JP3611142B2 - Bonded wafer and manufacturing method thereof - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は張り合わせウェーハおよびその製造方法、特にパワー素子・複合素子等に使用される張り合わせウェーハおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、シリコンウェーハの張り合わせにあっては、用いられるシリコンウェーハとしてはＯＨ基を持った表面が必要とされている。シリコンウェーハ表面をこのように形成するには、通常ＳＣ１（ｓｔａｎｄａｒｄ ｃｌｅａｎｉｎｇ１）洗浄液を用いて洗浄して表面に自然酸化膜を形成するか、または、この後表面をＨＦ（希フッ酸）処理していた。すなわち、シリコンウェーハの表面にＳｉ−Ｈを生じさせ、これら表面同士を重ね合わせて結合していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このようなシリコンウェーハ表面に自然酸化膜を形成した場合の張り合わせでは、図５（Ａ）に示すように、張り合わせ界面でのボロン汚染が顕著であり、かつ、界面に非晶質の領域が層状となって存在するという不具合があった。また、従来の希ＨＦ処理後のシリコンウェーハ同士の張り合わせにあっては、張り合わせ界面での結晶格子同士のミスフィットが生じ、これから欠陥が発生するという課題があった。
【０００４】
そこで、本願発明者は、張り合わせ界面について研究した結果、シリコンウェーハの張り合わせ面に原子１層だけの薄い自然酸化膜を形成して張り合わせを行うことにより、張り合わせ界面がスムースで、かつ、非晶質部分が少なくなるという知見を得た。そこで、本発明の目的は、張り合わせ界面で欠陥が発生せず、かつ、その界面部分での連続性が高い張り合わせウェーハおよびその製造方法を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、２枚のシリコンウェーハを張り合わせた張り合わせウェーハであって、その張り合わせ界面に１０〜５０ｎｍの径の略球状の非晶質部分を有する張り合わせウェーハである。
【０００６】
請求項２に記載の発明は、表面を水素で終端させた後、その表面にあって１原子層を酸化したシリコンウェーハを用いて張り合わせを行う張り合わせウェーハの製造方法である。
【０００７】
請求項３に記載の発明は、シリコンウェーハ表面を希フッ酸溶液で洗浄した後、このシリコンウェーハを用いて張り合わせを行う張り合わせウェーハの製造方法において、上記希フッ酸での洗浄後のシリコンウェーハ表面にて１原子層を酸化させ、このシリコンウェーハ表面を、同じく１原子層を酸化したシリコンウェーハ表面に重ね合わせて張り合わせを行う請求項２に記載の張り合わせウェーハの製造方法である。
【０００８】
請求項４に記載の発明は、シリコンウェーハ表面を希フッ酸で洗浄した後、その表面にオゾンまたは過酸化水素水を作用させることにより、１原子層を酸化させた請求項２に記載の張り合わせウェーハの製造方法である。
【０００９】
請求項５に記載の発明は、張り合わせ用のシリコンウェーハの表面を希フッ酸溶液で洗浄した後、このシリコンウェーハを用いて張り合わせを行う張り合わせウェーハの製造方法において、上記希フッ酸溶液での洗浄後、ＨＣｌとＨ２Ｏ２との混合溶液を用いてそのシリコンウェーハ表面を洗浄した請求項２に記載の張り合わせウェーハの製造方法である。
【００１０】
請求項６に記載の発明は、希フッ酸溶液での洗浄後のシリコンウェーハ表面を純水でリンスする工程を含む請求項３〜５のいずれか１項に記載の張り合わせウェーハの製造方法である。
【００１１】
【作用】
この発明によれば、鏡面加工したシリコンウェーハ表面を例えばＳＣ１液で洗浄し、パーティクルを除去する。そして、純水でリンスする。次いで、希フッ酸で洗浄し、そのシリコンウェーハ表面から自然酸化膜を除去し、純水でリンスする。このようにしてシリコンウェーハ表面にＳｉ−Ｈの結合を形成する。さらに、このシリコンウェーハ表面を室温のＳＣ２液（ＨＣｌ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ）に、例えば２分間浸漬させる。なお、高温の場合は、温度に対応して浸漬時間を短く調整する（例えば８５℃で２秒間）。この結果、シリコンウェーハ表面に原子１層分だけの酸化膜が形成される。また、ＳＣ２液処理に代えてオゾンまたは過酸化水素水にその表面を作用させる。さらには、このシリコンウェーハ表面を純水でリンスした後、通常の条件で張り合わせを行う。このような本発明方法により張り合わせたシリコンウェーハ同士の界面には、ボロン汚染が少なく、かつ、非晶質部分が少なくその連続性も優れている。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下この発明の実施例を図面を参照して説明する。図１はこの発明方法で作製された張り合わせウェーハの張り合わせ界面を模式的に示す図である。図２は本発明の張り合わせウェーハの製造方法の一実施例を説明するためのフローチャートである。図３は一実施例に係る張り合わせ用のシリコンウェーハの表面部分の原子構造を模式的に示す図である。図４はこの発明の一実施例に係る処理でのシリコンウェーハ表面の酸化膜厚を示すグラフである。また、図５の（Ｂ）には一実施例に係る張り合わせウェーハの界面でのボロン濃度を示している。
【００１３】
張り合わせに使用するポリッシュドウェーハＰＷは、まず、ＳＣ１洗浄液で表面を洗浄する。純水での流水リンスの後、希フッ酸洗浄を行う。例えば、ウェーハをＨＦ：Ｈ２Ｏ＝１：１００のＨＦ溶液に１分間、室温で浸した後、純水による流水リンスを行った。さらに、室温のＳＣ２洗浄液（組成：ＨＣｌ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ＝１／１／５）中に最長で２分間（１２０秒間）浸漬する。なお、高温（例えば８５℃）の場合は例えば２秒間浸漬する。この結果、シリコンウェーハ表面には自然酸化膜が原子１層分だけ形成される（図３）。図４はこの場合の自然酸化膜の厚さと浸漬の時間との関係を示している。そして、この表面を純水でリンスした。この流水リンスは１０ｌ／分で、５分間行い、その後の乾燥はスピンドライで行った。
【００１４】
そして、乾燥後３０分以内にこのウェーハを用いて室温で所定条件の下に重ね合わせて接着した。その後の接合熱処理は、ドライＯ２雰囲気で２時間、８５０℃に加熱した。この結果、シリコンウェーハには、図３に示すような、Ｈは加熱されて除去された張り合わせのための表面が形成され、よって、結晶格子の連続性が担保され、かつ、非晶質部分の少ない接合界面を得ることができる。
【００１５】
図１（Ａ）はこの張り合わせウェーハの接合界面を模式的に示している。ａｍｒは非晶質（アモルファス：ＳｉＯｘ）部分を示している。このように界面には、１０〜５０ｎｍ程度の径の球状の非晶質部分が残る程度である。この観察はＴＥＭ等で行うことができる。比較例として同図（Ｂ）にはＨＦ洗浄直後に張り合わせたウェーハの接合界面を示す。界面に欠陥ｆが多く存在している。また、（Ｃ）はＳＣ１洗浄後の張り合わせにおけるウェーハの接合界面を示している。この界面には層状のアモルファス部分ａｍｒが存在している。ウェーハの連続性を阻害していることが明確に示されている。さらに、図５（Ｂ）にはＳＩＭＳ（二次イオン質量分析）による、この接合界面のボロン濃度を示している。ＳＣ１洗浄後の張り合わせによる場合（同図（Ａ））と比較してその界面にボロンが多く存在することはない。よって、この部分でのｐｎ反転等による不具合発生は完全に防止される。
【００１６】
なお、上記実施例ではＳＣ２洗浄による１原子層の酸化を説明したが、この他、オゾン、過酸化水素水での処理を施すことでも同様に１原子層分の厚さに酸化膜を形成することができる。オゾンの場合は、例えば８ｐｐｍのオゾン水に５秒間シリコンウェーハを浸漬することで、その表面に自然酸化膜が１層分形成される。
【００１７】
【発明の効果】
この発明によれば、張り合わせ界面で欠陥が発生しない張り合わせウェーハを得ることができる。また、その界面部分での連続性が高い張り合わせウェーハを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施例に係る張り合わせウェーハの張り合わせ界面を模式的に示す図である。
【図２】この発明の一実施例に係る張り合わせウェーハの製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図３】この発明の一実施例に係る張り合わせ用のシリコンウェーハの表面部分の原子構造を模式的に示す図である。
【図４】この発明の一実施例に係るＳＣ２処理でのシリコンウェーハ表面の酸化膜厚と時間との関係を示すグラフである。
【図５】張り合わせウェーハの接合界面でのボロン汚染を示すグラフである。
【符号の説明】
ａｍｒ 非晶質部分[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a bonded wafer and a manufacturing method thereof, and more particularly to a bonded wafer used for a power element / composite element and the like and a manufacturing method thereof.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, in the bonding of silicon wafers, a surface having an OH group is required as a silicon wafer to be used. In order to form the silicon wafer surface in this manner, the surface is usually cleaned with SC1 (standard cleaning 1) cleaning solution to form a natural oxide film on the surface, or the surface is subsequently treated with HF (dilute hydrofluoric acid). It was. That is, Si—H was generated on the surface of the silicon wafer, and these surfaces were overlapped and bonded.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the bonding when a natural oxide film is formed on the surface of such a silicon wafer, as shown in FIG. 5A, boron contamination is remarkable at the bonding interface, and an amorphous region is formed at the interface. There was a problem that existed in layers. Further, in the past bonding of silicon wafers after the dilute HF treatment, there is a problem that a misfit between crystal lattices at the bonding interface occurs and a defect is generated.
[0004]
Therefore, the inventor of the present application has studied the bonding interface, and as a result, by forming a thin natural oxide film having only one atomic layer on the bonding surface of the silicon wafer and performing bonding, the bonding interface is smooth and amorphous. The knowledge that the part becomes small was acquired. SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a bonded wafer having no continuity at the bonded interface and having high continuity at the bonded interface, and a method for manufacturing the bonded wafer.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
The invention described in claim 1 is a bonded wafer obtained by bonding two silicon wafers, and has a substantially spherical amorphous portion having a diameter of 10 to 50 nm at the bonded interface.
[0006]
The invention according to
[0007]
According to a third aspect of the present invention, there is provided a bonded wafer manufacturing method in which a silicon wafer surface is cleaned with a diluted hydrofluoric acid solution and then bonded using the silicon wafer, and the silicon wafer surface after cleaning with the diluted hydrofluoric acid is used. 3. The method for producing a bonded wafer according to
[0008]
The invention according to
[0009]
According to a fifth aspect of the present invention, in the method for manufacturing a bonded wafer, the surfaces of the silicon wafers for bonding are cleaned with a dilute hydrofluoric acid solution and then bonded using the silicon wafer, and the cleaning with the dilute hydrofluoric acid solution is performed. 3. The method for producing a bonded wafer according to
[0010]
Invention of Claim 6 is a manufacturing method of the bonded wafer of any one of Claims 3-5 including the process of rinsing the silicon wafer surface after washing | cleaning with a dilute hydrofluoric acid solution with a pure water. .
[0011]
[Action]
According to the present invention, the mirror-finished silicon wafer surface is washed with, for example, SC1 solution to remove particles. Then rinse with pure water. Next, the substrate is washed with dilute hydrofluoric acid, the natural oxide film is removed from the silicon wafer surface, and rinsed with pure water. In this way, Si—H bonds are formed on the silicon wafer surface. Further, this silicon wafer surface is immersed in an SC2 liquid (HCl / H 2 O 2 / H 2 O) at room temperature, for example, for 2 minutes. When the temperature is high, the immersion time is adjusted to be short according to the temperature (for example, at 85 ° C. for 2 seconds). As a result, an oxide film corresponding to one atomic layer is formed on the surface of the silicon wafer. Moreover, it replaces with SC2 liquid process and the surface is made to act on ozone or hydrogen peroxide water. Further, after rinsing the silicon wafer surface with pure water, bonding is performed under normal conditions. At the interface between the silicon wafers bonded together by the method of the present invention, there is little boron contamination, and there are few amorphous parts and excellent continuity.
[0012]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a view schematically showing a bonding interface of a bonded wafer manufactured by the method of the present invention. FIG. 2 is a flowchart for explaining an embodiment of a method for producing a bonded wafer according to the present invention. FIG. 3 is a diagram schematically showing an atomic structure of a surface portion of a silicon wafer for bonding according to an embodiment. FIG. 4 is a graph showing the oxide film thickness on the surface of the silicon wafer in the process according to one embodiment of the present invention. FIG. 5B shows the boron concentration at the interface of the bonded wafer according to one embodiment.
[0013]
The surface of the polished wafer PW used for bonding is first cleaned with an SC1 cleaning solution. After rinsing with running water with pure water, dilute hydrofluoric acid cleaning is performed. For example, the wafer was immersed in an HF solution of HF: H 2 O = 1: 100 for 1 minute at room temperature, and then rinsed with pure water. Further, it is immersed in a room temperature SC2 cleaning solution (composition: HCl / H 2 O 2 / H 2 O = 1/1/5) for a maximum of 2 minutes (120 seconds). In addition, in the case of high temperature (for example, 85 degreeC), it immerses for 2 seconds, for example. As a result, a natural oxide film corresponding to one atomic layer is formed on the surface of the silicon wafer (FIG. 3). FIG. 4 shows the relationship between the thickness of the natural oxide film and the immersion time in this case. This surface was rinsed with pure water. The running water rinse was performed at 10 l / min for 5 minutes, and the subsequent drying was performed by spin drying.
[0014]
Then, within 30 minutes after drying, this wafer was used to overlap and adhere under a predetermined condition at room temperature. The subsequent bonding heat treatment was heated to 850 ° C. for 2 hours in a dry O 2 atmosphere. As a result, a surface for bonding is formed on the silicon wafer, as shown in FIG. 3, where H is heated and removed, so that the continuity of the crystal lattice is ensured and the amorphous portion A few bonding interfaces can be obtained.
[0015]
FIG. 1A schematically shows the bonding interface of this bonded wafer. Amr represents an amorphous part (amorphous: SiOx). Thus, a spherical amorphous part having a diameter of about 10 to 50 nm remains at the interface. This observation can be performed by TEM or the like. As a comparative example, FIG. 5B shows a bonded interface of wafers bonded immediately after HF cleaning. There are many defects f at the interface. (C) shows the bonding interface of the wafer in the bonding after SC1 cleaning. A layered amorphous portion amr exists at this interface. It is clearly shown that it hinders wafer continuity. Further, FIG. 5B shows the boron concentration at the bonding interface by SIMS (secondary ion mass spectrometry). Compared to the case of pasting after SC1 cleaning (FIG. 1A), there is no more boron at the interface. Therefore, the occurrence of problems due to pn inversion or the like in this portion is completely prevented.
[0016]
In the above embodiment, the oxidation of one atomic layer by SC2 cleaning has been described. In addition, an oxide film having a thickness equivalent to one atomic layer can be formed by performing treatment with ozone or hydrogen peroxide. be able to. In the case of ozone, for example, by immersing a silicon wafer in 8 ppm ozone water for 5 seconds, one natural oxide film is formed on the surface.
[0017]
【The invention's effect】
According to the present invention, it is possible to obtain a bonded wafer in which no defect occurs at the bonded interface. In addition, a bonded wafer having high continuity at the interface can be obtained.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram schematically showing a bonding interface of a bonded wafer according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a flowchart for explaining a method of manufacturing a bonded wafer according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a diagram schematically showing an atomic structure of a surface portion of a silicon wafer for bonding according to one embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a graph showing the relationship between the oxide film thickness on the silicon wafer surface and time in SC2 processing according to one embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a graph showing boron contamination at the bonding interface of bonded wafers.
[Explanation of symbols]
amr amorphous part
Claims (6)
その張り合わせ界面に１０〜５０ｎｍの径の略球状の非晶質部分を有する張り合わせウェーハ。A bonded wafer obtained by bonding two silicon wafers,
A bonded wafer having a substantially spherical amorphous portion having a diameter of 10 to 50 nm at the bonded interface.
上記希フッ酸での洗浄後のシリコンウェーハ表面にて１原子層を酸化させ、このシリコンウェーハ表面を、同じく１原子層を酸化したシリコンウェーハ表面に重ね合わせて張り合わせを行う請求項２に記載の張り合わせウェーハの製造方法。In the method for producing a bonded wafer in which the silicon wafer surface is washed with a dilute hydrofluoric acid solution and then bonded using the silicon wafer,
3. The monoatomic layer is oxidized on the surface of the silicon wafer after being washed with the diluted hydrofluoric acid, and the silicon wafer surface is superposed on the surface of the silicon wafer on which the monoatomic layer is oxidized, and bonded together. Manufacturing method of bonded wafers.
上記希フッ酸溶液での洗浄後、ＨＣｌとＨ２Ｏ２との混合溶液を用いてそのシリコンウェーハ表面を洗浄した請求項２に記載の張り合わせウェーハの製造方法。In the method for manufacturing a bonded wafer, the surface of the silicon wafer for bonding is washed with a dilute hydrofluoric acid solution and then bonded using the silicon wafer.
The method for producing a bonded wafer according to claim 2, wherein the silicon wafer surface is cleaned with a mixed solution of HCl and H 2 O 2 after cleaning with the diluted hydrofluoric acid solution.
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