JP3671087B2 - 減少させた磁気干渉を有する放電光源 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は誘導放電光源に関し、さらに詳細には、外部磁気干渉を減少させた放電光源に関する。
【０００２】
【従来の技術】
誘導結合された無電極低圧放電ランプが多くの利点をもたらすことは、よく知られている。典型的な誘導結合放電ランプは、気密的方法で封止され、非常な低圧で金属蒸気と希ガスで充填された電球から成る。インダクタは高周波電源（２０ｋＨｚより高い）により付勢され、こうしてインダクタと電球の内部表面を覆う蛍光層の間の空間に放電を形成する。
【０００３】
ガス放電ランプの動作の間に起きる問題は、電力供給線中の高周波干渉電流の原因となる電磁場が、ランプの外部に発生することである。その結果、特に電磁場の磁場成分のために、給電線に接続された他の電気器具（例えばラジオ，ＴＶ受信機）に妨害が起こり得る。従って、電磁妨害（ＥＭＩ）の減少（特にその磁場成分の減少）は、商業的に実施可能な誘導放電ランプにとって最も重要な問題の１つである。
【０００４】
誘導結合放電ランプのランプ外囲器の外側にある磁束を減少させる試みは、従来から行われてきた。
【０００５】
例えば、米国特許第４，２４５，１７９号，同第４，２５４，３６３号は、放電からの全磁束の減少を意図する誘導１次コイルの配置を記述している。しかし、これらの技術は一般にあまり実用的でなく、外部磁場減少におけるそれらの有効性を実証する、容易に利用可能なデータもない。
【０００６】
米国特許第４，６４５，９６７号，同第４，７０４，５６２号，同第４，７２７，２９４号，同第４，９２０，２９７号，同第４，９４０，９２３号は、ランプ外囲器の外側に取り付けられ、放電容器の周囲を取り巻いている（図１に最もよく図示されている）１組の導電短絡された干渉防止リング１０，１１，１２を開示している。放電が誘導励起された時、これらのリング１０，１１，１２は１次誘導コイルの磁束のいくらかを中和する、１次磁束と反対方向の磁束を誘導する電流をつくりだす。都合の悪いことに、この技術はあまり有効ではなく、１つのリングあたり約１．８ｄＢから２．０ｄＢだけ、放電から放出された磁束を減少させることがわかっている。放電ランプにより発生させられた電磁場の磁場成分を減少させるためのより効果的な技術が、この分野では強く望まれていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
従って本発明の目的は、無線周波数電力供給により駆動される空心またはフェライト磁心インダクタにより維持される、任意の誘導放電から放出される外部磁気干渉を十分に減少させるための簡単で効果的な技術を提供することである。
【０００８】
本発明のもう１つの目的は、磁気干渉を減少させた放電ランプを提供することである。
【０００９】
本発明はその応用を誘導励起された高周波放電により発生させられたＥＭＩの磁場成分を遮蔽することに見出すことができたが、本発明はその特定用途を放電ランプから漏れた外部磁束を減少させることに見出した。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の教えるところによれば、誘導放電を維持するためにガス状媒質に浸され、予め定められた無線周波数で駆動されるインダクタは、遮蔽導電ループにより取り巻かれている。遮蔽ループは、インダクタの予め定められた駆動周波数よりも低く維持された共振周波数で共振するために、コンデンサで終端されている。
【００１１】
希ガス（不活性ガスから選択される）と金属蒸気（水銀とナトリウムが好ましい）を含有するガス状媒質は、封止された透明なランプ外囲器に封入される。蛍光材料の層はランプ外囲器の内部表面に付着され、インダクタはランプ外囲器内に収納される。
【００１２】
電力供給手段は、ガス状媒質中で誘導放電を維持するための、ランプ外囲器内部の電磁場を誘導するために、高周波電力をインダクタの１次コイルに供給する。この蛍光材料は、光を放出するために、ガス状媒質中の放電に反応する。
【００１３】
遮蔽ループはランプ外囲器の外側または内側に保持されることができ、ランプ外囲器上に付着された導電フィルムのように形成されることもできる。また、遮蔽ループは複数の独立した遮蔽ループを含むことができ、各ループがそれぞれコンデンサで終端されるか、または１つの多数回巻き導電リングがコンデンサで終端される。
【００１４】
インダクタは、それが閉磁路の構成要素でない限り、空心インダクタまたはフェライト磁心インダクタを含む。
【００１５】
ランプ外囲器とガス状媒質は、１ＭＨｚより高い周波数における動作のために選択される。
【００１６】
本発明のこれら及び他の目的は、図面に関連した以下の詳細を読むことから明らかになるであろう。
【００１７】
【発明の実施の形態】
図２を参照すると、無電極低圧放電ランプ１３は、気密的方法で封止され、イオン化可能なガス状媒質１５の構成要素となる非常に低圧の希ガス（例えばアルゴン）と金属蒸気（例えば水銀）とを含む、透明ガラスのランプ外囲器１４を含む。ランプ外囲器１４は電球１６と空胴１７（またはランプ外囲器１４の凹入部分）とを有し、空胴内には１次コイル１８が設けられ、１次コイルは銅線を複数回巻いたものから成る。１次コイル１８はインダクタ１９の一部であり、インダクタ１９は空心インダクタでもフェライト磁心インダクタでもよい。もしフェライト磁心インダクタ１９が選ばれたら、１次コイル１８により取り巻かれた磁性材料（フェライト）の棒状コア（コアはフェライトの筒でもよい）が空胴１７内部に配置される。
【００１８】
１次コイル１８は高周波電力供給ユニット２０（略図で示されている）に接続されているので、ランプ外囲器１４内に高周波電磁場が誘導される。
【００１９】
ランプ外囲器１４の内壁２１は、通常いくつかの蛍光性またはりん光性金属塩（例えば、タングステン酸カルシウム，硫化亜鉛と珪酸亜鉛の両方またはいずれか一方）の混合物である、発光物質の透明な層２２で被膜されている。
【００２０】
ランプ１３が作動している間中、高周波電磁場がランプ外囲器１４中に誘導され、ランプ外囲器１４内で誘導放電が維持されることを保証する。放電は大部分が紫外線から成り、目に見えない。紫外線は層２２の蛍光物質に衝突し、スペクトルの可視範囲内のより長い波長で放射を放出する。蛍光物質の適当な選択により、希望する任意の色を光に与えることができる。
【００２１】
そのような高周波数（２０，０００Ｈｚ以上）で作動する放電ランプ１３はランプ外囲器１４の外部に電磁妨害を生じさせることができ、ランプ付近のラジオとテレビの受信を妨害する可能性があり、最も深刻な問題は外部磁束により起こされるであろう。
【００２２】
この望ましくない外部磁気干渉を十分に減少させるために、図２，図３に最もよく図示されているように、放電ランプ１３は少なくとも１つの遮蔽導電ループ２３を備えている。遮蔽ループ２３は、ランプ外囲器１４内で発生され維持されている放電を取り巻いている。図示を容易にするために、図２，図３にはたった１つの遮蔽ループ２３しか示されていないが、もし望めば、１つ以上の遮蔽ループを利用することができる。
【００２３】
各遮蔽ループ２３は、適当なリアクタンス２４で終端されている。放電が誘導励起された時、遮蔽ループ２３は１次コイルの外側の１次磁束の反対方向に磁束を誘導する電流をつくり出し、それによって１次誘導コイル１８の磁束のいくらかを効果的に中和する。ループ２３内につくり出された電流は単純な閉リング内につくり出された電流（従来技術のような）より大きいので、磁気干渉の減少は、閉リングを利用した時の１．８ｄＢから２．０ｄＢと比較して、６ｄＢから２５ｄＢの間で観測される。
【００２４】
他の要素もあるが、磁束の正確な減少は特に１次コイル１８と遮蔽ループ２３の間の結合度、遮蔽ループ２３を終端する特定のリアクタンス２４、放電動作の周波数（予め定められた駆動無線周波数）と終端されたループ２３の共振周波数の差に依存する。
【００２５】
この技術を効果的にするための本質的な鍵は、ループ２３の電流が適当な大きさになり、かつ放電を維持する１次コイル１８を通して流れる電流に関して逆位相になるように、遮蔽ループ２３を終端する正しいリアクタンス２４を選択することである。遮蔽ループ２３は常に電気的性質において誘導性であるので、終端リアクタンス２４全体は常に容量性であり、かつ（数ｄＢの有効性を犠牲にして）磁束が減少する周波数範囲を広げるために多少の抵抗を含んでもよい。
【００２６】
終端リアクタンス２４を選択することが少しも明白でないことは、当業者に理解されるであろう。最大磁気遮蔽は、ループリアクタンスと終端リアクタンスが結合して共振する周波数より少し高い周波数において達成される。放電ランプ１３の外にある磁束を十分に減少させるために、ループ２３／終端２４の結合は、放電ランプ１３が駆動される周波数より低い周波数で共振しなければならない。もし終端リアクタンス２４が遮蔽ループ２３を駆動周波数より少し高い周波数で共振させたら逆効果が観測され、放電ランプ１３の外にある磁束が遮蔽ループ２３が全くない場合よりも強くなる。正確に放電ランプの駆動周波数における、終端２４が付いた遮蔽ループ２３の共振もまた、外部磁束を増加させ、１次コイル１８における損失も目立たせるので、望ましくない。
【００２７】
上述した効果を説明するために、図４に示されたテスト環境を使用して測定が行われた（図４はこの効果を実証するための１次コイル１８と種々のループの配置の略図である）。１次コイル１８（ループ２５）は２８回巻きの長さ１０．１６ｃｍ（４ｉｎｃｈ）、外直径約３．１７５ｃｍ（約１．２５ｉｎｃｈ）のコイルから成る。このコイルのインダクタンスは約８μＨである。電磁場（ｅｍｆ）チェックループ２６は５．０８ｃｍ（２ｉｎｃｈ）の外直径を有し、その直径におけるｅｍｆを測定するために使用される。遮蔽ループ２３は、その誘導電流が１次コイル１８により発生される磁束を相殺する、外直径１０．１６ｃｍ（４ｉｎｃｈ）のループである。終端リアクタンス２４は、この遮蔽ループ２３に挿入される。磁気ピックアップループ２７は、外直径約３５．５６ｃｍ（約１４ｉｎｃｈ）の静電遮蔽された磁気ピックアップループである。このループは、遮蔽ループ２３により達成された遮蔽量を示すために使用された。ここに記述された全てのテストのために、ｅｍｆチェックループ２６と遮蔽ループ２３は１次誘導コイル１８の中央平面に設けられた。この磁気遮蔽技術を実証するために、ゲイン／位相とインピーダンスが、１次コイルの駆動周波数周辺の周波数スペクトルにわたり、ＨＰ４１９４Ａアナライザを使用して測定された。
【００２８】
図５は、１次コイルの電圧と磁気ピックアップループに誘導された電圧の大きさの比（ｄＢ）と位相の差を、１ＭＨｚから５ＭＨｚの間の周波数範囲にわたり、３つの場合について示している。３つの場合とは、開放遮蔽ループ（本質的に遮蔽効果なし）、短絡遮蔽ループ（従来技術）、終端遮蔽ループ（本発明）である。磁気ピックアップループ２７に誘導された電圧は、駆動された１次コイル１８からの磁気干渉に比例する。単に磁気ピックアップループ２７の周波数応答を表しているだけなので、開放の場合における周波数による相対的な磁束の減少は無視することができる。１次コイル１８に供給される電圧に関して発生する磁気遮蔽の量は、遮蔽を伴わない磁束と遮蔽ループ（短絡または終端）を伴う磁束の間で違う。図５は、従来技術に記述されたような短絡ループは約１．８ｄＢの遮蔽をもたらし、周波数に依存しないことを示している。終端ループ２３は”負の”遮蔽、即ち、その共振周波数（約２．５ＭＨｚ）より低い周波数において１次コイル１８からの磁束を増加させ、一方、その共振周波数より高い周波数においては、短絡ループよりも十分に効果的な遮蔽をもたらす。２つの丸印は最大磁気遮蔽点と、対応する２．７４ＭＨｚにおいて起こる位相応答を示す。この場合における磁束の最大減少は、遮蔽されない場合より約８ｄＢ低い。この終端ループの振舞は、それらの一般的な振舞の典型であり、終端ループの共振周波数より低い周波数においては磁束の検出は増加し、一方、共振周波数より高い周波数においては、相対的な磁束の検出は減少する。相対的な磁束の大きさと位相データから、共振周波数より低い周波数では終端ループ２３中の電流の方向は１次コイルと同じで、それが取り巻く磁束を補強するということが結論づけられ、従って、１次コイルからの磁気ＥＭＩは増加する。一方、共振周波数より高い周波数においては、終端ループ２３内の電流の方向は１次コイルと反対で、それが取り巻く全体の磁束を中和（減少）させ、従って、１次コイル１８からの磁気干渉は減少する。これらの測定に基づいて、終端ループ２３は、効果的であるためには放電の駆動周波数より低い周波数で共振しなければならない、周波数感受性遮蔽技術であることが理解できる。
【００２９】
図５に示されたデータは、１次コイル１８に供給された電圧に関する遮蔽の大きさを示すが、しかし、より意味のある磁気遮蔽効果の測定は、磁気ピックアップループ２７に誘導された電圧の基準となる、ｅｍｆチェックループ２６に誘導された電圧の相対的な大きさと位相を示す図６により与えられる。遮蔽ループ２３が１次コイル１８からの磁場のいくらかを中和するので、それはｅｍｆチェックループ２６に誘導される電圧をわずかに減少させる。この誘導された電圧は誘導放電の主成分のための駆動電圧を表すので、それと外部磁束の間の比率は遮蔽効果のより正確な尺度である。従って図６は、短絡ループは１．６ｄＢだけ磁気干渉を効果的に減少させ、一方、終端ループは放電を維持する電圧に関して６．５ｄＢだけ磁気干渉を減少させることを示す。
【００３０】
図７は１次コイルの直列インダクタンスとＱファクタを、先に述べた３つの異なる遮蔽ループ２３の終端について、周波数の関数として示している。このデータは、図５のデータを裏づけている。１次コイルのインダクタンス（Ｌ_S ）は、開放ループではほとんど一定であり、短絡ループについては、ループを流れる電流が１次コイル１８の磁束をわずかに減少させるために、わずかに小さい。遮蔽（終端）ループ２３の場合は、共振周波数より低い周波数ではＬ_S は開放ループのＬ_S より大きく（終端ループは、それが取り巻く全体の磁束を増加させる電流を有することを示す）、一方、共振周波数より高い周波数ではＬ_S は開放ループのＬ_S より小さい（終端ループは、それが取り巻く全体の磁束に対抗する電流を有することを示す）。この場合には、Ｌ_S のピーク変動は約±９％である。
【００３１】
１次コイルのＱファクタの曲線は、図７にも示されているが、磁気遮蔽の実際の”出費”を示すので、議論のために重要である。ここで示された周波数の範囲にわたり、共振点で起こる最小のＱファクタについては、開放ループのＱファクタが最も大きく、短絡ループのＱファクタはわずかに小さく、終端ループのＱファクタは十分に小さい（周波数に依存する）。この結果は、単に、１次コイルの見かけのＱファクタは遮蔽ループ２３の電流のオーム損を含むことを示す。それで、本質的には遮蔽ループ２３の電力損は磁気ＥＭＩ減少の”代価”である。
【００３２】
終端ループ２３の２．７４ＭＨｚにおける１次コイルのＱファクタは３８であり、一方、遮蔽ループが開放されている時は約３００である。もし、遮蔽ループ２３で浪費された電力が電力伝送効率（放電電力／コイルに供給された総電力）が容認できないレベルまで著しく減少すれば、この場合におけるＱファクタの著しい減少はランプ放電において問題を提起し得る。減少したＱファクタが重要であるかないかという問題は、放電の電圧と電流の間の位相角と、ループ／終端回路のＱファクタと、駆動周波数（抑圧されている）と終端ループの共振周波数の間の関係に関係している。この場合に観測される低いＱファクタは、主に、２．７ＭＨｚにおいて０．３９４Ωの直列抵抗が付いた”バイパス”型の終端コンデンサが原因である。Ｑファクタは、高品質の終端コンデンサを使用することにより改善され得る。より高品質の終端コンデンサはより低い直列抵抗を有するであろうから、従って、全体のＱファクタを増加させ、磁気遮蔽を改善する。このことは６．７８ＭＨｚで採取されたデータを用いて、以下で議論される。加えて、もしこの技術が（最大遮蔽を達成する）より高い周波数で使用されたら、遮蔽はいくらか減少するが、しかし短絡ループよりはまだ効果的で、その周波数におけるＱファクタは電力伝送に著しい影響を及ぼさないであろうことは、図７から明らかである。
【００３３】
遮蔽効果に及ぼす遮蔽ループの終端における直列抵抗の影響と１次コイルのＱファクタは、約６ＭＨｚの１次コイル電圧（図５のような）に関して、磁気ピックアップループ上の電圧の大きさを測定することにより、いくらか高い周波数において調べられた。４つの異なる終端が使用された。開放ループ、短絡ループ、１．８８ｎＦの銀マイカコンデンサ（Ｒ_S ＝０．０３３Ω）、１．２Ωの抵抗と直列になっている１．８８ｎＦの銀マイカコンデンサ（これ以降Ｃ／Ｒと呼ぶ）である。この４ＭＨｚから８ＭＨｚにわたる周波数範囲の測定結果は図８に示されている。見てわかるように、短絡ループでは磁束は２ｄＢ減少し、１．８８ｎＦのコンデンサ終端では上限２６ｄＢ（最大磁気ＥＭＩ減少は約２０倍）まで減少し、Ｃ／Ｒ終端では約６ｄＢ（最大）減少した。６．７８ＭＨｚ（任意に選択された周波数）において、コンデンサでは約１６ｄＢ減少し、Ｃ／Ｒ終端では約５ｄＢ減少した。
【００３４】
コンデンサ終端とＣ／Ｒ終端の周波数スペクトル４ＭＨｚから８ＭＨｚにわたる１次コイルのインダクタンスとＱファクタの変化が、図９に示されている。コンデンサ終端については、最大１次コイルインダクタンスは、遮蔽なしで、その値の±７５％である。この劇的なインダクタンスの変化は、共振点における１次コイル特性上の遮蔽ループの効果が非常に強いことを示す。しかし、遮蔽磁束においてこのデバイスが最も効果的である周波数（共振周波数より３００ｋＨｚから４００ｋＨｚ高い）で、１次コイルのインピーダンス変化は１０％より小さいことを銘記されたい。１次コイルにおけるこの小さな変化が、放電ランプの動作に影響を及ぼすことは考えられない。Ｃ／Ｒ終端された１次コイルにおける変化は更に小さい。
【００３５】
周波数に対する１次コイルのＱファクタの変化のデータも、図９に示されている。Ｃ／Ｒ終端は、おそらく実用にならないほど低い、Ｑファクタの広帯域にわたる最小値を与える。Ｃ／Ｒ終端に比べてコンデンサ終端ループのＱファクタにおける変化はより鋭く、共振点付近を除いて、Ｑファクタは著しく高い（図９のＱファクタのスケールは１００／ｄｉｖ）。例えば６．７８ＭＨｚにおいて、コンデンサ終端のＱファクタは、遮蔽が原因でわずかに１次コイル損が増えただけである、約１６０である。図８，図９で示されたデータは、遮蔽ループ２３内の抵抗の減少は、１次コイル１８の遮蔽ループ２３との相互結合が原因の電力の浪費の減少に加えて、遮蔽効果を高める結果になることを示唆している。
【００３６】
図２に図示されるように、遮蔽ループ２３はランプ外囲器１４の外側に配置されている。遮蔽ループ２３はリング（例えば銅）を形成することができ、または、ランプ外囲器１４のガラス壁２１上に配置されることができる。多くのエネルギーを浪費しないように、フィルムは十分よい導体にすべきである。
【００３７】
しかし、遮蔽ループ２３を（リングまたはフィルムの形で）ランプ外囲器１４の内側に配置できない概念上の理由はない（図１１に最もよく示されている）。もちろん、遮蔽ループ２３とランプ外囲器内のガス状媒質（例えば水銀）間の材料の適合性の如何なる問題も考慮されなければならない。例えば、もし水銀がガス状媒質の一部であれば、ランプ媒体に通じる銅リングは、銅リングが水銀と一緒にランプの動作に対していくらか有害な相互作用をするので、良くない選択である。水銀との適合性の観点から、タングステンは良い選択であろう。加えて、ガスが抜けず、かつ水銀／バッファガス放電媒体と適合するように、カプセルに入れられたコンデンサ材料を使用しなければならない。
【００３８】
１つより多い遮蔽ループ２３を、外部磁気干渉を遮蔽するために利用することができる。１つより多いループの基準は、単に要求される遮蔽量によって決定される。２つの遮蔽ループ２３は、１つより効果的である（２倍の効果はないが）。１つの遮蔽ループのように、ループの平面が駆動されている１次ユニットの平面と平行である時、多数のループは最も効果的であろう。遮蔽ループは互いに独立とすることができ（図１０に最もよく図示されている）、または、多数の独立ループ２３よりはむしろ多数回巻きループを利用することができる（図１２に最もよく図示されている）。多数回巻きループは、共振するためにより少ないキャパシタンスを要するであろう。
【００３９】
遮蔽ループ２３のために最も好適な位置は放電の中央平面であるが、正確にそこにある必要はない。それはまた、中央平面の中心からはずれた場所にあってもよい。駆動されたインダクタ１９の磁束を中和または減少させるために必要な電流を誘導するための十分な結合が達成できるように、ループ２３は駆動インダクタの十分近くになければならない。もしループ２３が電球１６の外部にあれば、フィルムリングが終端コンデンサ２４が接続される点のどこかで破れるように、銅メッキフィルムリングをガラス表面に付着（例えば、プラズマ蒸着によって）することは容易である。最大ＥＭＩ抑圧は遮蔽ループが最も高い導電率の材料で作られた時に起きるが、しかし、それより低い導電率のリングでも、なお十分なＥＭＩ減少を達成できる。ところで、終端コンデンサ２４は最大数ボルトとしか見積もられる必要がないので、終端コンデンサ２４は非常に小さく作ることができる。
【００４０】
【発明の効果】
本発明は、実際、記述された従来技術より一桁有効で、誘導結合された放電からの磁気干渉を減少させるための新技術を構成する。この発明は、その共振周波数が駆動周波数よりわずかに低い終端ループで取り巻くことにより、駆動されているインダクタからの外部磁気干渉を減少させることができることを実証した。この結果は、遮蔽ループ回路の全抵抗は遮蔽効果に強く影響を及ぼし、電力伝送効率にも影響することを示唆している。遮蔽ループ回路に抵抗を付加することは１次コイルのＱファクタを減少させ、その結果、共振をより広帯域化させ、磁気遮蔽の大きさを減少させて遮蔽ループ内の電力損失を増加させる。量的には遮蔽ループ抵抗と１次コイル特性の間の関係は、１次コイルと遮蔽ループの正確な配置、２つのループ間の結合度、遮蔽ループの共振周波数と駆動周波数との差異に影響される。この技術は今まで無電極低圧放電ランプと関連付けて議論されてきたが、異なる用途におけるＥＭＩ減少も考慮できる。無線周波数源で駆動されるインダクタコイルからの外部磁束を十分に減少させる、単純なＥＭＩ減少技術が上で記述された。フェライト磁心が閉磁路を形成しない限り、この技術は、空心インダクタまたはフェライト磁心インダクタにより維持される任意の誘導放電から放出された磁気干渉を十分に減少させる。
【００４１】
以上、本発明の好ましい実施例について図示し記載したが、特許請求の範囲によって定められる本発明の範囲から逸脱することなしに種々の変形および変更がなし得ることは、当業者には明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来技術による干渉防止リングを有する、無電極低圧放電ランプの略図である。
【図２】本発明による磁気干渉減少技術の略図である。
【図３】本発明による遮蔽ループを有する、無電極低圧放電ランプの略図である。
【図４】テスト配置の略図である。
【図５】１次コイルに供給された電圧に関する遮蔽の図表である。
【図６】磁気ピックアップループ上に誘導された電圧に関する、チェックループ上に誘導された電圧の相対的な大きさと位相の図表である。
【図７】３つの異なる終端に対する、１次コイルの直列インダクタンスとＱファクタを時間の関数として示す図表である。
【図８】４つの異なる終端に対する、１次コイルの電圧に関する磁気ピックアップループの電圧の大きさを示す図表である。
【図９】コンデンサ終端とＣ／Ｒ終端に対する、周波数スペクトル４ＭＨｚから８ＭＨｚの間にわたる１次コイルインダクタンスの変化とＱファクタを示す図表である。
【図１０】本発明の複数の独立遮蔽ループの略図である。
【図１１】ランプ外囲器の内側に保持された、本発明の遮蔽ループの略図である。
【図１２】本発明の多数回巻き遮蔽ループの略図である。
【符号の説明】
１０，１１，１２ 干渉防止リング
１３ ランプ
１４ ランプ外囲器
１５ ガス状媒質
１６ 電球
１７ 空胴
１８ １次コイル
１９ インダクタ
２０ 高周波電力供給ユニット
２１ 内壁
２２ 発光物質の透明な層
２３ 遮蔽ループ
２４ リアクタンス
２５ ループ（１次コイル）
２６ チェックループ
２７ 磁気ピックアップループ

Claims (12)

1. 減少させた外部磁気干渉を有する放電ランプで、
   イオン化可能なガス状媒質で充填され、前記ガス状媒質は希ガスと金属蒸気を含む、封止された透明なランプ外囲器と、
   ランプ外囲器の内部表面に付着された蛍光材料の層と、
   ランプ外囲器内に収納され、１次コイルを含むインダクタと、
   前記ガス媒質中で誘導放電を維持するための電磁場をランプ外囲器内に発生するために、予め定められた駆動無線周波数を有する電力を前記１次コイルに供給する手段と、
   発光するためにガス状媒質中の放電に反応する前記蛍光材料と、
   インダクタを取り巻く少なくとも１つの遮蔽導電ループと、
   前記少なくとも１つの遮蔽ループと共振するためにコンデンサで終端され、１次コイルの予め定められた駆動周波数より低い周波数で、遮蔽ループのインダクタンスと直列なコンデンサ終端の共振周波数が維持される前記少なくとも１つの遮蔽ループと、
   から成ることを特徴とする放電ランプ。
2. 前記少なくとも１つの遮蔽ループがランプ外囲器の外側に保持されることを特徴とする、請求項１記載の放電ランプ。
3. 前記少なくとも１つの遮蔽ループがランプ外囲器の内側に保持されることを特徴とする、請求項１記載の放電ランプ。
4. インダクタが複数の独立した遮蔽ループで取り巻かれ、各ループは各々コンデンサで終端されていることを特徴とする、請求項１記載の放電ランプ。
5. 前記遮蔽ループがコンデンサで終端された多数回巻き導電リングを含むことを特徴とする、請求項１記載の放電ランプ。
6. 前記少なくとも１つの遮蔽ループを１次コイルの中央平面に設けることを特徴とする、請求項１記載の放電ランプ。
7. インダクタが空心インダクタを含むことを特徴とする、請求項１記載の放電ランプ。
8. インダクタがフェライト磁心インダクタを含むことを特徴とする、請求項１記載の放電ランプ。
9. ランプ外囲器とガス状媒質が、１ＭＨｚより高い周波数における動作のために選択されることを特徴とする、請求項１記載の放電ランプ。
10. 希ガスがアルゴン，クリプトン，キセノン，ネオンから成るグループから選択されることを特徴とする、請求項１記載の放電ランプ。
11. 金属蒸気が水銀とナトリウムから成るグループから選択されることを特徴とする、請求項１記載の放電ランプ。
12. 前記少なくとも１つの遮蔽ループがランプ外囲器上に配置された導電フィルムを含むことを特徴とする、請求項１記載の放電ランプ。

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