JP3625017B2 - Substrate processing equipment - Google Patents

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JP3625017B2
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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、槽下部から薬液と純水とを選択的に切換え供給可能に構成された処理槽が密閉チャンバ内に収容され、この処理槽で基板に、エッチングや薬液洗浄などの薬液処理と、純水洗浄処理とを行うとともに、処理槽での純水洗浄処理の後、密閉チャンバ内で基板を乾燥させる乾燥処理を行う基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来のこの種の基板処理装置は、図13に示すように、基板Wに薬液処理と純水洗浄処理とを行う処理槽100が密閉チャンバ101内に収容されて構成されている。密閉チャンバ101内の処理槽100の上部には基板Wに乾燥処理を行うための乾燥処理空間102が設けられている。
【0003】
処理槽100の下部には、処理液注入管103が取り付けられている。この処理液注入管103には、配管104を介して処理液供給部105が接続されている。処理液供給部105は、処理液注入管103に対して薬液と純水とを選択的に切換え供給可能に構成されている。これにより、処理槽100には、槽下部の処理液注入管103から薬液と純水とが選択的に切換え供給される。
【0004】
また、槽下部から供給され、槽上部から溢れ出た液(薬液や純水)は、密閉チャンバ101内に流され、密閉チャンバ101の底部に設けられた排液・排気口106から、開閉弁107が介装された配管108を介して排液ドレイン109に排出されるようになっている。処理槽100の底部には排液口110が設けられている。この排液口110は、開閉弁111を介装した配管112を介して排液ドレイン109に接続されており、開閉弁111を開に切り換えることで、処理槽100内の液を処理槽100の底部から排出できるように構成されている。
【0005】
密閉チャンバ101内には、有機溶剤などを噴出するノズル113が設けられている。また、排液・排気口106は、開閉弁114を介装した配管115を介して真空吸引源116にも接続され、密閉チャンバ101内の気体を吸引して密閉チャンバ101内を減圧可能に構成している。
【0006】
また、密閉チャンバ101内には、複数枚の基板Wを所定の間隔で整列させて支持する昇降可能な基板支持部材117も設けられている。
【0007】
上記構成の従来装置による洗浄・乾燥処理は以下のように行われる。
処理液注入管103から処理槽100内に純水が供給されて、処理槽100内に純水が満たされるとともに、純水の上昇液流が形成されている中に、基板支持部材117に支持された基板Wが浸漬された状態(図13の実線の状態)で、処理液注入管103から処理槽100内に供給する液を純水から薬液(例えば、フッ酸)に切り換えて、処理槽100内に薬液の上昇液流を形成して処理槽100内の液を純水から薬液に置換し、薬液処理を行う。
【0008】
薬液処理を終えると、処理液注入管103から処理槽100内に純水を供給して、処理槽100内に純水の上昇液流を形成して処理槽100内の液を薬液から純水に置換し、純水洗浄処理を行う。
【0009】
処理槽100内では、上記薬液処理と純水洗浄処理が1回以上行われる。そして、最後の純水洗浄処理を終えると、ノズル113から密閉チャンバ101内に有機溶剤が噴出され、純水の上昇液流が形成されている状態で、基板支持部材117を上昇させ、処理槽100の純水内から基板Wを引き上げる。この基板Wの引き上げ中に、気液界面の純水中に有機溶剤が溶解し、基板Wの表面では液面から出る直前に純水の表面張力が低下し、ほどんど液切りした状態で基板Wは純水から引き上げられる。そして、図13の二点鎖線に示すように、密閉チャンバ101内の乾燥処理空間102に基板Wを位置させ、密閉チャンバ101内を減圧することで、基板Wの乾燥を促進させることができる。なお、密閉チャンバ101内を減圧する際には、減圧に先立ち、処理液注入管103から処理槽100内への純水の供給を停止するとともに、開閉弁111を開に切り換えて、処理槽100内の純水を処理槽100の底部から排液ドレイン109に排出する。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
従来装置において、処理槽100の上部から液(純水や薬液)が溢れ出ているときには、開閉弁107が開に切り換えられていて、処理槽100の上部から密閉チャンバ101内に流された液は、密閉チャンバ101の底部の排液・排気口106から排液ドレイン109に排出させているが、密閉チャンバ101内に流された液、特に、薬液が密閉チャンバ101の内壁面に付着して残留することは避けられない。
【0011】
その結果、密閉チャンバ101の内壁面に付着残留した薬液が気化して密閉チャンバ101内に漂い、乾燥処理中の基板Wに薬液が再付着し、洗浄・乾燥処理の仕上がりの清浄度が低下するという問題があった。例えば、基板Wとしてのシリコンウエハに対して、薬液としてフッ酸を用いた薬液処理を行う装置では、乾燥処理中にシリコンウエハにフッ酸が再付着して、その後シリコンウエハが酸化されることになる。特に、乾燥処理時に密閉チャンバ101内を減圧する場合には、密閉チャンバ101の内壁面に付着残留した薬液が一層気化し易く、基板Wへの薬液の再付着が一層起き易かった。
【0012】
また、複数種類の薬液を用いた薬液処理を行う装置では、処理槽100の上部から密閉チャンバ101内に各種の薬液が次々に流されるので、密閉チャンバ101の内壁面に付着残留している薬液と、その後に処理槽100の上部から密閉チャンバ101内に流された別の種類の薬液とが接触することも起こり得る。その結果、各種の薬液が密閉チャンバ101内で化学反応を起こし、それに起因してパーティクルが生成され、密閉チャンバ101内の基板Wを汚染するという問題もあった。
【0013】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、密閉チャンバ内での基板への薬液の再付着や基板の汚染を防止し得る基板処理装置を提供することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項1に記載の発明は、槽下部から薬液と純水とを選択的に切換え供給可能に構成された処理槽が密閉チャンバ内に収容され、前記処理槽で基板に薬液処理と純水洗浄処理とを行うとともに、前記処理槽での純水洗浄処理の後、前記密閉チャンバ内で基板を乾燥させる乾燥処理を行う基板処理装置において、前記処理槽の上部から溢れ出た液を受け止めて回収する回収部と、前記回収部で回収した液を前記密閉チャンバ外に排出する配管と、前記配管に設けられ、前記回収部から排出させた液量を調節する流量調節弁と、前記回収部内の薬液を所定の液面レベルにさせつつ前記回収部で薬液を回収させ、前記回収部で薬液を回収した後に前記回収部で純水を回収する際、所定期間の間、前記回収部で回収する純水の前記回収部内の液面レベルを、前記回収部で薬液を回収するときの前記回収部内の薬液の液面レベルよりも高くするように、前記流量調節弁を制御する液面レベル制御手段と、を備えたものである。
【0015】
(削除)
【0016】
【作用】
請求項1に記載の発明の作用は次のとおりである。
処理槽内で処理を行う際、処理槽の下部から供給され、処理槽の上部から溢れ出た液(純水や薬液)は、回収部で受け止めて回収され、配管により密閉チャンバ外に排出される。従って、密閉チャンバ内において、処理槽の上部から溢れ出た薬液が触れるのは回収部に限られる。
【0017】
処理槽では薬液処理の後に純水洗浄処理が行われるので、回収部では薬液を回収した後、純水を回収することになる。そして、液面レベル制御手段は、回収部で薬液を回収した後に回収部で純水を回収する際、所定期間の間、回収部で回収する純水の回収部内の液面レベルを、回収部で薬液を回収するときの回収部内の薬液の液面レベルよりも高くするように制御する。これにより、回収部で薬液を回収したときに、回収部内の薬液の液面レベルに応じた高さ以下で回収部に付着した薬液は、薬液の液面レベルよりも高い液面レベルで回収部に回収される純水によって洗い流される。また、処理槽で行う最後の処理は純水洗浄処理であるので、回収部では最終的に純水を回収することになる。従って、密閉チャンバ内において、処理槽の上部から溢れ出た薬液が触れる唯一の部材である回収部に薬液が付着したまま放置されて残留することがない。その結果、気化した薬液が密閉チャンバ内に漂うようなことがなくなり、基板への薬液の再付着を防止することができ、また、各種の薬液が回収部で接触することもなく、各種の薬液が接触することに起因するパーティクルの生成もなくなり、基板の汚染を防止することもできる。
【0018】
(削除)
【0019】
(削除)
【0020】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
図1は本発明の第1実施形態に係る基板処理装置の全体構成を示す縦断面図であり、図2は処理槽の構成を示す平面図、図3は第1実施形態装置の要部の拡大断面図である。
【0021】
この第1実施形態に係る基板処理装置は、基板Wに薬液処理と純水洗浄処理とを行う処理槽1が密閉チャンバ2内に収容されて構成されている。密閉チャンバ2内の処理槽1の上部には基板Wに乾燥処理を行うための乾燥処理空間3が設けられている。
【0022】
処理槽1の下部には、処理液注入管4が取り付けられている。処理液注入管4は、先端部が閉塞され、側面に多数の処理液噴出孔4aが並設されていて、基端部4bから導入される液を各処理液噴出孔4aから噴出するように構成されている。これら処理液噴出孔4aが処理槽1内に臨むように、処理液注入管4が処理槽1に取り付けられている。処理液注入管4の基端部4bには、配管5を介して処理液供給部6が接続されている。処理液供給部6は、処理液注入管4の基端部4bに対して純水と1種類以上の薬液とを選択的に切換え供給可能に構成されている。これにより、処理槽1には、槽下部の処理液注入管4の各処理液噴出孔4aから薬液と純水とを選択的に切換えて噴出供給されるようになっている。
【0023】
処理槽1の外周上部には、底面と側面とが形成された部材7が接合させていて、この部材7と処理槽1の外周壁1aとが共働して、処理槽1の上部から溢れ出た液(薬液や純水)を受け止めて回収する回収部としてのオーバーフロー槽8が形成されている。オーバーフロー槽8の底部には図示しない排出口が設けられ、この排出口が配管9を介して密閉チャンバ2外の排液ドレイン10に接続され、オーバーフロー槽8で回収した液を密閉チャンバ2外の排液ドレイン10に排出できるように構成されている。なお、配管9、排液ドレイン10が本発明における排出手段を構成する。
【0024】
配管9には、オーバーフロー槽8から排出する液量を適宜に調節する流量調節弁20が介装されている。この流量調節弁20としては、例えば、本出願人の提案による実願平3−93634号公報に開示された圧縮エアで作動する弁や、適宜の電磁式の流量調節弁などを用いることができる。
【0025】
また、オーバーフロー槽8近辺には、オーバーフロー槽8内の液の液面高さを検出する液面検出センサ21が付設されている。この液面検出センサ21は、不活性ガス噴出管22と微圧計23とで構成される。不活性ガス噴出管22はその先端部がオーバーフロー槽8内に導入されている。微圧計23は、微小量の窒素ガスなどの不活性ガスを不活性ガス噴出管22に供給し、不活性ガス噴出管22の先端から不活性ガスの泡を排出させ、このときの不活性ガス噴出管22からの不活性ガスの排出圧を検出することによって、オーバーフロー槽8内の現在の液(薬液や純水)の液面レベルを検出するように構成されている。
【0026】
処理槽1の底部には排液口11が設けられている。この排液口11は、開閉弁12を介装した配管13を介して排液ドレイン10に接続されており、開閉弁12を開に切り換えることで、処理槽1内の液を処理槽1の底部から排出できるように構成されている。
【0027】
密閉チャンバ2は、本体部2aと、本体部2aに対して開閉自在に構成された蓋部2bとで構成されている。本体部2aに対して蓋部2bが開かれた状態で、密閉チャンバ2(本体部2a)内に対して基板Wの出し入れが行われ、本体部2aに対して蓋部2bが閉じられたときに、密閉チャンバ2内が密閉状態になるように構成されている。
【0028】
密閉チャンバ2内には、IPA(イソプロピールアルコール)などの有機溶剤と、窒素ガスなどの不活性ガスとを噴出するノズル30が設けられている。ノズル30には、配管31を介して不活性ガス・有機溶剤供給部32が接続されている。不活性ガス・有機溶剤供給部32は、加熱して蒸気化した有機溶剤を窒素ガスなどの不活性ガスをキャリアとしてノズル30に供給するとともに、キャリアとして用いた不活性ガスのみをノズル30に供給可能に構成されていて、ノズル30から密閉チャンバ2内に有機溶剤と不活性ガスとを選択的に切り換え供給できるように構成されている。
【0029】
密閉チャンバ2の底部には、排気口40が設けられている。この排気口40は、開閉弁41を介装した配管42を介して真空吸引源43に接続され、密閉チャンバ2内の気体を吸引して密閉チャンバ2内を減圧可能に構成している。
【0030】
密閉チャンバ2内には、複数枚の基板Wを所定の間隔で整列させて支持する基板支持部材50が設けられている。基板支持部材50は、連結部材51を介してエアシリンダなどを駆動源とする昇降機構52に連結され、昇降機構52によって昇降可能に構成されている。
【0031】
コントローラ60は、処理液供給部6から処理液注入管4への薬液と純水との切り換え供給と、薬液及び純水の供給停止の制御(処理槽1への薬液、純水の供給制御)、有機溶剤供給部32からノズル30への有機溶剤と不活性ガスとの切り換え供給と、有機溶剤及び不活性ガスの供給停止の制御(密閉チャンバ2内への有機溶剤、不活性ガスの供給制御)や、各開閉弁12、41の開閉制御、基板支持部材50の昇降制御、オーバーフロー槽8で回収する薬液や純水の液面レベル制御などの装置全体の制御を行い、後述する洗浄・乾燥処理を実施する。
【0032】
オーバーフロー槽8で回収する薬液や純水の液面レベル制御は、液面検出センサ21からの検出データに基づき、流量調節弁20を制御してオーバーフロー槽8から排出する液量を調節しながら、後述するように、オーバーフロー槽8で薬液を回収した後にオーバーフロー槽8で純水を回収する際、所定期間の間、オーバーフロー槽8で回収する純水のオーバーフロー槽8内の液面レベルをDWLに維持して、オーバーフロー槽8で薬液を回収するときのオーバーフロー槽8内の薬液の液面レベルMQLよりも高くするように制御するものである。
【0033】
また、コントローラ60は、タイマー61を内蔵していて、薬液処理や純水洗浄処理、乾燥処理、オーバーフロー槽8内の液の液面レベルの変更の際のタイミング制御などを時間で管理するようにしている。
【0034】
次に、上記構成の第1実施形態装置による洗浄・乾燥処理を、図4、図5に示すタイムチャートを参照して説明する。
【0035】
なお、図4、図5内の各符号は以下のとおりである。
MQP:薬液処理。
DWP:純水洗浄処理。
DP:乾燥処理。
CP(DW/MQ):処理槽1内の液を純水から薬液に置換する処理。
CP(MQ/DW):処理槽1内の液を薬液から純水に置換する処理。
T1:CP(DW/MQ)の開始タイミング(処理槽1内に供給する液を純水から薬液に切り換える開始タイミング)。
T2:CP(DW/MQ)の完了タイミング(MQPの開始タイミング)。
T3:CP(MQ/DW)の開始タイミング(処理槽1内に供給する液を薬液から純水に切り換える開始タイミング)。
T4:CP(MQ/DW)の完了タイミング(DWPの開始タイミング)。
t1:CP(DW/MQ)に要する時間。
t2:CP(MQ/DW)に要する時間。
t3:オーバーフロー槽8内の液の液面レベルをDWLからMQLに下降するのに要する時間。
t4:オーバーフロー槽8内の液の液面レベルを0レベルからMQLに上昇するのに要する時間。
【0036】
上記各時間1、t2、t3、t4は、予め実験的に求めておくことができる。従って、コントローラ60は、タイマー61を用いて、T1とt1とに基づきT2を把握することができ、T3とt2とに基づきT4を把握することができ、t3に基づき、T1を基準としてオーバーフロー槽8内の液の液面レベルをDWLからMQLに下降する制御の開始を決めることができる。
【0037】
洗浄・乾燥処理は、まず、密閉チャンバ2の蓋部2bが開かれ、図示しない基板搬送装置から、乾燥処理位置3に上昇している基板支持部材50に複数枚の基板Wが引き渡され、基板Wの受渡しが終わると蓋部2bが閉じられる。
【0038】
次に、処理液注入管4から処理槽1内に純水が供給されて、処理槽1内に純水が満たされるとともに、処理槽1内に純水の上昇液流が形成された状態で、基板支持部材50が下降され、純水の上昇液流中に、基板Wが基板支持部材50とともに浸漬される。または、基板支持部材50が下降され、基板支持部材50とともに基板Wが処理槽1内に入れられた後、処理液注入管4から処理槽1内に純水が供給されて、処理槽1内に純水が満たされるとともに、処理槽1内に純水の上昇液流が形成される。
【0039】
なお、このとき、処理槽1の上部から溢れ出る純水はオーバーフロー槽8で受け止められて回収され、排液ドレイン10に排出される。また、このとき、コントローラ60は、オーバーフロー槽8で回収する純水がオーバーフロー槽8から溢れ出ないように制御すればよく、液面レベルをDWLに維持するように制御しても、MQLに維持するように制御しても、あるいは、回収する純水がオーバーフロー槽8から溢れ出ない適宜の液面レベルに維持するように制御してもよい。さらに、回収する純水を0レベル、すなわち、処理槽1の上部から溢れ出てオーバーフロー槽8に流れ込む純水の流入液量よりも、オーバーフロー槽8から排出する純水の排出液量を多くするように調節し、オーバーフロー槽8に純水が溜まらずに、オーバーフロー槽8に流れ込む純水が次々にオーバーフロー槽8から排出される液面レベルに維持するように制御してもよい。
【0040】
このようにして処理液注入管4から処理槽1内に純水が供給されて、処理槽1内に純水が満たされるとともに、純水の上昇液流が形成されている中に、基板支持部材50に支持された基板Wが浸漬された状態(図1の実線の状態)で、処理液注入管4から処理槽1内に供給する液を純水から薬液(例えば、フッ酸)に切り換えて、処理槽1内に薬液の上昇液流を形成して処理槽1内の液を純水から薬液に置換し、薬液処理を行う。
【0041】
上記純水から薬液への置換の間、処理槽1の上部からは純水に薬液が序々に混ざった液が溢れ出るが、この液もオーバーフロー槽8で受け止められて回収され、排液ドレイン10に排出される。また、薬液処理中、処理液注入管4から処理槽1内への薬液の供給が継続されて、新たな薬液を処理槽1の下部から供給し、処理後の薬液を処理槽1の上部から溢れ出させて処理槽1内の薬液を入れ換えながら薬液処理を行うので、この薬液処理中に処理槽1の上部から薬液が溢れ出ているが、この薬液もオーバーフロー槽8で受け止められて回収され、排液ドレイン10に排出される。
【0042】
このとき、コントローラ60は、上記純水から薬液への置換の開始(T1)のときに、オーバーフロー槽8内の液の液面レベルがMQLに下降されているように制御する。例えば、処理液注入管4から処理槽1内に純水が供給されて、処理槽1内に純水が満たされるとともに、処理槽1内に純水の上昇液流が形成された状態におけるオーバーフロー槽8内の純水の液面レベルがDWLに維持されていた場合には、T1より(t3+α)(αは0秒以上の適宜の時間)だけ早いタイミングでオーバーフロー槽8内の純水の液面レベルをDWLからMQLに下降する制御を開始する。また、オーバーフロー槽8内の純水の液面レベルが0レベルに維持されていた場合には、T1より(t4+α)だけ早いタイミングでオーバーフロー槽8内の純水の液面レベルを0レベルからMQLに上昇する制御を開始する。このように制御することで、オーバーフロー槽8で薬液を回収するときに、オーバーフロー槽8内の液の液面レベルがMQLになっており、オーバーフロー槽8内の液の液面レベルをMQLとした状態で、オーバーフロー槽8で薬液を回収することができる。以後、コントローラ60は、純水から薬液への置換、薬液処理、薬液から純水への置換の間、オーバーフロー槽8内の液(オーバーフロー槽8で回収する薬液)の液面レベルをMQLに維持するように制御する。
【0043】
所定の薬液処理時間が経過すると、処理液注入管4から処理槽1内に供給する液を薬液から純水に切り換えて、処理槽1内に純水の上昇液流を形成して処理槽1内の液を薬液から純水に置換し、純水洗浄処理(基板Wに付着した薬液を洗い流す洗浄処理)を所定の純水洗浄時間の間行う。
【0044】
上記薬液から純水への置換の間、処理槽1の上部からは薬液が純水で序々に希釈される液が溢れ出るが、この液も液面レベルがMQLに維持された状態で、オーバーフロー槽8で受け止められて回収され、排液ドレイン10に排出される。また、純水洗浄処理中、処理液注入管4から処理槽1内への純水の供給が継続されるので、純水洗浄処理中、処理槽1の上部から純水が溢れ出ているが、この純水もオーバーフロー槽8で受け止められて回収され、排液ドレイン10に排出される。コントローラ60は、上記薬液から純水への置換が完了したタイミング(T4)で、オーバーフロー槽8内の液の液面レベルをMQLからDWLに上昇する制御を開始し、以後、所定期間の間、オーバーフロー槽8内の液の液面レベルをDWLに維持するように制御する。薬液から純水への置換が完了した段階で、処理槽1の上部からオーバーフロー槽8に流れ込む液は純水のみとなっている。従って、上記のように液面レベルを制御することで、オーバーフロー槽8で薬液を回収した後にオーバーフロー槽8で純水を回収する際、所定期間の間、オーバーフロー槽8で回収する純水のオーバーフロー槽8内の液面レベルをDWLに維持して、オーバーフロー槽8で薬液を回収するときのオーバーフロー槽8内の薬液の液面レベルMQLよりも高くでき、オーバーフロー槽8で薬液を回収したときに、オーバーフロー槽8内の薬液の液面レベルMQLに応じた高さ以下でオーバーフロー槽8の内壁面に付着した薬液を、薬液の液面レベルMQLよりも高い液面レベルDWLでオーバーフロー槽8に回収される純水によって洗い流すことができる。
【0045】
処理槽1内では、上記薬液処理と純水洗浄処理が1回以上行われる。薬液処理と純水洗浄処理を2回以上行う場合でも、薬液処理、純水洗浄処理、薬液処理、純水洗浄処理、…というように、薬液処理、純水洗浄処理とを繰り返して行う。2回目以降の薬液処理を開始する時点では、前の純水洗浄処理で、処理液注入管4から処理槽1内に純水が供給されて、処理槽1内に純水が満たされるとともに、純水の上昇液流が形成されており、最初の薬液処理の開始時点と同様の状態であるので、2回目以降の各回の薬液処理と純水洗浄処理も上記で説明したのと同様の制御で行われる。なお、純水洗浄処理時は、オーバーフロー槽8内の純水の液面レベルをDWLに維持しているので、2回目以降の純水から薬液への置換においては、その置換の開始(T1)より(t3+α)だけ早いタイミングでオーバーフロー槽8内の純水の液面レベルをDWLからMQLに下降する制御を開始する。また、薬液処理と純水洗浄処理を2回以上行う場合で、各回の薬液処理に異なる種類の薬液を用いるときには、各回の薬液処理に用いられる薬液が処理液供給部6から処理液注入管4に供給される。
【0046】
そして、最後の純水洗浄処理に対する純水洗浄処理時間が経過すると、ノズル30から密閉チャンバ2内に有機溶剤を供給し、純水の上昇液流が形成されている状態で、基板支持部材50を上昇させ、処理槽1の純水内から基板Wを引き上げる。この基板Wの引き上げ中に、気液界面の純水中に有機溶剤が溶解し、基板Wの表面では液面から出る直前に純水の表面張力が低下し、ほどんど液切りした状態で基板Wは純水から引き上げられる。そして、図1の二点鎖線に示すように、密閉チャンバ2内の乾燥処理空間3に基板Wを位置させ基板Wを乾燥させる。このとき、開閉弁41を開にして密閉チャンバ2内を減圧することで、基板Wの乾燥を促進することができる。なお、密閉チャンバ2内を減圧する際には、減圧に先立ち、処理液注入管4から処理槽1内への純水の供給を停止するとともに、開閉弁12を開に切り換えて、処理槽1内の純水を処理槽1の底部から排液ドレイン10に排出し、処理槽1内の純水の排出を終えると開閉弁12を閉に切り換える。また、処理液注入管4から処理槽1内への純水の供給を停止した後は、処理槽1の上部からオーバーフロー槽8内に純水が流れ込まないので、コントローラ60はオーバーフロー槽8内の純水の液面レベルの制御を行わない。これによって、オーバーフロー槽8内の純水は全て排液ドレイン10に排出される。なお、密閉チャンバ2内を減圧する間、密閉チャンバ2内からの気体の排気量よりも少ない供給量でノズル30から不活性ガスを密閉チャンバ2内に供給するようにしてもよい。
【0047】
所定の乾燥処理時間の経過後、密閉チャンバ2内を減圧したときには、開閉弁41を閉にするとともに、ノズル30から不活性ガスを密閉チャンバ2内に供給して、密閉チャンバ2内を常圧に戻す。そして、密閉チャンバ2の蓋部2bが開かれ、図示しない基板搬送装置によって、乾燥処理位置3に上昇している基板支持部材50に支持されている洗浄・乾燥処理済の複数枚の基板Wが取り出される。以後、同様の処理が切り返されて、1群の基板Wに次々と洗浄・乾燥処理が行われる。
【0048】
なお、乾燥処理時に密閉チャンバ2内を減圧せずに処理槽1内への純水の供給を継続する場合には、乾燥処理中もオーバーフロー槽8内の純水の液面レベルをDWLに維持するようにしてもよい。また、図4、図5では、薬液処理と純水洗浄処理を2回以上行う場合を示しているが、薬液処理と純水洗浄処理を1回だけ行う場合は、最初の純水洗浄処理を最後の純水洗浄処理として制御する。
【0049】
上述したように、この第1実施形態装置によれば、処理槽1内で処理を行う際、処理槽1の下部から供給され、処理槽1の上部から溢れ出た液(純水や薬液)は、オーバーフロー槽8で受け止めて回収され、密閉チャンバ2外の排液ドレイン10に排出される。従って、密閉チャンバ2内において、処理槽1の上部から溢れ出た薬液が触れるのはオーバーフロー槽8の内壁面に限られる。そして、コントローラ60は、オーバーフロー槽8で薬液を回収した後にオーバーフロー槽8で純水を回収する際、所定期間の間、オーバーフロー槽8で回収する純水のオーバーフロー槽8内の液面レベルを、オーバーフロー槽8で薬液を回収するときのオーバーフロー槽8内の薬液の液面レベルよりも高くするように制御するので、オーバーフロー槽8で薬液を回収したときに、オーバーフロー槽8の内壁面に付着した薬液は、オーバーフロー槽8に回収される純水で洗い流すことができ、密閉チャンバ2内において、処理槽1の上部から溢れ出た薬液が触れる唯一の部材であるオーバーフロー槽8に薬液が付着したまま放置されて残留することがない。従って、気化した薬液が密閉チャンバ2内に漂うようなことがなくなり、乾燥処理時に密閉チャンバ2内の減圧を行うか否かにかかわらず、基板Wへの薬液の再付着を防止することができ、また、各種の薬液がオーバーフロー槽8内で接触することもなく、各種の薬液が接触することに起因するパーティクルの生成もなくなり、基板Wの汚染を防止することもできる。
【0050】
なお、純水から薬液への置換を開始してすぐに薬液がオーバーフロー槽8内に流れ込むわけではないので、オーバーフロー槽8内の純水の液面レベルをDWLからMQLに下降させる制御を上記図4、図5よりも遅いタイミングで開始するようにしてもよい。例えば、純水から薬液への置換の開始から薬液がオーバーフロー槽8内に流れ込むようになるまでの時間がt3よりも長い場合には、図6(a)に示すように、オーバーフロー槽8内の純水の液面レベルをDWLからMQLに下降させる制御をT1で開始するようにしてもよい。
【0051】
また、図6(b)に示すように、オーバーフロー槽8内の液の液面レベルをMQLからDWLに上昇された状態がT4よりも後であれば、オーバーフロー槽8の内壁面に付着する薬液の高さをDWL以下にすることができるので、オーバーフロー槽8内の液の液面レベルをMQLからDWLに上昇させる制御を、T4よりβ(ただし、0<β<t5)だけ早いタイミングで開始するようにしてもよい。なお、t5は、オーバーフロー槽8内の液の液面レベルをMQLからDWLに上昇するのに要する時間で、予め実験的に求めておくことができる。
【0052】
また、オーバーフロー槽8の内壁面に付着した薬液の洗い流しが比較的速やかに行える場合には、図7の各図に示すように、純水洗浄処理の一部の期間だけ、オーバーフロー槽8内の純水の液面レベルをDWLに維持するように制御してもよい。
【0053】
また、オーバーフロー槽8で回収する薬液の液面レベルMQLをOレベルに設定してもよい。
【0054】
また、図8、図9に示すように、図4、図5の制御でオーバーフロー槽8内の薬液の液面レベルをMQLに維持する最後の段階で、オーバーフロー槽8内の薬液の液面レベルを0レベルに調節するように制御したり、または/および、図5の制御でオーバーフロー槽8内の純水の液面レベルをDWLに維持する最後の段階で、オーバーフロー槽8内の純水の液面レベルをDWLよりもさらに高い液面レベルHLに調節するように制御してもよい。このように制御すれば、回収純水による薬液の洗い流しをより確実に行うことが期待できる。
【0055】
なお、これらのオーバーフロー槽8の液面レベル制御は、槽内の比抵抗値や薬液濃度によって制御してもよい。
【0056】
次に、参考例に係る装置の構成を図10を参照して説明する。図10は参考例に係る基板処理装置の全体構成を示す縦断面図である。
【0057】
この参考例に係る装置は、上記第1実施形態装置の流量調節弁20、液面検出センサ21と、コントローラ60によるオーバーフロー槽8内の液の液面レベル制御を省略し、それに代えて、密閉チャンバ2内に回収部洗浄手段としてのシャワーノズル70を設けて、シャワーノズル70からオーバーフロー槽8、特に、オーバーフロー槽8の内壁面に向けて洗浄液としての純水を噴出供給して、オーバーフロー槽8(の内壁面)を洗浄し、オーバーフロー槽8内に付着した薬液を、洗い流すように構成したことを特徴としている。
【0058】
シャワーノズル70には、配管71を介して純水供給部72が接続され、純水供給部72からシャワーノズル70への純水の供給とその停止の制御(オーバーフロー槽8への純水の噴出供給制御)はコントローラ60により行われるように構成している。
【0059】
また、シャワーノズル70からの純水が密閉チャンバ2の内壁面に噴射されることを考慮して、排気口40を、排液・排気口とし、この排液・排気口40を、開閉弁44が介装された配管45を介して排液ドレイン10にも接続し、シャワーノズル70から密閉チャンバ2の内壁面に噴射された純水を排液ドレイン10に排出できるように構成している。なお、シャワーノズル70から噴出される純水がオーバーフロー槽8の内壁面にのみ供給され、密閉チャンバ2の内壁面へ噴射されることがない場合には、開閉弁44、配管45を省略してもよい。
【0060】
また、処理槽1の上部から溢れ出てオーバーフロー槽8で回収される液(薬液や純水)がオーバーフロー槽8から溢れ出さないように、オーバーフロー槽8から排液ドレイン10に排出する液の排出液量が調節されている。
【0061】
この参考例に係る装置による洗浄・乾燥処理の全体的な動作は上記第1実施形態で説明した動作と同様である。ただし、この参考例に係る装置では、上記第1実施形態装置で行ったオーバーフロー槽8内の液の液面レベル制御に代えて、シャワーノズル70から噴出供給する純水によりオーバーフロー槽8の内壁面を洗浄する処理を行う。
【0062】
このシャワーノズル70からの純水によるオーバーフロー槽8の内壁面の洗浄処理は、例えば、各回の薬液処理と純水洗浄処理ごとに、薬液処理前の純水から薬液への置換を開始してから、薬液処理後の薬液から純水への置換が完了するまでの間(図4、図5のT1〜T4間)行うことで、各回の薬液処理に用いた薬液がオーバーフロー槽8で回収された後、その薬液がオーバーフロー槽8に付着残留することを防止できる。
【0063】
なお、コントローラ60は、最初にシャワーノズル70から純水の噴出供給を開始したときに、開閉弁44を開にして、シャワーノズル70から密閉チャンバ2の内壁面に噴射された純水を排液ドレイン10に排出できるようにする。
【0064】
このように、この参考例に係る装置によれば、オーバーフロー槽8の内壁面は、シャワーノズル70から噴出供給される純水で洗浄されるので、オーバーフロー槽8の内壁面に付着した薬液が完全に洗い流され、密閉チャンバ2内において、処理槽1の上部から溢れ出た薬液が触れる唯一の部材であるオーバーフロー槽8に薬液が付着したまま放置されて残留することを防止できる。従って、気化した薬液が密閉チャンバ2内に漂うようなことがなくなり、乾燥処理時に密閉チャンバ2内の減圧を行うか否かにかかわらず、基板Wへの薬液の再付着を防止することができ、また、各種の薬液がオーバーフロー槽8内で接触することもなく、各種の薬液が接触することに起因するパーティクルの生成もなくなり、基板Wの汚染を防止することもできる。
【0065】
なお、図11に示すように、上記第1実施形態の特徴と参考例の特徴の双方を具備して、上記第1実施形態で説明したオーバーフロー槽8内の液の液面レベル制御と、上記参考例で説明したシャワーノズル70からの純水によるオーバーフロー槽8の内壁面の洗浄とを組み合わせて、オーバーフロー槽8に付着する薬液の洗い流しを行うようにしてもよい。
【0066】
また、上記各実施形態やその変形例では、いわよるシングル管構造の処理液注入管4を取り付けた処理槽1を図示しているが、図12に示すように、側面に多数の処理液噴出孔80を並設した外管81を、処理液注入管4の外周にさらに配設して2重管構造に構成したものでも本発明は同様に適用できる。
【0067】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、請求項1に記載の発明によれば、処理槽の上部から溢れ出た液を回収部で受け止めて回収し、密閉チャンバ外に排出させるように構成したので、密閉チャンバ内において、処理槽の上部から溢れ出た薬液が触れる部材を回収部に限定することができる。
【0068】
そして、請求項1に記載の発明では、回収部で薬液を回収した後に回収部で純水を回収する際、所定期間の間、回収部で回収する純水の回収部内の液面レベルを、回収部で薬液を回収するときの回収部内の薬液の液面レベルよりも高くするように制御したので、薬液を回収したときに回収部に付着した薬液を、回収部で回収する純水で洗い流すことができ、回収部に薬液が付着したまま放置されて残留されることがない。従って、気化した薬液が密閉チャンバ内に漂うようなことがなくなり、基板への薬液の再付着を防止することができ、また、各種の薬液が回収部で接触することもなく、各種の薬液が接触することに起因するパーティクルの生成もなくなり、基板の汚染を防止することもできる。
【0069】
(削除)
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態に係る基板処理装置の全体構成を示す縦断面図である。
【図2】処理槽の構成を示す平面図である。
【図3】第1実施形態装置の要部の拡大断面図である。
【図4】第1実施形態装置によるオーバーフロー槽内の液の液面レベル制御を示すタイムチャートである。
【図5】図4の続きのタイムチャートである。
【図6】第1実施形態装置によるオーバーフロー槽内の液の液面レベル制御の変形例を示すタイムチャートである。
【図7】第1実施形態装置によるオーバーフロー槽内の液の液面レベル制御の別の変形例を示すタイムチャートである。
【図8】第1実施形態装置によるオーバーフロー槽内の液の液面レベル制御のさらに別の変形例を示すタイムチャートである。
【図9】図8の続きのタイムチャートである。
【図10】参考例に係る基板処理装置の全体構成を示す縦断面図である。
【図11】第1実施形態の特徴と参考例の特徴の両方を具備した変形例の全体構成を示す縦断面図である。
【図12】処理槽の変形例の要部構成を示す縦断面図と、処理液注入管及び外管の構成を示す横断面図である。
【図13】従来装置の全体構成を示す縦断面図である。
【符号の説明】
1:処理槽
2:密閉チャンバ
3:乾燥処理空間
4:処理液注入管
6:処理液供給部
8:オーバーフロー槽
10:排液ドレイン
20:流量調節弁
21:液面検出センサ
60:コントローラ
70:シャワーノズル
W:基板
MQL:オーバーフロー槽で薬液を回収するときのオーバーフロー槽内の薬液の液面レベル
DWL:オーバーフロー槽で純水を回収するときのオーバーフロー槽内の純水の液面レベル
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
In the present invention, a processing tank configured to be able to selectively switch and supply chemical and pure water from the bottom of the tank is housed in a sealed chamber, and in this processing tank, a substrate is subjected to chemical processing such as etching and chemical cleaning, The present invention relates to a substrate processing apparatus that performs a pure water cleaning process and performs a drying process for drying a substrate in a sealed chamber after the pure water cleaning process in a processing tank.
[0002]
[Prior art]
As shown in FIG. 13, a conventional substrate processing apparatus of this type is configured such that a processing tank 100 that performs chemical processing and pure water cleaning processing on a substrate W is housed in a sealed chamber 101. A drying processing space 102 for performing a drying process on the substrate W is provided above the processing tank 100 in the sealed chamber 101.
[0003]
A processing liquid injection tube 103 is attached to the lower part of the processing tank 100. A processing liquid supply unit 105 is connected to the processing liquid injection pipe 103 via a pipe 104. The processing liquid supply unit 105 is configured to be able to selectively switch and supply a chemical liquid and pure water to the processing liquid injection pipe 103. Thereby, the chemical solution and the pure water are selectively switched and supplied to the treatment tank 100 from the treatment liquid injection pipe 103 at the bottom of the tank.
[0004]
Further, a liquid (chemical solution or pure water) supplied from the lower part of the tank and overflowing from the upper part of the tank flows into the sealed chamber 101, and is opened and closed from a drain / exhaust port 106 provided at the bottom of the sealed chamber 101. The liquid is drained to the drainage drain 109 through the pipe 108 in which 107 is interposed. A drainage port 110 is provided at the bottom of the treatment tank 100. The drainage port 110 is connected to a drainage drain 109 through a pipe 112 having an on-off valve 111 interposed therein. By switching the on-off valve 111 to open, the liquid in the processing tank 100 is removed. It is configured so that it can be discharged from the bottom.
[0005]
In the sealed chamber 101, a nozzle 113 for ejecting an organic solvent or the like is provided. Further, the drainage / exhaust port 106 is also connected to a vacuum suction source 116 via a pipe 115 having an on-off valve 114 interposed therein, so that the inside of the sealed chamber 101 can be decompressed by sucking the gas in the sealed chamber 101. doing.
[0006]
In the sealed chamber 101, there is also provided a substrate support member 117 that can be moved up and down to support a plurality of substrates W aligned at a predetermined interval.
[0007]
The cleaning / drying process by the conventional apparatus having the above-described configuration is performed as follows.
The pure water is supplied from the treatment liquid injection pipe 103 into the treatment tank 100, the pure water is filled in the treatment tank 100, and the ascending liquid flow of pure water is formed, and is supported by the substrate support member 117. In the state in which the substrate W is immersed (solid line in FIG. 13), the liquid supplied from the processing liquid injection tube 103 into the processing tank 100 is switched from pure water to a chemical solution (for example, hydrofluoric acid), and the processing tank A rising liquid flow of the chemical solution is formed in 100 to replace the liquid in the treatment tank 100 from pure water to the chemical solution, and chemical treatment is performed.
[0008]
When the chemical liquid processing is finished, pure water is supplied from the processing liquid injection pipe 103 into the processing tank 100, an ascending liquid flow of pure water is formed in the processing tank 100, and the liquid in the processing tank 100 is converted from the chemical liquid to the pure water. And the pure water washing process is performed.
[0009]
In the treatment tank 100, the chemical treatment and the pure water cleaning treatment are performed once or more. When the final pure water cleaning process is completed, the organic solvent is ejected from the nozzle 113 into the sealed chamber 101, and the substrate support member 117 is raised in a state where an ascending liquid flow of pure water is formed. The substrate W is pulled up from within 100 pure water. During the pulling up of the substrate W, the organic solvent is dissolved in the pure water at the gas-liquid interface, and the surface tension of the pure water is reduced just before coming out of the liquid surface on the surface of the substrate W, so that the substrate is almost drained. W is raised from pure water. Then, as shown by a two-dot chain line in FIG. 13, drying of the substrate W can be promoted by positioning the substrate W in the drying processing space 102 in the sealed chamber 101 and reducing the pressure in the sealed chamber 101. When the pressure in the sealed chamber 101 is reduced, the supply of pure water from the processing liquid injection tube 103 into the processing tank 100 is stopped and the on-off valve 111 is switched to open before the pressure reduction. The pure water inside is discharged from the bottom of the treatment tank 100 to the drainage drain 109.
[0010]
[Problems to be solved by the invention]
However, the conventional example having such a configuration has the following problems.
In the conventional apparatus, when liquid (pure water or chemical solution) overflows from the upper part of the processing tank 100, the on-off valve 107 is switched to open, and the liquid that has flowed into the sealed chamber 101 from the upper part of the processing tank 100. Is discharged from the drainage / exhaust port 106 at the bottom of the sealed chamber 101 to the drainage drain 109, but the liquid that has flowed into the sealed chamber 101, particularly the chemical solution, adheres to the inner wall surface of the sealed chamber 101. It is inevitable that it remains.
[0011]
As a result, the chemical solution remaining on the inner wall surface of the sealed chamber 101 is vaporized and drifts into the sealed chamber 101, and the chemical solution is reattached to the substrate W during the drying process, thereby reducing the cleanliness of the finished cleaning / drying process. There was a problem. For example, in an apparatus that performs a chemical treatment using hydrofluoric acid as a chemical solution on a silicon wafer as the substrate W, the hydrofluoric acid is reattached to the silicon wafer during the drying process, and then the silicon wafer is oxidized. Become. In particular, when the pressure in the sealed chamber 101 is reduced during the drying process, the chemical solution remaining on the inner wall surface of the sealed chamber 101 is more easily vaporized, and the chemical solution is more easily reattached to the substrate W.
[0012]
Further, in an apparatus that performs chemical processing using a plurality of types of chemical solutions, various chemical solutions are successively flowed into the sealed chamber 101 from the upper part of the processing tank 100, so that the chemical solutions that remain attached to the inner wall surface of the sealed chamber 101. Then, it may happen that another type of chemical liquid that has flowed into the sealed chamber 101 from the upper part of the processing tank 100 comes into contact therewith. As a result, there has been a problem that various chemical solutions cause a chemical reaction in the sealed chamber 101, resulting in generation of particles and contamination of the substrate W in the sealed chamber 101.
[0013]
The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of preventing reattachment of a chemical solution to a substrate and contamination of the substrate in a sealed chamber.
[0014]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve such an object, the present invention has the following configuration.
That is, according to the first aspect of the present invention, a treatment tank configured to selectively supply a chemical solution and pure water from the lower portion of the tank is accommodated in a sealed chamber. In the substrate processing apparatus for performing a water cleaning process and performing a drying process for drying the substrate in the sealed chamber after the pure water cleaning process in the processing tank, the liquid overflowing from the upper part of the processing tank is received. The recovery unit that collects the liquid and the liquid recovered by the recovery unit is discharged out of the sealed chamber.PipingWhen,A flow rate adjusting valve that is provided in the pipe and adjusts the amount of liquid discharged from the recovery unit, and recovers the chemical in the recovery unit while keeping the chemical in the recovery unit at a predetermined liquid level.When recovering pure water in the recovery unit after recovering the chemical solution in the recovery unit, the liquid level in the recovery unit of pure water recovered in the recovery unit is recovered for a predetermined period, and the chemical solution is recovered in the recovery unit So that it is higher than the liquid level of the chemical in the recovery unitThe flow control valveLiquid level control means for controlling.
[0015]
(Delete)
[0016]
[Action]
The operation of the first aspect of the invention is as follows.
When processing in the processing tank, the liquid (pure water or chemical liquid) supplied from the lower part of the processing tank and overflowing from the upper part of the processing tank is received and recovered by the recovery unit,PipingIs discharged out of the sealed chamber. Therefore, the chemical solution overflowing from the upper part of the processing tank is touched only by the recovery unit in the sealed chamber.
[0017]
Since the pure water washing process is performed after the chemical solution treatment in the treatment tank, the collection unit collects the pure water after collecting the chemical solution. Then, the liquid level control means, when collecting the pure water in the collecting unit after collecting the chemical solution in the collecting unit, sets the liquid level in the collecting unit of the pure water collected in the collecting unit for a predetermined period. Thus, the liquid level is controlled to be higher than the liquid level of the chemical liquid in the collection unit when the chemical liquid is collected. As a result, when the chemical solution is collected by the recovery unit, the chemical solution that adheres to the recovery unit at a height that is less than or equal to the liquid level of the chemical solution in the recovery unit is recovered at a liquid level higher than the liquid level of the chemical solution. It is washed away with pure water collected. Moreover, since the last process performed with a processing tank is a pure water washing process, a recovery part will collect | recover pure water finally. Therefore, in the sealed chamber, the chemical liquid does not remain and remains in the collecting portion, which is the only member touched by the chemical liquid overflowing from the upper part of the processing tank. As a result, the vaporized chemical liquid does not drift in the sealed chamber, and the chemical liquid can be prevented from re-adhering to the substrate. The generation of particles due to contact with each other is eliminated, and contamination of the substrate can be prevented.
[0018]
(Delete)
[0019]
(Delete)
[0020]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing the overall configuration of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan view showing the configuration of a processing tank, and FIG. 3 is a main part of the apparatus of the first embodiment. It is an expanded sectional view.
[0021]
The substrate processing apparatus according to the first embodiment is configured such that a processing tank 1 that performs chemical liquid processing and pure water cleaning processing on a substrate W is housed in a sealed chamber 2. A drying processing space 3 for performing a drying process on the substrate W is provided above the processing tank 1 in the sealed chamber 2.
[0022]
A treatment liquid injection tube 4 is attached to the lower part of the treatment tank 1. The treatment liquid injection tube 4 is closed at the distal end, and has a large number of treatment liquid ejection holes 4a provided in parallel on the side surface so that the liquid introduced from the base end part 4b is ejected from each treatment liquid ejection hole 4a. It is configured. The treatment liquid injection pipe 4 is attached to the treatment tank 1 so that these treatment liquid ejection holes 4 a face the treatment tank 1. A processing liquid supply unit 6 is connected to the base end 4 b of the processing liquid injection pipe 4 via a pipe 5. The processing liquid supply unit 6 is configured to be able to selectively switch and supply pure water and one or more kinds of chemical liquids to the base end part 4 b of the processing liquid injection pipe 4. As a result, the chemical liquid and pure water are selectively switched and supplied to the treatment tank 1 from the treatment liquid ejection holes 4a of the treatment liquid injection pipe 4 at the bottom of the tank.
[0023]
A member 7 having a bottom surface and a side surface is joined to the upper outer periphery of the processing tank 1, and the member 7 and the outer peripheral wall 1 a of the processing tank 1 work together to overflow from the upper part of the processing tank 1. An overflow tank 8 is formed as a collection unit for receiving and collecting the liquid (chemical solution or pure water) that has come out. A discharge port (not shown) is provided at the bottom of the overflow tank 8, and this discharge port is connected to a drainage drain 10 outside the sealed chamber 2 via a pipe 9, and the liquid recovered in the overflow tank 8 is discharged from the sealed chamber 2. The drainage drain 10 can be discharged. In addition, the piping 9 and the drainage drain 10 comprise the discharge means in this invention.
[0024]
The pipe 9 is provided with a flow rate adjusting valve 20 that appropriately adjusts the amount of liquid discharged from the overflow tank 8. As this flow control valve 20, for example, a valve that operates with compressed air disclosed in Japanese Patent Application No. 3-93634 proposed by the present applicant, an appropriate electromagnetic flow control valve, or the like can be used. .
[0025]
In addition, a liquid level detection sensor 21 that detects the liquid level of the liquid in the overflow tank 8 is provided near the overflow tank 8. The liquid level detection sensor 21 includes an inert gas ejection pipe 22 and a micro pressure gauge 23. The tip of the inert gas ejection pipe 22 is introduced into the overflow tank 8. The micro pressure gauge 23 supplies an inert gas, such as a very small amount of nitrogen gas, to the inert gas ejection pipe 22 and discharges bubbles of the inert gas from the tip of the inert gas ejection pipe 22, and the inert gas at this time By detecting the discharge pressure of the inert gas from the ejection pipe 22, the liquid level of the current liquid (chemical liquid or pure water) in the overflow tank 8 is detected.
[0026]
A drainage port 11 is provided at the bottom of the processing tank 1. The drainage port 11 is connected to a drainage drain 10 through a pipe 13 having an on-off valve 12 interposed therein. By switching the on-off valve 12 to open, the liquid in the processing tank 1 is supplied to the processing tank 1. It is configured so that it can be discharged from the bottom.
[0027]
The sealed chamber 2 includes a main body 2a and a lid 2b configured to be openable and closable with respect to the main body 2a. When the substrate W is taken in and out of the sealed chamber 2 (main body 2a) with the lid 2b opened with respect to the main body 2a, and the lid 2b is closed with respect to the main body 2a. In addition, the inside of the sealed chamber 2 is configured to be in a sealed state.
[0028]
In the sealed chamber 2, a nozzle 30 for ejecting an organic solvent such as IPA (isopropyl alcohol) and an inert gas such as nitrogen gas is provided. An inert gas / organic solvent supply unit 32 is connected to the nozzle 30 via a pipe 31. The inert gas / organic solvent supply unit 32 supplies the heated and vaporized organic solvent to the nozzle 30 using an inert gas such as nitrogen gas as a carrier, and supplies only the inert gas used as the carrier to the nozzle 30. The organic solvent and the inert gas can be selectively switched and supplied from the nozzle 30 into the sealed chamber 2.
[0029]
An exhaust port 40 is provided at the bottom of the sealed chamber 2. The exhaust port 40 is connected to a vacuum suction source 43 via a pipe 42 provided with an on-off valve 41, and is configured so that the gas in the sealed chamber 2 can be sucked to depressurize the sealed chamber 2.
[0030]
A substrate support member 50 that supports a plurality of substrates W aligned at a predetermined interval is provided in the sealed chamber 2. The substrate support member 50 is connected to an elevating mechanism 52 that uses an air cylinder or the like as a drive source via a connecting member 51, and can be moved up and down by the elevating mechanism 52.
[0031]
The controller 60 controls switching supply of chemical liquid and pure water from the processing liquid supply unit 6 to the processing liquid injection pipe 4 and stopping supply of the chemical liquid and pure water (control of supply of chemical liquid and pure water to the processing tank 1). , Switching supply of the organic solvent and the inert gas from the organic solvent supply unit 32 to the nozzle 30 and control of stopping the supply of the organic solvent and the inert gas (supply control of the organic solvent and the inert gas into the sealed chamber 2) ), Control of opening / closing of the on-off valves 12 and 41, control of raising and lowering of the substrate support member 50, control of the overall level of the chemical and pure water collected in the overflow tank 8, etc. Perform the process.
[0032]
The liquid level control of the chemical solution or pure water recovered in the overflow tank 8 is based on the detection data from the liquid level detection sensor 21 while controlling the flow rate adjusting valve 20 to adjust the amount of liquid discharged from the overflow tank 8. As will be described later, when the pure water is collected in the overflow tank 8 after the chemical solution is collected in the overflow tank 8, the liquid level in the overflow tank 8 collected in the overflow tank 8 is set to DWL for a predetermined period. Maintained and controlled to be higher than the liquid level MQL of the chemical in the overflow tank 8 when the chemical is recovered in the overflow tank 8It is.
[0033]
Further, the controller 60 has a built-in timer 61 to manage the chemical liquid processing, the pure water cleaning processing, the drying processing, the timing control at the time of changing the liquid level of the liquid in the overflow tank 8, and the like. ing.
[0034]
Next, the cleaning / drying process performed by the first embodiment apparatus having the above-described configuration will be described with reference to the time charts shown in FIGS.
[0035]
In addition, each code | symbol in FIG. 4, FIG. 5 is as follows.
MQP: Chemical solution treatment.
DWP: pure water cleaning treatment.
DP: Drying process.
CP (DW / MQ): A process of replacing the liquid in the processing tank 1 from pure water with a chemical liquid.
CP (MQ / DW): A process of replacing the liquid in the treatment tank 1 from chemical liquid to pure water.
T1: CP (DW / MQ) start timing (start timing for switching the liquid supplied into the treatment tank 1 from pure water to chemical).
T2: CP (DW / MQ) completion timing (MQP start timing).
T3: CP (MQ / DW) start timing (start timing for switching the liquid supplied into the processing tank 1 from chemical to pure water).
T4: CP (MQ / DW) completion timing (DWP start timing).
t1: Time required for CP (DW / MQ).
t2: Time required for CP (MQ / DW).
t3: Time required for the liquid level in the overflow tank 8 to drop from DWL to MQL.
t4: Time required for the liquid level in the overflow tank 8 to rise from 0 level to MQL.
[0036]
Each of the above times 1, t2, t3, and t4 can be experimentally obtained in advance. Therefore, the controller 60 can grasp T2 based on T1 and t1 using the timer 61, can grasp T4 based on T3 and t2, and can overflow from the overflow tank on the basis of T1 based on T3. It is possible to determine the start of control for lowering the liquid level in the liquid 8 from DWL to MQL.
[0037]
In the cleaning / drying process, first, the lid 2b of the sealed chamber 2 is opened, and a plurality of substrates W are delivered from a substrate transport device (not shown) to the substrate support member 50 that is raised to the drying processing position 3. When the delivery of W is finished, the lid 2b is closed.
[0038]
Next, pure water is supplied from the treatment liquid injection pipe 4 into the treatment tank 1, the pure water is filled in the treatment tank 1, and a rising liquid flow of pure water is formed in the treatment tank 1. The substrate support member 50 is lowered and the substrate W is immersed together with the substrate support member 50 in the rising liquid flow of pure water. Alternatively, after the substrate support member 50 is lowered and the substrate W together with the substrate support member 50 is put into the processing tank 1, pure water is supplied from the processing liquid injection pipe 4 into the processing tank 1, and the inside of the processing tank 1 As the pure water is filled, a rising liquid flow of pure water is formed in the treatment tank 1.
[0039]
At this time, the pure water overflowing from the upper part of the treatment tank 1 is received and collected by the overflow tank 8 and discharged to the drainage drain 10. At this time, the controller 60 only needs to control so that the pure water recovered in the overflow tank 8 does not overflow from the overflow tank 8. Even if the liquid level is maintained at DWL, the controller 60 maintains the MQL. Alternatively, control may be performed so that the pure water to be recovered is maintained at an appropriate liquid level that does not overflow from the overflow tank 8. Furthermore, the amount of pure water discharged from the overflow tank 8 is made larger than the amount of pure water to be recovered, that is, the amount of pure water inflowing from the upper part of the processing tank 1 into the overflow tank 8. It may be adjusted so that the pure water does not accumulate in the overflow tank 8 and the pure water flowing into the overflow tank 8 is maintained at the liquid level discharged from the overflow tank 8 one after another.
[0040]
In this way, the pure water is supplied from the processing liquid injection pipe 4 into the processing tank 1 and the processing tank 1 is filled with pure water, and the rising liquid flow of pure water is formed. In a state where the substrate W supported by the member 50 is immersed (state of the solid line in FIG. 1), the liquid supplied from the processing liquid injection tube 4 into the processing tank 1 is switched from pure water to a chemical liquid (for example, hydrofluoric acid). Then, an ascending liquid flow of the chemical solution is formed in the treatment tank 1 and the liquid in the treatment tank 1 is replaced with the chemical solution from the pure water to perform the chemical treatment.
[0041]
During the replacement of the pure water with the chemical solution, a liquid in which the chemical solution is gradually mixed with the pure water overflows from the upper portion of the treatment tank 1, and this liquid is also received and recovered by the overflow tank 8, and drained drain 10 To be discharged. During the chemical treatment, the chemical solution is continuously supplied from the treatment solution injection pipe 4 into the treatment tank 1, a new chemical solution is supplied from the lower part of the treatment tank 1, and the treated chemical solution is supplied from the upper part of the treatment tank 1. Since the chemical liquid treatment is performed while the chemical liquid in the processing tank 1 is replaced and overflowed, the chemical liquid overflows from the upper part of the processing tank 1 during the chemical liquid treatment, and this chemical liquid is also received by the overflow tank 8 and collected. , And drained to the drainage drain 10.
[0042]
At this time, the controller 60 controls so that the liquid level in the overflow tank 8 is lowered to MQL at the start of replacement of the pure water with the chemical liquid (T1). For example, when the pure water is supplied into the treatment tank 1 from the treatment liquid injection pipe 4 and the pure water is filled in the treatment tank 1, an overflow in a state where an ascending liquid flow of pure water is formed in the treatment tank 1. When the level of pure water in the tank 8 is maintained at DWL, the liquid level of the pure water in the overflow tank 8 is earlier than T1 by (t3 + α) (α is an appropriate time of 0 seconds or more). Control for lowering the surface level from DWL to MQL is started. If the level of pure water in the overflow tank 8 is maintained at 0 level, the level of pure water in the overflow tank 8 is changed from 0 level to MQL at a timing earlier than T1 by (t4 + α). Start rising control. By controlling in this way, when the chemical solution is recovered in the overflow tank 8, the liquid level of the liquid in the overflow tank 8 is MQL, and the liquid level of the liquid in the overflow tank 8 is MQL. In the state, the chemical solution can be collected in the overflow tank 8. Thereafter, the controller 60 maintains the liquid level of the liquid in the overflow tank 8 (chemical liquid recovered in the overflow tank 8) at MQL during the replacement of pure water with chemical liquid, chemical liquid processing, and replacement of chemical liquid with pure water. Control to do.
[0043]
When a predetermined chemical processing time elapses, the liquid supplied from the processing liquid injection pipe 4 into the processing tank 1 is switched from the chemical liquid to pure water, and an ascending liquid flow of pure water is formed in the processing tank 1 to form the processing tank 1. The liquid in the inside is replaced with a pure water, and a pure water cleaning process (a cleaning process for washing away the chemical liquid adhering to the substrate W) is performed for a predetermined pure water cleaning time.
[0044]
During the replacement of the chemical solution with pure water, the liquid that is gradually diluted with pure water overflows from the upper part of the treatment tank 1, but this liquid also overflows with the liquid level maintained at MQL. It is received and collected in the tank 8 and discharged to the drainage drain 10. Moreover, since the supply of pure water from the processing liquid injection pipe 4 into the processing tank 1 is continued during the pure water cleaning process, pure water overflows from the upper part of the processing tank 1 during the pure water cleaning process. The pure water is also received and recovered by the overflow tank 8 and discharged to the drainage drain 10. The controller 60 starts the control to raise the liquid level of the liquid in the overflow tank 8 from MQL to DWL at the timing (T4) when the replacement of the chemical liquid with pure water is completed. Control is performed so that the liquid level in the overflow tank 8 is maintained at DWL. When the replacement of the chemical liquid with pure water is completed, the liquid flowing from the upper part of the processing tank 1 into the overflow tank 8 is pure water only. Accordingly, by controlling the liquid level as described above, when pure water is recovered in the overflow tank 8 after recovering the chemical liquid in the overflow tank 8, the overflow of pure water recovered in the overflow tank 8 for a predetermined period of time. When the liquid level in the tank 8 is maintained at DWL and can be higher than the liquid level MQL of the chemical liquid in the overflow tank 8 when the chemical liquid is collected in the overflow tank 8, and when the chemical liquid is collected in the overflow tank 8 The chemical liquid adhered to the inner wall surface of the overflow tank 8 at a height corresponding to the liquid level MQL of the chemical liquid in the overflow tank 8 is recovered in the overflow tank 8 at a liquid level DWL higher than the liquid level MQL of the chemical liquid. Can be washed away with pure water.
[0045]
In the treatment tank 1, the chemical solution treatment and the pure water cleaning treatment are performed once or more. Even when the chemical solution treatment and the pure water cleaning treatment are performed twice or more, the chemical treatment, the pure water cleaning treatment, the chemical solution treatment, the pure water cleaning treatment, and so on are repeated. At the time of starting the second and subsequent chemical processing, pure water is supplied into the processing tank 1 from the processing liquid injection pipe 4 in the previous pure water cleaning process, and the processing tank 1 is filled with pure water. Since the ascending liquid flow of pure water is formed and is in the same state as the start time of the first chemical treatment, the same chemical control and pure water cleaning treatment for the second and subsequent rounds are also performed as described above. Done in In addition, since the liquid level of the pure water in the overflow tank 8 is maintained at DWL during the pure water cleaning process, in the second and subsequent replacements from pure water to chemicals, the start of the replacement (T1) Control for lowering the level of pure water in the overflow tank 8 from DWL to MQL is started at a timing earlier than (t3 + α). Further, when the chemical liquid treatment and the pure water cleaning process are performed twice or more, and different types of chemical liquids are used for each chemical liquid process, the chemical liquid used for each chemical liquid process is supplied from the processing liquid supply unit 6 to the processing liquid injection pipe 4. To be supplied.
[0046]
When the pure water cleaning process time for the last pure water cleaning process elapses, the substrate 30 is supplied with the organic solvent supplied from the nozzle 30 into the sealed chamber 2 and a pure liquid rising liquid flow is formed. To raise the substrate W from the pure water in the processing tank 1. During the pulling up of the substrate W, the organic solvent is dissolved in the pure water at the gas-liquid interface, and the surface tension of the pure water is reduced just before coming out of the liquid surface on the surface of the substrate W, so that the substrate is almost drained. W is raised from pure water. Then, as shown by a two-dot chain line in FIG. 1, the substrate W is positioned in the drying processing space 3 in the sealed chamber 2 to dry the substrate W. At this time, drying of the substrate W can be promoted by opening the on-off valve 41 and reducing the pressure in the sealed chamber 2. When the pressure in the sealed chamber 2 is reduced, the supply of pure water from the processing liquid injection pipe 4 to the processing tank 1 is stopped and the on-off valve 12 is switched to open before the pressure reduction. The pure water inside is discharged from the bottom of the processing tank 1 to the drainage drain 10, and when the discharge of pure water in the processing tank 1 is finished, the on-off valve 12 is switched to the closed state. Further, after the supply of pure water from the processing liquid injection pipe 4 into the processing tank 1 is stopped, the pure water does not flow into the overflow tank 8 from the upper part of the processing tank 1, so that the controller 60 The level of pure water is not controlled. As a result, all the pure water in the overflow tank 8 is discharged to the drainage drain 10. In addition, while decompressing the inside of the sealed chamber 2, the inert gas may be supplied from the nozzle 30 into the sealed chamber 2 with a supply amount smaller than the exhaust amount of the gas from the sealed chamber 2.
[0047]
When the inside of the sealed chamber 2 is depressurized after the elapse of a predetermined drying processing time, the on-off valve 41 is closed and an inert gas is supplied from the nozzle 30 into the sealed chamber 2 to normalize the inside of the sealed chamber 2. Return to. Then, the lid 2b of the sealed chamber 2 is opened, and a plurality of cleaned and dried substrates W supported by the substrate support member 50 raised to the drying processing position 3 by a substrate transfer device (not shown). It is taken out. Thereafter, the same processing is switched back, and cleaning / drying processing is successively performed on the group of substrates W.
[0048]
If the supply of pure water into the processing tank 1 is continued without reducing the pressure in the sealed chamber 2 during the drying process, the level of pure water in the overflow tank 8 is maintained at DWL even during the drying process. You may make it do. 4 and 5 show the case where the chemical treatment and the pure water cleaning treatment are performed twice or more, but when the chemical treatment and the pure water cleaning treatment are performed only once, the first pure water cleaning treatment is performed. Control as the final pure water cleaning process.
[0049]
As described above, according to the apparatus of the first embodiment, when processing is performed in the processing tank 1, liquid (pure water or chemical liquid) that is supplied from the lower part of the processing tank 1 and overflows from the upper part of the processing tank 1. Is collected in the overflow tank 8 and discharged to the drainage drain 10 outside the sealed chamber 2. Therefore, in the sealed chamber 2, the chemical solution overflowing from the upper part of the processing tank 1 is limited to the inner wall surface of the overflow tank 8. Then, when the controller 60 recovers the pure water in the overflow tank 8 after recovering the chemical in the overflow tank 8, the controller 60 determines the liquid level in the overflow tank 8 of pure water recovered in the overflow tank 8 for a predetermined period. Since it is controlled to be higher than the liquid level of the chemical liquid in the overflow tank 8 when the chemical liquid is collected in the overflow tank 8, it adheres to the inner wall surface of the overflow tank 8 when the chemical liquid is collected in the overflow tank 8. The chemical solution can be washed away with pure water collected in the overflow tank 8, and in the sealed chamber 2, the chemical solution remains attached to the overflow tank 8, which is the only member touched by the chemical liquid overflowing from the upper part of the processing tank 1. It will not be left behind. Therefore, the vaporized chemical liquid does not drift in the sealed chamber 2, and reattachment of the chemical liquid to the substrate W can be prevented regardless of whether or not the pressure in the sealed chamber 2 is reduced during the drying process. In addition, various chemical solutions do not come into contact in the overflow tank 8, and no particles are generated due to the various chemical solutions coming into contact, and contamination of the substrate W can be prevented.
[0050]
Since the chemical liquid does not flow into the overflow tank 8 immediately after the replacement of the pure water with the chemical liquid is started, the control for lowering the liquid level of the pure water in the overflow tank 8 from DWL to MQL is shown in the above figure. 4. You may make it start at a timing later than FIG. For example, when the time from the start of replacement of pure water to the chemical solution until the chemical solution flows into the overflow tank 8 is longer than t3, as shown in FIG. Control for lowering the level of pure water from DWL to MQL may be started at T1.
[0051]
Further, as shown in FIG. 6B, if the liquid level in the overflow tank 8 is raised from MQL to DWL after T4, the chemical liquid that adheres to the inner wall surface of the overflow tank 8 Since the height of the liquid can be reduced to DWL or less, control for increasing the liquid level in the overflow tank 8 from MQL to DWL is started at a timing earlier than T4 by β (however, 0 <β <t5). You may make it do. Note that t5 is a time required for the liquid level in the overflow tank 8 to rise from MQL to DWL, and can be experimentally obtained in advance.
[0052]
Further, when the chemical solution adhering to the inner wall surface of the overflow tank 8 can be washed out relatively quickly, as shown in each drawing of FIG. You may control to maintain the liquid level of a pure water at DWL.
[0053]
Further, the liquid level MQL of the chemical liquid recovered in the overflow tank 8 may be set to the O level.
[0054]
Further, as shown in FIGS. 8 and 9, at the final stage of maintaining the liquid level of the chemical in the overflow tank 8 at MQL by the control of FIGS. 4 and 5, the liquid level of the chemical in the overflow tank 8 is maintained. In the final stage of maintaining the liquid level of the pure water in the overflow tank 8 at DWL by the control of FIG. The liquid level may be controlled to be adjusted to a liquid level HL that is higher than DWL. By controlling in this way, it can be expected that the chemical solution is washed out more reliably with the recovered pure water.
[0055]
In addition, you may control the liquid level level of these overflow tanks 8 with the specific resistance value and chemical | medical solution concentration in a tank.
[0056]
next,According to reference examplesThe configuration of the apparatus will be described with reference to FIG. FIG.Reference exampleIt is a longitudinal cross-sectional view which shows the whole structure of the substrate processing apparatus which concerns on this.
[0057]
thisAccording to reference examplesThe apparatus omits the liquid level control of the liquid in the overflow tank 8 by the flow rate adjusting valve 20, the liquid level detection sensor 21, and the controller 60 of the first embodiment apparatus, and instead collects in the sealed chamber 2. A shower nozzle 70 as a part cleaning means is provided, and pure water as a cleaning liquid is jetted and supplied from the shower nozzle 70 toward the overflow tank 8, particularly the inner wall surface of the overflow tank 8, and the overflow tank 8 (inner wall surface thereof) And the chemical solution adhering to the overflow tank 8 is washed away.
[0058]
A pure water supply unit 72 is connected to the shower nozzle 70 via a pipe 71, and pure water is supplied from the pure water supply unit 72 to the shower nozzle 70 and stopped (control of pure water to the overflow tank 8 is ejected). The supply control is performed by the controller 60.
[0059]
Further, considering that pure water from the shower nozzle 70 is jetted onto the inner wall surface of the sealed chamber 2, the exhaust port 40 is used as a drain / exhaust port, and the drain / exhaust port 40 is connected to the on-off valve 44. Is connected to the drainage drain 10 via a pipe 45 in which is disposed, so that pure water sprayed from the shower nozzle 70 onto the inner wall surface of the sealed chamber 2 can be discharged to the drainage drain 10. Note that when the pure water ejected from the shower nozzle 70 is supplied only to the inner wall surface of the overflow tank 8 and is not sprayed to the inner wall surface of the sealed chamber 2, the on-off valve 44 and the piping 45 are omitted. Also good.
[0060]
Further, the liquid discharged from the overflow tank 8 to the drainage drain 10 is discharged so that the liquid (chemical solution or pure water) overflowing from the upper part of the processing tank 1 and recovered in the overflow tank 8 does not overflow from the overflow tank 8. The liquid volume is adjusted.
[0061]
thisAccording to reference examplesThe overall operation of the cleaning / drying process by the apparatus is the same as the operation described in the first embodiment. However, thisAccording to reference examplesIn the apparatus, instead of the liquid level control of the liquid in the overflow tank 8 performed in the apparatus of the first embodiment, a process of cleaning the inner wall surface of the overflow tank 8 with pure water ejected from the shower nozzle 70 is performed.
[0062]
The cleaning process of the inner wall surface of the overflow tank 8 with pure water from the shower nozzle 70 is, for example, after starting the replacement of pure water before the chemical process with the chemical liquid every time the chemical process and the pure water cleaning process are performed. The chemical solution used for each chemical treatment was collected in the overflow tank 8 by performing until the replacement of the chemical solution after the chemical treatment with pure water was completed (between T1 and T4 in FIGS. 4 and 5). Thereafter, the chemical solution can be prevented from remaining in the overflow tank 8.
[0063]
The controller 60 opens the on-off valve 44 when drain water is supplied from the shower nozzle 70 for the first time, and drains pure water sprayed from the shower nozzle 70 onto the inner wall surface of the sealed chamber 2. The drain 10 can be discharged.
[0064]
Like thisAccording to reference examplesAccording to the apparatus, the inner wall surface of the overflow tank 8 is washed with pure water jetted and supplied from the shower nozzle 70, so that the chemical solution adhering to the inner wall surface of the overflow tank 8 is completely washed away in the sealed chamber 2. Further, it is possible to prevent the chemical liquid from being left attached and remaining in the overflow tank 8 which is the only member touched by the chemical liquid overflowing from the upper part of the processing tank 1. Therefore, the vaporized chemical liquid does not drift in the sealed chamber 2, and reattachment of the chemical liquid to the substrate W can be prevented regardless of whether or not the pressure in the sealed chamber 2 is reduced during the drying process. In addition, various chemical solutions do not come into contact in the overflow tank 8, and no particles are generated due to the various chemical solutions coming into contact, and contamination of the substrate W can be prevented.
[0065]
As shown in FIG. 11, the features of the first embodiment andReference exampleThe liquid level control of the liquid in the overflow tank 8 described in the first embodiment and the aboveReference exampleThe chemical solution adhering to the overflow tank 8 may be washed away by combining the cleaning of the inner wall surface of the overflow tank 8 with pure water from the shower nozzle 70 described in the above.
[0066]
Further, in each of the above-described embodiments and modifications thereof, the treatment tank 1 to which the so-called single-pipe structure treatment liquid injection pipe 4 is attached is illustrated. However, as shown in FIG. The present invention can be similarly applied to a structure in which the outer tube 81 having the holes 80 arranged in parallel is further arranged on the outer periphery of the processing liquid injection tube 4 to have a double tube structure.
[0067]
【The invention's effect】
As is apparent from the above description, the claims1According to the described invention, the liquid overflowing from the upper part of the treatment tank is received and collected by the collection unit and is discharged outside the sealed chamber, so that the liquid overflowed from the upper part of the treatment tank in the sealed chamber. The member which a chemical solution touches can be limited to a collection part.
[0068]
And in invention of Claim 1, when collect | recovering pure water in a collection | recovery part after collect | recovering a chemical | medical solution in a collection | recovery part, the liquid level in the collection | recovery part of the pure water collect | recovered in a collection | recovery part for a predetermined period, Control was made to be higher than the liquid level of the chemical solution in the recovery unit when the recovery unit collects the chemical solution, so the chemical solution adhering to the recovery unit when the chemical solution was recovered was washed away with pure water recovered by the recovery unit. In other words, the chemical solution is not left on the collecting part while it is left attached. Therefore, the vaporized chemical solution does not drift in the sealed chamber, and the chemical solution can be prevented from re-adhering to the substrate. Generation of particles due to contact is eliminated, and contamination of the substrate can be prevented.
[0069]
(Delete)
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing an overall configuration of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a plan view showing a configuration of a processing tank.
FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of a main part of the apparatus according to the first embodiment.
FIG. 4 is a time chart showing liquid level control of the liquid in the overflow tank by the first embodiment device.
FIG. 5 is a time chart continued from FIG. 4;
FIG. 6 is a time chart showing a modification of the liquid level control of the liquid in the overflow tank by the first embodiment.
FIG. 7 is a time chart showing another modification of the liquid level control of the liquid in the overflow tank by the first embodiment.
FIG. 8 is a time chart showing still another modified example of the liquid level control of the liquid in the overflow tank by the first embodiment.
FIG. 9 is a time chart continued from FIG. 8;
FIG. 10Reference exampleIt is a longitudinal cross-sectional view which shows the whole structure of the substrate processing apparatus which concerns on this.
FIG. 11 shows the features of the first embodiment.Reference exampleIt is a longitudinal cross-sectional view which shows the whole structure of the modification which comprised both of these characteristics.
FIG. 12 is a longitudinal cross-sectional view showing a main configuration of a modified example of the processing tank, and a cross-sectional view showing configurations of a processing liquid injection pipe and an outer pipe.
FIG. 13 is a longitudinal sectional view showing an overall configuration of a conventional apparatus.
[Explanation of symbols]
1: Treatment tank
2: Sealed chamber
3: Drying treatment space
4: Treatment liquid injection tube
6: Treatment liquid supply unit
8: Overflow tank
10: Drainage drain
20: Flow control valve
21: Liquid level detection sensor
60: Controller
70: Shower nozzle
W: Substrate
MQL: Liquid level of the chemical in the overflow tank when collecting the chemical in the overflow tank
DWL: Level of pure water in the overflow tank when pure water is collected in the overflow tank

Claims (1)

槽下部から薬液と純水とを選択的に切換え供給可能に構成された処理槽が密閉チャンバ内に収容され、前記処理槽で基板に薬液処理と純水洗浄処理とを行うとともに、前記処理槽での純水洗浄処理の後、前記密閉チャンバ内で基板を乾燥させる乾燥処理を行う基板処理装置において、
前記処理槽の上部から溢れ出た液を受け止めて回収する回収部と、
前記回収部で回収した液を前記密閉チャンバ外に排出する配管と、
前記配管に設けられ、前記回収部から排出させた液量を調節する流量調節弁と、
前記回収部内の薬液を所定の液面レベルにさせつつ前記回収部で薬液を回収させ、前記回収部で薬液を回収した後に前記回収部で純水を回収する際、所定期間の間、前記回収部で回収する純水の前記回収部内の液面レベルを、前記回収部で薬液を回収するときの前記回収部内の薬液の液面レベルよりも高くするように、前記流量調節弁を制御する液面レベル制御手段と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
A processing tank configured to be able to selectively switch and supply chemical liquid and pure water from the bottom of the tank is housed in a sealed chamber, and performs chemical liquid processing and pure water cleaning processing on the substrate in the processing tank, and the processing tank In the substrate processing apparatus for performing a drying process for drying the substrate in the sealed chamber after the pure water cleaning process in
A collection unit that receives and collects liquid overflowing from the upper part of the treatment tank;
A pipe for discharging the liquid recovered by the recovery unit to the outside of the sealed chamber;
A flow rate adjusting valve provided in the pipe for adjusting the amount of liquid discharged from the recovery unit;
The recovery unit collects the chemical solution while keeping the chemical solution in the recovery unit at a predetermined liquid level, and collects the chemical solution in the recovery unit and then collects pure water in the recovery unit for a predetermined period. A liquid that controls the flow rate control valve so that the liquid level in the recovery part of pure water recovered by the part is higher than the liquid level of the chemical liquid in the recovery part when the chemical liquid is recovered by the recovery part Surface level control means;
A substrate processing apparatus comprising:
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