JP3716237B2 - Sealant resin composition - Google Patents

Sealant resin composition Download PDF

Info

Publication number
JP3716237B2
JP3716237B2 JP2002237807A JP2002237807A JP3716237B2 JP 3716237 B2 JP3716237 B2 JP 3716237B2 JP 2002237807 A JP2002237807 A JP 2002237807A JP 2002237807 A JP2002237807 A JP 2002237807A JP 3716237 B2 JP3716237 B2 JP 3716237B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin composition
sealing agent
epoxy resin
component
liquid sealing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2002237807A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2004075835A (en
Inventor
潔 小高
和之 小原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Namics Corp
Original Assignee
Namics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Namics Corp filed Critical Namics Corp
Priority to JP2002237807A priority Critical patent/JP3716237B2/en
Publication of JP2004075835A publication Critical patent/JP2004075835A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3716237B2 publication Critical patent/JP3716237B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、フリップチップボンディングと組合せて用いる封止剤樹脂組成物、及びこの封止剤樹脂組成物を用いて封止した半導体デバイスに関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、電子機器のさらなる軽薄短小化、高周波化に好適に対応できる半導体チップの実装方式として、フリップチップボンディングが利用されている。フリップチップボンディングにおいては、通常、半導体チップと基板との隙間に封止剤を注入し、封止することが行われる。ここで、図3により、従来のフリップチップボンディング及び封止について説明を行う。フリップチップボンディングは、まず、半導体チップ10の表面の電極12上に、バンプ13を形成させ、次いでバンプ13を下にして基板15上の電極14とを、リフローによるハンダ接合、超音波による金−金接合等の手段を用いて接合する。そして、電極を接合した後に、半導体チップ10と基板15との隙間に封止剤をディスペンサー等で注入し、バッチ炉で封止剤の硬化を行う。これにより、半導体チップ10と基板15の間にアンダーフィル16が形成される。なお、半導体チップ10の側方から基板15上にアンダーフィル16がはみ出た部分をフィレット16aという。
【0003】
実装基板上で用いられるハンダは、従来、Sn−Pb系の共晶ハンダであったが、環境問題への対応から鉛フリーハンダへの置き換えが急速に進んでいる。鉛フリーハンダは、共晶ハンダよりも融点が高いため、実装の際のリフロー工程のリフロー温度プロファイルにおける最高温度も、共晶ハンダでは230℃であるのに対し、鉛フリーハンダでは260℃と、より高く設定する必要がある。そのため、従来の共晶ハンダとの組合せで用いられる封止剤樹脂組成物を、鉛フリーハンダと組合せて用いた場合、加熱膨張・冷却収縮の熱サイクルにより、アンダーフィル16に、従来よりも大きい応力が生じるため、基板から剥離したり、クラックが発生したりするという問題が見られた。
【0004】
これらの問題を解決するために、特開昭62−25117号公報には、エポキシ樹脂に応力緩和剤として特定のエラストマーを配合した封止剤樹脂組成物を用いて、加熱膨張・冷却収縮の熱サイクルによって、アンダーフィルに生じる応力を緩和し、クラック発生等を抑制する技術が提案されている。しかし、エラストマーを配合することにより応力は緩和されるものの、その一方で、封止剤樹脂組成物の流動性が減少し、フィレット部分の形状が不均一になりやすく、特にフィレット部分の軽微な形状不良もクラック等の原因となりうる鉛フリーハンダとの組合せで利用する場合に、封止剤樹脂組成物の更なる改善が求められていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、上記の問題を解決するための封止剤樹脂組成物を提供することであり、特に鉛フリーハンダといった従来よりも高温のリフローを必要とするハンダを用いた場合に、アンダーフィルのクラック発生や基板からの剥離を防止することができるフリップチップボンディングと組合せて用いる封止剤樹脂組成物を提供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明の要旨は、(A)エポキシ樹脂、(B)エポキシ樹脂用硬化剤、(C)エラストマー及び(D)界面活性剤を含む、フリップチップボンディングとの組合せで用いられる封止剤樹脂組成物である。
【0007】
また本発明の要旨は、板状ガラス1上に板状ガラス2を水平にずらして重ね、該板状ガラス1の上面と該板状ガラス2の側面とで形成される辺3に、封止剤樹脂組成物10mgを滴下し、70〜100℃で、3〜10分加熱したとき、該辺に沿って広がった該封止剤樹脂組成物の長さ4が、35〜45mmである、上記の封止剤樹脂組成物である。
【0008】
さらに本発明の要旨は、上記の封止剤樹脂組成物を用いて封止した半導体デバイスである。
【0009】
【発明の実施の形態】
本発明の封止剤樹脂組成物は、(A)エポキシ樹脂、(B)エポキシ樹脂用硬化剤、(C)エラストマー及び(D)界面活性剤を含む。本発明の封止剤樹脂組成物は、常温で流動性であり、フリップチップボンディングと組合せて使用することができる。常温で流動性とは、10〜35℃のいずれかで流動性を示すことをいう。
【0010】
(A)エポキシ樹脂
本発明に用いられる(A)エポキシ樹脂は、1分子中に2個以上のエポキシ基を有し、硬化して樹脂状になるエポキシ化合物であれば、特に限定されない。(A)エポキシ樹脂は、常温で液状であるか、あるいは常温で固体のものが、希釈剤により希釈され、常温で液状を示すものである。(A)エポキシ樹脂自体が常温で液状であることが好ましい。
【0011】
具体的には、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、ナフタレン含有エポキシ樹脂、エーテル系又はポリエーテル系エポキシ樹脂、オキシラン環含有ポリブタジエン、シリコーンエポキシコポリマー樹脂等が例示される。
【0012】
特に常温で液状であるエポキシ樹脂としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂の平均分子量が約400以下のもの;式:
【0013】
【化1】

Figure 0003716237
【0014】
で示されるp−グリシジルオキシフェニルジメチルトリルビスフェノールAジグリシジルエーテルのような分岐状多官能ビスフェノールA型エポキシ樹脂;ビスフェノールF型エポキシ樹脂;フェノールノボラック型エポキシ樹脂の平均分子量が約570以下のもの;ビニル(3,4−シクロヘキセン)ジオキシド、3,4−エポキシシクロヘキシルカルボン酸(3,4−エポキシシクロヘキシル)メチル、アジピン酸ビス(3,4−エポキシ−6−メチルシクロヘキシルメチル)、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)5,1−スピロ(3,4−エポキシシクロヘキシル)−m−ジオキサンのような脂環式エポキシ樹脂;3,3′,5,5′−テトラメチル−4,4′−ジグリシジルオキシビフェニルのようなビフェニル型エポキシ樹脂;ヘキサヒドロフタル酸ジグリシジル、3−メチルヘキサヒドロフタル酸ジグリシジル、ヘキサヒドロテレフタル酸ジグリシジルのようなグリシジルエステル型エポキシ樹脂;ジグリシジルアニリン、ジグリシジルトルイジン、トリグリシジル−p−アミノフェノール、テトラグリシジル−m−キシリレンジアミン、テトラグリシジルビス(アミノメチル)シクロヘキサンのようなグリシジルアミン型エポキシ樹脂;ならびに1,3−ジグリシジル−5−メチル−5−エチルヒダントインのようなヒダントイン型エポキシ樹脂;ナフタレン環含有エポキシ樹脂が例示される。これらのエポキシ樹脂は、単独でも、2種以上併用してもよい。
【0015】
また、これらの常温で液体であるエポキシ樹脂に、常温で固体ないし超高粘性のエポキシ樹脂を併用してもよく、そのようなエポキシ樹脂として、高分子量のビスフェノールA型エポキシ樹脂、ノボラックエポキシ樹脂、テトラブロモビスフェノールA型エポキシ樹脂等が例示される。
【0016】
希釈剤を用いる場合、非反応性希釈剤及び反応性希釈剤のいずれをも使用することができるが、反応性希釈剤が好ましい。反応性希釈剤は、1分子中に1個又は2個以上のエポキシ基を有する、常温で比較的低粘度の化合物であり、目的に応じて、エポキシ基以外に、他の重合性官能基、たとえばビニル、アリル等のアルケニル基;又はアクリロイル、メタクリロイル等の不飽和カルボン酸残基を有していてもよい。このような反応性希釈剤としては、n−ブチルグリシジルエーテル、2−エチルヘキシルグリシジルエーテル、フェニルグリシジルエーテル、クレジルグリシジルエーテル、p−s−ブチルフェニルグリシジルエーテル、スチレンオキシド、α−ピネンオキシドのようなモノエポキシド化合物;アリルグリシジルエーテル、メタクリル酸グリシジル、1−ビニル−3,4−エポキシシクロヘキサンのような他の官能基を有するモノエポキシド化合物;(ポリ)エチレングリコールジグリシジルエーテル、(ポリ)プロピレングリコールジグルシジルエーテル、ブタンジオールグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテルのようなジエポキシド化合物;トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテルのようなトリエポキシド化合物等が例示される。
【0017】
(B)エポキシ樹脂用硬化剤
本発明に用いられる(B)エポキシ樹脂用硬化剤としては、フェノール樹脂、酸無水物又はアミン系化合物を用いることができる。フェノール樹脂としては、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ナフトール変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、p−キシレン変性フェノール樹脂等が例示されるが、これらに限定されるものではなく、封止剤樹脂組成物に通常、用いられるものであればよい。エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、エポキシ樹脂中のエポキシ基1当量あたり、フェノール樹脂中のOH当量が、0.3〜1.5当量となることが好ましく、0.5〜1.2当量がさらに好ましい。酸無水物としては、メチルテトラヒドロフタル酸無水物、メチルヘキサヒドロフタル酸無水物、アルキル化テトラヒドロフタル酸無水物、ヘキサヒドロフタル酸無水物、無水メチルハイミック酸、無水ドデセニルコハク酸、無水メチルナジック酸等が例示される。エポキシ樹脂と酸無水物の配合割合は、エポキシ樹脂中のエポキシ基1当量あたり、酸無水物当量が0.6〜1.0となることが好ましい。アミン系化合物としては、脂肪族ポリアミン;芳香族アミン;及びポリアミノアミド、ポリアミノイミド、ポリアミノエステル、ポリアミノ尿素等の変性ポリアミンが例示され、特に限定されるものではない。また、第三級アミン系、イミダゾール系、ヒドラジド系、ジシアンジアミド系、メラミン系の化合物も用いることができる。アミン系化合物の配合割合は、エポキシ樹脂中のエポキシ基1当量あたり、アミン当量が0.6〜1.0となる量が好ましい。これらの硬化剤は、単独でも、2種以上併用してもよい。
【0018】
(C)エラストマー
本発明で用いられる(C)エラストマーとしては、ポリブタジエンゴム、スチレン・ブタジエンゴム、アクリロニトリル・ブタジエンゴム、水素添加アクリロニトリル・ブタジエンゴムのようなブタジエン系ゴム;ポリイソプレンゴム;エチレン・プロピレン・ジエンコポリマー、エチレン・プロピレンコポリマーのようなエチレン・プロピレン系ゴム;クロロプレンゴム;ブチルゴム;ポリノルボルネンゴム;シリコーンゴム;エチレン・アクリルゴム、アクリルゴム、プロピレンオキシドゴム、ウレタンゴムのような極性基含有ゴム;六フッ化プロピレン・フッ化ビニリデンコポリマー、四フッ化エチレン・プロピレンコポリマーのようなフッ素ゴム;シリコーンゴムなどが挙げられる。エラストマーは、固体のものを使用することができる。形態は特に限定されず、例えば粒子状、粉末状、ペレット状のものを使用することができ、粒子状の場合は、例えば平均粒径が10〜200nm、好ましくは30〜100nm、より好ましくは、50〜80nmである。エラストマーは、常温で液状のものも使用することもでき、例えば、平均分子量が比較的低いポリブタジエン、ブタジエン・アクリロニトリルコポリマー、ポリイソプレン、ポリプロピレンオキシド、ポリジオルガノシロキサンが挙げられる。また、エラストマーは、末端にエポキシ基と反応する基を有するものを使用することができ、これらは固体、液状いずれの形態であってもよい。
【0019】
エラストマーは、特に、エポキシ樹脂との反応性、及びエポキシ樹脂への相溶性又は分散性の点から、カルボキシル基末端ブタジエン・アクリロニトリルコポリマー、アミノ基末端ブタジエン・アクリロニトリルコポリマー、エポキシ基末端ブタジエンアクリロニトリルコポリマーが好ましい。これらのエラストマーは、単独でも、2種以上併用してもよい。これらのエラストマーのアクリロニトリル含量は、10〜40重量%が好ましく、15〜30重量%がより好ましい。カルボキシル基末端ブタジエン・アクリロニトリルコポリマーの場合は、酸価が3〜20mgKOH/gが好ましく、より好ましくは、5〜15mgKOH/gである。
【0020】
(C)エラストマーは、樹脂組成物の粘度、エポキシ樹脂との相溶性又は分散性、硬化物の物性の点から、成分(A)と成分(B)の合計100重量部に対して、1〜20重量部で用いることが好ましく、より好ましくは3〜15重量部であり、特に好ましくは5〜12重量部である。
【0021】
(D)界面活性剤
本発明に用いられる(D)界面活性剤は、アニオン界面活性剤、カチオン界面活性剤、ノニオン界面活性剤及び両性界面活性剤のいずれであってもよいが、必要量を配合しても封止剤や半導体の電気特性に影響を及ぼさないことから、特にノニオン界面活性剤が好ましい。ノニオン界面活性剤としては、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル、アルキルアリルホルムアルデヒド縮合ポリオキシエチレンエーテル、ポリオキシプロピレンを親油基とするブロックポリマー及びポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマー、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレングリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビトール脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン脂肪酸アミド等のポリオキシアルキレン鎖含有ノニオン界面活性剤;ポリオキシアルキレン変性ポリシロキサン等のシロキサン含有ノニオン界面活性剤;グリセリン脂肪酸エステル、ポリグリセリン脂肪酸エステル、ソルビタン脂肪酸エステル、プロピレングリコール脂肪酸エステル及びショ糖脂肪酸エステル等のエステル型界面活性剤;脂肪酸アルカノールアミド等の含窒素型ノニオン界面活性剤、フッ素系ノニオン界面活性剤が挙げられる。特に、フィレット形成性を向上させる効果の点から、ポリオキシアルキレン変性ポリシロキサン等のシロキサン含有ノニオン界面活性剤、フッ素系ノニオン界面活性剤が好ましい。これらの界面活性剤は、単独でも、2種以上併用してもよい。
【0022】
ポリオキシアルキレン変性ポリシロキサンの場合、ポリジオルガノシロキサン、好ましくはポリジメチルシロキサンの一部のケイ素原子に結合した有機基の位置に、例えばトリメチレン結合を介してポリオキシアルキレン鎖がグラフト結合したポリシロキサン・ポリオキシアルキレングラフトコポリマーが、通常、用いられる。ポリオキシアルキレン鎖は、ポリオキシエチレン鎖、ポリオキシプロピレン鎖、又はオキシエチレン単位とオキシプロピレン単位の混成オキシアルキレン鎖であることが好ましく、その末端基としては、水酸基、メトキシ基、ブトキシ基等が例示される。シロキサン鎖の長さは、ケイ素原子数が通常4〜60、好ましくは6〜20の範囲から選択され、ブロックコポリマーのHLBが5〜14になるように選択される。ポリオキシアルキレン変性ポリシロキサンは、粘度が100〜1000mPa・sが好ましく、より好ましくは150〜800mPa・s、特に好ましくは200〜600mPa・sである。これらの粘度は、B型回転粘度計を用い、25℃で測定した値である。
【0023】
(D)界面活性剤は、フィレット形成性の点から、成分(A)と成分(B)の合計100重量部に対して、0.01〜1重量部で用いることが好ましく、より好ましくは0.05〜0.5重量部である。
【0024】
本発明の封止剤樹脂組成物に、必要に応じて、硬化促進剤を用いることができる。硬化促進剤としては、イミダゾール系、第三級アミン系、リン化合物系等、エポキシ樹脂の硬化促進剤として用いられるものが挙げられるが、樹脂組成物の使用目的や必要とする硬化条件によって選択され、特に限定されるものではない。例えば、2−メチルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール等が挙げられる。これらは単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。硬化促進剤の配合量は、樹脂組成物全体の0.05〜30重量%の割合に設定することが好ましい。
【0025】
本発明の封止剤樹脂組成物は、樹脂組成物の線膨張係数を調整し、基板の線膨張係数に近くするために、充填剤としてシリカを含むことが好ましい。シリカは、非晶質シリカ、結晶性シリカ、粉砕シリカ等、当技術分野で使用されるいずれのシリカも使用することができるが、膨張係数低下の観点から非晶質シリカが好ましい。シリカは、樹脂組成物の総重量に基づいて、20〜75重量%含有することが好ましい。本発明の封止剤樹脂組成物には、シリカ以外の充填剤、例えばアルミナ、チッ化ケイ素、マイカ、ホワイトカーボン等を含有させてもよい。また、基板への接着性を向上させるために、3−グリシドキシプロプルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピル(メチル)ジメトキシシラン、2−(2,3−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、3−メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−(2−アミノエチル)アミノプロピルトリメトキシシラン等のシランカップリング剤を含有させてもよい。
【0026】
本発明の封止剤樹脂組成物には、必要に応じて、消泡剤、カーボンブラック等の着色剤、無機繊維、難燃剤、イオントラップ剤、内部離型剤、増感剤等を含有させてもよい。
【0027】
本発明の封止剤樹脂組成物の製造方法は、特に限定されず、例えば原料を、所定の配合で、ライカイ機、ポットミル、三本ロールミル、回転式混合機、二軸ミキサー等の混合機に投入し、混合して、製造することができる。
【0028】
本発明の封止剤樹脂組成物は、常温で液状であり、フリップチップボンディングにより半導体チップを基板に接合する際の封止剤として使用することができる。例えば、フェースダウンで基板上に搭載した半導体チップと該基板との隙間にディスペンサー等を用いて、本発明の封止剤樹脂組成物を横から注入し、硬化させて封止することができる。また、基板にディスペンサー等を用いて、半導体チップの大きさに合わせて、本発明の封止剤樹脂組成物を塗布し、チップボンダー等を用いて、加熱接続をした後、硬化させることもできる。半導体チップは、特に限定されず、IC、LSI、VLSI等が挙げられる。
【0029】
なお、上記の封止において、本発明の封止剤樹脂組成物は、(C)エラストマーと(D)界面活性剤とを含むため、応力が緩和されるとともに形状の良好なフィレット形成が可能となる。特に、本発明の封止剤樹脂組成物は、図1に示されるように板状ガラス1上に板状ガラス2を水平にずらして重ねて、板状ガラス1の上面と板状ガラス2の側面とで形成される辺3の中心近くの点4aに、封止剤樹脂組成物10mgを、常温で滴下し、次いで70〜100℃で3〜10分の範囲に入る加熱条件で加熱したとき、辺3に沿って広がった該封止剤樹脂組成物の長さ4が、35〜45mmになるものが、フィレット形状の点から好ましい。ここで、板状ガラスは特に限定されず、例えばホウケイ酸ガラス等が挙げられる。滴下するときの温度は、10〜35℃とすることができ、例えば25℃である。また、加熱条件は、例えば90℃で5分とすることができる。フィレット形状は、例えば、フリップチップボンディングした半導体チップと基板との間を封止した場合における、半導体チップのエッジ部分の封止体の形状で判断することができ、図2aに示すように、基板の上面から半導体チップ上面までの高さを100%としたとき、フィレットの最上部が、エッジ部分において、基板の下面から70%以上から半導体チップの上面までに位置する場合、アンダーフィルの剥離・クラックが生じにくく良好である。
【0030】
【実施例】
以下、本発明を、実施例によってさらに詳細に説明する。本発明は、これらの実施例によって限定されるものではない。なお、実施例中、配合量の単位は、特に断らない限り、重量部である。
【0031】
〔封止剤樹脂組成物の調製〕
表1に示す配合で、室温で2時間、ロールミルで、成分を混練して、実施例1〜2、比較例1〜6の封止剤樹脂組成物を調製した。
【0032】
表1中の封止剤樹脂組成物の成分としては、以下を用いた。
(A)エポキシ樹脂
(A−1)ビスフェノールA型エポキシ樹脂:ビスフェノールA型エポキシ樹脂(数平均分子量 360)
(A−2)ビフェニル型エポキシ樹脂:3,3′,5,5′−テトラメチル−4,4′−ジグリシジルオキシビフェニル
(B)エポキシ樹脂用硬化剤
メチルナジック酸無水物
(C)エラストマー
カルボキシル基末端ブタジエンアクリロニトリルコポリマー
(平均粒径70nm、アクリロニトリル含量20重量%、酸化10mgKOH/g)
(D)界面活性剤
ポリオキシアルキレン変性ポリジメチルシロキサン
(25℃での粘度 300mPa・s)
【0033】
【表1】
Figure 0003716237
【0034】
上記で得られた実施例1〜2、比較例1〜6の各封止剤樹脂組成物について、粘度、ガラス転移温度(Tg)及び線膨張係数を測定した。結果を表1に示す。なお、測定方法は、以下のとおりである。
粘度:ブルックフィールド回転粘度計を用いて、50rpmで、25℃における粘度を測定した。
Tg(ガラス転移温度、TMA):150℃、1時間で硬化させた硬化物について、真空理工社製、TM3000を用いて測定した。
線膨張係数:150℃、1時間で硬化させた硬化物について、真空理工社製 TM3000を用いて測定した。
長さ:図1に示されるように板状ガラス1(マツナミ社製、商品名ホウケイ酸製スライドガラス)上に板状ガラス2(同上)を水平にずらして重ねて、板状ガラス1の上面と板状ガラス2の側面とで形成される辺3の中心近くの点4aに、封止剤樹脂組成物10mgを、25℃で滴下し、次いで90℃で、5分加熱したとき、辺3に沿って広がった該封止剤樹脂組成物の長さ4を、定規を用いて測定した。
【0035】
〔封止剤樹脂組成物による封止〕
基板(FR−4基板、0.75mm厚)に、半導体チップ(12.5×12.5mm)を10個搭載したTEGに実施例1の封止剤樹脂組成物を90℃でディスペンサーを用いて、基板と半導体チップの隙間に注入した。その後、半導体チップを搭載した基板を150℃の硬化炉中で1時間放置し、封止を行った。同様に、実施例2、比較例1〜6の封止剤樹脂組成物を用いて、同様に封止を行った。
【0036】
得られた封止体を以下により評価した。
フィレット形状:半導体チップのエッジ部分の硬化物の形状で判断を行った。図2aに示すように、基板の上面から半導体チップの上面までの高さを100%としたときに、フィレットの最上部が、基板の上面から70%以上の高さから半導体チップの上面までに位置する場合を○、図2bに示すように、フィレットの最上部が基板の上面から70%未満の高さに位置する場合を×とした。
剥離性の評価:得られた封止体を30℃60%の恒温恒湿槽に192時間放置した後、直ちに260℃のハンダリフロー炉に3回通し、剥離を超音波探傷機(SAT)で観察し、剥離発生の有無を観察した。○は剥離なし、△はチップ周辺がわずかに剥離 ×はチップ下面が全体的に剥離をそれぞれ表す。
クラックの評価:剥離性の評価の評価で用いた封止体のフィレット部を観察し、○はクラックなし、×はクラックありを表す。
抵抗値評価:剥離性の評価の評価で用いた封止体の導通を測定し、抵抗値の異常を観察した。○は異常なし、×は異常ありを表す。
抵抗値:デジタルマルチメーターにより測定した。
【0037】
表1に示すように、エラストマーと界面活性剤を配合した本発明の封止剤樹脂組成物は、高温リフローによりクラック・剥離を発生せず、抵抗値異常もない。いずれかの一方の成分のみを含む比較例1〜4、及び両方の成分を含まない比較例5〜6は、クラック・剥離のいずれか、又は両方が発生した。
【0038】
【発明の効果】
本発明のフリップチップと組合せて用いる封止剤樹脂組成物は、鉛フリーハンダといった従来よりも高温のリフローを必要とするハンダとの組合せで使用した場合にも、アンダーフィルのクラックの発生や基板からの剥離を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】封止剤樹脂組成物を、ずらして重ねた2枚の板ガラスで形成される辺に滴下した際の広がりを表す図である。
【図2】半導体チップのエッジ部分におけるフィレットの形状を表す図である。
【図3】フリップチップボンディング及び封止を表す図である。
【符号の説明】
1 板ガラス1
2 板ガラス2
3 辺
4 封止剤樹脂組成物の広がりを示す長さ
4a 封止剤樹脂組成物の滴下点
5 半導体チップ
6 フィレット
7 基板
10 半導体チップ
12 電極
13 バンプ
14 電極
15 基板
16 アンダーフィル
16a フィレット[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an encapsulant resin composition used in combination with flip chip bonding, and a semiconductor device encapsulated using the encapsulant resin composition.
[0002]
[Prior art]
In recent years, flip-chip bonding has been used as a semiconductor chip mounting method that can suitably cope with further reduction in the size, frequency, and frequency of electronic devices. In flip chip bonding, sealing is usually performed by injecting a sealing agent into a gap between a semiconductor chip and a substrate. Here, conventional flip chip bonding and sealing will be described with reference to FIG. In the flip chip bonding, first, bumps 13 are formed on the electrodes 12 on the surface of the semiconductor chip 10, and then the electrodes 14 on the substrate 15 with the bumps 13 facing down are soldered by reflow or gold by ultrasonic waves. Join using means such as gold bonding. And after joining an electrode, sealing agent is inject | poured into the clearance gap between the semiconductor chip 10 and the board | substrate 15 with a dispenser etc., and hardening of sealing agent is performed in a batch furnace. As a result, an underfill 16 is formed between the semiconductor chip 10 and the substrate 15. A portion where the underfill 16 protrudes from the side of the semiconductor chip 10 onto the substrate 15 is referred to as a fillet 16a.
[0003]
Conventionally, the solder used on the mounting substrate has been Sn—Pb-based eutectic solder, but replacement with lead-free solder is rapidly progressing in response to environmental problems. Since lead-free solder has a higher melting point than eutectic solder, the maximum temperature in the reflow temperature profile in the reflow process during mounting is 230 ° C. for eutectic solder and 260 ° C. for lead-free solder. Need to set higher. Therefore, when the sealant resin composition used in combination with the conventional eutectic solder is used in combination with lead-free solder, the underfill 16 is larger than the conventional due to the thermal cycle of heating expansion / cooling shrinkage. Since stress was generated, problems such as peeling from the substrate and occurrence of cracks were observed.
[0004]
In order to solve these problems, Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 62-25117 discloses a heat of expansion / cooling shrinkage using a sealant resin composition in which a specific elastomer is blended with an epoxy resin as a stress relaxation agent. A technique has been proposed in which stress generated in the underfill is relieved by cycles and cracks are suppressed. However, the stress is relieved by blending the elastomer, but on the other hand, the fluidity of the encapsulant resin composition is reduced, and the shape of the fillet part is likely to be non-uniform, especially the light shape of the fillet part. Further improvements in the encapsulant resin composition have been sought when used in combination with lead-free solder where defects can also cause cracks and the like.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
An object of the present invention is to provide an encapsulant resin composition for solving the above-mentioned problems, particularly when using solder that requires reflow at a higher temperature than conventional, such as lead-free solder. It is an object of the present invention to provide a sealant resin composition used in combination with flip chip bonding that can prevent the occurrence of a crack in a fill and peeling from a substrate.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
The gist of the present invention is (A) an epoxy resin, (B) a curing agent for epoxy resin, (C) an elastomer, and (D) a sealant resin composition used in combination with flip-chip bonding. It is.
[0007]
Further, the gist of the present invention is that the plate glass 2 is horizontally shifted and overlapped on the plate glass 1, and sealed on the side 3 formed by the upper surface of the plate glass 1 and the side surface of the plate glass 2. When 10 mg of the adhesive resin composition is dropped and heated at 70 to 100 ° C. for 3 to 10 minutes, the length 4 of the encapsulant resin composition spreading along the side is 35 to 45 mm, It is a sealing agent resin composition.
[0008]
Furthermore, the gist of the present invention is a semiconductor device encapsulated with the above-described encapsulant resin composition.
[0009]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
The sealant resin composition of the present invention contains (A) an epoxy resin, (B) a curing agent for epoxy resin, (C) an elastomer, and (D) a surfactant. The encapsulant resin composition of the present invention is fluid at normal temperature and can be used in combination with flip chip bonding. The fluidity at normal temperature means that the fluidity is exhibited at any of 10 to 35 ° C.
[0010]
(A) Epoxy Resin The (A) epoxy resin used in the present invention is not particularly limited as long as it is an epoxy compound that has two or more epoxy groups in one molecule and is cured and becomes resinous. (A) The epoxy resin is liquid at normal temperature, or is solid at normal temperature, diluted with a diluent, and shows liquid at normal temperature. (A) It is preferable that the epoxy resin itself is liquid at normal temperature.
[0011]
Specifically, bisphenol A type epoxy resin, brominated bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, novolac type epoxy resin, alicyclic epoxy resin, naphthalene-containing epoxy resin, ether or poly Examples include ether-based epoxy resins, oxirane ring-containing polybutadiene, and silicone epoxy copolymer resins.
[0012]
In particular, as an epoxy resin that is liquid at room temperature, a bisphenol A type epoxy resin having an average molecular weight of about 400 or less;
[0013]
[Chemical 1]
Figure 0003716237
[0014]
A branched polyfunctional bisphenol A type epoxy resin such as p-glycidyloxyphenyldimethyltolyl bisphenol A diglycidyl ether represented by the formula: bisphenol F type epoxy resin; phenol novolac type epoxy resin having an average molecular weight of about 570 or less; vinyl (3,4-cyclohexene) dioxide, 3,4-epoxycyclohexylcarboxylic acid (3,4-epoxycyclohexyl) methyl, bis (3,4-epoxy-6-methylcyclohexylmethyl) adipate, 2- (3,4 -Epoxycyclohexyl) 5,1-spiro (3,4-epoxycyclohexyl) -cycloaliphatic epoxy resin such as m-dioxane; 3,3 ', 5,5'-tetramethyl-4,4'-diglycidyl Biphenyl type epoxy trees such as oxybiphenyl Glycidyl ester type epoxy resin such as diglycidyl hexahydrophthalate, diglycidyl 3-methylhexahydrophthalate, diglycidyl hexahydroterephthalate; diglycidyl aniline, diglycidyl toluidine, triglycidyl-p-aminophenol, tetraglycidyl-m -Glycidylamine type epoxy resins such as xylylenediamine and tetraglycidylbis (aminomethyl) cyclohexane; and hydantoin type epoxy resins such as 1,3-diglycidyl-5-methyl-5-ethylhydantoin; naphthalene ring-containing epoxy resins Is exemplified. These epoxy resins may be used alone or in combination of two or more.
[0015]
In addition, these epoxy resins that are liquid at room temperature may be used in combination with a solid or ultra-high viscosity epoxy resin at room temperature, and as such epoxy resins, high molecular weight bisphenol A type epoxy resins, novolac epoxy resins, Examples thereof include tetrabromobisphenol A type epoxy resin.
[0016]
When a diluent is used, either a non-reactive diluent or a reactive diluent can be used, but a reactive diluent is preferred. The reactive diluent is a compound having one or two or more epoxy groups in one molecule and having a relatively low viscosity at room temperature. Depending on the purpose, other polymerizable functional groups, For example, it may have an alkenyl group such as vinyl and allyl; or an unsaturated carboxylic acid residue such as acryloyl and methacryloyl. Such reactive diluents include n-butyl glycidyl ether, 2-ethylhexyl glycidyl ether, phenyl glycidyl ether, cresyl glycidyl ether, p-s-butylphenyl glycidyl ether, styrene oxide, α-pinene oxide, and the like. Monoepoxide compounds; monoepoxide compounds having other functional groups such as allyl glycidyl ether, glycidyl methacrylate, 1-vinyl-3,4-epoxycyclohexane; (poly) ethylene glycol diglycidyl ether, (poly) propylene glycol diglyl Diepoxide compounds such as sidyl ether, butanediol glycidyl ether, neopentyl glycol diglycidyl ether; trimethylolpropane triglycidyl ether, glycerin tri Triepoxide compounds such as glycidyl ether, and the like.
[0017]
(B) Curing Agent for Epoxy Resin As the curing agent for (B) epoxy resin used in the present invention, a phenol resin, an acid anhydride or an amine compound can be used. Examples of the phenol resin include a phenol novolak resin, a cresol novolak resin, a naphthol modified phenol resin, a dicyclopentadiene modified phenol resin, a p-xylene modified phenol resin, and the like. What is necessary is just to be normally used for the resin composition. The blending ratio of the epoxy resin and the phenol resin is preferably such that the OH equivalent in the phenol resin is 0.3 to 1.5 equivalent, and 0.5 to 1.2 equivalent per 1 equivalent of the epoxy group in the epoxy resin. Is more preferable. Examples of acid anhydrides include methyltetrahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, alkylated tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, methyl hymic anhydride, dodecenyl succinic anhydride, methyl nadic anhydride Etc. are exemplified. The blending ratio of the epoxy resin and the acid anhydride is preferably such that the acid anhydride equivalent is 0.6 to 1.0 per equivalent of epoxy group in the epoxy resin. Examples of the amine compound include aliphatic polyamines; aromatic amines; and modified polyamines such as polyaminoamides, polyaminoimides, polyaminoesters, and polyaminoureas, and are not particularly limited. Tertiary amine, imidazole, hydrazide, dicyandiamide, and melamine compounds can also be used. The compounding ratio of the amine compound is preferably such that the amine equivalent is 0.6 to 1.0 per equivalent of epoxy group in the epoxy resin. These curing agents may be used alone or in combination of two or more.
[0018]
(C) Elastomer The (C) elastomer used in the present invention includes polybutadiene rubber, styrene / butadiene rubber, acrylonitrile / butadiene rubber, butadiene rubber such as hydrogenated acrylonitrile / butadiene rubber; polyisoprene rubber; ethylene / propylene / Ethylene / propylene rubbers such as diene copolymers and ethylene / propylene copolymers; chloroprene rubbers; butyl rubbers; polynorbornene rubbers; silicone rubbers; polar group-containing rubbers such as ethylene / acrylic rubbers, acrylic rubbers, propylene oxide rubbers, urethane rubbers; Fluororubber such as hexafluoropropylene / vinylidene fluoride copolymer and tetrafluoroethylene / propylene copolymer; and silicone rubber. As the elastomer, a solid one can be used. The form is not particularly limited, and for example, particles, powders, pellets can be used, and in the case of particles, for example, the average particle diameter is 10 to 200 nm, preferably 30 to 100 nm, more preferably, 50-80 nm. As the elastomer, those which are liquid at normal temperature can be used, and examples thereof include polybutadiene, butadiene / acrylonitrile copolymer, polyisoprene, polypropylene oxide and polydiorganosiloxane having a relatively low average molecular weight. Moreover, what has the group which reacts with an epoxy group at the terminal can be used for an elastomer, These may be any form of solid and liquid.
[0019]
The elastomer is particularly preferably a carboxyl group-terminated butadiene / acrylonitrile copolymer, an amino group-terminated butadiene / acrylonitrile copolymer, or an epoxy group-terminated butadiene acrylonitrile copolymer from the viewpoint of reactivity with the epoxy resin and compatibility or dispersibility in the epoxy resin. . These elastomers may be used alone or in combination of two or more. The acrylonitrile content of these elastomers is preferably 10 to 40% by weight, more preferably 15 to 30% by weight. In the case of a carboxyl group-terminated butadiene / acrylonitrile copolymer, the acid value is preferably 3 to 20 mgKOH / g, more preferably 5 to 15 mgKOH / g.
[0020]
(C) The elastomer is 1 to 100 parts by weight in total of the component (A) and the component (B) from the viewpoint of the viscosity of the resin composition, compatibility or dispersibility with the epoxy resin, and physical properties of the cured product. The amount is preferably 20 parts by weight, more preferably 3 to 15 parts by weight, and particularly preferably 5 to 12 parts by weight.
[0021]
(D) Surfactant The (D) surfactant used in the present invention may be any of an anionic surfactant, a cationic surfactant, a nonionic surfactant and an amphoteric surfactant, but the necessary amount Even if it mix | blends, since it does not affect the electrical property of a sealing agent or a semiconductor, a nonionic surfactant is especially preferable. Nonionic surfactants include polyoxyethylene alkyl ether, polyoxyethylene alkyl aryl ether, alkyl allyl formaldehyde condensed polyoxyethylene ether, block polymer based on polyoxypropylene and polyoxyethylene / polyoxypropylene block copolymer Polyoxyalkylene chain-containing nonionic surfactants such as polyoxyethylene fatty acid esters, polyoxyethylene glycerin fatty acid esters, polyoxyethylene sorbitan fatty acid esters, polyoxyethylene sorbitol fatty acid esters, polyoxyethylene fatty acid amides; Siloxane-containing nonionic surfactants such as siloxane; glycerin fatty acid ester, polyglycerin fatty acid ester, Tail fatty acid ester, ester type surfactants such as propylene glycol fatty acid esters and sucrose fatty acid esters; fatty acid nitrogen-containing type nonionic surfactants such as alkanolamides, include fluorine-based nonionic surfactant. In particular, siloxane-containing nonionic surfactants such as polyoxyalkylene-modified polysiloxane and fluorine-based nonionic surfactants are preferable from the viewpoint of improving fillet-forming properties. These surfactants may be used alone or in combination of two or more.
[0022]
In the case of a polyoxyalkylene-modified polysiloxane, a polydiorganosiloxane, preferably a polysiloxane having a polyoxyalkylene chain graft-bonded to, for example, a trimethylene bond at the position of an organic group bonded to some silicon atoms of the polydimethylsiloxane. Polyoxyalkylene graft copolymers are usually used. The polyoxyalkylene chain is preferably a polyoxyethylene chain, a polyoxypropylene chain, or a mixed oxyalkylene chain of an oxyethylene unit and an oxypropylene unit, and the terminal group includes a hydroxyl group, a methoxy group, a butoxy group, and the like. Illustrated. The length of the siloxane chain is selected such that the number of silicon atoms is usually 4 to 60, preferably 6 to 20, and the HLB of the block copolymer is 5 to 14. The viscosity of the polyoxyalkylene-modified polysiloxane is preferably 100 to 1000 mPa · s, more preferably 150 to 800 mPa · s, and particularly preferably 200 to 600 mPa · s. These viscosities are values measured at 25 ° C. using a B-type rotational viscometer.
[0023]
(D) The surfactant is preferably used in an amount of 0.01 to 1 part by weight, more preferably 0 with respect to 100 parts by weight in total of the component (A) and the component (B), from the viewpoint of fillet formation. 0.05 to 0.5 parts by weight.
[0024]
If necessary, a curing accelerator can be used in the encapsulant resin composition of the present invention. Examples of the curing accelerator include those used as epoxy resin curing accelerators such as imidazole, tertiary amine, and phosphorus compounds, but are selected depending on the intended use of the resin composition and the required curing conditions. There is no particular limitation. For example, 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole and the like can be mentioned. These may be used alone or in combination of two or more. The blending amount of the curing accelerator is preferably set to a ratio of 0.05 to 30% by weight of the entire resin composition.
[0025]
The encapsulant resin composition of the present invention preferably contains silica as a filler in order to adjust the linear expansion coefficient of the resin composition and approach the linear expansion coefficient of the substrate. As the silica, any silica used in the art such as amorphous silica, crystalline silica, ground silica, etc. can be used, but amorphous silica is preferred from the viewpoint of lowering the expansion coefficient. Silica is preferably contained in an amount of 20 to 75% by weight based on the total weight of the resin composition. The sealant resin composition of the present invention may contain a filler other than silica, for example, alumina, silicon nitride, mica, white carbon and the like. In order to improve adhesion to the substrate, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropyl (methyl) dimethoxysilane, 2- (2,3-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane Silane coupling agents such as 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, and 3- (2-aminoethyl) aminopropyltrimethoxysilane may be contained.
[0026]
The encapsulant resin composition of the present invention contains an antifoaming agent, a colorant such as carbon black, inorganic fibers, a flame retardant, an ion trapping agent, an internal release agent, a sensitizer and the like as necessary. May be.
[0027]
The method for producing the encapsulant resin composition of the present invention is not particularly limited. For example, the raw materials are mixed into a mixer such as a likai machine, a pot mill, a three-roll mill, a rotary mixer, a twin-screw mixer, etc., with a predetermined composition. It can be charged and mixed to produce.
[0028]
The encapsulant resin composition of the present invention is liquid at normal temperature and can be used as an encapsulant when bonding a semiconductor chip to a substrate by flip chip bonding. For example, the sealant resin composition of the present invention can be injected from the side into a gap between a semiconductor chip mounted on the substrate face-down and the substrate, and then cured to be sealed. In addition, the substrate can be cured after applying the sealing agent resin composition of the present invention to the substrate in accordance with the size of the semiconductor chip using a dispenser or the like, and using a chip bonder or the like for heat connection. . The semiconductor chip is not particularly limited, and examples thereof include IC, LSI, VLSI and the like.
[0029]
In the above sealing, since the sealing resin composition of the present invention contains (C) an elastomer and (D) a surfactant, stress can be relaxed and a fillet with a good shape can be formed. Become. In particular, the encapsulant resin composition of the present invention is formed by laminating the plate-like glass 2 on the plate-like glass 1 while being shifted horizontally as shown in FIG. When 10 mg of the encapsulant resin composition is dropped at room temperature to a point 4a near the center of the side 3 formed with the side surface, and then heated at 70 to 100 ° C. under heating conditions that fall within a range of 3 to 10 minutes. From the viewpoint of the fillet shape, it is preferable that the length 4 of the encapsulant resin composition spreading along the side 3 is 35 to 45 mm. Here, the plate-like glass is not particularly limited, and examples thereof include borosilicate glass. The temperature at the time of dripping can be 10-35 degreeC, for example, is 25 degreeC. Moreover, heating conditions can be 5 minutes at 90 degreeC, for example. The fillet shape can be determined by, for example, the shape of the sealing body at the edge portion of the semiconductor chip when the gap between the flip chip bonded semiconductor chip and the substrate is sealed. As shown in FIG. When the height from the upper surface of the semiconductor chip to the upper surface of the semiconductor chip is 100%, when the uppermost portion of the fillet is located at the edge portion from 70% or more from the lower surface of the substrate to the upper surface of the semiconductor chip, Good cracking resistance.
[0030]
【Example】
Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of examples. The present invention is not limited by these examples. In the examples, the unit of the blending amount is parts by weight unless otherwise specified.
[0031]
[Preparation of sealant resin composition]
The components shown in Table 1 were kneaded with a roll mill at room temperature for 2 hours to prepare sealant resin compositions of Examples 1-2 and Comparative Examples 1-6.
[0032]
The following were used as components of the encapsulant resin composition in Table 1.
(A) Epoxy resin (A-1) Bisphenol A type epoxy resin: Bisphenol A type epoxy resin (number average molecular weight 360)
(A-2) Biphenyl type epoxy resin: 3,3 ′, 5,5′-tetramethyl-4,4′-diglycidyloxybiphenyl (B) Curing agent for epoxy resin Methyl nadic acid anhydride (C) Elastomer carboxyl Base-terminated butadiene acrylonitrile copolymer (average particle size 70 nm, acrylonitrile content 20% by weight, oxidation 10 mg KOH / g)
(D) Surfactant polyoxyalkylene-modified polydimethylsiloxane (viscosity at 25 ° C. 300 mPa · s)
[0033]
[Table 1]
Figure 0003716237
[0034]
About each sealing agent resin composition of Examples 1-2 obtained by the above and Comparative Examples 1-6, a viscosity, a glass transition temperature (Tg), and a linear expansion coefficient were measured. The results are shown in Table 1. The measurement method is as follows.
Viscosity: Viscosity at 25 ° C. was measured at 50 rpm using a Brookfield rotational viscometer.
Tg (glass transition temperature, TMA): A cured product cured at 150 ° C. for 1 hour was measured using TM3000 manufactured by Vacuum Riko Co., Ltd.
Linear expansion coefficient: It measured about 150 degreeC and the hardened | cured material hardened | cured in 1 hour using TM3000 by a vacuum Riko company.
Length: As shown in FIG. 1, a plate glass 2 (same as borosilicate slide glass manufactured by Matsunami Co., Ltd.) is horizontally shifted and overlapped, and the upper surface of the plate glass 1 When 10 mg of the encapsulant resin composition is dropped at 25 ° C. on a point 4 a near the center of the side 3 formed by the side surface of the glass sheet 2 and heated at 90 ° C. for 5 minutes, the side 3 The length 4 of the encapsulant resin composition spreading along the line was measured using a ruler.
[0035]
[Sealing with sealant resin composition]
Using a dispenser at 90 ° C. with the sealant resin composition of Example 1 on a TEG in which ten semiconductor chips (12.5 × 12.5 mm) are mounted on a substrate (FR-4 substrate, 0.75 mm thickness). Injected into the gap between the substrate and the semiconductor chip. Thereafter, the substrate on which the semiconductor chip was mounted was left in a curing furnace at 150 ° C. for 1 hour for sealing. Similarly, it sealed similarly using the sealing agent resin composition of Example 2 and Comparative Examples 1-6.
[0036]
The obtained sealing body was evaluated by the following.
Fillet shape: Judgment was made based on the shape of the cured product at the edge of the semiconductor chip. As shown in FIG. 2a, when the height from the upper surface of the substrate to the upper surface of the semiconductor chip is 100%, the uppermost portion of the fillet extends from the height of 70% or more from the upper surface of the substrate to the upper surface of the semiconductor chip. The case where it is located is marked with ◯, and the case where the uppermost part of the fillet is located at a height of less than 70% from the upper surface of the substrate as shown in FIG.
Evaluation of peelability: The obtained sealed body was left in a constant temperature and humidity chamber at 30 ° C. and 60% for 192 hours, then immediately passed through a solder reflow furnace at 260 ° C. three times, and peeling was performed with an ultrasonic flaw detector (SAT). Observed and observed for occurrence of peeling. ○ indicates no peeling, Δ indicates slight peeling around the chip × indicates that the lower surface of the chip is entirely peeled off.
Evaluation of cracks: The fillet part of the sealing body used in the evaluation of evaluation of peelability was observed, where ◯ indicates no crack and × indicates that there is a crack.
Resistance value evaluation: The continuity of the sealing body used in the evaluation of the peelability evaluation was measured, and an abnormality in the resistance value was observed. ○ indicates that there is no abnormality, and × indicates that there is an abnormality.
Resistance value: measured with a digital multimeter.
[0037]
As shown in Table 1, the encapsulant resin composition of the present invention in which an elastomer and a surfactant are blended does not cause cracking / peeling due to high-temperature reflow, and there is no resistance value abnormality. In Comparative Examples 1 to 4 containing only one of the components and Comparative Examples 5 to 6 not containing both components, either or both of cracking and peeling occurred.
[0038]
【The invention's effect】
The encapsulant resin composition used in combination with the flip chip of the present invention can generate underfill cracks and substrate even when used in combination with solder that requires reflow at a higher temperature than conventional solder such as lead-free solder. Can be prevented from peeling off.
[Brief description of the drawings]
BRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS FIG. 1 is a diagram showing a spread when a sealing resin composition is dropped on a side formed by two plate glasses stacked in a shifted manner.
FIG. 2 is a diagram illustrating a shape of a fillet at an edge portion of a semiconductor chip.
FIG. 3 is a diagram showing flip chip bonding and sealing.
[Explanation of symbols]
1 Flat glass 1
2 Flat glass 2
3 Side 4 Length 4a indicating the spread of the sealant resin composition Dropping point 5 of the sealant resin composition Semiconductor chip 6 Fillet 7 Substrate 10 Semiconductor chip 12 Electrode 13 Bump 14 Electrode 15 Substrate 16 Underfill 16a Fillet

Claims (9)

(A)エポキシ樹脂、
(B)エポキシ樹脂用硬化剤、
(C)カルボキシル基末端ブタジエンアクリロニトリルコポリマー、アミノ基末端ブタジエンアクリロニトリルコポリマー及びエポキシ基末端ブタジエンアクリロニトリルコポリマーからなる群より選択される1種以上のエラストマー、並びに
(D)ポリオキシアルキレン変性ポリシロキサン
を含む、
フリップチップボンディングと組合せて用いる液状封止剤樹脂組成物。
(A) epoxy resin,
(B) a curing agent for epoxy resin,
(C) one or more elastomers selected from the group consisting of a carboxyl group-terminated butadiene acrylonitrile copolymer, an amino group-terminated butadiene acrylonitrile copolymer and an epoxy group-terminated butadiene acrylonitrile copolymer, and (D) a polyoxyalkylene-modified polysiloxane.
Liquid encapsulant resin composition used in combination with flip chip bonding.
成分(C)が、粒子状である、請求項1記載の液状封止材樹脂組成物。  The liquid sealing material resin composition of Claim 1 whose component (C) is a particulate form. 成分(C)が、カルボキシル基末端ブタジエンアクリロニトリルコポリマーである、請求項1又は2項記載の液状封止剤樹脂組成物。  The liquid sealing agent resin composition of Claim 1 or 2 whose component (C) is a carboxyl group terminal butadiene acrylonitrile copolymer. 成分(D)が、HLBが5〜14になるように選択される、請求項1〜3のいずれか1項記載の液状封止剤樹脂組成物。  The liquid sealing agent resin composition of any one of Claims 1-3 in which a component (D) is selected so that HLB may be 5-14. 成分(A)と成分(B)の合計100重量部に対して、成分(C)が、1〜20重量部であり、かつ成分(D)が0.01〜1重量部である、請求項1〜4のいずれか1項記載の液状封止剤樹脂組成物。  The component (C) is 1 to 20 parts by weight and the component (D) is 0.01 to 1 part by weight with respect to 100 parts by weight of the total of the component (A) and the component (B). The liquid sealing agent resin composition of any one of 1-4. 成分(A)が、ビスフェノールA型エポキシ樹脂及び/又はビフェニル型エポキシ樹脂である、請求項1〜5のいずれか1項記載の液状封止剤樹脂組成物。  The liquid sealing agent resin composition of any one of Claims 1-5 whose component (A) is a bisphenol A type epoxy resin and / or a biphenyl type epoxy resin. さらにシリカを含む、請求項1〜6のいずれか1項記載の液状封止剤樹脂組成物。  Furthermore, the liquid sealing agent resin composition of any one of Claims 1-6 containing a silica. 板状ガラス1上に板状ガラス2を水平にずらして重ね、該板状ガラス1の上面と該板状ガラス2の側面とで形成される辺3に、封止剤樹脂組成物10mgを滴下し、70〜100℃で、3〜10分加熱したとき、該辺3に沿って広がった該封止剤樹脂組成物の長さ4が、35〜45mmである、請求項1〜7のいずれか1項記載の液状封止剤樹脂組成物。  The plate glass 2 is horizontally shifted and stacked on the plate glass 1, and 10 mg of the sealant resin composition is dropped on the side 3 formed by the upper surface of the plate glass 1 and the side surface of the plate glass 2. And when heated at 70-100 degreeC for 3 to 10 minutes, length 4 of this sealing agent resin composition which spread along this edge | side 3 is 35-45 mm, Any of Claims 1-7 The liquid sealing agent resin composition of Claim 1. 請求項1〜8記載のいずれか1項記載の液状封止剤樹脂組成物を用いて封止した半導体デバイス。  The semiconductor device sealed using the liquid sealing agent resin composition of any one of Claims 1-8.
JP2002237807A 2002-08-19 2002-08-19 Sealant resin composition Expired - Lifetime JP3716237B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002237807A JP3716237B2 (en) 2002-08-19 2002-08-19 Sealant resin composition

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002237807A JP3716237B2 (en) 2002-08-19 2002-08-19 Sealant resin composition

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004075835A JP2004075835A (en) 2004-03-11
JP3716237B2 true JP3716237B2 (en) 2005-11-16

Family

ID=32021405

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002237807A Expired - Lifetime JP3716237B2 (en) 2002-08-19 2002-08-19 Sealant resin composition

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3716237B2 (en)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3847693B2 (en) 2002-09-30 2006-11-22 シャープ株式会社 Manufacturing method of semiconductor device
JP4994305B2 (en) 2008-06-03 2012-08-08 横浜ゴム株式会社 High thermal conductive epoxy resin composition
JP2010095702A (en) * 2008-09-18 2010-04-30 Sumitomo Bakelite Co Ltd Resin composition, liquid resin composition for sealing semiconductor, liquid resin composition for underfill, and semiconductor device
JP5396914B2 (en) * 2009-02-27 2014-01-22 住友ベークライト株式会社 Resin composition and semiconductor device manufactured using resin composition
JP5388341B2 (en) * 2009-03-31 2014-01-15 ナミックス株式会社 Liquid resin composition for underfill, flip chip mounting body and method for producing the same
JP5723557B2 (en) * 2010-09-09 2015-05-27 ナミックス株式会社 Epoxy resin composition
JP2012162585A (en) * 2011-02-03 2012-08-30 Namics Corp Resin sealng material for semiconductor
JP5593259B2 (en) * 2011-03-16 2014-09-17 ナミックス株式会社 Liquid epoxy resin composition
US8470936B2 (en) * 2011-07-29 2013-06-25 Namics Corporation Liquid epoxy resin composition for semiconductor encapsulation
JP6098938B2 (en) * 2013-04-02 2017-03-22 ナガセケムテックス株式会社 Adhesive for electronic component sealing
WO2014184863A1 (en) * 2013-05-14 2014-11-20 株式会社日立製作所 Composite insulating resin material for high-voltage devices and high-voltage device using same

Also Published As

Publication number Publication date
JP2004075835A (en) 2004-03-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103717634B (en) For semiconductor packages composition epoxy resin, use its semiconductor device and the method being used for producing the semiconductor devices
JP5228426B2 (en) Liquid resin composition for electronic component sealing and electronic component device using the same
JP5354753B2 (en) Underfill material and semiconductor device
JP5277537B2 (en) Liquid resin composition for electronic components and electronic component device using the same
JP2011014885A (en) Dam material composition of underfill material for multilayer semiconductor device, and method of manufacturing multilayer semiconductor device using the same dam material composition
JP5114935B2 (en) Liquid resin composition for electronic components, and electronic component device using the same
JP6789495B2 (en) Resin composition for underfill, electronic component device and manufacturing method of electronic component device
JP6090614B2 (en) Liquid epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and resin-encapsulated semiconductor device
JP2007182562A (en) Liquid resin composition for electronic element and electronic element device
JP5692212B2 (en) Liquid resin composition for electronic components and electronic component device using the same
JP4905668B2 (en) Liquid epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device
JP3716237B2 (en) Sealant resin composition
JP4066174B2 (en) Liquid epoxy resin composition, flip chip type semiconductor device and sealing method thereof
JP3912515B2 (en) Liquid epoxy resin composition and semiconductor device
JP2007162001A (en) Liquid epoxy resin composition
JP7167912B2 (en) Liquid encapsulating resin composition, electronic component device, and method for manufacturing electronic component device
JP6286959B2 (en) Epoxy resin composition, electronic component device, and method of manufacturing electronic component device
JP3773022B2 (en) Flip chip type semiconductor device
JP3925803B2 (en) Flip chip mounting side fill material and semiconductor device
JP2012082281A (en) Liquid epoxy resin composition and semiconductor device
JP2013082782A (en) Selection method and production method of liquid epoxy resin composition, and electronic part device and production method thereof
JP2015054952A (en) Epoxy resin composition, electronic part device and production method of electronic part device
JP5099850B2 (en) Semiconductor element sealing composition
JP2007291407A (en) Liquid epoxy resin composition and flip chip type semiconductor device
JP3867784B2 (en) Liquid epoxy resin composition and semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20041019

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050204

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050215

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050418

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20050823

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20050829

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 3716237

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080902

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090902

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100902

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100902

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110902

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110902

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120902

Year of fee payment: 7

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130902

Year of fee payment: 8

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term