JP3716556B2

JP3716556B2 - Multi-cut wire saw wafer recovery method

Info

Publication number: JP3716556B2
Application number: JP15255597A
Authority: JP
Inventors: 健一中浦
Original assignee: Tokyo Seimitsu Co Ltd
Current assignee: Tokyo Seimitsu Co Ltd
Priority date: 1997-06-10
Filing date: 1997-06-10
Publication date: 2005-11-16
Anticipated expiration: 2017-06-10
Also published as: JPH10340869A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はマルチ切断ワイヤソーのウェーハ回収方法に係り、特に種類の異なる複数本のインゴットをワイヤソーで同時切断して得られたウェーハを、そのウェーハが接着されているスライスベースから剥離して枚葉回収するマルチ切断ワイヤソーのウェーハ回収方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
インゴットの切断装置の一つとしてワイヤソーがある。ワイヤソーは、高速走行するワイヤ列にインゴットを押し付け、その接触部にスラリを供給することによりインゴットを多数枚のウェーハに切断する装置である。
このワイヤソーでは、通常、一回の切断に対して一本のインゴットを切断するが、近年、その切断効率を上げるために、マルチ切断と呼ばれる多数本のインゴットを同時に切断する切断方法が採用されている。
【０００３】
マルチ切断は、複数本のインゴットをスライスベースを介してマウンティングプレートに直列状態で接着し、これをワイヤソーに装着することによって複数本のインゴットを同時に切断する。この切断方法によれば、複数本のインゴットをまとめて切断することができるため、効率的にインゴットを切断することができる。
【０００４】
ところで、ワイヤソーでインゴットを切断すると、ウェーハは全てスライスベースに接着された状態で切り出される。したがって、切断後は、そのスライスベースに接着されたウェーハを全てスライスベースから剥離して枚葉化する必要がある。
従来、ワイヤソーで切断されたウェーハをスライスベースから剥離する方法としては、ウェーハを熱水中に浸漬させて剥離する方法（自然剥離法）がある。この方法は、ウェーハを熱水中に浸漬させて、ウェーハとスライスベースとの接着剤を熱軟化させることによって、ウェーハをスライスベースから剥離させるものである。
【０００５】
この方法の場合、スライスベースに接着されたウェーハは、一度に全てスライスベースから剥離し、剥離したウェーハは、熱水槽内に設置したカセット内に回収されていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記従来の剥離方法でマルチ切断したウェーハを剥離すると、一度に全てのウェーハが剥離されてしまうため、剥離したウェーハがカセット内で混入し、各ロット間の区別が付かなくなってしまうという問題があった。
本発明は、このような事情を鑑みてなされたもので、種類の異なる複数のインゴットをワイヤソーで同時に切断して得られたウェーハを各ロットごとに回収することができるマルチ切断ワイヤソーのウェーハ回収方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前記目的を達成するために、直列させた種類の異なる複数のインゴットをワイヤソーで同時に切断して得られたウェーハを、そのウェーハが接着されているスライスベースから剥離して枚葉回収するマルチ切断ワイヤソーのウェーハ回収方法において、前記ワイヤソーで切断されたウェーハの各ロット間に仕切板を挿入するとともに、その仕切板を挿入したウェーハをカセット内に収納し、該カセットごと前記ウェーハを熱水又は薬液中に浸漬させて、全てのウェーハを前記スライスベースから同時に剥離し、前記スライスベースから剥離したウェーハを前記カセット内で回収するとともに、前記仕切板によって前記カセット内に回収されたウェーハを各ロットごとに仕切ることを特徴とする。
【０００８】
本発明によれば、スライスベースに接着された状態にあるウェーハは、カセット内に収納して熱水中に浸漬させることにより、スライスベースから自然剥離し、剥離後はカセット内に回収される。ここで、スライスベースから剥離する前にあらかじめ各ウェーハのロット間に仕切板を挿入しておくことにより、剥離後もウェーハは、各ロット毎に仕切られた状態でカセット内に回収される。したがって、本発明によれば、回収したウェーハの各ロット間の区別がつかなくなるということはなく、各ロット毎にウェーハを回収することができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下添付図面に従って本発明に係るマルチ切断ワイヤソーのウェーハ回収方法の好ましい実施の形態について詳説する。
まず、ワイヤソーで複数本のインゴットをマルチ切断（複数本同時切断）する場合について説明する。
【００１０】
図１に示すように、ワイヤソー１０は、一対のワイヤリール１１（一方側のみ図示）間を高速走行するワイヤ１２を３本の溝付ローラ１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃに巻きかけてワイヤ列１４形成し、その高速走行するワイヤ列１４にインゴットＩｎを押し当てながら、その接触部にスラリ（砥粒を液体で溶いた懸濁状の加工液）を供給することにより、インゴットＩｎを多数枚のウェーハに切断する装置である。
【００１１】
このワイヤソー１０において、被加工物であるインゴットＩｎは、ワイヤ列１４に対して垂直に昇降移動するワークフィードテーブル１６に装着される。そして、このワークフィードテーブル１６をワイヤ列１４に向けて送ることにより、インゴットＩｎを高速走行するワイヤ列１４に押し付ける。
なお、このインゴットＩｎのワークフィードテーブル１６への装着は、次のように行う。まず、インゴットの側面部分にスライスベースと呼ばれるインゴットの切り終わり部分の欠損を防ぐ保護材を接着剤で接着する。次いで、そのインゴットに接着したスライスベースをマウンティングプレートと呼ばれるワークフィードテーブルへの装着具に接着剤で接着する。そして、そのインゴットが接着されたマウンティングプレートをワークフィードテーブルのワーク保持部に取り付ける。これにより、インゴットはワークフィードテーブルに装着される。
【００１２】
なお、上記例はインゴットを１本切断する場合の例であり、複数本のインゴットをマルチ切断する場合は、次のようにしてインゴットをワークフィードテーブルに装着する。なお、ここでは、３本のインゴットＩａ、Ｉｂ、Ｉｃをマルチ切断する場合について説明する。
まず、３本のインゴットＩａ、Ｉｂ、ＩｃにそれぞれスライスベースＳａ、Ｓｂ、Ｓｃを接着する。次に、図２に示すように、そのインゴットＩａ、Ｉｂ、Ｉｃが接着されたスライスベースＳａ、Ｓｂ、ＳｃをマウンティングプレートＭに直列させて接着する。そして、そのマウンティングプレートＭをワークフィードテーブルのワーク保持部に装着する。
【００１３】
図３（ａ）には、前記のごとく３本のインゴットをＩａ、Ｉｂ、Ｉｃを接着したマウンティングプレートＭをワークフィードテーブル１６のワーク保持部に装着した状態が示されている。この３本のインゴットをＩａ、Ｉｂ、Ｉｃを切断する場合は、通常の１本のインゴットを切断する場合と同様に、ワークフィードテーブル１６をワイヤ列１４に向けて下降させ、高速走行するワイヤ列１４に３本のインゴットをＩａ、Ｉｂ、Ｉｃを押し当てる。そして、そのインゴットＩａ、Ｉｂ、Ｉｃとワイヤ列１４との接触部にスラリを供給する。
【００１４】
これにより、図３（ｂ）に示すように、３本のインゴットＩａ、Ｉｂ、Ｉｃは、それぞれ同時に多数枚のウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃに切断される。
なお、以下、同図に示すように、インゴットＩａから切断されたウェーハを「ウェーハＷａ」、インゴットＩｂから切断されたウェーハを「ウェーハＷｂ」、インゴットＩｃから切断されたウェーハを「ウェーハＷｃ」と記載し、単に「ウェーハＷ」と記載するときは、これら全てのウェーハを指すものとする。
【００１５】
ところで、上記のように多数本のインゴットをマルチ切断すると、切断後にウェーハを熱水中に浸漬させて自然剥離させた場合、剥離したウェーハがカセット内で混入し、各ロット間の区別がつかなくなってしまうという欠点がある（前述）。
そこで、本発明は、次のようにしてスライスベースから剥離したウェーハの各ロット間の区別を付ける。すなわち、図４に示すように、ワイヤソーで切断された各ウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃのロット間に仕切板Ｐ₁、Ｐ₂を挿入し、この状態でウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃを熱水中に浸漬させる。具体的には、以下の通りである。
【００１６】
まず、ウェーハＷをスライスベースＳから剥離する剥離装置２０の構成について説明する。
図５に示すように、前記剥離装置２０は、熱水（約９５℃前後）が貯留された熱水槽２２を有している。この熱水槽２２内には、ウェーハＷを回収するカセット２４が設置されており、該カセット２４は、図示しないロック手段によって槽内の所定の位置に固定されている。
【００１７】
前記熱水槽２２の背面部には、角柱状に形成されたコラム２６が垂直に立設されている。このコラム２６の正面には一対のガイドレール２８、２８が敷設されており、該ガイドレール２８、２８上をスライダ３０がスライド自在に支持されている。
また、前記コラム２６の正面には、ガイドレール２８に沿って油圧シリンダ３２が配設されており、この油圧シリンダ３２のロッドに前記スライダ３０が連結されている。したがって、前記スライダ３０は、この油圧シリンダ３２を駆動することによりガイドレール２８に沿って昇降移動する。
【００１８】
前記スライダ３０の両端部には、Ｌ字状に形成された一対の保持アーム３４、３４が固着されている。前記マウンティングプレートＭは、その両端部に形成された突起部をこの保持アーム３４、３４上に載置することにより剥離装置２０に装着される。
なお、前記のごとく剥離装置２０にマウンティングプレートＭが装着されると、そのマウンティングプレートＭに接着されているウェーハＷは熱水槽２２の真上に位置する。そして、この状態で油圧シリンダ３２を駆動してスライダ３０を下降させることにより、熱水槽２２内のカセット２４に収納された状態で熱水中に浸漬される。
【００１９】
剥離装置２０は以上のように構成される。そして、本実施の形態では、この剥離装置２０を用いて、次のようにウェーハＷを剥離し、回収する。
まず、図５に示すように、オペレータが、ワイヤソー１０で切断したウェーハＷを剥離装置２０に装着する。すなわち、ウェーハＷが接着されているマウンティングプレートＭを剥離装置２０の保持アーム３４、３４に載置する。
【００２０】
次に、図６（ａ）に示すように、各ウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃのロット間に仕切板Ｐ₁、Ｐ₂を挿入する。
ここで、この各ウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃのロット間に挿入される仕切板Ｐ₁、Ｐ₂は、剥離するウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃとほぼ同じ厚さで同じ外径のドーナツ状に形成されたものが用いられる。なお、このようにドーナツ状に形成したのは、剥離後に他のウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃと区別がつくようにするためである。また、この仕切板Ｐ₁、Ｐ₂は、前記ウェーハＷと共に熱水中に浸漬させるため、熱変形を起こさない材質のもので成形するのが好ましい。
【００２１】
前記のごとく、各ウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃのロット間に仕切板Ｐ₁、Ｐ₂を挿入したら、次に、その仕切板Ｐ₁、Ｐ₂を挿入した状態で油圧シリンダ３２を駆動する。そして、図６（ｂ）に示すように、ウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃと共に仕切板Ｐ₁、Ｐ₂を熱水中に浸漬させる。
なお、このとき、ウェーハＷは、熱水槽２２内にあらかじめセットされたカセット２４内に収納され、熱水槽２２の底面から所定高さ浮いた状態で熱水中に浸漬される。そして、仕切板Ｐ₁、Ｐ₂は、各ウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃのロット間に挿入された状態でカセット２４内に収納される。
【００２２】
前記のごとくウェーハＷを熱水中に浸漬させてしばらくすると、そのウェーハＷとスライスベースＳとを接着する接着剤が熱軟化する。この結果、各ウェーハＷは、その自重によってスライスベースＳから剥離し、剥離したウェーハＷはカセット２４内に落下して該カセット２４内に収納される。
ここで、前記カセット２４内には、図６（ｂ）に示すように、あらかじめ仕切板Ｐ₁、Ｐ₂が各ウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃのロット間に挿入された状態で収納されているため、スライスベースから剥離した後も、各ウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃは、そのロット間を仕切板Ｐ₁、Ｐ₂によって仕切られた状態でカセット２４内に収納される。
【００２３】
全てのウェーハＷがスライスベースＳから剥離したところで剥離作業は終了し、図６（ｃ）に示すように、オペレータが油圧シリンダ３２を駆動してスライダ３０を上昇させる。オペレータは、そのスライダ３０を引き上げたのち、熱水槽２２からカセット２４ごとウェーハＷを取り出す。
図７は、熱水槽２２から取り出したカセット２４の状態を示しており、同図に示すように、スライスベースから剥離したウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃは、それぞれのロット間を仕切板Ｐ₁、Ｐ₂によって仕切られた状態でカセット２４内に収納されている。
【００２４】
したがって、オペレータは、この仕切板Ｐ₁、Ｐ₂を確認することにより、そこがロット間の境目であることを認識することができる。そして、この仕切板Ｐ₁、Ｐ₂は、他のウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃと異なりドーナツ状に形成されているため、オペレータは容易に捜し出すことができる。
このように、本実施の形態のウェーハ回収方法によれば、マルチ切断されたウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃを熱水中に浸漬させて自然剥離させても、各ウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃのロット間の区別が付かなくなるということはない。
【００２５】
なお、本実施の形態では、仕切板Ｐ₁、Ｐ₂の形状をドーナツ状としたが、仕切板Ｐ₁、Ｐ₂の形状は、他のウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃと区別できる形状であれば、これに限定されるものではない。たとえば、六角形や八角形のように多角形状に形成したり、多数の孔を開けた形状に形成してもよい。
また、色彩を付けることによって他のウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃと区別を付けるようにしてもよい。
【００２６】
また、本実施の形態のウェーハ回収方法によれば、ワイヤソーで切断されたウェーハの端材処理を容易に行うことができるという効果を得ることができる。すなわち、インゴットをワイヤソーで切断すると、そのインゴットの両端部で正常に切断されないウェーハが生じる。これは、インゴットを所定の結晶方位で切断するために、インゴットをワイヤ列に対して所定角度傾けて切断することに起因しており、この結果、インゴットの両端部に三日月状や一部が欠けたウェーハが切断される。これらの不良ウェーハは製品とすることができないため、スライスベースから剥離した後、オペレータが取り除く必要があるが、本実施の形態のウェーハ回収方法によれば、各ウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃのロット間を容易に認識することができるため、その不良ウェーハの発見も容易に行うことができる。
【００２７】
なお、この端材処理を行う場合、熱水槽２２から取り出した直後のウェーハＷは極めて高温の状態にあり、オペレータが手で処理するには危険であるので、熱水槽２２から取り出したウェーハＷは、カセット２４ごと冷水中に浸漬させて十分に冷却したのち、処理作業を行う。
また、本実施の形態では、剥離したウェーハをオペレータが回収する例で説明したが、ウェーハを自動で回収する場合は、次のようにして行う。
【００２８】
すなわち、ウェーハＷを自動回収する場合は、カセット２４内のウェーハＷを吸着パッド等を用いて一枚ずつカセット２４内から回収するが、この時、カセット２４から取り出したウェーハを一枚一枚ＣＣＤカメラ等の撮像手段で撮像する。そして、その撮像データを画像処理することによって仕切板Ｐ₁、Ｐ₂を回収したことを検出できるように構成する。この仕切板Ｐ₁、Ｐ₂が検出されれば、そこがロット間の境目であるので、それ以降に回収されるウェーハは種類が異なるウェーハであることを認識することができる。したがって、ここで、回収カセット等を変えることにより、自動回収時においても、各種類ごとにウェーハを混入させることなく回収することができる。
【００２９】
また、ウェーハの回収以外においても、ウェーハをカセットから順次取り出して処理してゆく装置（たとえば、面取装置やポリッシング装置等）においては、上記のように処理するウェーハの中から仕切板Ｐ₁、Ｐ₂を検出することにより、そこがロット間の境目であることを認識することができる。したがって、種類の異なるウェーハが同一カセット内に収納されている場合であっても、各種類ごとの連続処理が可能になる。
【００３０】
また、本実施の形態では、ウェーハを熱水中に浸漬させて、ウェーハとスライスベースとを接着する接着剤を熱軟化させることによりウェーハをスライスベースから剥離するようにしたが、この他、切断後のウェーハを薬液（例えば酢酸）中に浸漬させることにより、ウェーハをスライスベースから剥離するようにしてもよい。
【００３１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、種類の異なる複数のインゴットをワイヤソーで同時に切断して得られたウェーハを各ロットごとに回収することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ワイヤソーの全体構成図
【図２】マルチ切断時のインゴットの取付状況を示す斜視図
【図３】マルチ切断によるインゴットの切断方法を説明する説明図
【図４】ウェーハ回収方法を説明する説明図
【図５】剥離装置の構成を示す正面図
【図６】ウェーハ回収方法を説明する説明図
【図７】ウェーハの回収状況を説明する説明図
【符号の説明】
１０…ワイヤソー
１４…ワイヤ列
１６…ワークフィードテーブル
２０…剥離装置
２２…熱水槽
２４…カセット
Ｉａ、Ｉｂ、Ｉｃ、Ｉｎ…インゴット
Ｍ…マウンティングプレート
Ｐ₁、Ｐ₂…仕切板
Ｓａ、Ｓｂ、Ｓｃ…スライスベース
Ｗ…ウェーハ
Ｗａ、Ｗｂ、Ｗｃ…ウェーハ[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a wafer recovery method for a multi-cut wire saw, and in particular, a wafer obtained by simultaneously cutting a plurality of different types of ingots with a wire saw is peeled off from a slice base to which the wafer is bonded to recover a single wafer. The present invention relates to a wafer recovery method for a multi-cut wire saw.
[0002]
[Prior art]
One of ingot cutting devices is a wire saw. A wire saw is an apparatus that cuts an ingot into a plurality of wafers by pressing the ingot against a wire train that runs at high speed and supplying slurry to the contact portion.
In this wire saw, one ingot is usually cut for one cutting, but recently, in order to increase the cutting efficiency, a cutting method called multi-cutting that simultaneously cuts a large number of ingots has been adopted. Yes.
[0003]
In multi-cutting, a plurality of ingots are bonded in series to a mounting plate via a slice base, and the plurality of ingots are cut simultaneously by attaching them to a wire saw. According to this cutting method, since a plurality of ingots can be cut together, the ingot can be cut efficiently.
[0004]
By the way, when the ingot is cut with a wire saw, the entire wafer is cut out in a state of being bonded to the slice base. Therefore, after cutting, it is necessary to peel off all the wafers bonded to the slice base from the slice base to form a single wafer.
Conventionally, as a method of peeling a wafer cut with a wire saw from a slice base, there is a method of peeling the wafer by immersing it in hot water (natural peeling method). In this method, the wafer is detached from the slice base by immersing the wafer in hot water and thermally softening the adhesive between the wafer and the slice base.
[0005]
In the case of this method, all the wafers bonded to the slice base were peeled off from the slice base at once, and the peeled wafers were collected in a cassette installed in the hot water tank.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
However, when a wafer that has been multi-cut by the conventional peeling method is peeled off, all the wafers are peeled at once, so that the peeled wafer is mixed in the cassette and the lots cannot be distinguished from each other. was there.
The present invention has been made in view of such circumstances, and a multi-cut wire saw wafer recovery method capable of recovering wafers obtained by simultaneously cutting a plurality of different types of ingots with a wire saw for each lot. The purpose is to provide.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, the present invention provides a single wafer recovery by peeling a wafer obtained by simultaneously cutting a plurality of ingots of different types in series with a wire saw from a slice base to which the wafer is bonded. In the multi-cut wire saw wafer recovery method, a partition plate is inserted between each lot of wafers cut by the wire saw, the wafer into which the partition plate is inserted is stored in a cassette, and the wafer is heated together with the cassette. All wafers are detached from the slice base by immersing them in water or a chemical solution, the wafers separated from the slice base are collected in the cassette, and the wafers collected in the cassette by the partition plate are collected. It is characterized by partitioning each lot.
[0008]
According to the present invention, a wafer bonded to a slice base is naturally peeled from the slice base by being stored in a cassette and immersed in hot water, and is recovered in the cassette after peeling. Here, by inserting a partition plate between lots of each wafer in advance before peeling from the slice base, the wafers are collected in the cassette in a state of being divided for each lot even after peeling. Therefore, according to the present invention, the lots of the collected wafers are not distinguished from each other, and the wafers can be collected for each lot.
[0009]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
A preferred embodiment of a wafer cutting method for a multi-cut wire saw according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
First, a case where a plurality of ingots are subjected to multi-cutting (multiple cutting simultaneously) with a wire saw will be described.
[0010]
As shown in FIG. 1, the wire saw 10 forms a wire array 14 by winding a wire 12 that travels at high speed between a pair of wire reels 11 (only one side is shown) around three grooved rollers 13A, 13B, and 13C. While the ingot In is pressed against the wire row 14 that travels at a high speed, slurry (suspended processing solution in which abrasive grains are dissolved in liquid) is supplied to the contact portion, whereby the ingot In is applied to a large number of wafers. A device for cutting.
[0011]
In the wire saw 10, an ingot In which is a workpiece is mounted on a work feed table 16 that moves up and down vertically with respect to the wire row 14. Then, by sending the work feed table 16 toward the wire row 14, the ingot In is pressed against the wire row 14 that travels at a high speed.
The mounting of the ingot In to the work feed table 16 is performed as follows. First, a protective material called a slice base, which prevents a loss of the ingot end portion, is bonded to the side surface portion of the ingot with an adhesive. Next, the slice base bonded to the ingot is bonded to an attachment to a work feed table called a mounting plate with an adhesive. Then, the mounting plate to which the ingot is bonded is attached to the work holding portion of the work feed table. Thereby, the ingot is mounted on the work feed table.
[0012]
The above example is an example in which one ingot is cut, and when multiple ingots are to be multi-cut, the ingot is mounted on the work feed table as follows. Here, a case where the three ingots Ia, Ib, and Ic are multi-cut will be described.
First, the slice bases Sa, Sb, and Sc are bonded to the three ingots Ia, Ib, and Ic, respectively. Next, as shown in FIG. 2, the slice bases Sa, Sb, Sc to which the ingots Ia, Ib, Ic are bonded are serially bonded to the mounting plate M. Then, the mounting plate M is mounted on the work holding part of the work feed table.
[0013]
FIG. 3A shows a state in which the mounting plate M, in which the three ingots are bonded to Ia, Ib, and Ic as described above, is attached to the work holding portion of the work feed table 16. When cutting these three ingots Ia, Ib, and Ic, as in the case of cutting a normal one ingot, the work feed table 16 is lowered toward the wire row 14 and the wire row traveling at high speed 14 is pressed with three ingots Ia, Ib and Ic. Then, slurry is supplied to the contact portion between the ingots Ia, Ib, Ic and the wire row 14.
[0014]
As a result, as shown in FIG. 3B, the three ingots Ia, Ib, and Ic are simultaneously cut into a large number of wafers Wa, Wb, and Wc.
Hereinafter, as shown in the figure, a wafer cut from the ingot Ia is referred to as “wafer Wa”, a wafer cut from the ingot Ib is referred to as “wafer Wb”, and a wafer cut from the ingot Ic is referred to as “wafer Wc”. When describing and simply describing “wafer W”, all of these wafers are meant.
[0015]
By the way, when multiple ingots are multi-cut as described above, if the wafer is immersed in hot water after being cut and naturally peeled off, the peeled wafer is mixed in the cassette, making it impossible to distinguish between lots. There is a disadvantage that it will (see above).
Therefore, the present invention distinguishes between lots of wafers peeled from the slice base as follows. That is, as shown in FIG. 4, partition plates P ₁ and P ₂ are inserted between lots of wafers Wa, Wb, and Wc cut by a wire saw, and in this state, the wafers Wa, Wb, and Wc are placed in hot water. Soak. Specifically, it is as follows.
[0016]
First, the configuration of the peeling apparatus 20 that peels the wafer W from the slice base S will be described.
As shown in FIG. 5, the peeling device 20 has a hot water tank 22 in which hot water (about 95 ° C.) is stored. In the hot water tank 22, a cassette 24 for collecting the wafers W is installed, and the cassette 24 is fixed at a predetermined position in the tank by a lock means (not shown).
[0017]
A column 26 formed in a prismatic shape is erected vertically on the back surface of the hot water tank 22. A pair of guide rails 28, 28 are laid on the front surface of the column 26, and a slider 30 is slidably supported on the guide rails 28, 28.
A hydraulic cylinder 32 is disposed along the guide rail 28 on the front surface of the column 26, and the slider 30 is connected to a rod of the hydraulic cylinder 32. Therefore, the slider 30 moves up and down along the guide rail 28 by driving the hydraulic cylinder 32.
[0018]
A pair of holding arms 34, 34 formed in an L shape are fixed to both ends of the slider 30. The mounting plate M is mounted on the peeling device 20 by placing protrusions formed at both ends thereof on the holding arms 34 and 34.
As described above, when the mounting plate M is mounted on the peeling device 20, the wafer W bonded to the mounting plate M is positioned directly above the hot water tank 22. In this state, the hydraulic cylinder 32 is driven to lower the slider 30, so that the hydraulic cylinder 32 is immersed in the hot water while being stored in the cassette 24 in the hot water tank 22.
[0019]
The peeling apparatus 20 is configured as described above. In this embodiment, the wafer W is peeled and recovered as follows using the peeling device 20.
First, as shown in FIG. 5, the operator attaches the wafer W cut by the wire saw 10 to the peeling device 20. That is, the mounting plate M to which the wafer W is bonded is placed on the holding arms 34 and 34 of the peeling apparatus 20.
[0020]
Next, as shown in FIG. 6A, partition plates P ₁ and P ₂ are inserted between lots of wafers Wa, Wb, and Wc.
Here, the partition plates P ₁ and P ₂ inserted between the lots of the wafers Wa, Wb and Wc are formed in a donut shape having substantially the same thickness and the same outer diameter as the wafers Wa, Wb and Wc to be peeled off. Is used. The reason why the doughnut is formed in this way is to distinguish it from other wafers Wa, Wb, Wc after peeling. Further, since the partition plates P ₁ and P ₂ are immersed in hot water together with the wafer W, it is preferable to mold the partition plates P ₁ and P ₂ with a material that does not cause thermal deformation.
[0021]
As described above, after the partition plates P ₁ and P ₂ are inserted between the lots of the wafers Wa, Wb and Wc, the hydraulic cylinder 32 is driven with the partition plates P ₁ and P ₂ inserted. Then, as shown in FIG. 6B, the partition plates P ₁ and P ₂ are immersed in hot water together with the wafers Wa, Wb, and Wc.
At this time, the wafer W is housed in a cassette 24 set in the hot water tank 22 in advance, and is immersed in the hot water in a state where it floats a predetermined height from the bottom surface of the hot water tank 22. The partition plates P ₁ and P ₂ are stored in the cassette 24 in a state of being inserted between the lots of the wafers Wa, Wb, and Wc.
[0022]
As described above, after the wafer W is immersed in hot water for a while, the adhesive for bonding the wafer W and the slice base S is softened. As a result, each wafer W is peeled from the slice base S by its own weight, and the peeled wafer W falls into the cassette 24 and is stored in the cassette 24.
Here, as shown in FIG. 6B, partition plates P ₁ and P ₂ are stored in the cassette 24 in a state of being inserted between the lots of the wafers Wa, Wb and Wc in advance. Even after peeling from the slice base, the wafers Wa, Wb, Wc are stored in the cassette 24 with the lots partitioned by the partition plates P ₁ , P ₂ .
[0023]
When all the wafers W are separated from the slice base S, the separation operation is completed, and as shown in FIG. 6C, the operator drives the hydraulic cylinder 32 to raise the slider 30. The operator pulls up the slider 30 and then takes out the wafer W together with the cassette 24 from the hot water tank 22.
FIG. 7 shows the state of the cassette 24 taken out from the hot water tank 22, and as shown in the figure, the wafers Wa, Wb, Wc separated from the slice base are separated from each other by the partition plates P ₁ , P It is stored in the cassette 24 in a state partitioned by ₂ .
[0024]
Therefore, the operator can recognize that this is the boundary between lots by checking the partition plates P ₁ and P ₂ . Since the partition plates P ₁ and P ₂ are formed in a donut shape unlike the other wafers Wa, Wb, and Wc, the operator can easily find them.
As described above, according to the wafer recovery method of the present embodiment, even when the multi-cut wafers Wa, Wb, and Wc are immersed in hot water and naturally separated, between lots of the wafers Wa, Wb, and Wc. The distinction of is not lost.
[0025]
In this embodiment, the shape of the partition plates P ₁ and P ₂ is a donut shape, but the shape of the partition plates P ₁ and P ₂ can be any shape that can be distinguished from other wafers Wa, Wb, and Wc. However, the present invention is not limited to this. For example, it may be formed in a polygonal shape such as a hexagon or octagon, or may be formed in a shape having a large number of holes.
Moreover, you may make it distinguish with other wafers Wa, Wb, and Wc by giving a color.
[0026]
Moreover, according to the wafer collection method of the present embodiment, it is possible to obtain an effect that the end material processing of the wafer cut by the wire saw can be easily performed. That is, when an ingot is cut with a wire saw, a wafer that is not normally cut at both ends of the ingot is generated. This is because the ingot is cut at a predetermined angle with respect to the wire row in order to cut the ingot in a predetermined crystal orientation. As a result, both the crescent shape and part of the ingot are missing at both ends of the ingot. The wafer is cut. Since these defective wafers cannot be made into products, it is necessary for the operator to remove them after peeling from the slice base. However, according to the wafer recovery method of the present embodiment, between the lots of the wafers Wa, Wb, Wc Can be easily recognized, and the defective wafer can be easily found.
[0027]
In addition, when performing this end material processing, since the wafer W immediately after taking out from the hot water tank 22 is in a very high temperature state and dangerous for an operator to handle by hand, the wafer W taken out from the hot water tank 22 is Then, after the cassette 24 is immersed in cold water and sufficiently cooled, the processing operation is performed.
In the present embodiment, an example in which an operator collects a peeled wafer has been described. However, when a wafer is automatically collected, it is performed as follows.
[0028]
That is, when the wafers W are automatically collected, the wafers W in the cassette 24 are collected one by one from the cassette 24 using a suction pad or the like. At this time, the wafers taken out from the cassette 24 one by one CCD An image is taken by an imaging means such as a camera. Then, configured to detect that the recovered partition plate P _1, P ₂ by image processing the imaging data. If these partition plates P ₁ and P ₂ are detected, this is the boundary between lots, so that it is possible to recognize that the wafers collected thereafter are of different types. Therefore, by changing the collection cassette or the like, it is possible to collect the wafers without mixing them for each type even during automatic collection.
[0029]
In addition to wafer collection, in an apparatus (for example, a chamfering apparatus or a polishing apparatus) that sequentially removes wafers from the cassette and processes them, the partition plate P ₁ , among the wafers to be processed as described above, by detecting the P _2, there can be recognized that it is a boundary between lots. Therefore, even if different types of wafers are stored in the same cassette, continuous processing for each type is possible.
[0030]
In this embodiment, the wafer is detached from the slice base by immersing the wafer in hot water and thermally softening the adhesive that bonds the wafer and the slice base. You may make it peel a wafer from a slice base by immersing a latter wafer in a chemical | medical solution (for example, acetic acid).
[0031]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, wafers obtained by simultaneously cutting a plurality of different types of ingots with a wire saw can be collected for each lot.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an overall configuration diagram of a wire saw. FIG. 2 is a perspective view showing a mounting state of an ingot at the time of multi-cutting. FIG. 3 is an explanatory diagram explaining a method for cutting the ingot by multi-cutting. FIG. 5 is a front view showing a configuration of a peeling apparatus. FIG. 6 is an explanatory view explaining a wafer recovery method. FIG. 7 is an explanatory view explaining a wafer recovery state.
10 ... wire saw 14 ... wire row 16 ... work feed table 20 ... peeling apparatus 22 ... hot water bath 24 ... cassette Ia, Ib, Ic, In ... ingot M ... mounting plate P _1, P ₂ ... partition plate Sa, Sb, Sc ... Slice base W ... wafer Wa, Wb, Wc ... wafer

Claims

In the wafer recovery method of a multi-cut wire saw, a wafer obtained by simultaneously cutting a plurality of ingots of different types in series with a wire saw is peeled off from a slice base to which the wafer is bonded, and the wafers are recovered.
Inserting a partition plate between each lot of wafers cut by the wire saw, and storing the wafer into which the partition plate is inserted in a cassette,
The wafer together with the cassette is immersed in hot water or a chemical solution, and all the wafers are peeled off simultaneously from the slice base,
A wafer recovery method for a multi-cut wire saw, wherein the wafer separated from the slice base is recovered in the cassette, and the wafer recovered in the cassette is partitioned for each lot by the partition plate.