JP3692075B2 - Cf4/o2/n2プラズマ中におけるアクチニド酸化物およびその混合酸化物の効果的なドライエッチング法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 229910000310 actinide oxide Inorganic materials 0.000 title claims description 10
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 title description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 29
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 25
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 4
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 37
- JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N uranium(0) Chemical compound [U] JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- OOAWCECZEHPMBX-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);uranium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[U+4] OOAWCECZEHPMBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- FCTBKIHDJGHPPO-UHFFFAOYSA-N uranium dioxide Inorganic materials O=[U]=O FCTBKIHDJGHPPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 6
- 229910052768 actinide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001255 actinides Chemical class 0.000 description 4
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 4
- 239000002915 spent fuel radioactive waste Substances 0.000 description 4
- SANRKQGLYCLAFE-UHFFFAOYSA-H uranium hexafluoride Chemical compound F[U](F)(F)(F)(F)F SANRKQGLYCLAFE-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 4
- WZECUPJJEIXUKY-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[U+6] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[U+6] WZECUPJJEIXUKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 3
- 239000000543 intermediate Substances 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 3
- 229910000439 uranium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001093 Zr alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003439 heavy metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001026 inconel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 232Th Chemical compound [232Th] ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052778 Plutonium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000003758 nuclear fuel Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical group [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- OYEHPCDNVJXUIW-UHFFFAOYSA-N plutonium atom Chemical compound [Pu] OYEHPCDNVJXUIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000005211 surface analysis Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/12—Gaseous compositions
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21F—PROTECTION AGAINST X-RADIATION, GAMMA RADIATION, CORPUSCULAR RADIATION OR PARTICLE BOMBARDMENT; TREATING RADIOACTIVELY CONTAMINATED MATERIAL; DECONTAMINATION ARRANGEMENTS THEREFOR
- G21F9/00—Treating radioactively contaminated material; Decontamination arrangements therefor
- G21F9/001—Decontamination of contaminated objects, apparatus, clothes, food; Preventing contamination thereof
- G21F9/002—Decontamination of the surface of objects with chemical or electrochemical processes
- G21F9/004—Decontamination of the surface of objects with chemical or electrochemical processes of metallic surfaces
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Food Science & Technology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【技術分野】
本発明は、CF4/O2/N2プラズマ中におけるアクチニド酸化物およびその混合酸化物の効果的なドライエッチング法に関する。
【0002】
【発明の背景】
二酸化ウランのフッ化は、ウラン分離、処理および変換のような応用志向分野において広く研究されている。
応用研究に伴って、UO2 / F2 反応の基礎研究が数人の著者により報告されている [T. Yahata and M. Iwasaki, J. Inorg. Nucl. Chem., 26 (1964) 1863, G. Vandenbussche, CEA-R 2859 (1966), M. Iwasaki, J. Nucl. Mater., 25 (1968) 216, I. C. Batty and R. E. Stickney, J. Chem. Phys., 51 (1969) 4475, B. Weber and A. Cassuto, Surf. Sci., 39 (1973) 83, A. J. Machiels and D. R. Olander, High Temp. Sci., 9 (1977) 3]。
【0003】
UO2 の800K未満の低温、大気圧下での F2との反応は、重量ロス測定法を用いてVandenbussche [G. Vandenbussche, CEA-R 2859 (1966)] およびIwasaki [M. Iwasaki, J. Nucl. Mater., 25 (1968) 216] により研究された。 この条件下では、最終反応生成物は、UF6 および O2 であり、一方、種々の中間反応生成物として(UO2)4F および UO2F2 のようなものが確認された。
【0004】
これに反して、疑−平衡反応モデル研究は、1000Kを超える高温および F2の低圧下(10-7−10-4 Torr)において、6フッ化ウランおよび5フッ化ウランの生成が抑制され、UF4 およびフッ素原子を生成すると予測した[ J. C. Batty and R. E. Stickney, J. Chem. Phys., 51 (1969) 4475, and B. Weber and A. Cassuto, Surf. Sci., 39 (1973) 83 ]。
【0005】
後年、1000Kを超える高温および超高真空条件下にて速度論的研究が行われ、反応生成物がUF4 であり反応確率が約10-2であることが確認された[ A. J. Machiels and D. R. Olander, High Temp. Sci., 9 (1977) 3 ]。 著者らは、反応機構がダブル拡散プロセスと組み合わされた2次表面反応であると主張した。
【0006】
これらの初期の実験結果との不一致は、温度および圧力範囲の差に基づくものと考えられる。
近年、CANDU反応器中の廃PWR燃料の燃焼実行可能性が試され、廃燃料ピンの脱被覆およびOREOX(酸化物燃料の酸化および還元)法のような燃焼二酸化ウランのドライ処理が再焼結燃料パウダーを製造する主工程となる[ H. Keil, P. Boczar and H. S. Park, Proc. Intern. Conf. Tech. Expo. on Future Nuclear Systems. Global '93. Seattle, Washington, USA ( Sept. 12-17. 1993) 773 and M. S. Yang, Y. W. Lee, K.K. Bae and S.H. Na, Proc. Intern. Conf. Tech. Expo. on Future Nuclear Systems. Global '93. Seattle, Washington, USA ( Sept. 12-17. 1993)740]。 しかしながら、このプロセスにおいて、脱被覆技術の殆どの候補は、98〜99.5%を超える重金属/金属酸化物の回収ができなかった。 残渣物の一部は、付着粉として存在するであろうし、いくらかは燃料ピンの内部の酸化ジルコニウム層に化学結合するであろう。
【0007】
それ故、燃料の残りを追加除去する別の処理が必要とされ、それはまた、アルファ汚染を被覆から非TRUとして燃料カバー制限のレベルまで除去する。
二次的な非汚染処理として、フッ素含有ガスプラズマを用いたプラズマ処理技術が提案されその適用性が立証された [ Y. Kim, J. Min, K. Bae, M. Yang, J. Lee and H. Park, Proc. Intern. Conf. on Future Nuclear Systems. Global '97. Yokohama, Japan ( Oct. 5-10. 1997)1148]。 それ以来、二酸化ウランを含むTRU酸化物のドライエッチング処理が広く注目されている。
【0008】
例証に引き続き、二酸化TRUを含むアクチニド酸化物の代表的化合物として、この仕事においては、CF4/O2/N2プラズマ中の二酸化ウランの効率的なエッチング反応法および反応機構を研究した。
【0009】
【発明の概要】
1m Torrから1atmの低圧下、600℃までの温度雰囲気で、少量のN2ガスを添加、または混合したときに、CF4/O2ガスプラズマ中におけるUO2, ThO2,およびPuO2などのアクチニド酸化物のフッ素化エッチング反応が高められることを見出した。代表的なアクチニド酸化物としては、二酸化ウランが好ましく、また、その反応速度は、CF4/O2/N2比、プラズマ出力、基板温度、およびプラズマへの暴露時間などの関数として研究された。本研究から、CF4/O2/N2プラズマ中で、効果的にエッチングを行うためには、最適なCF4/O2比があることが見出された。CF4のO2に対する割合は、プラズマ出力、基板温度、および気体体積流量にかかわりなく、約4である。ガスの体積基準で、CF4ガスの1〜20%の範囲にある少量のN2ガスを、最適化されたCF4/O2に添加または混合すると、エッチング速度は、驚くべきことに、N2ガスなしのときのCF4/O2プラズマのエッチング速度に比較して、4〜5倍を超えるまでに高められる。
【0010】
この最適エッチング工程は、TRU(超ウラン)酸化物およびその混合酸化物を含むその他のアクチニド酸化物のドライエッチングにも適用できるであろう。なぜなら、全てのアクチニド元素は、ウランと非常に良く似た化学的特徴を有しており、したがって、類似の型の酸化物を形成するからである。
最近の試験では、50W〜2kWの範囲の出力で、r.f.およびマイクロ波電力ガスプラズマ発生技術を使用して、この工程の有効性が確認された。ガスプラズマ発生技術の基本的原理は、動作圧力範囲が異なる以外は同じであるから、たとえば、dc(直流)、ac(交流)、およびecr(電子サイクロトロン共鳴)プラズマなどの種々のガスプラズマ発生技術から導き出されるように、この効果的なエッチング速度は、プラズマ出力を100kWにまで上げると上昇するであろう。
【0011】
この工程の有効性は、また、ジルコニウム合金、ステンレス鋼、またはインコネル(Ni系合金)基板上での酸化ウランのエッチング実験においても、好結果で証明された。
【0012】
【発明の具体的な説明】
本発明は、原子力プラント、核燃料工場、使用済燃料乾燥プロセス研究設備および核ホットセルなどの核施設における種々の系内における被覆(クラッド)、チューブ、およびコンテナーの基板表面の効率的なエッチングまたは除去、すなわち使用前/使用済核燃料の放射性残留物質のコンタミ除去に関する。
【0013】
トリウム、ウラン、およびプルトニウムなどのアクチニド元素は、フッ素ハングリー原子(化学反応性が非常に強い)と呼ばれ、多くのフッ素原子あるいは分子が、フッ素含有ガスプラズマとして放出される。この事実に基づき、CF4/O2/N2プラズマにおけるUO2およびTRU酸化物の効率的なドライエッチング方法が本発明で決定される。
【0014】
素反応の観点から、プラズマ中で生成した、あるいは中間生成種から分離された分子および/または原子フッ素は、フッ素化反応に関与すると信じられている。実際に、CF4/O2は、種々の工業で固体のフッ素化に使用される最もポピュラーな混合ガスの一つである[I.C. Plumb and K,R. Rvan, Plasma Chemistry and Plasma Processing, 6 (1986) 205およびD.L. Flamm, V.M. Donnellv and J.A. Mucha, J. Appl. Phys., 52 (1981) 3633]。従って、その汎用性の結果、混合ガスプラズマの気相反応における多くの研究が行われている。[I.C. Plumb and K,R. Rvan, Plasma Chemistry and Plasma Processing, 6 (1986) 205、D.L. Flamm, V.M. Donnellv and J.A. Mucha, J. Appl. Phys., 52 (1981) 3633、 J.C. Martz, D.W. Hess, J.M. Haschke, J.W. Ward, and B.F. Flamm, J. Nucl. Mater., 182 (1991) 277およびY. Kim, J. Min, K. Bae, and M. Young. J. Nucl. Mater., 270 (1999) 253]
本研究では、二酸化ウランが代表的なアクチニドとして選択され、かつその反応速度はCF4/O2/N2比、プラズマ出力、基板温度およびプラズマへの曝露時間の関数として調査されている。
【0015】
2kWまでのプラズマ出力下で、エッチング反応は、600℃までの幾つかの基板温度で、100分間、種々のCF4/O2比で調査されている。
CF4/O2/N2プラズマ中の効率的なエッチングには、最適なCF4/O2比が存在することが判明している。O2に対するCF4の比は、プラズマ出力、基板温度およびガス体積流量に関係なく、約4である。
【0016】
【実施例】
【0017】
【実施例1】
発見の一例として、実験結果を図1〜3に記した。図1および2は、UO2の効率的なエッチングのための最適なCF4/O2比が、プラズマ出力や基板温度と無関係に、およそ4であることを示す。図3に、SEMによるUO2表面モルフォロジー変化をCF4/O2比を変化させて示す。最良のエッチングされた表面モルフォロジーは図3(b)で観察され、エッチング速度はCF4/O2=約4で最大であることを明示する。
【0018】
最適なガス組成物の存在は、さらにSEM、XPS、XRDを用いる表面分析で支持される。この最適なガス組成物は、後の実験的な発見によって説明される。:すなわち、最適なものよりも低い酸素ガス組成物では、酸素量が炭素残分を拾い上げるのに充分ではない。したがって、CF4から分解したこの炭素残分は、表面上に堆積し、表面反応を抑制するかもしれない。一方で、より高い酸素ガス組成物では、過剰な酸素と表面ウラニウム原子との高い反発により、一酸化炭素または二酸化炭素の代わりに、超化学量論的なウラニウム酸化物を形成して、揮発性のフッ化ウラニウムの形成を妨害するかもしれない。
【0019】
また、XPS分析で、UO2F2化合物が反応中に前駆物質中間体として表面に形成することも確認した。さらに追加実験は、反応速度が直線レート則に従うことを示す。
【0020】
【実施例2】
気体の体積に基づいて、CF4ガスの1%から20%に及ぶ、少量のN2ガスを、最適なCF4/O2ガス混合プラズマに添加するか、または混合する場合には、UO2エッチングの反応速度は著しく増加する。図4の実験結果は、前記エッチング速度の増加の一例である。より具体的には、これらの条件下で、290℃での前記エッチング速度は、窒素を添加しない最適なCF4/O2プラズマのそれと比較して、すなわち約670単層/分(0.27μm/分に相当)のエッチング速度の、4倍を越えて5倍まで改良される。したがって、この場合、同じ温度で、同じ出力下で、加速されたエッチング反応速度は、2500単層/分を越え、1.0μm/分に相当する。
【0021】
質量分析によって、主たる反応生成物が6フッ化ウラニウム、UF6であることが決定される。したがって、実験的な発見に基づいて、CF4/O2/N2プラズマ中の二酸化ウラニウムの主要な全体の反応は以下のようであると決定される。:すなわち、
UO2 + 2/3 CF4 + 3/8 O2 = UF6 + 3/2 CO2-x
ここで、CO2-xは測定されないCO2およびCOの混合物を示す。
【0022】
添加された窒素は、ウラニウム原子と、フッ素原子間または不安定なフッ素-原子-含有種間での全体的な表面反応において、反応経路もしくはメカニズムを変えることなく、触媒的な役割を担っているだけであると考えられる。
この最適なエッチング方法を、他のアクチニド酸化物、たとえばTRU(トランスーウラニウム)酸化物およびそれらの混合酸化物のドライエッチングに適用するべきである。なぜならすべてのアクチニド元素は、ウラニウムと非常に類似した化学的特徴を有しており、したがって、非常に類似したタイプの酸化物を形成するからである。
【0023】
本試験では、r.f.およびマイクロ波出力気相プラズマ生成技術を、50Wから2kwまでに及ぶ出力で用いて、この方法の有効性を確認した。なぜなら気相プラズマ生成技術の基本原理は、作動圧力範囲が異なること以外は同一であり、この効果的なエッチングレートは、さまざまな気相プラズマ生成技術、たとえば、dc(直流)、ac(交流)およびecr(電子サイクロトロン共鳴)プラズマから引き出せ、100kwまで増加させたプラズマ出力とともに増加しなければならない。
【0024】
また、この方法の有効性は、ジルコニウム合金、ステンレス鋼、またはインコネル(Ni基合金)基板へのウラニウム酸化物のエッチング実験で、首尾よく明示された。
この効果的なドライエッチング方法の応用により、さまざまなシステム中のクラッディング、チューブ、またはコンテナの基板表面上への、新規または使用済み核燃料の放射性残分物質の浄化を、効果的に、遠くから、しかも安全に、新規または使用済み核燃料の残分によって、汚染が発生しうる核施設内に湿式の方法を導入することなく、行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 図1は、SEMによるUO2表面形態変化を示し、(a)未反応、(b)80%CF4-20%O2、(c)90%CF4-10%O2、(d)60%CF4-40%O2プラズマ反応を示す。
【図2】 図2は、290℃でのO2モル画分に対するUO2エッチング反応速度を示す(合計流量:50sccm、反応時間100分)。
【図3】 図3は、150WでのO2モル画分に対するUO2エッチング反応速度を示す(合計流量:50sccm、反応時間100分)。
【図4】 図4は、290℃で、最適CF4/O2比を維持した場合のN2/CF4モル画分に対するUO2エッチング反応速度を示す(合計流量:50sccm、反応時間100分)。
Claims (1)
- 下記工程を含む、プラズマ出力による基板からのアクチニド酸化物の気相エッチング方法;
a)フッ素含有ガスが満たされたプロセスチャンバー内の基板上のアクチニド酸化物を予備加熱し、これをプラズマ出力に曝露し、次いで
b)プラズマ気相反応原系を用い基板からアクチニド酸化物をエッチングする。
ただし、前記工程a)におけるフッ素含有ガスが、4フッ化炭素、酸素および窒素の混合物であり、酸素と4フッ化炭素との体積比が約15:85〜約25:75であり、プロセスチャンバー内の気体の体積に基づく CF 4 ガスに対し1%〜20%の N 2 を含む混合ガス
である。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/KR1999/000301 WO2000077792A1 (en) | 1999-06-15 | 1999-06-15 | An effective dry etching process of actinide oxides and their mixed oxides in cf4/o2/n2 plasma |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003502793A JP2003502793A (ja) | 2003-01-21 |
JP3692075B2 true JP3692075B2 (ja) | 2005-09-07 |
Family
ID=19570870
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001503179A Expired - Lifetime JP3692075B2 (ja) | 1999-06-15 | 1999-06-15 | Cf4/o2/n2プラズマ中におけるアクチニド酸化物およびその混合酸化物の効果的なドライエッチング法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6699398B1 (ja) |
JP (1) | JP3692075B2 (ja) |
KR (1) | KR100449648B1 (ja) |
AU (1) | AU4397899A (ja) |
WO (1) | WO2000077792A1 (ja) |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2858332B1 (fr) * | 2003-07-31 | 2005-10-28 | Cezus Co Europ Zirconium | Procede de fabrication d'un produit plat en alliage de zirconium, produit plat ainsi obtenu et element d'un assemblage combustible pour reacteur de centrale nucleaire realise a partir de ce produit plat |
EP2138458A1 (en) * | 2004-04-19 | 2009-12-30 | SDC Materials, LLC | High throughput discovery of materials through vapor phase synthesis |
US7717001B2 (en) | 2004-10-08 | 2010-05-18 | Sdc Materials, Inc. | Apparatus for and method of sampling and collecting powders flowing in a gas stream |
US9173967B1 (en) * | 2007-05-11 | 2015-11-03 | SDCmaterials, Inc. | System for and method of processing soft tissue and skin with fluids using temperature and pressure changes |
US8507401B1 (en) | 2007-10-15 | 2013-08-13 | SDCmaterials, Inc. | Method and system for forming plug and play metal catalysts |
USD627900S1 (en) | 2008-05-07 | 2010-11-23 | SDCmaterials, Inc. | Glove box |
US20110144382A1 (en) * | 2009-12-15 | 2011-06-16 | SDCmaterials, Inc. | Advanced catalysts for fine chemical and pharmaceutical applications |
US9039916B1 (en) | 2009-12-15 | 2015-05-26 | SDCmaterials, Inc. | In situ oxide removal, dispersal and drying for copper copper-oxide |
US8470112B1 (en) | 2009-12-15 | 2013-06-25 | SDCmaterials, Inc. | Workflow for novel composite materials |
US9126191B2 (en) | 2009-12-15 | 2015-09-08 | SDCmaterials, Inc. | Advanced catalysts for automotive applications |
US9149797B2 (en) * | 2009-12-15 | 2015-10-06 | SDCmaterials, Inc. | Catalyst production method and system |
US8545652B1 (en) | 2009-12-15 | 2013-10-01 | SDCmaterials, Inc. | Impact resistant material |
US8557727B2 (en) | 2009-12-15 | 2013-10-15 | SDCmaterials, Inc. | Method of forming a catalyst with inhibited mobility of nano-active material |
US8652992B2 (en) * | 2009-12-15 | 2014-02-18 | SDCmaterials, Inc. | Pinning and affixing nano-active material |
US8803025B2 (en) | 2009-12-15 | 2014-08-12 | SDCmaterials, Inc. | Non-plugging D.C. plasma gun |
US8669202B2 (en) | 2011-02-23 | 2014-03-11 | SDCmaterials, Inc. | Wet chemical and plasma methods of forming stable PtPd catalysts |
US8192704B1 (en) | 2011-02-25 | 2012-06-05 | The United States Of America As Represented By The Department Of Energy | Spent nuclear fuel recycling with plasma reduction and etching |
AU2012299065B2 (en) | 2011-08-19 | 2015-06-04 | SDCmaterials, Inc. | Coated substrates for use in catalysis and catalytic converters and methods of coating substrates with washcoat compositions |
US9511352B2 (en) | 2012-11-21 | 2016-12-06 | SDCmaterials, Inc. | Three-way catalytic converter using nanoparticles |
US9156025B2 (en) | 2012-11-21 | 2015-10-13 | SDCmaterials, Inc. | Three-way catalytic converter using nanoparticles |
CN105592921A (zh) | 2013-07-25 | 2016-05-18 | Sdc材料公司 | 用于催化转化器的洗涂层和经涂覆基底及其制造和使用方法 |
US9427732B2 (en) | 2013-10-22 | 2016-08-30 | SDCmaterials, Inc. | Catalyst design for heavy-duty diesel combustion engines |
CN105848756A (zh) | 2013-10-22 | 2016-08-10 | Sdc材料公司 | 用于贫NOx捕捉的组合物 |
US9687811B2 (en) | 2014-03-21 | 2017-06-27 | SDCmaterials, Inc. | Compositions for passive NOx adsorption (PNA) systems and methods of making and using same |
JP2017045849A (ja) * | 2015-08-26 | 2017-03-02 | 東京エレクトロン株式会社 | シーズニング方法およびエッチング方法 |
GB2606640A (en) * | 2020-10-14 | 2022-11-16 | China Nuclear Power Technology Res Inst Co Ltd | Dry aftertreatment method for spent fuel employing plasma |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4797178A (en) * | 1987-05-13 | 1989-01-10 | International Business Machines Corporation | Plasma etch enhancement with large mass inert gas |
FR2769983B1 (fr) * | 1997-10-21 | 1999-12-03 | Commissariat Energie Atomique | Procede d'attaque thermique en conditions oxydantes d'une ceramique |
-
1999
- 1999-06-15 JP JP2001503179A patent/JP3692075B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1999-06-15 US US10/018,121 patent/US6699398B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-06-15 KR KR10-2001-7016164A patent/KR100449648B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-06-15 AU AU43978/99A patent/AU4397899A/en not_active Abandoned
- 1999-06-15 WO PCT/KR1999/000301 patent/WO2000077792A1/en active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU4397899A (en) | 2001-01-02 |
KR20020033641A (ko) | 2002-05-07 |
WO2000077792A1 (en) | 2000-12-21 |
US6699398B1 (en) | 2004-03-02 |
KR100449648B1 (ko) | 2004-09-22 |
JP2003502793A (ja) | 2003-01-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080624 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090624 Year of fee payment: 4 |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100624 Year of fee payment: 5 |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110624 Year of fee payment: 6 |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110624 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120624 Year of fee payment: 7 |
|
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130624 Year of fee payment: 8 |
|
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R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
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|
EXPY | Cancellation because of completion of term |