JP3609156B2 - Substrate heating device - Google Patents
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】
この発明は、半導体ウェハや液晶表示器用ガラス基板に加熱処理を行う基板加熱装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体ウェハなどに、レジスト塗布、加熱処理、冷却処理、現像処理などの各種処理を所望の手順で実行する基板処理装置は広く知られている。
【0003】
図4は、この種の基板処理装置の一部に組込まれる基板加熱装置であるベークユニットの一般的な構造を説明する図である。図示のように、外側を覆う筐体2の内部には、ウェハを加熱処理するためのホットプレート4と、ウェハの熱処理時にホットプレート4上に降下して半密閉空間を形成し、その空間内部にウェハを収容するホットプレートカバー6とが設けられている。
【0004】
ウェハの搬入時には、筐体2に設けたシャッタ2aを開放してホットプレートカバー6を上昇させる。処理済みのウェハが内部に存在する場合には、まず、搬送ロボットを用いて処理済みのウェハを筐体2外に搬出する。次いで、未処理のウェハを筐体2中に搬入し、ホットプレート4上に載置する。その後、ホットプレートカバー6を降下させて、ホットプレート4上に載置されたウェハをホットプレート4及びホットプレートカバー6によって形成される半密閉空間中に保持し、この空間中のウェハに所望の温度及び時間条件で加熱処理を施す。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、図4の装置では、ウェハの搬入時にシャッタ2aから進入する外気OAに起因して、ウェハの均一な加熱処理が困難となる場合が生じる。
【0006】
すなわち、ウェハの搬入時にシャッタ2aを開放してホットプレートカバー6を上昇位置に移動させたとき、シャッタ2a側からホットプレートカバー6下方に外気OAが進入してホットプレートカバー6下の高温雰囲気HAはその奥側に押込まれる。この結果、ホットプレートカバー6内面の温度がシャッタ2aのある受渡位置側で相対的に降下し、この受渡位置側から奥側にかけてホットプレートカバー6内面に温度勾配が生じる。このような温度勾配は、加熱処理開始直後のウェハ面内に温度不均一を生じさせることとなるので、結果としてウェハの加熱処理がその面内で不均一なものとなってしまう場合が生じてしまう。
【0007】
そこで、この発明は、基板加熱装置内への基板の搬入に際して受渡位置から装置内に外気が流入しても、基板の熱処理に不均一が生じにくい基板加熱装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項1の基板加熱装置は、基板を収容するための第1の空間を形成する筐体と、前記筐体内に設けられ、前記基板を支持して所定の加熱処理を施すプレートと、前記筐体内に設けられ、前記プレートを覆うカバーと、を備え、前記基板は、前記プレートと前記カバーで囲まれた第2の空間内で加熱処理を施されるものであり、前記カバーの少なくとも内面に、放射熱に対する吸収性材料からなる熱吸収層が形成されていることを特徴とする。
【0009】
また、請求項2の基板加熱装置は、熱吸収層が、カバーの内面に表面処理によって形成されていることを特徴とする。
【0010】
また、請求項3の基板加熱装置は、熱吸収層が、可視及び赤外領域において灰色体である材料からなることを特徴とする。
【0011】
また、請求項4の基板加熱装置は、熱吸収層が、ほぼ黒色の材料からなることを特徴とする。
【0012】
【作用】
請求項1の装置では、プレートを覆うカバーの少なくとも内面に放射熱に対する吸収性材料からなる熱吸収層が形成されているので、基板の搬入及び搬出時に受渡位置から進入した外気によってプレート及びカバー間の高温雰囲気が奥側に押込まれても、プレートからの放射熱をカバーで効率的に受けることができるので、カバーの受渡位置側における温度低下を抑制できる。また、熱処理空間が二重構造となっているので、保温効果により温度低下を抑制することができる。したがって、加熱処理のためにプレート及びカバー間に配置される基板の受ける熱量を加熱処理開始当初から基板面内でほぼ等しくして、基板の加熱処理を均一なものとすることができる。
【0013】
また、請求項2の装置では、熱吸収層がカバーの内面に表面処理によって形成されているので、プレート自体の材質を変更することなく、簡易にカバー内面の熱吸収効率を高めてカバーの受渡位置側における温度低下を抑制できる。
【0014】
また、請求項3の装置では、熱吸収層が可視及び赤外領域において灰色体である材料からなるので、プレートからの放射熱をカバーで効率的に受けることができる。
【0015】
また、請求項4の装置では、熱吸収層がほぼ黒色の材料からなるので、プレートからの放射熱をカバーで効率的に受けることができる。
【0016】
【実施例】
図1は、この発明に係る基板加熱装置の一実施例であるベークユニット10の構造を説明する図である。
【0017】
ベークユニット10の外側を構成する筐体20の一側面には、ウェハWの受渡しのためのシャッタ20aが設けられている。このシャッタ20aは、未処理のウェハWを加熱処理のために筐体20内に搬入する際や処理済みのウェハWを筐体20外に搬入する際には開放され、ウェハWの加熱処理中には閉止される。
【0018】
筐体20の内部には、ウェハWを支持して所望の温度で加熱するためのホットプレート40と、ウェハWの熱処理時にホットプレート40上に降下して保温のための半密閉空間を形成するホットプレートカバー60とが配置されている。
【0019】
ホットプレート40は、その本体中にウェハWを加熱するためのヒータを備え、筐体20外からシャッタ20aを介して搬入されたウェハWを受取るリフタピン42と、このリフタピン42からウェハWを受取ってホットプレート40上に支持するプロキシミティギャップ用ボール44とを備える。リフタピン42は、図示を省略するアクチュエータによって昇降自在となっており、これらを同期して動作させることによりウェハWを水平に保って昇降させることが可能になる。プロキシミティギャップ用ボール44は、ホットプレート40上に固設されており、リフタピン42の下降に伴って下降してきたウェハWをホットプレート40上にホットプレート40表面と平行になるように支持する。なお、ホットプレート40上のウェハWにはホットプレート40からの輻射熱が供給されるが、このときのホットプレート40の温度は、処理中のウェハWの中心直下に対応させてホットプレート40表面直下に埋込まれている温度センサ46の出力をモニタすることによって制御される。
【0020】
ホットプレートカバー60は、ウェハWを上方から覆う上板部62と、この上板部62の周縁から下方に延びるスカート状の側板部64とを備える。このホットプレートカバー60は、図示を省略する昇降機構によって上下動可能となっており、ウェハWの搬入及び搬出に際してシャッタ20aが開放されるとこれに伴って図1に示す上昇位置まで上昇し、ウェハWの処理に際してシャッタ20aが閉止されるとこれに伴って降下する。ホットプレートカバー60がホットプレート40上に降下すると、ホットプレートカバー60の内面60aとホットプレート40の上面40aとによって半密閉空間が形成される。
【0021】
図2は、ホットプレートカバー60の断面構造を説明する図である。ホットプレートカバー60を構成する上板部62(図示を省略しているが、側板部64も同様である)の内面側には、熱吸収層66が形成されている。なお、ホットプレートカバー60本体はアルミニウムで形成されており、特定の溶液(例えばしゅう酸溶液)中での陽極電解によりホットプレートカバー60の内面に黒色酸化皮膜(通称:黒アルマイト皮膜)を形成し、これを熱吸収層66としている。このようにして形成された熱吸収層(黒色酸化皮膜)66は、白色のアルミニウム酸化皮膜などよりも大きな熱吸収率を有する材料(放射熱に対する吸収性材料)であり、ウェハWからの輻射熱を効率良く吸収することができる。
【0022】
以下、図1のベークユニットの動作について説明する。まず、ウェハW搬入のため筐体20に設けたシャッタ20aを開放してホットプレートカバー60を上昇させる。処理済みのウェハWが内部に存在する場合には、処理済みのウェハWを、リフタピン42の昇降動作を利用して搬送ロボットのハンド(図示を省略)に移載し筐体20外に搬出させる。次いで、未処理のウェハWを筐体20中のホットプレート40及びホットプレートカバー60間に搬入させ、上昇したリフタピン42上に移載後、このリフタピン42とともに降下させてホットプレート40上に載置させる。その後、ホットプレートカバー60を降下させて、ホットプレート40上に載置されたウェハWをホットプレート40及びホットプレートカバー60によって形成される半密閉空間で所望時間だけ加熱処理する。この際、ホットプレートカバー60の内面60aに熱吸収層が形成されているので、ウェハWの搬入及び搬出時にシャッタ20aから進入した外気によってホットプレート40及びホットプレートカバー60間の高温雰囲気が奥側に押込まれても、ホットプレート40からの放射熱をホットプレートカバー60で効率的に受けることができる。したがって、ウェハWの搬入に際し、ホットプレートカバー60のシャッタ20a側における温度低下を抑制できる。しかも、このようにホットプレートカバー60の内面60aに熱吸収層が形成されているため、加熱処理のためにホットプレート40上にウェハWを配置した後は、ウェハW及びホットプレートカバー60の温度を元の状態に迅速に復帰させることができ、ウェハWの温度をその面内で均一なものとすることができる。よって、ウェハW面内の各部で加熱処理の開始当初から等しくして、ウェハWの加熱処理を均一なものとすることができる。
【0023】
図3は、ホットプレートカバー60の内面60aに設けた熱吸収層によってホットプレートカバー60の上板部62に生じる温度不均一が防止される様子を説明するグラフである。縦軸は温度を示し、横軸はシャッタ20a開放後の時間経過を示す。
【0024】
グラフ中の一方の実線aは、ホットプレートカバー60の上板部62のうち奥側端におけるシャッタ20a開放直後からの温度変化を示す。
【0025】
また、グラフ中の他方の実線bは、ホットプレートカバー60の内面60aに熱吸収層を設けていない従来型の装置であると仮定した場合に、上板部62のうちシャッタ20a側端における温度変化を示す。図からも明らかなように、ホットプレートカバー60の上板部62のうちシャッタ20a側端の温度が飽和する時刻t2は、その奥側端の温度が飽和する時刻t1に比較して相当遅くなる。
【0026】
一方、グラフ中の点線cは、ホットプレートカバー60の内面60aに熱吸収層を設けている実施例の装置の場合に、上板部62のうちシャッタ20a側端における温度変化を示す。図からも明らかなように、シャッタ20a側端の温度が飽和する時刻t2’は、奥側端の温度が飽和する時刻t1とほぼ等しくなる。よって、ウェハWが周囲から受ける熱量を、ウェハW面内の各部で加熱処理の開始当初から等しくして、ウェハWの加熱処理を均一なものとすることができる。
【0027】
以上、実施例に即してこの発明を説明したが、この発明は上記実施例に限定されるものではない。例えば、上記実施例では、黒色酸化皮膜により熱吸収層66を形成しているが、これ以外にホットプレートカバー60自体を黒鉛板材により構成したり、ホットプレートカバー60をステンレス材で形成して黒色のメッキを施したり、ホットプレートカバー60内面を塗装する等により、上記実施例と同様に、ホットプレート40からの輻射熱を赤外域ないし可視域で効率良く吸収させることができる。
【0028】
また、上記実施例では、熱吸収層66を黒色としているが、これを黒に近い灰色を有する材料、すなわち放射熱に対する吸収性が比較的良好な材料で形成することもできる。なお、放射熱に対する吸収性が比較的良好な材料の中でも、いわゆる「灰色体」の使用により、放射熱の効果的吸収を達成できる。ここで、灰色体とは、放射熱の吸収率が1に近く、その放射率が黒体の放射率よりも一定の割合で小さなエネルギー分布を有するもの(可視的には、黒ないし灰色として認識される)とする。
【0029】
また、上記実施例では、ホットプレートカバー60内面のみに熱吸収層66を形成しているが、ホットプレート40表面に上記と同様の黒色の熱吸収層66を形成することもできる。
【0030】
また、上記実施例では、ホットプレートカバー60を昇降させてウェハWの搬入及び搬出を行うこととしているが、ホットプレートカバー60を昇降させないでこの側部にシャッタを設けた構造とし、このシャッタを介してウェハWの搬入及び搬出を行うこともできる。
【0031】
【発明の効果】
以上説明のように、請求項1の基板加熱装置によれば、プレートを覆うカバーの少なくとも内面に放射熱に対する吸収性材料からなる熱吸収層が形成されているので、基板の搬入及び搬出時に受渡位置から進入した外気によってプレート及びカバー間の高温雰囲気が奥側に押込まれても、プレートからの放射熱をカバーで効率的に受けることができるので、カバーの受渡位置側における温度低下を抑制できる。また、熱処理空間が二重構造となっているので、保温効果により温度低下を抑制することができる。したがって、加熱処理のためにプレート及びカバー間に配置される基板の受ける熱量を加熱処理開始当初から基板面内でほぼ等しくして、基板の加熱処理を均一なものとすることができる。
【0032】
また、請求項2の基板加熱装置によれば、熱吸収層がカバーの内面に表面処理によって形成されているので、プレート自体の材質を変更することなく、簡易にカバー内面の熱吸収効率を高めてカバーの受渡位置側における温度低下を抑制できる。
【0033】
また、請求項3の基板加熱装置によれば、熱吸収層が可視及び赤外領域において灰色体である材料からなるので、プレートからの放射熱をカバーで効率的に受けることができる。
【0034】
また、請求項4の基板加熱装置によれば、熱吸収層がほぼ黒色の材料からなるので、プレートからの放射熱をカバーで効率的に受けることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例の熱処理装置の断面構造を説明する側面図である。
【図2】図1の装置の要部を説明する平面図である。
【図3】図1の装置の動作を説明する図である。
【図4】従来の装置の構造を説明する図である。
【符号の説明】
20 筐体
20a シャッタ
40 ホットプレート
42 リフタピン
44 プロキシミティギャップ用ボール
60 ホットプレートカバー
62 上板部
64 側板部
66 熱吸収層
W ウェハ[0001]
[Industrial application fields]
The present invention relates to a substrate heating apparatus that heats a semiconductor wafer or a glass substrate for a liquid crystal display.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art Substrate processing apparatuses that perform various processes such as resist coating, heat processing, cooling processing, and development processing on semiconductor wafers in a desired procedure are widely known.
[0003]
FIG. 4 is a diagram for explaining a general structure of a bake unit which is a substrate heating apparatus incorporated in a part of this type of substrate processing apparatus. As shown in the figure, inside the
[0004]
When the wafer is carried in, the
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the apparatus of FIG. 4, it may be difficult to uniformly heat the wafer due to the outside air OA entering from the
[0006]
That is, when the
[0007]
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a substrate heating apparatus in which non-uniformity in heat treatment of a substrate hardly occurs even when outside air flows into the apparatus from a delivery position when the substrate is carried into the substrate heating apparatus.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above-mentioned problem, a substrate heating apparatus according to claim 1 is provided with a housing that forms a first space for accommodating a substrate, and a predetermined heat treatment that is provided in the housing and supports the substrate. And a cover that is provided in the housing and covers the plate, and the substrate is subjected to heat treatment in a second space surrounded by the plate and the cover. A heat absorption layer made of a material that absorbs radiant heat is formed on at least the inner surface of the cover.
[0009]
The substrate heating apparatus according to
[0010]
The substrate heating apparatus according to claim 3 is characterized in that the heat absorption layer is made of a material that is gray in the visible and infrared regions.
[0011]
The substrate heating apparatus according to
[0012]
[Action]
In the apparatus of claim 1, since the heat absorption layer made of a material that absorbs radiant heat is formed on at least the inner surface of the cover that covers the plate, the space between the plate and the cover is caused by the outside air that has entered from the delivery position when the substrate is carried in and out. Even if the high temperature atmosphere is pushed into the back side, the cover can efficiently receive the radiant heat from the plate, so that the temperature drop on the delivery position side of the cover can be suppressed. Moreover, since the heat treatment space has a double structure, the temperature decrease can be suppressed by the heat retaining effect. Therefore, the amount of heat received by the substrate disposed between the plate and the cover for the heat treatment can be made substantially equal within the substrate surface from the beginning of the heat treatment, so that the heat treatment of the substrate can be made uniform.
[0013]
In the apparatus of
[0014]
Moreover, in the apparatus of Claim 3, since a heat absorption layer consists of a material which is a gray body in visible region and an infrared region, it can receive the radiant heat from a plate efficiently with a cover.
[0015]
In the apparatus of
[0016]
【Example】
FIG. 1 is a view for explaining the structure of a
[0017]
A
[0018]
Inside the
[0019]
The
[0020]
The
[0021]
FIG. 2 is a diagram illustrating a cross-sectional structure of the
[0022]
Hereinafter, the operation of the bake unit of FIG. 1 will be described. First, the
[0023]
FIG. 3 is a graph for explaining how the temperature non-uniformity generated in the
[0024]
One solid line a in the graph indicates the temperature change immediately after the
[0025]
The other solid line b in the graph indicates the temperature at the end of the
[0026]
On the other hand, a dotted line c in the graph indicates a temperature change at the
[0027]
Although the present invention has been described with reference to the embodiments, the present invention is not limited to the above embodiments. For example, in the above embodiment, the
[0028]
Moreover, in the said Example, although the
[0029]
In the above embodiment, the
[0030]
In the above-described embodiment, the
[0031]
【The invention's effect】
As described above, according to the substrate heating apparatus of the first aspect, since the heat absorption layer made of a material that absorbs radiant heat is formed on at least the inner surface of the cover that covers the plate, it is delivered when the substrate is carried in and out. Even if the high temperature atmosphere between the plate and the cover is pushed into the back side by the outside air that has entered from the position, the cover can efficiently receive the radiant heat from the plate, so the temperature drop at the delivery position side of the cover can be suppressed. . Moreover, since the heat treatment space has a double structure, the temperature decrease can be suppressed by the heat retaining effect. Therefore, the amount of heat received by the substrate disposed between the plate and the cover for the heat treatment can be made substantially equal within the substrate surface from the beginning of the heat treatment, so that the heat treatment of the substrate can be made uniform.
[0032]
According to the substrate heating apparatus of the second aspect, since the heat absorption layer is formed on the inner surface of the cover by surface treatment, the heat absorption efficiency of the inner surface of the cover can be easily increased without changing the material of the plate itself. The temperature drop at the delivery position side of the cover can be suppressed.
[0033]
According to the substrate heating apparatus of the third aspect, since the heat absorption layer is made of a material that is gray in the visible and infrared regions, the cover can efficiently receive the radiant heat from the plate.
[0034]
According to the substrate heating apparatus of the fourth aspect, since the heat absorption layer is made of a substantially black material, the cover can efficiently receive the radiant heat from the plate.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a side view illustrating a cross-sectional structure of a heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a plan view for explaining a main part of the apparatus shown in FIG.
FIG. 3 is a diagram for explaining the operation of the apparatus shown in FIG. 1;
FIG. 4 is a diagram illustrating the structure of a conventional device.
[Explanation of symbols]
20
Claims (4)
前記筐体内に設けられ、前記基板を支持して所定の加熱処理を施すプレートと、
前記筐体内に設けられ、前記プレートを覆うカバーと、
を備え、
前記基板は、前記プレートと前記カバーで囲まれた第2の空間内で加熱処理を施されるものであり、前記カバーの少なくとも内面に、放射熱に対する吸収性材料からなる熱吸収層が形成されていることを特徴とする基板加熱装置。 A housing forming a first space for accommodating a substrate;
A plate that is provided in the housing and that performs a predetermined heat treatment while supporting the substrate;
A cover provided in the housing and covering the plate;
With
The substrate is heat-treated in a second space surrounded by the plate and the cover, and a heat absorption layer made of a material that absorbs radiant heat is formed on at least an inner surface of the cover. A substrate heating apparatus.
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