JP3678006B2 - Inverter device - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、直流電力を高周波電力に変換して負荷に供給するインバータ装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図5は従来のインバータ装置の要部を示す回路図である。図示しない直流電源にN型のMOSFETから成る第1及び第2のスイッチング素子Q1,Q2が直列的に接続されている。すなわち、第1のスイッチング素子Q1のドレイン端子が直流電源の高電位側に接続され、第1のスイッチング素子Q1のソース端子と第2のスイッチング素子Q2のドレイン端子が出力端子Toに共通接続されるとともに第2のスイッチング素子Q2のソース端子がグランドに接続されてインバータ部1が構成される。そして、直流電源の直流電圧Vdcがインバータ部1に印加され、インバータ制御部2’によって第1及び第2のスイッチング素子Q1,Q2を交互に繰り返しオンオフすることにより、出力端子To−グランド間に接続される負荷(図示せず)に高周波電力が供給される。
【0003】
インバータ制御部2’は、第1のスイッチング素子Q1をオンオフ駆動する第1の駆動回路3と、第2のスイッチング素子Q2をオンオフ駆動する第2の駆動回路4と、第1及び第2の駆動回路4に対して各々第1及び第2のスイッチング素子Q1,Q2をオンオフ駆動させるための制御信号を送出する制御信号送出回路10と、異常状態を検出して第1及び第2の駆動回路4を介して第1及び第2のスイッチング素子Q1,Q2をオフ状態にする異常検出回路11とを具備する。
【0004】
制御信号送出回路10は、図6(a)に示すような一定周期の矩形波パルスから成る信号S1を出力するものであり、その出力端子がANDゲートG1の一方の入力端に接続されるとともに、インバータINV1を介してもう一つのANDゲートG2の一方の入力端に接続されている。各ANDゲートG1,G2の他方の入力端には異常検出回路11の出力端がそれぞれ接続されている。この異常検出回路11は図6(b)に示すように正常時にはHレベルとなり、無負荷等の異常発生時にLレベルとなる異常検知信号S2を出力するものである。そして、ANDゲートG2の出力端がバッファ回路から成る第2の駆動回路4の入力端に接続され、第2の駆動回路4の出力端が抵抗R4を介して第2のスイッチング素子Q2のゲート端子に接続されている。また、図6(c)に示すようにANDゲートG1の出力端から第1の駆動回路3に対して制御信号S3が出力される。
【0005】
第1の駆動回路3は、制御信号送出回路10からの制御信号S3に応じてオンパルス信号S4を生成し送出するオンパルス送出回路12と、制御信号S3に応じてオフパルス信号S5を生成し送出するオフパルス送出回路13と、オンパルス信号S4及びオフパルス信号S5の電位を第1のスイッチング素子Q1への信号電位に変換するレベルシフト回路14と、このレベルシフト回路14により電位変換されたオンパルス信号S6及びオフパルス信号S7により第1のスイッチング素子Q1をオンオフ駆動するための駆動信号S8を生成するフリップフロップ回路FFと、このフリップフロップ回路FFの出力端と第1のスイッチング素子Q1のゲート端子の間に挿入されるバッファ回路Bとを具備する。
【0006】
オンパルス送出回路12は、図6(d)に示すように制御信号S3の立ち上がりに同期し且つ制御信号S3よりもパルス幅の短い矩形波信号(オンパルス信号)S4を生成して出力する。またオフパルス送出回路13は、図6(e)に示すように制御信号S3の立ち下がりに同期し且つ制御信号S3よりもパルス幅の短い矩形波信号(オフパルス信号)S5を生成して出力する。
【0007】
レベルシフト回路14は、フリップフロップ回路FFやバッファ回路Bの動作用の制御電圧HVccとグランドの間に抵抗R1とN型のMOSFETQ3の直列回路及び抵抗R2とN型のMOSFETQ4の直列回路が互いに並列に接続され、MOSFETQ3のドレイン端子と抵抗R1の接続点がフリップフロップ回路FFのセット端子NS(「N」は否定を表す。以下同じ)に接続されるとともにMOSFETQ4のドレイン端子と抵抗R2の接続点がフリップフロップ回路FFのリセット端子NRに接続されて成り、MOSFETQ3のゲート端子にオンパルス信号S4が入力されるとともにMOSFETQ4のゲート端子にオフパルス信号S5が入力される。而して、オンパルス信号S4がLレベルのときにMOSFETQ3がオフ、Hレベルのときにオンとなるので、フリップフロップ回路FFのセット端子NSには図6(f)に示すようなオンパルス信号S4を反転させたパルス信号S6が入力される。同様にオフパルス信号S5がLレベルのときにMOSFETQ4がオフ、Hレベルのときにオンとなるので、フリップフロップ回路FFのリセット端子NRには図6(g)に示すようなオフパルス信号S5を反転させたパルス信号S7が入力される。
【0008】
したがって、フリップフロップ回路FFの出力端子Qからは、図6(h)に示すようにパルス信号S6の立下りに同期してHレベルとなり、パルス信号S7の立下りに同期してLレベルとなるパルス信号(駆動信号)S8が出力される。フリップフロップ回路FFの出力端子Qにはバッファ回路Bが接続されており、駆動信号S8がバッファ回路Bにて増幅されて(電流供給能力が増大されて)第1のスイッチング素子Q1のゲート端子に供給され、図6(i)に示すような駆動信号S8’がHレベルのときに第1のスイッチング素子Q1がオン、Lレベルのときにオフとなる。
【0009】
一方、ANDゲートG2から図6(j)に示すように制御信号S1を反転させた信号S9が出力される。この信号S9がバッファ回路から成る第2の駆動回路4に入力され、抵抗R4を介して第2のスイッチング素子Q2のゲート端子に上記信号S9を増幅した(電流供給能力を増大した)信号(駆動信号)S10が供給され、駆動信号S10がHレベルのときに第2のスイッチング素子Q2がオン、Lレベルのときにオフとなる。
【0010】
ところで異常検出回路11はインバータ装置に何らかの異常が生じたときにそれを検出してインバータ装置の動作を停止させる機能を有するものであり、上述のように正常時にHレベルである検出信号S2が異常検出時にLレベルとなる。したがって、何らかの異常が生じて異常検出回路11の検出信号S2がLレベルになると、ANDゲートG1,G2から出力される制御信号S3,S9がともにLレベルとなり、第1の駆動回路3においてはフリップフロップ回路FFがリセットされて駆動信号S8’がLレベルとなるために第1のスイッチング素子Q1がオフし、第2の駆動回路4においても駆動信号S10がLレベルとなるために第2のスイッチング素子Q2がオフしてインバータ装置の動作が停止する。これにより、異常発生時にインバータ装置の動作が継続することによる種種の不具合が生じるのを防ぐことができる。また、上述した第1及び第2の駆動回路3,4は容易に集積化(IC化)が可能であって、それゆえに小型且つ回路構成の簡単なインバータ装置が実現できるものである。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
ところが上記従来例においては、以下に述べるような問題点がある。
【0012】
すなわち、検出信号S2の送出タイミングが、フリップフロップ回路FFのセット端子NSに入力されるオンパルス信号S6がLレベルに立下って第1のスイッチング素子Q1がオンになった瞬間と重なった場合、オフパルス送出回路13からオフパルス信号S5が送出されず、結果的にフリップフロップ回路FFのリセット端子NRに入力されるオフパルス信号S7がLレベルに下がらずに第1のスイッチング素子Q1がオン状態のままでインバータ装置が停止してしまう場合がある。
【0013】
ここで、オンパルス送出回路12並びにオフパルス送出回路13はそれぞれ制御信号S3の立ち上がり及び立下りのエッジを検出して所定のパルス信号を発生させるために遅延回路を備えている。この遅延回路が正常に動作するためには、制御信号S3の立ち上がり及び立下りのエッジを検出する前の状態がある程度の時間は維持されている必要がある。
【0014】
つまり、オフパルス送出回路13について説明すると、図7に示すように制御信号S3が一方の入力端子に入力されたNORゲートG3と、抵抗RcとコンデンサC1から成る遅延回路と、遅延回路により遅延された制御信号S3’を反転してNORゲートG3の他方の入力端に出力するインバータINV2とでオフパルス送出回路13が構成されている。図8(a)に示すように制御信号S3のHレベルの期間(パルス幅)tが上記遅延回路の遅延時間(抵抗RcとコンデンサC1の値から決まる時定数)よりも十分に長い場合には、同図(b)に示すように制御信号S3を遅延した信号S3’がHレベルにまで上昇するため、この信号S3’をインバータINV2で反転した信号S3”の立ち上がりを制御信号S3の立下りよりも遅らせることができ(同図(c)参照)、NORゲートG3の出力端からは同図(d)に示すように上記遅延時間に応じたパルス幅を有するオフパルス信号S5が得られるのである。
【0015】
ところが、制御信号S3のパルス幅tが遅延回路の遅延時間に対して短くなると、図9(a)(b)に示すように遅延した信号S3’がHレベルに達する前に制御信号S3がHレベルからLレベルに変化してしまうため、同図(c)に示すようにインバータINV2の出力(信号S3”)がLレベルに変化せずにHレベルのままに維持されてしまい、オフパルス信号S5、すなわちフリップフロップ回路FFに対するリセット信号NRが送出されないことになる。したがって、異常検出回路11の検出信号S2がLレベルに変化してもフリップフロップ回路FFの出力(駆動信号S8)がHレベルのままとなり、第1のスイッチング素子Q1のオン状態を保持したままでインバータ装置が停止してしまう。なお、第1のスイッチング素子Q1のオン状態が保持される原因として上記理由以外にも、例えばレベルシフト回路14における信号伝達遅延時間によってオフパルス信号S7がフリップフロップ回路FFのリセット端子NRに入力されないことなどが考えられる。いずれにしても、異常検出回路11の検出信号S2の変化するタイミングによっては第1のスイッチング素子Q1のオン状態が保持されたままインバータ装置が停止してしまう。
【0016】
このような状態でインバータ装置が停止した後に異常状態が解消されて異常検出回路11の検出信号S2が解除された場合(LレベルからHレベルに変化した場合)、インバータ装置が復帰して第2のスイッチング素子Q2のゲート端子にHレベルの駆動信号S10が入力された瞬間に第1及び第2のスイッチング素子Q1,Q2が両方ともに同時にオン状態になることがあり、インバータ部1が短絡して第1及び第2のスイッチング素子Q1,Q2に直流電源電圧Vdcによる過大な電流が流れるという問題が生じる。
【0017】
一方、このような問題を解決するものとして図10に示すような回路構成が提案されている。図10に示すように第1の駆動回路3の制御電圧HVccは通常、第2のスイッチング素子Q2のオンオフ動作により低電圧である制御電圧LVccからダイオードD1を介してコンデンサCbに充電電流を流すことで得ている。ゆえに、インバータ装置の停止時には第2のスイッチング素子Q2がオフしており、コンデンサCbが充電されないために第1の駆動回路3のインピーダンス等を介してコンデンサCbの充電電荷が放電され、制御電圧HVccが徐々に低下する。而して、この現象を利用して制御電圧HVccが所定電圧以下に低下したら第1の駆動回路3から第1のスイッチング素子Q1のゲート端子に出力される駆動信号S8を強制的にLレベルとする低電圧検出回路(図示せず)を設けることにより、第1のスイッチング素子Q1がオン状態のままでインバータ装置が再始動されるのを防ぐようにしている。
【0018】
ところが上述のような低電圧検出回路を設けても、制御電圧HVccの低下に時間を要するため、低電圧検出回路が動作する前にインバータ装置が再始動すると上述のような問題が発生してしまう。
【0019】
本発明は上記問題に鑑みて為されたものであり、その目的とするところは、インバータ装置の動作停止時に第1及び第2のスイッチング素子を必ずオフ状態にすることで再始動時にインバータ部に過大な短絡電流が流れるのを防止したインバータ装置を提供することにある。
【0020】
【課題を解決するための手段】
請求項1の発明は、上記目的を達成するために、直流電源に直列的に接続された第1及び第2のスイッチング素子を具備し、第1及び第2のスイッチング素子を交互に繰り返しオンオフさせることで負荷に高周波電力を供給するインバータ部と、直流電源の高電位側に一端が接続された第1のスイッチング素子をオンオフ駆動する第1の駆動回路、直流電源の低電位側に一端が接続された第2のスイッチング素子をオンオフ駆動する第2の駆動回路、第1及び第2の駆動回路に対して各々第1及び第2のスイッチング素子をオンオフ駆動させるための制御信号を送出する制御信号送出回路、異常状態を検出して第1及び第2の駆動回路を介して第1及び第2のスイッチング素子をオフ状態にする異常検出回路を具備するインバータ制御部と、異常検出回路が異常状態を検出して動作した際に第1の駆動回路によって第1のスイッチング素子のオン状態が所定時間以上継続した場合に第1のスイッチング素子を強制的にオフさせる制御手段とを備えたことを特徴とし、インバータ装置の動作停止時に第1のスイッチング素子のオン状態が継続しても制御手段によって強制的にオフさせ、再始動時に第1及び第2のスイッチング素子が両方ともにオフ状態となってインバータ部が短絡することがなく、インバータ部に過大な短絡電流が流れるのを防いで信頼性の高いインバータ装置が得られる。
【0021】
請求項2の発明は、請求項1の発明において、前記制御手段が、第1の駆動回路への電源供給を遮断することにより第1のスイッチング素子を強制的にオフさせて成ることを特徴とし、請求項1の発明の望ましい実施形態である。
【0022】
請求項3の発明は、請求項1の発明において、前記制御手段が、第1の駆動回路へ給電される電圧を、第1のスイッチング素子をオフするレベルに低下させることにより第1のスイッチング素子を強制的にオフさせて成ることを特徴とし、請求項1の発明の望ましい実施形態である。
【0023】
請求項4の発明は、請求項1の発明において、前記制御手段が、第1のスイッチング素子の駆動端子電圧をオフ状態となるレベルまで低下させて成ることを特徴とし、請求項1の発明の望ましい実施形態である。
【0024】
請求項5の発明は、請求項1〜4の何れかの発明において、前記第1の駆動回路が、制御信号送出回路からの制御信号に応じてオンパルスを生成し送出するオンパルス送出回路と、前記制御信号に応じてオフパルスを生成し送出するオフパルス送出回路と、オンパルス信号及びオフパルス信号の電位を第1のスイッチング素子への信号電位に変換するレベルシフト回路と、このレベルシフト回路により電位変換されたオンパルス信号及びオフパルス信号により第1のスイッチング素子をオンオフ駆動するための駆動信号を生成するフリップフロップ回路と、このフリップフロップ回路の出力端と第1のスイッチング素子の制御端子の間に挿入されるバッファ回路とを具備することを特徴とし、請求項1の発明の望ましい実施形態である。
【0025】
請求項6の発明は、請求項5の発明において、前記制御手段が、第1の駆動回路が具備するフリップフロップ回路をリセットすることにより第1のスイッチング素子を強制的にオフさせて成ることを特徴とし、請求項5の発明の望ましい実施形態である。
【0026】
【発明の実施の形態】
(実施形態1)
本発明の実施形態1を図1に示す。本実施形態のインバータ装置もインバータ回路1とインバータ制御部2とを備えており、図5に示した従来例と共通する構成には同一の符号を付して説明を省略する。
【0027】
図1に示した駆動信号送出回路部5は図5の従来例における制御信号送出回路10、異常検出回路11、ANDゲートG1,G2並びにインバータINV1を具備するものであり、第1及び第2の駆動回路3,4に対して各々制御信号S3,S9を出力するものである。また、図10に示した従来例と同様に第1の駆動回路3の制御電圧HVccは、第2のスイッチング素子Q2のオンオフ動作により、駆動信号送出回路部5及び第2の駆動回路4用の低電圧の制御電圧LVccからダイオードD1を介してコンデンサCbを充電する充電電流により得ている。
【0028】
ところで本実施形態の特徴は、異常検出回路11が異常状態を検出して動作した際に第1の駆動回路3によって第1のスイッチング素子Q1のオン状態が所定時間以上継続した場合に第1のスイッチング素子Q1を強制的にオフさせる制御手段を備えた点にある。この制御手段は、制御電源HVcc用のコンデンサCbに並列接続されたN型のMOSFETQaと、第1の駆動回路3の出力端とMOSFETQaのゲート端子との間に互いに並列接続されたダイオードD2及び抵抗R5と、MOSFETQaのゲート−ソース間に互いに並列接続されたコンデンサC2及び抵抗R6とを具備する強制オフ駆動回路6から構成される。
【0029】
この強制オフ駆動回路6を設けた本実施形態の動作について説明する。まず、インバータ装置が正常に動作しているときには、第1の駆動回路3から数10kHzの周波数の駆動信号S8が送出されて第1のスイッチング素子Q1がオンオフ駆動されている。ここで、MOSFETQaのゲート端子に接続されている抵抗R5,R6、コンデンサC2並びにダイオードD2から成る回路の時定数が、駆動信号S8の周期に対して十分に大きい値に設定されているので、正常動作時にはコンデンサC2の両端電圧がMOSFETQaをターンオンさせるに足るだけの電圧まで上昇することがなく、よってMOSFETQaはオフ状態に維持される。
【0030】
一方、インバータ装置に何らかの異常が生じ、異常検出回路11のはたらきによってインバータ装置が停止状態になると、本来ならば第1及び第2の駆動回路3,4から出力される駆動信号S8,S10がLレベルとなり、第1及び第2のスイッチング素子Q1,Q2が両方ともにオフ状態となる。ところが従来例で述べたように異常検出回路11の検出信号S2がHレベルからLレベルに変化するタイミングによっては第1の駆動回路3から出力される駆動信号S8がHレベルのままでインバータ装置が停止状態になってしまう場合がある。このとき、強制オフ駆動回路6においては抵抗R5を介してコンデンサC2に徐々に充電電流が流れてコンデンサC2の両端電圧がMOSFETQaをターンオンさせるに必要な電圧まで上昇することになる。
【0031】
コンデンサC2の両端電圧が上昇してMOSFETQaがターンオンすると、制御電圧HVccを得ているコンデンサCbの充電電荷がMOSFETQaを介して放電されてしまうため、制御電圧HVccがほぼ0Vになる。これによって第1の駆動回路3から出力される駆動信号S8もほぼ0Vとなり、第1のスイッチング素子Q1のゲート電圧もほぼ0Vとなって、強制オフ駆動回路6によって第1のスイッチング素子Q1が強制的にオフされることになる。このときには第2のスイッチング素子Q2が既にオフとなっているので、インバータ装置は第1及び第2のスイッチング素子Q1,Q2が両方ともにオフ状態で停止することになる。
【0032】
したがって、異常検出状態が解除されてインバータ装置が再度動作を開始し、第2のスイッチング素子Q2のゲート端子にHレベルの駆動信号S10が入力されたときにも第1のスイッチング素子Q1がオフ状態であるため、第1及び第2のスイッチング素子Q1,Q2の両方ともが同時にオンとなる、いわゆる同時オン状態の発生を回避することができる。その結果、同時オンによって第1及び第2のスイッチング素子Q1,Q2に過大な電流が流れることがなく、過大な電流による第1及び第2のスイッチング素子Q1,Q2の性能劣化や破損などの不具合の発生を防いで信頼性の高いインバータ装置の提供が可能となる。なお、強制オフ駆動回路6に抵抗R6を設けなくてもよく、またMOSFETQaの代わりにバイポーラトランジスタを用いても同様の効果を奏することができる。
【0033】
また第1の駆動回路3に対して従来例で説明した低電圧検出回路を付加した場合にも、強制オフ駆動回路6の抵抗R5,R6及びコンデンサC2の定数によって決まる時定数を適当に設定することにより、第1のスイッチング素子Q1のオン状態が正常時の時間を超えて継続した際に、より早く第1のスイッチング素子Q1をオフ状態に移行させることができ、これによって第1及び第2のスイッチング素子Q1,Q2の同時オンの発生をさらに確実に防ぐことができる。
【0034】
(実施形態2)
本実施形態における強制オフ駆動回路6とその周辺部分の回路図を図2に示す。なお、図示していない部分の回路構成は実施形態1と共通であるから説明は省略する。
【0035】
本実施形態の強制オフ駆動回路6では、MOSFETQaのドレイン端子を第1の駆動回路3の出力端に接続するとともにソース端子を第1のスイッチング素子Q1のソース端子(出力端子To)に接続し、MOSFETQaのドレイン−ゲート間に抵抗R5、ゲート−ソース間に抵抗R6とコンデンサC2の並列回路をそれぞれ接続してある。なお、抵抗R5,R6とコンデンサC2の時定数を第1の駆動回路3の駆動信号S8の周期よりも十分に長く設定してある。
【0036】
而して、インバータ装置が何らかの異常で停止した場合には、実施形態1の強制オフ駆動回路6と同様にコンデンサC2の両端電圧が上昇してMOSFETQaがターンオンすることにより、第1のスイッチング素子Q1のゲート−ソース間がMOSFETQaを介して短絡される。これによって第1のスイッチング素子Q1を強制的にオフすることができ、インバータ装置の再動作時における第1及び第2のスイッチング素子Q1,Q2の同時オンを防止することができる。
【0037】
なお、MOSFETQaがオンするとコンデンサC2の充電電荷が抵抗R5,R6を介してMOSFETQa自身で放電されるため、抵抗R5,R6並びにコンデンサC2の時定数を可能な限り大きく設定しておくことが望ましい。
【0038】
(実施形態3)
本実施形態における強制オフ駆動回路6とその周辺部分の回路図を図3に示す。なお、図示していない部分の回路構成は実施形態1と共通であるから説明は省略する。
【0039】
本実施形態の強制オフ駆動回路6は、MOSFETQaによって第1の駆動回路3が具備するフリップフロップ回路FFのリセット端子NRを短絡して強制的にLレベルに落とすようにしたものであり、リセット端子NRをLレベルにすることでフリップフロップ回路FFがリセットされて出力(駆動信号)S8がLレベルとなって第1のスイッチング素子Q1が強制的にオフとなる。なお、実施形態1及び2と同様に、抵抗R5,R6とコンデンサC2の時定数を第1の駆動回路3の駆動信号S8の周期よりも十分に長く設定してある。
【0040】
上述のように本実施形態においても、インバータ装置が何らかの異常で停止した場合には強制オフ駆動回路6によって第1のスイッチング素子Q1を強制的にオフすることができ、インバータ装置の再動作時における第1及び第2のスイッチング素子Q1,Q2の同時オンを防止することができる。
【0041】
(実施形態4)
本実施形態における強制オフ駆動回路6とその周辺部分の回路図を図4に示す。なお、図示していない部分の回路構成は実施形態1と共通であるから説明は省略する。
【0042】
本実施形態の強制オフ駆動回路6は、コンデンサCbに抵抗R7を介して並列接続されたMOSFETQaと、第1の駆動回路3の出力端とMOSFETQaのゲート端子との間に接続された抵抗R5,R6の直列回路と、MOSFETQaのゲート−ソース間に接続されたコンデンサC2と、一方の入力端がMOSFETQaのドレイン端子に接続されるとともに他方の入力端がフリップフロップ回路FFの出力端に接続され且つ出力端がバッファ回路Bの入力端に接続されたANDゲートG4とを具備する。なお、抵抗R5,R6とコンデンサC2の時定数はバッファ回路Bから出力される駆動信号S8’の周期よりも十分に長く設定してある。
【0043】
而して、インバータ装置が正常に動作しているときには、MOSFETQaのゲート端子に接続されている抵抗R5,R6、コンデンサC2から成る回路の時定数が駆動信号S8’の周期に対して十分に大きい値に設定されているので、コンデンサC2の両端電圧がMOSFETQaをターンオンさせるに足るだけの電圧まで上昇することがなく、よってMOSFETQaはオフ状態に維持される。よって、ANDゲートG4の一方の入力端には常時Hレベルの信号が入力されるため、ANDゲートG4の出力はもう一方の入力端に入力される駆動信号S8(フリップフロップ回路FFの出力)と同一の信号となる。
【0044】
それに対して、従来例で述べたように異常検出回路11の検出信号S2がHレベルからLレベルに変化するタイミングによって第1の駆動回路3から出力される駆動信号S8がHレベルのままでインバータ装置が停止状態になってしまった場合、コンデンサC2の両端電圧がMOSFETQaをターンオンさせるに必要な電圧まで上昇する。そしてMOSFETQaがターンオンすると、ANDゲートG4の一方の入力端がLレベルに落とされるので、フリップフロップ回路FFの出力信号S8にかかわらず、ANDゲートG4の出力が常時Lレベルとなる。これによってバッファ回路Bから出力される駆動信号S8’も強制的にLレベルとなるので、強制オフ駆動回路6によって第1のスイッチング素子Q1が強制的にオフされることになる。このときには第2のスイッチング素子Q2が既にオフとなっているので、インバータ装置は第1及び第2のスイッチング素子Q1,Q2が両方ともにオフ状態で停止する。
【0045】
而して、インバータ装置が何らかの異常で停止した場合にMOSFETQaをターンオンすることでバッファ回路Bに入力される駆動信号S8を強制的にLレベルとし、これによって第1のスイッチング素子Q1を強制的にオフすることができ、インバータ装置の再動作時における第1及び第2のスイッチング素子Q1,Q2の同時オンを防止することができる。
【0046】
なお、MOSFETQaがオンするとコンデンサC2の充電電荷が抵抗R5,R6を介して放電されるため、抵抗R5,R6並びにコンデンサC2の時定数を可能な限り大きく設定しておくことが望ましい。
【0047】
【発明の効果】
本発明は上述のように、直流電源に直列的に接続された第1及び第2のスイッチング素子を具備し、第1及び第2のスイッチング素子を交互に繰り返しオンオフさせることで負荷に高周波電力を供給するインバータ部と、直流電源の高電位側に一端が接続された第1のスイッチング素子をオンオフ駆動する第1の駆動回路、直流電源の低電位側に一端が接続された第2のスイッチング素子をオンオフ駆動する第2の駆動回路、第1及び第2の駆動回路に対して各々第1及び第2のスイッチング素子をオンオフ駆動させるための制御信号を送出する制御信号送出回路、異常状態を検出して第1及び第2の駆動回路を介して第1及び第2のスイッチング素子をオフ状態にする異常検出回路を具備するインバータ制御部と、異常検出回路が異常状態を検出して動作した際に第1の駆動回路によって第1のスイッチング素子のオン状態が所定時間以上継続した場合に第1のスイッチング素子を強制的にオフさせる制御手段とを備えたので、インバータ装置の動作停止時に第1のスイッチング素子のオン状態が継続しても制御手段によって強制的にオフさせ、再始動時に第1及び第2のスイッチング素子が両方ともにオフ状態となってインバータ部が短絡することがなく、インバータ部に過大な短絡電流が流れるのを防いで信頼性の高いインバータ装置が得られるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施形態1を示す回路図である。
【図2】実施形態2を示す要部回路図である。
【図3】実施形態3を示す要部回路図である。
【図4】実施形態4を示す要部回路図である。
【図5】従来例を示す回路図である。
【図6】同上における各部の信号波形図である。
【図7】同上におけるオフパルス送出回路を示す回路図である。
【図8】同上の動作を説明するための信号波形図である。
【図9】同上の動作を説明するための信号波形図である。
【図10】他の従来例を示す要部回路図である。
【符号の説明】
1 インバータ部
2 インバータ制御部
3 第1の駆動回路
4 第2の駆動回路
5 駆動信号送出回路部
6 強制オフ駆動回路
Q1 第1のスイッチング素子
Q2 第2のスイッチング素子[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an inverter device that converts DC power into high-frequency power and supplies it to a load.
[0002]
[Prior art]
FIG. 5 is a circuit diagram showing a main part of a conventional inverter device. First and second switching elements Q1, Q2 made of N-type MOSFETs are connected in series to a DC power source (not shown). That is, the drain terminal of the first switching element Q1 is connected to the high potential side of the DC power supply, and the source terminal of the first switching element Q1 and the drain terminal of the second switching element Q2 are commonly connected to the output terminal To. At the same time, the source terminal of the second switching element Q2 is connected to the ground to constitute the inverter unit 1. Then, the DC voltage Vdc of the DC power source is applied to the inverter unit 1, and the
[0003]
The
[0004]
The control
[0005]
The
[0006]
As shown in FIG. 6D, the on-pulse transmission circuit 12 generates and outputs a rectangular wave signal (on-pulse signal) S4 that is synchronized with the rising edge of the control signal S3 and has a shorter pulse width than the control signal S3. Further, as shown in FIG. 6E, the off-
[0007]
In the
[0008]
Therefore, from the output terminal Q of the flip-flop circuit FF, as shown in FIG. 6 (h), it becomes H level in synchronization with the falling edge of the pulse signal S6 and becomes L level in synchronization with the falling edge of the pulse signal S7. A pulse signal (drive signal) S8 is output. The buffer circuit B is connected to the output terminal Q of the flip-flop circuit FF, and the drive signal S8 is amplified by the buffer circuit B (the current supply capability is increased) to the gate terminal of the first switching element Q1. The first switching element Q1 is supplied when the drive signal S8 ′ as shown in FIG. 6 (i) is at the H level and turned off when the drive signal S8 ′ is at the L level.
[0009]
On the other hand, a signal S9 obtained by inverting the control signal S1 is output from the AND gate G2 as shown in FIG. This signal S9 is input to the
[0010]
By the way, the abnormality detection circuit 11 has a function of detecting when an abnormality occurs in the inverter device and stopping the operation of the inverter device. As described above, the detection signal S2 that is at the H level in the normal state is abnormal. L level when detected. Therefore, when some abnormality occurs and the detection signal S2 of the abnormality detection circuit 11 becomes L level, the control signals S3 and S9 output from the AND gates G1 and G2 both become L level, and the
[0011]
[Problems to be solved by the invention]
However, the conventional example has the following problems.
[0012]
That is, when the transmission timing of the detection signal S2 overlaps with the moment when the on-pulse signal S6 input to the set terminal NS of the flip-flop circuit FF falls to the L level and the first switching element Q1 is turned on, the off-pulse The off-pulse signal S5 is not sent from the sending
[0013]
Here, the on-pulse transmission circuit 12 and the off-
[0014]
That is, the off-
[0015]
However, when the pulse width t of the control signal S3 becomes shorter than the delay time of the delay circuit, the control signal S3 becomes H before the delayed signal S3 ′ reaches the H level as shown in FIGS. Since the level changes from the L level to the L level, the output of the inverter INV2 (signal S3 ″) is maintained at the H level without changing to the L level as shown in FIG. That is, the reset signal NR is not sent to the flip-flop circuit FF, so that the output (drive signal S8) of the flip-flop circuit FF is at H level even when the detection signal S2 of the abnormality detection circuit 11 changes to L level. As a result, the inverter device stops while maintaining the ON state of the first switching element Q1. In addition to the above-mentioned reason, the off-pulse signal S7 is not input to the reset terminal NR of the flip-flop circuit FF due to the signal transmission delay time in the
[0016]
In this state, after the inverter device stops, when the abnormal state is resolved and the detection signal S2 of the abnormality detection circuit 11 is released (when the signal is changed from L level to H level), the inverter device returns to the second state. Both the first and second switching elements Q1 and Q2 may be simultaneously turned on at the moment when the H level drive signal S10 is input to the gate terminal of the switching element Q2, and the inverter unit 1 is short-circuited. There arises a problem that an excessive current due to the DC power supply voltage Vdc flows through the first and second switching elements Q1, Q2.
[0017]
On the other hand, a circuit configuration as shown in FIG. 10 has been proposed as a solution to such a problem. As shown in FIG. 10, the control voltage HVcc of the
[0018]
However, even if the low voltage detection circuit as described above is provided, it takes time to lower the control voltage HVcc. Therefore, if the inverter device is restarted before the low voltage detection circuit operates, the above-described problem occurs. .
[0019]
The present invention has been made in view of the above problems, and its object is to make sure that the first and second switching elements are turned off when the operation of the inverter device is stopped, so that the inverter unit can be An object of the present invention is to provide an inverter device that prevents an excessive short circuit current from flowing.
[0020]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, the first aspect of the present invention includes first and second switching elements connected in series to a DC power supply, and alternately and repeatedly turns on and off the first and second switching elements. Inverter for supplying high frequency power to the load, a first drive circuit for driving on and off the first switching element having one end connected to the high potential side of the DC power supply, one end connected to the low potential side of the DC power supply Control signal for sending on / off driving of the first and second switching elements to the second driving circuit for driving on / off of the second switching element, and the first and second driving circuits, respectively An inverter control unit including an abnormality detection circuit that detects an abnormal state and turns off the first and second switching elements via the first and second drive circuits; Control means for forcibly turning off the first switching element when the on-state of the first switching element continues for a predetermined time or more by the first drive circuit when the normal detection circuit operates by detecting an abnormal state; The control device forcibly turns off the first switching element even when the on state of the first switching element continues when the operation of the inverter device is stopped, and both the first and second switching elements are restarted. The inverter unit is not short-circuited in an off state, and an excessive short circuit current is prevented from flowing through the inverter unit, so that a highly reliable inverter device can be obtained.
[0021]
The invention of
[0022]
According to a third aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the control means reduces the voltage supplied to the first drive circuit to a level that turns off the first switching element. Is forcibly turned off, and is a desirable embodiment of the invention of claim 1.
[0023]
According to a fourth aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the control means reduces the drive terminal voltage of the first switching element to a level at which the first switching element is turned off. This is a desirable embodiment.
[0024]
According to a fifth aspect of the present invention, in any one of the first to fourth aspects, the first drive circuit generates an on-pulse according to a control signal from a control signal transmission circuit, and sends the on-pulse. An off-pulse transmission circuit that generates and transmits an off-pulse according to the control signal, a level shift circuit that converts the potential of the on-pulse signal and the off-pulse signal into a signal potential to the first switching element, and the potential converted by the level shift circuit A flip-flop circuit for generating a drive signal for driving the first switching element on and off by the on-pulse signal and the off-pulse signal, and a buffer inserted between the output terminal of the flip-flop circuit and the control terminal of the first switching element And a circuit according to the first aspect of the present invention.
[0025]
According to a sixth aspect of the invention, in the fifth aspect of the invention, the control means forcibly turns off the first switching element by resetting a flip-flop circuit included in the first drive circuit. This is a desirable embodiment of the invention of
[0026]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
(Embodiment 1)
Embodiment 1 of the present invention is shown in FIG. The inverter device of the present embodiment also includes the inverter circuit 1 and the
[0027]
The drive signal
[0028]
By the way, the feature of the present embodiment is that when the abnormality detection circuit 11 operates by detecting an abnormal state, the
[0029]
The operation of this embodiment provided with this forced-
[0030]
On the other hand, when an abnormality occurs in the inverter device and the inverter device is stopped by the operation of the abnormality detection circuit 11, the drive signals S8 and S10 output from the first and
[0031]
When the voltage across the capacitor C2 rises and the MOSFET Qa is turned on, the charge of the capacitor Cb that obtains the control voltage HVcc is discharged through the MOSFET Qa, so that the control voltage HVcc becomes almost 0V. As a result, the drive signal S8 output from the
[0032]
Therefore, the first switching element Q1 is also in the off state when the abnormality detection state is released and the inverter device starts operating again, and the H level drive signal S10 is input to the gate terminal of the second switching element Q2. Therefore, it is possible to avoid the occurrence of a so-called simultaneous ON state in which both the first and second switching elements Q1, Q2 are simultaneously turned on. As a result, an excessive current does not flow through the first and second switching elements Q1 and Q2 due to the simultaneous ON, and the first and second switching elements Q1 and Q2 are deteriorated or damaged due to the excessive current. Therefore, it is possible to provide a highly reliable inverter device. It is not necessary to provide the resistor R6 in the forced-
[0033]
Even when the low voltage detection circuit described in the conventional example is added to the
[0034]
(Embodiment 2)
FIG. 2 shows a circuit diagram of the forced-
[0035]
In the forced-
[0036]
Thus, when the inverter device stops due to some abnormality, the voltage across the capacitor C2 rises and the MOSFET Qa turns on as in the forced-
[0037]
When MOSFET Qa is turned on, the charge of capacitor C2 is discharged by MOSFET Qa itself via resistors R5 and R6. Therefore, it is desirable to set the time constants of resistors R5 and R6 and capacitor C2 as large as possible.
[0038]
(Embodiment 3)
FIG. 3 shows a circuit diagram of the forced-
[0039]
The forced-
[0040]
As described above, also in the present embodiment, when the inverter device stops due to some abnormality, the first switching element Q1 can be forcibly turned off by the forced-
[0041]
(Embodiment 4)
FIG. 4 shows a circuit diagram of the forced-
[0042]
The forced-
[0043]
Thus, when the inverter device is operating normally, the time constant of the circuit composed of the resistors R5 and R6 and the capacitor C2 connected to the gate terminal of the MOSFET Qa is sufficiently large with respect to the cycle of the drive signal S8 ′. Since the voltage is set to a value, the voltage across the capacitor C2 does not rise to a voltage sufficient to turn on the MOSFET Qa, and thus the MOSFET Qa is maintained in the off state. Therefore, since an H level signal is always input to one input terminal of the AND gate G4, the output of the AND gate G4 is the drive signal S8 (output of the flip-flop circuit FF) input to the other input terminal. The same signal.
[0044]
On the other hand, as described in the conventional example, the drive signal S8 output from the
[0045]
Thus, when the inverter device stops due to some abnormality, the MOSFET Qa is turned on to forcibly set the drive signal S8 input to the buffer circuit B to the L level, thereby forcing the first switching element Q1. It can be turned off, and the first and second switching elements Q1, Q2 can be prevented from being simultaneously turned on when the inverter device is restarted.
[0046]
When MOSFET Qa is turned on, the charge of capacitor C2 is discharged through resistors R5 and R6. Therefore, it is desirable to set the time constants of resistors R5 and R6 and capacitor C2 as large as possible.
[0047]
【The invention's effect】
As described above, the present invention includes the first and second switching elements connected in series to the DC power supply, and the high frequency power is supplied to the load by alternately turning on and off the first and second switching elements alternately. An inverter unit to be supplied; a first driving circuit for driving on and off a first switching element having one end connected to the high potential side of the DC power supply; a second switching element having one end connected to the low potential side of the DC power supply Drive circuit for turning on and off, a control signal sending circuit for sending control signals for driving on and off the first and second switching elements to the first and second drive circuits, respectively, and detecting an abnormal state And an inverter control unit including an abnormality detection circuit that turns off the first and second switching elements via the first and second drive circuits, and the abnormality detection circuit is in an abnormal state. And a control means for forcibly turning off the first switching element when the first driving circuit continues to be turned on for a predetermined time or more by the first driving circuit when the inverter is detected and operated. Even if the first switching element continues to be on when the operation is stopped, the control means forcibly turns it off, and at the time of restart, both the first and second switching elements are turned off and the inverter section is short-circuited. In other words, there is an effect that a highly reliable inverter device can be obtained by preventing an excessive short-circuit current from flowing through the inverter section.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment.
FIG. 2 is a main part circuit diagram showing a second embodiment;
FIG. 3 is a main part circuit diagram showing a third embodiment;
FIG. 4 is a main circuit diagram showing a fourth embodiment.
FIG. 5 is a circuit diagram showing a conventional example.
FIG. 6 is a signal waveform diagram of each part in the above.
FIG. 7 is a circuit diagram showing an off-pulse transmission circuit according to the above.
FIG. 8 is a signal waveform diagram for explaining the operation of the above.
FIG. 9 is a signal waveform diagram for explaining the operation of the above.
FIG. 10 is a main part circuit diagram showing another conventional example.
[Explanation of symbols]
1 Inverter section
2 Inverter control unit
3 First drive circuit
4 Second drive circuit
5 Drive signal sending circuit
6 Forced off drive circuit
Q1 first switching element
Q2 Second switching element
Claims (6)
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