JP3710557B2 - Hybrid integrated circuit device, substrate sheet used for manufacturing the same, and electronic device incorporating the hybrid integrated circuit device - Google Patents

Hybrid integrated circuit device, substrate sheet used for manufacturing the same, and electronic device incorporating the hybrid integrated circuit device Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To realize miniaturization and cost reduction, and stabilize shield effect, by fixing a cap on an engaging part arranged on a wiring board, via an engaging part arranged on the cap. SOLUTION: A hybrid integrated circuit device 1 is constituted of a wiring board 2 wherein active components and passive components are built on the main surface and a cap 4 fixed on the main surface side of the wiring board 2. Since the hybrid integrated circuit device 1 constitutes rectangular structure, miniaturization is enabled. The cap 4 has a structure which can be fixed on an engaging part 29 arranged on the wiring board 2, via an engaging part 19 arranged on the cap 4, without using connecting material. Especially, the engaging part 29 of the wiring board 2 is constituted of a latching part, and the engaging part 19 of the cap 4 is constituted of a hook which protrudes from the lower surface of the cap 4 and is hooked with the engaging part 29, so that the fixing of the cap 4 is facilitated. Thereby manufacturing cost can be reduced.

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は低温焼成の配線基板を用いた表面実装型の混成集積回路装置およびその製造に用いる基板シートならびにその混成集積回路装置を組み込んだ電子装置に関し、特にセルラー電話機等の送信部に用いる小型の高周波電力増幅装置（高周波パワーモジュール：ＲＦパワーモジュール）に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
自動車電話，携帯電話等の移動通信機器無線部に使用されるＲＦパワーモジュールは、金属製のフランジとキャップとによってパッケージが形成されている。また、前記パッケージの一側面から信号端子等の電極端子を突出させるとともに、パッケージの両端下部からグランド電極を兼ねた取付用フィンを突出させる構造となっている。
【０００３】
また、前記パッケージ内において、前記フランジ上には両面に導体を有する配線基板が固定されている。この配線基板は、誘電体基板の表面に回路パターンを設け、裏面にグランド（ＧＮＤ）パターンを設けた所謂マイクロストリップライン構造となっている。また、前記配線基板は、部分的に穴が設けられている。そして、前記穴底のフランジ部分には熱伝導性の良好なヒートシンクが固定されている。前記ヒートシンクには電界効果トランジスタからなる半導体チップが固定されている。
【０００４】
高周波パワーモジュール（高周波電力増幅用ＭＯＳ・パワーモジュール）については、日立評論社発行「日立評論」1993年第４号、同年４月25日発行、Ｐ12〜Ｐ26に記載されている。同文献には、幅２２ｍｍ，奥行き１２ｍｍ，高さ３．７ｍｍのＥ型の高周波パワーモジュールが開示されている。
【０００５】
また、ＶＣＯ，ＤＣ／ＤＣコンバータ等の高周波混成集積回路装置では、キャップは半田を介して基板に取り付けられている。ＶＣＯ，ＤＣ／ＤＣコンバータについては、株式会社「村田製作所」発行、カタログ、カタログ番号Ｋ１０−２、1996年４月２日発行、P487およびP710に記載されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
従来の高周波パワーモジュールは、大別すると、金属製のフランジ（ヘッダ）と、このフランジ上に固定される配線基板と、前記配線基板に設けた穴を利用しかつ前記フランジに固定したヒートシンク上に固定される半導体チップと、前記フランジに固定され前記配線基板を覆うキャップと、前記配線基板に固定され先端を前記キャップの外に突出させる電極端子（リード）とからなっている。また、前記フランジの両端は部分的にキャップの外側に突出してグランド電極を兼ねた取付用フィンを構成している。
【０００７】
なお、前記配線基板の表面にはコンデンサ，抵抗，ツェナーダイオード等の電子部品が搭載されている。また、配線基板の表面の配線と前記半導体チップの電極とは導電性のワイヤで接続されている。
【０００８】
従来の高周波パワーモジュールの小型化，高性能化，低コスト化等を検討した結果、以下の事項が小型化，高機能化，低コスト化等を妨げるということが判明した。
【０００９】
（１）配線基板は、誘電体基板の表面に信号配線や電源配線等の回路パターンを設け、裏面にグランド（ＧＮＤ）パターンを設けたマイクロストリップライン構造となっている。これは、配線基板の作製後、抵抗をトリミングしたり、線路幅の調整を行って特性の調整を行うためである。しかし、誘電体基板の一面に信号配線を形成するマイクロストリップライン構造では、所望の電気特性を得るために、信号配線の引き回し長さが長いことから、配線基板が大型化し、この配線基板を内蔵するパッケージが大きくなり、高周波パワーモジュールの小型化が妨げられている。
【００１０】
（２）フランジ上に配線基板を固定し、さらにキャップで覆う構造となるため、パッケージの高さが大きくなり、高周波パワーモジュールの小型化が妨げられている。
【００１１】
（３）フランジの両端の一部は、キャップの外側に突出してグランド電極を兼ねた取付用フィンを構成することから高周波パワーモジュールが大型化する。したがって、実装面積も大きくなる。
【００１２】
（４）パッケージ（キャップ）の一側面から長くリードを突出させることから高周波パワーモジュールが大型化する。したがって、実装面積も大きくなる。
【００１３】
（５）半導体チップの表面と、配線基板の配線面の高さが異なるため、半導体チップの電極と配線を接続するワイヤが長くなる。また、半導体チップは、配線基板に設けた穴の底部分のフランジに固定されたヒートシンク上に固定されるため、半導体チップの電極と配線との間隔が長くなり、ワイヤが長くなる。ワイヤが長くなると抵抗が増大し高周波特性が低くなる。例えば出力ゲインが小さくなる。
【００１４】
（６）配線基板は誘電体基板で形成されているため、発熱量の大きい半導体チップを直接配線基板に搭載することができないため、配線基板に穴を設け、この穴底の金属製のフランジ部分に熱伝導性の良好なヒートシンクを固定し、このヒートシンクに半導体チップを固定する構造となるため、部品点数の増大と、組立工数の増大から高周波パワーモジュールのコストの高騰を招いている。
【００１５】
（７）支持部材，放熱部材，グランド電極を兼ねるフランジを配線基板に固定する構造となっていることから、部品点数が増大する。
【００１６】
（８）高周波パワーモジュールの実装のため、フランジの一部を成形して取付用フィンを形成しているが、成形のため各取付用フィンの実装面高さがばらつきやすくなり、実装の信頼性を損なうこともある。
【００１７】
そこで、本出願人はこれらの問題を解消するために、既に混成集積回路装置を提案（特願平7-268354号公報、平成７年10月17日出願）している。
【００１８】
本発明は前記出願の混成集積回路装置の更なる改良に関するものである。
【００１９】
一方、ＶＣＯ，ＤＣ／ＤＣコンバータ等の高周波混成集積回路装置では、配線基板に直にキャップを取り付ける場合、半田による取り付けを行っているため、工数の増大から混成集積回路装置のコストの高騰を招いている。
【００２０】
本発明の目的は、実装状態でキャップが安定したシールド体として作用する小型の混成集積回路装置およびその製造方法を提供することにある。
【００２１】
本発明の他の目的は、製造コストの低減が達成できる混成集積回路装置を提供することにある。
【００２２】
本発明の他の目的は、組立加工効率の良い混成集積回路装置製造用の基板シートを提供することにある。
【００２３】
本発明の他の目的は、特性が安定する電子装置を提供することにある。
【００２４】
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであろう。
【００２５】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【００２６】
（１）混成集積回路装置は以下の構成になっている。
【００２７】
（ａ）配線基板と、前記配線基板の主面に組み込まれる少なくとも一つ以上の能動部品および受動部品と、前記配線基板の主面を覆うように配線基板に固定されるキャップと、前記配線基板の裏面に設けられた複数の電極端子とを有する混成集積回路装置であって、前記キャップはキャップに設けられた係止部を介して前記配線基板に設けられた係止部に取り付けられており、かつ導電性の接合材で接続されていない構成になっている。
【００２８】
（ｂ）前記配線基板の係止部は配線基板の側面に設けられた窪み部分や配線基板主面に設けられた孔部分で形成された引っ掛かり部で構成され、前記キャップの係止部はキャップの下面から突出し前記引っ掛かり部に引っ掛けられるフックで構成されている。
【００２９】
（ｃ）前記キャップおよび前記キャップに設けられるフックはシールド体を形成するように全体が導電体（金属体）で形成されているとともに、前記フックは混成集積回路装置の電極端子を実装基板のランドに導電性の接合材の溶融によって固定する際、グランド用ランド部分に付着する接合材に接続されるように構成されている。
【００３０】
（ｄ）前記キャップの外周縁は前記配線基板の外周縁に一致または前記配線基板の外周縁よりも内側に位置している。
【００３１】
（ｅ）前記配線基板において、所定箇所の配線部分に配線基板の厚さ方向に他の配線に接続されない導体によるインピーダンス素子が設けられている。
【００３２】
（ｆ）前記能動部品として半導体チップが搭載されているとともに、前記半導体チップはその裏面にグランド電極が設けられ、このグランド電極を介して前記配線基板のグランド配線に接続されている。
【００３３】
（ｇ）前記配線基板には電界効果トランジスタを構成する半導体チップが回路的に多段に接続されて高周波パワーモジュールを構成している。
【００３４】
（２）混成集積回路装置の製造に用いる基板シートは以下の構成になっている。
【００３５】
（ａ）平面的に複数の配線基板形成部を有し、前記配線基板形成部の境界で分断される混成集積回路装置製造用の基板シートであって、前記配線基板形成部の領域内または境界部分には、混成集積回路装置を構成するキャップを前記配線基板形成部に取り付けるために使用される係止部が設けられ、かつ前記配線基板形成部の主面には能動部品および受動部品を搭載する配線が設けられ、裏面には外部電極となる電極端子が設けられている。
【００３６】
（ｂ）前記各配線基板形成部の回路は隣接する配線基板形成部との間で抵抗ループを構成しない回路構成になっている。
【００３７】
（ｃ）前記配線基板形成部において、所定箇所の配線部分に配線基板の厚さ方向に他の配線に接続されない導体によるインピーダンス素子が設けられている。
【００３８】
（３）混成集積回路装置を組み込んだ電子装置は以下の構成になっている。
【００３９】
（ａ）主面に混成集積回路装置を固定するためのランドを有する実装基板と、前記ランドに裏面の電極端子を介して重なる混成集積回路装置とを有し、前記ランドと電極端子は導電性の接合材で固定されてなる電子装置であって、前記混成集積回路装置は能動部品や受動部品を搭載した配線基板と、前記能動部品や受動部品等を被うように配線基板の主面に固定されるキャップと、前記配線基板の裏面に設けられた電極端子とを有し、前記混成集積回路装置のキャップはキャップに設けられた係止部を介して前記配線基板に設けられた係止部に取り付けられ、かつ前記キャップおよび前記キャップに設けられる係止部はシールド体を形成すべく導電体で形成されているとともに、前記キャップの係止部は前記実装基板のグランド用のランド部分の接合材に接続されている。
【００４０】
（ｂ）前記配線基板の係止部は配線基板の側面に設けられた窪み部分で形成された引っ掛かり部で構成され、前記キャップの係止部はキャップの下面から突出し前記引っ掛かり部に引っ掛けられるフックで構成されている。
【００４１】
（ｃ）前記混成集積回路装置の配線基板において、所定箇所の配線部分に配線基板の厚さ方向に他の配線に接続されない導体によるインピーダンス素子が設けられている。
【００４２】
（ｄ）前記配線基板には電界効果トランジスタを構成する半導体チップが回路的に多段に接続されて高周波パワーモジュールを構成している。
【００４３】
前記（１）の手段によれば、
（ａ）高周波パワーモジュール（混成集積回路装置）は、電界効果トランジスタ等の能動部品や受動部品を主面に組み込んだ配線基板と、この配線基板の主面側に固定されたキャップとによって形成された矩形体構造となっていることから、従来のようにパッケージからリードを突出させたり、取付用フィンを突出させないため小型になる。
【００４４】
（ｂ）前記キャップは、接合材を用いることなくキャップに設けられた係止部を介して前記配線基板に設けられた係止部に取り付けられる構造となるため、その製造において組み立てが容易になる。特に、前記配線基板の係止部は引っ掛かり部で構成され、前記キャップの係止部はキャップの下面から突出し前記引っ掛かり部に引っ掛けられるフックで構成されているので、キャップの取り付けが容易になる。これにより、その製造において、接合材による固定作業が不要になることから、製造コストの低減が達成できる。
【００４５】
（ｃ）前記キャップおよびフックは金属体で形成されているとともに、前記フックは混成集積回路装置の電極端子を実装基板のランドに導電性の接合材の溶融によって固定する際、グランド用ランド部分に付着する接合材に接続されるように構成されていることから、実装基板に実装した場合、キャップのシールド効果が安定する。
【００４６】
（ｄ）前記キャップの外周縁は前記配線基板の外周縁に一致または前記配線基板の外周縁よりも内側に位置していることから、混成集積回路装置の小型化が図れる。
【００４７】
（ｅ）前記配線基板の所定箇所には導体によるインピーダンス素子が設けられていることから、配線基板に特性インピーダンス整合用の電子部品を搭載することなく特性インピーダンスの整合がとれる。
【００４８】
（ｆ）前記半導体チップの裏面はグランド電極となり、このグランド電極を介して配線基板のグランド配線に接続されていることから、半導体チップのグランド電極となる電極部分のインダクタンスが小さくなり、高周波性能が向上する。たとえば、半導体チップの裏面がソース電極の場合、ソースインダクタンスが小さくなり、高周波性能が向上する。
【００４９】
前記（２）の手段によれば、
（ａ）基板シートの各配線基板形成部にキャップを取り付けることができるので、基板シートに能動部品や受動部品を組み込みかつキャップを取り付けた後基板シートを分断することができ、組立のライン化が可能となる。
【００５０】
（ｂ）前記各配線基板形成部の回路は隣接する配線基板形成部との間で抵抗ループを構成しない回路構成になっていることから、能動部品や受動部品を組み込んだ後、基板シートの状態で抵抗のトリミングを行うことができる。
【００５１】
（ｃ）前記配線基板形成部において、所定箇所の配線部分に配線基板の厚さ方向に他の配線に接続されない導体によるインピーダンス素子が設けられていることから、配線基板形成部に特性インピーダンス整合用の電子部品を搭載することなく特性インピーダンスの整合がとれる。
【００５２】
前記（３）の手段によれば、
（ａ）実装基板に実装された高周波パワーモジュール（混成集積回路装置）のキャップはシールド体となるとともに、フックを介して実装基板のグランド用ランド部分に導電性の接合材を介して接続されるため、混成集積回路装置部分のシールド効果は安定し、高周波特性に優れた電子装置になる。
【００５３】
（ｂ）前記高周波パワーモジュールの配線基板には、導体によるインピーダンス素子が設けられていることから、実装基板に実装された状態において接続される他の配線との間の特性インピーダンスの整合がとれ、高周波特性に優れた電子装置になる。
【００５４】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。
【００５５】
なお、発明の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００５６】
図１乃至図７は本発明の実施形態１である高周波パワーモジュールに係わる図であって、図１は高周波パワーモジュールの外観を示す斜視図、図２は一部を切り欠いた状態の斜視図、図３は断面図、図４は一部の断面図、図５は配線基板とキャップの取付部分を示す一部の分解斜視図である。また、図６はキャップを取り外した高周波パワーモジュールを示す平面図、図７は高周波パワーモジュールの等価回路図である。
【００５７】
本実施形態の１混成集積回路装置（高周波パワーモジュール）１は、図１乃至図３に示すように、板状の配線基板２の主面（上面）にキャップ４が重ねられ、外観的には偏平な矩形体構造になっている。
【００５８】
本実施形態１の高周波パワーモジュール１は、能動部品として、電界効果トランジスタを構成する半導体チップを回路的に多段に接続して、移動電話用の高周波パワーモジュールを構成している。この例では、半導体チップを回路的に２段に接続した高周波パワーモジュールとなっている。
【００５９】
本実施形態１の高周波パワーモジュール１は、キャップ４の外周縁が配線基板２の外周縁に一致するか、それよりも内側に位置するようになっている。
【００６０】
キャップ４は金属板を矩形箱状に絞り成形して、下面周縁に沿って突出した周壁３を有する構造となっている。また、図１乃至図５に示すように、キャップ４の両側中央の周壁３部分からはさらに突出するフック支持アーム１７が設けられている。このフック支持アーム１７の先端側の内側には、これも成形によって形成された突出するフック爪１８が設けられている。前記フック爪１８とフック支持アーム１７によって弾力的となるフック（係止部）１９が形成される。
【００６１】
なお、前記周壁３において、所定部分の突出長さが短くなり、この短辺部３４の先端は配線基板２の主面から所定の間隔を隔てて離れている。キャップ４は厚さ０．１ｍｍとなり、例えばメッキレスの洋白、あるいはニッケルメッキを施したリン青銅で形成され、半田に濡れ易くなっている。
【００６２】
前記配線基板２の両側中央部分には、前記フック支持アーム１７が入る窪み２８が設けられている。この窪み２８の底はさらに一部が窪み、その段差部分は前記フック爪１８が引っ掛けられる引っ掛かり部（係止部）２９を構成している。前記窪み２８により、フック爪１８が前記引っ掛かり部２９に引っ掛かった状態では、フック支持アーム１７は窪み２８の外に突出しない。
【００６３】
前記フック１９は前記フック支持アーム１７が金属体（金属板）で形成されていることから、フック１９に弾力的に作用する。また、前記キャップ４の周壁３の先端が配線基板２の主面に接触し、かつ配線基板２の裏面にフック爪１８が弾力的に引っ掛かることから、キャップ４を配線基板２にフック１９を介して取り付けると、キャップ４は配線基板２に確実に固定されることになる。また、フック１９は配線基板２に弾力的に作用していることから、キャップ４を容易に外すこともできる。
【００６４】
前記配線基板２およびキャップ４の係止部は他の構造でもよい。
【００６５】
また、後述するが、前記フック１９は高周波パワーモジュール１の裏面の電極端子を実装基板のランドに導電性の接合材（半田）の溶融によって固定する際、グランド用ランド部分に付着する接合材（半田）に濡れて接続されるように配置構成されている。また、この際、配線基板２の係止部、すなわち引っ掛かり部２９にはグランド配線が設けられており、このグランド配線部分も半田に濡れるようになっている。
【００６６】
高周波パワーモジュール１は、例えば、幅８ｍｍ，長さ１２．３ｍｍ，高さ２．５ｍｍとなり、従来のＥ型の高周波パワーモジュールの幅２２ｍｍ，奥行き１２ｍｍ，高さ３．７ｍｍに比較して大幅に小型となる。
【００６７】
一方、図１１に示すように、前記配線基板２の裏面には、複数の電極端子（外部端子）５が設けられている。電極端子５は配線基板２の両側にそれぞれ設けられ、配線基板２の長手方向に沿って一定ピッチで並び、一側（図中上側）では左から右に向かって入力端子（Ｐin）６，グランド端子（ＧＮＤ）７，グランド端子（ＧＮＤ）８，ゲートバイアス端子（Ｖg）９となる。また、他側（図中下側）では左から右に向かって出力端子（Ｐout）１０，グランド端子（ＧＮＤ）１１，グランド端子（ＧＮＤ）１２，電源端子（Ｖdd）１３となる。
【００６８】
前記入力端子６，ゲートバイアス端子９，出力端子１０，電源端子１３に対応する配線基板２の側面には、配線基板２の表面から裏面に至る部分に端面スルーホールが設けられている。これは、高周波パワーモジュール１を実装基板に実装する際、各電極端子が配線基板２の裏面の電極部分と側面の端面スルーホール２０部分で接続されて実装されることになり、確実な実装が行える。
【００６９】
以上のことから、本実施形態の高周波パワーモジュール１は、混成集積回路装置ではあるが、単体の半導体チップをパッケージ内に組み込んだＬＣＣ構造となり、製品の小型化が達成できる。
【００７０】
一方、図１１において４つのグランド端子（ＧＮＤ）７，８，１１，１２を区画するように延在するハッチング部分は、高周波パワーモジュール１を実装基板に実装する際使用される実装用接合材に濡れない材料で形成されたレジスト膜１４である。例えば、高周波パワーモジュール１は半田によって実装基板に実装されることから、前記レジスト膜１４は厚さ２０μｍ前後のソルダーレジスト膜となる。
【００７１】
前記レジスト膜１４はグランド配線を覆うように設けられている。したがって、配線基板２の裏面には、前記４つのグランド端子（ＧＮＤ）７，８，１１，１２が延在する領域と、レジスト膜１４とによって覆われる領域に亘って一体となるグランド（ＧＮＤ）配線１５（図３参照、図３ではレジスト膜１４は省略してある。）が延在することになる。これは、後述するが、信号配線および電源配線等を上下で誘電体層を介してグランド配線で挟む所謂ストリップライン構造とし、静電シールドを行うためである。
【００７２】
また、前記一体のグランド配線１５をレジスト膜１４で部分的に覆い、独立した複数のグランド端子７，８，１１，１２とすることは、各電極端子の面積差を余り大きくしないことにある。すなわち、高周波パワーモジュール１を半田実装した場合、各電極端子の面積差が極端に大きいと、半田の表面張力によって広い面積部分での高周波パワーモジュール１の浮き上がり高さが大きくなり、四方に設けられた小面積部分では、一部で接合不良が発生するおそれがある。そこで、本実施形態では、各電極端子の面積比率は最大でも２倍程度としてある。
【００７３】
また、一列に並ぶ電極端子において各電極端子を等しいピッチで配列することによって、セルフアライメントを促進する。また、半田ブリッジ等の実装不良も防止できる。
【００７４】
また、図１１において示す小丸は、高周波パワーモジュール１内で発生した熱を外部に伝達するサーマルビィア１６であり、同図では一部のみを示してある。サーマルビィア１６は、サーマルビィアホールに熱伝導性の良好な金属を充填した構造となっている。サーマルビィア１６は、例えば発熱量の大きい能動部品である半導体チップの下部に設けられている。
【００７５】
本実施形態１では、半導体チップ４４，４５はパワーＭＯＳＦＥＴを形成していて、裏面はグランドに接地されるソース電極（グランド電極）が設けられている。このグランド電極は配線基板２のグランド配線に半田からなる接合材４７によって固定される。パワーＭＯＳＦＥＴで発生した熱は前記サーマルビィア１６によって配線基板２の裏面に速やかに伝達され、配線基板２の外部端子５から実装基板に放散される。
【００７６】
配線基板２は、図２および図３に示すように、上段誘電体層（上段誘電体板）２５，中段誘電体層（中段誘電体板）２６，下段誘電体層（下段誘電体板）２７と誘電体層（誘電体板）を３段に重ねた構造となっている。
【００７７】
また、上段誘電体層２５の上面（露出面）には、図８に示すような配線パターン（第１層配線３０）が設けられている。また、前記上段誘電体層２５と中段誘電体層２６との間には図９に示すような配線パターン（第２層配線３１）が設けられ、前記中段誘電体層２６と下段誘電体層２７との間には図１０に示すような配線パターン（第３層配線３２）が設けられ、下段誘電体層２７の裏面（露出面）には図１１に示すような配線パターン（第４層配線３３）が設けられている。
【００７８】
配線基板２は、例えば、ガラスセラミックスを積層させた低温焼成の配線基板からなり、配線は高導電性金属、例えば銀系金属を使用している。すなわち、外層配線はＡｇ−Ｐｔを使用し、内装配線はＡｇを使用している。低温焼成は６００℃程度となり、融点の低いＡｇの使用が可能となる。Ａｇは抵抗値が低い高導電性金属となるため、高周波特性の向上が達成できる。
【００７９】
図８乃至図１１において、３５は信号配線、３６は電源配線、１５はグランド配線である。これにより、中段誘電体層２６と下段誘電体層２７との間の第３層配線３２は、中段誘電体層２６上の第２層配線３１と下段誘電体層２７の下の第４層配線３３がいずれもグランド配線１５となることから、ストリップライン構造となる。また、上段誘電体層２５上の第１層配線３０は上段誘電体層２５の下面にグランド配線１５となる第２層配線３１が設けられていることから、マイクロストリップライン構造となる。
【００８０】
内層の信号配線は上下を誘電体層を介して挟まれることから、静電シールドが可能となり、高周波特性が安定する。
【００８１】
また、上段誘電体層２５と中段誘電体層２６との間のグランド配線１５は、図１２に示すように、編み目（メッシュ）構造となっている。このため、編み目部分５５には、上段誘電体層２５と中段誘電体層２６の誘電体層が入り込み、グランド配線の上下の誘電体層の接合強度が高くなり、剥がれ難い配線基板２となる。
【００８２】
前記第１層配線３０，第２層配線３１，第３層配線３２，第４層配線３３の各配線は１０〜２０μｍ程度の厚さとなっている。そして、配線基板２全体の厚さは、例えば０．９ｍｍとなる。
【００８３】
一方、第１層配線３０，第２層配線３１，第３層配線３２，第４層配線３３の各配線は、図３に示すように、所望の誘電体層から所望の深さの誘電体層まで貫通延在するブラインド型ビィア４０や最上段の誘電体層から最下段の誘電体層まで貫通延在する貫通型ビィア４１、所望の誘電体層から最下段の誘電体層まで貫通延在するサーマルビィア１６によって電気的に接続されている。
【００８４】
また、本実施形態１では、導体によるインピーダンス素子２１が設けられている。このインピーダンス素子２１は、所定箇所の配線部分に配線基板２の厚さ方向に他の配線に接続されないビィアによって形成されている。これは平面的に設けられるスタブと同様にインダクタンスや容量として作用し、特性インピーダンスの整合の調整体となる。特に、周波数が１ＧＨｚ以上となる移動電話用の高周波モジュールにおいては、前記インピーダンス素子２１は高周波特性を安定化するのに効果がある。
【００８５】
前記インピーダンス素子形成用のビィア，ブラインド型ビィア４０，貫通型ビィア４１およびサーマルビィア１６はビィアホールにＡｇを充填させた構造となっている。
【００８６】
また、３枚の重なる上段誘電体層２５，中段誘電体層２６，下段誘電体層２７の両側面にも、半円弧断面の端面スルーホール２０が設けられ、下段誘電体層２７の第４層配線３３で形成される各外部端子５（入力端子６、グランド端子７，８，１１，１２、ゲートバイアス端子９、出力端子１０、電源端子１３）に接続されている。
【００８７】
前記上段誘電体層２５には、図３および図６に示すように、矩形の窪み４２，４３が設けられ、これら窪み４２，４３の底には半導体チップ４４，４５が固定されている。窪み４２，４３によって、半導体チップ４４，４５の図示しない上面の電極面と、配線面の高さは略同じ高さとなる。このため、半導体チップ４４，４５の電極と配線とを接続する導電性のワイヤ４６はその張り高さ（ループ）を低く形成できるため、短い長さで配線と半導体チップの電極を接続できることになり、抵抗の低減から高周波特性の向上が達成できる。例えば出力ゲインの向上を達成することができる。
【００８８】
他方、前記半導体チップ４５は、図３に示すように、グランド配線１５となる第２層配線３１に銀ペースト等の接合材４７を使用して固定される。また、半導体チップ４４，４５が固定される部分には、多数のサーマルビィア１６が設けられ、半導体チップ４４，４５から発生する熱を速やかに外部に伝達するようになっている。熱は、配線基板２の裏面のグランド配線１５およびレジスト膜１４を介して実装基板に放熱される。したがって、半導体チップ４４，４５は安定した動作する。
【００８９】
配線基板２の主面には、図６に示すように、能動部品としてパワーＭＯＳＦＥＴ（Ｔ1，Ｔ2）を構成する半導体チップ４４，４５が組み込まれている。また、受動部品としてはチップ型の抵抗（Ｒ1〜Ｒ5）５１、チップ型のコンデンサ（Ｃ1〜Ｃ11）５２，バイパスコンデンサ（ＣＢ）５３が搭載されている。本実施形態１の高周波パワーモジュール１の等価回路は図７に示すようになっている。
【００９０】
また、図３に示すように、半導体チップ４４，４５、ワイヤ４６、一部の抵抗５１，コンデンサ５２，バイパスコンデンサ５３等は、レジン５４によって被覆されている。
【００９１】
なお、本実施形態１では、抵抗Ｒ1と抵抗Ｒ5がトリミングされて修正される。なお、トリミングは薄膜抵抗をトリミングするように構成してもよい。
【００９２】
本実施形態１では、電界効果トランジスタを２段に組み込んで、８００〜１０００ＭＨｚ、さらには１．４〜１．７ＧＨｚの携帯電話用の高周波パワーモジュールとすることができる。
【００９３】
つぎに、高周波パワーモジュール１の製造方法について説明する。
【００９４】
図１３乃至図１５は本実施形態１の高周波パワーモジュールの製造に係わる図であって、図１３は基板シートと組み込み部品の一部を示す分解斜視図、図１４は基板シートの配線基板形成部にキャップを取り付ける状態を示す一部の分解斜視図、図１５は基板シートの配線基板形成部にキャップを取り付けた状態を示す一部の斜視図である。
【００９５】
最初に、図１３に示すように、基板シート６０が用意される。この基板シート６０は、前記配線基板２を形成する配線基板形成部６１を平面的に複数配列したような構造になっている。本実施形態１では、前記配線基板形成部６１は３列４行に配列されている。各行および列の境界には、分割を容易にするために、たとえばＶ字溝６２が設けられている。
【００９６】
前記配線基板形成部６１は、基板シート６０をＶ字溝６２に沿って分断した場合、１２個の配線基板２が形成される。したがって、配線基板形成部６１の構造は、図３に示すような配線基板２の構造となる。また、材質も図３に示すものと同様に多層のセラミックス構造となっている。
【００９７】
配線基板形成部６１の両側（図１３乃至図１５における両側）の中央部分は、引っ掛かり部（係止部）２９が形成される。このため、基板シート６０の状態では行方向に隣接する配線基板形成部６１の境界部分には、前記引っ掛かり部２９を構成する長穴６３が設けられている。この長穴６３は、基板シート６０をＶ字溝６２に沿って分断されると、図５に示すように側面の窪み２８となる。
【００９８】
前記長穴６３の状態でも、キャップ４のフック１９のフック支持アーム１７を挿入してフック爪１８を長穴６３の引っ掛かり部２９に引っ掛けることができるようになっている。この場合、隣接するキャップ４は相互に干渉しないように構成されている。
【００９９】
また、配線基板２において、端面スルーホール２０を形成する部分では、基板シート６０の両側の配線基板形成部６１の露出端では端面スルーホール２０となっているが、行方向に隣接する配線基板形成部６１の境界部分では丸孔６５となり、分断されて端面スルーホール２０となる。
【０１００】
前記配線基板形成部６１の抵抗部分は独立し、図７に示される等価回路で示されるように、隣接する配線基板形成部６１との間に抵抗ループを形成しないようになっている。これは、後に抵抗のトリミングを行うためである。
【０１０１】
また、各配線基板形成部６１の内部には、図３に示すようなインピーダンス素子２１が複数設けられている。一部のインピーダンス素子２１は、回路内部における特性インピーダンスの整合をとるものであり、一部のインピーダンス素子２１は入力側あるいは出力側での特性インピーダンスの整合をとるものである。
【０１０２】
つぎに、前記基板シート６０の主面に能動部品や受動部品を組み込む。すなわち、半導体チップ４４，４５、抵抗５１、コンデンサ５２、バイパスコンデンサ５３が半田６６等によって固定される。また、半導体チップ４４，４５の電極と配線の所定部分は導電性のワイヤ４６で接続される。これによって、基板シート６０の主面への部品の組み込みが終了する。図１４では、図が微細となることから、ワイヤは符号を省略してある。
【０１０３】
つぎに、所定部分の抵抗のトリミングを行う。この際、基板シート６０の状態でも各配線基板形成部６１の抵抗部分は独立し、隣接する配線基板形成部６１との間で抵抗ループを形成しないことから、所定の抵抗のトリミングを行うことができる。本実施形態１の場合はＲ1およびＲ5の抵抗５１のトリミングが行われる。本実施形態１では、チップ抵抗５１のトリミングを行うが、セラミック基板に直接形成した薄膜からなる抵抗部分をトリミングするようにしてもよい。
【０１０４】
つぎに、図１４に示すように、基板シート６０の上方からキャップ４を押し下げ、図１５に示すように、基板シート６０の各配線基板形成部６１にキャップ４をフック１９を介して取り付ける。キャップ４の押し付けによって極めて容易にかつ確実にキャップ４が基板シート６０に取り付けられる。したがって、組立の作業性が良くなる。
【０１０５】
前記キャップ４は金属体で形成されていることから、シールド体として作用し、かつ配線基板形成部６１のグランド配線に電気的に接触接続されることになる。
【０１０６】
つぎに、前記基板シート６０をＶ字溝６２に沿って分断し、図１に示すような高周波パワーモジュール１を複数製造する。
【０１０７】
なお、基板シート６０をＶ字溝６２に沿って分断して配線基板２を形成した後、組み立てを行って高周波パワーモジュール１を製造するようにしてもよい。
【０１０８】
つぎに、本実施形態１による高周波パワーモジュール１の実装と、実装によって製造される電子装置について説明する。
【０１０９】
図１６乃至図１８は本実施形態１の電子装置に係わる図であって、図１６は電子装置の製造において高周波パワーモジュールを実装基板に実装する状態を示す一部の分解斜視図、図１７は高周波パワーモジュールを実装基板に実装してなる電子装置の一部を示す模式的斜視図、図１８は電子装置の一部を示す断面図である。
【０１１０】
図１６は電子装置を構成するマザーボード等の実装基板７０と、本実施形態１による高周波パワーモジュール１を示す。実際の実装基板７０には、その他に多数の電子部品が搭載されているが、ここでは高周波パワーモジュール１を実装する部分のみを模式的な図を用いて説明する。
【０１１１】
実装基板７０の主面には、高周波パワーモジュール１を固定するため、また実装基板７０の図示しない配線との電気的接続をとるためにランド７１が形成されている。ランド７１は、前記高周波パワーモジュール１の電極端子５が接続できるように、入力端子用ランド７２，グランド端子用ランド７３，ゲートバイアス端子用ランド７４，出力端子用ランド７５，グランド端子用ランド７６，電源端子用ランド７７となっている。また、これらのランド７１の表面には所定の厚さの半田層（図１６では図示せず）が設けられている。
【０１１２】
そこで、前記高周波パワーモジュール１をその裏面の電極端子５が、前記ランド７１上に重なるようにして半田をリフローし、図１７および図１８に示すように、電極端子５とランド７１を半田８０で接続する。
【０１１３】
この際、前記配線基板２の裏面の電極端子５において、グランド配線１５はその表面が実装用接合材に濡れないレジスト膜１４で部分的に覆われて相互に独立した複数のグランド端子７，８，１１，１２となっている。したがって、各電極端子５に均一に実装用接合材が濡れるため、各電極端子５は確実に実装用接合材を介して実装基板７０のランド７１に固定される。
【０１１４】
また、前記配線基板２の裏面の電極端子５の配列間隔は同一ピッチとなっている。したがって、各電極端子５は実装用接合材の片寄りもなく実装用接合材のブリッジ等の不良も発生しなくなる。また、実装のセルフアライン化も可能となる。
【０１１５】
また、本実施形態１の高周波パワーモジュール１は、実装基板７０のランド７１にフック支持アーム１７の先端を臨ませる構造になっていることから、半田リフロー時、前記フック支持アーム１７の先端部分にも半田８０が付き、フック支持アーム１７は実装基板７０のグランド端子用ランド７３，７６に機械的かつ電気的に確実に接続される。また、前記フック支持アーム１７のフック爪１８が引っ掛かる引っ掛かり部２９にはグランド配線１５が延在していることから、フック爪１８に付着した半田８０は前記グランド配線１５にも接触する。これによって、キャップ４は常時確実なシールド体として作用することになり、高周波パワーモジュールの高周波特性が安定する。
【０１１６】
本実施形態１の高周波パワーモジュール（混成集積回路装置）は以下の効果を奏する。
【０１１７】
（１）高周波パワーモジュール１は、電界効果トランジスタ等の能動部品や受動部品を主面に組み込んだ配線基板２と、この配線基板２の主面側に固定されたキャップ４とによって形成された矩形体構造となっていることから、従来のようにパッケージからリードを突出させたり、取付用フィンを突出させないため小型になる。特に長くリードを突出させないため、実装面積の大幅な縮小が達成できる。
【０１１８】
（２）キャップ４は接合材を用いることなく、キャップ４に設けられた係止部を介して配線基板２に設けられた係止部に取り付けられる構造となるため、組み立てが容易になる。特に、前記配線基板２の係止部は引っ掛かり部２９で構成され、前記キャップ４の係止部はキャップ４の下面から突出し前記引っ掛かり部２９に引っ掛けられるフック１９で構成されているので、配線基板２に対するキャップ４の取り付けが容易になり、生産性の向上を図ることができ、製造コストを低減できる。
【０１１９】
（３）配線基板２はストリップライン構造にマイクロストリップライン構造を積み重ねた構造となるため、伝送線路（信号配線等）の長さを長くとっても、伝送線路は多段に設けられるため、配線基板の大きさは小さくでき、高周波パワーモジュールの小型化が達成できる。
【０１２０】
（４）キャップ４およびフック１９は金属体で形成されているとともに、前記フック１９は高周波パワーモジュール１の電極端子５を実装基板７０のランド７１に半田８０の溶融によって固定する際、グランド用ランド部分（グランド端子用ランド７３，７６）に付着する半田８０に接続されるように構成されていることから、実装基板７０に実装した場合、キャップ４のシールド効果が安定する。すなわち、配線基板２の引っ掛かり部２９にフック１９を引っ掛けるだけの構造では、実装基板７０に振動が加わったりした場合、シールド効果が不安定になるおそれもあるが、本実施形態１のように、実装時の半田で固定する構造ではシールド効果が安定して得られる。
【０１２１】
（５）配線基板２の引っ掛かり部２９にキャップ４のフック１９を接合材を介して固定（固着）する方法は、実装時の半田リフローによるため、高周波パワーモジュール１の製造時、配線基板２とキャップ４の固着作業（工程）が不要となり、高周波パワーモジュール１の製造コストの低減が達成できる。
【０１２２】
（６）キャップ４の外周縁は配線基板２の外周縁に一致または前記配線基板の外周縁よりも内側に位置していることから、高周波パワーモジュール１の小型化が図れる。
【０１２３】
（７）配線基板２の所定箇所には導体によるインピーダンス素子２１が設けられていることから、配線基板２に特性インピーダンス整合用の電子部品を搭載することなく特性インピーダンスの整合がとれる。これにより、部品点数の削減から高周波パワーモジュール１の製造コストの低減が達成できる。
【０１２４】
（８）半導体チップ４４，４５の裏面はグランド電極となり、このグランド電極を介して配線基板２のグランド配線に接続されていることから、半導体チップのグランド電極となる電極部分のインダクタンスが小さくなり、高周波性能が向上する。たとえば、半導体チップの裏面がソース電極の場合、ソースインダクタンスが小さくなり、高周波性能が向上する。
【０１２５】
（９）配線基板２の裏面に電極端子５を設けるとともに、配線基板２をキャップ４で覆うことによって高周波パワーモジュール１を形成していることから、部品点数が少なくなり、組立工数の低減，材料費の低減から製造コストの低減が達成できる。
【０１２６】
本実施形態１の高周波パワーモジュールの製造で用いる基板シート６０は以下の効果を奏する。
【０１２７】
（１）基板シート６０の状態で各配線基板形成部６１にキャップ４を取り付けることができるので、基板シート６０に能動部品や受動部品を組み込みかつキャップ４を取り付けた後基板シート６０を分断することができ、組立のライン化が可能となる。
【０１２８】
（２）配線基板形成部６１の回路は隣接する配線基板形成部６１との間で抵抗ループを構成しない回路構成になっていることから、能動部品や受動部品を組み込んだ後、基板シート６０の状態で抵抗のトリミングを行うことができる。
【０１２９】
（３）配線基板形成部６１において、所定箇所の配線部分に配線基板２の厚さ方向に他の配線に接続されない導体によるインピーダンス素子２１が設けられていることから、配線基板形成部６１に特性インピーダンス整合用の電子部品を搭載することなく特性インピーダンスの整合をとることができる。また、この基板シート６０の使用によって、特性インピーダンスの整合のために特別の部品を必要としなくなる。この結果、本基板シート６０の使用によって高周波パワーモジュール１の製造コストの低減が達成できる。
【０１３０】
本実施形態１の高周波パワーモジュールを組み込んだ電子装置は以下の効果を奏する。
【０１３１】
（１）実装基板７０に実装された高周波パワーモジュール１のキャップ４はシールド体となるとともに、フック１９を介して実装基板７０のグランド用ランド部分（グランド端子用ランド７３，７６）に半田８０を介して接続されるため、高周波パワーモジュール１部分のシールド効果は安定し、高周波特性に優れた電子装置になる。
【０１３２】
（２）高周波パワーモジュール１の配線基板２には、導体によるインピーダンス素子２１が設けられていることから、実装基板７０に実装された状態において接続される他の配線との間の特性インピーダンスの整合がとれ、高周波特性に優れた電子装置になる。
【０１３３】
以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。たとえば、前記実施形態では、配線基板は３枚のセラミック板を重ねた構造となっているが、さらに多くの枚数を多層としてもよい。
【０１３４】
また、前記配線基板は多層配線構造となっていることから、誘電体層の厚さをさらに薄くでき、容量の増大を図ることができる。また、多層配線基板となることから、信号配線の長さもさらに長くできるため、特性インピーダンスの増大を図ることも可能である。この場合、酸化チタンやチタン酸バリウム等誘電率の高い材料を誘電体層（誘電体板）として使用すれば、容量の増大はさらに高くなる。
【０１３５】
また、前記配線基板は、ガラスセラミック以外の配線基板材料を用いて形成できる。
【０１３６】
また、低温焼成の配線基板の場合、高導電性金属による配線としては、金や銅を使用できる。
【０１３７】
また、前記キャップは全体を絶縁性のもので形成してもよい。この場合、表面全体に導電性のメッキ膜を形成しておけばシールド体として使用できる。また、キャップを金属体で構成する場合、その材質を半田に濡れ易いものとするか、あるいは表面に半田に濡れ易い被膜を形成しておくとよい。
【０１３８】
また、配線基板とキャップのそれぞれの係止部は他の構造でもよい。たとえば、配線基板の係止部を配線基板の主面に孔を設け、この孔の内壁部分に引っ掛かり部を形成するようにしてもよい。この場合、基板シートでは、配線基板形成部の境界よりも内側に前記孔が形成される。
【０１３９】
なお、高周波パワーモジュール１において、ゲインコントロールを行うタイプでは、前記ゲートバイアス端子９はゲインコントロール端子（Ｖapc）となる。
【０１４０】
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明をその背景となった利用分野である高周波パワーモジュールに適用した場合について説明したが、それに限定されるものではない。本発明は少なくとも混成集積回路装置には適用できる。
【０１４１】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【０１４２】
（１）配線基板にキャップが重なるとともに、前記配線基板の裏面に外部端子となる電極端子が設けられる構造となることから、高周波パワーモジュールの小型化が達成できる。
【０１４３】
（２）キャップは配線基板に対してワンタッチで着脱できる構造となっていることから、組立作業性が高くなり、高周波パワーモジュールの製造コストの低減が達成できる。
【０１４４】
（３）キャップはシールド体となるとともに、キャップの係止部は高周波パワーモジュールの実装時、実装基板のグランド用ランド部分の導電性接合材に接触するため、キャップのシールド効果は安定する。
【０１４５】
（４）キャップはシールド体となるとともに、キャップの係止部は高周波パワーモジュールの実装時、実装基板のグランド用ランド部分の導電性接合材に接続するようになっていることから、高周波パワーモジュールの製造時、配線基板とキャップの固着作業は不要になり、高周波パワーモジュールの製造コストの低減を達成することができる。
【０１４６】
（５）配線基板には導体によるインピーダンス素子が設けられていることから、特性インピーダンスの整合用に部品を用意する必要もない。したがって、配線基板の主面に特性インピーダンスの整合用の部品の実装スペースが不要となる。また、部品数低減によって高周波パワーモジュールの製造コストの低減を達成することができる。
【０１４７】
（６）高周波パワーモジュールの製造においては、基板シートの各配線基板形成部に部品の組み込み、抵抗のトリミング，キャップの取り付けを行った後、基板シートを分断することによって高周波パワーモジュールを製造することができるため、生産性が向上し、品質の安定化、製造コストの低減化が達成できる。
【０１４８】
（７）高周波パワーモジュールのキャップはシールド体となるとともに、キャップの係止部は高周波パワーモジュールの実装時、実装基板のグランド用ランド部分の導電性接合材に接続することから、高周波パワーモジュールを組み込んだ電子装置の高周波特性が安定する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態１である高周波パワーモジュールの外観を示す斜視図である。
【図２】本実施形態１の高周波パワーモジュールの一部を切り欠いた状態の斜視図である。
【図３】本実施形態１の高周波パワーモジュールの断面図である。
【図４】本実施形態１の高周波パワーモジュールの一部の断面図である。
【図５】本実施形態１の高周波パワーモジュールにおける配線基板とキャップの取付部分を示す一部の分解斜視図である。
【図６】本実施形態１のキャップを取り外した高周波パワーモジュールを示す平面図である。
【図７】本実施形態１の高周波パワーモジュールの等価回路図である。
【図８】本実施形態１の高周波パワーモジュールにおける配線基板の表面、すなわち上段誘電体層の露出面に形成される配線パターン（第１層配線）を示す平面図である。
【図９】本実施形態１の高周波パワーモジュールにおける配線基板の上段誘電体層と中段誘電体層との間に形成される配線パターン（第２層配線）を示す平面図である。
【図１０】本実施形態１の高周波パワーモジュールにおける配線基板の中段誘電体層と下段誘電体層との間に形成される配線パターン（第３層配線）を示す平面図である。
【図１１】本実施形態１の高周波パワーモジュールにおける配線基板の裏面、すなわち下段誘電体層の露出面に形成される配線パターン（第４層配線）を示す底面図である。
【図１２】本実施形態１の高周波パワーモジュールにおけるグランド配線となる第２層配線および第４層配線の一部を示す平面図である。
【図１３】本実施形態１の高周波パワーモジュールの製造における基板シートと組み込み部品の一部を示す分解斜視図である。
【図１４】本実施形態１の高周波パワーモジュールの製造において、基板シートの配線基板形成部にキャップを取り付ける状態を示す一部の分解斜視図である。
【図１５】本実施形態１の高周波パワーモジュールの製造において、基板シートの配線基板形成部にキャップを取り付けた状態を示す一部の斜視図である。
【図１６】本実施形態１の高周波パワーモジュールを実装基板に実装する状態を示す一部の分解斜視図である。
【図１７】本実施形態１の高周波パワーモジュールを実装基板に実装してなる電子装置の一部を示す模式的斜視図である。
【図１８】本実施形態１の電子装置の一部を示す断面図である。
【符号の説明】
１…混成集積回路装置（高周波パワーモジュール）、２…配線基板、３…周壁、４…キャップ、５…電極端子（外部端子）、６…入力端子（Ｐin）、７…グランド端子（ＧＮＤ）、８…グランド端子（ＧＮＤ）、９…ゲートバイアス端子（Ｖg）、１０…出力端子（Ｐout）、１１，１２…グランド端子（ＧＮＤ）、１３…電源端子（Ｖdd）、１４…レジスト膜、１５…グランド配線、１６…サーマルビィア、１７…フック支持アーム、１８…フック爪、１９…フック、２０…端面スルーホール、２１…インピーダンス素子、２５…上段誘電体層、２６…中段誘電体層、２７…下段誘電体層、２８…窪み、２９…引っ掛かり部、３０…第１層配線、３１…第２層配線、３２…第３層配線、３３…第４層配線、３４…短辺部、３５…信号配線、３６…電源配線、４０…ブラインド型ビィア、４１…貫通型ビィア、４２，４３…窪み、４４，４５…半導体チップ、４６…ワイヤ、４７…接合材、５１…抵抗、５２…コンデンサ、５３…バイパスコンデンサ、５４…樹脂（レジン）、５５…編み目部分、６０…基板シート、６１…配線基板形成部、６２…Ｖ字溝、６３…長穴、６５…丸孔、６６…半田、７０…実装基板、７１…ランド、７２…力端子用ランド、７３…グランド端子用ランド、７４…ゲートバイアス端子用ランド、７５…出力端子用ランド、７６…グランド端子用ランド、７７…電源端子用ランド、８０…半田。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a surface-mounted hybrid integrated circuit device using a low-temperature-fired wiring board, a substrate sheet used for manufacturing the same, and an electronic device incorporating the hybrid integrated circuit device, and more particularly to a small-sized transmitter used in a transmitter of a cellular phone or the like The present invention relates to a technology that is effective when applied to a high-frequency power amplifier (high-frequency power module: RF power module).
[0002]
[Prior art]
An RF power module used in a radio unit of a mobile communication device such as an automobile phone or a mobile phone has a package formed of a metal flange and a cap. In addition, an electrode terminal such as a signal terminal protrudes from one side surface of the package, and mounting fins that also serve as ground electrodes protrude from lower portions of both ends of the package.
[0003]
In the package, a wiring board having conductors on both sides is fixed on the flange. This wiring board has a so-called microstrip line structure in which a circuit pattern is provided on the front surface of a dielectric substrate and a ground (GND) pattern is provided on the back surface. The wiring board is partially provided with holes. And the heat sink with favorable heat conductivity is being fixed to the flange part of the said hole bottom. A semiconductor chip made of a field effect transistor is fixed to the heat sink.
[0004]
The high-frequency power module (high-frequency power amplification MOS / power module) is described in “Hitachi Review” issued by Hitachi Critic Co., Ltd., No. 4 in 1993, April 25, the same year, P12 to P26. This document discloses an E-type high-frequency power module having a width of 22 mm, a depth of 12 mm, and a height of 3.7 mm.
[0005]
In a high-frequency hybrid integrated circuit device such as a VCO or a DC / DC converter, the cap is attached to the substrate via solder. The VCO and DC / DC converter are described in “Murata Manufacturing Co., Ltd.”, catalog, catalog number K10-2, issued April 2, 1996, P487 and P710.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
Conventional high-frequency power modules can be broadly divided into a metal flange (header), a wiring board fixed on the flange, and a heat sink fixed to the flange using a hole provided in the wiring board. It consists of a semiconductor chip to be fixed, a cap fixed to the flange and covering the wiring board, and an electrode terminal (lead) fixed to the wiring board and having a tip protruding outside the cap. Further, both ends of the flange partially protrude outside the cap to constitute mounting fins that also serve as ground electrodes.
[0007]
Electronic components such as capacitors, resistors, and Zener diodes are mounted on the surface of the wiring board. Further, the wiring on the surface of the wiring board and the electrodes of the semiconductor chip are connected by a conductive wire.
[0008]
As a result of studying downsizing, high performance, low cost, etc. of the conventional high frequency power module, it was found that the following items hinder downsizing, high functionality, low cost, and the like.
[0009]
(1) The wiring board has a microstrip line structure in which circuit patterns such as signal wiring and power supply wiring are provided on the front surface of the dielectric substrate, and a ground (GND) pattern is provided on the back surface. This is because the characteristics are adjusted by trimming the resistance or adjusting the line width after the production of the wiring board. However, in the microstrip line structure in which the signal wiring is formed on one surface of the dielectric substrate, the wiring length of the signal wiring is long in order to obtain desired electrical characteristics. As a result, the size of the high frequency power module is hindered.
[0010]
(2) Since the structure is such that the wiring board is fixed on the flange and covered with a cap, the height of the package is increased, and miniaturization of the high-frequency power module is hindered.
[0011]
(3) A part of both ends of the flange protrudes to the outside of the cap and constitutes a mounting fin that also serves as a ground electrode, so that the high-frequency power module is enlarged. Therefore, the mounting area is also increased.
[0012]
(4) Since the lead protrudes long from one side of the package (cap), the high-frequency power module is increased in size. Therefore, the mounting area is also increased.
[0013]
(5) Since the height of the surface of the semiconductor chip and the wiring surface of the wiring board are different, the wire connecting the electrode of the semiconductor chip and the wiring becomes long. Further, since the semiconductor chip is fixed on a heat sink fixed to the flange at the bottom of the hole provided in the wiring board, the distance between the electrode of the semiconductor chip and the wiring becomes long, and the wire becomes long. As the wire becomes longer, the resistance increases and the high-frequency characteristics decrease. For example, the output gain is reduced.
[0014]
(6) Since the wiring board is formed of a dielectric substrate, a semiconductor chip having a large amount of heat generation cannot be directly mounted on the wiring board. Therefore, a hole is provided in the wiring board, and a metal flange portion at the bottom of the hole Since a heat sink having good thermal conductivity is fixed to the semiconductor chip and the semiconductor chip is fixed to the heat sink, the cost of the high-frequency power module is increased due to an increase in the number of parts and an increase in the number of assembly steps.
[0015]
(7) Since the flange that also serves as the support member, the heat radiating member, and the ground electrode is fixed to the wiring board, the number of parts increases.
[0016]
(8) Although mounting fins are formed by molding a part of the flange for mounting the high frequency power module, the mounting surface height of each mounting fin tends to vary due to molding, and mounting reliability May be damaged.
[0017]
In order to solve these problems, the present applicant has already proposed a hybrid integrated circuit device (Japanese Patent Application No. 7-268354, filed on Oct. 17, 1995).
[0018]
The present invention relates to a further improvement of the hybrid integrated circuit device of the above-mentioned application.
[0019]
On the other hand, in a high-frequency hybrid integrated circuit device such as a VCO or a DC / DC converter, when a cap is directly attached to a wiring board, it is attached by soldering. Soaring Is invited.
[0020]
An object of the present invention is to provide a small hybrid integrated circuit device that acts as a shield body in which a cap is stable in a mounted state, and a manufacturing method thereof.
[0021]
Another object of the present invention is to provide a hybrid integrated circuit device that can achieve a reduction in manufacturing cost.
[0022]
Another object of the present invention is to provide a substrate sheet for manufacturing a hybrid integrated circuit device with good assembly processing efficiency.
[0023]
Another object of the present invention is to provide an electronic device having stable characteristics.
[0024]
The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
[0025]
[Means for Solving the Problems]
The following is a brief description of an outline of typical inventions disclosed in the present application.
[0026]
(1) The hybrid integrated circuit device has the following configuration.
[0027]
(A) a wiring board, at least one or more active and passive components incorporated in the main surface of the wiring board, a cap fixed to the wiring board so as to cover the main surface of the wiring board, and the wiring board A hybrid integrated circuit device having a plurality of electrode terminals provided on the back surface of the cap, wherein the cap is attached to a locking portion provided on the wiring board via a locking portion provided on the cap. And it is the structure which is not connected by the electroconductive joining material.
[0028]
(B) The locking portion of the wiring board is configured by a hook portion formed by a recessed portion provided on a side surface of the wiring substrate or a hole portion provided on the main surface of the wiring substrate, and the locking portion of the cap is a cap. It is comprised with the hook which protrudes from the lower surface of this and is hooked on the said hook part.
[0029]
(C) The cap and the hook provided on the cap are entirely formed of a conductor (metal body) so as to form a shield body, and the hook serves as an electrode terminal of the hybrid integrated circuit device as a land of the mounting substrate. When the conductive bonding material is fixed by melting the conductive bonding material, it is connected to the bonding material attached to the ground land portion.
[0030]
(D) The outer peripheral edge of the cap coincides with the outer peripheral edge of the wiring board or is located inside the outer peripheral edge of the wiring board.
[0031]
(E) In the wiring board, an impedance element made of a conductor that is not connected to another wiring is provided in a wiring portion at a predetermined location in the thickness direction of the wiring board.
[0032]
(F) A semiconductor chip is mounted as the active component, and a ground electrode is provided on the back surface of the semiconductor chip, and is connected to the ground wiring of the wiring board via the ground electrode.
[0033]
(G) A semiconductor chip constituting a field effect transistor is connected to the wiring board in multiple stages in a circuit to constitute a high frequency power module.
[0034]
(2) A substrate sheet used for manufacturing a hybrid integrated circuit device has the following configuration.
[0035]
(A) A board sheet for manufacturing a hybrid integrated circuit device having a plurality of wiring board forming portions in a plane and divided at a boundary of the wiring board forming portion, and in a region or boundary of the wiring board forming portion The part is provided with a locking part used to attach a cap constituting the hybrid integrated circuit device to the wiring board forming part, and an active component and a passive part are mounted on the main surface of the wiring board forming part. Wiring lines are provided, and electrode terminals serving as external electrodes are provided on the back surface.
[0036]
(B) The circuit of each wiring board forming unit has a circuit configuration that does not form a resistance loop between adjacent wiring board forming units.
[0037]
(C) In the wiring board forming portion, an impedance element made of a conductor that is not connected to another wiring is provided in a wiring portion at a predetermined location in the thickness direction of the wiring board.
[0038]
(3) An electronic device incorporating a hybrid integrated circuit device has the following configuration.
[0039]
(A) a mounting substrate having a land for fixing the hybrid integrated circuit device on the main surface, and a hybrid integrated circuit device overlapping the land via an electrode terminal on the back surface, wherein the land and the electrode terminal are electrically conductive The hybrid integrated circuit device includes a wiring board on which an active component and a passive component are mounted, and a main surface of the wiring board so as to cover the active component and the passive component. A cap that is fixed; and an electrode terminal that is provided on a back surface of the wiring board; and the cap of the hybrid integrated circuit device is a latch provided on the wiring board via a latching portion provided on the cap. The cap and the locking portion provided on the cap are formed of a conductor to form a shield body, and the locking portion of the cap is a land portion for grounding the mounting substrate. It is connected to the bonding material.
[0040]
(B) The latching portion of the wiring board is configured by a hooking portion formed by a recessed portion provided on a side surface of the wiring board, and the hooking portion of the cap protrudes from the lower surface of the cap and is hooked on the hooking portion. It consists of
[0041]
(C) In the wiring board of the hybrid integrated circuit device, an impedance element made of a conductor not connected to another wiring is provided in a wiring portion at a predetermined location in the thickness direction of the wiring board.
[0042]
(D) A semiconductor chip constituting a field effect transistor is connected to the wiring board in multiple stages in a circuit to constitute a high frequency power module.
[0043]
According to the means (1),
(A) A high-frequency power module (hybrid integrated circuit device) is formed by a wiring board in which active components such as field effect transistors and passive components are incorporated in the main surface, and a cap fixed to the main surface side of the wiring substrate. Since the rectangular structure is used, the lead is not projected from the package and the mounting fin is not projected as in the conventional case, so that the size is reduced.
[0044]
(B) Since the cap is structured to be attached to the locking portion provided on the wiring board via the locking portion provided on the cap without using a bonding material, the assembly is facilitated in the manufacture. . In particular, the locking portion of the wiring board is configured by a hook portion, and the locking portion of the cap is configured by a hook that protrudes from the lower surface of the cap and is hooked on the hook portion, so that the cap can be easily attached. Thereby, in the manufacture, since the fixing work by the bonding material is not necessary, a reduction in manufacturing cost can be achieved.
[0045]
(C) The cap and the hook are formed of a metal body, and the hook is fixed to the ground land portion when the electrode terminal of the hybrid integrated circuit device is fixed to the land of the mounting substrate by melting the conductive bonding material. Since it is configured to be connected to the adhering bonding material, the cap shielding effect is stabilized when mounted on a mounting board.
[0046]
(D) Since the outer peripheral edge of the cap coincides with the outer peripheral edge of the wiring board or is located on the inner side of the outer peripheral edge of the wiring board, the hybrid integrated circuit device can be reduced in size.
[0047]
(E) Since an impedance element made of a conductor is provided at a predetermined position of the wiring board, matching of characteristic impedance can be achieved without mounting characteristic impedance matching electronic parts on the wiring board.
[0048]
(F) Since the back surface of the semiconductor chip serves as a ground electrode and is connected to the ground wiring of the wiring board via the ground electrode, the inductance of the electrode portion that serves as the ground electrode of the semiconductor chip is reduced, and the high-frequency performance is improved. improves. For example, when the back surface of the semiconductor chip is a source electrode, the source inductance is reduced and the high frequency performance is improved.
[0049]
According to the means (2),
(A) Since a cap can be attached to each wiring board forming portion of the board sheet, the active and passive parts can be incorporated into the board sheet and the board sheet can be divided after the cap is attached. It becomes possible.
[0050]
(B) Since the circuit of each wiring board forming part has a circuit configuration that does not form a resistance loop with the adjacent wiring board forming part, the state of the board sheet after incorporating active components and passive components The resistor can be trimmed.
[0051]
(C) In the wiring board forming portion, impedance elements made of conductors that are not connected to other wirings are provided in the wiring portion in the thickness direction at predetermined wiring portions. The characteristic impedance can be matched without mounting electronic components.
[0052]
According to the means (3),
(A) The cap of the high-frequency power module (hybrid integrated circuit device) mounted on the mounting substrate serves as a shield and is connected to the ground land portion of the mounting substrate via a hook via a conductive bonding material. Therefore, the shielding effect of the hybrid integrated circuit device portion is stable, and the electronic device is excellent in high frequency characteristics.
[0053]
(B) Since the wiring board of the high-frequency power module is provided with an impedance element made of a conductor, the characteristic impedance can be matched with other wiring connected in a state of being mounted on the mounting board, An electronic device with excellent high-frequency characteristics is obtained.
[0054]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
[0055]
Note that components having the same function are denoted by the same reference symbols throughout the drawings for describing the embodiment of the invention, and the repetitive description thereof is omitted.
[0056]
FIGS. 1 to 7 are views related to the high-frequency power module according to the first embodiment of the present invention. FIG. 1 is a perspective view showing an appearance of the high-frequency power module, and FIG. 2 is a perspective view with a part cut away. 3 is a cross-sectional view, FIG. 4 is a partial cross-sectional view, and FIG. 5 is a partial exploded perspective view showing a mounting portion of a wiring board and a cap. FIG. 6 is a plan view showing the high-frequency power module with the cap removed, and FIG. 7 is an equivalent circuit diagram of the high-frequency power module.
[0057]
As shown in FIGS. 1 to 3, the 1 hybrid integrated circuit device (high frequency power module) 1 of the present embodiment has a cap 4 overlaid on the main surface (upper surface) of the plate-like wiring board 2. It has a flat rectangular structure.
[0058]
The high-frequency power module 1 according to the first embodiment is configured as a high-frequency power module for mobile phones by connecting semiconductor chips constituting field effect transistors in multiple stages as active components. In this example, a high-frequency power module is formed in which semiconductor chips are connected in two stages in a circuit.
[0059]
In the high-frequency power module 1 according to the first embodiment, the outer peripheral edge of the cap 4 coincides with the outer peripheral edge of the wiring board 2 or is positioned on the inner side.
[0060]
The cap 4 has a structure in which a metal plate is drawn into a rectangular box shape and has a peripheral wall 3 protruding along the periphery of the lower surface. Further, as shown in FIGS. 1 to 5, a hook support arm 17 that further protrudes from the peripheral wall 3 portion at the center of both sides of the cap 4 is provided. A protruding hook claw 18 that is also formed by molding is provided on the inner side of the tip end side of the hook support arm 17. The hook claw 18 and the hook support arm 17 form a resilient hook (locking portion) 19.
[0061]
In the peripheral wall 3, the protrusion length of a predetermined portion is shortened, and the tip of the short side portion 34 is separated from the main surface of the wiring board 2 by a predetermined interval. The cap 4 has a thickness of 0.1 mm, and is made of, for example, a platingless white or nickel-plated phosphor bronze, and is easily wetted by solder.
[0062]
In the central part on both sides of the wiring board 2, a recess 28 for receiving the hook support arm 17 is provided. A part of the bottom of the recess 28 is further recessed, and the stepped portion constitutes a hook portion (locking portion) 29 on which the hook claw 18 is hooked. When the hook claw 18 is hooked on the hook portion 29 by the recess 28, the hook support arm 17 does not protrude outside the recess 28.
[0063]
The hook 19 elastically acts on the hook 19 because the hook support arm 17 is formed of a metal body (metal plate). Further, since the tip of the peripheral wall 3 of the cap 4 is in contact with the main surface of the wiring board 2 and the hook claw 18 is elastically hooked on the back surface of the wiring board 2, the cap 4 is attached to the wiring board 2 via the hook 19. The cap 4 is securely fixed to the wiring board 2. Moreover, since the hook 19 is acting elastically on the wiring board 2, the cap 4 can be easily removed.
[0064]
The locking portions of the wiring board 2 and the cap 4 may have other structures.
[0065]
As will be described later, the hook 19 is a bonding material (attached to the land portion for ground) when the electrode terminal on the back surface of the high-frequency power module 1 is fixed to the land of the mounting substrate by melting the conductive bonding material (solder). It is arranged and configured to be connected to the solder. At this time, a ground wiring is provided in the latching portion of the wiring board 2, that is, the catching portion 29, and this ground wiring portion is also wetted by the solder.
[0066]
The high-frequency power module 1 has, for example, a width of 8 mm, a length of 12.3 mm, and a height of 2.5 mm, which is significantly larger than the conventional E-type high-frequency power module having a width of 22 mm, a depth of 12 mm, and a height of 3.7 mm. It becomes small.
[0067]
On the other hand, as shown in FIG. 11, a plurality of electrode terminals (external terminals) 5 are provided on the back surface of the wiring board 2. The electrode terminals 5 are respectively provided on both sides of the wiring board 2 and are arranged at a constant pitch along the longitudinal direction of the wiring board 2. On one side (upper side in the figure), the input terminals (P in ) 6, ground terminal (GND) 7, ground terminal (GND) 8, gate bias terminal (V g ) 9. On the other side (lower side in the figure), the output terminal (P out ) 10, ground terminal (GND) 11, ground terminal (GND) 12, power supply terminal (V dd ) 13.
[0068]
On the side surface of the wiring board 2 corresponding to the input terminal 6, the gate bias terminal 9, the output terminal 10, and the power supply terminal 13, end face through holes are provided in the part from the front surface to the back surface of the wiring board 2. This is because when the high-frequency power module 1 is mounted on the mounting board, each electrode terminal is mounted by being connected by the electrode part on the back surface of the wiring board 2 and the end surface through-hole 20 part on the side surface. Yes.
[0069]
From the above, although the high-frequency power module 1 of the present embodiment is a hybrid integrated circuit device, it has an LCC structure in which a single semiconductor chip is incorporated in a package, and downsizing of the product can be achieved.
[0070]
On the other hand, in FIG. 11, the hatched portion extending so as to partition the four ground terminals (GND) 7, 8, 11 and 12 is a mounting bonding material used when the high frequency power module 1 is mounted on the mounting substrate. This is a resist film 14 formed of a material that does not wet. For example, since the high frequency power module 1 is mounted on a mounting substrate by solder, the resist film 14 becomes a solder resist film having a thickness of about 20 μm.
[0071]
The resist film 14 is provided so as to cover the ground wiring. Therefore, on the back surface of the wiring board 2, the ground (GND) is integrated over the region where the four ground terminals (GND) 7, 8, 11, 12 extend and the region covered with the resist film 14. The wiring 15 (see FIG. 3, the resist film 14 is omitted in FIG. 3) extends. This is because, as will be described later, a so-called stripline structure in which signal wiring, power supply wiring, and the like are sandwiched by ground wiring via a dielectric layer at the top and bottom to perform electrostatic shielding.
[0072]
Further, partially covering the integrated ground wiring 15 with the resist film 14 to form a plurality of independent ground terminals 7, 8, 11, 12 is to prevent the area difference between the electrode terminals from becoming too large. That is, when the high-frequency power module 1 is solder-mounted, if the area difference between the electrode terminals is extremely large, the floating height of the high-frequency power module 1 in a large area is increased by the surface tension of the solder, and is provided in all directions. In a small area portion, there is a possibility that poor bonding may occur in part. Therefore, in the present embodiment, the area ratio of each electrode terminal is about twice as much as possible.
[0073]
In addition, the self-alignment is promoted by arranging the electrode terminals at an equal pitch among the electrode terminals arranged in a line. Also, mounting defects such as solder bridges can be prevented.
[0074]
In addition, the small circles shown in FIG. 11 are thermal vias 16 that transfer heat generated in the high-frequency power module 1 to the outside, and only a part of them is shown in the figure. The thermal via 16 has a structure in which a thermal via hole is filled with a metal having good thermal conductivity. The thermal via 16 is provided, for example, under a semiconductor chip that is an active component that generates a large amount of heat.
[0075]
In the first embodiment, the semiconductor chips 44 and 45 form a power MOSFET, and the back surface is provided with a source electrode (ground electrode) grounded to the ground. The ground electrode is fixed to the ground wiring of the wiring board 2 by a bonding material 47 made of solder. The heat generated in the power MOSFET is quickly transmitted to the back surface of the wiring board 2 by the thermal via 16 and is dissipated from the external terminals 5 of the wiring board 2 to the mounting board.
[0076]
2 and 3, the wiring board 2 includes an upper dielectric layer (upper dielectric plate) 25, an intermediate dielectric layer (middle dielectric plate) 26, and a lower dielectric layer (lower dielectric plate) 27. And a dielectric layer (dielectric plate) are stacked in three stages.
[0077]
Further, a wiring pattern (first layer wiring 30) as shown in FIG. 8 is provided on the upper surface (exposed surface) of the upper dielectric layer 25. Further, a wiring pattern (second layer wiring 31) as shown in FIG. 9 is provided between the upper dielectric layer 25 and the middle dielectric layer 26, and the middle dielectric layer 26 and the lower dielectric layer 27 are provided. Is provided with a wiring pattern (third layer wiring 32) as shown in FIG. 10, and a wiring pattern (fourth layer wiring) as shown in FIG. 11 is provided on the back surface (exposed surface) of the lower dielectric layer 27. 33).
[0078]
The wiring board 2 is made of, for example, a low-temperature fired wiring board in which glass ceramics are laminated, and the wiring uses a highly conductive metal, for example, a silver-based metal. That is, the outer layer wiring uses Ag-Pt, and the interior wiring uses Ag. Low-temperature firing is about 600 ° C., and Ag having a low melting point can be used. Since Ag is a highly conductive metal having a low resistance value, improvement in high frequency characteristics can be achieved.
[0079]
8 to 11, reference numeral 35 denotes a signal wiring, 36 denotes a power supply wiring, and 15 denotes a ground wiring. As a result, the third layer wiring 32 between the middle dielectric layer 26 and the lower dielectric layer 27 becomes the second layer wiring 31 on the middle dielectric layer 26 and the fourth layer wiring below the lower dielectric layer 27. Since 33 becomes the ground wiring 15, a stripline structure is formed. The first layer wiring 30 on the upper dielectric layer 25 has a microstrip line structure because the second layer wiring 31 to be the ground wiring 15 is provided on the lower surface of the upper dielectric layer 25.
[0080]
Since the inner layer signal wiring is sandwiched between the upper and lower sides of the dielectric layer, electrostatic shielding is possible and the high frequency characteristics are stabilized.
[0081]
The ground wiring 15 between the upper dielectric layer 25 and the middle dielectric layer 26 has a stitch (mesh) structure as shown in FIG. For this reason, the dielectric layers of the upper dielectric layer 25 and the middle dielectric layer 26 enter the stitch portion 55, the bonding strength between the upper and lower dielectric layers of the ground wiring is increased, and the wiring substrate 2 is difficult to peel off.
[0082]
Each of the first layer wiring 30, the second layer wiring 31, the third layer wiring 32, and the fourth layer wiring 33 has a thickness of about 10 to 20 μm. The thickness of the entire wiring board 2 is, for example, 0.9 mm.
[0083]
On the other hand, each of the first layer wiring 30, the second layer wiring 31, the third layer wiring 32, and the fourth layer wiring 33 is a dielectric having a desired depth from a desired dielectric layer as shown in FIG. Blind via 40 extending through to the layer, penetrating via 41 extending through from the uppermost dielectric layer to the lowermost dielectric layer, and extending from the desired dielectric layer to the lowermost dielectric layer Are electrically connected by a thermal via 16.
[0084]
In the first embodiment, a conductor impedance element 21 is provided. The impedance element 21 is formed by a via that is not connected to another wiring in the thickness direction of the wiring board 2 at a predetermined wiring portion. This acts as an inductance or a capacitance as in the case of a stub provided in a plane, and becomes an adjustment body for matching characteristic impedance. In particular, in a high frequency module for a mobile phone having a frequency of 1 GHz or more, the impedance element 21 is effective in stabilizing high frequency characteristics.
[0085]
The via for forming the impedance element, the blind-type via 40, the through-type via 41 and the thermal via 16 have a structure in which a via hole is filled with Ag.
[0086]
In addition, end surface through holes 20 having a semicircular arc cross section are provided on both side surfaces of the three upper dielectric layers 25, the middle dielectric layer 26, and the lower dielectric layer 27, and the fourth layer of the lower dielectric layer 27 is formed. It is connected to each external terminal 5 (input terminal 6, ground terminals 7, 8, 11, 12, gate bias terminal 9, output terminal 10, power supply terminal 13) formed by wiring 33.
[0087]
As shown in FIGS. 3 and 6, rectangular recesses 42 and 43 are provided in the upper dielectric layer 25, and semiconductor chips 44 and 45 are fixed to the bottoms of these recesses 42 and 43. Due to the depressions 42 and 43, the upper electrode surface (not shown) of the semiconductor chips 44 and 45 and the wiring surface have substantially the same height. For this reason, since the conductive wire 46 that connects the electrodes of the semiconductor chips 44 and 45 and the wiring can be formed with a low tension (loop), the wiring and the electrodes of the semiconductor chip can be connected with a short length. The high frequency characteristics can be improved by reducing the resistance. For example, an improvement in output gain can be achieved.
[0088]
On the other hand, as shown in FIG. 3, the semiconductor chip 45 is fixed to the second layer wiring 31 to be the ground wiring 15 by using a bonding material 47 such as silver paste. In addition, a number of thermal vias 16 are provided in the portion where the semiconductor chips 44 and 45 are fixed, so that heat generated from the semiconductor chips 44 and 45 is quickly transmitted to the outside. The heat is radiated to the mounting substrate via the ground wiring 15 and the resist film 14 on the back surface of the wiring substrate 2. Therefore, the semiconductor chips 44 and 45 operate stably.
[0089]
As shown in FIG. 6, a power MOSFET (T 1 , T 2 The semiconductor chips 44 and 45 constituting the above are incorporated. As passive components, chip-type resistors (R 1 ~ R Five ) 51, chip-type capacitor (C 1 ~ C 11 ) 52 and a bypass capacitor (CB) 53 are mounted. An equivalent circuit of the high-frequency power module 1 of Embodiment 1 is as shown in FIG.
[0090]
Further, as shown in FIG. 3, the semiconductor chips 44 and 45, the wire 46, a part of the resistor 51, the capacitor 52, the bypass capacitor 53 and the like are covered with a resin 54.
[0091]
In the first embodiment, the resistance R 1 And resistance R Five Is trimmed and corrected. The trimming may be configured to trim the thin film resistor.
[0092]
In the first embodiment, field effect transistors can be incorporated in two stages to provide a high-frequency power module for a mobile phone of 800 to 1000 MHz, or 1.4 to 1.7 GHz.
[0093]
Next, a method for manufacturing the high frequency power module 1 will be described.
[0094]
FIGS. 13 to 15 are diagrams related to the manufacture of the high-frequency power module according to the first embodiment. FIG. 13 is an exploded perspective view showing a part of the board sheet and the built-in components, and FIG. FIG. 15 is a partial perspective view showing a state in which the cap is attached to the wiring board forming portion of the substrate sheet.
[0095]
First, as shown in FIG. 13, a substrate sheet 60 is prepared. The substrate sheet 60 has a structure in which a plurality of wiring substrate forming portions 61 that form the wiring substrate 2 are arranged in a plane. In the first embodiment, the wiring board forming portions 61 are arranged in 3 columns and 4 rows. In order to facilitate division, for example, V-shaped grooves 62 are provided at the boundaries between the respective rows and columns.
[0096]
The wiring board forming unit 61 forms twelve wiring boards 2 when the board sheet 60 is divided along the V-shaped grooves 62. Therefore, the structure of the wiring board forming part 61 is the structure of the wiring board 2 as shown in FIG. Further, the material has a multilayer ceramic structure similar to that shown in FIG.
[0097]
A hook portion (locking portion) 29 is formed at the central portion of both sides (both sides in FIGS. 13 to 15) of the wiring board forming portion 61. For this reason, in the state of the substrate sheet 60, a long hole 63 constituting the hook portion 29 is provided at a boundary portion between the wiring substrate forming portions 61 adjacent in the row direction. When the substrate sheet 60 is divided along the V-shaped groove 62, the long hole 63 becomes a side depression 28 as shown in FIG.
[0098]
Even in the state of the long hole 63, the hook support arm 17 of the hook 19 of the cap 4 can be inserted and the hook claw 18 can be hooked on the hook portion 29 of the long hole 63. In this case, the adjacent caps 4 are configured not to interfere with each other.
[0099]
Further, in the wiring substrate 2, the end surface through hole 20 is formed at the exposed end of the wiring substrate forming portion 61 on both sides of the substrate sheet 60. A round hole 65 is formed at the boundary portion of the portion 61 and is divided into end face through holes 20.
[0100]
The resistance portion of the wiring board forming portion 61 is independent, and a resistance loop is not formed between adjacent wiring board forming portions 61 as shown in the equivalent circuit shown in FIG. This is because resistance trimming is performed later.
[0101]
Further, a plurality of impedance elements 21 as shown in FIG. 3 are provided inside each wiring board forming portion 61. Some impedance elements 21 match characteristic impedances in the circuit, and some impedance elements 21 match characteristic impedances on the input side or output side.
[0102]
Next, active components and passive components are incorporated into the main surface of the substrate sheet 60. That is, the semiconductor chips 44 and 45, the resistor 51, the capacitor 52, and the bypass capacitor 53 are fixed by the solder 66 or the like. In addition, the electrodes of the semiconductor chips 44 and 45 and predetermined portions of the wiring are connected by a conductive wire 46. Thereby, the assembly of the components into the main surface of the substrate sheet 60 is completed. In FIG. 14, since the figure becomes fine, the reference numerals of the wires are omitted.
[0103]
Next, the resistance of a predetermined portion is trimmed. At this time, even in the state of the substrate sheet 60, the resistance portion of each wiring board forming portion 61 is independent, and a resistance loop is not formed between the adjacent wiring board forming portions 61. Therefore, trimming of a predetermined resistance can be performed. it can. In the case of the first embodiment, R 1 And R Five The resistor 51 is trimmed. In the first embodiment, the chip resistor 51 is trimmed, but a resistor portion made of a thin film directly formed on the ceramic substrate may be trimmed.
[0104]
Next, as shown in FIG. 14, the cap 4 is pushed down from above the substrate sheet 60, and the cap 4 is attached to each wiring board forming portion 61 of the substrate sheet 60 via the hook 19 as shown in FIG. 15. The cap 4 is attached to the substrate sheet 60 very easily and reliably by pressing the cap 4. Therefore, the workability of assembly is improved.
[0105]
Since the cap 4 is formed of a metal body, it acts as a shield body and is electrically connected to the ground wiring of the wiring board forming portion 61.
[0106]
Next, the substrate sheet 60 is divided along the V-shaped groove 62 to produce a plurality of high-frequency power modules 1 as shown in FIG.
[0107]
Note that the high frequency power module 1 may be manufactured by assembling after the substrate sheet 60 is divided along the V-shaped groove 62 to form the wiring substrate 2.
[0108]
Next, mounting of the high-frequency power module 1 according to the first embodiment and an electronic device manufactured by mounting will be described.
[0109]
16 to 18 are diagrams related to the electronic device of the first embodiment. FIG. 16 is a partial exploded perspective view showing a state in which the high-frequency power module is mounted on the mounting substrate in the manufacture of the electronic device. FIG. FIG. 18 is a schematic perspective view showing a part of an electronic device formed by mounting a high-frequency power module on a mounting substrate, and FIG. 18 is a cross-sectional view showing a part of the electronic device.
[0110]
FIG. 16 shows a mounting board 70 such as a mother board constituting the electronic device, and the high-frequency power module 1 according to the first embodiment. A number of other electronic components are mounted on the actual mounting board 70. Here, only the portion on which the high-frequency power module 1 is mounted will be described with reference to schematic drawings.
[0111]
Lands 71 are formed on the main surface of the mounting substrate 70 in order to fix the high-frequency power module 1 and to make electrical connection with wiring (not shown) of the mounting substrate 70. The land 71 is connected to the input terminal land 72, the ground terminal land 73, the gate bias terminal land 74, the output terminal land 75, the ground terminal land 76, so that the electrode terminal 5 of the high frequency power module 1 can be connected. It is a power terminal land 77. Further, a solder layer (not shown in FIG. 16) having a predetermined thickness is provided on the surface of these lands 71.
[0112]
Therefore, the solder is reflowed so that the electrode terminal 5 on the back surface of the high-frequency power module 1 overlaps the land 71, and the electrode terminal 5 and the land 71 are connected with the solder 80 as shown in FIGS. Connecting.
[0113]
At this time, in the electrode terminal 5 on the back surface of the wiring board 2, the ground wiring 15 is partially covered with a resist film 14 whose surface is not wetted by the bonding material for mounting, and a plurality of ground terminals 7 and 8 independent from each other. , 11 and 12. Therefore, the mounting bonding material is uniformly wetted on each electrode terminal 5, and thus each electrode terminal 5 is securely fixed to the land 71 of the mounting substrate 70 via the mounting bonding material.
[0114]
The arrangement intervals of the electrode terminals 5 on the back surface of the wiring board 2 are the same pitch. Therefore, each electrode terminal 5 is not shifted from the mounting bonding material, and no defects such as a bridge of the mounting bonding material occur. In addition, mounting can be self-aligned.
[0115]
Further, the high frequency power module 1 according to the first embodiment has a structure in which the tip of the hook support arm 17 faces the land 71 of the mounting substrate 70, and therefore, at the tip of the hook support arm 17 during solder reflow. Further, the solder 80 is attached, and the hook support arm 17 is mechanically and securely connected to the ground terminal lands 73 and 76 of the mounting substrate 70. Further, since the ground wiring 15 extends in the hooking portion 29 where the hook claw 18 of the hook support arm 17 is hooked, the solder 80 attached to the hook claw 18 also contacts the ground wiring 15. As a result, the cap 4 always acts as a reliable shield body, and the high frequency characteristics of the high frequency power module are stabilized.
[0116]
The high-frequency power module (hybrid integrated circuit device) of Embodiment 1 has the following effects.
[0117]
(1) The high-frequency power module 1 is a rectangle formed by a wiring board 2 in which active components such as field effect transistors and passive components are incorporated in the main surface, and a cap 4 fixed to the main surface side of the wiring substrate 2. Since it has a body structure, the lead is not projected from the package and the mounting fins are not projected as in the conventional case, so that the size is reduced. In particular, since the leads do not protrude for a long time, the mounting area can be greatly reduced.
[0118]
(2) Since the cap 4 is structured to be attached to the locking portion provided on the wiring board 2 via the locking portion provided on the cap 4 without using a bonding material, the assembly becomes easy. In particular, the latching portion of the wiring board 2 is constituted by a hooking portion 29, and the latching portion of the cap 4 is constituted by a hook 19 protruding from the lower surface of the cap 4 and hooked on the hooking portion 29. As a result, the cap 4 can be easily attached to 2, the productivity can be improved, and the manufacturing cost can be reduced.
[0119]
(3) Since the wiring board 2 has a structure in which the microstrip line structure is stacked on the strip line structure, the transmission line is provided in multiple stages even if the length of the transmission line (signal wiring or the like) is long. The height can be reduced, and miniaturization of the high-frequency power module can be achieved.
[0120]
(4) The cap 4 and the hook 19 are formed of a metal body, and the hook 19 is used when the electrode terminal 5 of the high-frequency power module 1 is fixed to the land 71 of the mounting substrate 70 by melting the solder 80. Since it is configured to be connected to the solder 80 attached to the portion (the ground terminal lands 73 and 76), when mounted on the mounting substrate 70, the shielding effect of the cap 4 is stabilized. That is, in the structure in which the hook 19 is only hooked on the hook portion 29 of the wiring board 2, when the mounting board 70 is vibrated, the shielding effect may be unstable. However, as in the first embodiment, The shield effect can be obtained stably in the structure fixed with solder at the time of mounting.
[0121]
(5) The method of fixing (adhering) the hook 19 of the cap 4 to the hooking portion 29 of the wiring board 2 via a bonding material is based on solder reflow during mounting. Therefore, when the high-frequency power module 1 is manufactured, The fixing operation (process) of the cap 4 becomes unnecessary, and the manufacturing cost of the high frequency power module 1 can be reduced.
[0122]
(6) Since the outer peripheral edge of the cap 4 coincides with the outer peripheral edge of the wiring board 2 or is located on the inner side of the outer peripheral edge of the wiring board, the high-frequency power module 1 can be reduced in size.
[0123]
(7) Since the impedance element 21 made of a conductor is provided at a predetermined location on the wiring board 2, the characteristic impedance can be matched without mounting the characteristic impedance matching electronic component on the wiring board 2. Thereby, reduction of the manufacturing cost of the high frequency power module 1 can be achieved from the reduction of the number of parts.
[0124]
(8) Since the back surfaces of the semiconductor chips 44 and 45 serve as ground electrodes and are connected to the ground wiring of the wiring board 2 through the ground electrodes, the inductance of the electrode portions serving as the ground electrodes of the semiconductor chip is reduced. High frequency performance is improved. For example, when the back surface of the semiconductor chip is a source electrode, the source inductance is reduced and the high frequency performance is improved.
[0125]
(9) Since the high-frequency power module 1 is formed by providing the electrode terminal 5 on the back surface of the wiring board 2 and covering the wiring board 2 with the cap 4, the number of parts is reduced, and the number of assembly steps is reduced. A reduction in manufacturing costs can be achieved from a reduction in costs.
[0126]
The substrate sheet 60 used in the manufacture of the high-frequency power module according to Embodiment 1 has the following effects.
[0127]
(1) Since the cap 4 can be attached to each wiring board forming part 61 in the state of the board sheet 60, the active parts and the passive parts are incorporated into the board sheet 60, and the board 4 is divided after the cap 4 is attached. Can be assembled into a line.
[0128]
(2) Since the circuit of the wiring board forming unit 61 has a circuit configuration that does not form a resistance loop with the adjacent wiring board forming unit 61, after incorporating active components and passive components, The resistor can be trimmed in the state.
[0129]
(3) In the wiring board forming part 61, the impedance element 21 made of a conductor that is not connected to other wirings in the thickness direction of the wiring board 2 is provided in a wiring part at a predetermined location. Characteristic impedance matching can be achieved without mounting electronic components for impedance matching. Further, the use of the substrate sheet 60 eliminates the need for special parts for matching the characteristic impedance. As a result, the use of the substrate sheet 60 can reduce the manufacturing cost of the high-frequency power module 1.
[0130]
The electronic device incorporating the high-frequency power module of Embodiment 1 has the following effects.
[0131]
(1) The cap 4 of the high-frequency power module 1 mounted on the mounting substrate 70 serves as a shield body, and solder 80 is applied to the ground land portions (ground terminal lands 73 and 76) of the mounting substrate 70 via the hooks 19. Therefore, the shielding effect of the high frequency power module 1 is stable, and the electronic device is excellent in high frequency characteristics.
[0132]
(2) Since the wiring board 2 of the high-frequency power module 1 is provided with the impedance element 21 made of a conductor, matching of characteristic impedance with other wiring connected in a state of being mounted on the mounting board 70 As a result, the electronic device has excellent high-frequency characteristics.
[0133]
Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiment, the present invention is not limited to the embodiment described above, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Nor. For example, in the above-described embodiment, the wiring board has a structure in which three ceramic plates are stacked, but a larger number may be used as a multilayer.
[0134]
Further, since the wiring board has a multilayer wiring structure, the thickness of the dielectric layer can be further reduced, and the capacity can be increased. In addition, since the multilayer wiring board is used, the length of the signal wiring can be further increased, so that the characteristic impedance can be increased. In this case, if a material having a high dielectric constant such as titanium oxide or barium titanate is used as the dielectric layer (dielectric plate), the increase in capacity is further increased.
[0135]
The wiring board can be formed using a wiring board material other than glass ceramic.
[0136]
In the case of a low-temperature fired wiring board, gold or copper can be used as the wiring made of a highly conductive metal.
[0137]
The cap may be entirely made of an insulating material. In this case, if a conductive plating film is formed on the entire surface, it can be used as a shield body. Further, when the cap is made of a metal body, the material may be easily wetted with solder, or a film that is easily wetted with solder may be formed on the surface.
[0138]
Further, the latching portions of the wiring board and the cap may have other structures. For example, the locking portion of the wiring board may be provided with a hole in the main surface of the wiring board, and the hooking portion may be formed on the inner wall portion of the hole. In this case, in the board sheet, the hole is formed inside the boundary of the wiring board forming portion.
[0139]
In the high frequency power module 1, the gate bias terminal 9 is a gain control terminal (V apc )
[0140]
In the above description, the case where the invention made mainly by the present inventor is applied to the high frequency power module which is the field of use as the background has been described, but the present invention is not limited thereto. The present invention can be applied to at least a hybrid integrated circuit device.
[0141]
【The invention's effect】
The effects obtained by the representative ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.
[0142]
(1) Since the cap overlaps with the wiring board and the electrode terminal serving as the external terminal is provided on the back surface of the wiring board, the high-frequency power module can be reduced in size.
[0143]
(2) Since the cap has a structure that can be attached to and detached from the wiring board with one touch, the assembling workability is improved and the manufacturing cost of the high-frequency power module can be reduced.
[0144]
(3) The cap serves as a shield body, and the cap locking effect is stable because the locking portion of the cap contacts the conductive bonding material of the ground land portion of the mounting board when the high frequency power module is mounted.
[0145]
(4) The cap serves as a shield body, and the engaging portion of the cap is connected to the conductive bonding material of the ground land portion of the mounting board when the high frequency power module is mounted. At the time of manufacturing, the work of fixing the wiring board and the cap becomes unnecessary, and the manufacturing cost of the high frequency power module can be reduced.
[0146]
(5) Since the wiring board is provided with the impedance element by the conductor, it is not necessary to prepare a part for matching the characteristic impedance. Therefore, there is no need for a mounting space for a characteristic impedance matching component on the main surface of the wiring board. Further, the manufacturing cost of the high frequency power module can be reduced by reducing the number of components.
[0147]
(6) In the manufacture of a high frequency power module, a component is incorporated in each wiring board forming portion of the board sheet, a resistor is trimmed, a cap is attached, and then the board sheet is cut to manufacture the high frequency power module. Therefore, productivity can be improved, quality can be stabilized, and manufacturing costs can be reduced.
[0148]
(7) The cap of the high-frequency power module serves as a shield body, and the engaging portion of the cap is connected to the conductive bonding material of the ground land portion of the mounting board when the high-frequency power module is mounted. The high frequency characteristics of the built-in electronic device are stabilized.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view showing an appearance of a high frequency power module according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a perspective view showing a state in which a part of the high-frequency power module according to Embodiment 1 is cut away.
FIG. 3 is a cross-sectional view of the high frequency power module according to the first embodiment.
4 is a partial cross-sectional view of the high-frequency power module according to the first embodiment. FIG.
FIG. 5 is a partial exploded perspective view showing a mounting portion of a wiring board and a cap in the high frequency power module according to the first embodiment.
6 is a plan view showing the high-frequency power module with the cap of Embodiment 1 removed. FIG.
FIG. 7 is an equivalent circuit diagram of the high-frequency power module according to the first embodiment.
FIG. 8 is a plan view showing a wiring pattern (first layer wiring) formed on the surface of the wiring board in the high-frequency power module according to Embodiment 1, that is, the exposed surface of the upper dielectric layer.
9 is a plan view showing a wiring pattern (second-layer wiring) formed between the upper dielectric layer and the middle dielectric layer of the wiring board in the high-frequency power module according to the first embodiment. FIG.
10 is a plan view showing a wiring pattern (third layer wiring) formed between a middle dielectric layer and a lower dielectric layer of the wiring substrate in the high frequency power module according to the first embodiment. FIG.
11 is a bottom view showing a wiring pattern (fourth layer wiring) formed on the back surface of the wiring board in the high-frequency power module of Embodiment 1, that is, the exposed surface of the lower dielectric layer. FIG.
FIG. 12 is a plan view showing a part of the second layer wiring and the fourth layer wiring serving as the ground wiring in the high frequency power module according to the first embodiment;
13 is an exploded perspective view showing a part of a substrate sheet and built-in components in manufacturing the high-frequency power module according to Embodiment 1. FIG.
14 is a partial exploded perspective view showing a state in which a cap is attached to a wiring board forming portion of a board sheet in the manufacture of the high-frequency power module according to the first embodiment. FIG.
15 is a partial perspective view showing a state in which a cap is attached to a wiring board forming portion of a board sheet in the manufacture of the high-frequency power module according to Embodiment 1. FIG.
FIG. 16 is a partial exploded perspective view showing a state where the high-frequency power module according to the first embodiment is mounted on a mounting substrate.
FIG. 17 is a schematic perspective view showing a part of an electronic device in which the high-frequency power module according to the first embodiment is mounted on a mounting substrate.
FIG. 18 is a cross-sectional view showing a part of the electronic device according to the first embodiment.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Hybrid integrated circuit device (high frequency power module), 2 ... Wiring board, 3 ... Perimeter wall, 4 ... Cap, 5 ... Electrode terminal (external terminal), 6 ... Input terminal (P in ), 7 ... Ground terminal (GND), 8 ... Ground terminal (GND), 9 ... Gate bias terminal (V g ) 10 ... Output terminal (P out , 11, 12... Ground terminal (GND), 13... Power supply terminal (V dd ), 14 ... resist film, 15 ... ground wiring, 16 ... thermal via, 17 ... hook support arm, 18 ... hook claw, 19 ... hook, 20 ... end through hole, 21 ... impedance element, 25 ... upper dielectric layer, 26 ... Middle dielectric layer, 27 ... Lower dielectric layer, 28 ... Depression, 29 ... Hook, 30 ... First layer wiring, 31 ... Second layer wiring, 32 ... Third layer wiring, 33 ... Fourth layer wiring , 34 ... short side part, 35 ... signal wiring, 36 ... power supply wiring, 40 ... blind type via, 41 ... penetration type via, 42, 43 ... depression, 44, 45 ... semiconductor chip, 46 ... wire, 47 ... bonding material , 51 ... Resistor, 52 ... Capacitor, 53 ... Bypass capacitor, 54 ... Resin (resin), 55 ... Knitted portion, 60 ... Substrate sheet, 61 ... Wiring board forming part, 62 ... V-groove, 63 ... Long hole, 65 ... maru , 66 ... solder, 70 ... mounting board, 71 ... land, 72 ... force terminal land, 73 ... ground terminal land, 74 ... gate bias terminal land, 75 ... output terminal land, 76 ... ground terminal land, 77 ... Power terminal land, 80 ... Solder.

Claims (7)

平面的に複数の配線基板形成部を有し、
前記配線基板形成部の境界で分断される混成集積回路装置製造用の基板シートであって、前記配線基板形成部の領域内または境界部分には、混成集積回路装置を構成するキャップを、前記キャップに設けられたフック部を用いて、前記配線基板形成部に取り付けるために使用される窪み部が設けられ、
前記配線基板形成部の主面には能動部品および受動部品を搭載する配線が設けられ、
前記配線基板形成部の裏面には外部電極となる電極端子が設けられていることを特徴とする基板シート。It has a plurality of wiring board forming portions in a plane,
A substrate sheet for manufacturing a hybrid integrated circuit device that is divided at a boundary of the wiring board forming portion, wherein a cap constituting the hybrid integrated circuit device is provided in a region or boundary portion of the wiring substrate forming portion, the cap Using the hook portion provided in, a hollow portion used to attach to the wiring board forming portion is provided,
The main surface of the wiring board forming part is provided with wiring for mounting active components and passive components,
An electrode terminal serving as an external electrode is provided on the back surface of the wiring board forming portion. 混成集積回路装置の製造方法であって、
（ａ）複数の配線基板形成部を有する基板シートを準備する工程と、
（ｂ）前記複数の配線基板形成部に能動部品および受動部品を搭載する工程と、
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記複数の配線基板形成部に導電性キャップを取り付ける工程と、
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記複数の配線基板形成部の境界で前記基板シートを分割し、独立した複数の配線基板を形成する工程を含み、
前記複数の配線基板の裏面には外部接続用の複数の電極端子が形成され、
前記導電性キャップは、前記配線基板形成部への取り付け用のフック部を有し、
前記フック部はフック爪部を有し、
前記配線基板形成部の境界には、前記フック部を取り付けるための孔部が形成されていることを特徴とする混成集積回路装置の製造方法。A method for manufacturing a hybrid integrated circuit device, comprising:
(A) preparing a substrate sheet having a plurality of wiring substrate forming portions;
(B) mounting an active component and a passive component on the plurality of wiring board forming portions;
(C) After the step (b), attaching a conductive cap to the plurality of wiring board forming portions;
(D) After the step (c), the method includes a step of dividing the substrate sheet at a boundary between the plurality of wiring substrate forming portions to form a plurality of independent wiring substrates,
A plurality of electrode terminals for external connection are formed on the back surfaces of the plurality of wiring boards,
The conductive cap has a hook part for attachment to the wiring board forming part,
The hook part has a hook claw part,
A method of manufacturing a hybrid integrated circuit device, wherein a hole for attaching the hook portion is formed at a boundary of the wiring board forming portion. 請求項２に記載の混成集積回路装置の製造方法であって、
前記（ｃ）工程において、前記導電性キャップと前記配線基板形成部の取り付けには半田を用いないことを特徴とする混成集積回路装置の製造方法。A method of manufacturing a hybrid integrated circuit device according to claim 2 ,
In the step (c), a solder is not used for attaching the conductive cap and the wiring board forming part. 請求項２に記載の混成集積回路装置の製造方法であって、
前記（ｄ）工程の後、前記導電性キャップの外周縁は前記配線基板の外周縁に一致または前記配線基板の外周縁よりも内側に位置していることを特徴とする混成集積回路装置の製造方法。A method of manufacturing a hybrid integrated circuit device according to claim 2 ,
After the step (d), the outer peripheral edge of the conductive cap coincides with the outer peripheral edge of the wiring board or is located inside the outer peripheral edge of the wiring board. Method. 請求項２に記載の混成集積回路装置の製造方法であって、
前記混成集積回路装置は高周波増幅回路を含み、
前記混成集積回路装置は移動通信機器に搭載されることを特徴とする混成集積回路装置の製造方法。A method of manufacturing a hybrid integrated circuit device according to claim 2 ,
The hybrid integrated circuit device includes a high frequency amplifier circuit,
A method of manufacturing a hybrid integrated circuit device, wherein the hybrid integrated circuit device is mounted on a mobile communication device. 請求項２に記載の混成集積回路装置の製造方法であって、
前記混成集積回路装置の製造方法は、前記（ｄ）工程の後、さらに、
（ｅ）主面に複数のランドが形成された実装基板を準備する工程と、
（ｆ）前記配線基板を前記実装基板の主面上に実装する工程を含み、
前記（ｆ）工程において、前記配線基板の裏面に形成された電極と前記ランドが半田を介し電気的に接続されることを特徴とする混成集積回路装置の製造方法。A method of manufacturing a hybrid integrated circuit device according to claim 2 ,
In the method for manufacturing the hybrid integrated circuit device, after the step (d),
(E) preparing a mounting substrate having a plurality of lands formed on the main surface;
(F) including a step of mounting the wiring board on a main surface of the mounting board;
In the step (f), the electrode formed on the back surface of the wiring board and the land are electrically connected via solder. 請求項６に記載の混成集積回路装置の製造方法であって、
前記実装基板の主面にはグランド用のランドが形成され、
前記導電性キャップと前記グランド用のランドが半田を介し電気的に接続されていることを特徴とする混成集積回路装置の製造方法。A method of manufacturing a hybrid integrated circuit device according to claim 6 ,
A ground land is formed on the main surface of the mounting substrate,
A method of manufacturing a hybrid integrated circuit device, wherein the conductive cap and the land for grounding are electrically connected via solder.
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