JP3607903B2 - Mask blank, unnecessary film removing method and apparatus, and mask blank and mask manufacturing method - Google Patents

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【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、フマスクブランク、半導体基板等の基板表面の一部に形成された不要膜を除去する不要膜除去方法及びその装置、並びにマスクブランク及びマスクの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置、フォトマスク等を製造する分野においては、基板の一主表面に形成された膜のうちの不要な一部分を除去することがしばしば要求される。例えば、基板上にレジスト或いはＳＯＧ（スピン・オン・グラス）膜等を塗布する際に、略水平に保持した基板上に塗布液を滴下し、基板を回転することによりその遠心力を利用して基板上に均一な塗布膜を形成するスピンコート法を用いた場合、塗布膜が基板の全面に均一に形成されるような低速で回転させると、基板表面の周縁部に働く遠心力が小さくなり、塗布液が基板表面の周縁部にとどまり、その部分の膜厚が厚くなってしまう。
【０００３】
このように、基板表面の周縁部が盛り上がると、例えば塗布液がレジストの場合は以下のような問題がある。
【０００４】
フォトマスクブランクの製造工程において、基板表面にレジストが形成された後、その基板は各種処理工程を経る間に、搬送機構に保持されたり、基板収納ケースに挿抜されたりする。このとき、基板の周縁部が搬送機構のチャック部や、収納ケース内の収納溝に接触することにより、基板周縁部のレジスト膜が剥離して発塵源となり、その剥離したレジストがフォトマスクブランクの主表面に付着することによる欠陥が生じる。
【０００５】
そこで、レジストを回転塗布してレジスト膜を形成させた後、基板周縁部のレジスト膜を予め除去しておく処理が施される。この処理は、基板を所定の回転中心周りに水平回転させながら、基板周縁部のレジストにレジストを溶解する処理液を供給し、この基板周縁部の被膜を溶解除去することが行われている。
【０００６】
例えば、特許文献１に開示されている方法は、基板表面に中空のピラミッド形状をなしたカバーを配置し、ピラミッドの頂点の上から溶媒を供給して周縁部に供給するようにしたものである。
【０００７】
尚、近年、半導体製造用のフォトマスクブランクは、５インチ×５インチの基板サイズから、６インチ×６インチの基板サイズへと大型化される傾向にある。基板サイズの大型化に伴い、マスク基板が重くなるため、フォトマスクブランクをマスクケースに収納した際、マスクケースの基板支持部とレジスト膜が形成されたフォトマスクブランク端面が接触することにより、発塵が発生する可能性が高くなり、フォトマスクブランクの周辺部に形成されたレジスト膜を除去することが要請されている。
また、フォトマスク基板上に実パターン以外にアライメントマーク、バーコードパターン、ＱＡ（品質保証）パターンなどの補助パターンが、マスク基板主表面の周辺部に形成されている。しかも、近年、これらの補助パターンは、実パターンの有効領域の拡大から、マスク基板の周縁部ぎりぎりの領域に形成されるようになった。
【特許文献１】
特公昭５８−１９３５０号公報（第２−４頁、第６図）
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら上述した従来のレジスト周辺除去方法では、次のような問題があった。
【０００９】
（１）フォトマスクブランクの４辺をほぼ同じ除去幅で除去することしかできず、しかも除去幅が大きいために補助パターンの形成領域までレジスト膜が除去され、上記補助パターンのパターン不良が生じる。
【００１０】
（２）また、フォトマスクブランクにフォトリソによりパターンを形成したレチクルを用いて、半導体ウエハー上に微細パターンを形成する際に使用される露光装置における基板保持部材、例えばレチクルチャックは、露光装置メーカー毎に各社の仕様が異なる。この種の露光装置は、一般に、装置本体の振動等でレチクルがずれないように、レチクルチャックに吸着された状態でレチクルを装置本体の基板テーブル上に保持する。その際、平面は３点で定義されることから、レチクルも３箇所で吸着された状態でレチクルチャックに保持される。露光装置におけるレチクルの位置精度は、半導体ウエハーに微細パターンを形成する際には非常に重要で、レチクルチャックにおける吸着にずれがあってはならない。しかし、レチクルチャックの形状に応じたレジスト膜の除去ができなかったため、露光装置におけるレチクルの位置精度が低下する。
【００１１】
（３）また、露光波長の短波長化に伴い欠陥の少ない高品質のマスクブランクが要求されるようになった現在、マスクブランクの出荷の際には、一般に複数枚（通常５枚）のフォトマスクブランクが入ったマスクケースに、各マスクブランクの欠陥データをつけている。欠陥データの照合は、マスクケースに収納されるケース内の位置関係により行っている。しかし、マスクブランクを一旦検査等のために取り出して、ケース内での位置関係がずれてしまうと、各マスクブランクの欠陥データがばらばらになってしまい、照合が取れなくなるおそれがある。場合によっては、再度マスクブランクの欠陥を測定し直す必要がある。
【００１２】
（４）また、上述したアライメントマーク等の補助パターンの形成領域の仕様は、マスクメーカー各社によって異なる。従って、従来の方法によってマスク基板周縁部のレジスト膜を溶解除去する際に、同じカバーを用いて不要膜を除去した場合、アライメントマーク位置までレジスト膜が溶解除去され、フォトマスクを作製したときには、アライメントマークが形成されない事態が生じる。このような事態が起きないようにするために、各社の多様に異なる位置に形成するアライメントマークを考慮して、カバーの設計、準備をすると、コストアップを招来し、またカバーを取りかえる作業が面倒であり、メンテナンスの手間も増大する。
【００１３】
本発明の課題は、上述した従来技術の問題点を解消して、基板周縁部のレジスト膜が剥離することによる発塵を抑え、且つ、補助パターンの形成領域に応じてマスクブランクの周辺部に形成された膜の除去領域が制御されたマスクブランクを提供することにある。また、本発明の課題は、基板周縁部のレジスト膜が剥離することによる発塵を抑え、且つ、基板保持部材に対応した領域に応じてマスクブランクの周辺部に形成された膜の除去領域が制御されたマスクブランクを提供することにある。また、本発明の課題は、マスクブランクの欠陥データなどの識別パターンが形成されたマスクブランクを提供することにある。さらに、本発明の課題は、識別パターンのパターン欠陥のないマスク（フォトマスク等）や、露光装置にマスク（レチクル等）を保持したときに、位置精度が低下しないマスク（レチクル等）を提供することにある。また、本発明の課題は、上記マスクブランクを得るために、基板周辺部の膜の除去領域を制御（適宜調整）可能な不要膜除去方法を提供することにある。また、本発明の課題は、上記マスクブランクを得るために、基板周辺部の膜の除去領域を制御（適宜調整）可能な不要膜除去装置を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上述の課題を解決する第１の手段は、
基板上に被転写体に転写すべく転写パターンを有する転写マスクの原版であるマスクブランクにおいて、該マスクブランクは、前記基板上に前記転写パターンとなる薄膜と、レジスト膜とを有し、前記基板主表面の周辺部に形成されたレジスト膜が、露光装置の保持部材により支持されるマスクブランクの被支持部領域、及びその周辺領域において残存され、それらの領域以外は除去されていることを特徴とするマスクブランクである。
【００１５】
第２の手段は、
基板上に被転写体に転写すべく転写パターンと、補助パターンを有する転写マスクの原版であるマスクブランクにおいて、該マスクブランクは、前記基板上に前記転写パターン及び補助パターンとなる薄膜と、レジスト膜とを有し、前記基板主表面の周辺部に形成されたレジスト膜が、前記補助パターンが形成されるマスクブランクの補助パターン形成領域及びその周辺で残存され、それ以外の不要な領域で除去されていることを特徴とするマスクブランクである。
【００１６】
第３の手段は、
基板上に被転写体に転写すべく転写パターンと、補助パターンを有する転写マスクの原版であるマスクブランクにおいて、該マスクブランクは、前記基板上に前記転写パターンとなる薄膜と、レジスト膜等の膜を有し、前記基板周縁部に形成された前記膜が部分的に除去されて、マスクブランクを識別するための識別パターンが形成されていることを特徴とするマスクブランクである。
【００１７】
第４の手段は、
前記識別パターンがバーコードパターンである第３の手段に記載のマスクブランクである。
【００１８】
第５の手段は、
前記基板主表面の周辺部に形成された膜が、レジスト膜である第３の手段又は第４の手段に記載のマスクブランクである。
【００１９】
第６の手段は、
前記識別パターン以外の前記基板周辺部に形成されたレジスト膜が除去されていることを特徴とする第５の手段記載のマスクブランクである。
【００２０】
上述の第１〜第６の手段により、上述した従来技術の問題点等を解消したマスクブランクを提供することができる。
【００２１】
第７の手段は、
前記マスクブランクは、透光性基板上に少なくとも遮光機能を有する薄膜、レジスト膜等の膜が形成されたフォトマスクブランクであることを特徴とする第１乃至第７の何れかに記載のマスクブランクである。
【００２２】
上述した従来技術の問題点を解消した具体的な手段は以下の通りである。
【００２３】
上述の第１の手段によれば、露光装置の保持部材により支持されるマスクブランク（例えば、フォトマスクブランク）の被支持部、及びその周辺領域又はその近傍の領域で基板主表面の周辺部に形成された膜（レジスト膜）を残すように除去されている（即ち、マスクブランクの被支持部領域及びその周辺においてレジスト膜を残存させ、それらの領域以外は除去されている）ので、このフォトマスクブランクをフォトリソによりパターン形成してレチクルにしたときに、露光装置におけるレチクルの位置精度の低下を防止できる。
【００２４】
上述の第２の手段によれば、少なくとも補助パターンが形成される領域に対応するレジスト膜を残すように基板周辺部に形成しているレジスト膜を除去している（即ち、補助パターンが形成されるマスクブランクの補助パターン形成領域及びその周辺のレジスト膜を残存させ、それ以外の不要な領域のレジスト膜を除去している）ので、フォトマスクを作製した際に、アライメントマーク等の補助パターンのパターン不良を防止することができる。
【００２５】
上述の第３〜第４の手段によれば、フォトマスクブランクに識別パターンや、バーコードパターンを直接形成することができるので、フォトマスクブランク仕様、製品番号、製造番号等をフォトマスクブランク自体に設けることができる。
この識別パターンやバーコードパターンは、不要であればフォトマスク作製時にエッチングにより簡単に除去することができる。識別パターンやバーコードパターンはレジスト膜のみを除去してレジスト膜とその下に形成されている遮光機能を有する薄膜との反射を利用してパターン認識としてもよく、また、除去されたレジスト膜をマスクとしてさらに遮光機能を有する薄膜も除去してレジスト膜／遮光機能を有する薄膜と透光性基板との反射を利用してパターン認識してもよい。
【００２６】
上述の第５の手段によれば、基板主表面の周辺部に形成された膜がレジスト膜であることにより、フォトマスク作製時にエッチングにより簡単に除去でき、フォトマスクを作製したときの欠陥要因を低減することができる。
さらに、基板周縁部のレジスト膜が剥離することによる発塵を抑えるために、第６の手段のように、識別パターン以外の基板周辺部に形成されたレジスト膜が除去されている方が好ましい。
【００２７】
また、透光性基板主表面の周辺部に識別パターンやバーコードパターンを有するフォトマスクブランクは、フォトマスク作製時以外に、レーザ光によりレジスト膜、又はレジスト膜及び遮光機能を有する薄膜を除去する方法などにより作製することもできる。
【００２８】
尚、本発明でいうマスクブランクは、透過型マスクブランク、反射型マスクブランクの何れも指し、それらの構造は、基板上に被転写体に転写すべく転写パターンとなる薄膜と、レジスト膜とを有する。
【００２９】
透過型マスクブランクは、基板として透光性基板を使用し、転写パターンとなる薄膜は、被転写体に転写するときに使用する露光光に対し光学的変化をもたらす薄膜（例えば、遮光機能を有する薄膜）が使用されたフォトマスクブランクである。ここで、露光光に対し光学的変化をもたらす薄膜とは、露光光を遮断する遮光膜や、露光光の位相差を変化させる位相シフト膜などを指す。また、「遮光機能を有する薄膜」とは、遮光機能と位相シフト機能を有する所謂ハーフトーン膜と、遮光機能を有する遮光膜とを含む。
【００３０】
従って、本発明でいうフォトマスクブランクは、遮光機能を有する薄膜として遮光膜が形成された通常のフォトマスクブランクと、遮光機能を有する薄膜としてハーフトーン膜が形成された位相シフトマスクブランク（ハーフトーン型位相シフトマスクブランク）、位相シフト膜が形成された位相シフトマスクブランクなどを含む。尚、遮光機能を有する薄膜として、上記のハーフトーン膜と遮光膜を積層させたものであっても構わない。また、遮光機能を有する薄膜のほかに位相シフト機能を持たせた層が形成された位相シフトマスクブランクを含むものとする。位相シフト機能を持たせた層は、位相シフト機能を、透光性基板を掘り込むことにより形成する場合は、透光性基板が位相シフト機能を持つ層となる。また、位相シフト層を形成しても良い。
【００３１】
また、反射型マスクブランクは、基板として熱膨張係数の低いものを使用し、その基板上に光反射多層膜、転写パターンとなる光吸収体膜とを有するマスクブランクである。
また、マスクブランクには、上述の膜以外に、レジスト下地反射防止膜（ＢＡＲＣ：Ｂｏｔｔｏｍ Ａｎｔｉ−Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ Ｃｏａｔｉｎｇ）、レジスト上層反射防止膜（ＴＡＲＬ：Ｔｏｐ Ａｎｔｉ−Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ Ｌａｙｅｒ）、レジスト上層保護膜、導電性膜等の膜が形成されても良い。そして、必要に応じて、基板周辺部に形成されているこれらの膜を除去して上述の第１〜第７の手段のマスクブランクを形成しても構わない。
【００３２】
第８の手段は、
基板表面に形成された膜のうちの不要な部分を溶媒によって溶解除去する不要膜除去方法であって、前記基板表面をカバー部材で覆い、このカバー部材の上から溶媒を供給してこの溶媒をカバー部材の周辺部に設けられた溶媒流路を通じて不要な部分を溶媒で除去するとともに、前記溶媒流路を通じて前記不要な膜部分へ供給される溶媒の供給量又は／及び供給位置を調整できるようにしたことを特徴とする不要膜除去方法である。
【００３３】
上述の第８の手段によれば、不要膜を除去するの溶媒流路（例えば、溶媒供給孔）の大きさ（溶媒の供給量、供給位置）を、不要膜の除去幅に応じて適宜調整可能としているので、所望の除去幅とするためにカバー部材全体を設計・準備・交換することなく、除去幅を適宜制御することができ、所望の除去幅を有する基板（例えば、フォトマスクブランク）を確実かつ容易に得ることができる。
【００３４】
ここで、溶媒とは、不要膜を除去できる液体をいう。例えば、レジスト膜が不要膜である場合には、溶解除去する有機溶剤や、不要膜を露光した後、現像して除去するための現像液などをいう。また、遮光膜が不要膜である場合は、遮光膜を溶解するエッチング液などをいう。
また、溶媒流路とは、カバー部材における不要な膜部分に対応する位置に溶媒を供給するための溶媒供給孔を設けて溶媒流路としても、また、カバー部材の外側に溶媒案内部材を設け、カバー部材と溶媒案内部材との間を溶媒流路としても良い。
【００３５】
第９の手段は、
前記基板及びカバー部材を共に回転させながら溶媒流路（例えば、溶媒供給孔）を通じて不要膜部分を溶媒で除去することを特徴とする第８の手段に記載の不要膜除去方法である。
【００３６】
上述の第９の手段によれば、前記基板及びカバー部材をともに回転させながら溶媒流路（例えば、溶媒供給孔）を通じて不要な膜部分を溶媒で除去するようにしたことにより、遠心力等の作用を利用して、径方向内方に浸透させないようにすると共に、溶媒を均等に広げてより容易・確実に不要な膜部分に供給することができる。
【００３７】
第１０の手段は、
前記溶媒流路は、前記カバー部材の周辺部に設けられた溶媒供給孔であることを特徴とする第８又は第９に記載の不要膜除去方法である
【００３８】
上述の第１０の手段によれば、前記溶媒流路は、前記カバー部材の周辺部に設けられた溶媒供給孔とする。
溶媒供給孔の大きさは、カバー部材に形成されている全ての溶媒供給孔を同じ大きさに変えてもよく、また、基板の各辺毎に変えてもよく、さらにある一定の領域毎に変えてもよく、さらに個々の溶媒供給孔毎に変えてもよい。
【００３９】
第１１の手段は、
基板表面に形成された膜のうちの不要な部分を溶媒によって除去する不要膜除去装置であって、前記基板表面を覆うカバー部材と、このカバー部材の上から溶媒を供給する溶媒供給装置とを有し、前記カバー部材は、前記溶媒供給装置によって供給された溶媒を不要な膜部分に供給して不要膜を除去する薬液流路を有し、前記溶媒流路を通じて前記不要な膜部分へ供給される溶媒の供給量又は／及び供給位置を調整する調整手段を備えていることを特徴とする不要膜除去装置である。
【００４０】
上述の第１１の手段によれば、不要膜を溶解する溶媒の溶媒流路の大きさを調整する調整手段をカバー部材に設けることにより、所望の除去幅とするためにカバー部材全体を設計・準備・交換することなく、除去幅を適宜制御することができ、所望の除去幅を有する基板（例えば、フォトマスクブランク）を確実かつ容易に得ることができる。
【００４１】
ここで、上述の不要膜除去方法、不要膜除去装置における前記カバー部材は、具体的には、前記基板主表面の除去領域において前記主表面と一定の間隙が形成され、且つ前記基板主表面の非除去領域において、前記間隙よりも大きい空間が形成されるように前記基板主表面を覆うものであって、前記間隙は、前記溶媒が間隙中をつたわって間隙中にのみ広がることが可能な大きさに設定される。
【００４２】
カバー部材は、基板主表面に形成された不要な膜部分の領域（除去領域）において、基板主表面から一定の間隙を形成するように配置しているので、基板とカバー部材との間に形成された間隙において、溶媒の表面張力によるメニスカスにより、間隙中に溶媒は満た（供給）されるが、基板主表面の非除去領域に形成された空間では、溶媒の表面張力が働かないため、溶媒は供給されない。上述の原理を利用して不要膜を除去することにより、除去領域を正確に制御することができる。
【００４３】
第１２の手段は、
前記溶媒流路は、前記カバー部材の周辺部に設けられた溶媒供給孔であることを特徴とする第１１の手段の不要膜除去装置である。
【００４４】
尚、溶媒流路は、上述と同様に、第１２の手段のようにカバー部材における不要な膜部分に対応する位置に溶媒を供給するための溶媒供給孔（例えば、カバー部材の周辺部に設けた多数の貫通孔からなる溶媒供給孔）を設けて溶媒流路としても、また、カバー部材の外側に溶媒案内部材を設け、カバー部材と溶媒案内部材との間を溶媒流路としても良い。
【００４５】
後者の場合、前記調整手段として、前記主表面の除去領域において形成される前記間隙の位置を調整することによって前記溶媒の供給量又は／及び供給位置を調整することにより、カバー部材の大きさを部分的に又は全体的に変化させ所望の除去領域、所望の除去幅とすることができ、また、前者の場合、後述の第１３又は１４の手段をとることにより所望の除去領域、所望の除去幅とすることができる。装置の簡略化の点では前者の方が好ましい。
【００４６】
第１３の手段は、
前記調整手段は、前記溶媒供給孔を有し、溶媒供給孔の径又は／及び溶媒供給孔の配置が予め決められた溶媒供給部材を設け、前記溶媒供給部材を前記カバー部材の所定部位に交換可能に構成し、溶媒供給部材を交換することによって前記溶媒の供給量又は／及び供給位置を調整するようにしたことを特徴とする第１１の手段に記載の不要膜除去装置である。
【００４７】
調整手段としては、上述の第１３の手段のように、予め所定の大きさの孔が形成された部材を用意し、該部材をカバー部材の周辺部に適宜取りつけ可能ないし着脱自在とすることもできる。この場合、除去領域（除去幅）に応じて孔径又は及び孔位置の異なる溶媒供給部材を複数準備しておくことにより、不要膜除去が、さまざまなケースであっても確実かつ容易に、しかもコストがかからず除去幅を制御することができるので好ましい。溶媒供給部材は、カバー部材周辺部全部が一度に変えられるものでもよく、また基板の各辺毎に変えられる部材でもよく、さらにある一定の領域毎に変えられる部材でも良い。部材に形成する溶媒供給孔の大きさは、カバー部材に形成されている全ての溶媒供給孔を同じ大きさに変えてもよく、また、基板の各辺毎に変えてもよく、さらにある一定の領域毎に変えてもよく、さらに個々の溶媒供給孔毎に変えてもよい。
【００４８】
前記部材の典型的なものとしては、例えば、部材に形成する溶媒供給孔を基板（例えば、フォトマスクブランク）の識別できる識別パターンとしての識別用記号（三角形、四角形、バーコードパターン等）とすることにより、フォトマスクブランクに欠陥データや、フォトマスクブランクの仕様、型名、製品番号、製造番号等をフォトマスクブランクに直接形成することが可能となる。
【００４９】
これらの識別用記号は、不要であればフォトマスク作製時にエッチングにより簡単に除去することができる。識別用記号は、レジスト膜のみを除去してレジスト膜とその下に形成されている遮光膜との反射を利用してバーコードとしてもよく、また、除去されたレジストをマスクとしてさらに遮光膜も除去して、レジスト膜／遮光膜と透明基板との反射を利用してバーコードとしても良い。
【００５０】
また、基板主表面の周縁部にバーコードパターンを有するフォトマスクブランクとしては、レジスト膜を溶媒により部分的に溶解除去する方法以外に、レーザー光によりレジスト膜、又はレジスト膜及び露光光に対し光学的変化をもたらす薄膜（例えば、遮光機能を有する薄膜）を除去する方法などにより作製することもできる。
【００５１】
第１４の手段は、
前記調整手段は、前記カバー部材の所定部位に溶媒供給孔を設け、この溶媒供給孔の径を調整することによって前記溶媒の供給量又は／及び供給位置を調整するようにしたことを特徴とする第１１の手段に記載の不要膜除去装置である。
【００５２】
調整手段としては、上述の第１４の手段のように、カバー部材に設けられた各溶媒供給孔の大きさを調整できる機構を設けることが挙げられる。
【００５３】
また、第１４の手段の場合、調整機構を手動で行う場合や機械で自動的に行う場合が挙げられる。機械で自動的に行う場合は、各溶媒供給孔の調整機構はコンピュータに接続され、コンピュータに入力したデータに基づいて各溶媒供給孔の大きさを自動的に調整可能とすることもできる。さらには、不要膜の除去幅を常に監視できるようなモニターを不要膜除去装置に取りつけることによって、不要膜の除去の進行に応じてリアルタイムに溶媒供給孔の大きさを調整することもできる。
【００５４】
第１５の手段は、
基板上に被転写体に転写すべく転写パターンとなる薄膜と、レジスト膜等の膜を形成する膜形成工程を有するマスクブランクの製造方法において、前記膜形成工程において不要な部分に形成された不要膜を第８乃至第１０の手段に記載の方法で除去する不要膜除去工程を有することを特徴とするマスクブランクの製造方法である。
【００５５】
上述の第１５の手段によれば、不要膜の除去幅を各種用途に応じて正確にかつ容易・確実に除去することができるマスクブランク製造方法を得ることができる。
第１６の手段は、
前記マスクブランクが第１乃至第７の何れかの手段に記載のマスクブランクであることを特徴とする第１５の手段に記載のマスクブランクの製造方法である。尚、第１５の手段に記載されたマスクブランクの製造方法は、第１６の手段のように、上記第１の手段乃至第７の手段の何れかに記載のマスクブランクを製作する際に有効であるが、これに限らず、例えば、マスクブランクからマスクを作製する際に使われる電子線描画装置のアース端子や基板支持部が当接する領域とその周辺領域、さらに、基板周辺部に形成された発塵に起因する不要なレジスト膜を除去したマスクブランクなど、基板周辺部に形成された不要膜（レジスト膜等）の除去領域を適宜調整、制御しなければならないマスクブランクを作製する際に、有効である。
【００５６】
第１７の手段は、
第１５又は１６の手段に記載のマスクブランクの製造方法によって得られたマスクブランクにおける前記薄膜をパターニングして転写パターンを形成することを特徴とするマスクの製造方法である。
【００５７】
上述の第１７の手段によれば、識別パターンのパターン欠陥のないマスク（フォトマスク等）や、露光装置にマスク（レチクル等）を保持したときに、位置精度が低下しないマスク（レチクル等）を提供することができる。
【００５８】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の実施例にかかる不要膜除去装置の構成を示す断面図、図２及び図３は図１の部分拡大断面図、図４は実施例にかかる不要膜除去装置の部分拡大斜視図、図５は実施例にかかる不要膜除去装置の分解斜視図である。以下、これらの図面を参照にしながら実施例にかかる不要膜除去方法及びその装置並びにフォトマスクブランク製造方法を説明する。以下の説明では、まず、不要膜が形成されたフォトマスクブランクを説明し、次に、不要膜除去装置の構成を説明し、さらに不要膜除去方法と併せてフォトマスクブランク製造方法を説明し、最後にフォトマスクブランク製造方法によって製造された種々のフォトマスクブランクを説明する。
【００５９】
図１ないし図５において、基板１０は、合成石英ガラスからなる透明基板（６インチ×６インチ×０．２５インチ（１インチ＝２５．４ｍｍ））１１の表面にクロムからなる遮光膜１２が形成され、さらに、この遮光膜１２の上に厚さ４０００オングストロームの未ベークの状態のレジスト膜（例えばチッソ株式会社製、商品名：ＰＢＳＣ）１３がスピンコート法等で形成された（図２，図３参照）フォトマスクブランクである。
【００６０】
ここで、このレジスト膜１３は、本来、基板１１の表面の主要部にのみ形成されていればよい。しかしながら、レジスト膜１３の形成の際に、本来形成する必要のない基板１１の表面の周縁部、基板側面部及び場合によっては基板裏面部にまで形成されてしまう。この実施例にかかる不要膜除去方法及びその装置は、これらの不要膜を除去する方法及び装置である。
【００６１】
この実施例の不要膜除去装置は、図１に示されるように、回転台２０に載置保持された基板１０の上面側をカバー部材３０によって覆い、このカバー部材３０の上方からノズル４０よりＭＣＡ（メチルセロソルブアセテート）等の溶媒５０を噴出させてカバー部材３０の溶媒供給孔３１を通じて不要膜部分１３ａ（図５参照）に供給してこれを溶解除去するものである。
【００６２】
カバー部材３０は、基板１０を上方からかぶせるようにして覆うもので、中心部から周縁にかけての大部分は平坦部３２である。この平坦部３２から外周部に向けて傾斜部３３が形成され、この傾斜部３３からさらに外周部に向けて肉厚な周縁平坦部３４が形成され、この周縁平坦部３４の外周端が下方に延在して、側部３５が形成されている。
【００６３】
周縁平坦部３４には、多数の貫通孔である溶媒供給孔３１を有する溶媒供給部材３８が着脱自在に嵌め込まれている。溶媒供給部材３８は、周縁平坦部３４に設けた嵌合溝３７に嵌め込まれる。嵌合溝３７の底部には、図１（ｂ）に示すように、溶媒供給孔３１よりも径の小さな多数の孔３９が設けられる。嵌合溝３７の底部はたとえて言えば金網状を呈しており、溶媒供給量はこれらの孔３９ではなく溶媒供給孔３１の孔径によって決まるようになっている。溶媒供給部材３８が溝３７に嵌め込まれて平坦部が構成される。また、カバー部材３０の本体と側部３５とは上記嵌合溝３７の底部によって連結されることになる。
【００６４】
溶媒供給部材３８に形成された溶媒供給孔３１は、溶媒５０の粘度等に応じて適切な形状、大きさ及び形成間隔が選定される。すなわち、孔形状は正方形、長方形、円形、楕円形、その他いずれでもよい。孔の大きさは、溶媒が一定の供給速度で不要膜部分にむらなく供給される大きさに設定する。また、孔どうしの間隔は、溶媒供給孔３１から供給された溶媒が不要膜全体に隙間なく行き渡らせられる間隔に設定する。
【００６５】
この実施例では、孔径を１０．０ｍｍ以下で、溶媒を孔の近辺の不要膜を除去（溶解）できる量以上の量だけ通過できる以上の大きさとし、孔どうしの間隔（孔径の外側と外側との間隔）を１０．０ｍｍ以下とした。孔径が小さすぎると、孔の近辺の不要膜を除去（溶解）できなくなり、１０ｍｍ以上にすると、除去部分とその他の部分との境界部がギザギザの状態になり易いとともに、カバー部材３０の機械的強度の維持が困難になるからである。また、孔どうしの間隔が小さすぎると、カバー部材３０の機械的強度の維持が困難になるとともに、孔径によっては、溶媒の安定供給ができなくなる場合がある。逆に、孔どうしの間隔を１０．０ｍｍ以上とすると、除去部分とその他の部分との境界部がギザギザの状態になるとともに、除去したい部分を正確に完全に除去することが困難になるからである。
【００６６】
また、基板１０の溶媒供給孔３１の適宜の数箇所（例えば４箇所）には、溶媒に耐性のある（例えば、樹脂系）糸６０が通され、カバー部材３０の内壁と基板１０の表面との間に介在されてこれらの間隙の大きさを設定するようになっている。すなわち、この糸６０は、溶媒供給孔３１を通り、嵌合溝３７の底壁と基板１０の表面との間及び側部３５の内壁と基板１０の側面との間を通り、さらにカバー部材３０の側部３５の外側、及び周縁平坦部３４の外周端を通過してループ状に形成されている。
【００６７】
糸６０の太さは、嵌合溝３７の底壁と基板１０の表面との間隙の大きさｄ１を、この間隙に溶媒を供給したとき溶媒の表面張力によるメニスカスにより溶媒が間隙中をつたわって間隙中に拡がることが可能な大きさに設定する。この実施例では、ｄ１を０．０５ｍｍ〜３ｍｍとする。０．０５ｍｍ以下及び３ｍｍ以上だと溶媒が間隙中をつたわって間隙中に拡がることが困難になり、除去できない部分ができたり、除去部分と他の部分との境界がギザギザ状態になる場合があるからである。
【００６８】
また、側部３５の内壁と基板１０の側面との間隙の大きさｄ２は、この間隙中を溶媒が膜に接触しながら通過できる大きさであればよい。ｄ２の大きさは、ｄ１と同じにすることが好ましいが、ｄ１と異ならしめてもよい。異ならしめるときには、図示しないが、例えば、側部３５に孔を別個に形成して別の太さの糸を用いてその間隙の大きさを規制するようにしてもよい。
【００６９】
カバ−部材３０の中心部から周縁にかけての大部分である平坦部３２の内壁と対向する基板表面の領域は、必要な膜の領域（不要な膜部分以外の領域）であり、この領域においては、溶媒の表面張力によるメニスカスが働かないように、ｄ１よりも大きく、カバー部材３０の内壁と基板１０の表面との間の間隙を、基板表面１０の膜の温度分布がカバー部材３０の内壁面からの熱伝達によって影響を受けないように所定以上大きく、かつ、間隙で気体の対流が生じてこの対流によって基板主表面の膜に温度分布が生じないように所定以下に小さく設定した値であるｄ３とする。
【００７０】
この実施例では、ｄ３を０．０５ｍｍ〜２０．０ｍｍとする。０．０５ｍｍ以下だとカバー部材からの熱伝達を受け易くなり、例えば、カバー部材表面に溶媒の気化熱が不規則に作用して大きな温度分布が生じた場合、その温度分布を直接反映してレジスト膜に温度分布を付与してしまうおそれが高くなる。一方、２０．０ｍｍ以上だと自然の対流が生じて膜に温度分布を生じさせる虞れが高くなる。ただし、この上限の場合は、例えば、強制的に間隙内の気体を均一に撹拌することによって、自然対流による温度分布発生を阻止することも可能であるので、そのような手段を用いた場合には必ずしも規制されるものではない。
【００７１】
しかしながら、この間隙を大きくすることは、必然的にカバー部材３０の平坦部３２の高さが高くなることを意味する。平坦部３２の高さが高くなり過ぎると、ノズル４０から供給される溶媒が周辺平坦部３４に至るまでの距離が長くなり、途中で気化する量が増したり、カバー部材及び基板を回転しながら処理する場合には、溶媒が周囲に飛び散るおそれも高くなる。また、装置も大型化するので望ましくない。
【００７２】
前述したように、カバー部材３０は、溶媒供給装置によって供給された溶媒を不要な膜部分に供給して不要膜を溶解除去する溶媒供給孔３１を有する。この溶媒供給孔３１は、カバー部材３０の嵌合溝３７に嵌合される溶媒供給部材３８に設けられる。溶媒供給部材３８に設けられる溶媒供給孔３１の径又は／及び溶媒供給孔３１の配置を決めておけば、溶媒供給孔３１を通じて不要な膜部分へ供給される溶媒の供給量又は／及び供給位置を調整できる。したがって、溶媒供給孔３１を有する溶媒供給部材３８は、これを予め複数用意して、これらを交換することによって、溶媒の供給量又は／及び供給位置を調整する調整手段を構成できる。
【００７３】
不要膜を除去（溶解）する溶媒の溶媒供給孔の大きさ又は／及び位置を、溶媒供給部材３８の交換によって、不要膜の除去幅に応じて適宜調整可能としているので、所望の除去幅とするためにカバー部材全体を設計・準備・交換することなく、除去幅を適宜制御することができる。したがって所望の除去幅を有する基板（例えば、フォトマスクブランク）を確実かつ容易に得ることができる。
【００７４】
また、溶媒供給孔３１の大きさ又は／及び位置については次のように種々変更できる。溶媒供給部材３８に形成されている全ての溶媒供給孔３１を同じ大きさに変えてもよく、また、基板１０の各辺毎に変えてもよく、さらにある一定の領域毎に変えてもよく、さらに個々の溶媒供給孔３１毎に変えてもよい。すなわち、溶媒供給部材３８は一体としても、各辺毎に分割しても、あるいは一定の領域毎に分割しても、さらには個々の溶媒供給孔３１単位で細かく分割してもよい。
【００７５】
ところで、前述した溶媒の供給量又は／及び供給位置を調整する調整手段は、予め所定の大きさの溶媒供給孔が形成された溶媒供給部材を用意し、この溶媒供給部材をカバー部材の周辺部に交換自在に設けるようにしたものである。しかし、調整手段はこれに限られない。例えば、溶媒供給孔の孔径を前述した実施例のものよりも大きめに形成しておき、この孔径を開閉蓋により調整できるようにして、溶媒供給部材を交換しなくても済むようにすることも可能である。
【００７６】
図６は、そのような孔径を開閉蓋により調整できるようにした調整手段を示す。カバー部材の所定部位に溶媒供給孔を有する溶媒供給部材設ける点は、前述した実施例と同様である。異なる点は、嵌合溝３７の底部にスライダを有し、このスライダを進退させて溶媒供給孔３１の孔径を調整できる調整機構４１を設けた点である。この溶媒供給孔３１の径を調整機構４１で調整することによって、孔径の大きさ、孔の位置を変えて、溶媒の供給量又は／及び供給位置を調整する。なお、この場合、溶媒供給部材３８はカバー部材３０と一体でも、別体でもよい。溶媒供給部材３８を別体として交換できるように構成すると、さらにきめ細かい流量調整又は／及び位置調整が可能となる。
【００７７】
調整機構４１による調整は手動で行っても、機械で自動的に行ってもよい。機械で自動的に行う場合は、例えば、各溶媒供給孔３１の調整機構４１は図示しないコンピュータに接続され、コンピュータに入力したデータに基づいてスライダを動かして各溶媒供給孔３１の大きさを自動的に調整可能とする。さらには、不要膜の除去幅を常に監視できるようなモニターを不要膜除去装置に取りつけることによって、不要膜の除去の進行に応じてリアルタイムにスライダを動かすことによって、溶媒供給孔３１の大きさを調整するようにしてもよい。
【００７８】
さて、溶媒供給部材３８を嵌めたカバー部材３０を被された基板１０は、回転台２０に保持されて回転されながら処理される。回転台２０は回転軸２１に取り付けられた４本の水平方向に放射状に延びた支持腕２２と、それぞれの支持腕２２の先端部に設けられた一対の保持台座２３とを有する。保持台座２３は、その上に基板１０の４角を配置して保持するものである。回転軸２１は、図示しない回転駆動装置に結合され、所望の回転数で回転されるようになっている。なお、基板１０の下方にも、溶媒供給用のノズル４０ａが設けられており、該ノズル４０ａから溶媒４０ａを供給して、不要膜除去を確実にすることができるようになっている。
【００７９】
また、他の実施例の不要膜除去装置を図７に示す。上述した不要膜除去装置との相違は、カバー部材９１として溶媒供給孔が形成されていないものを使用し、且つ、カバー部材９１と基板１０の側面を覆うように溶媒案内部材９２を設けた点にある。
溶媒案内部材９２は、溶媒が供給される溶媒供給口９３を有する。溶媒案内部材９２とカバー部材９１とは、溶媒案内部材９２とカバー部材９１の間にある間隔が形成されるように接続部材９４で固定されており、溶媒案内部材９２とカバー部材９１の間が、溶媒供給口９３から供給された溶媒の流路、即ち溶媒流路となる。
溶媒供給口９３は、図示せぬ溶媒供給装置によって供給される溶媒が、カバー部材９１の外周をつたわって基板１０の不要な膜部分に供給されるように、溶媒案内部材９２の上方に設けられている。
【００８０】
この不要膜除去装置において、カバー部材９１において少なくとも基板１０側の側面部が可変機構（図示せず）によって部分的に又は全体的に内側に変化できるようにすることにより所望の除去領域、所望の除去幅とすることができる。尚、カバー部材９１の側面部底壁と基板１０の表面との間隙の大きさｄ１を、この間隙に溶媒を供給したとき溶媒の表面張力によるメニスカスにより溶媒が間隙中をつたわって間隙中に拡がることが可能な大きさに設定しておく。
【００８１】
上述の装置によって、以下のようにして不要膜を除去する。まず、基板１０を回転台２０にセットしてカバー部材３０（又は、図７のカバー部材９１及び溶媒案内部材９２。以下、同じ。）を被せたら、ノズル４０から供給量を調節しながら溶媒５０を供給する。同時に、回転台２０を回転数１００〜１０００ｒｐｍで１〜６０秒間回転させる。これにより、溶媒５０を溶媒供給孔３１を通じて不要膜部分１３ａに浸透させて溶解除去する。さらに、上記処理が終盤に近くなった時点で、ノズル４０ａから溶媒５０ａを噴出させて溶解除去をより確実なものにする。これにより、不要膜部分１３ａが除去される。これにベーク処理等を施してレジスト膜１３が基板の中央部に略正方形状に形成されたレジスト膜付きフォトマスクブランクを得る。
また、不要膜部分への露光、及び不要膜部分への現像液の供給による不要膜除去方法は、以下のようにして行われる。露光光源より光ファイバー等の伝送装置を介してレジスト膜の不要膜部分に露光処理を行う。その後、上述と同様にして上述の不要膜除去装置にセットし、不要膜部分にのみ溶媒が供給されるようにして不要膜部分を除去し、ベーク処理等を施してレジスト膜が基板の中央部に略正方形状に形成されたレジスト膜付きフォトマスクブランクを得る。
【００８２】
こうして得られたフォトマスクブランクのレジスト膜の状態を目視で観察した。その結果、処理中にレジストに温度分布が加えられることに起因するリング状の色ムラがみられず、また、レジスト膜と除去部分との境界線はほぼ直線状であり、除去幅がほぼ一定で正確に除去されていることがわかった。さらに、レジストを顕微鏡で観察したところ、溶媒の飛沫等によるピンホールは全くみられなかった。
【００８３】
次に上述したフォトマスクブランク製造方法によって製造される代表的なフォトマスクブランクを説明する。図８はフォトマスクブランクを製造するためのカバー部材の説明図、図９は図８のカバー部材によって製造されたフォトマスクブランクの説明図である。図１０はフォトマスクブランクを製造するための他のカバー部材の説明図、図１１は図１０のカバー部材によって製造されたフォトマスクブランクの説明図である。
【００８４】
図８は基板の各辺でレジストの除去幅が異なるフォトマスクブランクを製造するためのカバー部材を示す。カバー部材３０の周辺部の４辺に、所定の孔径をもつ溶媒供給孔３１を有する４つの溶媒供給部材３８ａ〜３８ｄがそれぞれ嵌め込まれる。各溶媒供給部材３８の長さを同じに設定することにより、溶媒供給部材３８を嵌め込んだときに、カバー部材３０の４つのコーナ部に順に各溶媒供給部材３８の一端が来るようにしてある。ここで、溶媒供給孔３１の形成位置は、４つの溶媒供給部材３８を嵌め込んだときに、左右辺に、辺に沿って直線状に配列されることになる溶媒供給孔３１を外側寄りに形成する。また、上下辺に、辺に沿って直線状に配列されることになる溶媒供給孔３１を内側寄りに形成する。この溶媒供給部材３８を嵌め込んだカバー部材３０で基板表面を覆い、このカバー部材３０の上から溶媒を供給してこの溶媒を溶媒供給孔３１を通じて不要な膜部分を溶媒で溶解して除去する。すると、図９に示すように透光性基板１０の上下辺と左右辺とでレジスト膜１３のうちの不要な部分のレジスト膜の除去幅α、β（α＞β）がそれぞれ異なり、各辺のレジスト膜の除去により露出する各辺の遮光膜１２の露出幅も異なるフォトマスクブランク８０が製造できる。
【００８５】
図１０は、バーコードパターン付フォトマスクブランクを製造するためのカバー部材を示す。カバー部材３０にはめ込まれる溶媒供給部材３８は、基本的には図８のものと同じである。異なる点は、溶媒供給孔３１の形成位置が、左右上下辺で同じであり、かつ下辺の溶媒供給部材３８ｂに一部の溶媒供給孔３１の形状に変形を加えてバーコードパターン用溶媒供給孔３１ｂとした点である。このカバー部材３０を用いて不要な膜部分を溶媒で溶解して除去すると、図１１に示すように透光性基板１０の下辺に、バーコードパターン用溶媒供給孔３１ｂに対応したバーコードパターン７０の形成されたフォトマスクブランク１００が製造できる。
【００８６】
次に、図１２〜図１８を用いてフォトマスクブランクの具体的な実施例を説明する。
【００８７】
図１２はフォトマスクブランク４辺における露光装置のレチクルチャック対応領域以外の２辺に形成されたフォトマスクブランク周辺部のレジスト膜を除去したフォトマスクブランク例を示す。（ａ）は平面図、（ｂ）は左側面図、（ｃ）は正面図である。フォトマスクブランク１１０の被支持部となるレチクルチャック対応領域７１が、平面図において、左辺に２箇所、右辺に１箇所の合計３箇所ある。これらレチクルチャック対応領域７１が形成されている２辺の周辺部のレジスト膜１３は除去せず、レチクルチャック対応領域が形成されていない他の２辺に形成された周辺部のレジスト膜を除去してある。尚、レジスト膜除去領域幅は基板側面から２．０ｍｍとしてある。
【００８８】
このように、レチクルチャック対応領域が形成されていない他の２辺に形成された周辺部のレジスト膜が除去されているので、基板周縁部のレジスト膜が剥離することによる発塵を抑えることができ、且つ、このようにレチクルチャック対応領域及びその周辺の領域となる左右辺の周辺部に形成されたレジスト膜を残すと、フォトマスクブランクをフォトリソによりパターンを形成したレチクルをレチクルチャックに吸着した場合でも、露光装置におけるレチクルの位置精度を高めることができる。
【００８９】
図１３は露光装置のレチクルチャック対応領域の周辺以外に形成されたフォトマスクブランク周辺部のレジスト膜を除去した例を示す。図１２のものと異なる点は、フォトマスクブランク１１２の周辺部に形成されたレジスト膜１３の除去領域が拡大されて、レチクルチャック領域７１の近傍の領域まで除去されている点である。尚、レジスト膜除去領域幅は基板側面から１．０ｍｍである。これによれば、発塵を一層抑えた形でレチクルチャックの形状に応じたレジスト膜の除去ができる。
【００９０】
図１４は補助パターン形成領域に応じて、フォトマスクブランク周辺部に形成された４辺のレジスト除去領域を制御した例を示す。ここで補助パターン形成領域とはフォトマスクにした際に補助パターン（バーコードパターン、アライメントマーク、品質保証（ＱＡ）パターン等）が形成された領域をいう。ここでも、カバー部材を取りかえることなく、溶媒供給部材を交換するだけで、フォトマスクブランク１１３上に形成予定の補助パターン形成領域７２を有効に回避して、不要なレジスト膜を除去したフォトマスクブランク１１３を製造することができる。ここでは４辺のレジスト膜除去領域は、補助パターン形成領域７２の形成予定場所に応じて異ならせてある。左辺は１．０ｍｍ、上辺は０．５ｍｍ、下辺は１．５ｍｍ、そして右辺は０．０ｍｍである。上述の値は、基板側面からのレジスト膜除去領域幅を示す。
【００９１】
このようにフォトマスクブランクの４辺を異なる除去幅でレジスト膜除去することができ、除去幅も任意に制御できるために補助パターンの形成領域までレジスト膜が除去されることはなく、補助パターンのパターン不良の発生を防止できる。また、基板周縁部のレジスト膜が剥離することによる発塵を抑えることもできる。また、マスクメーカー各社によって異なる補助パターンの形成領域の仕様にも対応できるので、マスク基板周縁部のレジスト膜を溶解除去する際に、同じカバーを用いて不要膜を除去した場合でも、溶媒供給部材を交換することによって、例えばアライメントマーク位置までレジスト膜を溶解除去することを回避でき、フォトマスクを作製したときに、アライメントマークが形成されない事態が生じることも回避できる。また、各社の多様に異なる位置に形成するアライメントマークを考慮して、カバーの設計、準備をする必要もないので、コストアップを招くこともなく、またカバーを取りかえる作業が不要となるのでメンテナンスも容易になる。
【００９２】
図１５は補助パターン形成領域の周辺以外に形成されたフォトマスクブランク周辺部レジスト膜を除去した例を示す。図１４のものと異なる点は、フォトマスクブランク１１４の周辺部に形成されたレジスト膜１３の除去領域が拡大されて、補助パターン形成領域７２の近傍の領域まで除去されている点である。尚、レジスト膜除去領域幅は基板側面から全辺で共通して１．０ｍｍとしてある。これによれば、発塵を一層抑えた形で補助パターン形成領域の形状に応じたレジスト膜の除去ができる。
【００９３】
図１６は、既に説明した図１１に対応する具体例であり、レジスト膜の一部を除去することによってバーコードパターンを形成した例を示す。フォトマスクブランク１１５の周辺部に形成されたレジスト膜１３は、全辺とも共通で１．０ｍｍの幅で除去されている。バーコードパターン７３は下辺に形成されている。このバーコードパターンは、フォトマスクブランクの識別用記号であり、例えば欠陥データである。例示のように欠陥データをフォトマスクブランク自体にバーコードパターンとして付けると、マスクケースに欠陥データをつけていたものと異なり、ケース内でマスクブランクの位置関係がずれても、マスクブランクと欠陥データとの照合が取れなくなることがなくなる。したがって、マスクブランクの信頼性が飛躍的に増加する。上述のバーコードパターンや後述する識別用記号は、これらのパターン、記号を観測し、画像処理するなどによって判別できる。
【００９４】
図１７及び図１８はフォトマスクブランクに識別用記号を形成した例を、それぞれ示す。図１７に示すフォトマスクブランク１１６は、周辺部に形成されたレジスト膜１３を除去しない例を示す。識別用記号７４は三角形で構成してある。下辺のレジスト膜１３の一部を除去して遮光膜１２を露出させて構成している。また、図１８に示すフォトマスクブランクは周辺部に形成されたレジスト膜を、基板側面から全辺１．０ｍｍの除去幅で除去した例を示す。識別用記号７５は三角形、台形、四角で構成してある。下辺のレジスト膜１３の一部を除去して遮光膜１２を露出させて構成している。これらによっても、図１６と同様にフォトマスクブランクに付けた識別用記号によって、フォトマスクブランクを識別することができる。
【００９５】
尚、図１２〜図１８の実施例における基板１０に形成した遮光膜１２上のレジスト膜の基板端面からの除去領域γは、図１９に示すように、各種用途（ユーザ仕様）に応じて、γ＝０．５〜３．０ｍｍの範囲内で適宜調整可能である。また、同実施例のフォトマスクブランクは、レジスト膜形成工程により、透光性基板１０の裏面及び端面に形成されたレジスト膜は裏面洗浄（バックリンス）により除去されている。
【００９６】
次に更に別の実施例について説明する。図２０は電子ビーム描画装置におけるアース端子が当接する領域とその周辺領域、及び、基板周辺部に形成されたレジスト膜が除去されたフォトマスクブランクを製造するためのカバー部材の説明図、図２１は図２０のカバー部材によって製造されたフォトマスクブランクの説明図である。
【００９７】
図２０は電子ビーム描画装置におけるアース端子が当接する領域とその周辺領域、及び、基板周辺部に形成されたレジスト膜が除去されたフォトマスクブランクを製造するためのカバー部材を示す。カバー部材３０に嵌めこまれる溶媒供給部材３８は、基本的には図８と同じものである。異なる点は、溶媒供給孔３１の形成位置が、左右の辺で同じであるが（３８ｃ、３８ｄ）、上下の辺において、アース端子が当接する領域とその周辺領域に対応する位置の溶媒供給孔３１をカバー部材３０の内側にずらしている点にある。このカバー部材３０を用いて不要な部分を溶媒で除去すると、図２１に示すフォトマスクブランクを得ることができる。
【００９８】
図２１はフォトマスクブランク４辺における電子ビーム描画装置におけるアースを取るためのアース端子が当接する領域とその周辺領域、及び、基板周辺部に形成された発塵に起因する不要なレジスト膜を除去したフォトマスクブランク例である。電子ビーム描画装置のアース端子が当接する領域Ｃ１が、４箇所設けられている。アース端子が当接する領域とその周辺領域におけるレジスト膜除去領域幅は基板側面から３．５ｍｍ、それ以外は基板側面から２．０ｍｍのレジスト膜が除去されている。
【００９９】
このように、電子ビーム描画装置におけるアース端子が当接する領域とその周辺領域のレジスト膜が除去されているので、電子ビーム描画装置によってフォトマスクを作製する際に、アース端子によるレジスト膜擦れによる発塵や、チャージアップを防止することができるフォトマスクブランクを安価で簡便な方法で、且つ、容易・確実に得ることができる。。また、基板周辺部に形成された不要なレジスト膜を除去しているので、基板周辺部からの発塵も防止できる。よって、マスクを作製するときに、チャージアップによるパターンずれがなくパターン位置精度が良好なマスクを得ることができる。
【０１００】
ここで、上記各実施例では、嵌合溝３７の底部に、溶媒供給孔３１よりも径の小さな多数の孔３９を設けるようにしたが、これに限定されない。例えば、多数の孔３９は溶媒供給孔３１よりも大きな孔でもよく、又はスリット状に形成してもよい。要するに、カバー部材本体と側部３５とを連結できる強度を保ち、かつ溶媒供給部材３８における溶媒供給孔３１の孔径又は／及び位置が変っても、孔３９の制約を受けることなく、不要膜部分への供給が確保されるのであれば、形状は任意である。また、多数の孔３９をカバー部材の上方に設け、下側から溶媒供給部材３８を嵌め込むようにしても良い。
【０１０１】
また、カバー部材３０の本体と側部３５とを多数の孔３９を設けた嵌合溝３７の底部によって連結するようにしたが、これに限られない。例えば、溶媒５０の供給に支障が生じないような複数本の腕をカバー部材本体から側部３５にアーチ状に延ばして、カバー部材本体と側部３５とを連結するようにしてもよい。
【０１０２】
また、溶媒供給部材は、実施例では基板の各辺毎に交換できるように４つの部材で構成したが、これに限定されない。例えば、フレーム状に連結された１つの部材で構成して一度に交換できるものでもよく、またある一定の領域毎に変えられる部材でも、さらには溶媒供給孔毎に構成してもよい。これらの溶媒供給部材３８は、除去幅や除去位置に応じて、同時に全て交換しても、あるいは一部だけ交換するようにしてもよい。
【０１０３】
また、レジストを溶解する溶媒として、ＭＣＡ（メチルセロソルブアセテート）を用いたが、これに限られず、レジストを希釈できる溶媒等、不要膜を溶解除去できるものであればどのようなものでもよい。また、レジストの不要部分を露光し、現像によって除去する場合においては、現像液を用いることができる。また、上記実施例では間隙設定部材として、樹脂系の糸を用いたが、これは、可撓性を有し、かつ溶媒に対して耐性を有するものであれば他のものでもよい。また、間隙設定部材は、糸状体に限られるものではなく、間隙を設定できるものであればどのようなものでもよく、例えば、カバー部材内壁に設けられた凸状体であってもでもよい。
【０１０４】
カバー部材を構成する材料としては、熱を伝達しにくく、溶媒に対する耐性を有し、所定の機械的強度を有するものであればどのようなものであてもよい。例えば、樹脂材料、ガラス材料、セラミックス材料及びこれらの複合材料等をあげることができる。なかでも比較的熱伝達しにくく、加工が容易でかつ軽量化が容易な樹脂材料が好ましい。また、カバー部材の少なくとも基板表面の不要な膜部分以外の領域を覆う部分を上記材料で構成することが好ましい。
【０１０５】
さらに、上記実施例では遮光性膜パターン上にレジスト膜を形成する場合に適用した例について説明したが、これは、透光性基板上にＳＯＧ膜を形成し、ＳＯＧ膜上に遮光性膜パターンを形成するようにした場合にも適用できる。その場合、遮光膜の外に透明導電膜、エッチングストッパー膜等の膜が設けられたものであってもよい。
【０１０６】
さらに、例えば、磁気ディスク媒体の保護膜の塗布、カラーフィルターの保護膜の塗布の際に形成される不要膜の除去、あるいは、ディスプレー用基板上の配線の電極部に形成される絶縁膜を除去する場合にも適用できる。 また、例えば、不要膜がレジストの場合は、溶媒としてレジストが可溶なケトン、エステル、芳香族炭化水素、ハロゲン化炭化水素、エーテル等の液体を用いることができる。
【０１０７】
また、不要膜がＳＯＧの場合は、ベークした後は塗布膜は溶けにくいので、上述の実施例のように、ベークする前に基板の裏面、側面及び表面周縁部の塗布膜を溶解して除去することが好ましいが、塗布膜がレジストの場合は、レジストの種類によっては、ベーク後においても溶解可能な場合もある。また、溶媒供給孔３１の設ける位置は、上記実施例に限られるものではない。
【０１０８】
なお、上記実施例では、基板１０とカバー部材３０とを一体にして回転させる例を掲げたがこれは必ずしも回転させる必要はない。ただし、回転させたほうが溶媒を比較的早くかつ均一に間隙中に拡げさせることができるので好ましい。さらに、カバー部材３０として上記実施例では、正方形状の基板に形成された塗布膜の周縁部を除去して正方形の塗布膜を残存させる例を掲げたが、基板の形状及び残存させる塗布膜の形状は、正方形に限られるものではなく、円形、三角形、多角形その他任意の形状でもよい。その場合には、カバー部材の溶媒供給面と非供給面との形状をそのように形成すればよい。
【０１０９】
【発明の効果】
本発明のマスクブランクによれば、部分的に除去された膜がユーザ仕様に合わせて除去されていれば、ユーザ仕様に対応したマスクブランクとすることができる。特に、補助パターンの形成領域に応じてマスクブランクの周辺部に形成された膜（例えば、レジスト膜）の除去領域が制御されていると、補助パターンのパターン不良の発生を防止できる。さらに、基板周縁部のレジスト膜が剥離することによる発塵を抑えることもできる。
【０１１０】
また、マスクブランクを支持する基板保持部材に対応した領域に応じて膜（例えば、レジスト膜）の除去領域が制御されていると、露光装置におけるレチクルの位置精度が向上する。さらに、基板周縁部のレジスト膜が剥離することによる発塵を抑えることもできる。
また、マスクブランクに欠陥データなどの識別パターン（例えば、バーコードパターンや識別用記号など）が形成されていると、他の要素を介在することなくマスクブランクの識別を正確に行うことができる。
【０１１１】
また、本発明の不要膜除去方法によれば、基板周辺部の膜（例えば、レジスト膜）の除去領域を制御できるので、ユーザ仕様に合わせた最適な領域の不要膜を容易に除去できる。
また、本発明の不要膜除去装置によれば、カバー部材に不要膜部分へ供給される溶媒の供給量又は／及び供給位置を調整する調整手段を設けるだけで、ユーザ仕様に合わせた最適な領域の不要膜を容易に除去できる。
また、本発明のマスクブランク製造方法によれば、周辺部の膜が部分的に除去されたマスクブランクを容易に製造できる。
また、本発明のフォトマスクの製造方法によれば、識別パターンのパターン欠陥のないマスク（フォトマスク等）や、露光装置にマスク（レチクル等）を保持したときに、位置精度が低下しないマスク（レチクル等）を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例にかかる不要膜除去装置の説明図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）はＡ−Ａ線断面図である。
【図２】図１の部分拡大断面図である。
【図３】図１の部分拡大断面図である。
【図４】実施例にかかる不要膜除去装置の部分拡大斜視図である。
【図５】実施例にかかる不要膜除去装置の分解斜視図である。
【図６】本発明の実施例にかかる不要膜除去装置の要部の断面図である。
【図７】別の実施例にかかる不要膜除去装置の断面図である。
【図８】実施例にかかるフォトマスクブランクを製造するためのカバー部材の説明図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
【図９】図７のカバー部材によって製造されたフォトマスクブランクの説明図である。
【図１０】実施例にかかるフォトマスクブランクを製造するための他のカバー部材の説明図である。
【図１１】図９のカバー部材によって製造されたフォトマスクブランクの説明図である。
【図１２】実施例にかかる具体的なフォトマスクブランクの説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は正面図である。
【図１３】実施例にかかる具体的なフォトマスクブランクの平面図である。
【図１４】実施例にかかる具体的なフォトマスクブランクの説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は正面図である。
【図１５】実施例にかかる具体的なフォトマスクブランクの平面図である。
【図１６】実施例にかかる具体的なフォトマスクブランクの平面図である。
【図１７】実施例にかかる具体的なフォトマスクブランクの平面図である。
【図１８】実施例にかかる具体的なフォトマスクブランクの平面図である。
【図１９】図１２〜図１８に示す実施例にかかる透光性基板の裏面及び端面に形成されたレジスト膜の除去領域の説明図である。
【図２０】別の実施例にかかるフォトマスクブランクを製造するためのカバー部材の平面図である。
【図２１】別の実施例にかかる具体的なフォトマスクブランクの平面図である。
【符号の説明】
１０…基板、１１…透明基板、１２…遮光膜、１３…レジスト膜、２０…回転台、２１…回転軸、２２…保持腕、２３…保持台座、３０…カバー部材、３１…溶媒供給孔、３７…嵌合溝，３８…溶媒供給部材，３９…孔，４０，４０ａ…ノズル、５０，５０ａ…溶媒、９１…カバー部材、９２…溶媒案内部材、９３…溶媒供給口、９４…接続部材。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an unnecessary film removing method and apparatus for removing an unnecessary film formed on a part of a substrate surface such as a mask blank and a semiconductor substrate, and a mask blank and a mask manufacturing method.
[0002]
[Prior art]
In the field of manufacturing semiconductor devices, photomasks, etc., it is often required to remove an unnecessary part of a film formed on one main surface of a substrate. For example, when applying a resist or SOG (spin-on-glass) film on a substrate, a coating solution is dropped onto the substrate held approximately horizontally, and the centrifugal force is utilized by rotating the substrate. When the spin coat method is used to form a uniform coating film on the substrate, if the coating film is rotated at a low speed so that the coating film is uniformly formed on the entire surface of the substrate, the centrifugal force acting on the peripheral portion of the substrate surface is reduced. The coating solution stays at the peripheral edge of the substrate surface, and the film thickness at that portion becomes thick.
[0003]
Thus, when the peripheral edge of the substrate surface rises, for example, when the coating solution is a resist, there are the following problems.
[0004]
In the manufacturing process of the photomask blank, after the resist is formed on the substrate surface, the substrate is held by the transport mechanism or inserted into and removed from the substrate storage case during various processing steps. At this time, when the peripheral edge of the substrate comes into contact with the chuck portion of the transport mechanism or the storage groove in the storage case, the resist film on the peripheral edge of the substrate is peeled off to become a dust generation source, and the peeled resist becomes a photomask blank. Defects are caused by adhering to the main surface.
[0005]
Therefore, after the resist is spin-coated to form a resist film, a process of removing the resist film on the peripheral edge of the substrate in advance is performed. In this process, while the substrate is horizontally rotated around a predetermined rotation center, a processing solution for dissolving the resist is supplied to the resist on the peripheral edge of the substrate, and the coating on the peripheral edge of the substrate is dissolved and removed.
[0006]
For example, in the method disclosed in Patent Document 1, a cover having a hollow pyramid shape is arranged on the surface of a substrate, and a solvent is supplied from the top of the pyramid to be supplied to the peripheral portion. .
[0007]
In recent years, photomask blanks for manufacturing semiconductors tend to be increased from a substrate size of 5 inches × 5 inches to a substrate size of 6 inches × 6 inches. As the substrate size increases, the mask substrate becomes heavier.Therefore, when the photomask blank is stored in the mask case, the substrate support part of the mask case and the end face of the photomask blank on which the resist film is formed come into contact. There is a high possibility that dust will be generated, and it is required to remove the resist film formed on the periphery of the photomask blank.
In addition to the actual pattern, auxiliary patterns such as alignment marks, barcode patterns, and QA (quality assurance) patterns are formed on the periphery of the main surface of the mask substrate on the photomask substrate. Moreover, in recent years, these auxiliary patterns have come to be formed in the marginal area of the mask substrate due to the expansion of the effective area of the actual pattern.
[Patent Document 1]
Japanese Patent Publication No. 58-19350 (page 2-4, Fig. 6)
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
However, the conventional resist peripheral removal method described above has the following problems.
[0009]
(1) The four sides of the photomask blank can only be removed with substantially the same removal width, and since the removal width is large, the resist film is removed up to the auxiliary pattern formation region, resulting in the pattern defect of the auxiliary pattern.
[0010]
(2) Further, a substrate holding member, for example, a reticle chuck, in an exposure apparatus used when forming a fine pattern on a semiconductor wafer using a reticle in which a pattern is formed on a photomask blank by photolithography, is provided for each exposure apparatus manufacturer. Each company has different specifications. In general, this type of exposure apparatus holds the reticle on the substrate table of the apparatus main body while being attracted to the reticle chuck so that the reticle does not shift due to vibration of the apparatus main body. At this time, since the plane is defined by three points, the reticle is also held by the reticle chuck while being attracted at three positions. The positional accuracy of the reticle in the exposure apparatus is very important when a fine pattern is formed on the semiconductor wafer, and there should be no deviation in the suction on the reticle chuck. However, since the resist film corresponding to the shape of the reticle chuck could not be removed, the positional accuracy of the reticle in the exposure apparatus is lowered.
[0011]
(3) In addition, now that a high-quality mask blank with fewer defects is required with the shortening of the exposure wavelength, when a mask blank is shipped, a plurality of (usually five) photos are generally provided. The defect data of each mask blank is attached to the mask case containing the mask blank. The verification of the defect data is performed based on the positional relationship within the case stored in the mask case. However, if the mask blank is once taken out for inspection or the like and the positional relationship in the case is shifted, the defect data of each mask blank may be scattered, and the collation may not be obtained. In some cases, it is necessary to measure the defect of the mask blank again.
[0012]
(4) In addition, the specifications of the auxiliary pattern formation region such as the alignment mark described above differ depending on each mask manufacturer. Therefore, when the resist film on the periphery of the mask substrate is dissolved and removed by the conventional method, when the unnecessary film is removed using the same cover, the resist film is dissolved and removed up to the alignment mark position, and when the photomask is manufactured, A situation occurs in which the alignment mark is not formed. In order to prevent such a situation from occurring, the design and preparation of the cover in consideration of the alignment marks formed at various positions of each company incurs an increase in cost and the work of replacing the cover. It is cumbersome and increases the maintenance effort.
[0013]
An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, suppress dust generation due to peeling of the resist film on the peripheral edge of the substrate, and apply to the peripheral portion of the mask blank according to the formation region of the auxiliary pattern. An object of the present invention is to provide a mask blank in which the removal region of the formed film is controlled. Another object of the present invention is to suppress dust generation due to peeling of the resist film on the peripheral edge of the substrate, and to remove a film removal region formed in the peripheral portion of the mask blank according to the region corresponding to the substrate holding member. It is to provide a controlled mask blank. Moreover, the subject of this invention is providing the mask blank in which identification patterns, such as defect data of a mask blank, were formed. Furthermore, an object of the present invention is to provide a mask (such as a photomask) that does not have a pattern defect of an identification pattern, or a mask (such as a reticle) that does not deteriorate in positional accuracy when a mask (such as a reticle) is held in an exposure apparatus. There is. Another object of the present invention is to provide an unnecessary film removal method capable of controlling (adjusting as appropriate) a film removal region at the periphery of a substrate in order to obtain the mask blank. Another object of the present invention is to provide an unnecessary film removing apparatus capable of controlling (adjusting as appropriate) a film removal region at the periphery of a substrate in order to obtain the mask blank.
[0014]
[Means for Solving the Problems]
The first means for solving the above-mentioned problem is:
In a mask blank which is a master plate of a transfer mask having a transfer pattern to be transferred onto a substrate on a substrate, the mask blank has a thin film serving as the transfer pattern on the substrate and a resist film, and the substrate The resist film formed in the peripheral portion of the main surface remains in the supported portion region of the mask blank supported by the holding member of the exposure apparatus and in the peripheral region, and other portions are removed. Is a mask blank.
[0015]
The second means is
A mask blank which is a master of a transfer mask having a transfer pattern and an auxiliary pattern to be transferred onto a substrate on a substrate. The mask blank includes a thin film which becomes the transfer pattern and the auxiliary pattern on the substrate, and a resist film And the resist film formed on the periphery of the main surface of the substrate is left in and around the auxiliary pattern forming region of the mask blank where the auxiliary pattern is formed, and is removed in other unnecessary regions. It is a mask blank characterized by the above-mentioned.
[0016]
The third means is
In a mask blank which is an original of a transfer mask having a transfer pattern and an auxiliary pattern to be transferred onto a transfer medium on a substrate, the mask blank includes a thin film which becomes the transfer pattern on the substrate and a film such as a resist film. The mask blank is characterized in that an identification pattern for identifying the mask blank is formed by partially removing the film formed on the peripheral edge of the substrate.
[0017]
The fourth means is
The mask blank according to the third means, wherein the identification pattern is a barcode pattern.
[0018]
The fifth means is
The mask blank according to the third means or the fourth means, wherein the film formed around the main surface of the substrate is a resist film.
[0019]
The sixth means is
The mask blank according to the fifth means, wherein the resist film formed on the periphery of the substrate other than the identification pattern is removed.
[0020]
The first to sixth means described above can provide a mask blank that solves the above-described problems of the prior art.
[0021]
The seventh means is
The mask blank according to any one of the first to seventh aspects, wherein the mask blank is a photomask blank in which a thin film having a light shielding function, a film such as a resist film is formed on a translucent substrate. It is.
[0022]
Specific means for solving the above-mentioned problems of the prior art are as follows.
[0023]
According to the first means described above, the supported portion of the mask blank (for example, photomask blank) supported by the holding member of the exposure apparatus and the peripheral portion of the substrate main surface in the peripheral region or the vicinity thereof. Since the formed film (resist film) is removed (that is, the resist film remains in the supported area of the mask blank and its periphery, and other areas are removed), this photo is removed. When the mask blank is patterned by photolithography to form a reticle, it is possible to prevent a decrease in reticle position accuracy in the exposure apparatus.
[0024]
According to the second means described above, the resist film formed on the peripheral portion of the substrate is removed so that at least the resist film corresponding to the region where the auxiliary pattern is formed is left (that is, the auxiliary pattern is formed). The auxiliary pattern forming region of the mask blank and the surrounding resist film are left, and the resist film in the other unnecessary regions is removed.) When the photomask is manufactured, the auxiliary pattern such as the alignment mark is removed. Pattern defects can be prevented.
[0025]
According to the third to fourth means described above, an identification pattern or a barcode pattern can be directly formed on the photomask blank, so the photomask blank specification, product number, manufacturing number, etc. can be assigned to the photomask blank itself. Can be provided.
This identification pattern and barcode pattern can be easily removed by etching at the time of photomask fabrication if unnecessary. The identification pattern or barcode pattern may be pattern recognition by removing only the resist film and using reflection between the resist film and a thin film having a light shielding function formed under the resist film. As a mask, a thin film having a light shielding function may also be removed, and pattern recognition may be performed using reflection between a resist film / light shielding thin film and a light-transmitting substrate.
[0026]
According to the fifth means described above, since the film formed in the peripheral portion of the main surface of the substrate is a resist film, it can be easily removed by etching at the time of manufacturing the photomask. Can be reduced.
Further, in order to suppress dust generation due to peeling of the resist film on the peripheral edge of the substrate, it is preferable that the resist film formed on the peripheral portion of the substrate other than the identification pattern is removed as in the sixth means.
[0027]
In addition, for a photomask blank having an identification pattern or barcode pattern on the periphery of the main surface of the translucent substrate, a resist film or a resist film and a thin film having a light-shielding function are removed by laser light in addition to the photomask manufacturing. It can also be produced by a method or the like.
[0028]
The mask blank referred to in the present invention refers to both a transmissive mask blank and a reflective mask blank, and the structure thereof includes a thin film that becomes a transfer pattern to be transferred onto a substrate and a resist film. Have.
[0029]
A transmissive mask blank uses a light-transmitting substrate as a substrate, and a thin film to be a transfer pattern is a thin film (for example, having a light-shielding function) that causes an optical change with respect to exposure light used when transferred to a transfer target A thin film is a photomask blank. Here, the thin film that causes an optical change with respect to the exposure light refers to a light shielding film that blocks the exposure light, a phase shift film that changes the phase difference of the exposure light, and the like. The “thin film having a light shielding function” includes a so-called halftone film having a light shielding function and a phase shift function, and a light shielding film having a light shielding function.
[0030]
Therefore, the photomask blank referred to in the present invention includes a normal photomask blank in which a light shielding film is formed as a thin film having a light shielding function, and a phase shift mask blank (halftone in which a halftone film is formed as a thin film having a light shielding function). Type phase shift mask blank), a phase shift mask blank on which a phase shift film is formed, and the like. The thin film having a light shielding function may be a laminate of the halftone film and the light shielding film. In addition to a thin film having a light shielding function, a phase shift mask blank in which a layer having a phase shift function is formed is included. The layer having the phase shift function is a layer having the phase shift function when the phase shift function is formed by digging a light transmissive substrate. Further, a phase shift layer may be formed.
[0031]
The reflective mask blank is a mask blank having a low thermal expansion coefficient as a substrate and having a light reflecting multilayer film and a light absorber film serving as a transfer pattern on the substrate.
In addition to the above-described films, the mask blank includes a resist underlayer antireflection film (BARC), a resist upper layer antireflection film (TARL), a resist upper layer protective film, and a conductive layer. A film such as a film may be formed. If necessary, the mask blanks of the first to seventh means described above may be formed by removing these films formed on the periphery of the substrate.
[0032]
The eighth means is
An unnecessary film removing method for dissolving and removing unnecessary portions of a film formed on a substrate surface with a solvent, covering the substrate surface with a cover member, supplying the solvent from the cover member, and removing the solvent. An unnecessary portion is removed with a solvent through a solvent flow path provided in a peripheral portion of the cover member, and a supply amount and / or a supply position of the solvent supplied to the unnecessary film portion through the solvent flow path can be adjusted. An unnecessary film removing method characterized by the above.
[0033]
According to the eighth means described above, the size (solvent supply amount, supply position) of the solvent flow path (for example, solvent supply hole) for removing the unnecessary film is appropriately adjusted according to the removal width of the unnecessary film. Therefore, it is possible to appropriately control the removal width without designing, preparing, or replacing the entire cover member in order to obtain a desired removal width, and a substrate having a desired removal width (for example, a photomask blank). Can be obtained reliably and easily.
[0034]
Here, the solvent means a liquid capable of removing an unnecessary film. For example, when the resist film is an unnecessary film, it means an organic solvent to be dissolved and removed, a developer for developing and removing the unnecessary film after exposure. Further, when the light shielding film is an unnecessary film, an etching solution or the like that dissolves the light shielding film is used.
Also, the solvent channel is a solvent channel by providing a solvent supply hole for supplying a solvent to a position corresponding to an unnecessary film portion in the cover member, and a solvent guide member is provided outside the cover member. The solvent channel may be provided between the cover member and the solvent guide member.
[0035]
The ninth means is
The unnecessary film removing method according to the eighth means, wherein an unnecessary film portion is removed with a solvent through a solvent flow path (for example, a solvent supply hole) while rotating the substrate and the cover member together.
[0036]
According to the ninth means described above, an unnecessary film portion is removed with a solvent through a solvent flow path (for example, a solvent supply hole) while rotating both the substrate and the cover member. By utilizing the action, it is possible to prevent the infiltration in the radially inward direction and to spread the solvent evenly and supply it to an unnecessary film portion more easily and reliably.
[0037]
The tenth means is
10. The unnecessary film removing method according to the eighth or ninth aspect, wherein the solvent flow path is a solvent supply hole provided in a peripheral portion of the cover member.
[0038]
According to the tenth means described above, the solvent flow path is a solvent supply hole provided in a peripheral portion of the cover member.
The size of the solvent supply hole may be changed to the same size for all the solvent supply holes formed in the cover member, or may be changed for each side of the substrate, and for each certain region. It may be changed or may be changed for each individual solvent supply hole.
[0039]
The eleventh means is
An unnecessary film removing device that removes unnecessary portions of a film formed on a substrate surface with a solvent, the cover member covering the substrate surface, and a solvent supply device for supplying the solvent from the cover member And the cover member has a chemical flow path for removing the unnecessary film by supplying the solvent supplied by the solvent supply device to the unnecessary film part, and supplying the unnecessary film part through the solvent flow path. An unnecessary film removing apparatus comprising an adjusting means for adjusting a supply amount or / and a supply position of a solvent to be used.
[0040]
According to the eleventh means described above, by providing the cover member with an adjusting means that adjusts the size of the solvent flow path of the solvent that dissolves the unnecessary film, the entire cover member is designed and formed in order to obtain a desired removal width. The removal width can be appropriately controlled without preparation / replacement, and a substrate having a desired removal width (for example, a photomask blank) can be obtained reliably and easily.
[0041]
Here, the cover member in the unnecessary film removing method and the unnecessary film removing apparatus described above specifically has a certain gap with the main surface in the removal region of the main surface of the substrate, and the main surface of the substrate. In the non-removal region, the substrate main surface is covered so that a space larger than the gap is formed, and the gap can be spread only in the gap by passing through the gap. Is set to
[0042]
The cover member is arranged between the substrate and the cover member because the cover member is arranged so as to form a certain gap from the substrate main surface in the region (removal region) of the unnecessary film portion formed on the substrate main surface. In the formed gap, the solvent is filled (supplied) by the meniscus due to the surface tension of the solvent, but the surface tension of the solvent does not work in the space formed in the non-removed area of the main surface of the substrate. Is not supplied. The removal region can be accurately controlled by removing the unnecessary film using the above-described principle.
[0043]
The twelfth means is
11. The unnecessary film removing apparatus according to the eleventh aspect, wherein the solvent flow path is a solvent supply hole provided in a peripheral portion of the cover member.
[0044]
Similarly to the above, the solvent flow path is provided in a solvent supply hole for supplying a solvent to a position corresponding to an unnecessary film portion in the cover member as in the twelfth means (for example, provided in the periphery of the cover member). In addition, a solvent flow path may be provided by providing a plurality of through holes (solvent supply holes), or a solvent guide member may be provided outside the cover member, and a solvent flow path may be provided between the cover member and the solvent guide member.
[0045]
In the latter case, the size of the cover member is adjusted by adjusting the supply amount or / and supply position of the solvent by adjusting the position of the gap formed in the removal region of the main surface as the adjustment means. A desired removal region and a desired removal width can be changed partially or entirely, and in the former case, a desired removal region and a desired removal can be obtained by taking the thirteenth or fourteenth means described later. It can be a width. The former is preferable in terms of simplifying the apparatus.
[0046]
The thirteenth means is
The adjusting means includes the solvent supply hole, and provides a solvent supply member having a predetermined diameter or / and the arrangement of the solvent supply hole, and replaces the solvent supply member with a predetermined portion of the cover member. The unnecessary film removing apparatus according to the eleventh aspect, characterized in that the supply amount or / and the supply position of the solvent are adjusted by exchanging the solvent supply member.
[0047]
As the adjusting means, a member in which a hole having a predetermined size is prepared in advance as in the thirteenth means described above, and the member can be appropriately attached to or removed from the peripheral portion of the cover member. it can. In this case, by preparing a plurality of solvent supply members with different hole diameters and positions depending on the removal region (removal width), unnecessary film removal can be performed reliably and easily in various cases and at a low cost. This is preferable because the removal width can be controlled. The solvent supply member may be a member that can be changed all at once around the cover member, a member that can be changed for each side of the substrate, or a member that can be changed for each certain region. The size of the solvent supply holes formed in the member may be changed to the same size for all of the solvent supply holes formed in the cover member, or may be changed for each side of the substrate. It may be changed for each region, or may be changed for each solvent supply hole.
[0048]
As a typical example of the member, for example, a solvent supply hole formed in the member is an identification symbol (triangle, quadrangle, barcode pattern, etc.) as an identification pattern for identifying a substrate (for example, a photomask blank). This makes it possible to directly form defect data, photomask blank specifications, model names, product numbers, manufacturing numbers, and the like on the photomask blank.
[0049]
These identification symbols can be easily removed by etching when producing the photomask if unnecessary. The identification symbol may be a bar code by removing only the resist film and utilizing the reflection of the resist film and the light shielding film formed thereunder, and further using the removed resist as a mask, The bar code may be removed by utilizing the reflection between the resist film / light-shielding film and the transparent substrate.
[0050]
In addition to the method of partially dissolving and removing the resist film with a solvent, the photomask blank having a barcode pattern on the peripheral portion of the main surface of the substrate is optically applied to the resist film or the resist film and the exposure light by a laser beam. It can also be produced by a method of removing a thin film (for example, a thin film having a light-shielding function) that brings about a change in the environment.
[0051]
The fourteenth means is
The adjusting means is characterized in that a solvent supply hole is provided in a predetermined part of the cover member, and the supply amount or / and supply position of the solvent is adjusted by adjusting the diameter of the solvent supply hole. The unnecessary film removing apparatus according to the eleventh means.
[0052]
Examples of the adjusting means include providing a mechanism capable of adjusting the size of each solvent supply hole provided in the cover member as in the above-described fourteenth means.
[0053]
In the case of the fourteenth means, the adjustment mechanism may be manually operated or automatically performed by a machine. When automatically performed by a machine, the adjustment mechanism of each solvent supply hole is connected to a computer, and the size of each solvent supply hole can be automatically adjusted based on data input to the computer. Furthermore, by attaching a monitor that can always monitor the removal width of the unnecessary film to the unnecessary film removing apparatus, the size of the solvent supply hole can be adjusted in real time according to the progress of the removal of the unnecessary film.
[0054]
The fifteenth means
In a mask blank manufacturing method including a thin film that becomes a transfer pattern to be transferred onto a substrate to be transferred onto a substrate and a film forming process for forming a film such as a resist film, an unnecessary portion formed in an unnecessary part in the film forming process A mask blank manufacturing method comprising an unnecessary film removing step of removing a film by the method described in the eighth to tenth means.
[0055]
According to the fifteenth means described above, it is possible to obtain a mask blank manufacturing method that can remove the unnecessary film removal width accurately, easily and reliably according to various applications.
The sixteenth means is
The mask blank manufacturing method according to the fifteenth means, wherein the mask blank is the mask blank according to any one of the first to seventh means. The mask blank manufacturing method described in the fifteenth means is effective when the mask blank described in any one of the first to seventh means is manufactured as in the sixteenth means. However, the present invention is not limited to this, for example, an area where the earth terminal or substrate support of an electron beam lithography apparatus used when manufacturing a mask from a mask blank contacts and its peripheral area, and further, it is formed in the peripheral area of the substrate. When creating a mask blank that must be adjusted and controlled appropriately for the removal area of the unnecessary film (resist film, etc.) formed on the periphery of the substrate, such as a mask blank from which unnecessary resist film due to dust generation has been removed. It is valid.
[0056]
The seventeenth means is
A mask manufacturing method, wherein a transfer pattern is formed by patterning the thin film in a mask blank obtained by the mask blank manufacturing method according to the fifteenth or sixteenth means.
[0057]
According to the above seventeenth means, a mask (such as a photomask) having no pattern defect of an identification pattern or a mask (such as a reticle) whose positional accuracy does not deteriorate when a mask (such as a reticle) is held in an exposure apparatus. Can be provided.
[0058]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
FIG. 1 is a sectional view showing the structure of an unnecessary film removing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIGS. 2 and 3 are partially enlarged sectional views of FIG. 1, and FIG. 4 is a partially enlarged perspective view of the unnecessary film removing apparatus according to the embodiment. FIG. 5 is an exploded perspective view of the unnecessary film removing apparatus according to the embodiment. Hereinafter, an unnecessary film removing method and apparatus according to the embodiment and a photomask blank manufacturing method will be described with reference to these drawings. In the following description, first, a photomask blank on which an unnecessary film is formed will be described, then, the structure of the unnecessary film removal apparatus will be described, and further, a photomask blank manufacturing method will be described together with an unnecessary film removal method, Finally, various photomask blanks manufactured by the photomask blank manufacturing method will be described.
[0059]
1 to 5, a substrate 10 is formed of a light shielding film 12 made of chromium on the surface of a transparent substrate (6 inches × 6 inches × 0.25 inches (1 inch = 25.4 mm)) 11 made of synthetic quartz glass. Further, an unbaked resist film (for example, product name: PBSC, manufactured by Chisso Corporation) 13 having a thickness of 4000 angstroms was formed on the light shielding film 12 by a spin coat method or the like (FIGS. 2 and 2). 3) Photomask blank.
[0060]
Here, the resist film 13 should originally be formed only on the main part of the surface of the substrate 11. However, when the resist film 13 is formed, the resist film 13 is formed even on the peripheral portion of the surface of the substrate 11, the side surface portion of the substrate 11, and in some cases the back surface portion of the substrate. The unnecessary film removing method and apparatus according to this embodiment are a method and apparatus for removing these unnecessary films.
[0061]
In the unnecessary film removing apparatus of this embodiment, as shown in FIG. 1, the upper surface side of the substrate 10 placed and held on the turntable 20 is covered with a cover member 30, and an MCA is formed from above the cover member 30 by a nozzle 40. A solvent 50 such as (methyl cellosolve acetate) is ejected and supplied to the unnecessary film portion 13a (see FIG. 5) through the solvent supply hole 31 of the cover member 30 to dissolve and remove it.
[0062]
The cover member 30 covers the substrate 10 so as to cover it from above, and most of the cover member 30 is a flat portion 32 from the center to the periphery. An inclined portion 33 is formed from the flat portion 32 toward the outer peripheral portion, a thick peripheral flat portion 34 is formed from the inclined portion 33 toward the outer peripheral portion, and the outer peripheral end of the peripheral flat portion 34 is downward. The side part 35 is formed extending.
[0063]
A solvent supply member 38 having a large number of through holes, which are solvent supply holes 31, is detachably fitted into the peripheral flat portion 34. The solvent supply member 38 is fitted in a fitting groove 37 provided in the peripheral flat portion 34. As shown in FIG. 1B, a large number of holes 39 having a diameter smaller than that of the solvent supply hole 31 are provided at the bottom of the fitting groove 37. For example, the bottom of the fitting groove 37 has a wire mesh shape, and the solvent supply amount is determined not by these holes 39 but by the diameter of the solvent supply holes 31. The solvent supply member 38 is fitted into the groove 37 to form a flat portion. Further, the main body of the cover member 30 and the side portion 35 are connected by the bottom portion of the fitting groove 37.
[0064]
The solvent supply hole 31 formed in the solvent supply member 38 has an appropriate shape, size, and formation interval selected according to the viscosity of the solvent 50 and the like. That is, the hole shape may be any of square, rectangle, circle, ellipse and others. The size of the pores is set to a size at which the solvent is uniformly supplied to the unnecessary membrane portion at a constant supply rate. Moreover, the space | interval of holes is set to the space | interval which the solvent supplied from the solvent supply hole 31 is spread over the whole unnecessary film | membrane without a gap.
[0065]
In this embodiment, the hole diameter is 10.0 mm or less, and the size is larger than the amount that allows the solvent to be removed (dissolved) more than the unnecessary film in the vicinity of the hole. ) Was set to 10.0 mm or less. If the hole diameter is too small, the unnecessary film in the vicinity of the hole cannot be removed (dissolved), and if it is 10 mm or more, the boundary part between the removed part and the other part tends to be in a jagged state, and the cover member 30 is mechanical. This is because it is difficult to maintain the strength. Moreover, when the space | interval of holes is too small, while maintaining the mechanical strength of the cover member 30, it will become difficult to supply the solvent stably depending on the hole diameter. Conversely, if the distance between the holes is 10.0 mm or more, the boundary between the removed part and the other part becomes jagged, and it becomes difficult to accurately and completely remove the part to be removed. is there.
[0066]
In addition, a solvent-resistant (for example, resin-based) thread 60 is passed through appropriate several positions (for example, four positions) of the solvent supply hole 31 of the substrate 10, and the inner wall of the cover member 30, the surface of the substrate 10, and the like. These gaps are set in size. That is, the thread 60 passes through the solvent supply hole 31, passes between the bottom wall of the fitting groove 37 and the surface of the substrate 10, passes between the inner wall of the side portion 35 and the side surface of the substrate 10, and further covers the cover member 30. It is formed in a loop shape passing through the outer side of the side portion 35 and the outer peripheral end of the peripheral flat portion 34.
[0067]
The thickness of the thread 60 is determined based on the size d1 of the gap between the bottom wall of the fitting groove 37 and the surface of the substrate 10, and when the solvent is supplied to this gap, the solvent passes through the gap by the meniscus due to the surface tension of the solvent. The size is set such that it can spread into the gap. In this embodiment, d1 is set to 0.05 mm to 3 mm. If it is 0.05 mm or less and 3 mm or more, it becomes difficult for the solvent to pass through the gap and spread into the gap, and a part that cannot be removed may be formed, or the boundary between the removed part and other parts may be in a jagged state. Because.
[0068]
Further, the size d2 of the gap between the inner wall of the side portion 35 and the side surface of the substrate 10 may be a size that allows the solvent to pass through the gap while contacting the film. The magnitude of d2 is preferably the same as d1, but may be different from d1. When making them different, although not shown, for example, a hole may be separately formed in the side portion 35 and the size of the gap may be regulated using a thread having a different thickness.
[0069]
The region of the substrate surface facing the inner wall of the flat portion 32 that is the majority from the center to the periphery of the cover member 30 is a necessary film region (a region other than the unnecessary film portion). In order to prevent the meniscus due to the surface tension of the solvent from acting, the gap between the inner wall of the cover member 30 and the surface of the substrate 10 is larger than d1, and the temperature distribution of the film on the substrate surface 10 is the inner wall surface of the cover member 30. The value is set to be larger than a predetermined value so as not to be affected by heat transfer from the gas, and set to be smaller than a predetermined value so that gas convection is generated in the gap and temperature distribution is not generated in the film on the main surface of the substrate by this convection Let d3.
[0070]
In this embodiment, d3 is set to 0.05 mm to 20.0 mm. If it is 0.05 mm or less, it becomes easy to receive heat transfer from the cover member. For example, when the heat of vaporization of the solvent acts irregularly on the surface of the cover member and a large temperature distribution is generated, the temperature distribution is directly reflected. There is a high possibility that a temperature distribution is imparted to the resist film. On the other hand, if it is 20.0 mm or more, there is a high possibility that natural convection occurs and a temperature distribution is generated in the film. However, in the case of this upper limit, for example, it is possible to prevent the temperature distribution due to natural convection by forcibly stirring the gas in the gap, so when such means are used. Is not necessarily regulated.
[0071]
However, increasing the gap means that the height of the flat portion 32 of the cover member 30 is necessarily increased. If the height of the flat portion 32 becomes too high, the distance until the solvent supplied from the nozzle 40 reaches the peripheral flat portion 34 becomes long, and the amount of vaporization on the way increases, while rotating the cover member and the substrate. In the case of processing, there is a high risk that the solvent will scatter around. In addition, the apparatus becomes undesirably large.
[0072]
As described above, the cover member 30 has the solvent supply holes 31 for supplying the solvent supplied by the solvent supply device to unnecessary film portions and dissolving and removing the unnecessary films. The solvent supply hole 31 is provided in the solvent supply member 38 fitted in the fitting groove 37 of the cover member 30. If the diameter of the solvent supply hole 31 provided in the solvent supply member 38 and / or the arrangement of the solvent supply hole 31 are determined, the supply amount or / and supply position of the solvent supplied to the unnecessary film portion through the solvent supply hole 31. Can be adjusted. Therefore, a plurality of solvent supply members 38 having the solvent supply holes 31 are prepared in advance, and by exchanging them, an adjustment means for adjusting the supply amount or / and supply position of the solvent can be configured.
[0073]
Since the size or / and position of the solvent supply hole of the solvent for removing (dissolving) the unnecessary film can be appropriately adjusted according to the removal width of the unnecessary film by exchanging the solvent supply member 38, the desired removal width and Therefore, the removal width can be appropriately controlled without designing, preparing, or exchanging the entire cover member. Therefore, a substrate (for example, a photomask blank) having a desired removal width can be obtained reliably and easily.
[0074]
The size or / and position of the solvent supply hole 31 can be variously changed as follows. All the solvent supply holes 31 formed in the solvent supply member 38 may be changed to the same size, may be changed for each side of the substrate 10, and may be changed for each certain region. Further, it may be changed for each individual solvent supply hole 31. That is, the solvent supply member 38 may be integrated, divided for each side, divided for each fixed region, or finely divided for each solvent supply hole 31 unit.
[0075]
By the way, the above-mentioned adjusting means for adjusting the supply amount or / and the supply position of the solvent prepares a solvent supply member in which a solvent supply hole having a predetermined size is formed in advance, and this solvent supply member is attached to the peripheral portion of the cover member. It is designed to be replaceable. However, the adjustment means is not limited to this. For example, the hole diameter of the solvent supply hole is formed larger than that of the above-described embodiment, and the hole diameter can be adjusted by the opening / closing lid so that the solvent supply member does not have to be replaced. Is possible.
[0076]
FIG. 6 shows an adjusting means in which such a hole diameter can be adjusted by an opening / closing lid. The point which provides the solvent supply member which has a solvent supply hole in the predetermined part of a cover member is the same as that of the Example mentioned above. The difference is that a slider is provided at the bottom of the fitting groove 37, and an adjustment mechanism 41 that can adjust the hole diameter of the solvent supply hole 31 by moving the slider forward and backward is provided. By adjusting the diameter of the solvent supply hole 31 with the adjustment mechanism 41, the size of the hole diameter and the position of the hole are changed to adjust the supply amount or / and the supply position of the solvent. In this case, the solvent supply member 38 may be integrated with the cover member 30 or separate. If the solvent supply member 38 is configured to be exchanged as a separate body, a finer flow rate adjustment and / or position adjustment becomes possible.
[0077]
The adjustment by the adjustment mechanism 41 may be performed manually or automatically by a machine. When performing automatically with a machine, for example, the adjustment mechanism 41 of each solvent supply hole 31 is connected to a computer (not shown), and the size of each solvent supply hole 31 is automatically adjusted by moving a slider based on data input to the computer. Adjustable. Furthermore, by attaching a monitor that can always monitor the removal width of the unnecessary film to the unnecessary film removal apparatus, the size of the solvent supply hole 31 can be increased by moving the slider in real time as the unnecessary film is removed. You may make it adjust.
[0078]
The substrate 10 covered with the cover member 30 fitted with the solvent supply member 38 is processed while being held and rotated by the turntable 20. The turntable 20 includes four horizontally extending support arms 22 attached to a rotation shaft 21 and a pair of holding pedestals 23 provided at the distal ends of the support arms 22. The holding base 23 is arranged to hold the four corners of the substrate 10 thereon. The rotation shaft 21 is coupled to a rotation drive device (not shown) and is rotated at a desired number of rotations. A solvent supply nozzle 40 a is also provided below the substrate 10, and the solvent 40 a is supplied from the nozzle 40 a so that unnecessary film removal can be ensured.
[0079]
FIG. 7 shows an unnecessary film removing apparatus according to another embodiment. The difference from the above-described unnecessary film removing apparatus is that a cover member 91 having no solvent supply hole is used, and a solvent guide member 92 is provided so as to cover the cover member 91 and the side surface of the substrate 10. It is in.
The solvent guide member 92 has a solvent supply port 93 through which a solvent is supplied. The solvent guide member 92 and the cover member 91 are fixed by a connecting member 94 so that a gap is formed between the solvent guide member 92 and the cover member 91, and the space between the solvent guide member 92 and the cover member 91 is , A flow path of the solvent supplied from the solvent supply port 93, that is, a solvent flow path.
The solvent supply port 93 is provided above the solvent guide member 92 so that the solvent supplied by a solvent supply device (not shown) is supplied to an unnecessary film portion of the substrate 10 along the outer periphery of the cover member 91. ing.
[0080]
In this unnecessary film removing apparatus, at least a side surface portion on the substrate 10 side of the cover member 91 can be changed inward partially or entirely by a variable mechanism (not shown) to thereby form a desired removal region, a desired removal region. The removal width can be used. Note that when the solvent is supplied to the gap, the size d1 of the gap between the bottom wall of the side surface of the cover member 91 and the surface of the substrate 10 is increased by the meniscus due to the surface tension of the solvent. Set the size as possible.
[0081]
The unnecessary film is removed by the above-described apparatus as follows. First, when the substrate 10 is set on the turntable 20 and the cover member 30 (or the cover member 91 and the solvent guide member 92 in FIG. 7 is covered), the solvent 50 is adjusted while adjusting the supply amount from the nozzle 40. Supply. At the same time, the turntable 20 is rotated at a rotational speed of 100 to 1000 rpm for 1 to 60 seconds. Thus, the solvent 50 is permeated into the unnecessary film portion 13a through the solvent supply hole 31 and dissolved and removed. Further, when the above process is close to the end, the solvent 50a is ejected from the nozzle 40a to ensure dissolution and removal. Thereby, the unnecessary film | membrane part 13a is removed. This is subjected to baking or the like to obtain a photomask blank with a resist film in which the resist film 13 is formed in a substantially square shape at the center of the substrate.
Moreover, the unnecessary film | membrane removal method by exposure to an unnecessary film | membrane part and supply of the developing solution to an unnecessary film | membrane part is performed as follows. An unnecessary film portion of the resist film is exposed to light from an exposure light source via a transmission device such as an optical fiber. After that, it is set in the above-described unnecessary film removing apparatus in the same manner as described above, the unnecessary film portion is removed so that the solvent is supplied only to the unnecessary film portion, and the resist film is applied to the central portion of the substrate by performing a baking process or the like. A photomask blank with a resist film formed in a substantially square shape is obtained.
[0082]
The state of the resist film of the photomask blank thus obtained was visually observed. As a result, ring-shaped color unevenness due to the temperature distribution being applied to the resist during processing is not observed, and the boundary line between the resist film and the removed portion is almost linear, and the removal width is almost constant. It was found that it was removed accurately. Further, when the resist was observed with a microscope, no pinholes due to solvent splashes were observed.
[0083]
Next, a typical photomask blank manufactured by the above-described photomask blank manufacturing method will be described. FIG. 8 is an explanatory view of a cover member for manufacturing a photomask blank, and FIG. 9 is an explanatory view of a photomask blank manufactured by the cover member of FIG. FIG. 10 is an explanatory view of another cover member for manufacturing the photomask blank, and FIG. 11 is an explanatory view of the photomask blank manufactured by the cover member of FIG.
[0084]
FIG. 8 shows a cover member for manufacturing a photomask blank having a different resist removal width on each side of the substrate. Four solvent supply members 38 a to 38 d each having a solvent supply hole 31 having a predetermined hole diameter are fitted into the four sides of the periphery of the cover member 30. By setting the length of each solvent supply member 38 to be the same, when the solvent supply member 38 is fitted, one end of each solvent supply member 38 comes to the four corner portions of the cover member 30 in order. . Here, the formation position of the solvent supply holes 31 is such that when the four solvent supply members 38 are fitted, the solvent supply holes 31 to be arranged linearly along the sides on the left and right sides. Form. Moreover, the solvent supply holes 31 to be arranged linearly along the sides are formed on the upper and lower sides closer to the inside. The surface of the substrate is covered with a cover member 30 fitted with the solvent supply member 38, a solvent is supplied from above the cover member 30, and this solvent is removed by dissolving an unnecessary film portion with the solvent through the solvent supply hole 31. . Then, as shown in FIG. 9, the removal widths α and β (α> β) of the resist film in unnecessary portions of the resist film 13 are different between the upper and lower sides and the left and right sides of the translucent substrate 10. The photomask blank 80 having a different exposure width of the light shielding film 12 on each side exposed by removing the resist film can be manufactured.
[0085]
FIG. 10 shows a cover member for manufacturing a photomask blank with a barcode pattern. The solvent supply member 38 fitted into the cover member 30 is basically the same as that shown in FIG. The difference is that the formation positions of the solvent supply holes 31 are the same in the left, right, upper and lower sides, and the shape of some of the solvent supply holes 31 is modified in the solvent supply member 38b on the lower side to form the solvent supply holes for barcode pattern. This is the point 31b. When an unnecessary film portion is dissolved and removed using the cover member 30 with a solvent, a barcode pattern 70 corresponding to the barcode pattern solvent supply hole 31b is formed on the lower side of the translucent substrate 10 as shown in FIG. Can be produced.
[0086]
Next, specific examples of the photomask blank will be described with reference to FIGS.
[0087]
FIG. 12 shows a photomask blank example in which the resist film around the photomask blank formed on two sides other than the reticle chuck corresponding region of the exposure apparatus on the four sides of the photomask blank is removed. (A) is a plan view, (b) is a left side view, and (c) is a front view. In the plan view, there are three regions 71 corresponding to the reticle chuck corresponding to the photomask blank 110, ie, two on the left side and one on the right side. The peripheral resist film 13 on the two sides where the reticle chuck corresponding region 71 is formed is not removed, and the peripheral resist film formed on the other two sides where the reticle chuck corresponding region is not formed is removed. It is. The resist film removal region width is set to 2.0 mm from the side surface of the substrate.
[0088]
As described above, since the peripheral resist film formed on the other two sides where the reticle chuck corresponding region is not formed is removed, dust generation due to peeling of the resist film on the peripheral edge of the substrate can be suppressed. In addition, when the resist film formed in the peripheral part of the right and left sides which are the reticle chuck corresponding region and the peripheral region in this way is left, the reticle on which the photomask blank is formed by photolithography is adsorbed to the reticle chuck. Even in this case, the positional accuracy of the reticle in the exposure apparatus can be increased.
[0089]
FIG. 13 shows an example in which the resist film in the periphery of the photomask blank formed other than the periphery of the reticle chuck corresponding region of the exposure apparatus is removed. The difference from FIG. 12 is that the removal region of the resist film 13 formed in the peripheral portion of the photomask blank 112 is enlarged and removed to a region near the reticle chuck region 71. The width of the resist film removal region is 1.0 mm from the side surface of the substrate. According to this, it is possible to remove the resist film according to the shape of the reticle chuck while further suppressing dust generation.
[0090]
FIG. 14 shows an example in which the four-side resist removal region formed around the photomask blank is controlled in accordance with the auxiliary pattern formation region. Here, the auxiliary pattern formation region is a region where an auxiliary pattern (barcode pattern, alignment mark, quality assurance (QA) pattern, etc.) is formed when the photomask is used. In this case as well, the auxiliary mask forming region 72 to be formed on the photomask blank 113 is effectively avoided and the unnecessary resist film is removed by simply replacing the solvent supply member without replacing the cover member. A blank 113 can be manufactured. Here, the resist film removal regions on the four sides are made different according to the planned formation location of the auxiliary pattern formation region 72. The left side is 1.0 mm, the upper side is 0.5 mm, the lower side is 1.5 mm, and the right side is 0.0 mm. The above values indicate the width of the resist film removal region from the side surface of the substrate.
[0091]
As described above, the resist film can be removed with different removal widths on the four sides of the photomask blank, and the removal width can be arbitrarily controlled. Therefore, the resist film is not removed up to the auxiliary pattern formation region. Generation of pattern defects can be prevented. Further, dust generation due to peeling of the resist film on the peripheral edge of the substrate can be suppressed. In addition, since it is possible to correspond to the specifications of the auxiliary pattern formation region which differs depending on the mask manufacturer, even when the unnecessary film is removed using the same cover when dissolving and removing the resist film on the periphery of the mask substrate, the solvent supply member For example, it is possible to avoid dissolving and removing the resist film up to the alignment mark position, and it is possible to avoid a situation in which the alignment mark is not formed when the photomask is manufactured. Also, it is not necessary to design and prepare the cover in consideration of the alignment marks that are formed at various different positions in each company, so there is no cost increase and no need to replace the cover. Will also be easier.
[0092]
FIG. 15 shows an example in which the photomask blank peripheral portion resist film formed outside the periphery of the auxiliary pattern formation region is removed. The difference from FIG. 14 is that the removal region of the resist film 13 formed in the peripheral portion of the photomask blank 114 is enlarged and removed to a region near the auxiliary pattern formation region 72. Note that the resist film removal region width is 1.0 mm in common from the substrate side surface to all sides. According to this, the resist film corresponding to the shape of the auxiliary pattern forming region can be removed in a form in which dust generation is further suppressed.
[0093]
FIG. 16 is a specific example corresponding to FIG. 11 described above, and shows an example in which a barcode pattern is formed by removing a part of the resist film. The resist film 13 formed on the periphery of the photomask blank 115 is removed with a width of 1.0 mm in common on all sides. The barcode pattern 73 is formed on the lower side. This barcode pattern is a photomask blank identification symbol, for example, defect data. If the defect data is attached as a barcode pattern to the photomask blank itself as shown in the example, the mask blank and the defect data will be different even if the mask blank is misaligned in the case. Can no longer be verified. Accordingly, the reliability of the mask blank is dramatically increased. The above-described barcode pattern and identification symbols described later can be identified by observing these patterns and symbols and performing image processing.
[0094]
17 and 18 show examples in which identification symbols are formed on the photomask blank. A photomask blank 116 shown in FIG. 17 shows an example in which the resist film 13 formed in the peripheral portion is not removed. The identification symbol 74 is a triangle. A part of the lower resist film 13 is removed to expose the light shielding film 12. Further, the photomask blank shown in FIG. 18 shows an example in which the resist film formed in the peripheral portion is removed from the side surface of the substrate with a removal width of 1.0 mm on all sides. The identification symbol 75 is composed of a triangle, a trapezoid, and a square. A part of the lower resist film 13 is removed to expose the light shielding film 12. Also by these, the photomask blank can be identified by the identification symbol attached to the photomask blank as in FIG.
[0095]
The removal region γ from the substrate end face of the resist film on the light shielding film 12 formed on the substrate 10 in the embodiment of FIGS. 12 to 18 is shown in FIG. 19 according to various uses (user specifications). It can be appropriately adjusted within the range of γ = 0.5 to 3.0 mm. In the photomask blank of this example, the resist film formed on the back surface and the end surface of the translucent substrate 10 is removed by back surface cleaning (back rinse) in the resist film forming step.
[0096]
Next, another embodiment will be described. FIG. 20 is an explanatory view of a cover member for manufacturing a photomask blank from which the resist film formed in the region where the ground terminal abuts in the electron beam lithography apparatus, its peripheral region, and the substrate peripheral portion is removed, and FIG. These are explanatory drawings of the photomask blank manufactured by the cover member of FIG.
[0097]
FIG. 20 shows a cover member for manufacturing a photomask blank from which the resist film formed on the peripheral area of the substrate and the peripheral area of the electron beam lithography apparatus is removed. The solvent supply member 38 fitted into the cover member 30 is basically the same as that shown in FIG. The difference is that the formation positions of the solvent supply holes 31 are the same on the left and right sides (38c, 38d), but on the upper and lower sides, the solvent supply holes at positions corresponding to the area where the ground terminal abuts and the surrounding area. The point 31 is shifted to the inside of the cover member 30. When unnecessary portions are removed with a solvent using the cover member 30, a photomask blank shown in FIG. 21 can be obtained.
[0098]
FIG. 21 shows the removal of an unnecessary resist film caused by dust generation on the periphery of the substrate, its peripheral region, and its peripheral region on the four sides of the photomask blank, which contact the ground terminal for grounding in the electron beam lithography apparatus. This is an example of a photomask blank. Four regions C1 with which the ground terminal of the electron beam drawing apparatus abuts are provided. The resist film removal region width in the region where the ground terminal abuts and the peripheral region thereof is 3.5 mm from the side surface of the substrate, and 2.0 mm is removed from the side surface of the substrate other than that.
[0099]
Thus, since the resist film in the region where the earth terminal abuts in the electron beam lithography apparatus and the peripheral area thereof are removed, when the photomask is manufactured by the electron beam lithography apparatus, the resist film is rubbed by the ground terminal. A photomask blank capable of preventing dust and charge-up can be obtained easily and reliably by an inexpensive and simple method. . In addition, since unnecessary resist film formed on the peripheral portion of the substrate is removed, dust generation from the peripheral portion of the substrate can be prevented. Therefore, when manufacturing a mask, it is possible to obtain a mask with good pattern position accuracy without pattern displacement due to charge-up.
[0100]
Here, in each of the above embodiments, a large number of holes 39 having a diameter smaller than that of the solvent supply hole 31 are provided at the bottom of the fitting groove 37, but the present invention is not limited to this. For example, the large number of holes 39 may be larger than the solvent supply holes 31 or may be formed in a slit shape. In short, even if the hole diameter or / and the position of the solvent supply hole 31 in the solvent supply member 38 are changed, the unnecessary film portion is not restricted even if the strength that can connect the cover member main body and the side portion 35 is maintained. The shape is arbitrary as long as the supply to is ensured. Further, a large number of holes 39 may be provided above the cover member, and the solvent supply member 38 may be fitted from below.
[0101]
Moreover, although the main body of the cover member 30 and the side part 35 were connected with the bottom part of the fitting groove 37 which provided many holes 39, it is not restricted to this. For example, a plurality of arms that do not hinder the supply of the solvent 50 may be extended from the cover member main body to the side portion 35 in an arch shape so that the cover member main body and the side portion 35 are connected.
[0102]
Moreover, although the solvent supply member was comprised with four members so that it could replace | exchange for each edge | side of a board | substrate in the Example, it is not limited to this. For example, it may be composed of a single member connected in a frame shape and exchanged at a time, or may be a member that can be changed for each certain region, or may be composed for each solvent supply hole. These solvent supply members 38 may be replaced all at the same time or only partially depending on the removal width and removal position.
[0103]
Further, although MCA (methyl cellosolve acetate) is used as a solvent for dissolving the resist, the present invention is not limited to this, and any solvent that can dissolve and remove unnecessary films, such as a solvent that can dilute the resist, may be used. In addition, when an unnecessary portion of the resist is exposed and removed by development, a developer can be used. In the above embodiment, the resin-based yarn is used as the gap setting member. However, any other material may be used as long as it is flexible and resistant to the solvent. Further, the gap setting member is not limited to the filamentous body, and any member can be used as long as the gap can be set. For example, a convex body provided on the inner wall of the cover member may be used.
[0104]
As a material constituting the cover member, any material may be used as long as it is difficult to transfer heat, has resistance to a solvent, and has a predetermined mechanical strength. For example, a resin material, a glass material, a ceramic material, a composite material thereof, and the like can be given. Among them, a resin material that is relatively difficult to transfer heat, is easy to process, and is easy to reduce in weight is preferable. Further, it is preferable that a portion of the cover member that covers at least a region other than an unnecessary film portion on the substrate surface is made of the above material.
[0105]
Further, in the above-described embodiment, an example in which the resist film is formed on the light-shielding film pattern has been described. This is because the SOG film is formed on the light-transmitting substrate and the light-shielding film pattern is formed on the SOG film. The present invention can also be applied to the case of forming. In that case, a film such as a transparent conductive film or an etching stopper film may be provided outside the light shielding film.
[0106]
Furthermore, for example, removal of an unnecessary film formed when applying a protective film for a magnetic disk medium, a protective film for a color filter, or removing an insulating film formed on an electrode portion of a wiring on a display substrate It can also be applied to For example, when the unnecessary film is a resist, a liquid such as a ketone, ester, aromatic hydrocarbon, halogenated hydrocarbon, or ether in which the resist is soluble can be used as a solvent.
[0107]
Also, if the unnecessary film is SOG, the coating film is difficult to melt after baking, so the coating film on the back surface, side surface, and front edge of the substrate is dissolved and removed before baking as in the above embodiment. However, when the coating film is a resist, depending on the type of resist, it may be soluble even after baking. The position where the solvent supply hole 31 is provided is not limited to the above embodiment.
[0108]
In the above-described embodiment, an example in which the substrate 10 and the cover member 30 are rotated together is described, but this need not necessarily be rotated. However, the rotation is preferable because the solvent can be spread into the gap relatively quickly and uniformly. Further, in the above-described embodiment, the cover member 30 has an example in which the peripheral portion of the coating film formed on the square substrate is removed to leave the square coating film. However, the shape of the substrate and the coating film to be left are not limited. The shape is not limited to a square, and may be a circle, a triangle, a polygon, or any other shape. In that case, the shape of the solvent supply surface and the non-supply surface of the cover member may be formed as such.
[0109]
【The invention's effect】
According to the mask blank of the present invention, if the partially removed film is removed in accordance with the user specification, the mask blank corresponding to the user specification can be obtained. In particular, if the removal region of a film (for example, a resist film) formed in the peripheral portion of the mask blank is controlled in accordance with the auxiliary pattern formation region, the occurrence of the pattern defect of the auxiliary pattern can be prevented. Further, dust generation due to peeling of the resist film on the peripheral edge of the substrate can be suppressed.
[0110]
Further, if the removal area of the film (for example, resist film) is controlled in accordance with the area corresponding to the substrate holding member that supports the mask blank, the positional accuracy of the reticle in the exposure apparatus is improved. Further, dust generation due to peeling of the resist film on the peripheral edge of the substrate can be suppressed.
In addition, when an identification pattern such as defect data (for example, a barcode pattern or an identification symbol) is formed on the mask blank, the mask blank can be accurately identified without any other elements.
[0111]
Further, according to the unnecessary film removing method of the present invention, the removal region of the film (for example, resist film) in the peripheral portion of the substrate can be controlled, so that the unnecessary film in the optimum region according to user specifications can be easily removed.
In addition, according to the unnecessary film removing apparatus of the present invention, the optimum region in accordance with the user specifications can be obtained simply by providing the cover member with the adjusting means for adjusting the supply amount or / and the supply position of the solvent supplied to the unnecessary film portion. The unnecessary film can be easily removed.
Moreover, according to the mask blank manufacturing method of the present invention, a mask blank from which the peripheral film is partially removed can be easily manufactured.
In addition, according to the photomask manufacturing method of the present invention, a mask (photomask or the like) having no pattern defect of the identification pattern, or a mask (positional accuracy is not lowered when the mask (reticle or the like) is held in the exposure apparatus) Reticle etc.) can be manufactured.
[Brief description of the drawings]
1A and 1B are explanatory views of an unnecessary film removing apparatus according to an embodiment of the present invention, in which FIG. 1A is a cross-sectional view, and FIG.
FIG. 2 is a partially enlarged cross-sectional view of FIG.
FIG. 3 is a partially enlarged cross-sectional view of FIG. 1;
FIG. 4 is a partially enlarged perspective view of the unnecessary film removing apparatus according to the embodiment.
FIG. 5 is an exploded perspective view of the unnecessary film removing apparatus according to the embodiment.
FIG. 6 is a cross-sectional view of a main part of an unnecessary film removing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a cross-sectional view of an unnecessary film removing apparatus according to another embodiment.
FIGS. 8A and 8B are explanatory views of a cover member for manufacturing a photomask blank according to an example, in which FIG. 8A is a cross-sectional view and FIG. 8B is a plan view.
9 is an explanatory diagram of a photomask blank manufactured by the cover member of FIG.
FIG. 10 is an explanatory diagram of another cover member for manufacturing the photomask blank according to the example.
11 is an explanatory diagram of a photomask blank manufactured by the cover member of FIG.
12A and 12B are explanatory diagrams of a specific photomask blank according to an example, in which FIG. 12A is a plan view, FIG. 12B is a side view, and FIG. 12C is a front view.
FIG. 13 is a plan view of a specific photomask blank according to an example.
FIGS. 14A and 14B are explanatory diagrams of a specific photomask blank according to an example, in which FIG. 14A is a plan view, FIG. 14B is a side view, and FIG. 14C is a front view.
FIG. 15 is a plan view of a specific photomask blank according to an example.
FIG. 16 is a plan view of a specific photomask blank according to an example.
FIG. 17 is a plan view of a specific photomask blank according to an example.
FIG. 18 is a plan view of a specific photomask blank according to an example.
FIG. 19 is an explanatory diagram of a removed region of the resist film formed on the back surface and the end surface of the translucent substrate according to the example shown in FIGS. 12 to 18;
FIG. 20 is a plan view of a cover member for manufacturing a photomask blank according to another embodiment.
FIG. 21 is a plan view of a specific photomask blank according to another embodiment.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Board | substrate, 11 ... Transparent substrate, 12 ... Light-shielding film, 13 ... Resist film, 20 ... Rotating base, 21 ... Rotating shaft, 22 ... Holding arm, 23 ... Holding base, 30 ... Cover member, 31 ... Solvent supply hole, 37 ... fitting groove, 38 ... solvent supply member, 39 ... hole, 40, 40a ... nozzle, 50, 50a ... solvent, 91 ... cover member, 92 ... solvent guide member, 93 ... solvent supply port, 94 ... connection member.

Claims (7)

基板上に被転写体に転写すべく転写パターンを有する転写マスクの原版であるマスクブランクにおいて、該マスクブランクは、前記基板上に前記転写パターンとなる薄膜と、レジスト膜とを有し、
前記基板主表面の周辺部に形成されたレジスト膜が、露光装置の保持部材により支持されるマスクブランクの被支持部領域、及びその周辺領域において残存され、それらの領域以外は除去されていることを特徴とするマスクブランク。In a mask blank which is a master plate of a transfer mask having a transfer pattern to be transferred onto a substrate on a substrate, the mask blank has a thin film that becomes the transfer pattern on the substrate and a resist film,
The resist film formed on the periphery of the main surface of the substrate remains in the supported area of the mask blank supported by the holding member of the exposure apparatus and its peripheral area, and the areas other than those areas are removed. Mask blank characterized by. 基板上に前記転写パターンとなる薄膜と、レジスト膜等の膜を形成する膜形成工程と、前記膜形成工程において不要な部分に形成された不要膜を除去する不要膜除去工程とを有するマスクブランクの製造方法において、A mask blank having a thin film to be the transfer pattern on a substrate, a film forming process for forming a film such as a resist film, and an unnecessary film removing process for removing an unnecessary film formed in an unnecessary portion in the film forming process In the manufacturing method of
前記不要膜除去工程は、The unnecessary film removing step includes
前記基板表面をカバー部材で覆い、このカバー部材の上から溶媒を供給してこの溶媒をカバー部材の周辺部に設けられた溶媒流路を通じ、露光装置の保持部材により支持されるマスクブランクの被支持部領域，及びその周辺領域において残存され、それらの領域以外は除去されるよう、溶媒の供給量又は／及び供給位置を調整しながら溶媒を所定部位に供給することによって、不要な部分を溶媒で除去することを特徴とするマスクブランクの製造方法。The substrate surface is covered with a cover member, a solvent is supplied from above the cover member, and the solvent is supplied to the mask blank supported by the holding member of the exposure apparatus through a solvent flow path provided at the periphery of the cover member. By supplying the solvent to a predetermined site while adjusting the supply amount or / and the supply position of the solvent so that it remains in the support area and its peripheral area and is removed from those areas, unnecessary portions are removed from the solvent. A method for producing a mask blank, characterized in that the mask blank is removed by a step. 前記基板及びカバー部材を共に回転させながら溶媒流路を通じて不要膜部分を溶媒で除去することを特徴とする請求項２記載のマスクブランクの製造方法。 3. The method of manufacturing a mask blank according to claim 2 , wherein an unnecessary film portion is removed with a solvent through a solvent flow path while rotating both the substrate and the cover member . 前記溶媒流路は、前記カバー部材の周辺部に設けられた溶媒供給孔であることを特徴とする請求項２又は３に記載のマスクブランクの製造方法。 The method for manufacturing a mask blank according to claim 2 , wherein the solvent flow path is a solvent supply hole provided in a peripheral portion of the cover member . 前記溶媒供給孔の径又は／及び溶媒供給孔の配置が予め決められた溶媒供給部材を設け、前記溶媒供給部材を前記カバー部材の所定部位に交換可能に構成し、溶媒供給部材を交換することによって前記溶媒の供給量又は／及び供給位置を調整するようにしたことを特徴とする請求項４記載のマスクブランクの製造方法。 Providing a solvent supply member having a predetermined diameter or / and an arrangement of the solvent supply holes, replacing the solvent supply member with a predetermined portion of the cover member, and replacing the solvent supply member; The method for manufacturing a mask blank according to claim 4 , wherein the supply amount and / or supply position of the solvent is adjusted by the step . 前記不要膜がレジスト膜であることを特徴とする請求項２〜５のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。The method for manufacturing a mask blank according to claim 2, wherein the unnecessary film is a resist film. 請求項２乃至６に記載のマスクブランクの製造方法によって得られたマスクブランクにおける前記薄膜をパターニングして転写パターンを形成することを特徴とするマスクの製造方法。A mask manufacturing method, wherein the thin film in the mask blank obtained by the mask blank manufacturing method according to claim 2 is patterned to form a transfer pattern.
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