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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、表示装置に関し、さらに詳しくはイメージ認識機能を備えた表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】
表示装置としては、液晶ディスプレイ、CRTディスプレイ、エレクトロルミネッセンス(以下、ELという)ディスプレイなどの種々の表示装置が知られている。これら表示装置では、文字、図形、画像などの表示品質、表示情報量、使い易さなどの向上が望まれている。このため、これらの表示装置においては、表示の高精細化が進んでいる。また、従来のイメージセンサは、一般に、被認識体(以下、原稿という)に光を照射してその反射光を、CCD(charge coupled device)などでなる光センサが検出してイメージ認識を行うものであり、データの読み込みや複写などの用途に用いられている。
【0003】
上記したように、表示装置では表示性能の向上を図るために高精細化が進んでおり、このような表示装置にイメージセンサを組み込むことは、構造が複雑となり、このため高価なものになると考えられている。また、表示装置とイメージセンサとの複合化を図ろうとすると、イメージセンサの配置領域を要するため高性能な表示を行うことが困難になるという問題が発生する。さらに、表示装置とイメージセンサとの駆動制御が複雑となるという問題がある。
【0004】
この発明が解決しようとする第1の課題は、高性能な表示機能を損なうことなく、イメージセンサ機能を備えた表示装置を実現するには、どのような手段を講じればよいかという点にある。また、第2の課題は、高性能でかつ駆動が容易なイメージセンサ機能を表示装置に付加するには、どのような手段を講じればよいかという点にある。さらに、第3の課題は、単純な構造で低廉な価格で製造できる、イメージセンサ機能を備えた表示装置を実現するには、どのような手段を講じればよいかという点にある。
【0005】
【課題を解決するための手段】
請求項1記載の発明は、
前透明基板および後透明基板が対向するように配置され、前記前透明基板の後面側にカラーフィルタ層及び前液晶駆動電極が形成され、前記後透明基板の前面側に後液晶駆動電極が形成された液晶表示パネルと、
前記液晶表示パネルの後方に配置されたバックライトシステムと、
前記液晶表示パネルの前記前透明基板における画素領域どうしの前記カラーフィルタ層の間に形成され、一対の電極のうちの一方が前記前液晶駆動電極に接続されている光センサと、
を備え、
前記液晶表示パネルは、表示領域を所定方向に横切って列をなす画素から前記バックライトシステムの光を透過し、
前記光センサの前記一対の電極の他方は、前記列の方向と交差する方向に並ぶ検出電極であることを特徴としている。
請求項1記載の発明においては、ディスプレイの表面に原稿を載置した場合に、画素から出射され且つ原稿面で反射した光を、この画素の近傍に配置された光センサで検知することができる。光センサでは、原稿からの反射光量によって原稿面の状態を検出することができる。ディスプレイの表示領域の画素毎に光センサで反射光を検出し、各アドレスでの光情報を集約することにより、ディスプレイ上に載置された原稿面のイメージを得ることができる。
【0006】
前記光センサは、受光量に応じてキャリアを発生する光電変換層が、前記一対の電極で挟まれてなることを特徴としている。
【0009】
請求項3記載の発明は、前記後液晶駆動電極は、各画素領域ごとに形成された画素電極であり、前記各画素電極の近傍には当該画素電極に接続されたスイッチング素子が形成されていることを特徴としている。
【0010】
請求項4記載の発明は、前記光センサは、前記前透明基板の後面側に設けられると共に、前記光電変換層の前側に前記一対の電極の他方の透明電極が形成され、当該光電変換層の後側に前記一対の電極の前記一方の不透明電極が形成されていることを特徴としている。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、この発明に係る表示装置の詳細を図面に示す各実施形態に基づいて説明する。
(実施形態1)
図1は、本発明を液晶表示パネルを用いた表示装置に適用した実施形態1の要部平面図である。図2は図1のA−A断面図である。図中11は表示装置を示している。この表示装置11は、光センサ12を備える液晶表示パネル13とその後方に配置されたバックライトシステム14とから構成されている。液晶表示パネル13は、対向して対をなす、例えばガラスでなる前透明基板15と後透明基板16との間に、液晶17が封止されて大略構成されている。また、バックライトシステム14は、図示を省略するが、光源、導光板、反射板などから構成され直線型又は液晶表示パネル13の周縁に沿った形状の光源からの光を液晶表示パネル13の表示面と略同一形状の導光板で拡散するように設定されている。なお、本実施形態は、前偏光板と後偏光板とを用いる液晶モードに本発明を適用した例である。
【0014】
まず、光センサの構成を簡単に説明する。前透明基板15の後面には、画素領域pどうしの間の位置に透明なITOでなる検出電極18が、図1に示すように表示領域のx方向(図中矢印で示す)に沿って形成されている。なお、各検出電極18は、液晶表示パネル13の表示領域にx方向に並ぶ画素列どうしの間を通り、かつx方向に並ぶ画素どうしの間に沿ってy方向(図中矢印で示す)の一方の向きに略画素幅寸法だけ突出する突出部18Aを有するようにパターン形成されている。この結果、複数の検出電極18は、表示領域のそれぞれの画素を囲むようになっている。なお、隣接する検出電極18どうしは、接触しなように設定されている。すなわち、突出部18Aの先端は、隣の検出電極18と接触しないようになっている。また、検出電極18は、例えばアモルファスシリコンをはじめとする無機光半導体材料や周知の有機光半導体材料などでなる光電変換層19で覆われている。この光電変換層19のパターンは、図1に示すように、表示領域のそれぞれの画素を囲むように、格子状に形成されている。すなわち、全検出電極18を一体的に覆うように形成されている。さらに、光電変換層19の後面には、光電変換層19と同一のパターンで、例えばアルミニウムのような不透明な電極材料でなる共通電極20が形成されている。このように光電変換層19を検出電極18と共通電極20とで挟むことにより、光センサ12が構成されている。上記したように光センサ12は前透明基板15側に形成されているが、光センサ12の検出電極18のライン端子は、例えば異方性電導シール材を介して、図3に示すように後透明基板16側に取り出している。図3の後透明基板16の平面説明図において、29は図中y方向に列をなす画素に対応するTFT25〜25のそれぞれのゲートに共通に接続されるゲートラインの端子を配置したゲート端子部を、30は図中x方向に列をなす画素に対応するTFT25〜25のそれぞれのドレイン(またはソース)に共通に接続されるドレインライン(またはソースライン)の端子を配置したドレイン(またはソース)端子部を、31は光センサ12の検出電極18の取り出し端子が配置されたセンサ信号線端子部を、32は前液晶駆動電極(コモン電極)22から取り出された前液晶駆動電極端子部を示している。
【0015】
さらに、前透明基板15の後面には、各画素領域pに対応する領域にそれぞれカラーフィルタ層21が形成されている。なお、図示しないが、カラーフィルタ層21は、R、G、Bが所定の色配列で配置されている。また、カラーフィルタ層21および共通電極20の後面には、ITOでなる前液晶駆動電極22が、表示領域全域に亙って形成されている。すなわち、前液晶駆動電極22は共通電極20と電気的に接続している。さらに、前液晶駆動電極22の後面には、前配向膜23が表示領域全域に亙って形成されている。
【0016】
一方、後透明基板16の前面には、各画素領域pに対応するように、ITOで画素電極24が形成されている。また、各画素電極24の近傍には、それぞれ画素電極24に接続された薄膜トランジスタ(以下、TFTという)25が形成されている。なお、図示しないが、後透明基板16の前面には、これらTFT26に接続されるゲートラインやドレインラインなどが形成されている。さらに、これら画素電極24やTFT25などが形成された後透明基板16の前面には、表示領域全域を覆うように、後配向膜26が形成されている。
【0017】
上記した前透明基板15側の前配向膜23と後透明基板16側の後配向膜26とを対向させると共に、両透明基板の表示領域を囲むように配置された、図示しないシール材を介して両透明基板を貼り合わせ、両透明基板とシール材とで形成される空隙内に液晶17を封止して液晶表示セルが構成されている。なお、前透明基板15の前面には前偏光板27が配置され、後透明基板16の後面には後偏光板28が配置されている。このように液晶表示セルに前偏光板27と後偏光板28とが付加されて液晶表示パネル13が構成されている。そして、液晶表示パネル13の後方にバックライトシステム14を配置することにより、表示装置11が構成されている。
【0018】
上記した構成の表示装置11で表示を行うには、従来の液晶表示装置と同様に前液晶駆動電極22と選択した画素電極24との間に駆動電圧を印加することにより、液晶を駆動して光の透過を制御すればよい。
【0019】
次に、図4および図5を用いて、この表示装置11の表示領域S上に原稿Gを載置して、この原稿Gに描かれたイメージの認識を行う場合について説明する。まず、図4(a)に示すように、表示領域Sにおける図中y方向に並ぶ画素Pの1列のみから光が出射されるように表示制御を行う。これは、図3に示したゲート端子部29とドレイン端子部30とに実装されたドライバICにより所定の画素列のみが輝線となるように制御すればよい。このとき、他の全ての画素はバックライトシステム14からの光を透過させない状態、すなわち光遮断状態となるようにする。これは、液晶表示パネルの光シャッタとしての機能を利用している。図4(a)において斜線で示す部分Kは、y方向に列をなす、点灯した画素Pによって形成された輝線を示している。なお、このような輝線Kを構成する各画素Pにおける輝度は同一の輝度に設定する。このように表示領域Sにおいて、y方向に横切る所定の輝線Kを形成した状態で、この輝線Kを構成するそれぞれの画素Pの近傍に形成された光センサ12で原稿Gからの反射光の検出を行う。図中y方向に並ぶ光センサ12は、それぞれ検出電極18が異なりそれぞれ独立しているため、輝線を構成する各画素毎に検出を行うことができる。図5は、図4(a)の輝線Kが形成された画素部分を図中x方向に切った断面を示している。図5に示すように、輝線Kを形成すべき画素領域の画素電極24と前液晶駆動電極22との間に所定の電圧(0Vでも良い)が印加され、この領域の液晶17のみが変調されてバックライトシステム14からの光を原稿G側に透過させる。このため、原稿Gに光が照射され、原稿Gから反射した光が、画素領域の近傍に形成された光センサ12の光電変換層19に入射する。これらの光センサ12においては、それぞれのセンサ領域の光電変換層19に、原稿Gの被認識面の状態に応じた反射光量に応じた量のキャリアが発生する。このキャリア発生量に応じて共通電極20と検出電極18との間を流れる電流もしくは共通電極20の印加電圧によりキャリア発生量に応じて供給される検出電極18の電位を測定することにより、イメージ検出が可能となる。
【0020】
このため、図4(a)に示すように輝線Kを矢印xの方向に逐次移動させ、その都度輝線Kに対応した光センサ12で反射光の検出を行うことで、原稿Gの表示領域Sに載置された原稿Gのイメージ認識が可能となる。図4(b)は図4(a)に示した左側の輝線Kに対応する断面説明図であり、図4(c)は図4(a)に示した右側に移動した輝線Kの断面説明図である。
光センサ12は検出電極18からイメージに応じた電圧又は電流からなるデータ信号をセンサ信号線端子部31を介して図4(d)に示すようにメモリに入力する。
マトリクス状に配置された各光センサ12は、図4(e)に示すように原稿に対し左右もしくは上下が逆に読みとる。このためメモリに入力されたデータを反転回路で反転し、反転したデータを電圧生成回路に入力し、電圧生成回路は、液晶表示パネル13がこのデータに応じた表示、すなわち原稿と同じイメージを表示するように、前液晶駆動電極22、画素電極24間に印加される電圧を適宜生成し液晶表示パネル13に印加し、表示を行う。
本実施形態では、輝線Kを表示領域Sのx方向の左縁側から右縁側に向けてスキャンを行いながら光センサ12で光検出を行うことで原稿G全面のイメージ認識が可能となる。このため、表示装置11に接続した印刷装置を用いて、光センサ12で得られたデータに基づいて、認識したイメージを印刷すれば、この表示装置11をコピー用のイメージセンサとして用いることができる。また、上記のようにして光センサ12で得られたデータに基づいて認識されたイメージを、この表示装置11の表示領域で表示することも可能である。
【0021】
本実施形態に係る表示装置11においては、図1に示したように、画素領域の周囲を共通電極20と光電変換層19が囲むように形成され、かつ少なくとも共通電極20が遮光性を備えているため、これら共通電極20と光電変換層19との積層体が遮光膜としての機能を有する。このため、別途遮光膜を形成する工程を要しないという、製造上の利点を有する。また、本実施形態においては、イメージ認識を行う場合に図4に示したように輝線Kを順次画素列をスキャンするように設定したが、この場合、カラーフィルタ層21の色の違いによる光出射量を加味して光センサ12から得られたデータを補正するように設定しても勿論よい。さらに、同色のカラーフィルタ層21を備えたy方向の画素列毎にスキャンするように設定して、これらで得られたデータを合成してイメージ認識を行うようにしても勿論よい。
【0022】
次に、本実施形態に係る表示装置11を用いて表示およびイメージ認識を行う場合の改良例を図6および図7を用いて説明する。
まず、図6(a)は、本実施形態の表示装置11で表示を行う場合に、拡散板33を前面に配置した状態を示している。このように、表示領域の前面に拡散板33を配置すると、視野角を広くすることができる。なお、拡散板33を配置した状態でイメージ認識を行うと反射光も拡散してしまうため、この場合には図6(b)に示すように拡散板33を配置しない状態で原稿Gのイメージ認識を行えば光拡散の少ない良好な検出を行うことができる。
【0023】
図7(a)は、本実施形態の表示装置11で表示を行う場合を示している。図7(b)はイメージ認識を行う場合に、光ファイバを束ねて光透過軸に垂直方向に板状に切って形成した光ファイバパネル34を表示領域に配置した状態を示している。なお、この光ファイバパネル34を構成する光ファイバの1本の断面は略画面領域の形状および面積と同等となるように設定されている。このため、同図(b)に示すように、画素を抜けたバックライトシステム14からの光は、原稿Gで反射してこの画素の近傍に位置する光センサ12のみに入射するため、イメージの解像度を向上することができる。
【0024】
(実施形態2)
図8および図9は、本発明に係る表示装置の実施形態2を示している。図8は要部平面図であり、図9は図8のB−B断面図である。なお、本実施形態の表示装置は、上記した実施形態1と同様に前液晶駆動電極22が、光センサ12の一対の電極のうちの一方の電極を兼ねた構成を有するものである。また、前偏光板27と後偏光板28とを用いた液晶モードである点やバックライトシステム14を備える点なども上記した実施形態1と同様である。
【0025】
まず、本実施形態の表示装置11の前透明基板15側の構成を説明する。図9に示すように、前透明基板15の後面には、画素領域pに対応するように、カラーフィルタ層21を所定の色配列となるように配置・形成されている。なお、カラーフィルタ層21の側壁は、テーパ状の斜面となるように形成されている。これらカラーフィルタ層21が形成された前透明基板15の後面側には、これらカラーフィルタ層21を覆うようにITOでなる前液晶駆動電極22が表示領域全域に亙って形成されている。この前液晶駆動電極22の後面の凹部、すなわちカラーフィルタ層21どうしの間の領域には、有機光半導体材料でなる光電変換層19が図8に示すようなパターンに形成されている。また、この光電変換層19の後面には、遮光性を有するメタル材料でなる検出電極18が積層されている。これら光電変換層19と検出電極18とは、重なり合うように同一のパターンに形成されている。すなわち、図8に示すように、光電変換層19と検出電極18とは、図中x方向に沿って表示領域を横断するように図中x方向に並ぶそれぞれの画素の列に沿って形成されている。また、光電変換層19と検出電極18には、x方向に並ぶ画素どうしの間をy方向に略画素幅寸法だけ突出する突出部19A、18Aが同一のパターンで積層するように形成されている。なお、突出部19A、18Aと、これらに隣接する光電変換層19および検出電極18とは、図8に示すように、互いに接触しないように形成されている。このため、隣接する検出電極18どうしは、互いに電気的に独立が保たれている。また、検出電極18は、前液晶駆動電極22と接触しないように、前液晶駆動電極22の後面に形成された凹部の幅よりも狭い幅寸法に設定されている。このようにして、それぞれの画素領域を略囲むように光センサ12が形成されている。そして、前液晶駆動電極22およびこれら光電変換層19、検出電極18を覆うように、前配向膜23が表示領域全域に亙って形成されている。
【0026】
次に、後透明基板16側の構成について説明する。図9に示すように、後透明基板16の前面には、各画素領域pに対応するように、ITOでなる画素電極24が形成されている。また、各画素電極24の近傍には、それぞれ画素電極24に接続されたTFT25が形成されている。なお、図示しないが、後透明基板16の前面には、これらTFT25に接続されるゲートライン、ドレインラインや、補助容量電極などが形成されている。特に、補助容量電極を、図8に示す検出電極18とこれに隣接する検出電極18の突出部18Aとの間を通るように形成すれば、バックライトシステム14からの光がこの部分から漏れ出るのを防止できる。このように構成することにより、検出電極18と補助容量電極とが、ブラックマスクとして機能する。さらに、これら画素電極24やTFT25などが形成された後透明基板16の前面には、表示領域全域を覆うように、後配向膜26が形成されている。
【0027】
上記した前透明基板15側の前配向膜23と後透明基板16側の後配向膜26とは、対向して配置され、両透明基板の表示領域を囲むように配置された、図示しないシール材を介して両透明基板が貼り合わされている。そして、両透明基板とシール材とで形成される空隙内には、液晶17が封入されて液晶表示セルが構成されている。なお、前透明基板15の前面には前偏光板27が配置され、後透明基板16の後面には後偏光板28が配置されている。このように液晶表示セルに前偏光板27と後偏光板28とが付加されて液晶表示パネル13が構成されている。そして、液晶表示パネル16の後方にバックライトシステム14を配置することにより、表示装置11が構成されている。
【0028】
本実施形態の表示装置11では、有機光半導体材料で光電変換層19を形成したことにより、前液晶駆動電極22の後面の凹部へ光電変換層19を容易に埋め込むことができる。
【0029】
上記した表示装置11で表示を行うには、周知の通り、前液晶駆動電極22と、選択した画素電極24と、の間に駆動電圧を印加して駆動することにより、光の透過を制御すればよい。また、本実施形態においてイメージ認識を行うには、上記した実施形態1と同様の操作を行えばよい。なお、本実施形態においは、イメージ認識に際して、遮光性を有する検出電極18からイメージデータに応じた信号を得ることは言うまでもない。特に、本実施形態においては、光電変換層19の側面をテーパ状に前液晶駆動電極22が覆う構成となっているため、透明な前液晶駆動電極22が原稿からの反射光を集光するレンズ効果を期待することができる。なお、本実施形態においても上記した実施形態1と同様に、拡散板33や光ファイバパネル34を用いることも可能である。
【0030】
(実施形態3)
図10は、本発明に係る表示装置の実施形態3を示す要部平面図である。本実施形態は、上記した実施形態2において光電変換層19が画素を囲むように格子状に形成したものである。本実施形態における他の構成、および作用・動作は、上記した実施形態2と同様であるのでその説明を省略する。なお、本実施形態においても上記した実施形態1と同様に、拡散板33や光ファイバパネル34を用いることも可能である。
【0031】
(実施形態4)
図11〜図15は、本発明に係る表示装置の実施形態4を示している。図11は要部平面図、図12は図11のC−C断面図、図13は平面説明図、図14はオン電位制御部の断面図、図15は図11のD−D断面図である。本実施形態は、光センサの列を選択する操作を画素から出射される光により制御可能としたものである。以下、本実施形態に係る表示装置の構成を図面を用いて詳細に説明する。図中41は、本実施形態の表示装置を示している。この表示装置41は、図12に示すように、液晶表示パネル42とその後方に配置されたバックライトシステム43とから構成されている。
【0032】
本実施形態の表示装置41は、図11に示すように、表示領域Sと、この表示領域Sの図中y方向の一方の外側にx方向に並ぶ画素列に沿って配置された、オン電位制御部47と、y方向の他方の外側にx方向に並ぶ画素列に沿って配置された、オフ電位制御部48と、を備えている。なお、同図中pは画素領域を示している。液晶表示パネル42は、図12に示すように相対向する前透明基板44と後透明基板45とを有している。前透明基板44の後面には、図11中y方向のそれぞれ画素列に沿うように、オン電位制御部47からオフ電位制御部48に亙って、ITOでなる共通電極46が帯状に形成されている。なお、この共通電極46の幅寸法は、後記する画素電極59の幅寸法と同程度に設定されている。また、図15に示すように、共通電極46どうしの間の段差は、絶縁膜55で埋め込まれている。本実施形態の表示装置41においては、表示領域Sがイメージ認識を行う領域となる。
【0033】
前透明基板44側に形成されるオン電位制御部47の構成について説明する。前透明基板44の後面に形成された全部の共通電極46のy方向の一端側の後面には、x方向に沿って、無機光半導体材料でなる光電変換層49が形成されている。本実施形態では、光電変換層49を図11に示すようなパターンに形成している。すなわち、光電変換層49は、それぞれの画素の三方を囲むように略コ字形状をなし、図中x方向に連続するように形成されている。この光電変換層49の後面には、光電変換層49と同一のパターンでオン電位電極50が積層されている。このオン電位電極50は、遮光性を有するメタル材料で形成され、後記する光センサ54をオン状態にするオン電位が印加される。このようにして、オン電位制御部47が構成されている。以上、オン電位制御部47の構成について説明したが、オフ電位制御部48の構成も略同様である。ただし、オフ電位制御部48におけるオフ電位電極51は、オン電位電極50と同様に遮光性のメタル材料で形成されるが、後記する光センサ54をオフ状態にするオフ電位(グランド電位)が印加される点でオン電位電極50と異なる。
【0034】
次に、前透明基板44側の表示領域Sの構成について説明する。上記したように前透明基板44の後面には、複数の共通電極46が形成されている。このように共通電極46〜46およびこれら電極間に埋め込まれた絶縁膜55の後面には、図11に示すように、x方向に並ぶ画素のそれぞれの列に沿って光電変換層49が連続に形成されている。そして、それぞれの画素列における画素どうしの間には、光電変換層49の突出部49Aが所定方向(図中y方向上向き)に突出するように形成されている。この光電変換層49は、上記したオン電位制御部47およびオフ電位制御部48の光電変換層49と同一材料膜をパターニングすることにより、同時に形成されたものである。また、光電変換層49(突出部49Aを含む)の後面には、光電変換層49と同一のパターンの検出電極52が積層されている。この検出電極52は、上記したオン電位電極50およびオフ電位電極51と同一材料膜をパターニングすることにより、同時に形成されたものである。これら共通電極46と光電変換層49と検出電極52とが重なる部分が、光センサ54を構成している。さらに、検出電極52および、オン電位制御部47並びにオフ電位制御部48の後面には、絶縁膜53が積層されている。さらに、各画素領域pには、所定のカラーフィルタ層56が配置・形成されている。このカラーフィルタ層56は、図示しないが所定の色配列で配置されている。
【0035】
また、上記した構造において、オン電位制御部47、オフ電位制御部48および表示領域Sの全域に亙って、ITOでなる前液晶駆動電極57が形成されている。この前液晶駆動電極57は、絶縁膜53が介在されているため、オン電位電極50、オフ電位電極51および検出電極52に対して電気的に独立している。また、図12に示すように、前液晶駆動電極57の後面には、全面に亙って前配向膜58が形成されている。
【0036】
一方、後透明基板45の前面には、各画素領域pに対応するように、ITOで画素電極59が形成されている。また、各画素電極59の近傍には、それぞれ画素電極59に接続された薄膜トランジスタ(以下、TFTという)60が形成されている。なお、図示しないが、後透明基板45の前面には、これらTFT60に接続されるゲートラインやドレインラインなども形成されている。さらに、これら画素電極59やTFT60などが形成された後透明基板45の前面には、表示領域Sおよびオン電位制御部47、オフ電位制御部48の全域と対応する領域を覆うように、後配向膜61が形成されている。
【0037】
上記した前透明基板44側の前配向膜58と後透明基板45側の後配向膜61とを対向させると共に、両透明基板の表示領域Sおよびオン電位制御部47並びにオフ電位制御部48を囲むように配置された、図示しないシール材を介して両透明基板を貼り合わせ、両透明基板とシール材とで形成される空隙内に液晶62を封止して液晶表示セルが構成されている。また、前透明基板44の前面には前偏光板63が配置され、後透明基板45の後面には後偏光板64が配置されている。さらに、前偏光板63の前面におけるオン電位制御部47およびオフ電位制御部48に対応する領域には、図11に示すように、後方から入射する光を反射する反射板65が配置されている。このように構成された液晶表示パネル42の後方にバックライトシステム43を配置することにより、表示装置41が構成されている。
【0038】
以上、本実施形態4に係る表示装置41の構成について説明した。この表示装置41を用いて通常の表示を行う場合は、表示領域Sの画素を制御するものであり、従来の液晶表示装置と同様の液晶駆動方式を用いればよい。
【0039】
次に、この表示装置41を用いてイメージ認識を行う場合について説明する。本実施形態においては、図13に示すように表示領域Sにおけるy方向に列をなす第n列の画素がそれぞれ輝点となり、かつ他の列の表示領域Sにおける画素が暗点となるように液晶駆動制御を行う。このとき、この第n列の一端側に設けられたオン電位制御部47の画素も輝点となるようにする。このオン電位制御部47における他の列の画素は暗点となるように制御する。そして、この第n列の他端側に設けられたオフ電位制御部48の画素は暗点となり、かつオフ電位制御部48の他の列の画素は輝点となるように液晶駆動制御する。図13において、斜線を付した画素は暗点を示し、白地の画素は輝点を示している。このように表示領域S内で輝点となる画素列は、輝線Kを構成する。このとき、第n列の一端側のオン電位制御部47の画素は輝点であるため、図14に示すように、バックライトシステム43の光は液晶表示パネル42を通過して反射板65に至り、この反射板65で反射されてオン電位制御部47の光電変換層49に入射して光電変換層49内にキャリアを発生する。すると、光電変換層49が導電性を示し、オン電位電極50と共通電極46とが光電変換層49を介して導通して共通電極46にオン電位が印加される。
他の列の画素では、オフ電位制御部48の画素は輝点となりオン電位制御部50の画素は暗点となるので、オフ電位電極51に対応した光電変換層49が導電性を示し、光センスにもかかわらず変位しないオフ電圧、すなわちグランド電圧が共通電極46に印加される。このため、他の列の画素では、液晶の暗点に加え、共通電極46が接地されているので漏れ電流を抑制することができる。
第n列の共通電極46にオン電位が印加されると、図11に示すように図中y方向に並ぶ光センサ54がオン状態となり、光検出が可能となる。このように光検出が可能となる光センサ54は、輝線Kを構成するそれぞれの画素に対応したものである。このため、各輝点に対応した光センサ54では、例えば図15に示すように、原稿Gの表面状態に応じた反射光を受け、この反射光の量に比例した光電流が、共通電極46と検出電極52との間に流れる。この電流量或いは電位を検出電極52からデータとして取り出すことにより、各表示領域Sにおける画素に対応した原稿Gの領域での表面状態を列毎に光センスすることができる。
なお、上記した説明は、1本の輝線Kについてのデータを得る場合についての説明であるが、この輝線Kを例えば図13に示す太い矢印の方向(x方向)に漸次移動(スキャン)させることにより、表面領域Sの全域に亙ってイメージ認識を行うことが可能となる。
【0040】
上記したように、本実施形態においては、光センサ52の列選択に関する制御を、オン電位制御部47とオフ電位制御部48に対応する液晶表示パネル42の液晶62の配向状態を制御して、光による制御を可能としている。このため、本実施形態では、光センサ54の列選択に関する制御回路を別途必要としないため、構成を簡単にするという利点がある。また、本実施形態の表示装置41においては、光センサ54の後方側の検出電極52、並びに、オン電位制御47およびオフ電位制御48の後方側のオン電位電極50やオフ電位電極51が、遮光性を有する電極材料でなるため、バックライトシステム43からの光を直接、光検出する不都合が生じるのを防止できる。
【0041】
本実施形態においては、イメージセンサとして動作している輝線K上の光センサ54の共通電極46のみがオン電位になり、光センサ54のこの部分でのみ原稿Gからの反射光に比例した光電流が流れる。また、所定の輝線Kを構成する画素に対応した光センサ54以外は、オン状態とならない(共通電極46にオン電位が印加されず、この共通電位46にオフ電位が印加される)ため、選択された画素列以外の画素での光検出は一切行われない。上記したように、これら光検出を行わない光センサ54の共通電極46はオフ電位となるため、発生する暗電流は非常に小さく、共通電極46がオン電位である場合に比べて少なくとも数桁以上低減させることができる。これは、光による光電変換層49の光電流値(抵抗値)が例えば液晶表示パネルであるとコントラストに比例して2桁程度制御できるので、共通電極46の電位を同様に2桁制御できることから、光電変換層の半導体特性によっては、暗電流をほぼ0にする(2桁以上低減させる)ことができることによる。これで、暗電流(雑音信号)の少なくとも2桁以上の低減が実現でき、暗電流による雑音レベルが信号レベルより少なくとも2+2=4桁以上小さくなる。したがって、信号線方向(図中y方向)に1000画素集積しても暗電流からくる雑音レベルは最高でも信号レベルより1桁以上低くなり、2次元イメージセンサの分解能を画素数で100〜1000以上にすることができる。実際には、輝線K以外の部分の光センサ54へも原稿Gが載せられて暗状態となっているにも拘わらず幾分かの光が入射している。しかし、本実施形態では、輝線K以外の部分の光センサ54の共通電極46はオフ電位が印加されているため、暗電流が流れることがなく、光センサ54でのSN比を大きくするこができる。このため、暗電流による雑音が影響することがないため、表示領域の画素数(光センサ54の数)を多くしてもイメージ認識の解像度を低下させることがないという利点がある。
【0042】
(実施形態5)
図16は、本発明に係る表示装置の実施形態5を示す要部平面図である。本実施形態は、上記した実施形態4において、表示領域Sとオン電位制御部47とオフ電位制御部48との光電変換層49を一体的に連続するようなパターン(図16を参照)に形成したものである。なお、本実施形態における他の構成は、上記した実施形態4と同様であるので、その説明を省略する。本実施形態においては、光電変換層49が画素を格子状に囲む構成であるため、遮光膜としての機能が向上するという利点がある。なお、本実施形態における他の作用・動作は、上記した実施形態4と同様であるので説明を省略する。
【0043】
(実施形態6)
図17および図18は、本発明に係る表示装置の実施形態6を示している。図17は表示装置の要部平面図、図18は図17のE−E断面図である。なお、上記した実施形態4および実施形態5は、共通電極46が透明なITOでなる電極であったが、本実施形態では、共通電極が遮光性を有する例えばメタル材料でなるものである。なお、本実施形態における、表示領域S、オン電位制御部47、およびオフ電位制御部48の配置は、上記した実施形態4と同様である。
【0044】
前透明基板44の後面には、図17および図18に示すように、透明なITOでなるオン電位電極50と、複数の検出電極52、およびオフ電位電極51が、それぞれ、オン電位制御部47、表示領域S、オフ電位制御部48に形成されている。さらに、これらオン電位電極50、検出電極52、およびオフ電位電極51に重なるとともに、各画素を囲む格子状の光電変換層49が、後面側に積層されている。さらに、光電変換層49の後面側には、遮光性を有するメタル材料でなる共通電極46が、図中y方向に沿って形成されている。この共通電極46は、各画素列に沿ってそれぞれ形成されたものであり、互いに電気的に独立するように設定されている。本実施形態における他の構成は、上記した実施形態4と同様であるため、その説明を省略する。なお、図18においては、後透明基板45の前面側に、ゲートライン66、ゲート絶縁膜67、層間絶縁膜68、パッシベーション膜69などを示している。
【0045】
本実施形態における作用・動作は、上記した実施形態4と略同様であるのでその説明を省略する。また、本実施形態における効果も上記した実施形態4および実施形態5と同様であるため、その説明を省略する。
【0046】
(実施形態7)
図19は、本発明に係る表示装置の実施形態7を示す要部平面図である。本実施形態は、上記した実施形態5の改良例である。図19に示すように、検出電極52どうしの最も近接している部分、すなわち検出電極52と隣接する検出電極52の突出部52Aの間の部分が、光センサ54として機能しないように、共通電極46に切欠き46Aを形成したものである。このように形成したことにより、図中y方向に隣接する光センサ54どうしの間にノイズとなる電流が発生するのを抑制することができる。このような構造とすることにより、この切欠き部分での共通電極46と検出電極52との間の電流は発生しなくなる。このため、光センサ54のy方向の分解能を向上することができる。なお、本実施形態における他の構成、作用・動作並びに効果は、上記した実施形態4および実施形態5と同様であるためその説明を省略する。
【0047】
(実施形態8)
図20および図21は、本発明に係る表示装置の実施形態8を示している。図20は表示装置の要部平面図、図21は図20のF−F断面説明図である。本実施形態における表示領域Sの構成は、上記した実施形態5と同様である。そこで、本実施形態においては、図21に示すオン電位制御部47を主に説明する。なお、オフ電位制御部48については、オン電位制御部47と同様な構成であるため、その説明を省略する。
【0048】
本実施形態の前透明基板44の後面のオン電位制御部47を形成する領域には、図20および図21に示すように、x方向に沿ってオン電位電極50が形成されている。また、オン電位電極50の後面側および側方を覆うように光電変換層49が、x方向に沿って形成されている。さらに、光電変換層49の後面には、y方向に沿って形成されているそれぞれの共通電極46に電気的に接続された、ITOでなる透明接続板70が積層されている。この透明接続板70は、共通電極46と略同一の幅であり、この共通電極46に隣接する他の共通電極46と接触しないように設定されている。さらに、前透明基板44の前面に配置された前偏光板63のオン電位制御部47に対応する領域の前面には、液晶を通過して出射されるバックライトシステム43からの光を吸収する光吸収板71が配置されている。上記したようにオフ電位制御部48の構成も、このオン電位制御部47と同様であるが、オフ電位電極51には検出電極52と同一の電位であるオフ電位が印加されている。なお、他の構成は、上記した実施形態4および実施形態5と同様の構成である。
【0049】
本実施形態においては、オン電位電極50の後面に光電変換層49を介して透明接続板70が積層されているため、このオン電位制御部47に対応する画素から光(図中矢印で示す)の入射があると、この光が直接透明接続板70を通過して光電変換層49へ入射してキャリアを光電変換層49内に発生させることができる。このため、光電変換層49が反射光に頼らずに確実にスイッチングされるという利点がある。なお、この光が前偏光板63を通過しても光吸収板71が光吸収を行うため、この光が前方に漏れ出ることはない。以上、オン電位制御部47の動作について説明したが、オフ電位制御部48においても同様の動作を行うことができる。なお、本実施形態における他の構成は、説明を省略する。
【0050】
(実施形態9)
図22および図23は、本発明に係る表示装置の実施形態9を示している。図22は表示装置の要部平面図、図23は図22のG−G断面説明図である。本実施形態は、上記した実施形態8の改良例であるため、実施形態8と異なる構成のみを説明する。本実施形態では、オン電位電極50と光電変換層49と透明接続板70との積層部分に、図22に示すような複数のスリット73を形成したものである。なお、オフ電位制御部48においても同様の構成である。このような構成としたことにより、図23に示すように液晶側から入射した光がスリット73が形成された光電変換層49に直接入射することができるため、より確実にオン電位制御を行うことが可能となる。
【0051】
(実施形態10)
図24および図25は、本発明に係る表示装置の実施形態10を示している。図24は表示装置の要部平面図、図25は図24のH−H断面説明図である。本実施形態は、上記した実施形態9の改良例であり、共通電極46が遮光性を有するメタル材料でなり、検出電極52が透明なITOでなる。また、光電変換層49がオン電位制御部47のものとオフ電位制御部48のもとが、表示領域Sの光電変換層49と一体的に連続して形成されたものである。オン、オフ電位制御部47、48に形成されたスリット73は、上記した実施形態9と同様である。本実施形態の他の構成は、上記した実施形態9と同様である。本実施形態においても、オン・オフ制御を行う光がスリット73を介して光電変換層49に直接入射できるため、確実なスイッチングを行うことができる。また、遮光性を有するメタル材料でなる共通電極46がオン・オフ制御部47、48の近傍まで延びているため、制御部側の画素からの光による誤検出を防止することができる。
【0052】
以上、実施形態1〜実施形態10までを説明したが、これらの実施形態においては、各種の変更が可能である。例えば、上記した各実施形態では、一対の偏光板を備えた液晶モードの液晶表示パネルを本発明に適用したが、周知の各種液晶表示モードのパネルを適用することが可能である。また、液晶駆動方式がアクティブ駆動方式のものについて説明したが、単純マトリクス方式や、MIMをスイッチング素子として用いたものなど各種の変更が可能である。また、光センサの形状も様々な形状に形成することができるため、上記した各実施形態の形状のものに限定されるものではない。さらに、上記した実施形態1〜実施形態10では、液晶表示パネルにカラーフィルタ層を用いた構成としたが、本発明は、例えば楕円偏光を利用したECB液晶モードのようなカラーフィルタ層を必要としない液晶表示パネルにも勿論適用可能である。
【0053】
また、上記した各実施形態では、ディスプレイとして液晶表示パネルを本発明に適用して説明したが、EL表示素子やプラズマディスプレイに代表されるような自発光表示素子などに本発明を適用することも勿論可能である。
【0054】
さらに、上記した実施形態1〜実施形態10においては、イメージ認識を行う際に、原稿側に向けて光照射を行う画素(輝点)が連続して列(輝線)をなすようにし、この輝線に沿って形成された光センサで光検出を行ったが、図26に示すように、y方向に並ぶ画素列において所定間隔毎の画素を輝点にさせてこれら輝点に対応した光センサで光検出を行い、この輝点をこの列内でy方向に逐次移動させて逐次輝点に対応した光センサで光検出を行ってもよい。この列での輝点の移動が終了して列内のすべての画素での光検出が終了した後に、図中太い矢印で示す方向に隣接する画素列に移動して同様の操作を繰り返していくことで表示領域全域の光検出が可能となる。このような方式でイメージ認識を行うと、輝点と輝点との距離が確保できるため、他の輝点から照射される光の反射光の影響を受けずに光検出を行うことができ、認識イメージの解像度を向上させることができる。
【0055】
(実施形態11)
図27は、この発明に係る表示装置の実施形態11を示すものであり、ディスプレイ表面に密着させるイメージセンサパネルを示す平面説明図である。また、図28はイメージセンサパネルにおける図27のI−I断面図である。なお、本実施形態では、ディスプレイとして液晶表示パネルを適用したものである。図27に示すように、表示装置41は、液晶表示パネル42の表示領域の表面に、透明センサ基板75にマトリクス状に多数の光センサ74が形成されたイメージセンサパネル76が、配置されて構成されている。
【0056】
液晶表示パネル42は、上記した実施形態1〜実施形態10のよう光センサを備えたものではなく、周知の液晶セル構造を有するものである。イメージセンサパネル76は、図28に示すように、透明センサ基板75上に、遮光性を有するメタル材料でなる複数の検出電極77が、互いに平行をなすように、表示領域全域に亙って形成されている。この検出電極77は、図27に示すx方向に沿って形成され、1本の検出電極77の幅寸法は、液晶表示パネル42の1画素領域の幅の例えば1/10程度に設定され、複数本の検出電極77が互いに接触しないように間隔を隔てて1画素領域内を通るように形成されている。また、この検出電極77を覆うように光電変換層78が形成され、この光電変換層78および透明センサ基板75上を、図27中y方向に沿って互いに平行をなすように、透明なITOでなる複数の共通電極79が表示領域全域に亙って形成されている。この共通電極79の幅寸法は、検出電極77と同程度に設定されており、液晶表示パネル42の1画素領域内に複数本が通るように形成されている。検出電極77と共通電極79とが光電変換層78を介して交差する部分は、光センサ74を構成している。このため、液晶表示パネル42の1画素領域内には、光センサ74が複数が配置された構造となっている。また、共通電極79が形成された透明センサ基板75上の全域にオーバーコート膜80が平坦に形成されている。このような構成のイメージセンサパネル76を、液晶表示パネル42の表示領域に対応するように配置することにより、本実施形態の表示装置41が構成されている。
【0057】
本実施形態の表示装置41を用いて通常の表示を行う場合、イメージセンサパネル76を取り外して表示を行う。なお、イメージセンサパネル76を載置した状態でも表示を行うことは可能である。
【0058】
次に、本実施形態の表示装置41を用いてイメージ認識を行う場合は、イメージセンサパネル76を液晶表示パネル42の表示領域S上に載置した状態で行う。図27は、イメージ認識を行っている状態を示している。同図に示すように、液晶表示パネル42のy方向に所定の列をなす画素から光照射するように液晶駆動制御を行う。すなわち、この画素列を同図に示すように輝線Kにする。この輝線Kは、当然ながら画素列と同一の幅であり、この輝線Kとなる領域内に細かい光センサ74が列をなす画素数よりも多く配置されている。そして、この輝線Kを維持したまま、輝線Kの領域内の共通電極79の1本のみにオン電位を印加して、輝線Kの領域内の他の共通電極79にはオフ電位を印加する。この状態で、検出電極77から光電流信号を取り出す。次に、この輝線Kの領域内の他の共通電極79から1本を選びこれにオン電位を印加し、かつ他の共通電極79にオフ電位を印加し、この状態で検出電極77から光電流信号を取り出す。このような操作を繰り返して、輝線Kの領域内の全ての光センサ74での検出を終了させる。続いて、輝線Kを図27に示すように太い矢印の方向に逐次スキャンし、各輝線K毎に上記した操作を繰り返して、表示領域上の全ての光センサ74での光検出を行う。このようにして、表示領域上に置いた原稿のイメージ認識を行うことができる。
【0059】
本実施形態では、光センサ74を液晶表示パネル42の画素よりもファインピッチに配置することができるため、分解能の高いイメージ認識を行うことができ、認識イメージの解像度を向上させることできる。
【0060】
(実施形態12)
図29は、上記した実施形態11の変形例である実施形態12を示す断面図である。同図に示すように、本実施形態では検出電極77に交差するように光電変換層78を形成し、この光電変換層78の上に共通電極79を形成した構成である。本実施形態の他の構成は、上記した実施形態11と同様であるため説明を省略する。なお、光電変換層78が光透過性の高い材料である場合は、光電変換層78をイメージ検出領域全域に亙って形成してもよい。
【0061】
(実施形態13)
図30は、上記した実施形態11の変形例である実施形態13を示す断面図である。同図に示すように、本実施形態では検出電極77上に沿って光電変換層78を形成し、前面を絶縁膜81で覆い、光センサ74を形成すべき位置の絶縁膜81を開口させ、露出した光電変換層78と接続するように、ITOでなる共通電極79をパターン形成したものである。本実施形態の他の構成は、上記した実施形態11と同様である。
【0062】
(実施形態14)
図31および図32は、上記した実施形態11の変形例である実施形態14を示す断面図である。本実施形態は、透明センサ基板75が樹脂フィルムでなり、この透明センサ基板7の後面に共通電極79を形成し、この共通電極79の後面に光電変換層78を形成し、この光電変換層78を介して共通電極79と交差するように検出電極77を形成したものである。なお、本実施形態における光電変換層78は、有機光半導体材料で形成されている。このような構成のイメージセンサパネル76は、樹脂フィルムで透明センサ基板75を形成したことにより、非常に薄い膜厚に形成できるという利点がある。そして、図32に示すように、このイメージセンサパネル76を液晶表示パネル42の表示領域上に透明接着剤80を介して接着し、液晶表示パネル42の後方にバックライトシステム43を配置することにより、本実施形態の表示装置41が構成されている。本実施形態では、透明センサ基板75の厚さをより薄くできるため、原稿と光センサ74との距離を縮めることができる、認識イメージの解像度を向上して、鮮明なイメージ認識を行うことが可能となる。なお、本実施形態では、イメージセンサパネル76と液晶表示パネル42との接着に接着剤を用いたが、例えばUV硬化樹脂やオーバーコート材などを用いることも勿論可能である。
【0063】
上記した実施形態11〜実施形態14においても、ディスプレイとしてEL表示素子やプラズマ表示素子などの自発光素子を適用することができる。以上、本発明の各実施形態について説明したが、構成の要旨に付随する各種の変更が可能である。
バックライトシステム14は、直線型又は液晶表示パネル13の周縁に沿った形状の光源からの光を液晶表示パネル13の表示面と略同一形状の導光板で拡散しているものであるが、導光板は光源に近い箇所と遠い箇所で出射する光の量が異なるので、均一な面発光をすることが困難なため、微量な光の量の違いを検出するセンサには不適であるが、液晶表示パネル13の表示面と略同一形状に発光領域を有する有機EL素子をバックライトとして用いれば、より微細な階調センスを行うことができる。
【0064】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、この発明によれば、高性能な表示機能を損なうことなく、イメージセンサ機能を備えた表示装置を実現するという効果がある。また、本発明によれば、表示装置において、光検出の性能がよく、駆動操作が容易なイメージセンサ機能を実現するという効果を奏する。さらに、本発明によれば、単純な構造で低廉な価格で製造できる、イメージセンサ機能を備えた表示装置を実現する効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る表示装置の実施形態1を示す要部平面図。
【図2】図1のA−A断面図。
【図3】実施形態1に係る表示装置の後透明基板の平面説明図。
【図4】(a)は実施形態1におけるイメージ認識を行う場合を示す表示領域の平面説明図、(b)および(c)はイメージ認識状態を示す断面説明図、(d)及び(e)は、イメージ認識に基づいて液晶表示パネルが表示を行うことを示す説明。
【図5】実施形態1に係る表示装置の断面図。
【図6】(a)は実施形態1において拡散板を用いた表示形態を示す断面説明図、(b)はイメージ認識状態を示す断面説明図。
【図7】(a)は実施形態1における表示状態を示す断面説明図、(b)はイメージ認識状態を示す断面説明図。
【図8】本発明に係る表示装置の実施形態2を示す要部平面図。
【図9】図8のB−B断面図。
【図10】本発明に係る表示装置の実施形態3を示す要部平面図。
【図11】本発明に係る表示装置の実施形態4を示す要部平面図。
【図12】図11のC−C断面図。
【図13】実施形態4における光センサのオン・オフ電位制御を説明する平面図。
【図14】実施形態4におけるオン電位制御部の作用を示す断面図。
【図15】図11のD−D断面図。
【図16】本発明に係る表示装置の実施形態5を示す要部平面図。
【図17】本発明に係る表示装置の実施形態6を示す要部平面図。
【図18】図17のE−E断面図。
【図19】本発明に係る表示装置の実施形態7を示す要部平面図。
【図20】本発明に係る表示装置の実施形態8を示す要部平面図。
【図21】図20のF−F断面説明図。
【図22】本発明に係る表示装置の実施形態9を示す要部平面図。
【図23】図22のG−G断面説明図。
【図24】本発明に係る表示装置の実施形態10を示す要部平面図。
【図25】図24のH−H断面説明図。
【図26】本発明に係る他のイメージ認識方式を示す平面説明図。
【図27】本発明の実施形態11を示す平面説明図。
【図28】図27のI−I断面説明図。
【図29】本発明の実施形態12を示す断面説明図。
【図30】本発明の実施形態13を示す断面説明図。
【図31】本発明の実施形態14を示す断面説明図。
【図32】実施形態14に係る表示装置を示す断面説明図。
【符号の説明】
k 輝点
p 画素領域
K 輝線
S 表示領域
G 原稿
11 表示装置
12 光センサ
13 液晶表示パネル
14 バックライトシステム
17 液晶
18 検出電極
19 光電変換層
20 共通電極
22 前液晶駆動電極
24 画素電極
41 表示装置
42 液晶表示パネル
43 バックライトシステム
46 共通電極
47 オン電位制御部
48 オフ電位制御部
49 光電変換層
50 オン電位電極
51 オフ電位電極
52 検出電極[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a display device, and more particularly to a display device having an image recognition function.
[0002]
[Background Art and Problems to be Solved by the Invention]
As the display device, various display devices such as a liquid crystal display, a CRT display, and an electroluminescence (hereinafter referred to as EL) display are known. In these display devices, it is desired to improve the display quality of characters, figures, images and the like, the amount of display information, and ease of use. For this reason, in these display devices, the display definition has been increased. Conventional image sensors generally perform image recognition by irradiating an object to be recognized (hereinafter referred to as an original) with light and detecting the reflected light by an optical sensor such as a CCD (charge coupled device). It is used for reading and copying data.
[0003]
As described above, in order to improve the display performance of display devices, high definition has progressed, and incorporating an image sensor in such a display device has a complicated structure and is therefore considered to be expensive. It has been. In addition, when the display device and the image sensor are combined, there is a problem that it is difficult to perform high-performance display because an arrangement area of the image sensor is required. Furthermore, there is a problem that drive control between the display device and the image sensor becomes complicated.
[0004]
The first problem to be solved by the present invention lies in what measures should be taken to realize a display device having an image sensor function without impairing a high-performance display function. . The second problem lies in what means should be taken to add a high-performance and easy-to-drive image sensor function to the display device. Furthermore, the third problem is what measures should be taken to realize a display device having an image sensor function that can be manufactured at a low price with a simple structure.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
The invention described in
The front transparent substrate and the rear transparent substrate are arranged to face each other, the color filter layer and the front liquid crystal drive electrode are formed on the rear surface side of the front transparent substrate, and the rear liquid crystal drive electrode is formed on the front surface side of the rear transparent substrate. A liquid crystal display panel,
A backlight system disposed behind the liquid crystal display panel;
An optical sensor formed between the color filter layers of the pixel regions in the front transparent substrate of the liquid crystal display panel, wherein one of a pair of electrodes is connected to the front liquid crystal drive electrode;
With,
The liquid crystal display panel transmits light of the backlight system from pixels forming a column across a display area in a predetermined direction,
The other of the pair of electrodes of the photosensor is a detection electrode arranged in a direction crossing the direction of the row.It is characterized by that.
According to the first aspect of the present invention, when a document is placed on the surface of the display, the light emitted from the pixel and reflected by the document surface can be detected by the optical sensor disposed in the vicinity of the pixel. . The optical sensor can detect the state of the document surface based on the amount of light reflected from the document. By detecting the reflected light for each pixel in the display area of the display and collecting the light information at each address, an image of the document surface placed on the display can be obtained.
[0006]
The optical sensor has a photoelectric conversion layer that generates carriers according to the amount of received light.SaidIt is characterized by being sandwiched between a pair of electrodes.
[0009]
Claim3In the described invention, the rear liquid crystal driving electrode is a pixel electrode formed for each pixel region, and a switching element connected to the pixel electrode is formed in the vicinity of each pixel electrode. It is said.
[0010]
Claim4In the described invention, the optical sensor is provided on a rear surface side of the front transparent substrate, and on a front side of the photoelectric conversion layer.The other of the pair of electrodesA transparent electrode is formed on the back side of the photoelectric conversion layer.The one of the pair of electrodesAn opaque electrode is formed.
[0013]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, details of the display device according to the present invention will be described based on each embodiment shown in the drawings.
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a plan view of an essential part of
[0014]
First, the configuration of the optical sensor will be briefly described. On the rear surface of the front
[0015]
Further, color filter layers 21 are formed on the rear surface of the front
[0016]
On the other hand, on the front surface of the rear
[0017]
The
[0018]
In order to perform display on the
[0019]
Next, the case where the original G is placed on the display area S of the
[0020]
For this reason, as shown in FIG. 4A, the bright line K is sequentially moved in the direction of the arrow x, and the reflected light is detected by the
The
As shown in FIG. 4E, the
In the present embodiment, the
[0021]
In the
[0022]
Next, an improvement example in the case of performing display and image recognition using the
First, FIG. 6A shows a state in which the diffusion plate 33 is arranged on the front surface when displaying on the
[0023]
FIG. 7A shows a case where display is performed by the
[0024]
(Embodiment 2)
8 and 9
[0025]
First, the configuration on the front
[0026]
Next, the configuration on the rear
[0027]
The above-described
[0028]
In the
[0029]
In order to perform display with the
[0030]
(Embodiment 3)
FIG. 10 is a plan view of an essential
[0031]
(Embodiment 4)
11 to 15
[0032]
As shown in FIG. 11, the
[0033]
The configuration of the on-
[0034]
Next, the configuration of the display area S on the front
[0035]
In the structure described above, the front liquid
[0036]
On the other hand, on the front surface of the rear
[0037]
The
[0038]
The configuration of the
[0039]
Next, a case where image recognition is performed using the
In the pixels in the other columns, the pixels of the off-
When an ON potential is applied to the nth column
The above description is for the case of obtaining data for one bright line K. For example, this bright line K is gradually moved (scanned) in the direction of the thick arrow (x direction) shown in FIG. Thus, image recognition can be performed over the entire surface region S.
[0040]
As described above, in the present embodiment, the control related to the column selection of the
[0041]
In the present embodiment, only the
[0042]
(Embodiment 5)
FIG. 16: is a principal part top view which shows
[0043]
(Embodiment 6)
17 and 18 show a sixth embodiment of the display device according to the present invention. 17 is a plan view of the main part of the display device, and FIG. 18 is a cross-sectional view taken along line EE of FIG. In
[0044]
On the rear surface of the front
[0045]
Since the operations and operations in the present embodiment are substantially the same as those in the fourth embodiment, the description thereof is omitted. Moreover, since the effect in this embodiment is the same as that of
[0046]
(Embodiment 7)
FIG. 19 is a plan view of a principal
[0047]
(Embodiment 8)
20 and 21
[0048]
On the rear surface of the front
[0049]
In the present embodiment, since the
[0050]
(Embodiment 9)
22 and 23 show a ninth embodiment of a display device according to the present invention. 22 is a plan view of the main part of the display device, and FIG. 23 is an explanatory view taken along the line GG of FIG. Since this embodiment is an improved example of the above-described eighth embodiment, only the configuration different from the eighth embodiment will be described. In the present embodiment, a plurality of
[0051]
(Embodiment 10)
24 and 25 show Embodiment 10 of the display device according to the present invention. 24 is a plan view of an essential part of the display device, and FIG. 25 is a cross-sectional view taken along the line HH of FIG. The present embodiment is an improved example of the above-described ninth embodiment. The
[0052]
The first to tenth embodiments have been described above, but various modifications can be made in these embodiments. For example, in each of the embodiments described above, a liquid crystal mode liquid crystal display panel including a pair of polarizing plates is applied to the present invention. However, various known liquid crystal display mode panels can be applied. Further, although the liquid crystal driving method has been described as an active driving method, various modifications such as a simple matrix method and a method using MIM as a switching element are possible. Further, since the shape of the optical sensor can be formed in various shapes, it is not limited to the shapes of the above-described embodiments. Further, in
[0053]
In each of the above embodiments, a liquid crystal display panel is applied to the present invention as a display. However, the present invention may be applied to a self-luminous display element such as an EL display element or a plasma display. Of course it is possible.
[0054]
Furthermore, in the above-described first to tenth embodiments, when performing image recognition, pixels (bright spots) that irradiate light toward the document side continuously form rows (bright lines). As shown in FIG. 26, light detection was performed with photosensors formed along the y-axis. Pixels arranged at predetermined intervals in the pixel row arranged in the y direction were used as luminescent spots, and photosensors corresponding to these luminescent spots were used. Light detection may be performed, and the bright spot may be sequentially moved in the y direction in this row, and light detection may be performed with a light sensor corresponding to the bright spot. After the movement of the bright spot in this column is completed and the light detection is completed for all the pixels in the column, the same operation is repeated by moving to the adjacent pixel column in the direction indicated by the thick arrow in the figure. This makes it possible to detect light in the entire display area. When image recognition is performed in this way, the distance between the bright spot and the bright spot can be secured, so that light detection can be performed without being affected by the reflected light of light emitted from other bright spots. The resolution of the recognition image can be improved.
[0055]
(Embodiment 11)
FIG. 27 is a plan view showing an image sensor panel in close contact with the display surface, showing
[0056]
The liquid
[0057]
When normal display is performed using the
[0058]
Next, when performing image recognition using the
[0059]
In the present embodiment, since the
[0060]
FIG. 29 is a cross-sectional
[0061]
(Embodiment 13)
FIG. 30 is a cross-sectional
[0062]
(Embodiment 14)
31 and 32 are cross-sectional
[0063]
Also in the above-described
The
[0064]
【The invention's effect】
As is clear from the above description, according to the present invention, there is an effect of realizing a display device having an image sensor function without impairing a high-performance display function. In addition, according to the present invention, the display device has an effect of realizing an image sensor function with good light detection performance and easy driving operation. Furthermore, according to the present invention, there is an effect of realizing a display device having an image sensor function that can be manufactured at a low cost with a simple structure.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view of an essential
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG.
3 is an explanatory plan view of a rear transparent substrate of a display device according to
FIGS. 4A and 4B are explanatory plan views of a display area showing image recognition in the first embodiment, FIGS. 4B and 4C are cross-sectional explanatory views showing an image recognition state, and FIGS. Is an explanation showing that the liquid crystal display panel performs display based on image recognition.
5 is a cross-sectional view of a display device according to
6A is a cross-sectional explanatory view showing a display form using a diffusion plate in the first embodiment, and FIG. 6B is a cross-sectional explanatory view showing an image recognition state.
7A is a cross-sectional explanatory view showing a display state in the first embodiment, and FIG. 7B is a cross-sectional explanatory view showing an image recognition state.
FIG. 8 is a plan view of a main
9 is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG.
FIG. 10 is a plan view of a main
FIG. 11 is a plan view of a principal
12 is a cross-sectional view taken along the line CC of FIG.
13 is a plan view for explaining on / off potential control of the photosensor according to
14 is a cross-sectional view showing the operation of an on-potential control unit in
15 is a sectional view taken along the line DD of FIG.
FIG. 16 is a plan view of a principal
FIG. 17 is a plan view of a principal part showing Embodiment 6 of a display device according to the present invention.
18 is a cross-sectional view taken along line EE in FIG.
FIG. 19 is a plan view of a principal
FIG. 20 is a plan view of a principal
21 is a cross-sectional explanatory diagram of FF in FIG. 20;
FIG. 22 is a plan view of a principal
23 is a cross-sectional explanatory view taken along the line GG in FIG.
FIG. 24 is a plan view of a principal part showing Embodiment 10 of a display device according to the present invention.
25 is a cross sectional view taken along the line HH in FIG. 24. FIG.
FIG. 26 is an explanatory plan view showing another image recognition method according to the present invention.
FIG. 27 is an explanatory plan
28 is a cross-sectional explanatory view taken along the line II of FIG. 27. FIG.
FIG. 29 is an explanatory cross-sectional
FIG. 30 is a cross-sectional explanatory
FIG. 31 is a cross-sectional explanatory
32 is a cross-sectional explanatory view showing a display device according to
[Explanation of symbols]
k bright spot
p Pixel area
K bright line
S display area
G manuscript
11 Display device
12 Optical sensor
13 LCD panel
14 Backlight system
17 LCD
18 Detection electrode
19 Photoelectric conversion layer
20 Common electrode
22 Front LCD drive electrode
24 pixel electrode
41 Display device
42 LCD panel
43 Backlight system
46 Common electrode
47 On-potential controller
48 OFF potential control section
49 Photoelectric conversion layer
50 ON potential electrode
51 Off potential electrode
52 Detection electrode
Claims (4)
前記液晶表示パネルの後方に配置されたバックライトシステムと、
前記液晶表示パネルの前記前透明基板における画素領域に設けられた前記カラーフィルタ層同士の間に形成され、一対の電極のうちの一方が前記前液晶駆動電極に接続されている光センサと、
を備え、
前記液晶表示パネルは、表示領域を所定方向に横切って列をなす画素から前記バックライトシステムの光を透過し、
前記光センサの前記一対の電極の他方は、前記列の方向と交差する方向に並ぶ検出電極であることを特徴とする表示装置。The front transparent substrate and the rear transparent substrate are arranged to face each other, the color filter layer and the front liquid crystal drive electrode are formed on the rear surface side of the front transparent substrate, and the rear liquid crystal drive electrode is formed on the front surface side of the rear transparent substrate. A liquid crystal display panel,
A backlight system disposed behind the liquid crystal display panel;
An optical sensor formed between the color filter layers provided in the pixel region of the front transparent substrate of the liquid crystal display panel, wherein one of a pair of electrodes is connected to the front liquid crystal drive electrode;
Equipped with a,
The liquid crystal display panel transmits light of the backlight system from pixels forming a column across a display area in a predetermined direction,
2. The display device according to claim 1, wherein the other of the pair of electrodes of the photosensor is a detection electrode arranged in a direction crossing the direction of the column .
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