JP3660414B2

JP3660414B2 - 表示装置及びその駆動方法

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Publication number: JP3660414B2
Application number: JP755096A
Authority: JP
Inventors: 敏生森口
Original assignee: Nichia Corp
Current assignee: Nichia Corp
Priority date: 1996-01-19
Filing date: 1996-01-19
Publication date: 2005-06-15
Anticipated expiration: 2016-01-19
Also published as: JPH09197373A

Description

【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、ディスプレイ等に用いられる固体発光素子を利用した表示装置に係わり，特に薄型化、高解像度及び高安定なフルカラー表示装置に係わる。
【０００２】
【従来の技術】
今日、ノート型パソコン、携帯電話及び液晶モニター等が急速に普及している。これに伴って電子機器の動作状態や画像情報等を表示出力するカラー表示装置に対する社会の要求がますます高まりを見せている。例えば液晶を利用した表示装置は、夜間や室内など光の少ない環境下でも使用できるように液晶とそのバックライト用の光源により画像表示させてある。この様な表示装置としては、液晶装置の背面側にＥｌｅｃｔｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ（以下、ＥＬと呼ぶ。）や、直下式やサイドライト方式を利用した冷陰極管等のバックライトにより表示するものが挙げられる。
【０００３】
しかし、表示装置のバックライトとしてＥＬを使用した場合、それ自体が面状発光光源であり薄型化には向いているものの発光輝度が暗く、寿命が短いという問題点を有する。特に、カラー液晶等のバックライトとして使用する場合においては更なる高輝度化、均一性が求められる上に発光色の選択幅が広いことが要求されるため問題となる。また、サイドライト方式を利用した冷陰極管を使用した場合、拡散板と蛍光管を光源として液晶装置を用い表示させることができる。このバックライトである面状光源は、発光輝度自体ＥＬに比べ明るくすることが可能であるが蛍光管の外形が小さいもので４〜８ｍｍと大きく装置構造が大型化する。蛍光管の外形を小さくすると極端に発光輝度が低下する。また、寿命が短く、昇圧回路や安定化回路等を必要とし駆動回路が複雑化、大型化するという問題点を有する。
【０００４】
一方、表示装置の光源として比較的寿命が長く、表示装置が小型化及び薄型化が可能な発光光源として固体発光素子である発光素子（以下、ＬＥＤと呼ぶ。）を利用したものが挙げられる。この様な発光素子を利用したフルカラー表示装置として、実開昭６３−４３１７７号等が挙げられる。このようなＬＥＤを用いたカラー表示装置の一例を図５及び図６に示す。図５の様に青と緑と赤の波長を有するＬＥＤ６０１をそれぞれ複数個平面上に配置し、出力光を反射材６０３出反射させると共に拡散膜６０４で拡散させ液晶装置の面発光体としている。ＬＥＤから出力された赤、青、緑の３波長を液晶装置を用いることにより選択してカラーフィルターを通すことによりフルカラー表示させることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、カラーフィルターを通してフルカラー表示させるためには少なくともＲＧＢそれぞれの絵素を三つ利用し一画素として構成させなければならず高輝度化、高精細化にとって大きな問題点であった。また、カラーフィルターを構成するためにはフォトリソグラフィー技術を利用するため大画面化及び高精細化するにはコスト高になるという問題を有する。さらに、着色層を持つカラーフィルターを用いて表示させているためどうしてもカラーフィルター分の光透過ロスが生じ発光面が暗くなる。特に液晶装置自体も光をある程度遮光するため、場合によっては発光手段から出力される光の３〜５％程度しか利用されず輝度が大幅に低くなるという問題がある。カラーフィルター分の光透過ロスを発光素子の輝度上昇により補おうとすると発光手段から発生する発熱により遮光手段が所望どうり制御できない、消費電力が増大する等の問題が生じる。また、消費電力の増大に伴い発光素子の寿命低下や発光素子の波長ずれ等が生じるという問題を有するため実用化できていない。
【０００６】
一方、ＲＧＢのそれぞれの絵素のカラーフィルターを用いて１画素を構成し表示させる表示装置と異なり、ＲＧＢそれぞれの発光素子からの３原色を導光板を介して順次発光させるとともに１画素における各色の遮光率を画像信号に応じて変化させれば、１画素でカラー表示の１ドットを表示させることができる。しかし、ＲＧＢをそれぞれ発光する発光素子の構成材料が違う場合、その材料の違いにより発光素子間に寿命による輝度ずれ、発熱に伴う発光波長ずれ、消費電力などの違いによる発光素子間の加熱及び劣化率の違いに伴う色ずれ等の問題が生じる。本発明は上述の問題点を解決したフルカラー表示可能な表示装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本願発明は、導光板の端面の少なくとも一箇所に光学的に接続された複数のＬＥＤチップと、前記導光板の主面上において前記ＬＥＤチップからの発光を画素ごとに遮光制御する遮光手段と、前記ＬＥＤチップを発光波長ごとに順次点灯させる発光駆動手段と、前記発光波長ごとの点灯時に遮光手段の透過率を制御する遮光駆動手段とを有し、各画素における遮光手段の透過率を点灯したＬＥＤチップの発光波長ごとに画像信号に応じて変化させ、１画素でカラー表示の１ドットを表示させた表示装置であって、
前記複数のＬＥＤチップは、少なくとも４３０〜４９０ｎｍの発光波長を有する第１のＬＥＤチップと、４９５ｎｍ〜５６０ｎｍの発光波長を有する第２のＬＥＤチップ、及び６００ｎｍ〜７００ｎｍの発光波長を有する第３のＬＥＤチップとを含むと共に、少なくとも１つのＬＥＤチップが他と異なる半導体材料から成り、
前記発光駆動手段及び遮光駆動手段と電気的に接続され、予め記憶された前記各ＬＥＤチップの劣化率の違いを示すデータに基づいて前記第１のＬＥＤチップ、第２のＬＥＤチップ及び第３のＬＥＤチップの各出力値を時間と共にそれぞれ変化させる補正手段を有することを特徴とする。前記遮光手段が液晶装置であることが好ましく、前記ＬＥＤチップの少なくとも一部が窒化ガリウム半導体から実質的になることが好ましい。
【０００８】
【効果】
本願発明により、薄型化、小型化した表示装置とし、また、カラーフィルター不要の高輝度、高精細化したフルカラー表示装置としながら、異なる半導体材料から成るＬＥＤチップの劣化率の違いを補正し色ずれを防止することができる。
【０００９】
また、前記複数のＬＥＤチップは、少なくとも４３０〜４９０ｎｍの発光波長を有する第１のＬＥＤチップと、４９５ｎｍ〜５６０ｎｍの発光波長を有する第２のＬＥＤチップ、及び６００ｎｍ〜７００ｎｍの発光波長を有する第３のＬＥＤチップとを含むため、色度分布がＮＴＳＣ方式より極めて広いフルカラー表示装置とすることができる。
【００１０】
遮光手段が液晶装置であることにより、より薄型化が可能な表示装置とすることができる。
【００１１】
また、ＬＥＤチップの少なくとも一部が窒化ガリウム半導体から実質的になることにより、高輝度、高解像度及び高速駆動が可能なカラー表示装置とすることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
ＲＧＢ各色のＬＥＤチップと遮光手段とをそれぞれ駆動させることによって高精細にフルカラー表示可能な表示装置とすることができる。即ち、ＲＧＢのそれぞれの絵素のカラーフィルターを用いて一画素を構成し表示させる表示装置と異なり、ＲＧＢ各色のＬＥＤチップからの３原色を導光板を介して順次発光させるとともに一画素における各色の遮光率を画像信号に応じて変化させ１画素でカラー表示の１ドットを表示させたフルカラー表示可能な表示装置とできる。これによって、ＬＥＤチップからの熱による遮光手段への影響を極めて小さくしつつ発光素子へのＲＧＢに対応したカラーフィルターを省略することが可能となり表示装置全体として輝度を向上、高精細化を達成することができる。また、ＬＥＤを構成する半導体が発光波長ごとに異なる半導体材料を利用した場合において生じる特性の変化も遮光手段の遮光時間を調整することにより制御することもできる。すなわち、本件発明においては、発光駆動手段及び遮光駆動手段と電気的に接続され、予め記憶された各ＬＥＤチップの劣化率の違いを示すデータに基づいて第１のＬＥＤチップ、第２のＬＥＤチップ及び第３のＬＥＤチップの各出力値を時間と共にそれぞれ変化させる補正手段を有するため、異なる半導体材料から成るＬＥＤチップの劣化率の違いを補正し色ずれを防止することができる。
【００１３】
特に、表示装置をより小型化薄型化させたパネルディスプレイとして形成させ発光手段と遮光手段とが密接して配置された場合においても発光手段から発生する熱により遮光手段が受ける影響等を低減した表示装置とすることができる。
【００１４】
以下図面を用いて本願発明を詳述する。図１は本願発明の表示装置の一例を示す概略透過図であり、図２は、図１のａ−ａ断面を示した本願発明の模式的断面図である。図１及び図２において反射機能を有する支持体上にＲＧＢがそれぞれ発光可能な半導体発光素子が配置された多色発光手段１０３が導光板１０２と光学的に接続されている。導光板１０２の裏面には発光素子からの光を反射させる反射材２０１が配置され、導光板１０２の表面側には裏面から反射された光を均一にさせるための拡散膜２０５が設けられている。導光板１０２の上面には拡散膜を介して発光素子と同期して駆動する遮光手段１０１としての液晶装置を配置してある。遮光手段としての液晶装置１０１は、透明電極２０３が形成された透光性支持体２０２としてのガラス間に液晶２０４が注入され構成されたものに偏光板２０６が設けられている。
【００１５】
（遮光手段１０１）
本願発明に用いられる遮光手段１０１とは、導光板１０２を介した多色発光手段１０３からの発光を多色発光手段１０３と同期した情報信号により遮光率を制御するものである。具体的には種種の液晶、誘電体ミラーなどを利用するによって形成することができる。本願発明では、遮光手段１０３の遮光率によって各画素の発光色及び輝度が決定される。この様な遮光手段としては、ネマチック液晶やスメチック液晶を用いて強誘電性を持たせた強誘電体液晶（Ferroelectric Liquid Crystal）２０４等を配向処理させたＳｉＯ2等の透明電極２０３を有するほう珪酸ガラス、アルミナ系などの透光性支持体２０２に挟み込んで形成させた液晶装置が好適に用いられる。駆動は、薄膜ダイオードやＴＦＴを用いたアクティブ・マトリックスや単純マトリックスが挙げられる。
【００１６】
本願発明で遮光手段１０１として液晶２０４を用いた場合は、多色発光手段１０３から照射される光のうち紫外光成分が含有されていれば高分子液晶の二重結合が切れる等により遮光手段１０１の特性が劣化する場合がある。ひどい場合には遮光手段１０１として機能しなくなるため遮光手段１０１と多色発光手段１０３との間に紫外線吸収層を設けることが好ましい。このような紫外線吸収層としては、紫外線吸収材が含有された樹脂フィルムやガラス等が挙げられる。あるいは導光板に紫外線吸収材を含有させて構成させても良い。紫外線吸収層としてガラスを用いた場合は液晶を挟持する透光性支持体と兼用して構成しても良い。
【００１７】
（導光板１０２）
本願発明に用いられる導光板１０２としては、多色発光手段１０３からの光を効率よく導き面状にさせると共に多色発光手段からの発熱を直接遮光手段１０１に伝達することを防ぐものであり透過率、耐熱性に優れ均一に形成できることが求められる。また、導光板１０２の形状は所望に応じて長方形や多角形等種種の形状とすることができる。具体的な構成材料としては、アクリル樹脂、ポリカーボネイト樹脂、硝子等が挙げられる。導光板１０２の厚みは、板厚が厚いほど光の利用効率が高くなるが多色発光手段を構成する発光素子の配置や種類等から１ｍｍ以上１０ｍｍ以下が好ましい。導光板の端面に発光素子が埋設されることにより、導光板１０２と多色発光手段１０３とが光学的に接続されている。また、導光板が四角形であれば四方の端面全てに多色発光手段１０３を接続してもよいことはいうまでもなく、多色発光手段１０３を構成する発光素子であるＬＥＤの個数も限定するものではない。
【００１８】
また、導光板１０２の下側と側面等に導光板内部を反射しながら進んできた光を無駄なく発光面方向に反射させる反射材２０１を設けることが好ましい。反射材２０１は、多色発光手段１０３からの光を導光板内に散乱させるものであればよく形状や大きさは特定されず、導光板１０２を保持するケース状部材と兼用することや導光板の面上に加工することもできる。また、導光板を利用して均一に面状発光させるためには反射材２０１をストライプ状とし、表面輝度が一定となるように、多色発光手段に接近するにつれて、単位面積あたりの反射材２０１の面積を減じるようなパターンとすることができる。さらに、多色発光手段１０３を構成する発光素子の配置により、発光を面状均一とするように反射材２０１の形状を適宜変更することができる。さらに、反射材と接する導光板面に凹凸を形成させることで多色発光手段からの光をより散乱させ均一発光とすることができる。反射材２０１は、多色発光手段から放出される発光に対して９５％以上の反射率を有するものが好ましく、より好ましくは９８％以上のものである。また、導光板上に設けられることからその上に設けられる遮光手段１０１などとの配置を考慮して好ましくは３ｍｍ以下、より好ましくは１ｍｍ以下の膜厚が好ましい。上述の反射率を満たす反射材の材料としてはポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリプロピレン樹脂等の樹脂中に反射材としてチタン酸バリウム、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化珪素、燐酸カルシウム等を含有させて形成させたフィルム状部材が挙げられる。また、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ等の金属膜を導光板１０２上にメッキ、スパッタリングにより形成させても良い。さらに、白色顔料が含有された発砲ポリエステル等をフィルム状に加工したものも挙げられる。これら反射材はシリコン樹脂やエポキシ樹脂等によって導光板１０２に装着することができる。
【００１９】
さらに、導光板１０２の上面には、導光板１０２からの光を散乱させて輝度を均一化する働きをする拡散膜２０５を設けることが好ましい。このような拡散膜２０５としては光透過率が高く効率よく光を拡散させることが必要であり、５０％以上の透過率を有することが好ましく、より好ましくは７０％以上である。拡散膜２０５の材質として透明で耐熱性が高いポリカーボネートフィルムやポリエステルフィルムに屈折性微粒子樹脂ビーズや透光性無機微粒子をコーティングしたものさらにはエンボス加工したものが挙げられる。また、拡散膜２０５と接する導光板１０２面に凹凸を形成させることで拡散膜２０５が導光板１０２に張り付くためにできる干渉縞を防止することができる。なお、均一な輝度のために白色顔料を多色発光手段１０３からの距離に反比例させて含有させ濃淡をつけた拡散膜２０５とすることもできる。
【００２０】
なお本発明において、多色発光手段１０３と導光板１０２の端面とが光学的に接続されているとは、導光板の端部から多色発光手段１０３が発光する光を導入することをいう。具体的には多色発光手段１０３を構成する発光素子を導光板に埋設することはもちろんのこと、発光素子を光透過性樹脂などにより接着したり、光ファイバー等を用いて導光板の端面に発光素子の発光を導くことである。
【００２１】
（多色発光手段１０３）
本願発明に用いられる多色発光手段１０３としては発光波長の異なる半導体発光素子を反射機能を有する基板上等に配置したものがあげられる。多色発光手段１０３を構成する発光素子は、液相成長法やＭＯＣＶＤ法等により基板上にＧａＡｌＮ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＳｉＣ、ＧａＰ、ＧａＡｌＡｓ、ＡｌＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮ等の半導体を発光層として形成させた物が好適に用いられる。半導体の構造としては、ＭＩＳ接合やＰＮ接合を有したホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルへテロ構成のものが挙げられる。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を紫外光から赤外光まで種種選択することができる。発光素子は発光波長ごとに複数個用いても良いし、複数の発光波長を有する発光層を一つの基板上に形成させた発光素子としても良い。本発明では一つの発光波長を発光する発光素子の発光出力は２００μＷ以上、更に好ましくは３００μＷ以上の出力が好ましい。発光素子であるＬＥＤの発光出力が２００μＷよりも少ないと、たとえ導光板１０２の端面に光学的に接続する多色発光手段１０３を構成するＬＥＤの数を増やしても、充分な明るさの均一な面状発光の光源が得られにくい傾向にあるからである。
【００２２】
また、本願発明の多色発光手段１０３は、遮光手段１０１と同期して高速に表示させ必要がある。このような具体的、半導体材料としては、緑色及び青色を発光する半導体は窒化ガリウム系化合物半導体を用いることが好ましく、また、赤色ではガリウム・アルミニウム・砒素系の半導体やアルミニウム・インジュウム・ガリウム・燐系の半導体を用いることが好ましい。また、波長の異なるＬＥＤチップは、所望によって複数用いることができ、例えば青色を１個、緑色及び赤色をそれぞれ２個ずつとすることが出来る。フルカラー表示装置の多色発光手段としての発光素子は色範囲を広げるために赤色の発光波長が６００ｎｍから７００ｎｍ、緑色が４９５ｎｍから５６５ｎｍ、青色の発光波長が４３０ｎｍから４９０ｎｍであることが好ましい。
【００２３】
多色発光手段１０３は、導光板１０２端面と隙間なく配すことができ発光素子の各ＬＥＤチップを嵌入しうる溝が形成される支持体に配されることが好ましい。具体的には加熱溶着で形成できる支持体の材料として、ポリカーボネート、ポリエチレン、アクリル、ウレタン、塩化ビニル、ナイロン、ポリエチレンテレフタレートが好ましい。さらに、支持体は導光板１０２の端面支持体に向かう光を効率よく反射して、導光板１０２に入射させるために白色に着色していることが好ましい。また、多色発光手段１０３を構成する発光素子からの発熱量が多くなる。そのため熱伝導部材を介して共通基板上に発光素子を配しても良い。熱伝導部材としては熱伝導度がよいことが求められる。具体的には、０．０１ｃａｌ／ｃｍ2／ｃｍ／℃以上が好ましくより好ましくは０．５ｃａｌ／ｃｍ2／ｃｍ／℃以上である。これらの条件を満たす材料としては、鉄、銅、アルミニウム、鉄入り銅、錫入り銅、メタライズパターン付きセラミック等が挙げられる。
【００２４】
（駆動手段３０１、３０２）
本願発明に用いられる駆動手段とは、多色発光手段の発光波長ごとに順次発光させる発光駆動手段３０１と、多色発光手段１０３と同期させ遮光手段１０１を一画素における各色の遮光率を画像信号に応じて変化させ一画素で多色表現させるために用いられる遮光駆動手段３０２とが挙げられる。具体的には図４に記載の如く時分割したＲＧＢの発光波長をさらに、遮光手段の遮光率によって、発光色の階調及び混色を表現させる。なお、多色発光素子はＲＧＢ時分割で表示するには連続的に発光させてもパルスで発光させてもよい。したがって、人間の目の残像現象により一画素のＲＧＢのそれぞれの遮光率でその画素の色が決定されることとなる。この様な駆動手段としてはＣＰＵを用いた同期回路により遮光手段１０１及び多色発光手段１０３をそれぞれ高速駆動させることによって構成することができる。
【００２５】
（補正手段３０３）
本願発明に用いられる補正手段としては、多色発光手段の発光素子の半導体材料が異なることによって生じる劣化率の違いなどを予めＲＯＭ等に記憶させておき時間と共に多色発光素子の発光出力が変化する分を補正するために用いられるものである。補正された値は発光駆動手段にフィード・バックされ劣化率の違いに伴う出力変動分を上乗せして多色発光手段を駆動させれば良い。なお、出力変動分は全ての発光素子に対して補正しても良いし、一番輝度の明るい発光素子の出力を基準として補正させても良い。多色発光素子の各波長の輝度を予め決められた補正値によって自動的に補正することができる。この様な補正手段は、各種演算回路を有するＣＰＵ等により種々構成することができる。
【００２６】
【実施例】
（実施例１）
白色反射部材であるチタン酸バリウムをアクリル系バインダー中に分散したものを厚さ２ｍｍのアクリル板の片面にスクリーン印刷し硬化させることによって裏面反射材を形成した。次に、裏面反射材が形成されたアクリル板を１０×８ｃｍの長方形に切断し、アクリル板の端面（切断面）を全て研磨した後、多色発光手段が光学的に接続される端面を除いて研磨面にＡｌの側面反射材を形成することにより、反射材が形成された導光板を得た。
【００２７】
多色発光手段を構成する発光素子の各ＬＥＤチップは、緑色、青色及び赤色の発光層の半導体としてそれぞれＩｎＧａＮ（発光波長５２５ｎｍ）、ＩｎＧａＮ（発光波長４７０ｎｍ）、ＧａＡｌＡｓ（発光波長６６０ｎｍ）を使用して構成させた。具体的には、赤色を発光するＬＥＤチップ用の半導体ウエハーは、温度差液晶成長法で連続的にＰ型ガリウム・砒素基板上にＰ型ＧａＡｌＡｓを成長し、その上にＮ型ＧａＡｌＡｓを成長し、発光領域であるＰ型ＧａＡｌＡｓを形成させる。青色及び緑色を発光する半導体ウエハーは、厚さ４００μｍのサファイヤ基板上にＮ型及びＰ型窒化ガリウム化合物半導体をＭＯＣＶＤ成長法でそれぞれ５μｍ、１μｍ堆積させヘテロ構造のＰＮ接合を形成したものである。なお、Ｐ型窒化ガリウム半導体は、Ｐ型ドーパントであるＭｇをドープした後アニールして形成させＩｎの含有量をかえることで発光波長を制御している。
【００２８】
こうしてできたウエハーをそれぞれ３５０μ角にしＲＧＢのＬＥＤチップを発光素子として共通支持体上にＡｇペーストを用いて固定させた後、電気的接続を行った。多色発光手段を構成する共通の支持体はポリカーボネート樹脂１０ｇ中に酸化珪素６ｇ含有させたものを熱硬化により一体形成した。一体形成された支持体には、導光板の端面の大きさに合わせて直方体に形成され発光素子がそれぞれ配置できるよう３箇所穴が設けられてある。導光板と多色発光手段とを透光性樹脂を用いて光学的に接続させた後、導光板の発光面上にはポリカーボネートのエンボスフィルムである白色拡散層を全面に渡って配置した。
【００２９】
一方、遮光手段を形成するために透光性基板であるガラス基板上にスパッタリングによってＳｎＯ2の透明電極を、プラズマＣＶＤ法を用いてＴＦＴをそれぞれ形成させた。次に、この透光性支持体間に強誘電体液晶が注入できるようよう端部をシール材で封止した後、透光性支持体間に強誘電体液晶を注入させた。こうしてできた液晶パネル上に偏光板を配置することによって遮光手段を形成させた。多色発光手段が光学的に接続された導光板上に配置させた遮光手段及び導光板に接続された多色発光手段をそれぞれワンチップマイコンを使用し駆動手段によって遮光手段と多色発光手段とをそれぞれ同期させて駆動させた。こうしてできた表示装置を電源を接続し白色を発光させたところケリーチャートの色度座標で（０．２９、０．３１）で７８ｃｄ／ｍ2であった。この表示装置をＲＢＧのパルス信号をそれぞれ流すことによって時分割的に発光させる一方、遮光手段を画像信号に応じて各発光波長ごとに図４の如く遮光率を制御した。この表示装置により高精細に動画が表示できることが確認できた。
【００３０】
（実施例２）
発光駆動手段に劣化率の補正値を予め記憶させた補正手段を電気的に接続させた以外は実施例１と同様に構成させた。実施例１及び実施例２をそれぞれ２０００時間駆動させたところ１０００時間まではいずれの実施例においても色バランス良く発光した。２０００時間を越えるような長時間駆動の場合は、実施例１の多色発光手段に用いられているＧａＡｌＡｓ半導体から出力される赤色の光が３０％低下し、一方、ＩｎＧａＮ半導体から出力される緑色及び青色の光が１０％低下した。多色発光させたときケリーチャートの色度座標が（０．２７、０．２９）となりホワイトバランスが崩れていた。実施例２の表示装置は、ケリーチャートの色度座標で（０．２９、０．３１）のままであった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願発明の表示装置の模式的透視図である。
【図２】図１に示した本願発明の表示装置のa-a模式的断面図である。
【図３】本願発明の構成を示すブロック図である。
【図４】本願発明の表示装置を利用した駆動方法である。
【図５】本願発明と比較のために示した表示装置の模式的透視図である。
【図６】図５に示した比較のための表示装置のb-b模式的断面図である。
【符号の説明】
１０１・・・・・遮光手段
１０２・・・・・導光板
１０３・・・・・多色発光手段
２０１・・・・・反射材
２０２・・・・・透光性支持体
２０３・・・・・透明電極
２０４・・・・・液晶
２０５・・・・・拡散膜
２０６・・・・・偏光板
３０１・・・・・発光駆動手段
３０２・・・・・遮光駆動手段
３０３・・・・・補正手段
６０１・・・・・ＬＥＤ
６０２・・・・・導光板
６０３・・・・・反射材
６０４・・・・・拡散膜

Claims

導光板の端面の少なくとも一箇所に光学的に接続された複数のＬＥＤチップと、前記導光板の主面上において前記ＬＥＤチップからの発光を画素ごとに遮光制御する遮光手段と、前記ＬＥＤチップを発光波長ごとに順次点灯させる発光駆動手段と、前記発光波長ごとの点灯時に遮光手段の透過率を制御する遮光駆動手段とを有し、各画素における遮光手段の透過率を点灯したＬＥＤチップの発光波長ごとに画像信号に応じて変化させ、１画素でカラー表示の１ドットを表示させた表示装置であって、
前記複数のＬＥＤチップは、少なくとも４３０〜４９０ｎｍの発光波長を有する第１のＬＥＤチップと、４９５ｎｍ〜５６０ｎｍの発光波長を有する第２のＬＥＤチップ、及び６００ｎｍ〜７００ｎｍの発光波長を有する第３のＬＥＤチップとを含むと共に、少なくとも１つのＬＥＤチップが他と異なる半導体材料から成り、
前記発光駆動手段及び遮光駆動手段と電気的に接続され、予め記憶された前記各ＬＥＤチップの劣化率の違いを示すデータに基づいて前記第１のＬＥＤチップ、第２のＬＥＤチップ及び第３のＬＥＤチップの各出力値を時間と共にそれぞれ変化させる補正手段を有することを特徴とする表示装置。
前記遮光手段が液晶装置である請求項１記載の表示装置。
前記ＬＥＤチップの少なくとも一部が窒化ガリウム半導体から実質的になる請求項２記載の表示装置。