JP3742587B2 - ガス検出方法及びその装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般家庭や工業分野において、可燃性ガスや不完全燃焼時に発生する一酸化炭素などの不完全燃焼ガスを検出するガス検出方法及びその装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来より、都市ガスやプロパンガスなどの可燃性ガスのガス漏れを検知するガス検出装置として、酸化錫(SnO2)を主成分とする感ガス体を用い、感ガス体の表面に可燃性ガスのような還元性のガスが接触すると酸化還元作用によってその抵抗値が減少するという性質を利用して可燃性ガスを検出するものがあった。また、感ガス体の温度や材料を適切に組み合わせることによって、不完全燃焼時に発生する一酸化炭素(CO)などの不完全燃焼ガスと可燃性ガスの両方を検出するものも提供されている。
【0003】
このようなガス検出装置は、感ガス体を加熱するためのヒータを有しており、ヒータへの通電を制御して感ガス体の温度を高温とする高温期間と、感ガス体の温度を低温とする低温期間とを所定周期で交互に設け、感ガス体の低温期間において一酸化炭素などの不完全燃焼ガスを検出するとともに、感ガス体の高温期間において感ガス体の表面に付着した不完全燃焼ガスを燃焼させ、その表面の汚れを除去した後、メタン(CH4)などの可燃性ガスを検出していた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
上述したガス検出装置では、低温期間或いは高温期間の終了時に感ガス体の抵抗値と所定の警報レベルとの高低を比較することによって、検知対象ガスの有無を判別しているのであるが、感ガス体の抵抗値は周囲温度によって大きく変動し、特に低温期間においては周囲温度の影響が顕著になるため、周囲温度の変化によって検知対象ガスを誤検出する虞があった。
【0005】
そこで、感ガス体の周囲温度を検出する温度センサを設け、温度センサの検出温度に応じて感ガス体の抵抗値に補正係数をかけることによって、周囲温度による抵抗値変化を補償するものが提案されている。
【0006】
図14はこのような温度補償方法のフロー図であり、先ず、ヒータ電圧VHを高温時の設定電圧に切り替えて5秒間保持し(S11)、高温期間の5秒目に感ガス体の抵抗値を検出して、可燃性ガスの警報レベルと抵抗値との高低を比較し、可燃性ガスの有無を判別する(S12)。次に、ヒータ電圧を低温時の設定電圧に切り替えて15秒間保持し(S13)、低温期間の15秒目に感ガス体の抵抗値Rsを検出した後(S14)、周囲温度を検出し(S15)、周囲温度に応じた補正係数hを抵抗値Rsにかけて、補正値Rs’を得る(S16)。そして、一酸化炭素の警報レベルと補正値Rs’との高低を比較することにより、一酸化炭素の有無を判別する。
【0007】
ところで、図15は低温期間の20秒目における感ガス体の抵抗値の温度変化を示しており、図15中の▲1▼(○)は大気中の感ガス体20の抵抗値Rs、▲2▼(▼)は100ppmの一酸化炭素(C0)を含む雰囲気中の感ガス体20の抵抗値Rs、▲3▼(△)は1000ppmの水素(H2)を含む雰囲気中の感ガス体20の抵抗値Rs、▲4▼(●)は1000ppmのメタン(CH4)を含む雰囲気中の感ガス体20の抵抗値Rsである。
【0008】
また、図16は低温期間の20秒目における感ガス体20の抵抗値Rsに補正係数をかけて求めた補正値Rs’を示し、図16中の▲1▼(○)は大気中の感ガス体20の抵抗値Rsから求めた補正値Rs’、▲2▼(▼)は100ppmの一酸化炭素(C0)を含む雰囲気中の感ガス体20の抵抗値Rsから求めた補正値Rs’、▲3▼(△)は1000ppmの水素(H2)を含む雰囲気中の感ガス体20の抵抗値Rsから求めた補正値Rs’、▲4▼(●)は1000ppmのメタン(CH4)を含む雰囲気中の感ガス体20の抵抗値Rsから求めた補正値Rs’である。
【0009】
図15から分かるように検出対象のガスの種類によって温度変化に対する抵抗値変化の割合が異なるため、図16に示すように、100ppmの一酸化炭素を含む雰囲気中の抵抗値が略一定となるように感ガス体の抵抗値に温度係数(補正係数)をかけて温度補償しても、それ以外のガス中の抵抗値は周囲温度変化に応じて変動するから、検出対象のガス毎に補正係数をかえて温度補償する必要があり、温度補償の手間がかかるという問題があった。
【0010】
本発明は上記問題点に鑑みて為されたものであり、その目的とするところは、周囲温度が変動した場合でも複数のガスの有無を確実に検出できるガス検出方法及びその装置を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項1の発明では、検出対象ガスが表面に接触することによって抵抗値が変化する感ガス体の抵抗値から検出対象ガスを検出するガス検出方法であって、感ガス体の温度を第1の設定温度まで加熱した状態で、感ガス体の抵抗値から第1の検出対象ガスを検出した後、感ガス体の温度を第1の設定温度よりも低い第2の設定温度まで低下させた状態で、感ガス体の周囲温度を検出し、周囲温度の検出結果に基づいて、第2の検出対象ガスを含む雰囲気中の感ガス体の抵抗値と第2の検出対象ガス以外のガスを含む雰囲気中の感ガス体の抵抗値との比率が周囲温度に関係なく略同じ比率となるように感ガス体の抵抗値を取り込むタイミングを変化させ、変化させたタイミングで感ガス体の抵抗値を取り込み、第2の検出対象ガスを検出することを特徴とし、感ガス体の温度を第2の設定温度まで低下させた状態で、感ガス体の抵抗値を検出するタイミングを周囲温度に応じて変化させることによって、第2の検出対象ガスを含む雰囲気中の感ガス体の抵抗値と第2の検出対象ガス以外のガスを含む雰囲気中の感ガス体の抵抗値との比率が周囲温度に関係なく略同じ比率となるようなタイミングで感ガス体の抵抗値を検出することができ、検出対象ガスを含む複数のガスについて一度に温度補償できるから、周囲温度変化による誤検出を防止できる。
【0012】
請求項2の発明では、請求項1の発明において、感ガス体の温度を第1の設定温度まで加熱する高温期間と、第2の設定温度まで加熱する低温期間とを交互に繰り返し、低温期間の終了する直前に感ガス体の抵抗値を検出しており、周囲温度の検出結果に基づいて上記低温期間の時間幅を変化させることによって上記タイミングを変化させることを特徴とし、請求項1の発明と同様の作用を奏する。
【0013】
請求項3の発明では、請求項1の発明において、感ガス体の温度を第1の設定温度まで加熱する高温期間と、第2の設定温度まで加熱する低温期間とを交互に繰り返し、上記低温期間の時間幅を略一定として上記タイミングを変化させることを特徴とし、請求項1の発明と同様の作用を奏する。
【0014】
請求項4の発明では、検出対象ガスが表面に接触することによって抵抗値が変化する感ガス体と、感ガス体を加熱する加熱部と、加熱部の加熱状態を制御することによって感ガス体の温度を第1の設定温度まで加熱する高温期間と第1の設定温度よりも低い第2の設定温度まで加熱する低温期間とを交互に設ける加熱制御部と、高温期間および低温期間における感ガス体の抵抗値からそれぞれ検出対象ガスを検出するガス検出部と、感ガス体の周囲温度を検出する温度センサ部と、低温期間においてガス検出部が感ガス体の抵抗値を検出するタイミングを、温度センサ部が検出した周囲温度に基づいて、検出対象ガスを含む雰囲気中の感ガス体の抵抗値と検出対象ガス以外のガスを含む雰囲気中の感ガス体の抵抗値との比率が略同じ比率になるようなタイミングに変化させる検出タイミング可変部とを備えて成ることを特徴とし、検出タイミング可変部は、低温期間において感ガス体の抵抗値を検出するタイミングを、温度センサ部の検出した周囲温度に応じて変化させており、検出対象ガスを含む雰囲気中の感ガス体の抵抗値と検出対象ガス以外のガスを含む雰囲気中の感ガス体の抵抗値との比率が周囲温度に関係なく略同じ比率となるようなタイミングで感ガス体の抵抗値を検出しているので、検出対象ガスを含む複数のガスについて一度に温度補償することができ、周囲温度変化による誤検出を防止できる。
【0015】
請求項5の発明では、請求項4の発明において、上記ガス検出部は低温期間の終了する時点で上記感ガス体の抵抗値を検出し、上記検出タイミング可変部は上記低温期間の時間幅を変化させることによって上記タイミングを変化させることを特徴とし、請求項4の発明と同様の作用を奏する。
【0016】
請求項6の発明では、請求項4の発明において、上記検出タイミング可変部は、上記低温期間の時間幅を略一定として上記タイミングを変化させることを特徴とし、請求項4の発明と同様の作用を奏する。
【0017】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態を図1乃至図13を参照して説明する。本実施形態のガス検出装置に用いるガス検出素子は、図12(a)(b)に示すように、略円板状の樹脂製のベース11と、ベース11を貫通してベース11の表面側および裏面側に突出する3本の端子12a〜12cと、端子12a〜12cにそれぞれリード線13a〜13cを介して取り付けられたセンシング素子Aと、天井面14aを有する略円筒状に形成されセンシング素子Aを覆うようにしてベース11に冠着されるカバー14と、カバー14の天井面14aに形成された丸孔14bに取り付けられたガス導入用のステンレス製の金網15とを備えている。
【0018】
センシング素子Aは、図13に示すように酸化錫(SnO2)などの金属酸化物半導体を主成分とし略球状に形成された所謂焼結体型の感ガス体20を有しており、この感ガス体20中にコイル状の白金よりなるヒータ兼用電極21を埋設するとともに、ヒータ兼用電極21のコイルの中心を貫通するようにして貴金属線からなる抵抗検出用電極22を感ガス体20中に埋設して形成される。ここに、感ガス体20から突出するヒータ兼用電極21の両端部から上述したリード線13a,13cが構成され、感ガス体20から突出する抵抗検出用電極22の一端部からリード線13bが構成される。
【0019】
このセンシング素子Aのヒータ兼用電極21の加熱を制御するとともに、感ガス体20の抵抗値変化から検出対象のガスを検出する制御部2の回路構成を図1に示す。
【0020】
この回路では、交流商用電源ACの交流電圧を降圧トランスTrで降圧し、降圧した電圧をダイオードブリッジDB1,DB2でそれぞれ全波整流する。一方のダイオードブリッジDB2で整流された電圧は平滑コンデンサC1で平滑された後、三端子レギュレータIC1で略一定の電圧に安定化されて、マイクロコンピュータ(以下、マイコンと称す)3に供給される。
【0021】
センシング素子Aのヒータ兼用電極21は、PNP型のトランジスタQ1および抵抗R10の並列回路を介して三端子レギュレータIC1の出力端子間に接続され、トランジスタQ1のオン/オフに応じてヒータ兼用電極21への印加電圧が高低2段階に切り換わるようになっている。また、センシング素子Aの抵抗検出用電極22は、PNP型のトランジスタQ21と負荷抵抗R21との直列回路およびPNP型のトランジスタQ22と負荷抵抗R22との直列回路とダイオードD1とを介して、三端子レギュレータIC1の出力端子に接続されるとともに、マイコン3の入力ポートI1に接続されている。
【0022】
マイコン3の出力ポートO1にはトランジスタQ1のベースが接続され、出力ポートO21,O22にはそれぞれトランジスタQ21,Q22のベースが接続されている。トランジスタQ1のエミッタ・ベース間にはプルアップ用抵抗R2を接続するとともに、このプルアップ用抵抗R2の両端間にPNP型のトランジスタQ4のエミッタ・コレクタ間を接続してある。このトランジスタQ4は、コンパレータCP1などとともにヒータ兼用電極21の保護回路5を構成する。
【0023】
保護回路5では、三端子レギュレータIC1の出力端子にダイオードD1を介して抵抗R6,R7の直列回路を接続しており、三端子レギュレータIC1の出力電圧を抵抗R6,R7で分圧するとともに、抵抗R6,R7の接続点をコンパレータCP1の反転入力端子に接続している。またマイコン3の出力ポートO1と回路のグランドとの間に抵抗R8およびコンデンサC0の直列回路を接続し、抵抗R8およびコンデンサC0の接続点をコンパレータCP1の非反転入力端子に接続し、コンパレータCP1の出力端子を抵抗R9を介してトランジスタQ4のベースに接続している。
【0024】
ここで、マイコン3の出力ポートO1の出力がローからハイに反転すると、トランジスタQ1はオフ状態となり、抵抗R10を介してヒータ兼用電極21に電圧が印加されるので、ヒータ兼用電極21への印加電圧が低下する。また、マイコン3の出力ポートO1がハイになると、抵抗R8を介してコンデンサC0が充電され、その充電電圧が抵抗R6,R7の接続点の電位を上回ると、コンパレータCP1の出力がハイになり、トランジスタQ4はオフする。
【0025】
次にマイコン3の出力ポートO1がハイからローに反転すると、トランジスタQ1がオンになり、トランジスタQ1を介してヒータ兼用電極21に電圧が印加されるので、ヒータ兼用電極21への印加電圧が増加する。また、マイコン3の出力ポートO1がハイからローに反転すると、コンデンサC0に充電された電荷が抵抗R8を介して放電され、その両端電圧が徐々に低下する。そして、コンデンサC0と抵抗R8との時定数で決まる所定時間が経過すると、コンデンサC0の両端電圧が抵抗R6,R7の接続点の電位を下回り、コンパレータCP1の出力がローになって、トランジスタQ4がオンになる。この時、トランジスタQ1のベース・エミッタ間が短絡されるので、トランジスタQ1はオフ状態となり、ヒータ兼用電極21への印加電圧が低下する。
【0026】
このように加熱制御部としてのマイコン3が、所定周期毎に所定時間だけヒータ兼用電極21への印加電圧を高電圧に切り替えるようなデューティ制御を行うことによって、ヒータ兼用電極21に印加するヒータ電圧VHの平均値を約0.9Vとして感ガス体20を約400℃に加熱する高温期間と、ヒータ電圧VHの平均値を約0.2Vとして感ガス体20を約60℃に加熱する低温期間とを交互に設けることができる(図11参照)。
【0027】
ここで、マイコン3が外部ノイズなどにより暴走して、マイコン3の出力ポートO1がローレベルに固定されると、保護回路5のコンデンサC0に充電された電荷が抵抗R8を介して放電され、やがてコンデンサC0の両端電圧が抵抗R6,R7の接続点の電位を下回るので、コンパレータCP1の出力がハイレベルからローレベルに反転してトランジスタQ4がオンし、トランジスタQ1のベース電位を電源電圧まで吊り上げ、トランジスタQ1を強制的にオフ状態とする。したがって、マイコン3が暴走してトランジスタQ1がオンになったとしても、保護回路5がトランジスタQ1を強制的にオフ状態とし、ヒータ兼用電極21への通電を強制的に停止させているので、ヒータ兼用電極21が必要以上に通電されることはなく、コンデンサC0および抵抗R8の時定数を適切に設定することによって、マイコン3の暴走によるヒータ兼用電極21の断線を防止できる。
【0028】
ところで、三端子レギュレータIC1の出力端子間には、温度センサ部たる温湿度補償用のサーミスタTH1および抵抗R25の直列回路が接続されており、サーミスタTH1および抵抗R25の接続点の電位がマイコン3の入力ポートI2に入力されている。マイコン3は、入力ポートI2からサーミスタTH1および抵抗R25の分圧電圧を取り込み、この電圧値に応じて感ガス体20の抵抗値の温度補償を行う。尚、温度補償の方法については後述する。
【0029】
ここで、図2〜図4は、それぞれ、感ガス体20を高温状態で5秒間加熱した後、低温状態で所定時間加熱した場合の各種ガスに対する応答特性を示しており、図2は周囲温度が20℃の場合の応答特性を、図3は周囲温度が−10℃の場合の応答特性を、図4は周囲温度が50℃の場合の応答特性をそれぞれ示している。また、各図中の▲1▼(○)は大気中の感ガス体20の抵抗値Rsを、▲2▼(▼)は100ppmの一酸化炭素を含む雰囲気中の感ガス体20の抵抗値Rsを、▲3▼(△)は1000ppmの水素を含む雰囲気中の感ガス体20の抵抗値Rsを、▲4▼(●)は1000ppmのメタンを含む雰囲気中の感ガス体20の抵抗値Rsをそれぞれ示している。
【0030】
これらの測定結果から低温期間において各種ガスに対する抵抗値Rsの応答特性が周囲温度に応じて異なることが判明した。すなわち、周囲温度が常温(20℃)よりも低い場合は抵抗値Rsの応答速度が緩やかになり、周囲温度が常温(20℃)よりも高い場合は抵抗値RSの応答速度が早くなっている。而して、検出タイミング可変部としてのマイコン3は、低温期間中に抵抗値Rsを検出するタイミングを、検知対象ガス(100ppmの一酸化炭素)を含む雰囲気中の抵抗値Rsと、それ以外のガス(例えば1000ppmの水素又は1000ppmのメタン)を含む雰囲気中の抵抗値Rsとの比率が周囲温度と関係なく略同じ値となるように、周囲温度に応じて変化させており、低温期間において感ガス体20の抵抗値の検出結果を略同じ値とすることができるから、複数種類のガスについて一度に温度補償を行うことができる。ここで、低温期間の終了直前に感ガス体20の抵抗値Rsを検出するものとすると、感ガス体20の周囲温度tと低温期間の時間幅TLとの関係は次式で表される。
【0031】
TL=0.0039×t2−0.5056×t+23.556…(1)
式(1)より周囲温度が20℃の場合は低温期間の時間幅TL≒15(秒)、−10℃の場合は時間幅TL≒29(秒)、50℃の場合は時間幅TL≒8(秒)となる。尚、図8に周囲温度tと低温時間の時間幅TLとの関係を示す。また、図5〜図7に周囲温度が20℃、−10℃、50℃の時のヒータ電圧と抵抗値Rsの検出点ta,tb,tcとの関係をそれぞれ示す。
【0032】
また、三端子レギュレータIC1の出力端子間には、抵抗R23および可変抵抗器VR1の直列回路と、抵抗R24および可変抵抗器VR2の直列回路とが接続されており、マイコン3の入力ポートI3,I4には、それぞれ、可変抵抗器VR1,VR2により設定された設定電圧が入力される。なお、入力ポートI3,I4に入力される電圧は、それぞれ、検出対象ガスであるメタン或いは一酸化炭素のガス濃度が警告レベルに達したときの感ガス体20の抵抗値に対応した電圧に設定されている。
【0033】
また、マイコン3の出力ポートO3〜O5にはそれぞれ表示用の発光ダイオードLED1〜LED3のカソードが接続され、出力ポートO6,O7にはそれぞれフォトカプラPC1,PC2の発光ダイオードL1,L2のカソードが接続されている。これら発光ダイオードLED1〜LED3及びL1,L2のアノードはそれぞれ限流抵抗を介して三端子レギュレータIC1の出力端子に接続されている。
【0034】
フォトカプラPC1,PC2は検出ガスの濃度などに応じたガス検出信号を電圧信号として出力するためのスイッチ素子として用いられる。この電圧信号を出すための直列制御型安定化回路4は、ダイオードブリッジDB1の整流出力を平滑する平滑コンデンサC2の両端間に接続され、直列制御用トランジスタQ3のベースに印加される基準電圧を、フォトカプラPC1,PC2のフォトトランジスタPT1,PT2のオンオフにより切り換えるようになっている。
【0035】
この基準電圧は、平滑コンデンサC2の両端に抵抗R4を介して接続されたツェナダイオードZDの両端電圧を、抵抗R11〜R13で分圧することによって得られ、フォトトランジスタPT1のオン時には抵抗R11〜R13の直列回路の両端電圧、すなわちツェナダイオードZDの両端電圧がトランジスタQ3のベースに基準電圧として印加される。またフォトトランジスタPT2のオン時には抵抗R11と抵抗R12,R13の直列回路とでツェナダイオードZDの両端電圧を分圧した電圧がトランジスタQ3のベースに基準電圧として印加される。またフォトトランジスタPT1,PT2のオン時には抵抗R11,R12の直列回路と抵抗R13とでツェナダイオードZDの両端電圧を分圧した電圧がトランジスタQ3のベースに基準電圧として印加される。而して、フォトトランジスタPT1,PT2のオンオフに応じて、それぞれの基準電圧に対応した電圧信号がガス検出信号として外部に出力される。
【0036】
また、マイコン3の出力ポートO8はコンパレータCP2の非反転入力端子に接続され、出力ポートO9はコンパレータCP3の反転入力端子に接続されている。出力ポートO8,O9から交互に出力される信号によって、コンパレータCP1,CP2の出力の信号レベルは交互にローレベル/ハイレベルに反転し、圧電ブザーからなるブザー6に印加される電圧の極性が交互に反転し、警報音を発振出力するようになっている。なお、図1中の7はマイコン3に基準クロックを与えるための基準クロック発振回路であり、IC2は電源投入時にマイコン3をリセットするためのリセット用ICである。
【0037】
ここで、マイコン3の警報判定動作を図10のフローチャートを参照して説明する。先ず、マイコン3は出力ポートO1の出力をハイ/ローに切り替えて、トランジスタQ1のオン/オフを制御することによって、ヒータ電圧VHの平均値を約0.9Vとして感ガス体20を約400℃の高温状態で加熱する(S1)。この時、マイコン3は出力ポートO21の出力をハイにして、トランジスタQ21をオンすることにより、負荷抵抗R21を介してセンシング素子Aの抵抗検出用電極22と一方のヒータ兼用電極21との間に所定の検出電圧を印加する。
【0038】
ガス検出部としてのマイコン3は、高温期間から低温期間に切り替わる直前(高温期間開始時より約5秒後)に入力ポートI1から感ガス体20の両端電圧を取り込んで、高温期間の終了時における感ガス体20の抵抗値を検出し、この抵抗値からメタンの濃度を検出する(S2)。そして、マイコン3では、感ガス体20の抵抗値から求めたメタンの濃度と、予め設定された警報レベルとの高低を比較することによって、メタンに対する警報判定を行う(S3)。
【0039】
ここで、検出したメタンの濃度が警報レベルを越えると、マイコン3は、所定の出力ポートO3〜O5をローレベルとして、対応する発光ダイオードLED1〜LED3を点灯又は点滅させるとともに、出力ポートO6〜O7をローレベルに設定して、対応するフォトカプラPC1又はPC2をオンさせ、安定化回路4より所定の電圧信号を外部に出力させる。またマイコン3は出力ポートO8,O9の出力を交互に反転させ、ブザー6を鳴動させて警報を発する。
【0040】
次に、マイコン3はサーミスタTH1および抵抗R25の分圧電圧を入力ポートI2から取り込み、サーミスタTH1の抵抗値から周囲温度tを検出し(S4)、上述した式(1)を用いて周囲温度tから低温期間の時間幅(低温時間)TLを求める(S5)。
【0041】
マイコン3は、周囲温度の検出値から低温期間の時間幅TLを求めると、出力ポートO1の出力をハイ/ローに切り替えて、トランジスタQ1のオン/オフを制御することによって、ヒータ電圧VHの平均値を約0.2Vとして感ガス体20を約60℃の低温状態で時間幅TLの間加熱する(S6)。また、高温期間から低温期間に切り替わると、マイコン3は出力ポートO21の出力をロー、出力ポートO22の出力をハイとして、トランジスタQ21をオフ、トランジスタQ22をオンさせることにより、負荷抵抗R22を介してセンシング素子Aの抵抗検出用電極22と一方のヒータ兼用電極21との間に所定の検出電圧を印加する。
【0042】
その後、マイコン3は、低温期間から高温期間に切り替わる直前(周囲温度が20℃の場合は低温期間開始時から約15秒後)に入力ポートI1から感ガス体20の両端電圧を取り込んで、低温期間の終了時における感ガス体20の抵抗値Rsを検出し、この抵抗値Rsから一酸化炭素の濃度を検出する(S7)。そして、マイコン3では、感ガス体20の抵抗値から求めた一酸化炭素の濃度と、予め設定された警報レベルとの高低を比較することによって、一酸化炭素に対する警報判定を行う(S8)。
【0043】
ここで、検出した一酸化炭素の濃度が警報レベルを越えると不完全燃焼警報を発報する。この時、マイコン3は所定の出力ポートO3〜O5をローレベルとし、対応する発光ダイオードLED1〜LED3を点灯又は点滅させるとともに、出力ポートO6〜O7をローレベルに設定して、対応するフォトカプラPC1又はPC2をオンさせ、安定化回路4より所定の電圧信号を外部に出力させる。またマイコン3は出力ポートO8,O9の出力を交互に反転させ、ブザー6を鳴動させて警報を発する。一方、S13で検出した一酸化炭素の濃度が警報レベルよりも低ければ、マイコン3は警報を発報せず監視動作を継続する。
【0044】
以上説明したS1〜S8の動作をマイコン3が繰り返し実行することによって、メタンおよび一酸化炭素の警報判定を繰り返し行う。
【0045】
このように本実施形態のガス検出方法では、低温期間の終了する直前に一酸化炭素の検出を行っており、感ガス体20の周囲温度に応じて低温期間の時間幅TLを変化させることによって、検出対象ガスを含む雰囲気中の抵抗値Rsとそれ以外のガスを含む雰囲気中の抵抗値Rsとの比率を周囲温度に関係なく略一定とすることができ、複数の検出対象ガスについて一度に温度補償を行うことができる。尚、本実施形態では低温期間の終了する直前に一酸化炭素の検出を行っており、周囲温度に応じて低温期間の時間幅を変化させることによって、抵抗値Rsを検出するタイミングを変化させているが、低温期間の時間幅は十分長い一定値とし、抵抗値Rsを検出するタイミングを周囲温度に応じて変化させるようにしても良い。
【0046】
【発明の効果】
上述のように、請求項1の発明は、検出対象ガスが表面に接触することによって抵抗値が変化する感ガス体の抵抗値から検出対象ガスを検出するガス検出方法であって、感ガス体の温度を第1の設定温度まで加熱した状態で、感ガス体の抵抗値から第1の検出対象ガスを検出した後、感ガス体の温度を第1の設定温度よりも低い第2の設定温度まで低下させた状態で、感ガス体の周囲温度を検出し、周囲温度の検出結果に基づいて、第2の検出対象ガスを含む雰囲気中の感ガス体の抵抗値と第2の検出対象ガス以外のガスを含む雰囲気中の感ガス体の抵抗値との比率が周囲温度に関係なく略同じ比率となるように感ガス体の抵抗値を取り込むタイミングを変化させ、変化させたタイミングで感ガス体の抵抗値を取り込み、第2の検出対象ガスを検出することを特徴とし、感ガス体の温度を第2の設定温度まで低下させた状態で、感ガス体の抵抗値を検出するタイミングを周囲温度に応じて変化させることによって、第2の検出対象ガスを含む雰囲気中の感ガス体の抵抗値と第2の検出対象ガス以外のガスを含む雰囲気中の感ガス体の抵抗値との比率が周囲温度に関係なく略同じ比率となるようなタイミングで感ガス体の抵抗値を検出することができ、検出対象ガスを含む複数のガスについて一度に温度補償できるから、周囲温度変化による誤検出を防止できるという効果がある。
【0047】
請求項2の発明は、請求項1の発明において、感ガス体の温度を第1の設定温度まで加熱する高温期間と、第2の設定温度まで加熱する低温期間とを交互に繰り返し、低温期間の終了する直前に感ガス体の抵抗値を検出しており、周囲温度の検出結果に基づいて上記低温期間の時間幅を変化させることによって上記タイミングを変化させることを特徴とし、請求項1の発明と同様の効果を奏する。
【0048】
請求項3の発明は、請求項1の発明において、感ガス体の温度を第1の設定温度まで加熱する高温期間と、第2の設定温度まで加熱する低温期間とを交互に繰り返し、上記低温期間の時間幅を略一定として上記タイミングを変化させることを特徴とし、請求項1の発明と同様の効果を奏する。
【0049】
請求項4の発明は、検出対象ガスが表面に接触することによって抵抗値が変化する感ガス体と、感ガス体を加熱する加熱部と、加熱部の加熱状態を制御することによって感ガス体の温度を第1の設定温度まで加熱する高温期間と第1の設定温度よりも低い第2の設定温度まで加熱する低温期間とを交互に設ける加熱制御部と、高温期間および低温期間における感ガス体の抵抗値からそれぞれ検出対象ガスを検出するガス検出部と、感ガス体の周囲温度を検出する温度センサ部と、低温期間においてガス検出部が感ガス体の抵抗値を検出するタイミングを、温度センサ部が検出した周囲温度に基づいて、検出対象ガスを含む雰囲気中の感ガス体の抵抗値と検出対象ガス以外のガスを含む雰囲気中の感ガス体の抵抗値との比率が略同じ比率になるようなタイミングに変化させる検出タイミング可変部とを備えて成ることを特徴とし、検出タイミング可変部は、低温期間において感ガス体の抵抗値を検出するタイミングを、温度センサ部の検出した周囲温度に応じて変化させており、検出対象ガスを含む雰囲気中の感ガス体の抵抗値と検出対象ガス以外のガスを含む雰囲気中の感ガス体の抵抗値との比率が周囲温度に関係なく略同じ比率となるようなタイミングで感ガス体の抵抗値を検出しているので、検出対象ガスを含む複数のガスについて一度に温度補償することができ、周囲温度変化による誤検出を防止できるという効果がある。
【0050】
請求項5の発明は、請求項4の発明において、上記ガス検出部は低温期間の終了する時点で上記感ガス体の抵抗値を検出し、上記検出タイミング可変部は上記低温期間の時間幅を変化させることによって上記タイミングを変化させることを特徴とし、請求項4の発明と同様の効果を奏する。
【0051】
請求項6の発明は、請求項4の発明において、上記検出タイミング可変部は、上記低温期間の時間幅を略一定として上記タイミングを変化させることを特徴とし、請求項4の発明と同様の効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施形態のガス検出装置の回路図である。
【図2】同上の周囲温度が20℃の場合の各種ガス中の応答特性を示す図である。
【図3】同上の周囲温度が−10℃の場合の各種ガス中の応答特性を示す図である。
【図4】同上の周囲温度が50℃の場合の各種ガス中の応答特性を示す図である。
【図5】同上の周囲温度が20℃の場合のヒータ電圧と検出タイミングとを示すタイムチャートである。
【図6】同上の周囲温度が−10℃の場合のヒータ電圧と検出タイミングとを示すタイムチャートである。
【図7】同上の周囲温度が50℃の場合のヒータ電圧と検出タイミングとを示すタイムチャートである。
【図8】同上の周囲温度と低温期間の時間幅との関係を示す図である。
【図9】同上の感ガス体の抵抗値の温度特性を示す図である。
【図10】同上のガス検出方法を説明するフロー図である。
【図11】同上のヒータ電圧のタイムチャートである。
【図12】同上のガス検出素子を示し、(a)は一部破断せる正面図、(b)は一部破断せる上面図である。
【図13】同上のガス検出素子のカバーを外した状態を示す正面図である。
【図14】従来のガス検出方法を説明するフロー図である。
【図15】従来のガス検出装置に用いる感ガス体の抵抗値の温度特性を示す図である。
【図16】同上の温度補償後の抵抗値の温度特性を示す図である。
【符号の説明】
3 マイコン
21 ヒータ兼用電極
Claims (6)
- 検出対象ガスが表面に接触することによって抵抗値が変化する感ガス体の抵抗値から検出対象ガスを検出するガス検出方法であって、
感ガス体の温度を第1の設定温度まで加熱した状態で、感ガス体の抵抗値から第1の検出対象ガスを検出した後、感ガス体の温度を第1の設定温度よりも低い第2の設定温度まで低下させた状態で、感ガス体の周囲温度を検出し、周囲温度の検出結果に基づいて、第2の検出対象ガスを含む雰囲気中の感ガス体の抵抗値と第2の検出対象ガス以外のガスを含む雰囲気中の感ガス体の抵抗値との比率が周囲温度に関係なく略同じ比率となるように感ガス体の抵抗値を取り込むタイミングを変化させ、変化させたタイミングで感ガス体の抵抗値を取り込み、第2の検出対象ガスを検出することを特徴とするガス検出方法。 - 感ガス体の温度を第1の設定温度まで加熱する高温期間と、第2の設定温度まで加熱する低温期間とを交互に繰り返し、低温期間の終了する直前に感ガス体の抵抗値を検出しており、周囲温度の検出結果に基づいて上記低温期間の時間幅を変化させることによって上記タイミングを変化させることを特徴とする請求項1記載のガス検出方法。
- 感ガス体の温度を第1の設定温度まで加熱する高温期間と、第2の設定温度まで加熱する低温期間とを交互に繰り返し、上記低温期間の時間幅を略一定として上記タイミングを変化させることを特徴とする請求項1記載のガス検出方法。
- 検出対象ガスが表面に接触することによって抵抗値が変化する感ガス体と、感ガス体を加熱する加熱部と、加熱部の加熱状態を制御することによって感ガス体の温度を第1の設定温度まで加熱する高温期間と第1の設定温度よりも低い第2の設定温度まで加熱する低温期間とを交互に設ける加熱制御部と、高温期間および低温期間における感ガス体の抵抗値からそれぞれ検出対象ガスを検出するガス検出部と、感ガス体の周囲温度を検出する温度センサ部と、低温期間においてガス検出部が感ガス体の抵抗値を検出するタイミングを、温度センサ部が検出した周囲温度に基づいて、検出対象ガスを含む雰囲気中の感ガス体の抵抗値と検出対象ガス以外のガスを含む雰囲気中の感ガス体の抵抗値との比率が略同じ比率になるようなタイミングに変化させる検出タイミング可変部とを備えて成ることを特徴とするガス検出装置。
- 上記ガス検出部は低温期間の終了する時点で上記感ガス体の抵抗値を検出し、上記検出タイミング可変部は上記低温期間の時間幅を変化させることによって上記タイミングを変化させることを特徴とする請求項4記載のガス検出装置。
- 上記検出タイミング可変部は、上記低温期間の時間幅を略一定として上記タイミングを変化させることを特徴とする請求項4記載のガス検出装置。
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