JP3664933B2 - Optical waveguide type optical switch - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信および光信号処理システムにおいて使用される光導波路型光スイッチに関し、更に詳しくは、光導波路構造の作製誤差や光導波路材料の屈折率変化に対して許容度が大きくて、高消光比を維持することができる光導波路型光スイッチに関する。
【0002】
【従来の技術】
光導波路型光スイッチは、小型で集積化が容易なため、光通信網のクロスコネクトやアドドロップマルチプレクサ用光路切り替えスイッチ用として有望視されている。特に、石英ガラス製光導波路を用いて作製された熱光学光スイッチは、低挿入損失であり、16×16などの大規模光スイッチの実績もある(T.Goh et al.,"Low-Loss and High-Extinction-Ratio Silica-Based Strictly Nonblocking 16×16 Thermooptic Matrix Switch",IEEE Photonics Technol.Lett.,vol.10,No.6,pp.810-812,1998)。ここでは、2×2または1×2の単位光スイッチとしてマッハツェンダー干渉計(MZI)型光スイッチが用いられている。石英ガラスMZI型熱光学スイッチは、その熱光学位相シフタに約400mWの加熱電力を与えることで光路切り替えを実現している。
【0003】
一方、アクリル系高分子または紫外線硬化エポキシ樹脂またはシリコーン樹脂またはポリイミドに代表される高分子光導波路材料は、石英ガラスのような無機ガラス光導波路材料に比べて熱光学定数が約1桁大きく、熱伝導率が約1桁小さいため、熱光学位相シフタの消費電力が約100分の1となる特長がある。実際、約5mWの低電力で動作する高分子光導波路MZI型熱光学スイッチが報告されている(Y.Hida et al.,"Polymer Waveguide Thermooptic Switch with Low Electric Power Consumption at 1.3μm",IEEE Photonics Technol.Lett.,Vol.5,No.7,pp.782-784,1993)。
【0004】
MZI型光スイッチは、図14に示すように、2つのコア11が第1の方向性結合器(以下、方向性結合器をDCと略称する)12、位相シフタ17、第2のDC13を順次形成している。ポート1a,1b,2a,2bでの入力出光の複素振幅をψ1a,ψ1b,ψ2a,ψ2bとすると、
【数1】
の関係が成り立つ。ただし、
【数2】
LはDC12,13の完全結合長、lは実際のDC12,13の結合長、θは位相シフタ17により与えられる位相差である。
【0005】
式1を基にポート1a−2a間と1a−2b間の透過率を計算した結果を図15に示す。位相差0でクロスステイト、πでバーステイトとなり、消光比はl=L/2の場合、理論上無限大となる(図15実線)。なお、図15において、実線30はポート1a−2b間のl(タイプ注:エルLの小文字lです)=L/2の場合の光透過率を示し、実線31はポート1a−2a間のl=L/2の場合の光透過率を示し、実線32は実線30と重なっているが、1a−2b間のl=L/2×1.02の場合の光透過率を示し、点線33は1a−2a間のl=L/2×1.02の場合の光透過率を示す。
【0006】
しかしながら、光導波路作製誤差によりDCの結合長がずれるとクロスステイトでの消光比が悪化する。例えば、図15点線のように2%結合長がずれるだけで、30dBが消光比の限界となる。また、位相シフタが与える位相シフト量の誤差は、バーステイトの消光比を悪化させる。この誤差は、例えば熱光学位相シフタの場合であると、光導波路材料の熱光学定数が環境温度等に依存して変化した場合に生じする。これらの消光比の低下を回避するために、前述の石英ガラスMZI型熱光学スイッチでは、MZIを複数段に接続して消光比の改善を図っている。
【0007】
一方、高分子MZI熱光学スイッチでは、位相シフタ動作に伴う水分の吸脱着による屈折率変化のため、ゆっくりと変化する位相誤差を生じ、動作点がドリフトする問題が指摘されている(Y.Hida et al.,"Moisture-induced drift in thermo-optec phase shifters composed of deuterated and fluorinated methacrylate polymer waveguide",Appl.Optics,Vol.35,No.27,pp.6828-6837,1997)。このため、高分子光導波路を用いた実用的なMZI型光スイッチは実現されていない。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
従来のMZI型光スイッチは、上述したように、方向性結合器の結合長誤差、駆動用位相シフト量誤差の許容量が小さいため、単独では高消光比が得にくいという問題がある。
【0009】
本発明は、上記に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、結合長誤差、位相シフト量誤差の許容量が大きく、高消光比を維持することができる光導波路型光スイッチを提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項1記載の本発明は、コアおよびクラッドから各々が構成される2本の光導波路に形成され、該2本の光導波路の導波光を結合する第1の方向性結合器と、該第1の方向性結合器に続いて前記2本の光導波路の一方に対して形成され、この一方の光導波路のコアの光学長を変化させる第1の位相シフタと、該第1の位相シフタに続いて前記2本の光導波路に形成され、該2本の光導波路の導波光を結合する第2の方向性結合器と、該第2の方向性結合器に続いて前記2本の光導波路の他方に対して形成され、この他方の光導波路のコアの光学長を変化させる第2の位相シフタと、該第2の位相シフタに続いて前記2本の光導波路に形成され、該2本の光導波路の導波光を結合する第3の方向性結合器とを有し、前記第1、第2、および第3の方向性結合器の結合長は、それぞれ完全結合長の4分の1、2分の1、および4分の1であることを要旨とする。
【0011】
請求項1記載の本発明にあっては、光導波路が第1の方向性結合器、第1の位相シフタ、第2の方向性結合器、第2の位相シフタ、第3の方向性結合器を順次形成し、第1の位相シフタは一方の光導波路のコアに、第2の位相シフタは他方の光導波路のコアに同時に作用するように構成されているため、位相シフト量0または2πのクロスステイトにおいて高消光比を示す位相シフト量の範囲が大きく、結合長誤差や位相シフト量誤差に影響されずに、高消光比を得ることができ、また、第1、第2、および第3の方向性結合器の結合長がそれぞれ完全結合長の4分の1、2分の1、および4分の1である。
【0012】
また、請求項2記載の本発明は、コアおよびクラッドから各々が構成される2本の光導波路に形成され、該2本の光導波路の導波光を結合する第1の方向性結合器と、該第1の方向性結合器に続いて前記2本の光導波路の一方に対して形成され、この一方の光導波路のコアの光学長を変化させる第1の位相シフタと、該第1の位相シフタに続いて前記2本の光導波路に形成され、該2本の光導波路の導波光を結合する第2の方向性結合器と、該第2の方向性結合器に続いて前記2本の光導波路の一方に対して形成され、この一方の光導波路のコアの光学長を変化させる第2の位相シフタと、該第2の位相シフタに続いて前記2本の光導波路に形成され、該2本の光導波路の導波光を結合する第3の方向性結合器とを有し、前記第1、第2、および第3の方向性結合器の結合長は、それぞれ完全結合長の4分の1、2分の1、および4分の1であることを要旨とする。
【0013】
請求項2記載の本発明にあっては、光導波路が第1の方向性結合器、第1の位相シフタ、第2の方向性結合器、第2の位相シフタ、第3の方向性結合器を順次形成し、第1および第2の位相シフタは一方の光導波路のコアに同時に作用するように構成されているため、位相シフト量π近傍のバーステイトにおいて高消光比を示す位相シフト量の範囲が大きく、結合長誤差や位相シフト量誤差に影響されずに、高消光比を得ることができ、また、第1、第2、および第3の方向性結合器の結合長がそれぞれ完全結合長の4分の1、2分の1、および4分の1である。
【0016】
請求項3記載の本発明は、請求項1または2記載の発明において、前記第1、第2、および第3の方向性結合器の結合長が、それぞれ完全結合長の4分の1、2分の1、および4分の1よりもそれぞれの略4%以内で長いことを要旨とする。
【0017】
請求項3記載の本発明にあっては、第1、第2、および第3の方向性結合器の結合長がそれぞれ完全結合長の4分の1、2分の1、および4分の1よりもそれぞれの略4%以内で長い。
【0018】
また、請求項4記載の本発明は、請求項1乃至3のいずれかに記載の発明において、前記第1および第2の位相シフタが、前記光導波路のコアに近接して設けられるヒータを有する熱光学位相シフタであることを要旨とする。
【0019】
請求項4記載の本発明にあっては、第1および第2の位相シフタが光導波路のコアに近接して設けられるヒータを有する熱光学位相シフタである。
【0020】
更に、請求項5記載の本発明は、請求項4記載の発明において、前記光導波路のうち、少なくとも前記熱光学位相シフタが形成される部分の光導波路が、高分子材料で構成されることを要旨とする。
【0021】
請求項5記載の本発明にあっては、少なくとも熱光学位相シフタが形成される部分の光導波路が高分子材料で構成されている。
【0022】
請求項6記載の本発明は、コアおよびクラッドから各々が構成される2本の光導波路に形成され、該2本の光導波路の導波光を結合する第1の方向性結合器と、該第1の方向性結合器に続いて前記2本の光導波路の一方に対して形成され、この一方の光導波路のコアの光学長を変化させる第1の位相シフタと、該第1の位相シフタに続いて前記2本の光導波路に形成され、該2本の光導波路の導波光を結合する第2の方向性結合器と、該第2の方向性結合器に続いて前記2本の光導波路の一方に対して形成され、この一方の光導波路のコアの光学長を変化させる第2の位相シフタと、該第2の位相シフタに続いて前記2本の光導波路に形成され、該2本の光導波路の導波光を結合する第3の方向性結合器と、該第3の方向性結合器に続いて前記2本の光導波路の他方に対して形成され、この他方の光導波路のコアの光学長を変化させる第3の位相シフタと、該第3の位相シフタに続いて前記2本の光導波路に形成され、該2本の光導波路の導波光を結合する第4の方向性結合器と、該第4の方向性結合器に続いて前記2本の光導波路の他方に対して形成され、この他方の光導波路のコアの光学長を変化させる第4の位相シフタと、該第4の位相シフタに続いて前記2本の光導波路に形成され、該2本の光導波路の導波光を結合する第5の方向性結合器とを有し、前記第1、第2、第3、第4、および第5の方向性結合器の結合長は、それぞれ完全結合長の8分の1、4分の1、4分の1、4分の1、および8分の1であることを要旨とする。
【0023】
請求項6記載の本発明にあっては、光導波路が第1の方向性結合器、第1の位相シフタ、第2の方向性結合器、第2の位相シフタ、第3の方向性結合器、第3の位相シフタ、第4の方向性結合器、第4の位相シフタ、第5の方向性結合器を順次形成し、第1および第2の位相シフタは一方の光導波路のコアに、第3および第4の位相シフタは他方の光導波路のコアに作用するように構成されているため、クロスステイトおよびバーステイトの両方において高消光比を示す位相シフト量の範囲が大きく、結合長誤差や位相シフト量誤差に影響されずに、高消光比を得ることができ、また、第1、第2、第3、第4、および第5の方向性結合器の結合長がそれぞれ完全結合長の8分の1、4分の1、4分の1、4分の1、および8分の1である。
【0026】
更に、請求項7記載の本発明は、請求項6記載の発明において、前記第1、第2、第3、第4、および第5の方向性結合器の結合長が、それぞれ完全結合長の8分の1、4分の1、4分の1、4分の1、および8分の1よりもそれぞれの略4%以内で長いことを要旨とする。
【0027】
請求項7記載の本発明にあっては、第1、第2、第3、第4、および第5の方向性結合器の結合長がそれぞれ完全結合長の8分の1、4分の1、4分の1、4分の1、および8分の1よりもそれぞれの略4%以内で長い。
【0028】
請求項8記載の本発明は、請求項6又は請求項7に記載の発明において、前記第1乃至第4の位相シフタが、前記光導波路のコアに近接して設けられるヒータを有する熱光学位相シフタであることを要旨とする。
【0029】
請求項8記載の本発明にあっては、第1乃至第4の位相シフタが光導波路のコアに近接して設けられるヒータを有する熱光学位相シフタである。
【0030】
また、請求項9記載の本発明は、請求項8記載の発明において、前記光導波路のうち、少なくとも前記熱光学位相シフタが形成される部分の光導波路が、高分子材料で構成されることを要旨とする。
【0031】
請求項9記載の本発明にあっては、熱光学位相シフタが形成される部分の光導波路が高分子材料で構成される。
【0032】
【発明の実施の形態】
以下、図面を用いて本発明の実施の形態を説明する。図1は、本発明の第1の実施形態に係る光導波路型光スイッチの構成を示す図である。同図に示す光導波路型光スイッチは、コアおよびクラッドから各々が構成される2本の光導波路11に形成され、該2本の光導波路11の導波光を結合する第1の方向性結合器12、この第1の方向性結合器12に続いて2本の光導波路11の一方である第1の光導波路に対して形成され、この第1の光導波路のコアの光学長を変化させる第1の位相シフタ17、この第1の位相シフタに続いて2本の光導波路11に形成され、該2本の光導波路11の導波光を結合する第2の方向性結合器13、この第2の方向性結合器13に続いて2本の光導波路11の他方である第2の光導波路に対して形成され、この第2の光導波路のコアの光学長を変化させる第2の位相シフタ18、およびこの第2の位相シフタ18に続いて2本の光導波路11に形成され、該2本の光導波路11の導波光を結合する第3の方向性結合器14から構成されている。なお、1a,1b,2a,2bはポートである。
【0033】
また、図2は、本発明の第2の実施形態に係る光導波路型光スイッチの構成を示す図である。同図に示す光導波路型光スイッチは、コアおよびクラッドから各々が構成される2本の光導波路11に形成され、該2本の光導波路11の導波光を結合する第1の方向性結合器12、この第1の方向性結合器12に続いて2本の光導波路の一方である第1の光導波路に対して形成され、この第1の光導波路のコアの光学長を変化させる第1の位相シフタ17、この第1の位相シフタ17に続いて2本の光導波路11に形成され、該2本の光導波路11の導波光を結合する第2の方向性結合器13、該第2の方向性結合器13に続いて2本の光導波路11の一方である第1の光導波路に対して形成され、この第1の光導波路のコアの光学長を変化させる第2の位相シフタ18、およびこの第2の位相シフタ18に続いて2本の光導波路11に形成され、該2本の光導波路11の導波光を結合する第3の方向性結合器14から構成されている。
【0034】
図1および図2に示す光導波路型光スイッチでは、方向性結合器12,13,14の完全結合長Lに対して、実際の方向性結合器の結合長lがその半分、すなわちl=L/2である場合、図1、図2に示すように、第2の方向性結合器13の実際の結合長lに対して第1および第3の方向性結合器12,14の実際の結合長は、l/2である。すなわち、第1、第2、および第3の方向性結合器12,13,14の結合長は、それぞれ完全結合長の4分の1、2分の1、および4分の1である。また、第1、第2、および第3の方向性結合器12,13,14の結合長は、それぞれ完全結合長の4分1、2分の1、および4分の1よりも僅かに長くてもよい。第1および第2の位相シフタ17,18は、光導波路11のコアに近接して設けられるヒータを有する熱光学位相シフタであり、少なくとも熱光学位相シフタが形成される部分の光導波路は高分子材料で構成されている。
【0035】
図3は、本発明の第3の実施形態に係る光導波路型光スイッチの構成を示す図である。同図に示す光導波路型光スイッチは、コアおよびクラッドから各々が構成される2本の光導波路11に形成され、該2本の光導波路11の導波光を結合する第1の方向性結合器12、該第1の方向性結合器12に続いて2本の光導波路11の一方である第1の光導波路に対して形成され、この第1の光導波路のコアの光学長を変化させる第1の位相シフタ17、この第1の位相シフタ17に続いて2本の光導波路11に形成され、該2本の光導波路11の導波光を結合する第2の方向性結合器13、該第2の方向性結合器13に続いて2本の光導波路11の一方である第1の光導波路に対して形成され、この第1の光導波路のコアの光学長を変化させる第2の位相シフタ18、該第2の位相シフタ18に続いて2本の光導波路11に形成され、該2本の光導波路11の導波光を結合する第3の方向性結合器14、この第3の方向性結合器14に続いて2本の光導波路11の他方である第2の光導波路に対して形成され、この第2の光導波路のコアの光学長を変化させる第3の位相シフタ19、この第3の位相シフタ19に続いて2本の光導波路11に形成され、該2本の光導波路11の導波光を結合する第4の方向性結合器15、この第4の方向性結合器15に続いて2本の光導波路11の他方である第2の光導波路に対して形成され、この第2の光導波路のコアの光学長を変化させる第4の位相シフタ20、および該第4の位相シフタ20に続いて2本の光導波路11に形成され、該2本の光導波路11の導波光を結合する第5の方向性結合器16から構成されている。
【0036】
図3に示す光導波路型光スイッチでは、方向性結合器12,13,14,15,16の完全結合長Lに対して、実際の方向性結合器の結合長l(タイプ注:エルLの小文字lです)がその半分、すなわちl=L/2である場合、図3に示すように、第1および第5の方向性結合器12,16の実際の結合長はl/4であるのに対して、第2、第3、第4の方向性結合器13,14,15の実際の結合長はl/2である。すなわち、第1、第2、第3、第4、および第5の方向性結合器12,13,14,15,16の結合長は、それぞれ完全結合長の8分の1、4分の1、4分の1、4分の1、および8分の1である。また、第1、第2、第3、第4、および第5の方向性結合器12,13,14,15,16の結合長はそれぞれ完全結合長の8分の1、4分の1、4分の1、4分の1、および8分の1よりも僅かに長くてもよい。第1乃至第4の位相シフタ17,18,19,20は、光導波路11のコアに近接して設けられるヒータを有する熱光学位相シフタであり、少なくとも熱光学位相シフタが形成される部分の光導波路は高分子材料で構成されれている。
【0037】
図1乃至図3に示した光導波路型光スイッチの構成において、上述した図1、図2、図3に示した光導波路型光スイッチをそれぞれA,B,Cタイプの光導波路型光スイッチと記載することにする。光導波路11は、通常のシングルモード条件を満たす範囲でコアサイズおよびコア・クラッド間の屈折率差を設定することができる。方向性結合器(以下、DCと略称する)は、2つのコアを光結合するまで隣接させた通常の構造の他、多モード干渉計を用いても同等の効果が得られる。位相シフタは、熱光学効果、電気光学効果など光導波路の光学長を可変とするものであれば何れでもよい。A,B,Cタイプの構造の光スイッチの特性は、それぞれ式2、式3、式4で表される。式中の変数は式1と同じである。
【0038】
【数3】
これらの式を基に図1、図2、図3に示した光導波路型光スイッチの光透過率を計算した結果がそれぞれ図4、図5、図6に示すスイッチ特性である。図4、図5、図6に示すスイッチ特性において、実線30は、l=L/2の場合のポート1a−2b間の光透過率であり、実線31は、l=L/2の場合のポート1a−2a間の光透過率であり、実線30に重なっている点線32は、l=L/2×1.02の場合のポート1a−2b間の光透過率であり、点線33は、l=L/2×1.02の場合のポート1a−2a間の光透過率である。また、細実線34は、第1、第3のDCにおいてl=L/2×1.04の場合および第2のDCにおいてはl=L/2の場合のポート1a−2b間の光透過率である。
【0039】
Aタイプの光導波路型光スイッチは、図4に特性を示すように、位相シフト量0または2πのクロスステイトにおいて高消光比を示す位相シフト量の範囲が大きいことがわかる。例えば、消光比が30dBを越える範囲は、従来のMZI型が±0.02π程度なのに対して±0.1π以上に改善されている。更に、図4の点線で表記したような、DCの結合長が2%長い場合では、消光比が30dBを越える位相シフト量範囲がさらに広がる。必要とされる消光比に合わせて、結合長を長めに設計することで、結合長誤差や位相シフト量誤差に影響されずに高消光比を得ることができることがわかる。
【0040】
Bタイプの光導波路型光スイッチは、図5に特性を示すように、位相シフト量π近傍のバーステイトにおいて高消光比を示す位相シフト量の範囲が大きいことがわかる。例えば、消光比が30dBを越える範囲は、±0.1π以上に改善されている。更に、図5の細実線で表記した第1と第3のDC12,14ではl=L/2×1.04、第2のDC13ではl=L/2の場合は、消光比が30dBを越える位相シフト量範囲がさらに広がる。
【0041】
Cタイプの光導波路型光スイッチは、図6に特性を示すように、クロスステイト、バーステイトの両方において高消光比を示す位相シフト量の範囲が大きいことがわかる。クロスステイト、バーステイトで消光比が30dBを越える範囲は、それぞれ±0.08π、±0.1π程度に改善されている。更に、実際の素子中のDCの結合長を長めにすることで、クロスステイトで消光比が30dBを越える範囲が±0.12π程度にまで改善される。
【0042】
上述したように、図1、図2、図3に示す光導波路型光スイッチは、クロスステイト、バーステイト、またはその両方において作製誤差などの影響を最小限にとどめ、高消光比を実現することがわかる。
【0043】
石英ガラス製光導波路と薄膜ヒータによる位相シフタ用いた光導波路型光スイッチに本発明の構造を使用すると、環境温度に影響されず高消光比を得ることができる。更に、DCの作製誤差の許容量が大きくなるために作製歩留まりが向上する利点もある。
【0044】
本発明は広い位相誤差許容量をもつため、高分子光導波路の欠点であった動作点のドリフトの影響を受けにくい。これにより、高分子光導波路を使用して低消費電力の実用的な光スイッチを実現できることになる。
【0045】
次に、図1、図2、図3に示したA,B,Cタイプの光導波路型光スイッチを適用した種々の実施例について説明する。
【0046】
まず、実施例1として、高分子光導波路を用いて、図1、図2、図3に示すA,B,Cタイプの光導波路型熱光学光スイッチを作製した場合について説明する。この実施例1では、DCはコア間ギャップ3μm、結合長パラメータl=1.0mmとし、位相シフタはコア間ギャップ100μm、薄膜ヒータの長さ2mm、幅20μmとした。DCと位相シフタの間は、曲率半径30mmのS字光導波路で結ばれている。光スイッチ全長は、入力出用直線光導波路を含めてA,Bタイプは26mm、Cタイプは38mmである。
【0047】
屈折率1.489の重水素化シリコーン樹脂をコアに、屈折率1.483の重水素化シリコーン樹脂をクラッドに用いて、シリコン基板上に上述した図1〜図3の光導波路を作製した。シリコーン樹脂光導波路の作製方法は、「熱光学デバイス」(特願平9−361383号)に準じた。コア断面サイズは7.5μm×7.5μm、下層クラッド厚、コア上の上部クラッド厚は、それぞれ16μm、14μmとした。導波路上に金薄膜をスパッタ法で形成し、フォトリソグラフィーおよびドライエッチング法を用いて、位相シフタ部のコア上にストリップ状の薄膜抵抗ヒータを作製した。
【0048】
波長1.55μmのLED光源を1aポートに、2つの光パワーメータを2a,2bポートにそれぞれ接続し、AタイプおよびBタイプでは2つの、Cタイプでは4つのヒータに等しい加熱電力を与えて、スイッチ特性を測定した。1ヒータ当たりの加熱電力と透過率の測定結果を表1に示す。
【0049】
【表1】
この結果から、Aタイプはクロスステイトで、Bタイプはバーステイトで、Cタイプはその両方で高消光比を達成していることがわかった。動作温度を0〜60℃に変化させても、これらの高消光比状態は、大きく変化しなかった。一方、AタイプおよびBタイプでは2つの、Cタイプでは4つのヒータに与える加熱電力が等しくない場合は消光比の低下が認められた。
【0050】
次に、実施例2として、実施例1と同様の光スイッチを結合長パラメータl=1.01mmとして作製した。実施例1と同様の測定を行った結果を表2に示す。
【0051】
【表2】
この結果からAタイプとCタイプのクロスステイトで消光比の向上が観測された。
【0052】
次に、実施例3として、高分子光導波路を用いて、図7(a)、図7(b)、図8、図9に示すD,E,Fタイプの光導波路型熱光学光スイッチを作製した。図7〜図9において、A部は図1の構造、B部は図2の構造を表している。A部、B部を結ぶ部分は、直線または曲率半径30mmの曲線光導波路で構成した。光導波路の材料と作製法、AまたはB部分の構造は実施例1と同じとした。
【0053】
波長1.55μmのLED光源を1aポートに、2つの光パワーメータを2a,2bポートにそれぞれ接続して透過率を測定した。
【0054】
Dタイプは、すべてのヒータを非加熱とすると、すべての入力出間の透過率が−42dB以下のカットオフ状態となった。SW1とSW2のヒータを加熱してバーステイトとすると、Dタイプスイッチ全体ではバーステイトとなる。SW3とSW4のヒータを加熱してバーステイトとすると、Dタイプスイッチ全体ではクロスステイトとなる。消光比は何れの場合も40dB以上得られた。
【0055】
Eタイプは、すべてのヒータを非加熱とすると、クロスステイトとなる。SW1からSW4のすべてのヒータを加熱してバーステイトとすると、Eタイプスイッチ全体ではバーステイトとなる。消光比は何れの場合も42dB以上得られた。
【0056】
Fタイプは、すべてのヒータを非加熱とすると、バーステイトとなる。SW1からSW4のすべてのヒータを加熱してバーステイトとすると、Fタイプスイッチ全体ではクロスステイトとなる。消光比は何れの場合も42dB以上得られた。
【0057】
次に、実施例4として、本発明の光導波路型光スイッチを大規模集積光スイッチに適用した一実施例として、図10に示す接続構造を持つN×Nマトリクススイッチ(N=8)を作製した。このマトリクススイッチは、入力出ポート44間に交差導波路42で連結された2入力2出力光スイッチ要素41をN個含むスイッチ群43をN段基板上に配置しており(図10ではN=8)、各段間は交差導波路を含む直線導波路や曲線導波路で接続されている。本マトリクススイッチに使用されている2×2光スイッチ要素(Gタイプ)41を図11に示す。
【0058】
図11に示すGタイプの2×2光スイッチ要素41は、2本のアーム導波路11の光路長差を2分の1波長相当に設定した、すなわち光路長λ/2の余長をコア45に与えたBタイプの2×2光スイッチ111および交差導波路40を用いて構成されている。この2×2光スイッチ要素は、位相シフタ17,18がOFF状態のときクロス状態となり、位相シフタ17,18がON状態のときバー状態となる。このスイッチ要素において、位相シフタへ加える電力と光出力の関係は、図4と等価である。マトリクススイッチにおいては、各スイッチ要素のバー経路への消光比が大きいことが特性上重要であるが、このスイッチ要素はバー経路への消光比を確保するにあたり、干渉計の位相儀差に対して許容度が大きい。
【0059】
このマトリクススイッチにおいて、任意の入力導波路に入射された光を任意の出力導波路に導くには、該入力導波路から各段のスイッチ要素をクロスにたぐっていった経路と該出力導波路から各段のスイッチ要素をクロスにたぐっていった経路の交点となる2×2スイッチ要素のみをONすればよく、適切なスイッチ要素をN個ON(1経路につき1個をON)にすることにより、N本の入力導波路とN本の出力導波路を任意の組み合わせ(任意のN経路)で光学的に接続することができる。
【0060】
本実施例の8×8マトリクス光スイッチは、厚さ1mmのシリコン基板上に作製した。従来と同様に、石英系導波路はSiC14やGeC14などの原料ガスの加水分解反応利用した石英系ガラス膜の推積技術と反応性イオンエッチング技術の組み合わせにより作製し、薄膜ヒータは真空蒸着法および化学エッチングにより作製した。コアの断面寸法は6μm角であり、コアとクラッド間の比屈折率差は0.75%である。薄膜ヒータのサイズは、厚さ0.1μm、幅40μm、長さ4mmである。干渉計回路を構成している2本の導波路の間隔は250μmにした。曲がり導波路の最小曲げ半径は5mmとした。2×2光スイッチ要素の長さは約25mmとなった。直径4インチの基板上に8段のスイッチ段49を図12に示すように配置した。各スイッチ段49は8個の該2×2光スイッチ要素41およびマトリクススイッチ段間の交差導波路42を組み合わせた構成として導波路長の短縮を謀った構成とした。
【0061】
作製されたチップをダイシングにより切り出し、シリコン基板下部には放熱板を設け、また入力出導波路にはシングルモードファイバを接続し、薄膜ヒータには給電リードを接続し、マトリクス光スイッチモジュールとした。
【0062】
1.55μm帯の半導体LD光源を用いて、本実施例の8×8マトリクス光スイッチの光学特性を測定した。スイッチングに必要な1ヒータ当たりの電力は約400mWであった。挿入損失は約6dBであり、スイッチ消光比はOFF状態時に位相誤差相殺用のバイアス電力を加えることなく約45dBの良好な値が得られた。
【0063】
次に、実施例5として、実施例4のマトリクススイッチにおいて2×2光スイッチ要素に図13に示す構成(Hタイプ)を用いたマトリクススイッチを作製した。結合長L/4相当の多モード(マルチモード)干渉計型光結合器47と結合長L/2相当の多モード(マルチモード)干渉計型光結合器48とからなるHタイプの2×2光スイッチ要素は、2本のアーム導波路の光路長差をゼロに設定したAタイプの2×2光スイッチで構成され、方向性結合器(カップラー)にマルチモード干渉計型光結合器48を用いた。マルチモード干渉計型光結合器は結合率の作製誤差が通常の方向性結合器に比べて小さく、結合率の作製誤差を2%程度に抑えることができる。図4からわかるように、この2×2光スイッチ要素もバー経路への消光比を確保するにあたり、干渉計の位相誤差に対して許容度が大きい。本実施例の石英系8×8マトリクス光スイッチも実施例4と同様の作製方法で作製し、モジュールとした。
【0064】
1.55μm帯の半導体LD光源を用いて、本実施例の8×8マトリクス光スイッチの光学特性を測定した。スイッチングに必要な1ヒータ当たりの電力は約400mWであった。挿入損失は約7dBであり、スイッチ消光比はOFF状態時に位相誤差相殺用のバイアス電力を加えることなく約35dBの良好な値が得られた。
【0065】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、光導波路が第1の方向性結合器、第1の位相シフタ、第2の方向性結合器、第2の位相シフタ、第3の方向性結合器を順次形成し、第1の位相シフタは一方の光導波路のコアに、第2の位相シフタは他方の光導波路のコアに同時に作用するように構成されているので、位相シフト量0または2πのクロスステイトにおいて高消光比を示す位相シフト量の範囲が大きく、結合長誤差や位相シフト量誤差に影響されずに、結合長誤差や位相シフト量誤差に対する許容量が大きく、高消光比である光導波路型光スイッチを実現することができる。
【0066】
また、本発明によれば、光導波路が第1の方向性結合器、第1の位相シフタ、第2の方向性結合器、第2の位相シフタ、第3の方向性結合器を順次形成し、第1および第2の位相シフタは一方の光導波路のコアに同時に作用するように構成されているので、位相シフト量π近傍のバーステイトにおいて高消光比を示す位相シフト量の範囲が大きく、結合長誤差や位相シフト量誤差に影響されずに、結合長誤差や位相シフト量誤差に対する許容量が大きく、高消光比である光導波路型光スイッチを実現することができる。
【0067】
更に、本発明によれば、光導波路が第1の方向性結合器、第1の位相シフタ、第2の方向性結合器、第2の位相シフタ、第3の方向性結合器、第3の位相シフタ、第4の方向性結合器、第4の位相シフタ、第5の方向性結合器を順次形成し、第1および第2の位相シフタは一方の光導波路のコアに、第3および第4の位相シフタは他方の光導波路のコアに作用するように構成されているため、クロスステイトおよびバーステイトの両方において高消光比を示す位相シフト量の範囲が大きく、結合長誤差や位相シフト量誤差に影響されずに、結合長誤差や位相シフト量誤差に対する許容量が大きく、高消光比である光導波路型光スイッチを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態に係る光導波路型光スイッチの構成を示す図である。
【図2】本発明の第2の実施形態に係る光導波路型光スイッチの構成を示す図である。
【図3】本発明の第3の実施形態に係る光導波路型光スイッチの構成を示す図である。
【図4】図1に示す光導波路型光スイッチのスイッチ特性を示すグラフである。
【図5】図2に示す光導波路型光スイッチのスイッチ特性を示すグラフである。
【図6】図3に示す光導波路型光スイッチのスイッチ特性を示すグラフである。
【図7】4つのAタイプまたはBタイプの光導波路型光スイッチで構成されるDタイプの光導波路型光スイッチの構成を示す図である。
【図8】AタイプとBタイプを2つずつ使用して構成されるEタイプの光導波路型光スイッチの構成を示す図である。
【図9】AタイプとBタイプを2つずつ使用して構成されるFタイプの光導波路型光スイッチの構成を示す図である。
【図10】N×Nマトリクススイッチ(N=8)の構成を示す図である。
【図11】図10に示すN×Nマトリクススイッチを構成するGタイプの光導波路型光スイッチの構成を示す図である。
【図12】図10に示したN×Nマトリクススイッチを基板上に配置した構造を示す図である。
【図13】図10に示したN×Nマトリクススイッチを構成するHタイプの光導波路型光スイッチの構成を示す図である。
【図14】従来のマッハツェンダー干渉計光導波路型光スイッチの構成を示す図である。
【図15】図14に示した従来のマッハツェンダー干渉計光導波路型光スイッチのスイッチ特性を示すグラフである。
【符号の説明】
11 光導波路(コア)
12,13,14,15,16 第1、第2、第3、第4、第5の方向性結合器
17,18,19,20 第1、第2、第3、第4の位相シフタ
41 2×2光スイッチ要素
42,46 交差光導波路
43 スイッチ群
44 入力出ポート
45 光路長λ/2の余長を与えたコア
47 結合長L/4相当の多モード干渉計型光結合器
48 結合長L/2相当の多モード干渉計型光結合器
49 2×2光スイッチ要素群および交差導波路を含むブロック[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an optical waveguide type optical switch used in optical communication and an optical signal processing system. More specifically, the present invention has a high tolerance for a manufacturing error of an optical waveguide structure and a change in refractive index of an optical waveguide material. The present invention relates to an optical waveguide type optical switch capable of maintaining an extinction ratio.
[0002]
[Prior art]
Optical waveguide type optical switches are promising for use in optical communication network cross-connects and add-drop multiplexer optical path switching switches because they are small and easy to integrate. In particular, a thermo-optic optical switch manufactured using a quartz glass optical waveguide has a low insertion loss, and has a track record of a large-scale optical switch such as 16 × 16 (T. Goh et al., “Low-Loss”). and High-Extinction-Ratio Silica-Based Strictly Nonblocking 16 × 16 Thermooptic Matrix Switch ”, IEEE Photonics Technol. Lett., vol. 10, No. 6, pp. 810-812, 1998). Here, a Mach-Zehnder interferometer (MZI) type optical switch is used as a 2 × 2 or 1 × 2 unit optical switch. The quartz glass MZI type thermo-optic switch realizes optical path switching by applying heating power of about 400 mW to the thermo-optic phase shifter.
[0003]
On the other hand, polymer optical waveguide materials typified by acrylic polymers, ultraviolet curable epoxy resins, silicone resins, or polyimides have a thermo-optic constant that is about an order of magnitude higher than that of inorganic glass optical waveguide materials such as quartz glass. Since the conductivity is about an order of magnitude smaller, the power consumption of the thermo-optic phase shifter is about 1 / 100th. In fact, a polymer optical waveguide MZI type thermo-optic switch operating at a low power of about 5 mW has been reported (Y. Hida et al., “Polymer Waveguide Thermooptic Switch with Low Electric Power Consumption at 1.3 μm”, IEEE Photonics Technol. Lett., Vol. 5, No. 7, pp. 782-784, 1993).
[0004]
In the MZI type optical switch, as shown in FIG. 14, two
[Expression 1]
The relationship holds. However,
[Expression 2]
L is the complete coupling length of the
[0005]
FIG. 15 shows the result of calculating the transmittance between the
[0006]
However, if the coupling length of DC shifts due to an optical waveguide manufacturing error, the extinction ratio at the cross state deteriorates. For example, as shown by the dotted line in FIG. 15, 30 dB becomes the limit of the extinction ratio only by shifting the 2% coupling length. In addition, an error in the amount of phase shift provided by the phase shifter deteriorates the extinction ratio of the burst state. For example, in the case of a thermo-optic phase shifter, this error occurs when the thermo-optic constant of the optical waveguide material changes depending on the environmental temperature or the like. In order to avoid such a decrease in the extinction ratio, in the above-described quartz glass MZI type thermo-optical switch, the extinction ratio is improved by connecting MZIs in a plurality of stages.
[0007]
On the other hand, in the polymer MZI thermo-optic switch, there is a problem that the operating point drifts due to a slowly changing phase error due to the refractive index change due to moisture adsorption / desorption due to the phase shifter operation (Y.Hida et al., “Moisture-induced drift in thermo-optec phase shifters composed of deuterated and fluorinated methacrylate polymer waveguide”, Appl. Optics, Vol. 35, No. 27, pp. 6828-6837, 1997). For this reason, a practical MZI type optical switch using a polymer optical waveguide has not been realized.
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
As described above, the conventional MZI type optical switch has a problem that it is difficult to obtain a high extinction ratio by itself because the tolerance of the coupling length error of the directional coupler and the driving phase shift amount error are small.
[0009]
The present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to provide an optical waveguide type optical switch that has a large tolerance of coupling length error and phase shift amount error and can maintain a high extinction ratio. There is to do.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, the present invention according to
[0011]
According to the first aspect of the present invention, the optical waveguide includes a first directional coupler, a first phase shifter, a second directional coupler, a second phase shifter, and a third directional coupler. The first phase shifter is configured to act on the core of one optical waveguide and the second phase shifter is configured to act on the core of the other optical waveguide at the same time, so that the phase shift amount is 0 or 2π. The range of phase shift amount showing high extinction ratio in the cross state is large, and high extinction ratio can be obtained without being affected by coupling length error or phase shift amount error. Also, the coupling lengths of the first, second, and third directional couplers are 1/4, 1/2, and 1/4 of the full coupling length, respectively. .
[0012]
According to a second aspect of the present invention, there is provided a first directional coupler that is formed in two optical waveguides each composed of a core and a clad, and couples the guided light of the two optical waveguides; A first phase shifter formed on one of the two optical waveguides subsequent to the first directional coupler and changing an optical length of a core of the one optical waveguide; and the first phase A second directional coupler formed on the two optical waveguides following the shifter and coupling the guided light of the two optical waveguides, and the two directional couplers following the second directional coupler A second phase shifter that is formed on one of the optical waveguides and changes the optical length of the core of the one optical waveguide, and is formed on the two optical waveguides following the second phase shifter, A third directional coupler for coupling the guided light of the two optical waveguides; And the coupling lengths of the first, second, and third directional couplers are 1/4, 1/2, and 1/4 of full coupling length, respectively. This is the gist.
[0013]
According to the second aspect of the present invention, the optical waveguide includes a first directional coupler, a first phase shifter, a second directional coupler, a second phase shifter, and a third directional coupler. And the first and second phase shifters are configured to act simultaneously on the core of one of the optical waveguides. Therefore, the phase shift amount showing a high extinction ratio in the burst state near the phase shift amount π Large range and high extinction ratio can be obtained without being affected by coupling length error and phase shift amount error. Also, the coupling lengths of the first, second, and third directional couplers are 1/4, 1/2, and 1/4 of the full coupling length, respectively. .
[0016]
[0017]
[0018]
[0019]
[0020]
Further claims 5 The invention as described is claimed. 4 The gist of the invention is that at least a portion of the optical waveguide in which the thermo-optic phase shifter is formed is made of a polymer material.
[0021]
[0022]
[0023]
[0026]
Further claims 7 The invention as described is claimed. 6 In the described invention, the coupling lengths of the first, second, third, fourth, and fifth directional couplers are respectively 1/8, 1/4, and 1/4 of the complete coupling length. Than 1/4, and 1/8 Within about 4% of each The gist is long.
[0027]
[0028]
[0029]
[0030]
Claims 9 The invention as described is claimed. 8 The gist of the invention is that at least a portion of the optical waveguide in which the thermo-optic phase shifter is formed is made of a polymer material.
[0031]
Claim 9 In the described invention, the portion of the optical waveguide where the thermo-optic phase shifter is formed is made of a polymer material.
[0032]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing a configuration of an optical waveguide type optical switch according to a first embodiment of the present invention. The optical waveguide type optical switch shown in FIG. 1 is formed in two
[0033]
FIG. 2 is a diagram showing a configuration of an optical waveguide type optical switch according to the second embodiment of the present invention. The optical waveguide type optical switch shown in FIG. 1 is formed in two
[0034]
In the optical waveguide type optical switch shown in FIGS. 1 and 2, the actual coupling length l of the directional coupler is half of the complete coupling length L of the
[0035]
FIG. 3 is a diagram showing a configuration of an optical waveguide type optical switch according to the third embodiment of the present invention. The optical waveguide type optical switch shown in FIG. 1 is formed in two
[0036]
In the optical waveguide type optical switch shown in FIG. 3, the coupling length l of the actual directional coupler (type note: L L) is compared to the complete coupling length L of the
[0037]
In the configuration of the optical waveguide type optical switch shown in FIGS. 1 to 3, the optical waveguide type optical switch shown in FIGS. 1, 2, and 3 is replaced with the A, B, and C type optical waveguide type optical switches, respectively. Will be described. The
[0038]
[Equation 3]
The results of calculating the light transmittance of the optical waveguide type optical switch shown in FIGS. 1, 2, and 3 based on these equations are the switch characteristics shown in FIGS. 4, 5, and 6, respectively. In the switch characteristics shown in FIGS. 4, 5, and 6, the
[0039]
As shown in FIG. 4, the A-type optical waveguide type optical switch has a large range of phase shift amounts showing a high extinction ratio in a cross-state with a phase shift amount of 0 or 2π. For example, the range in which the extinction ratio exceeds 30 dB is improved to ± 0.1π or more compared to the conventional MZI type of about ± 0.02π. Furthermore, when the coupling length of DC is 2% longer as indicated by the dotted line in FIG. 4, the phase shift amount range where the extinction ratio exceeds 30 dB is further expanded. It can be seen that a high extinction ratio can be obtained without being influenced by the coupling length error or the phase shift amount error by designing the coupling length to be longer in accordance with the required extinction ratio.
[0040]
As shown in FIG. 5, the B-type optical waveguide type optical switch has a large phase shift amount range showing a high extinction ratio in the burst state in the vicinity of the phase shift amount π. For example, the range where the extinction ratio exceeds 30 dB is improved to ± 0.1π or more. Furthermore, the extinction ratio exceeds 30 dB when l = L / 2 × 1.04 for the first and
[0041]
As shown in FIG. 6, the C-type optical waveguide type optical switch has a large range of phase shift amounts showing a high extinction ratio in both the cross state and the bar state. The ranges where the extinction ratio exceeds 30 dB in the cross state and the bar state are improved to about ± 0.08π and ± 0.1π, respectively. Furthermore, by increasing the DC coupling length in the actual device, the cross-state extinction ratio range exceeding 30 dB can be improved to about ± 0.12π.
[0042]
As described above, the optical waveguide type optical switch shown in FIGS. 1, 2, and 3 realizes a high extinction ratio while minimizing the influence of manufacturing errors and the like in the cross state, the burst state, or both. I understand.
[0043]
When the structure of the present invention is used for an optical waveguide type optical switch using a quartz glass optical waveguide and a phase shifter by a thin film heater, a high extinction ratio can be obtained without being influenced by the environmental temperature. Furthermore, there is an advantage that the manufacturing yield is improved because the tolerance of the DC manufacturing error is increased.
[0044]
Since the present invention has a wide tolerance for phase error, it is hardly affected by the drift of the operating point, which is a drawback of the polymer optical waveguide. Thereby, a practical optical switch with low power consumption can be realized using the polymer optical waveguide.
[0045]
Next, various embodiments to which the A, B, and C type optical waveguide type optical switches shown in FIGS. 1, 2, and 3 are applied will be described.
[0046]
First, as Example 1, a case where an A, B, C type optical waveguide type thermo-optic optical switch shown in FIGS. 1, 2, and 3 is manufactured using a polymer optical waveguide will be described. In this Example 1, DC was set to a gap between cores of 3 μm and a coupling length parameter l = 1.0 mm, and the phase shifter was set to a gap between cores of 100 μm, a thin film heater length of 2 mm and a width of 20 μm. The DC and the phase shifter are connected by an S-shaped optical waveguide having a curvature radius of 30 mm. The total length of the optical switch including the linear optical waveguide for input and output is 26 mm for the A and B types and 38 mm for the C type.
[0047]
Using the deuterated silicone resin having a refractive index of 1.489 as a core and the deuterated silicone resin having a refractive index of 1.483 as a clad, the above-described optical waveguides of FIGS. 1 to 3 were fabricated on a silicon substrate. The method for producing the silicone resin optical waveguide was in accordance with “Thermo-optical device” (Japanese Patent Application No. 9-361383). The core cross-sectional size was 7.5 μm × 7.5 μm, the lower clad thickness, and the upper clad thickness on the core were 16 μm and 14 μm, respectively. A thin gold film was formed on the waveguide by sputtering, and a strip-shaped thin film resistance heater was fabricated on the core of the phase shifter using photolithography and dry etching.
[0048]
An LED light source with a wavelength of 1.55 μm is connected to
[0049]
[Table 1]
From this result, it was found that the A type was cross-stated, the B type was bursted, and the C type both achieved a high extinction ratio. Even when the operating temperature was changed from 0 to 60 ° C., these high extinction ratio states did not change greatly. On the other hand, when the heating power applied to the two heaters for the A type and the B type and the four heaters for the C type are not equal, the extinction ratio is reduced.
[0050]
Next, as Example 2, an optical switch similar to that of Example 1 was manufactured with a coupling length parameter l = 1.01 mm. Table 2 shows the results of measurements similar to those in Example 1.
[0051]
[Table 2]
From this result, an improvement in the extinction ratio was observed in the A type and C type cross states.
[0052]
Next, as Example 3, using a polymer optical waveguide, the D, E, and F type optical waveguide thermo-optic optical switches shown in FIGS. 7A, 7B, 8, and 9 are used. Produced. 7-9, the A part represents the structure of FIG. 1, and the B part represents the structure of FIG. The portion connecting the A portion and the B portion was constituted by a straight line or a curved optical waveguide having a curvature radius of 30 mm. The material and manufacturing method of the optical waveguide and the structure of the A or B portion were the same as those in Example 1.
[0053]
The transmittance was measured by connecting an LED light source having a wavelength of 1.55 μm to the
[0054]
In the D type, when all heaters were not heated, the transmittance between all inputs and outputs was in a cut-off state of −42 dB or less. When the heaters of SW1 and SW2 are heated to make a bar state, the entire D type switch becomes a bar state. When the heaters of SW3 and SW4 are heated to be in a bar state, the entire D type switch becomes a cross state. An extinction ratio of 40 dB or more was obtained in all cases.
[0055]
The E type is cross-stated when all heaters are not heated. If all the heaters SW1 to SW4 are heated to be in a bar state, the entire E type switch is in a bar state. An extinction ratio of 42 dB or more was obtained in all cases.
[0056]
The F type is bursted when all the heaters are not heated. If all the heaters SW1 to SW4 are heated to be in a bar state, the entire F type switch is in a cross state. An extinction ratio of 42 dB or more was obtained in all cases.
[0057]
Next, as Example 4, an N × N matrix switch (N = 8) having the connection structure shown in FIG. 10 is manufactured as an example in which the optical waveguide optical switch of the present invention is applied to a large-scale integrated optical switch. did. In this matrix switch, a
[0058]
In the
[0059]
In this matrix switch, in order to guide light incident on an arbitrary input waveguide to an arbitrary output waveguide, a path that crosses the switch element of each stage from the input waveguide and the output waveguide It is only necessary to turn on the 2 × 2 switch element that is the intersection of the paths that crossed the switch elements of each stage, and by turning on N appropriate switch elements (one on one path) The N input waveguides and the N output waveguides can be optically connected in any combination (arbitrary N paths).
[0060]
The 8 × 8 matrix optical switch of this example was fabricated on a 1 mm thick silicon substrate. As in the prior art, the quartz-based waveguide is manufactured by a combination of a deposition technique of a silica-based glass film using a hydrolysis reaction of a source gas such as SiC14 or GeC14 and a reactive ion etching technique, and a thin film heater is formed by a vacuum deposition method and Fabricated by chemical etching. The cross-sectional dimension of the core is 6 μm square, and the relative refractive index difference between the core and the clad is 0.75%. The thin-film heater has a thickness of 0.1 μm, a width of 40 μm, and a length of 4 mm. The interval between the two waveguides constituting the interferometer circuit was set to 250 μm. The minimum bending radius of the bent waveguide was 5 mm. The length of the 2 × 2 optical switch element was about 25 mm. Eight switch stages 49 are arranged on a 4 inch diameter substrate as shown in FIG. Each
[0061]
The fabricated chip was cut out by dicing, a heat sink was provided at the bottom of the silicon substrate, a single mode fiber was connected to the input / output waveguide, and a power feed lead was connected to the thin film heater to form a matrix optical switch module.
[0062]
The optical characteristics of the 8 × 8 matrix optical switch of this example were measured using a 1.55 μm band semiconductor LD light source. The electric power per heater required for switching was about 400 mW. The insertion loss was about 6 dB, and the switch extinction ratio was a good value of about 45 dB without applying a bias power for phase error cancellation in the OFF state.
[0063]
Next, as Example 5, a matrix switch using the configuration (H type) shown in FIG. 13 as a 2 × 2 optical switch element in the matrix switch of Example 4 was manufactured. An
[0064]
The optical characteristics of the 8 × 8 matrix optical switch of this example were measured using a 1.55 μm band semiconductor LD light source. The electric power per heater required for switching was about 400 mW. The insertion loss was about 7 dB, and the switch extinction ratio was a good value of about 35 dB without applying a bias power for phase error cancellation in the OFF state.
[0065]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the optical waveguide includes the first directional coupler, the first phase shifter, the second directional coupler, the second phase shifter, and the third directional coupler. The first phase shifter is configured to act on the core of one optical waveguide and the second phase shifter is configured to act on the core of the other optical waveguide at the same time, so that the phase shift amount is 0 or 2π. The range of the phase shift amount showing a high extinction ratio in the cross state is large, and the tolerance for the coupling length error and the phase shift amount error is large without being affected by the coupling length error and the phase shift amount error. A waveguide type optical switch can be realized.
[0066]
According to the present invention, the optical waveguide sequentially forms the first directional coupler, the first phase shifter, the second directional coupler, the second phase shifter, and the third directional coupler. Since the first and second phase shifters are configured to act on the core of one optical waveguide at the same time, the range of the phase shift amount showing a high extinction ratio in the burst near the phase shift amount π is large. An optical waveguide type optical switch having a large tolerance and a high extinction ratio can be realized without being affected by the coupling length error and the phase shift amount error.
[0067]
Further, according to the present invention, the optical waveguide includes a first directional coupler, a first phase shifter, a second directional coupler, a second phase shifter, a third directional coupler, A phase shifter, a fourth directional coupler, a fourth phase shifter, and a fifth directional coupler are sequentially formed. The first and second phase shifters are provided in the core of one optical waveguide, and the third and third phase shifters are formed. Since the
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of an optical waveguide type optical switch according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram showing a configuration of an optical waveguide type optical switch according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a diagram showing a configuration of an optical waveguide type optical switch according to a third embodiment of the present invention.
4 is a graph showing switch characteristics of the optical waveguide type optical switch shown in FIG. 1. FIG.
FIG. 5 is a graph showing switch characteristics of the optical waveguide type optical switch shown in FIG. 2;
6 is a graph showing switch characteristics of the optical waveguide type optical switch shown in FIG. 3;
FIG. 7 is a diagram illustrating a configuration of a D-type optical waveguide optical switch including four A-type or B-type optical waveguide optical switches.
FIG. 8 is a diagram showing a configuration of an E type optical waveguide type optical switch configured by using two types of A type and B type.
FIG. 9 is a diagram showing a configuration of an F type optical waveguide optical switch configured by using two types of A type and B type.
FIG. 10 is a diagram illustrating a configuration of an N × N matrix switch (N = 8).
11 is a diagram showing a configuration of a G type optical waveguide type optical switch constituting the N × N matrix switch shown in FIG. 10;
12 is a diagram showing a structure in which the N × N matrix switch shown in FIG. 10 is arranged on a substrate.
13 is a diagram showing a configuration of an H type optical waveguide type optical switch constituting the N × N matrix switch shown in FIG.
FIG. 14 is a diagram showing a configuration of a conventional Mach-Zehnder interferometer optical waveguide type optical switch.
15 is a graph showing switch characteristics of the conventional Mach-Zehnder interferometer optical waveguide type optical switch shown in FIG.
[Explanation of symbols]
11 Optical waveguide (core)
12, 13, 14, 15, 16 First, second, third, fourth, and fifth directional couplers
17, 18, 19, 20 First, second, third, and fourth phase shifters
41 2 × 2 optical switch elements
42, 46 Crossed optical waveguide
43 switches
44 Input / output port
45 Core with extra length of optical path length λ / 2
47 Multimode interferometer type optical coupler equivalent to coupling length L / 4
48 Multimode interferometer type optical coupler equivalent to coupling length L / 2
49 Block including 2 × 2 optical switch element group and crossed waveguide
Claims (9)
該第1の方向性結合器に続いて前記2本の光導波路の一方に対して形成され、この一方の光導波路のコアの光学長を変化させる第1の位相シフタと、
該第1の位相シフタに続いて前記2本の光導波路に形成され、該2本の光導波路の導波光を結合する第2の方向性結合器と、
該第2の方向性結合器に続いて前記2本の光導波路の他方に対して形成され、この他方の光導波路のコアの光学長を変化させる第2の位相シフタと、
該第2の位相シフタに続いて前記2本の光導波路に形成され、該2本の光導波路の導波光を結合する第3の方向性結合器とを有し、
前記第1、第2、および第3の方向性結合器の結合長は、それぞれ完全結合長の4分の1、2分の1、および4分の1であることを特徴とする光導波路型光スイッチ。A first directional coupler that is formed in two optical waveguides each composed of a core and a clad, and that couples the guided light of the two optical waveguides;
A first phase shifter formed on one of the two optical waveguides following the first directional coupler, and changing an optical length of a core of the one optical waveguide;
A second directional coupler formed on the two optical waveguides subsequent to the first phase shifter for coupling the guided light of the two optical waveguides;
A second phase shifter that is formed with respect to the other of the two optical waveguides following the second directional coupler and changes the optical length of the core of the other optical waveguide;
A third directional coupler formed on the two optical waveguides subsequent to the second phase shifter for coupling the guided light of the two optical waveguides ;
The optical waveguide type wherein the coupling lengths of the first, second, and third directional couplers are respectively ¼, ½, and ¼ of the full coupling length. Light switch.
該第1の方向性結合器に続いて前記2本の光導波路の一方に対して形成され、この一方の光導波路のコアの光学長を変化させる第1の位相シフタと、
該第1の位相シフタに続いて前記2本の光導波路に形成され、該2本の光導波路の導波光を結合する第2の方向性結合器と、
該第2の方向性結合器に続いて前記2本の光導波路の一方に対して形成され、この一方の光導波路のコアの光学長を変化させる第2の位相シフタと、
該第2の位相シフタに続いて前記2本の光導波路に形成され、該2本の光導波路の導波光を結合する第3の方向性結合器とを有し、
前記第1、第2、および第3の方向性結合器の結合長は、それぞれ完全結合長の4分の1、2分の1、および4分の1であることを特徴とする光導波路型光スイッチ。A first directional coupler that is formed in two optical waveguides each composed of a core and a clad, and that couples the guided light of the two optical waveguides;
A first phase shifter formed on one of the two optical waveguides following the first directional coupler, and changing an optical length of a core of the one optical waveguide;
A second directional coupler formed on the two optical waveguides subsequent to the first phase shifter for coupling the guided light of the two optical waveguides;
A second phase shifter that is formed for one of the two optical waveguides following the second directional coupler and changes the optical length of the core of the one optical waveguide;
A third directional coupler formed on the two optical waveguides subsequent to the second phase shifter for coupling the guided light of the two optical waveguides ;
The optical waveguide type wherein the coupling lengths of the first, second, and third directional couplers are respectively ¼, ½, and ¼ of the full coupling length. Light switch.
前記第1、第2、第3、第4、および第5の方向性結合器の結合長は、それぞれ完全結 合長の8分の1、4分の1、4分の1、4分の1、および8分の1であることを特徴とする光導波路型光スイッチ。A first directional coupler that is formed in two optical waveguides each composed of a core and a clad, and couples the guided light of the two optical waveguides, and following the first directional coupler A first phase shifter formed on one of the two optical waveguides and changing an optical length of a core of the one optical waveguide; and the two optical waveguides following the first phase shifter. A second directional coupler that couples the guided light of the two optical waveguides, and is formed with respect to one of the two optical waveguides following the second directional coupler. A second phase shifter that changes the optical length of the core of one of the optical waveguides, and the second optical phase shifter formed on the two optical waveguides following the second phase shifter, and couples the guided light of the two optical waveguides. A third directional coupler and the other of the two optical waveguides following the third directional coupler. A third phase shifter that changes the optical length of the core of the other optical waveguide, and is formed on the two optical waveguides following the third phase shifter. A fourth directional coupler for coupling the guided light, and an optical length of the core of the other optical waveguide, which is formed with respect to the other of the two optical waveguides following the fourth directional coupler. And a fifth directional coupler that is formed in the two optical waveguides following the fourth phase shifter and that couples the guided light of the two optical waveguides. Have
It said first, second, third, bond lengths of the fourth and fifth directional coupler, full binding length 1,4 min 1,4 min 1,4 min 8 min each An optical waveguide type optical switch characterized by being 1 and 1/8 .
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