JP3746324B2 - 新規なアリルカーボネート共重合体とその重合方法および高分子固体電解質 - Google Patents

新規なアリルカーボネート共重合体とその重合方法および高分子固体電解質 Download PDF

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Description

【0001】
【発明の技術分野】
本発明は、高分子固体電解質の高分子マトリックスなどとして用いられるアリルカーボネート共重合体およびその重合方法に関する。また、本発明は、一次電池、二次電池、コンデンサーなどに用いられる高分子固体電解質およびゲル状高分子固体電解質に関する。
【0002】
【発明の技術的背景】
従来から、一次電池、二次電池、コンデンサーなどの電気化学素子には液体の電解質が用いられていた。しかしながら、液体の電解質は漏液が発生し、長期間の信頼性に欠けるという問題点がある。
【0003】
このような問題を解決する方法として、固体の電解質を用いる方法が知られており、固体の電解質を上記のような電気化学素子に用いると、漏液がなくなり信頼性の高い素子を提供できるとともに、素子自体の小型・軽量化が図れる。
【0004】
近年、固体の電解質として種々の高分子固体電解質が研究されている。高分子固体電解質は、可撓性を有するため電極−高分子固体電解質間のイオン電子交換反応過程で生じる体積変化にも柔軟に適用することができ、かつ上記のような固体電解質の特徴を有している。
【0005】
このような高分子固体電解質としては、ポリエーテル構造を有するポリエチレンオキサイドとリチウム塩などのアルカリ金属塩との複合体が知られている。
また特開平5−25353号公報には、ポリオキシアルキレンのジエステル化合物と、ポリメトキシオキシアルキレンのエステル化合物と、二重結合を持ったオキシ化合物との共重合体の架橋樹脂と無機塩とを主たる構成成分とする高分子固体電解質が記載されている。さらに特開平6−223842号公報には、カーボネート基を官能基として有する有機高分子と金属塩とからなる高分子固体電解質が記載されている。
【0006】
しかしながら固体の電解質は、液体の電解質に比べ一般的にイオン導電率が低いため、放電特性に優れた一次、二次電池を得ることは困難であった。
このような状況のもと、イオン電導度に優れ、しかも化学的安定性に優れるなどの要求を満たす高分子固体電解質の出現が望まれており、このような高分子固体電解質の高分子マトリックスとなりうるような高分子重合体の出現が望まれている。
【0007】
【発明の目的】
本発明は、上記のような従来技術に鑑みてなされたものであって、高分子マトリックスとして用いると高いイオン導電率を有し、しかも化学的に安定な高分子固体電解質となりうるようなアリルカーボネート共重合体とその重合方法を提供することを目的としている。さらに本発明は高いイオン導電率を有し、しかも化学的に安定な高分子固体電解質を提供することを目的としている。
【0008】
【発明の概要】
本発明に係る新規なアリルカーボネート共重合体は、下記一般式(I)から選ばれる少なくとも1種の化合物から誘導される構成単位と、
下記一般式(II)から選ばれる少なくとも1種の化合物から誘導される構成単位とを含有することを特徴としている。
【0009】
【化3】
Figure 0003746324
【0010】
(式中、R1、R2およびR3は、互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子またはメチル基を示し、nは1〜20の整数である。)
【0011】
【化4】
Figure 0003746324
【0012】
(式中、R4は水素原子またはメチル基を示し、R5は炭素数1〜4のアルキル基またはCH2CR6=CH2基を示し、R6は水素原子またはメチル基である。)
本発明に係るアリルカーボネート共重合体は、高分子固体電解質の高分子マトリックスなどとして用いられる。本発明のアリルカーボネート共重合体を高分子マトリックスとする高分子固体電解質は、イオン導電率が高く、化学的に安定である。
【0013】
このようなアリルカーボネート共重合体は、上記一般式(I)から選ばれる少なくとも1種の化合物と、前記一般式(II)から選ばれる少なくとも1種の化合物とを、ジイソプロピルパーオキシジカーボネートの存在下で共重合することを特徴としている。
【0014】
本発明に係る高分子固体電解質は、上記のようなアリルカーボネート共重合体と、周期律表第Ia族の金属の塩とからなることを特徴としている。
本発明に係る高分子固体電解質は、イオン導電率が高く、耐電圧性に優れ、化学的に安定である。
【0015】
本発明に係るゲル状高分子固体電解質は、上記のようなアリルカーボネート共重合体と、周期律表第Ia族の金属の塩と、非水溶媒からなることを特徴としている。
【0016】
本発明に係るゲル状高分子固体電解質は、特にイオン導電率が高く、耐電圧性に優れ、化学的に安定である。
【0017】
【発明の具体的説明】
以下、本発明に係る新規なアリルカーボネート共重合体とその重合方法および高分子固体電解質について具体的に説明する。
【0018】
新規なアリルカーボネート共重合体
まず、本発明に係る新規なアリルカーボネート共重合体について説明する。
本発明に係るアリルカーボネート共重合体は、下記のような一般式(I)から選ばれる少なくとも1種の化合物から誘導される構成単位と、
下記のような一般式(II)から選ばれる少なくとも1種の化合物から誘導される構成単位とを含有している。
【0019】
【化5】
Figure 0003746324
【0020】
式中、R1、R2およびR3は、互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子またはメチル基を示し、nは1〜20、好ましくは1〜10、さらに好ましくは1〜5の整数である。
【0021】
このような一般式(I)で表される化合物のうちでは、エチレングリコールジアリルジカーボネート、ジエチレングリコールジアリルジカーボネート、ジエチレングリコールジメタアリルジカーボネート、トリエチレングリコールジアリルジカーボネートなどが好ましい。
【0022】
【化6】
Figure 0003746324
【0023】
式中、R4は水素原子またはメチル基を示し、R5は炭素数1〜4のアルキル基またはCH2CR6=CH2基を示し、R6は水素原子またはメチル基である。
このような一般式(II)で表される化合物のうちでは、メチルアリルカーボネート、エチルアリルカーボネート、プロピルアリルカーボネート、ブチルアリルカーボネートなどが好ましい。
【0024】
本発明に係る前記一般式(I)から選ばれる化合物と、前記一般式(II)で表される化合物との共重合体は、分子量が通常103〜107、好ましくは104〜106の範囲にある。また、前記一般式(I)で表される化合物から導かれる構成単位と、前記一般式(II)で表される化合物から導かれる構成単位とのモル比は、通常2:1〜1:100、好ましくは1:2〜1:50の範囲にある。
【0025】
前記一般式(I)で表される化合物から導かれる構成単位と、前記一般式(II)で表される化合物から導かれる構成単位とのモル比は、所望の物理的および化学的性質に応じて上記範囲内で調整される。
【0026】
前記一般式(I)で表される化合物から導かれる構成単位と、前記一般式(II)から選ばれる化合物から導かれる構成単位とのモル比が上記範囲内であれば、成形性がよく、機械強度の高い共重合体が得られ、さらに高分子マトリックスとして用いたとき高いイオン導電率の高分子固体電解質が得られる。
【0027】
なお、本発明に係るアリルカーボネート重合体は、上記一般式(I)と(II)から誘導される構成単位以外の構成単位を、例えば20モル%以下の割合で含有していてもよい。
【0028】
アリルカーボネート共重合体の重合方法
本発明に係るアリルカーボネート共重合体の重合方法では、前記一般式(I)から選ばれる少なくとも1種の化合物と、前記一般式(II)から選ばれる少なくとも1種の化合物とを、重合開始剤特に好ましくは、ジイソプロピルパーオキシジカーボネートの存在下でラジカル重合させている。
【0029】
ジイソプロピルパーオキシジカーボネートは、前記一般式(I)から選ばれる少なくとも1種の化合物と、前記一般式(II)から選ばれる少なくとも1種の化合物との合計1モルに対し、1×10-4〜3×10-1モル、好ましくは1×10-3〜1×10-1モルの量で用いられる。
【0030】
具体的には以下のような重合方法が挙げられる。
▲1▼前記一般式(I)から選ばれる少なくとも1種の化合物と、前記一般式(II)から選ばれる少なくとも1種の化合物との混合液に、ジイソプロピルパーオキシジカーボネートを均一に混合させ、加熱することによって、一般式(I)で示される化合物と一般式(II)で示される化合物とを共重合させる方法。
【0031】
▲2▼前記一般式(I)から選ばれる少なくとも1種の化合物と、前記一般式(II)から選ばれる少なくとも1種の化合物との混合液に、ジイソプロピルパーオキシジカーボネートを均一に混合させ、紫外線または放射線を照射して、一般式(I)で示される化合物と一般式(II)で示される化合物とを共重合させる方法。この方法においては光増感剤を用いることができ、このような光増感剤としては、ベンゾフェノン、アセトフェノン、2,2-ジメトキシ-2-フェニルアセトフェノンなどを例示できる。
【0032】
▲3▼前記一般式(I)から選ばれる少なくとも1種の化合物と、前記一般式(II)から選ばれる少なくとも1種の化合物と、ジイソプロピルパーオキシジカーボネートとを、溶媒に溶解し、一般式(I)で示される化合物と一般式(II)で示される化合物とを、上記の▲1▼または▲2▼に記載した方法で共重合する方法。用いた溶媒は、重合後、蒸発させて除去してもよい。用いられる溶媒としては、メチルエチルケトン、炭酸ジメチル、炭酸ジエチル、炭酸エチルメチル、炭酸プロピレン、炭酸エチレン、γ−ブチロラクロン、ジメチルホルムアミドなどが挙げられる。
なお、以上のような方法でアリルカーボネート共重合体を重合する際、後述する周期律表第Ia族の金属塩を含んでいてもよい。
【0033】
高分子固体電解質
本発明に係る高分子固体電解質は、上記のようなアリルカーボネート共重合体と、周期律表第Ia族の金属の塩とから形成されている。
【0034】
ここで、周期律表第Ia族の金属の塩としては、LiBr、LiI、LiSCN、LiClO4、LiBF4、LiAsF6、LiPF6、LiCF3SO3、LiAlCl4、LiN(CF3SO2)2、LiN(CF3CF2SO2)2、LiC(CF3SO2)3、NaBr、NaSCN、NaClO4、KSCN、KClO4などが挙げられ、LiClO4、LiBF4、LiPF6、LiAsF6、LiCF3SO3、LiN(CF3SO2)2、LiN(CF3CF2SO2)2、LiC(CF3SO2)3が好ましく用いられる。これらは単独で、または2種以上組み合わせて用いることができる。
【0035】
本発明の高分子固体電解質において、周期律表第Ia族の金属塩の含有量は、アリルカーボネート共重合体中のカーボネート結合1モルに対し、0.001〜0.3モル、好ましくは0.01〜0.1モルの範囲にあることが好ましい。
【0036】
周期律表第Ia族の金属塩の含有割合が上記の範囲内であれば、成形性のよい、機械強度の高い、高いイオン導電率の高分子固体電解質が得られる。
本発明の高分子固体電解質は、一般に膜状の形態で使用されるため、以下のような方法で製造することが好ましい。
【0037】
前記一般式(I)から選ばれる少なくとも1種の化合物と、前記一般式(II)から選ばれる少なくとも1種の化合物と、第Ia族の金属の塩と、ジイソプロピルパーオキシジカーボネートとを均一に混合させ、得られた混合溶液を、基板間にシリコンゴムスペーサーを介した、テフロンシートをコートした2枚のガラス基板のスペーサーにより形成された空間に注入し、積層体ごと加熱して、一般式(I)示される化合物と一般式(II)で示される化合物とを共重合させて、硬化する方法。
【0038】
本発明に係る高分子固体電解質は、イオン導電率が高く、耐電圧性に優れ、化学的に安定である。
このような高分子固体電解質は、たとえば一次電池、二次電池、コンデンサー、エレクトロクロミック表示素子などの電気化学素子、医療用アクチュエーターなどに用いることができる。
【0039】
ゲル状高分子固体電解質
本発明に係るゲル状高分子固体電解質は、上記のようなアリルカーボネート共重合体と、周期律表第Ia族の金属の塩と、非水溶媒とから形成されている。
【0040】
周期律表第Ia族の金属の塩としては、先に述べたような塩を用いることができる。
非水溶媒としてはメチルエチルケトン、炭酸ジメチル、炭酸ジエチル、炭酸エチルメチル、炭酸プロピレン、炭酸エチレン、γ−ブチロラクロン、ジメチルホルムアミドなどが挙げられ、炭酸プロピレン、炭酸エチレンが好ましく使用される。
【0041】
非水溶媒の含有量は、アリルカーボネート共重合体に対して、70重量%以下、好ましくは5〜70重量%、さらに好ましくは10〜50重量%の範囲であることが望ましい。
【0042】
周期律表第Ia族の金属塩の含有割合は、非水溶媒の重量に対し、0.5〜3モル/kg、好ましくは0.8〜2モル/kgの範囲にあることが望ましい。
本発明のゲル状高分子固体電解質は、一般に膜状の形態で使用されるため、以下のような方法で製造することが好ましい。
【0043】
▲1▼前記一般式(I)から選ばれる少なくとも1種の化合物と、前記一般式(II)から選ばれる少なくとも1種の化合物とを、第Ia族の金属の塩とジイソプロピルパーオキシジカーボネートの共存下に溶媒に溶解する。得られた混合溶液を、基板間にシリコンゴムスペーサーを介した、テフロンシートをコートした2枚のガラス基板のスペーサーにより形成された空間に注入し、あるいは得られた溶液を平坦な基板上に流すかあるいは塗布する。その後溶液を加熱して一般式(I)示される化合物と一般式(II)で示される化合物とを共重合させて、硬化する方法。
【0044】
▲2▼前記一般式(I)から選ばれる少なくとも1種の化合物と、前記一般式(II)から選ばれる少なくとも1種の化合物とを、第Ia族の金属の塩の共存下に非水溶媒に溶解する。得られた混合溶液を、基板間にシリコンゴムスペーサーを介した、テフロンシートをコートした2枚のガラス基板のスペーサーにより形成された空間に注入し、あるいは得られた溶液を平坦な基板上に流すかあるいは塗布する。その後溶液に紫外線または放射線を照射して、一般式(I)示される化合物と一般式(II)で示される化合物とを共重合させて、硬化する方法。
【0045】
なお、本方法においては光増感剤を用いることができ、ここで用いられる光増感剤としては、ベンゾフェノン、アセトフェノン、2,2-ジメトキシ-2-フェニルアセトフェノンなどを例示できる。
【0046】
本発明に係るゲル状高分子固体電解質は、特にイオン導電率が高く、耐電圧性に優れ、化学的に安定である。
このようなゲル状高分子固体電解質は、たとえば一次電池、二次電池、コンデンサー、エレクトロクロミック表示素子などの電気化学素子、医療用アクチュエーターなどに用いることができる。
【0047】
【発明の効果】
本発明に係るアリルカーボネート共重合体は、たとえば高分子固体電解質の高分子マトリックスとして用いられる。本発明のアリルカーボネート共重合体を高分子マトリックスとする高分子固体電解質は、イオン導電率が高く、耐電圧性がよく、化学的に安定である。とくにゲル状高分子固体電解質は、イオン伝導性に優れる。
【0048】
【実施例】
以下、実施例に基づいて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【0049】
なお下記の実施例において、得られたアリルカーボネート共重合体、高分子固体電解質、ゲル状高分子固体電解質の物性は下記のようにして測定した。
ゲル分率
得られたアリルカーボネート共重合体をベンゼン中に2日間含浸させ、含浸前後のアリルカーボネート共重合体の重量を測定し、次式によりゲル分率を算出した。
【0050】
【数1】
Figure 0003746324
【0051】
ガラス転移温度
得られたアリルカーボネート共重合体を70℃で真空加熱乾燥し、アルミ製密封パンに封入した。その密封パンを示差走査熱量分析計(SEIKO製 DSC−220C)にセットし、10℃/分で昇温して、−100〜100℃の間の熱容量の変化を測定し、熱容量変化の中点をガラス転移温度とした。
【0052】
イオン導電率
得られた高分子固体電解質を、アルゴン雰囲気中で、直径1.3cmのポンチでくり抜き、ステンレス電極に挟み、密閉型インピーダンス測定用セルに封入した。その測定用セルを温度設定された恒温槽(Yashima BX−10)に固定し、インピーダンスアナライザー(YHP4192A)を用いて、複素インピーダンス測定(交流電圧:500mV)によりイオン導電率を測定した。
【0053】
【合成例1】
ジエチレングリコールジアリルジカーボネート(DEAC)の合成
100mlの4つ口フラスコにジアリルカーボネート14.2g(0.1モル)、ジエチレングリコール10.6g(0.1モル)および触媒として炭酸カリウム0.042g(0.3ミリモル)を仕込み、攪拌、還流下で生成したアリルアルコールを除去しながら130℃で8時間反応させた。反応後シリカゲルの短カラムで炭酸カリウムを除去した後、蒸留してジエチレングリコールジアリルジカーボネートを得た。
【0054】
【合成例2】
アリルメチルカーボネート(MAC)の合成
5lの4つ口フラスコにアリルアルコール422g(7.27モル)、ジメチルカーボネート2120g(23.6モル)および触媒として炭酸カリウム0.1g(7.3ミリモル)を仕込み、攪拌、還流下で生成したメタノールを除去しながら90℃で10時間反応させた。反応後、シリカゲルの短カラムで炭酸カリウムを除去した後、蒸留してアリルメチルカーボネートを得た。
【0055】
【実施例1】
アリルカーボネート共重合体の合成
合成例1で製造したDEAC1.0g(3.6ミリモル)と、合成例2で製造したMAC11.0g(93.6ミリモル;[MAC]/[DEAC]=26)と、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート(IPP)1.4g(6.9ミリモル;DEACとMACの合計量に対し7.1モル%)とを、乾燥アルゴン雰囲気中で均一に混合した。得られた混合液を、テフロンシートをコートした2枚のガラス板にシリコンゴムスペンサ−を介してなる積層体中に注入した。その後70℃に13時間加熱してDEACとMACを共重合させて、硬化させ、アリルカーボネート共重合体を合成した。
【0056】
得られたアリルカーボネート共重合体のゲル分率およびガラス転移温度を測定した。ゲル分率の結果を表1および図1に、ガラス転移温度の結果を表2および図2に示す。
【0057】
【実施例2】
アリルカーボネート共重合体の合成
実施例1においてIPPを0.7g(3.4ミリモル;DEACとMACの合計量に対し3.5モル%)とした以外は実施例1と同様にしてアリルカーボネート共重合体を合成した。
【0058】
得られたアリルカーボネート共重合体について、ゲル分率を測定した。結果を表1および図1に示す。
【0059】
【実施例3】
アリルカーボネート共重合体の合成
実施例1においてIPPを0.5g(2.4ミリモル;DEACとMACの合計量に対し2.4モル%)とした以外は実施例1と同様にしてアリルカーボネート共重合体を合成した。
【0060】
得られたアリルカーボネート共重合体について、ゲル分率を測定した。結果を表1および図1に示す。
【0061】
【実施例4】
アリルカーボネート共重合体の合成
実施例1においてIPPを0.4g(1.8ミリモル;DEACとMACの合計量に対し1.8モル%)とした以外は実施例1と同様にしてアリルカーボネート共重合体を合成した。
【0062】
得られたアリルカーボネート共重合体について、ゲル分率を測定した。結果を表1および図1に示す。
【0063】
【実施例5】
アリルカーボネート共重合体の合成
実施例1においてIPPを0.34g(1.4ミリモル;DEACとMACの合計量に対し1.4モル%)とした以外は実施例1と同様にしてアリルカーボネート共重合体を合成した。
【0064】
得られたアリルカーボネート共重合体について、ゲル分率を測定した。結果を表1および図1に示す。
【0065】
【実施例6】
アリルカーボネート共重合体の合成
実施例1においてIPPを0.2g(1.0ミリモル;DEACとMACの合計量に対し1.0モル%)とした以外は実施例1と同様にしてアリルカーボネート共重合体を合成した。
【0066】
得られたアリルカーボネート共重合体について、ゲル分率を測定した。結果を表1および図1に示す。
【0067】
【実施例7】
アリルカーボネート共重合体の合成
実施例1においてMACを12.9g(111.6ミリモル;[MAC]/[DEAC]=31)、IPPを1.7g(8.2ミリモル;DEACとMACの合計量に対し7.1モル%)とした以外は実施例1と同様にしてアリルカーボネート共重合体を合成した。
【0068】
得られたアリルカーボネート共重合体について、ガラス転移温度を測定した。結果を表2および図2に示す。
【0069】
【実施例8】
アリルカーボネート共重合体の合成
実施例1においてMACを11.3g(97.2ミリモル;[MAC]/[DEAC]=27)、IPPを1.5g(7.2ミリモル;DEACとMACの合計量に対し7.1モル%)とした以外は実施例1と同様にしてアリルカーボネート共重合体を合成した。
【0070】
得られたアリルカーボネート共重合体について、ガラス転移温度を測定した。結果を表2および図2に示す。
【0071】
【実施例9】
アリルカーボネート共重合体の合成
実施例1においてMACを10.0g(86.4ミリモル;[MAC]/[DEAC]=24)、IPPを1.3g(6.4ミリモル;DEACとMACの合計量に対し7.1モル%)とした以外は実施例1と同様にしてアリルカーボネート共重合体を合成した。
【0072】
得られたアリルカーボネート共重合体について、ガラス転移温度を測定した。結果を表2および図2に示す。
【0073】
【実施例10】
アリルカーボネート共重合体の合成
実施例1においてMACを8.8g(75.6ミリモル;[MAC]/[DEAC]=21)、IPPを1.2g(5.6ミリモル;DEACとMACの合計量に対し7.1モル%)とした以外は実施例1と同様にしてアリルカーボネート共重合体を合成した。
【0074】
得られたアリルカーボネート共重合体について、ガラス転移温度を測定した。結果を表2および図2に示す。
【0075】
【実施例11】
アリルカーボネート共重合体の合成
実施例1においてMACを4.2g(36.0ミリモル;[MAC]/[DEAC]=10)、IPPを0.6g(2.8ミリモル;DEACとMACの合計量に対し7.1モル%)とした以外は実施例1と同様にしてアリルカーボネート共重合体を合成した。
【0076】
得られたアリルカーボネート共重合体について、ガラス転移温度を測定した。結果を表2および図2に示す。
【0077】
【実施例12】
アリルカーボネート共重合体の合成
実施例1においてMACを2.5g(21.6ミリモル;[MAC]/[DEAC]=6)、IPPを0.4g(1.8ミリモル;DEACとMACの合計量に対し7.1モル%)とした以外は実施例1と同様にしてアリルカーボネート共重合体を合成した。
【0078】
得られたアリルカーボネート共重合体について、ガラス転移温度を測定した。結果を表2および図2に示す。
【0079】
【実施例13】
アリルカーボネート共重合体の合成
実施例1においてMACを1.7g(14.4ミリモル;[MAC]/[DEAC]=4)、IPPを0.3g(1.3ミリモル;DEACとMACの合計量に対し7.1モル%)とした以外は実施例1と同様にしてアリルカーボネート共重合体を合成した。
【0080】
得られたアリルカーボネート共重合体について、ガラス転移温度を測定した。結果を表2および図2に示す。
【0081】
【実施例14】
アリルカーボネート共重合体の合成
実施例1においてMACを0.8g(7.2ミリモル;[MAC]/[DEAC]=2)、IPPを0.2g(0.8ミリモル;DEACとMACの合計量に対し7.1モル%)とした以外は実施例1と同様にしてアリルカーボネート共重合体を合成した。
【0082】
得られたアリルカーボネート共重合体について、ガラス転移温度を測定した。結果を表2および図2に示す。
【0083】
【実施例15】
高分子固体電解質の製造
実施例1において、混合液にLiN(CF3SO2)20.6g(2.0ミリモル;[LiN(CF3SO2)2]/{DEACとMAC中の[-OCOO-]}=0.02)を加えた以外は実施例1と同様にして、アリルカーボネート共重合体と第Ia族の金属塩からなる高分子固体電解質を製造した。
【0084】
得られた高分子固体電解質について、80℃および100℃におけるイオン導電率を測定した。結果を表3に示す。
【0085】
【実施例16】
高分子固体電解質の製造
実施例15において、MACを11.3g(97.2ミリモル;[MAC]/[DEAC]=27)、IPPを1.5g(7.2ミリモル;DEACとMACの合計量に対し7.1モル%)、LiN(CF3SO2)2を0.6g(2.1ミリモル;[LiN(CF3SO2)2]/{DEACとMAC中の[-OCOO-]}=0.02)とした以外は、実施例15と同様にして高分子固体電解質を製造した。
【0086】
得られた高分子固体電解質について、80℃および100℃におけるイオン導電率を測定した。結果を表3に示す。
【0087】
【実施例17】
高分子固体電解質の製造
実施例15において、MACを11.7g(100.8ミリモル;[MAC]/[DEAC]=28)、IPPを1.5g(7.4ミリモル;DEACとMACの合計量に対し7.1モル%)、LiN(CF3SO2)2を0.6g(2.2ミリモル;[LiN(CF3SO2)2]/{DEACとMAC中の[-OCOO-]}=0.02)とした以外は、実施例15と同様にして高分子固体電解質を製造した。
【0088】
得られた高分子固体電解質について、80℃および100℃におけるイオン導電率を測定した。結果を表3に示す。
【0089】
【実施例18】
高分子固体電解質の製造
実施例17において、LiN(CF3SO2)2を2.7g(9.7ミリモル;[LiN(CF3SO2)2]/{DEACとMAC中の[-OCOO-]}=0.09)とした以外は、実施例15と同様にして高分子固体電解質を製造した。
【0090】
得られた高分子固体電解質について、80℃および100℃におけるイオン導電率を測定した。結果を表3に示す。
【0091】
【実施例19】
高分子固体電解質の製造
実施例15において、MACを12.9g(111.6ミリモル;[MAC]/[DEAC]=31)、IPPを1.7g(8.2ミリモル;DEACとMACの合計量に対し7.1モル%)、LiN(CF3SO2)2を0.7g(2.4ミリモル;[LiN(CF3SO2)2]/{DEACとMAC中の[-OCOO-]}=0.02)とした以外は、実施例15と同様にして高分子固体電解質を製造した。
【0092】
得られた高分子固体電解質について、80℃および100℃におけるイオン導電率を測定した。結果を表3に示す。
【0093】
【実施例20】
高分子固体電解質の製造
実施例15において、MACを13.4g(115.2ミリモル;[MAC]/[DEAC]=32)、IPPを1.7g(8.4ミリモル;DEACとMACの合計量に対し7.1モル%)、LiN(CF3SO2)2を0.7g(2.4ミリモル;[LiN(CF3SO2)2]/{DEACとMAC中の[-OCOO-]}=0.02)とした以外は実施例15と同様にして高分子固体電解質を製造した。
【0094】
得られた高分子固体電解質について、80℃および100℃におけるイオン導電率を測定した。結果を表3に示す。
【0095】
【実施例21】
高分子固体電解質の製造
実施例15において、MACを13.8g(118.8ミリモル;[MAC]/[DEAC]=33)、IPPを1.8g(8.9ミリモル;DEACとMACの合計量に対し7.1モル%)、LiN(CF3SO2)2を0.7g(2.5ミリモル;[LiN(CF3SO2)2]/{DEACとMAC中の[-OCOO-]}=0.02)とした以外は実施例15と同様にして高分子固体電解質を製造した。
【0096】
得られた高分子固体電解質について、80℃および100℃におけるイオン導電率を測定した。結果を表3に示す。
【0097】
【実施例22】
ゲル状高分子固体電解質の製造
実施例15において、混合液に炭酸エチレンを3.6g(DEACとMACの合計量に対し30重量%)加え、かつLiN(CF3SO2)2を1.0g(3.6ミリモル;炭酸エチレンに対して1モル/kg)にした以外は、実施例15と同様にしてゲル状高分子固体電解質を製造した。
【0098】
得られたゲル状高分子固体電解質について、−20、−10、0、10、20、30、40、60、80、100℃におけるイオン導電率を測定した。結果を表4および図3に示す。
【0099】
【実施例23】
ゲル状高分子固体電解質の製造
実施例22において、炭酸エチレンを2.4g(DEACとMACの合計量に対し20重量%)、かつLiN(CF3SO2)2を0.7g(2.4ミリモル;炭酸エチレンに対して1モル/kg)にした以外は実施例22と同様にしてゲル状高分子固体電解質を得た。
【0100】
得られた高分子固体電解質について、10、20、30、40、60、80、100℃におけるイオン導電率を測定した。結果を表4および図3に示す。
【0101】
【実施例24】
ゲル状高分子固体電解質の製造
実施例22において、炭酸エチレンの代わりに炭酸プロピレンを使用した以外は実施例22と同様にしてゲル状高分子固体電解質を得た。
【0102】
得られた高分子固体電解質について、−20、−10、0、10、20、30、40、60、80、100℃におけるイオン導電率を測定した。結果を表4および図3に示す。
【0103】
【実施例25】
ゲル状高分子固体電解質の製造
実施例24において、炭酸プロピレンを2.4g(DEACとMACの合計量に対し20重量%)、かつLiN(CF3SO2)2を0.7g(2.4ミリモル;炭酸プロピレンに対して1モル/kg)にした以外は実施例24と同様にしてゲル状高分子固体電解質を得た。
【0104】
得られた高分子固体電解質について、30、40、60、80、100℃におけるイオン導電率を測定した。結果を表4および図3に示す。
【0105】
【表1】
Figure 0003746324
【0106】
【表2】
Figure 0003746324
【0107】
【表3】
Figure 0003746324
【0108】
【表4】
Figure 0003746324

【図面の簡単な説明】
【図1】 図1は実施例1〜6で得られたアリルカーボネート共重合体のゲル分率を示す。
【図2】 図2は実施例1および実施例7〜14で得られたアリルカーボネート共重合体のガラス転移温度を示す。
【図3】 図3は実施例22〜25で得られたゲル状高分子固体電解質のイオン導電率を示す。

Claims (4)

  1. 下記一般式(I)から選ばれる少なくとも1種の化合物から誘導される構成単位と、
    下記一般式(II)から選ばれる少なくとも1種の化合物から誘導される構成単位とを含有することを特徴とするアリルカーボネート共重合体;
    Figure 0003746324
    (式中、R1、R2およびR3は、互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子またはメチル基を示し、nは1〜20の整数である。)
    Figure 0003746324
    (式中、R4は水素原子またはメチル基を示し、R5は炭素数1〜4のアルキル基またはCH2CR6=CH2基を示し、R6は水素原子またはメチル基である。)
  2. 上記一般式(I)から選ばれる少なくとも1種の化合物と、
    上記一般式(II)から選ばれる少なくとも1種の化合物とを、
    ジイソプロピルパーオキシジカーボネートの存在下で共重合することを特徴とするアリルカーボネート共重合体の重合方法。
  3. 請求項1に記載のアリルカーボネート共重合体と、周期律表第Ia族の金属の塩とからなることを特徴とする高分子固体電解質。
  4. 請求項1に記載のアリルカーボネート共重合体と、周期律表第Ia族の金属の塩と、非水溶媒とからなることを特徴とするゲル状高分子固体電解質。
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