JP3721656B2 - Optical data link - Google Patents

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JP3721656B2 JP26481496A JP26481496A JP3721656B2 JP 3721656 B2 JP3721656 B2 JP 3721656B2 JP 26481496 A JP26481496 A JP 26481496A JP 26481496 A JP26481496 A JP 26481496A JP 3721656 B2 JP3721656 B2 JP 3721656B2
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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信の分野で用いられる光データリンクに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の光データリンクの発光・受光素子は、その駆動回路及び増幅回路とボンディングワイヤを介して接続されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、駆動回路から発光素子に延びるボンディングワイヤは、細長い導体であり、高周波に対してインダクタンスとして機能する。したがって、ボンディングワイヤによる時定数が大きくなり、駆動回路による発光素子の高速スイッチングは制限される。また、ボンディングワイヤ内を流れる電流によって、その周囲に磁界が発生し、電流値が急激に変化した場合は、高周波ノイズ等が隣接するボンディングワイヤに伝搬する。特に、発光素子及び受光素子を同一のパッケージ内に配置した場合、発光素子の駆動回路から延びるボンディングワイヤで発生した高周波ノイズが、受光素子と増幅回路を接続するボンディングワイヤに伝搬し、光データリンクの性能は制限される。
【0004】
本発明は、このような課題を解決するためになされたものであり、雑音を低減することが可能な光データリンクを提供する。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る光データリンクは、発光面側の電極が当該発光面と反対の面側に設けられた電極とスルーホールによって電気的に接続されて、当該発光面と反対の面側に電極が集められた面発光型の発光素子と、発光素子を駆動する駆動回路が形成された第1のフリップチップと、を備え、発光素子の発光面と反対の面が、第1のフリップチップの駆動回路形成面と対向するように、発光素子が第1のフリップチップにボンディングされる、ことを特徴とする。本光データリンクによれば、フリップチップを用いることにより、ボンディングワイヤを介することなく、発光素子と駆動回路とを接続するので、発光素子を高速スイッチングするとともに雑音を低減させることが可能である。特に、本光データリンクによれば、発光素子と駆動回路との間を流れる電流に起因する雑音を低減させることが可能である。
【0006】
また本発明に係る光データリンクは、受光面と反対の面側に電極が集められた裏面照射型の受光素子と、受光素子からの信号を増幅する増幅回路が形成された第2のフリップチップと、を更に備え、受光素子の受光面と反対の面が、第2のフリップチップの増幅回路形成面と対向するように、受光素子が第2のフリップチップにボンディングされる、ことを特徴とする。本光データリンクによれば、フリップチップを用いることにより、単一のパッケージ内に発光素子、受光素子、駆動回路(第1のフリップチップ)および増幅回路(第2のフリップチップ)を配置しても、発光素子と駆動回路との間を流れる電流に起因する雑音が、受光素子からの信号に重畳されず、雑音を低減させることが可能である。また、単一のパッケージ内に発光素子、受光素子、駆動回路(第1のフリップチップ)および増幅回路(第2のフリップチップ)を配置する際に、その取扱を容易にすることができる。
【0007】
また本発明に係る光データリンクは、発光素子の発光面側に設けられた第1の集光レンズと、受光素子の受光面側に設けられた第2の集光レンズと、を更に備えてもよい。
本発明に係る別の光データリンクは、受光面と反対の面側に電極が集められた裏面照射型の受光素子と、受光素子からの信号を増幅する増幅回路が形成されたフリップチップと、を備え、受光素子の受光面と反対の面が、フリップチップの増幅回路形成面と対向するように、受光素子がフリップチップにボンディングされる、ことを特徴とする。本光データリンクによれば、フリップチップを用いることにより、ボンディングワイヤを介することなく、受光素子と増幅回路とを接続するので、受光素子からの信号に重畳する雑音を低減させることが可能である。
なお、発光素子とは、発光ダイオード又はレーザダイオード等の素子である。フリップチップとは、全ての端子が1つの面に集められ、ハンダ山、或いは金等からなる山形接点等の形で形成された半導体チップである。受光素子とは、PINホトダイオード、アバランシェホトダイオード等の素子である。
【0008】
【発明の実施の形態】
以下、実施の形態に係る光データリンクについて説明する。なお、同一要素には同一符号を用い、重複する説明は省略する。また、上及び下なる語は、図面の上下に基づくものとする。
【0009】
図1は、光データリンクの立体分解図である。この光データリンクは、パッケージ本体1及び本体1の開口端2を封止するパッケージ基板3を備える。パッケージ本体1及び基板2は、組み合わされてパッケージを構成する。パッケージ本体1の開口端2に対向する面には、光ファイバ(フェルール)4及び5がそれぞれ挿入される2つの開口6及び7が設けられている。光ファイバ4及び5を、ぞれぞれ、開口6及び7からパッケージ本体1内に挿入すると、光ファイバ4及び5は、それぞれ、開口6及び7を貫く方向に整列したスリーブ8及び9によって保持される。スリーブ8及び9長手方向基板3側延長線上には、それぞれ、受光装置10及び発光装置110が配置されている。受光装置10及び発光装置110は、基板3上に固定されている。
【0010】
光ファイバ4からパッケージ本体1内に導入された光信号は、受光装置10によって受信され、ボンディングワイヤ11、12及び13、基板3上に形成された金属配線14、15及び16を介して、基板3を貫通するリードピン17、18及び19から出力される。
【0011】
基板3を貫通するリードピン20、21及び22から本光データリンクに入力された信号は、基板3上に形成された金属配線23、24及び25、ボンディングワイヤ26、27及び28を介して発光装置110に入力され、光信号として光ファイバ5方向に出力される。
【0012】
図2は、図1の基板3、受光装置10及び発光装置110からなる部品のA−A矢印断面図である。受光装置10は、受光素子29がその上にフリップチップボンディングされたフリップチップ30を備える。フリップチップ30は、半導体基板31の表面に形成された電極パッド32,33、及び電極パッド32,33上に形成されたバンプ34,35を備える。バンプ34及び35は、金または鉛を含む化合物、特に、AuSn又はAuPbから構成される。フリップチップ30は、これらのバンプ34及び35が形成された半導体チップであり、受光素子29からの電気信号を増幅する増幅回路36が形成された集積回路(IC)チップである。受光素子29から出力された電気信号は、バンプ34及び35を介して増幅回路36に入力され、フリップチップ30表面に形成された電極パッド37,38及びボンディングワイヤ11,13を介して、光データリンク外部に出力される。なお、フリップチップ30は、接着剤39によってパッケージ基板3に固定されている。
【0013】
フリップチップ30及び受光素子29は、それぞれの表面に形成されたバンプ34,35及び40,41を介して電気的に接続されている。なお、バンプ34,35と40,41との境界には、これらの接合の際に形成された共晶領域42及び43が介在する。受光素子29は、PINホトダイオード又はアバランシェホトダイオード等のホトダイオードから構成される。受光素子29のフリップチップ30と反対側、すなわち、受光素子29のスリーブ8側の表面には、接着材44を介して、光ファイバ4からこの光データリンクに入力された光信号を受光素子29の受光面に集束させる球面レンズ45が取付けられている。なお、受光素子29の受光面は、フリップチップ30側にあることが好ましいが、スリーブ8側にあってもよい。
【0014】
基板3上の受光装置10に隣接する領域には、発光装置110が固定されている。発光装置110は、発光素子46がその上にフリップチップボンディングされたフリップチップ47を備える。フリップチップ47は、半導体基板48の表面に形成された電極パッド49,50、及び電極パッド49,50上に形成されたバンプ51,52を備える。バンプ51及び52は、金または鉛を含む化合物、特に、AuSn又はAuPbから構成される。フリップチップ47は、これらのバンプ51及び52が形成された半導体チップであり、発光素子46を駆動する駆動回路53が形成されたICチップである。光データリンクの外部から入力された電気信号は、ボンディングワイヤ26,28、フリップチップ47表面に形成された電極パッド54,55を介して駆動回路53に入力され、駆動回路53から出力された駆動信号は、バンプ51及び52を介して発光素子46に入力される。なお、フリップチップ47は、接着剤56によってパッケージ基板3に固定されている。
【0015】
フリップチップ47及び発光素子46は、それぞれの表面に形成されたバンプ51,52及び57,58を介して電気的に接続されている。なお、バンプ51,52と57,58との境界には、これらの接合の際に形成された共晶領域59及び60が介在する。発光素子46は、発光ダイオード又は面発光レーザダイオードから構成される。発光素子46のフリップチップ47と反対側、すなわち、発光素子46のスリーブ9側の表面には、接着材59を介して、光ファイバ5の端面に発光素子26から出力された光信号を集束させる球面レンズ80が取付けられている。
【0016】
図3は、受光素子29の構造を示す断面図である。受光素子29は、半導体基板61と、半導体基板61の下側に設けられたバンプ40及び41が固定された電極62及び63を備える。基板61の下方には、埋め込みn型半導体層64が設けられ、n型電極63に電気的に接続されている。p型電極62に電気的に接続されたp型半導体層65とn型半導体層64との間には、i型の光吸収層66が位置し、これらはPIN構造のホトダイオードを形成している。本受光素子29のPIN構造によって規定される受光面は、球レンズ45よりもバンプ40,41に近く、裏面照射型のホトダイオードを構成している。なお、p型半導体層65及び光吸収層66の露出表面には、絶縁膜67及び68が形成されている。
【0017】
図4は、発光素子46の構造を示す断面図である。発光素子46は、半導体基板68及び基板68の下面に設けられた電極69及び70を備える。電極69及び70には、バンプ57及び58がそれぞれ固定されている。電極69は、基板68をその厚み方向に貫くスルーホールを貫通しており、基板68のレンズ80側表面に形成された電極71に電気的に接続されている。電極71は、基板68内に形成されたクラッド層72に接触しており、クラッド層72とクラッド層73との間には、活性層73が形成されており、これらはダブルヘテロ構造の面発光ダイオードを形成している。これらの半導体層72〜74の側面は、電流阻止層或いは絶縁層74によって囲まれている。電極70と71との間に駆動電圧が印加されると、活性層74内に電流が注入され、活性層74から光が出射する。なお、電極69及び71と基板68との間には、絶縁膜75が介在している。
【0018】
駆動回路53に入力される電流は、発光素子46が発光ダイオードの場合80mAであり、レーザダイオードの場合25mAである。本光データリンクでは、50mAの電流を駆動回路53に供給し、100Mbpsで発光素子46をスイッチングした場合に、受光装置10を1cm以内に近づけることができるので、光データリンクの小型化が可能である。
【0019】
以上、説明したように、本光データリンクは、パッケージ1,3と、パッケージ1,3内に配置された受光素子29と、パッケージ1,3内に配置され、受光素子29からの信号を増幅する増幅回路36と、パッケージ1,3内に配置された発光素子46と、その上に発光素子46がボンディングされ、発光素子46を駆動する駆動回路53が形成されたフリップチップ47とを備える。本光データリンクによれば、単一のパッケージ1,3内に受光素子29、発光素子46、増幅回路36及びフリップチップ47を配置することにより、その取扱を容易にすることができるとともに、フリップチップ47を用いることにより、単一のパッケージ1,3内のこれらを配置しても、発光素子46と駆動回路53との間を流れる電流に起因する雑音が、受光素子29からの信号に重畳されず、雑音を低減させることが可能である。
【0020】
図5は、光データリンクに用いられる発光装置の立体分解図である。本発光装置では、パッケージ本体1Aの形状を円筒形とし、パッケージ本体1Aの端面がパッケージ基板3に固定される。すなわち、本光データリンク用の発光装置は、発光素子46と、その上に発光素子46がボンディングされ、この発光素子46を駆動する駆動回路53が形成されたフリップチップ46とを備える。本光データリンク用の発光装置によれば、フリップチップ47を用いることにより、ボンディングワイヤを介することなく、発光素子46と駆動回路53とを接続するので、発光素子46を高速スイッチングするとともに雑音を低減させることが可能である。さらに、フリップチップボンディングによって発光素子46を取付けているので、駆動回路53からの電流通路を太くすることができ、また、高周波特性を改善することができる。
【0021】
【発明の効果】
本発明に係る光データリンクによれば、発光素子を駆動回路の形成されたフリップチップに直接ボンディングすることにより、光データリンク内で生じる雑音を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】光データリンクの立体分解図。
【図2】受光装置、発光装置及び基板からなる部品の断面図。
【図3】受光素子の断面図。
【図4】発光素子の断面図。
【図5】発光装置の立体分解図。
【符号の説明】
1…パッケージ、29…受光素子、36…増幅回路、46…発光素子、53…駆動回路、47…フリップチップ47。
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an optical data link used in the field of optical communications.
[0002]
[Prior art]
The light emitting / receiving elements of the conventional optical data link are connected to the drive circuit and the amplifier circuit via bonding wires.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
However, the bonding wire extending from the drive circuit to the light emitting element is an elongated conductor and functions as an inductance for high frequencies. Therefore, the time constant due to the bonding wire is increased, and high-speed switching of the light emitting element by the drive circuit is limited. In addition, when a current flowing in the bonding wire generates a magnetic field around the current and the current value changes abruptly, high-frequency noise or the like propagates to the adjacent bonding wire. In particular, when the light emitting element and the light receiving element are arranged in the same package, the high frequency noise generated by the bonding wire extending from the drive circuit of the light emitting element propagates to the bonding wire connecting the light receiving element and the amplifier circuit, and the optical data link. The performance of is limited.
[0004]
The present invention has been made to solve such problems, and provides an optical data link capable of reducing noise.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
In the optical data link according to the present invention, the electrode on the light emitting surface side is electrically connected to the electrode provided on the surface opposite to the light emitting surface by a through hole, and the electrode is disposed on the surface opposite to the light emitting surface. a surface-emitting light-emitting element collected, a first flip chip drive circuit is formed for driving the light emitting element comprises a light emitting surface opposite to the surface of the light emitting element, the driving of the first flip-chip The light emitting element is bonded to the first flip chip so as to face the circuit formation surface . According to the present optical data link, since the light emitting element and the drive circuit are connected without using a bonding wire by using a flip chip, the light emitting element can be switched at a high speed and noise can be reduced. In particular, according to the present optical data link, it is possible to reduce noise caused by a current flowing between the light emitting element and the drive circuit.
[0006]
An optical data link according to the present invention includes a second flip chip in which a back-illuminated light receiving element having electrodes gathered on the side opposite to the light receiving surface and an amplifier circuit for amplifying a signal from the light receiving element are formed. The light receiving element is bonded to the second flip chip so that the surface opposite to the light receiving surface of the light receiving element faces the amplification circuit forming surface of the second flip chip. To do. According to this optical data link, by using a flip chip , a light emitting element, a light receiving element, a drive circuit (first flip chip) and an amplifier circuit (second flip chip) are arranged in a single package. However, noise due to the current flowing between the light emitting element and the drive circuit is not superimposed on the signal from the light receiving element, and the noise can be reduced. Further, when the light emitting element, the light receiving element, the drive circuit (first flip chip) and the amplifier circuit (second flip chip) are arranged in a single package, the handling thereof can be facilitated.
[0007]
The optical data link according to the present invention further includes a first condensing lens provided on the light emitting surface side of the light emitting element, and a second condensing lens provided on the light receiving surface side of the light receiving element. Also good.
Another optical data link according to the present invention includes a back-illuminated light receiving element in which electrodes are collected on the surface opposite to the light receiving surface, a flip chip on which an amplifier circuit for amplifying a signal from the light receiving element is formed, The light receiving element is bonded to the flip chip so that the surface opposite to the light receiving surface of the light receiving element faces the amplifier circuit forming surface of the flip chip. According to the present optical data link, since the light receiving element and the amplifier circuit are connected without using a bonding wire by using a flip chip, it is possible to reduce noise superimposed on a signal from the light receiving element. .
Note that the light emitting element is an element such as a light emitting diode or a laser diode. A flip chip is a semiconductor chip in which all terminals are gathered on one surface and formed in the form of a mountain-shaped contact made of solder or gold. The light receiving element is an element such as a PIN photodiode or an avalanche photodiode.
[0008]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, the optical data link according to the embodiment will be described. In addition, the same code | symbol is used for the same element and the overlapping description is abbreviate | omitted. The terms “upper” and “lower” are based on the top and bottom of the drawing.
[0009]
FIG. 1 is a three-dimensional exploded view of an optical data link. This optical data link includes a package main body 1 and a package substrate 3 that seals the open end 2 of the main body 1. The package body 1 and the substrate 2 are combined to form a package. Two openings 6 and 7 into which optical fibers (ferrules) 4 and 5 are inserted are provided on the surface of the package body 1 facing the opening end 2. When the optical fibers 4 and 5 are inserted into the package body 1 from the openings 6 and 7, respectively, the optical fibers 4 and 5 are held by sleeves 8 and 9 aligned in a direction through the openings 6 and 7, respectively. Is done. The light receiving device 10 and the light emitting device 110 are arranged on the sleeves 8 and 9 extending along the longitudinal direction substrate 3 side, respectively. The light receiving device 10 and the light emitting device 110 are fixed on the substrate 3.
[0010]
An optical signal introduced into the package body 1 from the optical fiber 4 is received by the light receiving device 10, and is connected to the substrate via bonding wires 11, 12 and 13 and metal wirings 14, 15 and 16 formed on the substrate 3. 3 is output from the lead pins 17, 18, and 19 that penetrate 3.
[0011]
Signals input to the present optical data link from the lead pins 20, 21 and 22 penetrating the substrate 3 are transmitted through the metal wirings 23, 24 and 25 and bonding wires 26, 27 and 28 formed on the substrate 3. 110 and output as an optical signal in the direction of the optical fiber 5.
[0012]
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA of the component including the substrate 3, the light receiving device 10, and the light emitting device 110 of FIG. 1. The light receiving device 10 includes a flip chip 30 on which a light receiving element 29 is flip chip bonded. The flip chip 30 includes electrode pads 32 and 33 formed on the surface of the semiconductor substrate 31 and bumps 34 and 35 formed on the electrode pads 32 and 33. The bumps 34 and 35 are made of a compound containing gold or lead, particularly AuSn or AuPb. The flip chip 30 is a semiconductor chip on which these bumps 34 and 35 are formed, and is an integrated circuit (IC) chip on which an amplification circuit 36 for amplifying an electric signal from the light receiving element 29 is formed. The electrical signal output from the light receiving element 29 is input to the amplifier circuit 36 via the bumps 34 and 35, and optical data is transmitted via the electrode pads 37 and 38 formed on the surface of the flip chip 30 and the bonding wires 11 and 13. Output outside the link. The flip chip 30 is fixed to the package substrate 3 with an adhesive 39.
[0013]
The flip chip 30 and the light receiving element 29 are electrically connected via bumps 34, 35 and 40, 41 formed on the respective surfaces. Note that eutectic regions 42 and 43 formed at the time of bonding are interposed at the boundaries between the bumps 34 and 35 and 40 and 41. The light receiving element 29 is composed of a photodiode such as a PIN photodiode or an avalanche photodiode. On the surface of the light receiving element 29 opposite to the flip chip 30, that is, on the surface of the light receiving element 29 on the sleeve 8 side, an optical signal input from the optical fiber 4 to the optical data link is received via the adhesive 44. A spherical lens 45 for focusing on the light receiving surface is attached. The light receiving surface of the light receiving element 29 is preferably on the flip chip 30 side, but may be on the sleeve 8 side.
[0014]
A light emitting device 110 is fixed in a region adjacent to the light receiving device 10 on the substrate 3. The light emitting device 110 includes a flip chip 47 on which a light emitting element 46 is flip chip bonded. The flip chip 47 includes electrode pads 49 and 50 formed on the surface of the semiconductor substrate 48 and bumps 51 and 52 formed on the electrode pads 49 and 50. The bumps 51 and 52 are made of a compound containing gold or lead, particularly AuSn or AuPb. The flip chip 47 is a semiconductor chip on which these bumps 51 and 52 are formed, and an IC chip on which a drive circuit 53 for driving the light emitting element 46 is formed. Electrical signals input from the outside of the optical data link are input to the drive circuit 53 via the bonding wires 26 and 28 and electrode pads 54 and 55 formed on the surface of the flip chip 47, and the drive output from the drive circuit 53 is output. The signal is input to the light emitting element 46 through the bumps 51 and 52. The flip chip 47 is fixed to the package substrate 3 with an adhesive 56.
[0015]
The flip chip 47 and the light emitting element 46 are electrically connected via bumps 51, 52 and 57, 58 formed on the respective surfaces. Incidentally, eutectic regions 59 and 60 formed at the time of bonding are interposed at the boundaries between the bumps 51 and 52 and 57 and 58. The light emitting element 46 is composed of a light emitting diode or a surface emitting laser diode. The optical signal output from the light emitting element 26 is focused on the end face of the optical fiber 5 via the adhesive 59 on the surface of the light emitting element 46 opposite to the flip chip 47, that is, on the surface of the light emitting element 46 on the sleeve 9 side. A spherical lens 80 is attached.
[0016]
FIG. 3 is a cross-sectional view showing the structure of the light receiving element 29. The light receiving element 29 includes a semiconductor substrate 61 and electrodes 62 and 63 to which bumps 40 and 41 provided on the lower side of the semiconductor substrate 61 are fixed. A buried n-type semiconductor layer 64 is provided below the substrate 61 and is electrically connected to the n-type electrode 63. An i-type light absorption layer 66 is located between the p-type semiconductor layer 65 and the n-type semiconductor layer 64 electrically connected to the p-type electrode 62, and these form a PIN structure photodiode. . The light-receiving surface defined by the PIN structure of the light-receiving element 29 is closer to the bumps 40 and 41 than the ball lens 45 and constitutes a back-illuminated photodiode. Insulating films 67 and 68 are formed on the exposed surfaces of the p-type semiconductor layer 65 and the light absorption layer 66.
[0017]
FIG. 4 is a cross-sectional view showing the structure of the light emitting element 46. The light emitting element 46 includes a semiconductor substrate 68 and electrodes 69 and 70 provided on the lower surface of the substrate 68. Bumps 57 and 58 are fixed to the electrodes 69 and 70, respectively. The electrode 69 passes through a through hole penetrating the substrate 68 in the thickness direction, and is electrically connected to an electrode 71 formed on the surface of the substrate 68 on the lens 80 side. The electrode 71 is in contact with the clad layer 72 formed in the substrate 68, and an active layer 73 is formed between the clad layer 72 and the clad layer 73, and these have surface emission of a double hetero structure. A diode is formed. The side surfaces of these semiconductor layers 72 to 74 are surrounded by a current blocking layer or insulating layer 74. When a drive voltage is applied between the electrodes 70 and 71, a current is injected into the active layer 74 and light is emitted from the active layer 74. Note that an insulating film 75 is interposed between the electrodes 69 and 71 and the substrate 68.
[0018]
The current input to the drive circuit 53 is 80 mA when the light emitting element 46 is a light emitting diode, and 25 mA when the light emitting element 46 is a laser diode. In this optical data link, when the current of 50 mA is supplied to the drive circuit 53 and the light emitting element 46 is switched at 100 Mbps, the light receiving device 10 can be brought within 1 cm, so that the optical data link can be downsized. is there.
[0019]
As described above, the present optical data link includes the packages 1 and 3, the light receiving elements 29 disposed in the packages 1 and 3, and the signals from the light receiving elements 29 disposed in the packages 1 and 3. And a light emitting element 46 disposed in the packages 1 and 3, and a flip chip 47 on which the light emitting element 46 is bonded and a driving circuit 53 for driving the light emitting element 46 is formed. According to this optical data link, the light receiving element 29, the light emitting element 46, the amplifier circuit 36, and the flip chip 47 can be arranged in a single package 1 and 3, thereby facilitating the handling and flipping. By using the chip 47, noise caused by the current flowing between the light emitting element 46 and the drive circuit 53 is superimposed on the signal from the light receiving element 29 even if these are arranged in the single packages 1 and 3. The noise can be reduced.
[0020]
FIG. 5 is a three-dimensional exploded view of a light emitting device used for an optical data link. In the light emitting device, the package body 1A has a cylindrical shape, and the end surface of the package body 1A is fixed to the package substrate 3. That is, the light emitting device for the optical data link includes a light emitting element 46 and a flip chip 46 on which the light emitting element 46 is bonded and a drive circuit 53 for driving the light emitting element 46 is formed. According to the light emitting device for the optical data link, since the light emitting element 46 and the drive circuit 53 are connected without using a bonding wire by using the flip chip 47, the light emitting element 46 is switched at a high speed and noise is generated. It is possible to reduce. Furthermore, since the light emitting element 46 is attached by flip chip bonding, the current path from the drive circuit 53 can be increased and the high frequency characteristics can be improved.
[0021]
【The invention's effect】
According to the optical data link of the present invention, noise generated in the optical data link can be reduced by directly bonding the light emitting element to the flip chip on which the drive circuit is formed.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an exploded view of an optical data link.
FIG. 2 is a cross-sectional view of a component including a light receiving device, a light emitting device, and a substrate.
FIG. 3 is a cross-sectional view of a light receiving element.
FIG. 4 is a cross-sectional view of a light-emitting element.
FIG. 5 is an exploded view of the light emitting device.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Package, 29 ... Light receiving element, 36 ... Amplifying circuit, 46 ... Light emitting element, 53 ... Drive circuit, 47 ... Flip chip 47

Claims (4)

光データリンクにおいて、
発光面側の電極が当該発光面と反対の面側に設けられた電極とスルーホールによって電気的に接続されて、当該発光面と反対の面側に電極が集められた面発光型の発光素子と、
前記発光素子を駆動する駆動回路が形成された第1のフリップチップと、
を備え、
前記発光素子の前記発光面と反対の面が、前記第1のフリップチップの駆動回路形成面と対向するように、前記発光素子が前記第1のフリップチップにボンディングされる、
ことを特徴とする光データリンク。
In optical data link,
A surface-emitting light-emitting element in which an electrode on a light-emitting surface side is electrically connected to an electrode provided on a surface opposite to the light-emitting surface by a through hole, and the electrodes are collected on the surface opposite to the light-emitting surface When,
A first flip chip on which a driving circuit for driving the light emitting element is formed;
With
The light emitting element is bonded to the first flip chip such that a surface opposite to the light emitting surface of the light emitting element faces a drive circuit forming surface of the first flip chip;
An optical data link characterized by that.
受光面と反対の面側に電極が集められた裏面照射型の受光素子と、
前記受光素子からの信号を増幅する増幅回路が形成された第2のフリップチップと、
を更に備え、
前記受光素子の前記受光面と反対の面が、前記第2のフリップチップの増幅回路形成面と対向するように、前記受光素子が前記第2のフリップチップにボンディングされる、
ことを特徴とする請求項1に記載の光データリンク。
A back-illuminated type light receiving element in which electrodes are collected on the side opposite to the light receiving surface ;
A second flip chip on which an amplifier circuit for amplifying a signal from the light receiving element is formed ;
Further comprising
The light receiving element is bonded to the second flip chip such that a surface opposite to the light receiving surface of the light receiving element faces an amplification circuit forming surface of the second flip chip;
The optical data link according to claim 1 .
前記発光素子の発光面側に設けられた第1の集光レンズと、A first condenser lens provided on the light emitting surface side of the light emitting element;
前記受光素子の受光面側に設けられた第2の集光レンズと、A second condenser lens provided on the light receiving surface side of the light receiving element;
を更に備える請求項2に記載の光データリンク。The optical data link according to claim 2, further comprising:
受光面と反対の面側に電極が集められた裏面照射型の受光素子と、A back-illuminated type light receiving element in which electrodes are collected on the side opposite to the light receiving surface;
前記受光素子からの信号を増幅する増幅回路が形成されたフリップチップと、A flip chip on which an amplification circuit for amplifying a signal from the light receiving element is formed;
を備え、With
前記受光素子の前記受光面と反対の面が、前記フリップチップの増幅回路形成面と対向するように、前記受光素子が前記フリップチップにボンディングされる、The light receiving element is bonded to the flip chip such that a surface opposite to the light receiving surface of the light receiving element is opposed to an amplifying circuit forming surface of the flip chip;
ことを特徴とする光データリンク。An optical data link characterized by that.
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