波長1565nm以下の波長帯域内にある光を除去する光除去フィルタが設置され、光除去フィルタで除去された光は、第3光増幅器に対して、その入力端及び出力端の間にある光伝送路上の所定位置から入力されることを特徴とする。
【0031】
これにより、Tm添加ファイバ増幅器(TDFA:Thulium-Doped Fiber Amplifier)などからなる第3光増幅器での信号光の増幅利得及び励起効率を向上することができる。
【0032】
【発明の実施の形態】
以下、図面とともに本発明による光増幅器及びそれを用いた光伝送システムの好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。また、図面の寸法比率は、説明のものと必ずしも一致していない。
【0033】
図1は、本発明による光増幅器の第1実施形態を示す構成図である。この光増幅器1は、光増幅器1内での光伝送路を構成する増幅用光導波路として、第1増幅用光導波路である第1増幅用光ファイバ10、及び第2増幅用光導波路である第2増幅用光ファイバ20の2本の光ファイバを備えている。
【0034】
本実施形態においては、第1増幅用光ファイバ10として、Er、P、及びAlがそれぞれ所定の添加量で添加された石英系の光ファイバであるP/Al共添加のEr添加光ファイバ(P/Al共添加EDF)が用いられている。また、第2増幅用光ファイバ20として、Erが所定の添加量で添加された石英系の光ファイバであるEr添加光ファイバ(EDF)が用いられている。これらのP/Al共添加EDF10及びEDF20は、いずれも、所定の信号光波長帯域内にある信号光を励起光によって増幅することが可能な光ファイバである。
【0035】
これらのP/Al共添加EDF10及びEDF20は、増幅の対象となる信号光の伝搬方向(図1中に示す矢印の方向)に対して、第1増幅用光ファイバであるP/Al共添加EDF10を前段、第2増幅用光ファイバであるEDF20を後段として直列に接続されている。これにより、入力端1aから入力された信号光を出力端1bへと伝搬するとともに、伝搬される信号光を増幅する光増幅器1内での光伝送路が構成される。
【0036】
P/Al共添加EDF10及びEDF20からなる光増幅器1内での光伝送路を伝送される信号光の伝搬方向は、入力端1aとP/Al共添加EDF10との間に設けられた光アイソレータ31、P/Al共添加EDF10とEDF20との間に設けられた光アイソレータ32、及びEDF20と出力端1bとの間に設けられた光アイソレータ33によって制御されている。光アイソレータ31、32、33のそれぞれは、光を光伝送路の順方向(図中に矢印によって示されている方向)へと通過させるが、逆方向へは通過させないものである。
【0037】
すなわち、光アイソレータ31は、光増幅器1の入力端1aから到達した光をP/Al共添加EDF10へと通過させるが、逆方向へは光を通過させない。また、光アイソレータ32は、P/Al共添加EDF10から到達した光をEDF20へと通過させるが、逆方向へは光を通過させない。また、光アイソレータ33は、EDF20から到達した光を光増幅器1の出力端1bへと通過させるが、逆方向へは光を通過させない。
【0038】
前段の第1増幅用光ファイバであるP/Al共添加EDF10に対し、所定波長の励起光を供給する励起光供給手段として、波長λ1の励起光を出力する励起光源11が設置されている。この励起光源11は、光アイソレータ31とP/Al共添加EDF10との間に設けられた光合波手段であるWDMカプラ12によって、光増幅器1内の光伝送路へと接続されている。
【0039】
WDMカプラ12は、光アイソレータ31から到達した信号光をP/Al共添加EDF10へと通過させるとともに、励起光源11から供給された励起光をP/Al共添加EDF10へと順方向に合波させる。これにより、光増幅器1のうちでP/Al共添加EDF10を増幅用光ファイバとする前段部分は、順方向励起(前方励起)のP/Al共添加EDFAとして構成されている。
【0040】
一方、後段の第2増幅用光ファイバであるEDF20に対し、所定波長の励起光を供給する励起光供給手段として、波長λ2の励起光を出力する励起光源21が設置されている。この励起光源21は、出力された励起光を2つに分岐する3dBカプラ22を介し、光アイソレータ32とEDF20との間に設けられた光合波手段であるWDMカプラ23、及びEDF20と光アイソレータ33との間に設けられた光合波手段であるWDMカプラ24によって、光増幅器1内の光伝送路へと接続されている。
【0041】
WDMカプラ23は、光アイソレータ32から到達した信号光をEDF20へと通過させるとともに、励起光源21からカプラ22を介して供給された励起光をEDF20へと順方向に合波させる。また、WDMカプラ24は、EDF20から到達した信号光を光アイソレータ33へと通過させるとともに、励起光源21からカプラ22を介して供給された励起光をEDF20へと逆方向に合波させる。これにより、光増幅器1のうちでEDF20を増幅用光ファイバとする後段部分は、双方向励起のEDFAとして構成されている。
【0042】
以上により、本実施形態の光増幅器1は、図1に示すように、順方向励起の構成を有する前段のP/Al共添加EDFAと、双方向励起の構成を有する後段のEDFAとが直列に接続された2段構成のEr添加ファイバ増幅器(EDFA)となっている。特に、本光増幅器1においては、P/Al共添加EDF10及びEDF20からなる増幅用光導波路を用いることにより、光導波路を伝搬される波長1570nm以上の波長帯域内にある信号光を増幅することが可能とされている。
【0043】
上記構成からなる光増幅器1において、励起光供給手段である励起光源11、21から波長λ1、λ2の励起光が出力されると、出力された励起光は、増幅用光ファイバであるP/Al共添加EDF10及びEDF20へとそれぞれ供給される。このように増幅用光ファイバに所定波長の励起光が供給された状態にある光増幅器1に対して、光増幅器1の入力端1aに接続されている光伝送路から光アイソレータ31を介して波長1570nm以上の信号光が入力されると、この信号光は、前段のP/Al共添加EDF10と、後段のEDF20とによって順次増幅される。そして、増幅された信号光は、光アイソレータ33を介して出力端1bから出力される。
【0044】
本実施形態による光増幅器1においては、光増幅器1内での光伝送路となる増幅用光導波路を、それぞれErが添加された2段の増幅用光ファイバ10、20から構成するとともに、その前段の光ファイバ10として、P/Al共添加EDFを適用している。これにより、波長1570nm以上の信号光を増幅することが可能となり、また、後述するように、波長1570nm以上の波長帯域における雑音特性を向上することができる。
【0045】
また、この前段のP/Al共添加EDF10に対し、後段の増幅用光ファイバとして、さらにEDF20を接続している。これら2本の増幅用光ファイバ10及び20を合わせて、全体での2段構成の増幅用光導波路とすることにより、上記のように雑音特性を良好に保持しつつ、かつ、増幅利得の大きさや平坦性などの利得特性を好適に設定することが可能となる。以上より、波長1570nm以上の信号光波長帯域内にある信号光を良好な利得特性で増幅するとともに、その雑音特性が向上された光増幅器1が実現される。
【0046】
また、本実施形態では、後段のEDF20に対する励起光源21は、P/Al共添加EDF10とEDF20との間に光合波手段として設けられたWDMカプラ23を介して、EDF20に対して励起光を供給している。
【0047】
これにより、光ファイバの長手方向について、増幅用光ファイバ内での反転分布の一様性を向上することができる。したがって、Lバンド波長帯域を増幅波長帯域とする光増幅器1において、励起光吸収にかかわらず、信号光の増幅を好適に行うことが可能となる。
【0048】
また、P/Al共添加EDF10とEDF20との間には、信号光の伝搬方向に伝搬する光に対する減衰率よりも、信号光の伝搬方向とは逆方向に伝搬する光に対する減衰率が大きい光学素子として、光アイソレータ32を設けている。Lバンド波長帯域を増幅波長帯域とするEDFAでは、Cバンド波長帯域で発生する自然放出光(ASE:Amplified Spontaneous Emission)によって、EDFの飽和などの問題が生じる場合がある。これに対して、P/Al共添加EDF10とEDF20との間に光アイソレータ32などの光学素子を設置することにより、光ファイバを伝搬するASEを低減することができる。
【0049】
図1に示した実施形態の光増幅器1における信号光の増幅特性について、具体的に説明する。
【0050】
図2は、Lバンド波長帯域を含む波長1570nm以上の波長帯域における各種のEDFの増幅特性を示すグラフである。ここでは、増幅特性を比較する各種のEDFとしては、(1)P/Al共添加EDF、(2)P添加EDF、及び(3)Al添加EDFの3種類のEr添加光ファイバを想定し、それぞれのEDFについて、波長1.48μm帯の励起光を供給する条件で増幅特性を調べている。
【0051】
ここで、信号光波長帯域について、Lバンド(Long-wavelength band)波長帯域とは、例えば波長1570〜1600nmの波長帯域をいう。また、Cバンド(Conventional band)波長帯域とは、例えば波長1530〜1565nmの波長帯域をいう。また、Sバンド(Short-wavelength band)波長帯域とは、例えば波長1460〜1530nmの波長帯域をいう。
【0052】
これらの信号光波長帯域のうち、Lバンド波長帯域は、波長1570nm以上の波長帯域に含まれている。また、Cバンド波長帯域及びSバンド波長帯域は、波長1570nm未満の波長帯域に含まれている。ただし、各波長帯域の最短波長及び最長波長は、例えばLバンド波長帯域での信号光の最短波長が1574nmに設定されるなど、それぞれの光伝送システムの構成等に応じてある程度変動する。
【0053】
図2(a)は、波長1570nm以上の波長帯域内にある信号光に対する各EDFの利得特性を示すグラフであり、横軸は信号光の波長λ(nm)を、また、縦軸は増幅の利得(dB)をそれぞれ示している。このグラフにおいて、グラフA1はP/Al共添加EDFでの利得特性、グラフA2はP添加EDFでの利得特性、グラフA3はAl添加EDFでの利得特性を示している。
【0054】
また、図2(b)は、波長1570nm以上の波長帯域内にある信号光に対する各EDFの雑音特性を示すグラフであり、横軸は信号光の波長λ(nm)を、また、縦軸は増幅での雑音指数(NF:Noise Figure、dB)をそれぞれ示している。このグラフにおいて、グラフB1はP/Al共添加EDFでの雑音特性、グラフB2はP添加EDFでの雑音特性、グラフB3はAl添加EDFでの雑音特性を示している。
【0055】
これらの各EDFの特性について、まず、P/Al共添加EDFによる増幅特性(グラフA1、B1)と、P添加EDFによる増幅特性(グラフA2、B2)とを比較すると、利得特性においては、波長1570nm以上の波長帯域における利得スペクトルは両者で大きな差はない。一方、雑音特性においては、Alを共添加しないP添加EDFでは、波長1570nm近傍を含む短波長側で雑音指数が劣化しているのに対して、P/Al共添加EDFでは、波長帯域全体にわたって良好な雑音特性が得られている。
【0056】
また、P/Al共添加EDFによる増幅特性(グラフA1、B1)と、Al添加EDFによる増幅特性(グラフA3、B3)とを比較すると、利得特性においては、波長1570nm以上の波長帯域に対する利得は、Al添加EDFの方が大きくなっている。ただし、Al添加EDFでは波長1600nmを超える長波長側で大きく利得が落ち込んでいるのに対して、P/Al共添加EDFでは、長波長側まで安定した利得が得られている。
【0057】
また、雑音特性においても、Al添加EDFでは、長波長側で雑音特性が急激に劣化しているのに対して、P/Al共添加EDFでは、長波長側まで安定して小さい雑音指数となっている。このように、Al添加EDFでの増幅特性は、利得特性及び雑音特性でともに長波長側において大きく劣化している。これは、Al添加EDFでの励起状態吸収(ESA:Excited State Absorption)の吸収断面積が、波長1600nm以上の波長帯域で急激に大きくなるためである(非特許文献1参照)。
【0058】
以上より、P/Al共添加EDFでは、P添加EDFに比べて、短波長側で良好な雑音特性が得られる。また、Al添加EDFに比べて、長波長側でESAの影響が小さい良好な増幅特性が得られる。したがって、図1の光増幅器1に関して上述したように、2段構成での前段の増幅用光導波路として、P/Al共添加EDFを適用することにより、波長1570nm以上の波長帯域内にある信号光を、広い波長帯域にわたって良好な利得特性及び雑音特性で増幅することが可能となる。また、このP/Al共添加EDFに対して、後段にさらにEDFを接続することにより、全体としての利得特性を好適に設定することができる。
【0059】
次に、上記した構成の光増幅器を用いた本発明による光伝送システムについて説明する。図3は、図1に示した光増幅器を用いた光伝送システムの一実施形態を示す構成図である。本光伝送システムは、所定の信号光波長帯域内にある信号光を送信する送信局(送信器)Tと、送信局Tからの信号光が伝送される光伝送路である光ファイバ伝送路Lと、光ファイバ伝送路Lを伝送された信号光を受信する受信局(受信器)Rとを備えて構成されている。
【0060】
光ファイバ伝送路L上の所定位置には、図1に示した構成を有する光増幅器1が設置されている。光増幅器1は、光ファイバ伝送路Lを伝送されている信号光を励起光によって増幅し、特に、Lバンド波長帯域を含む波長1570nm以上の波長帯域内にある信号光を増幅する。このような光増幅器1は、例えば、光伝送システムに設けられた中継局内などに設置される。
【0061】
このように、上記構成を有する光増幅器を備える光伝送システムによれば、波長1570nm以上の波長帯域を信号光波長帯域としたときに、そのような波長帯域に含まれる信号光を良好に伝送することが可能な光伝送システムが実現される。
【0062】
上記した構成を有する本発明による光増幅器の特性及び好適な構成条件等について、さらに具体的に検討する。
【0063】
まず、前段の第1増幅用光ファイバ10として用いられるP/Al共添加EDFに対して供給する励起光について検討する。図4(a)及び(b)は、図1に示した2段構成の光増幅器における雑音指数NFの波長依存性を示すグラフであり、横軸は信号光の波長λ(nm)を、また、縦軸は雑音指数(dB)をそれぞれ示している。
【0064】
なお、ここでは、P/Al共添加EDF10に対して後段に接続されるEDF20を、前段と同様のP/Al共添加EDFとしている。これにより、光増幅器1は、Lバンド波長帯域を含む波長1570nm以上の波長帯域を増幅波長帯域とする2段型のP/Al共添加EDFAの構成となっている。
【0065】
図4(a)に示すグラフでは、前段のP/Al共添加EDF10に対して励起光源11から波長0.98μm帯の励起光を供給し、また、後段のP/Al共添加EDF20に対して励起光源21から波長1.48μm帯の励起光を供給したときの光増幅器1の雑音特性を示している。ここで、P/Al共添加EDF10、20の吸収条長積は、それぞれ210dB、690dBに設定している。
【0066】
一方、図4(b)に示すグラフでは、前段のP/Al共添加EDF10に対して励起光源11から波長1.48μm帯の励起光を供給し、また、後段のP/Al共添加EDF20に対して励起光源21から波長1.48μm帯の励起光を供給したときの光増幅器1の雑音特性を示している。ここで、P/Al共添加EDF10、20の吸収条長積は、それぞれ270dB、770dBに設定している。
【0067】
Cバンド波長帯域を増幅波長帯域とする通常のEDFAや、Lバンド波長帯域を増幅波長帯域とするAl添加EDFAなどにおいては、一般に、増幅用のEDFに対する励起光として波長0.98μm帯の励起光を供給した場合の方が、波長1.48μm帯の励起光の場合に比べて良好な雑音特性が得られることが知られている。これに対して、増幅用光ファイバとしてP/Al共添加EDFを用いた図1に示すP/Al共添加EDFAでは、図4(a)及び(b)に示す雑音特性のグラフを比較すると、逆に、0.98μm帯の励起光を用いたときに、波長1570nm以上の波長帯域での雑音指数が劣化していることがわかる。
【0068】
これは、このようなP/Al共添加EDFAにおいては、Lバンド波長帯域での信号光の増幅に対して充分な利得を確保するためにP/Al共添加EDFの吸収条長積を大きくする必要があり、したがって、長尺のEDFを伝搬される間に、供給されている励起光が吸収し尽くされるためと考えられる。このP/Al共添加EDFの吸収条長積は、例えばAl添加EDFを用いた場合に比べて1.5倍程度である。
【0069】
このため、P/Al共添加EDFに対して供給される励起光、特に、雑音特性が重視される前段のP/Al共添加EDF10に対して供給される励起光としては、波長1.48μm帯の励起光を用いることが好ましい。このような波長の励起光を用いて前段のP/Al共添加EDF10を励起することにより、励起光による励起効率が向上される。また、励起効率の向上によって信号光を高効率で増幅できるので、光増幅器1の全体として、雑音指数の劣化を防止することができる。
【0070】
例えば、このように波長1.48μm帯の励起光が供給されているP/Al共添加EDFを前段の増幅用光ファイバとした2段型のEDFAでは、波長0.98μm帯の励起光が供給されているAl添加EDFを前段の増幅用光ファイバとした2段型のEDFAなどと比べて、1610nmを超える長波長側の信号光波長帯域までの広い波長帯域にわたって良好な雑音特性を保持することができる。
【0071】
次に、前段のP/Al共添加EDFに対して直列に接続される後段のEDFについて検討する。図5は、P/Al共添加EDFを単段で用いた構成における励起効率の利得依存性を示すグラフである。また、図6は、Al添加EDFを単段で用いた構成における励起効率の利得依存性を示すグラフである。これらの図5及び図6のグラフでは、横軸はLバンド波長帯域での増幅利得(dB)、縦軸は励起効率(%)をそれぞれ示している。また、増幅の対象となる信号光については、トータルでの入力信号光パワーを−2dBmとしている。
【0072】
ここで、各グラフの横軸に示しているLバンド波長帯域(ここでは、波長1570〜1600nmの波長帯域)での増幅利得については、Lバンドの信号光波長帯域内にある各波長の信号光での利得を全体として平坦化した利得値としている。また、各グラフの縦軸に示している励起効率は、波長1.48μm帯の励起光を双方向励起の構成によってEDFに供給した場合での励起効率を示している。Lバンド波長帯域を増幅波長帯域とするLバンドEDFAにおいては、増幅用光ファイバであるEDF内での反転分布について、EDFの長手方向に反転分布をできるだけ一様に保つことが励起効率を向上する上で好ましく、この点で、上記した双方向励起は好適な励起方法と考えられる。
【0073】
P/Al共添加EDFを用いた場合の図5に示す励起効率のグラフと、Al添加EDFを用いた場合の図6に示す励起効率のグラフとを比較すると、これら2種類のEDFそれぞれについて最適化された励起条件の下では、Al添加EDFを用いたときに、P/Al共添加EDFに比べて約1.8倍となる高い励起効率が得られている。一方、増幅用光ファイバとしてAl添加EDFを適用する場合には、上述したように、Al添加EDFでは長波長側でESAの影響が大きく、利得が減少するとともに雑音特性が劣化することを考慮する必要がある。
【0074】
ここで、2段構成の増幅用光導波路を備える光増幅器では、前段の第1増幅用光導波路については、発生した雑音光が後段の第2増幅用光導波路で増幅されてしまうので、増幅特性のうちで雑音特性が比較的重視される。一方、後段の第2増幅用光導波路については、光増幅器の全体として充分な増幅利得を確保する必要があるので、増幅特性のうちで利得特性が比較的重視される。
【0075】
したがって、図1に示した構成の光増幅器1においては、前段の第1増幅用光ファイバ10として、上記のように雑音特性に優れるP/Al共添加EDFを用いることが好ましい。また、後段の第2増幅用光ファイバ20としては、励起効率が大きく励起特性に優れるPが無添加のAl添加EDFを用いることが好ましい。このように、Al添加EDFを後段の増幅用光導波路として適用することにより、励起効率を大きくして、光増幅器1の全体としての増幅利得を充分に大きくすることができる。同時に、光増幅器1の雑音特性を良好に保つことができる。
【0076】
なお、この後段の第2増幅用光ファイバ20としては、光増幅器1の全体として必要とされている増幅利得の大きさなどの条件に応じて、Al添加EDF以外の種類のEDFを適用しても良い。例えば、利得特性よりも雑音特性が全体として重要な場合には、後段のEDFとして前段と同様のP/Al共添加EDFを用いる構成としても良い。また、光増幅器での増幅用光導波路を3段以上の構成とする場合には、Al添加EDFを最終段のEDFとして、雑音特性の劣化を防止することが好ましい。
【0077】
ここで、図5及び図6のグラフにおいて横軸に示しているLバンド波長帯域での増幅利得は、EDFの吸収条長積に比例する。この増幅利得に対して、P/Al共添加EDFを用いた場合の図5に示す励起効率のグラフでは、利得を大きくしていったときに、利得がある程度以上の値になった領域で逆に励起効率が低下している。
【0078】
すなわち、P/Al共添加EDFのファイバ長が短い場合には、供給される励起光のうちでEDFの励起に用いられずに素通りしてしまう励起光の割合が大きくなるため、充分な励起効率が得られない。一方、P/Al共添加EDFのファイバ長が長すぎる場合には、吸収に転じるファイバ部分の長さが増大するため、逆に励起効率が劣化してしまう。このため、増幅用光ファイバとしてP/Al共添加EDFを用いる場合には、得られる励起効率を考慮してP/Al共添加EDFの吸収条長積を適当な値に設定することが好ましい。
【0079】
P/Al共添加EDFの吸収条長積は、厳密には入力信号光パワーに依存するが、1段目の増幅用光ファイバ以降では、増幅の対象となる信号光の入力信号光パワーは典型的には−2dBm前後またはそれ以上である。したがって、入力信号光パワーを−2dBmに設定した場合を示している図5のグラフにおける励起効率の利得依存性から考えると、励起効率の極大値からの劣化を0.6dBまで許容した場合、前段の第1増幅用光導波路であるP/Al共添加EDFの吸収条長積ピークは、その最大値を760dBとして、760dB以下とすることが好ましい。
【0080】
さらに、励起効率の極大値からの劣化を0.1dBまで許容した場合、P/Al共添加EDFの吸収条長積ピークは、その最大値を650dBとして、650dB以下とすることが好ましい。吸収条長積ピークをこのような範囲内の値とすることにより、P/Al共添加EDFにおける励起効率を好適に保つことができる。
【0081】
なお、上記した2条件のうち、励起効率の極大値からの劣化の許容値を0.6dBとし、吸収条長積ピークを760dB以下とする条件は、励起LDのWear−Out劣化などを想定しなければ許容できる範囲である。また、励起効率の極大値からの劣化の許容値を0.1dBとし、吸収条長積ピークを650dB以下とする条件は、EDF及び通常の光ファイバという異なる種類の光ファイバ間での融着損失の低減や、光部品での損失のばらつきの範囲などから許容できる範囲である。このため、例えば、25年などの長い寿命が要求される光伝送システムでは、吸収条長積ピークを650dB以下とする後者の条件を適用することが好ましい。
【0082】
次に、増幅用光ファイバとしてP/Al共添加EDFを用いた光増幅器における利得偏差について検討する。図7は、P/Al共添加EDFを単段で用いた構成における利得の波長依存性を示すグラフであり、横軸は信号光の波長λ(nm)を、また、縦軸は増幅利得(dB)をそれぞれ示している。
【0083】
P/Al共添加EDFを増幅用光導波路として信号光を増幅する場合、波長1570nm以上の波長帯域での増幅利得の波長依存性を示す利得スペクトルでは、波長1570nm近傍のピークと、波長1600nm近傍のピークとの2つの利得ピーク(利得値の極大)がある。このため、P/Al共添加EDFを用いたLバンド波長帯域内にある信号光の増幅では、波長帯域内での利得偏差が比較的大きくなる。
【0084】
図7のグラフにおいて、グラフC1は、波長1570nm近傍及び1600nm近傍にある2つの利得ピークでの利得値が等しくなるようにEDF内での反転分布を調整した場合に得られる利得スペクトルを示している。例えば、Al添加EDFを用いた場合のLバンド波長帯域での利得偏差は、相対利得偏差で3%程度であるのに対して、P/Al共添加EDFを用いた場合には、グラフC1に示すように、利得偏差は30%程度となる(非特許文献1参照)。
【0085】
これに対して、グラフC2は、上記した2つの利得ピークについて、波長1570nmより短波長側の波長領域での利得の増大を許容した場合に得られる利得スペクトルを示している。この例では、具体的には、信号光波長帯域として通常広く使われている波長帯域に対応して、1574nmを最短波長とし、1620nmより短い1614nmを最長波長とした波長帯域を想定し、この波長帯域内において利得が最も平坦化されるようにEDF内での反転分布を調整している。
【0086】
このグラフC2に示す利得スペクトルにおいては、波長1574nm〜1614nmの波長帯域内において、グラフC1に示す利得スペクトルに比べて相対利得偏差が1/2程度まで低減されている。このようにP/Al共添加EDFによる利得特性を設定することにより、波長1570nm以上で信号光波長帯域として使われる波長帯域において、良好な平坦性を有する利得特性が得られる。さらに、このように利得の平坦性が向上されることにより、利得等化器のピークロスを抑制することができ、同時に、励起効率や雑音特性が向上される。
【0087】
このような前段の第1増幅用光ファイバであるP/Al共添加EDFでの利得スペクトルの設定については、一般には、最短波長を1574nm、最長波長を1620nmより短い所定波長(上記した例では1614nm)とした波長帯域内において最も平坦化された利得スペクトルとなるように、P/Al共添加EDF内での反転分布を設定することが好ましい。
【0088】
ここで、増幅用光ファイバであるP/Al共添加EDF内での反転分布を上述のように設定したLバンドEDFAを、CバンドEDFAなどのEDFAと並列して使用する場合、波長1565nm以下の波長帯域(例えば、波長1530〜1565nmのCバンド波長帯域)での残留利得によってシステム性能が劣化することが考えられる。
【0089】
このため、LバンドEDFAと、CバンドEDFAなどのEDFAとが並列して使用される光増幅システムにおいては、光増幅システムの入力端及び出力端の間にある光伝送路上の所定位置に、波長1565nm以下の波長帯域内にある光を除去する光除去フィルタ(例えば、Cバンド波長帯域内にある光を除去する光除去フィルタ)を設置することが好ましい。これにより、Lバンド波長帯域の信号光に対して波長1565nm以下の波長帯域の信号光を充分に分離して、波長1570nm以上の波長帯域内にある信号光を良好に増幅することができる。
【0090】
また、上述したように1574nmを最短波長とした波長帯域内において利得が最も平坦化されるようにEDF内での反転分布を調整した、グラフC2に示す利得スペクトルが用いられる場合には、短波長側の波長領域において、ある程度の利得の増大を生じる。このような場合には、光伝送路上の所定位置に、波長1575nm以下の波長帯域内にある光を除去する光除去フィルタ(例えば、波長1530〜1575nmの波長帯域内にある光を除去する光除去フィルタ)を設置することが好ましい。なお、光除去フィルタの具体的な構成等については後述する。
【0091】
図8は、本発明による光増幅器の第2実施形態を示す構成図である。この光増幅器2は、図1に示した光増幅器1と同様に、光増幅器2内での光伝送路を構成する増幅用光導波路として、第1増幅用光ファイバである前段のP/Al共添加EDF10、及び第2増幅用光ファイバである後段のEDF20の2本の光ファイバを備えている。
【0092】
P/Al共添加EDF10及びEDF20からなる光増幅器2内での光伝送路を伝送される信号光の伝搬方向は、入力端1aとP/Al共添加EDF10との間に設けられた光アイソレータ31、P/Al共添加EDF10とEDF20との間に設けられた光アイソレータ32、及びEDF20と出力端1bとの間に設けられた光アイソレータ33によって制御されている。光アイソレータ31、32、33のそれぞれは、光を光伝送路の順方向へと通過させるが、逆方向へは通過させないものである。
【0093】
前段の第1増幅用光ファイバであるP/Al共添加EDF10に対し、所定波長の励起光を供給する励起光供給手段として、波長λ1の励起光を出力する励起光源11が設置されている。この励起光源11は、出力された励起光を2つに分岐する6dBカプラ13を介し、光アイソレータ31とP/Al共添加EDF10との間に設けられた光合波手段であるWDMカプラ14、及びP/Al共添加EDF10と光アイソレータ32との間に設けられた光合波手段であるWDMカプラ15によって、光増幅器2内の光伝送路へと接続されている。
【0094】
なお、6dBカプラ13によって分岐された2つの励起光出力のうち、分岐比が大きい方の出力は前方のWDMカプラ14に、また、分岐比が小さい方の出力は後方のWDMカプラ15に、それぞれ入力されている。
【0095】
WDMカプラ14は、光アイソレータ31から到達した信号光をP/Al共添加EDF10へと通過させるとともに、励起光源11からカプラ13を介して供給された励起光をP/Al共添加EDF10へと順方向に合波させる。また、WDMカプラ15は、P/Al共添加EDF10から到達した信号光を光アイソレータ32へと通過させるとともに、励起光源11からカプラ13を介して供給された励起光をP/Al共添加EDF10へと逆方向に合波させる。これにより、光増幅器2のうちでP/Al共添加EDF10を増幅用光ファイバとする前段部分は、双方向励起のP/Al共添加EDFAとして構成されている。
【0096】
一方、後段の第2増幅用光ファイバであるEDF20に対し、所定波長の励起光を供給する励起光供給手段として、波長λ2の励起光を出力する励起光源21が設置されている。この励起光源21は、出力された励起光を2つに分岐する3dBカプラ22を介し、光アイソレータ32とEDF20との間に設けられた光合波手段であるWDMカプラ23、及びEDF20と光アイソレータ33との間に設けられた光合波手段であるWDMカプラ24によって、光増幅器2内の光伝送路へと接続されている。
【0097】
WDMカプラ23は、光アイソレータ32から到達した信号光をEDF20へと通過させるとともに、励起光源21からカプラ22を介して供給された励起光をEDF20へと順方向に合波させる。また、WDMカプラ24は、EDF20から到達した信号光を光アイソレータ33へと通過させるとともに、励起光源21からカプラ22を介して供給された励起光をEDF20へと逆方向に合波させる。これにより、光増幅器2のうちでEDF20を増幅用光ファイバとする後段部分は、双方向励起のEDFAとして構成されている。
【0098】
以上により、本実施形態の光増幅器2は、図8に示すように、双方向励起の構成を有する前段のP/Al共添加EDFAと、双方向励起の構成を有する後段のEDFAとが直列に接続された2段構成のEDFAとなっている。特に、本光増幅器2においては、P/Al共添加EDF10及びEDF20からなる増幅用光導波路を用いることにより、光導波路を伝搬される波長1570nm以上の波長帯域内にある信号光を増幅することが可能とされている。
【0099】
上記構成からなる光増幅器2において、励起光供給手段である励起光源11、21から波長λ1、λ2の励起光が出力されると、出力された励起光は、増幅用光ファイバであるP/Al共添加EDF10及びEDF20へとそれぞれ供給される。このように増幅用光ファイバに所定波長の励起光が供給された状態にある光増幅器2に対して、光増幅器2の入力端1aに接続されている光伝送路から光アイソレータ31を介して波長1570nm以上の信号光が入力されると、この信号光は、前段のP/Al共添加EDF10と、後段のEDF20とによって順次増幅される。そして、増幅された信号光は、光アイソレータ33を介して出力端1bから出力される。
【0100】
本実施形態による光増幅器2においては、図1に示した光増幅器1と同様に、光増幅器2内での光伝送路となる増幅用光導波路を、それぞれErが添加された2段の増幅用光ファイバ10、20から構成するとともに、その前段の光ファイバ10として、P/Al共添加EDFを適用している。これにより、波長1570nm以上の信号光を増幅することが可能となり、また、波長1570nm以上の波長帯域における雑音特性を向上することができる。
【0101】
また、この前段のP/Al共添加EDF10に対し、後段の増幅用光ファイバとして、さらにEDF20を接続している。これら2本の増幅用光ファイバ10及び20を合わせて、全体での2段構成の増幅用光導波路とすることにより、上記のように雑音特性を良好に保持しつつ、かつ、増幅利得の大きさや平坦性などの利得特性を好適に設定することが可能となる。以上より、波長1570nm以上の信号光波長帯域内にある信号光を良好な利得特性で増幅するとともに、その雑音特性が向上された光増幅器2が得られる。
【0102】
また、本実施形態では、前段のP/Al共添加EDF10に対する励起光源11は、P/Al共添加EDF10とEDF20との間に光合波手段として設けられたWDMカプラ15を介して、P/Al共添加EDF10に対して励起光を供給している。また、後段のEDF20に対する励起光源21は、P/Al共添加EDF10とEDF20との間に光合波手段として設けられたWDMカプラ23を介して、EDF20に対して励起光を供給している。
【0103】
これにより、光ファイバの長手方向について、増幅用光ファイバ内での反転分布の一様性を向上することができる。したがって、Lバンド波長帯域を増幅波長帯域とする光増幅器2において、励起光吸収にかかわらず、信号光の増幅を好適に行うことが可能となる。
【0104】
なお、このようにP/Al共添加EDF10とEDF20との間から励起光を供給する構成については、EDF10、20の吸収条長積や、入出力パワーなどに応じた構成とすることが好ましい。例えば、前段のP/Al共添加EDF10の吸収条長積が210dB程度と比較的小さい場合には、図1に示した光増幅器1のような構成を用いることが好ましい。
【0105】
図9は、本発明による光増幅器の第3実施形態を示す構成図である。この光増幅器3は、波長1570nm以上の所定波長を有する信号光を増幅するための光増幅部として、第1光増幅部3Aを備えている。また、波長1570nm未満の所定波長を有する信号光を増幅するための光増幅部として、第2光増幅部3Bを備えている。これらの光増幅部のうち、第1光増幅部3Aは、図8に示した光増幅器2と同様の構成となっている。
【0106】
光増幅器3の第2光増幅部3Bは、光増幅部3B内での光伝送路を構成する増幅用光導波路として、第3増幅用光導波路である第3増幅用光ファイバ40を備えている。第3増幅用光ファイバ40としては、波長1570nm未満の波長帯域内にある信号光を増幅することが可能な光ファイバが用いられる。また、この第3増幅用光ファイバ40は、P/Al共添加EDF10及びEDF20が直列に接続された第1光増幅部3Aの光伝送路に対して、並列に接続されている。
【0107】
増幅用光ファイバ40からなる光増幅部3B内での光伝送路を伝送される信号光の伝搬方向は、入力端と増幅用光ファイバ40との間に設けられた光アイソレータ46、及び増幅用光ファイバ40と出力端との間に設けられた光アイソレータ47によって制御されている。光アイソレータ46、47のそれぞれは、光を光伝送路の順方向へと通過させるが、逆方向へは通過させないものである。
【0108】
増幅用光ファイバ40に対し、所定波長の励起光を供給する第2励起光供給手段として、波長λ3の励起光をそれぞれ出力する励起光源41、42が設置されている。これらの励起光源41、42のうち、励起光源41は、光アイソレータ46と増幅用光ファイバ40との間に設けられた光合波手段であるWDMカプラ43によって、光増幅部3B内の光伝送路へと接続されている。また、励起光源42は、増幅用光ファイバ40と光アイソレータ47との間に設けられた光合波手段であるWDMカプラ44によって、光増幅部3B内の光伝送路へと接続されている。
【0109】
WDMカプラ43は、光アイソレータ46から到達した信号光を増幅用光ファイバ40へと通過させるとともに、励起光源41から供給された励起光を増幅用光ファイバ40へと順方向に合波させる。また、WDMカプラ44は、増幅用光ファイバ40から到達した信号光を光アイソレータ47へと通過させるとともに、励起光源42から供給された励起光を増幅用光ファイバ40へと逆方向に合波させる。これにより、光増幅部3Bは、双方向励起の光増幅器として構成されている。
【0110】
以上により、本実施形態の光増幅器3においては、第1光増幅部3Aは、P/Al共添加EDF10及びEDF20によって、波長1570nm以上の波長帯域内にある信号光を増幅することが可能に構成されている。また、第1光増幅部3Aに対して並列に接続された第2光増幅部3Bは、第3増幅用光ファイバ40によって、波長1570nm未満の波長帯域内にある信号光を増幅することが可能に構成されている。
【0111】
上述した2つの光増幅部3A、3Bに対し、光増幅器3の入力端1a側の光伝送路上には、信号光を分波するための光合分波器36が設けられている。また、光増幅器3の出力端1b側の光伝送路上には、信号光を合波するための光合分波器37が設けられている。
【0112】
光合分波器36で分波された信号光のうち、波長1570nm以上の所定波長の信号光は、第1光増幅部3Aに入力されて増幅される。また、光合分波器36で分波された信号光のうち、波長1570nm未満の所定波長の信号光は、第2光増幅部3Bに入力されて増幅される。そして、第1光増幅部3A及び第2光増幅部3Bのそれぞれで増幅された信号光は、光合分波器37によって合波されて増幅後の信号光となり、出力端1bを介して出力される。
【0113】
本実施形態による光増幅器3においては、直列に接続された第1光増幅部3AのP/Al共添加EDF10及びEDF20に対して、さらに第3増幅用光導波路として増幅用光ファイバ40を並列に接続して、第2光増幅部3Bを構成している。これにより、波長1570nm以上の信号光(例えば、Lバンド波長帯域の信号光)の増幅と、波長1570nm未満の信号光(例えば、Cバンド波長帯域またはSバンド波長帯域の信号光)の増幅とによって、広帯域の信号光を増幅可能な光増幅器を実現することができる。
【0114】
第2光増幅部3Bでの第3増幅用光ファイバ40としては、例えば、Erが所定の添加量添加された石英系の光ファイバ(EDF)を適用することができる。この場合、第2光増幅部3Bは、例えばCバンド波長帯域内にある信号光など、波長1570nm未満の所定波長の信号光を増幅することが可能なEDFAとして構成される。
【0115】
あるいは、第3増幅用光ファイバ40として、Tmが所定の添加量添加された石英系の光ファイバ(TDF)を適用することができる。この場合、第2光増幅部3Bは、例えばSバンド波長帯域内にある信号光など、波長1530nm以下の所定波長の信号光を増幅することが可能なTDFA(Thulium-Doped Fiber Amplifier、Tm添加ファイバ増幅器)として構成される。
【0116】
また、波長1570nm以上の波長帯域内にある信号光を増幅する第1光増幅部に対して並列に接続される光増幅部については、2以上の光増幅部を設置する構成としても良い。そのような構成としては、例えば、第1光増幅部に対して、波長1570nm未満の波長帯域内にある信号光を増幅するEDFAからなる第2光増幅部を並列に接続し、さらに、波長1530nm以下の波長帯域内にある信号光を増幅するTDFAからなる第3光増幅部を並列に接続する構成がある。
【0117】
図10は、光増幅器の第4実施形態である光増幅システム、及び光増幅システムを用いた光伝送システムを模式的に示す構成図である。本実施形態による光増幅システム(光増幅器)5は、Lバンド波長帯域(例えば、波長1570〜1600nmの波長帯域)内にある信号光を増幅するための光増幅器として、3個のLバンドEDFA61、62、63を備えている。これらのEDFA61、62、63は、いずれも図1または図8に示した2段構成を有する光増幅器である。これらのEDFA61、62、63により、波長1570nm以上の信号光を増幅するLバンド用の第1光増幅器(第1光増幅部)6が構成されている。
【0118】
また、光増幅システム5は、Cバンド波長帯域(例えば、波長1530〜1565nmの波長帯域)内にある信号光を増幅するための光増幅器として、3個のCバンドEDFA71、72、73を備えている。これらのEDFA71、72、73により、波長1570nm未満の信号光を増幅するCバンド用の第2光増幅器(第2光増幅部)7が構成されている。
【0119】
上述した2つの光増幅器6、7に対し、光増幅システム5の入力端5a側の光伝送路上には、信号光を分波するためのC/L合分波器91が設けられている。また、光増幅システム5の出力端5b側の光伝送路上には、信号光を合波するためのC/L合分波器92が設けられている。
【0120】
Cバンド波長帯域の信号光及びLバンド波長帯域の信号光を含む入力用光伝送路50からの信号光は、入力端5aを介してC/L合分波器91へと入力されて分波される。
【0121】
C/L合分波器91で分波された信号光のうち、Lバンド波長帯域内にある信号光は、Lバンド増幅用光伝送路51へと出力される。Lバンド増幅用光伝送路51上には、C/L合分波器91側から順に、LバンドEDFA61、62、63が設置されている。Lバンド信号光は、これらのEDFA61、62、63によって順次増幅された後、C/L合分波器92に入力される。
【0122】
また、C/L合分波器91で分波された信号光のうち、Cバンド波長帯域内にある信号光は、Cバンド増幅用光伝送路52へと出力される。Cバンド増幅用光伝送路52上には、C/L合分波器91側から順に、CバンドEDFA71、72、73が設置されている。Cバンド信号光は、これらのEDFA71、72、73によって順次増幅された後、C/L合分波器92に入力される。
【0123】
C/L合分波器92にそれぞれ入力された増幅後のLバンド信号光及びCバンド信号光は、C/L合分波器92によって合波されてCバンド波長帯域の信号光及びLバンド波長帯域の信号光を含む増幅後の信号光となる。そして、合波された信号光は、出力端5bを介して出力用光伝送路53へと出力される。
【0124】
ここで、本実施形態においては、Lバンド増幅用光伝送路51上に設けられたLバンドEDFA62、63の間に、さらにC/L合分波器93が設けられている。このC/L合分波器93は、波長1565nm以下の波長帯域(例えば、Cバンド波長帯域)内にある光を除去する光除去フィルタとして機能する。すなわち、LバンドEDFA62から出力された信号光は、C/L合分波器93へと入力されて分波される。
【0125】
C/L合分波器93で分波された信号光のうち、Lバンド波長帯域内にある信号光は、さらに後段の光増幅器であるLバンドEDFA63へと出力される。一方、Cバンド波長帯域内にあってLバンド増幅用光伝送路51側に残留していた信号光は、光伝送路54へと出力される。また、光伝送路54のC/L合分波器93とは反対側の端部は、無反射終端94とされている。以上の構成により、Lバンド増幅用光伝送路51を伝送されている信号光から、Cバンド波長帯域内にある信号光が除去される。
【0126】
本光増幅システム5を含む光伝送システムは、図10に示すように、所定の信号光波長帯域内にある信号光を送信する送信局Tと、送信局Tからの信号光が伝送される光伝送路である光ファイバ伝送路Lと、光ファイバ伝送路Lを伝送された信号光を受信する受信局Rとを備えて構成されている。
【0127】
光ファイバ伝送路L上の所定位置には、Lバンド用の第1光増幅器6及びCバンド用の第2光増幅器7が並列に接続された上述の光増幅システム5が設置されている。光増幅システム5は、光ファイバ伝送路Lを伝送されている信号光を励起光によって増幅し、特に、Lバンド波長帯域の信号光、及びCバンド波長帯域の信号光を増幅する。
【0128】
本実施形態による光増幅システム5、及びそれを用いた光伝送システムにおいては、波長1570nm以上の所定波長を有する信号光を増幅する第1光増幅器6に対して、さらに波長1570nm未満の所定波長を有する信号光を増幅する第2光増幅器7を並列に接続して、光増幅システム5を構成している。
【0129】
これにより、波長1570nm以上の信号光(例えば、Lバンド波長帯域の信号光)の増幅と、波長1570nm未満の信号光(例えば、Cバンド波長帯域の信号光)の増幅とを行って、広帯域での信号光を光伝送システムにおいて良好に伝送することが可能となる。
【0130】
なお、波長1565nm以下の波長帯域内にある光を除去する光除去フィルタとしては、C/L合分波器に限らず、チャープトファイバグレーティングによるCバンド除去フィルタなどを用いても良い。また、光増幅システム5全体の構成としては、例えば、分散補償ファイバや利得等化器などを、必要に応じてさらに設置しても良い。
【0131】
また、光除去フィルタについては、図7に関して上述したように、必要に応じて、波長1575nm以下の波長帯域内にある光を除去する光除去フィルタを設置することが好ましい。
【0132】
図11は、光増幅器の第5実施形態である光増幅システム、及び光増幅システムを用いた光伝送システムを模式的に示す構成図である。本実施形態による光増幅システム9Aは、Lバンド波長帯域(例えば、波長1570〜1600nmの波長帯域)内にある信号光を増幅するための光増幅器として、3個のLバンドEDFA61、62、63を備えている。これらのEDFA61、62、63により、波長1570nm以上の信号光を増幅するLバンド用の第1光増幅器6が構成されている。
【0133】
また、光増幅システム9Aは、Cバンド波長帯域(例えば、波長1530〜1565nmの波長帯域)内にある信号光を増幅するための光増幅器として、3個のCバンドEDFA71、72、73を備えている。これらのEDFA71、72、73により、波長1570nm未満の信号光を増幅するCバンド用の第2光増幅器7が構成されている。
【0134】
また、光増幅システム9Aは、Sバンド波長帯域(例えば、波長1460〜1530nmの波長帯域)内にある信号光を増幅するための光増幅器として、3個のSバンドTDFA81、82、83を備えている。これらのTDFA81、82、83により、波長1530nm以下の信号光を増幅するSバンド用の第3光増幅器8が構成されている。
【0135】
上述した3つの光増幅器6、7、8に対し、光増幅システム9Aの入力端5a側の光伝送路上には、信号光を分波するためのS/C+L合分波器95が設けられている。また、光増幅システム9Aの出力端5b側の光伝送路上には、信号光を合波するためのS/C+L合分波器96が設けられている。
【0136】
Sバンド波長帯域の信号光、Cバンド波長帯域の信号光、及びLバンド波長帯域の信号光を含む入力用光伝送路50からの信号光は、入力端5aを介してS/C+L合分波器95へと入力されて分波される。
【0137】
S/C+L合分波器95で分波された信号光のうち、Cバンド波長帯域内にある信号光、及びLバンド波長帯域内にある信号光は、光伝送路56を介してC/L合分波器91へと入力されて分波される。
【0138】
C/L合分波器91で分波された信号光のうち、Lバンド波長帯域内にある信号光は、Lバンド増幅用光伝送路51へと出力される。Lバンド増幅用光伝送路51上には、C/L合分波器91側から順に、LバンドEDFA61、62、63が設置されている。Lバンド信号光は、これらのEDFA61、62、63によって順次増幅された後、C/L合分波器92及び光伝送路57を介して、S/C+L合分波器96に入力される。
【0139】
また、C/L合分波器91で分波された信号光のうち、Cバンド波長帯域内にある信号光は、Cバンド増幅用光伝送路52へと出力される。Cバンド増幅用光伝送路52上には、C/L合分波器91側から順に、CバンドEDFA71、72、73が設置されている。Cバンド信号光は、これらのEDFA71、72、73によって順次増幅された後、C/L合分波器92及び光伝送路57を介して、S/C+L合分波器96に入力される。
【0140】
さらに、S/C+L合分波器95で分波された信号光のうち、Sバンド波長帯域内にある信号光は、Sバンド増幅用光伝送路55へと出力される。Sバンド増幅用光伝送路55上には、S/C+L合分波器95側から順に、SバンドTDFA81、82、83が設置されている。Sバンド信号光は、これらのTDFA81、82、83によって順次増幅された後、S/C+L合分波器96に入力される。
【0141】
S/C+L合分波器96にそれぞれ入力された増幅後のLバンド信号光、Cバンド信号光、及びSバンド信号光は、S/C+L合分波器96によって合波されてSバンド波長帯域の信号光、Cバンド波長帯域の信号光、及びLバンド波長帯域の信号光を含む増幅後の信号光となる。そして、合波された信号光は、出力端5bを介して出力用光伝送路53へと出力される。
【0142】
本実施形態においては、Lバンド増幅用光伝送路51上に設けられたLバンドEDFA62、63の間に、さらにC/L合分波器93が設けられている。このC/L合分波器93は、波長1565nm以下の波長帯域(例えば、Cバンド波長帯域)内にある光を除去する光除去フィルタとして機能する。すなわち、LバンドEDFA62から出力された信号光は、C/L合分波器93へと入力されて分波される。
【0143】
C/L合分波器93で分波された信号光のうち、Lバンド波長帯域内にある信号光は、さらに後段の光増幅器であるLバンドEDFA63へと出力される。一方、Cバンド波長帯域内にある光は、光伝送路54へと出力される。また、光伝送路54のC/L合分波器93とは反対側の端部は、無反射終端94とされている。以上の構成により、Lバンド増幅用光伝送路51を伝送されている信号光から、Cバンド波長帯域内にある光が除去される。
【0144】
本光増幅システム9Aを含む光伝送システムは、図11に示すように、所定の信号光波長帯域内にある信号光を送信する送信局Tと、送信局Tからの信号光が伝送される光伝送路である光ファイバ伝送路Lと、光ファイバ伝送路Lを伝送された信号光を受信する受信局Rとを備えて構成されている。
【0145】
光ファイバ伝送路L上の所定位置には、Lバンド用の第1光増幅器6、Cバンド用の第2光増幅器7、及びSバンド用の第3光増幅器8が並列に接続された上述の光増幅システム9Aが設置されている。光増幅システム9Aは、光ファイバ伝送路Lを伝送されている信号光を励起光によって増幅し、特に、Lバンド波長帯域の信号光、Cバンド波長帯域の信号光、及びSバンド波長帯域の信号光を増幅する。
【0146】
本実施形態による光増幅システム9A、及びそれを用いた光伝送システムにおいては、波長1570nm以上の所定波長を有する信号光を増幅する第1光増幅器6に対して、さらに波長1570nm未満の所定波長を有する信号光を増幅する第2光増幅器7と、波長1530nm以下の所定波長を有する信号光を増幅する第3光増幅器8とを並列に接続して、光増幅システム9Aを構成している。
【0147】
これにより、波長1570nm以上の信号光(例えば、Lバンド波長帯域の信号光)の増幅と、波長1570nm未満の信号光(例えば、Cバンド波長帯域の信号光)の増幅とに加えて、波長1530nm以下の信号光(例えば、Sバンド波長帯域の信号光)の増幅を行って、さらに広帯域での信号光を光伝送システムにおいて良好に伝送することが可能となる。
【0148】
図12は、光増幅器の第6実施形態である光増幅システム、及び光増幅システムを用いた光伝送システムを模式的に示す構成図である。本実施形態による光増幅システム9Bは、波長1570nm以上の信号光を増幅するLバンド用の第1光増幅器6、波長1570nm未満の信号光を増幅するCバンド用の第2光増幅器7、及び波長1530nm以下の信号光を増幅するSバンド用の第3光増幅器8を備えている。これらの光増幅器6、7、8、及びそれらを接続する各合分波器、光伝送路等の構成については、図11に示した実施形態と同様である。
【0149】
本実施形態においては、Lバンド増幅用光伝送路51上に設けられたLバンドEDFA62、63の間に、さらにC/L合分波器97が設けられている。このC/L合分波器97は、波長1565nm以下の波長帯域(例えば、Cバンド波長帯域)内にある光を除去する光除去フィルタとして機能する。すなわち、LバンドEDFA62から出力された信号光は、C/L合分波器97へと入力されて分波される。
【0150】
C/L合分波器97で分波された信号光のうち、Lバンド波長帯域内にある信号光は、さらに後段の光増幅器であるLバンドEDFA63へと出力される。一方、Cバンド波長帯域内にある光は、光伝送路58へと出力される。
【0151】
また、第3光増幅器8のSバンド増幅用光伝送路55上に設けられたSバンドTDFA81、82の間には、S/C合分波器98が設けられている。光伝送路58のC/L合分波器97とは反対側の端部は、このS/C合分波器98へと接続されている。以上の構成により、Lバンド増幅用光伝送路51を伝送されている信号光から、Cバンド波長帯域内にある光が除去される。また、除去されたCバンド波長帯域内にある光は、Sバンド用の第3光増幅器8に対して、その入力端及び出力端の間にある光伝送路55上の所定位置から、S/C合分波器98を介して順方向に入力される。
【0152】
本光増幅システム9Bを含む光伝送システムは、図12に示すように、所定の信号光波長帯域内にある信号光を送信する送信局Tと、送信局Tからの信号光が伝送される光伝送路である光ファイバ伝送路Lと、光ファイバ伝送路Lを伝送された信号光を受信する受信局Rとを備えて構成されている。
【0153】
光ファイバ伝送路L上の所定位置には、Lバンド用の第1光増幅器6、Cバンド用の第2光増幅器7、及びSバンド用の第3光増幅器8が並列に接続された上述の光増幅システム9Bが設置されている。光増幅システム9Bは、光ファイバ伝送路Lを伝送されている信号光を励起光によって増幅し、特に、Lバンド波長帯域の信号光、Cバンド波長帯域の信号光、及びSバンド波長帯域の信号光を増幅する。
【0154】
本実施形態による光増幅システム9B、及びそれを用いた光伝送システムにおいては、図11に示した光増幅システム9Aと同様に、波長1570nm以上の所定波長を有する信号光を増幅する第1光増幅器6に対して、さらに波長1570nm未満の所定波長を有する信号光を増幅する第2光増幅器7と、波長1530nm以下の所定波長を有する信号光を増幅する第3光増幅器8とを並列に接続して、光増幅システム9Bを構成している。
【0155】
これにより、波長1570nm以上の信号光(例えば、Lバンド波長帯域の信号光)の増幅と、波長1570nm未満の信号光(例えば、Cバンド波長帯域の信号光)の増幅とに加えて、波長1530nm以下の信号光(例えば、Sバンド波長帯域の信号光)の増幅を行って、さらに広帯域での信号光を光伝送システムにおいて良好に伝送することが可能となる。
【0156】
また、本実施形態では、Lバンド用の第1光増幅器6から光除去フィルタで除去された波長1565nm以下の波長帯域内にある光(例えば、Cバンド波長帯域内にある光)を、Sバンド用の第3光増幅器8へと入力している。このような構成により、TDFAなどからなる第3光増幅器8での信号光の増幅利得及び励起効率を向上することができる。
【0157】
すなわち、Tm(ツリウム)を添加した光ファイバであるTDFをSバンド用の増幅用光導波路として適用した場合、Sバンド増幅に関わる上準位3H4の分布を高める前に、下準位3F4のTmイオン分布を高めることが重要である(例えば、非特許文献2「Tadashi Kasamatsu et al., OAA1999, Postdeadline paper 1 (1999)」参照)。このためには、1550〜1650nmの波長帯域での補助励起光を用いることが効果的である。しかしながら、補助励起光源を設置することは、光増幅器のコストや消費電力などの観点から好ましくない。
【0158】
一方、Lバンド波長帯域を増幅波長帯域とするEDFAにおいては、上述したように、ASEによってCバンド波長帯域内にある光が発生する。また、Lバンド用のEDFAで発生するASE光のパワーは、通常10mWを超えるパワーである。
【0159】
したがって、Lバンド用の第1光増幅器6から除去されたCバンド波長帯域内にある光を、Sバンド用の第3光増幅器8へと入力する構成によれば、第1光増幅器6のEDFAで発生したASE光が、第3光増幅器8のTDFAへと供給されて補助励起光として作用する。これにより、第3光増幅器8での信号光の増幅利得及び励起効率を、低コストで向上することが可能となる。
【0160】
本発明による光増幅器及びそれを用いた光伝送システムは、上記した実施形態に限られるものではなく、様々な変形が可能である。例えば、図1に示した光増幅器1は、第1増幅用光ファイバ10及び第2増幅用光ファイバ20を直列に接続した2段構成となっているが、さらに他のEDFを直列に接続して3段以上の増幅用光ファイバを有する光増幅器の構成としても良い。
【0161】
また、図1の光増幅器1においては、増幅用光導波路として光ファイバを用いている。このように、増幅用光導波路としてP/Al共添加EDFなどのEDFを用いることにより、増幅用光導波路の導波路長を充分な長さにとることができるなど、光増幅器を好適に構成することができる。ただし、このような増幅用光導波路としては、光ファイバ以外の光導波路、例えば平面型の光導波路を用いても良い。
【0162】
【発明の効果】
本発明による光増幅器及びそれを用いた光伝送システムは、以上詳細に説明したように、次のような効果を得る。すなわち、信号光を増幅するための増幅用光導波路を、それぞれErが添加された少なくとも2段の増幅用光導波路から構成するとともに、その前段の光導波路としてP/Al共添加のEr添加光導波路を用いた光増幅器によれば、波長1570nm以上の信号光を増幅することが可能となり、また、波長1570nm以上の波長帯域における雑音特性を向上することができる。
【0163】
また、この前段のP/Al共添加のEr添加光導波路に後段のEr添加光導波路を接続しているので、雑音特性を好適に保持しつつ、増幅用光導波路の全体として充分な増幅利得を確保することができる。以上より、波長1570〜1600nmのLバンド波長帯域を含む波長1570nm以上の信号光波長帯域内にある信号光を良好な利得特性で増幅するとともに、その雑音特性が向上された光増幅器が実現される。
【図面の簡単な説明】
【図1】光増幅器の第1実施形態を示す構成図である。
【図2】波長1570nm以上の波長帯域における各種のEDFの(a)利得特性、及び(b)雑音特性を示すグラフである。
【図3】図1に示した光増幅器を用いた光伝送システムの一実施形態を示す構成図である。
【図4】図1に示した光増幅器における(a)波長0.98μm帯、及び(b)波長1.48μm帯の励起光を供給したときの雑音指数の波長依存性を示すグラフである。
【図5】P/Al共添加EDFを単段で用いた構成における励起効率の利得依存性を示すグラフである。
【図6】Al添加EDFを単段で用いた構成における励起効率の利得依存性を示すグラフである。
【図7】P/Al共添加EDFを単段で用いた構成における利得の波長依存性を示すグラフである。
【図8】光増幅器の第2実施形態を示す構成図である。
【図9】光増幅器の第3実施形態を示す構成図である。
【図10】光増幅器の第4実施形態である光増幅システム、及び光増幅システムを用いた光伝送システムを模式的に示す構成図である。
【図11】光増幅器の第5実施形態である光増幅システム、及び光増幅システムを用いた光伝送システムを模式的に示す構成図である。
【図12】光増幅器の第6実施形態である光増幅システム、及び光増幅システムを用いた光伝送システムを模式的に示す構成図である。
【符号の説明】
1、2、3…光増幅器、3A…第1光増幅部、3B…第2光増幅部、1a…入力端、1b…出力端、10…第1増幅用光ファイバ(P/Al共添加EDF)、20…第2増幅用光ファイバ(EDF)、40…第3増幅用光ファイバ、11、21、41、42…励起光源、12、14、15、23、24、43、44…WDMカプラ、13、22…カプラ、31、32、33、46、47…光アイソレータ、36、37…光合分波器、
5、9A、9B…光増幅システム、6…第1光増幅器、7…第2光増幅器、8…第3光増幅器、5a…入力端、5b…出力端、50…入力用光伝送路、51…Lバンド増幅用光伝送路、52…Cバンド増幅用光伝送路、53…出力用光伝送路、54…光伝送路、55…Sバンド増幅用光伝送路、56、57、58…光伝送路、61、62、63…LバンドEDFA、71、72、73…CバンドEDFA、81、82、83…SバンドTDFA、91、92、93…C/L合分波器、94…無反射終端、95、96…S/C+L合分波器、97…C/L合分波器、98…S/C合分波器、
T…送信局(送信器)、L…光ファイバ伝送路、R…受信局(受信器)。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an optical amplifier that amplifies signal light with pumping light, and an optical transmission system using the same.
[0002]
[Prior art]
An optical amplifier amplifies signal light to compensate for transmission loss in an optical transmission line with respect to signal light transmitted through an optical transmission line such as an optical fiber transmission line in an optical transmission system. The optical amplifier includes an amplification optical waveguide such as an amplification optical fiber, and excitation light supply means for supplying excitation light to the amplification optical waveguide. When signal light is input to the amplification optical waveguide to which excitation light is supplied, the input signal light is amplified in the amplification optical waveguide.
[0003]
An example of such an optical amplifier is a rare earth element-doped fiber amplifier that uses a rare earth element such as Er (erbium) as a fluorescent material for amplification. Rare earth element doped fiber amplifier (for example, EDFA: Erbium-Doped Fiber Amplifier, Er doped fiber amplifier) uses rare earth element doped optical fiber (for example, EDF: Erbium-Doped Fiber, Er doped fiber amplifier) as an optical waveguide for amplification. It was an optical amplifier.
[0004]
[Patent Document 1]
JP 11-317560 A
[Non-Patent Document 1]
Motoki KAKUI and Shinji ISHIKAWA, "Long-Wavelength-Band Optical Amplifiers Employing Silica-Based Erbium Doped Fibers Designed for Wavelength Division Multiplexing Systems and Networks", IEICE Transactions on Electronics, E83-C No.6, p.799-815 (2000 )
[Non-Patent Document 2]
Tadashi Kasamatsu, Yutaka Yano, and Hitoshi Sekita, "Novel 1.50-μm Band Gain-Shifted Thulium-Doped Fiber Amplifier by using Dual Wavelength Pumping of 1.05 μm and 1.56 μm", OAA1999, Postdeadline paper 1 (1999)
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
In recent years, research and development on high-capacity high-speed communication and long-distance communication using an optical fiber transmission line network have been actively conducted due to social needs due to the arrival of an advanced information society. Here, a wavelength division multiplexing (WDM) transmission system performs high-speed, large-capacity optical communication by transmitting multi-wavelength signal light composed of a plurality of signal lights having different wavelengths to an optical fiber transmission line. Is what you do. Further, in the WDM transmission system, in order to further increase the capacity, the signal light wavelength band of multi-wavelength signal light is being widened.
[0006]
In such a WDM transmission system, light in the wavelength band of 1.55 μm is mainly used as signal light. More specifically, the C band (Conventional band) wavelength band of wavelengths 1530 to 1565 nm is used as the signal light wavelength band in the WDM transmission system. The EDFA described above is an optical amplifier that uses this C-band wavelength band as an amplification wavelength band, and is therefore important in constructing a WDM transmission system.
[0007]
On the other hand, in order to expand the signal light wavelength band in the wavelength 1.55 μm band to widen the band, use of an L-band (Long-wavelength band) wavelength band with a wavelength of 1570 to 1600 nm is being promoted. In order to effectively use such an L-band wavelength band as a signal light wavelength band in a WDM transmission system, an optical amplifier having an L-band wavelength band as an amplification wavelength band has been developed in the same way as an EDFA for a C-band wavelength band. It is essential.
[0008]
On the other hand, as an optical amplifier capable of amplifying signal light in the L band wavelength band, for example, Non-Patent
[0009]
The present invention has been made to solve the above problems, and amplifies signal light in the signal light wavelength band of
[0010]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve such an object, an optical amplifier according to the present invention is an optical amplifier that amplifies signal light propagating through an amplification optical waveguide, and includes (1) Er (erbium), P (phosphorus), and Al. (1) a quartz-based first amplification optical waveguide to which (aluminum) is added in a predetermined addition amount; (2) a quartz-based second amplification optical waveguide to which Er (erbium) is added in a predetermined addition amount; 3) It comprises excitation light supply means for supplying excitation light having a predetermined wavelength to the first amplification optical waveguide and the second amplification optical waveguide, respectively. (4) First amplification optical waveguide and second amplification optical waveguide The optical waveguide is connected in series with the first amplifying optical waveguide as the first stage and the second amplifying optical waveguide as the rear stage in the propagation direction of the signal light, and amplifies the signal light having a wavelength of 1570 nm or more. The second amplification optical waveguide is formed by adding Al in a predetermined amount in addition to Er and without adding P, and the gain spectrum in the first amplification optical waveguide has a shortest wavelength of 1574 nm. The inversion distribution in the first amplification optical waveguide is set so as to be flattened most in the wavelength band having the longest wavelength of 1614 nm. It is characterized by that.
[0011]
In the above-described optical amplifier, each of the amplification optical waveguides serving as an optical transmission line in the optical amplifier is composed of at least two amplification optical waveguides to which Er is added. An Er-doped optical waveguide co-doped with / Al is used. This makes it possible to amplify signal light having a wavelength of 1570 nm or more, and improve noise characteristics in a wavelength band of
[0012]
Further, an Er-doped optical waveguide is further connected as a subsequent-stage amplification optical waveguide to the preceding P / Al-codoped Er-doped optical waveguide. By combining these two amplification optical waveguides, it is possible to suitably set gain characteristics such as the magnitude and flatness of the amplification gain while maintaining good noise characteristics. As described above, an optical amplifier that amplifies signal light in the signal light wavelength band of
[0013]
The pumping light supply means includes at least one of the first amplification optical waveguide and the second amplification optical waveguide via an optical multiplexing means provided between the first amplification optical waveguide and the second amplification optical waveguide. One feature is that excitation light is supplied to one of them. As a result, the uniformity of the inversion distribution in the amplification optical waveguide can be improved in the longitudinal direction of the optical waveguide, so that the signal light can be suitably amplified.
[0014]
In addition, the attenuation of light propagating in the direction opposite to the propagation direction of the signal light is less than the attenuation rate of light propagating in the propagation direction of the signal light between the first amplification optical waveguide and the second amplification optical waveguide. It is preferable that an optical element (for example, an optical isolator) having a large rate is provided. Thereby, spontaneous emission light (ASE: Amplified Spontaneous Emission) propagating in the reverse direction through the optical waveguide can be reduced.
[0015]
The pumping light supply means supplies pumping light having a wavelength of 1.48 μm as pumping light to the first amplification optical waveguide. Excitation of the P / Al co-doped Er-doped optical waveguide using the excitation light having such a wavelength improves the excitation efficiency by the excitation light and prevents the noise figure from deteriorating.
[0016]
The second amplification optical waveguide is characterized in that Al is added in a predetermined addition amount in addition to Er and P is not added. By applying such an Al-doped Er-doped optical waveguide as a subsequent amplification optical waveguide, the amplification gain as a whole can be sufficiently increased.
[0017]
Further, the first amplification optical waveguide preferably has an absorption length product peak of 760 dB or less. Alternatively, it is preferable that the first amplification optical waveguide has an absorption length product peak of 650 dB or less. Thereby, the excitation efficiency in the Er-doped optical waveguide co-doped with P / Al can be suitably maintained.
[0018]
Further, the first amplification optical waveguide and the second amplification optical waveguide are a first amplification optical fiber and a second amplification optical fiber, respectively. Thus, by using an Er-doped optical fiber (EDF) such as P / Al co-doped EDF as the amplification optical waveguide, the waveguide length of the amplification optical waveguide can be made sufficiently long, etc. An optical amplifier can be suitably configured.
[0019]
Further, the gain spectrum in the first amplification optical waveguide is most flattened in a wavelength band in which the shortest wavelength is 1574 nm and the longest wavelength is a predetermined wavelength shorter than 1620 nm. An inversion distribution is set. As a result, a gain characteristic having good flatness can be obtained in a wavelength band used as a signal light wavelength band at a wavelength of 1570 nm or more.
[0020]
In addition, it is preferable that a light removal filter for removing light in a wavelength band of 1565 nm or less is installed at a predetermined position on the optical transmission line between the input end and the output end. Thereby, the signal light in the wavelength band of 1565 nm or less such as the C band wavelength band can be sufficiently separated from the signal light in the L band wavelength band, and the signal light of
[0021]
The optical amplifier includes a third amplification optical waveguide connected in parallel to the optical waveguide in which the first amplification optical waveguide and the second amplification optical waveguide are connected in series, and a third amplification optical waveguide. On the other hand, a second excitation light supply means for supplying excitation light having a predetermined wavelength is further provided, and the third amplification optical waveguide amplifies signal light having a predetermined wavelength less than 1570 nm.
[0022]
As described above, the third amplification optical waveguide is further connected in parallel to the two amplification optical waveguides described above, so that signal light having a wavelength of 1570 nm or more (for example, in the L-band wavelength band). An optical amplifier capable of amplifying broadband signal light can be realized by amplification of signal light) and amplification of signal light having a wavelength of less than 1570 nm (for example, signal light in the C band wavelength band or S band wavelength band). .
[0023]
Here, as the third amplification optical waveguide, for example, a quartz-based optical waveguide that amplifies signal light having a predetermined wavelength less than 1570 nm by adding a predetermined addition amount of Er, or a predetermined addition of Tm (thulium). It is preferable to use a silica-based optical waveguide that is added in an amount and amplifies signal light having a predetermined wavelength of 1530 nm or less.
[0024]
An optical transmission system according to the present invention has an optical transmission line for transmitting signal light within a predetermined signal light wavelength band, and a wavelength of 1570 nm or more that is installed at a predetermined position on the optical transmission line and propagates through an amplification optical waveguide. And an optical amplifier that amplifies signal light having a predetermined wavelength.
[0025]
According to such an optical transmission system, an optical transmission system capable of satisfactorily transmitting signal light included in such a wavelength band when a wavelength band of 1570 nm or more is used as the signal light wavelength band is realized. Is done.
[0026]
Alternatively, the optical transmission system includes an optical transmission path through which signal light within a predetermined signal light wavelength band is transmitted, and an optical amplification system installed at a predetermined position on the optical transmission path. A first optical amplifier that is the above-described optical amplifier that amplifies signal light having a predetermined wavelength of 1570 nm or more, and a second light that is connected in parallel to the first optical amplifier and that amplifies signal light having a predetermined wavelength less than 1570 nm. And an amplifier.
[0027]
As described above, the second optical amplifier is further connected in parallel to the optical amplifier described above, thereby amplifying signal light having a wavelength of 1570 nm or more (for example, signal light in the L-band wavelength band), By amplifying signal light having a wavelength of less than 1570 nm (for example, signal light in the C-band wavelength band), an optical transmission system capable of satisfactorily transmitting broadband signal light is realized.
[0028]
The optical amplification system includes a third optical amplifier that is connected in parallel to the first optical amplifier and the second optical amplifier and amplifies signal light having a predetermined wavelength of 1530 nm or less.
[0029]
Thereby, in addition to the amplification of the signal light having a wavelength of 1570 nm or more (for example, signal light in the L band wavelength band) and the amplification of the signal light having a wavelength of less than 1570 nm (for example, signal light in the C band wavelength band), An optical transmission system capable of amplifying signal light having a wavelength of 1530 nm or less (for example, signal light in the S band wavelength band) and transmitting signal light in a wider band can be realized.
[0030]
In the optical amplification system, a light removal filter for removing light in a wavelength band of 1565 nm or less is installed at a predetermined position on the optical transmission line between the input end and the output end of the first optical amplifier, The light removed by the removal filter is input to the third optical amplifier from a predetermined position on the optical transmission line between the input end and the output end thereof.
[0031]
Thereby, the amplification gain and pumping efficiency of the signal light in the third optical amplifier composed of a Tm-doped fiber amplifier (TDFA) can be improved.
[0032]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, preferred embodiments of an optical amplifier according to the present invention and an optical transmission system using the same will be described in detail with reference to the drawings. In the description of the drawings, the same elements are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted. Further, the dimensional ratios in the drawings do not necessarily match those described.
[0033]
FIG. 1 is a configuration diagram showing a first embodiment of an optical amplifier according to the present invention. The
[0034]
In the present embodiment, the first amplifying
[0035]
These P /
[0036]
The propagation direction of the signal light transmitted through the optical transmission line in the
[0037]
In other words, the
[0038]
A pumping
[0039]
The
[0040]
On the other hand, a pumping
[0041]
The
[0042]
As described above, in the
[0043]
In the
[0044]
In the
[0045]
Further, an
[0046]
In this embodiment, the pumping
[0047]
Thereby, the uniformity of the inversion distribution in the amplification optical fiber can be improved in the longitudinal direction of the optical fiber. Therefore, in the
[0048]
Further, between the P /
[0049]
The amplification characteristics of the signal light in the
[0050]
FIG. 2 is a graph showing amplification characteristics of various EDFs in a wavelength band of 1570 nm or more including the L band wavelength band. Here, three types of Er-doped optical fibers, (1) P / Al co-doped EDF, (2) P-doped EDF, and (3) Al-doped EDF, are assumed as various EDFs for comparing amplification characteristics. For each EDF, the amplification characteristics are examined under the condition of supplying excitation light having a wavelength of 1.48 μm.
[0051]
Here, regarding the signal light wavelength band, the L-band (Long-wavelength band) wavelength band refers to a wavelength band of, for example, a wavelength of 1570 to 1600 nm. The C band (Conventional band) wavelength band refers to a wavelength band of, for example, wavelengths 1530 to 1565 nm. Moreover, the S-band (Short-wavelength band) wavelength band refers to a wavelength band of, for example, a wavelength of 1460 to 1530 nm.
[0052]
Among these signal light wavelength bands, the L band wavelength band is included in the wavelength band of 1570 nm or more. Further, the C band wavelength band and the S band wavelength band are included in the wavelength band of less than 1570 nm. However, the shortest wavelength and the longest wavelength of each wavelength band vary to some extent depending on the configuration of each optical transmission system, for example, the shortest wavelength of signal light in the L band wavelength band is set to 1574 nm.
[0053]
FIG. 2A is a graph showing the gain characteristics of each EDF with respect to signal light in the wavelength band of 1570 nm or more. The horizontal axis represents the wavelength λ (nm) of the signal light, and the vertical axis represents the amplification. The gain (dB) is shown respectively. In this graph, the graph A1 shows the gain characteristic with the P / Al co-doped EDF, the graph A2 shows the gain characteristic with the P-doped EDF, and the graph A3 shows the gain characteristic with the Al-doped EDF.
[0054]
FIG. 2B is a graph showing the noise characteristics of each EDF with respect to signal light in the wavelength band of 1570 nm or more. The horizontal axis represents the wavelength λ (nm) of the signal light, and the vertical axis represents The noise figure (NF: Noise Figure, dB) in amplification is shown, respectively. In this graph, graph B1 shows the noise characteristics in the P / Al co-doped EDF, graph B2 shows the noise characteristics in the P-doped EDF, and graph B3 shows the noise characteristics in the Al-doped EDF.
[0055]
Regarding the characteristics of these EDFs, first, when comparing the amplification characteristics (graphs A1 and B1) of the P / Al co-doped EDF with the amplification characteristics (graphs A2 and B2) of the P-doped EDF, The gain spectra in the wavelength band of 1570 nm or more are not significantly different from each other. On the other hand, in the noise characteristics, in the P-doped EDF in which Al is not co-doped, the noise figure is deteriorated on the short wavelength side including the vicinity of the wavelength of 1570 nm, whereas in the P / Al co-doped EDF, over the entire wavelength band. Good noise characteristics are obtained.
[0056]
Further, when comparing the amplification characteristics (graphs A1 and B1) by the P / Al co-doped EDF and the amplification characteristics (graphs A3 and B3) by the Al-doped EDF, the gain characteristic has a gain for a wavelength band of 1570 nm or more. Al-added EDF is larger. However, in the case of Al-added EDF, the gain largely decreases on the long wavelength side exceeding 1600 nm, whereas in the case of P / Al-codoped EDF, a stable gain is obtained up to the long wavelength side.
[0057]
In addition, in the noise characteristics, the Al-doped EDF has a sharp deterioration in noise characteristics on the long wavelength side, whereas the P / Al co-doped EDF has a stable small noise index up to the long wavelength side. ing. Thus, the amplification characteristics in the Al-added EDF are greatly deteriorated on the long wavelength side in both the gain characteristics and the noise characteristics. This is because the absorption cross section of excited state absorption (ESA) in Al-added EDF increases rapidly in the wavelength band of 1600 nm or more (see Non-Patent Document 1).
[0058]
As described above, the P / Al co-doped EDF provides better noise characteristics on the short wavelength side than the P-doped EDF. In addition, it is possible to obtain a good amplification characteristic with less influence of ESA on the long wavelength side as compared with Al-added EDF. Therefore, as described above with respect to the
[0059]
Next, an optical transmission system according to the present invention using the optical amplifier having the above configuration will be described. FIG. 3 is a block diagram showing an embodiment of an optical transmission system using the optical amplifier shown in FIG. This optical transmission system includes a transmission station (transmitter) T that transmits signal light within a predetermined signal light wavelength band, and an optical fiber transmission line L that is an optical transmission path through which signal light from the transmission station T is transmitted. And a receiving station (receiver) R that receives the signal light transmitted through the optical fiber transmission line L.
[0060]
An
[0061]
As described above, according to the optical transmission system including the optical amplifier having the above configuration, when the wavelength band of 1570 nm or more is set as the signal light wavelength band, the signal light included in such a wavelength band is favorably transmitted. An optical transmission system that can be used is realized.
[0062]
The characteristics and suitable configuration conditions of the optical amplifier according to the present invention having the above-described configuration will be further specifically studied.
[0063]
First, the excitation light supplied to the P / Al co-doped EDF used as the first amplification
[0064]
Here, the
[0065]
In the graph shown in FIG. 4A, excitation light having a wavelength of 0.98 μm is supplied from the
[0066]
On the other hand, in the graph shown in FIG. 4B, excitation light having a wavelength of 1.48 μm is supplied from the
[0067]
In a normal EDFA having the C band wavelength band as the amplification wavelength band, and an Al-doped EDFA having the L band wavelength band as the amplification wavelength band, the excitation light having a wavelength of 0.98 μm is generally used as the excitation light for the EDF for amplification. It is known that better noise characteristics can be obtained when the light source is supplied than when the excitation light has a wavelength of 1.48 μm. On the other hand, in the P / Al co-doped EDF shown in FIG. 1 using the P / Al co-doped EDF as the amplification optical fiber, when comparing the noise characteristic graphs shown in FIGS. 4 (a) and (b), On the other hand, it can be seen that when the excitation light in the 0.98 μm band is used, the noise figure is degraded in the wavelength band of 1570 nm or more.
[0068]
In such a P / Al co-doped EDFA, the absorption length product of the P / Al co-doped EDF is increased in order to secure a sufficient gain for amplification of signal light in the L-band wavelength band. Therefore, it is considered that the excitation light supplied is absorbed while propagating through the long EDF. The absorption length product of the P / Al co-added EDF is, for example, about 1.5 times that in the case where the Al-added EDF is used.
[0069]
For this reason, the pumping light supplied to the P / Al co-doped EDF, particularly the pumping light supplied to the preceding P /
[0070]
For example, in a two-stage EDFA in which a P / Al co-doped EDF to which pumping light with a wavelength of 1.48 μm is supplied as described above is used as an amplification optical fiber at the previous stage, pumping light with a wavelength of 0.98 μm is supplied. Compared to a two-stage EDFA that uses an Al-doped EDF as an optical fiber for amplification in the previous stage, it has good noise characteristics over a wide wavelength band up to the signal light wavelength band on the long wavelength side exceeding 1610 nm. Can do.
[0071]
Next, the latter EDF connected in series with the former P / Al co-doped EDF will be examined. FIG. 5 is a graph showing the gain dependence of the excitation efficiency in a configuration in which the P / Al co-doped EDF is used in a single stage. FIG. 6 is a graph showing the gain dependence of the excitation efficiency in a configuration in which Al-added EDF is used in a single stage. 5 and 6, the horizontal axis represents the amplification gain (dB) in the L band wavelength band, and the vertical axis represents the excitation efficiency (%). For the signal light to be amplified, the total input signal light power is set to -2 dBm.
[0072]
Here, with respect to the amplification gain in the L band wavelength band (here, the wavelength band of 1570 to 1600 nm) indicated on the horizontal axis of each graph, the signal light of each wavelength within the L band signal light wavelength band. The gain at is flattened as a whole. In addition, the excitation efficiency shown on the vertical axis of each graph indicates the excitation efficiency when pumping light having a wavelength of 1.48 μm is supplied to the EDF with a bidirectional pumping configuration. In an L-band EDFA in which the L-band wavelength band is an amplification wavelength band, it is possible to improve the pumping efficiency by keeping the inversion distribution in the longitudinal direction of the EDF as uniform as possible. In this respect, the above-described bidirectional excitation is considered to be a preferable excitation method.
[0073]
Comparing the excitation efficiency graph shown in FIG. 5 with the P / Al co-doped EDF and the excitation efficiency graph shown in FIG. 6 with the Al-added EDF, each of these two types of EDFs is optimal. Under the excited excitation conditions, when Al-added EDF is used, a high excitation efficiency that is about 1.8 times that of P / Al-codoped EDF is obtained. On the other hand, when Al-added EDF is applied as an amplification optical fiber, as described above, it is considered that Al-added EDF is greatly affected by ESA on the long wavelength side, and gain is reduced and noise characteristics are deteriorated. There is a need.
[0074]
Here, in the optical amplifier including the amplification optical waveguide having the two-stage configuration, the generated noise light is amplified by the second amplification optical waveguide in the subsequent stage for the first amplification optical waveguide in the previous stage. Among these, noise characteristics are relatively important. On the other hand, with respect to the second amplification optical waveguide in the subsequent stage, it is necessary to ensure a sufficient amplification gain as a whole of the optical amplifier. Therefore, the gain characteristic is relatively important among the amplification characteristics.
[0075]
Therefore, in the
[0076]
As the second amplification
[0077]
Here, the amplification gain in the L-band wavelength band indicated on the horizontal axis in the graphs of FIGS. 5 and 6 is proportional to the absorption length product of the EDF. In contrast to this amplification gain, in the graph of the excitation efficiency shown in FIG. 5 when the P / Al co-doped EDF is used, the gain is reversed in the region where the gain becomes a value above a certain level when the gain is increased. The excitation efficiency has decreased.
[0078]
That is, when the fiber length of the P / Al co-doped EDF is short, the ratio of the pumping light that is not used for pumping the EDF out of the pumping light supplied increases, so that the pumping efficiency is sufficient. Cannot be obtained. On the other hand, if the fiber length of the P / Al-codoped EDF is too long, the length of the fiber portion that turns into absorption increases, and conversely the excitation efficiency deteriorates. Therefore, when a P / Al co-doped EDF is used as the amplification optical fiber, it is preferable to set the absorption length product of the P / Al co-doped EDF to an appropriate value in consideration of the obtained excitation efficiency.
[0079]
Strictly speaking, the absorption length product of the P / Al co-doped EDF depends on the input signal light power, but the input signal light power of the signal light to be amplified is typical after the first amplification optical fiber. Specifically, it is around -2 dBm or more. Therefore, when considering the gain dependence of the pumping efficiency in the graph of FIG. 5 showing the case where the input signal light power is set to −2 dBm, when the deterioration from the maximum value of the pumping efficiency is allowed to 0.6 dB, The absorption length product peak of the P / Al co-doped EDF which is the first amplification optical waveguide is preferably 760 dB or less, with the maximum value being 760 dB.
[0080]
Furthermore, when the degradation from the maximum value of the excitation efficiency is allowed to 0.1 dB, the absorption length product peak of the P / Al co-added EDF is preferably 650 dB or less, with the maximum value being 650 dB. By setting the absorption length product peak to a value within such a range, the excitation efficiency in the P / Al co-added EDF can be suitably maintained.
[0081]
Of the two conditions described above, the condition that the allowable value of deterioration from the maximum value of the excitation efficiency is 0.6 dB and the absorption product long product peak is 760 dB or less assumes Wear-Out deterioration of the excitation LD. Otherwise, it is an acceptable range. Also, the condition that the allowable value of deterioration from the maximum value of the pumping efficiency is 0.1 dB and the absorption product peak is 650 dB or less is the fusion loss between different types of optical fibers such as EDF and ordinary optical fiber. This is an allowable range due to a reduction in power loss and a variation range of loss in optical components. For this reason, for example, in an optical transmission system that requires a long life such as 25 years, it is preferable to apply the latter condition in which the absorption length product peak is 650 dB or less.
[0082]
Next, a gain deviation in an optical amplifier using a P / Al co-doped EDF as an amplification optical fiber will be examined. FIG. 7 is a graph showing the wavelength dependence of gain in a configuration using a single stage of P / Al co-doped EDF, where the horizontal axis represents the wavelength λ (nm) of the signal light, and the vertical axis represents the amplification gain ( dB) is shown respectively.
[0083]
When amplifying signal light using the P / Al co-doped EDF as an amplification optical waveguide, the gain spectrum showing the wavelength dependence of the amplification gain in the wavelength band of 1570 nm or more has a peak near the wavelength of 1570 nm and a wavelength near 1600 nm. There are two gain peaks (maximum gain value) with the peak. For this reason, in the amplification of the signal light in the L band wavelength band using the P / Al co-doped EDF, the gain deviation in the wavelength band becomes relatively large.
[0084]
In the graph of FIG. 7, a graph C1 shows a gain spectrum obtained when the inversion distribution in the EDF is adjusted so that the gain values at two gain peaks near the wavelength of 1570 nm and near 1600 nm are equal. . For example, when the Al-added EDF is used, the gain deviation in the L-band wavelength band is about 3% as a relative gain deviation, whereas when the P / Al-codoped EDF is used, the gain deviation is shown in the graph C1. As shown, the gain deviation is about 30% (see Non-Patent Document 1).
[0085]
On the other hand, the graph C2 shows the gain spectrum obtained when the gain increase in the wavelength region shorter than the
[0086]
In the gain spectrum shown in the graph C2, the relative gain deviation is reduced to about ½ compared to the gain spectrum shown in the graph C1 in the wavelength band of 1574 nm to 1614 nm. By setting the gain characteristics by the P / Al co-doped EDF in this way, gain characteristics having good flatness can be obtained in the wavelength band used as the signal light wavelength band at a wavelength of 1570 nm or more. Furthermore, by improving the gain flatness in this way, the peak of the gain equalizer can be suppressed, and at the same time, the excitation efficiency and noise characteristics are improved.
[0087]
Regarding the setting of the gain spectrum in the P / Al co-doped EDF as the first amplification optical fiber in the preceding stage, generally, the shortest wavelength is 1574 nm and the longest wavelength is a predetermined wavelength shorter than 1620 nm (in the above example, 1614 nm). It is preferable to set the inversion distribution in the P / Al co-doped EDF so that the gain spectrum is flattened most in the wavelength band.
[0088]
Here, when the L-band EDFA in which the inversion distribution in the P / Al co-doped EDF which is an amplification optical fiber is set as described above is used in parallel with an EDFA such as a C-band EDFA, the wavelength is 1565 nm or less. It is conceivable that the system performance deteriorates due to the residual gain in the wavelength band (for example, the C band wavelength band of wavelengths 1530 to 1565 nm).
[0089]
For this reason, in an optical amplification system in which an L-band EDFA and an EDFA such as a C-band EDFA are used in parallel, a wavelength is placed at a predetermined position on the optical transmission line between the input end and the output end of the optical amplification system. It is preferable to install a light removal filter that removes light in the wavelength band of 1565 nm or less (for example, a light removal filter that removes light in the C band wavelength band). Thereby, the signal light in the wavelength band of 1565 nm or less can be sufficiently separated from the signal light in the L band wavelength band, and the signal light in the wavelength band of 1570 nm or more can be favorably amplified.
[0090]
As described above, when the gain spectrum shown in the graph C2 in which the inversion distribution in the EDF is adjusted so that the gain is flattened within the wavelength band having the shortest wavelength of 1574 nm is used, the short wavelength is used. In the wavelength region on the side, a certain increase in gain occurs. In such a case, a light removal filter that removes light in the wavelength band of 1575 nm or less at a predetermined position on the optical transmission line (for example, light removal that removes light in the wavelength band of 1530 to 1575 nm) It is preferable to install a filter. The specific configuration of the light removal filter will be described later.
[0091]
FIG. 8 is a block diagram showing a second preferred embodiment of the optical amplifier according to the present invention. Similar to the
[0092]
The propagation direction of the signal light transmitted through the optical transmission line in the
[0093]
A pumping
[0094]
Of the two pump light outputs branched by the 6
[0095]
The
[0096]
On the other hand, a pumping
[0097]
The
[0098]
As described above, in the
[0099]
In the
[0100]
In the
[0101]
Further, an
[0102]
In this embodiment, the
[0103]
Thereby, the uniformity of the inversion distribution in the amplification optical fiber can be improved in the longitudinal direction of the optical fiber. Therefore, in the
[0104]
In addition, about the structure which supplies excitation light from between P / Al co-added EDF10 and EDF20 in this way, it is preferable to set it as the structure according to the absorption length product, input / output power, etc. of EDF10,20. For example, when the absorption length product of the upstream P /
[0105]
FIG. 9 is a block diagram showing a third preferred embodiment of the optical amplifier according to the present invention. The
[0106]
The second optical amplifying
[0107]
The propagation direction of the signal light transmitted through the optical transmission line in the
[0108]
Excitation light sources 41 and 42 for outputting excitation light of wavelength λ3 are installed as second excitation light supply means for supplying excitation light of a predetermined wavelength to the amplification
[0109]
The
[0110]
As described above, in the
[0111]
An optical multiplexer / demultiplexer 36 for demultiplexing the signal light is provided on the optical transmission line on the
[0112]
Of the signal light demultiplexed by the optical multiplexer / demultiplexer 36, signal light having a predetermined wavelength of 1570 nm or more is input to the first
[0113]
In the
[0114]
As the third amplification
[0115]
Alternatively, as the third amplification
[0116]
Moreover, about the optical amplification part connected in parallel with respect to the 1st optical amplification part which amplifies the signal light in a wavelength band beyond 1570 nm, it is good also as a structure which installs two or more optical amplification parts. As such a configuration, for example, a second optical amplifying unit made of EDFA for amplifying signal light in a wavelength band of less than 1570 nm is connected in parallel to the first optical amplifying unit, and further, a wavelength of 1530 nm There is a configuration in which a third optical amplifying unit made of TDFA for amplifying signal light in the following wavelength band is connected in parallel.
[0117]
FIG. 10 is a configuration diagram schematically showing an optical amplification system that is a fourth embodiment of the optical amplifier, and an optical transmission system using the optical amplification system. The optical amplification system (optical amplifier) 5 according to the present embodiment includes three L-
[0118]
The
[0119]
For the two
[0120]
The signal light from the input
[0121]
Of the signal light demultiplexed by the C / L multiplexer /
[0122]
Of the signal light demultiplexed by the C / L multiplexer /
[0123]
The amplified L-band signal light and C-band signal light respectively input to the C / L multiplexer /
[0124]
Here, in this embodiment, a C / L multiplexer /
[0125]
Of the signal light demultiplexed by the C / L multiplexer /
[0126]
As shown in FIG. 10, the optical transmission system including the
[0127]
At a predetermined position on the optical fiber transmission line L, the above-described
[0128]
In the
[0129]
As a result, amplification of signal light having a wavelength of 1570 nm or more (for example, signal light in the L band wavelength band) and amplification of signal light having a wavelength of less than 1570 nm (for example, signal light in the C band wavelength band) is performed over a wide band. It is possible to satisfactorily transmit the signal light in the optical transmission system.
[0130]
The light removal filter for removing light in the wavelength band of 1565 nm or less is not limited to the C / L multiplexer / demultiplexer, and a C-band removal filter using a chirped fiber grating may be used. Further, as a configuration of the entire
[0131]
As for the light removal filter, as described above with reference to FIG. 7, it is preferable to install a light removal filter that removes light in the wavelength band of 1575 nm or less as necessary.
[0132]
FIG. 11 is a configuration diagram schematically showing an optical amplification system that is a fifth embodiment of the optical amplifier, and an optical transmission system using the optical amplification system. The
[0133]
The
[0134]
The
[0135]
For the above-described three
[0136]
The signal light from the input
[0137]
Of the signal light demultiplexed by the S / C + L multiplexer /
[0138]
Of the signal light demultiplexed by the C / L multiplexer /
[0139]
Of the signal light demultiplexed by the C / L multiplexer /
[0140]
Further, among the signal lights demultiplexed by the S / C + L multiplexer /
[0141]
The amplified L-band signal light, C-band signal light, and S-band signal light respectively input to the S / C + L multiplexer /
[0142]
In the present embodiment, a C / L multiplexer /
[0143]
Of the signal light demultiplexed by the C / L multiplexer /
[0144]
As shown in FIG. 11, the optical transmission system including the present
[0145]
The L-band first
[0146]
In the
[0147]
Accordingly, in addition to amplification of signal light having a wavelength of 1570 nm or more (for example, signal light in the L band wavelength band) and amplification of signal light having a wavelength of less than 1570 nm (for example, signal light in the C band wavelength band), the wavelength 1530 nm By amplifying the following signal light (for example, signal light in the S band wavelength band), it becomes possible to satisfactorily transmit signal light in a wider band in the optical transmission system.
[0148]
FIG. 12 is a configuration diagram schematically showing an optical amplification system that is a sixth embodiment of the optical amplifier, and an optical transmission system using the optical amplification system. The
[0149]
In the present embodiment, a C / L multiplexer /
[0150]
Of the signal light demultiplexed by the C / L multiplexer /
[0151]
An S / C multiplexer /
[0152]
As shown in FIG. 12, the optical transmission system including the present
[0153]
The L-band first
[0154]
In the
[0155]
Accordingly, in addition to amplification of signal light having a wavelength of 1570 nm or more (for example, signal light in the L band wavelength band) and amplification of signal light having a wavelength of less than 1570 nm (for example, signal light in the C band wavelength band), the wavelength 1530 nm By amplifying the following signal light (for example, signal light in the S band wavelength band), it becomes possible to satisfactorily transmit signal light in a wider band in the optical transmission system.
[0156]
In the present embodiment, the light in the wavelength band of 1565 nm or less (for example, the light in the C band wavelength band) removed from the first
[0157]
That is, when TDF, which is an optical fiber doped with Tm (thulium), is applied as an optical waveguide for S-band amplification, the upper level related to S-band amplification. Three H Four Before raising the distribution of the lower level Three F Four It is important to increase the Tm ion distribution of the non-patent document 2 (see, for example, “Tadashi Kasamatsu et al., OAA1999, Postdeadline paper 1 (1999)”). For this purpose, it is effective to use auxiliary excitation light in the wavelength band of 1550 to 1650 nm. However, it is not preferable to install an auxiliary pumping light source from the viewpoint of the cost and power consumption of the optical amplifier.
[0158]
On the other hand, in the EDFA having the L band wavelength band as the amplification wavelength band, as described above, light in the C band wavelength band is generated by ASE. The power of the ASE light generated in the L-band EDFA is usually more than 10 mW.
[0159]
Therefore, according to the configuration in which the light in the C-band wavelength band removed from the L-band first
[0160]
The optical amplifier and the optical transmission system using the same according to the present invention are not limited to the above-described embodiments, and various modifications are possible. For example, the
[0161]
Further, in the
[0162]
【The invention's effect】
As described in detail above, the optical amplifier and the optical transmission system using the same according to the present invention have the following effects. That is, each of the amplification optical waveguides for amplifying the signal light is composed of at least two stages of amplification optical waveguides to which Er is added, and P / Al co-doped Er-doped optical waveguides as the preceding optical waveguides According to the optical amplifier using the optical amplifier, it becomes possible to amplify signal light having a wavelength of 1570 nm or more, and to improve noise characteristics in a wavelength band of
[0163]
In addition, since the subsequent Er-doped optical waveguide is connected to the preceding P / Al co-doped Er-doped optical waveguide, the amplification optical waveguide as a whole has a sufficient amplification gain while suitably maintaining noise characteristics. Can be secured. As described above, an optical amplifier is realized that amplifies signal light in the signal light wavelength band of
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a configuration diagram illustrating a first embodiment of an optical amplifier.
FIG. 2 is a graph showing (a) gain characteristics and (b) noise characteristics of various EDFs in a wavelength band of 1570 nm or more.
3 is a configuration diagram showing an embodiment of an optical transmission system using the optical amplifier shown in FIG. 1. FIG.
4 is a graph showing the wavelength dependence of noise figure when pumping light of (a) wavelength 0.98 μm band and (b) wavelength 1.48 μm band in the optical amplifier shown in FIG. 1 is supplied.
FIG. 5 is a graph showing gain dependence of excitation efficiency in a configuration in which a P / Al-codoped EDF is used in a single stage.
FIG. 6 is a graph showing gain dependence of excitation efficiency in a configuration using an Al-added EDF in a single stage.
FIG. 7 is a graph showing wavelength dependence of gain in a configuration in which a P / Al-codoped EDF is used in a single stage.
FIG. 8 is a configuration diagram illustrating a second embodiment of the optical amplifier.
FIG. 9 is a configuration diagram illustrating a third embodiment of an optical amplifier.
FIG. 10 is a configuration diagram schematically showing an optical amplification system that is a fourth embodiment of an optical amplifier, and an optical transmission system using the optical amplification system.
FIG. 11 is a configuration diagram schematically showing an optical amplification system that is a fifth embodiment of an optical amplifier, and an optical transmission system using the optical amplification system.
FIG. 12 is a configuration diagram schematically showing an optical amplification system that is a sixth embodiment of an optical amplifier, and an optical transmission system using the optical amplification system.
[Explanation of symbols]
1, 2, 3... Optical amplifier, 3 A... First optical amplifying unit, 3 B... Second optical amplifying unit, 1 a. ), 20... Second amplification optical fiber (EDF), 40. Third amplification optical fiber, 11, 21, 41, 42... Excitation light source, 12, 14, 15, 23, 24, 43, 44. , 13, 22 ... coupler, 31, 32, 33, 46, 47 ... optical isolator, 36, 37 ... optical multiplexer / demultiplexer,
5, 9A, 9B ... Optical amplification system, 6 ... First optical amplifier, 7 ... Second optical amplifier, 8 ... Third optical amplifier, 5a ... Input end, 5b ... Output end, 50 ... Input optical transmission line, 51 ... L-band amplification optical transmission line, 52 ... C-band amplification optical transmission line, 53 ... Output optical transmission line, 54 ... Optical transmission line, 55 ... S-band amplification optical transmission line, 56, 57, 58 ...
T ... transmitting station (transmitter), L ... optical fiber transmission line, R ... receiving station (receiver).
Claims (14)
Er、P、及びAlがそれぞれ所定の添加量添加された石英系の第1増幅用光導波路と、
Erが所定の添加量添加された石英系の第2増幅用光導波路と、
前記第1増幅用光導波路に対して1.48μm励起光を供給し、前記第2増幅用光導波路に対して所定波長の励起光を供給する励起光供給手段とを備え、
前記第1増幅用光導波路及び前記第2増幅用光導波路は、前記信号光の伝搬方向に対して前記第1増幅用光導波路を前段、前記第2増幅用光導波路を後段として直列に接続されるとともに、波長1570nm以上の所定波長の前記信号光を増幅し、前記第2増幅用光導波路は、Erに加えてAlが添加され、かつ、Pを無添加として形成され、
前記第1増幅用光導波路での利得スペクトルが、前記波長帯域内において最も平坦化されるように、前記第1増幅用光導波路内での反転分布が設定されていることを特徴とする光増幅器。An optical amplifier that amplifies signal light propagating through an optical waveguide for amplification in a wavelength band in which the shortest wavelength is 1574 nm and the longest wavelength is 1614 nm in a state where signal light in a wavelength band of 1565 nm or less is separated ,
A quartz-based first amplification optical waveguide to which Er, P, and Al are respectively added in predetermined amounts;
A quartz-based second amplification optical waveguide to which Er is added in a predetermined amount;
Supplying 1.48μm excitation light to the first amplifying optical waveguide, and a pumping light supply means for supplying pumping light of a predetermined wavelength to said second amplifying optical waveguide,
The first amplification optical waveguide and the second amplification optical waveguide are connected in series with the first amplification optical waveguide as a front stage and the second amplification optical waveguide as a rear stage with respect to the propagation direction of the signal light. And amplifying the signal light having a predetermined wavelength of 1570 nm or more, and the second amplification optical waveguide is formed by adding Al in addition to Er and without adding P,
An optical amplifier gain spectrum at the first amplification optical waveguide, said as best flattened in the wavelength band, characterized in that the inversion in the first amplification optical waveguide is set .
前記第3増幅用光導波路に対して、所定波長の励起光を供給する第2励起光供給手段とをさらに備え、
前記第3増幅用光導波路は、波長1570nm未満の所定波長の前記信号光を増幅することを特徴とする請求項1記載の光増幅器。A third amplification optical waveguide connected in parallel to the optical waveguide in which the first amplification optical waveguide and the second amplification optical waveguide are connected in series;
A second excitation light supply means for supplying excitation light of a predetermined wavelength to the third amplification optical waveguide;
2. The optical amplifier according to claim 1, wherein the third amplification optical waveguide amplifies the signal light having a predetermined wavelength less than 1570 nm.
前記光伝送路上の所定位置に設置されて、波長1570nm以上の所定波長の前記信号光を増幅する請求項1記載の光増幅器とを備えることを特徴とする光伝送システム。An optical transmission line through which signal light within a predetermined signal light wavelength band is transmitted;
An optical transmission system comprising: the optical amplifier according to claim 1, wherein the optical amplifier is installed at a predetermined position on the optical transmission path and amplifies the signal light having a predetermined wavelength of 1570 nm or more.
前記光増幅システムは、
波長1570nm以上の所定波長の前記信号光を増幅する請求項1記載の光増幅器である第1光増幅器と、
前記第1光増幅器に対して並列に接続され、波長1570nm未満の所定波長の前記信号光を増幅する第2光増幅器とを有することを特徴とする光伝送システム。An optical transmission path through which signal light within a predetermined signal light wavelength band is transmitted, and an optical amplification system installed at a predetermined position on the optical transmission path,
The optical amplification system includes:
The first optical amplifier that is an optical amplifier according to claim 1, wherein the signal light having a predetermined wavelength of 1570 nm or longer is amplified.
An optical transmission system comprising: a second optical amplifier connected in parallel to the first optical amplifier and amplifying the signal light having a predetermined wavelength of less than 1570 nm.
前記第1光増幅器及び前記第2光増幅器に対して並列に接続され、波長1530nm以下の所定波長の前記信号光を増幅する第3光増幅器を有することを特徴とする請求項10記載の光伝送システム。The optical amplification system includes:
11. The optical transmission according to claim 10 , further comprising a third optical amplifier connected in parallel to the first optical amplifier and the second optical amplifier and amplifying the signal light having a predetermined wavelength of 1530 nm or less. system.
前記光増幅システムは、
波長1570nm以上の所定波長の前記信号光を増幅する請求項1記載の光増幅器である第1光増幅器と、
前記第1光増幅器に対して並列に接続され、波長1530nm以下の所定波長の前記信号光を増幅する第3光増幅器とを有することを特徴とする光伝送システム。An optical transmission path through which signal light within a predetermined signal light wavelength band is transmitted, and an optical amplification system installed at a predetermined position on the optical transmission path,
The optical amplification system includes:
The first optical amplifier that is an optical amplifier according to claim 1, wherein the signal light having a predetermined wavelength of 1570 nm or longer is amplified.
An optical transmission system comprising: a third optical amplifier connected in parallel to the first optical amplifier and amplifying the signal light having a predetermined wavelength of 1530 nm or less.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002258074A JP4100101B2 (en) | 2001-09-26 | 2002-09-03 | Optical amplifier and optical transmission system using the same |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001-294349 | 2001-09-26 | ||
| JP2001294349 | 2001-09-26 | ||
| JP2002258074A JP4100101B2 (en) | 2001-09-26 | 2002-09-03 | Optical amplifier and optical transmission system using the same |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003198022A JP2003198022A (en) | 2003-07-11 |
| JP2003198022A5 JP2003198022A5 (en) | 2005-09-02 |
| JP4100101B2 true JP4100101B2 (en) | 2008-06-11 |
Family
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002258074A Expired - Fee Related JP4100101B2 (en) | 2001-09-26 | 2002-09-03 | Optical amplifier and optical transmission system using the same |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4100101B2 (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006222352A (en) * | 2005-02-14 | 2006-08-24 | Fujikura Ltd | Optical fiber laser and optical fiber amplifier |
| JP2007288124A (en) * | 2006-03-22 | 2007-11-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Optical fiber amplifier |
| JP2009094098A (en) * | 2007-10-03 | 2009-04-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Optical fiber communication system |
-
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|---|---|
| JP2003198022A (en) | 2003-07-11 |
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