JP3735418B2 - Surface acoustic wave device and communication apparatus using the same - Google Patents

Surface acoustic wave device and communication apparatus using the same Download PDF

Info

Publication number
JP3735418B2
JP3735418B2 JP22706396A JP22706396A JP3735418B2 JP 3735418 B2 JP3735418 B2 JP 3735418B2 JP 22706396 A JP22706396 A JP 22706396A JP 22706396 A JP22706396 A JP 22706396A JP 3735418 B2 JP3735418 B2 JP 3735418B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
acoustic wave
surface acoustic
input
element substrate
output
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP22706396A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH1070435A (en
Inventor
博美 谷津田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Radio Co Ltd
Original Assignee
Japan Radio Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Japan Radio Co Ltd filed Critical Japan Radio Co Ltd
Priority to JP22706396A priority Critical patent/JP3735418B2/en
Publication of JPH1070435A publication Critical patent/JPH1070435A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3735418B2 publication Critical patent/JP3735418B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、例えば、フィルタ回路、共振回路に適用して好適な弾性表面波(SAW)デバイスおよびこれを使用する通信装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
携帯電話等の通信装置において、例えば、帯域通過フィルタとして弾性表面波デバイスが使用されている。この弾性表面波デバイスは、性能の経時変化等を少なくするために、弾性表面波回路が形成された弾性表面波素子基板をパッケージ内に気密封止した構成とされている。
【0003】
図7は、SAWフィルタ回路が形成された、一般的な、長方形形状のフリップチップ型の弾性表面波素子基板1のフェイス面の正面構成を示している。
【0004】
この弾性表面波素子基板1は、それぞれにバンプが形成された入力パッド電極2、出力パッド電極3およびグランドパッド電極4を有し、各パッド電極2〜4には、それぞれ公知の櫛形電極が形成されている。
【0005】
図8は、図7例の前記弾性表面波素子基板1のフェイス面が下向きにされて収容される凹部5を有するパッケージ6の正面構成を示している。このパッケージ6において、凹部5の底面はダイアタッチ面7とされ、このダイアタッチ面7には、前記入出力パッド電極2、3が対向する位置に入出力ダイパッド電極2a、3aが形成されるとともに、この入出力ダイパッド電極2a、3aの以外の部分には、グランドダイパッド電極4aが形成されている。
【0006】
図9は、前記パッケージ6のフットプリント面(他のマザーボード等のプリントに実装される面)9の背面正面構成を示している。このフットプリント面9には、入力端子パターン電極2b、出力端子パターン電極3bおよびグランドパターン電極4bが形成されている。入力端子パターン電極2bと前記ダイアタッチ面7に形成されている入力ダイパッド電極2aとは、スルーホール処理またはキャスタレーション処理により電気的な接続がとられている。同様に、出力端子パターン電極3bと出力ダイパッド電極3aおよびグランドパターン電極4bとグランドダイパッド電極4aとは、スルーホール処理またはキャスタレーション処理により電気的な接続がとられている。
【0007】
弾性表面波デバイスを製作する際には、図7に示すフリップチップ型の弾性表面波素子基板1のフェイス面を下向きにし、図8に示すパッケージ6の凹部5に挿入する。これにより、弾性表面波素子基板1の入出力パッド電極2、3とグランドパッド電極4に対してパッケージ6の入出力ダイパッド電極2a、3aとグランドダイパッド電極4aが自動的に位置合わせされる。
【0008】
そして、パッケージ6内に弾性表面波素子基板1が収容された状態で、パッケージ6のフットプリント面9に熱を加えながら、弾性表面波素子基板1の裏面から荷重および超音波振動を加えることで、弾性表面波素子基板1の入出力パッド電極2、3とグランドパッド電極4に対してパッケージ6の入出力ダイパッド電極2a、3aとグランドダイパッド電極4aが接合され、電気的に接続される。
【0009】
その後、図10の概略的な断面図に示すように、前記パッケージ6の凹部5を覆うようにキャップ(蓋部材)10を被せ、弾性表面波素子基板1が収容された凹部5内を真空引きし、あるいは窒素を充填して、気密化し、蓋部材10を半田、Au−Snまたは接着剤等で固着する。これにより、弾性表面波デバイス110が完成する。
【0010】
なお、図10例の弾性表面波デバイス110を構成するパッケージ6は、正確には、セラミック基板6Aとセラミック枠6Bとから構成され、セラミック基板6A上のダイアタッチ面7とフットプリント面9にパターンおよびスルーホールまたはキャスタレーションが形成された後、セラミック枠6Bがダイアタッチ面7の周囲の面に固着される構成とされている。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、弾性表面波デバイスにおいて、2種類の機能を有する、例えば、中心周波数の異なる2回路の弾性表面波回路(弾性表面波素子回路)が形成された1枚の弾性表面波素子基板を実装する場合がある。
【0012】
図11は、フェイス面に2回路の弾性表面波フィルタ11、12が形成された弾性表面波素子基板13の構成例を示している。一方の弾性表面波フィルタ11は、入力パッド電極21と出力パッド電極22を有し、他方の弾性表面波フィルタ12は、入力パッド電極23と出力パッド電極24を有している。また、フェイス面には、グランドパッド電極25も形成されている。
【0013】
図12は、図11例の弾性表面波素子基板13のフェイス面が下向きにされて収容装着される凹部15を有するパッケージ16の正面構成を示している。このパッケージ16において、凹部15の底面はダイアタッチ面17とされ、このダイアタッチ面17には、前記入力パッド電極21、23の対向する位置に入力ダイパッド電極21a、23aが形成されるとともに、出力パッド電極22、24の対向する位置に出力ダイパッド電極22a、24aが形成され、これら以外の部分には、グランドダイパッド電極25aが形成されている。
【0014】
図13は、前記パッケージ16のフットプリント面(他のマザーボード等のプリントに実装される面)19の背面正面構成を示している。このフットプリント面19には、入力端子パターン電極21b、23bと出力端子パターン電極22b、24bおよびグランドパターン電極25bが形成されている。入力端子パターン電極21bと前記ダイアタッチ面17に形成されている入力ダイパッド電極21a、出力端子パターン電極22bと前記ダイアタッチ面17に形成されている出力ダイパッド電極22a、入力端子パターン電極23bと前記ダイアタッチ面17に形成されている入力ダイパッド電極23a、出力端子パターン電極24bと前記ダイアタッチ面17に形成されている出力ダイパッド電極24aは、それぞれ、スルーホール処理またはキャスタレーション処理により電気的な接続がとられている。
【0015】
図11例のフェイス面に2回路の弾性表面波フィルタ11、12が形成された弾性表面波素子基板13と、図12(正面)、図13(背面)に示すパッケージ16とにより弾性表面波デバイスを製作する場合、図11に示すフリップチップ型の弾性表面波素子基板13のフェイス面を下向きにし、パッケージ16の凹部15に挿入することで、位置合わせが行われる。
【0016】
しかしながら、弾性表面波素子基板13をパッケージ16に挿入する際に、180°回転させてしまった場合、弾性表面波フィルタ11と弾性表面波フィルタ12の位置が逆転してしまうという問題があった。
【0017】
また、製作した弾性表面波デバイスの電気的な特性の検査を行う際に、パッケージ16が180°回転した場合にも、弾性表面波フィルタ11と弾性表面波フィルタ12の位置が逆転してしまうという問題があった。
【0018】
したがって、このような位置の逆転の不都合を回避するために、弾性表面波素子基板13およびパッケージ16のいずれの部品についても方向性の管理が必要になるという煩雑さがある。
【0019】
この方向性の管理は、弾性表面波デバイスの製作組立工程において、弾性表面波素子基板13およびパッケージ16のいずれの部品についても方向性の認識、および整列等の工程が必須の作業になるという面倒さを発生させる。
【0020】
そして、製作組立工程後の電気的な特性検査の工程においても、パッケージ16の方向性を考慮した整列が必要になるという煩わしさがある。
【0021】
結局、弾性表面波デバイスの製作・検査に時間がかかり、弾性表面波デバイスのコストが高くなるという問題が起こる。
【0022】
この発明はこのような課題を考慮してなされたものであり、弾性表面波回路が2回路形成された長方形形状のフリップチップ型の弾性表面波素子基板をパッケージに収容して弾性表面波デバイスを製作し検査する場合に、弾性表面波素子基板とパッケージの方向性を考慮しないでも製作・検査を可能とする弾性表面波デバイスおよびこれを使用する通信装置を提供することを目的とする。
【0023】
【課題を解決するための手段】
この発明は、例えば、図1〜図3に示すように、フェイス面40に各々入出力パッド電極51〜54を有する弾性表面波回路41、42が2回路形成された長方形形状のフリップチップ型の弾性表面波素子基板44と、
表面に、前記弾性表面波素子基板を収容する長方形形状の凹部115を有し、この凹部の底面117の前記入出力パッド電極に対向する位置に入出力ダイパッド電極51a〜54aが形成されるとともに、裏面に、前記入出力ダイパッド電極と電気的に接続された入出力端子パターン電極51b〜54bが形成される長方形形状のパッケージ116と、
を備える弾性表面波デバイスにおいて、
前記弾性表面波素子基板上に形成されている2回路の各回路の入出力パッド電極が、前記フリップチップの長方形形状の中心Pに対して略点対称に配置され、前記長方形形状のパッケージの裏面に形成されている2回路の各回路の入出力端子パターン電極が、前記パッケージの長方形形状の中心Qに対して略点対称に配置されていることを特徴とする。
【0024】
この発明によれば、2回路の弾性表面波回路の各回路の入出力パッド電極の位置を、長方形形状のフリップチップ型の弾性表面波素子基板の中心に対して各々略点対称に形成し、かつパッケージ側の電極位置も同様に、パッケージの長方形形状の中心に対して略点対称に形成しているので、製作組立工程および検査工程において方向性を考慮する必要がなくなる。
【0025】
この場合、前記弾性表面波素子基板のフェイス面上の配線に交差線(クロスオーバー)を採用することにより、弾性表面波素子基板の大きさを小さく製作することができる。
【0026】
なお、このようにして製作された弾性表面波デバイスを通信装置に使用することにより、前記通信装置の低コスト化、小型化を図ることができる。
【0027】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の一実施の形態について図面を参照して説明する。なお、以下に参照する図面において、上述の図7〜図13に示したものと対応するものには同一の符号を付けてその詳細な説明は省略する。また、図面を繰り返して掲載する煩雑さを避けるために、必要に応じてそれらの図面をも参照して説明する。
【0028】
図1は、圧電性を有する基板のフェイス面40に2回路の弾性表面波回路の例としての弾性表面波フィルタ(SAWフィルタ)41、42が形成された弾性表面波素子基板44の構成例を示している。この弾性表面波素子基板44は、その正面が、長方形形状のフリップチップ型の構成とされている。この弾性表面波素子基板44は、それぞれにバンプが形成された入力パッド電極51、53、出力パッド電極52、54およびグランドパッド電極55、56を有し、各パッド電極51〜56には、それぞれ公知の櫛形電極が形成されている。
【0029】
さらに詳しく構成を説明すると、一方の弾性表面波フィルタ41は、入力パッド電極51と、この入力パッド電極51に一端部が接続され他端部が櫛形電極部61の入力端に接続される配線パターン62と、前記櫛形電極部61の出力端に一端部が接続され他端部が出力パッド電極52に接続される配線パターン63と、出力パッド電極52とから構成されている。他方の弾性表面波フィルタ42は、入力パッド電極53と、この入力パッド電極53に一端部が接続され他端部が櫛形電極部65の入力端に接続される配線パターン66と、前記櫛形電極部65の出力端に一端部が接続され他端部が出力パッド電極54に接続される配線パターン67とから構成されている。
【0030】
そして、この図1例の弾性表面波素子基板44において、配線パターン62と配線パターン66とを利用して、一方の弾性表面波フィルタ41を構成する入力パッド電極51と出力パッド電極52の位置を、弾性表面波素子基板44の長方形形状の中心Pに対して略点対称の略対角線上の位置に形成するとともに、他方の弾性表面波フィルタ42を構成する入力パッド電極53と出力パッド電極54の位置を、弾性表面波素子基板44の長方形形状の中心Pに対して略点対称の略対角線上の位置に形成している。
【0031】
この場合、この図1例の弾性表面波素子基板44を装着するパッケージは、図12および図13に示したパッケージを使用することができる。なお、このパッケージ上の電極と図1例の弾性表面波素子基板44上の電極の対応関係は異なるので、符号を変えたパッケージの構成を図2、図3に示す。
【0032】
すなわち、図2は、図1例の弾性表面波素子基板44のフェイス面40が下向きにされて収容装着される凹部115を有するパッケージ116の正面構成を示している。このパッケージ116において、凹部115の形状は、弾性表面波素子基板44の長方形形状よりほんの少し大きな相似形状とされている。凹部115の底面はダイアタッチ面117とされ、このダイアタッチ面117には、一方の弾性表面波フィルタ41の入力パッド電極51に対向する位置に入力ダイパッド電極51aが形成されるとともに、出力パッド電極52に対向する位置に出力ダイパッド電極52aが形成されている。また、ダイアタッチ面117には、他方の弾性表面波フィルタ42の入力パッド電極53に対向する位置に入力ダイパッド電極53aが形成されるとともに、出力パッド電極54に対向する位置に出力ダイパッド電極54aが形成されている。さらに、結果として、ダイアタッチ面117の四隅の電極部を除く部分には、グランドダイパッド電極155aが形成されている。
【0033】
図3は、パッケージ116のフットプリント面(他のマザーボード等のプリント配線基板に実装される面)119の背面正面構成を示している。このフットプリント面119には、入力端子パターン電極51b、53bと出力端子パターン電極52b、54bとグランドパターン電極155bが形成されている。
【0034】
入力端子パターン電極51bとダイアタッチ面117の入力ダイパッド電極51aとが、また、出力端子パターン電極52bとダイアタッチ面117の出力ダイパッド電極52aとが、さらに、入力端子パターン電極53bとダイアタッチ面117の入力ダイパッド電極53aとが、さらにまた、出力端子パターン電極54bとダイアタッチ面117の出力ダイパッド電極54aとが、それぞれスルーホール処理またはキャスタレーション処理により電気的に接続されている。同様に、グランドパターン電極155bとダイアタッチ面117のグランドダイパッド電極155aとが、スルーホール処理またはキャスタレーション処理により電気的に接続されている。
【0035】
そして、気密性を有する弾性表面波デバイスを製作する際には、図10を参照して説明したように、2回路の弾性表面波フィルタ41、42が形成された弾性表面波素子基板44のフェイス面40を下向きにし、パッケージ116の凹部115に挿入して、対向する電極を接合した後、キャップ10(図10参照)を固着する。
【0036】
この場合、パッケージ116のダイアタッチ面117およびフットプリント面119に形成されている各電極は、長方形形状の縦横の中心線に対して対称に形成され、かつ、弾性表面波素子基板44に形成されている入力パッド電極51と出力パッド電極52が長方形形状の中心Pに対して一方の対角線上に略点対称に形成され、入力パッド電極53と出力パッド電極54が長方形形状の中心Pに対して他方の対角線上に略点対称に形成されているので、自動的に各電極の位置合わせが行われる。
【0037】
この結果、たとえ、弾性表面波素子基板44を180°回転させて挿入したとしても、パッケージ116のフットプリント面119の入出力端子パターン電極51b、52b間に必ず一方の弾性表面波フィルタ41が接続され、入出力端子パターン電極53b、54b間に残りの弾性表面波フィルタ42が必ず接続されることになり、弾性表面波デバイスの製作組立時に方向性を考慮する必要がない。同様に、検査時においても、方向性を考慮する必要がない。
【0038】
なお、実際上、弾性表面波フィルタ41、42のそれぞれの入出力インピーダンスが同一の場合には、弾性表面波フィルタ41、42とも全て受動素子からなる回路であるので、180°反転させて入出力端子を代えて使用しても同一の通過特性になる回路にすることが可能であり、方向性を考慮する必要がない。
【0039】
しかし、入出力インピーダンスが異なる場合、例えば、入力インピーダンスが50オームで出力インピーダンスが75オーム等の場合には、ネットワークアナライザー等を使用する電気的検査の際に、まず、入力インピーダンスを確認して、入出力端を特定し、キャップ10(図10参照)の表面にマーキングをする。マーキングは、例えば、入力端に近い隅部に黒いドットを付ける。または、型式等の文字と同時に入力端、出力端を示す文字を例えばレーザ等で記録する。このようにすれば、最終的な工程である電気的検査時に方向性を視覚またはCCDカメラ等の撮像デバイスを利用して簡単に判別することが可能となるので、製作組立時において、方向性を全く考慮する必要がないという効果が達成される。なお、方向性を確認して、180°異なっていることが判明した場合には、弾性表面波デバイス自体が点対称の構成となっているので、弾性表面波デバイスを回転テーブル上に配置し、中心Pを軸として180°回転すれば足りる。したがって、この実施の形態の弾性表面波デバイスは、製作組立の自動化、電気的検査の自動化に適している。
【0040】
図4は、この発明の他の実施の形態の弾性表面波素子基板144の構成を示している。なお、図4例において、図1例と対応するものには同一の符号を付け、その詳細な説明は省略する。この弾性表面波素子基板144においても、一方の弾性表面波フィルタ41を構成する入力パッド電極51と出力パッド電極52の位置を、長方形形状の中心Pに対して略点対称となる対角線上の位置に形成するとともに、他方の弾性表面波フィルタ42を構成する入力パッド電極53と出力パッド電極54の位置を長方形形状の中心Pに対して略点対称となる対角線上の位置に形成している。
【0041】
この場合、図4から理解されるように、この弾性表面波素子基板144では、入力パッド電極51と櫛形電極部61の入力端との間を接続する配線パターン162と、入力パッド電極53と櫛形電極部65の入力端との間を接続する配線パターン166との間で、交差線部分(クロスオーバ部分)170を設けている。交差線部分170を設けることで、配線の柔軟性が大きくなり、図1例の弾性表面波素子基板44に比較して、長方形形状をより小型にすることができる。結果として、弾性表面波デバイスを小型化でき、この弾性表面波デバイスを使用する通信装置の小型化、軽量化を図ることができる。通信装置として、例えば、携帯電話では、1cc、1g単位での小型化、軽量化が重要な特徴になっている。
【0042】
図5、図6は、各々交差線部分170の構成例に係る概略的な断面を示している。図5例の交差線部分170は、配線パターン166を跨ぐように配線パター162、162間に金線あるいはアルミ線等により跨線(跨いでいる線)171が形成されている。跨線171と配線パターン166との間は、図5に示すように、空気172、いわゆるエアブリッジとしてもよく、図6に示すように、SiO2 等の絶縁物174としてもよい。絶縁物174とした場合には、空気172の場合と比較して跨線171と配線パターン166間の機械的強度を高くできる。また、空気172の場合には、絶縁物174の場合と比較して跨線171と配線パターン166間の電気的な結合を少なくすることができる。
【0043】
なお、この発明は上述の実施の形態に限らず、この発明の要旨を逸脱することなく種々の構成を採り得ることはもちろんである。
【0044】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、2回路の弾性表面波回路の各回路の入出力パッド電極の位置を、長方形形状のフリップチップ型の弾性表面波素子基板の中心に対して各々略点対称に形成し、かつパッケージ側の電極位置も同様に、パッケージの長方形形状の中心に対して略点対称に形成している。
【0045】
このため、弾性表面波デバイスの製作組立工程において方向性を考慮しないでも正しく製作することができ、かつ検査工程において方向性を考慮しないで検査を実施することができるという効果が達成される。
【0046】
したがって、製造工程が簡略化でき、結果として、弾性表面波デバイスのコストを低減することができるという派生的な効果も達成される。
【0047】
なお、弾性表面波素子基板のフェイス面上の配線に交差線(クロスオーバー)を採用することにより、弾性表面波素子基板の大きさを小さく製作することができ、結果として、弾性表面波デバイスを小型化することができる。
【0048】
そして、このように低コストでかつ小型の弾性表面波デバイスを使用した携帯電話等の通信装置の低コスト化、小型化、軽量化を達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施の形態に係る2回路の弾性表面波回路が形成された弾性表面波素子基板の構成を示す正面図である。
【図2】図1例の弾性表面波素子基板がフェイスダウンで装着されるダイアタッチ面を有するパッケージの構成を示す正面図である。
【図3】図2例のパッケージの背面図である。
【図4】この発明の他の実施の形態に係る弾性表面波素子基板の構成を示す正面図である。
【図5】図4例の弾性表面波素子基板上の交差線部分の構成の説明に供される概略断面図である。
【図6】図4例の弾性表面波素子基板上の交差線部分の他の構成の説明に供される概略断面図である。
【図7】一般的な1回路の弾性表面波フィルタ回路が形成された弾性表面波素子基板の構成を示す正面図である。
【図8】図7例の弾性表面波素子基板が装着されるパッケージの構成を示す正面図である。
【図9】図7例の弾性表面波素子基板が装着されるパッケージの構成を示す背面図である。
【図10】一般的に、弾性表面波デバイスの構成を示す概略断面図である。
【図11】2回路の弾性表面波回路が形成された従来の技術による弾性表面波素子基板の構成を示す正面図である。
【図12】図11例の弾性表面波素子基板が装着されるパッケージの構成を示す正面図である。
【図13】図11例の弾性表面波素子基板が装着されるパッケージの構成を示す背面図である。
【符号の説明】
1、44、144…弾性表面波素子基板
6…パッケージ 7、17、117…ダイアタッチ面
9、19、119…フットプリント面
10…キャップ 110…弾性表面波デバイス
40…フェイス面 41、42…弾性表面波回路
51、53…入力パッド電極 52、54…出力パッド電極
55、56…グランドパッド電極 61、65…櫛形電極部
62、63、66、67、162、166…配線パターン
170…交差線部分 P、Q…中心
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a surface acoustic wave (SAW) device suitable for application to, for example, a filter circuit and a resonance circuit, and a communication apparatus using the same.
[0002]
[Prior art]
In communication apparatuses such as cellular phones, surface acoustic wave devices are used as bandpass filters, for example. This surface acoustic wave device has a configuration in which a surface acoustic wave element substrate on which a surface acoustic wave circuit is formed is hermetically sealed in a package in order to reduce a change in performance over time.
[0003]
FIG. 7 shows a front configuration of a face surface of a general rectangular flip chip type surface acoustic wave element substrate 1 on which a SAW filter circuit is formed.
[0004]
This surface acoustic wave element substrate 1 has an input pad electrode 2, an output pad electrode 3 and a ground pad electrode 4 each formed with a bump, and each pad electrode 2 to 4 is formed with a known comb electrode. Has been.
[0005]
FIG. 8 shows a front configuration of a package 6 having a recess 5 in which the face surface of the surface acoustic wave element substrate 1 in the example of FIG. 7 is housed downward. In this package 6, the bottom surface of the recess 5 is a die attach surface 7. On the die attach surface 7, input / output die pad electrodes 2a, 3a are formed at positions where the input / output pad electrodes 2, 3 face each other. A ground die pad electrode 4a is formed at a portion other than the input / output die pad electrodes 2a and 3a.
[0006]
FIG. 9 shows a rear front configuration of the footprint surface 9 (surface mounted on a print of another mother board or the like) 9 of the package 6. On the footprint surface 9, an input terminal pattern electrode 2b, an output terminal pattern electrode 3b, and a ground pattern electrode 4b are formed. The input terminal pattern electrode 2b and the input die pad electrode 2a formed on the die attach surface 7 are electrically connected by through-hole processing or castellation processing. Similarly, the output terminal pattern electrode 3b and the output die pad electrode 3a, and the ground pattern electrode 4b and the ground die pad electrode 4a are electrically connected by through-hole processing or castellation processing.
[0007]
When the surface acoustic wave device is manufactured, the flip chip type surface acoustic wave element substrate 1 shown in FIG. 7 is faced downward and inserted into the recess 5 of the package 6 shown in FIG. As a result, the input / output die pad electrodes 2 a and 3 a and the ground die pad electrode 4 a of the package 6 are automatically aligned with respect to the input and output pad electrodes 2 and 3 and the ground pad electrode 4 of the surface acoustic wave element substrate 1.
[0008]
Then, in a state where the surface acoustic wave element substrate 1 is housed in the package 6, a load and ultrasonic vibration are applied from the back surface of the surface acoustic wave element substrate 1 while applying heat to the footprint surface 9 of the package 6. The input / output die pad electrodes 2 a, 3 a and the ground die pad electrode 4 a of the package 6 are joined to and electrically connected to the input / output pad electrodes 2, 3 and the ground pad electrode 4 of the surface acoustic wave element substrate 1.
[0009]
Thereafter, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 10, a cap (lid member) 10 is placed so as to cover the concave portion 5 of the package 6, and the concave portion 5 in which the surface acoustic wave element substrate 1 is accommodated is evacuated. Alternatively, it is filled with nitrogen to be airtight, and the lid member 10 is fixed with solder, Au—Sn, an adhesive, or the like. Thereby, the surface acoustic wave device 110 is completed.
[0010]
Note that the package 6 constituting the surface acoustic wave device 110 in FIG. 10 is made up of a ceramic substrate 6A and a ceramic frame 6B, and has a pattern on the die attach surface 7 and the footprint surface 9 on the ceramic substrate 6A. After the through hole or castellation is formed, the ceramic frame 6B is fixed to the surface around the die attach surface 7.
[0011]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, in a surface acoustic wave device, a surface acoustic wave element substrate having two functions, for example, two surface acoustic wave circuits (surface acoustic wave element circuits) having different center frequencies is mounted. There is a case.
[0012]
FIG. 11 shows a configuration example of a surface acoustic wave element substrate 13 in which two-surface surface acoustic wave filters 11 and 12 are formed on the face surface. One surface acoustic wave filter 11 has an input pad electrode 21 and an output pad electrode 22, and the other surface acoustic wave filter 12 has an input pad electrode 23 and an output pad electrode 24. A ground pad electrode 25 is also formed on the face surface.
[0013]
FIG. 12 shows a front configuration of a package 16 having a recess 15 in which the face surface of the surface acoustic wave element substrate 13 in the example of FIG. In the package 16, the bottom surface of the recess 15 is a die attach surface 17, and input die pad electrodes 21 a and 23 a are formed on the die attach surface 17 at positions opposite to the input pad electrodes 21 and 23, and output is performed. Output die pad electrodes 22a and 24a are formed at positions opposite to the pad electrodes 22 and 24, and ground die pad electrodes 25a are formed at portions other than these.
[0014]
FIG. 13 shows a rear front configuration of the footprint surface 19 of the package 16 (surface mounted on a print of another motherboard or the like) 19. On the footprint surface 19, input terminal pattern electrodes 21b and 23b, output terminal pattern electrodes 22b and 24b, and a ground pattern electrode 25b are formed. The input terminal pattern electrode 21b and the input die pad electrode 21a formed on the die attach surface 17, the output terminal pattern electrode 22b and the output die pad electrode 22a formed on the die attach surface 17, the input terminal pattern electrode 23b and the die The input die pad electrode 23a and the output terminal pattern electrode 24b formed on the touch surface 17 and the output die pad electrode 24a formed on the die attach surface 17 are electrically connected by through-hole processing or castellation processing, respectively. It has been taken.
[0015]
A surface acoustic wave device includes a surface acoustic wave element substrate 13 having surface acoustic wave filters 11 and 12 of two circuits formed on the face surface in the example of FIG. 11 and a package 16 shown in FIGS. 12 (front) and 13 (back). 11 is inserted into the recess 15 of the package 16 with the face surface of the flip chip type surface acoustic wave element substrate 13 shown in FIG.
[0016]
However, when the surface acoustic wave element substrate 13 is inserted into the package 16 and rotated by 180 °, there is a problem that the positions of the surface acoustic wave filter 11 and the surface acoustic wave filter 12 are reversed.
[0017]
Further, when the electrical characteristics of the manufactured surface acoustic wave device are inspected, the positions of the surface acoustic wave filter 11 and the surface acoustic wave filter 12 are reversed even when the package 16 is rotated 180 °. There was a problem.
[0018]
Therefore, in order to avoid such an inconvenience of the reversal of position, there is a complexity that it is necessary to manage the directionality of both the surface acoustic wave element substrate 13 and the package 16.
[0019]
This management of directionality is a cumbersome task in the manufacturing and assembly process of the surface acoustic wave device that the steps of recognizing and aligning the directionality of both the surface acoustic wave element substrate 13 and the package 16 are indispensable operations. Generate.
[0020]
Further, even in the electrical characteristic inspection process after the manufacturing and assembling process, there is an inconvenience that alignment in consideration of the directionality of the package 16 is required.
[0021]
After all, it takes time to manufacture and inspect the surface acoustic wave device, and the cost of the surface acoustic wave device increases.
[0022]
The present invention has been made in consideration of such problems, and a surface acoustic wave device is obtained by accommodating a rectangular flip chip type surface acoustic wave element substrate in which two surface acoustic wave circuits are formed in a package. It is an object of the present invention to provide a surface acoustic wave device that can be manufactured and inspected without considering the directionality of the surface acoustic wave element substrate and the package when manufactured and inspected, and a communication apparatus using the surface acoustic wave device.
[0023]
[Means for Solving the Problems]
1 to 3, for example, a rectangular flip chip type in which two surface acoustic wave circuits 41 and 42 each having input / output pad electrodes 51 to 54 are formed on a face surface 40 are formed. A surface acoustic wave element substrate 44;
The surface has a rectangular recess 115 for accommodating the surface acoustic wave element substrate, and input / output die pad electrodes 51a to 54a are formed at positions facing the input / output pad electrode on the bottom surface 117 of the recess, A rectangular package 116 in which input / output terminal pattern electrodes 51b to 54b electrically connected to the input / output die pad electrode are formed on the back surface;
In a surface acoustic wave device comprising:
The input / output pad electrodes of each of the two circuits formed on the surface acoustic wave element substrate are arranged substantially symmetrically with respect to the center P of the rectangular shape of the flip chip, and the back surface of the rectangular package. The input / output terminal pattern electrodes of each of the two circuits formed in the above are arranged substantially symmetrically with respect to the center Q of the rectangular shape of the package.
[0024]
According to the present invention, the positions of the input / output pad electrodes of each circuit of the surface acoustic wave circuit of two circuits are formed substantially symmetrical with respect to the center of the rectangular flip chip type surface acoustic wave element substrate, Similarly, the position of the electrode on the package side is substantially point-symmetric with respect to the center of the rectangular shape of the package, so that it is not necessary to consider the directionality in the manufacturing / assembling process and the inspection process.
[0025]
In this case, the size of the surface acoustic wave element substrate can be made small by employing a cross line for the wiring on the face surface of the surface acoustic wave element substrate.
[0026]
In addition, by using the surface acoustic wave device manufactured in this way for a communication device, the communication device can be reduced in cost and size.
[0027]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings to be referred to below, the same reference numerals are assigned to the components corresponding to those shown in FIGS. 7 to 13 and the detailed description thereof is omitted. Moreover, in order to avoid the troublesomeness to repeat the drawings, description will be made with reference to those drawings as necessary.
[0028]
FIG. 1 shows a configuration example of a surface acoustic wave element substrate 44 in which surface acoustic wave filters (SAW filters) 41 and 42 as examples of two surface acoustic wave circuits are formed on a face surface 40 of a piezoelectric substrate. Show. The surface of this surface acoustic wave element substrate 44 has a rectangular flip chip type configuration. This surface acoustic wave element substrate 44 has input pad electrodes 51 and 53, output pad electrodes 52 and 54, and ground pad electrodes 55 and 56 each having a bump formed thereon. A known comb electrode is formed.
[0029]
More specifically, one surface acoustic wave filter 41 includes an input pad electrode 51 and a wiring pattern in which one end portion is connected to the input pad electrode 51 and the other end portion is connected to an input end of the comb-shaped electrode portion 61. 62, a wiring pattern 63 having one end connected to the output end of the comb electrode portion 61 and the other end connected to the output pad electrode 52, and the output pad electrode 52. The other surface acoustic wave filter 42 includes an input pad electrode 53, a wiring pattern 66 having one end connected to the input pad electrode 53 and the other end connected to the input end of the comb-shaped electrode portion 65, and the comb-shaped electrode portion. The wiring pattern 67 has one end connected to the output end 65 and the other end connected to the output pad electrode 54.
[0030]
In the surface acoustic wave element substrate 44 of FIG. 1, the positions of the input pad electrode 51 and the output pad electrode 52 constituting one surface acoustic wave filter 41 are determined using the wiring pattern 62 and the wiring pattern 66. The input pad electrode 53 and the output pad electrode 54 constituting the other surface acoustic wave filter 42 are formed at substantially diagonal positions symmetrical with respect to the center P of the rectangular shape of the surface acoustic wave element substrate 44. The position is formed at a substantially diagonal position that is substantially point-symmetric with respect to the rectangular center P of the surface acoustic wave element substrate 44.
[0031]
In this case, the package shown in FIGS. 12 and 13 can be used as the package on which the surface acoustic wave element substrate 44 of FIG. 1 is mounted. Since the correspondence relationship between the electrodes on the package and the electrodes on the surface acoustic wave element substrate 44 in the example of FIG. 1 is different, FIGS.
[0032]
That is, FIG. 2 shows a front configuration of a package 116 having a recess 115 in which the face surface 40 of the surface acoustic wave element substrate 44 of FIG. In this package 116, the concave portion 115 has a similar shape slightly larger than the rectangular shape of the surface acoustic wave element substrate 44. The bottom surface of the recess 115 is a die attach surface 117, and an input die pad electrode 51 a is formed on the die attach surface 117 at a position facing the input pad electrode 51 of one surface acoustic wave filter 41, and an output pad electrode An output die pad electrode 52 a is formed at a position facing 52. On the die attach surface 117, an input die pad electrode 53a is formed at a position facing the input pad electrode 53 of the other surface acoustic wave filter 42, and an output die pad electrode 54a is formed at a position facing the output pad electrode 54. Is formed. Further, as a result, ground die pad electrodes 155a are formed on portions of the die attach surface 117 excluding the electrode portions at the four corners.
[0033]
FIG. 3 shows a rear front configuration of the footprint 116 of the package 116 (surface mounted on a printed wiring board such as another mother board) 119. On the footprint surface 119, input terminal pattern electrodes 51b and 53b, output terminal pattern electrodes 52b and 54b, and a ground pattern electrode 155b are formed.
[0034]
The input terminal pattern electrode 51 b and the input die pad electrode 51 a on the die attach surface 117, the output terminal pattern electrode 52 b and the output die pad electrode 52 a on the die attach surface 117, and the input terminal pattern electrode 53 b and the die attach surface 117. The input die pad electrode 53a is further electrically connected to the output terminal pattern electrode 54b and the output die pad electrode 54a of the die attach surface 117 by through-hole processing or castellation processing, respectively. Similarly, the ground pattern electrode 155b and the ground die pad electrode 155a of the die attach surface 117 are electrically connected by through-hole processing or castellation processing.
[0035]
When a surface acoustic wave device having airtightness is manufactured, as described with reference to FIG. 10, the surface of the surface acoustic wave element substrate 44 on which the two-surface surface acoustic wave filters 41 and 42 are formed. After the surface 40 is faced down and inserted into the recess 115 of the package 116 and the opposing electrodes are joined, the cap 10 (see FIG. 10) is fixed.
[0036]
In this case, the respective electrodes formed on the die attach surface 117 and the footprint surface 119 of the package 116 are formed symmetrically with respect to the vertical and horizontal center lines of the rectangular shape, and are formed on the surface acoustic wave element substrate 44. The input pad electrode 51 and the output pad electrode 52 are formed substantially symmetrically on one diagonal line with respect to the rectangular center P, and the input pad electrode 53 and the output pad electrode 54 are formed with respect to the rectangular center P. Since it is formed substantially point-symmetrically on the other diagonal, each electrode is automatically aligned.
[0037]
As a result, even if the surface acoustic wave element substrate 44 is rotated by 180 ° and inserted, one surface acoustic wave filter 41 is always connected between the input / output terminal pattern electrodes 51b and 52b of the footprint surface 119 of the package 116. Therefore, the remaining surface acoustic wave filter 42 is always connected between the input / output terminal pattern electrodes 53b and 54b, and there is no need to consider the directionality when the surface acoustic wave device is manufactured and assembled. Similarly, it is not necessary to consider directionality at the time of inspection.
[0038]
In practice, when the input / output impedances of the surface acoustic wave filters 41 and 42 are the same, both the surface acoustic wave filters 41 and 42 are circuits composed of passive elements, so that the input / output is inverted by 180 °. Even if the terminal is used instead, it is possible to make a circuit having the same pass characteristic, and there is no need to consider the directionality.
[0039]
However, when the input and output impedances are different, for example, when the input impedance is 50 ohms and the output impedance is 75 ohms or the like, first, when performing an electrical inspection using a network analyzer or the like, check the input impedance, The input / output end is specified and the surface of the cap 10 (see FIG. 10) is marked. For the marking, for example, a black dot is attached to a corner near the input end. Alternatively, the characters indicating the input end and the output end at the same time as the characters such as the model are recorded by, for example, a laser. In this way, it is possible to easily determine the directionality by visual or using an imaging device such as a CCD camera at the time of electrical inspection as the final process. The effect is achieved that there is no need to consider at all. If the directionality is confirmed and found to be 180 ° different, the surface acoustic wave device itself has a point-symmetric configuration, so the surface acoustic wave device is placed on the rotary table, It is sufficient to rotate 180 ° around the center P. Therefore, the surface acoustic wave device of this embodiment is suitable for automation of manufacturing and assembly and automation of electrical inspection.
[0040]
FIG. 4 shows the structure of a surface acoustic wave element substrate 144 according to another embodiment of the present invention. In the example of FIG. 4, the same reference numerals are assigned to the components corresponding to those of FIG. 1, and detailed description thereof is omitted. Also in this surface acoustic wave element substrate 144, the positions of the input pad electrode 51 and the output pad electrode 52 constituting one of the surface acoustic wave filters 41 are located on diagonal lines that are substantially point symmetric with respect to the center P of the rectangular shape. In addition, the positions of the input pad electrode 53 and the output pad electrode 54 constituting the other surface acoustic wave filter 42 are formed at diagonal positions that are substantially point-symmetric with respect to the center P of the rectangular shape.
[0041]
In this case, as can be understood from FIG. 4, in the surface acoustic wave element substrate 144, the wiring pattern 162 connecting the input pad electrode 51 and the input end of the comb-shaped electrode portion 61, the input pad electrode 53 and the comb-shaped An intersecting line portion (crossover portion) 170 is provided between the wiring pattern 166 and the input end of the electrode portion 65. By providing the intersecting line portion 170, the flexibility of the wiring is increased, and the rectangular shape can be made smaller than the surface acoustic wave element substrate 44 of FIG. As a result, the surface acoustic wave device can be reduced in size, and the communication apparatus using the surface acoustic wave device can be reduced in size and weight. As a communication device, for example, in a cellular phone, downsizing and weight reduction in units of 1 cc and 1 g are important features.
[0042]
5 and 6 each show a schematic cross section according to a configuration example of the intersecting line portion 170. FIG. In the crossing line portion 170 in the example of FIG. 5, a straddling line (stranding line) 171 is formed between the wiring patterns 162 and 162 by a gold wire or an aluminum wire so as to straddle the wiring pattern 166. As shown in FIG. 5, the space 171 and the wiring pattern 166 may be air 172, a so-called air bridge, or may be an insulator 174 such as SiO 2 as shown in FIG. In the case of the insulator 174, the mechanical strength between the straddle 171 and the wiring pattern 166 can be increased as compared with the case of the air 172. Further, in the case of air 172, electrical coupling between the straddle 171 and the wiring pattern 166 can be reduced as compared with the case of the insulator 174.
[0043]
Note that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various configurations can be adopted without departing from the gist of the present invention.
[0044]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the positions of the input / output pad electrodes of each circuit of the two surface acoustic wave circuits are substantially the same as the center of the rectangular flip chip type surface acoustic wave element substrate. Similarly, the electrode positions on the package side are formed substantially point symmetrically with respect to the center of the rectangular shape of the package.
[0045]
For this reason, the effect that it can manufacture correctly, without considering directionality in the manufacture assembly process of a surface acoustic wave device, and an inspection can be implemented without considering directionality in an inspection process is achieved.
[0046]
Therefore, the manufacturing process can be simplified, and as a result, a derivative effect that the cost of the surface acoustic wave device can be reduced is also achieved.
[0047]
By adopting cross lines for the wiring on the face surface of the surface acoustic wave element substrate, the size of the surface acoustic wave element substrate can be made small. As a result, the surface acoustic wave device is It can be downsized.
[0048]
Thus, it is possible to achieve cost reduction, size reduction, and weight reduction of a communication device such as a mobile phone using such a low-cost and small surface acoustic wave device.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a front view showing a configuration of a surface acoustic wave element substrate on which two surface acoustic wave circuits according to an embodiment of the present invention are formed.
2 is a front view showing a configuration of a package having a die attach surface on which the surface acoustic wave element substrate of FIG. 1 is mounted face down. FIG.
FIG. 3 is a rear view of the package of the example of FIG. 2;
FIG. 4 is a front view showing a configuration of a surface acoustic wave element substrate according to another embodiment of the present invention.
5 is a schematic cross-sectional view for explaining a configuration of a crossing line portion on the surface acoustic wave element substrate in the example of FIG. 4; FIG.
6 is a schematic cross-sectional view for explaining another configuration of the crossing line portion on the surface acoustic wave element substrate in the example of FIG. 4; FIG.
FIG. 7 is a front view showing a configuration of a surface acoustic wave element substrate on which a general surface acoustic wave filter circuit of one circuit is formed.
8 is a front view showing a configuration of a package on which the surface acoustic wave element substrate of the example of FIG. 7 is mounted. FIG.
9 is a rear view showing a configuration of a package on which the surface acoustic wave element substrate of the example of FIG. 7 is mounted. FIG.
FIG. 10 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of a surface acoustic wave device in general.
FIG. 11 is a front view showing a configuration of a conventional surface acoustic wave element substrate in which two surface acoustic wave circuits are formed.
12 is a front view showing a configuration of a package on which the surface acoustic wave element substrate of the example of FIG. 11 is mounted. FIG.
13 is a rear view showing a configuration of a package to which the surface acoustic wave element substrate of the example of FIG. 11 is mounted. FIG.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 44, 144 ... Surface acoustic wave element substrate 6 ... Package 7, 17, 117 ... Die attach surface 9, 19, 119 ... Footprint surface 10 ... Cap 110 ... Surface acoustic wave device 40 ... Face surface 41, 42 ... Elasticity Surface wave circuit 51, 53 ... Input pad electrode 52, 54 ... Output pad electrode 55, 56 ... Ground pad electrode 61, 65 ... Comb electrode portion 62, 63, 66, 67, 162, 166 ... Wiring pattern 170 ... Crossing line portion P, Q ... center

Claims (4)

フェイス面に各々入出力パッド電極を有する弾性表面波回路が2回路形成された長方形形状のフリップチップ型の弾性表面波素子基板と、
表面に、前記弾性表面波素子基板を収容する長方形形状の凹部を有し、この凹部の底面の前記入出力パッド電極に対向する位置に入出力ダイパッド電極が形成されるとともに、裏面に、前記入出力ダイパッド電極と電気的に接続された入出力端子パターン電極が形成される長方形形状のパッケージと、
を備える弾性表面波デバイスにおいて、
前記弾性表面波素子基板上に形成されている2回路の各回路の入出力パッド電極が、前記フリップチップの長方形形状の中心に対して略点対称に配置され、
前記長方形形状のパッケージの裏面に形成されている2回路の各回路の入出力端子パターン電極が、前記パッケージの長方形形状の中心に対して略点対称に配置されていることを特徴とする弾性表面波デバイス。
A rectangular flip-chip type surface acoustic wave element substrate in which two surface acoustic wave circuits each having input / output pad electrodes on the face surface are formed;
The surface has a rectangular recess for accommodating the surface acoustic wave element substrate, and an input / output die pad electrode is formed at a position opposite to the input / output pad electrode on the bottom surface of the recess, and the input A rectangular package in which an input / output terminal pattern electrode electrically connected to the output die pad electrode is formed;
In a surface acoustic wave device comprising:
The input / output pad electrodes of each of the two circuits formed on the surface acoustic wave element substrate are arranged substantially symmetrical with respect to the center of the rectangular shape of the flip chip,
An elastic surface characterized in that input / output terminal pattern electrodes of each of the two circuits formed on the back surface of the rectangular package are arranged substantially symmetrically with respect to the center of the rectangular shape of the package. Wave device.
請求項1記載のデバイスにおいて、前記弾性表面波素子基板のフェイス面上の配線に交差線を採用したことを特徴とする弾性表面波デバイス。2. The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein a crossing line is used for the wiring on the face surface of the surface acoustic wave element substrate. フェイス面に各々入出力パッド電極を有する弾性表面波回路が2回路形成された長方形形状のフリップチップ型の弾性表面波素子基板と、
表面に、前記弾性表面波素子基板を収容する長方形形状の凹部を有し、この凹部の底面の前記入出力パッド電極に対向する位置に入出力ダイパッド電極が形成されるとともに、裏面に、前記入出力ダイパッド電極と電気的に接続された入出力端子パターン電極が形成される長方形形状のパッケージと、
を備える弾性表面波デバイスを使用する通信装置において、
前記弾性表面波素子基板上に形成されている2回路の各回路の入出力パッド電極が、前記フリップチップの長方形形状の中心に対して略点対称に配置され、
前記長方形形状のパッケージの裏面に形成されている2回路の各回路の入出力端子パターン電極が、前記パッケージの長方形形状の中心に対して略点対称に配置されていることを特徴とする通信装置。
A rectangular flip-chip type surface acoustic wave element substrate in which two surface acoustic wave circuits each having input / output pad electrodes on the face surface are formed;
The surface has a rectangular recess for accommodating the surface acoustic wave element substrate, and an input / output die pad electrode is formed at a position opposite to the input / output pad electrode on the bottom surface of the recess, and the input A rectangular package in which an input / output terminal pattern electrode electrically connected to the output die pad electrode is formed;
In a communication apparatus using a surface acoustic wave device comprising:
The input / output pad electrodes of each of the two circuits formed on the surface acoustic wave element substrate are arranged substantially symmetrical with respect to the center of the rectangular shape of the flip chip,
The input / output terminal pattern electrode of each of the two circuits formed on the back surface of the rectangular package is arranged substantially point-symmetrically with respect to the center of the rectangular shape of the package. .
請求項3記載の通信装置において、前記弾性表面波素子基板のフェイス面上の配線に交差線を採用したことを特徴とする通信装置。4. The communication apparatus according to claim 3, wherein a crossing line is used for the wiring on the face surface of the surface acoustic wave element substrate.
JP22706396A 1996-08-28 1996-08-28 Surface acoustic wave device and communication apparatus using the same Expired - Fee Related JP3735418B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22706396A JP3735418B2 (en) 1996-08-28 1996-08-28 Surface acoustic wave device and communication apparatus using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22706396A JP3735418B2 (en) 1996-08-28 1996-08-28 Surface acoustic wave device and communication apparatus using the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH1070435A JPH1070435A (en) 1998-03-10
JP3735418B2 true JP3735418B2 (en) 2006-01-18

Family

ID=16854956

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP22706396A Expired - Fee Related JP3735418B2 (en) 1996-08-28 1996-08-28 Surface acoustic wave device and communication apparatus using the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3735418B2 (en)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6937113B2 (en) * 1998-06-09 2005-08-30 Oki Electric Industry Co., Ltd. Branching filter package
DE69924225T2 (en) * 1998-12-29 2006-03-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Acoustic surface wave arrangement
JP2001267881A (en) 2000-03-17 2001-09-28 Fujitsu Media Device Kk Surface acoustic wave device, communication equipment using the same and antenna duplexer
DE10013861A1 (en) * 2000-03-21 2001-09-27 Epcos Ag Dual mode surface wave filter with improved symmetry and increased blocking damping e.g. for mobile telephones, has acoustic track on piezoelectric substrate with interdigital converters as signal input and output
JP2002141771A (en) * 2000-08-21 2002-05-17 Murata Mfg Co Ltd Surface acoustic wave filter
JP3747853B2 (en) * 2002-01-08 2006-02-22 株式会社村田製作所 Wave splitter with surface acoustic wave device
JP4386074B2 (en) * 2004-07-23 2009-12-16 株式会社村田製作所 Surface acoustic wave device
CN100521531C (en) * 2004-09-30 2009-07-29 三洋电机株式会社 Electronic device and package used for the same
JP4935858B2 (en) * 2009-06-05 2012-05-23 パナソニック株式会社 Elastic wave filter

Also Published As

Publication number Publication date
JPH1070435A (en) 1998-03-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3860364B2 (en) Surface acoustic wave device
JP4518870B2 (en) Surface acoustic wave device and communication device
JP3735418B2 (en) Surface acoustic wave device and communication apparatus using the same
JP4741385B2 (en) Structure
JP2012222537A (en) Package, vibrator, oscillator and electronic device
JP2000209061A (en) Surface acoustic wave element and device
JP2005130341A (en) Piezoelectric component and its manufacturing method, communications equipment
JPH11122072A (en) Surface acoustic wave device
JP2005151287A (en) Electronic component
JP3315644B2 (en) Surface acoustic wave device
JP4145476B2 (en) Manufacturing method of surface acoustic wave device
JP2009183008A (en) Method of manufacturing piezoelectric component
JPH05291864A (en) Sample-and hold circuit element mount circuit and its manufacture
JP3439975B2 (en) Surface acoustic wave device
JP2001313540A (en) Surface acoustic wave device
JP2008066655A (en) Semiconductor device, manufacturing method of the semiconductor device, and electrical apparatus system
JP2003101384A (en) Surface acoustic wave apparatus
JP3912653B2 (en) Surface acoustic wave device
JP2005217670A (en) Surface acoustic wave device and communication device
JP3291046B2 (en) Surface acoustic wave device and method of manufacturing the same
JPH11163218A (en) Package structure
JP2000040939A (en) Surface acoustic wave device
CN110495098A (en) Electronic component and the module for having the electronic component
JP3620451B2 (en) Package structure of piezoelectric device
JP3911426B2 (en) Surface acoustic wave filter package and surface acoustic wave filter device

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050801

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20051018

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20051024

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091028

Year of fee payment: 4

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees