JP3719518B2 - Method for producing thick film multilayer substrate - Google Patents
Method for producing thick film multilayer substrate Download PDFInfo
- Publication number
- JP3719518B2 JP3719518B2 JP2004209427A JP2004209427A JP3719518B2 JP 3719518 B2 JP3719518 B2 JP 3719518B2 JP 2004209427 A JP2004209427 A JP 2004209427A JP 2004209427 A JP2004209427 A JP 2004209427A JP 3719518 B2 JP3719518 B2 JP 3719518B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thick film
- insulating layer
- film resistor
- fired
- multilayer substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Description
本発明は厚膜多層基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a thick film multilayer substrate.
従来、セラミック基板上に絶縁層を印刷、焼成し、この絶縁層上に配線パタンを印刷、焼成することにより厚膜多層基板を製造する際には、複数の絶縁層及び配線パタンは、全て同じ温度で焼成している。したがって、上記技術を応用して、セラミック基板上に厚膜抵抗を印刷、焼成し、このセラミック基板上に複数の絶縁層を順次、印刷、焼成しようとすると、厚膜抵抗、複数の絶縁層及び配線パタンは、全て同じ温度で焼成することが考えられる。 Conventionally, when a thick film multilayer substrate is manufactured by printing and baking an insulating layer on a ceramic substrate and printing and baking a wiring pattern on the insulating layer, the plurality of insulating layers and the wiring pattern are all the same. Baking at temperature. Therefore, applying the above technique, printing and firing a thick film resistor on a ceramic substrate, and sequentially printing and firing a plurality of insulating layers on the ceramic substrate, the thick film resistor, the plurality of insulating layers and It is conceivable that all the wiring patterns are fired at the same temperature.
しかしながら、上記の製造方法では、厚膜抵抗の焼成温度と絶縁層、配線パタンなどの焼成温度が同じであるため、厚膜抵抗焼成後の焼成工程において、熱的影響により厚膜抵抗とそれに接する絶縁層との間に相互拡散や熱ストレスが発生し、厚膜抵抗の抵抗値が大きく変動してしまうという問題がある。そこで上記問題に対処する従来技術としては、下記の時点において、厚膜抵抗にレーザトリミングを実施し、抵抗値調整を行っている。 However, in the above manufacturing method, the firing temperature of the thick film resistor and the firing temperature of the insulating layer, the wiring pattern, etc. are the same. Therefore, in the firing process after the thick film resistance firing, the thick film resistor is in contact with the thick film resistor. There is a problem that mutual diffusion or thermal stress occurs between the insulating layer and the resistance value of the thick film resistor greatly fluctuates. Therefore, as a conventional technique for coping with the above problem, at the following time point, laser trimming is performed on the thick film resistor to adjust the resistance value.
第一の従来技術では全ガラス絶縁層の焼成前にレーザトリミングを実施する。第二の従来技術では全ガラス絶縁層の焼成後に全ガラス絶縁層を透過してレーザトリミングを実施する。第三の従来技術では全ガラス絶縁層を開口して設けた窓を通してレーザトリミングを実施する。第四の従来技術では上部のガラス絶縁層に設けた窓を通しかつ最下層のガラス絶縁層を透過してレーザトリミングを実施する。 In the first prior art, laser trimming is performed before firing the all-glass insulating layer. In the second prior art, laser trimming is carried out after passing through the entire glass insulating layer after firing of the entire glass insulating layer. In the third prior art, laser trimming is performed through a window provided with an all-glass insulating layer opened. In the fourth prior art, laser trimming is performed through a window provided in the upper glass insulating layer and through the lowermost glass insulating layer.
しかしながら、上記したレーザートリミング方法は、それぞれ下記の問題点を有している。まず上記第一の従来技術では、レーザートリミング後に全ガラス絶縁層及び配線の焼成を行うためにそれらの熱的影響により、厚膜抵抗の抵抗値が変動してしまう。図6に同一基板上に設けた3個の厚膜抵抗の各工程毎の抵抗値変動の一例を示す。図より明らかなように、抵抗体のシート抵抗値あるいは抵抗体の形状等によって抵抗値変動の絶対値が異なる。 However, each of the laser trimming methods described above has the following problems. First, in the first prior art, since the whole glass insulating layer and the wiring are fired after laser trimming, the resistance value of the thick film resistor fluctuates due to their thermal influence. FIG. 6 shows an example of resistance value fluctuations for each process of three thick film resistors provided on the same substrate. As is apparent from the figure, the absolute value of the resistance value variation varies depending on the sheet resistance value of the resistor, the shape of the resistor, or the like.
上記第二の従来技術では、厚い全ガラス絶縁層を透過してレーザートリミングを行うために、各ガラス絶縁層及びその界面における吸収、散乱、反射が生じ、厚膜抵抗トリミングのためにレーザー出力を増大させる必要がある。しかし、このレーザー出力の増大は周辺部への熱的影響の増大により周辺の配線や回路素子に熱ストレスなどの悪影響を与える可能性が危惧される。 In the second prior art, since laser trimming is performed through the thick all-glass insulating layer, absorption, scattering, and reflection occur at each glass insulating layer and its interface, and laser output is obtained for thick film resistance trimming. Need to increase. However, there is a concern that this increase in laser output may adversely affect peripheral wiring and circuit elements such as thermal stress due to an increase in thermal influence on the peripheral portion.
上記第三、第四の従来技術では、窓部に配線を布設できないので、多数のレーザートリミング厚膜抵抗を要する場合、配線パターンの設計が複雑となり、配線長が必要以上に長くなり、更に厚膜抵抗が露出するので耐外部環境性に不安が生じる。本発明は上記問題点に鑑みなされたものであり、簡単に厚膜抵抗の抵抗値を高精度化できる厚膜多層基板の製造方法を提供することを、その目的としている。 In the third and fourth conventional techniques, since wiring cannot be laid in the window portion, when a large number of laser trimming thick film resistors are required, the design of the wiring pattern becomes complicated, the wiring length becomes longer than necessary, and the thickness increases. Since the membrane resistance is exposed, anxiety about the external environmental resistance arises. The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a thick film multilayer substrate that can easily increase the resistance value of the thick film resistor.
本発明の厚膜多層基板の製造方法は、セラミック基板上に厚膜抵抗を印刷して焼成する厚膜抵抗形成工程と、前記厚膜抵抗及び前記セラミック基板の表面に第1の絶縁層を印刷して焼成する第1の絶縁層形成工程と、前記第1の絶縁層上に残部の絶縁層を印刷して焼成する残部の絶縁層形成工程と、前記残部の絶縁層の表面に配線を印刷して焼成する配線形成工程とを備える厚膜多層基板の製造方法において、前記厚膜抵抗を820〜1050℃で焼成するとともに、前記厚膜抵抗を該厚膜抵抗に接する前記第1の絶縁層よりも20〜100℃高温で焼成し、且つ前記配線を800〜950℃で焼成することを特徴としている。 The method for manufacturing a thick film multilayer substrate according to the present invention includes a thick film resistance forming step of printing and firing a thick film resistor on a ceramic substrate, and printing a first insulating layer on the surface of the thick film resistor and the ceramic substrate. And baking the first insulating layer forming step , printing the remaining insulating layer on the first insulating layer and baking the remaining insulating layer, and printing the wiring on the surface of the remaining insulating layer. the method of manufacturing a thick film multilayer substrate and a wiring forming step of firing and, with firing the thick film resistor at 820-1,050 ° C., the first insulating layer in contact with the thick-film resistor in thick-film resistor It is characterized by firing at a temperature 20 to 100 ° C. higher than that and firing the wiring at 800 to 950 ° C.
温度差が20℃未満の場合には抵抗値変動が大きくなり、温度差が100℃超過の場合には接する配線導体(通常Ag系導体(Ag、AgPd、AgPt)の溶融又は配線導体との固相拡散といった不具合が生じる。 When the temperature difference is less than 20 ° C., the resistance value fluctuates greatly, and when the temperature difference exceeds 100 ° C., the wiring conductor in contact (usually Ag-based conductors (Ag, AgPd, AgPt) is melted or fixed with the wiring conductor). Problems such as phase diffusion occur.
好適な態様において、前記厚膜抵抗は、前記残部の絶縁層よりも高温で焼成される。好適な態様において、前記厚膜抵抗をレーザートリミングした後、前記第1の絶縁層を形成する。好適な態様において、前記レーザートリミング直後の前記厚膜抵抗の抵抗値と、前記厚膜抵抗の高温工程終了時の抵抗値との比率を記憶し、前記比率に基づいて目標抵抗値を予め補正して得た抵抗値に基づいてレーザートリミングを実施する。好適な態様において、前記セラミック基板上には配線(5)が印刷・焼成されて形成されるとともに、前記配線(5)は800〜1050℃で焼成される。好適な態様において、前記配線(5)及び前記厚膜抵抗は空気中にて焼成される。好適な態様において、前記残部の絶縁層に形成されたビアホールに導体ペーストが印刷・焼成されて充填導体が形成されるとともに、前記充填導体は空気中にて焼成される。好適な態様において、前記残部の絶縁層に形成されたビアホールに導体ペーストが印刷・焼成されて充填導体が形成されるとともに、前記充填導体は800〜950℃で焼成される。好適な態様において、前記残部の絶縁層は、800〜950℃で焼成される。好適な態様において、前記残部の絶縁層の表面には回路部品が搭載される。 In a preferred aspect, the thick film resistor is fired at a higher temperature than the remaining insulating layer . In a preferred embodiment, the first insulating layer is formed after laser trimming the thick film resistor. In a preferred aspect, the ratio between the resistance value of the thick film resistor immediately after the laser trimming and the resistance value at the end of the high temperature process of the thick film resistor is stored, and the target resistance value is corrected in advance based on the ratio. Laser trimming is performed based on the resistance value obtained in this way. In a preferred embodiment, the wiring (5) is formed by printing and firing on the ceramic substrate, and the wiring (5) is fired at 800 to 1050 ° C. In a preferred embodiment, the wiring (5) and the thick film resistor are fired in air. In a preferred embodiment, a conductor paste is printed and fired in via holes formed in the remaining insulating layer to form a filled conductor, and the filled conductor is fired in air. In a preferred embodiment, a conductor paste is printed and fired in via holes formed in the remaining insulating layer to form a filled conductor, and the filled conductor is fired at 800 to 950 ° C. In a preferred embodiment, the remaining insulating layer is fired at 800 to 950 ° C. In a preferred aspect, a circuit component is mounted on the surface of the remaining insulating layer.
本発明の厚膜多層基板の製造方法では、セラミック基板上の厚膜抵抗をその上に接して焼成される第1の絶縁層よりも高温で焼成する。このようにすれば、以下の効果を奏することができる。 In the method for manufacturing a thick film multilayer substrate according to the present invention, the thick film resistor on the ceramic substrate is fired at a higher temperature than the first insulating layer fired in contact therewith. In this way, the following effects can be achieved.
(1)レーザートリミング跡や窓により絶縁層に凹部が形成されるレーザートリミングを使用しなくても高精度に抵抗値を決定できる。 (1) The resistance value can be determined with high accuracy without using laser trimming in which a recess is formed in the insulating layer by a laser trimming mark or window.
すなわち、厚膜抵抗焼成後におけるその抵抗値の変動は、その後の高温工程(絶縁層焼成、配線(回路パタン及びビヤーホール充填導体)焼成)、特に厚膜抵抗に接する絶縁層の焼成工程における厚膜抵抗とそれに接する絶縁層との相互拡散や熱ストレスなどによって生じる。ところが本発明者らの実験によれば、厚膜抵抗をそれに接する第1の絶縁層よりも高温で焼成すれば、その後の絶縁層の焼成などの高温工程による抵抗値変動を低減できることがわかった。 That is, the fluctuation of the resistance value after the thick film resistance firing is caused by the thick film in the subsequent high temperature process (insulating layer firing, wiring (circuit pattern and via hole filling conductor) firing), particularly the firing process of the insulating layer in contact with the thick film resistance. This is caused by mutual diffusion or thermal stress between the resistor and the insulating layer in contact with the resistor. However, according to experiments by the present inventors, it has been found that if the thick film resistor is fired at a temperature higher than that of the first insulating layer in contact with the thick film resistor, it is possible to reduce resistance value fluctuation due to a high temperature process such as firing of the subsequent insulating layer. .
恐らく、厚膜抵抗の高温焼成により、厚膜抵抗を構成するガラス粒子と導電粒子との反応ならびに結合力が強化されるために、その後により低温の絶縁層焼成工程を行っても、厚膜抵抗とそれに接する第1の絶縁層との間で固相拡散が生じにくくなるためと推定される。 Presumably, the high-temperature firing of the thick film resistor enhances the reaction and bonding force between the glass particles and the conductive particles that make up the thick film resistor. This is presumably because solid-phase diffusion hardly occurs between the first insulating layer and the first insulating layer in contact with the first insulating layer.
(2)厚膜抵抗焼成後でかつ第1の絶縁層形成前にレーザートリミングすることにより、更なる高精度の抵抗値を得ることができる。また厚膜抵抗を絶縁層で被覆できるので、安定性に優れ、しかもその配線が可能となる。 (2) By performing laser trimming after firing the thick film resistor and before forming the first insulating layer, a further highly accurate resistance value can be obtained. Further, since the thick film resistor can be covered with the insulating layer, the stability is excellent and the wiring is possible.
すなわち、厚膜抵抗が高温焼成されて安定であるので、レーザートリミング跡の絶縁層焼成を行っても抵抗値のばらつきが小さい。したがって、絶縁層に窓などを設ける必要がなくまた絶縁層透過のためにレーザー出力を増大しなくてもよい。 In other words, since the thick film resistor is fired at a high temperature and is stable, the resistance value variation is small even when the insulating layer firing of the laser trimming trace is performed. Therefore, it is not necessary to provide a window or the like in the insulating layer, and it is not necessary to increase the laser output for transmitting the insulating layer.
[第1実施例] [First embodiment]
本発明の厚膜多層基板の一実施例を図1を参照して説明する。図1は、アルミナ基板1上に3層のガラス絶縁層2〜4を有する厚膜多層基板を示す。
An embodiment of the thick film multilayer substrate of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 shows a thick film multilayer substrate having three glass
基板1上には配線5、厚膜抵抗6が印刷、焼成されており、その上にガラス絶縁層2〜4が形成され、ガラス絶縁層4上には配線7、保護ガラス71が形成されている。また、ガラス絶縁層4上には回路部品8がはんだ付けされている。9はビアホールに充填された孔部充填導体である。以下、この厚膜多層基板の製造方法を説明する。
A
(厚膜抵抗形成工程)まず、図2に示すように、Ag粉末にバインダとしてのエチルセルロースと溶剤としてのテルビネオールなどとを混練して導体ペーストを作成し、次に約1600℃で焼成されたアルミナ基板1上にこの導体ペーストを印刷し、空気中、800〜1050℃で10分間保持する焼成プロファイルにて焼成して配線5を形成する。
(Thick film resistance forming step) First, as shown in FIG. 2, an alumina powder was kneaded with ethyl cellulose as a binder and tervineol as a solvent to prepare a conductor paste, and then calcined at about 1600 ° C. The conductor paste is printed on the
次に、1200〜1500℃で溶融後、水中急冷し、粉砕した所定の混合比率のPbO、Al2O3、SiO2、B2O3混合物などからなる平均粒径2〜5μmのガラス粉末50〜80vol%にRu02粉末を所定vol%混合した混合粉末を作成し、この混合粉末に溶剤(例えばテルビネオール)、バインダ(例えばエチルセルロース)を入れて混練して抵抗体ペーストを作成し、この抵抗体ペーストをアルミナ基板1の表面に焼成後の膜厚が7〜15μmの厚さになるように印刷し、空気中、820〜1050℃で10分間保持する焼成プロファイルにて焼成して厚膜抵抗6を形成する。
Next, after melting at 1200 to 1500 ° C., Ru02 powder is added to 50 to 80 vol% of glass powder having an average particle diameter of 2 to 5 μm composed of a mixture of PbO, Al 2
(ガラス絶縁層の最下層を厚膜抵抗上に形成する工程)次に、図3に示すように、1200〜1500℃で溶融後、水中急冷し、粉砕した所定の混合比率のCaO、Al2O3、ZrO、PbOなどの混合物からなる平均粒径2〜5μmのガラス粉末に、溶剤(例えばテルビネオール)、バインダ(例えばエチルセルロース)を所定量加え、混練してガラスペーストを作成する。このガラスペーストをアルミナ基板1上に15〜25μmの厚さで印刷し、800〜950℃で10分間保持する焼成プロファイルにて焼成してガラス絶縁層2を形成する。
(Step of forming the lowermost layer of the glass insulating layer on the thick film resistor) Next, as shown in FIG. 3, after melting at 1200 to 1500 ° C., quenching in water and pulverizing CaO, Al 2
(残部のガラス絶縁層及び内部配線形成工程)次に、図4に示すように、上記したガラス絶縁層2の製造工程と同じ工程でガラス絶縁層3を形成し、次に、上記導体ペーストをガラス絶縁層2、3の互いに連通するビアホールにスクリーン印刷して充填し、空気中、800〜950℃で10分間保持する焼成プロファイルにて焼成して孔部充填導体9の下部を形成する。
(Residual Glass Insulating Layer and Internal Wiring Forming Step) Next, as shown in FIG. 4, the
次に、上記したガラス絶縁層2の製造工程と同じ工程でガラス絶縁層4を形成し、次に、上記ビアホールに連通するガラス絶縁層4のビアホールにAgペーストをスクリーン印刷して充填し、空気中、800〜950℃で10分間保持する焼成プロファイルにて焼成して孔部充填導体9の上部を形成する。
Next, the
(表層回路形成工程)次に、図4に示す様に導体ペーストをガラス絶縁層4表面に印刷し、800〜950℃で10分間保持する焼成プロファイルにて焼成して配線7を形成し、その上に保護ガラスペーストを印刷し、空気中、500〜650℃をピーク温度とする焼成プロファイルにて焼成して保護ガラス層71を形成した。
(Surface Layer Circuit Forming Step) Next, as shown in FIG. 4, a conductor paste is printed on the surface of the
保護ガラスペーストは、1200〜1500℃で溶融後、水中急冷し、粉砕した所定の混合比率のPbO、SiO2、B2O3混合物からなる平均粒径2〜5μmのガラス粉末に、溶剤(例えばテルピネオール)、バインダ(例えばエチルセルロース)を所定量加え、混練して作成した。
The protective glass paste is melted at 1200 to 1500 ° C., quenched in water and pulverized into a glass powder having an average particle diameter of 2 to 5 μm composed of a mixture of PbO,
(回路部品装着工程)次に、図1に示すように、ガラス絶縁層4の表面に焼成基板の表面に、回路部品8をはんだ付けして工程を完了した。
(Circuit Component Mounting Step) Next, as shown in FIG. 1, the
また、基板形成プロセスにて導体ペーストのAg粉末の代わりにAgとPdあるいはAgとPtとの混合粉を用いてもよい。またCuを用いることもできるがこの場合には酸化防止のため、焼成をN2雰囲気で行なう必要がある。さらに、表層回路形式工程において、導体ペーストを用いて配線形成後、この配線間に抵抗体を形成する事もできる。 Moreover, you may use the mixed powder of Ag and Pd or Ag and Pt instead of Ag powder of a conductor paste in a board | substrate formation process. Cu can also be used, but in this case, firing must be performed in an N2 atmosphere to prevent oxidation. Further, in the surface layer circuit format process, after the wiring is formed using the conductive paste, a resistor can be formed between the wirings.
次に、厚膜抵抗6の抵抗値変化を各製造工程終了毎にモニターした結果を図5に示す。また、厚膜抵抗6の焼成を850℃で10分間保持する焼成プロファイルにて焼成した他は実施例と同じ方法で作成した厚膜抵抗の抵抗値変化を示す。図6からわかるように、厚膜抵抗6の抵抗値は、高温焼成する本実施例品の抵抗値変化は比較例品に比べて格段に縮小されていることがわかる。
[第2実施例]
Next, FIG. 5 shows the result of monitoring the resistance value change of the
[Second Embodiment]
上記実施例では、レーザートリミングを行わなかったが、厚膜抵抗6の形成後にそのレーザートリミングを行って、厚膜抵抗6の値を精密に所定値に決め、その後、厚膜抵抗6を含む基板1上にガラス絶縁層2〜4を形成してもよい。厚膜抵抗6が高温焼成されているために、その上にガラス絶縁層2〜4を低温焼成しても、図5からわかるように殆ど変わらない。
[第3実施例]
In the above embodiment, laser trimming was not performed, but after the
[Third embodiment]
上記実施例2では、ガラス絶縁層2〜4形成前にレーザートリミングを実施したが、ガラス絶縁層2の形成後にレーザートリミングを行い、その後でガラス絶縁層3、4を形成してもよい。このようにすれば更に抵抗値変動を低減し、更に厚膜抵抗6上をガラス絶縁層3そして4で被覆することができる。
[第4実施例]
In Example 2, the laser trimming was performed before the
[Fourth embodiment]
他の実施例を説明する。 Another embodiment will be described.
この実施例は、実施例1において、厚膜抵抗6のレーザートリミング後の抵抗値R3と、製造工程完了後の上記厚膜抵抗6の抵抗R4との変化率Rr=R4/R3について多数のサンプルの平均変化率Rrmを計算し、レーザートリミング時にこの平均変化率Rrmを利用してレーザートリミング時の抵抗値R3を決定する。
In this embodiment, a large number of samples are used for the rate of change Rr = R4 / R3 between the resistance value R3 of the
例えば厚膜抵抗6の目標抵抗値をRxとする。そこでレーザートリミングにより厚膜抵抗6のレーザートリミング設定抵抗値R3をR3=Rx/Rrmとしてレーザートリミングを行う。このようにすれば、レーザートリミング後にガラス絶縁層焼成などを行い、厚膜抵抗6に熱履歴が加えられる場合でも、この熱履歴による厚膜抵抗6の抵抗値変動を最小限に抑制することが可能となる。
For example, the target resistance value of the
これは、レーザートリミング後のガラス絶縁層や配線の焼成工程が一定であり、それによる抵抗値変動も本質的に一定範囲内に収まるためである。
[第5実施例]
This is because the firing process of the glass insulating layer and the wiring after the laser trimming is constant, and the resistance value fluctuation due to this is essentially within a certain range.
[Fifth embodiment]
実施例4の変形態様を以下に説明する。この実施例では、レーザートリミングにおける抵抗値比較(モニタ抵抗と記憶する目標抵抗との比較)を行うコンピュータのメモリに、回路基板上の全部の厚膜抵抗6に対してそれぞれ、平均変化率Rrmを個別に記憶しておく。
A modification of the fourth embodiment will be described below. In this embodiment, an average rate of change Rrm is obtained for each
これは、回路基板上の位置や、各厚膜抵抗6の抵抗値などにより微妙に平均変化率Rrmが異なるのを補償するためである。このようにすれば、回路基板上の位置や、各厚膜抵抗6の抵抗値などにより微妙に平均変化率Rrmが異なる場合でも、熱履歴による各厚膜抵抗6の抵抗値変動を最小化することができる。
[第6実施例]
This is to compensate for a slight difference in the average rate of change Rrm depending on the position on the circuit board, the resistance value of each
[Sixth embodiment]
実施例5の変形態様を以下に説明する。 A modification of the fifth embodiment will be described below.
回路基板は複数枚(例えば4枚)を1ロットとして同じハンドリング用のボート(たとえばアルミナ製)に載置して、各工程を実施する。この実施例では、レーザートリミングにおける抵抗値比較(モニタ抵抗と記憶する目標抵抗との比較)を行うコンピュータのメモリに、上記ボート上の各回路基板上のレーザートリミングが必要な各厚膜抵抗6の全数に対して、それぞれ平均変化率Rrmを個別に記憶しておく。そしてレーザートリミングが必要な全厚膜抵抗6に対して各抵抗値R3を目標抵抗Rx/Rrmとして個別にレーザートリミングする。
A plurality of (for example, four) circuit boards are placed on the same handling boat (for example, made of alumina) as one lot, and each process is performed. In this embodiment, each
これは、上記セラミックボート上の回路基板の載置位置により、回路基板毎に微妙に温度などが変化し、そのために回路基板上の同一位置に形成される厚膜抵抗6でも上記微妙な温度変化により抵抗値が変動するためである。この実施例によれば、更に一層の抵抗値変動抑制が可能となる。
This is because the temperature or the like slightly changes for each circuit board depending on the mounting position of the circuit board on the ceramic boat, and the above-mentioned slight temperature change is also caused by the
(変形態様)以下、他の変形態様を説明する。 (Modification) Other modifications will be described below.
変形態様1
実施例4において、厚膜抵抗6の膜厚と熱履歴後の平均変化率Rrmとは一定の関係をもつので、この関係を示すグラフを記憶しておけば、厚膜抵抗6の膜厚を変える度にこのグラフから平均変化率Rrmをサーチすることができ、厚膜抵抗6の膜厚を変える度に一々、平均変化率Rrmを実験的に導出しなくてもよい。
In Example 4, since the film thickness of the
変形態様2
この態様では、厚膜抵抗6形成後でかつガラス絶縁層2形成前に、厚膜抵抗6とガラス絶縁層2との間の固相拡散を防止又は低減するバリア層を少なくとも厚膜抵抗6上に形成する。このバリア層はレーザートリミング前に形成してもよく、その後に形成してもよい。このバリア層の条件としては、厚膜抵抗6との固相拡散が少なく、厚膜抵抗6とガラス絶縁層2との間の固相拡散を低減し、厚膜抵抗6形成後の熱履歴に対して相変化しない絶縁性材料であり、例えば、窒化シリコン膜やアルミナ膜などを採用することができ、製造プロセスとしてはCVD法やPVD法や印刷焼成法などを採用できる。なお、レーザートリミング前に形成する場合には、レーザートリミングにより溶断可能な厚さとする必要がある。
In this embodiment, a barrier layer that prevents or reduces solid phase diffusion between the
変形態様3
この態様では、厚膜抵抗6形成後でかつガラス絶縁層2形成前に又はガラス絶縁層2として、直上のガラス絶縁層よりも軟質又は高弾性の緩衝層を少なくとも厚膜抵抗6上に形成する。この緩衝層はレーザートリミング前に形成してもよく、その後に形成してもよい。この緩衝層の条件としては、厚膜抵抗6との固相拡散が少なく、厚膜抵抗6とガラス絶縁層4との間の固相拡散を低減し、厚膜抵抗6形成後の熱履歴に対して相変化しない絶縁性材料であり、製造プロセスとしてはCVD法やPVD法や印刷焼成法などを採用できる。なお、レーザートリミング前に形成する場合には、レーザートリミングにより溶断可能な厚さとする必要がある。
In this aspect, after the
このようにすれば、厚膜抵抗6とガラス絶縁層2又は3との熱膨張係数の差に起因する熱応力をこの緩衝層で緩和することができ、それにより上記熱応力による厚膜抵抗6の抵抗値の変動を低減することができる。
In this way, the thermal stress caused by the difference in thermal expansion coefficient between the
変形態様4
この態様では、厚膜抵抗6形成後でかつガラス絶縁層2形成前に又はガラス絶縁層2として、直上のガラス絶縁層の熱膨張率と厚膜抵抗6の熱膨張率との中間の熱膨張率を有する緩衝層を設ける。この緩衝層はレーザートリミング前に形成してもよく、その後に形成してもよい。この緩衝層の条件としては、厚膜抵抗6との固相拡散が少なく、厚膜抵抗6とガラス絶縁層4との間の固相拡散を低減し、厚膜抵抗6形成後の熱履歴に対して相変化しない絶縁性材料であり、製造プロセスとしてはCVD法やPVD法や印刷焼成法などを採用できる。なお、レーザートリミング前に形成する場合には、レーザートリミングにより溶断可能な厚さとする必要がある。
In this embodiment, after the
このようにすれば、厚膜抵抗6とガラス絶縁層2又は3との熱膨張係数の差に起因する熱応力をこの緩衝層で緩和することができ、それにより上記熱応力による厚膜抵抗6の抵抗値の変動を低減することができる。
In this way, the thermal stress caused by the difference in thermal expansion coefficient between the
1…基板、2〜4…ガラス絶縁層、6…厚膜抵抗
DESCRIPTION OF
Claims (10)
前記厚膜抵抗を820〜1050℃で焼成するとともに、前記厚膜抵抗を該厚膜抵抗に接する前記第1の絶縁層よりも20〜100℃高温で焼成し、且つ前記配線を800〜950℃で焼成することを特徴とする厚膜多層基板の製造方法。 A thick film resistor forming step of printing and baking a thick film resistor on the ceramic substrate; and a first insulating layer forming step of printing and baking a first insulating layer on the surface of the thick film resistor and the ceramic substrate; A thick film comprising: a remaining insulating layer forming step of printing and baking the remaining insulating layer on the first insulating layer; and a wiring forming step of printing and baking wiring on the surface of the remaining insulating layer In the manufacturing method of the multilayer substrate,
The thick film resistor is fired at 820 to 1050 ° C., the thick film resistor is fired at a temperature 20 to 100 ° C. higher than the first insulating layer in contact with the thick film resistor , and the wiring is heated to 800 to 950 ° C. A method for manufacturing a thick film multilayer substrate, characterized by firing at a temperature.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004209427A JP3719518B2 (en) | 1992-12-22 | 2004-07-16 | Method for producing thick film multilayer substrate |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34280392 | 1992-12-22 | ||
JP2004209427A JP3719518B2 (en) | 1992-12-22 | 2004-07-16 | Method for producing thick film multilayer substrate |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31054393A Division JP3635669B2 (en) | 1992-12-22 | 1993-12-10 | Method for producing thick film multilayer substrate |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005141650A Division JP2005277436A (en) | 1992-12-22 | 2005-05-13 | Method of producing thick-film multi-layer substrates |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004289187A JP2004289187A (en) | 2004-10-14 |
JP3719518B2 true JP3719518B2 (en) | 2005-11-24 |
Family
ID=33301384
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004209427A Expired - Fee Related JP3719518B2 (en) | 1992-12-22 | 2004-07-16 | Method for producing thick film multilayer substrate |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3719518B2 (en) |
-
2004
- 2004-07-16 JP JP2004209427A patent/JP3719518B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004289187A (en) | 2004-10-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0245770B1 (en) | Multilayer ceramic substrate with circuit patterns and his method for making | |
EP1020909B1 (en) | Method for producing a thick-film hybrid circuit on a metal circuit board | |
US6436316B2 (en) | Conductive paste and printed wiring board using the same | |
GB2068173A (en) | Process for making a sensor for detecting fluid flow velocity or flow amount | |
EP0326212B1 (en) | Chip resistor and method of manufacturing a chip resistor | |
US5593722A (en) | Method of producing thick multi-layer substrates | |
JPH10224004A (en) | Thick film resistor paste | |
JP3635669B2 (en) | Method for producing thick film multilayer substrate | |
JP3719518B2 (en) | Method for producing thick film multilayer substrate | |
JP3019136B2 (en) | Thick film paste and ceramic circuit board using the same | |
US5955938A (en) | RuO2 resistor paste, substrate and overcoat system | |
JP2005277436A (en) | Method of producing thick-film multi-layer substrates | |
JP3093601B2 (en) | Ceramic circuit board | |
JP2004075534A (en) | Insulating composition | |
CN100590754C (en) | Resistance body ointment, resistance body, and circuit substrate using the resistance body | |
JP3605837B2 (en) | Method for manufacturing thick film multilayer substrate | |
JP2515202B2 (en) | Ceramic wiring board and manufacturing method thereof | |
JP2760035B2 (en) | Thick film circuit board | |
JP3093602B2 (en) | Manufacturing method of ceramic circuit board | |
JP3229473B2 (en) | Manufacturing method of chip resistor | |
JPH06104575A (en) | Ceramic circuit board provided with resistor | |
JP3210587B2 (en) | Low temperature firing ceramic circuit board | |
JPS60109258A (en) | Silicon carbide circuit board | |
JPH09153681A (en) | Built-in resistor paste for manufacture of lowtemperature fired substrate | |
JP2004320052A (en) | Method for manufacturing thick-film multilayer substrate |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040716 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050315 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050513 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050818 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050831 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080916 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110916 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |