JP3703857B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

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Description

【0001】
【産業上の利用分野】
この発明は、液晶表示装置に関し、特に例えば大画面、高精細度の画面を得る場合において好適な液晶表示装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図12は従来の液晶表示装置を示す構成図である。
図において、1は表示パネル、2はスイッチ素子としての例えば薄膜トランジスタ(以下、TFTと称する)、3はTFT2と共に1画素を構成する液晶表示素子であって、これら対をなすTFT2と液晶表示素子3が図に示すようにマトリクス状に配列されて表示パネル1を構成する。
【0003】
4は各TFT2のゲートに接続されたゲートバスライン、5は各TFT2のソースに接続されたソースバスライン、6はそれぞれゲートバスライン4を介して各TFT2のゲートに矩形波のゲート信号を供給する走査回路、7は外部からの映像信号をサンプリングしてホールドし、しかる後それぞれソースバスライン5を介して各TFT2のソースに供給するサンプルホールド回路である。41は走査回路6に接続されたゲートバスライン4の入力部、42はゲートバスライン4の終端部である。
ゲートバスライン4は一般に図13に示すように入力部41と終端部42の間に多数のゲート配線抵抗43、ゲート配線容量44が分布する等価回路で表される。
【0004】
次に動作について図14を参照しながら説明する。
いま、走査回路6よりゲートバスライン4の入力部42に図14Aに示すような電圧VPなるゲート信号SIが印加されると、このゲート信号SIはゲートバスライン4を伝送するうちにそのゲート配線抵抗43およびゲート配線容量44によって順次遅延され、最終的に終端部42に現れるゲート信号は図14Bに示すような波形のゲート信号SOとなる。
【0005】
一方、表示パネル1内の各TFT2は、ゲート信号が所定電圧VTを越えたときオン状態、所定電圧VTより小さくなった時にオフ状態になる。従って、図14Bに示すような波形のゲート信号SOのなまりによって各TFT2のオン状態になる時刻に遅れが生じる。つまり、ゲートバスライン4の一番入力部41側にあるTFT2がオンしてから一番終端部42側にあるTFT2がオンするまでに図14Bに示すように遅延時間Δt1を生じる。
【0006】
いま、ゲートバスライン4上の任意の位置Pにおける遅延時間ΔtPは、ゲートバスライン4の入力部41とある位置Pの間のゲート配線抵抗43をR(Ω)、ゲート配線容量44をC(F)とすると、次式で表せる。但し、Lnは自然対数を表す。
【0007】
ΔtP=C・R・Ln〔1/{1−(VT/VP)}〕 (1)
【0008】
上記(1)式より、ΔtPはC・Rの積に比例することが分かる。また、C、Rの値は、対象とするゲートバスライン4上の位置とその入力部41との間隔によって決まり、入力部41から離れている程C、Rの値は大きくなり、従って、遅延時間ΔtPもそれだけ大きくなることが分かる。
【0009】
ちなみに、いま、例えば表示パネル1の水平方向の画素数を1920(640×3)個、垂直方向の画素数が480個の場合に、1画素当たりのゲート配線容量を0.5×10-12(F)、1画素当たりのゲート配線抵抗を2.5(Ω)とすると、ゲートバスライン4の終端部42側におけるCの値は9.6×10-10(0.5×10-12×1920)(F)となり、また、ゲートバスライン4の終端部42側におけるRの値は4.8×103(2.5×1920)(Ω)となり、そして、C・R=4.6μsとなるので、VT/VPの値を0.67とすると、このときの遅延時間ΔtP1即ち図14Bにおける立ち上がり遅延時間Δt1は上記(1)式より5.6(=4.6×1.1)μsとなる。
【0010】
また、図14Aに示すような電圧VPなるゲート信号SIがゲートバスライン4の入力部41に印加されたときに、最終的に終端部42に現れる図14Bに示すような波形のゲート信号SOの電圧V0は次式のごとく表される。但し、tは任意の時間、t2はゲート信号SOの立ち下がり開始時間を表す。
【0011】
O=VP・exp{−(t−t2)/C・R} (2)
【0012】
従って、このときのゲート信号SOが立ち下がり開始時間t2から立ち下がり始めて所定電圧VT以下になるまでの立ち下がり遅延時間Δt2は次式のごとくなる。
【0013】
Δt2=C・R・Ln(VT/VP) (3)
【0014】
ここで、VT/VPの値を0.67とすると、このときの立ち下がり遅延時間Δt2は上記(3)式よりΔt2=0.4×C・Rμsとなり、例えば上記画素数の表示パネル1の場合、立ち下がり遅延時間Δt2は1.8(=0.4×4.6)μsとなる。
【0015】
一方、上記画素数の場合の各ゲートバスライン4の選択時間は、1フィールド時間(16.7ms)を垂直方向の画素数に対応するゲートバスライン4の本数480で割った時間34.8μsより短くなくてはならない。
例えば、ゲートバスライン4が図15に示すような間隔で選択されて行くものとすると、1つのゲートバスライン4が選択されている時間が、別のゲートバスライン4が選択されている時間と重なることは許されないので、例えば4.8μsのマージンを取った場合、ゲートバスライン4が付勢状態にある時間は最大30μsとなり、このため、上記5.6μsなる立ち上がり遅延時間Δt1は無視できない値である。
【0016】
かくして、立ち上がり遅延時間Δt1が大きくなると、その分だけゲートバスライン4の終端部42側のTFT2のオン状態になる時刻が遅れ、そのオン状態の期間を十分に取れなくなり、液晶表示装置における表示画面の表示輝度が低下する。これは表示画面上の左右で輝度が異なる表示不良で、一般に輝度傾斜と呼ばれる。
【0017】
【発明が解決しようとする課題】
従来の液晶表示装置は以上のように構成され、ゲートバスラインによるゲート信号の遅延によってゲートバスラインの終端部側にある表示パネルを構成するスイッチ素子程オン状態になる時刻が遅れ、そのオン状態の期間が十分に取れなくなるので、表示画面に輝度傾斜が現れ、特に大画面、高精細化が進んでゲートバスラインが長くなってゲート配線抵抗やゲート配線容量の値が大きくなったり、或はゲートバスラインが細かくなってゲート配線抵抗の値が大きくなると、上述の輝度傾斜が深刻な表示不良となり、大画面化、高精細化の障害となるという問題点があった。
【0018】
この発明はこのような問題点を解決するためになされたもので、ゲートバスラインによるスイッチ素子の動作の遅延を低減し、輝度傾斜を除去して常に良好な表示画面を得ることができる大画面化、高精細化が可能な液晶表示装置を得ることを目的とする。
【0019】
【課題を解決するための手段】
請求項1記載の発明に係る液表示装置は、矩形波信号を発生する矩形波信号発生手段と、上記矩形波信号の少なくとも立ち上がりの遅延時間を補正し、駆動信号として出力する駆動手段と、マトリクス状に配列された複数個のスイッチ素子および該スイッチ素子によって印加電圧を制御される複数個の液晶表示素子を有し、上記駆動信号によって上記スイッチ素子が駆動される表示手段とを備え、上記駆動手段は、ゲートが入力端子に接続され、ドレインが第1の電源端子に接続された第1のMOSトランジスタと、ゲートが上記第1のMOSトランジスタのソースに接続され、ドレインが上記第1の電源端子に接続され、ソースが出力端子に接続された第2のMOSトランジスタと、一端が上記第1のMOSトランジスタのソースに接続され、他端が上記第2のMOSトランジスタのソースに接続された第1のコンデンサと、一端が上記第1のMOSトランジスタのソースに接続され、他端が第2の電源端子に接続された第1の抵抗と、一端が上記第2のMOSトランジスタのソースに接続され、他端が上記第2の電源端子に接続された第2の抵抗と、一端が出力端子に接続され、他端が上記第2の電源端子に接続された第2のコンデンサからなるものである。
【0020】
求項記載の発明に係る液晶表示装置は、矩形波信号を発生する矩形波信号発生手段と、上記矩形波信号の少なくとも立ち上がりの遅延時間を補正し、駆動信号として出力する駆動手段と、マトリクス状に配列された複数個のスイッチ素子および該スイッチ素子によって印加電圧を制御される複数個の液表示素子を有し、上記駆動信号によって上記スイッチ素子が駆動される表示手段とを備えた液晶表示装置であって、上記駆動手段は、ゲートが入力端子に接続され、ドレインが第1の電源端子に接続され、ソースが出力端子に接続されたMOSトランジスタと、一端が上記MOSトランジスタのゲートに接続され、他端が上記出力端子に接続された第1のコンデンサと、一端が上記出力端子に接続され、他端が第2の電源端子に接続された第2のコンデンサと、一端が上記MOSトランジスタのソースに接続され、他端が上記第2の電源端子に接続された第1の抵抗とからなるものである。
請求項記載の発明に係る液晶表示装置は、一端が上記出力端子に接続され、他端が第2の電源端子に接続されたクランプ素子を有するものである。
【0021】
【作用】
請求項1記載の発明においては、矩形波信号発生手段からの矩形波信号の少なくとも立ち上がりの遅延時間を駆動手段で補正し、駆動信号として表示手段に出力し、表示手段を構成する液晶表示素子の印加電圧を制御するスイッチ素子を駆動する。これにより、表示手段の各ゲートバスラインに接続されているスイッチ素子の全てがほぼ同時にオン状態となり、表示画面の左右で輝度が異なる輝度傾斜が防止される。
【0023】
【実施例】
実施例1.
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
図1はこの発明の一実施例を示す図であり、図12と対応する部分には同一符号を付し、その詳細説明は省略する。
図において、6Aはそれぞれゲートバスライン4を介して各TFT2のゲートに矩形波のゲート信号を供給する矩形波発生手段としての走査回路、10は走査回路6Aと表示手段としての表示パネル1との間に設けられ、走査回路6Aからのゲートバスライン4によるゲート信号の立ち上がりおよび立ち下がり遅延時間分を予め補正して表示パネル1の各TFT2を各ゲートバスライン4毎に順次駆動する駆動手段としての駆動回路である。
その他の構成は、図12の場合と同様である。なお、走査回路6Aは図12の走査回路6から発生されるゲート信号SIの電圧VPより大きな電圧VP1を有する矩形波のゲート信号SI1を発生するようになされている。
【0024】
次に動作について図2を参照しながら説明する。
いま、走査回路6Aより電圧VP1(>VP)なる矩形波のゲート信号SI1が駆動回路10に印加されると、この駆動回路10はその出力側に波形整形されたゲート信号、例えば図2Aに示すようにその立ち上がり部分(前縁部)のレベルが波高値の平均値より所定量高くかつ立ち下がり部分(後縁部)に所定量のアンダーシュートを有し、実質的に表示パネル1内のゲートバスライン4における遅延時間を補正できるように予め設定されたゲート信号SI2を駆動信号として出力する。
【0025】
このゲート信号SI2はゲートバスライン4を伝送するうちにそのゲート配線抵抗43およびゲート配線容量44(図13)によって順次遅延され、最終的に終端部42に現れるゲート信号は図2Bに示すような波形のゲート信号SO1となる。
【0026】
いま、ゲート信号SI2の減衰部分が(VPP−VP)・exp(−a・t)+Vpで近似できるものとする。ここで、aは駆動回路10を構成する後述の抵抗器やコンデンサ等の回路要素およびゲートバスライン4のゲート配線抵抗やゲート配線容量等の値で決まる定数、VPPはゲート信号SI2のピーク電圧、VPはゲート信号SI2の減衰部分が減衰していく値、tは任意の時間である。
このとき、ゲートバスライン4上の任意の位置Pにおけるゲート信号SO1の電圧VOPは次式のように変化する。
【0027】
Figure 0003703857
【0028】
但し、ゲートバスライン4の入力部41と任意の位置Pの間のゲート配線抵抗43をR(Ω)、ゲート配線容量44をC(F)とする。
これより、任意の位置Pにおける遅延時間ΔtP1は、次式で近似できる。
【0029】
ΔtP1≒C・R(VT/VPP) (5)
【0030】
上記(5)式より、ΔtP1はC・Rの積に比例することが分かる。また、C、Rの値は、対象とするゲートバスライン4上の位置とその入力部41との間隔によって決まり、入力部41から離れている程C、Rの値は大きくなり、従って、遅延時間ΔtP1もそれだけ大きくなることが分かる。
【0031】
ちなみに、いま、上述同様に例えば表示パネル1の水平方向の画素数を1920(640×3)個、垂直方向の画素数が480個の場合に、1画素当たりのゲート配線容量を0.5×10-12(F)、1画素当たりのゲート配線抵抗を2.5(Ω)とすると、ゲートバスライン4の終端部42側におけるCの値は9.6×10-10(0.5×10-12×1920)(F)となり、また、ゲートバスライン4の終端部42側におけるRの値は4.8×103(2.5×1920)(Ω)となり、そして、C・R=4.6μsとなるので、ゲート信号SI2のピーク値VPPとしてVT/VPP=0.1となるように設定することにより、このときの遅延時間ΔtP1即ち図2Bにおける立ち上がり遅延時間Δt3は上記(5)式より0.46(=4.6×0.1)μsとなり、従来の図12の場合に比し、大幅にゲートバスライン4による遅延時間が短縮されていることが分かる。
【0032】
また、図2Bにおけるゲート信号SO1の立ち下がりについて見ると、いま、その立ち下がりの減衰部分を−VPL・exp{−b(t−t2)}で表した場合(但し、VPL、bは駆動回路10を構成する後述の抵抗器やコンデンサ等の回路要素およびゲートバスライン4の配線抵抗や配線容量等の値で決まる定数、t2はゲート信号SO1の立ち下がり開始時間である)、ゲート信号SO1の電圧V01は次式で表される。
【0033】
Figure 0003703857
【0034】
この(6)式において、tの一次までを取ると、次式のごとく表される。
O1=VP−{(t−t2)/R・C}(VP+VPL) (7)
【0035】
従って、このときのゲート信号SO1が立ち下がり開始時間t2から立ち下がり始めて所定電圧VT以下になるまでの立ち下がり遅延時間Δt4は次式のごとくなる。
【0036】
Δt4=C・R{1−(VT/VP)}/{1+(VPL/VP)} (8)
【0037】
ここで、例えばVT/VP=0.67のとき、VPL/VP=5となるようにVPLの値を設定すれば、このときの立ち下がり遅延時間Δt4は上記(8)式よりΔt4=0.055×C・Rμsとなり、例えば上記画素数の表示パネル1の場合、立ち下がり遅延時間Δt4は0.253(=0.055×4.6)μsとなり、図12に示した従来の場合に比し、大幅に短縮されていることが分かる。
【0038】
図3は図1で使用された駆動回路10の1ゲートバスライン当たりの回路構成の一例を代表的に示す回路図である。
図において、11は走査回路6Aに接続された入力端子、12はスイッチ素子例えばNチャネル型のMOSトランジスタであって、そのゲートは入力端子11に接続され、そのドレインは第1の電源端子VDDに接続され、そのソースは抵抗器13を介して第2の電源端子VSSに接続される。
【0039】
14はMOSトランジスタ12のゲートーソース間に接続されたコンデンサ、15はMOSトランジスタ12のソースと第2の電源端子VSSとの間に抵抗器13と並列に接続されたコンデンサである。そして、MOSトランジスタ12のソース即ちコンデンサ14と15の接続点より出力端子16が導出される。
【0040】
次に、動作について図4〜図7を参照して説明する。
いま、走査回路6Aより上述の電圧VP1なる矩形波のゲート信号SI1が印加されると、このゲート信号SI1がハイレベル(電圧がVP1)のときは、MOSトランジスタ12がオンし、このときの等価回路は図4のように表せる。図4において、R1は抵抗器13の抵抗値、R2はMOSトランジスタ12のオン抵抗値、Ca、Cbはそれぞれコンデンサ14、15の容量値である。
【0041】
そして、入力されたゲート信号SI1に対する出力信号であるゲート信号SI2は、図5に示すように、初期値0からまずコンデンサ14および15の容量分配比で決まる値(VP1・Ca/(Ca+Cb))即ちピーク値VPPに近付き、やがてMOSトランジスタ12と抵抗器13の抵抗配分比で決まる値(=VDD・R1/(R1+R2))即ち電圧VPに収束して行く。
【0042】
一方、走査回路6Aより印加された電圧VP1なる矩形波のゲート信号SI1がハイレベルよりローレベル(電圧が0V)に変化すると、MOSトランジスタ12がオフし、このときの等価回路は図6のように表せる。
【0043】
そして、入力されたゲート信号SI1に対する出力信号であるゲート信号SI2は、図7に示すように、終期値(=VDD・R1/(R1+R2))即ち電圧VPからコンデンサ14および15の容量分配比で決まる値(VP1・Ca/(Ca+Cb))だけ低下して−VPLまで達し、その後0Vに向かって収束して行く。
【0044】
かくして、、コンデンサ14はゲート信号SI1の交流成分のみを通過させるので、ゲート信号SI1の立ち上がりおよび立ち下がりに対応した正と負のパルスを出力側に伝え、また、MOSトランジスタ12と抵抗器13の働きによってゲート信号SI1は増幅されて出力側に伝達されるため、実質的に出力端子16には、上述の正、負のパルスと矩形波信号が加え合わさった図2Aに示すようなゲート信号SI2が波形整形された駆動信号として出力されることになる。
【0045】
このように、本実施例では、図2Aに示すような波形のゲート信号SI2を駆動信号として表示パネル1のゲートバスライン4を介して各TFT2のゲートに供給するようにしたので、実質的にゲート信号SI2の立ち上がり部分の成分により、ゲートバスライン4による遅延時間が補償され、ゲートバスライン4の終端部42でも図2Bに示すように従来に比し大幅に短縮された立ち上がり遅延時間Δt3を有するゲート信号SO1を得ることができ、ゲートバスライン4に接続されているTFT2の全てをほぼ同時にオン状態とすることができ、もって表示画面の左右で輝度が異なる輝度傾斜が防止され、常に良好な表示画面を得ることができる。
また、立ち上がり遅延時間Δt3を短縮できるので、実質的にスイッチ素子を駆動するに必要なゲート信号の信号幅が短くて済み、1フレーム時間で駆動できるゲートバスライン数を多く取ることが可能となり、大画面化、高精細化を図ることができる。
【0046】
さらに、実質的にゲート信号SI2の立ち下がり部分の成分により、ゲートバスライン4による遅延時間が補償され、ゲートバスライン4の終端部42でも図2Bに示すように従来に比し大幅に短縮された立ち下がり遅延時間Δt4を有するゲート信号SO1を得ることができ、これにより、ゲートバスラインの切り換え選択に要する時間的マージンを小さいものとすることができ、それだけバスラインの切り換え動作を迅速かつ正確に行うことができ、また、ゲート信号の信号幅を短くできるので、大画面化、高精細化に寄与できる。
【0047】
実施例2.
図8はこの発明の他の実施例を示す回路図であり、図3と対応する部分には同一符号を付し、その詳細説明を省略する。
本実施例は、例えば図12の走査回路6より発生されたような電圧がVPなる矩形波のゲート信号SIに対応できる駆動回路を有する液晶表示装置を提供するもので、従って、その全体の回路構成は走査回路に図12の走査回路6のようなものを用い、駆動回路に図8に示すような駆動回路10Aを用いる以外は、図1と同様のものが用いられる。なお、ここでも、駆動回路10Aは1ゲートバスライン当たりの回路構成の一例を代表的に示している。
【0048】
図8において、17はNチャネル型MOSトランジスタ、18は抵抗器であって、MOSトランジスタ17のドレインは第1の電源端子VDDに接続され、そのゲートは入力端子11に接続され、そのソースはMOSトランジスタ12のゲートに接続されると共に、抵抗器18を介して第2の電源端子VSSに接続される。
【0049】
次に、動作について図9を参照して説明する。
いま、図9Aに示すような電圧VPなる矩形波のゲート信号SIがMOSトランジスタ17のゲートに印加されると、MOSトランジスタ17がオンし、MOSトランジスタ12のゲート側に図9Bに示すような電源端子VDDと等価な値を有する信号SI′が得られる。
【0050】
すると、MOSトランジスタ12がオンし、後は上述した図3と同様の動作が行われ、この結果、出力端子16には図2Bと同様の図9Cに示すようなゲート信号SI2が駆動信号として導出される。
そして、このゲート信号SI2を駆動信号として表示パネル1のゲートバスライン4を介して各TFT2のゲートに供給すれば、実質的にゲートバスライン4に接続されているTFT2の全てをほぼ同時にオン状態とすることができる。
【0051】
このように、本実施例でも、上記実施例1と同様の作用効果が得られると共に、さらに、本実施例では、走査回路に慣用の走査回路を流用でき、開発期間の短縮、コストの低廉化等が図れる。
【0052】
実施例3.
図10はこの発明のさらに他の実施例を示す回路図であり、図3と対応する部分には同一符号を付し、その詳細説明を省略する。
本実施例は、駆動信号として出力するゲート信号の立ち下がり部分を所定レベル例えば0Vにクランプした駆動回路を有する液晶表示装置を提供するもので、従って、その全体の回路構成は駆動回路に図10に示すような駆動回路10Bを用いる以外は、図1と同様のものが用いられる。なお、ここでも、駆動回路10Bは1ゲートバスライン当たりの回路構成の一例を代表的に示している。
図10において、19は出力端子16と第2の電源端子VSSに接続されたクランプ用のクランプ素子例えばダイオードである。
【0053】
次に、動作について図11を参照して説明する。なお、本実施例における回路の等価回路は実質的に実施例1で使用された図4および図6と同じであるので、これらの図4および図7とこれらと関連する図5および図7をも参照して説明する。
いま、走査回路6Aより上述の電圧VP1なる矩形波のゲート信号SI1が印加されると、このゲート信号SI1がハイレベル(電圧がVP1)のときは、MOSトランジスタ12がオンし、このときの等価回路は図4のように表せる。図4において、R1は抵抗器13の抵抗値、R2はMOSトランジスタ12のオン抵抗値、Ca、Cbはそれぞれコンデンサ14、15の容量値である。
【0054】
この入力されたゲート信号SI1に対する出力信号であるゲート信号SI2は、図5に示すように、初期値0からまずコンデンサ14および15の容量分配比で決まる値(VP1・Ca/(Ca+Cb))即ちピーク値VPPに近付き、やがてMOSトランジスタ12と抵抗器13の抵抗配分比で決まる値(=VDD・R1/(R1+R2))即ち電圧VPに収束して行く。
【0055】
一方、走査回路6Aより印加された電圧VP1なる矩形波のゲート信号SI1がハイレベルよりローレベル(電圧が0V)に変化すると、MOSトランジスタ12がオフし、このときの等価回路は図6のように表せる。
【0056】
この入力されたゲート信号SI1に対する出力信号であるゲート信号SI2は、図7に示すように、終期値(=VDD・R1/(R1+R2))即ち電圧VPからコンデンサ14および15の容量分配比で決まる値(VP1・Ca/(Ca+Cb))だけ低下し、そして、図7では表されていないが、ゲート信号SI2の電圧値が0V以下になると、ダイオード19がオンしてその値を0Vにクランプするようになる。
【0057】
かくして、、コンデンサ14はゲート信号SI1の交流成分のみを通過させるので、ゲート信号SI1の立ち上がりに対応した正のパルスを出力側に伝え、また、MOSトランジスタ12と抵抗器13の働きによってゲート信号SI1は増幅されて出力側に伝達されるため、実質的に出力端子16には、上述の正のパルスと矩形波信号が加え合わさった図11Aに示すようなゲート信号SI3が波形整形された駆動信号として出力されることになる。
【0058】
そして、このゲート信号SI3はゲートバスライン4を伝送するうちにそのゲート配線抵抗43およびゲート配線容量44(図13)によって順次遅延され、最終的に終端部42に現れるゲート信号は図11Bに示すような波形のゲート信号SO2となる。
【0059】
このときの、ゲートバスライン4の終端部42側におけるゲート信号S02の立ち上がり遅延時間Δt3は、上記実施例1の場合と同様に考えることができるので、表示パネル1として例えば実施例1と同様の画素数のものを用いるものとすると、上記(5)式より0.46(=4.6×0.1)μsとなり、この場合も従来の図12の場合に比し、大幅にゲートバスライン4による遅延時間が短縮されていることが分かる。
なお、この場合のゲート信号SO2の立ち下がり遅延時間Δt2は従来例と同じである。
【0060】
そして、このゲート信号SI3を駆動信号として表示パネル1のゲートバスライン4を介して各TFT2のゲートに供給すれば、実質的にゲートバスライン4に接続されているTFT2の全てをほぼ同時にオン状態とすることができる。
【0061】
このように、本実施例でも、実施例1と同様に、表示画面の左右で輝度が異なる輝度傾斜が防止され、常に良好な表示画面を得ることができると共に、大画面化、高精細化を図ることができる。
【0062】
実施例4.
なお、上記各実施例では、駆動回路として各ゲートバスライン毎にそれぞれ図3、図8、または図10に示すような回路を設ける場合について説明したが、図示せずも駆動回路の入出力側にそれぞれ相互に同期して切り換わる切換手段を設け、そして、図3、図8、または図10に示した回路の単一のものからなる駆動回路の入出力端子を各ゲートバスラインに対応して上記切換手段で切り換えるようにしてもよい。
【0063】
【発明の効果】
以上のように、請求項1記載の発明によれば、矩形波信号を発生する矩形波信号発生手段と、上記矩形波信号の少なくとも立ち上がりの遅延時間を補正し、駆動信号として出力する駆動手段と、マトリクス状に配列された複数個のスイッチ素子および該スイッチ素子によって印加電圧を制御される複数個の液表示素子を有し、上記駆動信号によって上記スイッチ素子が駆動される表示手段とを備え、上記駆動手段は、ゲートが入力端子に接続され、ドレインが第1の電源端子に接続された第1のMOSトランジスタと、ゲートが上記第1のMOSトランジスタのソースに接続され、ドレインが上記第1の電源端子に接続され、ソースが出力端子に接続された第2のMOSトランジスタと、一端が上記第1のMOSトランジスタのソースに接続され、他端が上記第2のMOSトランジスタのソースに接続された第1のコンデンサと、一端が上記第1のMOSトランジスタのソースに接続され、他端が第2の電源端子に接続された第1の抵抗と、一端が上記第2のMOSトランジスタのソースに接続され、他端が上記第2の電源端子に接続された第2の抵抗と、一端が出力端子に接続され、他端が上記第2の電源端子に接続された第2のコンデンサからなるので、表示画面の左右で輝度が異なる輝度傾斜が防止され、常に良好な表示画面を得ることができ、しかも大画面化、高精細化を図ることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明に係る液晶表示装置の一実施例を示す構成図である。
【図2】図1の動作説明に供するための波形図である。
【図3】この発明に係る液晶表示装置の一実施例の要部の一例を示す回路図である。
【図4】ゲート信号ハイレベル時の図3の等価回路図である。
【図5】ゲート信号ハイレベル時の図3の動作説明に供するための図である。
【図6】ゲート信号ローレベル時の図3の等価回路図である。
【図7】ゲート信号ローレベル時の図3の動作説明に供するための図である。
【図8】この発明に係る液晶表示装置の他の実施例の要部の一例を示す回路図である。
【図9】図8の動作説明に供するための波形図である。
【図10】この発明に係る液晶表示装置のさらに他の実施例の要部の一例を示す回路図である。
【図11】図10の動作説明に供するための波形図である。
【図12】従来の液晶表示装置を示す構成図である。
【図13】ゲートバスラインの等価回路図である。
【図14】図12の動作説明に供するための波形図である。
【図15】ゲートバスラインを選択する動作の説明に供するためのタイミング波形図である。
【符号の説明】
1 表示パネル
2 MOSトランジスタ
3 液晶表示素子
4 ゲートバスライン
6A 走査回路
10、10A、10B 駆動回路

Claims (3)

  1. 矩形波信号を発生する矩形波信号発生手段と、
    上記矩形波信号の少なくとも立ち上がりの遅延時間を補正し、駆動信号として出力する駆動手段と、
    マトリクス状に配列された複数個のスイッチ素子および該スイッチ素子によって印加電圧を制御される複数個の液表示素子を有し、上記駆動信号によって上記スイッチ素子が駆動される表示手段と
    を備え、
    上記駆動手段は、ゲートが入力端子に接続され、ドレインが第1の電源端子に接続された第1のMOSトランジスタと、
    ゲートが上記第1のMOSトランジスタのソースに接続され、ドレインが上記第1の電源端子に接続され、ソースが出力端子に接続された第2のMOSトランジスタと、
    一端が上記第1のMOSトランジスタのソースに接続され、他端が上記第2のMOSトランジスタのソースに接続された第1のコンデンサと、
    一端が上記第1のMOSトランジスタのソースに接続され、他端が第2の電源端子に接続された第1の抵抗と、
    一端が上記第2のMOSトランジスタのソースに接続され、他端が上記第2の電源端子に接続された第2の抵抗と、
    一端が出力端子に接続され、他端が上記第2の電源端子に接続された第2のコンデンサからなることを特徴とする液晶表示装置。
  2. 矩形波信号を発生する矩形波信号発生手段と、
    上記矩形波信号の少なくとも立ち上がりの遅延時間を補正し、駆動信号として出力する駆動手段と、
    マトリクス状に配列された複数個のスイッチ素子および該スイッチ素子によって印加電圧を制御される複数個の液表示素子を有し、上記駆動信号によって上記スイッチ素子が駆動される表示手段と
    を備えた液晶表示装置であって、
    上記駆動手段は、ゲートが入力端子に接続され、ドレインが第1の電源端子に接続され、ソースが出力端子に接続されたMOSトランジスタと、
    一端が上記MOSトランジスタのゲートに接続され、他端が上記出力端子に接続された第1のコンデンサと、
    一端が上記出力端子に接続され、他端が第2の電源端子に接続された第2のコンデンサと、
    一端が上記MOSトランジスタのソースに接続され、他端が上記第2の電源端子に接続された第1の抵抗とからなる液晶表示装置。
  3. 一端が上記出力端子に接続され、他端が第2の電源端子に接続されたクランプ素子を有することを特徴とする請求項記載の液晶表示装置。
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