JP3576625B2 - Data management method for flash memory card and data processing device using the data management method - Google Patents

Description

イレーズ回数オーバーフラグ（ｂ６）
ｂ６＝０（イレーズ回数がしきい値を超過）
ベリファイエラーフラグ（ｂ２）
ｂ２＝０（リードベリファイエラー）
プログラムエラーフラグ（ｂ１）
ｂ１＝０（プログラムエラー）
イレーズエラーフラグ（ｂ０）
ｂ０＝０（イレーズエラー）
通常状態（工場出荷時も含む）においては、ページステータス情報の１バイトは、ＦＦｈ（８ビットがすべて１）で表現される。以下、各フラグの説明を行う。
【００４５】
プログラムフラグ（ｂ７）は、対応するページにデータを書き込む場合にブロックイレーズを実行する必要があるか否かを判断するために使用されるものであり、対応するページを含むブロックが消去済で、そのページに対する書き込みがまだ実行されてない状態（プログラムフラグ＝１）と、対応するページに対する書き込みが実行済みである状態（プログラムフラグ＝０）のいずれかを示す。
【００４６】
消去のみのコマンドが発行された直後か、初期状態である場合は、プログラムフラグは“１”である。この場合、書き込む際に再度消去する必要は無い。
イレーズ回数オーバーフラグ（ｂ６）は、対応するページを含むブロックの消去回数がアトリビュートメモリ１１１に記録されている消去限界回数の値を超過しているか否かを示すフラグである。
【００４７】
すなわち、フラッシュメモリカードデバイスドライバ１４は、ブロックイレーズを実行する度に対応するイレーズカウンタの値を＋１インクリメントし、そのインクリメントされたイレーズカウンタの値がアトリビュートメモリ１１１の消去限界回数を越えているか否かを調べる。越えていたならば、該当するブロックに含まれる全ページの冗長領域、またはそのブロックの先頭ページの冗長領域に、“０”のイレーズ回数オーバーフラグがセットされる。また、この場合には、そのブロックはその時点で劣化を起こして無くても不良ブロックとして扱われ、スペアブロックとの代替処理が行われる。フラッシュメモリカードデバイスドライバ１４は、各不良ブロックのイレーズ回数オーバーフラグを参照することにより、実際にエラーを起こしているブロックか、イレーズ回数オーバーによって不良として扱われているブロックかを識別することができる。
【００４８】
ベリファイエラーフラグ（ｂ２）は、対応するページに対するページリード時に実行されるリードベリファイ作業でエラーが発生したか否かを示すフラグである。
【００４９】
すなわち、フラッシュメモリカードデバイスドライバ１４は、指定されたページからデータをリードした後、そのリードデータの正当性を対応するページデータＬＲＣを利用して検証する。リードデータにエラーが検出されたならば、ベリファイエラーフラグが“０”にセットされる。この場合、ページリードはリトライされるが、リトライ処理で再度エラーが発生されると、そのページを含むブロックは不良ブロックとして扱われ、スペアブロックとの代替が行われる。ベリファイエラーが原因で代替された不良ブロックは、以降、使用されることはない。
【００５０】
プログラムエラーフラグ（ｂ１）は、対応するページに対するページライト（プログラム）実行後にそのライトデータの正当性を検証するために実行されるプログラムベリファイ作業でエラーが発生したか否かを示すフラグである。
【００５１】
すなわち、フラッシュメモリカードデバイスドライバ１４は、指定されたページにライトデータを書き込んだ後、そのページからデータを一旦リードして、ライトデータと比較する。不一致であれば、プログラムエラーフラグが“０”にセットされる。この場合、ページライトはリトライされるが、リトライ処理で再度エラーが発生されると、そのページを含むブロックは不良ブロックとして扱われ、スペアブロックと代替される。この代替処理では、不良ブロックの内容が読み出されてスペアブロックにコピーされた後、スペアブロックに対するライトデータの書き込みが実行される。プログラムエラーが原因で代替された不良ブロックは、以降、使用されることはない。
【００５２】
イレーズエラーフラグ（ｂ０）は、対応するページを含むブロックに対する消去動作が正常に実行されたか否かを示すフラグである。
すなわち、フラッシュメモリカードデバイスドライバ１４は、指定されたブロックに対するイレーズ処理を実行した後、イレーズ処理が正常に実行されたか否かを調べる。イレーズが失敗した場合には、そのブロックに含まれる全ページの冗長領域、またはそのブロックの先頭ページの冗長領域に、“０”のイレーズエラーフラグがセットされる。この場合、ブロックイレーズ処理はリトライされるが、リトライ処理で再度エラーが発生されると、そのブロックは不良ブロックとして扱われ、スペアブロックと代替される。イレーズエラーが原因で代替された不良ブロックは、以降、使用されることはない。
【００５３】
次に、図４〜図６のフローチャートを参照して、フラッシュメモリカードデバイスドライバ１４によって実行されるページリード、ページライト、およびブロックイレーズ処理について説明する。
【００５４】
まず、図４のフローチャートを参照して、ＯＳ１８やアプリケーションプログラム１９からリードコマンドが発行された場合に実行されるページリード処理の手順を説明する。
【００５５】
ＯＳ１８やアプリケーションプログラム１９からリード要求コマンドを受け取ると、フラッシュメモリカードデバイスドライバ１４は、ページリージコマンドを発行することによって、リード要求コマンドによって指定されたページに対するリードアクセスを開始し、そのページから２５６バイトのユーザデータと８バイトの管理データを同時にリードする（ステップＳ１０１）。
【００５６】
この後、フラッシュメモリカードデバイスドライバ１４は、リードされたページデータに含まれる２５６バイトのユーザデータに従ってＬＲＣを計算し（ステップＳ１０２）、その計算されたＬＲＣと、リードされたページデータに含まれるページデータ用ＬＲＣとの一致の有無に従ってページリードが成功したか否かを判断する（ステップＳ１０３）。
【００５７】
計算されたＬＲＣが、リードされたページデータに含まれるページデータ用ＬＲＣと一致したならば、ページリードが正常に実行されたことが確認され、リードされたページデータに含まれる２５６バイトのユーザデータが有効データとして、ＯＳ１８やアプリケーションプログラム１９に渡される。
【００５８】
一方、不一致であれば、ページリードが失敗したと認識され、ベリファイエラーフラグが“０”にセットされた後、ページリードがリトライされる（ステップＳ１０５）。このリトライで再度リード処理のエラーが発生されると、フラッシュメモリカードデバイスドライバ１４は、ブロック代替処理を行う（ステップＳ１０６）。
【００５９】
このブロック代替処理では、スペアブロック管理テーブルが書き替えられ、エラー発生したブロックの物理ブロック番号が所定のスペアブロックに対応するエントリに登録される。この後、フラッシュメモリカードデバイスドライバ１４は、エラー発生したブロックの物理ブロック番号を不良ブロック管理テーブルに登録してそれを不良ブロックにする（ステップＳ１０７）。
【００６０】
これらステップＳ１０６，Ｓ１０７の処理により、以降は、不良ブロックを指定するブロック番号がスペアブロックのブロック番号に変換され、不良ブロックの代りに、スペアブロックがアクセスされることになる。なお、ステップＳ１０６とＳ１０７はどちらを先に実行しても良い。
【００６１】
次に、図５のフローチャートを参照して、ＯＳ１８やアプリケーションプログラム１９からライトコマンドが発行された場合に実行されるページライト処理の手順を説明する。
【００６２】
ＯＳ１８やアプリケーションプログラム１９からライト要求コマンドを受け取ると、フラッシュメモリカードデバイスドライバ１４は、まず、冗長領域だけをリードする専用コマンドをフラッシュＥＥＰＲＯＭに発行して、ライトアクセス対象のページから８バイトの管理データをリードする（ステップＳ２０１）。次いで、フラッシュメモリカードデバイスドライバ１４は、リードした管理データに含まれるプログラムフラグを参照して、該当するページが消去済か否かを調べる（ステップＳ２０２）。
【００６３】
該当するページが消去済で無い（プログラムフラグ＝“１”）ならば、フラッシュメモリカードデバイスドライバ１４は、ステップＳ２０５以降のページライト処理の実行に先だって、次の処理を行う。
【００６４】
すなわち、フラッシュメモリカードデバイスドライバ１４は、まず、ライト対象のページを含むブロックに対するイレーズ処理を実行し（ステップＳ２０３）、その後、ステップＳ２０１でリードした管理データに含まれるイレーズカウンタの値を＋１カウントアップする（ステップＳ２０４）。
【００６５】
このようにしてプログラム可能状態になると、フラッシュメモリカードデバイスドライバ１４は、２５６バイトのライトデータからページデータ用ＬＲＣなどを計算によって求め、２５６バイトのライトデータと８バイトの管理データを含むページライトデータを生成する（ステップＳ２０５）。
【００６６】
次に、フラッシュメモリカードデバイスドライバ１４は、ページライトコマンドを発行してページライトデータのライトアクセスを実行し（ステップＳ２０６）、その後、書き込んだデータを即座にフラッシュＥＥＰＲＯＭから読み出して、それをページライトデータと比較するライトベリファイを実行する（ステップＳ２０７）。
【００６７】
リードデータとページライトデータが一致せず、ページライトが失敗したと判断されると、フラッシュメモリカードデバイスドライバ１４は、プログラムエラーフラグを“０”にセットした後、ページライト処理をリトライする（ステップＳ２０９）。このリトライで再度ページライト処理のエラーが発生されると、フラッシュメモリカードデバイスドライバ１４は、ブロック代替処理を行う（ステップＳ２１５）。
【００６８】
このブロック代替処理では、まず、エラー発生したブロックの記憶内容がそれを代替するスペアブロックにコピーされた後、ライトデータがスペアブロックに書き込まれる。この後、スペアブロック管理テーブルが書き替えられて、エラー発生したブロックの物理ブロック番号がそれを代替するスペアブロックのエントリに登録される。この後、フラッシュメモリカードデバイスドライバ１４は、エラー発生したブロックの物理ブロック番号を不良ブロック管理テーブルに登録してそれを不良ブロックにする（ステップＳ２１６）。
【００６９】
これらステップＳ２１５，Ｓ２１６の処理により、以降は、不良ブロックの代りに、スペアブロックがアクセスされることになる。なお、ステップＳ１０６とＳ１０７はどちらを先に実行しても良い。
【００７０】
リードデータとページライトデータが一致し、ページライトが成功したと判断された場合には（リトライ成功も含む）、フラッシュメモリカードデバイスドライバ１４は、ステップＳ２０４でカウントアップされたイレーズカウンタの値がアトリビュートメモリ１１１の消去限界回数を越えたか否かを調べる（ステップＳ２１０）。消去限界回数を越えている場合には、フラッシュメモリカードデバイスドライバ１４は、ブロック代替処理を行う（ステップＳ２１１）。
【００７１】
このブロック代替処理では、まず、消去限界回数を越えたブロックの記憶内容がそれを代替するスペアブロックにコピーされた後、スペアブロックの先頭ページのイレーズカウンタの値が初期値（＝０）に設定し直される。そして、スペアブロック管理テーブルが書き替えられて、消去限界回数を越えたブロックの物理ブロック番号がそれを代替するスペアブロックのエントリに登録される。
【００７２】
この後、フラッシュメモリカードデバイスドライバ１４は、エラー発生したブロックの物理ブロック番号を不良ブロック管理テーブルに登録してそれを不良ブロックにし（ステップＳ２１２）、次いで、不良ブロックの先頭ページに“０”のイレーズ回数オーバーフラグをセットする（ステップＳ２１３）。
【００７３】
これらステップＳ２１２，Ｓ２１２の処理により、以降は、不良ブロックの代りに、スペアブロックがアクセスされることになる。また、ステップＳ２１３の処理により、不良ブロックにされた原因（代替の原因）がイレーズ回数オーバーによるものであることを、知ることができる。
【００７４】
なお、ステップＳ２１１とＳ２１３はどちらを先に実行しても良い。また、ステップＳ２１０〜Ｓ２１３の処理は、ステップＳ２０２でプログラムフラグ＝１であることが検出された場合には実行する必要はない。これは、プログラムフラグ＝１ならば、イレーズカウンタのカウントアップは実行されないからである。
【００７５】
次に、図６のフローチャートを参照して、ＯＳ１８やアプリケーションプログラム１９からイレーズコマンドが発行された場合に実行されるブロックイレーズ処理の手順を説明する。
【００７６】
ＯＳ１８やアプリケーションプログラム１９からイレーズコマンドを受け取ると、フラッシュメモリカードデバイスドライバ１４は、まず、冗長領域だけをリードする専用コマンドをフラッシュＥＥＰＲＯＭに発行して、ブロックイレーズ対象の先頭ページから８バイトの管理データをリードする（ステップＳ３０１）。次いで、フラッシュメモリカードデバイスドライバ１４は、リードした管理データに含まれるプログラムフラグを参照して、該当するページがプログラムされている状態か否かを調べる（ステップＳ３０２）。
【００７７】
該当するページがプログラムされている（プログラムフラグ＝“０”）ならば、フラッシュメモリカードデバイスドライバ１４は、ブロックイレーズコマンドを発行して、イレーズ対象のブロックに対するイレーズ処理を実行し（ステップＳ３０３）、その後、ステップＳ３０１でリードした管理データに含まれるイレーズカウンタの値を＋１カウントアップする（ステップＳ３０４）。
【００７８】
次いで、フラッシュメモリカードデバイスドライバ１４は、例えば、イレーズしたブロックの記憶データが初期値（各ビット＝“１”）か否かを調べることなどにより、ブロックイレーズが正常に実行されたか否かを検出する（ステップＳ３０５）。
【００７９】
ブロックイレーズが失敗したと判断されると、フラッシュメモリカードデバイスドライバ１４は、イレーズ対象ブロックの先頭ページの冗長領域に“０”のイレーズフラグをセットした後、ブロックイレーズ処理をリトライする（ステップＳ３０６）。このリトライで再度ブロックイレーズ処理のエラーが発生されると、フラッシュメモリカードデバイスドライバ１４は、ブロック代替処理を行う（ステップＳ３１２）。
【００８０】
このブロック代替処理では、まず、スペアブロック管理テーブルが書き替えられて、エラー発生したブロックの物理ブロック番号がそれを代替するスペアブロックのエントリに登録される。この後、フラッシュメモリカードデバイスドライバ１４は、エラー発生したブロックの物理ブロック番号を不良ブロック管理テーブルに登録してそれを不良ブロックにする（ステップＳ３１３）。
【００８１】
これらステップＳ３１２，Ｓ３１３の処理により、以降は、不良ブロックの代りに、スペアブロックがアクセスされることになる。なお、ステップＳ３１２とＳ３１３はどちらを先に実行しても良い。
【００８２】
ブロックイレーズが成功したと判断された場合には（リトライ成功も含む）、フラッシュメモリカードデバイスドライバ１４は、ステップＳ３０４でカウントアップされたイレーズカウンタの値がアトリビュートメモリ１１１の消去限界回数を越えたか否かを調べる（ステップＳ３０７）。消去限界回数を越えている場合には、フラッシュメモリカードデバイスドライバ１４は、ブロック代替処理を行う（ステップＳ３０８）。
【００８３】
このブロック代替処理では、消去限界回数を越えたブロックの物理ブロック番号がそれを代替するスペアブロックのエントリに登録される。この後、フラッシュメモリカードデバイスドライバ１４は、エラー発生したブロックの物理ブロック番号を不良ブロック管理テーブルに登録してそれを不良ブロックにし（ステップＳ３０９）、次いで、不良ブロックの先頭ページに“０”のイレーズ回数オーバーフラグをセットする（ステップＳ３１０）。
【００８４】
これらステップＳ３０８，Ｓ３０９の処理により、以降は、不良ブロックの代りに、スペアブロックがアクセスされることになる。また、ステップＳ３１０の処理により、不良ブロックにされた原因（代替の原因）がイレーズ回数オーバーによるものであることを、知ることができる。なお、ステップＳ３０８とＳ３０９はどちらを先に実行しても良い。
【００８５】
一方、ステップＳ３０７で消去限界回数を越えていないことが検出された場合には、フラッシュメモリカードデバイスドライバ１４は、イレーズしたブロックの先頭ページに、ステップＳ３０４でカウントアップしたイレーズカウンタの値を書き込み、そして各ページのプログラムフラグを“１”にリセットとして終了する（ステップＳ３１１）。
【００８６】
以上説明したように、この実施例においては、フラッシュＥＥＰＲＯＭが持つ冗長部を使用して、データの信頼性向上に必要なページステータス情報が管理される。ページステータス情報は、フラッシュＥＥＰＲＯＭをアクセスした際に発生したエラーの内容などを示すものであり、これによって各ページのデータ領域の現在の状態および過去のエラー履歴などを認識することができるようになり、フラッシュメモリカード１１の信頼性を高めることができる。
【００８７】
また、イレーズ回数が消去限界回数を越えると、ページライトリトライ、ページリードリトライ、またはブロックイレーズリトライのエラーを引き起こすブロック不良が発生された場合と同様にして、スペアブロックを利用したブロック代替が行われる。この場合、そのブロックの先頭ページの冗長領域にはイレーズ回数オーバーフラグが設定される。このため、そのイレーズ回数オーバフラグを参照することにより、代替された原因がイレーズ回数オーバーによるものか、あるいはプログラムエラー、リードベリファイエラー、イレーズエラーなど、他の原因によるものかを検出することができる。
【００８８】
イレーズ回数オーバーが原因で不良ブロックとされたブロックは、実際には何等不良が発生されていない。したがって、例えば不良ブロック数が増え、代替対象のスペアブロックが不足した場合などには、イレーズ回数オーバフラグがセットされている不良ブロックを検出し、それを正常なブロックとして利用するなどの運用形態をとることが可能となる。これにより、結果としてフラッシュメモリカード１１の寿命を延ばすことができる。
【００８９】
なお、この実施例では、プログラムエラー、リードベリファイエラー、イレーズエラーのリトライで再度エラーが発生した時に直ぐに該当のブロックを不良ブロックにして代替処理を行ったが、リトライ回数を複数回に設定し、複数回リトライしても正常に処理が実行されない場合に代替処理を実行するようにしても良い。
【００９０】
また、この実施例では、フラッシュＥＥＰＲＯＭ上のスペアブロック管理テーブル上に各スペアブロックの代替先を登録することによってブロック代替を実行したが、この代替処理は、フラッシュメモリカードドライバ１４が論理ブロック番号と物理ブロック番号との対応関係を示すアドレス変換テーブルをメモリ上にに作成し、不良ブロックの物理ブロック番号をそれを代替するスペアブロックの物理ブロック番号に変更することによって行うこともできる。
【００９１】
また、この実施例では各ページが２５６バイトのデータ領域と８バイトの冗長領域とから構成される１６ＭビットタイプのフラッシュＥＥＰＲＯＭを使用する場合を例示したが、例えば、各ページが５１２バイトのデータ領域と８バイトの冗長領域とから構成される３２ＭビットタイプのフラッシュＥＥＰＲＯＭを使用すれば、ページステータス情報を含む管理データは５１２バイトのセクタのステータスを示すことになるので、ページステータス情報を含む管理データを、セクタ単位でのデータ管理にさらに有効に利用することが可能となる。
【００９２】
また、この実施例のデータ管理方法は、パーソナルコンピュータに限らず、フラッシュメモリカード１１をアクセス制御できる装置であればＰＤＡなど他の全てのデータ処理装置に適用することができる。
【００９３】
さらに、この実施例ではフラッシュメモリカード１１を制御するドライバ１４にデータ管理機能を設けたが、フラッシュＥＥＰＲＯＭとプロセッサとを内蔵するインテリジェントなフラッシュディスク装置を使用する場合には、そのフラッシュディスク装置自体に同様のデータ管理機能を持たせることもできる。
【００９４】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、フラッシュＥＥＰＲＯＭのエラー発生状況に係る情報を効率良く管理できるようなり、フラッシュメモリカードの信頼性を十分に向上させることが可能となる。特に、各ぺージの冗長領域を使用してページステータス情報を管理しているので、アクセス対象のページの状態を即座に認識することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施例に係るフラッシュメモリカードのデータ管理方法を使用したパーソナルコンピュータのハードウェアおよびソフトウェア構成を示すブロック図。
【図２】同実施例で使用されるフラッシュメモリカードに設けられたフラッシュＥＥＰＲＯＭの回路構成を示す図。
【図３】同実施例で使用されるフラッシュメモリカードに格納される管理データのデータ構造を説明するための図。
【図４】同実施例のデータ管理方法が適用されたページリード処理の手順を説明するフローチャート。
【図５】同実施例のデータ管理方法が適用されたページライト処理の手順を説明するフローチャート。
【図６】同実施例のデータ管理方法が適用されたブロックイレーズ処理の手順を説明するフローチャート。
【符号の説明】
１１…フラッシュメモリカード、１２…他のＰＣカード、１３…ＰＣカードホストアダプタ、１４…フラッシュメモリカードドライバ、１５…カードサービス、１６…ソケットサービス、１７…メモリテクノロジドライバ、１８…ＯＳ、１０…アプリケーションプログラム。[0001]
[Industrial applications]
The present invention has a built-in common memory including a flash EEPROM and an attribute memory for storing card attribute information, and has a data management method for a flash memory card detachably mounted on a data processing device, and a data management method for the same. And a data processing device using the same.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, as an external storage device of a data processing device such as a personal computer or a workstation, a disk device such as a hard disk device or a floppy disk device has been usually used.
[0003]
Recently, a flash memory card with a built-in flash EEPROM has been used as an external storage device to replace the disk device, and a personal computer equipped with a card mounting slot as a standard, or an externally mounted personal computer. Peripheral devices such as a memory card reader / writer used have also been developed.
[0004]
Flash memory cards are portable and can handle files larger than floppy disks. Therefore, it is particularly effective as an external storage device such as a notebook-type portable computer, a PDA, and an electronic still camera.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, flash memory cards have an inherent problem of limiting the number of times of rewriting, and although they have been continuously improved by the adoption of new memory technology, the reliability of data storage is not sufficient for use as an external storage device. Not perfect in terms of sex. For this reason, in a flash memory card, it is necessary to manage not only data read / write but also data reliability by software.
[0006]
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above points, and has been made in view of the above circumstances, and has been made in consideration of the above circumstances, and has been made in consideration of the above circumstances. It is an object of the present invention to provide a method and a data processing device using the data management method.
[0007]
Means and action for solving the problem
The present inventionIn a data management method for a flash memory card having a built-in flash EEPROM having a plurality of blocks for data storage and detachably mounted in a data processing apparatus, each block has a data storage area and a redundant area for each page. Each time a block erase process is executed, counting up the number of times of erasure of the corresponding block, detecting whether or not the value of the number of times of erasure exceeds a predetermined threshold value; Writing the page status information indicating the content of the error generated in the access processing to the redundant area of the corresponding page each time the access processing is performed. Is detected, the number of erases exceeds the erase limit. Characterized by comprising the step of writing the erase count over flag in the redundant area of a predetermined page of a block corresponding as the page status information indicating that the.
[0008]
According to this data management method, the page status information necessary for improving the reliability of data is managed using the redundant portion of the flash EEPROM. The page status information indicates the content of an error that has occurred when accessing the flash EEPROM, and thereby, the current state of the data area of each page and the pastError descriptionCan be recognized, and the reliability of the flash memory card can be improved.
[0009]
In particular, since the page status information is managed using the redundant area of each page, the state of the page to be accessed can be immediately recognized.
As page status information,Each time the block erase process is executed, the number of times of erasure of the corresponding block is counted up, and it is detected whether or not the value of the counted up number of erases exceeds a predetermined threshold value. It is preferable to manage an erase count over flag indicating that a predetermined count has been exceeded.
[0010]
In addition, the present inventionA flash EEPROM including a data block area having a plurality of blocks for data storage and a spare block area having a spare block;In a data management method for a flash memory card detachably mounted on a data processing device, each block has a data storage area and a redundant area for each page, and the redundant area is generated in an access process for a corresponding page. Was doneError descriptionAn area for storing page status information for managing the block is allocated, and every time the block erase process is executed, the number of times of erasing of the corresponding block is counted up, and the value of the counted number of times of erasing is set to a predetermined value. An erasure count detecting step for detecting whether or not the number of erasures has exceeded a threshold value; Writing the erase count over flag shown as one of the page status information into a redundant area of a predetermined page of a corresponding block; and, when an error occurs in page write, page read, or block erase processing, the processing is executed. Steps to retry and when this retry processing is not executed normally or before When it is detected that the erase count by erase count detection step exceeds the threshold value, the corresponding block is a defective block, replacing the defective block with the spare block stepAnd characterized in that:
[0011]
In this data management method, when the number of times of erasure reaches a predetermined threshold value, block replacement using a spare block is performed in the same manner as when a block failure causing a retry error is detected.
[0012]
In this case, an erase count over flag is set in a redundant area of a predetermined page of the block. Therefore, by referring to the erase count over flag, it is possible to detect whether or not the substitute cause is due to the erase count over.
[0013]
No defective block has actually occurred in the block that was determined to be a bad block due to the erase count over. Therefore, for example, when the number of defective blocks increases and the number of spare blocks to be replaced becomes insufficient, an operation mode in which a defective block with the erase count over flag set is detected and used as a normal block is adopted. It is possible to take. As a result, the life of the flash memory card can be extended.
[0014]
In addition, it is preferable to set a program error flag, an erase error flag, a verify error flag, and the like in the redundant area in accordance with the generated error, in addition to the erase count over flag. As a result, the state of the page can be managed, and the cause of the substitution can be examined in more detail.
[0015]
【Example】
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 shows a configuration of a flash memory card 11 controlled by a data management method according to an embodiment of the present invention, and a hardware and software configuration of a portable personal computer for controlling access to the card 11.
[0016]
The flash memory card 11 is a PC card having physical and electrical specifications conforming to JEIDA / PCMCIA. Like the other PC cards 12, the flash memory card 11 is detachably inserted into a card slot provided by a PC card host adapter 13 of a personal computer. Be attached.
[0017]
Recognition and access of the flash memory card 11 is controlled by a flash memory card driver 14, a card service 15, a socket service 16, a memory technology driver 17, and the like which are loaded into a system memory of a personal computer and executed.
[0018]
The flash memory card driver 14 is a device driver program corresponding to the flash memory card 11, and is used as a client driver specified by JEIDA / PCMCIA. The flash memory card driver 14 converts a command from the operating system 18 or the application program 19 into a command (a page write command, a page read command, a block erase command, etc.) for the flash memory card 11, and converts the flash memory card 11 into a command. Access control.
[0019]
The flash memory card driver 14 has a function of managing an error history generated by accessing the flash memory card 11 and a function of replacing a bad block in order to improve the reliability of the flash memory card 11.
[0020]
The card service 15, the socket service 16, and the memory technology driver 17 are driver program groups defined by JEIDA / PCMCIA, respectively, and are used for PC card resource management, PC card recognition, and the like.
[0021]
The flash memory card 11 is a PC card used as a secondary storage device of a personal computer, and includes an attribute memory 111 and a common memory 112.
[0022]
The attribute memory 111 is a non-volatile memory such as an EEPROM, and stores card attribute information. The card attribute information includes information such as a memory type, a memory size, and an access speed of the common memory 112, and information on a use of the flash memory card 11 (whether to use as a disk or as a memory).
[0023]
Further, in this flash memory card 11, a value indicating the erase limit number of the NAND flash EEPROM used for the common memory 112 is also stored in the attribute memory 111 as one of card attribute information.
[0024]
The common memory 12 is a memory device for storing user data and the like supplied from a personal computer, and includes a plurality of NAND flash EEPROMs.
[0025]
In a NAND flash EEPROM, a minimum unit is determined for the amount of data to be handled when performing writing or erasing, erasing is performed in units of blocks, and data writing and reading are performed in units of pages.
[0026]
In this embodiment, it is assumed that, for example, a 16-Mbit NAND flash EEPROM is used as the NAND flash EEPROM.
This 16-Mbit NAND flash EEPROM includes a memory cell array 21 and a data register 22, as shown in FIG. The memory cell array 21 has a memory configuration of 8K rows × 264 columns × 8 bits, and is divided into 512 blocks. Data erasure can be performed in this block unit. Each block is composed of 16 pages (rows), and each page has a data storage area of 256 bytes and a redundant area of 8 bytes.
[0027]
Writing and reading of data are executed in page units (256 + 8 bytes) via the 256 + 8-byte data register 22. Further, only the redundant area (8 bytes) in the designated page can be read / written.
[0028]
The data storage space of the common memory 12 in FIG. 1 includes a user data storage area including a large number of blocks, a spare block area including several spare blocks for replacing bad blocks, and a block including blocks for storing block management information. It is divided into a management area.
[0029]
The block management information is replaced by a bad block management table for managing a physical block number (physical block address) of a bad block in which data writing or erasing cannot be normally executed, and for each physical block number of a spare block. It includes a spare block management table for managing a physical block number (physical block address) of a defective block.
[0030]
By rewriting the contents of the defective block management table and the spare block management table, a defective block can be replaced by a spare block. That is, a block in which an error has occurred is treated as a bad block by registering its physical block number in the bad block management table. If the block to be accessed is a defective block, the spare block management table is referred to, thereby identifying the spare block of the replacement destination. Thus, a spare block is accessed instead of a defective block.
[0031]
In the common memory 112, an 8-byte redundant area of each page is used for storing management data such as page status information. The management data is managed by the above-described flash memory card driver 14 in order to increase the reliability of the flash memory card 11.
[0032]
The page status information is composed of a plurality of flags for identifying the content of an error that has occurred in accessing the corresponding page. The flash memory card driver 14 can recognize an error occurrence history or the like in page units by referring to the flags of the respective redundant areas.
[0033]
The data management of the common memory 112 using the redundant area is a feature of the present invention. Hereinafter, the storage format of the user data and the management data on the common memory 112 will be specifically described with reference to FIG. .
[0034]
Since the data area of one page is 256 bytes, when the flash memory card 11 is used as a floppy disk or a hard disk, user data for one sector is stored over two consecutive pages as shown. .
[0035]
The following management data is stored in the 8-byte redundant area of the first page (page 0) of each block.
LRC for page data (2 bytes)
Erase counter (4 bytes)
LRC for erase counter (1 byte)
Page status information (1 byte)
The LRC for page data uses the horizontal redundancy check (LRC) technique to calculate an error obtained by calculating user data (upper 256 bytes of sector 0) stored in a 256-byte data area of page 0. It is a correction code.
[0036]
The LRC for page data is created at the time of data writing and is referred to at the time of data reading. The flash memory card driver 14 checks the validity of the data using the page data LRC when transferring the data to the upper software (OS, application program).
[0037]
The erase counter indicates the number of times of erasing (the number of times of data rewriting) of the corresponding block, and is written only in the first page of each block. The data length of the erase counter is 4 bytes, and can express 4G (giga) times at the maximum. The reason why such a large data length is secured is to take into account that the erasing limit number will increase due to the advance of flash memory device technology in the future.
[0038]
The value of the erase counter is incremented by one each time the corresponding block is erased. When the value of the erase counter exceeds the limit number of times of erasure stored in the attribute memory 111, a process for replacing the block with a spare block is executed by the flash memory card driver 14.
[0039]
The value of the erasing limit number stored in the attribute memory 111 is set to a value smaller than the actual erasing limit number of the flash EEPROM itself in order to secure a margin.
[0040]
The erase counter LRC is an error correction code calculated by a horizontal redundancy check (LRC) from the upper 4 bytes of the erase counter. The erase counter is important data that affects the data management of the entire block, and the erase counter LRC is used to ensure the reliability of the erase counter.
[0041]
The page status information indicates the state of the corresponding page. By giving meaning to each of the eight bits in one byte, the state of the corresponding page is represented by eight flags.
[0042]
Only the LRC for the page data and the page status information are stored in the redundant areas of the pages 1 to 16, but the erase counter and the LRC for the erase counter are not stored.
[0043]
Next, details of the page status information will be described. The page status information can have eight flags. In this embodiment, the following five flags are defined.
[0044]
Program flag (b7)

Erase count over flag (b6)
b6 = 0 (Erase count exceeds threshold)
Verify error flag (b2)
b2 = 0 (read verify error)
Program error flag (b1)
b1 = 0 (program error)
Erase error flag (b0)
b0 = 0 (erase error)
In the normal state (including the factory shipment), one byte of the page status information is represented by FFh (all eight bits are 1). Hereinafter, each flag will be described.
[0045]
The program flag (b7) is used to determine whether or not it is necessary to execute block erase when writing data to the corresponding page. If the block including the corresponding page has been erased, This indicates either a state in which writing to the page has not been executed yet (program flag = 1) or a state in which writing to the corresponding page has been executed (program flag = 0).
[0046]
Immediately after the erasure-only command is issued or in the initial state, the program flag is “1”. In this case, there is no need to erase again when writing.
The erase count over flag (b6) is a flag indicating whether or not the erase count of the block including the corresponding page exceeds the value of the erase limit count recorded in the attribute memory 111.
[0047]
That is, the flash memory card device driver 14 increments the value of the erase counter corresponding to each execution of the block erase by +1 and determines whether or not the incremented value of the erase counter exceeds the erasing limit number of times in the attribute memory 111. Find out. If it exceeds, the erase count over flag of “0” is set in the redundant area of all pages included in the corresponding block or the redundant area of the first page of the block. In this case, even if the block has not deteriorated at that time, the block is treated as a bad block, and a replacement process with a spare block is performed. The flash memory card device driver 14 can identify the block in which an error has actually occurred or the block which has been treated as defective due to the over-erasure count by referring to the erase count over flag of each defective block. .
[0048]
The verify error flag (b2) is a flag indicating whether or not an error has occurred in a read verify operation performed when a page is read from a corresponding page.
[0049]
That is, after reading data from the specified page, the flash memory card device driver 14 verifies the validity of the read data using the corresponding page data LRC. If an error is detected in the read data, the verify error flag is set to "0". In this case, the page read is retried, but if an error occurs again in the retry process, the block including the page is treated as a bad block and replaced with a spare block. The defective block replaced due to the verify error will not be used thereafter.
[0050]
The program error flag (b1) is a flag indicating whether or not an error has occurred in a program verify operation performed to verify the validity of the write data after executing a page write (program) for the corresponding page.
[0051]
That is, the flash memory card device driver 14 writes the write data to the specified page, then reads the data from the page, and compares it with the write data. If they do not match, the program error flag is set to "0". In this case, the page write is retried, but if an error occurs again in the retry process, the block including the page is treated as a bad block and replaced with a spare block. In this alternative process, after the contents of the defective block are read and copied to the spare block, writing of write data to the spare block is executed. The bad block replaced due to the program error will not be used thereafter.
[0052]
The erase error flag (b0) is a flag indicating whether or not an erase operation has been normally performed on a block including a corresponding page.
That is, the flash memory card device driver 14 executes the erasing process on the designated block, and then checks whether or not the erasing process has been normally executed. If the erasure fails, an erase error flag of “0” is set in the redundant area of all pages included in the block or the redundant area of the first page of the block. In this case, the block erase process is retried, but if an error occurs again in the retry process, the block is treated as a bad block and replaced with a spare block. The bad block replaced due to the erase error will not be used thereafter.
[0053]
Next, the page read, page write, and block erase processes executed by the flash memory card device driver 14 will be described with reference to the flowcharts of FIGS.
[0054]
First, a procedure of a page read process executed when a read command is issued from the OS 18 or the application program 19 will be described with reference to a flowchart of FIG.
[0055]
Upon receiving a read request command from the OS 18 or the application program 19, the flash memory card device driver 14 issues a page leakage command to start a read access to the page specified by the read request command, and 256 bytes from the page. The user data and the 8-byte management data are simultaneously read (step S101).
[0056]
Thereafter, the flash memory card device driver 14 calculates the LRC according to the 256-byte user data included in the read page data (step S102), and calculates the calculated LRC and the page included in the read page data. It is determined whether or not the page read has succeeded according to whether or not there is a match with the data LRC (step S103).
[0057]
If the calculated LRC matches the LRC for page data included in the read page data, it is confirmed that the page read has been normally performed, and the 256-byte user data included in the read page data Is passed to the OS 18 and the application program 19 as valid data.
[0058]
On the other hand, if they do not match, it is recognized that the page read has failed, the verify error flag is set to "0", and the page read is retried (step S105). When an error of the read process occurs again in this retry, the flash memory card device driver 14 performs a block replacement process (step S106).
[0059]
In this block replacement process, the spare block management table is rewritten, and the physical block number of the block in which the error has occurred is registered in an entry corresponding to a predetermined spare block. Thereafter, the flash memory card device driver 14 registers the physical block number of the block in which the error has occurred in the bad block management table and makes it a bad block (step S107).
[0060]
By the processes in steps S106 and S107, the block number designating the defective block is converted into the block number of the spare block, and the spare block is accessed instead of the defective block. Either step S106 or S107 may be executed first.
[0061]
Next, a procedure of a page write process executed when a write command is issued from the OS 18 or the application program 19 will be described with reference to a flowchart of FIG.
[0062]
Upon receiving a write request command from the OS 18 or the application program 19, the flash memory card device driver 14 first issues a dedicated command for reading only the redundant area to the flash EEPROM, and transmits 8 bytes of management data from the page to be written. Is read (step S201). Next, the flash memory card device driver 14 refers to the program flag included in the read management data and checks whether or not the corresponding page has been erased (step S202).
[0063]
If the corresponding page has not been erased (program flag = “1”), the flash memory card device driver 14 performs the following processing prior to execution of the page write processing after step S205.
[0064]
That is, the flash memory card device driver 14 first executes the erasing process on the block including the page to be written (step S203), and thereafter, increments the value of the erasing counter included in the management data read in step S201 by +1. (Step S204).
[0065]
When the flash memory card device driver 14 enters the programmable state in this way, the flash memory card device driver 14 calculates a page data LRC or the like from the 256 bytes of write data and calculates the page write data including 256 bytes of write data and 8 bytes of management data. Is generated (step S205).
[0066]
Next, the flash memory card device driver 14 issues a page write command to execute write access of the page write data (step S206), and then immediately reads the written data from the flash EEPROM and writes it to the page EEPROM. The write verify for comparing with the data is executed (step S207).
[0067]
If it is determined that the read data does not match the page write data and the page write has failed, the flash memory card device driver 14 sets the program error flag to “0” and then retries the page write process (step S209). When an error of the page write process occurs again in this retry, the flash memory card device driver 14 performs a block replacement process (step S215).
[0068]
In this block replacement processing, first, the storage content of the block in which an error has occurred is copied to a spare block that replaces the block, and then write data is written to the spare block. Thereafter, the spare block management table is rewritten, and the physical block number of the block in which the error has occurred is registered in the entry of the spare block that replaces the physical block number. After that, the flash memory card device driver 14 registers the physical block number of the block in which the error has occurred in the bad block management table and makes it a bad block (step S216).
[0069]
By the processing in steps S215 and S216, the spare block is accessed instead of the defective block. Either step S106 or S107 may be executed first.
[0070]
If the read data matches the page write data and it is determined that the page write has succeeded (including the success of the retry), the flash memory card device driver 14 sets the value of the erase counter counted up in step S204 to the attribute. It is checked whether the number of times of erasure of the memory 111 has been exceeded (step S210). If the number of erasures has exceeded the limit, the flash memory card device driver 14 performs a block replacement process (step S211).
[0071]
In this block replacement processing, first, the stored contents of a block exceeding the erasing limit number are copied to a spare block that replaces the block, and then the value of the erase counter of the first page of the spare block is set to an initial value (= 0). Will be reworked. Then, the spare block management table is rewritten, and the physical block number of the block that has exceeded the erasure limit number is registered in the entry of the spare block that substitutes the physical block number.
[0072]
After that, the flash memory card device driver 14 registers the physical block number of the block in which the error has occurred in the bad block management table and makes it a bad block (step S212), and then puts “0” in the first page of the bad block. An erase count over flag is set (step S213).
[0073]
By the processing in steps S212 and S212, the spare block is accessed instead of the defective block. Further, by the processing in step S213, it is possible to know that the cause of the defective block (alternative cause) is due to the erasure count being over.
[0074]
Either step S211 or S213 may be executed first. Further, the processing of steps S210 to S213 does not need to be executed when it is detected in step S202 that the program flag = 1. This is because if the program flag = 1, the erase counter is not incremented.
[0075]
Next, a procedure of a block erase process executed when an erase command is issued from the OS 18 or the application program 19 will be described with reference to a flowchart of FIG.
[0076]
Upon receiving an erase command from the OS 18 or the application program 19, the flash memory card device driver 14 first issues a dedicated command for reading only the redundant area to the flash EEPROM, and transmits 8 bytes of management data from the first page to be block erased. Is read (step S301). Next, the flash memory card device driver 14 refers to the program flag included in the read management data and checks whether or not the corresponding page is being programmed (step S302).
[0077]
If the corresponding page is programmed (program flag = "0"), the flash memory card device driver 14 issues a block erase command to execute an erase process on the block to be erased (step S303). Thereafter, the value of the erase counter included in the management data read in step S301 is incremented by +1 (step S304).
[0078]
Next, the flash memory card device driver 14 detects whether or not the block erase has been normally executed, for example, by checking whether or not the storage data of the erased block is an initial value (each bit = “1”). (Step S305).
[0079]
If it is determined that the block erase has failed, the flash memory card device driver 14 sets an erase flag of “0” in the redundant area of the first page of the block to be erased, and then retries the block erase process (step S306). . When an error of the block erase process occurs again in this retry, the flash memory card device driver 14 performs a block replacement process (step S312).
[0080]
In the block replacement processing, first, the spare block management table is rewritten, and the physical block number of the block in which the error has occurred is registered in the entry of the spare block that replaces the physical block number. After that, the flash memory card device driver 14 registers the physical block number of the block in which the error has occurred in the bad block management table and makes it a bad block (step S313).
[0081]
By the processing in steps S312 and S313, the spare block is accessed instead of the defective block. Either step S312 or S313 may be executed first.
[0082]
If it is determined that the block erase has succeeded (including a successful retry), the flash memory card device driver 14 determines whether or not the value of the erase counter counted up in step S304 has exceeded the erase limit number of the attribute memory 111. Is checked (step S307). If the number of erasures has exceeded the limit, the flash memory card device driver 14 performs a block replacement process (step S308).
[0083]
In this block replacement process, the physical block number of the block that has exceeded the erasure limit is registered in the entry of a spare block that replaces the physical block number. After that, the flash memory card device driver 14 registers the physical block number of the block in which the error has occurred in the bad block management table and makes it a bad block (step S309), and then puts “0” in the first page of the bad block. An erase count over flag is set (step S310).
[0084]
By the processing in steps S308 and S309, a spare block is accessed instead of the defective block. Further, by the processing in step S310, it is possible to know that the cause of the defective block (alternative cause) is due to the erase count being over. Either step S308 or S309 may be executed first.
[0085]
On the other hand, if it is detected in step S307 that the number of erasures has not been exceeded, the flash memory card device driver 14 writes the value of the erase counter counted up in step S304 into the first page of the erased block, Then, the program flag of each page is reset to “1”, and the process ends (step S311).
[0086]
As described above, in this embodiment, the page status information necessary for improving the reliability of data is managed using the redundant portion of the flash EEPROM. The page status information indicates the content of an error that has occurred when the flash EEPROM is accessed, so that the current state of the data area of each page and the past error history can be recognized. Thus, the reliability of the flash memory card 11 can be improved.
[0087]
When the number of times of erasing exceeds the number of times of erasing, block replacement using a spare block is performed in the same manner as when a block failure causing a page write retry, page read retry, or block erase retry error occurs. . In this case, the erase count over flag is set in the redundant area of the first page of the block. Therefore, by referring to the erase count over flag, it is possible to detect whether the replaced cause is due to the erase count over or another cause such as a program error, a read verify error, or an erase error.
[0088]
No defective block has actually occurred in the block that was determined to be a bad block due to the erase count over. Therefore, for example, when the number of defective blocks increases and the number of spare blocks to be replaced becomes insufficient, an operation mode is adopted in which a defective block with the erase count over flag set is detected and used as a normal block. It becomes possible. As a result, the life of the flash memory card 11 can be extended.
[0089]
In this embodiment, when an error occurs again in the retry of the program error, the read verify error, and the erase error, the corresponding block is replaced with the defective block immediately and the replacement process is performed. If the process is not executed normally even after retrying a plurality of times, an alternative process may be executed.
[0090]
Further, in this embodiment, the block replacement is executed by registering the replacement destination of each spare block in the spare block management table on the flash EEPROM, but this replacement process is performed by the flash memory card driver 14 by using the logical block number and the logical block number. An address conversion table indicating the correspondence relationship with the physical block numbers may be created in the memory, and the physical block number of the defective block may be changed to the physical block number of a spare block that replaces the defective block.
[0091]
Further, in this embodiment, a case where a 16-Mbit type flash EEPROM composed of a data area of 256 bytes and a redundant area of 8 bytes is used has been exemplified. For example, each page has a data area of 512 bytes. If a 32 Mbit type flash EEPROM composed of a flash memory and an 8-byte redundant area is used, the management data including page status information indicates the status of a 512-byte sector. Can be more effectively used for data management in sector units.
[0092]
Further, the data management method of this embodiment can be applied not only to a personal computer but also to any other data processing device such as a PDA as long as it can control access to the flash memory card 11.
[0093]
Furthermore, in this embodiment, the driver 14 for controlling the flash memory card 11 is provided with a data management function. However, when an intelligent flash disk device having a built-in flash EEPROM and a processor is used, the flash disk device itself is used. A similar data management function can be provided.
[0094]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, it is possible to efficiently manage information on the error occurrence state of the flash EEPROM, and it is possible to sufficiently improve the reliability of the flash memory card. In particular, since the page status information is managed using the redundant area of each page, the state of the page to be accessed can be immediately recognized.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a block diagram showing a hardware and software configuration of a personal computer using a flash memory card data management method according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram showing a circuit configuration of a flash EEPROM provided in a flash memory card used in the embodiment.
FIG. 3 is an exemplary view for explaining a data structure of management data stored in a flash memory card used in the embodiment.
FIG. 4 is an exemplary flowchart illustrating the procedure of a page read process to which the data management method according to the embodiment is applied.
FIG. 5 is an exemplary flowchart illustrating the procedure of a page write process to which the data management method according to the embodiment is applied.
FIG. 6 is an exemplary flowchart illustrating the procedure of a block erase process to which the data management method according to the embodiment is applied.
[Explanation of symbols]
11 flash memory card, 12 other PC card, 13 PC card host adapter, 14 flash memory card driver, 15 card service, 16 socket service, 17 memory technology driver, 18 OS, 10 application program.

Claims (8)

In a data management method for a flash memory card having a built-in flash EEPROM having a plurality of blocks for data storage and detachably mounted in a data processing device,
Each of the blocks has a data storage area and a redundant area for each page,
Each time the block erase process is executed, counting up the number of times of erasure of the corresponding block, and detecting whether or not the value of the number of times of erasure counted exceeds a predetermined threshold value;
A step of writing page status information indicating the content of an error generated in the access processing to a redundant area of the corresponding page each time the access processing for each page is executed, wherein the value of the number of times of erasing is a predetermined threshold Writing the erase count over flag indicating that the erase count has exceeded the erase limit count to the redundant area of a predetermined page of the corresponding block as the page status information when it is detected that the erase count has exceeded the erase limit count. A data management method for a flash memory card, comprising: A data management method for a flash memory card which incorporates a flash EEPROM including a data block area having a plurality of blocks for data storage and a spare block area having a spare block and is removably mounted on a data processing device,
Each of the blocks has a data storage area and a redundant area for each page, and an area for storing page status information for managing the content of an error generated in an access process for the corresponding page is allocated to the redundant area. Has been
Every time the block erase process is executed, the erase count of the corresponding block is counted up, and an erase count detection step of detecting whether or not the value of the counted erase count exceeds a predetermined threshold value;
When it is detected that the value of the number of times of erasing exceeds a predetermined threshold value, an erasing number over flag indicating that the number of times of erasing has exceeded the erasing limit number is set as a block corresponding to one of the page status information. Writing to a redundant area of a predetermined page of
When an error occurs in the page write, page read, or block erase processing, retrying the processing;
When the retry process is not normally executed, or when the number of times of erasing is detected to exceed the threshold value in the erasing number detecting step, the corresponding block is regarded as a defective block, and the defective block is replaced by the spare block. A data management method for a flash memory card. 3. The method according to claim 2, further comprising, when an error occurs in the page write processing, writing a program error flag indicating the occurrence of the error to a redundant area of a corresponding page as one of the page status information. Flash memory card data management method. When an error occurs in the block erase process, the method further comprises a step of writing an erase error flag indicating the occurrence of the error as one of the page status information in a redundant area of a predetermined page of a corresponding erase block. 3. The data management method for a flash memory card according to claim 2. 3. The method according to claim 2, further comprising, when an error occurs in the read verify process, writing a verify error flag indicating the occurrence of the error to a redundant area of a corresponding page as one of the page status information. Flash memory card data management method. A data management method for a flash memory card which incorporates a flash EEPROM including a data block area having a plurality of blocks for data storage and a spare block area having a spare block and is removably mounted on a data processing device,
Each block has a data storage area and a redundant area for each page, and the redundant area includes , An area for storing page status information for managing the content of an error generated in the access processing for the corresponding page is allocated,
Each time the block erase process is executed, the erase count of the corresponding block is counted up, and an erase count detection step of detecting whether the counted erase count exceeds a predetermined count,
When an error occurs in page write, page read verify, or block erase processing, a program error flag, a verify error flag, or an erase error flag indicating the error is set as one of the page status information, and the redundant area of the corresponding page. Writing to the
When an error occurs in the page write, page read verify, or block erase processing, retrying the processing;
When the retry process is not normally executed, or when it is detected by the erasure number detection step that the number of erasures exceeds a predetermined number of erasures, the corresponding block is determined as a defective block, and the defective block is determined by the spare block. Alternative steps;
When the number of times of erasing is detected to exceed a predetermined number of times of erasing by the erasing number detecting step, an erasing time over flag indicating that the number of erasing times has been exceeded is set as one of the page status information, and Writing to a redundant area of a predetermined page. A flash memory card having a built-in flash EEPROM including a data block area having a plurality of blocks for data storage and a spare block area having a spare block is provided with a card slot in which a flash memory card is removably mounted, and the flash memory card is accessed. In a controllable data processing device,
Each block of the flash EEPROM has a data storage area and a redundant area for each page, and the redundant area stores page status information for managing the content of an error generated in an access process for a corresponding page. Space has been allocated,
Means for controlling the access to the flash memory card by issuing a command to execute a page read, a page write, or a block erase to the flash memory card in response to a request from a host program;
Each time an access process for block erase is executed, the number of times of erasure of the corresponding block is counted up, and the number of times of erasure detecting whether or not the value of the counted number of times of erasure exceeds a predetermined threshold value Detecting means;
When it is detected that the value of the number of times of erasing exceeds a predetermined threshold value, an erasing number over flag indicating that the number of times of erasing has exceeded the erasing limit number is set as a block corresponding to one of the page status information. Means for writing to a redundant area of a predetermined page of
Means for retrying when an error occurs in access processing for page write, page read, or block erase,
When the retry process is not normally executed, or when the erase count detecting means detects that the erase count exceeds the threshold, the corresponding block is determined as a defective block, and the defective block is replaced by the spare block. A data processing apparatus comprising: A flash memory card having a built-in flash EEPROM including a data block area having a plurality of blocks for data storage and a spare block area having a spare block is provided with a card slot in which a flash memory card is removably mounted, and the flash memory card is accessed. In a controllable data processing device,
Each of the blocks has a data storage area and a redundant area for each page, and an area for storing page status information for managing the content of an error generated in an access process for the corresponding page is allocated to the redundant area. Has been
Means for controlling the access to the flash memory card by issuing a command to execute a page read, a page write, or a block erase to the flash memory card in response to a request from a host program;
When the access process for block erase is performed, the number of times of erasure of the corresponding block is counted up, and the number of times of erasure detecting means for detecting whether or not the counted number of times of erasure exceeds a predetermined number,
When an error occurs in page write, page read verify, or block erase access processing, a program error flag, a verify error flag, or an erase error flag indicating the error is set as one of the page status information of the corresponding page. Means for writing to the redundant area;
Means for retrying when an error occurs in page write, page read verify, or block erase access processing,
When the retry process is not performed normally, or when the number of erasures is detected by the erasure number detecting means to be greater than a predetermined number of erasures, the corresponding block is determined as a defective block, and the defective block is determined by the spare block. Alternative means;
When the number of times of erasing is detected by the erasing times detecting means to exceed a predetermined number of times of erasing, an erasing time over flag indicating that the number of erasing times has been exceeded is set as one of the page status information, and Means for writing to a redundant area of a predetermined page.

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