JP3717605B2 - 光変調器モジュール - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般的に、光源からの光を変調するための光変調器モジュールに関し、更に詳しくは、光パワーのモニタリングを行なうための上記モジュールの構造に関する。
【0002】
光ファイバ通信システムにおいては、変調速度が増大してきた。レーザダイオードの直接強度変調では、波長チャーピングが問題である。チャーピングは、信号光が色分散(波長分散)のある光ファイバを通過するときに波形の歪みを引き起こす。ファイバ損失の観点からは、シリカファイバに適用されるのに最も望ましい波長は1.55μmである。この波長では、ノーマルなファイバは大体18ps/km/nmの色分散を持っている。これは伝送距離を制限する。この問題をさけるために、外部変調器として使用される光変調器モジュールに対する期待が高まっている。
【0003】
【従来の技術】
実用的な外部変調器として、LiNbO3 基板を用いたマッハツェンダ型の光変調器(LN変調器)が開発された。光源からの一定強度のキャリア光がLN変調器に供給され、光の干渉を用いたスイッチング動作によって、強度変調された光信号が得られる。
【0004】
しばしば指摘されるLN変調器の欠点は、動作点ドリフトを生じさせることである。動作点ドリフトに対処するために、LN変調器から出力される光のパワーがモニタリングされ、その結果得られる電気信号に基づいて動作点安定化のための制御が行なわれる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
光変調器が出力する光のパワーをモニタリングするためには、その一部をビームスプリッタにより分岐し、その分岐ビームをフォトディテクタで受ければよい。しかし、この場合、光変調器から出力される光信号のパワーが小さくなり、また、部品点数が多くなって装置が大型化するという問題がある。
【0006】
このような点に鑑み、干渉に際して生じる漏洩ビームを用いて光パワーをモニタリングすることが試みられている(特開平3−145623号公報)。しかし、漏洩ビームを用いた従来のモニタリング技術においては、漏洩ビームを受けるための受光面或いはファイバ端面を光変調器チップの端面に直接実装しているので、チップが破損しやすく、光変調器モジュールの製造が容易でないという問題がある。
【0007】
よって、本発明の目的は、漏洩ビームによる光パワーのモニタリングを可能にする製造性に優れた光変調器モジュールを提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明のある側面によると、入力ポートが受けた光を変調して変調された光を出力ポートから出力する光変調器モジュールが提供される。
【0009】
光変調器モジュールは、例えば誘電体チップにより提供される光導波構造を有している。
光導波構造は、入力ポート及び出力ポートにそれぞれ動作的に接続される第1端及び第2端と、第1端及び第2端にそれぞれ接続される第1Y部及び第2Y部と、第1Y部及び第2Y部の間に接続される第1パス及び第2パスとを有している。
【0010】
結合モードと漏洩モードとを切り換えてそれにより変調された光が第2端から出力されるようにするために、駆動手段が第1パス及び第2パスの少なくともいずれか一方に電界を印加する。
【0011】
結合モードでは、第2Y部を通過する光が第2端に供給され、これにより光変調器モジュールが出力する光がオンになる。漏洩モードでは第2Y部を通過する光が光導波構造からそれて漏洩ビームを生じさせ、これにより光変調器モジュールが出力する光がオフになる。このようにして、入力ポートが受けた光についての強度変調がなされる。
【0012】
光変調器モジュールは、更に、漏洩ビームを受ける受光面を有するフォトディテクタと、上記結合モードにおいて上記第2端より出力される出力ビームを上記出力ポートに導き、上記漏洩ビームを上記受光面に導く集光手段とを有する。集光手段は、漏洩ビームの方向を変換するが、漏洩ビームの偏光状態又は開口数を変換するようにしても良い。
【0013】
このように本発明の光変調器モジュールは、集光手段によりフォトディテクタの受光面が光導波構造に密着しないようにできるので、光変調器モジュールの製造性が改善される。また、結合モードと漏洩モードは互いに相補の関係にあるので、漏洩ビームを用いて光パワーのモニタリングが可能となる。
【0014】
光導波構造が誘電体チップにより提供されている場合には、駆動手段は、誘電体チップ上で第1及び第2パスにそれぞれ並設される第1及び第2の電極を含むことができる。望ましくは、結合モードと漏洩モードの有効な切換がなされるように、フォトディテクタの出力信号に基づき動作点を制御する回路が第1及び第2の電極に動作的に接続される。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明の望ましい実施の形態を詳細に説明する。
図1を参照すると、本発明が適用される光変調器モジュールの外観が示されている。このモジュールは、入力ポート2が受けた光を変調して変調された光を出力ポート4から出力する。この実施形態では、ポート2及び4はそれぞれ光コネクタである。
【0016】
このモジュールは、後述する変調器チップが内蔵されるパッケージ6を有している。パッケージ6の両端には、ポート2及び4をそれぞれパッケージ6と接続するためのピグテール型のファイバアセンブリ8及び10が設けられている。
【0017】
パッケージ6の一方の側面には、高速信号用のコネクタ12及び14が設けられており、他方の側面には低速信号用のコネクタ16が設けられている。
パッケージ6を図示しないケース等に固定するために、パッケージ6の底部には金具18が固定されている。
【0018】
図2を参照すると、パッケージ6(図1参照)内に内蔵される変調器チップが示されている。この変調器チップは、誘電体チップ20により提供される光導波構造22を有している。誘電体チップ20は例えばLiNbO3 (リチウムナイオベート)からなり、この場合Ti(チタン)の熱拡散によって光導波構造22が得られる。
【0019】
光導波構造22は、図1の入力ポート2及び出力ポート4にそれぞれ動作的に接続される第1端24及び第2端26を有している。
本出願において、ある要素と他の要素とが動作的に接続されるというのは、これらの要素が直接接続される場合を含み、更に、これらの要素の間で電気信号又は光信号の受渡しができる程度の関連性を持ってこれらの要素が設けられている場合を含む。
【0020】
光導波構造22は、更に、第1端24及び第2端26にそれぞれ接続される第1Y部28及び第2Y部30と、Y部28及び30の間に接続される第1パス32及び第2パス34とを有している。
【0021】
第1端24に供給された光は、第1Y部28で光パワーが実質的に2等分される第1及び第2のビームに分岐される。第1及び第2のビームはそれぞれパス32及び34により導波され、第2Y部30で干渉する。
【0022】
第2Y部30における第1及び第2のビーム間の位相差に応じて、第2端26において出力ビームが得られる結合モードと、第2Y部30から誘電体チップ20内に漏洩ビームが放射される漏洩モードとが切り換えられる。
【0023】
第1及び第2のビーム間の位相差を変化させるために、第1パス32上には接地電極38が設けられており、第2パス34上には信号電極36が設けられている。
【0024】
信号電極36は、進行波型に構成されており、その入力端36Aはコネクタ12の内部導体に接続され、出力端36Bはコネクタ14の内部導体に接続されている。また、コネクタ12及び14のシールド並びに接地電極38は例えばパッケージ6(図1参照)を介して接地されている。
【0025】
電極36及び38は例えばAu(金)の蒸着により形成される。図示はしないが、誘電体チップ20と電極36及び38との間にSi及び/又はSiO2 からなる安定化用の単一又は複数のバッファ層が設けられていてもよい。
【0026】
図3を参照すると漏洩ビームを更に詳細に説明するために、変調器チップの破断斜視図が示されている。チップ20は、第2端26と実質的に同一平面上の端面20Aを有している。
【0027】
第2Y部30からチップ20内に放射された漏洩ビームは、LBで示されるように、更に端面20Aから空気中に放射される。また、Y部30における干渉の結果生じた出力ビームOBは、第2端26から空気中に放射される。
【0028】
図4を参照すると、漏洩ビームLBをモニタリングするための第1実施形態が示されている。誘電体チップ20は、パッケージ6の内面に固着されている。パッケージ6は、出力ビームOBを放射する第2端26に対向する開口6Aを有している。
【0029】
開口6Aには、パッケージ6の内部を気密に封止するためのサファイア等からなる窓部材40が設けられている。パッケージ6の蓋の図示は省略されている。チップ20の端面20Aから放射される漏洩ビームLBのビームパラメータを変換するために、チップ20と開口6Aの間にコモンレンズ42が設けられている。ここではコモンレンズ42は球レンズでありパッケージ6の内面に接着剤44により固定されている。
【0030】
第2端26から放射された出力ビームOBは、コモンレンズ42により集束されて窓部材40を透過し、出力ポート4(図1参照)に導かれる。
パッケージ6の内面の開口6Aの上方には、セラミック基板46を介してフォトディテクタ(例えばフォトダイオード)48が設けられている。
【0031】
セラミック基板46の底面46Aはパッケージ6の内面に固着され、セラミック基板46の頂面46B上にはフォトディテクタ48の底部が固着されている。フォトディテクタ48はその頂部に受光面48Aを有している。
【0032】
チップ20の端面20Aから放射された漏洩ビームLBは、コモンレンズ42により集束されてフォトディテクタ48の受光面48Aに入射する。
このように一つのコモンレンズ42を用いて、出力ビームOBの邪魔をせずに漏洩ビームLBのモニタリングが可能なのは、出力ビームOB及び漏洩ビームLBがチップ20の異なる点から放射されているからである。
【0033】
尚、コモンレンズ42の大きさは、出力ビームOBの光軸がコモンレンズ42の中心に実質的に一致するように設定されている。これにより、漏洩ビームLBはコモンレンズ42にその中心よりも下の位置から斜めに入射するので、開口6Aの上部に位置するフォトディテクタ48により漏洩ビームLBの一部又は全部を受けることができる。
【0034】
この実施形態では、漏洩ビームLBのうちの一部でもフォトディテクタ48の受光面48Aに重なっていれば光パワーのモニタリングが可能になるので、フォトディテクタ48の位置合わせ等が容易であり、モジュールを簡単に製造することができる。また、チップ20の端面20Aには何も固着する必要がないのでチップ20の破損が防止され、製造歩留りが向上する。
【0035】
フォトディテクタ48は電気的には図1の低速用のコネクタ16に接続されている。この接続は例えば次のようにしてなされる。セラミック基板46の頂面46B上に導体パターンを形成し、この導体パターンとフォトディテクタ48の出力端子とをボンディングワイヤで接続し、導体パターンとコネクタ16とを適当なリード線により接続するのである。
【0036】
このような接続形態によると、フォトディテクタ48のセラミック基板46に対する機械的な固定と電気的な接続とを予め行なってフォトディテクタアセンブリを構成しておき、このアセンブリをパッケージ6の内面に固着することができるので、モジュールの組立が容易になる。
【0037】
次に図5を参照して動作点ドリフトについて説明する。一般に誘電体チップを用いてなるマッハツェンダ型の光変調器においては、温度変化や経時変化により動作特性曲線がドリフトする(動作点ドリフト)。
【0038】
図5において、符号50及び52はそれぞれ動作点ドリフトが生じていない場合における動作特性曲線及び出力光信号波形を表しており、符号54及び56はそれぞれ動作点ドリフトが生じた場合における動作特性曲線及び出力光信号波形を表している。符号58は入力信号(駆動電圧)の波形である。
【0039】
動作特性曲線は、光パワー(例えば図3の出力ビームOBのトータルパワー)が電圧の増加に対して周期的に増減するものとして表される。従って、入力信号の各論理値に対応して光パワーの極小値及び極大値がそれぞれ得られる電圧V0 及びV1 を用いて前述の結合モードと漏洩モードの有効な切り換えを行なうことによって、効率的な2値変調を行なうことができる。
【0040】
動作点ドリフトが生じたときに、電圧V0 及びV1 が一定であると、動作特性曲線の周期性により符号56で示されるように出力光信号の消光比が劣化する。従って、動作点ドリフトが生じたときにそのドリフト量をdVとすると、電圧V0 及びV1 をそれぞれ(V0 +dV)及び(V1 +dV)として動作点ドリフトを補償することが要求される。
【0041】
本発明では、動作点ドリフトの安定化制御に漏洩ビームのモニタリングを適用することができる。
図6を参照すると図2の変調器チップの動作特性が示されている。与えられた任意の電圧に対して出力ビームOBの光パワーと漏洩ビームLBの光パワーの和は一定である。即ち、出力ビームOBと漏洩ビームLBは互いに相補の関係にある。
【0042】
従って、図2の変調器チップが動作している状態においては、出力ビームOBの平均光パワーは漏洩ビームLBの平均光パワーに反映されるのである。
図7を参照すると、本発明の光変調器モジュール60を有する光送信機が示されている。レーザダイオードモジュール等の光源60からの一定強度のキャリア光が入力ポート2に供給される。
【0043】
変調回路62は、入力信号の論理レベルに対応して出力ポート4から出力する光がオン/オフするような位相変化が光パス32及び34(図2参照)の導波光に与えられるように、高速の駆動電圧信号(変調信号)をキャパシタ64を介してコネクタ12に供給する。
【0044】
動作点制御回路66は、漏洩ビームのパワーに対応するコネクタ16の出力信号を受け、この出力信号に基づき動作点ドリフトを検出して、図5により説明した原理に従って動作点が動作特性曲線に対して一定の関係を有するような位相変化がパス32及び34の導波光に与えられるように、制御された直流のバイアス電圧を発生する。バイアス電圧はインダクタ68を介してコネクタ14に与えられる。コネクタ14を高周波的に終端するために、キャパシタ70及び終端抵抗72が直列でコネクタ14に接続される。
【0045】
この光送信機においては、光変調器60の動作点が常に最適に安定化されるので、動作点ドリフトに起因する出力波形の劣化或いは出力波形の反転を防止して伝送品質を向上させることができる。
【0046】
尚、動作点制御回路66は、例えば、発振器からの低周波信号を高速の変調信号に重畳する手段と、低周波信号を参照信号としてコネクタ16の出力信号を同期検波する手段と、同期検波の結果得られたDC信号が一定になるようにバイアス電圧を制御する手段とから構成することができる。
【0047】
図8を参照すると、本発明による漏洩ビームのモニタリングの第2実施形態が示されている。この実施形態は、図4の第1実施形態と対比して、コモンレンズ42に代えてアレイレンズ74が用いられている点で特徴づけられる。
【0048】
アレイレンズ74はパッケージの開口6Aと誘電体チップ20との間に設けられており、その上部及び下部にそれぞれレンズエレメント76及び78を一体に有している。
【0049】
出力ビームOBはレンズエレメント76により集束されて窓部材40を透過し、漏洩ビームLBはレンズエレメント78により集束されてフォトディテクタ48の受光面48Aに入射する。
【0050】
フォトディテクタ48は、パッケージ6の内面の開口6Aの下方にセラミック基板46を介して固定されている。
このようなアレイレンズ74の採用により、図4の第1実施形態と対比して、出力ビームOBの光軸と漏洩ビームLBの光軸とが開口6Aと誘電体チップ20との間で交差しなくなり光軸同士ほぼ平行になるので、開口6Aの下方に位置するフォトディテクタ48により漏洩ビームLBの一部又は全部を受けることができる。
【0051】
尚、アレイレンズ74は例えばプレスにより作製される複数の非球面レンズを有している。
図9を参照すると、本発明による漏洩ビームのモニタリングの第3実施形態が示されている。ここでは、パッケージの開口6Aは第1及び第2実施形態と異なる形状の窓部材80により密閉されている。即ち、窓部材80は漏洩ビームLBの一部又は全部を反射させるための傾斜した反射面80Aを有している。
【0052】
図示された例では、反射面80Aは窓部材80の外側に形成されているが、内側に形成されていてもよい。
フォトディテクタ48は受光面48Aが誘電体チップ20の端面20Aと反対側を向くように端面20A上にセラミック基板46を介して固定されている。
【0053】
この実施形態では、漏洩ビームLBを集束させるためのレンズが用いられていない。しかし、一般にフォトディテクタ48の受光面48Aは例えば数百μmの直径を有しているので、Y部30(図2及び図3参照)と誘電体チップ20の端面20Aとの相対的な位置関係を調整して漏洩ビームLBの開口(放射の立体角)を小さくすることによって、漏洩ビームLBの大部分をフォトディテクタ48で受けることができる。
【0054】
また、フォトディテクタ48は受光面48Aが誘電体チップ20の端面20Aと反対側を向くように設けられているので、フォトディテクタ48及びセラミック基板46を誘電体チップ20に固着するに際して端面20Aの傷等を考慮する必要がないので、製造歩留りが向上する。
【0055】
この実施形態では、出力ビームOBを集束させるためのレンズがハウジング6の内部に設けられていないので、そのレンズは図1のファイバアセンブリ10内に設けることができる。
【0056】
図10を参照すると、本発明による漏洩ビームのモニタリングの第4実施形態が示されている。窓部材40は第1及び第2実施形態におけるものと同じである。
【0057】
漏洩ビームLBの一部又は全部を反射させるために、開口6Aに沿ってパッケージ6の内面にリング部材82が固着されている。リング部材82は概略円錐形の一部をなす反射面82Aを誘電体チップ20の側に有している。
【0058】
出力ビームOBはリング部材82の内側を通って窓部材40を透過し、漏洩ビームLBの一部又は全部は反射面82Aで反射してフォトディテクタ48の受光面48Aに入射する。フォトディテクタ48の配置形態は第3実施形態と同じである。
【0059】
この実施形態によっても誘電体チップ20の端面20Aと反対側を向く受光面48Aにより漏洩ビームLBの一部又は全部を受けることができるので、製造歩留りが向上する。また、リング部材82は金属に対する通常の加工方法により高精度に作製することができ、リング部材82のパッケージ6への固着も容易に行なうことができるので、このモジュールの製造は極めて容易である。
【0060】
反射面82Aはリング部材82の表面の研磨によって得ることもできるが、全反射膜の蒸着によって得てもよい。
図11を参照すると、本発明による漏洩ビームのモニタリングの第5実施形態が示されている。ここでは、パッケージの開口6Aには、上部がパッケージ6の内部に傾斜した窓部材84が設けられている。
【0061】
窓部材84には特定の偏光面を有するビームを反射させるための光学膜86が積層されている。光学膜86は図示された例では窓部材84の内側に積層されているが、外側に積層されていてもよい。
【0062】
一般に、誘電体チップ20の上面に電極36及び38(図2参照)を形成して、光導波構造22に図11の上下方向に電界を印加する場合、出力ビームOB及び漏洩ビームLBの各々は、図11の紙面に平行な偏光面を有するTM偏光となっている。
【0063】
この実施形態では、漏洩ビームLBだけを紙面に垂直な偏光面を有するTE偏光に変換するために、誘電体チップ20の端面20A上に1/2波長板88を固着している。
【0064】
そして、光学膜86はTM偏光を透過させ、TE偏光を反射させる特性を有している。従って、出力ビームOBは光学膜86及び窓部材84を透過し、漏洩ビームLBは光学膜86で反射する。反射した漏洩ビームLBの一部又は全部はフォトディテクタ48の受光面48Aに入射する。
【0065】
フォトディテクタ48は、受光面48Aが誘電体チップ20の端面20Aと反対側を向くようにセラミック基板46を介して端面20Aに固定されている。
この実施形態においても、フォトディテクタ48の受光面48Aが誘電体チップ20の端面20Aと反対側を向くようにされているので、製造歩留りが向上する。
【0066】
図12を参照すると、本発明による漏洩ビームのモニタリングの第6実施形態が示されている。ここでは、漏洩ビームLBのビームパラメータを変換する手段は、出力ビームOB及び漏洩ビームLBのいずれか一方の偏光面を90°回転させる旋光手段と、漏洩ビームLBの光路を出力ビームOBの光路から分離するための複屈折結晶92とを含む。
【0067】
具体的には、旋光手段は誘電体チップ20の端面20Aに固着される1/2波長板90からなり、複屈折結晶92は、1/2波長板90を通過した漏洩ビームLBが常光線及び異常光線のいずれか一方になるように配置される。
【0068】
この実施形態では、複屈折結晶92の材質はルチルであり、漏洩ビームLBは1/2波長板90によりTE偏光に変換され、複屈折結晶92において異常光線として出力ビームOBから下方向に分離される。この実施形態によると、出力ビームOBと漏洩ビームLBとの間の距離を拡大することができるので、容易に漏洩ビームLBのモニタリングを行なうことができる。
【0069】
各ビームの偏光方向等の適切な設定によって出力ビームOBと漏洩ビームLBとが水平方向に分離されるようにしてもよい。
【0070】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によると、漏洩ビームによる光パワーのモニタリングを可能にする製造性に優れた光変調器モジュールの提供が可能になるという効果が生じる。
【0071】
また、本発明の特定の実施形態によると、漏洩ビームのモニタリングにより光変調器の動作点の安定化が可能になるという効果もある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明が適用される光変調器モジュールの外観を示す平面図である。
【図2】図1のモジュールに内蔵される変調器チップの平面図である。
【図3】漏洩ビームを説明するための変調器チップの破断斜視図である。
【図4】本発明による漏洩ビームのモニタリングの第1実施形態を示す光変調器モジュールの部分断面図である。
【図5】動作点ドリフトの説明図である。
【図6】変調器チップの動作特性を示す図である。
【図7】本発明の光変調器モジュールが適用される光送信機のブロック図である。
【図8】本発明による漏洩ビームのモニタリングの第2実施形態を示す光変調器モジュールの部分断面図である。
【図9】本発明による漏洩ビームのモニタリングの第3実施形態を示す光変調器モジュールの部分断面図である。
【図10】本発明による漏洩ビームのモニタリングの第4実施形態を示す光変調器モジュールの部分断面図である。
【図11】本発明による漏洩ビームのモニタリングの第5実施形態を示す光変調器モジュールの部分断面図である。
【図12】本発明による漏洩ビームのモニタリングの第6実施形態を示す光変調器モジュールの主要部の部分斜視図である。
【符号の説明】
2 入力ポート
4 出力ポート
6 パッケージ
12,14,16 コネクタ
20 誘電体チップ
22 光導波構造
28 第1Y部
30 第2Y部
32 第1パス
34 第2パス
36 信号電極
38 接地電極
42 コモンレンズ
74 アレイレンズ
82 リング部材
88,90 1/2波長板
92 複屈折結晶
OB 出力ビーム
LB 漏洩ビーム
Claims (6)
- 入力ポートが受けた光を変調して変調された光を出力ポートから出力する光変調器モジュールであって、
上記入力ポート及び出力ポートにそれぞれ動作的に接続される第1端及び第2端と該第1端及び第2端にそれぞれ接続される第1Y部及び第2Y部と該第1Y部及び第2Y部の間に接続される第1パス及び第2パスとを有する光導波構造と、
上記第2Y部を通過する光が上記第2端に供給される結合モードと上記通過する光が上記光導波構造からそれて漏洩ビームを生じさせる漏洩モードとを切り換えてそれにより上記変調された光が上記第2端から出力されるように上記第1パス及び第2パスの少なくともいずれか一方に電界を印加するための駆動手段と、
上記漏洩ビームを受ける受光面を有するフォトディテクタと、
上記結合モードにおいて上記第2端より出力される出力ビームを上記出力ポートに導き、上記漏洩ビームを上記受光面に導く集光手段とを備えた光変調器モジュール。 - 入力ポートが受けた光を変調して変調された光を出力ポートから出力する光変調器モジュールであって、
上記入力ポート及び出力ポートにそれぞれ動作的に接続される第1端及び第2端と該第1端及び第2端にそれぞれ接続される第1Y部及び第2Y部と該第1Y部及び第2Y部の間に接続される第1パス及び第2パスとを有する光導波構造と、
上記第2Y部を通過する光が上記第2端に供給される結合モードと上記通過する光が上記光導波構造からそれて漏洩ビームを生じさせる漏洩モードとを切り換えてそれにより上記変調された光が上記第2端から出力されるように上記第1パス及び第2パスの少なくともいずれか一方に電界を印加するための駆動手段と、
上記漏洩ビームを受ける受光面を有するフォトディテクタとを備え、
上記第2Y部と上記光導波構造の上記漏洩ビームが放射される端面との相対的な位置関係は、上記漏洩ビームが上記出力ポートに出力されず、且つ上記光導波構造から放射される上記漏洩ビームの放射立体角を小さくすることによって上記漏洩ビームが上記受光面に入射するように調整されている光変調器モジュール。 - 請求項2に記載の光変調器モジュールであって、
上記第2端に対向する開口を封止するための窓部材を更に具備し、
上記窓部材は上記結合モードにおいて上記第2端より出力される出力ビームを透過させる透過面と上記漏洩ビームを反射させて、その反射ビームを上記受光面に導く反射面とを有する光変調器モジュール。 - 請求項2に記載の光変調器モジュールであって、
上記第2端に対向する開口を封止するための窓部材と、
上記窓部材に対向し、上記開口に沿って設けられたリング部材とを更に具備し、
上記リング部材は概略円錐形の一部をなす反射面を有し、
上記結合モードにおいて上記第2端より出力される出力ビームは上記リング部材の内側及び上記開口を通過し、
上記漏洩ビームは上記反射面で反射して上記受光面に入射する光変調器モジュール。 - 請求項2に記載の光変調器モジュールであって、
上記第2端に対向する開口を封止するための窓部材を更に具備し、
上記窓部材の上記第2端に対向する表面には積層された光学膜が形成され、
上記結合モードにおいて上記第2端より出力される出力ビームは上記光学膜を透過し、
上記漏洩ビームは上記光学膜で反射して、上記受光面に入射する光変調器モジュール。 - 入力ポートが受けた光を変調して変調された光を出力ポートから出力する光変調器モジュールであって、
上記入力ポート及び出力ポートにそれぞれ動作的に接続される第1端及び第2端と該第1端及び第2端にそれぞれ接続される第1Y部及び第2Y部と該第1Y部及び第2Y部の間に接続される第1パス及び第2パスとを有する光導波構造と、
上記第2Y部を通過する光が上記第2端に供給される結合モードと上記通過する光が上記光導波構造からそれて漏洩ビームを生じさせる漏洩モードとを切り換えてそれにより上記変調された光が上記第2端から出力されるように上記第1パス及び第2パスの少なくともいずれか一方に電界を印加するための駆動手段と、
上記漏洩ビームを受ける受光面を有するフォトディテクタと、
上記第2端に対向する開口を封止するための窓部材と、
上記漏洩ビームの偏光面を90°回転させる1/2波長板とを具備し、
上記光導波構造は誘電体チップにより提供され、
上記誘電体チップは上記第2端と実質的に同一平面上の端面を有し、上記漏洩ビームは上記端面から放射され、
上記1/2波長板は上記誘電体チップの端面に固着され、上記窓部材には光学膜が積層され、
上記漏洩ビームは上記光学膜で反射して上記受光面に入射する光変調器モジュール。
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