JP3700490B2 - Seed crystal holding device - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、チョクラルスキー法(CZ法)によるシリコン単結晶の引上げ装置の種結晶の保持装置に関する。更に詳しくは、単結晶を育成する際にシリコン融液に接触させる種結晶を保持する装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、シリコン単結晶の育成方法としてるつぼ内のシリコン融液からシリコン単結晶を成長させるチョクラルスキー法(以下、CZ法という。)が知られている。この方法ではまず引上げ装置に設置されたるつぼ内に多結晶シリコンを充填する。この多結晶シリコンを加熱融解して得たシリコン融液の表面に種結晶の一端を接触させ部分的に融解する。次に、種結晶を引上げてシリコン融液から種絞り部分を作成し、その後目的とするシリコン棒の直径まで結晶を徐々に太らせて成長させる。この方法により、必要な結晶方向を有する無転位の単結晶棒を得ることができる。
【0003】
この種結晶は通常ワイヤに吊り下げられた保持装置に取付けられて保持される。この保持装置では、まず予め側面に切欠き部が形成された種結晶をシードチャックの中心軸に沿ってシードチャックの底部に形成された種結晶挿入穴に挿入する。この状態でシードチャックの中心軸に直交するとともに中心軸に対して偏倚して形成されたピン孔にシードチャックピンを挿入する。これによりシードチャックピンの胴部が種結晶の切欠き部に当接し、種結晶が保持される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の種結晶の保持装置では、シリコン単結晶棒の長さが大きくなって、シードチャックピンの胴部と切欠き部とが接触する部分に高い応力が集中することに起因して、切欠き部で種結晶が破損することがある。この場合には種結晶の切欠き部、シードチャックのピン孔及びシードチャックピンはそれぞれ単一であるため、シリコン単結晶棒がシリコン融液中に落下するおそれがあった。特に、シリコン単結晶棒の大口径化等の要求に伴い、近年種結晶により引上げるシリコン単結晶棒の重量も増加傾向にある。これによりシリコン単結晶棒の引上げに際して生じる接触部分の応力も今まで以上に大きくなり、シリコン単結晶棒が落下する事故の発生率がより高まる。
本発明の目的は、種結晶の破損によるシリコン単結晶棒落下の発生率を低減する種結晶の保持装置を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】
請求項1に係る発明は、図1又は図2に示すように、チャック本体22dの中心軸aに沿ってチャック本体22dの底部に形成された種結晶挿入穴22aと中心軸aに直交するとともに中心軸aに対して偏倚して形成されたピン孔22bとを有するシードチャック22と、種結晶挿入穴22aに挿入可能な外径を有し挿入状態でピン孔22bに対向する側面に切欠き部23aが形成された種結晶23と、ピン孔22bに挿入され胴部24aが切欠き部23aに当接可能なシードチャックピン24とを備えた種結晶の保持装置において、ピン孔22bが中心軸a方向に間隔をあけて複数形成され、切欠き部23aが種結晶23の側面にピン孔22bの数に相応して複数形成され、シードチャックピン24が複数のピン孔22bにそれぞれ挿入されかつ最上部のピン孔22bに挿入したシードチャックピン24の胴部24aのみが切欠き部23aに当接するように構成されたことを特徴とする種結晶の保持装置である。
請求項1に係る発明では、種結晶23の切欠き部23a、シードチャック22のピン孔22b及びシードチャックピン24を複数有し、かつ最上部の切欠き部23aとシードチャックピン24の胴部24aでのみ接触してシードチャック22に種結晶23が保持される。これにより最上部の切欠き部23aで破損を生じて種結晶23がずり落ちても、最上部の次に位置する切欠き部23aとシードチャックピン24の胴部24aとが接触して種結晶23を保持するので、シリコン単結晶棒の落下を防止できる。
【0006】
請求項2に係る発明は、請求項1に係る発明であって、図1又は図2に示すように、ピン孔22b及び切欠き部23aが3個以上形成され、隣接する切欠き部23aの間隔がそれぞれ等間隔に形成されかつこれらの間隔を第1間隔xとし、隣接するピン孔22bの間隔がそれぞれ等間隔に形成されかつこれらの間隔を第2間隔yとするとき、第2間隔yが第1間隔xより広く形成された種結晶の保持装置である。
請求項2に係る発明では、最上部のシードチャックピン24の胴部24aと最上部の切欠き部23aを当接させたとき、第2間隔yが第1間隔xより広く形成されているので下方に向かうに従ってピン孔22bと切欠き部23aとの位置は一定の割合で切欠き部23aがピン孔22bの下方に位置するようにずれを生じるので最上部以外のシードチャックピン24の胴部24aと切欠き部23aは接触しない。
【0007】
請求項3に係る発明は、請求項1に係る発明であって、図3に示すように、ピン孔22b及び切欠き部23aが3個以上形成され、隣接する切欠き部23aの間隔がそれぞれ等間隔に形成されかつこれらの間隔を第1間隔xとし、隣接するピン孔22bの間隔がそれぞれ等間隔に形成されかつこれらの間隔を第2間隔yとするとき、第1間隔xと第2間隔yが等しく形成され、複数のシードチャックピン24の胴部24aの直径が下方に向かうに従って順次小さく形成された種結晶の保持装置である。
請求項3に係る発明では、最上部のシードチャックピン24の胴部24aと最上部の切欠き部23aを当接させたとき、下方に向かうに従って順次シードチャックピン24の胴部24aの直径が小さく形成されるので最上部以外のシードチャックピン24の胴部24aと切欠き部23aは接触しない。
【0008】
請求項4に係る発明は、請求項1に係る発明であって、図4に示すように、ピン孔22b及び切欠き部23aが3個以上形成され、隣接する切欠き部23aの間隔がそれぞれ等間隔に形成されかつこれらの間隔を第1間隔xとし、隣接するピン孔22bの間隔がそれぞれ等間隔に形成されかつこれらの間隔を第2間隔yとするとき、第1間隔xと第2間隔yが等しく形成され、複数の切欠き部23aが下方に向かうに従って順次大きく形成された種結晶の保持装置である。
請求項4に係る発明では、最上部のシードチャックピン24の胴部24aと最上部の切欠き部23aを当接させたとき、下方に向かうに従って順次切欠き部23aが大きく形成されるので最上部以外のピンの胴部24aと切欠き部23aは接触しない。
【0009】
請求項5に係る発明は、請求項1ないし4いずれかに係る発明であって、図2に示すように、複数のシードチャックピン24が複数の隣接するピン孔22bの間隔と同じ間隔をあけてシードチャックピン24の一端が一体的に連結された種結晶の保持装置である。
請求項5に係る発明では、シードチャックピン24が一体的に連結して形成されているので、同時に複数のピン孔22bに挿入でき、種結晶の保持作業が容易になる。
【0010】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
本発明の第1の実施の形態は、図6に示すように、CZ法によるシリコン融液12からシリコン単結晶棒を引上げる際に使用する引上げ装置10では、チャンバ11内にシリコン融液12を貯留する石英るつぼ13が設けられ、この石英るつぼ13の外面は黒鉛サセプタ14により被覆される。石英るつぼ13の下面は上記黒鉛サセプタ14を介して支軸16の上端に固定され、この支軸16の下部は図示しないるつぼ駆動手段に接続される。石英るつぼ13の外周面は石英るつぼ13から所定の間隔をあけてヒータ17により包囲され、このヒータ17は断熱材18により包囲される。ヒータ17により石英るつぼ13に投入された高純度の多結晶シリコンが融解してシリコン融液12になる。チャンバ11の上部には回転・引上げ機構19が設けられる。石英るつぼ13の上方にはこの回転・引上げ機構19からワイヤケーブル21を介してシードチャック22が吊り下げられ、シードチャック22には種結晶23が取付けられる。回転・引上げ機構19はワイヤケーブル21を介してシードチャック22とともに種結晶23を図6の実線矢印で示すように下降させ、種結晶23を石英るつぼ13に貯留されたシリコン融液12に接触させる。
【0011】
図1及び図2に示すように、シードチャック22にはチャック本体22dの中心軸aに沿ってチャック本体22dの底部に種結晶23を挿入することができる径を有する種結晶挿入穴22aが形成される。また、チャック本体22dの中心軸aに直交するとともに中心軸aに対してbだけ偏倚してピン孔22bが形成される。ピン孔22bは一定方向より中心軸aに沿ってそれぞれが重ならないように3個形成され、隣接するピン孔22bの間隔は第2間隔yであり、それぞれ等間隔に形成される。ピン孔22bはピン孔22bの中央部分における断面積が約半分程度挿入穴22aに重なるように形成される。
【0012】
図2の実線矢印で示すように種結晶23は種結晶挿入穴22aに挿入される。挿入穴22aに挿入される種結晶23の側部には切欠き部23aが形成される。切欠き部23aはピン孔22bの数量と相応して一定方向よりそれぞれが重ならないように3個形成され、隣接する切欠き部23aの間隔は第1間隔xであり、それぞれ等間隔に形成される。第2間隔yは第1間隔xより広く間隔をとるように設けられる。種結晶23を挿入穴22aに挿入する際に挿入穴22a内のガスを外部に排出するためのガス排出孔22cが挿入穴22aに連通するように形成される。シードチャックピン24は隣接するピン孔22bの間隔に合うように3個のシードチャックピンが一端で一体的に連結された形状を有し、図2の破線矢印で示すように3個のピン孔22bにそれぞれ挿入される。挿入されたシードチャックピン24の胴部24aは、最上部の切り欠き部23aのみが当接する。
【0013】
このように構成された保持装置では、シリコン単結晶棒の引上げ時に生じる応力により、最上部の切欠き部23aから破損して種結晶23がずり落ちても、2番目に位置する切欠き部23aとピン胴部24aが接触して種結晶23を保持する。更に、2番目に位置する切欠き部23aが破損して種結晶23がずり落ちても、3番目に位置する切欠き部23aとピン胴部24aが接触して種結晶23を保持することができる。
【0014】
本発明の第2実施の形態では、図3に示すように、第1間隔xと第2間隔を等しくして、下方に向かうに従ってシードチャックピン24の胴部24aの直径を順次小さくするよう形成される。
このように構成された保持装置では、下方に位置するシードチャックピン24のピン孔22bへの挿入が容易になる。
【0015】
本発明の第3実施の形態では、図4に示すように、第1間隔xと第2間隔yを等しくして、下方に向かうに従って切欠き部23aの大きさを順次大きくする。
このように構成された保持装置では、下方に位置するシードチャックピン24のピン孔22bへの挿入が容易になる。
【0016】
なお、上記実施の形態では、シードチャック22のピン孔22bと種結晶23の切欠き部23aは全て一定方向より形成されたが、図5に示すように、中心軸aに直交していれば破線c、d及びeのように特に方向性を統一しなくてもよい。これにより、接触部分の応力に対して弱く、破損し易い方向に全ての切欠き部23aを形成した時には何度も破損を招くおそれがあるが、色々な方向に切欠き部23aを形成することにより危険性を分散することができる。また、上記実施の形態では、ピン孔22b、シードチャックピン24及び切欠き部23aの数をそれぞれ3個としたが、2個、4個又は5個以上でもよい。また、上記第2の実施の形態では、複数の切欠き部23aはそれぞれ同じ大きさとしているが、最上部の切欠き部23aとピン24が当接している状態でそれぞれ下方に向かうに従って順次切欠き部23aの大きさをシードチャックピン24と当接しない程度に小さくしてもよい。これにより、最上部の切欠き部23aより種結晶が破損しても次に位置する保持部ではより安定して保持することができる。また、上記第3の実施の形態では、複数のピンの胴部24aの径はそれぞれ等しく示しているが、最上部の切欠き部23aとピン24が当接している状態でそれぞれ下方に向かうに従って順次ピンの胴部24aの径を切欠き部と当接しない程度に大きくしてもよい。これにより、最上部の切欠き部23aより種結晶が破損しても次に位置する保持部ではより安定して保持することができる。
【0017】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、ピン孔22bが中心軸方向に等間隔に複数形成され、種結晶23の切欠き部23aがピン孔22bの数に相応して複数形成され、シードチャックピン24が複数のピン孔22bにそれぞれ挿入されかつ最上部のピン孔22bに挿入したシードチャックピンの胴部24aのみが切欠き部23aに当接するように形成されたので種結晶の最上部の切欠き部より破損したときでも次に位置する切欠き部とシードチャックピンの胴部とが種結晶を保持する。この結果、種結晶の破損によるシリコン単結晶棒落下の発生率を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施の形態の種結晶の保持装置を示す図2のA−A線断面図。
【図2】第1の実施の形態の種結晶の保持装置の分解斜視図。
【図3】第2の実施の形態の種結晶の保持装置を示す断面図。
【図4】第3の実施の形態の種結晶の保持装置を示す断面図。
【図5】本実施の形態の応用例を示す種結晶の切欠き部を示す構成図。
【図6】種結晶の保持装置を含むシリコン単結晶引上げ装置の構成図。
【符号の説明】
22 シードチャック
22a 種結晶挿入穴
22b ピン孔
22d チャック本体
23 種結晶
23a 切欠き部
24 シードチャックピン
24a ピンの胴部
a 中心軸
x 第1間隔
y 第2間隔[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a seed crystal holding device of a silicon single crystal pulling apparatus by the Czochralski method (CZ method). More specifically, the present invention relates to an apparatus for holding a seed crystal that is brought into contact with a silicon melt when growing a single crystal.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, a Czochralski method (hereinafter referred to as CZ method) in which a silicon single crystal is grown from a silicon melt in a crucible is known as a method for growing a silicon single crystal. In this method, first, polycrystalline silicon is filled in a crucible installed in a pulling apparatus. One end of the seed crystal is brought into contact with the surface of the silicon melt obtained by heating and melting the polycrystalline silicon and partially melted. Next, the seed crystal is pulled up to create a seed squeezed portion from the silicon melt, and then the crystal is gradually thickened and grown to the target silicon rod diameter. By this method, a dislocation-free single crystal rod having a necessary crystal orientation can be obtained.
[0003]
This seed crystal is usually attached to and held by a holding device suspended from a wire. In this holding device, first, a seed crystal having a notch formed in advance on its side surface is inserted into a seed crystal insertion hole formed in the bottom of the seed chuck along the center axis of the seed chuck. In this state, the seed chuck pin is inserted into a pin hole formed perpendicular to the central axis of the seed chuck and offset from the central axis. As a result, the body portion of the seed chuck pin comes into contact with the notch portion of the seed crystal, and the seed crystal is held.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the conventional seed crystal holding device, the length of the silicon single crystal rod is increased, and high stress concentrates on the portion where the body portion and the notch portion of the seed chuck pin contact, The seed crystal may be damaged at the notch. In this case, since the notch portion of the seed crystal, the pin hole of the seed chuck, and the seed chuck pin are each single, the silicon single crystal rod may fall into the silicon melt. In particular, with the demand for increasing the diameter of silicon single crystal rods, the weight of silicon single crystal rods pulled by seed crystals has recently been increasing. As a result, the stress at the contact portion generated when the silicon single crystal rod is pulled up becomes larger than before, and the incidence of accidents in which the silicon single crystal rod falls is further increased.
An object of the present invention is to provide a seed crystal holding device that reduces the incidence of silicon single crystal rod dropping due to breakage of the seed crystal.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
As shown in FIG. 1 or 2, the invention according to claim 1 is orthogonal to the center axis a and the seed
In the invention according to claim 1, a plurality of
[0006]
The invention according to
In the invention according to
[0007]
The invention according to claim 3 is the invention according to claim 1, wherein, as shown in FIG. 3, three or
In the invention according to claim 3, when the body portion 24 a of the uppermost
[0008]
The invention according to claim 4 is the invention according to claim 1, wherein, as shown in FIG. 4, three or
In the invention according to claim 4, when the body part 24a of the uppermost
[0009]
The invention according to claim 5 is the invention according to any one of claims 1 to 4, wherein, as shown in FIG. 2, the plurality of
In the invention according to claim 5, since the
[0010]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
In the first embodiment of the present invention, as shown in FIG. 6, in a
[0011]
As shown in FIGS. 1 and 2, the
[0012]
As shown by the solid line arrow in FIG. 2, the
[0013]
In the holding device configured as described above, even if the
[0014]
In the second embodiment of the present invention, as shown in FIG. 3, the first interval x is made equal to the second interval, and the diameter of the body portion 24a of the
In the holding device configured as described above, the
[0015]
In the third embodiment of the present invention, as shown in FIG. 4, the first interval x and the second interval y are made equal, and the size of the
In the holding device configured as described above, the
[0016]
In the above embodiment, the
[0017]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, a plurality of
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 2 showing a seed crystal holding device according to a first embodiment.
FIG. 2 is an exploded perspective view of the seed crystal holding device according to the first embodiment.
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a seed crystal holding device according to a second embodiment.
FIG. 4 is a sectional view showing a seed crystal holding device according to a third embodiment.
FIG. 5 is a configuration diagram showing a notch portion of a seed crystal showing an application example of the present embodiment.
FIG. 6 is a configuration diagram of a silicon single crystal pulling apparatus including a seed crystal holding apparatus.
[Explanation of symbols]
22
Claims (5)
前記種結晶挿入穴(22a)に挿入可能な外径を有し挿入状態で前記ピン孔(22b)に対向する側面に切欠き部(23a)が形成された種結晶(23)と、
前記ピン孔(22b)に挿入され胴部(24a)が前記切欠き部(23a)に当接可能なシードチャックピン(24)とを備えた種結晶の保持装置において、
前記ピン孔(22b)が前記中心軸(a)方向に間隔をあけて複数形成され、
前記切欠き部(23a)が前記種結晶(23)の側面に前記ピン孔(22b)の数に相応して複数形成され、
前記シードチャックピン(24)が前記複数のピン孔(22b)にそれぞれ挿入されかつ最上部のピン孔(22b)に挿入したシードチャックピン(24)の胴部(24a)のみが前記切欠き部(23a)に当接するように構成された
ことを特徴とする種結晶の保持装置。A seed crystal insertion hole (22a) formed in the bottom of the chuck body (22d) along the center axis (a) of the chuck body (22d) and perpendicular to the center axis (a) and the center axis (a) A seed chuck (22) having a pin hole (22b) formed to be biased with respect to
A seed crystal (23) having an outer diameter that can be inserted into the seed crystal insertion hole (22a) and having a notch (23a) formed on a side surface facing the pin hole (22b) in the inserted state;
In the seed crystal holding device provided with a seed chuck pin (24) that is inserted into the pin hole (22b) and the body part (24a) can come into contact with the notch part (23a),
A plurality of pin holes (22b) are formed at intervals in the direction of the central axis (a),
A plurality of the notches (23a) are formed on the side surface of the seed crystal (23) according to the number of the pin holes (22b),
The seed chuck pin (24) is inserted into each of the plurality of pin holes (22b), and only the trunk portion (24a) of the seed chuck pin (24) inserted into the uppermost pin hole (22b) is the notch portion. (23a) A seed crystal holding device configured to abut on (23a).
前記第2間隔(y)が前記第1間隔(x)より広く形成された請求項1記載の種結晶の保持装置。Three or more pin holes (22b) and notches (23a) are formed, and the intervals between adjacent notches (23a) are formed at equal intervals, and these intervals are defined as the first interval (x). When the intervals of the pin holes (22b) to be formed are equally spaced and these intervals are the second interval (y),
The seed crystal holding device according to claim 1, wherein the second interval (y) is formed wider than the first interval (x).
前記第1間隔(x)と前記第2間隔(y)が等しく形成され、複数のシードチャックピン(24)の胴部(24a)の直径が下方に向かうに従って順次小さく形成された請求項1記載の種結晶の保持装置。Three or more pin holes (22b) and notches (23a) are formed, and the intervals between adjacent notches (23a) are formed at equal intervals, and these intervals are defined as the first interval (x). When the intervals of the pin holes (22b) to be formed are equally spaced and these intervals are the second interval (y),
The first interval (x) and the second interval (y) are formed equal to each other, and the diameters of the body portions (24a) of the plurality of seed chuck pins (24) are sequentially formed to be smaller. Seed crystal holding device.
前記第1間隔(x)と前記第2間隔(y)が等しく形成され、前記複数の切欠き部(23a)が下方に向かうに従って順次大きく形成された請求項1記載の種結晶の保持装置。Three or more pin holes (22b) and notches (23a) are formed, and the intervals between adjacent notches (23a) are formed at equal intervals, and these intervals are defined as the first interval (x). When the intervals of the pin holes (22b) to be formed are equally spaced and these intervals are the second interval (y),
The seed crystal holding device according to claim 1, wherein the first interval (x) and the second interval (y) are formed to be equal, and the plurality of notches (23 a) are formed to be gradually increased downward.
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