JP3625017B2 - Substrate processing equipment - Google Patents
Substrate processing equipment Download PDFInfo
- Publication number
- JP3625017B2 JP3625017B2 JP30167997A JP30167997A JP3625017B2 JP 3625017 B2 JP3625017 B2 JP 3625017B2 JP 30167997 A JP30167997 A JP 30167997A JP 30167997 A JP30167997 A JP 30167997A JP 3625017 B2 JP3625017 B2 JP 3625017B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid
- pure water
- tank
- chemical
- processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、槽下部から薬液と純水とを選択的に切換え供給可能に構成された処理槽が密閉チャンバ内に収容され、この処理槽で基板に、エッチングや薬液洗浄などの薬液処理と、純水洗浄処理とを行うとともに、処理槽での純水洗浄処理の後、密閉チャンバ内で基板を乾燥させる乾燥処理を行う基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来のこの種の基板処理装置は、図13に示すように、基板Wに薬液処理と純水洗浄処理とを行う処理槽100が密閉チャンバ101内に収容されて構成されている。密閉チャンバ101内の処理槽100の上部には基板Wに乾燥処理を行うための乾燥処理空間102が設けられている。
【0003】
処理槽100の下部には、処理液注入管103が取り付けられている。この処理液注入管103には、配管104を介して処理液供給部105が接続されている。処理液供給部105は、処理液注入管103に対して薬液と純水とを選択的に切換え供給可能に構成されている。これにより、処理槽100には、槽下部の処理液注入管103から薬液と純水とが選択的に切換え供給される。
【0004】
また、槽下部から供給され、槽上部から溢れ出た液(薬液や純水)は、密閉チャンバ101内に流され、密閉チャンバ101の底部に設けられた排液・排気口106から、開閉弁107が介装された配管108を介して排液ドレイン109に排出されるようになっている。処理槽100の底部には排液口110が設けられている。この排液口110は、開閉弁111を介装した配管112を介して排液ドレイン109に接続されており、開閉弁111を開に切り換えることで、処理槽100内の液を処理槽100の底部から排出できるように構成されている。
【0005】
密閉チャンバ101内には、有機溶剤などを噴出するノズル113が設けられている。また、排液・排気口106は、開閉弁114を介装した配管115を介して真空吸引源116にも接続され、密閉チャンバ101内の気体を吸引して密閉チャンバ101内を減圧可能に構成している。
【0006】
また、密閉チャンバ101内には、複数枚の基板Wを所定の間隔で整列させて支持する昇降可能な基板支持部材117も設けられている。
【0007】
上記構成の従来装置による洗浄・乾燥処理は以下のように行われる。
処理液注入管103から処理槽100内に純水が供給されて、処理槽100内に純水が満たされるとともに、純水の上昇液流が形成されている中に、基板支持部材117に支持された基板Wが浸漬された状態(図13の実線の状態)で、処理液注入管103から処理槽100内に供給する液を純水から薬液(例えば、フッ酸)に切り換えて、処理槽100内に薬液の上昇液流を形成して処理槽100内の液を純水から薬液に置換し、薬液処理を行う。
【0008】
薬液処理を終えると、処理液注入管103から処理槽100内に純水を供給して、処理槽100内に純水の上昇液流を形成して処理槽100内の液を薬液から純水に置換し、純水洗浄処理を行う。
【0009】
処理槽100内では、上記薬液処理と純水洗浄処理が1回以上行われる。そして、最後の純水洗浄処理を終えると、ノズル113から密閉チャンバ101内に有機溶剤が噴出され、純水の上昇液流が形成されている状態で、基板支持部材117を上昇させ、処理槽100の純水内から基板Wを引き上げる。この基板Wの引き上げ中に、気液界面の純水中に有機溶剤が溶解し、基板Wの表面では液面から出る直前に純水の表面張力が低下し、ほどんど液切りした状態で基板Wは純水から引き上げられる。そして、図13の二点鎖線に示すように、密閉チャンバ101内の乾燥処理空間102に基板Wを位置させ、密閉チャンバ101内を減圧することで、基板Wの乾燥を促進させることができる。なお、密閉チャンバ101内を減圧する際には、減圧に先立ち、処理液注入管103から処理槽100内への純水の供給を停止するとともに、開閉弁111を開に切り換えて、処理槽100内の純水を処理槽100の底部から排液ドレイン109に排出する。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
従来装置において、処理槽100の上部から液(純水や薬液)が溢れ出ているときには、開閉弁107が開に切り換えられていて、処理槽100の上部から密閉チャンバ101内に流された液は、密閉チャンバ101の底部の排液・排気口106から排液ドレイン109に排出させているが、密閉チャンバ101内に流された液、特に、薬液が密閉チャンバ101の内壁面に付着して残留することは避けられない。
【0011】
その結果、密閉チャンバ101の内壁面に付着残留した薬液が気化して密閉チャンバ101内に漂い、乾燥処理中の基板Wに薬液が再付着し、洗浄・乾燥処理の仕上がりの清浄度が低下するという問題があった。例えば、基板Wとしてのシリコンウエハに対して、薬液としてフッ酸を用いた薬液処理を行う装置では、乾燥処理中にシリコンウエハにフッ酸が再付着して、その後シリコンウエハが酸化されることになる。特に、乾燥処理時に密閉チャンバ101内を減圧する場合には、密閉チャンバ101の内壁面に付着残留した薬液が一層気化し易く、基板Wへの薬液の再付着が一層起き易かった。
【0012】
また、複数種類の薬液を用いた薬液処理を行う装置では、処理槽100の上部から密閉チャンバ101内に各種の薬液が次々に流されるので、密閉チャンバ101の内壁面に付着残留している薬液と、その後に処理槽100の上部から密閉チャンバ101内に流された別の種類の薬液とが接触することも起こり得る。その結果、各種の薬液が密閉チャンバ101内で化学反応を起こし、それに起因してパーティクルが生成され、密閉チャンバ101内の基板Wを汚染するという問題もあった。
【0013】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、密閉チャンバ内での基板への薬液の再付着や基板の汚染を防止し得る基板処理装置を提供することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項1に記載の発明は、槽下部から薬液と純水とを選択的に切換え供給可能に構成された処理槽が密閉チャンバ内に収容され、前記処理槽で基板に薬液処理と純水洗浄処理とを行うとともに、前記処理槽での純水洗浄処理の後、前記密閉チャンバ内で基板を乾燥させる乾燥処理を行う基板処理装置において、前記処理槽の上部から溢れ出た液を受け止めて回収する回収部と、前記回収部で回収した液を前記密閉チャンバ外に排出する配管と、前記配管に設けられ、前記回収部から排出させた液量を調節する流量調節弁と、前記回収部内の薬液を所定の液面レベルにさせつつ前記回収部で薬液を回収させ、前記回収部で薬液を回収した後に前記回収部で純水を回収する際、所定期間の間、前記回収部で回収する純水の前記回収部内の液面レベルを、前記回収部で薬液を回収するときの前記回収部内の薬液の液面レベルよりも高くするように、前記流量調節弁を制御する液面レベル制御手段と、を備えたものである。
【0015】
(削除)
【0016】
【作用】
請求項1に記載の発明の作用は次のとおりである。
処理槽内で処理を行う際、処理槽の下部から供給され、処理槽の上部から溢れ出た液(純水や薬液)は、回収部で受け止めて回収され、配管により密閉チャンバ外に排出される。従って、密閉チャンバ内において、処理槽の上部から溢れ出た薬液が触れるのは回収部に限られる。
【0017】
処理槽では薬液処理の後に純水洗浄処理が行われるので、回収部では薬液を回収した後、純水を回収することになる。そして、液面レベル制御手段は、回収部で薬液を回収した後に回収部で純水を回収する際、所定期間の間、回収部で回収する純水の回収部内の液面レベルを、回収部で薬液を回収するときの回収部内の薬液の液面レベルよりも高くするように制御する。これにより、回収部で薬液を回収したときに、回収部内の薬液の液面レベルに応じた高さ以下で回収部に付着した薬液は、薬液の液面レベルよりも高い液面レベルで回収部に回収される純水によって洗い流される。また、処理槽で行う最後の処理は純水洗浄処理であるので、回収部では最終的に純水を回収することになる。従って、密閉チャンバ内において、処理槽の上部から溢れ出た薬液が触れる唯一の部材である回収部に薬液が付着したまま放置されて残留することがない。その結果、気化した薬液が密閉チャンバ内に漂うようなことがなくなり、基板への薬液の再付着を防止することができ、また、各種の薬液が回収部で接触することもなく、各種の薬液が接触することに起因するパーティクルの生成もなくなり、基板の汚染を防止することもできる。
【0018】
(削除)
【0019】
(削除)
【0020】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
図1は本発明の第1実施形態に係る基板処理装置の全体構成を示す縦断面図であり、図2は処理槽の構成を示す平面図、図3は第1実施形態装置の要部の拡大断面図である。
【0021】
この第1実施形態に係る基板処理装置は、基板Wに薬液処理と純水洗浄処理とを行う処理槽1が密閉チャンバ2内に収容されて構成されている。密閉チャンバ2内の処理槽1の上部には基板Wに乾燥処理を行うための乾燥処理空間3が設けられている。
【0022】
処理槽1の下部には、処理液注入管4が取り付けられている。処理液注入管4は、先端部が閉塞され、側面に多数の処理液噴出孔4aが並設されていて、基端部4bから導入される液を各処理液噴出孔4aから噴出するように構成されている。これら処理液噴出孔4aが処理槽1内に臨むように、処理液注入管4が処理槽1に取り付けられている。処理液注入管4の基端部4bには、配管5を介して処理液供給部6が接続されている。処理液供給部6は、処理液注入管4の基端部4bに対して純水と1種類以上の薬液とを選択的に切換え供給可能に構成されている。これにより、処理槽1には、槽下部の処理液注入管4の各処理液噴出孔4aから薬液と純水とを選択的に切換えて噴出供給されるようになっている。
【0023】
処理槽1の外周上部には、底面と側面とが形成された部材7が接合させていて、この部材7と処理槽1の外周壁1aとが共働して、処理槽1の上部から溢れ出た液(薬液や純水)を受け止めて回収する回収部としてのオーバーフロー槽8が形成されている。オーバーフロー槽8の底部には図示しない排出口が設けられ、この排出口が配管9を介して密閉チャンバ2外の排液ドレイン10に接続され、オーバーフロー槽8で回収した液を密閉チャンバ2外の排液ドレイン10に排出できるように構成されている。なお、配管9、排液ドレイン10が本発明における排出手段を構成する。
【0024】
配管9には、オーバーフロー槽8から排出する液量を適宜に調節する流量調節弁20が介装されている。この流量調節弁20としては、例えば、本出願人の提案による実願平3−93634号公報に開示された圧縮エアで作動する弁や、適宜の電磁式の流量調節弁などを用いることができる。
【0025】
また、オーバーフロー槽8近辺には、オーバーフロー槽8内の液の液面高さを検出する液面検出センサ21が付設されている。この液面検出センサ21は、不活性ガス噴出管22と微圧計23とで構成される。不活性ガス噴出管22はその先端部がオーバーフロー槽8内に導入されている。微圧計23は、微小量の窒素ガスなどの不活性ガスを不活性ガス噴出管22に供給し、不活性ガス噴出管22の先端から不活性ガスの泡を排出させ、このときの不活性ガス噴出管22からの不活性ガスの排出圧を検出することによって、オーバーフロー槽8内の現在の液(薬液や純水)の液面レベルを検出するように構成されている。
【0026】
処理槽1の底部には排液口11が設けられている。この排液口11は、開閉弁12を介装した配管13を介して排液ドレイン10に接続されており、開閉弁12を開に切り換えることで、処理槽1内の液を処理槽1の底部から排出できるように構成されている。
【0027】
密閉チャンバ2は、本体部2aと、本体部2aに対して開閉自在に構成された蓋部2bとで構成されている。本体部2aに対して蓋部2bが開かれた状態で、密閉チャンバ2(本体部2a)内に対して基板Wの出し入れが行われ、本体部2aに対して蓋部2bが閉じられたときに、密閉チャンバ2内が密閉状態になるように構成されている。
【0028】
密閉チャンバ2内には、IPA(イソプロピールアルコール)などの有機溶剤と、窒素ガスなどの不活性ガスとを噴出するノズル30が設けられている。ノズル30には、配管31を介して不活性ガス・有機溶剤供給部32が接続されている。不活性ガス・有機溶剤供給部32は、加熱して蒸気化した有機溶剤を窒素ガスなどの不活性ガスをキャリアとしてノズル30に供給するとともに、キャリアとして用いた不活性ガスのみをノズル30に供給可能に構成されていて、ノズル30から密閉チャンバ2内に有機溶剤と不活性ガスとを選択的に切り換え供給できるように構成されている。
【0029】
密閉チャンバ2の底部には、排気口40が設けられている。この排気口40は、開閉弁41を介装した配管42を介して真空吸引源43に接続され、密閉チャンバ2内の気体を吸引して密閉チャンバ2内を減圧可能に構成している。
【0030】
密閉チャンバ2内には、複数枚の基板Wを所定の間隔で整列させて支持する基板支持部材50が設けられている。基板支持部材50は、連結部材51を介してエアシリンダなどを駆動源とする昇降機構52に連結され、昇降機構52によって昇降可能に構成されている。
【0031】
コントローラ60は、処理液供給部6から処理液注入管4への薬液と純水との切り換え供給と、薬液及び純水の供給停止の制御(処理槽1への薬液、純水の供給制御)、有機溶剤供給部32からノズル30への有機溶剤と不活性ガスとの切り換え供給と、有機溶剤及び不活性ガスの供給停止の制御(密閉チャンバ2内への有機溶剤、不活性ガスの供給制御)や、各開閉弁12、41の開閉制御、基板支持部材50の昇降制御、オーバーフロー槽8で回収する薬液や純水の液面レベル制御などの装置全体の制御を行い、後述する洗浄・乾燥処理を実施する。
【0032】
オーバーフロー槽8で回収する薬液や純水の液面レベル制御は、液面検出センサ21からの検出データに基づき、流量調節弁20を制御してオーバーフロー槽8から排出する液量を調節しながら、後述するように、オーバーフロー槽8で薬液を回収した後にオーバーフロー槽8で純水を回収する際、所定期間の間、オーバーフロー槽8で回収する純水のオーバーフロー槽8内の液面レベルをDWLに維持して、オーバーフロー槽8で薬液を回収するときのオーバーフロー槽8内の薬液の液面レベルMQLよりも高くするように制御するものである。
【0033】
また、コントローラ60は、タイマー61を内蔵していて、薬液処理や純水洗浄処理、乾燥処理、オーバーフロー槽8内の液の液面レベルの変更の際のタイミング制御などを時間で管理するようにしている。
【0034】
次に、上記構成の第1実施形態装置による洗浄・乾燥処理を、図4、図5に示すタイムチャートを参照して説明する。
【0035】
なお、図4、図5内の各符号は以下のとおりである。
MQP:薬液処理。
DWP:純水洗浄処理。
DP:乾燥処理。
CP(DW/MQ):処理槽1内の液を純水から薬液に置換する処理。
CP(MQ/DW):処理槽1内の液を薬液から純水に置換する処理。
T1:CP(DW/MQ)の開始タイミング(処理槽1内に供給する液を純水から薬液に切り換える開始タイミング)。
T2:CP(DW/MQ)の完了タイミング(MQPの開始タイミング)。
T3:CP(MQ/DW)の開始タイミング(処理槽1内に供給する液を薬液から純水に切り換える開始タイミング)。
T4:CP(MQ/DW)の完了タイミング(DWPの開始タイミング)。
t1:CP(DW/MQ)に要する時間。
t2:CP(MQ/DW)に要する時間。
t3:オーバーフロー槽8内の液の液面レベルをDWLからMQLに下降するのに要する時間。
t4:オーバーフロー槽8内の液の液面レベルを0レベルからMQLに上昇するのに要する時間。
【0036】
上記各時間1、t2、t3、t4は、予め実験的に求めておくことができる。従って、コントローラ60は、タイマー61を用いて、T1とt1とに基づきT2を把握することができ、T3とt2とに基づきT4を把握することができ、t3に基づき、T1を基準としてオーバーフロー槽8内の液の液面レベルをDWLからMQLに下降する制御の開始を決めることができる。
【0037】
洗浄・乾燥処理は、まず、密閉チャンバ2の蓋部2bが開かれ、図示しない基板搬送装置から、乾燥処理位置3に上昇している基板支持部材50に複数枚の基板Wが引き渡され、基板Wの受渡しが終わると蓋部2bが閉じられる。
【0038】
次に、処理液注入管4から処理槽1内に純水が供給されて、処理槽1内に純水が満たされるとともに、処理槽1内に純水の上昇液流が形成された状態で、基板支持部材50が下降され、純水の上昇液流中に、基板Wが基板支持部材50とともに浸漬される。または、基板支持部材50が下降され、基板支持部材50とともに基板Wが処理槽1内に入れられた後、処理液注入管4から処理槽1内に純水が供給されて、処理槽1内に純水が満たされるとともに、処理槽1内に純水の上昇液流が形成される。
【0039】
なお、このとき、処理槽1の上部から溢れ出る純水はオーバーフロー槽8で受け止められて回収され、排液ドレイン10に排出される。また、このとき、コントローラ60は、オーバーフロー槽8で回収する純水がオーバーフロー槽8から溢れ出ないように制御すればよく、液面レベルをDWLに維持するように制御しても、MQLに維持するように制御しても、あるいは、回収する純水がオーバーフロー槽8から溢れ出ない適宜の液面レベルに維持するように制御してもよい。さらに、回収する純水を0レベル、すなわち、処理槽1の上部から溢れ出てオーバーフロー槽8に流れ込む純水の流入液量よりも、オーバーフロー槽8から排出する純水の排出液量を多くするように調節し、オーバーフロー槽8に純水が溜まらずに、オーバーフロー槽8に流れ込む純水が次々にオーバーフロー槽8から排出される液面レベルに維持するように制御してもよい。
【0040】
このようにして処理液注入管4から処理槽1内に純水が供給されて、処理槽1内に純水が満たされるとともに、純水の上昇液流が形成されている中に、基板支持部材50に支持された基板Wが浸漬された状態(図1の実線の状態)で、処理液注入管4から処理槽1内に供給する液を純水から薬液(例えば、フッ酸)に切り換えて、処理槽1内に薬液の上昇液流を形成して処理槽1内の液を純水から薬液に置換し、薬液処理を行う。
【0041】
上記純水から薬液への置換の間、処理槽1の上部からは純水に薬液が序々に混ざった液が溢れ出るが、この液もオーバーフロー槽8で受け止められて回収され、排液ドレイン10に排出される。また、薬液処理中、処理液注入管4から処理槽1内への薬液の供給が継続されて、新たな薬液を処理槽1の下部から供給し、処理後の薬液を処理槽1の上部から溢れ出させて処理槽1内の薬液を入れ換えながら薬液処理を行うので、この薬液処理中に処理槽1の上部から薬液が溢れ出ているが、この薬液もオーバーフロー槽8で受け止められて回収され、排液ドレイン10に排出される。
【0042】
このとき、コントローラ60は、上記純水から薬液への置換の開始(T1)のときに、オーバーフロー槽8内の液の液面レベルがMQLに下降されているように制御する。例えば、処理液注入管4から処理槽1内に純水が供給されて、処理槽1内に純水が満たされるとともに、処理槽1内に純水の上昇液流が形成された状態におけるオーバーフロー槽8内の純水の液面レベルがDWLに維持されていた場合には、T1より(t3+α)(αは0秒以上の適宜の時間)だけ早いタイミングでオーバーフロー槽8内の純水の液面レベルをDWLからMQLに下降する制御を開始する。また、オーバーフロー槽8内の純水の液面レベルが0レベルに維持されていた場合には、T1より(t4+α)だけ早いタイミングでオーバーフロー槽8内の純水の液面レベルを0レベルからMQLに上昇する制御を開始する。このように制御することで、オーバーフロー槽8で薬液を回収するときに、オーバーフロー槽8内の液の液面レベルがMQLになっており、オーバーフロー槽8内の液の液面レベルをMQLとした状態で、オーバーフロー槽8で薬液を回収することができる。以後、コントローラ60は、純水から薬液への置換、薬液処理、薬液から純水への置換の間、オーバーフロー槽8内の液(オーバーフロー槽8で回収する薬液)の液面レベルをMQLに維持するように制御する。
【0043】
所定の薬液処理時間が経過すると、処理液注入管4から処理槽1内に供給する液を薬液から純水に切り換えて、処理槽1内に純水の上昇液流を形成して処理槽1内の液を薬液から純水に置換し、純水洗浄処理(基板Wに付着した薬液を洗い流す洗浄処理)を所定の純水洗浄時間の間行う。
【0044】
上記薬液から純水への置換の間、処理槽1の上部からは薬液が純水で序々に希釈される液が溢れ出るが、この液も液面レベルがMQLに維持された状態で、オーバーフロー槽8で受け止められて回収され、排液ドレイン10に排出される。また、純水洗浄処理中、処理液注入管4から処理槽1内への純水の供給が継続されるので、純水洗浄処理中、処理槽1の上部から純水が溢れ出ているが、この純水もオーバーフロー槽8で受け止められて回収され、排液ドレイン10に排出される。コントローラ60は、上記薬液から純水への置換が完了したタイミング(T4)で、オーバーフロー槽8内の液の液面レベルをMQLからDWLに上昇する制御を開始し、以後、所定期間の間、オーバーフロー槽8内の液の液面レベルをDWLに維持するように制御する。薬液から純水への置換が完了した段階で、処理槽1の上部からオーバーフロー槽8に流れ込む液は純水のみとなっている。従って、上記のように液面レベルを制御することで、オーバーフロー槽8で薬液を回収した後にオーバーフロー槽8で純水を回収する際、所定期間の間、オーバーフロー槽8で回収する純水のオーバーフロー槽8内の液面レベルをDWLに維持して、オーバーフロー槽8で薬液を回収するときのオーバーフロー槽8内の薬液の液面レベルMQLよりも高くでき、オーバーフロー槽8で薬液を回収したときに、オーバーフロー槽8内の薬液の液面レベルMQLに応じた高さ以下でオーバーフロー槽8の内壁面に付着した薬液を、薬液の液面レベルMQLよりも高い液面レベルDWLでオーバーフロー槽8に回収される純水によって洗い流すことができる。
【0045】
処理槽1内では、上記薬液処理と純水洗浄処理が1回以上行われる。薬液処理と純水洗浄処理を2回以上行う場合でも、薬液処理、純水洗浄処理、薬液処理、純水洗浄処理、…というように、薬液処理、純水洗浄処理とを繰り返して行う。2回目以降の薬液処理を開始する時点では、前の純水洗浄処理で、処理液注入管4から処理槽1内に純水が供給されて、処理槽1内に純水が満たされるとともに、純水の上昇液流が形成されており、最初の薬液処理の開始時点と同様の状態であるので、2回目以降の各回の薬液処理と純水洗浄処理も上記で説明したのと同様の制御で行われる。なお、純水洗浄処理時は、オーバーフロー槽8内の純水の液面レベルをDWLに維持しているので、2回目以降の純水から薬液への置換においては、その置換の開始(T1)より(t3+α)だけ早いタイミングでオーバーフロー槽8内の純水の液面レベルをDWLからMQLに下降する制御を開始する。また、薬液処理と純水洗浄処理を2回以上行う場合で、各回の薬液処理に異なる種類の薬液を用いるときには、各回の薬液処理に用いられる薬液が処理液供給部6から処理液注入管4に供給される。
【0046】
そして、最後の純水洗浄処理に対する純水洗浄処理時間が経過すると、ノズル30から密閉チャンバ2内に有機溶剤を供給し、純水の上昇液流が形成されている状態で、基板支持部材50を上昇させ、処理槽1の純水内から基板Wを引き上げる。この基板Wの引き上げ中に、気液界面の純水中に有機溶剤が溶解し、基板Wの表面では液面から出る直前に純水の表面張力が低下し、ほどんど液切りした状態で基板Wは純水から引き上げられる。そして、図1の二点鎖線に示すように、密閉チャンバ2内の乾燥処理空間3に基板Wを位置させ基板Wを乾燥させる。このとき、開閉弁41を開にして密閉チャンバ2内を減圧することで、基板Wの乾燥を促進することができる。なお、密閉チャンバ2内を減圧する際には、減圧に先立ち、処理液注入管4から処理槽1内への純水の供給を停止するとともに、開閉弁12を開に切り換えて、処理槽1内の純水を処理槽1の底部から排液ドレイン10に排出し、処理槽1内の純水の排出を終えると開閉弁12を閉に切り換える。また、処理液注入管4から処理槽1内への純水の供給を停止した後は、処理槽1の上部からオーバーフロー槽8内に純水が流れ込まないので、コントローラ60はオーバーフロー槽8内の純水の液面レベルの制御を行わない。これによって、オーバーフロー槽8内の純水は全て排液ドレイン10に排出される。なお、密閉チャンバ2内を減圧する間、密閉チャンバ2内からの気体の排気量よりも少ない供給量でノズル30から不活性ガスを密閉チャンバ2内に供給するようにしてもよい。
【0047】
所定の乾燥処理時間の経過後、密閉チャンバ2内を減圧したときには、開閉弁41を閉にするとともに、ノズル30から不活性ガスを密閉チャンバ2内に供給して、密閉チャンバ2内を常圧に戻す。そして、密閉チャンバ2の蓋部2bが開かれ、図示しない基板搬送装置によって、乾燥処理位置3に上昇している基板支持部材50に支持されている洗浄・乾燥処理済の複数枚の基板Wが取り出される。以後、同様の処理が切り返されて、1群の基板Wに次々と洗浄・乾燥処理が行われる。
【0048】
なお、乾燥処理時に密閉チャンバ2内を減圧せずに処理槽1内への純水の供給を継続する場合には、乾燥処理中もオーバーフロー槽8内の純水の液面レベルをDWLに維持するようにしてもよい。また、図4、図5では、薬液処理と純水洗浄処理を2回以上行う場合を示しているが、薬液処理と純水洗浄処理を1回だけ行う場合は、最初の純水洗浄処理を最後の純水洗浄処理として制御する。
【0049】
上述したように、この第1実施形態装置によれば、処理槽1内で処理を行う際、処理槽1の下部から供給され、処理槽1の上部から溢れ出た液(純水や薬液)は、オーバーフロー槽8で受け止めて回収され、密閉チャンバ2外の排液ドレイン10に排出される。従って、密閉チャンバ2内において、処理槽1の上部から溢れ出た薬液が触れるのはオーバーフロー槽8の内壁面に限られる。そして、コントローラ60は、オーバーフロー槽8で薬液を回収した後にオーバーフロー槽8で純水を回収する際、所定期間の間、オーバーフロー槽8で回収する純水のオーバーフロー槽8内の液面レベルを、オーバーフロー槽8で薬液を回収するときのオーバーフロー槽8内の薬液の液面レベルよりも高くするように制御するので、オーバーフロー槽8で薬液を回収したときに、オーバーフロー槽8の内壁面に付着した薬液は、オーバーフロー槽8に回収される純水で洗い流すことができ、密閉チャンバ2内において、処理槽1の上部から溢れ出た薬液が触れる唯一の部材であるオーバーフロー槽8に薬液が付着したまま放置されて残留することがない。従って、気化した薬液が密閉チャンバ2内に漂うようなことがなくなり、乾燥処理時に密閉チャンバ2内の減圧を行うか否かにかかわらず、基板Wへの薬液の再付着を防止することができ、また、各種の薬液がオーバーフロー槽8内で接触することもなく、各種の薬液が接触することに起因するパーティクルの生成もなくなり、基板Wの汚染を防止することもできる。
【0050】
なお、純水から薬液への置換を開始してすぐに薬液がオーバーフロー槽8内に流れ込むわけではないので、オーバーフロー槽8内の純水の液面レベルをDWLからMQLに下降させる制御を上記図4、図5よりも遅いタイミングで開始するようにしてもよい。例えば、純水から薬液への置換の開始から薬液がオーバーフロー槽8内に流れ込むようになるまでの時間がt3よりも長い場合には、図6(a)に示すように、オーバーフロー槽8内の純水の液面レベルをDWLからMQLに下降させる制御をT1で開始するようにしてもよい。
【0051】
また、図6(b)に示すように、オーバーフロー槽8内の液の液面レベルをMQLからDWLに上昇された状態がT4よりも後であれば、オーバーフロー槽8の内壁面に付着する薬液の高さをDWL以下にすることができるので、オーバーフロー槽8内の液の液面レベルをMQLからDWLに上昇させる制御を、T4よりβ(ただし、0<β<t5)だけ早いタイミングで開始するようにしてもよい。なお、t5は、オーバーフロー槽8内の液の液面レベルをMQLからDWLに上昇するのに要する時間で、予め実験的に求めておくことができる。
【0052】
また、オーバーフロー槽8の内壁面に付着した薬液の洗い流しが比較的速やかに行える場合には、図7の各図に示すように、純水洗浄処理の一部の期間だけ、オーバーフロー槽8内の純水の液面レベルをDWLに維持するように制御してもよい。
【0053】
また、オーバーフロー槽8で回収する薬液の液面レベルMQLをOレベルに設定してもよい。
【0054】
また、図8、図9に示すように、図4、図5の制御でオーバーフロー槽8内の薬液の液面レベルをMQLに維持する最後の段階で、オーバーフロー槽8内の薬液の液面レベルを0レベルに調節するように制御したり、または/および、図5の制御でオーバーフロー槽8内の純水の液面レベルをDWLに維持する最後の段階で、オーバーフロー槽8内の純水の液面レベルをDWLよりもさらに高い液面レベルHLに調節するように制御してもよい。このように制御すれば、回収純水による薬液の洗い流しをより確実に行うことが期待できる。
【0055】
なお、これらのオーバーフロー槽8の液面レベル制御は、槽内の比抵抗値や薬液濃度によって制御してもよい。
【0056】
次に、参考例に係る装置の構成を図10を参照して説明する。図10は参考例に係る基板処理装置の全体構成を示す縦断面図である。
【0057】
この参考例に係る装置は、上記第1実施形態装置の流量調節弁20、液面検出センサ21と、コントローラ60によるオーバーフロー槽8内の液の液面レベル制御を省略し、それに代えて、密閉チャンバ2内に回収部洗浄手段としてのシャワーノズル70を設けて、シャワーノズル70からオーバーフロー槽8、特に、オーバーフロー槽8の内壁面に向けて洗浄液としての純水を噴出供給して、オーバーフロー槽8(の内壁面)を洗浄し、オーバーフロー槽8内に付着した薬液を、洗い流すように構成したことを特徴としている。
【0058】
シャワーノズル70には、配管71を介して純水供給部72が接続され、純水供給部72からシャワーノズル70への純水の供給とその停止の制御(オーバーフロー槽8への純水の噴出供給制御)はコントローラ60により行われるように構成している。
【0059】
また、シャワーノズル70からの純水が密閉チャンバ2の内壁面に噴射されることを考慮して、排気口40を、排液・排気口とし、この排液・排気口40を、開閉弁44が介装された配管45を介して排液ドレイン10にも接続し、シャワーノズル70から密閉チャンバ2の内壁面に噴射された純水を排液ドレイン10に排出できるように構成している。なお、シャワーノズル70から噴出される純水がオーバーフロー槽8の内壁面にのみ供給され、密閉チャンバ2の内壁面へ噴射されることがない場合には、開閉弁44、配管45を省略してもよい。
【0060】
また、処理槽1の上部から溢れ出てオーバーフロー槽8で回収される液(薬液や純水)がオーバーフロー槽8から溢れ出さないように、オーバーフロー槽8から排液ドレイン10に排出する液の排出液量が調節されている。
【0061】
この参考例に係る装置による洗浄・乾燥処理の全体的な動作は上記第1実施形態で説明した動作と同様である。ただし、この参考例に係る装置では、上記第1実施形態装置で行ったオーバーフロー槽8内の液の液面レベル制御に代えて、シャワーノズル70から噴出供給する純水によりオーバーフロー槽8の内壁面を洗浄する処理を行う。
【0062】
このシャワーノズル70からの純水によるオーバーフロー槽8の内壁面の洗浄処理は、例えば、各回の薬液処理と純水洗浄処理ごとに、薬液処理前の純水から薬液への置換を開始してから、薬液処理後の薬液から純水への置換が完了するまでの間(図4、図5のT1〜T4間)行うことで、各回の薬液処理に用いた薬液がオーバーフロー槽8で回収された後、その薬液がオーバーフロー槽8に付着残留することを防止できる。
【0063】
なお、コントローラ60は、最初にシャワーノズル70から純水の噴出供給を開始したときに、開閉弁44を開にして、シャワーノズル70から密閉チャンバ2の内壁面に噴射された純水を排液ドレイン10に排出できるようにする。
【0064】
このように、この参考例に係る装置によれば、オーバーフロー槽8の内壁面は、シャワーノズル70から噴出供給される純水で洗浄されるので、オーバーフロー槽8の内壁面に付着した薬液が完全に洗い流され、密閉チャンバ2内において、処理槽1の上部から溢れ出た薬液が触れる唯一の部材であるオーバーフロー槽8に薬液が付着したまま放置されて残留することを防止できる。従って、気化した薬液が密閉チャンバ2内に漂うようなことがなくなり、乾燥処理時に密閉チャンバ2内の減圧を行うか否かにかかわらず、基板Wへの薬液の再付着を防止することができ、また、各種の薬液がオーバーフロー槽8内で接触することもなく、各種の薬液が接触することに起因するパーティクルの生成もなくなり、基板Wの汚染を防止することもできる。
【0065】
なお、図11に示すように、上記第1実施形態の特徴と参考例の特徴の双方を具備して、上記第1実施形態で説明したオーバーフロー槽8内の液の液面レベル制御と、上記参考例で説明したシャワーノズル70からの純水によるオーバーフロー槽8の内壁面の洗浄とを組み合わせて、オーバーフロー槽8に付着する薬液の洗い流しを行うようにしてもよい。
【0066】
また、上記各実施形態やその変形例では、いわよるシングル管構造の処理液注入管4を取り付けた処理槽1を図示しているが、図12に示すように、側面に多数の処理液噴出孔80を並設した外管81を、処理液注入管4の外周にさらに配設して2重管構造に構成したものでも本発明は同様に適用できる。
【0067】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、請求項1に記載の発明によれば、処理槽の上部から溢れ出た液を回収部で受け止めて回収し、密閉チャンバ外に排出させるように構成したので、密閉チャンバ内において、処理槽の上部から溢れ出た薬液が触れる部材を回収部に限定することができる。
【0068】
そして、請求項1に記載の発明では、回収部で薬液を回収した後に回収部で純水を回収する際、所定期間の間、回収部で回収する純水の回収部内の液面レベルを、回収部で薬液を回収するときの回収部内の薬液の液面レベルよりも高くするように制御したので、薬液を回収したときに回収部に付着した薬液を、回収部で回収する純水で洗い流すことができ、回収部に薬液が付着したまま放置されて残留されることがない。従って、気化した薬液が密閉チャンバ内に漂うようなことがなくなり、基板への薬液の再付着を防止することができ、また、各種の薬液が回収部で接触することもなく、各種の薬液が接触することに起因するパーティクルの生成もなくなり、基板の汚染を防止することもできる。
【0069】
(削除)
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態に係る基板処理装置の全体構成を示す縦断面図である。
【図2】処理槽の構成を示す平面図である。
【図3】第1実施形態装置の要部の拡大断面図である。
【図4】第1実施形態装置によるオーバーフロー槽内の液の液面レベル制御を示すタイムチャートである。
【図5】図4の続きのタイムチャートである。
【図6】第1実施形態装置によるオーバーフロー槽内の液の液面レベル制御の変形例を示すタイムチャートである。
【図7】第1実施形態装置によるオーバーフロー槽内の液の液面レベル制御の別の変形例を示すタイムチャートである。
【図8】第1実施形態装置によるオーバーフロー槽内の液の液面レベル制御のさらに別の変形例を示すタイムチャートである。
【図9】図8の続きのタイムチャートである。
【図10】参考例に係る基板処理装置の全体構成を示す縦断面図である。
【図11】第1実施形態の特徴と参考例の特徴の両方を具備した変形例の全体構成を示す縦断面図である。
【図12】処理槽の変形例の要部構成を示す縦断面図と、処理液注入管及び外管の構成を示す横断面図である。
【図13】従来装置の全体構成を示す縦断面図である。
【符号の説明】
1:処理槽
2:密閉チャンバ
3:乾燥処理空間
4:処理液注入管
6:処理液供給部
8:オーバーフロー槽
10:排液ドレイン
20:流量調節弁
21:液面検出センサ
60:コントローラ
70:シャワーノズル
W:基板
MQL:オーバーフロー槽で薬液を回収するときのオーバーフロー槽内の薬液の液面レベル
DWL:オーバーフロー槽で純水を回収するときのオーバーフロー槽内の純水の液面レベル[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
In the present invention, a processing tank configured to be able to selectively switch and supply chemical and pure water from the bottom of the tank is housed in a sealed chamber, and in this processing tank, a substrate is subjected to chemical processing such as etching and chemical cleaning, The present invention relates to a substrate processing apparatus that performs a pure water cleaning process and performs a drying process for drying a substrate in a sealed chamber after the pure water cleaning process in a processing tank.
[0002]
[Prior art]
As shown in FIG. 13, a conventional substrate processing apparatus of this type is configured such that a
[0003]
A processing
[0004]
Further, a liquid (chemical solution or pure water) supplied from the lower part of the tank and overflowing from the upper part of the tank flows into the
[0005]
In the sealed
[0006]
In the sealed
[0007]
The cleaning / drying process by the conventional apparatus having the above-described configuration is performed as follows.
The pure water is supplied from the treatment
[0008]
When the chemical liquid processing is finished, pure water is supplied from the processing
[0009]
In the
[0010]
[Problems to be solved by the invention]
However, the conventional example having such a configuration has the following problems.
In the conventional apparatus, when liquid (pure water or chemical solution) overflows from the upper part of the
[0011]
As a result, the chemical solution remaining on the inner wall surface of the sealed
[0012]
Further, in an apparatus that performs chemical processing using a plurality of types of chemical solutions, various chemical solutions are successively flowed into the sealed
[0013]
The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of preventing reattachment of a chemical solution to a substrate and contamination of the substrate in a sealed chamber.
[0014]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve such an object, the present invention has the following configuration.
That is, according to the first aspect of the present invention, a treatment tank configured to selectively supply a chemical solution and pure water from the lower portion of the tank is accommodated in a sealed chamber. In the substrate processing apparatus for performing a water cleaning process and performing a drying process for drying the substrate in the sealed chamber after the pure water cleaning process in the processing tank, the liquid overflowing from the upper part of the processing tank is received. The recovery unit that collects the liquid and the liquid recovered by the recovery unit is discharged out of the sealed chamber.PipingWhen,A flow rate adjusting valve that is provided in the pipe and adjusts the amount of liquid discharged from the recovery unit, and recovers the chemical in the recovery unit while keeping the chemical in the recovery unit at a predetermined liquid level.When recovering pure water in the recovery unit after recovering the chemical solution in the recovery unit, the liquid level in the recovery unit of pure water recovered in the recovery unit is recovered for a predetermined period, and the chemical solution is recovered in the recovery unit So that it is higher than the liquid level of the chemical in the recovery unitThe flow control valveLiquid level control means for controlling.
[0015]
(Delete)
[0016]
[Action]
The operation of the first aspect of the invention is as follows.
When processing in the processing tank, the liquid (pure water or chemical liquid) supplied from the lower part of the processing tank and overflowing from the upper part of the processing tank is received and recovered by the recovery unit,PipingIs discharged out of the sealed chamber. Therefore, the chemical solution overflowing from the upper part of the processing tank is touched only by the recovery unit in the sealed chamber.
[0017]
Since the pure water washing process is performed after the chemical solution treatment in the treatment tank, the collection unit collects the pure water after collecting the chemical solution. Then, the liquid level control means, when collecting the pure water in the collecting unit after collecting the chemical solution in the collecting unit, sets the liquid level in the collecting unit of the pure water collected in the collecting unit for a predetermined period. Thus, the liquid level is controlled to be higher than the liquid level of the chemical liquid in the collection unit when the chemical liquid is collected. As a result, when the chemical solution is collected by the recovery unit, the chemical solution that adheres to the recovery unit at a height that is less than or equal to the liquid level of the chemical solution in the recovery unit is recovered at a liquid level higher than the liquid level of the chemical solution. It is washed away with pure water collected. Moreover, since the last process performed with a processing tank is a pure water washing process, a recovery part will collect | recover pure water finally. Therefore, in the sealed chamber, the chemical liquid does not remain and remains in the collecting portion, which is the only member touched by the chemical liquid overflowing from the upper part of the processing tank. As a result, the vaporized chemical liquid does not drift in the sealed chamber, and the chemical liquid can be prevented from re-adhering to the substrate. The generation of particles due to contact with each other is eliminated, and contamination of the substrate can be prevented.
[0018]
(Delete)
[0019]
(Delete)
[0020]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing the overall configuration of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan view showing the configuration of a processing tank, and FIG. 3 is a main part of the apparatus of the first embodiment. It is an expanded sectional view.
[0021]
The substrate processing apparatus according to the first embodiment is configured such that a
[0022]
A treatment
[0023]
A
[0024]
The
[0025]
In addition, a liquid
[0026]
A
[0027]
The sealed
[0028]
In the sealed
[0029]
An
[0030]
A
[0031]
The
[0032]
The liquid level control of the chemical solution or pure water recovered in the
[0033]
Further, the
[0034]
Next, the cleaning / drying process performed by the first embodiment apparatus having the above-described configuration will be described with reference to the time charts shown in FIGS.
[0035]
In addition, each code | symbol in FIG. 4, FIG. 5 is as follows.
MQP: Chemical solution treatment.
DWP: pure water cleaning treatment.
DP: Drying process.
CP (DW / MQ): A process of replacing the liquid in the
CP (MQ / DW): A process of replacing the liquid in the
T1: CP (DW / MQ) start timing (start timing for switching the liquid supplied into the
T2: CP (DW / MQ) completion timing (MQP start timing).
T3: CP (MQ / DW) start timing (start timing for switching the liquid supplied into the
T4: CP (MQ / DW) completion timing (DWP start timing).
t1: Time required for CP (DW / MQ).
t2: Time required for CP (MQ / DW).
t3: Time required for the liquid level in the
t4: Time required for the liquid level in the
[0036]
Each of the
[0037]
In the cleaning / drying process, first, the
[0038]
Next, pure water is supplied from the treatment
[0039]
At this time, the pure water overflowing from the upper part of the
[0040]
In this way, the pure water is supplied from the processing
[0041]
During the replacement of the pure water with the chemical solution, a liquid in which the chemical solution is gradually mixed with the pure water overflows from the upper portion of the
[0042]
At this time, the
[0043]
When a predetermined chemical processing time elapses, the liquid supplied from the processing
[0044]
During the replacement of the chemical solution with pure water, the liquid that is gradually diluted with pure water overflows from the upper part of the
[0045]
In the
[0046]
When the pure water cleaning process time for the last pure water cleaning process elapses, the
[0047]
When the inside of the sealed
[0048]
If the supply of pure water into the
[0049]
As described above, according to the apparatus of the first embodiment, when processing is performed in the
[0050]
Since the chemical liquid does not flow into the
[0051]
Further, as shown in FIG. 6B, if the liquid level in the
[0052]
Further, when the chemical solution adhering to the inner wall surface of the
[0053]
Further, the liquid level MQL of the chemical liquid recovered in the
[0054]
Further, as shown in FIGS. 8 and 9, at the final stage of maintaining the liquid level of the chemical in the
[0055]
In addition, you may control the liquid level level of these
[0056]
next,According to reference examplesThe configuration of the apparatus will be described with reference to FIG. FIG.Reference exampleIt is a longitudinal cross-sectional view which shows the whole structure of the substrate processing apparatus which concerns on this.
[0057]
thisAccording to reference examplesThe apparatus omits the liquid level control of the liquid in the
[0058]
A pure
[0059]
Further, considering that pure water from the
[0060]
Further, the liquid discharged from the
[0061]
thisAccording to reference examplesThe overall operation of the cleaning / drying process by the apparatus is the same as the operation described in the first embodiment. However, thisAccording to reference examplesIn the apparatus, instead of the liquid level control of the liquid in the
[0062]
The cleaning process of the inner wall surface of the
[0063]
The
[0064]
Like thisAccording to reference examplesAccording to the apparatus, the inner wall surface of the
[0065]
As shown in FIG. 11, the features of the first embodiment andReference exampleThe liquid level control of the liquid in the
[0066]
Further, in each of the above-described embodiments and modifications thereof, the
[0067]
【The invention's effect】
As is apparent from the above description, the claims1According to the described invention, the liquid overflowing from the upper part of the treatment tank is received and collected by the collection unit and is discharged outside the sealed chamber, so that the liquid overflowed from the upper part of the treatment tank in the sealed chamber. The member which a chemical solution touches can be limited to a collection part.
[0068]
And in invention of
[0069]
(Delete)
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing an overall configuration of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a plan view showing a configuration of a processing tank.
FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of a main part of the apparatus according to the first embodiment.
FIG. 4 is a time chart showing liquid level control of the liquid in the overflow tank by the first embodiment device.
FIG. 5 is a time chart continued from FIG. 4;
FIG. 6 is a time chart showing a modification of the liquid level control of the liquid in the overflow tank by the first embodiment.
FIG. 7 is a time chart showing another modification of the liquid level control of the liquid in the overflow tank by the first embodiment.
FIG. 8 is a time chart showing still another modified example of the liquid level control of the liquid in the overflow tank by the first embodiment.
FIG. 9 is a time chart continued from FIG. 8;
FIG. 10Reference exampleIt is a longitudinal cross-sectional view which shows the whole structure of the substrate processing apparatus which concerns on this.
FIG. 11 shows the features of the first embodiment.Reference exampleIt is a longitudinal cross-sectional view which shows the whole structure of the modification which comprised both of these characteristics.
FIG. 12 is a longitudinal cross-sectional view showing a main configuration of a modified example of the processing tank, and a cross-sectional view showing configurations of a processing liquid injection pipe and an outer pipe.
FIG. 13 is a longitudinal sectional view showing an overall configuration of a conventional apparatus.
[Explanation of symbols]
1: Treatment tank
2: Sealed chamber
3: Drying treatment space
4: Treatment liquid injection tube
6: Treatment liquid supply unit
8: Overflow tank
10: Drainage drain
20: Flow control valve
21: Liquid level detection sensor
60: Controller
70: Shower nozzle
W: Substrate
MQL: Liquid level of the chemical in the overflow tank when collecting the chemical in the overflow tank
DWL: Level of pure water in the overflow tank when pure water is collected in the overflow tank
Claims (1)
前記処理槽の上部から溢れ出た液を受け止めて回収する回収部と、
前記回収部で回収した液を前記密閉チャンバ外に排出する配管と、
前記配管に設けられ、前記回収部から排出させた液量を調節する流量調節弁と、
前記回収部内の薬液を所定の液面レベルにさせつつ前記回収部で薬液を回収させ、前記回収部で薬液を回収した後に前記回収部で純水を回収する際、所定期間の間、前記回収部で回収する純水の前記回収部内の液面レベルを、前記回収部で薬液を回収するときの前記回収部内の薬液の液面レベルよりも高くするように、前記流量調節弁を制御する液面レベル制御手段と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。A processing tank configured to be able to selectively switch and supply chemical liquid and pure water from the bottom of the tank is housed in a sealed chamber, and performs chemical liquid processing and pure water cleaning processing on the substrate in the processing tank, and the processing tank In the substrate processing apparatus for performing a drying process for drying the substrate in the sealed chamber after the pure water cleaning process in
A collection unit that receives and collects liquid overflowing from the upper part of the treatment tank;
A pipe for discharging the liquid recovered by the recovery unit to the outside of the sealed chamber;
A flow rate adjusting valve provided in the pipe for adjusting the amount of liquid discharged from the recovery unit;
The recovery unit collects the chemical solution while keeping the chemical solution in the recovery unit at a predetermined liquid level, and collects the chemical solution in the recovery unit and then collects pure water in the recovery unit for a predetermined period. A liquid that controls the flow rate control valve so that the liquid level in the recovery part of pure water recovered by the part is higher than the liquid level of the chemical liquid in the recovery part when the chemical liquid is recovered by the recovery part Surface level control means;
A substrate processing apparatus comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30167997A JP3625017B2 (en) | 1997-11-04 | 1997-11-04 | Substrate processing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30167997A JP3625017B2 (en) | 1997-11-04 | 1997-11-04 | Substrate processing equipment |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11145100A JPH11145100A (en) | 1999-05-28 |
JP3625017B2 true JP3625017B2 (en) | 2005-03-02 |
Family
ID=17899837
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30167997A Expired - Fee Related JP3625017B2 (en) | 1997-11-04 | 1997-11-04 | Substrate processing equipment |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3625017B2 (en) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100437921C (en) * | 2005-03-31 | 2008-11-26 | 弘塑科技股份有限公司 | Wafer cleaning and drying apparatus |
JP2008166709A (en) * | 2006-12-05 | 2008-07-17 | Ebara Corp | Substrate polishing device and substrate polishing equipment |
JP5268462B2 (en) * | 2008-07-15 | 2013-08-21 | 新オオツカ株式会社 | Processing object cleaning equipment |
JP5268463B2 (en) * | 2008-07-15 | 2013-08-21 | 新オオツカ株式会社 | Processing object cleaning equipment |
JP7040849B2 (en) * | 2017-09-15 | 2022-03-23 | 株式会社Screenホールディングス | Board processing device, board processing method and control method of board processing device |
KR102099267B1 (en) * | 2019-03-05 | 2020-05-06 | 주식회사 유닉 | Apparatus for cleaning and drying substrate |
-
1997
- 1997-11-04 JP JP30167997A patent/JP3625017B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH11145100A (en) | 1999-05-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6109278A (en) | Liquid treatment method and apparatus | |
KR100335322B1 (en) | Processing method such as semiconductor wafer and processing device therefor | |
TWI258170B (en) | Substrate processing equipment, substrate processing method and recording medium | |
JPH10226896A (en) | Plating treatment device and plating treatment | |
KR100852290B1 (en) | Substrate treating apparatus | |
JP4749173B2 (en) | Substrate processing equipment | |
TW202013491A (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP3625017B2 (en) | Substrate processing equipment | |
JP2003124180A (en) | Substrate processor | |
JP4215900B2 (en) | Wet processing nozzle device and wet processing device | |
JP2005522020A (en) | Capillary drying of substrate | |
JP4849958B2 (en) | Substrate processing unit and substrate processing method | |
US20020129838A1 (en) | Substrate aspiration assembly | |
KR20080009838A (en) | Apparatus and method for treating substrate | |
KR100598914B1 (en) | System and method for recycling chemical, and apparatus for treating a substrate using the system | |
JP4859703B2 (en) | Substrate processing equipment | |
JP3321726B2 (en) | Cleaning treatment method and apparatus | |
JPH10308377A (en) | Drying of substrate surface | |
JP4891168B2 (en) | Substrate processing equipment | |
JPH10308378A (en) | Drying of substrate surface | |
JP2002289575A (en) | Substrate treating method and its equipment | |
JP4421967B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP3681916B2 (en) | Substrate cleaning device | |
JP3891776B2 (en) | Substrate processing equipment | |
JP2013149666A (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040322 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040330 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040528 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041124 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041124 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071210 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081210 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081210 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091210 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091210 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091210 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101210 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101210 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111210 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111210 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121210 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121210 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121210 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131210 Year of fee payment: 9 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |