JP3605905B2 - Delay capacitor withstand voltage check method and semiconductor integrated circuit - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は遅延用コンデンサの耐圧チェック方法及び半導体集積回路に係り、特に、遅延用コンデンサで遅延された電圧と基準電圧とをコンパレータにより比較してその大小関係に応じた出力信号を出力する回路で、遅延用コンデンサの耐圧をチェックするときに用いる遅延用コンデンサの耐圧チェック方法及び半導体集積回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
電源投入時などにシステムに対してリセットの指示を出すリセット信号を生成するシステムリセット回路では、電圧が投入されてから投入電圧が安定するまでの時間遅延させた後にリセット信号を出力する構成とされている。
【0003】
図5に従来のシステムリセット回路の回路構成図を示す。従来のシステムリセット回路1は、定電流源2a、ツェナーダイオードD1より構成され、基準電圧VREF を発生する基準電圧発生源2、抵抗R1,R2より構成され、投入電圧VCCを分圧する分圧回路3、基準電圧発生源2で発生された基準電圧VREF と分圧回路3で投入電圧VCCを分圧して得た分圧電圧VDIV とを比較し、分圧電圧VDIV が基準電圧VREF より小さいときにハイレベルとなり、分圧電圧VDIV が基準電圧VREF より大きいときにローレベルとなる出力信号を出力するコンパレータ4、投入電圧VCCより定電流を発生する定電流源5、定電流源5から供給される電流により充電される遅延用コンデンサC、NPNトランジスタよりなり、コンパレータ4の出力信号がハイレベルのときオンして遅延用コンデンサCを放電し、コンパレータ4の出力信号がローレベルのときオフして遅延用コンデンサCを充電可能な状態にする充電制御用トランジスタQ1、遅延用コンデンサCの充電電位と基準電圧発生源2で発生された基準電圧VREF とを比較し、遅延用コンデンサCの充電電位が基準電圧VREF より小さいときにはローレベルとなり、遅延用コンデンサCの充電電位が基準電圧VREF より大きいときにはハイレベルとなる出力信号を出力するコンパレータ6、NPNトランジスタよりなり、コンパレータ6の出力信号がハイレベルのときにオンとなり、コンパレータ6の出力信号がローレベルのときにオフとなる出力トランジスタQ2、遅延用コンデンサCと定電流源5との接続点に接続され、遅延用コンデンサCの耐圧をチェックする耐圧チェック用パッド7より構成される。
【0004】
遅延時間を長くする場合には、充電電流を小さくし、コンデンサの容量を大きくする必要があり、遅延用コンデンサのリーク電流により遅延時間が大きく変化してしまうため、遅延用コンデンサの耐圧チェックが重要になる。
図5の回路で遅延用コンデンサCの耐圧をチェックするためには、耐圧チェック用パッド7に電圧を印加し、遅延用コンデンサCに対して直接電圧を印加することにより遅延用コンデンサCの耐圧チェックを行っていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかるに、従来の遅延用コンデンサのチェック方法では、遅延用コンデンサに直接耐圧チェック用の電圧を供給し、リーク電流などのチェックを行っていたため、半導体集積回路などに搭載した場合などに耐圧チェック用のパッドが遅延用コンデンサに直接接続され、パッドからのリーク電流の管理も重要になる。しかし、パッドはチップの表面に表出させる必要があるため、パッケージング後のパッケージからの吸湿等の影響を受けやすくリーク電流が生じやすい等の問題点があった。
【0006】
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、正確な遅延時間を実現しつつ、耐圧のチェックを行える遅延用コンデンサの耐圧チェック方法及び半導体集積回路を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項1は、入力電圧が印加され、入力電圧に応じて電流を出力する電流生成回路と、電流生成回路で生成された電流により充電され、入力電圧を遅延させた充電電圧を生成する遅延用コンデンサと、遅延用コンデンサの充電電圧が第1の入力端子に供給され、第2の入力端子に基準電圧が供給され、充電電圧と基準電圧との大小関係に応じて反転する出力信号を出力するコンパレータとを有する回路の遅延用コンデンサチェック方法において、回路は、コンパレータの前記第2の入力端子を外部回路に接続するための耐圧チェック用パッドを有し、遅延用コンデンサの耐圧をチェックするときに、耐圧チェック用パッドに遅延用コンデンサの耐圧電圧に応じた電圧を外部から供給した状態で、入力電圧を電流生成回路に印加してからコンパレータの出力信号が反転するまでの遅延時間を測定し、遅延時間に応じて遅延用コンデンサの耐圧をチェックすることを特徴とする。
【0008】
請求項1によれば、コンパレータの第2の入力端子に遅延用コンデンサの耐圧電圧に応じた電圧を供給し、遅延用コンデンサの充電電位が遅延用コンデンサの耐圧電圧に応じた電圧になり、コンパレータの出力が反転するまでの時間、すなわち、遅延時間を測定し、測定した遅延時間によりリーク電流の有無をチェックすることができる。すなわち、コンデンサにリーク電流があるとコンデンサが充電されるまでの時間が長くなるため、コンデンサの遅延時間を検出することによりコンデンサのリーク電流を検出できる。このとき、コンパレータの第2の入力端子に供給する電圧を高く設定することにより、コンデンサの遅延時間を長くすし、コンデンサのリーク電流の影響を大きくし、リーク電流を検出しやすくできる。このため、請求項1によれば、コンデンサの耐圧チェック時にコンパレータの第2の入力端子に供給する電圧を高く設定することにより、コンデンサに直接接続されるパッドを設けることなく、コンデンサの耐圧チェックが行えるため、使用時にパッドにリーク電流が生じても遅延用コンデンサがリーク電流の影響を受けることがなく、遅延時間が狂ってしまうことがなくなる。
【0009】
請求項2は、入力電圧が印加され、入力電圧に応じて電流を生成する電流生成回路と、電流生成回路で生成された電流により充電され、入力電圧を遅延した充電電圧を生成する遅延用コンデンサと、遅延用コンデンサの充電電圧が第1の入力端子に供給され、第2の入力端子に基準電圧が供給され、充電電圧と該基準電圧との大小関係に応じて反転する出力信号を出力するコンパレータを有する半導体集積回路において、コンパレータの第2の入力端子に接続され、遅延用コンデンサの耐圧チェック時に遅延用コンデンサの耐圧電圧に応じた電圧を供給する耐圧チェック用パッドを有することを特徴とする。
【0010】
請求項2によれば、コンパレータの第2の入力端子にチェック用パッドを設けることにより、請求項1の方法で遅延用コンデンサのリーク電流をチェックでき、コンデンサにパッドが直接接続されることがないため、コンデンサの耐圧チェック後、パッドにリーク電流が生じてもリーク電流の影響をコンデンサの充電に直接的の与えることがなく、正常な遅延時間で動作させることができる。
【0011】
請求項3は、耐圧チェック用パッドと前記コンパレータの前記第2の入力端子の間に設けられ、定電圧を発生する定電圧発生回路と、
前記定電圧発生回路で発生した定電圧を増幅して、前記コンパレータの前記第2の入力端子に供給する前記基準電圧を生成する増幅回路とを有することを特徴とする。
【0012】
請求項3によれば、コンパレータの第2の入力端子には増幅回路で増幅され、電圧が供給されるため、コンパレータの第2の入力端子に供給される電圧を大きくできる。
【0013】
【発明の実施の形態】
次に本発明の実施の形態について図と共に説明する。本実施例ではシステムリセット回路の遅延用コンデンサの耐圧のチェック方法について説明する。
図1に本発明の一実施例の回路構成図を示す。本実施例の半導体集積回路11は、基準電圧VREF を発生する基準電圧発生源12、投入電圧VCCを分圧する分圧回路13、基準電圧発生源12で発生された基準電圧VREF と分圧回路13で投入電圧VCCを分圧して得た分圧電圧VDIV とを比較し、分圧電圧VDIV が基準電圧VREF より小さいときにハイレベルとなり、分圧電圧VDIV が基準電圧VREF より大きいときにローレベルとなる出力信号を出力するコンパレータ14、投入電圧VCCより定電流を発生する定電流源15、定電流源15から供給される電流により充電される遅延用コンデンサC、NPNトランジスタよりなり、コンパレータ14の出力信号がハイレベルのときオンして遅延用コンデンサCを放電し、コンパレータ14の出力信号がローレベルのときオフして遅延用コンデンサCを充電可能な状態にする充電制御用トランジスタQ11、遅延用コンデンサCの充電電位と基準電圧発生源12で発生された基準電圧VREF とを比較し、遅延用コンデンサCの充電電位が基準電圧VREF より小さいときにはローレベルとなり、遅延用コンデンサCの充電電位が基準電圧VREF より大きいときにはハイレベルとなる出力信号を出力するコンパレータ16、NPNトランジスタよりなり、コンパレータ16の出力信号がハイレベルのときにオンとなり、コンパレータ16の出力信号がローレベルのときにオフとなる出力トランジスタQ12、コンパレータ16の基準電圧入力端子に遅延用コンデンサCの耐圧をチェックするための電圧を供給する耐圧チェック用パッド17より構成される。
【0014】
基準電圧源12は、定電流源18及びツェナーダイオードD11を直列に接続し、投入電圧VCCが供給される端子T1と接地端子TGND 間に接続した構成とされ、定電流源17とツェナーダイオードD11との接続点から基準電圧VREF が出力される。分圧回路13は、抵抗R11,R12を直列に接続し、端子T1と接地端子TGND 間に接続した構成とされ、投入電圧VCCを分圧した分圧電圧VDIV を抵抗R11と抵抗R12との接続点から出力する。
【0015】
コンパレータ14の非反転端子には、基準電圧源12から基準電圧VREF が供給され、コンパレータ14の反転端子には、分圧回路13より投入電圧VCCを分圧した分圧電圧VDIV が供給される。コンパレータ14は、基準電圧源12から供給される基準電圧VREF と分圧回路13から供給される分圧電圧VDIV とを比較して、分圧電圧VDIV が基準電圧VREF より小さいときには、ローレベル、分圧電圧VDIV が基準電圧VREF より大きいときには、ハイレベルとなる出力を生成し、放電制御用トランジスタQ11のベースに供給する。
【0016】
一方、遅延用コンデンサCは、一端が接地端子TGND に接続され、他端が定電流源15を介して投入電圧供給端子T1に接続される。遅延用コンデンサCと定電流源15との接続点は、コンパレータ16の反転端子に接続されると共に放電制御用トランジスタQ11のコレクタに接続される。
【0017】
また、放電制御用トランジスタQ11は、エミッタが接地端子TGND に接続される。放電制御用トランジスタQ11は、コンパレータ14の出力信号がハイレベル、すなわち、投入電圧VCCが基準電圧VREF より小さいときには、オンされ遅延用コンデンサCを放電し、コンパレータ14の出力信号がローレベル、すなわち、投入電圧VCCが基準電圧VREF より大きいときには、オフされ遅延用コンデンサCを充電可能とする。遅延用コンデンサCは、投入電圧VCC投入時には、投入電圧VCCの分圧電圧VDIV が基準電圧VREF より小さいときには、放電制御用トランジスタQ11により放電され、投入電圧VCCの分圧電圧VDIV が基準電圧VREF より大きくなったときには、定電流源15により充電され、充電電位VCHARG が徐々に増加する構成とされている。
【0018】
また、コンパレータ16の非反転端子には、基準電圧源18から基準電圧VREF が供給され、コンパレータ16は、基準電圧VREF と遅延用コンデンサCの充電電位VCHARG とを比較し、遅延用コンデンサCの充電電位VCHARG が基準電圧VREF より小さいときには、ハイレベルとなり、遅延用コンデンサCの充電電位VCHARG が基準電圧VREF より大きくなるとは、ローレベルとなる出力信号を出力し、出力トランジスタQ12のベースに供給する。
【0019】
出力トランジスタQ12は、NPNトランジスタよりなり、コレクタが出力端子TOUT に接続され、エミッタが接地端子TGND に接続され、いわゆる、オープンコレクタ出力を構成している。出力トランジスタQ12は、コンパレータ16の出力がハイレベル、すなわち、投入電圧VCCが投入されてから放電制御用トランジスタQ11がオフし、定電流源15により遅延用コンデンサCの充電が開始され遅延用コンデンサCが十分に充電されていない状態では、オンし、出力端子TOUT をローレベルに保持する。また、出力トランジスタQ12は、コンパレータ16の出力がローレベル、すなわち、投入電圧VCCが投入されてから放電制御用トランジスタQ11がオフし、定電流源15により遅延用コンデンサCの充電が開始され遅延用コンデンサCが十分に充電され、遅延用コンデンサCの充電電位VCHARG が基準電圧VREF より大きくなったときには、オフし、出力端子TOU T をハイレベルにする。
【0020】
耐圧チェック用パッド17は、基準電圧源12とコンパレータ16の非反転端子との接続点に接続され、遅延用コンデンサCの耐圧をチェックする際にテスターより電圧が印加され、コンパレータ16の非反転端子の電圧を基準電圧VREF の2倍にする。
【0021】
ここで、システムリセット回路1の通常動作について説明する。
図2に本発明の一実施例のリセット動作時の動作波形図を示す。図2(A)は投入電圧VCCの波形、(B)は実線が基準電圧VREF 、破線が充電電位VCHARG の波形、(C)は出力電圧VOUT の波形を示す。
【0022】
投入電圧VCCが増加し、その分圧電圧VDIV が時刻t1で基準電圧VREF より大きくなると、遅延用コンデンサCに定電流源15より充電が開始される。遅延用コンデンサCに充電が開始され、時刻t2で充電電位VCHARG が基準電圧VREF より大きくなると出力電圧VCCがハイレベルになる。すなわち、時刻t1で所定電圧の投入電圧VCCが投入されてから遅延用コンデンサCの時定数により決定される所定の遅延時間T0経過後出力電圧VOUT がハイレベルとされる。
【0023】
次にシステムリセット回路1の遅延用コンデンサCの耐圧チェック時の動作について説明する。
図3に本発明の一実施例の耐圧チェック時の動作説明図を示す。図3(A)は投入電圧VCCの波形、(B)は実線が基準電圧VREF 、破線が充電電位VCHARG の波形、(C)は出力電圧VOUT の波形を示す。
【0024】
遅延用コンデンサCの耐圧チェックは、パッケージング前のチップの状態で実施される。耐圧チェック用パッド17は、チップの状態でチップ表面に表出するように形成されており、耐圧チェック時にはテスタの電極が接触する。耐圧チェック用パッド17には耐圧チェック時にテスタより例えば、基準電圧VREF の2倍のチェック用電圧2VREF が供給される。
【0025】
耐圧チェック時には時刻t3で投入電圧VCCを増加させ、その分圧電圧VDIV を時刻t3で基準電圧VREF より大きくし、遅延用コンデンサCに定電流源15より充電を開始する。遅延用コンデンサCにリーク電流がなければ、図3(B)に示すように時刻t4で充電電位VCHARG が基準電圧VREF より大きくなり、出力電圧VCCがハイレベルになる。
【0026】
しかしながら、遅延用コンデンサCにリーク電流があると、充電電位VCHARG が耐圧チェック電圧2VREF になるまでに時間がかかり、例えば時刻t4より長い時刻t5で出力電圧VOUT がハイレベルとなるか、リーク電流が大きい場合等には、充電電位VCHARG が耐圧チェック電圧2VREF までいたらず出力電圧VOUT がローレベルで固定されてしまう。したがって、投入電圧VCCの投入時から出力電圧VOUT がハイレベルになるまでの時間をテスタにより計測することにより遅延用コンデンサCのリーク電流を検出できる。
【0027】
このように、遅延用コンデンサCのリーク電流を遅延用コンデンサCに直接電圧を供給することなく検出できるため、遅延用コンデンサCに直接接続されるパッドを設ける必要がなく、よって、遅延用コンデンサCがパッドのリーク電流の影響を受けることがない。このとき、耐圧チェック電圧2VREF は基準電圧VREF より十分に大きいため、わずかなリーク電流でも検出できる。
【0028】
図4に本発明の他の実施例の回路構成図を示す。同図中、図1と同一構成部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
本実施例は、耐圧チェック用パッド17と基準電圧源12との接続点とコンパレータ16の反転入力端子との間に増幅回路21を接続した構成とされている。増幅回路21は、定電流源22、PNPトランジスタQ13,Q15、Q16、NPNトランジスタQ14、抵抗R13、R14より構成され、基準電圧VREF を2倍に増幅してコンパレータ16の反転入力端子に供給すると共に、耐圧チェック用パッド17に供給される耐圧チェック用電圧を2倍に増幅してコンパレータ16の反転入力端子に供給する。
【0029】
このため、耐圧チェック用パッド17に供給される耐圧チェック用電圧を2VREF とするとコンパレータ16の反転入力端子には4VREF を供給できる。従って、コンパレータ16の反転入力端子に供給する電圧をより高い電圧にできる。
【0030】
【発明の効果】
上述の如く、本発明の請求項1によれば、コンデンサの耐圧チェック時にコンパレータの第2の入力端子に供給する電圧を高く設定することにより、コンデンサに直接接続されるパッドを設けることなく、コンデンサの耐圧チェックが行えるため、使用時にパッドにリーク電流が生じても遅延用コンデンサがリーク電流の影響を受けることがなく、遅延時間が狂ってしまうことがない等の特長を有する。
【0031】
請求項2によれば、コンパレータの第2の入力端子にチェック用パッドを設けることにより、請求項1の方法で遅延用コンデンサのリーク電流をチェックでき、コンデンサにパッドが直接接続されることがないため、コンデンサの耐圧チェック後、パッドにリーク電流が生じてもリーク電流の影響をコンデンサの充電に直接的の与えることがなく、正常な遅延時間で動作させることができる等の特長を有する。
【0032】
請求項3によれば、コンパレータの第2の入力端子には増幅回路で増幅され、電圧が供給されるため、コンパレータの第2の入力端子に供給される電圧を大きくできる等の特長を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の回路構成図である。
【図2】本発明の一実施例の通常動作時の動作波形図である。
【図3】本発明の一実施例の耐圧チェック時の動作波形図である。
【図4】本発明の他の実施例の回路構成図である。
【図5】従来の一例の回路構成図である。
【符号の説明】
11、20 システムリセット回路
12 基準電圧発生源
13 分圧回路
14、16 コンパレータ
15 定電流源
17 耐圧チェック用パッド
21 増幅回路[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for checking the withstand voltage of a delay capacitor and a semiconductor integrated circuit, and more particularly to a circuit that compares a voltage delayed by the delay capacitor with a reference voltage and outputs an output signal according to the magnitude relationship. The present invention relates to a method for checking the withstand voltage of a delay capacitor used when checking the withstand voltage of a delay capacitor and a semiconductor integrated circuit.
[0002]
[Prior art]
A system reset circuit that generates a reset signal that instructs the system to reset when power is turned on is configured to output a reset signal after a delay from when the voltage is applied until the applied voltage stabilizes. ing.
[0003]
FIG. 5 shows a circuit configuration diagram of a conventional system reset circuit. A conventional
[0004]
To increase the delay time, it is necessary to reduce the charging current and increase the capacitance of the capacitor, and the leakage current of the delay capacitor greatly changes the delay time. become.
In order to check the withstand voltage of the delay capacitor C in the circuit of FIG. 5, the withstand voltage of the delay capacitor C is checked by applying a voltage to the withstand
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the conventional method for checking a delay capacitor, a voltage for checking a withstand voltage is directly supplied to the delay capacitor to check a leak current and the like. The pad is directly connected to the delay capacitor, and it becomes important to control the leakage current from the pad. However, since the pads need to be exposed on the surface of the chip, there has been a problem that the pads are susceptible to moisture absorption from the package after packaging and a leak current is likely to occur.
[0006]
The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a method of checking a withstand voltage of a delay capacitor and a semiconductor integrated circuit capable of checking a withstand voltage while realizing an accurate delay time.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
According to the first aspect of the present invention, a current generating circuit to which an input voltage is applied and outputs a current according to the input voltage, and a charging voltage which is charged by the current generated by the current generating circuit and delays the input voltage is generated. A delay capacitor, and a charging voltage of the delay capacitor are supplied to a first input terminal, a reference voltage is supplied to a second input terminal, and the output signal is inverted according to a magnitude relationship between the charging voltage and the reference voltage. in the delay capacitor check method of a circuit having a comparator for outputting, the circuit has a breakdown voltage check pads for connecting said second input terminal of the comparator to an external circuit, checking the breakdown voltage of the delay capacitor to time to, a voltage corresponding to the breakdown voltage the voltage of the delay capacitor in a pressure check pad while supplying from outside, or by applying the input voltage to the current generating circuit Measuring the delay time for the output signal of the comparator is inverted, and wherein checking the breakdown voltage of the delay capacitor according to the delay time.
[0008]
According to the first aspect, a voltage corresponding to the withstand voltage of the delay capacitor is supplied to the second input terminal of the comparator, and the charged potential of the delay capacitor becomes a voltage corresponding to the withstand voltage of the delay capacitor. , The delay time is measured, and the presence or absence of leakage current can be checked based on the measured delay time. That is, if there is a leakage current in the capacitor, the time until the capacitor is charged becomes long. Therefore, the leakage current of the capacitor can be detected by detecting the delay time of the capacitor. At this time, by setting the voltage supplied to the second input terminal of the comparator to be high, the delay time of the capacitor is lengthened, the influence of the leak current of the capacitor is increased, and the leak current can be easily detected. Therefore, according to the first aspect, by setting the voltage supplied to the second input terminal of the comparator high when checking the withstand voltage of the capacitor, the withstand voltage of the capacitor can be checked without providing a pad directly connected to the capacitor. Therefore, even if a leak current occurs in the pad during use, the delay capacitor is not affected by the leak current, and the delay time does not change.
[0009]
A current generating circuit to which an input voltage is applied and generates a current according to the input voltage, and a delay capacitor which is charged by the current generated by the current generating circuit and generates a charging voltage delayed from the input voltage And the charging voltage of the delay capacitor is supplied to the first input terminal, the reference voltage is supplied to the second input terminal, and an output signal that is inverted according to the magnitude relationship between the charging voltage and the reference voltage is output. In a semiconductor integrated circuit having a comparator, the semiconductor integrated circuit includes a withstand voltage check pad that is connected to the second input terminal of the comparator and supplies a voltage corresponding to the withstand voltage of the delay capacitor when checking the withstand voltage of the delay capacitor. .
[0010]
According to the second aspect, by providing a check pad at the second input terminal of the comparator, the leak current of the delay capacitor can be checked by the method of the first aspect, and the pad is not directly connected to the capacitor. Therefore, even if a leak current is generated in the pad after checking the withstand voltage of the capacitor, the operation of the capacitor can be operated with a normal delay time without directly affecting the charging of the capacitor.
[0011]
Claim 3 is a constant voltage generating circuit provided between a withstand voltage check pad and the second input terminal of the comparator and configured to generate a constant voltage.
Amplifying a constant voltage generated by the constant voltage generating circuit to generate the reference voltage to be supplied to the second input terminal of the comparator.
[0012]
According to the third aspect, since the voltage is supplied to the second input terminal of the comparator after being amplified by the amplifier circuit, the voltage supplied to the second input terminal of the comparator can be increased.
[0013]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In this embodiment, a method of checking the withstand voltage of the delay capacitor of the system reset circuit will be described.
FIG. 1 shows a circuit configuration diagram of an embodiment of the present invention. The semiconductor integrated circuit 11 according to the present embodiment includes a reference
[0014]
The
[0015]
The non-inverting terminal of the
[0016]
On the other hand, one end of the delay capacitor C is connected to the ground terminal T GND , and the other end is connected to the input voltage
[0017]
The discharge control transistor Q11 has an emitter connected to the ground terminal T GND . When the output signal of the
[0018]
The reference voltage V REF is supplied to the non-inverting terminal of the
[0019]
The output transistor Q12 is formed of an NPN transistor, has a collector connected to the output terminal TOUT , and has an emitter connected to the ground terminal TGND , which constitutes a so-called open collector output. In the output transistor Q12, the discharge control transistor Q11 is turned off after the output of the
[0020]
The withstand
[0021]
Here, the normal operation of the system reset
FIG. 2 is an operation waveform diagram at the time of reset operation according to one embodiment of the present invention. 2A shows the waveform of the applied voltage V CC , FIG. 2B shows the waveform of the reference voltage V REF , the broken line shows the waveform of the charging potential V CHARG , and FIG. 2C shows the waveform of the output voltage V OUT .
[0022]
When the input voltage V CC increases and the divided voltage V DIV becomes larger than the reference voltage V REF at time t1, charging of the delay capacitor C from the constant
[0023]
Next, the operation of the system reset
FIG. 3 is an explanatory diagram of the operation at the time of the withstand voltage check of one embodiment of the present invention. 3A shows the waveform of the applied voltage V CC , FIG. 3B shows the waveform of the reference voltage V REF , the broken line shows the waveform of the charging potential V CHARG , and FIG. 3C shows the waveform of the output voltage V OUT .
[0024]
The withstand voltage check of the delay capacitor C is performed in a state of the chip before packaging. The withstand
[0025]
At the time of the withstand voltage check, the input voltage VCC is increased at time t3, the divided voltage VDIV is made larger than the reference voltage VREF at time t3, and charging of the delay capacitor C from the constant
[0026]
However, if there is a leakage current in the delay capacitor C, it takes time for the charging potential V CHARG to reach the withstand
[0027]
As described above, since the leak current of the delay capacitor C can be detected without directly supplying a voltage to the delay capacitor C, there is no need to provide a pad directly connected to the delay capacitor C. Are not affected by the leak current of the pad. At this time, since the withstand
[0028]
FIG. 4 shows a circuit diagram of another embodiment of the present invention. In the figure, the same components as those of FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
In the present embodiment, an
[0029]
Therefore, if the withstand voltage check voltage supplied to the withstand
[0030]
【The invention's effect】
As described above, according to the first aspect of the present invention, by setting the voltage supplied to the second input terminal of the comparator high at the time of checking the withstand voltage of the capacitor, the capacitor directly connected to the capacitor is not provided. Since the withstand voltage can be checked, even if a leak current occurs in the pad during use, the delay capacitor is not affected by the leak current, and the delay time is not disturbed.
[0031]
According to the second aspect, by providing a check pad at the second input terminal of the comparator, the leak current of the delay capacitor can be checked by the method of the first aspect, and the pad is not directly connected to the capacitor. Therefore, even if a leak current occurs in the pad after checking the withstand voltage of the capacitor, the effect of the leak current does not directly affect the charging of the capacitor, and the device can be operated with a normal delay time.
[0032]
According to the third aspect, since the voltage is supplied to the second input terminal of the comparator after being amplified by the amplifier circuit, the voltage supplied to the second input terminal of the comparator can be increased.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an operation waveform diagram at the time of normal operation of one embodiment of the present invention.
FIG. 3 is an operation waveform diagram at the time of a withstand voltage check according to one embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a circuit configuration diagram of another embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a circuit configuration diagram of a conventional example.
[Explanation of symbols]
11, 20
Claims (3)
前記回路は、前記コンパレータの前記第2の入力端子を外部回路に接続するための耐圧チェック用パッドを有し、
前記遅延用コンデンサの耐圧をチェックするときに、前記耐圧チェック用パッドに前記遅延用コンデンサの耐圧電圧に応じた電圧を外部から供給した状態で、前記入力電圧を前記電流生成回路に印加してから前記コンパレータの出力信号が反転するまでの遅延時間を測定し、該遅延時間に応じて前記遅延用コンデンサの耐圧をチェックすることを特徴とする遅延用コンデンサの耐圧チェック方法。 Input voltage is applied, a current generating circuit for outputting a current in response to the input voltage, is charged by a current generated by said current generating circuit, a delay capacitor for generating a charging voltage obtained by delaying the said input voltage , the charging voltage of the capacitor for the delay is supplied to the first input terminal, a reference voltage is supplied to the second input terminal, an output signal which inverts in accordance with the magnitude relationship between the charge voltage and the reference voltage in the delay capacitor check method of a circuit having a comparator for,
The circuit has a withstand voltage check pad for connecting the second input terminal of the comparator to an external circuit,
When checking the withstand voltage of the delay capacitor, the input voltage is applied to the current generating circuit while a voltage corresponding to the withstand voltage of the delay capacitor is externally supplied to the withstand voltage check pad. A method for checking the withstand voltage of a delay capacitor, comprising measuring a delay time until an output signal of the comparator is inverted, and checking a withstand voltage of the delay capacitor according to the delay time.
前記コンパレータの前記第2の入力端子に接続され、前記遅延用コンデンサの耐圧チェック時に前記遅延用コンデンサの耐圧電圧に応じた電圧を供給する耐圧チェック用パッドを有することを特徴とする半導体集積回路。 An input voltage is applied, a current generation circuit that generates a current according to the input voltage, a delay capacitor that is charged by the current generated by the current generation circuit and generates a charging voltage that is a delay of the input voltage , charging voltage of the capacitor for the delay is supplied to the first input terminal, a reference voltage is supplied to the second input terminal, and outputs an output signal which inverts in accordance with the magnitude relationship between the charge voltage and the reference voltage In a semiconductor integrated circuit having a comparator,
A semiconductor integrated circuit, comprising: a withstand voltage check pad connected to the second input terminal of the comparator and supplying a voltage corresponding to the withstand voltage of the delay capacitor when checking the withstand voltage of the delay capacitor.
前記定電圧発生回路で発生した定電圧を増幅して、前記コンパレータの前記第2の入力端子に供給する前記基準電圧を生成する増幅回路とを有することを特徴とする請求項2記載の半導体集積回路。A constant voltage generation circuit that is provided between the withstand voltage check pad and the second input terminal of the comparator and generates a constant voltage;
3. The semiconductor integrated circuit according to claim 2, further comprising: an amplifier circuit for amplifying a constant voltage generated by said constant voltage generation circuit to generate said reference voltage to be supplied to said second input terminal of said comparator. circuit.
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